JP2010080344A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】干渉縞の発生を抑制し、良好な表示品位を得ることが可能であるとともに、機械的強度が不足することなく薄型化及び大型化が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の画素によって構成されたアクティブエリア１０２を備えた表示装置であって、各画素に配置された自発光性の表示素子４０を備えたアレイ基板１００と、アレイ基板の表示素子に対向するように配置された封止基板２００と、アレイ基板と封止基板との間に配置された樹脂層５００と、アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、アレイ基板と封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材３００と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図２

Description

この発明は、表示装置に係り、特に、自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化及び軽量化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代の平面表示装置の有力候補として注目を集めている。

有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えて構成されている。このような有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。

このような構成の有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んで構成されている。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように密封する必要がある。

そこで、例えば、特許文献１によれば、有機ＥＬ素子が配置された基板の周辺に設置した低融点ガラスであるフリットガラスを介して封止基板を貼り合せることにより水分の流入を防止する構成が提案されている。このような構成によれば、理想的には水分の流入がないため、乾燥剤が不要であり、トップエミッション方式への対応が容易である。
特開２００７−２００８４０号公報

しかしながら、有機ＥＬ素子を密封する基板間に微小なギャップが形成された場合、画像を表示するアクティブエリアにおいて、光学干渉による干渉縞が発生しやすく、表示品位の低下を招くおそれがある。

このような干渉縞の発生を回避するために、有機ＥＬ素子との対向面に凹部を設けたガラス基板を適用し、ギャップを拡大する手法がある。しかしながら、このような手法では、ガラス基板に凹部を形成するための加工（エッチングなど）に手間がかかり、コストアップを招くおそれがある。また、凹部が形成された部分での基板厚が薄いため、さらなる薄型化が困難となり、また、大型化した際にたわみが生ずるなど機械的強度の不足が懸念される。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、干渉縞の発生を抑制し、良好な表示品位を得ることが可能であるとともに、機械的強度が不足することなく薄型化及び大型化が可能な表示装置を提供することにある。

この発明の態様による表示装置は、
複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
各画素に配置された自発光性の表示素子を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記表示素子に対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された樹脂層と、
前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、
を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、干渉縞の発生を抑制し、良好な表示品位を得ることが可能であるとともに、機械的強度が不足することなく薄型化及び大型化が可能な表示装置を提供できる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ表示装置を例にして説明する。

有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板（第１基板）１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。

アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板（第２基板）２００によって封止されている。封止基板２００は、光透過性を有する絶縁性の基板、特にガラス基板によって構成されている。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、平坦に形成されている。

これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、それぞれの周縁部がアクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００によって接合されている。この実施の形態においては、シール部材３００は、フリットガラス（低融点ガラス）からなる。

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。

図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、各種スイッチ（第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３）、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート−ソース間の電位を保持する機能を有している。

駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。

これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。

このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。

そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。

表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板などの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、保護絶縁膜１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されている。アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。

保護絶縁膜１１４は、有機系材料によって形成されても良いし、窒化シリコンなどの無機系材料によって形成されても良い。保護絶縁膜１１４が有機系材料によって形成される場合、材料をコーティングするなどの手法により成膜されるため、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化することができる。

すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。

ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇや図示しないゲート線などが配置されている。ゲート電極２０Ｇやゲート線は、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや図示しない信号線などが配置されている。

これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや信号線は、保護絶縁膜１１４によって覆われている。

この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、保護絶縁膜１１４の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。

すなわち、第１電極６０は、保護絶縁膜１１４の上において各画素ＰＸに独立した島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、保護絶縁膜１１４をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。

このような第１電極６０は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層の上に、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第１電極６０は、反射層を含んでいることが望ましい。

有機活性層６２は、第１電極６０の上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。なお、有機活性層６２は、低分子系材料によって形成された薄膜を含んでいても良い。このような薄膜は、マスク蒸着法などの手法により成膜可能である。

第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第２電極６４は、半透過層を含んでいることが望ましい。

また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。この隔壁７０は、例えば、各第１電極６０の周縁を覆うように配置され、アクティブエリア１０２において格子状またはストライプ状に形成されている。これにより、隣接する異なる色の有機ＥＬ素子が絶縁される。このような隔壁７０は、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成される。この隔壁７０は、第２電極６４によって覆われている。

封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子４０に対向するように配置されている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２の周辺において、シール部材３００により接合されている。シール部材３００は、フリットガラスであり、このようなフリットガラスは、レーザー光を照射するなどして局所的に熱を加えることによって溶融し、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合する。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００との間に密閉空間が形成される。有機ＥＬ素子４０は、この密閉空間内に配置され、密封されることになる。

ところで、この実施の形態においては、有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板１００と封止基板２００との間に配置された樹脂層５００を備えている。このような樹脂層５００は、紫外線硬化型などの感光性樹脂や、熱硬化性樹脂などの有機系材料によって形成されている。特に、トップエミッション方式の場合には、樹脂層５００は、光透過性を有する材料によって形成されている。

このような樹脂層５００は、アレイ基板１００の表面（有機ＥＬ素子４０が配置された面の最上面、あるいは封止基板２００との対向面）における凹凸を吸収するとともに封止基板２００の内面に密着している。

このような構成によれば、アレイ基板１００と封止基板２００との間に配置された樹脂層５００によって、アレイ基板１００と封止基板２００との間のギャップを均一化することができ、また、樹脂層５００を構成する有機系材料と封止基板２００を構成するガラスとの屈折率差が小さいため、光学干渉による干渉縞の発生を抑制することが可能となる。これにより、表示品位を改善することが可能となる。

加えて、内面が平坦面である封止基板２００を適用することができ、封止基板２００を構成するガラス基板に凹部を形成するためのエッチングなどの手間のかかる加工を施す必要がないため、コストの低減が可能となる。さらに、封止基板２００の基板厚を低減することによって薄型化が可能となるとともに、パネルを大型化した際にも封止基板２００の撓みを抑制することができ、十分な機械的強度を確保することが可能となる。

アレイ基板１００は、さらに、各色画素の有機ＥＬ素子４０を覆うように配置された保護膜４１０を備えていることが望ましい。この場合、保護膜４１０は、第２電極６４を覆うように配置されている。このような保護膜４１０は、少なくともアクティブエリア１０２の全体にわたって配置され、さらに、最外周の隔壁より外方（つまり、アレイ基板１００の端部側）まで延在していることが望ましい。

この保護膜４１０は、樹脂層５００よりも透水性の低い材料である無機系材料によって形成されている。特に、トップエミッション方式の場合には、保護膜４１０は、光透過性を有する材料によって形成されている。この実施の形態においては、保護膜４１０は、シリコン酸化物（例えば、ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（例えば、ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（例えば、ＳｉＯＮ）、金属酸化物（例えば、ＡｌＯ_３）などによって形成されている。

このような保護膜４１０は、乾式法であるＣＶＤやスパッタ等の蒸着法により成膜されることが望ましい。すなわち、保護膜４１０は、有機ＥＬ素子４０を構成する第２電極６４に接触するため、有機ＥＬ素子４０へのダメージを考慮すると、成膜手法として乾式法を選択することが望ましい。

このような保護膜４１０は、有機ＥＬ素子４０と樹脂層５００との間に介在している。このため、たとえ樹脂層５００を形成する有機系材料に水分が含まれていたとしても、有機ＥＬ素子４０に直接接触することはなく、また、第２電極６４にピンホールなどの欠陥が生じていたとしても、保護膜４１０によってカバーされるため、有機ＥＬ素子４０の劣化を抑制することが可能となる。したがって、長寿命化が可能となる。

以下に、具体的な構成例について説明する。なお、図３乃至図５において、各画素の有機ＥＬ素子を含む表示素子部５０は、アクティブエリア１０２に形成され、保護膜４１０によって覆われている。

図３に示した構成例では、樹脂層５００は、シール部材３００によって囲まれた内側に充填されている。すなわち、樹脂層５００は、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００、及び、アレイ基板１００の保護膜４１０と封止基板２００との間に充填されている。つまり、樹脂層５００は、シール部材３００と全周にわたって接触している。

このような構成例によれば、アレイ基板１００と封止基板２００との間に空間がなく、表示装置として高い剛性を得ることが可能となる。また、アクティブエリア１０２の周辺の面積を縮小することができ、狭額縁化が可能となる。

図４及び図５に示した構成例においては、シール部材３００と樹脂層５００との間に空間ＳＰが形成されている。ここでは、特に、樹脂層５００は、シール部材３００と全周にわたって接触せず、額縁幅の許容する範囲で離間している。このため、空間ＳＰは、アクティブエリア１０２を囲むようにループ状に形成されている。このような空間ＳＰは真空であっても良いし、空間ＳＰに窒素などの水分を含まない不活性ガスが充填されていても構わない。

このような構成例によれば、たとえシール部材３００のいずれかの地点にわずかな空孔が生じ、外部から水分が浸入した場合であっても、浸入した水分は空孔の近傍の画素に集中的にアタックせず、空間ＳＰの全体に拡散するため、画素への影響を微少に抑えることが可能となる。

また、このような構成例によれば、樹脂層５００は、シール部材３００と接触しないため、シール部材であるフリットガラスを溶融するためにレーザー光を照射した際に、樹脂層５００にダメージを与えることがないため、プロセスマージンを拡大することが可能となる。

《効果の検証》
次に、この実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置について効果を検証した。

まず、アクティブエリア１０２の対角寸法が３．５型となるアレイ基板を２４枚分形成可能な寸法（４００ｍｍ×５００ｍｍ）のガラス基板（支持基板）を３枚用意する（Ａ、Ｂ、Ｃ）。このようなガラス基板に対して、各アクティブエリアに対応して各画素に画素回路１０を形成した後に、さらに、画素回路１０を保護絶縁膜１１４によって覆うことにより、配線基板１２０が形成される。なお、画素回路１０を構成するスイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子は、半導体層としてポリシリコン薄膜を備えた低温ポリシリコンＴＦＴとして構成されている。

さらに、この配線基板１２０に対して、保護絶縁膜１１４の上に配置された反射層（アルミニウム）及び反射層の上に積層された透過層（ＩＴＯ）を備えた第１電極６０を形成する。このとき、保護絶縁膜１１４に形成されたコンタクトホールを介して第１電極６０とトランジスタ素子２０とが電気的に接続される。

その後、保護絶縁膜１１４の上において第１電極６０を取り囲むようにアクティブエリア１０２全体にわたって格子状の隔壁７０を形成する。この隔壁７０のパターンピッチは７３μｍ×２１９μｍであり、隔壁７０の内側が有機ＥＬ素子４０の表示に寄与する領域であり、その寸法は４０μｍ×１４０μｍであった。

上述した構成のサンプルについて、基板を抵抗加熱方式の有機ＥＬ成膜装置にセットし、有機活性層６２として、正孔輸送層として機能するα−ＮＰＤを２００ｎｍの膜厚に成膜した後、発光層兼電子輸送層として機能するＡｌｑ_３を５０ｎｍの膜厚に成膜し、さらに、電子注入層兼ダメージバッファ層（半透過層）としてマグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）を２ｎｍの膜厚に成膜した。そして、さらに、プラズマＣＶＤ法を用いて膜厚１００ｎｍのＩＴＯ薄膜を成膜した。

一方で、封止基板２００として、各アレイ基板（Ａ、Ｂ、Ｃ）の２４個のアクティブエリア１０２をそれぞれ囲むようなシールパターンのフリットガラスを形成した寸法（４００ｍｍ×５００ｍｍ）のガラス基板を３枚用意する（ａ、ｂ、ｃ）。このシールパターンの線幅は、各ガラス基板において、１２箇所については１ｍｍ（ａ−１、ｂ−１、ｃ−１）、残りの１２箇所については０．４ｍｍ（ａ−２、ｂ−２、ｃ−２）の２通りを準備した。

これらのガラス基板のうちガラス基板ｂには、フリットガラスのシールパターンのすぐ内側である０．２〜０．３ｍｍの位置にシート状の樹脂充填剤を裁断して貼付した。

カバー基板ｃには、フリットガラスのシールパターンの内側から０．７〜０．８ｍｍの位置にシート状の樹脂充填剤を裁断して貼付した。

なお、ガラス基板ａには、シート状の樹脂充填剤は貼付しなかった。

次に、これらのフリットガラス付きのガラス基板ａ、ｂ、ｃと、有機ＥＬ素子を備えたアレイ基板Ａ、Ｂ、Ｃと、をそれぞれ重ね合わせ、フリットガラスを溶着して両基板を接合し、更に高温槽にてシート状の樹脂充填剤の熱硬化を行って、有機ＥＬ基板対Ａａ、Ｂｂ、Ｃｃを作成した。

これらの貼り合わせた基板対をそれぞれ割断した後、周辺回路などの信号供給源を実装し、各基板対から合計２４枚のトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置を作成した。

次に、これらの有機ＥＬ表示装置を高温高湿槽（８５℃／８５％ＲＨ）の中に投入して放置し、５００時間が経過した後のダークスポット発生の有無を観察した。また、各パネルの干渉縞の有無の観察、及び、フリットガラスと樹脂層との間の空間幅を測定した。これらの結果を図６に示す。

フリットガラスのみのパネル構成（Ａａ−１及びＡａ−２）においては、作成した全てのパネル（１２個）において封止基板側から観察した際に干渉縞の発生が確認された。これに対して、フリットガラスと樹脂層とを組み合わせたパネル構成（Ｂｂ−１及びＢｂ−２、Ｃｃ−１及びＣｃ−２）においては、シールパターンの線幅にかかわらず、いずれのパネルにおいても干渉縞は確認されなかった。

この結果から、フリットガラスと樹脂層とを組み合わせることによって、干渉縞の発生が抑制され、良好な表示品位が得られることが確認された。

また、フリットガラスと樹脂層とを組み合わせたパネル構成においては、多少シール部材（フリットガラス）に空孔が発生しやすい条件（例えば線幅が小さい条件）であっても、ダークスポットの発生が抑制されることが確認された。

ここでは、線幅が０．４ｍｍの条件を比較したとき、フリットガラスのみの場合（Ａａ−２）には、１２個のパネルのうちの６個（５０％）でダークスポットが発生したのに対して、フリットガラスと樹脂層とを組み合わせた場合（Ｂｂ−２及びＣｃ−２）には、ダークスポットが確認されたパネル数は１２個のうちの２個以下となり、たとえ空孔から水分子が浸入したとしても、アクティブエリアが樹脂層によってカバーされているために、有機ＥＬ素子の劣化が抑制できていることが確認された。

また、フリットガラスと樹脂層とを組み合わせた場合について、フリットガラスと樹脂層との間に空間があるパネル構成（Ｃｃ−１及びＣｃ−２）においては、フリットガラスと樹脂層との間に空間があるパネル構成（Ｂｂ−１及びＢｂ−２）と比較して、さらにダークスポットの発生が抑制できることが確認された。

ここでは、線幅が０．４ｍｍの条件を比較したとき、パネル構成（Ｂｂ−１及びＢｂ−２）については、１２個のパネルのうちの２個でダークスポットが発生したのに対して、パネル構成（Ｃｃ−１及びＣｃ−２）においては、１２個全てのパネルでダークスポットが確認されず、フリットガラスと樹脂層との間にわずかに空間を設けたことにより、たとえ水分子が浸入したとしても、空間内の全体に均一に拡散し、空孔近辺のアクティブエリアに集中的に浸入することを回避でき、ダークスポットの発生をさらに抑制できていることが確認された。

上述した効果の検証では、フリットガラスに空港が発生しやすい条件として、シール線幅を細くすることで確認したが、これらの結果は、生産工程のバラツキによってフリットガラスにわずかな空孔が発生してしまい歩留まりを低下させることに対する改善効果として期待できる。

以上説明したように、この実施の形態によれば、干渉縞の発生を抑制し、良好な表示品位を得ることが可能であるとともに、機械的強度が不足することなく薄型化及び大型化が可能な表示装置を提供できる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図３は、この発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成例を概略的に示す断面図である。 図４は、この発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の他の構成例を概略的に示す断面図である。 図５は、図４に示した構成例の有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図６は、樹脂層を備えたことによる効果の検証結果を示す図である。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示装置 ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
１０…画素回路
４０…有機ＥＬ素子（表示素子）
６０…第１電極 ６２…有機活性層 ６４…第２電極
７０…隔壁
１００…アレイ基板 １２０…配線基板
２００…封止基板
３００…シール部材（フリットガラス）
４１０…保護膜
５００…樹脂層
ＳＰ…空間

Claims (6)

1. 複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、
   各画素に配置された自発光性の表示素子を備えた第１基板と、
   前記第１基板の前記表示素子に対向するように配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置された樹脂層と、
   前記アクティブエリアを囲むように枠状に配置され、前記第１基板と前記第２基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、
   を備えたことを特徴とする表示装置。
2. さらに、各画素の前記表示素子を覆うように配置された無機系材料からなる保護膜を備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２基板の前記第１基板と対向する面は、平坦面であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記樹脂層は、前記シール部材で囲まれた内側に充填されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記樹脂層と前記シール部材との間にループ状の空間が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記表示素子は、
   第１電極と、
   前記第１電極の上に配置された有機活性層と、
   前記有機活性層の上に配置された第２電極と、を備えたトップエミッション方式であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

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