JP2009038184A

JP2009038184A - 半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置

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Publication number: JP2009038184A
Application number: JP2007200597A
Authority: JP
Inventors: Kiyokazu Hino; 清和日野
Original assignee: Harison Toshiba Lighting Corp
Current assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date: 2007-08-01
Filing date: 2007-08-01
Publication date: 2009-02-19

Abstract

【課題】狭額縁化・薄型化が可能な半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置を提供する。
【解決手段】光を放出する前面と、前記前面に対向した後面と、前記前面及び後面に対して略直交し前記前面及び前記後面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、前記パッケージに実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂の表面は、前記パッケージの前記前面の最前面よりも後退してなり、前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかは、前記発光素子に接続された電極部を有し、前記前面に対して垂直な方向にみた前記電極部の前記前面側の表面は、前記前面に対して垂直な方向にみた前記パッケージの最前面よりも後退してなることを特徴とする半導体発光装置を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置に関し、具体的には小型化・薄型化が可能な半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）、半導体レーザなどの各種の半導体発光素子を、金属や樹脂、セラミックなどから成るパッケージに搭載した半導体発光装置は種々の用途に幅広く用いられている。例えば、携帯電話などの小型の液晶ディスプレイ用バックライト光源には、樹脂と金属リードフレームとを有するサイドビュータイプの薄型の発光ダイオードを用いることができる。液晶ディスプレイ用バックライト光源は、発光ダイオードなどの半導体発光装置が複数個設けられた面状発光装置であることが多い。サイドビュータイプの半導体発光装置は、回路基板に半田付けを行う面が光を均一に拡散する導光板の面と一致する。これにより、実装が簡易的となるため面状発光装置の小型化に有利である。

この半導体発光装置の１つとして、金属リードフレーム上に半導体発光素子が実装され、その周囲を樹脂のパッケージで覆ったものが挙げられる（例えば、特許文献１）。また、他の半導体発光装置の１つとして、セラミックから成るパッケージを用いたものが挙げられる（例えば、特許文献２）。さらに他の半導体発光装置の１つとして、前面と後面とに導通性のあるスルーホールが設けられた基板の前面に半導体発光素子がダイボンディングされ、シリコーンなどの封止材料で封止されたものが挙げられる（例えば、特許文献３）。
特開２００４ー２０７６８８号公報特開２００４−２２８１００号公報特開２００６−２２９００７号公報

特許文献１に記載された半導体発光装置は、半導体発光素子を実装する開口部の上面と下面とに内壁面が設けられている。そのため、半導体発光装置の小型化および薄型化という点では改善の余地があった。

特許文献２に記載された半導体発光装置は、セラミックから成るパッケージを用いている。セラミックは硬くて脆い性質があるためパッケージの肉厚を薄くすることが困難であり、半導体発光装置の小型化および薄型化という点では改善の余地があった。さらに、例えば半導体発光装置を液晶ディスプレイ用バックライト光源として利用する場合、半導体発光装置を回路基板のランドパターン部に実装半田付けする工程において、半導体発光装置の片側の電極だけが回路基板のランドパターン上に立ち上がった状態で半田固定される実装不良（マンハッタン現象）や半田付け不良などを防止するために、半導体発光装置の電極幅よりもランドパターンの幅を広くして半田の濡れ広がり面積を確保する設計が行われている。この設計は、表面実装タイプの電子部品用の回路基板設計においても、同様に行われている。そのため、導光板とランドパターンの半田濡れ部分の干渉を防ぐために、バックライトの外形を大きくする必要があるといった小型化に逆行した構造を有していた。

特許文献３に記載された半導体発光装置は、封止材料が半導体発光装置の前面から突出しており、後面に設けられた電極を半田付けする構造となっているため、液晶ディスプレイのバックライトとして用いた場合に、画像表示部の周囲の額縁領域を狭くするとが容易でない。すなわち、画像表示装置の光源としての半導体発光装置の小型化および薄型化という点では改善の余地があった。

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、狭額縁化・薄型化が可能な半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置を提供する。

本発明の一態様によれば、光を放出する前面と、前記前面に対向した後面と、前記前面及び後面に対して略直交し前記前面及び前記後面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、前記パッケージに実装された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂の表面は、前記パッケージの前記前面の最前面よりも後退してなり、前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかは、前記発光素子に接続された電極部を有し、前記前面に対して垂直な方向にみた前記電極部の前記前面側の表面は、前記前面に対して垂直な方向にみた前記パッケージの最前面よりも後退してなることを特徴とする半導体発光装置が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、第１の方向に沿って複数のランドパターンが設けられた回路基板と、前記複数のランドパターンのそれぞれに、前記電極部のいずれかが接続された請求項１記載の複数の半導体発光装置と、を備え、前記複数のランドパターンのそれぞれは、前記第１の方向に対して垂直な方向にみた前記複数のランドパターンの前記前面側の先端部が、前記半導体発光装置の前記パッケージの前記最前面よりも後退してなることを特徴とする光源装置が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、導光板と、前記導光板の端面に光を入射する請求項２〜４のいずれか１つに記載の光源装置と、を備えたことを特徴とする面状発光装置が提供される。

本発明によれば、狭額縁化・薄型化が可能な半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置が提供される。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の斜視図である。すなわち、図１（ａ）は前面側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は後面側から見た斜視図である。

図１に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置１０１は、発光ダイオードなどの半導体発光素子３と、半導体発光素子３を実装するためのパッケージ１と、半導体発光素子３を封止するための封止部材１０と、半導体発光装置１０１の両側に位置する電極部２、８と、を備える。

パッケージ１の前面中央部には溝部１ｇが設けられ、この溝部１ｇの底面に半導体発光素子３がダイボンディングされている。半導体発光素子３と、この両側に位置するボンディング電極５と、はボンディングワイヤ４によって接続されている。パッケージ１の溝部１ｇの中は封止部材１０が充填されており、封止部材１０の前面１０ａはパッケージ１の最前面９ａよりも例えば０．０５ｍｍ以上後退した位置（半導体発光装置１０１の後面方向の位置）になるように充填されている。

パッケージ１の前面及び後面に対して略直交し、前面及び後面と長辺でつながる側面の両端付近には、電極部２、８が設けられている。後に詳述するように、パッケージ１の側面が図示しない回路基板などに対してマウントされるマウント面となる。電極部２、８は、ボンディング電極５にそれぞれ接続されている。パッケージ１の最前面９ａに設けられた例えば０．１ｍｍ以上の段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置している。電極部８の後面８ｂにおいても前面８ａと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた例えば０．１ｍｍ以上の段差７ｂによって、電極部８の前面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置している。電極部２においても電極部８と同様の構造をしているため、ここでは詳細な説明は省略する。

パッケージ１は、例えばアルミナ系やムライト系のセラミックやガラスセラミック、ガラスエポキシ、紙フェノールなどから成る。封止部材１０はシリコーンやエポキシなどから成る。

図２は、本実施形態に係る半導体発光装置を回路基板に実装した光源装置を前面側から見た斜視図である。
図２に表したように、本実施形態の光源装置は、半導体発光装置１０１を複数個備えている。回路基板１２には、半導体発光装置１０１を実装するための半田付け用のランドパターン１７（図４参照）が設けられている。ランドパターン１７は、例えば銅層などから成り、厚さは例えば２０〜１００μｍ程度である。さらに回路基板１２には、このランドパターン１７を介して半田ペースト１３（図４参照）が予め印刷されている。半田ペースト１３は、例えばＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕなどから成り、厚さは例えば５０〜２００μｍ程度である。

半導体発光装置１０１の封止部材１０の下面に位置する基板上には、酸化チタンなどを含有したシリコーン樹脂や液晶ポリマーなどが印刷された反射層１４が設けられている。この反射層１４の厚さは、ランドパターン１７の厚さと印刷された半田ペースト１３の厚さとの和以下としている。この回路基板１２の上に複数個の半導体発光装置１０１を配置して、リフロー炉などを用いて半田ペースト１３を溶融させることによって、回路基板１２と半導体発光装置１０１とを接合する。また、半導体発光装置１０１の封止部材１０の上面部には、酸化チタンなどを含有したシリコーン樹脂や液晶ポリマーなどが貼付または印刷された帯状の反射層１５が設けられている。

図３は、面状発光装置を液晶ディスプレイ用バックライト光源として利用した場合の正面図であり、図３（ａ）は、本実施形態に係る面状発光装置を利用した場合の正面図であり、図３（ｂ）は、比較例の面状発光装置を利用した場合の正面図である。
図４は、面状発光装置を回路基板に実装した状態で左側面から見た側面図であり、図４（ａ）は、本実施形態に係る面状発光装置を利用した場合の左側面図であり、図４（ｂ）は、比較例の面状発光装置を利用した場合の左側面図である。
図５は、本実施形態に係る面状発光装置を回路基板に実装した状態で図２のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。

図３に表したように、本実施形態の面状発光装置を液晶ディスプレイ用バックライト光源として利用した場合、光源装置は例えば枠体１８の左端面に沿って配置されている。半導体発光装置１０１の前面側には導光板１６が設けられている。枠体１８と導光板１６との間には拡散反射層２１がさらに設けられ、導光板１６の上面には拡散層１９とフィルター２０とがこの順に積層されてさらに設けられている。

図４（ａ）、（ｂ）に表したように、半導体発光装置１０１を実装するための回路基板１２のランドパターン１７は、電極部８よりも大きくしなければならない。つまり、ランドパターン１７は電極部８の前面８ａおよび後面８ｂよりも半導体発光装置１０１の前面方向および後面方向に延出した延出部２５を有していなければならない。これは、半導体発光装置１０１を回路基板１２に実装した時の実装位置のばらつき、などに対応するためである。

これにより、図４（ｂ）に表した比較例の半導体発光装置では、半導体発光装置の最前面９ａよりもランドパターン１７の最前部の方が前方に位置していた。これと同様に、半導体発光装置の最後面９ｂよりもランドパターン１７の最後部の方が後方に位置していた。つまり、半導体発光装置１０１の最前面９ａに対向する導光板１６の端面１６ａは、半田ペースト１３またはランドパターン１７の最前部よりもさらに前方側に設けられる必要がある。これと同様に、枠体１８は半田ペースト１３またはランドパターン１７の最後部よりもさらに後方側に設けられる必要がある。このため、光源装置および面状発光装置として用いた場合、画像表示領域あるいは発光領域の周囲に設けられる額縁領域の幅を小さくすることが容易ではない。すなわち、比較例の半導体発光装置では、狭額縁化が困難であった。

これに対して、図４（ａ）に表した本実施形態の半導体発光装置によれば、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置しているため、ランドパターン１７の最前部はパッケージ１の最前面９ａと同位置もしくは後面方向に位置させることが可能となる。これと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、電極部８の後面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置しているため、ランドパターン１７の最後部はパッケージ１の最後面９ｂと同位置もしくは前面方向に位置させることが可能となる。つまり、導光板１６の端面１６ａを半導体発光装置１０１の最前面９ａに隣接して設けることが可能となる。これと同様に、枠体１８を半導体発光装置１０１の最後面９ｂに隣接して設けることが可能となる。これにより、光源装置および面状発光装置の同一外形寸法における狭額縁化が可能となる。

さらに、前述の通り、半導体発光装置１０１の封止部材１０の上面部および下面部には、酸化チタンなどを含有したシリコーン樹脂や液晶ポリマーなどが印刷または貼付された反射層１４、１５が設けられている。これにより、封止部材１０の上面部および下面部はパッケージ１に囲まれず、内壁面が存在しないため、半導体発光装置の薄型化が可能となる。

図５に表したように、半導体発光素子３から封止部材１０の上面および下面方向に出射された光３７は、反射層１４、１５によって反射して導光板１６に入射する。また、半導体発光素子３から導光板１６に直接入射される光３９が存在する。これにより、光の損失が少ない面状発光装置が期待できる。
本実施形態の面状発光装置は、例えば面状発光装置の発光色が高演色で高い色再現性を必要とする白色の場合、赤・緑・青色の光を発光する半導体発光素子が設けられた方式として用いることが可能となる。

次に、本実施形態における半導体発光装置の製造方法を説明する。
図６は、本実施形態における半導体発光装置の切断前の斜視図である。
図６に表したように、本実施形態の半導体発光装置１０１は、前面中央部の溝部１ｇが上面を向いた状態で形成することができる。パッケージ１はセラミックや樹脂などから成る。電極部２、８となる部分は、パッケージ１の上の貫通孔６をメタライズすることによって形成される。この貫通孔６は、スルーホール、キャスタレーション、ビアホールなどと呼ばれている。貫通孔６を設けた電極部２、８はパッケージ１の最前面９ａよりも後面方向に後退した位置に形成される。これと同様に、電極部２、８はパッケージ１の最後面９ｂよりも前面方向に後退した位置に形成される。

以降、パッケージ１の材質をセラミックとした場合を例に挙げて製造方法を説明する。
本実施形態の半導体発光装置１０１の製造方法は、例えばセラミックグリーンシート積層法によることができる。具体的には、例えば、セラミック基板４９、５０とセラミック窓枠５１との３枚のグリーンシートを用いることができる。これらのセラミック基板４９、５０の両面に、ボンディング電極５と、電極部８の前面８ａおよび後面８ｂをパターニングする。ボンディング電極５は、メタライズペーストを用いて、スクリーン印刷などで形成される。また、電極部２においても電極部８と同様に、前面および後面をパターニングする。

次に、セラミック基板４９、５０とセラミック窓枠５１を重ねる。貫通孔６を設けて、この貫通孔６の中にメタライズペーストを埋め込む。その後、重ねたセラミック基板４９、５０とセラミック窓枠５１とを高温で焼成して焼結体とする。最後に、メタライズ金属の表面にニッケル、金、パラジウム、銀、白金などをメッキして、半導体発光装置１０１のパッケージ集合体が完成する。

次に、通常の半導体発光素子の実装工程と同様に、金スズ共晶半田、銀ペースト、透明材、反射材、などを有する樹脂であるダイアタッチ材などを用いて、半導体発光素子３を前面中央部の溝部１ｇの底面にダイボンドする。その後、半導体発光素子３とボンディング電極５とをボンディングワイヤ４を用いてワイヤボンディングする。

次に、酸化物系や窒化物系などの蛍光体を混合したエポキシ系やシリコーン系などからなる封止部材１０を、前面中央部の溝部１ｇにポッティングして熱硬化させる。ポッティングした封止部材１０の表面１０ａは、パッケージ１の最前面９ａよりも例えば０．０５ｍｍ以上後退した位置（半導体発光装置１０１の後面方向の位置）になるように充填する。最後に、レジンベース・メタルベースやセラミックベースのブレードを用いてａ−ａ’およびｂ−ｂ’の位置をダイシングすることで、個々の半導体発光装置１０１が完成する。

次に、本実施形態の半導体発光装置における、種々の具体例について説明する。
図７は、本実施形態の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。
図７に表したように、本具体例における半導体発光装置は、電極部８の前面８ａのみが、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置している。これと同様に、後面８ｂについても電極部８の後面８ｂのみが、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置している。その他の構成要素については、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。

図４に表した面状発光装置と同様に、本具体例の半導体発光装置１０１を回路基板１２に実装した状態において、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置しているため、ランドパターン１７の最前部はパッケージ１の最前面９ａと同位置もしくは後面方向に位置させることが可能となる。これと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、電極部８の後面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置しているため、ランドパターン１７の最後部はパッケージ１の最後面９ｂと同位置もしくは前面方向に位置させることが可能となる。これにより、光源装置および面状発光装置の同一外形寸法における狭額縁化が可能となる。

さらに、図２に表した光源装置と同様に、半導体発光装置１０１の封止部材１０の上面部および下面部に、酸化チタンなどを含有したシリコーン樹脂や液晶ポリマーなどが印刷または貼付された反射層１４、１５を設けることにより、封止部材１０の上面部および下面部はパッケージ１に囲まれず、内壁面が存在しないため、半導体発光装置の薄型化が可能となる。

図８は、本実施形態の他の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。
図８に表したように、本具体例における半導体発光装置は、封止部材１０の上面部および下面部に、パッケージ１から延在した内壁面１ａ、１ｂが存在する。その他の構成要素については、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。

この内壁面１ａ、１ｂが存在する場合にも、段差７ａ、７ｂは有効であり、本具体例の半導体発光装置１０１を回路基板１２に実装した状態において、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置しているため、ランドパターン１７の最前部はパッケージ１の最前面９ａと同位置もしくは後面方向に位置させることが可能となる。これと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、電極部８の後面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置しているため、ランドパターン１７の最後部はパッケージ１の最後面９ｂと同位置もしくは前面方向に位置させることが可能となる。これにより、光源装置および面状発光装置の同一外形寸法における狭額縁化が可能となる。

図９は、本実施形態のさらに他の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。
図９に表したように、本具体例における半導体発光装置は、パッケージ１の最前面９ａが半導体発光装置１０１の両端部に位置している。これに伴い、封止部材１０の前面１０ａと電極部８の前面８ａとは略同一面となっている。これは電極部２においても同様に、封止部材１０の前面１０ａと電極部２の前面とは略同一面となっている。その他の構成要素については、第１の実施の形態と同様であるため、ここでは詳細な説明は省略する。

本具体例の半導体発光装置１０１の場合においても、段差７ａ、７ｂは有効であり、本具体例の半導体発光装置１０１を回路基板１２に実装した状態において、パッケージ１の最前面９ａに設けられた段差７ａによって、電極部８の前面８ａは最前面９ａよりもパッケージ１の後面側に位置しているため、ランドパターン１７の最前部はパッケージ１の最前面９ａと同位置もしくは後面方向に位置させることが可能となる。これと同様に、パッケージ１の最後面９ｂに設けられた段差７ｂによって、電極部８の後面８ｂは最後面９ｂよりもパッケージ１の前面側に位置しているため、ランドパターン１７の最後部はパッケージ１の最後面９ｂと同位置もしくは前面方向に位置させることが可能となる。これにより、光源装置および面状発光装置の同一外形寸法における狭額縁化が可能となる。

次に、本実施形態の面状発光装置における、具体例について説明する。
図１０は、本実施形態の具体例における面状発光装置を図２のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。本具体例の面状発光装置は、図５における面状発光装置の反射層１４を蛍光体層２３、反射層１５を蛍光体層２４、に置き換えたものである。

本具体例の面状発光装置によれば、半導体発光素子３から封止部材１０の上面および下面方向に出射された光３７は、封止部材１０の上面および下面に設けられた蛍光体層２３、２４を励起した後、蛍光体層２３、２４から励起された光３８が導光板１６に入射する。この光３８と半導体発光素子３から導光板１６に直接入射された光３９とが混合されて白色となる。

白色光の色調は、蛍光体層２３、２４の濃度と、厚さと、半導体発光装置１０１に実装されている半導体発光素子３の特性と、を適宜変更することによって、意図するものに調整することが可能である。導光板１６への入射効率が向上することにより高発光効率となり、色むら・光むらを低減した面状発光装置が期待できる。従来、蛍光体を封止部材に混合して透過励起を行っていた方法において、蛍光体の二次励起による発光効率の低下が発生していたが、この発光効率の改善もさらに期待できる。

本具体例の面状発光装置は、例えば面状発光装置の発光色が白色の場合、青色の光を発光する半導体発光素子と、補色の役割を果たすＹＡＧ（Yttrium・Aluminium・Garnet）などの黄色発光体と、が設けられた方式として用いることが可能となる。

また、本具体例の面状発光装置は、蛍光体層２３にさらに反射層１４を積層し、蛍光体層２４にさらに反射層１５を積層してもよい。これによれば、図１０における面状発光装置の効果と同様に、半導体発光素子３から封止部材１０の上面および下面方向に出射された光３７は、封止部材１０の上面および下面に設けられた蛍光体層２３、２４を励起した後、蛍光体層２３、２４から励起された光３８が導光板１６に入射する。この光３８と半導体発光素子３から導光板１６に直接入射された光３９とが混合されて白色となる。

反射層１４、１５がさらに設けられていることにより、図１０における面状発光装置よりもさらに高発光効率が可能となり、色むら・光むらを低減した面状発光装置が期待できる。本具体例の面状発光装置は、例えば面状発光装置の発光色が白色の場合、青色の光を発光する半導体発光素子と、補色の役割を果たすＹＡＧ（Yttrium・Aluminium・Garnet）などの黄色発光体と、が設けられた方式として用いることが可能となる。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。例えば、本発明の半導体発光装置、光源装置、および面状発光装置を構成する半導体発光素子、封止部材、電極部、反射層、蛍光体層などについては、当業者が適宜設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。

本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の斜視図であり、図１（ａ）は前面側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は後面側から見た斜視図である。本実施形態に係る半導体発光装置を回路基板に実装した光源装置を前面側から見た斜視図である。面状発光装置を液晶ディスプレイ用バックライト光源として利用した場合の正面図であり、図３（ａ）は、本実施形態に係る面状発光装置を利用した場合の正面図であり、図３（ｂ）は、比較例の面状発光装置を利用した場合の正面図である。面状発光装置を回路基板に実装した状態で左側面から見た側面図であり、図４（ａ）は、本実施形態に係る面状発光装置を利用した場合の左側面図であり、図４（ｂ）は、比較例の面状発光装置を利用した場合の左側面図である。本実施形態に係る面状発光装置を回路基板に実装した状態で図２のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。本実施形態における半導体発光装置の切断前の斜視図である。本実施形態の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。本実施形態の他の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。本実施形態のさらに他の具体例における半導体発光装置を前面側から見た斜視図である。本実施形態の具体例における面状発光装置を図２のＢ−Ｂ’で切断した断面図である。

符号の説明

１パッケージ、１ａ、１ｂ内壁面、１ｇ溝部、２電極部、３半導体発光素子、４ボンディングワイヤ、５ボンディング電極、６貫通孔、７ａ、７ｂ段差、８電極部、８ａ電極部の前面、８ｂ電極部の後面、９ａパッケージの最前面、９ｂパッケージの最後面、１０封止部材、１０ａ封止部材の前面、１２回路基板、１３半田ペースト、１４反射層、１５反射層、１６導光板、１６ａ導光板の端面、１７ランドパターン、１８枠体、１９拡散層、２０フィルター、２１拡散反射層、２２空気層、２３蛍光体層、２４蛍光体層、２５延出部、３７光、３８光、３９光、４９セラミック基板、５０セラミック基板、５１セラミック窓枠、１０１半導体発光装置

Claims

光を放出する前面と、前記前面に対向した後面と、前記前面及び後面に対して略直交し前記前面及び前記後面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、
前記パッケージに実装された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を封止する封止樹脂と、
を備え、
前記封止樹脂の表面は、前記パッケージの前記前面の最前面よりも後退してなり、
前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかは、前記発光素子に接続された電極部を有し、
前記前面に対して垂直な方向にみた前記電極部の前記前面側の表面は、前記前面に対して垂直な方向にみた前記パッケージの最前面よりも後退してなることを特徴とする半導体発光装置。
第１の方向に沿って複数のランドパターンが設けられた回路基板と、
前記複数のランドパターンのそれぞれに、前記電極部のいずれかが接続された請求項１記載の複数の半導体発光装置と、
を備え、
前記複数のランドパターンのそれぞれは、前記第１の方向に対して垂直な方向にみた前記複数のランドパターンの前記前面側の先端部が、前記半導体発光装置の前記パッケージの前記最前面よりも後退してなることを特徴とする光源装置。
前記半導体発光素子から放出された光を反射する反射層が前記パッケージの前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかに設けられたことを特徴とする請求項２記載の光源装置。
前記半導体発光素子から放出された光の波長を変換する蛍光体層が前記パッケージの前記第１及び第２の側面の少なくともいずれかに設けられたことを特徴とする請求項２または３に記載の光源装置。
導光板と、
前記導光板の端面に光を入射する請求項２〜４のいずれか１つに記載の光源装置と、
を備えたことを特徴とする面状発光装置。