JP2012190854A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板の主面上に、前記基板の主面を露出する底面と前記底面を囲む側壁面を有しており配線パターンを明確にするための開口部を形成するように絶縁樹脂を形成する工程と、
   前記開口部の前記底面と、前記開口部の前記側壁面と、前記基板の主面に対して対向する側の前記絶縁樹脂上に第１配線層を設け、前記底面に形成される前記第１配線層の厚みが前記側壁面に形成される前記第１配線層の厚みよりも厚くなるように形成する工程と、
   前記絶縁樹脂と前記第１配線層が露出するように前記絶縁樹脂と前記第１配線層を切削することを特徴とする半導体装置の配線の形成方法。
2. 前記第１配線層上に、第２配線層を設ける工程とを有し、
   前記第１配線層は前記第２の配線層よりも固いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の配線の形成方法。
3. 前記絶縁樹脂を切削する工程では、前記基板の主面から前記基板の主面に対して対向する側の面までの高さのうち、前記基板の主面に対して対向する側の面より低い高さ位置を切削することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の配線の形成方法。
4. 前記絶縁樹脂層と前記第１配線層と前記第２配線層は、前記基板の主面から前記基板の主面に対して対向する側の面までの高さが等しくなるように切削されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記側壁面に形成される前記第１配線層の厚みは約２０ｎｍ〜５０ｎｍであり、前記底面に形成される前記第１配線層の厚みが約２００ｎｍ〜３００ｎｍとなるように形成することを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の半導体装置の配線の形成方法。
6. 前記第１配線層は難切削性材料であることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の半導体装置の配線の形成方法。
7. 前記難切削材料はＴｉであることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の半導体装置の配線の形成方法。
8. 前記第２配線層はＣｕ又はＡｌであることを特徴とする請求項２乃至請求項７に記載の半導体装置の配線の形成方法。
9. 前記第１配線層は膜蒸着により設けられていることを特徴とする請求項１至請求項８記載の半導体装置の配線の形成方法。
10. 前記第１配線層の前記底面と前記側壁面の厚さは、入射角度分布を制御することにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９記載の半導体装置の配線の形成方法。
11. 基板上に、前記基板の主面を露出する底面と前記底面を囲む側壁面を有しており配線パターンを明確にするための開口部が形成されている絶縁樹脂と、
    前記開口部の前記底面と、前記開口部の前記側壁面と、前記基板の主面に対して対向する側の前記絶縁樹脂上に設けられ、前記底面に形成される厚みが前記側壁面に形成される厚みよりも厚くなるように形成されている第１の配線層と、
    前記絶縁樹脂と前記第１配線層が露出していることを特徴とする半導体装置。
12. 前記第１配線層上に形成され、前記開口部を充填するように設けられている第２配線層とを有し、
    前記第１配線層は前記第２配線層よりも固いことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. 前記絶縁樹脂層と前記第１配線層と前記第２配線層は、前記基板の主面から前記基板の主面に対して対向する側の面までの高さが等しいことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
14. 前記側壁面に形成される前記第１配線層の厚みは約２０ｎｍ〜５０ｎｍであり、前記底面に形成される前記第１配線層の厚みは約２００ｎｍ〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１１乃至請求項１３に記載の半導体装置。
15. 前記第１配線層は難切削性材料であることを特徴とする請求項１１又は請求項１４に記載の半導体装置。