JP2014030012A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. 絶縁表面上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、
   前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層とを有し、
   前記第２の酸化物半導体層と前記第１の酸化物半導体層との界面近傍では、それぞれの伝導帯下端のエネルギーが連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面上の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、
   前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層とを有し、
   前記第２の酸化物半導体層と前記第１の酸化物半導体層との界面近傍では、それぞれの伝導帯下端のエネルギーが連続的に変化し、
   前記第２の酸化物半導体層と前記第３の酸化物半導体層との界面近傍では、それぞれの伝導帯下端のエネルギーが連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２において、
   前記第１の酸化物半導体層の膜厚は、前記第２の酸化物半導体層より小さいことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記絶縁表面と前記第１の絶縁層との間に、ゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２の絶縁層上に、ゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層を有し、前記第３の絶縁層は窒化物絶縁膜であり、前記第２の絶縁層は、酸化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。