JP2010062170A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 配線の引き回しに制約を受けにくいようにする。
【解決手段】 第１の保護膜５上には複数の配線７が設けられている。配線７を含む第１の保護膜５上には、配線７の接続パッド部７ｃに対応する部分に開口部１１を有する第２の保護膜１０が設けられている。第２の保護膜１０の開口部１１を介して露出された配線７の接続パッド部７ｃ上面およびその周囲における第２の保護膜１０上には柱状電極１３が設けられている。これにより、配線７の接続パッド部７ｃの平面サイズが柱状電極１３の平面サイズよりも小さくなり、配線７の接続パッド部７ｃ間の間隔を広くすることができ、ひいては配線７の引き回しに制約を受けにくいようにすることができる。
【選択図】 図１

Description

この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。

従来の半導体装置には、例えば図１３に示すように、ＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるもので、上面に複数の接続パッド３２を有する半導体基板３１上に絶縁膜３３および保護膜３４が設けられ、保護膜３４の上面に配線３５が接続パッド３２に接続されて設けられ、配線３５の接続パッド部上面に柱状電極３６が設けられ、配線３５を含む保護膜３４の上面に封止膜３７がその上面が柱状電極３６の上面と面一となるように設けられ、柱状電極３６の上面に半田ボール３８が設けられたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、配線３５は、接続パッド３２に接続された接続部３５ａと、先端の接続パッド部３５ｂと、その間の引き回し線部３５ｃとからなっている。

特開２００８−８４９１９号公報

ところで、上記のような半導体装置では、一般的に、複数の柱状電極３６つまりその台座となる複数の配線３５の接続パッド部３５ｂがマトリクス状に配置され、半導体基板３１上の周辺部に配置された相隣接する配線３５の接続パッド部３５ｂ間に、半導体基板３１上の中央部に配置された柱状電極３６の台座となる接続パッド部を有する配線３５の引き回し線部３５ｃが配置されることになる。

ここで、上記構成の半導体装置の寸法の一例について説明する。配線３５の引き回し線部３５ｃの線幅および配線３５間の間隔が最小寸法で共に２０μｍ（図１３では２ｍｍに相当する、以下同じ）であるとき、柱状電極３６のピッチを５００μｍとした場合には、柱状電極３６の直径を２５０μｍとすると、柱状電極３６の台座となる配線３５の接続パッド部３５ｂの直径が（片側での許容精度が１０μｍであると両側で２０μｍとなるので）２７０μｍとなり、相隣接する配線３５の接続パッド部３５ｂ間の間隔が２３０μｍとなり、相隣接する配線３５の接続パッド部３５ｂ間に配置し得る配線３５の引き回し線部３５ｃの本数が５本となる。

以上のように、上記従来の半導体装置では、柱状電極３６のピッチを５００μｍとした場合において、柱状電極３６の直径を２５０μｍとすると、柱状電極３６の台座となる配線３５の接続パッド部３５ｂの直径が２７０μｍと比較的大きくなり、相隣接する配線３５の接続パッド部３５ｂ間の間隔が２３０μｍと比較的狭くなり、相隣接する配線３５の接続パッド部３５ｂ間に配置し得る配線３５の引き回し線部３５ｃの本数が５本と比較的少なくなり、配線３５の引き回しに制約を受けるという問題があった。

そこで、この発明は、配線の接続パッド部間の間隔を広くすることができ、ひいては配線の引き回しに制約を受けにくいようにすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、一面に集積回路が形成された半導体基板の少なくとも相対向する一側辺に沿って、それぞれ、前記集積回路に接続される複数の接続パッドが形成され、該各接続パッドに接続され、それぞれ、接続パッド部を有する複数の配線を延出して前記接続パッド部が複数の環状線を形成するように配置し、前記配線の接続パッド部上に柱状電極を形成した半導体装置において、前記半導体基板上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられ、それぞれ、接続パッド部が外側の環状線を形成するように配列された複数の第１の配線と、前記第１の配線の接続パッド部間を通過して延出され接続パッド部が前記外側の環状線よりも内側に少なくとも１つの環状線を形成するように配列された第２の配線と、前記第１および第２の配線上を含む前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１および第２の配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の開口部を介して露出された前記第１および第２の配線の接続パッド部上面およびその周囲における前記第２の絶縁膜上に設けられ、前記第１および第２の配線の接続パッド部の平面サイズよりも大きい平面サイズを有する柱状電極とを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記柱状電極と前記第１および第２の配線の接続パッド部との間に下地金属層が設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項２に記載の発明において、前記下地金属層は前記柱状電極と同一の平面サイズを有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記第２の配線の一部は前記柱状電極の直下に対応する領域を通過して前記外側の環状線よりも内側に延出されていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記第２の絶縁膜上に封止膜が前記柱状電極の周囲を覆うように設けられていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項５に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、一面に集積回路が形成され、少なくとも相対向する一側辺に沿って、それぞれ、前記集積回路に接続される複数の接続パッドが形成された半導体基板を準備する前工程と、前記半導体基板上に前記接続パッドの少なくとも一部を露出する開口部を有する第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、前記半導体基板上に形成された前記１第１の絶縁膜上に、それぞれが接続パッド部を有する複数の第１の配線と、それぞれが接続パッド部を有する複数の第２の配線とを形成する配線形成工程と、前記第１および第２の配線上を含む前記第１の絶縁膜上に、前記第１および第２の配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程と、前記第２の絶縁膜の開口部を介して露出された前記前記第１および第２の配線の接続パッド部上面およびその周囲における前記第２の絶縁膜上に、前記第１および第２の配線の接続パッド部より大きい平面サイズを有する柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、を有し、前記配線形成工程は、前記第１の配線の接続パッド部が外側の環状線を形成するように配列し、前記第２の配線を前記第１の配線の接続パッド部間を通過して延出し前記第２の配線の接続パッド部が前記外側の環状線よりも内側に少なくとも１つの環状線を形成するように配列する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記柱状電極形成工程は、前記第２の絶縁膜の開口部を介して露出された前記第１および第２の配線の接続パッド部上を含む前記第２の絶縁膜上全体に下地金属層を形成し、前記下地金属層上に柱状電極形成用の開口部を有するメッキレジスト膜を形成し、電解メッキにより、前記メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に柱状電極を形成する下地金属層形成工程を含むことを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項８に記載の発明において、前記柱状電極形成工程は、前記下地金属層上に柱状電極を形成した後、前記メッキレジスト膜を剥離し、前記柱状電極をマスクとして前記下地金属層を除去する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記柱状電極形成工程にて前記柱状電極をマスクとして前記下地金属層を除去した後、前記第２の絶縁膜上に封止膜を前記柱状電極の周囲を覆うように形成する封止膜形成工程を有することを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１０に記載の発明において、前記封止膜形成工程にて前記第２の絶縁膜上に前記封止膜を形成した後、前記柱状電極上に半田ボールを形成する半田ボール形成工程を有することを特徴とするものである。

この発明によれば、第１の絶縁膜上に第１の配線をその接続パッド部が外側の環状線を形成するように配列し、第２の配線を第１の配線の接続パッド部間を通過して延出させその接続パッド部が外側の環状線よりも内側に少なくとも１つの環状線を形成するように配列し、第１および第２の配線上を含む第１の絶縁膜上に、第１および第２の配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する第２の絶縁膜を設け、第２の絶縁膜の開口部を介して露出された第１および第２の配線の接続パッド部上面およびその周囲における第２の絶縁膜上に、第１および第２の配線の接続パッド部の平面サイズよりも大きい平面サイズを有する柱状電極を設けているので、外側の環状線を形成するように配列された第１の配線の接続パッド部の平面サイズが柱状電極の平面サイズよりも小さくなり、これにより第１の配線の接続パッド部間の間隔を広くすることができ、ひいては第１の配線の接続パッド部間を通過して延出される第２の配線の引き回しに制約を受けにくいようにすることができる。

図１はこの発明の一実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路、特に、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子（図示せず）が形成され、上面周辺部には、上記集積回路に接続されたアルミニウム系金属等からなる接続パッド５が設けられている。接続パッド２は２個のみを図示するが実際にはシリコン基板１の上面周辺部に多数配列されている。

接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる第１の保護膜（第１の絶縁膜）５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における第１の保護膜５には開口部６が設けられている。

第１の保護膜５の上面には配線７が設けられている。配線７は、第１の保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、絶縁膜３および第１の保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。ここで、配線７は、接続パッド２に接続された接続部７ａと、先端の平面円形状の接続パッド部７ｂと、その間の引き回し線部７ｃとからなっている。

配線７を含む第１の保護膜５の上面にはポリイミド系樹脂等からなる第２の保護膜（第２の絶縁膜）１０が設けられている。配線７の接続パッド部７ｂに対応する部分における第２の保護膜１０には開口部１１が設けられている。第２の保護膜１０の開口部１１を介して露出された配線７の接続パッド部７ｂ上面およびその周囲における第２の保護膜１０の上面には銅等からなる平面円形状の下地金属層１２が設けられている。

下地金属層１２の上面には銅からなる柱状電極１３が設けられている。この場合、柱状電極１３は、平面円形状の下地金属層１２の上面全体に設けられ、平面円形状となっている。柱状電極１３の直径（平面サイズ）は配線７の接続パッド部７ｂの直径（平面サイズ）よりも大きくなっている。これにより、配線７の引き回し線部７ｃの一部は柱状電極１３の直下に配置することが可能となる。

下地金属層１２を含む柱状電極１３の周囲における第２の保護膜１０の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１４がその上面が柱状電極１３の上面と面一となるように設けられている。柱状電極１３の上面には半田ボール１５が設けられている。

ここで、図１では、上述のごとく、接続パッド２を２個のみ図示し、また柱状電極１３を４本のみ図示しているが、実際にはいずれも多数である。一例として、図２は図１に示す半導体装置の半田ボール１５を省略した状態における実際の透過平面図を示す。

図２に示すように、接続パッド２はシリコン基板１の４辺（少なくとも相対向する一側辺）に沿って多数配列され、柱状電極１３はシリコン基板１上にマトリクス状に多数配列されている。したがって、図１に示す柱状電極１３の中心部直下に設けられた配線７の接続パッド部７ｂは複数の環状線を形成するように配列されている。

次に、図３は図２の符号Ａで示す部分の拡大透過平面図を示す。ここで、図１の左側は図３のＩ−Ｉ線に沿う部分の断面図に相当する。図２において最外周に配置された柱状電極１３の中心部直下に設けられた配線７（以下、第１の配線７という場合がある）の接続パッド部７ｂは最も外側の環状線を形成するように配列されている。

第１の配線７以外の配線７（以下、第２の配線７という場合がある）の引き回し線部７ｃは第１の配線７の接続パッド部７ｂ間を通過して延出され、第２の配線７の接続パッド部７ｂは上記最も外側の環状線よりも内側に複数（少なくとも１つ）の環状線を形成するように配列されている。

次に、上記構成の半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図４に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３およびポリイミド系樹脂等からなる第１の保護膜５が設けられ、接続パッド２の中央部が絶縁膜３および第１の保護膜５に形成された開口部４、６を介して露出されたものを準備する。

次に、図５に示すように、絶縁膜３および第１の保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む第１の保護膜５の上面全体に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。

次に、下地金属層８の上面にメッキレジスト膜２１をパターン形成する。この場合、上部金属層９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２１には開口部２２が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜２１の開口部２２内の下地金属層８の上面に上部金属層９を形成する。

次に、メッキレジスト膜２１を剥離し、次いで、上部金属層９をマスクとして、上部金属層９下以外の領域における下地金属層８をエッチングして除去すると、図６に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９とその下に残存された下地金属層８とにより、接続パッド部７ｂを有する２層構造の配線７が形成されている。

この状態では、第１の配線７の接続パッド部７ｂは最も外側の環状線を形成するように配列されている。第２の配線７の引き回し線部７ｃは第１の配線７の接続パッド部７ｂ間を通過して延出され、第２の配線７の接続パッド部７ｂは上記最も外側の環状線よりも内側に複数（少なくとも１つ）の環状線を形成するように配列されている。

次に、図７に示すように、配線７を含む第１の保護膜５の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、ポリイミド系樹脂等からなる第２の保護膜１０を形成する。この場合、配線７の接続パッド部７ｂに対応する部分における第２の保護膜１０には、フォトリソグラフィ法により、開口部１１が形成されている。

次に、図８に示すように、第２の保護膜１０の開口部１１を介して露出された配線７の接続パッド部７ｂを含む下地金属層１２の上面にメッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、柱状電極１３形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２３には円形状の開口部２４が形成されている。また、メッキレジスト膜２３の開口部２４の直径は第２の保護膜１０の開口部１１の直径よりもある程度大きくなっている。

次に、下地金属層１２をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜２３の開口部２４内の下地金属層１２の上面に柱状電極１３を形成する。
次に、メッキレジスト膜２３を剥離し、次いで、柱状電極１３をマスクとして、柱状電極１３下以外の領域における下地金属層１２をエッチングして除去すると、図９に示すように、柱状電極１３下にのみ下地金属層１２が残存される。

次に、図１０に示すように、下地金属層１２および柱状電極１３を含む第２の保護膜１０の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、エポキシ系樹脂等からなる封止膜１４をその厚さが柱状電極１３の高さよりも厚くなるように形成する。したがって。この状態では、柱状電極１３の上面は封止膜１４によって覆われている。

次に、封止膜１４の上面側を適宜に研削し、図１１に示すように、柱状電極１３の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１３の上面を含む封止膜１４の上面を平坦化する。次に、図１２に示すように、柱状電極１３の上面に半田ボール１５を形成する。次に、ダイシング工程を経ると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。

このようにして得られた半導体装置では、第１の絶縁膜５上に第１の配線７をその接続パッド部７ｂが外側の環状線を形成するように配列し、第２の配線７を第１の配線７の接続パッド部７ｂ間を通過して延出させその接続パッド部７ｂが外側の環状線よりも内側に複数の（少なくとも１つの）環状線を形成するように配列し、第１および第２の配線７上を含む第１の絶縁膜５上に、第１および第２の配線７の接続パッド部７ｂに対応する部分に開口部１１を有する第２の絶縁膜１０を設け、第２の絶縁膜１０の開口部１１を介して露出された第１および第２の配線７の接続パッド部７ｂ上面およびその周囲における第２の絶縁膜１０上に、第１および第２の配線７の接続パッド部７ｂの平面サイズよりも大きい平面サイズを有する柱状電極１３を設けているので、外側の環状線を形成するように配列された第１の配線７の接続パッド部７ｂの平面サイズが柱状電極１３の平面サイズよりも小さくなり、これにより第１の配線７の接続パッド部７ｂ間の間隔を広くすることができ、ひいては第１の配線７の接続パッド部７ｂ間を通過して延出される第２の配線７の引き回しに制約を受けにくいようにすることができる。

ここで、この半導体装置の寸法の一例について説明する。柱状電極１３のピッチを５００μｍとし、柱状電極１３の直径を２５０μｍとしても、これらの寸法に関係なく、配線７の接続パッド部７ｂの直径を１０〜１００μｍ好ましくは３０〜５０μｍとすることが可能である。第２の保護膜１０の開口部１１の直径は、許容精度を考慮して、配線７の接続パッド部７ｂの直径よりも５〜５０μｍ好ましくは１０〜２０μｍ小さくする。

図１に示す半導体装置では、配線７の引き回し線部７ｃの線幅および配線７間の間隔が最小寸法で共に２０μｍ（図１では２ｍｍに相当する、以下同じ）であるとき、柱状電極１３のピッチを５００μｍとし、柱状電極１３の直径を２５０μｍとし、配線７の接続パッド部７ｂの直径を１００μｍとすると、配線７の接続パッド部７ｂ間の間隔を４００μｍと広くすることができる。この結果、相隣接する配線７の接続パッド部７ｂ間に配線７の引き回し線部７ｃを９本と多く配置することが可能となる。

ところで、この半導体装置では、配線７を第２の保護膜１０で覆っているので、配線７の耐湿信頼性を向上させることができる。第２の保護膜１０の材料としては、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ボリカルドジイミド、ベンゾシクロブテン、ポリボラジン、エポキシ系、アクリル系等の感光性を有し、電気的特性、物理的特性に優れた有機材料を用いることができる。第２の保護膜１０の厚さは、配線７の厚さにもよるが、５〜３０μｍ好ましくは１０〜１５μｍとすることができる。

この発明の一実施形態としての半導体装置の断面図。 図１に示す半導体装置の半田ボールを省略した状態における実際の透過平面図。 図２の符号Ａで示す部分の拡大透過平面図。 図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。 図４に続く工程の断面図。 図５に続く工程の断面図。 図６に続く工程の断面図。 図７に続く工程の断面図。 図８に続く工程の断面図。 図９に続く工程の断面図。 図１０に続く工程の断面図。 図１１に続く工程の断面図。 従来の半導体装置の一例の断面図。

符号の説明

１ シリコン基板
２ 接続パッド
３ 絶縁膜
４ 開口部
５ 第１の保護膜
６ 開口部
７ 配線
７ａ 接続部
７ｂ 接続パッド部
７ｃ 引き回し線部
１０ 第２の保護膜
１１ 開口部
１２ 下地金属層
１３ 柱状電極
１４ 封止膜
１５ 半田ボール

Claims (11)

1. 一面に集積回路が形成された半導体基板の少なくとも相対向する一側辺に沿って、それぞれ、前記集積回路に接続される複数の接続パッドが形成され、該各接続パッドに接続され、それぞれ、接続パッド部を有する複数の配線を延出して前記接続パッド部が複数の環状線を形成するように配置し、前記配線の接続パッド部上に柱状電極を形成した半導体装置において、前記半導体基板上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられ、それぞれ、接続パッド部が外側の環状線を形成するように配列された複数の第１の配線と、前記第１の配線の接続パッド部間を通過して延出され接続パッド部が前記外側の環状線よりも内側に少なくとも１つの環状線を形成するように配列された第２の配線と、前記第１および第２の配線上を含む前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第１および第２の配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の開口部を介して露出された前記第１および第２の配線の接続パッド部上面およびその周囲における前記第２の絶縁膜上に設けられ、前記第１および第２の配線の接続パッド部の平面サイズよりも大きい平面サイズを有する柱状電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の発明において、前記柱状電極と前記第１および第２の配線の接続パッド部との間に下地金属層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２に記載の発明において、前記下地金属層は前記柱状電極と同一の平面サイズを有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１に記載の発明において、前記第２の配線の一部は前記柱状電極の直下に対応する領域を通過して前記外側の環状線よりも内側に延出されていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１に記載の発明において、前記第２の絶縁膜上に封止膜が前記柱状電極の周囲を覆うように設けられていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項５に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
7. 一面に集積回路が形成され、少なくとも相対向する一側辺に沿って、それぞれ、前記集積回路に接続される複数の接続パッドが形成された半導体基板を準備する前工程と、
   前記半導体基板上に前記接続パッドの少なくとも一部を露出する開口部を有する第１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、
   前記半導体基板上に形成された前記１第１の絶縁膜上に、それぞれが接続パッド部を有する複数の第１の配線と、それぞれが接続パッド部を有する複数の第２の配線とを形成する配線形成工程と、
   前記第１および第２の配線上を含む前記第１の絶縁膜上に、前記第１および第２の配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程と、
   前記第２の絶縁膜の開口部を介して露出された前記前記第１および第２の配線の接続パッド部上面およびその周囲における前記第２の絶縁膜上に、前記第１および第２の配線の接続パッド部より大きい平面サイズを有する柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、
   を有し、前記配線形成工程は、前記第１の配線の接続パッド部が外側の環状線を形成するように配列し、前記第２の配線を前記第１の配線の接続パッド部間を通過して延出し前記第２の配線の接続パッド部が前記外側の環状線よりも内側に少なくとも１つの環状線を形成するように配列する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項７に記載の発明において、前記柱状電極形成工程は、前記第２の絶縁膜の開口部を介して露出された前記第１および第２の配線の接続パッド部上を含む前記第２の絶縁膜上全体に下地金属層を形成し、前記下地金属層上に柱状電極形成用の開口部を有するメッキレジスト膜を形成し、電解メッキにより、前記メッキレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に柱状電極を形成する下地金属層形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の発明において、前記柱状電極形成工程は、前記下地金属層上に柱状電極を形成した後、前記メッキレジスト膜を剥離し、前記柱状電極をマスクとして前記下地金属層を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の発明において、前記柱状電極形成工程にて前記柱状電極をマスクとして前記下地金属層を除去した後、前記第２の絶縁膜上に封止膜を前記柱状電極の周囲を覆うように形成する封止膜形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項１０に記載の発明において、前記封止膜形成工程にて前記第２の絶縁膜上に前記封止膜を形成した後、前記柱状電極上に半田ボールを形成する半田ボール形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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