JP2009182118A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、
   前記絶縁層の上面を覆う密着層を形成する密着層形成工程と、
   前記密着層の上面に、前記配線の形成領域に対応する部分の前記密着層の上面を露出する配線形成用開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
   前記レジスト膜の上面と、前記配線形成用開口部を構成する前記レジスト膜の側面及び前記密着層の上面とを覆うように、前記密着層よりもエッチングされにくい金属層を形成する金属層形成工程と、
   前記金属層を給電層とする電解めっき法により、前記配線形成用開口部をめっき膜で充填するめっき膜形成工程と、
   前記レジスト膜の上面よりも上方に形成された部分の前記金属層及び前記めっき膜を除去する金属層及びめっき膜除去工程と、
   前記金属層及びめっき膜除去工程後に、前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
   前記レジスト膜除去工程後に、前記金属層に覆われていない不要な部分の前記密着層をエッチングにより除去する密着層除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記金属層は、前記密着層よりもエッチングされにくい保護金属層と、前記給電層となるシード層とが積層された構成とされており、
   前記金属層形成工程は、シード層を形成するシード層形成工程と、
   前記シード層と前記レジスト膜及び前記密着層との間に、前記保護金属層を形成する保護金属層形成工程と、を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
3. 前記保護金属層形成工程では、前記密着層を除去後に、前記めっき膜の側壁に前記保護金属層が残るような厚さとなるように、前記保護金属層を形成することを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
4. 前記密着層及び前記保護金属層の材料は、Ｎｉ−Ｃｕ合金であり、
   前記保護金属層を構成するＮｉ−Ｃｕ合金は、前記密着層を構成するＮｉ−Ｃｕ合金よりもＮｉの含有率が高いことを特徴とする請求項２又は３記載の配線基板の製造方法。
5. 前記配線の下方に位置する部分の前記絶縁層にパッドを形成するパッド形成工程と、
   前記配線と前記パッドとの間に位置する部分の前記絶縁層に、前記配線及び前記パッドと接続されるビアを形成するビア形成工程と、をさらに設けたことを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。
6. 絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、
   前記絶縁層の上面に、前記配線の形成領域に対応する部分の前記絶縁層の上面を露出する配線形成用開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
   前記レジスト膜の上面と、前記配線形成用開口部を構成する部分の前記レジスト膜の側面及び前記絶縁層の上面とを覆う金属層を形成する金属層形成工程と、
   前記金属層を給電層とする電解めっき法により、前記配線形成用開口部をめっき膜で充填するめっき膜形成工程と、
   前記レジスト膜の上面よりも上方に形成された部分の前記金属層及び前記めっき膜を除去して、前記配線を形成する配線形成工程と、
   前記配線形成工程後に、前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を含み、
   前記金属層形成工程は、前記給電層となるシード層を形成するシード層形成工程と、
   前記シード層と前記絶縁層及び前記レジスト膜との間に配置される密着層を形成する密着層形成工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 前記シード層の材料と前記密着層の材料とは、互いに異種の金属であることを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
8. 前記配線の下方に位置する部分の前記絶縁層にパッドを形成するパッド形成工程と、
   前記配線と前記パッドとの間に位置する部分の前記絶縁層に、前記配線及び前記パッドと接続されるビアを形成するビア形成工程と、をさらに設けたことを特徴とする請求項６又は７記載の配線基板の製造方法。