JP2012060037A - 半導体用フィルム、半導体ウエハーの個片化方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ピックアップ性の向上を図り、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３と支持フィルム４とが積層されてなり、接着層３の支持フィルム４と反対側の面に半導体ウエハー７を貼着するとともに、支持フィルム４の接着層３と反対側の面をワークテーブル３０２上に載置し、この状態で半導体ウエハー７および接着層３を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片８３を支持フィルム４からピックアップする際に用いるものであって、接着層３は、その外周縁３２がワークテーブル３０２の外周縁３０２１よりも外側に位置するような形状をなしている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体用フィルム、半導体ウエハーの個片化方法および半導体装置の製造方法に関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。

また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、１つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。

このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム上に第１の粘接着剤層と第２の粘接着剤層とをこの順で積層してなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと２層の粘接着剤層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された２層の粘接着剤層とともにピックアップされる。ピックアップされた２層の粘接着剤層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム（または基板）との間の接着を担うこととなる。

ところで、ダイシング工程では、一般に、ダイシングブレードおよび半導体ウエハーの冷却、切削屑の除去等の目的で、純水あるいはそれに添加剤を添加した切削水をダイシングブレードに対して噴射している。

しかし、従来では、ダイシング工程において、前述した切削水の圧力により、半導体素子が意図せずに剥離（特許文献１の接着シートでは、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面での意図しない剥離）する現象（いわゆるチップ飛び）が生じる場合があった。

仮にこのチップ飛びを防止するために、２つの粘接着剤層と基材フィルムとの密着力を高めると、ピックアップ工程においては、個片化された半導体素子をピックアップする際に、半導体素子に割れや欠け等の損傷を生じさせることなく、剥離を生じさせるべき界面（特許文献１の接着シートでは、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面）で容易かつ確実に剥離を生じさせる特性（いわゆるピックアップ性）を十分なものとすることができないと言う問題があった。

このように、従来では、ピックアップ性の向上とチップ飛びの防止とを両立させることが難しいと言う問題があった。

特開２００４−４３７６１号公報

本発明の目的は、ダイシング時におけるチップ飛びを防止するとともに、ピックアップ性を向上させることができる半導体用フィルム、半導体ウエハーの個片化方法および半導体装置の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１２）の本発明により達成される。
（１） 接着層と支持フィルムとが積層されてなり、前記接着層の前記支持フィルムと反対側の面に半導体ウエハーを貼着するとともに、前記支持フィルムの前記接着層と反対側の面をワークテーブル上に載置し、この状態で前記半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記接着層は、その外周縁が前記ワークテーブルの外周縁よりも外側に位置するような形状をなしていることを特徴とする半導体用フィルム。

（２） 前記接着層と前記支持フィルムとの間には、粘着層が設けられている上記（１）に記載の半導体用フィルム。

（３） 前記接着層の外周縁は、前記粘着層の外周縁と一致またはそれよりも内側に位置している上記（２）に記載の半導体用フィルム。

（４） 前記粘着層は、互いに異なる特性を有する複数の層で構成されている上記（２）または（３）に記載の半導体用フィルム。

（５） 前記粘着層は、前記接着層に接する第１粘着層と、該第１粘着層の前記接着層とは反対側の面に接し、前記第１粘着層よりも粘着性の高い第２粘着層とを有する上記（４）に記載の半導体用フィルム。

（６） 前記接着層の外周縁および前記第１粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第２粘着層の外周縁よりも内側に位置している上記（５）に記載の半導体用フィルム。

（７） 前記支持フィルムの外周縁は、前記接着層の外周縁よりも外側に位置している上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用フィルム。

（８） 前記粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている上記（２）に記載の半導体用フィルム。

（９） 上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体ウエハーの個片化方法。

（１０） 接着層と支持フィルムとが積層されてなる半導体用フィルムを用意する工程と、
前記半導体用フィルムの前記接着層側の面に半導体ウエハーを貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
切削水を噴射しつつ、前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程とを有し、
前記切削水の噴射を、前記切削水の中心線が前記接着層の外周縁の内側を通るように行うことを特徴とする半導体ウエハーの個片化方法。

（１１） 上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程と、
得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（１２） 接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなる半導体用フィルムを用意する工程と、
前記半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
切削水を噴射しつつ、前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程とを有し、
前記切削水の噴射を、前記切削水の中心線が前記接着層の外周縁の内側を通るように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明によれば、接着層の外周縁がワークテーブルの外周縁よりも外側に位置するので、ダイシング工程において、切削水をその中心線が接着層の外周縁を通らないように噴射させることができる。そのため、接着層の外周縁が切削水の圧力により浮き上がるのを防止することができる。その結果、ダイシング工程において、接着層の支持フィルム側に隣接する層との界面での意図しない剥離を防止することができる。

このようなことから、本発明では、接着層の支持フィルム側に隣接する層との密着力を抑えつつ、ダイシング工程を行うことができる。そのため、ピックアップ性も良好なものとすることができる。

本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。 図１（ｃ）に示すダイシング工程（半導体ウエハーの個片化方法）を説明するための図である。 図１（ｃ）に示すダイシング工程（半導体ウエハーの個片化方法）を説明するための図である。 図１（ｃ）に示すダイシング工程（半導体ウエハーの個片化方法）を説明するための図である。 本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。

以下、本発明の半導体用フィルム、半導体ウエハーの個片化方法および半導体装置の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の半導体用フィルム、半導体ウエハーの個片化方法および半導体装置の製造方法の第１実施形態について説明する。

図１ないし図３は、それぞれ、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図４は、本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図、図５ないし７は、それぞれ、図１（ｃ）に示すダイシング工程（半導体ウエハーの個片化方法）を説明するための図である。なお、以下の説明では、図１ないし図６中の上側を「上」、下側を「下」という。

［半導体用フィルム］
図１に示す半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム１０は、支持フィルム４上に、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３とをこの順で積層してなるものである。

この半導体用フィルム１０は、後に詳述するが、接着層３の上面に半導体ウエハー７を貼着させ、この状態で半導体ウエハー７および接着層３を切断（ダイシング）してそれぞれ個片化し、得られた個片（後述する半導体素子７１と接着層３１とを積層してなる個片８３）を支持フィルム４からピックアップする際に用いるものである。このような半導体用フィルム１０は、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持する機能を有する。また、半導体用フィルム１０は、個片化された半導体ウエハー７（後述する半導体素子７１）および接着層３（後述する接着層３１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離するものである。このような半導体用フィルム１０は、ピックアップした半導体素子７１に、絶縁基板５上に接着するための接着剤（後述する接着層３１）を提供する機能を有する。

また、後に詳述するが、この半導体用フィルム１０は、ダイシング時に、支持フィルム４の接着層３と反対側の面がワークテーブル３０２上に載置される（図５〜７参照）。特に、接着層３は、その外周縁３２がワークテーブル３０２の外周縁よりも外側に位置するような形状をなしている（はみ出した部分３３を有する）。すなわち、例えば、接着層３およびワークテーブル３０２の平面視形状がそれぞれ円形である場合、接着層３の直径は、ワークテーブル３０２の直径よりも大きい。

これにより、ダイシング工程において、接着層３の支持フィルム４側に隣接する層（本実施形態では第１粘着層１）との界面での意図しない剥離を防止することができる。そのため、接着層３の第１粘着層１との密着力を抑えつつ、ダイシング工程を行うことができる。そのため、ピックアップ工程における接着層３の第１粘着層１との密着力も抑えられ、その結果、ピックアップ性も良好なものとすることができる。

なお、以下では、説明の便宜上、第１粘着層１、第２粘着層２、接着層３および支持フィルム４は、平面視形状がそれぞれ円形をなしているとともに、平面視での互いの中心が一致している場合について説明するが、これらの平面視形状は、円形に限定されるものではなく、また、互いに異なる形状であってもよいし、互いの中心が平面視で一致していなくてもよい。

また、支持フィルム４の外周部４１および第２粘着層２の外周部２１は、それぞれ第１粘着層１の外周縁１１を越えて外側に存在している。

このうち、外周部２１には、ウエハーリング９が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー７が確実に支持されることとなる。

以下、半導体用フィルム１０の各部の構成について順次詳述する。
（第１粘着層）
第１粘着層１は、一般的な粘着剤で構成されている。具体的には、第１粘着層１は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第１樹脂組成物で構成されている。

アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。

また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第１粘着層１が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。

また、第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。

さらに、第１樹脂組成物には、第１粘着層１を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。

このような第１粘着層１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第１粘着層１が得られる。

本実施形態では、第１粘着層１は、その外周縁１１が平面視にて接着層３の外周縁３２と一致するような形状をなしている。すなわち、第１粘着層１の直径は、接着層３の直径と等しい。

（第２粘着層）
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものである。これにより、接着層３に対する第１粘着層１の密着力よりも、第１粘着層１および支持フィルム４に対する第２粘着層２の密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置１００の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち第１粘着層１と接着層３との界面）で剥離を生じさせることができる。また、第２粘着層２の粘着性を高めることにより、後述する半導体装置１００の製造の第２の工程においては、半導体ウエハー７をダイシングして個片化する際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー７の位置ずれが確実に防止され、半導体素子７１の寸法精度の低下を防止することができる。

第２粘着層２には、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、第２粘着層２は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。

アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリルニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。

また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第２粘着層２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。

また、第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。

さらに、第２樹脂組成物には、第１樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。

また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。

このような第２粘着層２の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えても特に優れた効果が得られない。また、第２粘着層２は、第１粘着層１によりも柔軟性が高いため、第２粘着層２の平均厚さが前記範囲内であれば、第２粘着層２の形状追従性が確保され、半導体用フィルム１０の半導体ウエハー７に対する密着性をより高めることができる。

本実施形態では、第２粘着層２は、その外周縁２２が前述した第１粘着層の外周縁１１よりも外側に位置するような形状をなしている。これにより、第２粘着層２は、第１粘着層１の外周縁部にも密着することとなる。

また、第２粘着層２は、その外周縁２２が平面視にて支持フィルム４の外周縁４２と一致するような形状をなしている。すなわち、第２粘着層２の直径は、支持フィルム４の直径と等しい。これにより、後述するダイシング工程において、支持フィルム４を第２粘着層２を介してウエハーリング９に固定することができる。

（接着層）
接着層３は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第３樹脂組成物で構成されている。このような樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。

このうち、熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。

なお、アクリル系樹脂とは、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。

また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子７１等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。

また、前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、アクリル系樹脂全体の０．５〜４０質量％程度であるのが好ましく、特に５〜３０質量％程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。

また、熱可塑性樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、特に限定されないが、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃であることがより好ましく、−１０〜５０℃であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。

また、熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の成膜性を向上することができる。

一方、熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層３の耐熱性および密着性をより向上することができる。

また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜４００質量部程度であるのが好ましく、特に３〜３００質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。

また、第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。

硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン、およびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。

また、硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜２００質量部であるのが好ましく、特に３〜１５０質量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層３の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層３の保存性が低下する場合がある。

また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（例えばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。

また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒（硬化促進剤）を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。

硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。

イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。

また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。

また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。

また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。

前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。

このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。

カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。

接着層３を成膜するにあたっては、このような第３樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層３を得ることができる。

接着層３の平均厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に５〜７０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。

また、第３樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層３の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。

このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。

また、フィラーの平均粒径は、０．１〜２５μｍ程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。

フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．１〜１００質量部程度であるのが好ましく、特に５〜９０質量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層３の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。

特に、接着層３は、その外周縁３２が平面視にて後述するダイシング工程に用いるワークテーブル３０２の外周縁３０２１よりも外側に位置するような形状をなしている。すなわち、接着層３の直径は、ワークテーブル３０２の直径よりも大きい。

（支持フィルム）
支持フィルム４は、以上のような第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を支持する支持体である。

このような支持フィルム４の構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。

支持フィルム４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム４は、適度な剛性を有するものとなるため、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を確実に支持して、半導体用フィルム１０の取扱いを容易にするとともに、半導体用フィルム１０が適度に湾曲することで、半導体ウエハー７との密着性を高めることができる。

また、支持フィルム４は、その外周縁４２が前述した接着層３の外周縁および第１粘着層１の外周縁よりも外側に位置するような形状をなしている。すなわち、支持フィルム４の直径は、接着層３の直径および第１粘着層１の直径よりも大きい。

（半導体用フィルムの特性）
第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、それぞれ異なる密着力（粘着力）を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。

まず、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間は剥離することなく、接着層３と第１粘着層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。

すなわち、本実施形態では、第１粘着層１および第２粘着層２の２層の粘着層を用いているため、それぞれの密着力（粘着力）を異ならせることで、上記のように、積層体８の確実な固定と個片８３の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。

なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力や第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類（組成）、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。

また、ダイシング前における第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で５〜８０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に１０〜６０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、半導体素子７１が第１粘着層１から脱落する等の不具合が防止されるとともに、優れたピックアップ性が確保される。

なお、上記密着力の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、第１粘着層１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて接着層部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

上記のような特性を有する第１粘着層１の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、アクリレートモノマー１〜５０質量部と、イソシアネート化合物０．１〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。

一方、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、特に限定されないが、密着界面の平均で１００〜２，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に４００〜１，２００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、後述するように積層体８を引き伸ばしたり（エキスパンド）、積層体８をダイシングした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面の剥離が防止され、結果として半導体素子７１の脱落等が確実に防止される。また、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持することができる。

なお、上記密着力の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、ウエハーリング９の上面に第２粘着層２が接するように、２５ｍｍ幅の短冊状の第２粘着層２を積層した支持フィルム４を２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この第２粘着層２を積層した支持フィルム４を、剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎでウエハーリング９から引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

上記のような特性を有する第２粘着層２の組成としては、例えば、アクリル系樹脂１００質量部に対して、ウレタンアクリレート１〜５０質量部と、イソシアネート化合物０．５〜１０質量部とを配合したものが挙げられる。

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力よりも小さい。これにより、個片８３をピックアップした際に、第１粘着層１と第２粘着層２との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。

特に、第１粘着層１の接着層３に対する密着力をＡ_１とし、第２粘着層２の第１粘着層１に対する密着力をＡ_２としたとき、Ａ_２／Ａ_１は、特に限定されないが、５〜２００程度であるのが好ましく、１０〜５０程度であるのがより好ましい。これにより、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３は、ダイシング性およびピックアップ性において特に優れたものとなる。

また、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、特に限定されないが、１００〜１，０００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に３００〜６００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング性やピックアップ性に優れる。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、支持フィルム４上に、第１粘着層１の表面に第２粘着層２を積層して貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層体において第１粘着層１の部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、第１粘着層１の第２粘着層２に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、半導体ウエハー７と接着層３との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。

また、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、特に限定されないが、５０〜５００ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのが好ましく、特に８０〜２５０ｃＮ／２５ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力が前記範囲内であると、特にダイシング時に振動や衝撃で半導体素子７１が飛んで脱落する、いわゆる「チップ飛び」の発生を十分に防止することができる。

なお、上記密着力（粘着力）の単位である「ｃＮ／２５ｍｍ」は、半導体ウエハー７の表面に２５ｍｍ幅の短冊状の接着層３を貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この接着層３を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位ｃＮ）を表すものである。すなわち、ここでは、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力は、１８０°ピール強度として説明する。

（半導体用フィルムの製造方法）
以上説明したような半導体用フィルム１０は、例えば以下のような方法で製造される。

まず、図４（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に第１粘着層１を成膜する。これにより、基材４ａと第１粘着層１との積層体６１を得る。第１粘着層１の成膜は、前述した第１樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第１樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。

上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。

また、積層体６１と同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着層３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着層３との積層体６２を得る。

さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上に第２粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４と第２粘着層２との積層体６３を得る。

次いで、図４（ｂ）に示すように、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。

次いで、図４（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図４（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着層３および前記第１粘着層１の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。

次いで、図４（ｅ）に示すように、第１粘着層１の露出面に第２粘着層２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図４（ｆ）に示す半導体用フィルム１０が得られる。

［半導体装置の製造方法］
次に、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体装置１００を製造する方法（本発明の半導体装置の製造方法の第１実施形態）について説明する。

図１ないし図３に示す半導体装置の製造方法は、半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０とを積層し、積層体８を得る第１の工程と、半導体用フィルム１０の外周部２１をウエハーリング９に貼り付けた状態で、半導体ウエハー７側から積層体８に切り込み８１を設ける（ダイシングする）ことにより、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し、半導体素子７１および接着層３１からなる複数の個片８３を得る第２の工程と、個片８３の少なくとも１つをピックアップする第３の工程と、ピックアップされた個片８３を絶縁基板５上に載置し、半導体装置１００を得る第４の工程とを有する。以下、各工程について順次詳述する。

［１］
［１−１］まず、半導体ウエハー７および半導体用フィルム１０を用意する。
半導体ウエハー７は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー７としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。

このような半導体ウエハー７の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは０．０１〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．０３〜０．５ｍｍ程度とされる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、このような厚さの半導体ウエハー７に対して欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。

［１−２］次に、図１（ａ）に示すように、上述したような半導体用フィルム１０の接着層３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する（第１の工程）。なお、図１に示す半導体用フィルム１０では、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着層３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７が半導体用フィルム１０で支持されることとなる。

上記積層の結果、図１（ｂ）に示すように、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。

［２］（半導体ウエハーの個片化方法）
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、第２粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。

ここで、接着層３の外周縁は、ウエハーリング９の内周縁よりも内側に位置する。
ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。

半導体用フィルム１０が上述したように粘着性の異なる２層の粘着層（第１粘着層１および第２粘着層２）を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。

［２−２］次に、ワークテーブル（ダイサーテーブル）３０２を用意し、ワークテーブル３０２と支持フィルム４とが接触するように、ワークテーブル３０２上に積層体８を載置する。このとき、積層体８は、平面視において、接着層３の中心がワークテーブル３０２の中心にほぼ一致するように、ワークテーブル３０２上に載置される。これにより、接着層３の外周縁３２がワークテーブル３０２の外周縁３０２１よりも外側に位置する。

続いて、図１（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着層３も同様に、複数の接着層３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面が半導体用フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。

このとき、接着層３の外周縁３２がワークテーブル３０２の外周縁３０２１よりも外側に位置するので、ダイシング工程において切削水を用いても、接着層３と第１粘着層との界面での不本意な剥離（チップ飛び）を防止することができる。なお、ダイシング工程における半導体用フィルム１０の作用については、後に詳述する。

切り込み８１の深さは、半導体ウエハー７と接着層３とを貫通し得る深さであれば特に限定されない。すなわち、切り込み８１の先端は、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４のいずれかに達していればよい。これにより、半導体ウエハー７と接着層３とが確実に個片化され、それぞれ半導体素子７１と接着層３１とが形成されることとなる。

本実施形態では、図１（ｃ）に示すように、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めるが、この点については後に詳述する。

［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き伸ばす（エキスパンド）。これにより、図１（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。

［３−２］次に、図２に示すダイボンダ２５０により、個片化された半導体素子７１のうちの１つを吸着して上方に引き上げる。その結果、図２（ｅ）に示すように、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着層３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。

［４］
［４−１］次に、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための絶縁基板５を用意する。

この絶縁基板５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。

具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板などが挙げられる。
なお、絶縁基板５に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。

次いで、図２（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、ダイボンダ２５０により絶縁基板５上に載置する。

ここで、ダイボンダ２５０について説明する。
図２に示すダイボンダ２５０は、ダイシング工程を経て得られた個片８３をピックアップした後、後述する絶縁基板５上に移送するものである。

このダイボンダ２５０は、個片８３を吸着するコレット（チップ吸着部）２６０と、絶縁基板５を下方から加熱するヒーター２７０と、コレット２６０を支持する装置本体２８０とを有する。コレット２６０は、個片８３を吸着した状態で、積層体８の載置部から絶縁基板５の載置部まで移動し得るようになっている。

本工程では、図２（ｅ）に示すように、コレット２６０により個片８３をピックアップし、この個片８３を絶縁基板５上に載置する。そして、ヒーター２７０で加熱しつつ個片８３を絶縁基板５に圧着することにより、個片８３を絶縁基板５に接着する（図２（ｆ）参照）。

なお、このようなピックアップの際に、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性より高いため、支持フィルム４と第２粘着層２との界面の密着力、および、第２粘着層２の第１粘着層１との界面の密着力は、第１粘着層１と接着層３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も密着力の小さい第１粘着層１と接着層３１との界面が選択的に剥離することとなる。

また、個片８３をピックアップする際には、半導体用フィルム１０の下方から、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、半導体用フィルム１０を下方から突き上げる図示しない針状体（ニードル）等が用いられる。すなわち、ダイボンダ２５０は、この針状体を有していてもよい。

［４−２］次に、図３（ｇ）に示すように、絶縁基板５上に載置された個片８３を加熱・圧着する。これにより、接着層３１を介して半導体素子７１と絶縁基板５とが接着（ダイボンディング）される（第４の工程）。

加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は１００〜３００℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は１〜１０秒程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。

また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは１００〜３００℃程度、より好ましくは１２０〜２５０℃程度とされ、加熱時間が好ましくは１〜２４０分程度、より好ましくは１０〜６０分程度とされる。

その後、半導体素子７１の端子（図示せず）と絶縁基板５上の端子（図示せず）とをワイヤ８４により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ８４に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。

そして、絶縁基板５上に載置された個片８３およびワイヤ８４を樹脂材料で被覆し、モールド層８５を形成する。このモールド層８５を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。

さらに、絶縁基板５の下面に設けられた端子（図示せず）にボール状電極８６を接合することにより、半導体素子７１をパッケージ内に収納してなる図３（ｈ）に示すような半導体装置１００が得られる。

以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着層３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着層３１をそのまま絶縁基板５との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。

特に、ダイシング工程において、接着層３の外周縁３２がワークテーブル３０２の外周縁３０２１よりも外側に位置するので、接着層３と第１粘着層との界面での不本意な剥離を防止することができる。

（ダイシング工程における半導体用フィルムの作用）
ここで、ダイシング工程時における半導体ウエハー７の作用について詳述する。

ダイシング工程では、前述したようにワークテーブル（ダイサーテーブル）３０２上に積層体８を載置した後、ダイシングブレード８２により積層体８に対し、図１（ｃ）に示すような複数の切り込み８１が順に形成される。

複数の切り込み８１のうちの１つの切り込み８１の形成についてより具体的に説明すると、まず、円板状のダイシングブレード８２は、ワークテーブル３０２の一端部（ダイシングブレード８２の板面に平行な方向での一端部）の上方において、ワークテーブル３０２上に載置された積層体８に対して離間した状態で、軸線まわりに回転される。

その後、図５（ａ）に示すように、ダイシングブレード８２が回転しながら所望の切り込み量となる位置まで下降するとともに、ワークテーブル３０２がダイシングブレード８２の板面に平行な方向に移動される。これにより、図５（ｂ）に示すように、積層体８に対してダイシングブレード８２が押し当てられるとともに、ダイシングブレード８２が積層体８に対してその板面に平行な方向に相対的に移動される。その相対的な移動に伴って切り込み８１が形成されていく。

その際、ダイシングブレード８２の積層体８との接触部付近には、ダイシングブレード８２および半導体ウエハー７の冷却、切削屑の除去等の目的で、純水あるいはそれに添加剤を添加した切削水Ｊが噴射される。この切削水Ｊは、ダイシングブレード８２の周囲に設けられたノズル３０１から噴射される。

このノズル３０１は、ダイシングブレード８２に対して前方側（ワークテーブル３０２の移動方向における下流側）に配置され、ダイシングブレード８２に向けて切削水Ｊを噴射する。

このノズル３０１から噴射された切削水Ｊは、中心線Ｌを中心として拡がりながらダイシングブレード８２に付与される。この中心線Ｌは、ノズル３０１の軸線に一致しており、中心線Ｌ付近において、切削水Ｊの圧力（噴射圧）が最も高くなる。

そして、図６に示すように、円板状のダイシングブレード８２は、ワークテーブル３０２の外周縁部（ダイシングブレード８２の板面に平行な方向での他端部）に達すると、上昇して積層体８に対して離間される。

以上のようにして、１つの切り込み８１が形成される。その後、ダイシングブレード８２またはワークテーブル３０２をダイシングブレード８２の厚さ方向に所定量移動させるとともに、ダイシングブレード８２をワークテーブル３０２の前記一端部の上方に帰還させた後、前述と同様にして次の切り込み８１の形成を行う。

このようなダイシング工程においては、切削水Ｊの中心線Ｌと積層体８の上面とが交差する点Ｐが、図７に示すように、接着層３の外周縁よりも内側に位置する。したがって、切削水Ｊの中心線Ｌが接着層３の外周縁（端面）を通ることがない。これにより、接着層３の外周縁が切削水Ｊの圧力により浮き上がるのを防止することができる。そのため、ダイシング工程において接着層３と第１粘着層との界面での不本意な剥離を防止することができる。その結果、いわゆるチップ飛びを防止することができ、ダイシング性を向上させることができる。また、ダイシング工程時における接着層３と第１粘着層との密着力を抑えることができるので、ピックアップ時においても、接着層３と第１粘着層との密着力を抑えることができる。そのため、ピックアップ工程において、半導体素子７１をピックアップするに際し、個片化された半導体ウエハー７（すなわち半導体素子７１）の割れや欠け等を防止することができ、ピックアップ性を向上させることができる。

これに対し、仮に接着層３の外周縁がワークテーブル３０２の外周縁と一致またはそれよりも内側に位置した場合、切削水Ｊの中心線Ｌが切り込み８１の形成済みの積層体８の接着層３の外周縁を通ってしまう。そのため、切削水Ｊの圧力により接着層３と第１粘着層１との界面での意図しない剥離が生じるおそれがある。

特に、仮に接着層３の外周縁がワークテーブル３０２の外周縁と一致している場合、かかる意図しない剥離が生じやすい。これは、一般に、ワークテーブルの外周部には、内側から外側に向けて厚さが薄くなるように、設置面（上面）に傾斜面（テーパー）が形成されているため、その傾斜面に沿って半導体用フィルムの外周部が垂れ下がるように変形しようとする力が、接着層３と第１粘着層１との界面での剥離を生じさせるように作用するためと考えられる。

このような観点から、ダイシング工程において、平面視したときに、接着層３の外周縁とワークテーブル３０２の外周縁との間の距離は、接着層３の外周縁が切削水Ｊの圧力の影響を受けない範囲に設定され、例えば、１〜２０ｍｍであるのが好ましく、５〜１５ｍｍであるのがより好ましい。これにより、ダイシング時において、接着層３の外周部が切削水Ｊの圧力により剥がれるのを防止することができる。

これに対し、かかる距離が前記下限値未満であると、切削水Ｊの圧力の大きさ、ワークテーブル３０２に対する積層体８の位置決め精度、第１粘着層１の粘着力、半導体用フィルム１０の剛性、ワークテーブルの縁部の形態等によっては、接着層３の外周部が切削水Ｊの圧力により剥がれるおそれがある。一方、かかる距離が前記上限値を超えると、それ以上の効果が望めないか、あるいは、半導体用フィルム１０のうちワークテーブル３０２の外周縁よりも外側にはみ出した外周部がワークテーブル３０２の設置面よりも下方に撓んだ際に、その撓みに対して接着層３のコシが勝って、接着層３が浮き上がるおそれがある。

また、平面視において支持フィルム４の外周縁と接着層３の外周縁との間の距離は、それぞれ、支持フィルム４が接着層３を支持し得るとともに、半導体用フィルム１０のうちワークテーブル３０２の外周縁よりも外側にはみ出した外周部がワークテーブル３０２の設置面よりも下方に撓んだ際に、その撓みに対して接着層３が追従し得る程度に設定され、例えば、５〜２５ｍｍであるのが好ましく、１０〜２１ｍｍであるのがより好ましい。

さらに具体的に説明すると、例えば、８インチのウエハーのダイシングに対応したダイシングソーでは、ワークテーブルの直径が２２０ｍｍ程度であり、また、ワークテーブルの設置面の直径は、２０３ｍｍ程度である。そして、かかるダイシングソーでは、ダイシングブレードがストローク２１０ｍｍ程度で移動しダイシングを行う。

したがって、半導体用フィルム１０をかかるダイシングソー用に適したものとするには、接着層３および第１粘着層１の直径は、それぞれ、２２２〜２６０ｍｍ程度とされ、支持フィルム４および第２粘着層２の直径は、それぞれ、２５２〜２８０ｍｍ程度とされる。

また、半導体用フィルム１０のうちワークテーブル３０２の外周縁よりも外側にはみ出した外周部がワークテーブル３０２の設置面よりも下方に撓む量は、主に支持フィルム４の剛性によるものと考えられることから、支持フィルム４のヤング率は、１０〜１０００ＭＰａであるのが好ましく、５０〜４００ＭＰａであるのがより好ましい。これにより、かかる撓み量を抑えるとともに、半導体用フィルム１０の取り扱い性を良好なものとすることができる。

また、本実施形態のダイシング工程では、ダイシングブレード８２の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定する。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、第１粘着層１内に留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、削り屑に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子７１をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５にマウントする際には、異物の侵入およびワイヤボンディング不良の発生が防止される。その結果、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。

また、特に、切り込み８１の先端が第１粘着層１内に位置するようにダイシングを行うことにより、第２粘着層２の成分が切り込み８１を介して、接着層３の周辺や半導体ウエハー７の周辺に染み出すことが防止される。その結果、染み出した物質が不本意にも接着層３と第１粘着層１との間の密着力を高めてしまうのを防止して、個片８３のピックアップを阻害する不具合を防止することができる。さらには、染み出した物質が半導体素子７１の変質・劣化を引き起こすのを防止することができる。

このような成分の染み出しは、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性よりも強いことから、必然的に、第２粘着層２は第１粘着層１よりも柔軟性が高いと考えられ、したがって第２粘着層２に含まれる物質は流動性や流出性が第１粘着層１よりも高いということに起因する現象であると考えられる。すなわち、本実施形態のように、粘着層が複数層で構成されており、接着層３側の粘着層（図１では第１粘着層１）よりも支持フィルム４側の粘着層（図１では第２粘着層２）の粘着性が強い場合には、図１（ｃ）に示すように切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることが、上記不具合を防止するにあたって特に有効である。

上記の観点から、第２粘着層２の硬度は、第１粘着層１の硬度より小さいのが好ましい。これにより、第２粘着層２は、第１粘着層１に比べて確実に粘着性が高いものとなる一方、第１粘着層１は、ピックアップ性に優れたものとなる。

また、第１粘着層１のショアＤ硬度は、２０〜６０程度であるのが好ましく、３０〜５０程度であるのがより好ましい。このような硬度の第１粘着層１は、粘着性が適度に抑えられる一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、この第１粘着層１に切り込み８１が形成されたとしても、ピックアップ性の向上と、第１粘着層１からの物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。

また、第２粘着層２のショアＡ硬度は、５〜９０程度であるのが好ましく、１０〜８０程度であるのがより好ましい。このような硬度の第２粘着層２は、十分な粘着性を有する一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、ダイシング性（ダイシングにおける積層体８とウエハーリング９との固定性）の向上と、物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。

また、上記のような観点から、１本の切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積は、ダイシングブレード８２の厚さや各粘着層１、２の厚さに応じて異なるものの、５〜３００（×１０^−５ｍｍ^２）程度であるのが好ましく、１０〜２００（×１０^−５ｍｍ^２）程度であるのがより好ましい。切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内に設定することにより、接着層３を確実に個片化するとともに、第１粘着層１に対する切り込み部分の横断面積を最小限に抑えることができる。その結果、個片８３の確実なピックアップと、第１粘着層１からの成分の染み出しの抑制とを高度に両立することができる。

また、第１粘着層１の膜厚をｔとしたとき、切り込み８１のうちの第１粘着層１内に位置する部分の深さは、０．２ｔ〜０．８ｔであるのが好ましく、０．３ｔ〜０．７ｔであるのがより好ましい。これにより、個片８３の確実なピックアップと、第１粘着層１からの成分の染み出しの抑制とを、より高度に両立させることができる。

以上のように、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めたり、そうでなくても切り込み８１のうちの接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内としたりした場合には、第１粘着層１や第２粘着層２からの成分の染み出しが最小限に抑えられることから、この成分の染み出しが第１粘着層１と接着層３との密着力に及ぼす影響も最小限に抑えられることとなる。その結果、この密着力が意図せず高まってしまい、個片８３のピックアップ性が阻害されるのを防止することができる。

具体的には、切り込み８１の深さや横断面積等を制御することにより、第１粘着層１と接着層３との密着力は、前述した数値範囲内に確実に収まる。これにより、個片８３のピックアップ性が特に向上し、ピックアップの際に半導体素子７１に割れや欠け、バリ等の不具合が発生するのを防止することができる。その結果、最終的に、信頼性の高い半導体装置１００を高い歩留まりで製造することができる。

特に、半導体ウエハー７の厚さが薄い（例えば２００μｍ以下）の場合には、第１粘着層１と接着層３との密着力を前記範囲内とすることで、半導体素子７１に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。

また、第１粘着層１と接着層３との密着力は、個々の個片８３の中央部と縁部（エッジ部）とで異なる場合が多い。これは、縁部では、個片８３の端面に第１粘着層１中の成分が這い上がる等して、中央部に比べて密着力が大きくなり易いことに起因するものである。このため、個片８３をピックアップする際には、中央部と縁部とで密着力が大きく異なり、それによって半導体素子７１の割れや欠け等を招くおそれがある。

これに対し、切り込み８１の先端が第１粘着層１内に留まるように、ダイシングの深さ制御を行うことにより、個片８３における密着力のバラツキの範囲を、小さく抑えることが可能になる。このため、個片８３をピックアップする際に、半導体素子７１に割れや欠け等が発生するのを防止することができる。

ここで、個片８３を引き剥がす際に、個片８３の縁部にかかる荷重（縁部の密着力）をａとし、個片８３の中央部にかかる荷重（中央部の密着力）をｂとしたとき、ａ／ｂは、１以上４以下であるのが好ましく、１以上３以下程度であるのがより好ましく、１以上２以下程度であるのがさらに好ましい。これにより、半導体素子７１の部分ごとの荷重のバラつきが比較的狭い範囲に抑制されることになるため、ピックアップの際に半導体素子７１の割れや欠け等の不具合が発生するのを確実に抑制することができる。そして、このような半導体用フィルム１０を用いることにより、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、最終的に信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。

なお、密着力ａおよび密着力ｂは、それぞれ詳しくは次のようにして測定される。
まず、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層して積層体８を得た後、半導体ウエハー７を１０ｍｍ×１０ｍｍ角に個片化した後の状態で、第３の工程を行う前の積層体８の上面に、１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルムを２３℃（室温）で貼り付ける。

次いで、２３℃（室温）において、積層体８から第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４を剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がす。この際、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４を引き剥がしつつ、第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４にかかる引っ張り荷重（単位Ｎ）の大きさを測定する。そして、個片８３の縁部が第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２および支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ａ」に相当し、個片８３の中央部（縁部以外の部分）が第１粘着層１から離れる際に第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の平均値が「密着力ｂ」に相当する。

すなわち、半導体用フィルム１０によれば、個片８３の縁部が第１粘着層１から離れようとするとき、および、個片８３の中央部が第１粘着層１から離れようとするとき、第１粘着層１、第２粘着層２、支持フィルム４にかかる引っ張り荷重の大きさの差が比較的小さく抑えられるため、仮にピックアップの際に半導体素子７１に反りが生じた場合でも、その反りの程度が最小限に抑えられることとなる。その結果、半導体素子７１の割れや欠け等の不具合が最小限に抑えられることとなる。

また、個片８３の中央部（縁部以外の部分）の密着力ｂは、前述した第１粘着層１と接着層３との密着力の範囲にあることが好ましいが、その上で、０．０５〜０．３Ｎ／１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１０〜０．２５Ｎ／１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。密着力ｂが前記範囲内にあることにより、個片８３のピックアップ性が特に向上し、ピックアップの際に半導体素子７１に割れや欠け、バリ等の不具合が発生するのを防止することができる。その結果、最終的に、信頼性の高い半導体装置１００を高い歩留まりで製造することができる。

特に、半導体ウエハー７の厚さが薄い（例えば２００μｍ以下）の場合には、密着力ｂを前記範囲内とすることで、半導体素子７１に生じる上記のような不具合の防止効果が顕著になる。

なお、個片８３の縁部とは、半導体素子７１の外縁から、半導体素子７１の幅の１０％以下の領域を指すものとする。一方、個片８３の中央部とは、前記縁部以外の領域を指すものとする。すなわち、半導体素子７１の形状が、例えば平面視において１０ｍｍ角の正方形である場合、外縁から１ｍｍ幅の領域が縁部であり、残りの領域が中央部となる。

また、本実施形態では、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることにより、半導体ウエハー７および接着層３は確実に個片化される一方、第１粘着層１および第２粘着層２は個片化されない。したがって、第３の工程において、個片８３をピックアップする際に、第１粘着層１や第２粘着層２が支持フィルム４側に残すべきところ、不本意にも個片８３側に貼り付いた状態でピックアップされてしまうのを防止することができる。これは、第１粘着層１および第２粘着層２を個片化しなかったことで、これらの面方向の繋がりが維持されるため、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されるためである。すなわち、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力が、ピックアップにおける上方への引っ張り力に対して十分な抗力を有するためである。

また、上述したように、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されることから、第１粘着層１と接着層３との密着力をより大きくしたとしても、ピックアップ性の低下が抑制される。すなわち、第１粘着層１と接着層３との密着力において、良好なピックアップを可能にする許容範囲をより拡大することができるため、半導体用フィルム１０の製造容易性およびマウント後の半導体素子７１と絶縁基板５との接着性が向上するという利点もある。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第２実施形態について説明する。

図８は、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」という。

以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図８において、第１実施形態と同様の構成部分については、先に説明した図１と同様の符号を付している。

本実施形態にかかる半導体用フィルム１０’は、粘着層の層構成が異なる以外は、前記第１実施形態と同様である。

すなわち、図８に示す半導体用フィルム１０’では、第１粘着層１が省略され、第２粘着層２の１層のみが設けられている。

そして、このような半導体用フィルム１０’を製造するにあたっては、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接する領域（半導体ウエハー７を積層する領域）にあらかじめ紫外線を照射しておく。これにより、この領域の粘着性が失活し、結果として第２粘着層２と接着層３との密着力が低下する。その結果、第３の工程において個片８３をピックアップする際に、大きな荷重をかけなくても個片８３をピックアップすることが可能になることから、ピックアップ性の向上を図ることができる。

一方、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接しない領域には紫外線が照射されないため、この領域では第２粘着層２の本来の粘着力が維持されることとなる。このため、第２粘着層２とウエハーリング９との密着力も維持され、ダイシング性の低下は防止されることとなる。

換言すれば、第１実施形態では、粘着性の異なる２層の粘着層を用いることで、ダイシング性とピックアップ性の両立が図られているが、本実施形態では、第２粘着層２の一部領域のみ粘着性を低下させることで、１層の粘着層であっても、ダイシング性とピックアップ性を両立している。

このような半導体用フィルム１０’を、図８（ａ）に示すように、半導体ウエハー７と積層して、積層体８’を得る。

次いで、図８（ｂ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８’に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。この際、図８（ｂ）に示すように、接着層３の外周縁がワークテーブル３０２の外周縁３０２１よりも外側に位置するので、前述した第１実施形態と同様、接着層３の浮き上がりによるチップ飛びを防止することができる。また、切り込み８１の先端が第２粘着層２内に留まるようにダイシングを行うことで、支持フィルム４の削り屑が発生し得ないことから、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
その後、第３の工程および第４の工程を行うことにより、半導体装置が得られる。

なお、第２粘着層２に照射する紫外線としては、好ましくは波長１００〜４００ｎｍ程度のもの、より好ましくは波長２００〜３８０ｎｍ程度のものが用いられる。また、紫外線の照射時間としては、波長やパワーにもよるが、好ましくは１０秒〜１時間程度、より好ましくは３０秒〜３０分程度とされる。このような紫外線によれば、第２粘着層２中の化学構造を変化させ、効率よく粘着性を失活させるとともに、第２粘着層２の粘着性が必要以上に低下してしまうのを防止することができる。

また、第２粘着層２に照射するのは、紫外線に限られず、電子線、Ｘ線等の各種放射線であってもよい。

なお、紫外線の照射は、本実施形態のように、第２粘着層２の上面のうち、接着層３と接する領域に対してあらかじめ照射する場合に限らない。例えば、第２粘着層２の構成材料が紫外線に感応して硬化するような材料である場合には、第２粘着層２と接着層３とを積層した後、第２粘着層２と接着層３と半導体ウエハー７とを積層した後、または、第２粘着層２と接着層３と半導体ウエハー７とを積層し、半導体ウエハー７をダイシングした後のいずれかにおいて紫外線を照射するようにしてもよい。このような場合、紫外線の照射に伴って第２粘着層２が硬化するため、照射領域に位置する第２粘着層２の粘着力が低下する。その結果、このような場合であっても、個片８３のピックアップ性の向上を図ることができる。

以上、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

例えば、パッケージの形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等のＣＳＰ（Chip Size Package）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のような表面実装型のパッケージ、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。

また、前記各実施形態では、絶縁基板５上に個片８３をマウントする場合について説明したが、この個片８３は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも適用することができる。これにより、ピックアップ不良のおそれや半導体素子間に削り屑等が侵入するおそれがなくなり、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。

また、前述した第１実施形態では、第１粘着層１の外周縁が接着層３の外周縁と一致している場合を説明したが、第１粘着層１の外周縁が接着層３の外周縁よりも内側に位置していてもよい。この場合、接着層３の外周縁付近の部分を第１粘着層１を介さずに第２粘着層２に密着させることができる。また、この場合、接着層３の外周縁付近の第２粘着層２に対する密着性を向上させる観点から、第１粘着層１は、その外周縁が半導体ウエハー７の外周縁よりも外側に位置するような形状をなしているのが好ましい。

また、前記第１実施形態では、先端が第１粘着層１内に留まるように切り込み８１を形成する場合について説明しているが、先端が第２粘着層２内に留まるように切り込み８１を形成する場合でも、物質の染み出しを抑制する効果はやや薄れるものの、前記第２実施形態とほぼ同様の作用・効果が得られる。

また、本発明の半導体装置の製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。

以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．半導体装置の製造
（実施例１）
＜１＞第１粘着層の形成
アクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００質量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５質量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５質量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ^２を照射し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第１粘着層を成膜した。
なお、得られた第１粘着層のショアＤ硬度は、４０であった。

＜２＞第２粘着層の形成
アクリル酸ブチル７０質量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００質量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第２粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第２粘着層のショアＡ硬度は、８０であった。

＜３＞接着層の形成
アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶解品、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）の固形成分で１００質量部と、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、重量平均分子量：５０，０００、ジャパンエポキシレジン（株）社製）９．８質量部と、フィラーとして添加される球状シリカ（ＳＣ１０５０、平均粒径：０．３μｍ、（株）アドマテックス製）９０．８質量部と、カップリング剤として添加されるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業（株）製）１．１質量部と、フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）０．１質量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分２０質量％の樹脂ワニスを得た。

次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、品番ピューレックスＡ４３、厚さ３８μｍ）に塗布した後、温度１５０℃で３分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ１０μｍの接着層を成膜した。

＜４＞半導体用フィルムの製造
第１粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第１粘着層と接着層とが接するようにラミネート（積層）し、第１粘着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、積層体を得た。

次にロール状の金型を用いて、第１粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。

このとき、８インチの半導体ウエハー用に適するように、第１粘着層および接着層の直径をそれぞれ２４０ｍｍとした。また、支持フィルムおよび第２粘着層の直径をそれぞれ２７０ｍｍとした。

さらに第２粘着層の一方の面側にあるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。そして前記第２積層体の第１粘着層と第２粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルムの５層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。

このとき、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルムを互いの中心が平面視にて一致するように積層した。

＜５＞半導体装置の製造
次に、厚さ３５μｍ、８インチ（２０３ｍｍ）のシリコンウエハーを用意した。

そして、半導体用フィルムからポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、その剥離面にシリコンウエハーを６０℃で積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびシリコンウエハーの５層がこの順で積層してなる積層体を得た。

このとき、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層および半導体ウエハーを互いの中心が平面視にて一致するように積層した。

次いで、この積層体をシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。

＜ダイシング条件＞
・ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
・ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
・スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
・Ｚ１軸ブレードハイト ：０．１６５ｍｍ
・Ｚ２軸ブレードハイト ：０．１２５ｍｍ
・ワークテーブル直径 ：２２０ｍｍ
・切削水 ：純水
・切削水噴射圧 ：０．３Ｍｐａ
・切削水流量 ：１２Ｌ／ｍｉｎ
・ダイシングソーストローク：２１０ｍｍ

なお、上記Ｚ１軸およびＺ２軸ブレードハイトとは、２段階でダイシングする際におけるワークテーブル上面（＝支持フィルム下面）を基準点（ゼロ点）としたブレードのＺ軸方向の位置であり、Ｚ１軸ブレードハイトはファーストカット時のＺ軸方向の位置、Ｚ２軸ブレードハイトはセカンドカット時のＺ軸方向の位置である。

なお、ワークテーブル上に積層体を載置する際、平面視にて、ワークテーブルの中心と積層体の中心が一致するように載置した。また、ワークテーブルは、直径２０３ｍｍの円板状をなすセラミックス多孔質体の外周に、外径２２０ｍｍのステンレス製のリングが嵌合して構成されたものであり、積層体を載置する側の面は、中心から直径２１０ｍｍの範囲において、平坦面をなすとともに、外周縁の高さが２ｍｍ下側に位置し、この平坦面と外周縁との間が傾斜面をなしていた。

また、切削水の中心線と積層体とが交わる点は、接着層の外周縁よりも内側に位置していた。また、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が第１粘着層内に達していた。

次いで、半導体素子の１つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、半導体素子と接着層の個片をピックアップした。

次に、ピックアップした個片を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（回路段差５〜１０μｍ）に、温度１３０℃、荷重５Ｎで、１．０秒間圧着して、ダイボンディングした。

次いで、半導体素子と樹脂基板とをワイヤボンディングにより電気的に接続した。
そして、樹脂基板上の半導体素子およびボンディングワイヤを、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７６０（住友ベークライト（株）製、商品名）で封止し、温度１７５℃で２時間の熱処理に供した。これにより、封止樹脂を硬化させて半導体装置を得た。なお、本実施例では、かかる半導体装置を１０個作製した。

（実施例２）
接着層および第１粘着層の直径をそれぞれ２２５ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

（実施例３）
第１粘着層の直径を２２５ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

（実施例４）
接着層および第１粘着層の直径をそれぞれ２２５ｍｍ、支持フィルムおよび第２粘着層の直径をそれぞれ２５５ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

（実施例５）
接着層および第１粘着層の直径をそれぞれ３３０ｍｍ、支持フィルムおよび第２粘着層の直径をそれぞれ３７０ｍｍ、ワークテーブルの直径を３１８ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

（比較例１）
接着層および第１粘着層の直径をそれぞれ２２０ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

（比較例２）
接着層および第１粘着層の直径をそれぞれ２００ｍｍとした以外は、前述した実施例１と同様にして半導体装置を製造した。

２．評価
２．１ ダイシング性
まず、各実施例および各比較例におけるダイシング性を評価した。具体的には、各実施例および各比較例において、半導体ウエハーを個片化して１００個の半導体素子を製造し、これをピックアップする際に、それぞれの半導体素子における不具合の有無を、以下の評価基準に従って評価した。なお、上記不具合としては、半導体素子の欠けや割れ、剥離（チップ飛び）等が挙げられる。

＜ダイシング性の評価基準＞
◎：不具合を含む半導体素子の個数が３個未満
○：不具合を含む半導体素子の個数が３個以上６個未満
△：不具合を含む半導体素子の個数が６個以上１０個未満
×：不具合を含む半導体素子の個数が１０個以上

２．２ ピックアップ性
次いで、個片化した半導体素子のピックアップ性を評価するため、各実施例および各比較例における半導体素子の９０°ピール強度を測定した。このピール強度は、半導体素子の上面に１ｃｍ幅の短冊状の粘着フィルムを２３℃（室温）で貼り付け、その後、２３℃（室温）において、この支持フィルムの側より剥離角９０°でかつ引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの端部における荷重とした。

そして、測定した荷重を、ピール強度の基準範囲０．１〜０．４Ｎ／１０ｍｍを用いた以下の評価基準に従って評価した。

＜ピックアップ性の評価基準＞
◎：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が１個未満
○：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が１個以上５個未満
△：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が５個以上１０個未満
×：基準範囲から逸脱する半導体素子の個数が１０個以上
これらの評価結果を表１に示す。

この測定の結果、各実施例では、いずれも、ダイシング性およびピックアップ性の双方について、良好な結果が得られた。

一方、各比較例においては、各実施例に比し、特にダイシング性の結果が劣っていた。また、各比較例では、ダイシング時において、切削水の圧力により接着層と第１粘着層との界面での意図しない剥離が生じていた。

また、各比較例では、ピックアップ性も各実施例に比し劣っていた。これは、ダイシング時において、切削水の圧力により接着層と第１粘着層との界面の密着力が弱まったことによるものと考えられる。

１ 第１粘着層
１１ 外周縁
２ 第２粘着層
２１ 外周部
２２ 外周縁
３、３１ 接着層
３２ 外周縁
３３ はみ出した部分
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４２ 外周縁
４ａ、４ｂ 基材
５ 絶縁基板
６１〜６４ 積層体
７ 半導体ウエハー
７１ 半導体素子
８、８’ 積層体
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 個片
８４ ワイヤ
８５ モールド層
８６ ボール状電極
９ ウエハーリング
１０、１０’ 半導体用フィルム
１００ 半導体装置
２５０ ダイボンダ
２６０ コレット
２７０ ヒーター
２８０ 装置本体
３０１ ノズル
３０２ ワークテーブル
３０２１ 外周縁

Claims (12)

1. 接着層と支持フィルムとが積層されてなり、前記接着層の前記支持フィルムと反対側の面に半導体ウエハーを貼着するとともに、前記支持フィルムの前記接着層と反対側の面をワークテーブル上に載置し、この状態で前記半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
   前記接着層は、その外周縁が前記ワークテーブルの外周縁よりも外側に位置するような形状をなしていることを特徴とする半導体用フィルム。
2. 前記接着層と前記支持フィルムとの間には、粘着層が設けられている請求項１に記載の半導体用フィルム。
3. 前記接着層の外周縁は、前記粘着層の外周縁と一致またはそれよりも内側に位置している請求項２に記載の半導体用フィルム。
4. 前記粘着層は、互いに異なる特性を有する複数の層で構成されている請求項２または３に記載の半導体用フィルム。
5. 前記粘着層は、前記接着層に接する第１粘着層と、該第１粘着層の前記接着層とは反対側の面に接し、前記第１粘着層よりも粘着性の高い第２粘着層とを有する請求項４に記載の半導体用フィルム。
6. 前記接着層の外周縁および前記第１粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第２粘着層の外周縁よりも内側に位置している請求項５に記載の半導体用フィルム。
7. 前記支持フィルムの外周縁は、前記接着層の外周縁よりも外側に位置している請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体用フィルム。
8. 前記粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている請求項２に記載の半導体用フィルム。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
   前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程とを有することを特徴とする半導体ウエハーの個片化方法。
10. 接着層と支持フィルムとが積層されてなる半導体用フィルムを用意する工程と、
    前記半導体用フィルムの前記接着層側の面に半導体ウエハーを貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
    切削水を噴射しつつ、前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程とを有し、
    前記切削水の噴射を、前記切削水の中心線が前記接着層の外周縁の内側を通るように行うことを特徴とする半導体ウエハーの個片化方法。
11. 請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
    前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程と、
    得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなる半導体用フィルムを用意する工程と、
    前記半導体用フィルムの前記接着層側の面を半導体ウエハーに貼着して積層体を得るとともに、該積層体の前記支持フィルム側の面をワークテーブル上に載置する工程と、
    切削水を噴射しつつ、前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを形成することにより、前記半導体ウエハーを切断して個片化する工程とを有し、
    前記切削水の噴射を、前記切削水の中心線が前記接着層の外周縁の内側を通るように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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