JP2011228689A5 - - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 4
Claims (6)
- 第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方の第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜の上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上方の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記酸化物半導体膜との上方の第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜の上方の第２の絶縁膜とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第１の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有し、
前記第２の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。 - 第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方の第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜の上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上方の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記酸化物半導体膜との上方の第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜の上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の金属酸化物膜の上方の第２のゲート電極とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第１の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有し、
前記第２の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１又は請求項２において、
前記第１の金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップより大きく、
前記第２の金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜のエネルギーギャップは、前記第１の金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きく、
前記第２の絶縁膜のエネルギーギャップは、前記第２の金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーより高く、
前記第２の金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記第１の金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高く、
前記第２の絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記第２の金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
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