JP2010080340A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位が良好であり、且つ、製造歩留まりの改善による製造コストの低減が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブエリアにおいて、互いに異なる色の第１色画素及び第２色画素を備えた表示装置であって、第１色画素及び第２色画素にそれぞれ配置された第１電極６０と、第１色画素及び第２色画素を分離するように、それぞれの第１電極の周縁に沿って配置されるとともに、その上面７０Ｔに凹部Ｃが形成された隔壁７０と、第１色画素及び第２色画素の第１電極の上にそれぞれ配置され、低分子系材料からなる発光層を含む有機活性層６２と、有機活性層の上に配置された第２電極６４と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図４

Description

この発明は、表示装置に係り、特に、所定の開口パターンを有する蒸着マスクを介した蒸着工程を経て形成される自発光性の表示素子を備えた構成の表示装置に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化及び軽量化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。

有機ＥＬ表示装置は、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子を備えて構成されている。このような有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生したＥＬ光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。

このような有機ＥＬ素子において、低分子系の有機化合物からなる有機活性層を形成する工程においては、蒸着源から飛散した材料源を蒸着する蒸着法を適用可能である（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
特開２００４−３２３８８８号公報 特開２００８−１０３１７３号公報

カラー表示可能な有機ＥＬ表示装置を実現するための代表的な方法として、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光する複数種類の色画素を配置する方法が挙げられる。これらの色画素にそれぞれ配置される有機活性層（特に、発光層）の形成方法として、開口パターンを有する蒸着マスク（ファインマスク）を介して低分子系の有機化合物を蒸着するマスク蒸着法が適用可能である。

このようなマスク蒸着法において、色画素間を分離する隔壁の上面に蒸着マスクを載置して材料源を蒸着するプロセスを適用した場合には、以下のような課題を生ずるおそれがある。

すなわち、蒸着マスクと隔壁の上面との間に異物が挟持されてしまった場合、蒸着マスクと蒸着面との間に必要以上のギャップが形成されてしまう（マスク浮き）。通常、材料源が蒸着される領域は、蒸着マスクの開口パターンとほぼ同等の大きさになるが、蒸着面から蒸着マスクまでの距離が拡大するにしたがって、蒸着マスクを通過した材料源が拡散するため、開口パターンよりも広い領域となる（蒸着ボケ）。つまり、材料源が蒸着される領域が必要以上に拡大してしまい、さらに、隣接する別の色画素にまで達してしまうと、混色不良となってしまう。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示品位が良好であり、且つ、製造歩留まりの改善による製造コストの低減が可能な表示装置を提供することにある。

この発明の態様による表示装置は、
アクティブエリアにおいて、互いに異なる色の第１色画素及び第２色画素を備えた表示装置であって、
前記第１色画素及び前記第２色画素にそれぞれ配置された第１電極と、
前記第１色画素及び前記第２色画素を分離するように、それぞれの前記第１電極の周縁に沿って配置されるとともに、その上面から窪んだ凹部が形成された隔壁と、
前記第１色画素及び前記第２色画素の前記第１電極の上にそれぞれ配置され、低分子系材料からなる発光層を含む有機活性層と、
前記有機活性層の上に配置された第２電極と、
を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、表示品位が良好であり、且つ、製造歩留まりの改善による製造コストの低減が可能な表示装置を提供することが可能となる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。

有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、画像を表示するアクティブエリア１０２を有するアレイ基板（第１基板）１００を備えている。アクティブエリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１０２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。

アレイ基板１００の少なくともアクティブエリア１０２は、封止基板（第２基板）２００によって封止されている。この封止基板２００のアレイ基板１００と対向する内面は、平坦に形成されていても良いし、少なくともアクティブエリア１０２との対向面が窪み、周縁部より肉薄に形成されても良い。

これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、例えば、それぞれの周縁部がアクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００によって接合されている。シール部材３００は、フリットガラス（低融点ガラス）や、樹脂材料（例えば紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂）などからなる。

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路１０及びこの画素回路１０によって駆動制御される表示素子４０を備えている。図１に示した画素回路１０は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。

図１に示した例では、画素回路１０は、駆動トランジスタＤＲＴ、各種スイッチ（第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３）、蓄積容量素子Ｃｓなどを備えて構成されている。駆動トランジスタＤＲＴは、表示素子４０に供給する電流量を制御する機能を有している。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第３スイッチＳＷ３は、駆動トランジスタＤＲＴから表示素子４０への駆動電流の供給、つまり表示素子４０のオン／オフを制御する機能を有している。蓄積容量素子Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。

駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１と第３スイッチＳＷ３との間に接続されている。表示素子４０は、第３スイッチＳＷ３と低電位電源線Ｐ２との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。第１スイッチＳＷ１のソース電極は、映像信号線ＳＬに接続されている。

これらの駆動トランジスタＤＲＴ、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、及び、第３スイッチＳＷ３は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、その半導体層は、アモルファスシリコンやポリシリコンなどによって形成可能であり、ここではポリシリコンによって形成されている。

このような回路構成の場合、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第１スイッチＳＷ１及び第２スイッチＳＷ２がオンとなり、映像信号線ＳＬを流れる電流量に応じて高電位電源線Ｐ１から駆動トランジスタＤＲＴに電流が流れ、また、駆動トランジスタＤＲＴを流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。これにより、駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号線ＳＬから供給された電流量と同一の電流量を、高電位電源線Ｐ１から表示素子４０に供給可能となる。

そして、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第３スイッチＳＷ３がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じて、駆動トランジスタＤＲＴは、高電位電源線Ｐ１から第３スイッチＳＷ３を介して表示素子４０に所定輝度に対応した所定量の電流を供給する。これにより、表示素子４０は、所定の輝度に発光する。

表示素子４０は、自発光性の表示素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図２に示すように、配線基板１２０上に配置されている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板などの絶縁性の支持基板１０１上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、保護膜１１４などの絶縁層を備える他に、各種スイッチＳＷ、駆動トランジスタＤＲＴ、蓄積容量素子Ｃｓ、各種配線（ゲート線、映像信号線、電源線等）などを備えて構成されている。アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、層間絶縁膜１１３は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ）などの無機系材料によって形成されている。

保護膜１１４は、有機系材料によって形成されても良いし、窒化シリコンなどの無機系材料によって形成されても良い。保護膜１１４が有機系材料によって形成される場合、材料をコーティングするなどの手法により成膜されるため、下層の凹凸の影響を緩和しその表面を平坦化することができる。

すなわち、図２に示した例では、アンダーコート層１１１の上には、スイッチや駆動トランジスタなどのトランジスタ素子（図１に示した回路構成においては第３スイッチＳＷ３に相当する）２０の半導体層２１が配置されている。半導体層２１は、ゲート絶縁膜１１２によって覆われている。

ゲート絶縁膜１１２の上には、トランジスタ素子２０のゲート電極２０Ｇや図示しないゲート線などが配置されている。ゲート電極２０Ｇやゲート線は、層間絶縁膜１１３によって覆われている。層間絶縁膜１１３の上には、トランジスタ素子２０のソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや図示しない信号線などが配置されている。

これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、ゲート絶縁膜１１２及び層間絶縁膜１１３を半導体層２１まで貫通するコンタクトホールを介して半導体層２１にそれぞれコンタクトしている。これらのソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄや信号線は、保護膜１１４によって覆われている。

この実施の形態においては、有機ＥＬ素子４０は、保護膜１１４の上に配置されている。この有機ＥＬ素子４０は、第１電極６０と第２電極６４との間に有機活性層６２を保持した構成であり、以下に詳細な構造について説明する。

すなわち、第１電極６０は、保護膜１１４の上において各画素ＰＸに独立した島状に配置され、陽極として機能する。この第１電極６０は、保護膜１１４をドレイン電極２０Ｄまで貫通するコンタクトホールを介して、ドレイン電極２０Ｄにコンタクトしている。

このような第１電極６０は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの光反射性を有する導電材料を用いて形成された反射層の上に、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、反射層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第１電極６０は、反射層を含んでいることが望ましい。

有機活性層６２は、第１電極６０の上に配置され、少なくとも発光層６２Ａを含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。このような有機活性層６２は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層６２においては、発光層６２Ａが有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層６２において、発光層以外の機能層は共通層であってもよい。

発光層６２Ａは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成され、各色画素に個別に配置される。なお、有機活性層６２、特に発光層６２Ａは、低分子系材料によって形成されている。このような低分子系材料からなる薄膜は、マスク蒸着法により成膜される。

第２電極６４は、複数の画素ＰＸに共通であって、各画素ＰＸの有機活性層６２の上に配置され、陰極として機能する。このような第２電極６４は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との混合物などからなる半透過層、及び、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形成された透過層を積層した構造であってもよいし、半透過層単層、または、透過層単層として構成しても良い。トップエミッション方式の場合、第２電極６４は、半透過層を含んでいることが望ましい。

また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２において、隣接する画素、特に互いに異なる色の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。すなわち、この隔壁７０は、各第１電極６０の周縁に沿って配置され、第１電極６０における少なくとも一部の周縁を覆っている。このような隔壁７０は、アクティブエリア１０２において格子状に形成されている。これにより、隣接する異なる色の有機ＥＬ素子が絶縁される。

このような隔壁７０は、例えばアクリル系樹脂やポリイミドなどの樹脂材料を塗布した後にフォトリソグラフィ法などの手法によりパターニングすることによって形成され、概ね台形状の断面形状を有している。この隔壁７０の底面は、第１電極６０及び保護膜１１４に接している。隔壁７０の側面の少なくとも一部は、有機活性層６２によって覆われている。このような隔壁７０の側面に囲まれた内側が発光し、実質的に表示に寄与する有効部となる。

また、隔壁７０の上面７０Ｔは、配線基板１２０の主面（すなわち保護膜１１４の表面）１２０Ａから最も高い頂点に相当する。この上面７０Ｔは、一部が有機活性層６２によって覆われる場合もあるが、有機活性層６２の上に配置される第２電極６４によって覆われている。

特に、この実施の形態においては、隔壁７０の上面７０Ｔには、凹部が形成されている。すなわち、隔壁７０の上面７０Ｔは、発光層６２Ａを形成するためのマスク蒸着法を適用した場合に、各色画素の塗りわけを行うための蒸着マスクを支持する支持面となる。このような蒸着マスクを支持する際に、蒸着マスクと上面７０Ｔとの間に異物が存在するおそれがあり、蒸着マスクの不所望な浮き（つまり局所的あるいは全体的に蒸着マスクが上面７０Ｔから離れること）を抑制することが望まれている。

そこで、上面７０Ｔに凹部を形成したことにより、蒸着マスクを支持する箇所すなわち蒸着マスクと上面７０Ｔとが接触する面積を減少させ、たとえ異物が存在したとしても凹部において異物を吸収可能とし、蒸着マスクと上面７０Ｔとの間に異物が存在する確立を低減することが可能となる。

これにより、蒸着マスクの浮きを抑制することが可能となる。したがって、蒸着マスクの浮きに起因した蒸着ボケが抑制されるとともに、混色不良が抑制され、表示品位が良好で、且つ、製造歩留まりの改善による製造コストの低減が可能な有機ＥＬ表示装置を提供できる。

以下に、より具体的な構成例について説明する。

《第１構成例》
第１構成例においては、隔壁７０は、互いに異なる色の画素ＰＸをそれぞれ区画するとともに互いに離間して配置された複数のセグメントによって構成されている。すなわち、図３及び図４に示した例では、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢがこの順に並んでいる。隔壁７０は、赤色画素ＰＸＲを区画するように配置された第１セグメント７０Ｒ、緑色画素ＰＸＧを区画するように配置された第２セグメント７０Ｇ、及び、青色画素ＰＸＢを区画するように配置された第３セグメント７０Ｂによって構成されている。

これらの各セグメント７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、互いに離間しており、第１セグメント７０Ｒと第２セグメント７０Ｇとの間、及び、第２セグメント７０Ｇと第３セグメント７０Ｂとの間からはそれぞれ配線基板１２０の主面１２０Ａつまり保護膜１１４の表面が露出している。各セグメント７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の上面７０Ｔは、同一水平面内にあって支持面となる。つまり、各セグメント７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の配線基板１２０の主面１２０Ａからの上面７０Ｔまでの高さＨは、すべて同一である。

このような構成の隔壁７０において、凹部Ｃは、各セグメント７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の間に溝状に形成されている。つまり、凹部Ｃは、隔壁７０から保護膜１１４が露出した部分に相当する。ここに示した例では、凹部Ｃは、第１セグメント７０Ｒと第２セグメント７０Ｇとの間、及び、第２セグメント７０Ｇと第３セグメント７０Ｂとの間にそれぞれ形成されている。換言すると、凹部Ｃは、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）が並ぶ方向すなわち行方向Ｈに対して直交する方向すなわち列方向Ｖに沿って延出している。

各セグメント７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、例えば、それぞれ第１電極６０の全周縁に重なるように配置されている。有機活性層６２は、各セグメント７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって区画された内側に配置されている。第２電極６４は、有機活性層６２、各セグメント７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の上面７０Ｔ及び凹部Ｃを覆うように配置されている。このような構成により、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に配置された有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）が区画されている。

なお、第１電極６０とトランジスタ素子２０のドレイン電極２０Ｄとのコンタクト部ＣＰは、隔壁７０のセグメント間の凹部Ｃから露出すると、第２電極６４とショートしてしまうため、確実に隔壁７０によって覆われることが重要である。このため、上述した構成においては、コンタクト部ＣＰは、列方向Ｖに隣接する画素間に配置されることが望ましい。換言すると、凹部Ｃは、列方向Ｖに沿ってのみ延出し、列方向Ｖに隣接する画素間には形成しないことが望ましい。

このような有機ＥＬ素子４０の形成プロセスは、以下の通りである。

まず、支持基板１０１上にトランジスタ素子などの画素回路１０を形成し、保護膜１１４で被覆する。そして、保護膜１１４の上に第１電極６０を形成する。そして、第１電極６０が形成された保護膜１１４の上に所望の厚さになるように樹脂材料を塗布し、図３などに示したような形状にパターニングする。このパターニングには、例えば、フォトリソグラフィ法などが適用可能である。これにより、複数のセグメント７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）からなる隔壁７０が形成される。

続いて、図５に示すように、所定の色の画素、例えば赤色画素ＰＸＲに対応した開口パターンＯＰを有する蒸着マスクＭを隔壁７０の上面７０Ｔに載置する。このとき、蒸着マスクＭの表面（上面７０Ｔと対向する面）に異物が付着していたとしても、異物が凹部Ｃに吸収される確率が高いため、上面７０Ｔの全面が蒸着マスクＭに密着し、蒸着マスクＭを所定のギャップを保って支持することができる。

続いて、蒸着マスクＭを介して発光機能を有する有機化合物を含む低分子系材料を第１電極６０の上に蒸着して有機活性層６２を形成する。そして、蒸着マスクＭを除去して、有機活性層６２の上に第２電極６４を形成する。このような工程により、有機ＥＬ素子４０が形成される。

上述した形成プロセスにおいて、隔壁７０は、有機活性層６２、特に発光層６２Ａをマスク蒸着によって形成する段階では、配線基板１２０上における最高の高さを有している。つまり、隔壁７０の上面７０Ｔが配線基板１２０の主面１２０Ａから最も突出している。このため、隔壁７０は、その上面７０Ｔにおいて蒸着マスクＭを支持する。

このとき、隔壁７０を実質的に複数のセグメントに分割したことにより、蒸着マスクＭとの接触面積が減少し、上面７０Ｔと蒸着マスクＭとの間に異物が存在する確立を低減できる。このため、たとえ蒸着マスクＭの表面に異物が付着していたとしても、蒸着マスクＭの浮きが抑制され、上面７０Ｔの全面で蒸着マスクＭを支持可能となる。したがって、蒸着ボケや混色不良を抑制できる。

また、隔壁７０の配線基板１２０の主面１２０Ａから上面７０Ｔまでの高さは、例えば２〜３μｍ程度であり、凹部Ｃの深さは隔壁７０の高さと同等（２〜３μｍ程度）であるため、粒径が２〜３μｍ程度の異物まで凹部Ｃにて吸収可能である。

《第２構成例》
第２構成例においては、隔壁７０は、一体に形成されつつ、凹部を形成するように上面７０Ｔから窪んだ形状に形成されている。すなわち、図６及び図７に示した例では、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢがこの順に並んでいる。隔壁７０は、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢを区画するように配置されている。

この隔壁７０は、その赤色画素ＰＸＲ側及び緑色画素ＲＸＧ側にそれぞれ配線基板１２０の主面１２０Ａから上面７０Ｔまで第１膜厚Ｔ１を有するように形成されている一方で、隔壁７０の赤色画素ＰＸＲと緑色画素ＲＸＧとの間に第１膜厚Ｔ１よりも薄い第２膜厚Ｔ２を有するように形成されている。同様に、この隔壁７０は、その緑色画素ＰＸＧ側及び青色画素ＲＸＢ側にそれぞれ配線基板１２０の主面１２０Ａから上面７０Ｔまで第１膜厚Ｔ１を有するように形成されている一方で、隔壁７０の緑色画素ＰＸＧと青色画素ＲＸＧとの間に第１膜厚Ｔ１よりも薄い第２膜厚Ｔ２を有するように形成されている。

すなわち、凹部Ｃは、第２膜厚Ｔ２を有する部分に相当する。

このような構成の隔壁７０において、凹部Ｃは、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の間に形成されている。つまり、ここに示した例では、凹部Ｃは、赤色画素ＰＸＲと緑色画素ＰＸＧとの間、及び、緑色画素ＰＸＧと青色画素ＰＸＢとの間にそれぞれ形成されている。換言すると、凹部Ｃは、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）が並ぶ方向すなわち行方向Ｈに対して直交する方向すなわち列方向Ｖに沿って延出している。

この第２構成例においては、隔壁７０は、それぞれ第１電極６０の全周縁に重なるとともに第１電極６０間の保護膜１１４を覆うように配置されている。つまり、配線基板１２０の主面１２０Ａつまり保護膜１１４の表面は、隔壁７０から露出していない。このため、第１電極６０とトランジスタ素子２０のドレイン電極２０Ｄとのコンタクト部ＣＰは、隔壁７０によって確実に覆われている。

有機活性層６２は、隔壁７０によってそれぞれ区画された内側に配置されている。第２電極６４は、有機活性層６２、隔壁７０の上面７０Ｔ及び凹部Ｃを覆うように配置されている。このような構成により、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）に配置された有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）が区画されている。

このような構成においては、コンタクト部ＣＰの位置にかかわらず、凹部Ｃは、列方向Ｖに隣接する画素の間にも形成可能である。つまり、凹部Ｃがコンタクト部ＣＰを露出しない程度の深さ（つまり第１膜厚Ｔ１から第２膜厚Ｔ２を差し引いた差分）に形成されている場合については、凹部Ｃは、各画素ＰＸを囲むように格子状に形成しても良い。これにより、上面７０Ｔと蒸着マスクとの接触面積をさらに低減できる。

このような形状の隔壁７０は、例えば、以下のようにして形成可能である。

まず、第１電極６０が形成された保護膜１１４の上に所望の厚さになるように樹脂材料を塗布した後に、第１電極６０を露出する部分と、凹部Ｃを形成する部分とで異なる条件で露光する。例えば、ポジ型の感光性樹脂材料を用いた場合、多段露光方式が適用可能であり、凹部Ｃを形成する部分については、第１電極６０を露出する部分よりも短い時間露光される。この後に、感光性樹脂材料を現像処理することにより、凹部Ｃの深さは、第１電極６０を露出する部分よりも浅く、第１電極６０の間において隔壁７０から保護膜１１４が露出することはない。なお、このような凹凸形状を形成するための手法としては、多段露光方式に限らず、ハーフトーン露光方式を採用しても良い。

これにより、凹部Ｃを有する隔壁７０が形成される。

このような構造の隔壁７０を備えた構成例においても、図８に示すように、所定の色の画素、例えば赤色画素ＰＸＲに対応した開口パターンＯＰを有する蒸着マスクＭを隔壁７０の上面７０Ｔに載置する。このとき、蒸着マスクＭの表面（上面７０Ｔと対向する面）に異物が付着していたとしても、異物が凹部Ｃに吸収される確率が高いため、上面７０Ｔの全面が蒸着マスクＭに密着し、蒸着マスクＭを所定のギャップを保って支持することができる。したがって、蒸着ボケや混色不良を抑制できる。

また、隔壁７０の配線基板１２０の主面１２０Ａから上面７０Ｔまでの高さは、例えば２〜３μｍ程度であり、また、コンタクト部ＣＰを覆うのに必要な隔壁７０の膜厚は０．１μｍ程度で十分であり、凹部Ｃの深さは１．５μｍ程度以上を確保できる。このため、粒径が１．５μｍ程度の異物まで凹部Ｃにて吸収可能である。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置を切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図３は、第１構成例の有機ＥＬ表示装置におけるアクティブエリアの構造を概略的に示す平面図である。 図４は、図３に示した画素をＡ−Ａ線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図５は、第１構成例の有機ＥＬ表示装置における有機活性層を形成する工程を説明するための図である。 図６は、第２構成例の有機ＥＬ表示装置におけるアクティブエリアの構造を概略的に示す平面図である。 図７は、図６に示した画素をＢ−Ｂ線で切断したときの構造を概略的に示す断面図である。 図８は、第２構成例の有機ＥＬ表示装置における有機活性層を形成する工程を説明するための図である。

符号の説明

ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素
４０…表示素子（有機ＥＬ素子）
６０…第１電極 ６２…有機活性層 ６２Ａ…発光層 ６４…第２電極
ＣＰ…コンタクト部
７０…隔壁 ７０Ｔ…上面 ７０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…セグメント Ｃ…凹部
１００…アレイ基板 １２０…配線基板 １２０Ａ…主面
２００…封止基板 ３００…シール部材
Ｍ…蒸着マスク ＯＰ…開口パターン

Claims (6)

1. アクティブエリアにおいて、互いに異なる色の第１色画素及び第２色画素を備えた表示装置であって、
   前記第１色画素及び前記第２色画素にそれぞれ配置された第１電極と、
   前記第１色画素及び前記第２色画素を分離するように、それぞれの前記第１電極の周縁に沿って配置されるとともに、その上面から窪んだ凹部が形成された隔壁と、
   前記第１色画素及び前記第２色画素の前記第１電極の上にそれぞれ配置され、低分子系材料からなる発光層を含む有機活性層と、
   前記有機活性層の上に配置された第２電極と、
   を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 前記隔壁は、前記第１色画素を区画するように配置された第１セグメントと、前記第１セグメントから離間して前記第２色画素を区画するように配置された第２セグメント、とからなり、
   前記凹部は、前記第１セグメントと前記第２セグメントとの間に溝状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記凹部は、前記第１色画素と前記第２色画素とが並ぶ方向に対して直交する方向に沿って延出したことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記隔壁は、その前記第１色画素側及び前記第２色画素側にそれぞれ上面まで第１膜厚を有するように形成され、
   前記凹部は、前記隔壁の前記第１色画素と前記第２色画素との間に第１膜厚よりも薄い第２膜厚を有するように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記凹部は、前記第１色画素及び前記第２色画素を囲むように格子状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第１電極に電気的に接続されたトランジスタ素子を備え、
   前記隔壁は、前記第１電極と前記トランジスタ素子とのコンタクト部を覆うように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

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