JP2012117024A - 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシング時におけるチップ飛びを防止するとともに、ピックアップ性の向上させることができる半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３と支持フィルム４とが積層されてなり、支持フィルム４の平均厚さが１００μｍ以下であり、かつ、支持フィルム４の剛性が４０Ｎ以上１，０００Ｎ以下である。この半導体用フィルム１０は、接着層３の支持フィルムとは反対側の面に半導体ウエハー７を貼着し、この状態で半導体ウエハー７および接着層３を切断して個片化し、得られた個片８３を支持フィルム４を介して少なくとも１本の突き上げピンにより突き上げつつ支持フィルム４からピックアップする際に用いるものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法に関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シート（半導体用フィルム）を貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。

また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、１つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。

このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム（支持フィルム）上に第１の粘接着剤層と第２の粘接着剤層とをこの順で積層してなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと２層の粘接着剤層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された２層の粘接着剤層とともにピックアップされる。ピックアップされた２層の粘接着剤層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム（または基板）との間の接着を担うこととなる。

また、ピックアップ工程においては、一般に、基材フィルムの裏面（特許文献１の接着シートでは、基材フィルムの粘着剤層とは反対側の面）を吸着・固定した状態で、個片化された半導体素子を基材フィルムの裏面側からニードル（突き上げピン）で突き上げることが行われる。

ところで、ピックアップ工程においては、個片化された半導体素子をピックアップする際に、半導体素子に割れや欠け等の損傷を生じさせることなく、剥離を生じさせるべき界面（特許文献１の接着シートでは、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面）で容易かつ確実に剥離を生じさせる特性（いわゆるピックアップ性）が優れていることが求められる。

しかし、従来では、基材フィルムを介して半導体素子をニードルで突き上げることによるピックアップ性の向上があまり望めず、ピックアップ性が十分ではないと言う問題があった。

従来では、仮に、ピックアップ性を向上させるために、剥離を生じさせるべき界面の密着力を弱めると、ダイシング工程において、ダイシングブレードの回転力等によって、個片化された半導体素子が不本意に剥離してしまう現象（いわゆるチップ飛び）が生じてしまうと言う問題があった。

このように、従来では、ピックアップ性の向上とチップ飛びの防止とを両立させることが難しいと言う問題があった。

特開２００４−４３７６１号公報

本発明の目的は、ダイシング時におけるチップ飛びを防止するとともに、ピックアップ性を向上させることができる半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（９）の本発明により達成される。
（１） 接着層と支持フィルムとが積層されてなる半導体用フィルムであって、
前記支持フィルムの平均厚さが１００μｍ以下であり、かつ、
前記支持フィルムの２３℃における剛性が４０Ｎ以上１，０００Ｎ以下であることを特徴とする半導体用フィルム。

（２） 前記支持フィルムの２３℃における曲げ剛性は、０．２５Ｎ・ｍｍ^２以下である上記（１）に記載の半導体用フィルム。

（３） 前記支持フィルムの２３℃における引張弾性率は、５０〜３，０００ＭＰａである上記（１）または（２）に記載の半導体用フィルム。

（４） 前記接着層の前記支持フィルムとは反対側の面に半導体ウエハーを貼着し、この状態で前記半導体ウエハーおよび前記接着層を切断して個片化し、得られた個片を前記支持フィルムを介して少なくとも１本の突き上げピンにより突き上げつつ前記支持フィルムからピックアップする際に用いるものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体用フィルム。

（５） 前記支持フィルムは、前記突き上げピンの突き上げにより前記突き上げピンとの接触点を中心として部分的に塑性変形した円形の突き上げ痕が形成され、
１つの前記個片の平面視での面積をＡとし、前記支持フィルムの当該個片に対応する領域内に形成された前記突き上げ痕の平面視での面積をＢとしたとき、Ｂ／Ａが、１〜１５％である上記（４）に記載の半導体用フィルム。

（６） 前記粘着層は、前記接着層に接する第１粘着層と、該第１粘着層の前記接着層とは反対側の面に接し、前記第１粘着層よりも粘着性の高い第２粘着層とを有する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体用フィルム。

（７） 前記支持フィルムのガラス転移温度は、−２５℃以上１２０℃以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用フィルム。

（８） 上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得る工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程と、
得られた個片を少なくとも１本の突き上げピンにより前記支持フィルムを介して突き上げるとともに、当該個片を前記支持フィルムからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（９） 前記ピックアップ時において、前記支持フィルムの前記接着層と反対側の面を吸着固定する上記（８）に記載の半導体装置の製造方法。

本発明によれば、支持フィルムの剛性および厚さが最適化されるので、ピックアップ時において、支持フィルムを介して個片を突き上げピン（ニードル）で突き上げた際に、支持フィルムの厚さ方向での変形量を局所的に大きくすることができる。そのため、支持フィルムを突き上げピンで突き上げることにより、半導体用フィルムの剥離すべき界面に隙間が生じやすくなり、ピックアップ性を向上させることができる。これにより、接着層等の粘着性を高めても、良好にピックアップを行うことができる。また、接着層等の粘着性を高めることができるので、ダイシング時において、いわゆるチップ飛びを防止し、ダイシング性を向上させることができる。

また、本発明によれば、支持フィルムの弾性が比較的低くなるので、ダイシング時において、ダイシングに伴って生じる振動を支持フィルムで吸収することができる。その結果、ダイシング時における半導体ウエハーの損傷を防止することもできる。

本発明の第１実施形態に係る半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法（主にダイシング工程）を説明するための図（縦断面図）である。 図１に示す半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法（主にピックアップ工程）を説明するための図（縦断面図）である。 図３に示すピックアップ工程を説明するための上面図である。 図４中Ａ−Ａ線断面図である。 （ａ）は、本発明に係るピックアップ工程を説明するための図、（ｂ）は、従来のピックアップ工程を説明するための図である。 （ａ）は、図６（ａ）に示すピックアップ工程後の支持フィルムを示す上面図、（ｂ）は、図６（ｂ）に示すピックアップ工程後の支持フィルムを示す上面図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法（主にモールド工程）を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の第２実施形態に係る半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法（主にダイシング工程）を説明するための図（縦断面図）である。 （ａ）は、本発明に係る実施例におけるピックアップ後の支持フィルムの突き上げ痕を示す写真、（ｂ）は、比較例におけるピックアップ後の支持フィルムの突き上げ痕を示す写真である。 ピックアップ工程において接着層と粘着層との間に生じる隙間を説明するための図である。

以下、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法（主にダイシング工程）を説明するための図（縦断面図）、図２は、図１に示す半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図、図３は、本発明の第１実施形態に係る半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法（主にピックアップ工程）を説明するための図（縦断面図）、図４は、図３に示すピックアップ工程を説明するための上面図、図５は、図４中Ａ−Ａ線断面図、図６（ａ）は、本発明に係るピックアップ工程を説明するための図、図６（ｂ）は、従来のピックアップ工程を説明するための図、図７（ａ）は、図６（ａ）に示すピックアップ工程後の支持フィルムを示す上面図、図７（ｂ）は、図６（ｂ）に示すピックアップ工程後の支持フィルムを示す上面図、図８は、本発明の第１実施形態に係る半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法（主にモールド工程）を説明するための図（縦断面図）、図１１は、ピックアップ工程において接着層と粘着層との間に生じる隙間を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１、２、４、５、７、８中の上側を「上」、下側を「下」という。

［半導体用フィルム］
図１に示す半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム１０は、支持フィルム４上に、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３とをこの順で積層してなるものである。

この半導体用フィルム１０は、後に詳述するが、接着層３の上面に半導体ウエハー７を貼着させ、この状態で半導体ウエハー７および接着層３を切断（ダイシング）してそれぞれ個片化し、得られた個片（後述する半導体素子７１と接着層３１とを積層してなる個片８３）を支持フィルム４からピックアップする際に用いるものである。このような半導体用フィルム１０は、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持する機能を有する。また、半導体用フィルム１０は、個片化された半導体ウエハー７（後述する半導体素子７１）および接着層３（後述する接着層３１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離するものである。このような半導体用フィルム１０は、ピックアップした半導体素子７１に、絶縁基板５上に接着するための接着剤（後述する接着層３１）を提供する機能を有する。

また、後に詳述するが、この半導体用フィルム１０は、その剛性および厚さが最適化されている。これにより、ピックアップ時において、支持フィルム４を突き上げピンで突き上げた際に、支持フィルム４の厚さ方向での変形量を局所的に大きくすることができる。そのため、支持フィルム４を突き上げピンで突き上げることにより、半導体用フィルム１０の剥離すべき界面に隙間が生じやすくなり、ピックアップ性を向上させることができる。これにより、接着層３等の粘着性を高めても、良好にピックアップを行うことができる。また、接着層３等の粘着性を高めることができるので、ダイシング時において、いわゆるチップ飛びを防止し、ダイシング性を向上させることができる。

また、支持フィルム４の弾性が比較的低くなるので、ダイシング時において、ダイシングに伴って生じる振動を支持フィルム４で吸収することができる。その結果、ダイシング時における半導体ウエハー７の損傷を防止することもできる。

また、支持フィルム４の外周部４１および第２粘着層２の外周部２１は、それぞれ第１粘着層１の外周縁１１を越えて外側に存在している。

このうち、外周部２１には、後述する半導体装置１００の製造時におけるダイシング時に、ウエハーリング９が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー７が確実に支持されることとなる。

以下、半導体用フィルム１０の各部の構成について順次詳述する。
（第１粘着層）
第１粘着層１は、一般的な粘着剤で構成されている。具体的には、第１粘着層１は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第１樹脂組成物で構成されている。

アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。

また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第１粘着層１が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。

また、第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。

さらに、第１樹脂組成物には、第１粘着層１を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。

また、第１樹脂組成物には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。

このような第１粘着層１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。かかる厚さが前記下限値未満であると、第１粘着層１の十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合がある。一方、かかる厚さが前記上限値を超えると、後述するピックアップ工程時において、突き上げピンの突き上げ条件（突き上げ量、先端形状等）によっては、突き上げピンによる支持フィルム４の変形に追従して第１粘着層１が変形することが難しくなり、その結果、ピックアップ性が低下する場合がある。また、かかる厚さが前記上限値を超えても、あまり特性に影響が無く、利点も得られない。また、かかる厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第１粘着層１が得られる。

（第２粘着層）
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものである。これにより、接着層３に対する第１粘着層１の密着力よりも、第１粘着層１および支持フィルム４に対する第２粘着層２の密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置１００の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち第１粘着層１と接着層３との界面）で剥離を生じさせることができる。

また、第２粘着層２の粘着性を高めることにより、後述する半導体装置１００の製造の第２の工程においては、半導体ウエハー７をダイシングして個片化する際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー７の位置ずれが確実に防止され、半導体素子７１の寸法精度を高めることができる。

この第２粘着層２には、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、第２粘着層２は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。

アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。

また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第２粘着層２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。

また、第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。

さらに、第２樹脂組成物には、第１樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。

このような第２粘着層２の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。かかる厚さが前記下限値未満であると、第２粘着層２の十分な粘着力を確保するのが困難となる場合がある。一方、かかる厚さが前記上限値を超えると、後述するピックアップ工程時において、突き上げピンの突き上げ条件（突き上げ量、先端形状等）によっては、突き上げピンによる支持フィルム４の変形に追従して第２粘着層２が変形することが難しくなり、その結果、ピックアップ性が低下する場合がある。また、かかる厚さが前記上限値を超えても、特に優れた効果が得られない。また、第２粘着層２は、第１粘着層１によりも柔軟性が高いため、第２粘着層２の平均厚さが前記範囲内であれば、第２粘着層２の形状追従性が確保され、半導体用フィルム１０の半導体ウエハー７に対する密着性をより高めることができる。

（接着層）
接着層３は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第３樹脂組成物で構成されている。このような樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。

このうち、熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。

なお、アクリル系樹脂とは、アクリル酸およびその誘導体の重合体および他の単量体との共重合体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。

また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子７１等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。

また、前記官能基を持つ化合物の配合量は、特に限定されないが、アクリル系樹脂全体の０．５〜４０質量％程度であるのが好ましく、特に５〜３０質量％程度であるのがより好ましい。配合量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。

また、熱可塑性樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、特に限定されないが、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃であることがより好ましく、−１０〜５０℃であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。

また、熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の成膜性を向上することができる。

一方、熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層３の耐熱性および密着性をより向上することができる。

また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜４００質量部程度であるのが好ましく、特に３〜３００質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。

また、第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。

硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン、およびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。

また、硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜４００質量部であるのが好ましく、特に３〜２００質量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層３の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層３の保存性が低下する場合がある。

また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ樹脂と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ基数と硬化剤の官能基数（例えばフェノール樹脂であればフェノール性水酸基数）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると流動保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。

また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒（硬化促進剤）を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。

硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。

イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。

また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。

また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。

また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。

前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。

このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。

カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。

接着層３を成膜するにあたっては、このような第３樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層３を得ることができる。

接着層３の平均厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に５〜７０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。

また、第３樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層３の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。

このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。

また、フィラーの平均粒径は、０．０１〜２５μｍ程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。

フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．１〜１００質量部程度であるのが好ましく、特に５〜９０質量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層３の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。

（支持フィルム）
支持フィルム４は、以上のような第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を支持する支持体である。

特に、この支持フィルム４は、その２３℃（室温）における剛性が４０Ｎ以上１，０００Ｎ以下であり、かつ、厚さが１００μｍ以下である。

これにより、後述するピックアップ時において、支持フィルム４を突き上げピンで突き上げた際に、支持フィルム４の厚さ方向での変形量を局所的に大きくすることができる。そのため、支持フィルム４を突き上げピンで突き上げることにより、半導体用フィルム１０の剥離すべき界面に隙間が生じやすくなり、ピックアップ性を向上させることができる。これにより、接着層３等の粘着性を高めても、良好にピックアップを行うことができる。また、接着層３等の粘着性を高めることができるので、ダイシング時において、いわゆるチップ飛びを防止し、ダイシング性を向上させることができる。

また、支持フィルム４の弾性が比較的低くなるので、ダイシング時において、ダイシングに伴って生じる振動を支持フィルム４で吸収することができる。その結果、ダイシング時における半導体ウエハー７の損傷を防止することもできる。

ここで、「剛性」は、対象物（支持フィルム４）の２３℃（室温）における引張弾性率（ヤング率）をＥ［ＭＰａ］とし、対象物の試験片の断面積（横断面積）をＳ［ｍｍ^２］としたときに、Ｅ×Ｓである。より具体的には、「支持フィルム４の剛性」（Ｅ×Ｓ）は、支持フィルム４を幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍで切り出して短冊状の試験片を得、この試験片を引張試験装置（オリエンテック社製 ＲＴＡ−１００）を用いて試験温度２３℃（室温）、試験速度１，０００ｍｍ／ｍｉｎで引張弾性率Ｅを測定し、その測定された引張弾性率Ｅに試験片の断面積（横断面積）Ｓを乗じることにより求めることができる。

また、支持フィルム４の２３℃（室温）における剛性は、支持フィルム４の厚さや突き上げピンの突き上げ量等に応じて決められるものであり、前述したように４０Ｎ以上１，０００Ｎ以下であればよいが、４０Ｎ以上７００Ｎ以下であるのがより好ましく、４０Ｎ以上３００Ｎ以下であるのがさらに好ましい。これに対し、かかる剛性が前記下限値未満であると、支持フィルム４に必要な機械的強度を確保することが難しく、また、突き上げピンの突き上げ量を高精度に制御しないと、突き上げピンが支持フィルム４を突き破って個片８３を損傷させるおそれがある。一方、かかる剛性が前記上限値を超えると、支持フィルム４の厚さや突き上げピンの先端形状、突き上げ量等によっては、突き上げピンで突き上げによる支持フィルム４の厚さ方向での変形量を局所的に大きくすることができない場合がある。

また、支持フィルム４の２３℃（室温）における曲げ剛性は、０．２５Ｎ・ｍｍ^２以下であるのが好ましい。

ここで、「曲げ剛性」は、対象物（支持フィルム４）の２３℃（室温）における引張弾性率をＥ［ＭＰａ］とし、対象物の試験片の断面二次モーメントをＩ［ｍｍ^４］としたときに、Ｅ×Ｉである。より具体的には、「支持フィルム４の曲げ剛性」（Ｅ×Ｉ）は、支持フィルム４を幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍで切り出して短冊状の試験片を得、この試験片を引張試験装置（オリエンテック社製 ＲＴＡ−１００）を用いて試験温度２３℃（室温）、試験速度１，０００ｍｍ／ｍｉｎで引張弾性率Ｅを測定し、その測定された引張弾性率Ｅに試験片の断面二次モーメントＩを乗じることにより求めることがでる。なお、かかる試験片の断面二次モーメントＩは、試験片の幅をｗ［ｍｍ］、試験片の厚さ（すなわち支持フィルム４の厚さ）をｈ［ｍｍ］としたとき、ｗ×ｈ^３／１２である。

また、支持フィルム４の２３℃（室温）における引張弾性率Ｅは、前述したような剛性を実現し得るものであれば、特に限定されないが、５０〜３，０００ＭＰａであるのが好ましく、５０〜１，０００ＭＰａであるのがより好ましい。かかる引張弾性率が前記下限値未満であると、支持フィルム４の厚さや突き上げピンの先端形状、突き上げ量等によっては、突き上げピンが支持フィルム４を突き破り、個片８３が損傷するおそれがある。一方、かかる引張弾性率が前記上限値を超えると、支持フィルム４の厚さや突き上げピンの先端形状、突き上げ量等によっては、突き上げピンで突き上げによる支持フィルム４の厚さ方向での変形量を局所的に大きくすることができない場合がある。

このような支持フィルム４の構成材料としては、前述したような剛性を実現し得るものであれば、特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。

また、支持フィルム４のガラス転移温度は、０℃以上１００℃以下であるものが好ましく、０℃以上３０℃以下であるものがより好ましい。これにより、半導体装置の製造工程（特に、ピックアップ工程）において、支持フィルム４の剛性を前述したような範囲に維持することができる。

ここで、ガラス転移温度は、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツル株式会社製、型番：ＤＭＳ６１００）を用い、測定サンプルサイズ：４ｍｍ（幅）×２０ｍｍ（長さ）×１００μｍ（厚み）、周波数：１Ｈｚ、測定温度範囲：３０〜３００℃、昇温速度：１０℃／分で測定したときに、Ｔａｎδのピークが発現する温度である。

また、支持フィルム４の平均厚さは、１００μｍ以下であればよいが、５〜１００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム４に必要な機械的強度を確保するとともに、突き上げピンにより支持フィルム４を突き上げた際に、突き上げピンの先端部に追従するように局所的に支持フィルム４を変形させることができる。

また、支持フィルム４の降伏点応力は、１０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下であるのが好ましく、１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であるのがさらに好ましい。これにより、後述するようなピックアップ工程において、突き上げピンにより突き上げられた際に、支持フィルム４を塑性変形させて、その突き上げ量に応じた平面視での面積を有する突き上げ痕を形成することができる。また、かかる塑性変形により、ピックアップ時に、半導体用フィルム１０の剥離すべき界面において好適に隙間を生じさせ（かかる隙間が生じた後に小さくなるのを防止し）、ピックアップ性を向上させることができる。

これに対し、かかる降伏点応力が前記下限値未満であると、支持フィルム４の厚さ、突き上げピンの突き上げ量等によっては、突き上げピンが支持フィルム４を突き破るおそれがある。一方、かかる引張強さが前記上限値を超えると、支持フィルム４の厚さ、突き上げピンの突き上げ量等によっては、突き上げピンの突き上げによる支持フィルム４の塑性変形が生じなかったり、ピックアップ時に、半導体用フィルム１０の剥離すべき界面において好適に隙間を生じさるのが難しくなる。

（半導体用フィルムの特性）
第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、それぞれ異なる密着力（粘着力）を有しているが、以下では、それらについて詳述する。

前述したように、第１粘着層１および支持フィルム４に対する第２粘着層２の密着力は、接着層３に対する第１粘着層１の密着力よりも大きい。これにより、個片８３をピックアップした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。

すなわち、第１粘着層１および第２粘着層２の２層で構成された粘着層を用いているため、それぞれの密着力を異ならせることで、上記のように、ダイシング時における半導体ウエハー７の確実な固定と個片８３の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。

また、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、特に限定されないが、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング性やピックアップ性に優れる。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、第１粘着層１の表面に第２粘着層２を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて第２粘着層２部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１，０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、半導体ウエハー７と接着層３との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。

また、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、特に限定されないが、５０〜５００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に８０〜２５０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング時に振動や衝撃で半導体素子７１が飛んで脱落する、いわゆる「チップ飛び」の発生を十分に防止することができる。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、半導体ウエハー７の表面に２５ｍｍ幅の短冊状の接着層３を貼り付け、その後、２３℃（室温）において、その接着層３を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１，０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間は剥離することなく、接着層３と第１粘着層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。

なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力や第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類（組成）、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。

また、ダイシング前における第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１０〜８０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３０〜６０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、半導体素子７１が第１粘着層１から脱落する等の不具合が防止されるとともに、優れたピックアップ性が確保される。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、第１粘着層１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて接着層部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１，０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

上記のような特性を有する第１粘着層１の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、アクリレートモノマー１〜５０質量部と、イソシアネート化合物０．１〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。

一方、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１００〜２，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に４００〜１，２００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面の剥離が防止され、結果として半導体素子７１の脱落等が確実に防止される。また、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持することができる。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、ウエハーリング９の上面に２５ｍｍ幅の短冊状の第２粘着層２を２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この第２粘着層２を、剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１，０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

上記のような特性を有する第２粘着層２の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、ウレタンアクリレート１〜５０質量部と、イソシアネート化合物０．５〜１０質量部と、光重合開始剤としてアセトフェノン系化合物を１〜５質量部とを配合し、紫外線光を照射したものが挙げられる。

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力をＡ_１とし、第２粘着層２の第１粘着層１に対する密着力をＡ_２としたとき、Ａ_２／Ａ_１は、特に限定されないが、５〜２００程度であるのが好ましく、１０〜５０程度であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、ダイシング性およびピックアップ性において特に優れたものとなる。

（半導体用フィルムの製造方法）
以上説明したような半導体用フィルム１０は、例えば以下のような方法で製造される。

まず、図２（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に第１粘着層１を成膜する。これにより、基材４ａと第１粘着層１との積層体６１を得る。第１粘着層１の成膜は、前述した第１樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第１樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。

上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。

また、積層体６１と同様にして、図２（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着層３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着層３との積層体６２を得る。

さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図２（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上に第２粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４と第２粘着層２との積層体６３を得る。

次いで、図２（ｂ）に示すように、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。

次いで、図２（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図２（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着層３および前記第１粘着層１の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。

次いで、図２（ｅ）に示すように、第１粘着層１の露出面に第２粘着層２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図２（ｆ）に示す半導体用フィルム１０が得られる。

［半導体装置の製造方法］
次に、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体装置１００を製造する方法について説明する。

半導体装置１００の製造方法は、半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０とを積層（貼着）し、積層体８を得る第１の工程と、半導体用フィルム１０の外周部２１をウエハーリング９に貼り付けた状態で、半導体ウエハー７側から積層体８に切り込み８１を設ける（ダイシングする）ことにより、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し、半導体素子７１および接着層３１からなる複数の個片８３を得る第２の工程（ダイシング工程）と、個片８３の少なくとも１つをピックアップする第３の工程（ピックアップ工程）と、ピックアップされた個片８３を絶縁基板５上に載置し、半導体装置１００を得る第４の工程とを有する。以下、各工程について順次詳述する。

［１］
［１−１］まず、半導体ウエハー７および半導体用フィルム１０を用意する。

半導体ウエハー７は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー７としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。

このような半導体ウエハー７の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは０．０１〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．０３〜０．５ｍｍ程度とされる。前述したような半導体用フィルム１０を用いた半導体装置の製造方法によれば、このような厚さの半導体ウエハー７に対しても欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。

［１−２］次に、図１（ａ）に示すように、上述したような半導体用フィルム１０の接着層３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する（第１の工程）。なお、図１に示す半導体用フィルム１０では、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着層３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７が半導体用フィルム１０で支持されることとなる。なお、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７と同じに設定されていてもよい。

上記積層の結果、図１（ｂ）に示すように、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。

［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、第２粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。

ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。

半導体用フィルム１０が上述したように粘着性の異なる２層の粘着層（第１粘着層１および第２粘着層２）を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。

［２−２］次に、ダイサーテーブル３０２と支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル３０２上に積層体８を載置する。

続いて、図１（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着層３も同様に、複数の接着層３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面が半導体用フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。

切り込み８１の先端（最深部）は、支持フィルム４に達している。これにより、半導体ウエハー７および接着層３の双方を確実に個片化して、半導体素子７１および接着層３１を得ることができる。なお、切り込み８１の深さは、半導体ウエハー７と接着層３とを貫通し得る深さであればよく、例えば、切り込み８１の深さを高精度に制御可能である場合には、切り込み８１の最深部は、第１粘着層もしくは第２粘着層２の途中、あるいは、第１粘着層１と第２粘着層２の界面のもしくは第２粘着層２と支持フィルム４との界面に位置していてもよい。

［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き伸ばす（エキスパンド）。これにより、図１（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。

［３−２］次に、図３に示すダイボンダー２５０により、個片化された半導体素子７１のうちの１つを吸着して上方に引き上げる。その結果、図３（ｅ）に示すように、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着層３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。

また、前述したように個片８３をピックアップする際、積層体８の下方から、対象となる個片８３を上方へ突き上げる。

ここで、ダイボンダー２５０について説明する。
図３に示すダイボンダー２５０は、ダイシング工程を経て得られた個片８３をピックアップする機能と、ピックアップした個片８３を絶縁基板５上に移送する機能とをそれぞれ有する。

このようなダイボンダー２５０は、個片８３を吸着するコレット（チップ吸着部）２６０と、絶縁基板５を下方から加熱するヒーター２７０と、コレット２６０を支持する装置本体２８０と、積層体８（特に支持フィルム４）を吸着固定しつつ個片８３を突き上げる突き上げ装置（支持フィルム吸着部）４００とを有する。

突き上げ装置４００は、支持フィルム４の個片８３とは反対側の面を吸着固定する吸着台４１０と、ピックアップの対象となる個片８３を突き上げる複数（本実施形態では５本）の突き上げピン（ニードル）４２０と、複数の突き上げピン４２０を保持するホルダ４３０とを有する。

吸着台４１０は、その上面が積層体８の支持フィルム４の接着層３とは反対側の面に吸着する。また、吸着台４１０は、支持フィルム４のうち、ピックアップの対象となる個片８３に対応する部分およびその近傍部分に対して吸着する。

このような吸着台４１０は、その上面に、略環状をなす溝４１１が形成され、その溝４１１の底面には、その周方向に並んで複数の吸引孔４１２が形成されている。また、溝４１１の内側には、溝４１１の周方向に並んで複数の吸引孔４１３が設けられている。さらに、複数の吸引孔４１３の内側には、溝４１１の周方向に並んで複数の吸引孔４１４が形成されている。また、複数の吸引孔４１４の内側には、吸引孔４１５が形成されている。

また、吸着台４１０は、各吸引孔４１２、４１３、４１４、４１５と連通する柱状の中空部４１０ａを有し、その中空部４１０ａには、中空部４１０ａ内を負圧にするための吸引装置（図示せず）が接続されている。これにより、溝４１１内、各吸引孔４１２、４１３、４１４、４１５内を負圧にし、吸着台４１０の上面に積層体８を吸着固定することができる。

このような吸着台４１０内（中空部４１０ａ内）には、複数の突き上げピン４２０を保持するホルダ４３０が挿通されている。

複数の突き上げピン４２０は、複数の吸引孔４１３のうち周方向に互いに等間隔となる４つの吸引孔に挿通される４つの突き上げピン４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ、４２０ｄと、吸引孔４１５に挿通される１本の突き上げピン４２０ｅとで構成されている。

本実施形態では、これらの突き上げピン４２０は、互いに同じ寸法（径、長さ、形状等）で構成されている。

なお、突き上げピン４２０は、互いに異なる寸法で構成されていてもよい。また、突き上げピン４２０の数は、個片８３の大きさ、突き上げピンの配置等に応じて決定されるものであり、上述したものに限定されず、１〜４本であってもよいし、６本以上であってもよいが、１〜５０本程度であるのが好ましく、また、個片８３の面積１０ｍｍ^２当たりに１〜７本程度であるのが好ましい。

そして、これらの突き上げピン４２０は、互いに平行で、かつ、先端が揃う（吸着台４１０の上面と先端との距離が互いに等しくなる）ように、ホルダ４３０に保持されている。

ホルダ４３０は、吸着台４１０内を上下方向に移動可能となっている。これにより、各突き上げピン４２０を、吸着台４１０の上面から突出させたり、吸着台４１０の上面よりも下側へ退避させたりすることができる。

また、図示しないが、ピックアップ工程において、前述したように積層体８の外周部がウエハーリング９により支持されており、そのウエハーリング９は、図示しないテーブルに固定されている。このテーブルは、鉛直方向上方から見たときに、ピックアップの対象となる個片８３が吸着台４１０上に位置するように、移動可能となっている。すなわち、吸着台４１０は、鉛直方向上方から見たときに、ピックアップの対象となる個片８３に対応する位置に応じて相対的に移動するようになっている。これにより、複数の個片８３を１つずつ選択的に突き上げピン４２０により突き上げ、ピックアップすることができる。

コレット２６０は、ピックアップの対象となる個片８３（鉛直方向上方から見たときに吸着台４１０上に位置する個片８３）を吸着し得るように構成されている。

このようなコレット２６０は、装置本体２８０に支持されている。
装置本体２８０は、コレット２６０を鉛直方向の上下に移動し得るとともに、コレット２６０を吸着台４１０の上方から絶縁基板５上まで移動し得るように構成されている。これにより、吸着台４１０の上方に位置する個片８３をコレット２６０に吸着し、その吸着した状態で個片８３を絶縁基板５上に移送することができる。

このようなダイボンダー２５０においては、支持フィルム４を吸着台４１０に吸着固定しつつ、複数の突き上げピン４２０により支持フィルム４を介して個片８３を上方へ突き上げる。これと同期して、コレット２６０を下降させて、当該個片８３をコレット２６０に吸着させ、その吸着した状態でコレット２６０を鉛直方向上方へ移動させ、対象となる個片８３について、接着層３と第１粘着層との間の界面で剥離を生じさせ、ピックアップする。

このとき、前述したように支持フィルム４を複数の突き上げピン４２０で突き上げた際に、図６（ａ）に示すように、支持フィルム４のうち各突き上げピン４２０と接触点（接触する部分の中心）を中心として局所的に厚さ方向に変形する。しかも、前述したように、支持フィルム４は、その剛性が４０Ｎ以上１，０００Ｎ以下であり、かつ、厚さが１００μｍ以下であるので、その局所的な変形の変形量を大きくすることができる。そのため、支持フィルム４を複数の突き上げピン４２０で突き上げることにより、半導体用フィルム１０の剥離すべき界面（接着層３と第１粘着層１との界面）に隙間Ｓが生じやすくなり（すなわち、接着層３と第１粘着層１との接触面積が小さくなり）、ピックアップ性を向上させることができる。これにより、接着層３等の粘着性を高めても、良好にピックアップを行うことができる。また、接着層３等の粘着性を高めることができるので、ダイシング時において、いわゆるチップ飛びを防止し、ダイシング性を向上させることができる。

なお、このようなピックアップの際に、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性が高いため、支持フィルム４と第２粘着層２との界面の密着力、および、第２粘着層２の第１粘着層１との界面の密着力は、第１粘着層１と接着層３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も密着力の小さい第１粘着層１と接着層３との界面が選択的に剥離することとなる。

このような複数の突き上げピン４２０による突き上げ後の支持フィルム４は、前述したような局所的な変形の変形量が大きいため、支持フィルム４のうち各突き上げピン４２０の接触点（突き上げられた部分４３の中心）を中心として部分的に塑性変形する。すなわち、図７（ａ）に示すように、複数の突き上げピン４２０による突き上げ後の支持フィルム４には、各突き上げピン４２０の接触点を中心として塑性変形した円形の突き上げ痕４３ａが形成される。この突き上げ痕４３ａの面積は、比較的大きいものとなる。

ここで、前述したような良好なピックアップ性を実現するためには、１つの個片８３の平面視での面積（半導体素子７１の平面視での面積）をＡとし、支持フィルム４の当該個片８３に対応する領域内に形成された複数の突き上げ痕４３ａの平面視での面積（合計面積）をＢとしたとき、Ｂ／Ａは、０．５〜１５％であるのが好ましく、１〜１２％であるのがより好ましく、２〜１０％であるのがさらに好ましい。なお、１つの個片８３の平面視での長さをＬとし、１つの個片８３の平面視での幅をＷとしたとき、１つの個片８３の平面視での面積Ａは、Ｗ×Ｌである。

かかる面積の割合Ｂ／Ａが前記範囲内である支持フィルム４は、前述したようなピックアップの際に、支持フィルム４のうち各突き上げピン４２０に接触した部分およびその近傍が厚さ方向に大きく変形したものであること（厚さ方向での変形量が大きいこと）がわかる。

また、前述したようなピックアップに際し、突き上げピン４２０の本数が多い場合、突き上げピン４２０の本数が少ない場合に比し、１本当たりの突き上げピン４２０による前述したような支持フィルム４の厚さ方向での変形量が小さくても、良好なピックアップ性を実現することができる。

具体的に説明すると、例えば、支持フィルム４が１つの突き上げピン４２０の突き上げにより部分的に厚さ方向に変形したとき、平面視にて突き上げピン４２０の周囲に前述したような隙間Ｓが形成される。当該隙間Ｓは、突き上げピン４２０を中心とした、接着層３下面の円錐形状と第１粘着層１上面の円錐形状との間に形成されるため、当該隙間Ｓにおける接着層３と第１粘着層１との間の距離は、突き上げピン４２０を中心とした一定距離の円周上を最大値として、該円周上から遠ざかるほど小さくなる（図１１参照）。したがって、突き上げピン４２０の数が少ない場合は、１本の突き上げピン４２０当たりに形成される隙間Ｓの平面視での面積を大きくする必要がある。すなわち、突き上げピン４２０の数が少ない場合は、１つの突き上げ痕４３ａの面積を大きくする必要がある。

一方、突き上げピン４２０の数が多い場合、突き上げピン４２０同士の間の距離が小さく、１本の突き上げピン４２０当たりに形成される隙間Ｓの平面視での面積を小さくすることができる。そのため、突き上げピン４２０の本数が多い場合、突き上げピン４２０の本数が少ない場合に比し、１本の突き上げピン４２０当たりの前述したような支持フィルム４の厚さ方向での変形量が小さくて済む。すなわち、突き上げピン４２０の数が多い場合は、１つの突き上げ痕４３ａの面積を小さくすることができる。

このようなことから、突き上げピン４２０の本数によらず、個片８３の面積Ａに対する複数の突き上げ痕４３ａの合計の面積Ｂの占める割合Ｂ／Ａを前述したような範囲にすることにより、隙間Ｓを好適に形成し、前述したような優れたピックアップ性を実現することができる。

これに対し、例えば剛性が１，０００Ｎよりも大きい支持フィルム１０４を用いた半導体用フィルム１１０を半導体ウエハー７に貼着した積層体１０８では、図６（ｂ）に示すように、支持フィルム１０４を複数の突き上げピン４２０で突き上げた際に、支持フィルム１０４の剛性が比較的高いため、支持フィルム１０４のうち各突き上げピン４２０に突き上げられる部分がほとんど厚さ方向に変形しないか、あるいは、変形したとしてもその変形量が極めて小さい。そのため、支持フィルム１０４が局所的に変形せずに吸着台４１０からその吸着力に抗して浮き上がってしまう。このようなことから、支持フィルム１０４を複数の突き上げピン４２０で突き上げても、半導体用フィルム１１０の剥離すべき界面（接着層３と第１粘着層１との界面）に隙間Ｓ’が生じにくく、隙間Ｓ’が形成されたとしても、その平面視での面積が小さく（すなわち、接着層３と第１粘着層１との接触面積が大きいままであり）、ピックアップ性の向上が望めない。

このような複数の突き上げピン４２０による突き上げ後の支持フィルム１０４は、その局所的な変形の変形量（厚さ方向での変形量）が小さいため、支持フィルム１０４のうち各突き上げピン４２０に突き上げられた部分１０４３がほとんど塑性変形しない。すなわち、図７（ｂ）に示すように、複数の突き上げピン４２０による突き上げ後の支持フィルム１０４には、比較的小さい面積の突き上げ痕１０４３ａが形成されるだけとなる。

なお、前述したような面積の割合Ｂ／Ａは、ダイボンダー（ＡＳＭ社製 ＡＤ８９８）を用いてピックアップした後の支持フィルムについて測定されるものである。具体的には、かかる割合Ｂ／Ａは、温度２３℃（室温）、各突き上げピン４２０の突き上げ速度（上昇速度）を４６．８ｍｍ／ｓｅｃ、各突き上げピン４２０の突き上げ量（吸着台４１０の上面（吸着面）からの突出量）を０．３ｍｍ、各突き上げピン４２０の軸径を０．７ｍｍ、各突き上げピン４２０の先端のテーパ角を１５°、各突き上げピンの先端面の直径０．２ｍｍ、各突き上げピン４２０の先端面の曲率半径を０．１２５ｍｍ、吸着台４１０の吸着力（真空度）を−８０ｋＰａとする条件のもとで、ピックアップを行った後の支持フィルムについて測定されるものである。

また、実際のピックアップ工程において、複数の突き上げピン４２０の突き上げ速度（上昇速度）は、１〜１００ｍｍ／ｓｅｃであるのが好ましく、５〜５０ｍｍ／ｓｅｃであるのがより好ましい。かかる突き上げ速度を前記範囲内とすることにより、半導体素子７１の損傷を防止しつつ、効率的に個片８３のピックアップを行うことができる。これに対し、かかる突き上げ速度が前記下限値未満であると、１つの個片８３をピックアップするのに要する時間が長くなったり、突き上げピン４２０の突き上げ量を十分なものとすることができず、突き上げピン４２０によるピックアップ性の向上が望めなかったりする場合がある。一方、かかる突き上げ速度が前記上限値を超えると、支持フィルム４の厚さ、弾性率、突き上げピン４２０の突き上げ量、先端形状等によっては、突き上げピン４２０が支持フィルム４を突き破って半導体素子７１を損傷するおそれがある。

また、各突き上げピン４２０の突き上げ量（吸着台４１０の上面からの突出長さ）は、０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下であるのが好ましく、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であるのがより好ましい。かかる突き上げ量を前記範囲内とすることにより、半導体素子７１の損傷を防止しつつ、効率的に個片８３のピックアップを行うことができる。これに対し、かかる突き上げ量が前記下限値未満であると、前述したような突き上げピン４２０の突き上げによる支持フィルム４の部分的な厚さ方向での変形量が小さく、ピックアップ性の向上を望めない場合がある。一方、かかる突き上げ量が前記上限値を超えると、支持フィルム４の厚さ、弾性率、突き上げピン４２０の突き上げ速度、先端形状等によっては、突き上げピン４２０が支持フィルム４を突き破って半導体素子７１を損傷するおそれがある。

また、本実施形態では、各突き上げピン４２０の先端形状は、先端部が先細りとなるテーパ状をなし、そのテーパ角は、特に限定されないが、１０〜３０°程度である。なお、各突き上げピン４２０の先端部の形状は、前述したものに限定されない。

また、各突き上げピン４２０の先端には、所定の曲率半径で先端側に凸湾曲した先端面が形成されている。その曲率半径は、特に限定されないが、０．０５〜０．５ｍｍ程度である。

また、各突き上げピン４２０の軸径（テーパ状の先端部の基端側の直径）は、特に限定されず、例えば、１ｍｍ以上５ｍｍ以下程度である。

また、吸着台４１０の吸着力（真空度）は、特に限定されないが、−９０ｋＰａ以上−６０ｋＰａ以下程度である。かかる吸着力（真空度）が前記上限値を超えると、突き上げピン４２０の突き上げによって支持フィルム４が吸着台４１０から浮き上がってしまい、前述したような支持フィルム４の変形および隙間Ｓの形成を生じさせることができない場合がある。一方、かかる吸着力（真空度）が前記下限値未満であると、装置が大掛かりなものとなるし、特段の利点もない。

［４］
［４−１］一方、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための絶縁基板５を用意する。

この絶縁基板５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。

具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）基板などが挙げられる。
なお、絶縁基板５に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。

次いで、図３（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、前述したダイボンダー２５０により絶縁基板５上に載置する。

そして、ヒーター２７０で加熱しつつ個片８３を絶縁基板５に圧着することにより、個片８３を絶縁基板５に接着する（図３（ｆ）参照）。

［４−２］次に、図８（ｇ）に示すように、絶縁基板５上に載置された個片８３を加熱・圧着する。これにより、接着層３１を介して半導体素子７１と絶縁基板５とが接着（ダイボンディング）される（第４の工程）。

加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は１００〜３００℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は１〜１０秒程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。

また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは１００〜３００℃程度、より好ましくは１５０〜２５０℃程度とされ、加熱時間が好ましくは１〜２４０分程度、より好ましくは１０〜６０分程度とされる。

その後、半導体素子７１の端子（図示せず）と絶縁基板５上の端子（図示せず）とをワイヤ８４により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ８４に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。

そして、絶縁基板５上に載置された個片８３およびワイヤ８４を樹脂材料で被覆し、モールド層８５を形成する。このモールド層８５を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。

さらに、絶縁基板５の下面に設けられた端子（図示せず）にボール状電極８６を接合することにより、半導体素子７１をパッケージ内に収納してなる図８（ｈ）に示すような半導体装置１００が得られる。

以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着層３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着層３１をそのまま絶縁基板５との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。

特に、前述したように支持フィルム４の剛性および厚さが最適化されているので、ピックアップ工程において、突き上げピン４２０の突き上げにより支持フィルム４を部分的に厚さ方向に大きく変形させることができる。そのため、ピックアップ性を向上させることができる。これにより、接着層３等の粘着性を高めても、良好にピックアップを行うことができる。また、接着層３等の粘着性を高めることができるので、ダイシング時において、いわゆるチップ飛びを防止し、ダイシング性を向上させることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第２実施形態について説明する。

図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法（主にダイシング工程）を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図９中の上側を「上」、下側を「下」という。

以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図９において、第１実施形態と同様の構成部分については、先に説明した図１と同様の符号を付している。

本実施形態にかかる半導体用フィルム１０’は、粘着層の層構成が異なる以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、図９に示す半導体用フィルム１０’では、第１粘着層１が省略され、第２粘着層２の１層のみが設けられている。

そして、このような半導体用フィルム１０’を製造するにあたっては、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接する領域（半導体ウエハー７を積層する領域）にあらかじめ紫外線を照射しておく。これにより、この領域の粘着性が失活し、結果として第２粘着層２と接着層３との密着力が低下する。その結果、第３の工程において個片８３をピックアップする際に、大きな荷重をかけなくても個片８３をピックアップすることが可能になることから、ピックアップ性の向上を図ることができる。

一方、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接しない領域には紫外線が照射されないため、この領域では第２粘着層２の本来の粘着力が維持されることとなる。このため、第２粘着層２とウエハーリング９との密着力も維持され、ダイシング性の低下は防止されることとなる。

換言すれば、第１実施形態では、粘着性の異なる２層の粘着層を用いることで、ダイシング性とピックアップ性の両立が図られているが、本実施形態では、第２粘着層２の一部領域のみ粘着性を低下させることで、１層の粘着層であっても、ダイシング性とピックアップ性を両立している。

このような半導体用フィルム１０’を、図９（ａ）に示すように、半導体ウエハー７と積層して、積層体８’を得る。

次いで、図９（ｂ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８’に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。

その後、前述した第１実施形態と同様、第３の工程および第４の工程を行うことにより、半導体装置が得られる。

なお、第２粘着層２に照射する紫外線としては、好ましくは波長１００〜４００ｎｍ程度のもの、より好ましくは波長２００〜３８０ｎｍ程度のものが用いられる。また、紫外線の照射時間としては、波長やパワーにもよるが、好ましくは１０秒〜１時間程度、より好ましくは３０秒〜３０分程度とされる。このような紫外線によれば、第２粘着層２中の化学構造を変化させ、効率よく粘着性を失活させるとともに、第２粘着層２の粘着性が必要以上に低下してしまうのを防止することができる。

また、第２粘着層２に照射するのは、紫外線に限られず、電子線、Ｘ線等の各種放射線であってもよい。

なお、紫外線の照射は、本実施形態のように、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接する領域に対してあらかじめ照射する場合に限らない。例えば、第２粘着層２の構成材料が紫外線に感応して硬化するような材料である場合には、第２粘着層２と接着層３とを積層した後、第２粘着層２と接着層３と半導体ウエハー７とを積層した後、または、第２粘着層２と接着層３と半導体ウエハー７とを積層し、半導体ウエハー７をダイシングした後のいずれかにおいて紫外線を照射するようにしてもよい。このような場合、紫外線の照射に伴って第２粘着層２が硬化するため、照射領域に位置する第２粘着層２の粘着力が低下する。その結果、このような場合であっても、個片８３のピックアップ性の向上を図ることができる。

以上、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、パッケージの形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等のＣＳＰ（Chip Size Package）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のような表面実装型のパッケージ、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。

また、前記各実施形態では、絶縁基板５上に個片８３をマウントする場合について説明したが、この個片８３は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも適用することができる。これにより、ピックアップ不良のおそれや半導体素子間に削り屑等が侵入するおそれがなくなり、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。

また、本発明の半導体装置の製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。

以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．半導体装置の製造
（実施例１）
＜１＞第１粘着層の形成
アクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００質量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５質量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５質量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ^２を照射し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第１粘着層を成膜した。

＜２＞第２粘着層の形成
支持フィルムとして、ポリピロピレン（Ｆ３２７、（株）プライムポリマー製）とスチレン・イソプレン共重合体（７１２５、（株）クラレ製）とを８０：２０の比率でドライブレンドにより混合した後、５０ｍｍのフルフライト押出機（Ｌ／Ｄ＝２５、圧縮比＝２．９、有効長＝１２４５ｍｍ）、吐出＝３０ｋｇ／時、樹脂温度＝２１０℃（スクリュー先端）でシーティングし、厚み８０μｍのポリプロピレン系シートを得た。ここで、当該支持フィルムは、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍで切り出した短冊状の試験片の２３℃（室温）における剛性が１０５Ｎ、曲げ剛性が０．０５６Ｎ・ｍｍ^２であった。また、アクリル酸ブチル７０質量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００質量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第２粘着層を成膜した。その後、ポリエチレンテレフタレートフィルム上の第２粘着層に支持フィルムをラミネートした。

＜３＞接着層の形成
アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶解品、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）の固形成分で１００質量部と、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、重量平均分子量：５０，０００、三菱化学（株）製）９．８質量部、フィラーとして添加される球状シリカ（ＳＣ１０５０、平均粒径：０．３μｍ、（株）アドマテックス製）９０．８質量部と、カップリング剤として添加されるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）製）１．１質量部と、フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）０．１質量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分２０質量％の樹脂ワニスを得た。

次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、品番ピューレックスＡ４３、厚さ３８μｍ）に塗布した後、温度１５０℃で３分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ２０μｍの接着層を成膜した。

＜４＞半導体用フィルムの製造
第１粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第１粘着層と接着層とが接するようにラミネート（積層）し、第１粘着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、積層体を得た。

次にロール状の金型を用いて、第１粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。

さらに第２粘着層の一方の面側にあるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した。そして前記第２積層体の第１粘着層と第２粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリプロピレン系シート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルムの５層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。

＜５＞半導体装置の製造
次に、厚さ１００μｍ、８インチのシリコンウエハーを用意した。

そして、半導体用フィルムからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、その剥離面にシリコンウエハーを６０℃で積層した。これにより、ポリプロピレン系シート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびシリコンウエハーの５層がこの順で積層してなる積層体を得た。

次いで、この積層体をシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。

＜ダイシング条件＞
・ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
・ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
・スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
・Ｚ１軸ブレードハイト ：０．１４０ｍｍ
・Ｚ２軸ブレードハイト ：０．１０５ｍｍ

なお、上記Ｚ１軸及びＺ２軸ブレードハイトとは、２段階でダイシングする際におけるワークテーブル上面＝支持フィルム下面を基準点（ゼロ点）としたブレードのＺ軸方向の位置であり、Ｚ１軸ブレードハイトはファーストカット時のＺ軸方向の位置、Ｚ２軸ブレードハイトはセカンドカット時のＺ軸方向の位置である。このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が第１粘着層内に達していた。

次いで、ダイボンダー（ＡＳＭ社製 ＡＤ８９８）を用いて、半導体素子の１つを半導体用フィルムの裏面から突き上げピンで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、半導体素子と接着層の個片をピックアップした。

ここで、上記ダイボンダーは、図４および図５に示すような吸着台および５本の突き上げピンを備える突き上げ装置を有しており、個片の四隅に対応する４つの突き上げピンは、それぞれ、個片の外周縁の辺よりも０．７５ｍｍ内側の位置を中心として突き上げるように配置され、個片の中央に対応する突き上げピンは、個片の中心を中心として突き上げるように配置されている。また、上記ダイボンダーを用いたピックアップにおいて、各突き上げピンの突き上げ速度（上昇速度）を４６．８ｍｍ／ｓｅｃ、各突き上げピンの突き上げ量（吸着台４１０の上面（吸着面）からの突出量）を０．３ｍｍ、各突き上げピン４２０の軸径を０．７ｍｍ、各突き上げピン４２０の先端のテーパ角を１５°、各突き上げピンの先端面の直径０．２ｍｍ、各突き上げピン４２０の先端面の曲率半径を０．１２５ｍｍ、吸着台４１０の吸着力（真空度）を−８０ｋＰａとした。

次に、ピックアップした個片を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（回路段差５〜１０μｍ）に、温度１３０℃、荷重５Ｎで、１．０秒間圧着して、ダイボンディングした。

次いで、半導体素子と樹脂基板とをワイヤボンディングにより電気的に接続した。
そして、樹脂基板上の半導体素子およびボンディングワイヤを、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７６０で封止し、温度１７５℃で２時間の熱処理に供した。これにより、封止樹脂を硬化させて半導体装置を得た。なお、本実施例では、かかる半導体装置を１０個作製した。

（実施例２）
支持フィルムの厚さを１００μｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。ここで、該支持フィルムは、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍで切り出した短冊状の試験片の２３℃（室温）における剛性が１３２Ｎ、２３℃（室温）における曲げ剛性が０．１１０Ｎ・ｍｍ^２であった。

（実施例３）
支持フィルムをポリプロピレンからなるシート（王子製紙（株）製、商品名４０ＲＬ−０１Ｚ）とし、支持フィルムの厚さを４０μｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。ここで、該支持フィルムは、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍで切り出した短冊状の試験片の２３℃（室温）における剛性が３００Ｎ、２３℃（室温）における曲げ剛性が０．０４０Ｎ・ｍｍ^２であった。

（実施例４）
支持フィルムをポリエチレンからなるシート（グンゼ（株）製、商品名ＤＤＺ）とし、厚さを９０μｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。ここで、該支持フィルムは、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍで切り出した短冊状の試験片の２３℃（室温）における剛性が７１Ｎ、２３℃（室温）における曲げ剛性が０．０４８Ｎ・ｍｍ^２であった。

（比較例）
支持フィルムとして、厚さ７５μｍのポリイミドフィルムを用いた以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。ここで、該支持フィルムは、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍで切り出した短冊状の試験片の２３℃（室温）における剛性が２，４００Ｎ、２３℃（室温）における曲げ剛性が１．１３Ｎ・ｍｍ^２であった。

２．評価
各実施例および比較例において、半導体ウエハーを個片化して１００個の半導体素子を製造し、これをピックアップする際に、それぞれの半導体素子における不具合の有無を観察し、以下の評価基準に従ってダイシング性およびピックアップ性を評価した。なお、ダイシング性の評価に際しては、上記不具合として、ダイシング後かつピックアップ前の半導体素子の欠けや割れ、および、ダイシング時における半導体素子の剥離（チップ飛び）の有無を観察した。また、ピックアップ性の評価に際しては、ピックアップ後の半導体素子の欠けや割れの有無を観察した。

＜ダイシング性の評価基準＞
◎：不具合を含む半導体素子の個数が３個未満
○：不具合を含む半導体素子の個数が３個以上６個未満
△：不具合を含む半導体素子の個数が６個以上１０個未満
×：不具合を含む半導体素子の個数が１０個以上

＜ピックアップ性の評価基準＞
◎：不具合を含む半導体素子の個数が３個未満
○：不具合を含む半導体素子の個数が３個以上６個未満
△：不具合を含む半導体素子の個数が６個以上１０個未満
×：不具合を含む半導体素子の個数が１０個以上

これらの評価結果を表１に示す。なお、表１には、各実施例および比較例について、１つの半導体素子（個片）の平面視での面積Ａに対する、ピックアップ後の支持フィルムの当該半導体素子に対応する領域内に形成された突き上げ痕の平面視での面積Ｂの割合Ｂ／Ａも併せて示す。また、表１において、「ＰＰ」はポリピロピレンを示し、「Ｓ・ＩＲ」はスチレン・イソプレン共重合体を示し、「ＰＰ＋Ｓ・ＩＲ」はポリピロピレンとスチレン・イソプレン共重合体とのブレンド体を示し、「ＰＥ」はポリエチレンを示し、「ＰＩ」はポリイミドを示している。

表１からわかるように、各実施例では、いずれも、ダイシング性およびピックアップ性の双方について、良好な結果が得られた。また、実施例１におけるピックアップ工程後の支持フィルムは、図１０（ａ）に示すように、突き上げピンの突き上げによって、直径（Ｄ）約１．２ｍｍの比較的大きな突き上げ痕が形成されていた。したがって、実施例１において、Ｂ／Ａは、（５×π×（０．６）^２）／（１０×１０）＝５．６３［％］であった。

一方、比較例では、各実施例に対し、ダイシング性およびピックアップ性の双方を満足する結果を得ることができなかった。また、比較例におけるピックアップ工程後の支持フィルムは、図１０（ｂ）に示すように、突き上げピンの突き上げによって、直径（Ｄ’）約０．３ｍｍの比較的小さな突き上げ痕が形成されていた。したがって、比較例において、Ｂ／Ａは、（５×π×（０．１５）^２）／（１０×１０）＝０．４０［％］であった。

１ 第１粘着層
２ 第２粘着層
３ 接着層
４ 支持フィルム
４ａ 基材
４ｂ 基材
５ 絶縁基板
７ 半導体ウエハー
８、８’ 積層体
９ ウエハーリング
１０、１０’ 半導体用フィルム
１１ 外周縁
２１ 外周部
３１ 接着層
４１ 外周部
４３ 突き上げられた部分
４３ａ 突き上げ痕
６１ 積層体
６２ 積層体
６３ 積層体
６４ 積層体
７１ 半導体素子
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 個片
８４ ワイヤ
８５ モールド層
８６ ボール状電極
１００ 半導体装置
１０４ 支持フィルム
１０８ 積層体
１１０ 半導体用フィルム
２５０ ダイボンダー
２６０ コレット
２７０ ヒーター
２８０ 装置本体
３０２ ダイサーテーブル
４００ 突き上げ装置
４１０ 吸着台
４１０ａ 中空部
４１１ 溝
４１２ 吸引孔
４１３ 吸引孔
４１４ 吸引孔
４１５ 吸引孔
４２０ 突き上げピン
４２０ａ〜４２０ｅ 突き上げピン
４３０ ホルダ
１０４３ 突き上げられた部分
１０４３ａ 突き上げ痕
Ｄ、Ｄ’ 直径
Ｓ、Ｓ’ 隙間

Claims (9)

1. 接着層と支持フィルムとが積層されてなる半導体用フィルムであって、
   前記支持フィルムの平均厚さが１００μｍ以下であり、かつ、
   前記支持フィルムの２３℃における剛性が４０Ｎ以上１，０００Ｎ以下であることを特徴とする半導体用フィルム。
2. 前記支持フィルムの２３℃における曲げ剛性は、０．２５Ｎ・ｍｍ^２以下である請求項１に記載の半導体用フィルム。
3. 前記支持フィルムの２３℃における引張弾性率は、５０〜３，０００ＭＰａである請求項１または２に記載の半導体用フィルム。
4. 前記接着層の前記支持フィルムとは反対側の面に半導体ウエハーを貼着し、この状態で前記半導体ウエハーおよび前記接着層を切断して個片化し、得られた個片を前記支持フィルムを介して少なくとも１本の突き上げピンにより突き上げつつ前記支持フィルムからピックアップする際に用いるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体用フィルム。
5. 前記支持フィルムは、前記突き上げピンの突き上げにより前記突き上げピンとの接触点を中心として部分的に塑性変形した円形の突き上げ痕が形成され、
   １つの前記個片の平面視での面積をＡとし、前記支持フィルムの当該個片に対応する領域内に形成された前記突き上げ痕の平面視での面積をＢとしたとき、Ｂ／Ａが、１〜１５％である請求項４に記載の半導体用フィルム。
6. 前記粘着層は、前記接着層に接する第１粘着層と、該第１粘着層の前記接着層とは反対側の面に接し、前記第１粘着層よりも粘着性の高い第２粘着層とを有する請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体用フィルム。
7. 前記支持フィルムのガラス転移温度は、−２５℃以上１２０℃以下である請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体用フィルム。
8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得る工程と、
   前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程と、
   得られた個片を少なくとも１本の突き上げピンにより前記支持フィルムを介して突き上げるとともに、当該個片を前記支持フィルムからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 前記ピックアップ時において、前記支持フィルムの前記接着層と反対側の面を吸着固定する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。

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