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JP2010008654A - 有機el画像表示装置 - Google Patents

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JP2010008654A
JP2010008654A JP2008167039A JP2008167039A JP2010008654A JP 2010008654 A JP2010008654 A JP 2010008654A JP 2008167039 A JP2008167039 A JP 2008167039A JP 2008167039 A JP2008167039 A JP 2008167039A JP 2010008654 A JP2010008654 A JP 2010008654A
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JP2008167039A
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Chikatomo Takasugi
親知 高杉
Kohei Ebino
浩平 戎野
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Kyocera Corp
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Abstract

【課題】小型化、高輝度かつ高精度の画質といった複数の要求に応えることが可能なアクティブマトリクス型の有機EL画像表示装置を提供する。
【解決手段】
基板上に、マトリクス状に配列された複数の画素と、該各画素に沿ってそれぞれ交差して配設される複数の走査線および複数の信号線と、該信号線と並設される複数の給電線と、を備えており、前記各画素は、第1トランジスタと、保持容量と、第2トランジスタと、前記給電線から供給された電流によって発光する有機EL素子と、を備える画像表示装置において、前記複数の画素は、奇数種類の色の画素列が前記走査線の延設方向に順次配列されており、前記給電線は、前記奇数種類の色の画素列のうち、2色の画素列に共通して通電を行う共通給電線と、1色の画素列に通電を行う単独給電線と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図7

Description

本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話等に用いられ、発光素子およびトランジスタを有するアクティブマトリクス型の画像表示装置に関する。
従来、発光層に注入された正孔と電子とが再結合することによって光を発する電流制御型の有機EL(Electroluminescence)素子を用いた有機EL画像表示装置が提案されている。
この有機EL画像表示装置は、基板上に形成されたアモルファスシリコンや多結晶シリコン等で形成された薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと略す)や上述の有機EL素子等が各画素を構成しており、各画素に適切な電流値が設定されることより、輝度が制御されている。
具体的には、基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素と、各画素に走査信号を供給する走査線と、走査線と交差するように配され輝度に対するデータ信号を各画素に配給する信号線と、各画素に通電を行う給電線とを備えている。
次に、従来の各画素における回路を図9を参照して説明する。この画素回路は、有機発光素子OLED、駆動トランジスタTd、閾値電圧検出トランジスタTth、保持容量Csを備えている。走査線20は閾値検出トランジスタTthのゲートと接続され、信号線30は保持容量Csと接続され、有機発光ダイオードOLEDのアノード側は給電線40が接続され、カソード側は駆動トランジスタTdのドレインおよび閾値電圧検出トランジスタTthのドレインがそれぞれ接続されている。そして、駆動トランジスタのゲートに印加される電流量に基づき、有機EL素子(有機EL発光ダイオード)OLEDに電流が流れ発光する(例えば、特許文献1参照)。
当該有機EL画像表示装置においては、小型化、高輝度かつ高精度の画質といった複数の性能が求められている。これに応えるために、マトリクス状に配列された各画素のうち、隣り合う2つの画素の一方の回路配置を給電線と直交する方向において順に反転させて、給電線を中心にそれぞれ対称に配置し、隣り合う2つの画素列を1つの給電線で通電する技術が開示されている。これにより、1列の画素群ごとに給電線を形成する場合と比較して、給電線の形成領域を狭めることができるため、画素回路の高機能化が可能となる。また、ボトムエミッションタイプの場合、画素の発光領域を拡張することができ、輝度の向上を図ることができる(例えば、特許文献2参照)。
特開2004−252110号公報 特開平11−24606号公報
しかし、上記有機EL画像表示装置においては次のような問題があった。例えば、画素が赤、緑、青の3色からなるような奇数の色種を備えており、これらを給電線40と直交する方向に順次配列したものに上述の技術を用いた場合、赤、青、緑の画素が順次反転される。
そして、駆動トランジスタTdや閾値電圧検出トランジスタTthの薄膜トランジスタはフォトリソグラフィ法によって形成されるが、当該薄膜トランジスタ形成時においてフォトマスクの位置ズレが発生すると、通常の画素と反転した画素では特性が異なったものが形成されてしまう。その結果、例えば、奇数番目の通常の画素が明るくなり、偶数番目の画素が暗くなったりする。ここで、絵素内における3画素は赤、緑、青と並んでいるため、通常の画素回路配置を(通常)、反転させた画素回路配置を(反転)として、給電線と直交する方向に配列される画素を順に示すと、1絵素目[赤(通常)、緑(反転)、青(通常)]、2絵素目[赤(反転)、緑(通常)、青(反転)]…となる。
上記において赤の単色表示を行うと、奇数番目の絵素は明るくなり、偶数番目の絵素は暗くなるため、絵素1列おきに縦縞が視認されてしまう。また、白表示を行うと奇数番目の絵素は赤画素と青画素が明るくなり、緑画素が暗いためマゼンダのような色になり、偶数番目の絵素は緑画素が明るくなり、赤画素および青画素が暗くなるため緑色が強くなる。その結果、絵素1列おきにマゼンダと緑が交互に表示されることとなり、画質が低下してしまう。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、画質の低下を抑制することができるアクティブマトリクス型の有機EL画像表示装置を提供する。
本発明にかかる有機EL画像表示装置は、基板上に、マトリクス状に配列された複数の画素と、該各画素に沿ってそれぞれ交差して配設される複数の走査線および複数の信号線と、該信号線と並設される複数の給電線と、を備えており、前記各画素は、前記走査線からの走査信号が供給される第1トランジスタと、前記信号線から供給される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が供給される第2トランジスタと、前記給電線から供給された電流によって発光する有機EL素子と、を備える画像表示装置において、前記複数の画素は、奇数種類の色の画素列が前記走査線の延設方向に順次配列されており、前記給電線は、前記奇数種類の色の画素列のうち、2色の画素列に共通して通電を行う共通給電線と、1色の画素列に通電を行う単独給電線と、を備えたことを特徴とする。
また、上記発明において、前記信号線から供給される画像信号は、前記色種ごとに輝度の補正がなされていることが好ましい。
また、上記発明において、前記第2トランジスタは、前記奇数種類の色の画素列において、2色画素に跨って形成された共通第2トランジスタを備えていることが好ましい。
また、上記発明において、記奇数種類の色の画素が、赤、緑、青の3色であることが好ましい。
また、上記発明において、前記輝度補正手段は、全画素を同時に補正することが好ましい。
また、上記発明において、前記共通給電線を挟んで形成される2色の画素の回路配置は、前記共通給電線を中心に略線対称であることが好ましい。
さらに、上記発明において、前記共通第2トランジスタは、前記共通給電線を中心に略線対称であることが好ましい。
本発明によれば、奇数種類の色の画素列が順次配置されている場合に、トランジスタの特性に起因する輝度の変化も画素の色種ごととなる。そのため絵素単位での見え方が均一化されるため、画質の劣化を抑制することができる。また各色種で補正ができるため、輝度の補正が容易に行うことが可能となる。
以下に本発明の一実施形態にかかる有機EL表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、図面は本発明の理解を容易にするための概略図であり、実際の寸法および縮尺とは異なる場合がある。
また、本明細書における「ゲート電圧」とは、トランジスタに関し、ソースの電位を基準としたソースとゲートとの電位差をいう。また、本明細書における「トランジスタの閾値電圧」とは、トランジスタがオフ状態(いわゆるドレイン電流が流れない状態)からオン状態(ドレイン電流が流れる状態)に移り変わるときの境界となるゲート電圧をいう。
[第1実施形態]
<画像表示装置の概略構成>
図1は、本発明の実施形態に係る有機EL画像表示装置120を用いた携帯電子機器100の概略構成を示す図である。
携帯電子機器100は、本体部110と有機EL画像表示装置120とを備えており、特に限定はないが、当該実施形態では携帯電話を例示して説明する。有機EL画像表示装置120には、動画や静止画等の各種画像が表示される。
本体部110は、通信機能、バッテリー等の給電機能および操作部等を備えている。
有機EL画像表示装置120は、例えば、複数の有機EL素子を備える略長方形の外形を有する表示部および本体部110より供給される各種信号が入力されるドライバ手段を備えている。なお、有機EL素子は、有機材料に電流を流すことで自らが発光する自発光型の発光素子をいう。
また、有機EL画像表示装置120は、信号線30と、走査線20とを備えている。信号線30は、発光輝度に対応する画像信号(例えば、画素ごとでは、画素データ信号)に応じた電位を各画素に供給する。また、走査線20は、画像信号線に対して略直行するように設けられ、各画素に走査信号を供給する。なお、走査信号は、信号線を介して画素データ信号に応じた電荷を各画素に蓄積されるタイミングを制御する信号である。
そして、ドライバ手段は、Xドライバ(画像信号線駆動回路)Xdと、YドライバYdと、を備えている。XドライバXdは信号線30に対して電気的に接続され、画像データ信号に応じた電位を信号線に供給するタイミングを制御する。また、YドライバYdは、走査線20に対して電気的に接続され、走査信号を走査線20に供給するタイミングを制御する。
<有機EL画像表示装置の構成>
図2は、第1実施形態に有機EL画像表示装置120の機能構成を例示する概略図である。有機EL画像表示装置120は、制御部70、XドライバXd、YドライバYd、表示部10および電源部50を備えている。
制御部70は、有機EL画像表示装置120の動作を統括制御する。この制御部70は、CPU、RAMおよびROM等を備えており、例えばROM等に格納されたプログラムをCPUが読み込んで実行することで、各種動作や制御を実現する。なお、制御部70はXドライバXdおよびYドライバYdからの信号の送出を制御する機能も有している。
表示部10は、複数の画素80がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス型を有している。なお画素80は奇数種類の発光色、具体的には、赤、緑、青の3色を有しており、当該3つの画素80が1つの絵素90を構成している。
図2における左上の画素に、各画素における画素回路の一例を示す。なお、他の画素も同様の画素回路を有しているが、図面では省略している。当該画素回路は、有機EL素子OLEDと、第1トランジスタTthと、第2トランジスタTdと、保持容量Csと、を備えている。
有機EL素子OLEDは、有機材料などから構成された発光層を有し、該発光層に流れる電流量によって輝度が変化する発光素子である。この有機EL素子OLEDは、アノード電極とカソード電極を有している。そして、アノード電極は有機EL素子の発光時に相対的に高い電圧を付与する電源に電気的に接続される。一方、カソード電極は有機EL素子の発光時にアノード電極に付与される電圧よりも低い電圧を付与する電源に接続される。なお、本実施形態においては、アノード電極が給電線40を介して電源部50と電気的に接続されており、カソード電極が第2トランジスタ(駆動トランジスタ)のソース−ドレインを介して電源線45と電気的に接続されている。なお、電源線45はグランドに置き換えることも可能である。
第1トランジスタTthと第2トランジスタTdは、キャリアが電子であるタイプ(n型)のMIS(Metal Insulator Semiconductor)構造を採用した電界効果トランジスタ(FET : Field Effect Transistor)の一種である薄膜トランジスタ(TFT : Thin Film Transistor)、すなわち、n−MISFETTETによって構成されている。
第1トランジスタ(閾値電圧検出トランジスタ)Tthは、ゲートが走査線20と電気的に接続されている。また、ソース又はドレインとなる一方の端子が保持容量Csと電気的にされ、他方の端子が有機EL素子OLEDのカソード電極と、第2トランジスタのソース又はドレインの一方の端子と電気的に接続される。
また、第1トランジスタTthは、走査線20からゲートに付与される電位、具体的にはゲート−ソース間に印加される電圧値が調整されることで、ソース−ドレイン間に流れる電流の量が調整される。またゲートに付与される電位によりソース−ドレイン間において電流が流れ得る状態(通電状態)と、電流が流れ得ない状態(非通電状態)とに選択的に設定される。
第2トランジスタ(駆動トランジスタ)Tdは、ゲートが保有容量Csを介して信号線30に接続されている。また、ソース又はドレインとなる一方の端子が有機EL素子OLEDを介して給電線40と接続されており、他方の端子が電源線45と電気的に接続されている。有機EL素子OLEDが発光する際、すなわち有機EL素子OLEDに順方向電流が流れる際には、一方の端子がドレインとして、他方の端子がソースとしてそれぞれ機能する。
また、第2トランジスタTdは、ゲートに付与される電位、より詳細にはゲート−ソースの間に印加される電圧値が調整されることで、ソース−ドレイン間において流れる電流が調整される。そして、当該ゲート−ソース間において流れる電流量の調整に伴い、有機EL素子OLEDに流れる電流量が制御される。また、ゲートに付与される電位により、ソース−ドレイン間において電流が流れ得る状態(導通状態)と、電流が流れ得ない状態(非導通状態)とに選択的に設定される。
また、第2トランジスタTdには、導通状態となる場合のゲート電圧(具体的には、第2トランジスタTdの導電状態におけるソースの電位を基準としたゲート−ソース間の電位差)Vgsの下限値(第2トランジスタの閾値電圧)Vthが存在する。
ここで、有機EL素子OLEDは、電流値によって発光輝度が制御されているため、発光時における第1トランジスタTdはゲート電圧Vgsの揺らぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、第2トランジスタTdがアモルファスシリコンを用いて構成されている場合には、第2トランジスタTdごとに閾値電圧Vthが異なる傾向にある。よって、画素ごとに異なる閾値電圧Vthを補償する機能(Vth補償機能)を持たせないと、所定の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間での発光輝度のムラが生じてしまう。
そこで、有機EL画像表示装置120においては、発光前に各画素において第2トランジスタTdのゲート電圧Vgsを閾値電圧Vthに応じた値とすることで、第2トランジスタTdにおける閾値電圧Vthのバラツキを補償する処理(Vth補償処理)を実現するために、第1トランジスタTthが設けられている。具体的には、まず補助容量Csを充電し、次に第1トランジスタTthをオンにして第2トランジスタTdのソースとドレインを接続する。これにより補助容量CsからTdを通って放電させ、Tdのゲート電位が閾値電圧Vthになるまで低下させ、こうして検出したVthに画像信号電圧を加えることで、第2トランジスタTdの閾値電圧Vthを補償する。
保持容量Csは、一方の電極が信号線30と電気的に接続されており、他方の電極が第
1トランジスタTthのソースまたはドレインのいずれか一方および第2トランジスタTdのゲートと電気的に接続されている。
XドライバXdは、制御部70からの信号に応答して、信号線30に対して画像信号に応じた電位を供給する。なお、制御部70は例えば外部から送信されてくる画像データに同期させて、XドライバXdから各信号線30に対する画像信号に応じた電位の供給タイミングを制御する信号をXドライバXdに対して送出する。また、有機EL素子OLEDを発光させるための電位の調整段階では、XドライバXdは、制御部70からの信号に応答して、信号線30に対して所定の基準電位と所定の高電位を選択的に付与する。
YドライバYdは、制御部70からの制御信号に応じた波形で、走査線20に対して走査信号に対応する電位を付与する。
また、制御部70は画素80の色ごとに輝度の補正を行う輝度補正手段を備えている。具体的には、製造時あるいは駆動中に各色の画素80に対応する有機EL素子に流れる電流値または輝度を測定し、制御部70において各画素の色種ごとにγ補正を行い、当該補正を行った画像信号を、XドライバXdを経由して各信号線30に供給し、輝度を補正する。
<画素の具体的構成>
図3および4は参考例にかかる有機EL画像表示装置における画素回路のレイアウトを示す拡大平面図である。画素回路は、基板上に走査線20、信号線30、給電線40、電源線45、第1トランジスタTth、第2トランジスタTd、保持容量Csがそれぞれ配置されている。当該画素回路上には、有機材料からなる平坦化膜(図示せず)が形成されており、平坦化膜上には、アノード電極とカソード電極に挟まれた発光層(図示せず)が形成されている。なお、同一のハッチングが付されているものは、同じものを示しており符号を省略している。
信号線30は、図3の上下方向に延設されている。当該信号線30の幅が広く形成されている箇所は保持容量Csとして機能する。走査線20は、図3の左右方向(すなわち、信号線30と交差する方向)に延設されている。 給電線40は、信号線30と同じく図3の上下方向に延設され、信号線30と並んで設置されている。信号線30、走査線20、給電線40は、各画素に沿って複数本配列されている。そして、1つの画素は、信号線30、走査線20、給電線40からの信号および電圧が付与されている。
各画素の走査線20上には、第1トランジスタTthがそれぞれ形成されている。当該第1トランジスタTthは、一端が平坦化膜に設けられた穴構造を有するコンタクト部60から発光層と電気的に接続されている。また、他端は下側に形成された電極と電気的に接続されている。
給電線40上には、第2トランジスタTdがそれぞれ形成されている。なお給電線40と有機EL素子OLEDの電極とを接続するコンタクトホール部分では、給電線40の幅が広く形成されている
図3に記載のレイアウトにおいては、各画素80にそれぞれ第2のトランジスタがおよび給電線40を設ける必要があるため、画素回路配置や高機能化を図ることが困難であった。
そこで、図4に示すような画素回路のレイアウトを行うことが考えられる。当該レイアウトは、走査線20の配列方向に沿って配列された各画素において、1つおきに画素80の回路配置を反転させている。すなわち、奇数列の画素回路は通常の配置となっており、偶数列の画素の回路配置は給電線40を基準に略線対称(反転配置)となっている。
そして、当該レイアウトに伴い隣り合う2列の画素群ごとに1本の給電線40で駆動することが可能となる。そのため、1列の画素群ごとに1本の給電線40を形成する場合と比較して基板上における給電線40の形成領域を狭くすることができる。そのため、空いたスペースに別の回路部材の配置が可能になり、またレイアウトの自由度が向上する。さらに、ボトムエミッションタイプにおいては、有機EL素子OLEDの発行領域を拡張することができため、図3に記載のレイアウトと比較して輝度の向上を図ることができる。
しかし、図4に記載のレイアウトでは、次のような問題がある。第1トランジスタTthや第2トランジスタTdの薄膜トランジスタはフォトリソグラフィ法によって形成されるが、当該薄膜トランジスタ形成時においてフォトマスクの位置ズレが発生すると、通常の画素回路と反転した画素回路では特性が異なったものが形成されてしまう。
上述のように画素回路の特性が異なってしまった場合において、画素80が奇数種類の色の画素を有しており、当該奇数種類の色の画素80から1つの絵素90を構成するものにおいては、奇数番目の通常の画素80が明るくなり、偶数番目の画素回路が反転された画素80が暗くなるといった不具合が発生することがある。図5に、その一例を示す。図5は、赤、緑、青の3種類の色の画素80を有しており、当該3色の画素80から1つの絵素を構成している。ここで、奇数の画素80が通常の配置であり、偶数の画素回路が反転された配置であった場合に、奇数の画素80が明るく、偶数の画素80が暗くなったとする(暗くなる画素を点線括弧で囲われたAとして示す)。
すると、走査線20が延設された方向に配列される画素80を順に示すと、1絵素目[赤色R(通常)、緑色G(反転)、青色B(通常)]、2絵素目[赤色R(反転)、緑色G(通常)、青色B(反転)]…となる。この場合において赤の単色表示を行うと、図6に示すように、奇数番目の絵素は明るくなり、偶数番目の絵素90は暗くなるため、絵素90が1列おきに縦縞が視認されてしまう(暗くなる列の絵素90を点線括弧で囲われたBとして示す)。また、白表示を行うと奇数番目の絵素90は赤画素と青画素が明るくなり、緑画素が暗いためマゼンダのような色になり、偶数番目の絵素90は緑画素が明るくなり、赤画素および青画素が暗くなるため緑色が強くなる。その結果、絵素1列おきにマゼンダと緑が交互に表示されることとなり、画質が低下してしまう。
このような画質の低下を防ぐには、制御部70におけるγ補正等により各画素の輝度を修正することが考えられる。しかし、明るさが異なる画素80が、複数の色に及んでいるため、γ補正の改善は困難となる。
そこで、本実施形態では、図6に示すような画素回路のレイアウトを用いている。なおレイアウト上、図3と共通する部分については説明を省略する。当該レイアウトにおいては、奇数種類の色の画素80が走査線20の延設方向に順次配列されている。また奇数種類の色の画素のうち、2色の画素に共通して給電を行う共通給電線42と、1色の画素に給電を行う単独給電線41とを備えている。具体的には、走査線20の延設方向に沿って1種類の色の画素回路を、共通給電線42を基準に略線対称に反転させることにより、1絵素目[赤色R(通常)、緑色G(通常)、青色B(反転)]、2絵素目[赤色R(通常)、緑色G(通常)、青色B(反転)]…といった配置に形成している。
そのため、本実施形態においては、通常の画素80と画素回路を反転させた画素80が色種ごとに分けることができる。従って、図7に示すように通常の画素80および画素回路が反転された画素80のうち、一方の色種の画素80が明るくなり、他方の色種の画素80が暗くなったとしても(図8においては、点線括弧で囲ったC)、絵素ごとの画質を低下させるおそれが低減される。また、絵素列同士で比較した場合であっても、同様の見え方になるため、縦縞が見えるため画質が低下するといった問題を低減することができる。
また、輝度の変化が、画素の色種ごとであるため、制御部70において色種ごとにγ補正を行うことにより、さらなる画質向上を容易に行うことができる。すなわち、本実施形態においては、小型化を実現しつつ、画素の反転による輝度向上の効果を得つつ、画質の向上を図ることが可能となる。また、当該構成においては、輝度補正手段により全画素を同時に補正することが可能であり、補正時間を短縮することができる。また、補正が単純化できることから、輝度補正手段の構成を容易することができるため好ましい。
さらに、本実施形態においては、図6に示すように、共通給電線42においては隣り合う2つの画素、すわなち、通常の画素80と反転された画素80とに跨って形成される共通第2トランジスタTd2を備えている。これにより、基板上のスペースを有効に活用することでき、有機EL素子OLEDの更なる開口領域(発光領域)の拡張が可能になる。
また、上記共通第2トランジスタTd2が、共通給電線42を中心に略線対称であることが好ましい。これにより、薄膜トランジスタ形成時においてフォトマスクの位置ズレに起因する特性の変化が、通常の画素80と、反転させた画素80とで明確になり易く、制御部70における輝度補正が容易となる。
本発明にかかる有機EL画像表示装置は、例えば携帯電話やパーソナルコンピュータ等の携帯情報端末の表示部として用いることができる。本発明を用いることにおり、小型化を実現しつつ、画素回路の反転による輝度向上の効果を得つつ、画質の向上させることができる。
本発明の一実施形態にかかる有機EL画像表示装置を用いた電子携帯機器の概略図である。 本発明の一実施形態にかかる有機EL画像表示装置の機能構成を例示する概略図である。 参考例にかかる有機EL画像表示装置における画素部分のレイアウトを示す拡大平面図である。 参考例にかかる有機EL画像表示装置における画素部分のレイアウトを示す拡大平面図である。 参考例における絵素3つを拡大した概略図である。 参考例における画素が配列された状態を示す概略図である。 本発明の一実施形態にかかる有機EL画像表示装置の画素部分のレイアウトを示す拡大平面図である。 本発明の一実施形態にかかる有機EL画像表示装置の絵素3つを拡大した概略図である。 従来の有機EL画像表示装置の画素回路を示す概略図である。
符号の説明
100:携帯電子機器
110:本体部
120:有機EL画像表示装置
Xd:Xドライバ
Yd:Yドライバ
OLED:有機EL素子
Tth:第1トランジスタ(閾値電圧検出トランジスタ)
Td:第2トランジスタ(駆動トランジスタ)
Td2:共通第2トランジスタ
Cs:保持容量
10:表示部
20:走査線
30:信号線
40:給電線
41:単独給電線
42:共通給電線
45:電源線
50:電源部
70:制御部
80:画素
90:絵素

Claims (7)

  1. 基板上に、マトリクス状に配列された複数の画素と、該各画素に沿ってそれぞれ交差して配設される複数の走査線および複数の信号線と、該信号線と並設される複数の給電線と、を備えており、
    前記各画素は、前記走査線からの走査信号が供給される第1トランジスタと、前記信号線から供給される画像信号を保持する保持容量と、該保持容量によって保持された前記画像信号が供給される第2トランジスタと、前記給電線から供給された電流によって発光する有機EL素子と、を備える画像表示装置において、
    前記複数の画素は、奇数種類の色の画素列が前記走査線の延設方向に順次配列されており、
    前記給電線は、前記奇数種類の色の画素列のうち、2色の画素列に共通して通電を行う共通給電線と、1色の画素列に通電を行う単独給電線と、を備えたことを特徴とする有機EL画像表示装置。
  2. 前記信号線から供給される画像信号は、前記色種ごとに輝度の補正がなされていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL画像表示装置。
  3. 前記第2トランジスタは、前記奇数種類の色の画素列において、2色画素に跨って形成された共通第2トランジスタを備えていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機EL画像表示装置。
  4. 前記奇数種類の色の画素が、赤、緑、青の3色であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の有機EL画像表示装置。
  5. 前記輝度補正手段は、全画素を同時に補正することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の有機EL画像表示装置。
  6. 前記共通給電線を挟んで形成される2色の画素の回路配置は、前記共通給電線を中心に略線対称であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の有機EL画像表示装置。
  7. 前記共通第2トランジスタは、前記共通給電線を中心に略線対称であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれかに記載の有機EL画像表示装置。















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