JP2009038184A

JP2009038184A - Semiconductor light emitting device, light source device, and planar light emitting device

Info

Publication number: JP2009038184A
Application number: JP2007200597A
Authority: JP
Inventors: Kiyokazu Hino; 清和日野
Original assignee: Harison Toshiba Lighting Corp
Current assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date: 2007-08-01
Filing date: 2007-08-01
Publication date: 2009-02-19

Abstract

【課題】狭額縁化・薄型化が可能な半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置を提供する。
【解決手段】光を放出する前面と、前記前面に対向した後面と、前記前面及び後面に対して略直交し前記前面及び前記後面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、前記パッケージに実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂の表面は、前記パッケージの前記前面の最前面よりも後退してなり、前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかは、前記発光素子に接続された電極部を有し、前記前面に対して垂直な方向にみた前記電極部の前記前面側の表面は、前記前面に対して垂直な方向にみた前記パッケージの最前面よりも後退してなることを特徴とする半導体発光装置を提供する。
【選択図】図１A semiconductor light-emitting device, a light source device, and a planar light-emitting device that can be narrowed and thinned are provided.
A front surface that emits light, a rear surface that faces the front surface, a first side surface that is substantially orthogonal to the front surface and the rear surface, and is connected to the front surface and the rear surface at a long side, and the first side surface A package having a second side surface facing the semiconductor light emitting device, a semiconductor light emitting device mounted on the package, and a sealing resin for sealing the semiconductor light emitting device, the surface of the sealing resin being Recessed from the forefront of the front surface of the package, and at least one of the first and second side surfaces has an electrode portion connected to the light emitting element, and is in a direction perpendicular to the front surface. The surface of the electrode portion seen from the front side is set back from the forefront of the package as viewed in a direction perpendicular to the front side.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置に関し、具体的には小型化・薄型化が可能な半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor light emitting device, a light source device, and a planar light emitting device, and more specifically to a semiconductor light emitting device, a light source device, and a planar light emitting device that can be reduced in size and thickness.

発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）、半導体レーザなどの各種の半導体発光素子を、金属や樹脂、セラミックなどから成るパッケージに搭載した半導体発光装置は種々の用途に幅広く用いられている。例えば、携帯電話などの小型の液晶ディスプレイ用バックライト光源には、樹脂と金属リードフレームとを有するサイドビュータイプの薄型の発光ダイオードを用いることができる。液晶ディスプレイ用バックライト光源は、発光ダイオードなどの半導体発光装置が複数個設けられた面状発光装置であることが多い。サイドビュータイプの半導体発光装置は、回路基板に半田付けを行う面が光を均一に拡散する導光板の面と一致する。これにより、実装が簡易的となるため面状発光装置の小型化に有利である。 2. Description of the Related Art Semiconductor light emitting devices in which various semiconductor light emitting elements such as light emitting diodes (LEDs) and semiconductor lasers are mounted in packages made of metal, resin, ceramic, etc. are widely used for various applications. For example, a thin light-emitting diode of a side view type having a resin and a metal lead frame can be used for a backlight light source for a small liquid crystal display such as a cellular phone. A backlight light source for a liquid crystal display is often a planar light emitting device provided with a plurality of semiconductor light emitting devices such as light emitting diodes. In the side view type semiconductor light emitting device, the surface to be soldered to the circuit board coincides with the surface of the light guide plate that diffuses light uniformly. As a result, the mounting becomes simple, which is advantageous for downsizing the planar light emitting device.

この半導体発光装置の１つとして、金属リードフレーム上に半導体発光素子が実装され、その周囲を樹脂のパッケージで覆ったものが挙げられる（例えば、特許文献１）。また、他の半導体発光装置の１つとして、セラミックから成るパッケージを用いたものが挙げられる（例えば、特許文献２）。さらに他の半導体発光装置の１つとして、前面と後面とに導通性のあるスルーホールが設けられた基板の前面に半導体発光素子がダイボンディングされ、シリコーンなどの封止材料で封止されたものが挙げられる（例えば、特許文献３）。
特開２００４ー２０７６８８号公報特開２００４−２２８１００号公報特開２００６−２２９００７号公報 As one of the semiconductor light emitting devices, a semiconductor light emitting element is mounted on a metal lead frame and the periphery thereof is covered with a resin package (for example, Patent Document 1). Another example of the semiconductor light emitting device is one using a ceramic package (for example, Patent Document 2). As another semiconductor light emitting device, a semiconductor light emitting element is die-bonded on the front surface of a substrate having conductive through holes on the front surface and the rear surface, and sealed with a sealing material such as silicone. (For example, Patent Document 3).
Japanese Patent Laid-Open No. 2004-207688 JP 2004-228100 A JP 2006-229007 A

特許文献１に記載された半導体発光装置は、半導体発光素子を実装する開口部の上面と下面とに内壁面が設けられている。そのため、半導体発光装置の小型化および薄型化という点では改善の余地があった。 In the semiconductor light emitting device described in Patent Document 1, inner wall surfaces are provided on the upper surface and the lower surface of the opening for mounting the semiconductor light emitting element. Therefore, there is room for improvement in terms of downsizing and thinning of the semiconductor light emitting device.

特許文献２に記載された半導体発光装置は、セラミックから成るパッケージを用いている。セラミックは硬くて脆い性質があるためパッケージの肉厚を薄くすることが困難であり、半導体発光装置の小型化および薄型化という点では改善の余地があった。さらに、例えば半導体発光装置を液晶ディスプレイ用バックライト光源として利用する場合、半導体発光装置を回路基板のランドパターン部に実装半田付けする工程において、半導体発光装置の片側の電極だけが回路基板のランドパターン上に立ち上がった状態で半田固定される実装不良（マンハッタン現象）や半田付け不良などを防止するために、半導体発光装置の電極幅よりもランドパターンの幅を広くして半田の濡れ広がり面積を確保する設計が行われている。この設計は、表面実装タイプの電子部品用の回路基板設計においても、同様に行われている。そのため、導光板とランドパターンの半田濡れ部分の干渉を防ぐために、バックライトの外形を大きくする必要があるといった小型化に逆行した構造を有していた。 The semiconductor light emitting device described in Patent Document 2 uses a package made of ceramic. Since ceramic is hard and brittle, it is difficult to reduce the thickness of the package, and there is room for improvement in terms of downsizing and thinning of the semiconductor light emitting device. Further, for example, when the semiconductor light emitting device is used as a backlight light source for a liquid crystal display, in the process of mounting and soldering the semiconductor light emitting device to the land pattern portion of the circuit board, only the electrode on one side of the semiconductor light emitting device is the land pattern of the circuit board. In order to prevent mounting defects (Manhattan phenomenon) and soldering defects that are fixed by soldering while standing up, the width of the land pattern is made wider than the electrode width of the semiconductor light-emitting device to ensure the area of wet solder spreading. Design to be done. This design is similarly performed in the circuit board design for surface mount type electronic components. Therefore, in order to prevent interference between the light guide plate and the solder wetted portion of the land pattern, the backlight has a structure that goes against miniaturization, such as the need to increase the outer shape of the backlight.

特許文献３に記載された半導体発光装置は、封止材料が半導体発光装置の前面から突出しており、後面に設けられた電極を半田付けする構造となっているため、液晶ディスプレイのバックライトとして用いた場合に、画像表示部の周囲の額縁領域を狭くするとが容易でない。すなわち、画像表示装置の光源としての半導体発光装置の小型化および薄型化という点では改善の余地があった。 The semiconductor light emitting device described in Patent Document 3 has a structure in which the sealing material protrudes from the front surface of the semiconductor light emitting device and solders the electrodes provided on the rear surface, so that it is used as a backlight of a liquid crystal display. In such a case, it is not easy to narrow the frame area around the image display unit. That is, there is room for improvement in terms of downsizing and thinning of the semiconductor light emitting device as the light source of the image display device.

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、狭額縁化・薄型化が可能な半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置を提供する。 The present invention has been made based on recognition of such problems, and provides a semiconductor light-emitting device, a light source device, and a planar light-emitting device that can be narrowed and thinned.

本発明の一態様によれば、光を放出する前面と、前記前面に対向した後面と、前記前面及び後面に対して略直交し前記前面及び前記後面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、前記パッケージに実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂の表面は、前記パッケージの前記前面の最前面よりも後退してなり、前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかは、前記発光素子に接続された電極部を有し、前記前面に対して垂直な方向にみた前記電極部の前記前面側の表面は、前記前面に対して垂直な方向にみた前記パッケージの最前面よりも後退してなることを特徴とする半導体発光装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a front surface that emits light, a rear surface that faces the front surface, a first side surface that is substantially orthogonal to the front surface and the rear surface, and is connected to the front surface and the rear surface through a long side; A package having a second side surface facing the first side surface, a semiconductor light emitting element mounted on the package, and a sealing resin for sealing the semiconductor light emitting element, the sealing resin The front surface of the package recedes from the frontmost surface of the front surface of the package, and at least one of the first and second side surfaces has an electrode portion connected to the light emitting element, with respect to the front surface. The semiconductor light emitting device is provided, wherein a surface on the front side of the electrode portion viewed in a direction perpendicular to the front surface is recessed from a forefront surface of the package viewed in a direction perpendicular to the front surface. .

また、本発明の他の一態様によれば、第１の方向に沿って複数のランドパターンが設けられた回路基板と、前記複数のランドパターンのそれぞれに、前記電極部のいずれかが接続された請求項１記載の複数の半導体発光装置と、を備え、前記複数のランドパターンのそれぞれは、前記第１の方向に対して垂直な方向にみた前記複数のランドパターンの前記前面側の先端部が、前記半導体発光装置の前記パッケージの前記最前面よりも後退してなることを特徴とする光源装置が提供される。 According to another aspect of the invention, any one of the electrode portions is connected to each of the plurality of land patterns and the circuit board provided with the plurality of land patterns along the first direction. 2. A plurality of semiconductor light emitting devices according to claim 1, wherein each of the plurality of land patterns is a front end portion of the plurality of land patterns as viewed in a direction perpendicular to the first direction. However, a light source device is provided that is recessed from the forefront surface of the package of the semiconductor light emitting device.

また、本発明の他の一態様によれば、導光板と、前記導光板の端面に光を入射する請求項２〜４のいずれか１つに記載の光源装置と、を備えたことを特徴とする面状発光装置が提供される。 In addition, according to another aspect of the present invention, it is provided with a light guide plate and the light source device according to any one of claims 2 to 4 in which light is incident on an end surface of the light guide plate. A planar light emitting device is provided.

本発明によれば、狭額縁化・薄型化が可能な半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置が提供される。 According to the present invention, a semiconductor light-emitting device, a light source device, and a planar light-emitting device that can be narrowed and thinned are provided.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の斜視図である。すなわち、図１（ａ）は前面側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は後面側から見た斜視図である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 1A is a perspective view seen from the front side, and FIG. 1B is a perspective view seen from the rear side.

図１に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１０１は、発光ダイオードなどの半導体発光素子３と、半導体発光素子３を実装するためのパッケージ１と、半導体発光素子３を封止するための封止部材１０と、半導体発光装置１０１の両側に位置する電極部２、８と、を備える。 As shown in FIG. 1, the semiconductor light emitting device 101 according to the present embodiment seals the semiconductor light emitting element 3 such as a light emitting diode, the package 1 for mounting the semiconductor light emitting element 3, and the semiconductor light emitting element 3. And the electrode portions 2 and 8 located on both sides of the semiconductor light emitting device 101 are provided.

パッケージ１の前面中央部には溝部１ｇが設けられ、この溝部１ｇの底面に半導体発光素子３がダイボンディングされている。半導体発光素子３と、この両側に位置するボンディング電極５と、はボンディングワイヤ４によって接続されている。パッケージ１の溝部１ｇの中は封止部材１０が充填されており、封止部材１０の前面１０ａはパッケージ１の最前面９ａよりも例えば０．０５ｍｍ以上後退した位置（半導体発光装置１０１の後面方向の位置）になるように充填されている。 A groove 1g is provided at the center of the front surface of the package 1, and the semiconductor light emitting element 3 is die-bonded to the bottom of the groove 1g. The semiconductor light emitting element 3 and the bonding electrodes 5 located on both sides thereof are connected by bonding wires 4. The groove 1 g of the package 1 is filled with a sealing member 10, and the front surface 10 a of the sealing member 10 is retracted by, for example, 0.05 mm or more from the frontmost surface 9 a of the package 1 (in the rear surface direction of the semiconductor light emitting device 101). It is filled so that it may become (position).

パッケージ１の前面及び後面に対して略直交し、前面及び後面と長辺でつながる側面の両端付近には、電極部２、８が設けられている。後に詳述するように、パッケージ１の側面が図示しない回路基板などに対してマウントされるマウント面となる。電極部２、８は、ボンディング電極５にそれぞれ接続されている。パッケージ１の最前面９ａに設けられた例えば０．１ｍｍ以上の段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置している。電極部８の後面８ｂにおいても前面８ａと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた例えば０．１ｍｍ以上の段差７ｂによって、電極部８の前面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置している。電極部２においても電極部８と同様の構造をしているため、ここでは詳細な説明は省略する。 Electrode portions 2 and 8 are provided in the vicinity of both ends of a side surface that is substantially orthogonal to the front and rear surfaces of the package 1 and that is connected to the front and rear surfaces by long sides. As will be described in detail later, the side surface of the package 1 becomes a mount surface that is mounted on a circuit board (not shown). The electrode parts 2 and 8 are connected to the bonding electrode 5, respectively. The front surface 8a of the electrode portion 8 is positioned on the rear surface side of the package 1 with respect to the front surface 9a by a step 7a of 0.1 mm or more provided on the front surface 9a of the package 1, for example. Similarly to the front surface 8a, the front surface 8b of the electrode unit 8 is also positioned on the front surface of the package 1 more than the last surface 9b on the rear surface 8b of the electrode unit 8 by a step 7b provided on the rear surface 9b of the package 1, for example, 0.1 mm or more. Located on the side. Since the electrode part 2 has the same structure as the electrode part 8, a detailed description thereof is omitted here.

パッケージ１は、例えばアルミナ系やムライト系のセラミックやガラスセラミック、ガラスエポキシ、紙フェノールなどから成る。封止部材１０はシリコーンやエポキシなどから成る。 The package 1 is made of, for example, alumina-based or mullite-based ceramic, glass ceramic, glass epoxy, paper phenol, or the like. The sealing member 10 is made of silicone or epoxy.

図２は、本実施形態に係る半導体発光装置を回路基板に実装した光源装置を前面側から見た斜視図である。
図２に表したように、本実施形態の光源装置は、半導体発光装置１０１を複数個備えている。回路基板１２には、半導体発光装置１０１を実装するための半田付け用のランドパターン１７（図４参照）が設けられている。ランドパターン１７は、例えば銅層などから成り、厚さは例えば２０〜１００μｍ程度である。さらに回路基板１２には、このランドパターン１７を介して半田ペースト１３（図４参照）が予め印刷されている。半田ペースト１３は、例えばＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕなどから成り、厚さは例えば５０〜２００μｍ程度である。 FIG. 2 is a perspective view of a light source device in which the semiconductor light emitting device according to the present embodiment is mounted on a circuit board, as viewed from the front side.
As shown in FIG. 2, the light source device of this embodiment includes a plurality of semiconductor light emitting devices 101. The circuit board 12 is provided with a land pattern 17 for soldering (see FIG. 4) for mounting the semiconductor light emitting device 101. The land pattern 17 is made of, for example, a copper layer and has a thickness of, for example, about 20 to 100 μm. Further, a solder paste 13 (see FIG. 4) is printed in advance on the circuit board 12 through the land pattern 17. The solder paste 13 is made of, for example, Sn-3.0Ag-0.5Cu and has a thickness of, for example, about 50 to 200 μm.

半導体発光装置１０１の封止部材１０の下面に位置する基板上には、酸化チタンなどを含有したシリコーン樹脂や液晶ポリマーなどが印刷された反射層１４が設けられている。この反射層１４の厚さは、ランドパターン１７の厚さと印刷された半田ペースト１３の厚さとの和以下としている。この回路基板１２の上に複数個の半導体発光装置１０１を配置して、リフロー炉などを用いて半田ペースト１３を溶融させることによって、回路基板１２と半導体発光装置１０１とを接合する。また、半導体発光装置１０１の封止部材１０の上面部には、酸化チタンなどを含有したシリコーン樹脂や液晶ポリマーなどが貼付または印刷された帯状の反射層１５が設けられている。 On the substrate positioned on the lower surface of the sealing member 10 of the semiconductor light emitting device 101, a reflective layer 14 printed with a silicone resin containing titanium oxide or the like, a liquid crystal polymer, or the like is provided. The thickness of the reflective layer 14 is not more than the sum of the thickness of the land pattern 17 and the thickness of the printed solder paste 13. A plurality of semiconductor light emitting devices 101 are arranged on the circuit board 12 and the solder paste 13 is melted by using a reflow furnace or the like, thereby joining the circuit board 12 and the semiconductor light emitting device 101. In addition, on the upper surface portion of the sealing member 10 of the semiconductor light emitting device 101, a belt-like reflective layer 15 on which a silicone resin or a liquid crystal polymer containing titanium oxide or the like is attached or printed is provided.

図３は、面状発光装置を液晶ディスプレイ用バックライト光源として利用した場合の正面図であり、図３（ａ）は、本実施形態に係る面状発光装置を利用した場合の正面図であり、図３（ｂ）は、比較例の面状発光装置を利用した場合の正面図である。
図４は、面状発光装置を回路基板に実装した状態で左側面から見た側面図であり、図４（ａ）は、本実施形態に係る面状発光装置を利用した場合の左側面図であり、図４（ｂ）は、比較例の面状発光装置を利用した場合の左側面図である。
図５は、本実施形態に係る面状発光装置を回路基板に実装した状態で図２のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。 FIG. 3 is a front view when the planar light emitting device is used as a backlight light source for a liquid crystal display, and FIG. 3A is a front view when the planar light emitting device according to the present embodiment is used. FIG. 3B is a front view when the planar light emitting device of the comparative example is used.
FIG. 4 is a side view of the planar light emitting device viewed from the left side when mounted on the circuit board, and FIG. 4A is a left side view when the planar light emitting device according to the present embodiment is used. FIG. 4B is a left side view when the planar light emitting device of the comparative example is used.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 2 in a state where the planar light emitting device according to this embodiment is mounted on a circuit board.

図３に表したように、本実施形態の面状発光装置を液晶ディスプレイ用バックライト光源として利用した場合、光源装置は例えば枠体１８の左端面に沿って配置されている。半導体発光装置１０１の前面側には導光板１６が設けられている。枠体１８と導光板１６との間には拡散反射層２１がさらに設けられ、導光板１６の上面には拡散層１９とフィルター２０とがこの順に積層されてさらに設けられている。 As shown in FIG. 3, when the planar light emitting device of this embodiment is used as a backlight light source for a liquid crystal display, the light source device is disposed along the left end surface of the frame body 18, for example. A light guide plate 16 is provided on the front side of the semiconductor light emitting device 101. A diffuse reflection layer 21 is further provided between the frame 18 and the light guide plate 16, and a diffusion layer 19 and a filter 20 are further laminated on the upper surface of the light guide plate 16 in this order.

図４（ａ）、（ｂ）に表したように、半導体発光装置１０１を実装するための回路基板１２のランドパターン１７は、電極部８よりも大きくしなければならない。つまり、ランドパターン１７は電極部８の前面８ａおよび後面８ｂよりも半導体発光装置１０１の前面方向および後面方向に延出した延出部２５を有していなければならない。これは、半導体発光装置１０１を回路基板１２に実装した時の実装位置のばらつき、などに対応するためである。 As illustrated in FIGS. 4A and 4B, the land pattern 17 of the circuit board 12 for mounting the semiconductor light emitting device 101 must be larger than the electrode portion 8. In other words, the land pattern 17 must have an extending portion 25 that extends in the front direction and the rear direction of the semiconductor light emitting device 101 from the front surface 8 a and the rear surface 8 b of the electrode portion 8. This is to cope with variations in mounting position when the semiconductor light emitting device 101 is mounted on the circuit board 12.

これにより、図４（ｂ）に表した比較例の半導体発光装置では、半導体発光装置の最前面９ａよりもランドパターン１７の最前部の方が前方に位置していた。これと同様に、半導体発光装置の最後面９ｂよりもランドパターン１７の最後部の方が後方に位置していた。つまり、半導体発光装置１０１の最前面９ａに対向する導光板１６の端面１６ａは、半田ペースト１３またはランドパターン１７の最前部よりもさらに前方側に設けられる必要がある。これと同様に、枠体１８は半田ペースト１３またはランドパターン１７の最後部よりもさらに後方側に設けられる必要がある。このため、光源装置および面状発光装置として用いた場合、画像表示領域あるいは発光領域の周囲に設けられる額縁領域の幅を小さくすることが容易ではない。すなわち、比較例の半導体発光装置では、狭額縁化が困難であった。 As a result, in the semiconductor light emitting device of the comparative example shown in FIG. 4B, the forefront portion of the land pattern 17 is located in front of the front surface 9a of the semiconductor light emitting device. Similarly, the rearmost portion of the land pattern 17 is located behind the rearmost surface 9b of the semiconductor light emitting device. That is, the end surface 16 a of the light guide plate 16 facing the forefront surface 9 a of the semiconductor light emitting device 101 needs to be provided further forward than the foremost portion of the solder paste 13 or the land pattern 17. Similarly, the frame 18 needs to be provided further to the rear side than the last part of the solder paste 13 or the land pattern 17. For this reason, when used as a light source device and a planar light emitting device, it is not easy to reduce the width of the frame region provided around the image display region or the light emitting region. That is, in the semiconductor light emitting device of the comparative example, it was difficult to narrow the frame.

これに対して、図４（ａ）に表した本実施形態の半導体発光装置によれば、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置しているため、ランドパターン１７の最前部はパッケージ１の最前面９ａと同位置もしくは後面方向に位置させることが可能となる。これと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、電極部８の後面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置しているため、ランドパターン１７の最後部はパッケージ１の最後面９ｂと同位置もしくは前面方向に位置させることが可能となる。つまり、導光板１６の端面１６ａを半導体発光装置１０１の最前面９ａに隣接して設けることが可能となる。これと同様に、枠体１８を半導体発光装置１０１の最後面９ｂに隣接して設けることが可能となる。これにより、光源装置および面状発光装置の同一外形寸法における狭額縁化が可能となる。 On the other hand, according to the semiconductor light emitting device of this embodiment shown in FIG. 4A, the front surface 8a of the electrode portion 8 is more than the frontmost surface 9a due to the step 7a provided on the frontmost surface 9a of the package 1. Since it is located on the rear surface side of the package 1, the foremost portion of the land pattern 17 can be located at the same position as the frontmost surface 9 a of the package 1 or in the rear surface direction. Similarly, since the rear surface 8b of the electrode portion 8 is located on the front side of the package 1 with respect to the rear surface 9b due to the step 7b provided on the rear surface 9b of the package 1, the last portion of the land pattern 17 is The package 1 can be positioned at the same position as the last surface 9b of the package 1 or in the front surface direction. That is, the end surface 16 a of the light guide plate 16 can be provided adjacent to the forefront surface 9 a of the semiconductor light emitting device 101. Similarly, the frame 18 can be provided adjacent to the rearmost surface 9 b of the semiconductor light emitting device 101. Thereby, the narrow frame in the same external dimension of a light source device and a planar light-emitting device is attained.

さらに、前述の通り、半導体発光装置１０１の封止部材１０の上面部および下面部には、酸化チタンなどを含有したシリコーン樹脂や液晶ポリマーなどが印刷または貼付された反射層１４、１５が設けられている。これにより、封止部材１０の上面部および下面部はパッケージ１に囲まれず、内壁面が存在しないため、半導体発光装置の薄型化が可能となる。 Further, as described above, the upper and lower portions of the sealing member 10 of the semiconductor light emitting device 101 are provided with the reflective layers 14 and 15 on which a silicone resin or a liquid crystal polymer containing titanium oxide is printed or affixed. ing. Thereby, since the upper surface part and the lower surface part of the sealing member 10 are not surrounded by the package 1 and there is no inner wall surface, the semiconductor light emitting device can be thinned.

図５に表したように、半導体発光素子３から封止部材１０の上面および下面方向に出射された光３７は、反射層１４、１５によって反射して導光板１６に入射する。また、半導体発光素子３から導光板１６に直接入射される光３９が存在する。これにより、光の損失が少ない面状発光装置が期待できる。
本実施形態の面状発光装置は、例えば面状発光装置の発光色が高演色で高い色再現性を必要とする白色の場合、赤・緑・青色の光を発光する半導体発光素子が設けられた方式として用いることが可能となる。 As shown in FIG. 5, the light 37 emitted from the semiconductor light emitting element 3 toward the upper surface and the lower surface of the sealing member 10 is reflected by the reflective layers 14 and 15 and enters the light guide plate 16. Further, there is light 39 that is directly incident on the light guide plate 16 from the semiconductor light emitting element 3. Thereby, a planar light emitting device with little light loss can be expected.
The planar light emitting device of this embodiment is provided with a semiconductor light emitting element that emits red, green, and blue light, for example, when the planar light emitting device has a white color that requires high color rendering and high color reproducibility. It can be used as a new method.

次に、本実施形態における半導体発光装置の製造方法を説明する。
図６は、本実施形態における半導体発光装置の切断前の斜視図である。
図６に表したように、本実施形態の半導体発光装置１０１は、前面中央部の溝部１ｇが上面を向いた状態で形成することができる。パッケージ１はセラミックや樹脂などから成る。電極部２、８となる部分は、パッケージ１の上の貫通孔６をメタライズすることによって形成される。この貫通孔６は、スルーホール、キャスタレーション、ビアホールなどと呼ばれている。貫通孔６を設けた電極部２、８はパッケージ１の最前面９ａよりも後面方向に後退した位置に形成される。これと同様に、電極部２、８はパッケージ１の最後面９ｂよりも前面方向に後退した位置に形成される。 Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device in this embodiment will be described.
FIG. 6 is a perspective view of the semiconductor light emitting device in this embodiment before cutting.
As shown in FIG. 6, the semiconductor light emitting device 101 of the present embodiment can be formed with the groove 1 g at the center of the front surface facing the upper surface. The package 1 is made of ceramic or resin. The portions to be the electrode portions 2 and 8 are formed by metallizing the through holes 6 on the package 1. The through hole 6 is called a through hole, castellation, via hole or the like. The electrode portions 2 and 8 provided with the through holes 6 are formed at positions that are retracted rearward from the frontmost surface 9a of the package 1. Similarly to this, the electrode portions 2 and 8 are formed at positions retracted in the front direction from the rearmost surface 9 b of the package 1.

以降、パッケージ１の材質をセラミックとした場合を例に挙げて製造方法を説明する。
本実施形態の半導体発光装置１０１の製造方法は、例えばセラミックグリーンシート積層法によることができる。具体的には、例えば、セラミック基板４９、５０とセラミック窓枠５１との３枚のグリーンシートを用いることができる。これらのセラミック基板４９、５０の両面に、ボンディング電極５と、電極部８の前面８ａおよび後面８ｂをパターニングする。ボンディング電極５は、メタライズペーストを用いて、スクリーン印刷などで形成される。また、電極部２においても電極部８と同様に、前面および後面をパターニングする。 Hereinafter, the manufacturing method will be described by taking as an example the case where the material of the package 1 is ceramic.
The method for manufacturing the semiconductor light emitting device 101 of this embodiment can be based on, for example, a ceramic green sheet lamination method. Specifically, for example, three green sheets of ceramic substrates 49 and 50 and a ceramic window frame 51 can be used. The bonding electrode 5 and the front surface 8a and the rear surface 8b of the electrode portion 8 are patterned on both surfaces of the ceramic substrates 49 and 50. The bonding electrode 5 is formed by screen printing or the like using a metallized paste. Also in the electrode part 2, the front surface and the rear surface are patterned in the same manner as the electrode part 8.

次に、セラミック基板４９、５０とセラミック窓枠５１を重ねる。貫通孔６を設けて、この貫通孔６の中にメタライズペーストを埋め込む。その後、重ねたセラミック基板４９、５０とセラミック窓枠５１とを高温で焼成して焼結体とする。最後に、メタライズ金属の表面にニッケル、金、パラジウム、銀、白金などをメッキして、半導体発光装置１０１のパッケージ集合体が完成する。 Next, the ceramic substrates 49 and 50 and the ceramic window frame 51 are overlapped. A through hole 6 is provided, and metallized paste is embedded in the through hole 6. Thereafter, the stacked ceramic substrates 49 and 50 and the ceramic window frame 51 are fired at a high temperature to obtain a sintered body. Finally, nickel, gold, palladium, silver, platinum or the like is plated on the surface of the metallized metal to complete the package assembly of the semiconductor light emitting device 101.

次に、通常の半導体発光素子の実装工程と同様に、金スズ共晶半田、銀ペースト、透明材、反射材、などを有する樹脂であるダイアタッチ材などを用いて、半導体発光素子３を前面中央部の溝部１ｇの底面にダイボンドする。その後、半導体発光素子３とボンディング電極５とをボンディングワイヤ４を用いてワイヤボンディングする。 Next, in the same manner as in the mounting process of a normal semiconductor light emitting element, the front surface of the semiconductor light emitting element 3 is placed using a die attach material, which is a resin having a gold-tin eutectic solder, a silver paste, a transparent material, a reflective material, or the like. A die bond is made on the bottom surface of the central groove 1g. Thereafter, the semiconductor light emitting element 3 and the bonding electrode 5 are wire bonded using the bonding wire 4.

次に、酸化物系や窒化物系などの蛍光体を混合したエポキシ系やシリコーン系などからなる封止部材１０を、前面中央部の溝部１ｇにポッティングして熱硬化させる。ポッティングした封止部材１０の表面１０ａは、パッケージ１の最前面９ａよりも例えば０．０５ｍｍ以上後退した位置（半導体発光装置１０１の後面方向の位置）になるように充填する。最後に、レジンベース・メタルベースやセラミックベースのブレードを用いてａ−ａ’およびｂ−ｂ’の位置をダイシングすることで、個々の半導体発光装置１０１が完成する。 Next, the sealing member 10 made of epoxy or silicone mixed with a phosphor such as oxide or nitride is potted in the groove 1g at the center of the front surface and thermally cured. The potted surface 10 a of the sealing member 10 is filled so as to be at a position retracted by, for example, 0.05 mm or more from the foremost surface 9 a of the package 1 (position in the rear surface direction of the semiconductor light emitting device 101). Finally, each semiconductor light emitting device 101 is completed by dicing the positions of a-a 'and b-b' using a resin-based metal base or ceramic-based blade.

次に、本実施形態の半導体発光装置における、種々の具体例について説明する。
図７は、本実施形態の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。
図７に表したように、本具体例における半導体発光装置は、電極部８の前面８ａのみが、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置している。これと同様に、後面８ｂについても電極部８の後面８ｂのみが、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置している。その他の構成要素については、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。 Next, various specific examples in the semiconductor light emitting device of this embodiment will be described.
FIG. 7 is a perspective view of a semiconductor light emitting device in a specific example of the present embodiment as viewed from the front side.
As shown in FIG. 7, in the semiconductor light emitting device in this specific example, only the front surface 8 a of the electrode portion 8 is on the rear surface side of the package 1 with respect to the front surface 9 a by the step 7 a provided on the front surface 9 a of the package 1. Is located. Similarly, as for the rear surface 8b, only the rear surface 8b of the electrode portion 8 is positioned on the front surface side of the package 1 with respect to the rear surface 9b by the step 7b provided on the rear surface 9b of the package 1. Since the other components are the same as those in the first embodiment, detailed description thereof is omitted here.

図４に表した面状発光装置と同様に、本具体例の半導体発光装置１０１を回路基板１２に実装した状態において、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置しているため、ランドパターン１７の最前部はパッケージ１の最前面９ａと同位置もしくは後面方向に位置させることが可能となる。これと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、電極部８の後面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置しているため、ランドパターン１７の最後部はパッケージ１の最後面９ｂと同位置もしくは前面方向に位置させることが可能となる。これにより、光源装置および面状発光装置の同一外形寸法における狭額縁化が可能となる。 Similar to the planar light emitting device shown in FIG. 4, in the state where the semiconductor light emitting device 101 of this specific example is mounted on the circuit board 12, the front surface of the electrode portion 8 is formed by the step 7 a provided on the frontmost surface 9 a of the package 1. Since 8a is located on the rear surface side of the package 1 with respect to the front surface 9a, the foremost part of the land pattern 17 can be located at the same position as the front surface 9a of the package 1 or in the rear surface direction. Similarly, since the rear surface 8b of the electrode portion 8 is located on the front side of the package 1 with respect to the rear surface 9b due to the step 7b provided on the rear surface 9b of the package 1, the last portion of the land pattern 17 is The package 1 can be positioned at the same position as the last surface 9b of the package 1 or in the front surface direction. Thereby, the narrow frame in the same external dimension of a light source device and a planar light-emitting device is attained.

さらに、図２に表した光源装置と同様に、半導体発光装置１０１の封止部材１０の上面部および下面部に、酸化チタンなどを含有したシリコーン樹脂や液晶ポリマーなどが印刷または貼付された反射層１４、１５を設けることにより、封止部材１０の上面部および下面部はパッケージ１に囲まれず、内壁面が存在しないため、半導体発光装置の薄型化が可能となる。 Further, similarly to the light source device shown in FIG. 2, a reflective layer in which a silicone resin or a liquid crystal polymer containing titanium oxide is printed or pasted on the upper surface portion and the lower surface portion of the sealing member 10 of the semiconductor light emitting device 101. By providing 14 and 15, the upper surface portion and the lower surface portion of the sealing member 10 are not surrounded by the package 1 and there is no inner wall surface, so that the semiconductor light emitting device can be thinned.

図８は、本実施形態の他の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。
図８に表したように、本具体例における半導体発光装置は、封止部材１０の上面部および下面部に、パッケージ１から延在した内壁面１ａ、１ｂが存在する。その他の構成要素については、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。 FIG. 8 is a perspective view of a semiconductor light emitting device in another specific example of the present embodiment as viewed from the front side.
As shown in FIG. 8, the semiconductor light emitting device in this specific example has inner wall surfaces 1 a and 1 b extending from the package 1 on the upper surface portion and the lower surface portion of the sealing member 10. Since the other components are the same as those in the first embodiment, detailed description thereof is omitted here.

この内壁面１ａ、１ｂが存在する場合にも、段差７ａ、７ｂは有効であり、本具体例の半導体発光装置１０１を回路基板１２に実装した状態において、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置しているため、ランドパターン１７の最前部はパッケージ１の最前面９ａと同位置もしくは後面方向に位置させることが可能となる。これと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、電極部８の後面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置しているため、ランドパターン１７の最後部はパッケージ１の最後面９ｂと同位置もしくは前面方向に位置させることが可能となる。これにより、光源装置および面状発光装置の同一外形寸法における狭額縁化が可能となる。 Even when the inner wall surfaces 1a and 1b exist, the steps 7a and 7b are effective, and are provided on the forefront surface 9a of the package 1 in a state where the semiconductor light emitting device 101 of this specific example is mounted on the circuit board 12. Because of the step 7a, the front surface 8a of the electrode portion 8 is located on the rear surface side of the package 1 with respect to the front surface 9a, so that the foremost portion of the land pattern 17 is located at the same position as the front surface 9a of the package 1 or in the rear surface direction. It becomes possible. Similarly, since the rear surface 8b of the electrode portion 8 is located on the front side of the package 1 with respect to the rear surface 9b due to the step 7b provided on the rear surface 9b of the package 1, the last portion of the land pattern 17 is The package 1 can be positioned at the same position as the last surface 9b of the package 1 or in the front surface direction. Thereby, the narrow frame in the same external dimension of a light source device and a planar light-emitting device is attained.

図９は、本実施形態のさらに他の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。
図９に表したように、本具体例における半導体発光装置は、パッケージ１の最前面９ａが半導体発光装置１０１の両端部に位置している。これに伴い、封止部材１０の前面１０ａと電極部８の前面８ａとは略同一面となっている。これは電極部２においても同様に、封止部材１０の前面１０ａと電極部２の前面とは略同一面となっている。その他の構成要素については、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。 FIG. 9 is a perspective view of a semiconductor light emitting device in still another specific example of the present embodiment as viewed from the front side.
As shown in FIG. 9, in the semiconductor light emitting device in this specific example, the forefront surface 9 a of the package 1 is located at both ends of the semiconductor light emitting device 101. Accordingly, the front surface 10a of the sealing member 10 and the front surface 8a of the electrode portion 8 are substantially the same surface. Similarly, in the electrode portion 2, the front surface 10 a of the sealing member 10 and the front surface of the electrode portion 2 are substantially the same surface. Since the other components are the same as those in the first embodiment, detailed description thereof is omitted here.

本具体例の半導体発光装置１０１の場合においても、段差７ａ、７ｂは有効であり、本具体例の半導体発光装置１０１を回路基板１２に実装した状態において、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置しているため、ランドパターン１７の最前部はパッケージ１の最前面９ａと同位置もしくは後面方向に位置させることが可能となる。これと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、電極部８の後面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置しているため、ランドパターン１７の最後部はパッケージ１の最後面９ｂと同位置もしくは前面方向に位置させることが可能となる。これにより、光源装置および面状発光装置の同一外形寸法における狭額縁化が可能となる。 Even in the case of the semiconductor light emitting device 101 of this specific example, the steps 7a and 7b are effective, and the semiconductor light emitting device 101 of this specific example is provided on the frontmost surface 9a of the package 1 in a state where the semiconductor light emitting device 101 is mounted on the circuit board 12. Because of the step 7a, the front surface 8a of the electrode portion 8 is located on the rear surface side of the package 1 with respect to the front surface 9a, so that the foremost portion of the land pattern 17 is located at the same position as the front surface 9a of the package 1 or in the rear surface direction. It becomes possible. Similarly, since the rear surface 8b of the electrode portion 8 is located on the front side of the package 1 with respect to the rear surface 9b due to the step 7b provided on the rear surface 9b of the package 1, the last portion of the land pattern 17 is The package 1 can be positioned at the same position as the last surface 9b of the package 1 or in the front surface direction. Thereby, the narrow frame in the same external dimension of a light source device and a planar light-emitting device is attained.

次に、本実施形態の面状発光装置における、具体例について説明する。
図１０は、本実施形態の具体例における面状発光装置を図２のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。本具体例の面状発光装置は、図５における面状発光装置の反射層１４を蛍光体層２３、反射層１５を蛍光体層２４、に置き換えたものである。 Next, a specific example in the planar light emitting device of this embodiment will be described.
FIG. 10 is a cross-sectional view of the planar light emitting device according to the specific example of this embodiment, taken along the line BB ′ in FIG. The planar light-emitting device of this example is obtained by replacing the reflective layer 14 of the planar light-emitting device in FIG. 5 with a phosphor layer 23 and the reflective layer 15 with a phosphor layer 24.

本具体例の面状発光装置によれば、半導体発光素子３から封止部材１０の上面および下面方向に出射された光３７は、封止部材１０の上面および下面に設けられた蛍光体層２３、２４を励起した後、蛍光体層２３、２４から励起された光３８が導光板１６に入射する。この光３８と半導体発光素子３から導光板１６に直接入射された光３９とが混合されて白色となる。 According to the planar light emitting device of this specific example, the light 37 emitted from the semiconductor light emitting element 3 toward the upper and lower surfaces of the sealing member 10 is the phosphor layer 23 provided on the upper and lower surfaces of the sealing member 10. , 24 is excited, and the light 38 excited from the phosphor layers 23, 24 enters the light guide plate 16. This light 38 and the light 39 directly incident on the light guide plate 16 from the semiconductor light emitting element 3 are mixed to become white.

白色光の色調は、蛍光体層２３、２４の濃度と、厚さと、半導体発光装置１０１に実装されている半導体発光素子３の特性と、を適宜変更することによって、意図するものに調整することが可能である。導光板１６への入射効率が向上することにより高発光効率となり、色むら・光むらを低減した面状発光装置が期待できる。従来、蛍光体を封止部材に混合して透過励起を行っていた方法において、蛍光体の二次励起による発光効率の低下が発生していたが、この発光効率の改善もさらに期待できる。 The color tone of the white light is adjusted to the intended one by appropriately changing the concentration and thickness of the phosphor layers 23 and 24 and the characteristics of the semiconductor light emitting element 3 mounted on the semiconductor light emitting device 101. Is possible. A planar light emitting device with high light emission efficiency and reduced color unevenness / light unevenness can be expected by improving the efficiency of incidence on the light guide plate 16. Conventionally, in the method in which the phosphor is mixed with the sealing member and the transmission excitation is performed, the emission efficiency is reduced due to the secondary excitation of the phosphor. However, the improvement of the emission efficiency can be further expected.

本具体例の面状発光装置は、例えば面状発光装置の発光色が白色の場合、青色の光を発光する半導体発光素子と、補色の役割を果たすＹＡＧ（Yttrium・Aluminium・Garnet）などの黄色発光体と、が設けられた方式として用いることが可能となる。 The planar light emitting device of this specific example is, for example, a semiconductor light emitting device that emits blue light and a yellow color such as YAG (Yttrium, Aluminum, Garnet) that plays a complementary color when the emission color of the planar light emitting device is white. It becomes possible to use as a system provided with a light emitter.

また、本具体例の面状発光装置は、蛍光体層２３にさらに反射層１４を積層し、蛍光体層２４にさらに反射層１５を積層してもよい。これによれば、図１０における面状発光装置の効果と同様に、半導体発光素子３から封止部材１０の上面および下面方向に出射された光３７は、封止部材１０の上面および下面に設けられた蛍光体層２３、２４を励起した後、蛍光体層２３、２４から励起された光３８が導光板１６に入射する。この光３８と半導体発光素子３から導光板１６に直接入射された光３９とが混合されて白色となる。 In the planar light emitting device of this example, the reflective layer 14 may be further laminated on the phosphor layer 23, and the reflective layer 15 may be further laminated on the phosphor layer 24. According to this, similarly to the effect of the planar light emitting device in FIG. 10, the light 37 emitted from the semiconductor light emitting element 3 toward the upper and lower surfaces of the sealing member 10 is provided on the upper and lower surfaces of the sealing member 10. After exciting the phosphor layers 23 and 24, the light 38 excited from the phosphor layers 23 and 24 enters the light guide plate 16. This light 38 and the light 39 directly incident on the light guide plate 16 from the semiconductor light emitting element 3 are mixed to become white.

反射層１４、１５がさらに設けられていることにより、図１０における面状発光装置よりもさらに高発光効率が可能となり、色むら・光むらを低減した面状発光装置が期待できる。本具体例の面状発光装置は、例えば面状発光装置の発光色が白色の場合、青色の光を発光する半導体発光素子と、補色の役割を果たすＹＡＧ（Yttrium・Aluminium・Garnet）などの黄色発光体と、が設けられた方式として用いることが可能となる。 Since the reflective layers 14 and 15 are further provided, higher light emission efficiency is possible than the planar light emitting device in FIG. 10, and a planar light emitting device with reduced color unevenness and light unevenness can be expected. The planar light emitting device of this specific example is, for example, a semiconductor light emitting device that emits blue light and a yellow color such as YAG (Yttrium, Aluminum, Garnet) that plays a complementary color when the emission color of the planar light emitting device is white. It becomes possible to use as a system provided with a light emitter.

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。例えば、本発明の半導体発光装置、光源装置、および面状発光装置を構成する半導体発光素子、封止部材、電極部、反射層、蛍光体層などについては、当業者が適宜設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, the semiconductor light emitting device, the light source device, and the semiconductor light emitting device, the sealing member, the electrode part, the reflective layer, the phosphor layer, and the like constituting the semiconductor light emitting device, the planar light emitting device of the present invention have been appropriately modified by those skilled in the art Even if it exists, as long as it has the summary of this invention, it is included in the scope of the present invention.

本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の斜視図であり、図１（ａ）は前面側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は後面側から見た斜視図である。FIG. 1A is a perspective view of a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention, FIG. 1A is a perspective view seen from the front side, and FIG. 1B is a perspective view seen from the rear side. 本実施形態に係る半導体発光装置を回路基板に実装した光源装置を前面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the light source device which mounted the semiconductor light-emitting device concerning this embodiment on the circuit board from the front side. 面状発光装置を液晶ディスプレイ用バックライト光源として利用した場合の正面図であり、図３（ａ）は、本実施形態に係る面状発光装置を利用した場合の正面図であり、図３（ｂ）は、比較例の面状発光装置を利用した場合の正面図である。FIG. 3A is a front view when the planar light-emitting device is used as a backlight light source for a liquid crystal display, and FIG. 3A is a front view when the planar light-emitting device according to the present embodiment is used, and FIG. b) is a front view when the planar light emitting device of the comparative example is used. 面状発光装置を回路基板に実装した状態で左側面から見た側面図であり、図４（ａ）は、本実施形態に係る面状発光装置を利用した場合の左側面図であり、図４（ｂ）は、比較例の面状発光装置を利用した場合の左側面図である。FIG. 4A is a side view seen from the left side in a state where the planar light emitting device is mounted on a circuit board, and FIG. 4A is a left side view when the planar light emitting device according to the present embodiment is used. FIG. 4B is a left side view when the planar light emitting device of the comparative example is used. 本実施形態に係る面状発光装置を回路基板に実装した状態で図２のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected by B-B 'of FIG. 2 in the state which mounted the planar light-emitting device concerning this embodiment in the circuit board. 本実施形態における半導体発光装置の切断前の斜視図である。It is a perspective view before the cutting | disconnection of the semiconductor light-emitting device in this embodiment. 本実施形態の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the semiconductor light-emitting device in the specific example of this embodiment from the front side. 本実施形態の他の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the semiconductor light-emitting device in the other specific example of this embodiment from the front side. 本実施形態のさらに他の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the semiconductor light-emitting device in the other specific example of this embodiment from the front side. 本実施形態の具体例における面状発光装置を図２のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。It is sectional drawing which cut | disconnected the planar light-emitting device in the specific example of this embodiment by B-B 'of FIG.

Explanation of symbols

１パッケージ、１ａ、１ｂ内壁面、１ｇ溝部、２電極部、３半導体発光素子、４ボンディングワイヤ、５ボンディング電極、６貫通孔、７ａ、７ｂ段差、８電極部、８ａ電極部の前面、８ｂ電極部の後面、９ａパッケージの最前面、９ｂパッケージの最後面、１０封止部材、１０ａ封止部材の前面、１２回路基板、１３半田ペースト、１４反射層、１５反射層、１６導光板、１６ａ導光板の端面、１７ランドパターン、１８枠体、１９拡散層、２０フィルター、２１拡散反射層、２２空気層、２３蛍光体層、２４蛍光体層、２５延出部、３７光、３８光、３９光、４９セラミック基板、５０セラミック基板、５１セラミック窓枠、１０１半導体発光装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Package, 1a, 1b Inner wall surface, 1g Groove part, 2 electrode part, 3 Semiconductor light emitting element, 4 Bonding wire, 5 Bonding electrode, 6 Through-hole, 7a, 7b Level difference, 8 Electrode part, 8a Front part of electrode part, 8b Electrode 9a package frontmost surface, 9b package rearmost surface, 10 sealing member, 10a front surface of sealing member, 12 circuit board, 13 solder paste, 14 reflective layer, 15 reflective layer, 16 light guide plate, 16a conductive End face of light plate, 17 land pattern, 18 frame, 19 diffusion layer, 20 filter, 21 diffuse reflection layer, 22 air layer, 23 phosphor layer, 24 phosphor layer, 25 extension part, 37 light, 38 light, 39 Light, 49 ceramic substrate, 50 ceramic substrate, 51 ceramic window frame, 1 1 semiconductor light emitting device

Claims

A front surface that emits light, a rear surface that faces the front surface, a first side surface that is substantially orthogonal to the front surface and the rear surface, and is connected to the front surface and the rear surface by a long side; and a first surface that faces the first side surface A package having two sides;
A semiconductor light emitting device mounted in the package;
A sealing resin for sealing the semiconductor light emitting element;
With
The surface of the sealing resin is set back from the forefront of the front surface of the package,
At least one of the first and second side surfaces has an electrode portion connected to the light emitting element,
The front surface of the electrode portion viewed in a direction perpendicular to the front surface is recessed from the front surface of the package viewed in a direction perpendicular to the front surface. .

A circuit board provided with a plurality of land patterns along the first direction;
The plurality of semiconductor light emitting devices according to claim 1, wherein any one of the electrode portions is connected to each of the plurality of land patterns.
With
Each of the plurality of land patterns has a front end portion of the plurality of land patterns as viewed in a direction perpendicular to the first direction, with respect to the front surface of the package of the semiconductor light emitting device. A light source device characterized by comprising:

3. The light source device according to claim 2, wherein a reflection layer that reflects light emitted from the semiconductor light emitting element is provided on at least one of the first and second side surfaces of the package.

The phosphor layer for converting the wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting device is provided on at least one of the first and second side surfaces of the package. Light source device.

A light guide plate;
The light source device according to any one of claims 2 to 4, wherein light is incident on an end face of the light guide plate;
A planar light-emitting device comprising: