JP2008260969A - Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - Google Patents
Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008260969A JP2008260969A JP2007102362A JP2007102362A JP2008260969A JP 2008260969 A JP2008260969 A JP 2008260969A JP 2007102362 A JP2007102362 A JP 2007102362A JP 2007102362 A JP2007102362 A JP 2007102362A JP 2008260969 A JP2008260969 A JP 2008260969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- alloy
- sputtering target
- alloy sputtering
- sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【解決手段】 原子比における組成式が(FeX−Co100−X)、20≦X≦70で表されるFeCo合金に、Feに対する共晶点以上の(Nb、Ta)から選ばれる1種または2種の元素M1を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが37HS以下であるFe−Co系合金スパッタリングターゲット材である。
【選択図】 図1
Description
垂直磁気記録方式とは、垂直磁気記録媒体の磁性膜を媒体面に対して磁化容易軸が垂直方向に配向するように形成したものであり、記録密度を上げて行ってもビット内の反磁界が小さく、記録再生特性の低下が少ない高記録密度に適した方法である。そして、垂直磁気記録方式においては、記録感度を高めた磁気記録膜層と軟磁性膜層とを有する記録媒体が開発されている。
本発明の目的は、上記の問題を解決し、垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用のFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の機械加工性を向上させるとともに、軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なFe−Co系合金スパッタリングターゲット材を提供することである。
また、原子比における組成式が(FeX−Co100−X)、20≦X≦70で表されるFeCo合金に、Feに対する共晶点以上の(Nb、Ta)から選ばれる1種または2種の元素M1、かつIVa族、VI族、IIIb族およびIVb族から選ばれる1種または2種以上の元素M2を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが37HS以下であるFe−Co系合金スパッタリングターゲット材である。
また、元素M1の含有量は20原子%以下、元素M2の含有量は0.1〜10原子%であることが好ましい。
また、さらに、加圧焼結方法としては、750〜1300℃の温度域における熱間静水圧プレス処理が好ましい。
本発明で、このFe−Co系合金スパッタリングターゲット材をショア硬さ37HS以下に制御するのは、ショア硬さが37HSを超えると、スパッタリング工程における熱応力でターゲット材が破断する問題やターゲット材形状への機械加工の際にクラックが発生する問題が顕著に発生するためである。
(FeX−Co100−X)、20≦X≦70で表されるFeCo合金に、Feに対する共晶点以上の(Nb、Ta)から選ばれる1種または2種の元素M1を含有させたFe−Co系合金においては、平衡状態では硬度の高い金属間化合物相が主相となるため、硬度が上がり靭性が低下する。そこで、硬度が高い元素M1とFeとの金属間化合物量を低減し、元素M1を単独相として残存させるように、焼結ターゲット材の金属組織を制御することによりショア硬さが低減でき、機械加工中やスパッタリング中の破断が抑制可能となる。
また、FeCo合金に、さらに含有されるIVa族、VIa族、IIIb族およびIVb族から選ばれる1種または2種以上の元素M2は、0.1〜10原子%の範囲であることが望ましい。それは、元素M2は、軟磁性膜の耐食性向上やアモルファス化の補助的な役割であるからである。
そこで、元素M1からなる単体の原料粉末と、前記組成に調整する他の原料粉末とを混合した混合粉末を加圧焼結することによって元素M1とFeとの金属間化合物量を低減することが可能となり、ショア硬さ37HS以下のターゲット材の製造が可能になる。
なお、加圧焼結時の温度域は750℃以上、1300℃の以下の温度に設定することが好ましい。それは、熱間静水圧プレス処理の処理温度は、1300℃を超えては拡散が進行しやすいため元素M1を単体で混合しても金属間化合物が多く生成されてしまい、750℃未満では焼結密度が十分に上がらないためである。
また、より好ましくは、900〜1150℃である。それは、相対密度が99%を超えて金属間化合物の生成が最低限に抑制されることにより安定してショア硬さを37HS以下にすることが可能なとなるためである。
まず、表1に示す各ターゲット組成となるように、表1に示す各原料粉末の組合せで原料粉末を秤量、混合して混合粉末を作製した。得られた各混合粉末を、軟鋼カプセルに充填し脱気封止した後、それぞれ温度950℃、圧力120MPa、保持時間1時間の条件で熱間静水圧プレスによって焼結し、焼結体を作製した。
得られた各焼結体のショア硬さを、JIS−Z−2246に基づき測定し、その結果を表1中に示す。
図3から実施例1のターゲット材では元素M1であるTa相が多く残存した金属組織であることが確認できる。また、図4から比較例のターゲット材では元素M1のTa相が存在しないFe相、Co相および金属間化合物相からなる金属組織であることが確認できる。
また、図1から実施例1のターゲット材は、主として黒色部、濃灰色部、薄灰色部および白色部の組成の異なる四相からなる焼結組織であることが確認できる。一方、図2から比較例のターゲット材は、FeCoTaZr合金粉を焼結した組織であることが確認できる。
以上から、Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材のショア硬さを37HS以下とすることで、機械加工時のクラックの発生を抑制できるため、安定したターゲット材の作製が可能であることがわかる。
Claims (8)
- 原子比における組成式が(FeX−Co100−X)、20≦X≦70で表されるFeCo合金に、Feに対する共晶点以上の(Nb、Ta)から選ばれる1種または2種の元素M1を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが37HS以下であることを特徴とするFe−Co系合金スパッタリングターゲット材。
- 原子比における組成式が(FeX−Co100−X)、20≦X≦70で表されるFeCo合金に、Feに対する共晶点以上の(Nb、Ta)から選ばれる1種または2種の元素M1、かつIVa族、VIa族、IIIb族およびIVb族から選ばれる1種または2種以上の元素M2を含有する焼結ターゲット材であって、ショア硬さが37HS以下であることを特徴とするFe−Co系合金スパッタリングターゲット材。
- 前記元素M1の含有量が、20原子%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のFe−Co系合金スパッタリングターゲット材。
- 前記元素M2の含有量が、0.1〜10原子%であることを特徴とする請求項2に記載のFe−Co系合金スパッタリングターゲット材。
- 原子比における組成式が(FeX−Co100−X)、20≦X≦70で表されるFeCo合金に、Feに対する共晶点以上の(Nb、Ta)から選ばれる1種または2種の元素M1を含有する組成を有する焼結ターゲット材の製造方法であって、元素M1からなる単体の原料粉末と、前記組成に調整する他の原料粉末とを混合した混合粉末を加圧焼結し、ショア硬さが37HS以下の焼結体を得ることを特徴とするFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法。
- 原子比における組成式が(FeX−Co100−X)、20≦X≦70で表されるFeCo合金に、Feに対する共晶点以上の(Nb、Ta)から選ばれる1種または2種の元素M1、かつIVa族、VIa族、IIIb族およびIVb族から選ばれる1種または2種以上の元素M2を含有する焼結ターゲット材の製造方法であって、元素M1からなる単体の原料粉末と、前記組成に調整する他の原料粉末とを混合した混合粉末を加圧焼結し、ショア硬さが37HS以下の焼結体を得ることを特徴とするFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法。
- 前記他の原料粉末の少なくとも1種が、Feに対して亜共晶組成領域の元素M1を含有するFe合金粉末であることを特徴とする請求項5または6に記載のFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法。
- 前記加圧焼結が、750〜1300℃の温度域における熱間静水圧プレス処理であることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載のFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007102362A JP4919162B2 (ja) | 2007-04-10 | 2007-04-10 | Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007102362A JP4919162B2 (ja) | 2007-04-10 | 2007-04-10 | Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008260969A true JP2008260969A (ja) | 2008-10-30 |
| JP2008260969A5 JP2008260969A5 (ja) | 2011-05-19 |
| JP4919162B2 JP4919162B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=39983666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007102362A Active JP4919162B2 (ja) | 2007-04-10 | 2007-04-10 | Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4919162B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010024548A (ja) * | 2008-06-17 | 2010-02-04 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
| JP2010059540A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Hitachi Metals Ltd | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびCo−Fe系合金スパッタリングターゲット材 |
| CN102485948A (zh) * | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 北京有色金属研究总院 | 一种FeCoTaZr系合金溅射靶材及其制造方法 |
| JP2013161497A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 磁気記録媒体に用いる低飽和磁束密度を有する軟磁性膜層用合金およびスパッタリングターゲット材 |
| WO2014017381A1 (ja) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | 日立金属株式会社 | ターゲット材およびその製造方法 |
| WO2016157922A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット |
| WO2021039712A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | 日立金属株式会社 | Fe-Si-B-Nb系ターゲット |
| JPWO2021039710A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995016797A1 (fr) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Materiau en molybdene-tungstene pour cablage, cible en molybdene-tungstene pour cablage, procede de fabrication et couche mince de cablage en molybdene-tungstene |
| JP2004346423A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-12-09 | Hitachi Metals Ltd | Fe−Co−B系合金ターゲット材、その製造方法、軟磁性膜および磁気記録媒体ならびにTMR素子 |
| JP2006294090A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
2007
- 2007-04-10 JP JP2007102362A patent/JP4919162B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995016797A1 (fr) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Materiau en molybdene-tungstene pour cablage, cible en molybdene-tungstene pour cablage, procede de fabrication et couche mince de cablage en molybdene-tungstene |
| JP2004346423A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-12-09 | Hitachi Metals Ltd | Fe−Co−B系合金ターゲット材、その製造方法、軟磁性膜および磁気記録媒体ならびにTMR素子 |
| JP2006294090A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010024548A (ja) * | 2008-06-17 | 2010-02-04 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
| JP2010059540A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Hitachi Metals Ltd | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびCo−Fe系合金スパッタリングターゲット材 |
| CN102485948A (zh) * | 2010-12-06 | 2012-06-06 | 北京有色金属研究总院 | 一种FeCoTaZr系合金溅射靶材及其制造方法 |
| JP2013161497A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 磁気記録媒体に用いる低飽和磁束密度を有する軟磁性膜層用合金およびスパッタリングターゲット材 |
| WO2014017381A1 (ja) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | 日立金属株式会社 | ターゲット材およびその製造方法 |
| JPWO2014017381A1 (ja) * | 2012-07-24 | 2016-07-11 | 日立金属株式会社 | ターゲット材およびその製造方法 |
| WO2016157922A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット |
| JPWO2016157922A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2018-02-22 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット |
| WO2021039712A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | 日立金属株式会社 | Fe-Si-B-Nb系ターゲット |
| JPWO2021039712A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | ||
| JPWO2021039710A1 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-04 | ||
| JP7605114B2 (ja) | 2019-08-26 | 2024-12-24 | 株式会社プロテリアル | Fe-Si-B-Nb系ターゲット |
| JP7605115B2 (ja) | 2019-08-26 | 2024-12-24 | 株式会社プロテリアル | Fe-Si-B-Nb系ターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4919162B2 (ja) | 2012-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4919162B2 (ja) | Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| JP4331182B2 (ja) | 軟磁性ターゲット材 | |
| CN101161854B (zh) | Co—Fe—Zr系合金溅射靶材及其制造方法 | |
| JP5726615B2 (ja) | 磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材 | |
| JP4016399B2 (ja) | Fe−Co−B合金ターゲット材の製造方法 | |
| JP2008189996A (ja) | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP4953082B2 (ja) | Co−Fe−Zr系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP2010018884A (ja) | Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| CN107408397B (zh) | Ni系溅射靶材和磁记录介质 | |
| JP2005320627A (ja) | Co合金ターゲット材の製造方法、Co合金ターゲット材および垂直磁気記録用軟磁性膜ならびに垂直磁気記録媒体 | |
| JP5037036B2 (ja) | FeCo系ターゲット材 | |
| JP2006265653A (ja) | Fe−Co基合金ターゲット材およびその製造方法 | |
| WO2009104509A1 (ja) | 軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材 | |
| JP2009191359A (ja) | Fe−Co−Zr系合金ターゲット材 | |
| JP2016149170A (ja) | Fe−Co−Nb系合金スパッタリングターゲット材および軟磁性膜 | |
| JP2008260970A (ja) | Co−Zr系合金焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP4907259B2 (ja) | Crを添加したFeCoB系ターゲット材 | |
| JP4699194B2 (ja) | FeCoB系スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| JP5403418B2 (ja) | Co−Fe−Ni系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| JP2009203537A (ja) | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP5348661B2 (ja) | 軟磁性ターゲット材 | |
| JP6128417B2 (ja) | 軟磁性下地層 | |
| JP2011068985A (ja) | 軟磁性膜用Co−Fe系合金および軟磁性膜形成用Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材 | |
| JP5418897B2 (ja) | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| JP2009293102A (ja) | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100315 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100315 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110425 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110815 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110902 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111021 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120106 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120119 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4919162 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |