JP2011061116A5

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Publication number: JP2011061116A5
Application number: JP2009211414A
Authority: JP
Filing date: 2009-09-14
Publication date: 2012-08-16
Anticipated expiration: 2029-09-14

Description

上記課題を解決するため、本発明は半導体装置に係り、表面側に接続電極を備えた半導体チップと、前記半導体チップの周囲を封止すると共に、前記半導体チップの背面から下側に厚みをもって形成されて、下面が前記半導体チップの背面より下側に配置された樹脂基板と、前記半導体チップの表面側及び前記樹脂基板の上面側に形成され、前記接続電極に直接接続された配線層とを有することを特徴とする。

Claims

表面側に接続電極を備えた半導体チップと、
前記半導体チップの周囲を封止すると共に、前記半導体チップの背面から下側に厚みをもって形成されて、下面が前記半導体チップの背面より下側に配置された樹脂基板と、
前記半導体チップの表面側及び前記樹脂基板の上面側に形成され、前記接続電極に直接接続された配線層とを有することを特徴とする半導体装置。
前記樹脂基板の下面に、前記半導体チップの背面を露出する開口部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記樹脂基板は前記半導体チップの背面内の一部を被覆して形成され、前記半導体チップの背面上に前記樹脂基板の開口部が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
前記樹脂基板の前記開口部は複数に分割されて配置されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
前記樹脂基板の開口部に樹脂が設けられていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記半導体チップの表面側及び前記樹脂基板の上面側を被覆して形成された絶縁層を有し、
前記配線層は、前記絶縁層の上面側に形成され、前記絶縁層に形成されたビアホールを介して前記接続電極に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記樹脂基板の開口部に、前記半導体チップの背面に接続される放熱部が設けられていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記放熱部は銅からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
前記半導体チップの接続電極は上側に突出しており、前記接続電極の間の領域に前記樹脂基板の樹脂が充填されており、
前記配線層は前記樹脂基板の上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
凸部が設けられた支持板を用意する工程と、
半導体チップをその接続電極を上側に向けて前記凸部の上に配置する工程と、
前記支持板上から前記半導体チップの周囲に、前記接続電極を露出させた状態で樹脂基板を形成する工程と、
前記半導体チップ及び前記樹脂基板の上に、前記接続電極に直接接続される配線層を形成する工程と、
前記支持板を除去することにより、前記半導体チップの周囲を封止すると共に、前記半導体チップの背面内から下側に厚みをもつ前記樹脂基板を得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記樹脂基板を得る工程において、
前記樹脂基板の下面に、前記半導体チップの背面を露出する開口部が配置されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
前記樹脂基板を得る工程において、
前記樹脂基板は前記半導体チップの背面内の一部を被覆して形成され、前記半導体チップの背面上に前記樹脂基板の開口部が配置されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
前記樹脂基板を得る工程において、
前記樹脂基板の前記開口部は複数に分割されて配置されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体装置の製造方法。
前記樹脂基板を得る工程の後に、
前記樹脂基板の開口部に樹脂を形成する工程を有することを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体チップの接続電極は上側に突出しており、
前記樹脂基板を形成する工程において、前記接続電極の間の領域に前記樹脂基板の樹脂が充填され、
前記配線層を形成する工程において、前記配線層は前記樹脂基板の上に形成されることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記凸部が設けられた支持板を用意する工程において、
金属基板を厚み方向の途中までエッチングして前記凸部を設けることにより前記支持体を形成し、
前記支持板を除去する工程において、
前記凸部を同時に除去して前記半導体チップの背面側を露出させるか、あるいは前記凸部を残して前記半導体チップの背面に接続される放熱部として利用することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
前記凸部が設けられた支持板を用意する工程において、
前記支持板の上に放熱部となる前記凸部を設け、
前記支持板を除去する工程において、
前記凸部に対して前記支持板を選択的に除去することにより、前記半導体チップの背面に接続される前記放熱部を得ることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
前記配線層を形成する工程は、
前記半導体チップ及び前記樹脂基板の上に絶縁層を形成する工程と、
前記半導体チップの接続電極に到達するビアホールを前記絶縁層に形成する工程と、
前記ビアホールを介して前記接続電極に接続される前記配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体チップの面積は、前記支持板に設けられた前記凸部の面積と同等以上であることを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。