CN103038908B - 发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种具有良好的发光特性的发光元件、具备该发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法。具体而言，构成有机EL元件10a、10b、10c，其在第1电极2与第2电极8之间至少层叠有空穴注入层4和发光层6、且在由堤5规定的区域存在发光层6。在此，将空穴注入层4形成为在由堤5规定的区域上面下沉的凹入构造。空穴注入层4的凹入构造的凹部的边缘4c由堤5的一部分覆盖。

Description

发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法

技术领域

本发明涉及发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法。

背景技术

近年来，研究、开发不断进展的有机电致发光元件(下面，记载为“有机EL元件”。)是利用了有机材料的场致发光现象的发光元件。有机EL元件具有在第1电极(阳极)与第2电极(阴极)之间夹插有发光层的结构。在发光层的侧方形成有由绝缘材料构成的堤，通过该堤规定发光层的形状。在第1电极与发光层之间，例如根据需要夹插有空穴注入层，在第2电极与发光层之间，根据需要夹插有电子注入层(下面，将空穴注入层以及电子注入层总称并记载为“电荷注入层”)。

在以往的有机EL元件中，使用PEDOT(聚噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物)等的导电性高分子材料形成了电荷注入层，但提出了使用过渡金属氧化物等的金属化合物形成电荷注入层的方案(例如参照专利文献1等)。金属化合物与PEDOT相比，其电压-电流密度特性优异，另外，认为即使在使大电流流动而提高发光强度的情况下也不容易劣化。因此，金属化合物在电荷注入层的利用备受期待。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2005-203339号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在如上所述作为电荷注入层应用了金属化合物的结构中，也需要对发光特性谋求进一步改善。

因此，本发明的目的在于提供一种具有良好的发光特性的发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法。

用于解决问题的手段

作为本发明的一个技术方案的发光元件，所述发光元件在第1电极与第2电极之间至少夹插有电荷注入层、电荷输送层和发光层的层叠体，并且由堤规定其形状，所述电荷注入层在由所述堤规定的区域形成为上面下沉的凹入构造，所述电荷注入层的凹入构造的凹部的边缘由所述堤的一部分覆盖，所述电荷输送层形成为与其边缘由所述堤的一部分覆盖的所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分对向。

发明的效果

根据上述结构，形成于电荷注入层的凹部的边缘由堤的一部分覆盖，因此能够抑制发光时电场集中于凹部的边缘，其结果，能够抑制经由电荷输送层在发光层局部流动电流。因此，能够抑制发光面内的辉度不均，能够进一步改善发光特性。

附图说明

图1是用于说明得到本发明的一个技术方案的经过的剖面图。

图2是表示本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的一部分的俯视图。

图3是示意表示本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的一部分剖面的剖面图。

图4是图3中由一点划线包围的B部的放大剖面图。

图5是说明本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的制造方法的工序图。

图6是说明本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的制造方法的工序图。

图7是说明本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的制造方法的工序图。

图8是示意表示本发明的变形例涉及的有机EL显示器的一部分剖面的剖面图。

图9是说明本发明的变形例涉及的有机EL显示器的制造方法的工序图。

图10是示意表示本发明的变形例涉及的有机EL显示器的一部分剖面的剖面图。

图11是表示本发明的变形例涉及的有机EL显示器的一部分的俯视图。

具体实施方式

(得到本发明的一个技术方案的经过)

本发明人，对于在“背景技术”一栏中记载的应用了金属化合物的有机EL元件，通过锐意研究新发现了：由于发光面内产生辉度不均和/或局部劣化存在会导致的寿命降低的可能性。

并且，本发明人对这点进行不断研究，结果得到了下面的见解。

图1是表示有机EL显示器的制造工序的剖面图。图1(a)示出了在TFT基板1上形成有第1电极2、ITO层3、空穴注入层4以及堤5的状态。另外，图1(b)示出了还形成有发光层6、电子注入层7、第2电极8以及封止层9的状态。

根据在电荷注入层(在该例中为空穴注入层4)应用了金属化合物的结构，在堤5的形成过程中在空穴注入层4的上面形成了凹部4a(参照图1(a))。在该状态下形成发光层6B的情况下(参照图1(b))，在发光时电场会集中到凹部的边缘4c附近。其结果，有时电流会在发光层6B局部流动，由于产生该局部的电流，有可能会发生由发光面内的辉度不均和/或局部劣化导致的短寿命化的问题。

认为上述问题以及见解是应用了金属化合物的有机EL元件所特有的，并且在此之前并没有得到明确，在这一点上具有技术上的意义。

如上所述，通过一系列的研究以及探讨，本发明人想到了如下所述的技术特征：通过堤的一部分覆盖形成于电荷注入层的凹部的边缘，从而抑制发光时在凹部边缘附近的电荷集中，其结果，抑制发光层中流动局部电流。

(发明的一个技术方案的概要)

作为本发明的一个技术方案的发光元件，所述发光元件在第1电极与第2电极之间至少夹插有电荷注入层、电荷输送层和发光层的层叠体，并且由堤规定其形状，所述电荷注入层在由所述堤规定的区域形成为上面下沉的凹入构造，所述电荷注入层的凹入构造的凹部的边缘由所述堤的一部分覆盖，所述电荷输送层形成为与其边缘由所述堤的一部分覆盖的所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分对向。

根据上述结构，形成于电荷注入层的凹部的边缘由堤的一部分覆盖，因此能够抑制发光时电场集中于凹部的边缘，其结果，能够抑制在发光层局部流动电流。因此，能够抑制发光面内的辉度不均，能够进一步改善发光特性。

另外，也可以为如下结构：所述电荷输送层与所述堤的覆盖所述电荷注入层的凹部的边缘的覆盖部接触。

另外，也可以为如下结构：所述电荷输送层形成在通过由所述堤规定的区域中的所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分和所述堤的覆盖所述电荷注入层的凹部的边缘的覆盖部包围的区域。

另外，构成所述电荷注入层的材料可以为被在形成所述堤时所使用的液体侵蚀的材料。

在该情况下，作为本发明的另一技术方案，所述液体也可以为水或TMAH溶液。由此，在形成堤的工序中，不必特别追加工序就能够形成凹部。

另外，构成所述电荷注入层的材料可以为金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。这些材料一般是亲水性的。因此，能够在形成堤的工序中的以纯净水进行的洗净工序中形成凹部。

另外，可以为：所述堤的一部分到达所述电荷注入层的凹入构造的凹部的底面，所述堤的侧面从到达所述凹部底面的到达点到顶点为上升斜面。由此，在通过喷墨法等印刷技术形成发光层的情况下，能够使墨容易进入到由堤规定的区域内的各角落，能够抑制空隙(void)等的产生。

另外，所述堤的一部分也可以没有到达所述电荷注入层的凹入构造的凹部的底面。考虑如下情况：要使凹部的边缘由堤的一部分覆盖，例如通过对堤材料实施热处理来使堤材料流动，使凹部的边缘由堤材料的一部分覆盖。根据上述结构，可以无需使堤材料流动至凹部底面，因此能够将热处理的温度和时间设为低温且短时间。

另外，所述堤可以包含具有绝缘性的材料。由此，能够使相邻的发光层彼此绝缘。

另外，所述发光层可以为有机EL层。

另外，所述电荷注入层可以沿着所述堤的底面向所述堤的侧方延伸出去。

另外，所述电荷注入层的凹部的边缘可以为由在所述电荷注入层的上面没有凹入的区域和所述凹部的侧面形成的凸角部分。

作为本发明的一个技术方案的发光装置，具备多个上述的发光元件。

另外，作为本发明的一个技术方案的发光元件的制造方法，所述发光元件在第1电极与第2电极之间，至少夹插有电荷注入层、电荷输送层和发光层的层叠体，并且由堤规定其形状，所述制造方法包括：形成所述电荷注入层的工序；在所述电荷注入层上形成由构成堤的材料构成的堤材料层的工序；除去所述堤材料层的一部分使所述电荷注入层的一部分露出的工序；对所述电荷注入层上的所述堤材料层的残留部实施热处理的工序；在所述热处理工序后，在所述露出的电荷注入层上形成电荷输送层的工序；和在形成的所述电荷输送层上形成发光层的工序，所述电荷注入层由被在所述电荷注入层的一部分露出的状态下所使用的液体侵蚀的材料构成，所述电荷注入层的露出面，通过所述液体的侵蚀而形成为从所述堤材料层的残留部底面的水平面下沉的凹入构造，在所述热处理工序中，通过对所述堤材料层的残留部赋予流动性，使构成所述堤的材料从所述残留部延伸到所述凹入构造的凹部的边缘，在所述电荷输送层形成工序中，所述电荷输送层形成为与其边缘由所述堤材料层的一部分覆盖的所述电荷注入层的所述凹部的露出面对向。

下面，参照附图对用于实施本发明的技术方案进行详细说明。在此，作为发光元件以在发光层使用了有机EL材料的有机EL元件为例、作为具备多个发光元件的发光装置以有机EL显示器为例进行说明。另外，各附图中的部件的比例尺与实际不同。

(概略构成)

图2是表示本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的一部分的俯视图。

有机EL显示器100为将具备RGB的任一方的发光层的有机EL元件10a、10b、10c呈矩阵状配置而成的顶部发射型的有机EL显示器。各有机EL元件作为子像素起作用，以RGB的3色的有机EL元件为一组而作为像素起作用。

在图2的例子中，采用了井字格状的像素堤55，通过在Y轴方向延伸的堤要素55a将在X轴方向相邻的发光层56a1、56b1、56c1划分开，并且将发光层56a2、56b2、56c2划分开。

另一方面，通过在X方向延伸的堤要素55b将在Y轴方向相邻的发光层56a1、56a2划分开，将发光层56b1、56b2划分开，并且将发光层56c1、56c2划分开。

图3是示意表示本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的一部分剖面的剖面图，示出了图2的A-A的剖面。图4是图3中由一点划线包围的B部的放大剖面图。

在TFT基板1(下面简称为“基板1”)上，呈矩阵状形成有作为阳极的第1电极2，在第1电极2上按顺序层叠有ITO(氧化铟锡)层3、空穴注入层4、空穴输送层6A。另外，相对于ITO层3仅在第1电极2上层叠，空穴注入层4则不仅在第1电极2上而是遍及基板1的整个上面而形成。

在第1电极2的周边上部隔着空穴注入层4形成有堤5，在由堤5规定的区域内层叠有空穴输送层6A以及发光层6B。而且，在发光层6B上，电子注入层7、作为阴极的第2电极8以及封止层9分别形成为超过由堤5规定的区域并与相邻的有机EL元件10a、10b、10c的电子注入层7、作为阴极的第2电极8以及封止层9连续。

(各部构成)

基板1是由例如无碱玻璃、钠钙玻璃(sodaglass)、无荧光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石英、丙烯酸系树脂(acrylicresin)、苯乙烯系树脂、聚碳酸酯系树脂、环氧系树脂、聚乙烯、聚酯、硅系树脂或者氧化铝(alumina)等绝缘性材料形成。

第1电极2由Ag(银)形成。另外，第一电极2可以由例如APC(银、钯、铜的合金)、ARA(银、铷、金的合金)、MoCr(钼与铬的合金)、NiCr(镍与铬的合金)等形成。在顶部发射型的发光元件的情况下，优选由高反射性的材料形成。

ITO层3介于第1电极2和空穴注入层4之间，具有使各层间的接合性良好的功能。

空穴注入层4由WOx(氧化钨)或者MoxWyOz(钼钨氧化物)形成。另外，空穴注入层4只要是由具备空穴注入功能的金属化合物形成即可，作为这样的金属化合物，举例有例如金属氧化物、金属氮化物或者金属氮氧化物。

在空穴注入层4由特定的金属化合物形成的情况下，能够容易地注入空穴，在发光层6B内电子有效地有助于发光，因此能够得到良好的发光特性。作为所述特定的金属化合物，优选过渡金属。过渡金属能够通过取多个氧化数而取多个能级，其结果，空穴注入变得容易，能够降低驱动电压。

如图4所示，空穴注入层4沿着堤5的底面5a、5b向侧方延伸出去，并且上面的一部分凹入而形成凹部4a。作为凹部4a的内底面部的底面4b，比堤底面5a的水平面5c下沉。凹部4a由底面4b和与其连接的作为内侧面部的侧面4d构成，凹部4a的深度大致为5nm～30nm左右。凹部的边缘4c为由在空穴注入层4的上面没有凹入的区域4e和凹部的侧面4d形成的凸角部分，由作为堤5的一部分的覆盖部5d覆盖。

凹部的边缘4c相对于凹部的底面4b突出，所以如果凹部的边缘4c没有被绝缘性的覆盖部5d覆盖，则会在此处发生电场集中，经由电荷输送层6A在发光层6B局部地流动电流，其结果，产生由在发光面内的辉度不均和/或发光层6B的局部劣化所导致的产品的短寿命化的问题。然而，在本实施方式中，因为凹部的边缘4c被绝缘性的覆盖部5d覆盖，所以能够抑制产生这种问题。另外，为了有效地抑制电场集中，优选将覆盖部5d的厚度(从凹部的边缘4c到电荷输送层6A的最短距离)设为2nm～5nm。

另外，凹部的边缘4c的形状，相比于作为一例示出的图4所示的棱角形状，通过使之为多边形或者带圆角的形状，能够进一步抑制电场集中。

另外，在本实施方式中，覆盖部5d到达凹部4a的底面4b，堤5的侧面从到达凹部底面4b的到达点到顶点为上升斜面。由此在通过喷墨法等印刷技术形成发光层6B的情况下，能够使墨易于进入由堤规定的区域内的各角落，能够抑制空隙等的产生。

堤5是用于按每个子像素划分发光层6B的构件，由树脂等有机材料形成并具有绝缘性。作为有机材料的例子，可以列举丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛清漆型酚醛树脂等。堤5优选具有耐有机溶剂性。进而，堤5有时被实施蚀刻处理、烘烤(bake)处理等，所以优选由对于这些处理不会过度变形、变质等耐性高的材料形成。

空穴输送层6A是厚度为10nm～20nm左右的层，具有将从空穴注入层4注入的空穴(hole)向发光层6B内输送的功能。作为空穴输送层6A，使用空穴输送性的有机材料。空穴输送性的有机材料是指具有通过分子间的电荷移动反应来传递所生成的空穴的性质的有机物质。这也被称为p-型的有机半导体。

空穴输送层可以是高分子材料也可以是低分子材料，通过湿式印刷法来成膜。在形成作为上层的发光层6B时，为了不容易在此熔析，优选包含交联剂。作为空穴输送性的材料的例子，可以使用包含芴部位和三芳胺部位的共聚合体或低分子量的三芳胺衍生物。作为交联剂的例子，可以使用双季戊四醇六丙烯酸酯等。该情况下，优选由掺杂了聚苯乙烯磺酸的聚(3，4-乙撑二氧噻吩单体)(PEDOT-PSS)或其衍生物(共聚合体等)形成。

发光层6B是厚度为50nm～80nm左右的有机发光层，优选由例如日本特开平5-163488号公报中所记载的类喔星(oxinoid)化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫环酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、(chrysene)化合物、菲化合物、环戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒杂环己二烯鎓化合物、碲杂环己二烯鎓化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、蒽化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2,2’-联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与III族金属的配合物、8-羟基喹啉(喔星)金属配合物、稀土类配合物等荧光物质形成。

电子注入层7具有将从第2电极8注入的电子向发光层6B输送的功能，例如，优选由钡、酞菁、氟化锂或者这些物质的组合形成。

第2电极8由例如ITO、IZO(氧化铟锌)等形成。在顶部发射型的发光元件的情况下，优选由透光性的材料形成。

封止层9具有能够抑制发光层6B等暴露于水分中或者暴露于空气中的功能，由例如SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等材料形成。在顶部发射型的发光元件的情况下，优选由透光性的材料形成。

(制造方法)

图5～图7是说明本发明的实施方式涉及的有机EL显示器的制造方法的工序图。

首先，如图5(a)所示，在基板1上通过例如溅射法形成Ag薄膜，通过例如光刻法使该Ag薄膜图案化，由此将第1电极2形成为矩阵状。另外，Ag薄膜也可以通过真空蒸镀法等形成。

接下来，如图5(b)所示，通过例如溅射法形成ITO薄膜，通过例如光刻法使该ITO薄膜图案化，由此形成ITO层3。接着，使用包含WOx或MoxWyOz的组成物通过溅射法等技术形成WOx或MoxWyOz的薄膜11。

接下来，如图5(c)所示，在薄膜11上使用由有机材料构成的堤材料形成堤材料层12，除去堤材料层12的一部分使薄膜11的一部分露出。堤材料层12的形成能够通过例如涂敷等来进行。堤材料层12的除去能够通过使用预定的显影液(四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液等)进行图案化来进行。

此时，由于作为构成薄膜11的材料的WOx或MoxWyOz具有容易溶于纯净水或TMAH溶液的性质，所以能通过所述显影液洗净(清洗)附着于薄膜11表面的堤残渣，且如图6(a)所示，薄膜11的露出部分被侵蚀而形成凹入构造。其结果，形成具备凹部4a的空穴注入层。

接下来，如图6(b)所示，实施热处理，对堤材料层12的残留部赋予某种程度的流动性，使堤材料从残留部延伸至凹部的边缘4c。由此，凹部的边缘4c被覆盖部5d覆盖。热处理例如可以采用热硫化(heatcure)。热硫化的温度以及时间只需根据堤材料的种类和/或所需要的覆盖部5d的厚度等适当设定即可。然后，根据需要，对堤材料层12的残留部表面，实施例如由氟等离子体等进行的拨液处理，形成堤5。

接下来，在堤5内所规定的区域，基于例如湿式印刷法形成空穴输送层6A。作为湿式印刷法，并没有特别限定，可以使用喷墨法所代表的喷嘴喷射、分配器(分墨器、dispenser)法。该情况下，喷墨法将墨化的有机成膜材料从喷嘴向金属氧化物层喷射。由此形成空穴输送层6A。

接下来，如图6(c)所示，在由堤5规定的区域内，通过例如喷墨法从所述形成的空穴输送层6A上滴下包含有机EL材料的组成物墨(下面简称为“墨”)，使该墨干燥而形成发光层6B。另外，也可以通过分配器法、喷嘴涂敷(nozzlecoat)法、旋涂法、凹版印刷、凸版印刷等滴下墨。

接下来，如图7(a)所示，通过例如真空蒸镀法形成成为电子注入层7的钡薄膜，如图7(b)所示，通过例如溅射法形成成为第2电极8的ITO薄膜，如图7(c)所示，进一步形成封止层9。

根据上述制造方法，即使在制造过程中在空穴注入层4的露出部分形成有凹部4a，也因为凹部的边缘4c由覆盖部5d覆盖，并在其后依次形成空穴输送层6A以及发光层6B，所以能够抑制电场集中到凹部的边缘4c。

另外，根据上述制造方法，在暂且形成了厚度一样的薄膜11之后使用纯净水洗净(清洗)蚀刻残渣时，通过使其表面部分的一部分溶解而形成为具有凹入构造，从而使发光区域的厚度变薄，形成空穴注入层4。如此，在实际的成膜工艺中，与从最初就形成薄的膜相比，暂且形成厚的膜并在之后调节厚度，能够发挥更稳定的生产性。

也就是说，一般而言，在成膜工艺中成膜非常薄的膜的情况下，需要以较短的时间实施从开始成膜直到结束，但如此薄的膜，其膜厚、膜质等不稳定而容易产生不均。这是因为：在成膜条件稳定之前的时间(例如在溅射法中，由于放电在室内生成等离子体，等离子体稳定之前的时间)也进行成膜，因此在该时间内成膜的具有不稳定特性的膜的厚度占整个膜厚的比例增大之故。与此相对，根据上述制造方法，通过在最初形成一定厚度的薄膜11之后，使部分表面溶解而形成凹入构造，能够高效地制造电荷注入输送性能优良、且发光区域膜厚薄的空穴注入层，因此有利。

以上基于实施方式进行了说明，但本发明并不限于这些实施方式。例如可以考虑如下的变形例。

(1)在上述实施方式中，作为构成空穴注入层4的材料，使用WOx或MoxWyOz进行了说明，但一般而言，因为金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物容易被纯净水侵蚀，所以在使用了Mo(钼)、W(钨)以外的金属的情况下，也可以通过应用本实施方式起到同样的效果。

(2)在上述实施方式中，空穴注入层在洗净时被纯净水侵蚀而形成了凹部，但只要采用本发明，即使通过除此以外的理由来形成凹部，也能够获得抑制电场集中到凹部的边缘的效果。所谓除此以外的理由，例如可以举出：空穴注入层在蚀刻时被蚀刻液侵蚀的情况；在抗蚀剂剥离时被剥离剂侵蚀的情况等的例子。如此，在空穴注入层由被在形成堤时所使用的液体侵蚀的材料构成的情况下、更详细而言在由被在空穴注入层的一部分露出的状态下所使用的液体侵蚀的材料构成的情况下，本发明有效。

(3)在上述实施方式中，从堤延伸出去的覆盖部超越凹部的边缘4c而到达凹部的底面4b，但本发明只要覆盖凹部的边缘4c即可，并不限于此。例如，如图8所示，在覆盖部5d没有到达凹部的底面4b的情况下也没关系。在采用了图8的结构的情况下，因为可以不必使堤材料流至凹部底面，所以能够将热处理的温度和时间设为低温且短时间。

在上述实施方式中，作为形成空穴注入层4的凹部4a的方法的一例，示出了由在堤形成工序中的蚀刻后的洗净进行的工序，但本发明作为其他的形成方法也可以使用掩模图案化等。

(4)在图6(a)中，堤材料12的斜面的下端与凹部的边缘4c一致，但并不限于此。根据堤材料，有时也可以如图9(a)所示，通过使堤材料12的斜面后退，从而使没有凹入的区域4e的一部分露出。在该情况下，也通过对堤材料12适当实施热处理，使凹部的边缘4c由堤材料的一部分覆盖即可(参照图9(b))。

(5)此外，在通过空穴输送层的材料暂且形成了空穴输送层之后实施堤形成工序并进行蚀刻后的洗净的情况下，如图10所示，也设想在空穴输送层的表面形成凹部的情况。在该情况下，在空穴输送层13的上面形成凹部，使形成于空穴输送层的凹部的边缘被覆盖部覆盖，因此仍可防止驱动时在凹部的边缘发生电场集中。

(6)在上述实施方式中，由Ag薄膜形成第1电极2，因此在其上形成ITO层3。在使第1电极2为铝类时，可以无需ITO层3而使阳极为单层构造。

(7)在上述实施方式中，作为具备多个发光元件的发光装置，以有机EL显示器为例进行了说明，但本发明并不限于此，也可以适用于照明装置等。

(8)在上述实施方式中，采用了所谓的像素堤(井字格状堤)，但本发明并不限于此。例如可以采用线堤(线状的堤)。在图11的例子中，采用了线堤65，将在X轴方向相邻的发光层66a、66b、66c划分开。另外，如图11所示，在采用线堤65的情况下，在Y轴方向相邻的发光层彼此没有通过堤要素来规定，但通过适当设定驱动方法和阳极的尺寸以及间隔等，能够不相互影响地使其发光。

(9)在上述实施方式中，以顶部发射型进行了说明，但并不限于此，也可以是底部发射型。

(10)在上述实施方式中，在发光层与第2电极之间仅夹插有电子注入层，但除此以外还也可以夹插有电子输送层。

(11)在上述实施方式中，作为堤材料使用了有机材料，但也可以使用无机材料。

该情况下，堤材料层的形成，与使用有机材料的情况同样，可以通过例如涂敷等来进行。堤材料层的除去可以通过如下工序来进行：在堤材料层上形成抗蚀剂图案，然后使用预定的蚀刻液(四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液等)进行蚀刻。抗蚀剂图案在蚀刻后通过例如水系或非水系的剥离剂来除去。接着，使用纯净水洗净蚀刻残渣。此时，因为作为构成薄膜的材料的WOx或MoxWyOz具有易于溶解于纯净水或TMAH溶液的性质，所以与图6(a)所示的情况同样，薄膜的露出部分被侵蚀而形成为凹入构造。其结果，形成具备凹部的空穴注入层。因此，在作为堤材料使用无机材料的情况下，与使用有机材料的情况同样，也能够适用本发明。

产业上的可利用性

本发明能够利用于有机EL显示器等。

附图标记说明

1：TFT基板

2：第1电极

3：ITO层

4：空穴注入层

4a：凹部

4b：凹部的底面

4c：凹部的边缘

4d：凹部的侧面

4e：在空穴注入层的上面没有凹入的区域

5：堤

5a、5b：堤的底面

5c：堤的底面的水平面

5d：覆盖部

6A：空穴输送层

6B：发光层

7：电子注入层

8：第2电极

9：封止层

10a、10b、10c：有机EL元件

11：薄膜

12：堤材料层

13：空穴输送层

55：像素堤

55a：堤要素

55b：堤要素

56a1、56a2、56b1、56b2、56c1、56c2：发光层

65：线堤

66a、66b、66c：发光层

100：有机EL显示器

Claims (13)

1.一种发光元件，所述发光元件在第1电极与第2电极之间至少夹插有电荷注入层、电荷输送层和发光层的层叠体，并且由堤规定其形状，

所述电荷注入层在由所述堤规定的区域中形成为上面下沉的凹入构造，

所述电荷注入层的凹入构造的凹部的边缘由所述堤的一部分覆盖，

所述堤的一部分与所述电荷注入层的凹入构造的凹部的边缘相接，

所述电荷输送层形成为与所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分对向，

所述电荷注入层的所述凹部的边缘为由在所述电荷注入层的上面没有凹入的区域和所述凹部的侧面形成的凸角部分。

2.如权利要求1所述的发光元件，

所述电荷输送层与所述堤的覆盖所述电荷注入层的凹部的边缘的覆盖部接触。

3.如权利要求1所述的发光元件，

所述电荷输送层形成在通过由所述堤规定的区域中所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分和所述堤的覆盖所述电荷注入层的凹部的边缘的覆盖部包围的区域。

4.如权利要求1所述的发光元件，

构成所述电荷注入层的材料为被在形成所述堤时所使用的液体侵蚀的材料。

5.如权利要求4所述的发光元件，

所述液体为水或TMAH溶液。

6.如权利要求1所述的发光元件，

构成所述电荷注入层的材料为金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。

7.如权利要求1所述的发光元件，

所述堤的一部分到达所述电荷注入层的凹入构造的凹部的底面，所述堤的侧面从到达所述凹部底面的到达点到顶点为上升斜面。

8.如权利要求1所述的发光元件，

所述堤的一部分没有到达所述电荷注入层的凹入构造的凹部的底面。

9.如权利要求1所述的发光元件，

所述堤包含具有绝缘性的材料。

10.如权利要求1所述的发光元件，

所述发光层为有机EL层。

11.如权利要求1所述的发光元件，

所述电荷注入层沿着所述堤的底面向所述堤的侧方延伸出去。

12.一种发光装置，具备多个权利要求1～11的任一项所述的发光元件。

13.一种发光元件的制造方法，所述发光元件在第1电极与第2电极之间，至少夹插有电荷注入层、电荷输送层和发光层的层叠体，并且由堤规定其形状，所述制造方法包括：

形成所述电荷注入层的工序；

在所述电荷注入层上形成由构成堤的材料构成的堤材料层的工序；

除去所述堤材料层的一部分使所述电荷注入层的一部分露出的工序；

对所述电荷注入层上的所述堤材料层的残留部实施热处理的工序；

在所述热处理工序后，在所述露出的所述电荷注入层上形成电荷输送层的工序；和

在形成的所述电荷输送层上形成发光层的工序，

所述电荷注入层由被在所述电荷注入层的一部分露出的状态下所使用的液体侵蚀的材料构成，

所述电荷注入层的露出面，通过所述液体的侵蚀而形成为从所述堤材料层的残留部底面的水平面下沉的凹入构造，

在所述热处理工序中，通过对所述堤材料层的残留部赋予流动性，使构成所述堤的材料从所述残留部延伸到所述凹入构造的凹部的边缘，由所述堤材料层的一部分覆盖所述电荷注入层的所述凹部的边缘，

在所述电荷输送层形成工序中，所述电荷输送层形成为与所述电荷注入层的所述凹部的所述下沉的部分对向，

所述电荷注入层的所述凹部的边缘为由在所述电荷注入层的上面没有凹入的区域和所述凹部的侧面形成的凸角部分。