JP2010084151A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 下記式[１]で表される結晶相を含有し、
   Ｃｅ、Ｌａ、Ｃａ、Ｓｉ及びＮを必須とし、
   かつ、４８０ｎｍ以上、６５０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有する蛍光体の製造方法であって、
   Ｌａ源に対してＣａ源を（３．０／０．９）（モル比）以下で使用し、
   かつ得られる蛍光体の結晶相が下記式［Ｉ］の化学組成となるように、Ｒ源、Ｍ源、Ａ源、Ｓｉ源、Ｎ源（但し、Ｒ、Ｍ及びＡは、下記式［Ｉ］におけるものと同義）、並びに必要に応じてＯ源及びＡｌ源を、所定の割合で混合して混合物とし、
   次いで当該混合物を焼成する
   ことを特徴とする蛍光体の製造方法。
   Ｒ_3-x-y-z+w2Ｍ_zＡ_1.5x+y-w2Ｓｉ_6-w1-w2Ａｌ_w1+w2Ｏ_y+w1Ｎ_11-y-w1 [Ｉ]
   （式［Ｉ］中、
   ＲはＬａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｙ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種類の希土類元素であって、かつＬａを必須とするものを示し、
   ＭはＣｅ、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｙｂ、Ｐｒ及びＴｂからなる群より選ばれる少なくとも１種類の金属元素であって、かつＣｅを必須とするものを示し、
   ＡはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも１種類の二価の金属元素であって、かつＣａを必須とするものを示し、
   ｘ、ｙ、ｚ、ｗ１及びｗ２は、それぞれ以下の範囲の数値を示す。
   ０＜ｘ＜３
   ０≦ｙ＜２
   ０＜ｚ＜１
   ０≦ｗ１≦０．５
   ０≦ｗ２≦０．５
   ０≦ｗ１＋ｗ２≦５）
2. 前記蛍光体が、前記混合物中のＳｉ源のＳｉのモル量を６とした場合に、仕込み組成比で３．０モル以下のＣａを含むような割合で原料を混合する
   ことを特徴とする、請求項１に記載の蛍光体の製造方法。
3. 前記蛍光体が、前記混合物中のＳｉ源のＳｉのモル量を６とした場合に、仕込み組成比で０．６モル以下の酸素を含むような割合で原料を混合する
   ことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の蛍光体の製造方法。
4. 前記蛍光体が、前記混合物中のＳｉ源のＳｉのモル量とＡｌ源のＡｌのモル量との和を６とした場合に、仕込み組成比で０．４モル以下のＡｌを含むような割合で原料を混合する
   ことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。
5. Ｃｅ源が窒化物あるいは酸化物である
   ことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。
6. Ｌａ源が窒化物である
   ことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。
7. Ｃａ源が窒化物である
   ことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。
8. 焼成温度が１３００℃以上２３００℃以下である
   ことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。
9. 焼成時の雰囲気として窒素ガスを用い、その純度が９９．９％以上である
   ことを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の蛍光体の製造方法。