JP2008192833A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の接続パッドに設けられたはんだと、半導体チップの電極パッドに設けられたＡｕバンプとを接合した半導体装置の製造方法に関し、はんだに含まれるＳｎがＡｕバンプを介して、半導体チップの電極パッドに拡散することを防止できると共に、配線基板と半導体チップと間の電気的な接続信頼性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１２の電極パッド３１に形成されたＡｕバンプ１３と対向する配線基板１１の接続パッド２１の接続面２１Ａ及び側面２１Ｂに、めっき法により、はんだ１４を形成し、次いで、このはんだ１４を溶融させて、接続パッド２１の接続面２１Ａに凸形状とされたはんだ溜り１５を形成し、その後、はんだ溜りが形成された接続パッド２１の接続面２１ＡにＡｕバンプ１３を載置して、はんだ溜り１５とＡｕバンプ１３とを接合させた。
【選択図】図８

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に配線基板の接続パッドに設けられたはんだと、半導体チップの電極パッドに設けられたＡｕバンプとを接合させることにより、半導体チップと配線基板とをフリップチップ接続した半導体装置の製造方法に関する。

従来の半導体装置には、配線基板の接続パッドに設けられたはんだと、半導体チップの電極パッドに設けられたＡｕバンプとを接合させることにより、半導体チップと配線基板とをフリップチップ接続した半導体装置（図１参照）がある。

図１は、従来の半導体装置の断面図である。

図１を参照するに、従来の半導体装置１００は、配線基板１０１と、半導体チップ１０２と、Ａｕバンプ１０３と、はんだ１０４と、アンダーフィル樹脂１０５と、はんだボール１１５とを有する。

配線基板１０１は、基板本体１０６と、貫通ビア１０７と、接続パッド１０８と、ソルダーレジスト１０９，１１４と、配線１１０と、パッド１１２とを有する。

基板本体１０６は、コア基板である。基板本体１０６としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂や、テープ状の樹脂等を用いることができる。

貫通ビア１０７は、基板本体１０６を貫通するように設けられている。接続パッド１０８は、貫通ビア１０７の形成位置に対応する部分の基板本体１０６の上面１０６Ａに設けられている。接続パッド１０８は、貫通ビア１０７と接続されている。

ソルダーレジスト１０９は、接続パッド１０８を露出するように基板本体１０６の上面１０６Ａに設けられている。配線１１０は、貫通ビア１０７の形成位置に対応する部分の基板本体１０６の下面１０６Ｂに設けられている。配線１１０は、貫通ビア１０７と接続されている。これにより、配線１１０は、貫通ビア１０７を介して、接続パッド１０８と電気的に接続されている。

パッド１１２は、基板本体１０６の下面１０６Ｂに設けられている。パッド１１２は、配線１１０と接続されている。ソルダーレジスト１１４は、パッド１１２を露出するように基板本体１０６の下面１０６Ｂに設けられている。

半導体チップ１０２は、複数の電極パッド１１６を有する。複数の電極パッド１１６は、半導体チップ１０２に設けられた集積回路と電気的に接続されている。電極パッド１１６の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。

Ａｕバンプ１０３は、複数の電極パッド１１６に設けられている。Ａｕバンプ１０３は、接続パッド１０８と接触している。これにより、半導体チップ１０２は、Ａｕバンプ１０３を介して、接続パッド１０８と電気的に接続される。

はんだ１０４は、接続パッド１０８に設けられている。はんだ１０４は、接続パッド１０８上にＡｕバンプ１０３を固定するためのものである。はんだ１０４としては、例えば、無電解めっき法により形成されたＳｎはんだやＳｎ系合金はんだを用いることができる。無電解めっき法に限らず、めっき法により形成されたはんだ１０４は、微細なボイドを多く含んでいる。はんだ１０４として、Ｓｎはんだ又はＳｎ系合金はんだを用いた場合の厚さは、例えば、１μｍ以下にするとよい。このように、はんだ１０４の厚さを薄くすることにより、はんだボール１１５を形成する際の熱処理時（加熱温度は２３０℃〜２６０℃程度）や半導体装置１００の高温検査時に、微細なボイドを有したはんだ１０４に含まれるＳｎがＡｕバンプ１０３を介して、電極パッド１１６に拡散して、電極パッド１１６とＡｕバンプ１０３との間の導通が取れなくなることを防止することができる。

アンダーフィル樹脂１０５は、半導体チップ１０２と配線基板１０１との隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂１０５は、半導体チップ１０２と配線基板１０１との間の接続強度を補強するための樹脂である。

はんだボール１１５は、配線基板１０１のパッド１１２に設けられている。はんだボール１１５はマザーボード等の実装基板（図示せず）と半導体装置１００とを電気的に接続するための外部接続端子である。

図２〜図６は、従来の半導体装置の製造工程を示す図である。

図２〜図６を参照して、従来の半導体装置１００の製造方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、周知の手法により、配線基板１０１を形成する。次いで、図３に示す工程では、無電解めっき法により、少なくとも接続パッド１０８の上面にはんだ１０４を形成する。はんだ１０４の厚さは、１μｍ以下とする。はんだ１０４としては、例えば、Ｓｎはんだ又はＳｎ系合金はんだを用いる。

次いで、図４に示す工程では、半導体チップ１０２に設けられた複数の電極パッド１１６にＡｕバンプ１０３を形成する。次いで、図５に示す工程では、高い圧力を印加することにより、Ａｕバンプ１０３と接続パッド１０８と接触させ、その後、はんだ１０４をリフローさせることにより、接続パッド１０８とＡｕバンプ１０３とを電気的に接続する。

次いで、図６に示す工程では、毛細管現象により、半導体チップ１０２と配線基板１０１との隙間を充填するように、アンダーフィル樹脂１０５を形成する。

次いで、図７に示す工程では、図６に示す構造体を加熱した状態で、配線基板１０１のパッド１１２にはんだボール１１５を形成する。これにより、半導体チップ１０２と配線基板１０１とがフリップチップ接続された半導体装置１００が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
特開平８−１４８４９６号公報

しかしながら、従来の半導体装置１００では、接続パッド１０８上に厚さの薄い（１μｍ以下）はんだ１０４を形成し、このはんだ１０４とＡｕバンプ１０３とを接合させていたため、リフローされたはんだ１０４の温度が室温まで低下した際、配線基板１０１と半導体チップ１０２との間の熱膨張係数の差により、はんだ１０４とＡｕバンプ１０３との接合部分が破損して、配線基板１０１と半導体チップ１０２との間における電気的な接続信頼性が低下してしまうという問題があった。

また、基板本体１０６の材質が軟らかい場合（例えば、テープ状の樹脂）や電極パッド１１６の構造が脆弱な場合では、高い圧力を印加した状態でＡｕバンプ１０３を接続パッド１０８に接触させることが困難であるため、配線基板１０１と半導体チップ１０２との間における電気的な接続信頼性が低下してしまうという問題があった。

さらに、Ａｕバンプ１０３間に高さばらつきが存在する場合や配線基板１０１に反りが発生した場合、はんだ１０４とＡｕバンプ１０３とが接触しなくなることにより、Ａｕバンプ１０３と接続パッド１０８とを電気的に接続することができないという問題があった。

そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、はんだに含まれるＳｎがＡｕバンプを介して、半導体チップの電極パッドに拡散することを防止できると共に、配線基板と半導体チップと間の電気的な接続信頼性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、複数の電極パッドを有した半導体チップと、前記電極パッドと対向する接続パッドを有した配線基板と、を備え、前記複数の電極パッドに設けられたＡｕバンプと、前記接続パッドに設けられたはんだとを接合させることにより、前記半導体チップと前記配線基板とをフリップチップ接続する半導体装置の製造方法であって、めっき法により、前記Ａｕバンプと対向する前記接続パッドの接続面と、前記接続パッドの側面とに前記はんだを形成するはんだ形成工程と、前記はんだを溶融させて、前記接続パッドの接続面に凸形状とされたはんだ溜りを形成するはんだ溜り形成工程と、前記はんだ溜りが形成された前記接続面に前記Ａｕバンプを載置することにより、前記はんだ溜りと前記Ａｕバンプとを接合させる接合工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、はんだを溶融することにより、表面張力で接続パッドの側面に位置する部分のはんだを接続パッドの接続面に移動させて、めっき法により形成されたはんだよりも厚さの厚いはんだ溜りを接続パッドの接続面に形成することが可能となる。これにより、Ａｕバンプに高さばらつきが存在する場合や配線基板に反りが発生した場合でも、Ａｕバンプと接続パッドとを接合させることが可能となるので、配線基板と半導体チップと間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

また、Ａｕバンプと接続パッドとを接合する前にはんだを溶融させることにより、めっき法により形成されたはんだに存在する微細なボイドをはんだ（はんだ溜りも含む）から消失させて、はんだ（はんだ溜りも含む）を緻密な構造にすることが可能となるため、例えば、配線基板に半導体装置の外部接続端子となるはんだボールを形成する際の熱処理工程や半導体装置の高温検査工程において、はんだ溜りに含まれるＳｎがＡｕバンプを介して、半導体チップに設けられた電極パッドに拡散することを防止できる。

また、前記はんだ形成工程では、前記はんだを電解めっき法により形成してもよい。これにより、無電解めっき法により形成されたはんだよりも厚さの厚いはんだを接続パッドの接続面及び側面に形成することが可能となるので、はんだ溜りの高さを高くすることができる。

また、前記はんだ溜り形成工程では、前記はんだを該はんだの融点以上で、かつ前記半導体チップの耐熱温度よりも低い温度で加熱することにより、前記はんだを溶融させてもよい。これにより、はんだを溶融させる際の熱により、半導体チップが破損することを防止できる。

さらに、前記接合工程後に、前記半導体チップと前記配線基板との隙間を充填するようにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程を設けてもよい。これにより、半導体チップと配線基板との間の接続強度を補強することができる。

本発明によれば、はんだに含まれるＳｎがＡｕバンプを介して、半導体チップの電極パッドに拡散することを防止できると共に、配線基板と半導体チップと間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

（実施の形態）
図８は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。

図８を参照するに、本実施の形態の半導体装置１０は、配線基板１１と、半導体チップ１２と、Ａｕバンプ１３と、はんだ１４と、はんだ溜り１５と、アンダーフィル樹脂１６と、はんだボール１７とを有する。

配線基板１１は、基板本体１８と、貫通ビア１９と、接続パッド２１と、ソルダーレジスト２３，２９と、配線２４と、パッド２５とを有する。

基板本体１８は、コア基板である。基板本体１８には、複数の貫通孔２７が形成されている。基板本体１８としては、例えば、板状の樹脂基板やテープ状の樹脂基板等を用いることができる。

貫通ビア１９は、複数の貫通孔２７に設けられている。貫通ビア１９は、その一方の端部が接続パッド２１と接続されており、他方の端部が配線２４と接続されている。貫通ビア１９の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

接続パッド２１は、貫通ビア１９の形成位置に対応する部分の基板本体１８の上面１８Ａに設けられている。接続パッド２１は、貫通ビア１９の上端部と接続されている。接続パッド２１は、Ａｕバンプ１３と対向する接続面２１Ａを有する。接続パッド２１の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

ソルダーレジスト２３は、基板本体１８の上面１８Ａに設けられている。ソルダーレジスト２３は、複数の接続パッド２１を露出する開口部２３Ａを有する。

配線２４は、貫通ビア１９の形成位置に対応する部分の基板本体１８の下面１８Ｂに設けられている。配線２４は、貫通ビア１９の下端部と接続されている。配線２４の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

パッド２５は、基板本体１８の下面１８Ｂに設けられている。パッド２５は、配線２４と接続されている。パッド２５は、外部接続端子であるはんだボール１７を配設するためのものである。パッド２５の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。

ソルダーレジスト２９は、配線２４を覆うように基板本体１８の下面１８Ｂに設けられている。ソルダーレジスト２９は、パッド２５を露出する開口部２９Ａを有する。

半導体チップ１２は、半導体基板（図示せず）と、半導体基板に形成された集積回路（図示せず）と、集積回路と電気的に接続された複数の電極パッド３１を有する。

Ａｕバンプ１３は、複数の電極パッド３１に設けられている。Ａｕバンプ１３は、その一方の端部が接続パッド２１の接続面２１Ａと接触している。Ａｕバンプ１３は、半導体チップ１２と配線基板１１とを電気的に接続するためのバンプである。Ａｕバンプ１３の高さは、例えば、３０μｍとすることができる。

はんだ１４は、接続パッド２１の側面２１Ｂに設けられている。はんだ１４は、めっき法により接続パッド２１の接続面２１Ａ及び側面２１Ｂにはんだを形成（後述する図１０に示す工程参照）し、その後、このはんだを溶融させた際（後述する図１２に示す工程参照）、接続パッド２１の接続面２１Ａに移動しないで、接続パッド２１の側面２１Ｂに残ったはんだである。はんだ１４としては、例えば、Ｓｎはんだ、Ｓｎ−Ａｇはんだ、Ｓｎ−Ｃｕはんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ等を用いることができる。

はんだ溜り１５は、接続パッド２１の接続面２１Ａに設けられている。はんだ溜り１５は、凸形状とされている。はんだ溜り１５は、Ａｕバンプ１３と接合されている。これにより、半導体チップ１２と配線基板１１とはフリップチップ接続されている。はんだ溜り１５は、めっき法により接続パッド２１の接続面２１Ａに形成されたはんだと、接続パッド２１の側面２１Ｂに設けられた溶融されたはんだのうち、表面張力により接続パッド２１の接続面２１に移動したはんだとにより構成されている。はんだ溜り１５を構成するはんだとしては、はんだ１４を構成するはんだと同一のはんだを用いることができる。はんだ溜り１５の厚さ（Ａｕバンプ１３が接合される部分のはんだ溜り１５の厚さ）は、例えば、３μｍ〜９μｍとすることができる。

このように、Ａｕバンプと対向する接続パッド２１の接続面２１Ａに従来のはんだ１０４よりも厚さの厚いはんだ溜り１５を設けることにより、Ａｕバンプ１３に高さばらつきが存在した場合や配線基板１１に反りが発生した場合でも、Ａｕバンプ１３と接続パッド２１とを接合させることが可能となるため、配線基板１１と半導体チップ１２と間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

アンダーフィル樹脂１６は、半導体チップ１２と配線基板１１との間に形成された隙間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂１６は、半導体チップ１２と配線基板１１との間の接続強度（特に、はんだ溜り１５とＡｕバンプ１３の接合部分の強度）を補強するためのものである。

はんだボール１７は、配線基板１１のパッド２５に設けられている。はんだボール１７はマザーボード等の実装基板（図示せず）と半導体装置１０とを電気的に接続するための外部接続端子である。

本実施の形態の半導体装置によれば、Ａｕバンプと対向する接続パッド２１の接続面２１Ａに従来のはんだ１０４よりも厚さの厚いはんだ溜り１５を設けることにより、Ａｕバンプ１３に高さばらつきが存在した場合や配線基板１１に反りが発生した場合でも、Ａｕバンプ１３と接続パッド２１とを接合させることが可能となるため、配線基板１１と半導体チップ１２と間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

図９〜図１５は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図９〜図１５において、本実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。

図９〜図１５を参照して、本実施の形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。始めに、図９に示す工程では、周知の手法により、配線基板１１を形成する。

次いで、図１０に示す工程では、めっき法により、接続パッド２１の接続面２１Ａ及び側面１２Ｂにはんだ１４を形成する（はんだ形成工程）。具体的には、はんだ１４は、電解めっき法により形成するとよい。このように、電解めっき法を用いてはんだ１４を形成することにより、無電解めっき法を用いた場合と比較して、はんだ１４の厚さＭ１を厚くすることが可能となるため、後述する図１２に示す工程において形成されるはんだ溜り１５の厚さを厚くすることができる。

接続パッド２１の接続面２１Ａ及び側面１２Ｂに形成するはんだ１４の厚さＭ１は、例えば、１μｍ〜３μｍとすることができる。また、はんだ１４としては、例えば、Ｓｎはんだ又はＳｎ系合金はんだを用いることができる。Ｓｎ系合金はんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇはんだ、Ｓｎ−Ｃｕはんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ等を用いることができる。

次いで、図１１に示す工程では、半導体チップ１２に設けられた複数の電極パッド３１にＡｕバンプ１３を形成する。Ａｕバンプ１３は、例えば、電解めっき法やＡｕワイヤにより形成することができる。

次いで、図１２に示す工程では、図９に示す構造体をはんだ１４の融点以上に加熱して、はんだ１４を溶融（リメルト）させる。これにより、接続パッド２１の側面１２Ｂに形成されたはんだ１４の一部が表面張力により接続パッド２１の接続面２１Ａに集まって、接続パッド２１の接続面２１Ａに凸形状とされたはんだ溜り１５が形成される（はんだ溜り形成工程）。はんだ１４を溶融させる際の温度は、はんだ１４の融点以上で、かつ半導体チップ１２の耐熱温度（例えば、３００℃）よりも低い温度にするとよい。このような温度にすることにより、はんだ１４を溶融させる際の熱により、半導体チップ１２が破損することを防止できる。

はんだ溜り１５の厚さＭ２は、例えば、３μｍ〜９μｍにするとよい。例えば、はんだ１４の厚さＭ１が３μｍの場合、はんだ１４を溶融させることにより、はんだ溜り１５の厚さＭ２は、８μｍ程度の厚さになる。

このように、従来の接続パッド１０８上に形成されたはんだ１０４よりも厚さの厚いはんだ溜り１５を接続面２１Ａに形成することにより、Ａｕバンプ１３に高さばらつきが存在した場合や配線基板１１に反りが発生した場合でも、はんだ溜り１５とＡｕバンプ１３とを接合させることが可能となるので、配線基板１１と半導体チップ１２と間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

また、Ａｕバンプ１３とはんだ溜り１５とを接合させる前に、はんだ１４を溶融させることにより、めっき法により形成されたはんだ１４に存在する微細なボイドをはんだ１４（接続パッド２１の接続面２１Ａに設けられたはんだ）及びはんだ溜り１５から消失させることが可能となる。これにより、はんだ１４（接続パッド２１の接続面２１Ａに設けられたはんだ）及びはんだ溜り１５が緻密な構造となるため、例えば、配線基板１１のパッド２５にはんだボール１７を形成する際の熱処理工程（図１５参照）や半導体装置１０の高温検査工程において、はんだ溜り１５に含まれるＳｎがＡｕバンプを介して、電極パッド３１に拡散することを防止できる。

次いで、図１３に示す工程では、図１２に示す構造体を洗浄（例えば、純水による洗浄）し、その後、はんだ溜り１５が形成された接続パッド２１の接続面２１ＡにＡｕバンプ１３を載置して、はんだ溜り１５とＡｕバンプ１３とを接合させる（接合工程）。

このとき、Ａｕバンプ１３に高さばらつきが存在する場合や配線基板１１に反りが存在した場合でも、はんだ溜り１５の厚さが従来のはんだ１０４よりも厚いため、Ａｕバンプ１３とはんだ溜り１５とを接合させることが可能となる。これにより、配線基板１１と半導体チップ１２と間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

次いで、図１４に示す工程では、毛細管現象により、半導体チップ１２と配線基板１１との隙間を充填するように、アンダーフィル樹脂１６を形成する（アンダーフィル樹脂形成工程）。このように、半導体チップ１２と配線基板１１との隙間を充填するように、アンダーフィル樹脂１６を形成することにより、半導体チップ１２と配線基板１１との間の接続強度（特に、はんだ溜り１５とＡｕバンプ１３の接合部分の強度）を補強することができる。

次いで、図１５に示す工程では、図１４に示す構造体を加熱した状態で、パッド２５にはんだボール１７を形成する。これにより、半導体チップ１２と配線基板１１とがフリップチップ接続された半導体装置１０が製造される。なお、図１４に示す構造体に設けられたはんだ１４及びはんだ溜り１５には、微細なボイドが存在しないため、図１５に示す工程における加熱処理により、図１４に示す構造体に設けられたはんだ１４及びはんだ溜り１５に含まれるＳｎが、Ａｕバンプ１３を介して、半導体チップ１２の電極パッド３１に拡散することはない。

本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、従来の接続パッド１０８上に形成されたはんだ１０４よりも厚さの厚いはんだ溜り１５を接続面２１Ａに形成することにより、Ａｕバンプ１３に高さばらつきが存在した場合や配線基板１１に反りが発生した場合でも、はんだ溜り１５とＡｕバンプ１３とを接合させることが可能となるので、配線基板１１と半導体チップ１２と間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。

また、Ａｕバンプ１３とはんだ溜り１５とを接合させる前に、はんだ１４を溶融させることにより、めっき法により形成されたはんだ１４に存在する微細なボイドを接続パッド２１の接続面２１Ａに設けられたはんだ１４及びはんだ溜り１５から消失させることが可能となる。これにより、接続パッド２１の接続面２１Ａに設けられたはんだ１４及びはんだ溜り１５が緻密な構造となるため、例えば、配線基板１１のパッド２５にはんだボール１７を形成する際の熱処理工程（図１５参照）や半導体装置１０の高温検査工程において、はんだ溜り１５に含まれるＳｎがＡｕバンプを介して、電極パッド３１に拡散することを防止できる。

なお、本実施の形態では、外部接続端子として機能するはんだボール１７を半導体装置１０に設けた場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態は、はんだボール１７を備えていない半導体装置にも適用可能である。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

本発明は、配線基板の接続パッドに設けられたはんだと、半導体チップの電極パッドに設けられたＡｕバンプとを接合させることにより、半導体チップと配線基板とをフリップチップ接続した半導体装置の製造方法に適用できる。

従来の半導体装置の断面図である。 従来の半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。 従来の半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。 従来の半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。 従来の半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。 従来の半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。 従来の半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。

符号の説明

１０ 半導体装置
１１ 配線基板
１２ 半導体チップ
１３ Ａｕバンプ
１４ はんだ
１５ はんだ溜り
１６ アンダーフィル樹脂
１７ はんだボール
１８ 基板本体
１８Ａ 上面
１８Ｂ 下面
１９ 貫通ビア
２１ 接続パッド
２１Ａ 接続面
２１Ｂ 側面
２３，２９ ソルダーレジスト
２３Ａ，２９Ａ 開口部
２４ 配線
２５ パッド
２７ 貫通孔
３１ 電極パッド
Ｍ１，Ｍ２ 厚さ

Claims (4)

1. 複数の電極パッドを有した半導体チップと、前記電極パッドと対向する接続パッドを有した配線基板と、を備え、
   前記複数の電極パッドに設けられたＡｕバンプと、前記接続パッドに設けられたはんだとを接合させることにより、前記半導体チップと前記配線基板とをフリップチップ接続する半導体装置の製造方法であって、
   めっき法により、前記Ａｕバンプと対向する前記接続パッドの接続面と、前記接続パッドの側面とに前記はんだを形成するはんだ形成工程と、
   前記はんだを溶融させて、前記接続パッドの接続面に凸形状とされたはんだ溜りを形成するはんだ溜り形成工程と、
   前記はんだ溜りが形成された前記接続面に前記Ａｕバンプを載置することにより、前記はんだ溜りと前記Ａｕバンプとを接合させる接合工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記はんだ形成工程では、前記はんだを電解めっき法により形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記はんだ溜り形成工程では、前記はんだを該はんだの融点以上で、かつ前記半導体チップの耐熱温度よりも低い温度で加熱することにより、前記はんだを溶融させることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記接合工程後に、前記半導体チップと前記配線基板との隙間を充填するようにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。

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