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JP2012049429A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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JP2012049429A
JP2012049429A JP2010192009A JP2010192009A JP2012049429A JP 2012049429 A JP2012049429 A JP 2012049429A JP 2010192009 A JP2010192009 A JP 2010192009A JP 2010192009 A JP2010192009 A JP 2010192009A JP 2012049429 A JP2012049429 A JP 2012049429A
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Toru Yonebayashi
亨 米林
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Kokusai Denki Electric Inc
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect disconnection of a heater before a substrate is carried in a processing chamber, and to prevent a substrate processing process from being started when disconnection of a heater is detected.SOLUTION: The substrate processing apparatus comprises: a conveyance control unit which controls conveyance operation at each section of a substrate processing apparatus; a processing control unit which controls processing operation at each section of the substrate processing apparatus; and a main control unit which controls the conveyance control unit and the processing control unit, where the main control unit comprises an error processing unit performing prescribed error processing. Upon receiving an instruction, from the conveyance control unit, to cause transition of a recipe from stand-by state to executable state, the processing control unit performs disconnection detection processing. If a disconnection error is not received as a result of disconnection detection processing, the processing control unit shifts the recipe to the executable state. If a disconnection error is received after waiting an instruction to execute a recipe, the processing control unit does not shift the recipe to the executable state, but notifies disconnection error to the main control unit in order to perform error processing.

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate.

従来、DRAM(Dynamic Random Access Memory)やIC(Integrated Circuit)等の半導体装置の製造工程の一工程として、処理条件及び処理手順が定義されたレシピに基づいて基板を処理する基板処理工程が実施されてきた。かかる工程を実施する基板処理装置の各部の動作は、制御部によって制御されていた。この制御部によって実施される基板処理工程では、例えば処理室内の基板をヒータにより加熱して基板に処理を施していた。   2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing process for processing a substrate based on a recipe in which processing conditions and processing procedures are defined is performed as one process of manufacturing a semiconductor device such as a DRAM (Dynamic Random Access Memory) or an IC (Integrated Circuit). I came. The operation of each part of the substrate processing apparatus that performs such a process is controlled by the control unit. In the substrate processing step performed by the control unit, for example, the substrate in the processing chamber is heated by a heater and the substrate is processed.

しかしながら、従来の基板処理装置では、基板処理工程中に処理室内の温度異常を検出することで、間接的にヒータの断線を検知していた。このため、ヒータが断線していると、基板が処理室内に搬入され基板処理工程が開始した後にヒータ断線によるエラーが発生してしまう。その場合、基板を回収するまで処理室内に取り残された基板が熱による影響を受けてしまい、例えば基板回収時に周囲の酸素と基板の処理面とが反応して基板の処理面に異常酸化等の生じることがあった。   However, in the conventional substrate processing apparatus, the disconnection of the heater is indirectly detected by detecting a temperature abnormality in the processing chamber during the substrate processing step. For this reason, if the heater is disconnected, an error due to the heater disconnection occurs after the substrate is carried into the processing chamber and the substrate processing process is started. In that case, the substrate left in the processing chamber until the substrate is recovered is affected by heat. For example, when the substrate is recovered, the surrounding oxygen and the processing surface of the substrate react to cause abnormal oxidation or the like on the processing surface of the substrate. It sometimes occurred.

本発明は、基板が処理室内に搬入される前にヒータの断線を検知し、ヒータの断線を検知したら基板が処理室内に搬入されないよう基板処理工程が開始することを防止する基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention provides a substrate processing apparatus that detects a disconnection of a heater before a substrate is carried into the processing chamber, and prevents a substrate processing step from starting so that the substrate is not carried into the processing chamber when the heater is disconnected. The purpose is to do.

本発明の一態様によれば、
ヒータにより基板を加熱しつつ、処理条件及び処理手順が定義されたレシピを実行して前記基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記基板処理装置の各部の搬送動作を制御する搬送制御部と、
前記基板処理装置の各部の処理動作を制御する処理制御部と、
前記搬送制御部及び前記処理制御部を制御する主制御部と、を備え、
前記主制御部は、所定のエラー処理を実施するエラー処理部を備え、
前記処理制御部は、
待機状態からレシピを実行可能な状態へ遷移させる指示を前記搬送制御部から受けると、断線検知処理を実施し、前記断線検知処理の結果、
断線エラーを受信しなかったら、前記レシピを実行可能な状態へ移行し、前記レシピの実行指示を待ち、
断線エラーを受信したら、前記レシピを実行可能な状態へ移行することなく、前記主制御部へ断線エラーを通知して前記所定のエラー処理を実施させる
基板処理装置が提供される。
According to one aspect of the invention,
A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on the substrate by executing a recipe in which processing conditions and processing procedures are defined while heating the substrate with a heater,
A transport control unit that controls the transport operation of each unit of the substrate processing apparatus;
A process control unit for controlling the processing operation of each unit of the substrate processing apparatus;
A main control unit that controls the transport control unit and the processing control unit,
The main control unit includes an error processing unit that performs predetermined error processing,
The processing control unit
When receiving an instruction for transition from the standby state to a state in which the recipe can be executed from the transfer control unit, a disconnection detection process is performed, and as a result of the disconnection detection process,
If a disconnection error is not received, the recipe is transferred to an executable state, and the recipe execution instruction is waited for.
When a disconnection error is received, a substrate processing apparatus is provided that notifies the disconnection error to the main control unit and performs the predetermined error processing without shifting to a state where the recipe can be executed.

本発明に係る基板処理装置によれば、基板が処理室内に搬入される前にヒータの断線を検知し、ヒータの断線を検知したら基板が処理室内に搬入されないよう基板処理工程が開始することを防止することができる。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, the disconnection of the heater is detected before the substrate is carried into the processing chamber, and the substrate processing process is started so that the substrate is not carried into the processing chamber when the disconnection of the heater is detected. Can be prevented.

本発明の実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。It is side surface perspective drawing of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the processing furnace of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置が備える制御装置及びその周辺のブロック構成図である。It is a block block diagram of the control apparatus with which the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is provided, and its periphery. 本発明の実施形態に係る基板処理装置が備える制御装置の動作を示すブロック構成図である。It is a block block diagram which shows operation | movement of the control apparatus with which the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is provided. 本発明の実施形態に係る基板処理装置が備える主コントローラ、プロセス系コントローラ及び表示制御部の電文シーケンスを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the message | telegram sequence of the main controller with which the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is provided, a process system controller, and a display control part. 本発明の実施形態に係る基板処理装置が備える主コントローラのブロック構成図である。It is a block block diagram of the main controller with which the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is provided. 本発明の実施形態に係る状態遷移の概要を説明する図である。It is a figure explaining the outline | summary of the state transition which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置が備えるヒータ素線検知回路のブロック構成図である。It is a block block diagram of the heater strand detection circuit with which the substrate processing apparatus which concerns on embodiment of this invention is provided. 本発明の実施形態に係る基板処理工程における待機状態から実行可能状態へと遷移する時に実施する検知処理の概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing of the detection process implemented when changing from the standby state in the substrate processing process which concerns on embodiment of this invention to an executable state. 本発明の実施形態に係る基板処理工程における実行中状態から終了状態へと遷移する時に実施する検知処理の概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing of the detection process implemented when it changes to the completion | finish state from the executing state in the substrate processing process which concerns on embodiment of this invention.

<本発明の実施形態>
以下に、本発明の実施形態について説明する。
<Embodiment of the present invention>
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

(1)基板処理装置の構成
本実施形態に係る基板処理装置100の構成について、図1、図2を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。図2は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置100は、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、CVD処理などを行う縦型の装置として構成されている。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus The configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a side perspective view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment is configured as a vertical apparatus that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, and the like on a substrate such as a wafer.

図1、図2に示すように、本実施形態に係る基板処理装置100は、耐圧容器として構成された筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設されている。正面メンテナンス口103には、正面メンテナンス口103を開閉する立ち入り機構として一対の正面メンテナンス扉104が設けられている。シリコン等のウエハ(基板)200を収納したポッド(基板収容器)110が、筐体111内外へウエハ200を搬送するキャリアとして使用される。なお、本発明が適用される基板処理装置100では、ポッド(基板収容器)110としてFOUP(Front Opening Unified Pod)が使用される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a housing 111 configured as a pressure vessel. A front maintenance port 103 serving as an opening provided for maintenance is provided in the front front portion of the front wall 111a of the casing 111. The front maintenance port 103 is provided with a pair of front maintenance doors 104 as an access mechanism for opening and closing the front maintenance port 103. A pod (substrate container) 110 containing a wafer (substrate) 200 such as silicon is used as a carrier for transporting the wafer 200 into and out of the housing 111. In the substrate processing apparatus 100 to which the present invention is applied, a FOUP (Front Opening Unified Pod) is used as the pod (substrate container) 110.

筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が、筐体111内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、載置部としてロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されている。ロードポート114は、ロードポート114上にポッド110が載置されると共にポッド110が位置合わせされるように構成されている。ポッド110は、OHT(Overhead Hoist Transport)等の工程内搬送装置(図示せず)によってロードポート114上に搬送されるように構成されている。   A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111 a of the housing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the housing 111. The pod loading / unloading port 112 is opened and closed by a front shutter (substrate container loading / unloading port opening / closing mechanism) 113. On the front front side of the pod loading / unloading port 112, a load port (substrate container delivery table) 114 is installed as a mounting portion. The load port 114 is configured such that the pod 110 is placed on the load port 114 and the pod 110 is aligned. The pod 110 is configured to be transferred onto the load port 114 by an in-process transfer device (not shown) such as OHT (Overhead Hoist Transport).

筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されている。回転式ポッド棚105上には、複数個のポッド110が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚105は、垂直に立設されて水平面内で間欠的に回転される支柱116と、支柱116に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117と、を備えている。複数枚の棚板117は、ポッド110を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。   A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction. A plurality of pods 110 are stored on the rotary pod shelf 105. The rotary pod shelf 105 includes a support column 116 that is erected vertically and is intermittently rotated in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates (substrate containers) that are radially supported by the support column 116 at the upper, middle, and lower positions. Mounting stage) 117. The plurality of shelf plates 117 are configured to hold a plurality of pods 110 in a state where they are mounted.

筐体111内におけるロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されている。ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を相互に搬送するように構成されている。   A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed between the load port 114 and the rotary pod shelf 105 in the housing 111. The pod transfer device 118 includes a pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a that can be moved up and down while holding the pod 110, and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism. The pod transfer device 118 moves the pod 110 between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener (substrate container lid opening / closing mechanism) 121 by the continuous operation of the pod elevator 118a and the pod transfer mechanism 118b. It is comprised so that it may convey mutually.

筐体111内の下部には、サブ筐体119が筐体111内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体119の正面壁119aには、ウエハ200をサブ筐体119内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口120には、ポッドオープナ121がそれぞれ設置されている。   A sub-housing 119 is provided in the lower part of the housing 111 from the substantially central portion in the front-rear direction to the rear end in the housing 111. A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 that transfer the wafer 200 into and out of the sub-casing 119 are provided on the front wall 119a of the sub-casing 119 so as to be arranged vertically in two stages. Yes. Pod openers 121 are respectively installed at the upper and lower wafer loading / unloading ports 120.

各ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する一対の載置台122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123とを備えている。ポッドオープナ121は、載置台122上に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。   Each pod opener 121 includes a pair of mounting bases 122 on which the pod 110 is mounted, and a cap attaching / detaching mechanism (lid attaching / detaching mechanism) 123 that attaches / detaches a cap (cover) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.

サブ筐体119内には、ポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室124が構成されている。移載室124の前側領域にはウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されている。ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125aと、ウエハ移載装置125aを昇降させるウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。図1に示すように、ウエハ移載装置エレベータ125bは、サブ筐体119の移載室124の前方領域右端部と筐体111右側の端部との間に設置されている。ウエハ移載装置125aは、ウエハ200の載置部としてのツイーザ(基板保持体)125cを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ200をボート(基板保持具)217に対して装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)することが可能に構成されている。   In the sub casing 119, a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from a space in which the pod transfer device 118, the rotary pod shelf 105, and the like are installed is configured. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124. The wafer transfer mechanism 125 includes a wafer transfer device (substrate transfer device) 125a capable of rotating or linearly moving the wafer 200 in the horizontal direction, and a wafer transfer device elevator (substrate transfer device) that moves the wafer transfer device 125a up and down. (Elevating mechanism) 125b. As shown in FIG. 1, the wafer transfer device elevator 125 b is installed between the right end of the front area of the transfer chamber 124 of the sub-housing 119 and the right end of the housing 111. The wafer transfer device 125 a includes a tweezer (substrate holding body) 125 c as a mounting portion for the wafer 200. The wafer 200 can be loaded (charged) and unloaded (discharged) with respect to the boat (substrate holder) 217 by the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a. ing.

移載室124の後側領域には、ボート217を収容して待機させる待機部126が構成されている。待機部126の上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部には、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により炉口146が開閉されるように構成されている。   In the rear region of the transfer chamber 124, a standby unit 126 that houses and waits for the boat 217 is configured. A processing furnace 202 is provided above the standby unit 126. A furnace port 146 is configured to be opened and closed by a furnace port shutter (furnace port opening / closing mechanism) 147 at the lower end of the processing furnace 202.

図1に示すように、サブ筐体119の待機部126右端部と筐体111右側端部との間には、ボート217を昇降させるボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置されている。ボートエレベータ115の昇降台には、連結具としてのアーム128が連結されている。アーム128には、蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けら
れている。シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
As shown in FIG. 1, a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 115 that lifts and lowers the boat 217 is installed between the right end of the standby section 126 and the right end of the casing 111 of the sub casing 119. . An arm 128 as a connecting tool is connected to the elevator platform of the boat elevator 115. A seal cap 219 serving as a lid is horizontally installed on the arm 128. The seal cap 219 is configured to support the boat 217 vertically and to close the lower end portion of the processing furnace 202.

主に、回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115,ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118,ウエハ移載機構(基板移載機構)125,ボート217及び後述の回転機構254により、本実施形態に係る基板搬送系が構成されている。これら回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115,ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118,ウエハ移載機構(基板移載機構)125,ボート217及び回転機構254は、後述の制御装置240に接続される搬送制御部としての搬送系コントローラ11に電気的に接続されている。   This embodiment is mainly composed of a rotary pod shelf 105, a boat elevator 115, a pod transfer device (substrate container transfer device) 118, a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, a boat 217, and a rotation mechanism 254 described later. The substrate transfer system according to the above is configured. The rotary pod shelf 105, the boat elevator 115, the pod transfer device (substrate container transfer device) 118, the wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, the boat 217, and the rotation mechanism 254 are connected to a control device 240 described later. Is electrically connected to a transport system controller 11 as a transport control unit.

ボート217は複数本の保持部材を備えている。ボート217は、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。   The boat 217 includes a plurality of holding members. The boat 217 is configured to hold a plurality of wafers 200 (for example, about 50 to 125 wafers) horizontally in a state where the centers are aligned in the vertical direction.

図1に示すように、移載室124のウエハ移載装置エレベータ125b側及びボートエレベータ115側と反対側である左側端部には、クリーンユニット134が設置されている。クリーンユニット134は、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。ウエハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置(図示せず)が設置されている。   As shown in FIG. 1, a clean unit 134 is installed at the left end of the transfer chamber 124 opposite to the wafer transfer device elevator 125b side and the boat elevator 115 side. The clean unit 134 includes a supply fan and a dustproof filter so as to supply a clean atmosphere or clean air 133 that is an inert gas. Between the wafer transfer device 125a and the clean unit 134, a notch alignment device (not shown) is installed as a substrate alignment device for aligning the circumferential position of the wafer.

クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置125a、待機部126にあるボート217の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体111の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環されてクリーンユニット134によって移載室124内に再び吹き出されるように構成されている。   The clean air 133 blown out from the clean unit 134 flows around the boat 217 in the notch alignment device, wafer transfer device 125a, and standby unit 126 (not shown), and is then sucked in by a duct (not shown) to the outside of the casing 111. Or is circulated to the primary side (supply side) that is the suction side of the clean unit 134 and is blown out again into the transfer chamber 124 by the clean unit 134.

(2)基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置100の動作について、図1、図2を参照しながら説明する。
(2) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図1、図2に示すように、ポッド110が工程内搬送装置(図示せず)によってロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。そして、ロードポート114の上のポッド110が、ポッド搬送装置118によってポッド搬入搬出口112から筐体111内部へと搬入される。   As shown in FIGS. 1 and 2, when the pod 110 is supplied to the load port 114 by an in-process transfer device (not shown), the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113. Then, the pod 110 on the load port 114 is carried into the housing 111 from the pod carry-in / out port 112 by the pod carrying device 118.

筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって回転式ポッド棚105の棚板117上へ自動的に搬送されて一時的に保管される。その後、ポッド110は、棚板117上から一方のポッドオープナ121の載置台122上に移載される。なお、筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって直接ポッドオープナ121の載置台122上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124内にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124内にクリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、移載室124内の酸素濃度が例えば20ppm以下となり、大気雰囲気である筐体111内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。   The pod 110 carried into the housing 111 is automatically transferred onto the shelf plate 117 of the rotary pod shelf 105 by the pod transfer device 118 and temporarily stored. Thereafter, the pod 110 is transferred from the shelf 117 onto the mounting table 122 of one pod opener 121. Note that the pod 110 carried into the housing 111 may be directly transferred onto the mounting table 122 of the pod opener 121 by the pod transfer device 118. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and clean air 133 is circulated and filled in the transfer chamber 124. For example, when the transfer chamber 124 is filled with nitrogen gas as clean air 133, the oxygen concentration in the transfer chamber 124 becomes, for example, 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration in the casing 111 that is an atmospheric atmosphere. It is set to be.

載置台122上に載置されたポッド110は、その開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そ
のキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ200は、ウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてポッド110内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室124の後方にある待機部126内へ搬入され、ボート217内に装填(チャージング)される。ボート217内にウエハ200を装填したウエハ移載装置125aは、ポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217内に装填する。
The pod 110 mounted on the mounting table 122 is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 in the front wall 119a of the sub-housing 119, and the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123. Then, the wafer loading / unloading port is opened. Thereafter, the wafer 200 is picked up from the pod 110 through the wafer loading / unloading port by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a, aligned in the notch alignment device, and then in the standby unit 126 at the rear of the transfer chamber 124. Are loaded into the boat 217 (charging). The wafer transfer device 125 a loaded with the wafer 200 in the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.

この一方(上段または下段)のポッドオープナ121におけるウエハ移載機構125によるウエハ200のボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121の載置台122上には、別のポッド110が回転式ポッド棚105上からポッド搬送装置118によって搬送されて移載され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。   During the loading operation of the wafer 200 to the boat 217 by the wafer transfer mechanism 125 in the one (upper or lower) pod opener 121, the other (lower or upper) pod opener 121 is placed on the mounting table 122. The pod 110 is transferred from the rotary pod shelf 105 by the pod transfer device 118 and transferred, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 is simultaneously performed.

予め指定された枚数のウエハ200がボート217内に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタ147によって開放される。続いて、ウエハ200群を保持したボート217は、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより処理炉202内へ搬入(ローディング)されていく。   When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the lower end portion of the processing furnace 202 closed by the furnace port shutter 147 is opened by the furnace port shutter 147. Subsequently, the boat 217 holding the wafer 200 group is loaded into the processing furnace 202 when the seal cap 219 is lifted by the boat elevator 115.

ローディング後は、処理炉202内にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ200を格納したボート217が処理炉202内より搬出され、処理後のウエハ200を格納したポッド110が筐体111外へと搬出される。   After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, except for the wafer alignment process in the notch aligning apparatus, the boat 217 storing the processed wafers 200 is unloaded from the processing furnace 202 by a procedure almost opposite to the above procedure, and the processed wafers 200 are processed. Is carried out of the casing 111.

(3)処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる処理炉202の構成について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の第1の実施形態にかかる基板処理装置100の処理炉202の縦断面図である。
(3) Configuration of Processing Furnace Next, the configuration of the processing furnace 202 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the processing furnace 202 of the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention.

図3に示すように、処理炉202は、反応管としてのプロセスチューブ203を備えている。プロセスチューブ203は、内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205と、を備えている。インナーチューブ204は、例えば石英(SiO)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ204は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ204内の筒中空部には、基板としてのウエハ200を処理する処理室201が形成されている。処理室201内は、後述するボート217を収容可能なように構成されている。アウターチューブ205は、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。アウターチューブ205は、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ205は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。 As shown in FIG. 3, the processing furnace 202 includes a process tube 203 as a reaction tube. The process tube 203 includes an inner tube 204 as an internal reaction tube and an outer tube 205 as an external reaction tube provided on the outside thereof. The inner tube 204 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). The inner tube 204 is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. A processing chamber 201 for processing a wafer 200 as a substrate is formed in a hollow cylindrical portion in the inner tube 204. The processing chamber 201 is configured to accommodate a boat 217 described later. The outer tube 205 is provided concentrically with the inner tube 204. The outer tube 205 has an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 204, is formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. The outer tube 205 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide.

プロセスチューブ203の外側には、プロセスチューブ203の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ206が設けられている。ヒータ206は円筒形状に構成されている。なお、ヒータ206は後述するように複数の領域に分割され、これら分割されたヒータ206のそれぞれのヒータ素線に電力が供給されて発熱するように構成されている。ヒータ206は、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。   A heater 206 as a heating mechanism is provided outside the process tube 203 so as to surround the side wall surface of the process tube 203. The heater 206 has a cylindrical shape. As will be described later, the heater 206 is divided into a plurality of regions, and is configured such that electric power is supplied to each heater element wire of the divided heater 206 to generate heat. The heater 206 is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.

プロセスチューブ203内には、温度検知器としての温度センサ263が設置されてい
る。主に、ヒータ206及び温度センサ263により、本実施形態に係る加熱機構が構成されている。これらヒータ206と温度センサ263とには、温度コントローラ12aが電気的に接続されている。温度コントローラ12aは、後述の制御装置240に接続されている。
A temperature sensor 263 as a temperature detector is installed in the process tube 203. The heater 206 and the temperature sensor 263 mainly constitute the heating mechanism according to this embodiment. The temperature controller 12 a is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263. The temperature controller 12a is connected to a control device 240 described later.

アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状になるように、マニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス等により構成されている。マニホールド209は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とにそれぞれ係合している。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とを支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。図示しないがマニホールド209がヒータベース251に支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ203とマニホールド209とにより反応容器が形成される。   A manifold 209 is disposed below the outer tube 205 so as to be concentric with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel. The manifold 209 is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 209 is engaged with the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205, respectively. The manifold 209 is provided to support the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205. An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205. Although not shown, the manifold 209 is supported by the heater base 251 so that the process tube 203 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.

後述するシールキャップ219には、ガス導入部としての処理ガスノズル230a及びパージガスノズル230bが処理室201内に連通するように接続されている。処理ガスノズル230aには、処理ガス供給管232aが接続されている。処理ガス供給管232の上流側(処理ガスノズル230aとの接続側と反対側)には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241a、後述するバルブ(図示しない)を介して、図示しない処理ガス供給源等が接続されている。また、パージガスノズル230bには、パージガス供給管232bが接続されている。パージガス供給管232bの上流側(パージガスノズル230bとの接続側と反対側)には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241b、後述するバルブ(図示しない)を介して、不活性ガス等の図示しないパージガス供給源等が接続されている。   A processing gas nozzle 230 a and a purge gas nozzle 230 b as gas introduction portions are connected to a seal cap 219 described later so as to communicate with the inside of the processing chamber 201. A processing gas supply pipe 232a is connected to the processing gas nozzle 230a. On the upstream side of the processing gas supply pipe 232 (on the side opposite to the connection side with the processing gas nozzle 230a), a process (not shown) is performed via an MFC (mass flow controller) 241a as a gas flow rate controller and a valve (not shown) described later. A gas supply source or the like is connected. A purge gas supply pipe 232b is connected to the purge gas nozzle 230b. The upstream side of the purge gas supply pipe 232b (on the side opposite to the side connected to the purge gas nozzle 230b) is connected to an inert gas or the like via an MFC (mass flow controller) 241b as a gas flow rate controller and a valve (not shown) described later. A purge gas supply source (not shown) is connected.

主に、処理ガス供給源(図示しない)、MFC241a、後述するバルブ(図示しない)、処理ガス供給管232a及び処理ガスノズル230aにより、本実施形態に係る処理ガス供給系が構成されている。主に、パージガス供給源(図示しない)、MFC241b、後述するバルブ(図示しない)、パージガス供給管232b及びパージガスノズル230bにより、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。主に、処理ガス供給系及びパージガス供給系により、本実施形態に係るガス供給系が構成されている。MFC241a,241b及びバルブ(図示しない)には、プロセス系コントローラ12が電気的に接続されている。また、MFC241a、MFC241bを総称して、ガス流量コントローラ12cと呼ぶことがある。   A processing gas supply system according to this embodiment is mainly configured by a processing gas supply source (not shown), an MFC 241a, a valve (not shown) described later, a processing gas supply pipe 232a, and a processing gas nozzle 230a. A purge gas supply system according to this embodiment is mainly configured by a purge gas supply source (not shown), an MFC 241b, a valve (not shown) described later, a purge gas supply pipe 232b, and a purge gas nozzle 230b. The gas supply system according to this embodiment is mainly constituted by the processing gas supply system and the purge gas supply system. The process system controller 12 is electrically connected to the MFCs 241a and 241b and a valve (not shown). Further, the MFC 241a and the MFC 241b may be collectively referred to as a gas flow rate controller 12c.

マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231は、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に配置されている。排気管231は、筒状空間250に連通している。排気管231の下流側(マニホールド209との接続側と反対側)には、圧力検知器としての圧力センサ245、例えば圧力調整装置としてのAPC(Auto Pressure Contoroller)バルブ242、真空排気装置としての真空ポンプ246が上流側から順に接続されている。主に、排気管231、圧力センサ245、APCバルブ242及び真空ポンプ246により、本実施形態に係るガス排気機構が構成されている。圧力センサ245、APCバルブ242及び真空ポンプ246には、後述の制御装置240に接続されるAPCバルブコントローラとしての圧力コントローラ12bが電気的に接続されている。   The manifold 209 is provided with an exhaust pipe 231 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 201. The exhaust pipe 231 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205. The exhaust pipe 231 communicates with the cylindrical space 250. On the downstream side of the exhaust pipe 231 (on the side opposite to the connection side with the manifold 209), a pressure sensor 245 as a pressure detector, for example, an APC (Auto Pressure Controller) valve 242 as a pressure adjusting device, and a vacuum as a vacuum exhaust device. The pump 246 is connected in order from the upstream side. The gas exhaust mechanism according to this embodiment is mainly configured by the exhaust pipe 231, the pressure sensor 245, the APC valve 242, and the vacuum pump 246. A pressure controller 12b as an APC valve controller connected to a control device 240 described later is electrically connected to the pressure sensor 245, the APC valve 242 and the vacuum pump 246.

マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉
口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属により構成されている。シールキャップ219は、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。
Below the manifold 209, a seal cap 219 is provided as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is brought into contact with the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel. The seal cap 219 is formed in a disc shape. On the upper surface of the seal cap 219, an O-ring 220b is provided as a seal member that comes into contact with the lower end of the manifold 209.

シールキャップ219の中心部付近であって処理室201と反対側には、ボート217を回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217を下方から支持している。回転機構254は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させることが可能に構成されている。   A rotation mechanism 254 for rotating the boat 217 is installed near the center of the seal cap 219 and on the side opposite to the processing chamber 201. The rotation shaft 255 of the rotation mechanism 254 passes through the seal cap 219 and supports the boat 217 from below. The rotation mechanism 254 is configured to be able to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217.

シールキャップ219は、プロセスチューブ203の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ115によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ219を昇降させることにより、ボート217を処理室201内外へ搬送することが可能に構成されている。上述したように回転機構254及びボートエレベータ115には、後述の制御装置240に接続される搬送系コントローラ11が電気的に接続されている。   The seal cap 219 is configured to be lifted and lowered in the vertical direction by a boat elevator 115 as a substrate holder lifting mechanism vertically installed outside the process tube 203. By moving the seal cap 219 up and down, the boat 217 can be transferred into and out of the processing chamber 201. As described above, the transport system controller 11 connected to the control device 240 described later is electrically connected to the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115.

上述したように、基板保持具としてのボート217は、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート217は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。ボート217の下部には、断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板216は、円板形状に形成されている。断熱板216は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。断熱板216は、ヒータ206からの熱をマニホールド209側に伝えにくくするように構成されている。   As described above, the boat 217 as a substrate holder is configured to hold a plurality of wafers 200 in a multi-stage by aligning the wafers 200 in a horizontal posture and in a state where their centers are aligned with each other. The boat 217 is made of a heat-resistant material such as quartz or silicon carbide. In the lower part of the boat 217, a plurality of heat insulating plates 216 as heat insulating members are arranged in multiple stages in a horizontal posture. The heat insulating plate 216 is formed in a disc shape. The heat insulating plate 216 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide. The heat insulating plate 216 is configured to make it difficult to transfer heat from the heater 206 to the manifold 209 side.

主に、ガス排気機構、ガス供給系、加熱機構により、本実施形態に係る基板処理系が構成されている。   The substrate processing system according to this embodiment is mainly configured by the gas exhaust mechanism, the gas supply system, and the heating mechanism.

(4)処理炉の動作
続いて、半導体装置の製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉202を用いてCVD法によりウエハ200上に薄膜を形成する方法について、図3を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作は基板処理用のレシピに従い制御装置240により制御される。また、以下に説明する処理炉202の動作は、後述の実行中状態(RUNモード)における動作に該当する。
(4) Operation of Processing Furnace Subsequently, as a process of manufacturing the semiconductor device, a method of forming a thin film on the wafer 200 by the CVD method using the processing furnace 202 according to the above configuration will be described with reference to FIG. explain. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 100 is controlled by the control device 240 in accordance with a recipe for substrate processing. Further, the operation of the processing furnace 202 described below corresponds to an operation in an executing state (RUN mode) described later.

複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図3に示すように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入される(ボートロードステップ)。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。   When a plurality of wafers 200 are loaded into the boat 217 (wafer charge), as shown in FIG. 3, the boat 217 holding the plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 and loaded into the processing chamber 201. (Boat loading step) In this state, the seal cap 219 seals the lower end of the manifold 209 via the O-ring 220b.

処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように、真空排気装置246によって真空排気される。そして、後述するように処理ガスを供給して処理ガスのガス流量を安定させると共に、圧力センサ245が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置242(の弁の開度)がフィードバック制御され処理室201内の圧力を所定の処理圧力で一定にする。また、処理室201内が所望の処理温度となるように、ヒータ206によって待機温度から加熱される(準備ステップ)。この際、温度センサ263が検知した温度値に基づき、ヒータ206への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、
ボート217及びウエハ200が回転させられる。
The processing chamber 201 is evacuated by the evacuation device 246 so that a desired pressure (degree of vacuum) is obtained. Then, as will be described later, the processing gas is supplied to stabilize the gas flow rate of the processing gas, and on the basis of the pressure value measured by the pressure sensor 245, the pressure adjusting device 242 (the valve opening thereof) is feedback-controlled and processed. The pressure in 201 is made constant at a predetermined processing pressure. Further, the heater 206 is heated from the standby temperature so that the inside of the processing chamber 201 becomes a desired processing temperature (preparation step). At this time, the energization amount to the heater 206 is feedback controlled based on the temperature value detected by the temperature sensor 263. Subsequently, by the rotation mechanism 254,
The boat 217 and the wafer 200 are rotated.

次いで、処理ガス供給源から供給されてMFC241aにて所望の流量となるように制御された処理ガスは、ガス供給管232a内を流通してノズル230aから処理室201内に導入される。導入された処理ガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250内に流出して排気管231から排気される。処理ガスは、処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ200の表面上に薄膜が堆積される(処理ステップ)。   Next, the processing gas supplied from the processing gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the MFC 241a flows through the gas supply pipe 232a and is introduced into the processing chamber 201 from the nozzle 230a. The introduced processing gas rises in the processing chamber 201, flows out from the upper end opening of the inner tube 204 into the cylindrical space 250, and is exhausted from the exhaust pipe 231. The processing gas comes into contact with the surface of the wafer 200 as it passes through the processing chamber 201, and at this time, a thin film is deposited on the surface of the wafer 200 by a thermal CVD reaction (processing step).

予め設定された処理時間が経過すると、パージガス供給源から供給されてMFC241bにて所望の流量となるように制御されたパージガスが処理室201内に供給され、処理室201内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。また、処理炉201内の温度を処理温度から待機温度へ降温する(降温ステップ)。   When a preset processing time has elapsed, purge gas supplied from a purge gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the MFC 241b is supplied into the processing chamber 201, and the processing chamber 201 is replaced with an inert gas. At the same time, the pressure in the processing chamber 201 is returned to normal pressure. Further, the temperature in the processing furnace 201 is decreased from the processing temperature to the standby temperature (temperature decreasing step).

その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されてマニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200を保持するボート217がマニホールド209の下端からプロセスチューブ203の外部へと搬出される(ボートアンロードステップ)。その後、処理済のウエハ200はボート217より取り出され、ポッド110内へ格納される(ウエハディスチャージ)。   Thereafter, the seal cap 219 is lowered by the boat elevator 115 and the lower end of the manifold 209 is opened, and the boat 217 holding the processed wafer 200 is carried out of the process tube 203 from the lower end of the manifold 209 ( Boat unloading step). Thereafter, the processed wafer 200 is taken out from the boat 217 and stored in the pod 110 (wafer discharge).

(5)制御装置の構成
次に、図4を参照して、主制御部としての主コントローラ14を中心とした制御装置240の構成について説明する。図4に示すように、制御装置240は、主コントローラ14と、主コントローラ14に接続されるスイッチングハブ15と、主コントローラ14に接続される操作部としての表示制御部16と、スイッチングハブ15を介して主コントローラ14に接続される副操作部としての副表示制御部17と、搬送制御部としての搬送系コントローラ11と、処理制御部としてのプロセス系コントローラ12と、を備えている。主コントローラ14には、スイッチングハブ15を介して例えば100BASE−T等のLAN(Local Area Network)により搬送系コントローラ11及びプロセス系コントローラ12が電気的に接続されている。また、主コントローラ14には、スイッチングハブ15を介して断線検知部10がシリアル接続されている。断線検知部10の詳細構成は後述する。なお、主コントローラ14には、スイッチングハブ15を介してヒータ断線エラー(ヒータ断線検知エラーともいう)を含む各種エラーの発生を報知するブザー6が接続されている。ブザー6は、後述のエラー処理部の制御により起動されて鳴動される。
(5) Configuration of Control Device Next, the configuration of the control device 240 centering on the main controller 14 as the main control unit will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, the control device 240 includes a main controller 14, a switching hub 15 connected to the main controller 14, a display control unit 16 as an operation unit connected to the main controller 14, and the switching hub 15. A sub-display control unit 17 serving as a sub-operation unit connected to the main controller 14 via the main controller 14, a transport system controller 11 serving as a transport control unit, and a process system controller 12 serving as a process control unit. A transport system controller 11 and a process system controller 12 are electrically connected to the main controller 14 via a switching hub 15 by a LAN (Local Area Network) such as 100BASE-T. In addition, the disconnection detector 10 is serially connected to the main controller 14 via the switching hub 15. The detailed configuration of the disconnection detection unit 10 will be described later. The main controller 14 is connected to the buzzer 6 for notifying the occurrence of various errors including a heater disconnection error (also referred to as a heater disconnection detection error) via the switching hub 15. The buzzer 6 is activated and sounded under the control of an error processing unit described later.

主コントローラ14には、外部記憶装置としての記録媒体であるUSBメモリ等が挿脱されるUSBポート13が設けられている。主コントローラ14には、USBポート13に対応するOSがインストールされている。また、主コントローラ14は、図示しない外部の上位コンピュータと、例えば通信ネットワーク40を介して接続される。このため、基板処理装置100がクリーンルーム内に設置されている場合であっても上位コンピュータがクリーンルーム外の事務所等に配置されることが可能である。   The main controller 14 is provided with a USB port 13 into which a USB memory, which is a recording medium as an external storage device, is inserted and removed. An OS corresponding to the USB port 13 is installed in the main controller 14. The main controller 14 is connected to an external host computer (not shown) via, for example, the communication network 40. For this reason, even when the substrate processing apparatus 100 is installed in a clean room, the host computer can be placed in an office or the like outside the clean room.

表示制御部16は、例えばビデオケーブル20により表示装置18に接続されている。表示装置18は、例えば液晶表示パネルである。表示装置18には基板処理装置100を操作する操作画面(プロセス画面ともいう)などが表示可能である。かかる操作画面は、基板搬送系11Aや基板処理系の状態を確認したり、基板搬送系11Aや基板処理系(加熱機構12A、ガス排気機構12B及びガス供給系12C)への動作指示を入力したりする各種表示欄及び操作ボタン(システムコマンドボタン、又はPMコマンドボタンともいう)を備えている。なお、本実施形態のコマンドとしては、例えばRESET、IDLE
、STANDBY、START、END、ABORT、SKIP、JUMP、HOLD、RELEASE等がある。操作画面を介して基板処理装置100内で生成される情報を表示させ、表示された情報を主コントローラ14に挿入されたUSBメモリなどに出力させることが出来る。表示制御部16は、表示装置18に表示される主操作画面からの作業者の入力データ(入力指示)を受け付ける入力部(図示しない)を備えている。表示制御部16は、入力部からの入力データ(入力指示)を受け付け、入力データを表示装置18もしくは主コントローラ14に送信する。また、表示制御部16は、後述のRAM1b等に格納された複数のレシピのうち任意の基板処理レシピ(プロセスレシピともいう)を実行させる指示(制御指示)を受け付けるようになっている。なお、図6は、操作画面の表示例である。図6では、関連するSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)スタンダートの、特にE40(コントロールジョブ管理の仕様)、E94(プロセス管理スタンダード)に準拠した操作画面を示すが、操作画面の表示はこれに限られない。なお、表示制御部16及び図示しない入力部と表示装置18はタッチパネルにより構成されていてもよい。又、副表示制御部17及び副表示装置19も上記表示制御部16及び表示装置18と同様な構成である。ここで、表示制御部16と副表示制御部17は主コントローラ14と別体で記載されているが、主コントローラ14に含む構成でもよい。
The display control unit 16 is connected to the display device 18 by, for example, a video cable 20. The display device 18 is a liquid crystal display panel, for example. An operation screen (also referred to as a process screen) for operating the substrate processing apparatus 100 can be displayed on the display device 18. The operation screen confirms the state of the substrate transport system 11A and the substrate processing system, and inputs operation instructions to the substrate transport system 11A and the substrate processing system (heating mechanism 12A, gas exhaust mechanism 12B, and gas supply system 12C). Various display fields and operation buttons (also referred to as system command buttons or PM command buttons). In addition, as a command of this embodiment, for example, RESET, IDLE
, STANDBY, START, END, ABORT, SKIP, JUMP, HOLD, RELEASE, and the like. Information generated in the substrate processing apparatus 100 can be displayed via the operation screen, and the displayed information can be output to a USB memory or the like inserted in the main controller 14. The display control unit 16 includes an input unit (not shown) that receives operator input data (input instructions) from the main operation screen displayed on the display device 18. The display control unit 16 receives input data (input instruction) from the input unit, and transmits the input data to the display device 18 or the main controller 14. In addition, the display control unit 16 receives an instruction (control instruction) for executing an arbitrary substrate processing recipe (also referred to as a process recipe) among a plurality of recipes stored in the RAM 1b described later. FIG. 6 is a display example of the operation screen. FIG. 6 shows an operation screen compliant with the related SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) standard, particularly E40 (control job management specification) and E94 (process management standard), but the operation screen display is limited to this. I can't. In addition, the display control part 16, the input part which is not shown in figure, and the display apparatus 18 may be comprised with the touch panel. The sub display control unit 17 and the sub display device 19 have the same configuration as the display control unit 16 and the display device 18. Here, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 are described separately from the main controller 14, but may be included in the main controller 14.

なお、表示装置18及び副表示装置19に表示される操作画面として例えばレシピ進捗画面には、条件待ち要因温度画面が表示される。この条件待ち要因温度画面には、例えばヒータ断線検知(検知処理ともいう)の条件待ち要因が追加可能である。条件待ち要因がある場合には、スタート待ち(WAIT)を示すアイコン(例えば手の平形のアイコン)を表示すると共にヒータ断線検知ボタンに色を付ける(発色させる)。一方、条件待ち要因がない場合には、ヒータ断線検知ボタンを非表示状態にする。   Note that a condition waiting factor temperature screen is displayed on the recipe progress screen, for example, as an operation screen displayed on the display device 18 and the sub display device 19. For example, a condition waiting factor for heater disconnection detection (also referred to as detection processing) can be added to the condition waiting factor temperature screen. When there is a condition wait factor, an icon indicating a wait for start (WAIT) (for example, a hand icon) is displayed and the heater break detection button is colored (colored). On the other hand, when there is no condition waiting factor, the heater disconnection detection button is hidden.

搬送系コントローラ11は、主に回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118、ウエハ移載機構(基板移載機構)125、ボート217及び回転機構254により構成される基板搬送系11Aに接続されている。搬送系コントローラ11は、回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118、ウエハ移載機構(基板移載機構)125、ボート217及び回転機構254の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。   The transfer system controller 11 mainly includes a rotary pod shelf 105, a boat elevator 115, a pod transfer device (substrate container transfer device) 118, a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, a boat 217 and a rotation mechanism 254. Connected to the substrate transport system 11A. The transfer system controller 11 performs transfer operations of the rotary pod shelf 105, the boat elevator 115, the pod transfer device (substrate container transfer device) 118, the wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, the boat 217, and the rotation mechanism 254. Each is configured to control.

プロセス系コントローラ12は、温度コントローラ12a、圧力コントローラ12b及びガス供給流量コントローラ12c、入出力コントローラ12dを備えている。   The process system controller 12 includes a temperature controller 12a, a pressure controller 12b, a gas supply flow rate controller 12c, and an input / output controller 12d.

温度コントローラ12aには、主にヒータ206及び温度センサ263により構成される加熱機構12Aが接続されている。温度コントローラ12aは、処理炉202のヒータ206の温度を制御することで処理炉202内の温度を調節するように構成されている。なお、温度コントローラ12aは、後述するようにサイリスタのスイッチング(オンオフ)制御を行い、ヒータ素線に供給する電力を制御するように構成されている。   A heating mechanism 12A mainly composed of a heater 206 and a temperature sensor 263 is connected to the temperature controller 12a. The temperature controller 12 a is configured to adjust the temperature in the processing furnace 202 by controlling the temperature of the heater 206 of the processing furnace 202. Note that the temperature controller 12a is configured to perform switching (on / off) control of the thyristor and control power supplied to the heater element wire, as will be described later.

圧力コントローラ12bには、主に圧力センサ245、APCバルブ242及び真空ポンプ246により構成されるガス排気機構12Bが接続されている。圧力コントローラ12bは、圧力センサ245により検知された圧力値に基づいて、処理室201内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、APCバルブ242及び真空ポンプ246を制御するように構成されている。   Connected to the pressure controller 12b is a gas exhaust mechanism 12B mainly composed of a pressure sensor 245, an APC valve 242 and a vacuum pump 246. Based on the pressure value detected by the pressure sensor 245, the pressure controller 12b controls the APC valve 242 and the vacuum pump 246 so that the pressure in the processing chamber 201 becomes a desired pressure at a desired timing. It is configured.

ガス流量コントローラ12cは、MFC241a,241bにより構成される。入出力コントローラ12dは、処理ガス供給管232a,パージガス供給管232bからのガスの供給や停止を、バルブ12Dを開閉させることにより制御するように構成されている。
また、プロセス系コントローラ12は、処理室201内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ガス流量コントローラ12c(MFC241a,241b)、入出力コントローラ12d(バルブ12D)を制御するように構成されている。
The gas flow rate controller 12c includes MFCs 241a and 241b. The input / output controller 12d is configured to control the supply and stop of gas from the processing gas supply pipe 232a and the purge gas supply pipe 232b by opening and closing the valve 12D.
The process system controller 12 also includes a gas flow rate controller 12c (MFCs 241a and 241b) and an input / output controller 12d (valve 12D) so that the flow rate of gas supplied into the processing chamber 201 becomes a desired flow rate at a desired timing. Is configured to control.

(6)制御装置の概略動作
(検知処理に至る制御装置の概略動作)
本実施形態では、後述するようにヒータ206のヒータ断線/非断線を検知する検知処理を実施するよう制御装置240(プロセス系コントローラ12)が構成されている。まず、検知処理に至る制御装置240(プロセス系コントローラ12)の概略動作について図5を参照して説明する。例えば、基板処理装置100が基板処理レシピの実行指示を受付可能な後述の待機状態(IDLEモード)である時、例えば作業者がレシピ名称と、投入する(載置される)FOUP情報(種別、番号等)と、を入力部(図示しない)を操作して入力する。この入力を受け、主コントローラ14は表示制御部16を制御し、主コントローラ14が備える記憶部としてのハードディスク(HDD)1cからレシピ名称を参照させて表示装置18に表示させる。また、主コントローラ14はハードディスク(HDD)1cからレシピ名称を読み出し、FOUP材料情報(種別、番号等)に関連付けて主コントローラ14が備えるメモリ(RAM)1b内に書き込み、レシピファイルを作成する。主コントローラ14はレシピファイルを参照し、PMレシピ指示を搬送系コントローラ11及びプロセス系コントローラ12へ送信する。搬送系コントローラ11及びプロセス系コントローラ12は、主コントローラ14にPMレシピ指示を受信した応答を送信する。そして、プロセス系コントローラ12は、レシピ指示を主コントローラ14に要求する。主コントローラ14は、レシピデータをプロセス系コントローラ12に送信する。プロセス系コントローラ12は、受信したレシピデータをプロセス系コントローラ12内に備えるメモリ21内に書き込む。そして、ロードポート114上にポッド110が載置され、図示しない入力部からSTAERボタンの押下操作による基板処理レシピの実行指示が入力されると、搬送系コントローラ11は、基板処理装置100の状態を待機状態(IDLEモード)から後述の実行可能状態(STANDBYモード)を介して基板処理レシピの実行中状態(RUNモード)へ遷移させるPMモード指示をプロセス系コントローラ12に送信する。
(6) General operation of control device (general operation of control device leading to detection process)
In the present embodiment, as will be described later, the control device 240 (process system controller 12) is configured to perform detection processing for detecting heater disconnection / non-disconnection of the heater 206. First, a schematic operation of the control device 240 (process system controller 12) leading to detection processing will be described with reference to FIG. For example, when the substrate processing apparatus 100 is in a later-described standby state (IDLE mode) in which an instruction to execute a substrate processing recipe can be received, for example, an operator inputs the recipe name and FOUP information (type, Number and the like) by operating an input unit (not shown). In response to this input, the main controller 14 controls the display control unit 16 to display the recipe name on the display device 18 by referring to the recipe name from the hard disk (HDD) 1 c as a storage unit included in the main controller 14. The main controller 14 reads the recipe name from the hard disk (HDD) 1c, writes it in the memory (RAM) 1b of the main controller 14 in association with the FOUP material information (type, number, etc.), and creates a recipe file. The main controller 14 refers to the recipe file and transmits a PM recipe instruction to the transport system controller 11 and the process system controller 12. The transfer system controller 11 and the process system controller 12 transmit a response to the PM recipe instruction received to the main controller 14. Then, the process system controller 12 requests a recipe instruction from the main controller 14. The main controller 14 transmits recipe data to the process system controller 12. The process system controller 12 writes the received recipe data in the memory 21 provided in the process system controller 12. When the pod 110 is placed on the load port 114 and an instruction to execute a substrate processing recipe is input from a not-shown input unit by pressing the STAER button, the transfer system controller 11 changes the state of the substrate processing apparatus 100. A PM mode instruction for making a transition from a standby state (IDLE mode) to an executing state (RUN mode) of a substrate processing recipe is transmitted to the process system controller 12 via an executable state (STANDBY mode) described later.

そして、後述するように、本実施形態ではプロセス系コントローラ12の状態(PMモード)が待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へと遷移する時及び実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時において、ヒータ206のヒータ断線/非断線を検知する検知処理を実施するよう構成されている。すなわち、搬送系コントローラ11は、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へと遷移する時においてPMモード指示を送信する。プロセス系コントローラ12はPMモード指示を受信し、所定のPMモード(GO STANDBY)に遷移した後、予め設定された検知処理を実施する。なお、検知処理時、プロセス系コントローラ12は条件待ち情報をPMレポートデータとしてレシピ進捗レポートを主コントローラ14に報告するよう構成されている。   As will be described later, in this embodiment, the state of the process controller 12 (PM mode) changes from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode) and from the running state (RUN mode). At the time of transition to the end state (END mode), a detection process for detecting heater breakage / non-breakage of the heater 206 is performed. That is, the transport system controller 11 transmits a PM mode instruction when the state transitions from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode). The process system controller 12 receives the PM mode instruction, transitions to a predetermined PM mode (GO STANDBY), and then executes a preset detection process. During the detection process, the process system controller 12 is configured to report the recipe progress report to the main controller 14 using the condition waiting information as PM report data.

(エラー処理における制御装置の概略動作)
続いて、エラー処理における主コントローラ14を中心とした制御装置240の概略動作について説明する。なお、検知処理の動作については後述する。図6は、主コントローラ14、プロセス系コントローラ12及び表示制御部16の電文シーケンスを示す説明図である。
(Schematic operation of control device in error processing)
Next, a schematic operation of the control device 240 centering on the main controller 14 in error processing will be described. The operation of the detection process will be described later. FIG. 6 is an explanatory diagram showing a message sequence of the main controller 14, the process system controller 12, and the display control unit 16.

検知処理の結果、断線エラーを検知したら主コントローラ14は、図6に示すように、エラー処理として基板処理装置100を自動的にメンテナンス作業中とし例えばヒータ2
06の交換作業を作業者に促す。このエラー処理について説明する。
If the disconnection error is detected as a result of the detection process, the main controller 14 automatically sets the substrate processing apparatus 100 to the maintenance work as an error process as shown in FIG.
The operator is prompted to perform the replacement work of 06. This error processing will be described.

断線検知部10から出力される断線エラーのアラーム発生を受け、プロセス系コントローラ12はメンテナンス作業中と判断する。プロセス系コントローラ12はPMレポートデータをメンテナンス作業中とし、主コントローラ14へ送信する。同時に、主コントローラ14は、スケジュール一時停止中としてアラーム発生を報告する。主コントローラ14は、PMレポートデータとしてメンテナンス作業中を受信すると、メモリ1b内に設けた共有エリアの装置管理情報にメンテナンス情報ステータスを追加し、メンテナンス作業中の旨をセットする。そして、主コントローラ14は、PMレポートデータとして装置管理情報のメンテナンス情報ステータスにスタート条件であるメンテナンス作業未実行の追加を禁止する。同時に、主コントローラ14はスケジュール一時停止中としてアラーム発生を報告する。そして、主コントローラ14は、メンテナンス作業中であることを作業者に報知する。装置管理情報のメンテナンス情報ステータスではメンテナンス作業未実行を禁止し、基板処理装置100の状態はメンテナンス作業中となる。主コントローラ14は、スタート待ち要因にジョブ実行禁止要因としてメンテナンス作業中の旨をセットする。そして、表示制御部16は表示装置18の操作画面上に、手の平を表す表示であるスタート待ち(WAIT)を示すアイコン又は、メンテナンス作業中を示す所望のアイコンを表示させる。   In response to the occurrence of a disconnection error alarm output from the disconnection detector 10, the process system controller 12 determines that maintenance work is in progress. The process system controller 12 sets the PM report data during maintenance work and transmits it to the main controller 14. At the same time, the main controller 14 reports the alarm occurrence as the schedule is suspended. When receiving the maintenance work in progress as PM report data, the main controller 14 adds the maintenance information status to the device management information in the shared area provided in the memory 1b, and sets that the maintenance work is in progress. Then, the main controller 14 prohibits addition of maintenance work unexecuted as a start condition to the maintenance information status of the device management information as PM report data. At the same time, the main controller 14 reports the occurrence of an alarm as the schedule is suspended. Then, the main controller 14 notifies the worker that the maintenance work is in progress. The maintenance information status of the apparatus management information prohibits maintenance work from being executed, and the state of the substrate processing apparatus 100 is in maintenance work. The main controller 14 sets the fact that maintenance work is in progress as a job execution prohibition factor in the start wait factor. Then, the display control unit 16 displays on the operation screen of the display device 18 an icon indicating start waiting (WAIT), which is a display indicating the palm, or a desired icon indicating that maintenance work is being performed.

そして、基板処理装置100内で、作業者がヒータ交換等のメンテナンス作業を行い、このメンテナンス作業の終了を作業者が確認する。ヒータ交換作業が終了し、断線エラーが回復(ヒータ領域1〜5のアラームが全て手動回復)すると、プロセス系コントローラ12はPMレポートデータを装置通常運用(メンテナンス作業解除)とし、その旨を主コントローラ14へ送信する。主コントローラ14はPMレポートデータとして装置通常運用を受信すると、装置管理情報のメンテナンス情報ステータスにメンテナンス作業解除待ちをセットする。表示制御部16は表示装置18に表示されるSchedule Resumeボタンを点滅させ、ボタンタッチを有効にする(なお、Schedule Resumeボタンはメンテナンス作業解除待ちボタン又はエラー解除ボタンともいう)。なお、ここでABORTコマンド又はSTOPコマンドが押下操作されたら、コマンドを実行してウエハ200の回収を自動的に実施する。   Then, in the substrate processing apparatus 100, an operator performs a maintenance operation such as heater replacement, and the operator confirms the end of the maintenance operation. When the heater replacement operation is completed and the disconnection error is recovered (all alarms in the heater areas 1 to 5 are manually recovered), the process controller 12 sets the PM report data to the normal operation of the device (maintenance operation is canceled), and that is the main controller. 14 to send. When the main controller 14 receives the normal apparatus operation as PM report data, the main controller 14 sets the maintenance work release wait state in the maintenance information status of the apparatus management information. The display control unit 16 blinks the Schedule Resume button displayed on the display device 18 to enable the button touch (note that the Schedule Resume button is also referred to as a maintenance work release waiting button or an error release button). Here, when the ABORT command or the STOP command is pressed, the command is executed and the wafer 200 is automatically collected.

作業者は点滅しているSchedule Resumeボタンを押下操作する。Schedule Resumeボタンの押下操作により、メンテナンスが終了していれば、表示制御部16はイニシャル完了報告を主コントローラ14に送信する。イニシャル完了報告を受信すると、主コントローラ14は、装置管理情報のメンテナンス情報ステータスをメンテナンス作業解除待ちからメンテナンス作業未実行に変更する。同時に、主コントローラ14はアラーム回復を報告する。そして、主コントローラ14はスタート条件チェックを行う。このとき、メンテナンス情報ステータスがメンテナンス作業未実行であるのでスタート条件が成立し、スタート待ち要因をクリアにする。また、表示制御部16は、スタート待ち要因がクリアされたので、表示装置18に表示される操作画面のスタート待ち(WAIT)を非表示にさせる。   The operator depresses the blinking Schedule Resume button. If the maintenance has been completed by pressing the Schedule Resume button, the display control unit 16 transmits an initial completion report to the main controller 14. When the initial completion report is received, the main controller 14 changes the maintenance information status of the device management information from waiting for maintenance work release to maintenance work not being executed. At the same time, the main controller 14 reports alarm recovery. Then, the main controller 14 performs a start condition check. At this time, since the maintenance information status is “not performing maintenance work”, the start condition is satisfied, and the start waiting factor is cleared. Further, since the start wait factor has been cleared, the display control unit 16 hides the start wait (WAIT) on the operation screen displayed on the display device 18.

(7)主コントローラの構成
続いて、主コントローラ14のブロック構成を、図7を参照しながら説明する。図7は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置100が備える主コントローラ14のブロック構成図である。
(7) Configuration of Main Controller Next, the block configuration of the main controller 14 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a block configuration diagram of the main controller 14 included in the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention.

(主コントローラ)
制御部としての主コントローラ14は、CPU(中央処理装置)1a、メモリ(RAM)1b、記憶部としてのハードディスク(HDD)1c、通信部としての送受信モジュー
ル1d、時計機能(図示せず)を備えたコンピュータとして構成されている。ハードディスク1cには、状態遷移プログラム、ヒータ断線検知プログラム及びエラー処理プログラム、検知処理のパラメータ及びエラー処理のパラメータ、処理条件及び処理手順が定義されたレシピとしての基板処理レシピ等のレシピファイルの他、各種画面ファイル、各種アイコンファイル等(いずれも図示せず)が格納されている。なお、本実施形態では、ヒータ断線検知プログラム及びエラー処理プログラムに付随して検知処理のパラメータ及びエラー処理のパラメータも主コントローラ14の起動と共にメモリ1bに1回のみ読み出されるコンフィグレーションパラメータとして構成されている。また、メモリ1bには、遷移指示プログラム、ヒータ断線検知プログラム及びエラー処理プログラムの起動と共に、共有メモリ5が確保される。なお、主コントローラ14の送受信モジュール1dには、表示制御部16及びスイッチングハブ15が接続されている。
(Main controller)
The main controller 14 as a control unit includes a CPU (Central Processing Unit) 1a, a memory (RAM) 1b, a hard disk (HDD) 1c as a storage unit, a transmission / reception module 1d as a communication unit, and a clock function (not shown). Configured as a computer. The hard disk 1c includes a recipe file such as a substrate processing recipe as a recipe in which a state transition program, a heater disconnection detection program and an error processing program, detection processing parameters and error processing parameters, processing conditions and processing procedures are defined, Various screen files, various icon files, etc. (all not shown) are stored. In this embodiment, the detection process parameter and the error process parameter are also configured as configuration parameters that are read only once into the memory 1b when the main controller 14 is started, in association with the heater disconnection detection program and the error process program. Yes. In addition, the shared memory 5 is secured in the memory 1b together with the activation of the transition instruction program, the heater disconnection detection program, and the error processing program. A display control unit 16 and a switching hub 15 are connected to the transmission / reception module 1d of the main controller 14.

本実施形態では、検知処理及びエラー処理の実施の有無、これら検知処理及びエラー処理の要件パラメータを個別に設定可能に構成すると共に、ヒータ素線206aも個別に断線チェックを実施可能に構成する。さらに、検知処理及びエラー処理のパラメータの変更を、主コントローラ14の電源を落とさずに実施可能に構成する。   In the present embodiment, whether detection processing and error processing are performed, the requirement parameters of detection processing and error processing can be individually set, and the heater element wire 206a is also configured to be able to perform disconnection check individually. Further, the detection processing and error processing parameters can be changed without turning off the main controller 14.

図7に示すように、本実施形態の主コントローラ14は、メモリ1b内に設けた共有メモリ5に検知処理のパラメータ(検知処理の実施有無、出力電力、断線チェック時間、ヒータ領域番号等)及びエラー処理のパラメータ(エラー処理の実施有無、ブザー報知有無、エラー保持)を読み出し可能に書き込む構成としている。これにより、検知処理のパラメータ及びエラー処理のパラメータをファンクションパラメータとすることができ、主コントローラ14の電源を一々オンオフすることなく、リアルタイムに変更した検知処理及びエラー処理のパラメータの値を反映することができる。これらファンクションパラメータの例を以下に示す。   As shown in FIG. 7, the main controller 14 of the present embodiment stores the detection processing parameters (whether detection processing is performed, output power, disconnection check time, heater region number, etc.) in the shared memory 5 provided in the memory 1b. Error processing parameters (whether or not error processing is performed, whether or not a buzzer is notified, and error holding) are written in a readable manner. As a result, the detection processing parameter and the error processing parameter can be set as function parameters, and the detection processing and error processing parameter values changed in real time can be reflected without turning on and off the power supply of the main controller 14 one by one. Can do. Examples of these function parameters are shown below.

PMCファンクション/ヒータ断線検知/ヒータ断線検知機能=無し、有り;
PMCファンクション/ヒータ断線検知/シグナルエラー番号(ヒータゾーン1〜5)(0〜64);
PMCファンクション/ヒータ断線検知/STANDBYチェック時のエラー処理=無し、HOLD;
PMCファンクション/ヒータ断線検知/END直前チェック時のエラー処理=無し、BUZZER、HOLD(エラー保持);
PMCファンクション/ヒータ断線検知/パワー値=0〜100%;
PMCファンクション/ヒータ断線検知/監視時間=00〜99sec;
PMCファンクション/ヒータ断線検知/遅延時間=00〜99sec
なお、PMCとは、プロセスモジュールコントロールの略であり、本実施形態におけるプロセス系コントローラ12である。
PMC function / heater disconnection detection / heater disconnection detection function = none, available;
PMC function / heater disconnection detection / signal error number (heater zones 1-5) (0-64);
Error processing at PMC function / heater disconnection detection / STANDBY check = none, HOLD;
PMC function / heater disconnection detection / error processing at the time of checking immediately before END = none, BUZZER, HOLD (error holding);
PMC function / heater disconnection detection / power value = 0 to 100%;
PMC function / heater disconnection detection / monitoring time = 00 to 99 sec;
PMC function / heater disconnection detection / delay time = 00 to 99 sec
Note that PMC is an abbreviation for process module control, and is the process system controller 12 in this embodiment.

また、主コントローラ14は、検知処理のパラメータ及びエラー処理のパラメータをハードディスク1c内に設けた共有メモリ5aに読み出し可能に格納する構成としている。これにより、上記第1の実施形態ではコンフィグレーションパラメータとして記憶していた検知処理のパラメータ及びエラー処理のパラメータを本実施形態ではファンクションパラメータとして記憶することができる。   The main controller 14 is configured to store the detection processing parameters and the error processing parameters in a shared memory 5a provided in the hard disk 1c in a readable manner. As a result, the detection processing parameters and error processing parameters stored as configuration parameters in the first embodiment can be stored as function parameters in the present embodiment.

プロセス系コントローラ12は、例えば図8に示すように、初期状態(RESETモード)、待機状態(IDLEモード)、実行可能状態(STANDBYモード)、実行中状態(RUNモード)及び終了状態(ENDモード)の主に5つの状態の間で相互に遷移するように構成されている。なお、各状態間の遷移途中の状態としては、例えばGO RESET,GO STANDBY,GO END等がある。各状態への遷移は、主コントロ
ーラ14又は搬送系コントローラ11が実施する。
For example, as shown in FIG. 8, the process system controller 12 is in an initial state (RESET mode), a standby state (IDLE mode), an executable state (STANDBY mode), a running state (RUN mode), and an end state (END mode). Are mainly configured to transition between five states. Examples of the state in the middle of transition between the states include GO RESET, GO STANDBY, and GO END. Transition to each state is performed by the main controller 14 or the transport system controller 11.

なお、本実施形態では、後述するようにプロセス系コントローラ12の状態(PMモード)が待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へと遷移する時及び実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時において断線検知部10に検知処理を実施させるように構成されている。   In the present embodiment, as will be described later, when the state of the process controller 12 (PM mode) changes from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode) and from the executing state (RUN mode). The disconnection detection unit 10 is configured to perform detection processing when transitioning to the end state (END mode).

図8に示すように、基板処理装置100の電源が投入(POWER ON)されると、主コントローラ14は、状態遷移プログラムが、基板処理装置100の各部の状態を初期状態(RESETモード)にするよう構成されている。   As shown in FIG. 8, when the power of the substrate processing apparatus 100 is turned on (POWER ON), the main controller 14 causes the state transition program to set the state of each part of the substrate processing apparatus 100 to the initial state (RESET mode). It is configured as follows.

初期状態(RESETモード)とは、基板処理装置100の電源が投入された時(POWER ON)、又は基板処理装置100にトラブルが発生した際に基板処理装置100がリセットされた時に遷移する状態である。具体的には、基板搬送系11Aを構成する例えば回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115,ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118,ウエハ移載機構(基板移載機構)125,ボート217及び回転機構254は、それぞれ原点位置に移動して停止状態となる。また、基板処理系、例えばガス排気機構、加熱機構、ガス供給系はそれぞれ停止状態となる。また、表示装置18及び副表示装置19には初期画面が表示される。   The initial state (RESET mode) is a state that transitions when the substrate processing apparatus 100 is turned on (POWER ON) or when the substrate processing apparatus 100 is reset when a trouble occurs in the substrate processing apparatus 100. is there. Specifically, for example, the rotary pod shelf 105, the boat elevator 115, the pod transfer device (substrate container transfer device) 118, the wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, the boat 217, and the like that constitute the substrate transfer system 11A. The rotation mechanisms 254 move to the origin positions and are stopped. Further, the substrate processing system, for example, the gas exhaust mechanism, the heating mechanism, and the gas supply system are stopped. In addition, an initial screen is displayed on the display device 18 and the sub display device 19.

基板処理装置100の各部の状態が初期状態(RESETモード)となったら、基板処理装置100の各部の状態を、基板処理レシピの実行指示を受け付け可能な待機状態(IDLEモード)へ遷移させるように構成されている。   When the state of each part of the substrate processing apparatus 100 becomes an initial state (RESET mode), the state of each part of the substrate processing apparatus 100 is changed to a standby state (IDLE mode) in which an instruction to execute a substrate processing recipe can be accepted. It is configured.

待機状態(IDLEモード)とは、レシピの実行指示を受け付け可能な状態である。具体的には、基板処理系、例えば加熱機構のヒータ206への電力供給を停止している(或いは、ヒータ206が常温(デフォルト)になるように電力を供給している)状態や、基板搬送系11Aを構成する例えばウエハ移載機構(基板移載機構)125が、原点位置で駆動停止(フィックス)しており自動的に動作しない状態をいう。   The standby state (IDLE mode) is a state in which a recipe execution instruction can be received. Specifically, the power supply to the substrate processing system, for example, the heater 206 of the heating mechanism is stopped (or the power is supplied so that the heater 206 is at room temperature (default)), or the substrate is transported. For example, the wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 constituting the system 11A is stopped (fixed) at the origin position and does not automatically operate.

基板処理装置100の各部の状態が待機状態(IDLEモード)となったら、例えばレシピや各種パラメータ入力等の操作画面が表示装置18に表示され、所望のレシピや各種パラメータの入力が可能な状態となる。具体的には、基板処理レシピ等の関連データが表示装置18に表示され、それらレシピやパラメータの入力が可能となる。   When the state of each part of the substrate processing apparatus 100 becomes a standby state (IDLE mode), for example, an operation screen for inputting recipes and various parameters is displayed on the display device 18, and a state in which a desired recipe and various parameters can be input is displayed. Become. Specifically, related data such as a substrate processing recipe is displayed on the display device 18, and the recipe and parameters can be input.

ここで、基板処理レシピは、ウエハ200を処理する処理条件や処理手順等が定義されたレシピである。レシピファイルには、搬送系コントローラ11、温度コントローラ12a、圧力コントローラ12b、ガス供給コントローラ12c等のサブコントローラに送信する設定値(制御値)や送信タイミング等が、基板処理のステップ毎に設定されている。   Here, the substrate processing recipe is a recipe in which processing conditions and processing procedures for processing the wafer 200 are defined. In the recipe file, setting values (control values) to be transmitted to sub-controllers such as the transport system controller 11, the temperature controller 12a, the pressure controller 12b, and the gas supply controller 12c, transmission timing, and the like are set for each step of the substrate processing. Yes.

基板処理装置100の各部の状態が待機状態(IDLEモード)となっている間に、ロードポート114上にポッド110が載置され、図示しない入力部から基板処理レシピの実行指示(STARTボタンの押下操作)が入力されると、主コントローラ14は、基板処理装置100の状態又はプロセス系コントローラ12を、実行可能状態(STANDBYモード)を介して基板処理レシピの実行中状態(RUNモード)へ遷移させるように構成されている。   While the state of each part of the substrate processing apparatus 100 is in the standby state (IDLE mode), the pod 110 is placed on the load port 114, and an instruction to execute a substrate processing recipe (depressing the START button) from an input unit (not shown). When the operation) is input, the main controller 14 causes the state of the substrate processing apparatus 100 or the process system controller 12 to transition to the substrate processing recipe execution state (RUN mode) via the executable state (STANDBY mode). It is configured as follows.

実行可能状態(STANDBYモード)とは、レシピの実行が可能な状態である。具体的には、例えば加熱機構のヒータ206への電力供給を開始して処理室201内が予熱状態となる。また、例えばパージガス供給系によるパージガスの供給を開始して処理室20
1内がパージガスによりパージ状態となる。また、基板搬送系11Aを構成する例えばウエハ移載機構(基板移載機構)125が、待機位置で駆動準備している状態となる等、基板処理レシピの実行中状態(RUNモード)へ遷移するのに全ての条件が整うような状態をいう。
The executable state (STANDBY mode) is a state in which the recipe can be executed. Specifically, for example, power supply to the heater 206 of the heating mechanism is started, and the inside of the processing chamber 201 is in a preheated state. Further, for example, supply of purge gas by the purge gas supply system is started and the processing chamber 20
1 is purged by the purge gas. Further, for example, the wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 constituting the substrate transfer system 11A shifts to a substrate processing recipe execution state (RUN mode), such as being ready for driving at the standby position. However, it means a state where all the conditions are met.

そして、主コントローラ14は、状態遷移プログラムに従い、基板処理装置100の状態又はプロセス系コントローラ12を基板処理レシピの実行中状態(RUNモード)へ遷移させるように構成されている。   The main controller 14 is configured to transition the state of the substrate processing apparatus 100 or the process system controller 12 to the substrate processing recipe executing state (RUN mode) according to the state transition program.

実行中状態(RUNモード)とは、レシピファイルに定義された各種レシピを実行中の状態である。実行中状態(RUNモード)になると、ウエハ200を保持したボート217が処理炉202内に搬入される(ローディング)。そして、実行中状態(RUNモード)においては、主コントローラ14は、レシピファイルの記載に基づいて、搬送系コントローラ11、温度コントローラ12a、圧力コントローラ12b、及びガス供給コントローラ12c等のサブコントローラに対し、所定のタイミングで所定の設定値(制御値)を送信するように構成されている。   The in-execution state (RUN mode) is a state in which various recipes defined in the recipe file are being executed. In the running state (RUN mode), the boat 217 holding the wafers 200 is loaded into the processing furnace 202 (loading). In the running state (RUN mode), the main controller 14 determines the transfer system controller 11, the temperature controller 12a, the pressure controller 12b, and the sub-controller such as the gas supply controller 12c based on the description in the recipe file. A predetermined set value (control value) is transmitted at a predetermined timing.

基板処理レシピの実行が完了したら(ウエハ200の処理が終了したら)、主コントローラ14は、基板処理装置100の状態(プロセス系コントローラ12)を、実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へ遷移させる。   When the execution of the substrate processing recipe is completed (when the processing of the wafer 200 is completed), the main controller 14 changes the state (process system controller 12) of the substrate processing apparatus 100 from the executing state (RUN mode) to the end state (END mode). ).

終了状態(ENDモード)とは、レシピの実行が終了した状態である。なお、終了状態(ENDモード)には、レシピが正常に終了した正常終了状態と、何らかのトラブルによりレシピが異常終了した異常終了状態と、の2つの状態がある。   The end state (END mode) is a state where the execution of the recipe has ended. Note that the end state (END mode) includes two states: a normal end state where the recipe has ended normally and an abnormal end state where the recipe ended abnormally due to some trouble.

なお、実行可能状態(STANDBYモード)において、例えば表示装置18に表示された操作画面上のIDLEボタンを押下操作することにより、実行可能状態(STANDBYモード)から待機状態(IDLEモード)に強制的に遷移させることが可能である。この場合、例えば、生産ラインが何らかの都合により、一時的に停止してポッド110(ウエハ200)を待つ際などに有効である。また、待機状態(IDLEモード)、実行可能状態(STANDBYモード)、実行中状態(RUNモード)及び終了状態(ENDモード)のうち、いずれか1つの状態において、例えば操作画面上のRESETボタンを押下操作することにより、初期状態(RESETモード)に強制的に遷移させることが可能である。係る機能は、例えば、何らかの装置トラブル等が生じ、基板処理装置100を初期状態(RESETモード)に戻す際に有効である。   In the executable state (STANDBY mode), for example, by pressing the IDLE button on the operation screen displayed on the display device 18, the executable state (STANDBY mode) is forcibly changed to the standby state (IDLE mode). It is possible to make a transition. In this case, for example, it is effective when the production line temporarily stops for some reason and waits for the pod 110 (wafer 200). Also, in any one of the standby state (IDLE mode), the executable state (STANDBY mode), the executing state (RUN mode), and the end state (END mode), for example, the RESET button on the operation screen is pressed. By operating, it is possible to forcibly shift to the initial state (RESET mode). Such a function is effective, for example, when an apparatus trouble occurs and the substrate processing apparatus 100 is returned to the initial state (RESET mode).

なお、本実施形態では、プロセス系コントローラ12が待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)への遷移要求(スタンバイ要求)を受けた時及び実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)への遷移要求(エンド要求)を受けた時の両方においてヒータ断線の検知処理の有無を選択できる。また、本実施形態では、検知処理及びエラー処理を実施する場合には、検知処理の要件パラメータ及びエラー処理の要件パラメータを、プロセス系コントローラ12が待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)への遷移要求(スタンバイ要求)を受けた時及び実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)への遷移要求(エンド要求)を受けた時の両方において同じ設定となるよう選択することができる。また、検知処理のパラメータとしては、検知処理の実施有無、後述のヒータ素線に供給する出力電力値(パワー値ともいう)、監視時間、遅延時間、断線チェック時間、ヒータ領域番号(シグナルエラー番号ともいう)等がある。また、エラー処理のパラメータとしては、エラー処理の実施有無、ブザー報知有無、エラー保持(HOLD)等がある。   In the present embodiment, the process system controller 12 receives a request (standby request) for transition from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode) and from the running state (RUN mode) to the end state ( The presence or absence of the heater disconnection detection process can be selected at both times when a request for transition to (END mode) is received. In the present embodiment, when the detection process and the error process are performed, the process system controller 12 sets the detection process requirement parameter and the error process requirement parameter from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode). ) To select the same setting both when receiving a transition request (standby request) to) and when receiving a transition request (end request) from the running state (RUN mode) to the end state (END mode) be able to. The detection process parameters include detection process execution / non-execution, output power value (also referred to as power value) supplied to a heater wire, which will be described later, monitoring time, delay time, disconnection check time, heater area number (signal error number) Also called). The error processing parameters include whether error processing is performed, whether buzzer notification is present, error holding (HOLD), and the like.

また、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)への遷移要求(スタンバイ要求)を受けた時、プロセス系コントローラ12は、検知処理を後述する断線検知部10に実施させ、ヒータ断線を検知したら実行可能状態(STANDBYモード)に遷移させないよう構成されている。また、ヒータ断線検知部3は、実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)への遷移要求(エンド要求)を受けた時、同様に、ヒータ断線を検知したら次ロットにおいて実行可能状態(STANDBYモード)に遷移させないよう構成されている。これにより、ヒータ206の断線を、ウエハ200が処理室201内に搬入される前に検知し、ヒータ206の断線を検知したら基板処理レシピが開始することを防止することができる。したがって、プロセスLOT OUT(ロット不良)を未然に防止して装置信頼性を向上させることができる。   In addition, when receiving a request for transition from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode) (standby request), the process system controller 12 causes the disconnection detection unit 10 described later to perform detection processing, thereby causing a heater disconnection. If detected, it is configured not to make a transition to the executable state (STANDBY mode). In addition, when the heater disconnection detection unit 3 receives a request for transition from the running state (RUN mode) to the end state (END mode) (end request), the heater disconnection detection unit 3 is also executable in the next lot when the heater disconnection is detected. It is configured not to make a transition to (STANDBY mode). Thereby, the disconnection of the heater 206 can be detected before the wafer 200 is loaded into the processing chamber 201, and the substrate processing recipe can be prevented from starting when the disconnection of the heater 206 is detected. Therefore, it is possible to prevent the process LOT OUT (lot defect) and improve the device reliability.

(断線検知部)
ヒータ断線を検知する検知処理を実施する断線検知部(断線検知システム)10は、例えば図9に示すように構成されている。図9は、複数の領域に分割されたヒータ206のヒータ素線206aの断線/非断線を検知する断線検知部10のブロック構成図である。主に、ヒータ206、電力供給部22、温度コントローラ12a、電流検出器10a、断線警報機10c、シーケンサ12d及びプロセス系コントローラ12により、断線検知部が構成される。ヒータ206は処理室201内の温度特性を上げるため、例えば5つの領域に分割されている。なお、図9では分割された5つの領域のうち1つを代表例として示している。断線検知部10は、ヒータ素線206aのそれぞれに流れる電流を測定する、例えばカレントトランス等の電流検出器10aと、ヒータ素線206aのそれぞれにかかる電圧を測定する、ステップダウントランス等の電圧測定器10bと、電流検出器10aからの電流測定値及び電圧測定器10bからの電圧測定値からヒータ素線206aの断線/非断線を検知する断線警報器10cと、断線警報器10cからインターロック信号として断線エラーの通知を受け、断線したヒータ素線206aの領域を特定可能なヒータ領域番号情報(ヒータ断線結果エリアともいう)を出力する汎用制御部としてのシーケンサ12dと、を備えている。ヒータ素線206aのそれぞれには、AC電源等のヒータ電源21aからの電力を供給する電力供給器としての電力供給部22が接続されている。なお、シーケンサ12dは、プロセス系コントローラ12にDevice Net等でシリアル接続されている。電力供給部22は、温度コントローラ12aに制御されるサイリスタ23によりスイッチング(オンオフ)制御される。なお、温度コントローラ12aは、プロセス系コントローラ12にシリアル接続されている。
(Disconnection detection unit)
For example, a disconnection detection unit (disconnection detection system) 10 that performs detection processing for detecting a heater disconnection is configured as shown in FIG. FIG. 9 is a block configuration diagram of the disconnection detection unit 10 that detects disconnection / non-disconnection of the heater element wire 206a of the heater 206 divided into a plurality of regions. The disconnection detection unit is mainly configured by the heater 206, the power supply unit 22, the temperature controller 12a, the current detector 10a, the disconnection alarm device 10c, the sequencer 12d, and the process system controller 12. The heater 206 is divided into, for example, five regions in order to improve the temperature characteristics in the processing chamber 201. In FIG. 9, one of the five divided areas is shown as a representative example. The disconnection detector 10 measures the current flowing through each of the heater strands 206a, for example, measures the voltage applied to each of the current detector 10a such as a current transformer and the heater strand 206a, and measures the voltage such as a step-down transformer. Device 10b, disconnection alarm device 10c for detecting disconnection / non-disconnection of heater wire 206a from the current measurement value from current detector 10a and the voltage measurement value from voltage measurement device 10b, and an interlock signal from disconnection alarm device 10c. And a sequencer 12d as a general-purpose controller that outputs heater area number information (also referred to as a heater disconnection result area) that can identify the area of the disconnected heater element wire 206a. Each of the heater wires 206a is connected to a power supply unit 22 as a power supply that supplies power from the heater power supply 21a such as an AC power supply. The sequencer 12d is serially connected to the process system controller 12 via Device Net or the like. The power supply unit 22 is switching (on / off) controlled by a thyristor 23 controlled by the temperature controller 12a. The temperature controller 12a is serially connected to the process system controller 12.

上記のように構成された電力供給部22及び断線検知部10の動作を説明する。温度コントローラ12aは、サイリスタ23をスイッチング制御し、ヒータ電源21aから所定の出力電力(0〜100%)をヒータ素線206aのそれぞれに供給させる。そして、断線検知部10は、ヒータ素線206aのそれぞれに流れる電流を電流検出器10aで測定すると共に、ヒータ素線206aのそれぞれにかかる電圧を電圧測定器10bで測定する。断線検知部10は、電流検出器10a及び電圧測定器10bの測定結果を受けて断線警報器10cにより断線/非断線を検知する。ここで、ヒータ素線206aに電力が供給された時、ヒータ素線206aには所定の電圧がかかる。この電圧がかかった状態でヒータ素線206aに電流が流れていれば、断線警報器10cはヒータ素線206aが断線していないと判断する。一方、電圧がかかった状態でヒータ素線206aに電流が流れていなければ、断線警報器10cはヒータ素線206aが断線していると判断する。すなわち、電流検出器10a及び電圧測定器10bが測定し、断線警報器10cが測定結果を判断し、この判断結果を断線警報器10cがシーケンサ12dに通知する。シーケンサ12dは、プロセス系コントローラ12に断線エラー又は断線エラー無しの旨及びヒータ領域番号情報を出力する。そして、プロセス系コントローラ12は、断線検知部10のシーケンサ12dから断線エラー及びヒータ領域番号情報を受信し、ヒータ素線206aの断線領域を特定するよう構成されている。これにより、本実施形態では、断線検知部10を設ける
ことでヒータ206の断線を直接検知することができ、処理炉202内の温度異常が発生した場合においても、ヒータ206の断線によるものかそうでないかの判断がし易くなる。
Operations of the power supply unit 22 and the disconnection detection unit 10 configured as described above will be described. The temperature controller 12a performs switching control of the thyristor 23, and supplies predetermined output power (0 to 100%) from the heater power source 21a to each heater wire 206a. And the disconnection detection part 10 measures the electric current which flows through each of the heater strand 206a with the current detector 10a, and measures the voltage concerning each of the heater strand 206a with the voltage measuring device 10b. The disconnection detector 10 receives the measurement results of the current detector 10a and the voltage measuring instrument 10b and detects disconnection / non-disconnection by the disconnection alarm device 10c. Here, when electric power is supplied to the heater element wire 206a, a predetermined voltage is applied to the heater element wire 206a. If a current flows through the heater element wire 206a with this voltage applied, the disconnection alarm device 10c determines that the heater element wire 206a is not disconnected. On the other hand, if no current flows through the heater element wire 206a in a state where voltage is applied, the disconnection alarm device 10c determines that the heater element wire 206a is disconnected. That is, the current detector 10a and the voltage measuring device 10b measure, the disconnection alarm device 10c determines the measurement result, and the disconnection alarm device 10c notifies the sequencer 12d of the determination result. The sequencer 12d outputs a disconnection error or no disconnection error and heater area number information to the process system controller 12. Then, the process system controller 12 is configured to receive the disconnection error and the heater region number information from the sequencer 12d of the disconnection detection unit 10 and identify the disconnection region of the heater wire 206a. Thereby, in this embodiment, it is possible to directly detect the disconnection of the heater 206 by providing the disconnection detection unit 10, and even if a temperature abnormality occurs in the processing furnace 202, it may be caused by the disconnection of the heater 206. It becomes easy to judge whether or not.

なお、実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時に検知処理有りの設定となっていても、以下の条件によって検知処理を実施しない場合がある。検知処理を実施しない場合の条件は、実行中状態(RUNモード)において、現在実施しているレシピステップからエンドステップへJUMP/SKIPした場合である。また、レシピの最終ステップ実行中にアラームレシピが実行され、アラームレシピの最終ステップにエンドコマンドが設定されている場合である。なお、レシピの最終ステップにサブレシピが設定されており、サブレシピの最終ステップにENDコマンドが設定されている場合は検知処理を実施するようにしている。   Even if the detection process is set when transitioning from the running state (RUN mode) to the end state (END mode), the detection process may not be performed depending on the following conditions. The condition when the detection process is not performed is a case where JUMP / SKIP is performed from the currently executed recipe step to the end step in the running state (RUN mode). In addition, an alarm recipe is executed during execution of the final step of the recipe, and an end command is set in the final step of the alarm recipe. If a sub-recipe is set in the final step of the recipe and an END command is set in the final step of the sub-recipe, the detection process is performed.

また、以下に記載するような検知処理の終了条件、例えば4つの終了条件によって検知処理を終了させるようプロセス系コントローラ12が構成されている。まず、1つ目の検知処理の終了条件は、検知処理を開始して所定時間経過(監視時間、遅延時間、断線チェック時間)後、ヒータ断線エラー(シーケンサ12dからのシグナルエラー番号が全領域(5つ)ともOFF)が発生しなかった場合である。   In addition, the process system controller 12 is configured to end the detection process according to detection process end conditions as described below, for example, four end conditions. First, the end condition of the first detection process is that after a predetermined time has elapsed since the detection process was started (monitoring time, delay time, disconnection check time), the heater disconnection error (the signal error number from the sequencer 12d is the entire region ( This is a case where OFF) does not occur in all five cases.

また、2つ目の検知処理の終了条件はヒータ断線エラー以外のエラーが発生した場合である。例えばGO STANDBYモード時において、RESET/ABORT/ENDのアラームが発生した場合、検知処理を中断し、GO RESET/GO ABORT/GO ENDモードへ移行させて検知処理を実施しない。なお、RESET/ABORT以外のアラームが発生したら、検知処理を継続する。また、検知処理中、ヒータ断線エラーでHOLD処理が予約されている場合には、HOLD処理しない。ヒータ断線エラー無しの場合には、HOLD処理を受け付ける。   The second detection process end condition is when an error other than the heater disconnection error occurs. For example, when a RESET / ABORT / END alarm occurs in the GO STANDBY mode, the detection process is interrupted and the mode is shifted to the GO RESET / GO ABORT / GO END mode and the detection process is not performed. If an alarm other than RESET / ABORT occurs, the detection process is continued. Also, during the detection process, if the HOLD process is reserved due to a heater disconnection error, the HOLD process is not performed. If there is no heater disconnection error, HOLD processing is accepted.

一方、プロセス系コントローラ12の状態(PMモード)が実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時、すなわち実行中状態(RUN)中の最終ステップ時において、例えばAlarm Recipe(アラームレシピ)のアラームが発生した場合、検知処理を中断し、通常のAlarm Recipe処理を実行し、検知処理を実施しない。なお、例えばMONITOR/BUZZERのアラームが発生したら、検知処理を継続する。また、検知処理中、ヒータ断線エラーでHOLD処理が予約されている場合には、HOLD処理しない(ヒータ断線エラーでHOLD(エラー保持))。ヒータ断線エラー無しの場合には、HOLD処理を実施する。また、実行中状態(RUN)中の最終ステップ時において、JUMPのアラームが発生した場合、検知処理を中断し、通常のJUMPステップ処理を実行し、最終ステップを実行した時に、再度検知処理を実施する。また、実行中状態(RUNモード)中の最終ステップ時において、RESET/ABORTのアラームが発生した場合、検知処理を中断し、GO RESET/GO
ABORTモードへ移行させて、検知処理を実施しない。また、実行中状態(RUNモード)中の最終ステップ時において、ENDアラームが発生した場合、検知処理を中断し、GO ENDモードへ移行させ検知処理を実施しない。
On the other hand, when the state of the process system controller 12 (PM mode) transitions from the running state (RUN mode) to the end state (END mode), that is, at the final step in the running state (RUN), for example, Alarm Recipe When an alarm of (alarm recipe) occurs, the detection process is interrupted, the normal Alarm Recipe process is executed, and the detection process is not performed. For example, when a MONITOR / BUZZER alarm occurs, the detection process is continued. Also, during the detection process, if the HOLD process is reserved due to a heater disconnection error, the HOLD process is not performed (HOLD (error holding) due to a heater disconnection error). When there is no heater disconnection error, HOLD processing is performed. Also, if a JUMP alarm occurs during the final step in the running state (RUN), the detection process is interrupted, the normal JUMP step process is executed, and the detection process is performed again when the final step is executed. To do. If the RESET / ABORT alarm occurs at the final step in the running state (RUN mode), the detection process is interrupted and the GO RESET / GO
The detection process is not performed by shifting to the ABORT mode. Further, when an END alarm is generated at the final step in the running state (RUN mode), the detection process is interrupted, the GO END mode is entered, and the detection process is not performed.

また、3つ目の検知処理の終了条件は、ヒータ素線206aの断線チェック中に以下のパラメータを無しにした場合である。検知処理を最後まで実施して終了させ、発生しているヒータ断線エラーを全て手動クリアした後、HOLD処理している場合にはHOLD解除を実施し、ヒータ断線検知無し状態とする。すなわち、検知処理の実施を有りから無しにした場合、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へと遷移する時及び実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時において、これら両方での検知処理が無しとなる。   The third condition for terminating the detection process is that the following parameters are omitted during the break check of the heater wire 206a. After the detection process is completed to the end and all the heater disconnection errors that have occurred are manually cleared and then the HOLD process is being performed, the HOLD release is performed, and the heater disconnection detection is disabled. That is, when the detection process is performed from the presence to the absence, the transition from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode) and from the running state (RUN mode) to the end state (END mode) At the time of transition, both detection processes are not performed.

また、4つ目の検知処理の終了条件は、コマンド指示をした場合である。例えばRESET、ABORT等のコマンド指示をした時、検知処理を実施しない。なお、検知処理中の各コマンドの有効/無効を以下の表1に例示する。   The fourth detection process end condition is when a command is issued. For example, when a command such as RESET or ABORT is issued, the detection process is not performed. Table 1 below illustrates the validity / invalidity of each command during detection processing.

Figure 2012049429
Figure 2012049429

但し、
○:ヒータ断線検知を中断させ、コマンド有効。その後、断線検知を実施しない。
×:コマンド無効
△:断線検知継続させ、断線検知終了後、コマンド有効。
◇:ヒータ断線検知を中断させ、コマンド有効。その後、実行中状態(RUNモード)中の最終ステップ実行後、再度断線検知を実施する。
However,
○: The heater break detection is interrupted and the command is valid. Thereafter, disconnection detection is not performed.
×: Command invalid △: Disconnection detection is continued, and command is valid after disconnection detection is completed.
◇: The heater break detection is interrupted and the command is valid. After that, after executing the final step in the running state (RUN mode), disconnection detection is performed again.

なお、検知処理終了時には、温度コントローラ12aに対する温度設定値を、検知処理する前の設定に戻す。また、検知処理の条件待ちもクリアとする。   At the end of the detection process, the temperature setting value for the temperature controller 12a is returned to the setting before the detection process. Also, waiting for detection processing conditions is cleared.

(エラー処理部)
図7に示すように、エラー処理部4は、ハードディスク(HDD)1cから読み出されたエラー処理プログラムがCPU1aに実行されることにより、主コントローラ14に実現されたものである。エラー処理部4は、プロセス系コントローラ12からの実施指示を受けたら、共有メモリ5からエラー処理のパラメータとしてブザー報知有無、エラー保持等を読み込み、これらのパラメータに応じて所定のエラー処理を実施するよう構成されている。
(Error handling part)
As shown in FIG. 7, the error processing unit 4 is implemented in the main controller 14 by the CPU 1a executing an error processing program read from the hard disk (HDD) 1c. When receiving an execution instruction from the process system controller 12, the error processing unit 4 reads buzzer notification presence / absence, error retention, etc. as error processing parameters from the shared memory 5, and performs predetermined error processing according to these parameters. It is configured as follows.

具体的には、エラー処理部4は、プロセス系コントローラ12からのエラー処理の実施指示を受けたら、例えばブザー6を鳴動させてヒータ206の断線を報知する。これにより、ヒータ206が断線していることを作業者が知ることができる。   Specifically, when receiving an error processing execution instruction from the process system controller 12, the error processing unit 4 sounds the buzzer 6, for example, and notifies the disconnection of the heater 206. Thereby, the operator can know that the heater 206 is disconnected.

また、エラー処理部4は、ヒータ断線エラーの発生した旨を共有メモリ5内のファイルに読み書き可能に書き込んでヒータ断線エラーの発生した旨を保持するよう構成されている。そして、プロセス系コントローラ12からエラー解除の指示を受信したら、ファイルに書き込んだヒータ断線エラーの発生した旨を削除する。これにより、エラー解除されるまで、作業者が基板処理装置100内に立ち入り、ヒータ交換作業等のメンテナンスを行っている際には、例えば他の画面操作等がブロックされエラー処理状態を継続することができ、安全性を向上させることができる。   Further, the error processing unit 4 is configured to write the fact that a heater disconnection error has occurred in a file in the shared memory 5 so as to be readable and writable, and hold that the heater disconnection error has occurred. When an error release instruction is received from the process system controller 12, the fact that a heater disconnection error written in the file has occurred is deleted. Thus, when the operator enters the substrate processing apparatus 100 and performs maintenance such as heater replacement work until the error is cleared, for example, other screen operations are blocked and the error processing state is continued. Can improve safety.

また、エラー処理部4は、プロセス系コントローラ12からエラー処理の実施指示を受けたら、メンテナンス作業中である旨の表示(スタートWAIT)を表示制御部16及び副表示制御部17に指示することで、表示装置18及び副表示装置19がメンテナンス作業中である旨を操作画面に表示可能である。これにより、作業者にヒータ交換作業等のメンテナンス作業を促すことができる。また、エラー処理部4は、プロセス系コントローラ
12からエラー処理の実施指示を受けたら、メンテナンス作業を解除してエラー処理を解除するエラー解除ボタンの表示を表示制御部16及び副表示制御部17に指示することで、表示装置18及び副表示装置19がエラー解除ボタンを操作画面に表示可能である。そして、表示制御部16は、図示しない入力部からのエラー解除ボタンの操作信号を受信し、エラー処理部4にエラー解除を指示してエラー処理を終了させる。これにより、ヒータ交換作業等のメンテナンス作業が終了され次第、プロセス系コントローラ12の状態(PMモード)を実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させることができる。
In addition, when the error processing unit 4 receives an error processing execution instruction from the process system controller 12, the error processing unit 4 instructs the display control unit 16 and the sub display control unit 17 to display that the maintenance work is in progress (start WAIT). The fact that the display device 18 and the sub display device 19 are under maintenance can be displayed on the operation screen. Thereby, it is possible to prompt the worker to perform maintenance work such as heater replacement work. When the error processing unit 4 receives an error processing execution instruction from the process system controller 12, the error processing unit 4 displays a display of an error cancel button for canceling the maintenance work and canceling the error processing on the display control unit 16 and the sub display control unit 17. By instructing, the display device 18 and the sub display device 19 can display an error release button on the operation screen. Then, the display control unit 16 receives an error cancel button operation signal from an input unit (not shown), instructs the error processing unit 4 to cancel the error, and ends the error processing. Thus, as soon as maintenance work such as heater replacement work is completed, the state of the process system controller 12 (PM mode) can be changed to the executable state (STANDBY mode).

なお、PMモードが待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へと遷移する時に実施するエラー処理は、ヒータ断線エラーのアラームを全て手動回復させた後、ABORT又はRESETモードへ移行することで、HOLD解除するように構成してもよい。また、実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時に実施するエラー処理は、ヒータ断線エラーのアラームを全て手動回復させた後、JUMP/SKIP/RELEASEコマンドによりHOLD解除され、GO ENDへ移行するように構成してもよい。   In addition, the error processing performed when the PM mode transitions from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode), after manually recovering all the heater disconnection error alarms, shifts to the ABORT or RESET mode. Thus, the HOLD may be canceled. In addition, the error processing performed when transitioning from the running state (RUN mode) to the end state (END mode) is manually canceled after all the heater disconnection error alarms are released, and then the HOLD is canceled by the JUMP / SKIP / RELEASE command. , It may be configured to shift to GO END.

(8)検知処理及びエラー処理
次に、本実施形態に係る検知処理及びエラー処理について、図10、11を参照しながら説明する。係る動作は、半導体装置の製造工程の一工程として行われる。図10は、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へと遷移する時に実施する検知処理の概略説明図である。図11は、実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時に実施する検知処理の概略説明図である。
(8) Detection Processing and Error Processing Next, detection processing and error processing according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. Such an operation is performed as one step of the manufacturing process of the semiconductor device. FIG. 10 is a schematic explanatory diagram of a detection process that is performed when a transition is made from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode). FIG. 11 is a schematic explanatory diagram of a detection process that is performed when a transition is made from the running state (RUN mode) to the end state (END mode).

図10に示すように、搬送系コントローラ11からのスタンバイ要求に応じて、まず、ヒータ電源21aからの電力供給を出力電力(0〜100%)に設定する指示がプロセス系コントローラ12から温度コントローラ12aに出力される。この出力電力指定を受けた旨の応答として監視時間内に温度コントローラ12aから指定応答=OKを受信しなかった場合(指定応答無し=NG)、又は指定応答=NGを受信した場合、プロセス系コントローラ12は、電力供給部22の回線ダウン等であると判断し、検知処理を中断してヒータ206の全領域をヒータ断線エラーとして主コントローラ14へ送信する。同時に、プロセス系コントローラ12は、シーケンサ12dに対して検知処理終了を指示する。一方、監視時間内に温度コントローラ12aから指定応答=OKを受信した場合、プロセス系コントローラ12は、指定応答=OKの旨を主コントローラ14へ送信する。そして、主コントローラ14は、基板処理装置100の状態をGO STANDBYモードにし、ヒータ断線検知条件待ちとなり、検知処理が正常終了、異常終了又は中断するまでヒータ断線検知条件待ちをホールド(HOLD)する。なお、実行可能状態(STANDBYモード)のステップにサブレシピが設定されている場合、サブレシピの第1ステップの先頭でヒータ断線検知条件待ちにする。但し、ステップ時間の計測は行わないが、ホールド時間は計測される。   As shown in FIG. 10, in response to a standby request from the transfer system controller 11, first, an instruction to set the power supply from the heater power supply 21a to output power (0 to 100%) is issued from the process system controller 12 to the temperature controller 12a. Is output. If the specified response = OK is not received from the temperature controller 12a within the monitoring time as a response indicating that this output power designation has been received (no designated response = NG), or if the designated response = NG is received, the process system controller 12 determines that the line of the power supply unit 22 is down, etc., stops the detection process, and transmits the entire area of the heater 206 to the main controller 14 as a heater disconnection error. At the same time, the process system controller 12 instructs the sequencer 12d to end the detection process. On the other hand, when the designated response = OK is received from the temperature controller 12a within the monitoring time, the process system controller 12 transmits to the main controller 14 that the designated response = OK. Then, the main controller 14 sets the state of the substrate processing apparatus 100 to the GO STANDBY mode, waits for the heater disconnection detection condition, and holds (HOLD) the wait for the heater disconnection detection condition until the detection process ends normally, ends abnormally, or is interrupted. In addition, when the sub recipe is set to the step of the executable state (STANDBY mode), the heater disconnection detection condition is waited at the head of the first step of the sub recipe. However, the step time is not measured, but the hold time is measured.

図9で上述したように、電力供給部22は、複数の領域(例えば5つ)に分割されたヒータ206のヒータ素線206aのそれぞれに電力を供給する。この時、ヒータ電源21aがヒータ素線206aに出力電力を供給するまでの遅延時間の後、ヒータ電源21aが出力電圧を0〜100%までふって電力供給する。断線検知部10は、ヒータ素線206aのそれぞれに流れる電流及び電圧を測定し、断線チェック時間が経過するまで(S202)、断線/非断線を検知する。そして、断線検知部10は、ヒータ素線206a(ヒータ206)が断線していたらヒータ断線エラー及びヒータ領域番号情報をプロセス系コントローラ12へ出力し、ヒータ206が断線していなかったら断線エラー無しの旨をプロセス系コントローラ12へ出力する。なお、検知処理中、表示装置18及び副表示装置19は、検知処理の状況を表示可能な検知処理画面を表示する(S106)。   As described above with reference to FIG. 9, the power supply unit 22 supplies power to each of the heater wires 206a of the heater 206 divided into a plurality of regions (for example, five). At this time, after the delay time until the heater power supply 21a supplies the output power to the heater wire 206a, the heater power supply 21a supplies the output voltage from 0 to 100%. The disconnection detection unit 10 measures the current and voltage flowing through each of the heater strands 206a, and detects disconnection / non-disconnection until the disconnection check time elapses (S202). The disconnection detector 10 outputs a heater disconnection error and heater area number information to the process system controller 12 if the heater wire 206a (heater 206) is disconnected, and if the heater 206 is not disconnected, there is no disconnection error. To the process system controller 12. During the detection process, the display device 18 and the sub display device 19 display a detection process screen that can display the status of the detection process (S106).

プロセス系コントローラ12は、断線チェック時間が経過し、断線検知部10の検知処理の結果を受けてヒータ206が断線していなかったら、断線エラー無しの旨を主コントローラ14へ送信する。同時に、プロセス系コントローラ12は、シーケンサ12dに対して検知処理終了を指示すると共に、温度設定値を基板処理レシピの温度設定値に復帰させるよう温度コントローラ12aに指示する。プロセス系コントローラ12は、断線検知部10から断線エラー無しを受けたら、プロセス系コントローラ12の状態(PMモード)を実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させる。そして、プロセス系コントローラ12は、レシピのスタート指示(STANDBYモードからRUMモードへ遷移させる指示)を待つ。プロセス系コントローラ12の状態を実行可能状態(STANDBYモード)以降、後述するように実行中状態(RUNモード)、終了状態(ENDモード)へと遷移させる。   If the disconnection check time has elapsed and the detection result of the disconnection detection unit 10 has been received and the heater 206 has not disconnected, the process system controller 12 transmits to the main controller 14 that there is no disconnection error. At the same time, the process system controller 12 instructs the sequencer 12d to end the detection process and instructs the temperature controller 12a to return the temperature setting value to the temperature setting value of the substrate processing recipe. When the process controller 12 receives no disconnection error from the disconnection detector 10, the process controller 12 changes the state (PM mode) of the process controller 12 to the executable state (STANDBY mode). Then, the process system controller 12 waits for a recipe start instruction (an instruction to make a transition from the STANDBY mode to the RUM mode). The state of the process system controller 12 is changed from the executable state (STANDBY mode) to the executing state (RUN mode) and the end state (END mode) as described later.

プロセス系コントローラ12は、断線チェック時間が経過し、断線検知部10の検知処理の結果を受けてヒータ206が断線していたら、ヒータ206の断線領域を特定してヒータ断線エラー及びヒータ領域番号情報を主コントローラ14へ送信する。同時に、断線検知部10は、シーケンサ12dに対して検知処理終了を指示すると共に、温度設定値を基板処理レシピの温度設定値に復帰させるよう温度コントローラ12aに指示する。   If the disconnection check time has elapsed and the heater 206 is disconnected in response to the detection processing result of the disconnection detection unit 10, the process system controller 12 identifies the disconnection area of the heater 206, the heater disconnection error, and the heater area number information. Is transmitted to the main controller 14. At the same time, the disconnection detection unit 10 instructs the sequencer 12d to end the detection process and instructs the temperature controller 12a to return the temperature setting value to the temperature setting value of the substrate processing recipe.

(エラー処理)
主コントローラ14は、プロセス系コントローラ12からの断線エラーを受けたら、エラー処理部4にエラー処理を指示する。エラー処理部4は、プロセス系コントローラ12からのヒータ断線エラーを受け、共有メモリ5からエラー処理の要件パラメータ(ブザー報知有無、エラー保持)を読み込む。そして、エラー処理部4は、要件パラメータに応じてエラー処理を実施する。エラー処理部4は、ブザー6を鳴動させてヒータ206の断線を報知する。また、エラー処理部4は、ヒータ断線エラーの発生した旨を共有メモリ5内のファイルに読み書き可能に書き込み、表示制御部16からエラー解除の指示を受信するまで、ヒータ断線エラーの発生した旨を保持する。これにより、エラー解除の指示がされるまで、作業者が基板処理装置100内に立ち入り、ヒータ交換作業等のメンテナンスを行っている際には、エラー処理状態を継続することができ、安全性を向上させることができる。
(Error handling)
When receiving a disconnection error from the process system controller 12, the main controller 14 instructs the error processing unit 4 to perform error processing. In response to the heater disconnection error from the process system controller 12, the error processing unit 4 reads the error processing requirement parameters (whether buzzer notification is present, error holding) from the shared memory 5. Then, the error processing unit 4 performs error processing according to the requirement parameter. The error processing unit 4 sounds the buzzer 6 and notifies the disconnection of the heater 206. Further, the error processing unit 4 writes the fact that the heater disconnection error has occurred in a file in the shared memory 5 so as to be readable and writable, and indicates that the heater disconnection error has occurred until an error release instruction is received from the display control unit 16. Hold. Thus, when an operator enters the substrate processing apparatus 100 and performs maintenance such as a heater replacement operation until an error cancel instruction is issued, the error processing state can be continued, and safety is improved. Can be improved.

また、エラー処理部4は、主コントローラ14からエラー処理の実施指示を受けたら、メンテナンス作業中である旨の表示(スタートWAIT)を表示制御部16及び副表示制御部17に指示する。表示制御部16及び副表示制御部17は、エラー処理部4からの指示を受け、メンテナンス作業中である旨を表示装置18及び副表示装置19の操作画面に表示する。これにより、作業者にヒータ交換作業等のメンテナンス作業を促すことができる。また、エラー処理部4は、特定した断線領域を表示装置18及び副表示装置19の操作画面に表示させる。表示制御部16及び副表示制御部17は、エラー処理部4からの指示を受け、ヒータ断線領域を表示装置18及び副表示装置19の操作画面に表示する。   When the error processing unit 4 receives an error processing execution instruction from the main controller 14, the error processing unit 4 instructs the display control unit 16 and the sub display control unit 17 to display that the maintenance work is in progress (start WAIT). Upon receiving an instruction from the error processing unit 4, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 display on the operation screens of the display device 18 and the sub display device 19 that maintenance work is being performed. Thereby, it is possible to prompt the worker to perform maintenance work such as heater replacement work. In addition, the error processing unit 4 displays the identified disconnection area on the operation screens of the display device 18 and the sub display device 19. Upon receiving an instruction from the error processing unit 4, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 display the heater disconnection area on the operation screens of the display device 18 and the sub display device 19.

さらに、エラー処理部4は、主コントローラ14からエラー処理の実施指示を受けたら、エラー解除ボタンの表示を表示制御部16及び副表示制御部17に指示する。表示制御部16及び副表示制御部17は、エラー処理部4からの指示を受け、エラー解除ボタンを表示装置18及び副表示装置19の操作画面に表示する。作業者は、表示装置18及び副表示装置19に表示されるメンテナンス作業中である旨の表示を見てヒータ断線エラーが発生したことを知り、例えばヒータ交換作業を行う。そして、ヒータ交換作業の終了後、作業者はエラー解除ボタンを押下操作する。すると、表示制御部16及び副表示制御部17は、エラー解除ボタンの操作信号を主コントローラ14に送信する。主コントローラ14は、表示制御部16及び副表示制御部17からのエラー解除ボタンの操作信号を受信し
、エラー処理部4にエラー解除を指示する。エラー処理部4は、プロセス系コントローラ12からエラー解除の指示を受信したら、ファイルに書き込んだヒータ断線エラーの発生した旨を削除してエラー解除し、エラー処理を終了する。これにより、ヒータ交換作業等のメンテナンス作業が終了され次第、プロセス系コントローラ12の状態を実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させることができ、ウエハ200が処理室201内に搬入される前にヒータ206の断線を検知し、ヒータ206の断線を検知したらウエハ200が処理室201内に搬入されないよう基板処理レシピの開始を防止することができる。
Further, upon receiving an error processing execution instruction from the main controller 14, the error processing unit 4 instructs the display control unit 16 and the sub display control unit 17 to display an error release button. Upon receiving an instruction from the error processing unit 4, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 display an error release button on the operation screens of the display device 18 and the sub display device 19. The operator knows that a heater disconnection error has occurred by looking at the display indicating that the maintenance work is being displayed on the display device 18 and the sub display device 19, and performs, for example, a heater replacement operation. Then, after the heater replacement operation is completed, the operator depresses the error release button. Then, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 transmit an error cancel button operation signal to the main controller 14. The main controller 14 receives the operation signal of the error cancel button from the display control unit 16 and the sub display control unit 17 and instructs the error processing unit 4 to cancel the error. When receiving the error release instruction from the process system controller 12, the error processing unit 4 deletes the fact that the heater disconnection error written in the file has occurred, cancels the error, and ends the error processing. As a result, as soon as maintenance work such as heater replacement work is completed, the state of the process controller 12 can be changed to an executable state (STANDBY mode), and the heater 200 before the wafer 200 is loaded into the processing chamber 201. When the disconnection of the heater 206 is detected and the disconnection of the heater 206 is detected, the start of the substrate processing recipe can be prevented so that the wafer 200 is not carried into the processing chamber 201.

(実行可能状態(STANDBYモード))
プロセス系コントローラ12は、エラー処理の終了を受けると共に、所定の条件が整ったら、プロセス系コントローラ12の状態を実行可能状態(STANDBY状態)へ遷移させる。さらに、プロセス系コントローラ12は、実行可能状態(STANDBYモード)において、上述したように基板処理レシピの実行中状態(RUNモード)へ遷移するのに全ての条件が整った状態になったら、プロセス系コントローラ12の状態(PMモード)を実行中状態(RUNモード)へ遷移させる指示を待つ。
(Executable state (STANDBY mode))
The process system controller 12 receives the end of the error processing and, when a predetermined condition is satisfied, transitions the state of the process system controller 12 to an executable state (STANDBY state). Further, when the process controller 12 is in an executable state (STANDBY mode) and all the conditions are satisfied to shift to the executing state (RUN mode) of the substrate processing recipe as described above, the process controller 12 The controller 12 waits for an instruction to change the state of the controller 12 (PM mode) to the executing state (RUN mode).

(実行中状態(RUNモード))
実行中状態(RUNモード)においては、レシピファイルの記載に基づいて、搬送系コントローラ11、温度コントローラ12a、圧力コントローラ12b、及び流量コントローラ12c等のサブコントローラに対し、所定のタイミングで所定の設定値(制御値)を送信し、上述したように基板処理レシピが実施される。なお、表示装置18及び副表示装置19は、基板搬送系11Aや加熱機構12A、ガス排気機構12B、ガス供給系12Cの各動作を表示するレシピ実行中画面等の操作画面を表示する。そして、図11に示すように、実行中状態(RUNモード)中の実施(プロセス)レシピの最終ステップが完了したら、プロセス系コントローラ12は遷移要求(エンド要求)としてレシピの完了通知を受ける。
(Running state (RUN mode))
In the running state (RUN mode), a predetermined set value is set at a predetermined timing to the sub-controller such as the transfer system controller 11, the temperature controller 12a, the pressure controller 12b, and the flow rate controller 12c based on the description in the recipe file. (Control value) is transmitted, and the substrate processing recipe is executed as described above. The display device 18 and the sub display device 19 display an operation screen such as a recipe execution screen for displaying the operations of the substrate transport system 11A, the heating mechanism 12A, the gas exhaust mechanism 12B, and the gas supply system 12C. Then, as shown in FIG. 11, when the final step of the execution (process) recipe in the running state (RUN mode) is completed, the process system controller 12 receives a recipe completion notification as a transition request (end request).

(検知処理)
プロセス系コントローラ12はレシピの完了通知を受け、検知処理の実施の有無を判断する。検知処理を行わない場合には、プロセス系コントローラ12の状態を終了状態(ENDモード)へ遷移させる。そして、基板処理装置100の各部の状態が終了モード(ENDモード)となったら、主コントローラ14は、基板処理装置100の各部の状態を待機状態(IDLEモード)へ遷移させる。さらに、ロードポート114上にポッド110が載置されると、主コントローラ14は、次ロット有りと判断し、以降上述の動作を繰り返す。
(Detection process)
The process system controller 12 receives the recipe completion notification and determines whether or not the detection process is performed. When the detection process is not performed, the state of the process controller 12 is changed to the end state (END mode). When the state of each part of the substrate processing apparatus 100 becomes the end mode (END mode), the main controller 14 changes the state of each part of the substrate processing apparatus 100 to the standby state (IDLE mode). Further, when the pod 110 is placed on the load port 114, the main controller 14 determines that there is a next lot, and thereafter repeats the above-described operation.

一方、検知処理を行う場合には、プロセス系コントローラ12が断線検知部10に検知処理を実施させる。この時、図11に示すように、エンド要求に応じて、まず、ヒータ電源21aからの電力供給を出力電力(0〜100%)に設定する指示が温度コントローラ12aに出力される。この出力電力指定を受けた旨の応答として監視時間内に温度コントローラ12aから指定応答=OKを受信しなかった場合(指定応答無し=NG)、又は指定応答=NGを受信した場合、プロセス系コントローラ12は、電力供給部22の回線ダウン等であると判断し、検知処理を中断してヒータ206の全領域を断線エラーとして主コントローラ14へ送信する。同時に、プロセス系コントローラ12は、シーケンサ12dに対して検知処理終了を指示する。一方、監視時間内に温度コントローラ12aから指定応答=OKを受信した場合、プロセス系コントローラ12は、指定応答=OKの旨を主コントローラ14へ送信する。そして、プロセス系コントローラ12は、PMモードをGO ENDモードにし、ヒータ断線検知条件待ちとして、検知処理が正常終了、異常終了又は中断するまでヒータ断線検知条件待ちをホールド(HOLD)する。   On the other hand, when performing detection processing, the process system controller 12 causes the disconnection detection unit 10 to perform detection processing. At this time, as shown in FIG. 11, in response to the end request, first, an instruction to set the power supply from the heater power supply 21a to output power (0 to 100%) is output to the temperature controller 12a. If the specified response = OK is not received from the temperature controller 12a within the monitoring time as a response indicating that this output power designation has been received (no designated response = NG), or if the designated response = NG is received, the process system controller 12 determines that the line of the power supply unit 22 is down, etc., interrupts the detection process, and transmits the entire area of the heater 206 to the main controller 14 as a disconnection error. At the same time, the process system controller 12 instructs the sequencer 12d to end the detection process. On the other hand, when the designated response = OK is received from the temperature controller 12a within the monitoring time, the process system controller 12 transmits to the main controller 14 that the designated response = OK. Then, the process system controller 12 sets the PM mode to the GO END mode, waits for the heater disconnection detection condition, and holds (HOLD) the heater disconnection detection condition wait until the detection process ends normally, ends abnormally, or is interrupted.

上述したように、電力供給部22は、ヒータ206のヒータ素線206aのそれぞれに電力を供給する。この時、ヒータ電源21aがヒータ素線206aに出力電力を供給するまでの遅延時間の後、ヒータ電源21aが出力電圧を0〜100%までふって電力供給する。断線検知部10は、ヒータ素線206aのそれぞれに流れる電流及び電圧を測定し、断線チェック時間が経過するまで、断線/非断線を検知する。そして、断線検知部10は、ヒータ素線206aが断線していたらヒータ断線エラー及びヒータ領域番号情報をプロセス系コントローラ12へ出力し、ヒータ206が断線していなかったらヒータ断線エラー無しの旨をプロセス系コントローラ12へ出力する。なお、検知処理中、表示装置18及び副表示装置19は、検知処理の状況を表示可能な検知処理画面を表示する。   As described above, the power supply unit 22 supplies power to each heater wire 206a of the heater 206. At this time, after the delay time until the heater power supply 21a supplies the output power to the heater wire 206a, the heater power supply 21a supplies the output voltage from 0 to 100%. The disconnection detection unit 10 measures the current and voltage flowing through each of the heater strands 206a, and detects disconnection / non-disconnection until the disconnection check time elapses. Then, the disconnection detection unit 10 outputs a heater disconnection error and heater area number information to the process system controller 12 if the heater element wire 206a is disconnected, and if the heater 206 is not disconnected, indicates that there is no heater disconnection error. Output to the system controller 12. During the detection process, the display device 18 and the sub display device 19 display a detection process screen that can display the status of the detection process.

プロセス系コントローラ12は、断線チェック時間が経過し、断線検知部10の検知処理の結果を受けてヒータ206が断線していなかったら、ヒータ断線エラー無しの旨を主コントローラ14へ送信する。同時に、プロセス系コントローラ12は、ヒータ断線エラー無しの旨を受信した場合、シーケンサ12dに対して検知処理終了を指示すると共に、温度設定値を基板処理レシピの温度設定値に復帰させるよう温度コントローラ12aに指示する。プロセス系コントローラ12は、断線検知部10からヒータ断線エラー無しを受けたら、PMモードを終了状態(ENDモード)へ遷移させる。   If the disconnection check time has elapsed and the detection result of the disconnection detection unit 10 has passed and the heater 206 has not disconnected, the process system controller 12 transmits to the main controller 14 that there is no heater disconnection error. At the same time, when the process-related controller 12 receives that there is no heater disconnection error, the process controller 12 instructs the sequencer 12d to end the detection process and returns the temperature setting value to the temperature setting value of the substrate processing recipe. To instruct. If the process controller 12 receives no heater disconnection error from the disconnection detector 10, the process controller 12 changes the PM mode to the end state (END mode).

プロセス系コントローラ12は、断線チェック時間が経過し、断線検知部10の検知処理の結果を受けてヒータ206が断線していたら、ヒータ206の断線領域を特定してヒータ断線エラー及びヒータ領域番号情報を遷移指示部2へ送信する。同時に、プロセス系コントローラ12は、シーケンサ12dに対して検知処理終了を指示する。   If the disconnection check time has elapsed and the heater 206 is disconnected in response to the detection processing result of the disconnection detection unit 10, the process system controller 12 identifies the disconnection area of the heater 206, the heater disconnection error, and the heater area number information. Is transmitted to the transition instruction unit 2. At the same time, the process system controller 12 instructs the sequencer 12d to end the detection process.

(終了状態(ENDモード))
検知処理が完了したら、プロセス系コントローラ12は、PMモードの状態を終了状態(ENDモード)へ遷移させる。表示装置18及び福表示装置19は、終了画面等の操作画面を表示する。ここで、検知処理の結果、ヒータ断線エラー無しの旨を受信した場合、基板処理装置100の各部の状態を終了状態(ENDモード)から要件に従って待機状態(STANDBYモード)へ遷移させ、以降上述の動作を繰り返す。
(End status (END mode))
When the detection process is completed, the process system controller 12 changes the PM mode state to the end state (END mode). The display device 18 and the lucky display device 19 display an operation screen such as an end screen. Here, as a result of the detection process, when it is received that there is no heater disconnection error, the state of each part of the substrate processing apparatus 100 is changed from the end state (END mode) to the standby state (STANDBY mode) according to the requirements. Repeat the operation.

(エラー処理)
一方、検知処理の結果、ヒータ断線エラーを受信した場合、主コントローラ14はエラー処理部4にエラー処理を指示し、エラー処理部4がエラー処理を実施する。表示装置18及び副表示装置19は、メンテナンス作業中である旨及びエラー解除ボタンを操作画面に表示すると共に、ヒータ断線領域を操作画面に表示する。ヒータ交換作業の終了後、表示制御部16及び副表示制御部17は、押下操作されたエラー解除ボタンの操作信号を主コントローラ14に送信する。主コントローラ14は入力部からのエラー解除ボタンの操作信号を受信し、エラー処理部4にエラー解除を指示し、エラー処理部4はエラー処理を終了する。これにより、ヒータ交換作業等のメンテナンス作業が終了され次第、基板処理装置100の状態を終了状態(ENDモード)から待機状態(IDLEモード)、実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させることができ、次ロットの基板処理レシピを実施することができる。主コントローラ14は、基板処理装置100の状態を終了状態(ENDモード)から待機状態(IDLEモード)、実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させ、表示制御部16及び福表示制御部17等から次ロット有りとの情報が入力されると、以降、上記動作が繰り返す。
(Error handling)
On the other hand, when the heater disconnection error is received as a result of the detection processing, the main controller 14 instructs the error processing unit 4 to perform error processing, and the error processing unit 4 performs error processing. The display device 18 and the sub-display device 19 display a maintenance work in progress and an error release button on the operation screen, and display a heater disconnection area on the operation screen. After the heater replacement operation is completed, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 transmit an operation signal of the pressed error release button to the main controller 14. The main controller 14 receives the error cancel button operation signal from the input unit, instructs the error processing unit 4 to cancel the error, and the error processing unit 4 ends the error processing. Thereby, as soon as maintenance work such as heater replacement work is completed, the state of the substrate processing apparatus 100 can be changed from the end state (END mode) to the standby state (IDLE mode) and the executable state (STANDBY mode). The substrate processing recipe for the next lot can be implemented. The main controller 14 changes the state of the substrate processing apparatus 100 from the end state (END mode) to the standby state (IDLE mode) and the executable state (STANDBY mode), and next from the display control unit 16 and the lucky display control unit 17 and the like. When the information indicating that there is a lot is input, the above operation is repeated thereafter.

(9)本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
(9) Effects According to the Present Embodiment According to the present embodiment, one or more effects described below are exhibited.

(a)本実施形態によれば、プロセス系コントローラ12の状態が待機状態(IDLEモ
ード)から実行可能状態(STANDBYモード)への遷移要求を受けた時、断線検知部10に検知処理を実施させ、ヒータ断線エラーを受信しなかったら、プロセス系コントローラ12の状態を実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させ、ヒータ断線エラーを受信したら、基板処理装置100(プロセス系コントローラ12)の状態を実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させることなくエラー処理部4にエラー処理を実施させる。これにより、ウエハ200が処理室201内に搬入される前にヒータ206の断線を検知して、ヒータ206の断線を検知したらウエハ200が処理室201内に搬入されないよう基板処理レシピが開始することを防止することができる。この結果、プロセスLOT OUT(ロット不良)を未然に防止して装置信頼性を向上させることができる。
(A) According to the present embodiment, when the state of the process system controller 12 receives a request for transition from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode), the disconnection detection unit 10 performs detection processing. If the heater disconnection error is not received, the state of the process controller 12 is changed to the executable state (STANDBY mode). If the heater disconnection error is received, the state of the substrate processing apparatus 100 (process controller 12) can be executed. The error processing unit 4 is caused to perform error processing without making a transition to the state (STANDBY mode). Thus, the disconnection of the heater 206 is detected before the wafer 200 is loaded into the processing chamber 201, and when the disconnection of the heater 206 is detected, the substrate processing recipe is started so that the wafer 200 is not loaded into the processing chamber 201. Can be prevented. As a result, the process LOT OUT (lot defect) can be prevented and the device reliability can be improved.

(b)本実施形態によれば、エラー処理部4は、断線エラーの発生した旨を受信したら、メモリ1b内のファイルに断線エラーの発生した旨を書き込んで断線エラーの発生した旨を保持し、表示制御部16からエラー解除の指示を受信したら、ファイルに書き込んだヒータ断線エラーの発生した旨を削除する。これにより、作業者が基板処理装置100内に立ち入り、ヒータ交換作業等のメンテナンスを行っている際には、他の画面操作等がブロックされエラー処理状態を継続することができ、安全性を向上させることができる。 (B) According to the present embodiment, when the error processing unit 4 receives the fact that a disconnection error has occurred, the error processing unit 4 writes the fact that the disconnection error has occurred in the file in the memory 1b and holds that the disconnection error has occurred. When the error cancel instruction is received from the display control unit 16, the fact that the heater disconnection error written in the file has occurred is deleted. As a result, when an operator enters the substrate processing apparatus 100 and performs maintenance such as heater replacement work, other screen operations are blocked and the error processing state can be continued, improving safety. Can be made.

(c)本実施形態によれば、表示制御部16及び副表示制御部17は、メンテナンス作業中である旨を操作画面に表示可能であり、エラー処理部4は、主コントローラ14からエラー処理の実施指示を受けたら、表示制御部16及び副表示制御部17にメンテナンス作業中である旨の表示を指示する。これにより、作業者にヒータ交換作業等のメンテナンス作業を促すことができる。 (C) According to the present embodiment, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 can display on the operation screen that the maintenance work is in progress, and the error processing unit 4 receives error processing from the main controller 14. When the execution instruction is received, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 are instructed to display that maintenance work is in progress. Thereby, it is possible to prompt the worker to perform maintenance work such as heater replacement work.

(d)本実施形態によれば、表示制御部16及び副表示制御部17はエラー解除ボタンの表示を操作画面に表示可能であり、エラー処理部4は主コントローラ14からエラー処理の実施指示を受けたら、エラー解除ボタンの表示を表示制御部16及び副表示制御部17に指示し、遷移指示部2は表示制御部16及び副表示制御部17からのエラー解除ボタンの操作信号を受信し、エラー処理部4にエラー解除を指示してエラー処理を終了させる。これにより、作業者が確認しながら、ヒータ交換作業等のメンテナンス作業を終了させることができる。 (D) According to the present embodiment, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 can display the display of the error release button on the operation screen, and the error processing unit 4 issues an error processing execution instruction from the main controller 14. When received, the display control unit 16 and the sub display control unit 17 are instructed to display the error release button, and the transition instruction unit 2 receives the operation signal of the error release button from the display control unit 16 and the sub display control unit 17, The error processing unit 4 is instructed to cancel the error, and the error processing is terminated. Thereby, maintenance work, such as a heater exchange work, can be completed, while an operator confirms.

(e)本実施形態によれば、複数の領域に分割されたヒータ206のそれぞれのヒータ素線206aに電力を供給する電力供給部22と、電力供給部22に接続され、ヒータ素線206aの断線/非断線を検知する断線検知部10と、を備え、プロセス系コントローラ12は、断線検知部10を制御して検知処理を実施し、断線検知部10が検知した検知結果に基づき、断線したヒータ素線206aの領域を特定する。これにより、断線したヒータ素線206aの領域が分かるので、メンテナンス作業の効率化を図ることができる。 (E) According to the present embodiment, the power supply unit 22 that supplies power to each heater wire 206a of the heater 206 that is divided into a plurality of regions, and the power supply unit 22 that is connected to the heater wire 206a. A disconnection detection unit 10 that detects disconnection / non-disconnection, and the process system controller 12 controls the disconnection detection unit 10 to perform detection processing, and disconnects based on the detection result detected by the disconnection detection unit 10. The region of the heater wire 206a is specified. Thereby, since the area | region of the disconnected heater strand 206a is known, the efficiency of maintenance work can be achieved.

なお、従来、処理室201内の温度制御は、処理室201内に設けた温度センサ263等で測定した温度情報に基づき、PID(P:比例制御,I:積分制御,D:微分制御)制御していた。そして、通常の状態に比べてオーバーシュートやオーバーハンティングが生じることにより、ヒータ206が断線していると推測していた。そして、メンテナンス作業等により実際にヒータ206の断線/非断線を確認していた。つまり、従来では、温度センサ263等で測定した温度情報により間接的にしかヒータ断線を検知できなかった。   Conventionally, temperature control in the processing chamber 201 is based on temperature information measured by a temperature sensor 263 or the like provided in the processing chamber 201, and PID (P: proportional control, I: integral control, D: differential control) control. Was. Then, it has been estimated that the heater 206 is disconnected due to the occurrence of overshoot or overhunting as compared with the normal state. Then, the disconnection / non-disconnection of the heater 206 was actually confirmed by maintenance work or the like. That is, conventionally, the heater disconnection can be detected only indirectly based on the temperature information measured by the temperature sensor 263 or the like.

本実施形態では、ヒータ素線206aのそれぞれに電力を供給して電圧及び電流を測定しているので、ヒータ素線206aの断線/非断線を直接的に検知することができる。   In the present embodiment, power is supplied to each heater wire 206a to measure the voltage and current, and therefore it is possible to directly detect disconnection / non-breakage of the heater wire 206a.

(f)本実施形態によれば、メモリ1b内に設けた共有メモリ5に検知処理のパラメータ
(検知処理の実施有無、出力電力、断線チェック時間、ヒータ領域番号等)及びエラー処理のパラメータ(エラー処理の実施有無、ブザー報知有無、エラー保持)を読み出し可能に書き込む構成としている。これにより、検知処理のパラメータ及びエラー処理のパラメータをファンクションパラメータとして構成でき、主コントローラ14Bの電源を一々オンオフすることなく、変更した検知処理及びエラー処理のパラメータの値をリアルタイムに反映することができる。
(F) According to the present embodiment, detection processing parameters (whether detection processing is performed, output power, disconnection check time, heater area number, etc.) and error processing parameters (error) are stored in the shared memory 5 provided in the memory 1b. The processing execution / non-execution, buzzer notification / error holding, and error holding) are written in a readable manner. As a result, the detection processing parameter and the error processing parameter can be configured as function parameters, and the changed detection processing and error processing parameter values can be reflected in real time without turning on and off the main controller 14B. .

(g)本実施形態によれば、検知処理のパラメータ及びエラー処理のパラメータを、ファンクションパラメータとしてハードディスク1c内に設けた共有メモリ5aに読み出し可能に格納する構成としている。これにより、主コントローラ14の電源を落とした後でも、変更した検知処理及びエラー処理のパラメータの値をファンクションパラメータとして記憶保持することができ、起動後速やかに前回設定したファンクションパラメータで検知処理及びエラー処理を実施することができる。 (G) According to this embodiment, the detection processing parameter and the error processing parameter are stored as function parameters in a readable manner in the shared memory 5a provided in the hard disk 1c. As a result, even after the main controller 14 is turned off, the changed detection processing and error processing parameter values can be stored and held as function parameters. Processing can be performed.

(h)本実施形態によれば、検知処理及びエラー処理の実施の有無を個別に設定することができる。すなわち、検知処理及びエラー処理を、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へと遷移する時と、実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時との両方で実施してもよいし、一方だけで実施するようにしてもよい。なお、検知処理の結果、ヒータ断線エラーが検知されたら、検知処理に引き続いてエラー処理を実施することは言うまでもない。この場合、さらに検知処理及びエラー処理の実施を選択することができる。したがって、基板処理レシピを実施するのに、検知処理及びエラー処理を例えば1回のみ実施とすることが可能であり、不要な処理を省いて基板処理装置100の操作性(使い易さ)が向上し、生産性及び安全性を向上させることができる。 (H) According to the present embodiment, it is possible to individually set whether or not to perform detection processing and error processing. That is, when the detection process and the error process transition from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode), and when the transition from the running state (RUN mode) to the end state (END mode) It is also possible to carry out both of them, or just one of them. Needless to say, if a heater disconnection error is detected as a result of the detection process, the error process is performed following the detection process. In this case, it is possible to further select execution of detection processing and error processing. Therefore, the detection process and the error process can be performed only once, for example, to execute the substrate processing recipe, and the operability (ease of use) of the substrate processing apparatus 100 is improved by omitting unnecessary processes. Thus, productivity and safety can be improved.

(i)本実施形態によれば、エラー処理の要件パラメータ(ブザー報知有無、エラー保持)を個別に設定することができる。すなわち、エラー処理において、例えば実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)へと遷移する時において、ブザー報知のみ実施(エラー保持無し)と設定することにより、ヒータ断線エラーが発生してもブザー6を鳴動させて作業者にヒータヒータ断線エラーの発生を報知するのみとすることができ、ウエハ200の回収をするのにエラー処理を待つ必要がない。これにより、処理済みのウエハ200を速やかに回収することができる。 (I) According to the present embodiment, it is possible to individually set error processing requirement parameters (whether or not buzzer is notified and error holding). That is, in error processing, for example, when a transition from the running state (RUN mode) to the end state (END mode) is made, a heater disconnection error occurs when only buzzer notification is set (no error held). In addition, the buzzer 6 can be sounded to notify the operator of the occurrence of the heater / heater disconnection error, and there is no need to wait for error processing to recover the wafer 200. Thereby, the processed wafer 200 can be quickly recovered.

(j)本実施形態によれば、検知処理の要件パラメータ(出力電力、断線チェック時間、ヒータ領域番号等)を個別に設定することができる。すなわち、検知処理において、例えばヒータ206の分割された複数の領域(例えば5つ)のうち、所望の領域のヒータ素線206aのみ選択し出力電力を設定することで、例えば取り替えたばかりの領域のヒータ素線206aを検知処理から外すことができる。これにより、検知処理の要件パラメータ(出力電力、断線チェック時間、ヒータ領域番号等)を個別に設定することができるので、所望の検知処理を実施することができる。 (J) According to the present embodiment, the requirement parameters (output power, disconnection check time, heater region number, etc.) of the detection process can be individually set. That is, in the detection process, for example, by selecting only the heater wire 206a in a desired region from among a plurality of divided regions (for example, five) of the heater 206 and setting the output power, for example, the heater in the region just replaced The strand 206a can be removed from the detection process. Thereby, since the requirement parameters (output power, disconnection check time, heater area number, etc.) of the detection process can be individually set, a desired detection process can be performed.

<本発明の他の実施形態>
なお、本実施形態では、基板処理装置は成膜処理を実施するように構成されているが、成膜処理は例えばCVD、PVD、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、他の基板処理装置、例えば露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用したCVD装置にも適用できる。また、基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。
<Other Embodiments of the Present Invention>
In this embodiment, the substrate processing apparatus is configured to perform a film forming process. However, the film forming process includes, for example, a process for forming a CVD, PVD, oxide film, and nitride film, and a film containing a metal. It may be a process to do. Further, the specific content of the substrate processing is not questioned, and it may be processing such as annealing processing, oxidation processing, nitriding processing, and diffusion processing as well as film forming processing. The present invention can also be applied to other substrate processing apparatuses such as an exposure apparatus, a lithography apparatus, a coating apparatus, and a CVD apparatus using plasma. Further, although a semiconductor manufacturing apparatus is shown as an example of a substrate processing apparatus, the apparatus is not limited to a semiconductor manufacturing apparatus, and may be an apparatus that processes a glass substrate such as an LCD device.

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.

<本発明の好ましい態様>
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
<Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の第1の態様は、
ヒータにより基板を加熱しつつ、処理条件及び処理手順が定義されたレシピを実行して前記基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記基板処理装置の各部の搬送動作を制御する搬送制御部と、
前記基板処理装置の各部の処理動作を制御する処理制御部と、
前記搬送制御部及び前記処理制御部を制御する主制御部と、を備え、
前記主制御部は、所定のエラー処理を実施するエラー処理部を備え、
前記処理制御部は、
待機状態からレシピを実行可能な状態へ遷移させる指示を前記搬送制御部から受けると、断線検知処理を実施し、前記断線検知処理の結果、
断線エラーを受信しなかったら、前記レシピを実行可能な状態へ移行し、前記レシピの実行指示を待ち、
断線エラーを受信したら、前記レシピを実行可能な状態へ移行することなく、前記主制御部へ断線エラーを通知して前記所定のエラー処理を実施させる
基板処理装置である。
The first aspect of the present invention is:
A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on the substrate by executing a recipe in which processing conditions and processing procedures are defined while heating the substrate with a heater,
A transport control unit that controls the transport operation of each unit of the substrate processing apparatus;
A process control unit for controlling the processing operation of each unit of the substrate processing apparatus;
A main control unit that controls the transport control unit and the processing control unit,
The main control unit includes an error processing unit that performs predetermined error processing,
The processing control unit
When receiving an instruction for transition from the standby state to a state in which the recipe can be executed from the transfer control unit, a disconnection detection process is performed, and as a result of the disconnection detection process,
If a disconnection error is not received, the recipe is transferred to an executable state, and the recipe execution instruction is waited for.
When the disconnection error is received, the substrate processing apparatus notifies the main control unit of the disconnection error and performs the predetermined error processing without shifting to a state where the recipe can be executed.

本発明の第2の態様は、
前記主制御部は、前記基板処理装置の状態が前記待機状態から前記実行可能状態への遷移要求を受けた時、前記断線検知部に前記検知処理を実施させ、
前記断線エラーを受信しなかったら、前記基板処理装置の状態を前記実行可能状態へ遷移させ、
前記断線エラーを受信したら、前記基板処理装置の状態を前記実行可能状態へ遷移させることなく前記エラー処理部に前記エラー処理を実施させる
第1の態様に記載の基板処理装置である。
The second aspect of the present invention is:
When the state of the substrate processing apparatus receives a request for transition from the standby state to the executable state, the main control unit causes the disconnection detection unit to perform the detection process,
If the disconnection error is not received, the state of the substrate processing apparatus is transitioned to the executable state,
The substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein when the disconnection error is received, the error processing unit performs the error processing without changing the state of the substrate processing apparatus to the executable state.

本発明の第3の態様は、
前記断線検知部から通知された前記断線エラーの発生した旨をファイルに読み出し可能に書き込むメモリを備え、
前記エラー処理部は、前記断線エラーの発生した旨を受信したら、前記メモリ内の前記ファイルに前記断線エラーの発生した旨を書き込んで該断線エラーの発生した旨を保持し、前記エラー処理を解除するエラー解除の指示を受信したら、前記ファイルに書き込んだ前記断線エラーの発生した旨を削除する
第2の態様に記載の基板処理装置である。
The third aspect of the present invention is:
A memory for readable reading to a file that the disconnection error notified from the disconnection detection unit has occurred,
When the error processing unit receives the fact that the disconnection error has occurred, the error processing unit writes the fact that the disconnection error has occurred in the file in the memory, holds the fact that the disconnection error has occurred, and cancels the error processing. When the error cancel instruction is received, the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the fact that the disconnection error written in the file has occurred is deleted.

本発明の第4の態様は、
前記断線エラーを報知可能なブザーを備え、
前記エラー処理部は、前記ブザーを鳴動させて前記ヒータの断線を報知する
第1ないし3の態様に記載の基板処理装置である。
The fourth aspect of the present invention is:
A buzzer capable of reporting the disconnection error,
The said error processing part is a substrate processing apparatus as described in the 1st thru | or 3rd aspect which rings the said buzzer and alert | reports the disconnection of the said heater.

本発明の第5の態様は、
所定の操作(入力・設定・編集・・・)を受付ける操作画面(表示部)を有する操作部を備え、
前記操作部は、メンテナンス作業中である旨を前記操作画面に表示可能であり、
前記エラー処理の実施指示を受けた前記エラー処理部の指示により前記メンテナンス作業中である旨の表示をする
第1ないし第4の態様に記載の基板処理装置である。
According to a fifth aspect of the present invention,
An operation unit having an operation screen (display unit) for receiving a predetermined operation (input, setting, editing...)
The operation unit can display on the operation screen that maintenance work is in progress,
The substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein a display indicating that the maintenance work is being performed is displayed in accordance with an instruction from the error processing unit that has received the error processing execution instruction.

本発明の第6の態様は、
前記操作部は、前記エラー処理を解除するエラー解除ボタンの表示を前記操作画面に表示可能であり、
前記エラー処理の実施指示を受けた前記エラー処理部の指示により前記エラー解除ボタンの表示をする
第5の態様に記載の基板処理装置である。
The sixth aspect of the present invention is:
The operation unit can display an error release button display for canceling the error processing on the operation screen,
The substrate processing apparatus according to the fifth aspect, wherein the error cancel button is displayed in accordance with an instruction from the error processing unit that has received the error processing execution instruction.

本発明の第7の態様は、
前記ヒータがそれぞれヒータ素線を備える複数の領域に分割され、
前記ヒータ素線のそれぞれに電力を供給する電力供給部と、
前記電力供給部に接続され、前記ヒータ素線の断線/非断線を検知する断線検知部と、を備え、
前記断線検知部は、前記検知処理の前記実施指示を受けたら、前記ヒータ素線の少なくとも1つに前記電力供給部からの電力を供給させると共に、前記断線検知部に前記検知処理を実施させ、前記断線検知部が検知した検知結果に基づき、断線した前記ヒータ素線の領域を特定する
第2の態様に記載の基板処理装置である。
The seventh aspect of the present invention is
The heater is divided into a plurality of regions each including a heater wire,
A power supply unit for supplying power to each of the heater wires;
A disconnection detecting unit connected to the power supply unit and detecting disconnection / non-disconnection of the heater element wire,
The disconnection detection unit, upon receiving the execution instruction of the detection process, causes at least one of the heater strands to supply power from the power supply unit, and causes the disconnection detection unit to perform the detection process, The substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein a region of the disconnected heater element wire is specified based on a detection result detected by the disconnection detection unit.

本発明の第8の態様は、
前記メモリは、前記検知処理の実施の有無及び前記エラー処理の実施の有無を示すデータを読み出し可能に書き込み可能で、
主制御部は、前記メモリから読み込んだ前記検知処理の実施の有無及び前記エラー処理の実施の有無を示すデータに基づいて前記検知処理の実施の要否及び前記エラー処理の実施の要否を判断する
第3の態様に記載の基板処理装置である。
The eighth aspect of the present invention is
The memory is readable and writable to write data indicating whether or not the detection process is performed and whether or not the error process is performed.
The main control unit determines whether or not to execute the detection process and whether or not to execute the error process based on data indicating whether or not the detection process is performed and whether or not the error process is performed, read from the memory. The substrate processing apparatus according to the third aspect.

本発明の第9の態様は、
複数の領域に分割されたヒータと、
前記ヒータに所定の電力を供給する電力供給器と、
前記電力供給器を制御する温度コントローラと、
前記ヒータに流れる電流を検出する電流検出器と、
前記ヒータにかかる電圧と前記電流検出器が検出する電流とに基づいて、前記ヒータに電力を供給してヒータ素線の断線を検知する断線警報器と、
前記断線警報器が前記ヒータ素線の断線を検知したら出力されるインターロック信号を受け付けるシーケンサと、
前記温度コントローラ及び前記シーケンサを制御する制御部と、
を備えた
断線検知システムである。
The ninth aspect of the present invention provides
A heater divided into a plurality of regions;
A power supply for supplying predetermined power to the heater;
A temperature controller for controlling the power supply;
A current detector for detecting a current flowing through the heater;
Based on the voltage applied to the heater and the current detected by the current detector, a disconnection alarm device that supplies power to the heater to detect disconnection of the heater wire,
A sequencer that accepts an interlock signal that is output when the disconnection alarm detects disconnection of the heater wire; and
A controller for controlling the temperature controller and the sequencer;
Is a disconnection detection system.

本発明の第10の態様は、
基板を処理するために基板処理レシピを実行する実行中状態を含む複数の状態(モード)を有する基板処理装置の基板処理方法であって、
前記基板処理レシピを実行するための準備を行う準備工程と、
前記基板を基板保持具により保持して前記基板保持具を処理炉内に投入するボートロードステップと、ヒータにより前記処理炉内の温度を待機温度から処理温度へ昇温し、前記処理炉内へのガスの供給を所定のガス流量に安定させると共に前記処理炉内の圧力を所定
の処理圧力で一定にする準備ステップと、前記処理炉内で前記基板に所定の処理を施すための処理ステップと、前記処理炉内の温度を前記処理温度から前記待機温度へ降温する降温ステップと、前記基板保持具を前記処理炉内から取り出すボートアンロードステップとで構成される基板処理工程と、
前記基板処理レシピの開始前に前記ヒータの断線を検知し、前記ヒータが断線していたらヒータ断線検知エラーを発生するヒータ断線検知工程と、
を有し、
前記ヒータ断線検知工程において、前記ヒータ断線検知エラーが発生したら、前記状態(モード)を実行可能状態へ遷移せずに予め設定された所定のエラー処理を実施する
基板処理方法である。
The tenth aspect of the present invention provides
A substrate processing method of a substrate processing apparatus having a plurality of states (modes) including a running state for executing a substrate processing recipe to process a substrate,
A preparation step for preparing for executing the substrate processing recipe;
A boat loading step in which the substrate is held by a substrate holder and the substrate holder is put into a processing furnace, and a temperature in the processing furnace is raised from a standby temperature to a processing temperature by a heater, and the processing furnace enters the processing furnace. A preparatory step of stabilizing the gas supply at a predetermined gas flow rate and making the pressure in the processing furnace constant at a predetermined processing pressure, and a processing step for performing a predetermined processing on the substrate in the processing furnace; A substrate processing step comprised of a temperature lowering step for lowering the temperature in the processing furnace from the processing temperature to the standby temperature, and a boat unloading step for taking out the substrate holder from the processing furnace;
A heater disconnection detection step of detecting a disconnection of the heater before the start of the substrate processing recipe, and generating a heater disconnection detection error if the heater is disconnected,
Have
In the heater disconnection detection step, when a heater disconnection detection error occurs, the substrate processing method performs predetermined error processing set in advance without transitioning the state (mode) to an executable state.

4 エラー処理部
11 搬送系コントローラ(搬送制御部)
12 プロセス系コントローラ(処理制御部)
14 主コントローラ(主制御部)
100 基板処理装置
200 ウエハ(基板)
206 ヒータ
4 Error processing section 11 Transport system controller (transport control section)
12 Process controller (Processing control unit)
14 Main controller (main control unit)
100 substrate processing apparatus 200 wafer (substrate)
206 Heater

Claims (1)

ヒータにより基板を加熱しつつ、処理条件及び処理手順が定義されたレシピを実行して前記基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記基板処理装置の各部の搬送動作を制御する搬送制御部と、
前記基板処理装置の各部の処理動作を制御する処理制御部と、
前記搬送制御部及び前記処理制御部を制御する主制御部と、を備え、
前記主制御部は、所定のエラー処理を実施するエラー処理部を備え、
前記処理制御部は、
待機状態からレシピを実行可能な状態へ遷移させる指示を前記搬送制御部から受けると、断線検知処理を実施し、前記断線検知処理の結果、
断線エラーを受信しなかったら、前記レシピを実行可能な状態へ移行し、前記レシピの実行指示を待ち、
断線エラーを受信したら、前記レシピを実行可能な状態へ移行することなく、前記主制御部へ断線エラーを通知して前記所定のエラー処理を実施させる
ことを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on the substrate by executing a recipe in which processing conditions and processing procedures are defined while heating the substrate with a heater,
A transport control unit that controls the transport operation of each unit of the substrate processing apparatus;
A process control unit for controlling the processing operation of each unit of the substrate processing apparatus;
A main control unit that controls the transport control unit and the processing control unit,
The main control unit includes an error processing unit that performs predetermined error processing,
The processing control unit
When receiving an instruction for transition from the standby state to a state in which the recipe can be executed from the transfer control unit, a disconnection detection process is performed, and as a result of the disconnection detection process,
If a disconnection error is not received, the recipe is transferred to an executable state, and the recipe execution instruction is waited for.
When a disconnection error is received, the substrate processing apparatus is configured to notify the main control unit of a disconnection error and perform the predetermined error processing without shifting to a state where the recipe can be executed.
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