JP2010278121A5 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本実施の形態の金属領域（配線）は、シングルダマシン法またはデュアルダマシン法により形成することができる。
なお、本発明は、以下の態様を含む。
（付記１）
基板上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜を設ける工程と、
選択的エッチングにより前記膜に孔を設けるとともに、前記孔の内部に金属膜を設ける工程と、
還元ガス雰囲気中で、前記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、前記膜に紫外線を照射して、多孔質膜を得る工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記還元ガスが、ＳｉまたはＨを含むガスである、付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記還元ガスが、炭化水素、シロキサン、有機シランおよび水素からなる群から選択される少なくとも一種を含むガスである、付記１または２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記シロキサンは、環状シロキサンまたはメチルシロキサンを含む、付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記環状シロキサンは、オルガノシラン基を持つテトラメチルシクロテトラシロキサンまたはオクタメチルシクロテトラシロキサンを含む、付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記メチルシロキサンは、ジメチルジオキシシリルシクロヘキサン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルメトキシシランおよびメチルトリエチルシランからなる群から選択される少なくとも一種を含む、付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記有機シランは、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルジメチルアミンおよびヘキサメチルジシラザンからなる群から選択される少なくとも一種を含む、付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記ポロジェンが、ＣまたはＨを含む、付記１から７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
基板と、
前記基板上に設けられた、多孔質膜と、
前記多孔質膜に設けられた、孔と、
前記孔の内部に設けられた金属膜と、を含み、
前記金属膜近傍の前記多孔質膜の応力は、圧縮応力である、半導体装置。
（付記１０）
前記多孔質膜は、Ｓｉ、ＯおよびＣを構成元素として含む膜または、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＨを構成元素として含む膜である、付記９に記載の半導体装置。
（付記１１）
前記多孔質膜は、ＳｉおよびＯを主成分として含む、付記９または１０に記載の半導体装置。

Claims (1)

1. 基板上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜を設ける工程と、
   選択的エッチングにより前記膜に孔を設けるとともに、前記孔の内部に金属膜を設ける工程と、
   還元ガス雰囲気中で、前記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、前記膜に紫外線を照射して、多孔質膜を得る工程と、を含む、半導体装置の製造方法。