JP2009215270A - 結晶性カルバペネム化合物及びその製造法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は結晶性カルバペネム化合物及びその製造法に関するものである。本発明の結晶性カルバペネム化合物は結晶性(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸であり、図2の粉末X線回折パターンによって特徴付けられている。本発明の結晶性カルバペネム化合物は新たな結晶形態であり、抗生物として有効である。しかも、本発明の結晶性カルバペネム化合物は非結晶形態のカルバペネム混合物より安定している。その故に、本発明の結晶性カルバペネム化合物は保存に適している。
【選択図】図3
Description
結晶性(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸
結晶性(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸、
請求項2の発明は、結晶性(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸は粉末X線回折パターンによって特徴付けられ、格子の間隔及び相対強度値を含め、その相対強度値は仕様の表2で定められていることを特徴とする請求項1記載の結晶性カルバペネム化合物としている。
請求項3の発明は、以下の手順を含み、
以下の手順を含み、
(1)活性炭が溶液に加えられてかき混ぜられ、該溶液は(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸の粗製品と水を含み、
(2)該活性炭が該溶液からろ過で除去され、及びろ過水が水溶液になるように水で洗い流され、
(3)該水溶液が逆浸透の濃縮装置で濃縮され、該生成された濃縮物が冷却され、
(4)種が生成された該濃縮物に加えられ、
(5)溶剤が加えられ、そして、かき混ぜられ、
(6)沈殿結晶が採集されて洗い流され、乾燥され、結晶性(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸を得る、この沈殿結晶は仕様の図2の粉末X線回折パターンことを特徴とする結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項4の発明は、(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸の粗製品と活性炭の重量比は100:1−30であることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項5の発明は、当該水溶液は約5〜20℃で50〜300psiの圧力で手順(3)の逆浸透の濃縮装置で濃縮されたことを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項6の発明は、当該手順(4)の種は≧95wt%のメロペネムを含めていることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項7の発明は、当該手順(5)の溶剤は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、アセトン、イソプロピルアルコール、1−プロパノール、酢酸メチル、酢酸エチルッメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びそれらの混合物の構成から採集されたことを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項8の発明は、当該手順(5)の溶剤の追加分は−5〜20℃であることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項9の発明は、当該かき混ぜる手順は10〜30℃に冷却するためのものであることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項10の発明は、当該沈殿結晶はメタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、アセトン、イソプロピルアルコール、1−プロパノール、酢酸メチル、酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びそれらの混合物で洗い流されたことを特徴とする手順(6)の請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項11の発明は、当該手順(6)の沈殿結晶は10〜35℃で乾燥されたことを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
請求項12の発明は、当該手順(6)の(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸は、粉末X線回折パターンによって特徴付けられ、格子の間隔及び仕様の表2で定められた相対強度値を含めていることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法としている。
以下の手順を含み、
(S1)活性炭が溶液に加えられてかき混ぜられ、該溶液は(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸の粗製品と水を含み、
(S2)該活性炭が該溶液からろ過で除去され、及びろ過水が水溶液になるように水で洗い流され、
(S3)該水溶液が逆浸透の濃縮装置で濃縮され、該生成された濃縮物が冷却され、
(S4)種が生成された該濃縮物に加えられ、
(S5)溶剤が加えられ、そして、かき混ぜられ、
(S6)沈殿結晶が採集されて洗い流され、乾燥され、結晶性(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸(新結晶形態Bの化合物A)を得る、この沈殿結晶は図2の粉末X線回折パターンによって特徴付けられている。
1.本発明の結晶性カルバペネム化合物は新結晶形態で抗生物質に利用できる。
2.本発明の結晶性カルバペネム化合物は非結晶形態のカルバペネム化合物に比べてより安定している。
3.本発明の結晶性カルバペネム化合物は保存に適している。
Claims (12)
- 結晶性(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸は粉末X線回折パターンによって特徴付けられ、格子の間隔及び相対強度値を含め、その相対強度値は仕様の表2で定められていることを特徴とする請求項1記載の結晶性カルバペネム化合物。
- 以下の手順を含み、
(1)活性炭が溶液に加えられてかき混ぜられ、該溶液は(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸の粗製品と水を含み、
(2)該活性炭が該溶液からろ過で除去され、及びろ過水が水溶液になるように水で洗い流され、
(3)該水溶液が逆浸透の濃縮装置で濃縮され、該生成された濃縮物が冷却され、
(4)種が生成された該濃縮物に加えられ、
(5)溶剤が加えられ、そして、かき混ぜられ、
(6)沈殿結晶が採集されて洗い流され、乾燥され、結晶性(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸を得る、この沈殿結晶は仕様の図2の粉末X線回折パターンことを特徴とする結晶性カルバペネム化合物の製造法。 - (4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸の粗製品と活性炭の重量比は100:1−30であることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
- 当該水溶液は約5〜20℃で50〜300psiの圧力で手順(3)の逆浸透の濃縮装置で濃縮されたことを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
- 当該手順(4)の種は≧95wt%のメロペネムを含めていることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
- 当該手順(5)の溶剤は、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、アセトン、イソプロピルアルコール、1−プロパノール、酢酸メチル、酢酸エチルッメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びそれらの混合物の構成から採集されたことを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
- 当該手順(5)の溶剤の追加分は−5〜20℃であることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
- 当該かき混ぜる手順は10〜30℃に冷却するためのものであることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
- 当該沈殿結晶はメタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、アセトン、イソプロピルアルコール、1−プロパノール、酢酸メチル、酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びそれらの混合物で洗い流されたことを特徴とする手順(6)の請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
- 当該手順(6)の沈殿結晶は10〜35℃で乾燥されたことを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
- 当該手順(6)の(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−[(ジメチルアミノ)カルボニル]−3−ピロリジニル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.2.0]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸は、粉末X線回折パターンによって特徴付けられ、格子の間隔及び仕様の表2で定められた相対強度値を含めていることを特徴とする請求項3記載の結晶性カルバペネム化合物の製造法。
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