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JP2008288569A5 - - Google Patents

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  1. 質量分離したハロゲン原子のイオン種を単結晶半導体基板に照射して、該単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
    前記単結晶半導体基板上に、化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成し、
    前記単結晶半導体基板と絶縁表面を有する基板とを、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
    熱処理により前記脆化層を劈開面として前記絶縁表面を有する基板から前記単結晶半導体基板を分離して、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  2. 請求項１において、前記質量分離したハロゲン原子のイオン種を前記単結晶半導体基板に照射した後、さらに質量分離した水素イオンを前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  3. 水素原子を質量分離して得られるＨ３ ＋イオンを単結晶半導体基板に照射して、該単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
    前記単結晶半導体基板上に、化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成し、
    前記単結晶半導体基板と絶縁表面を有する基板とを、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
    熱処理により前記脆化層を劈開面として前記絶縁表面を有する基板から前記単結晶半導体基板を分離して、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記単結晶半導体基板にイオンを照射する前に、前記単結晶半導体基板の表面に窒素含有絶縁層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  5. 請求項４において、前記窒素含有絶縁層を、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜若しくは酸化窒化シリコン膜から選ばれた一の層、又は複数の膜の積層で形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一において、前記酸化シリコン膜を、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルシラン（ＴＭＳ：（ＣＨ３）３ＳｉＨ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、またはトリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）から選ばれた有機シランガスを用いて形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記酸化シリコン膜を形成する温度を３５０℃以下とし、前記熱処理の温度を４００℃乃至６００℃とすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
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