JP2008182340A - ダイプレクサ及びそれを用いたマルチプレクサ - Google Patents

Abstract

【課題】
要求された電気特性を満足できるように設計の自由度が高く、小型化できると共に、所望の特性を実現できるダイプレクサ及びそれを用いたマルチプレクサを提供する。
【解決手段】
本発明によるダイプレクサは、第一の通過帯域を持つフィルタと第一の通過帯域の約２倍又はそれ以上の周波数帯である第二の通過帯域を持つフィルタとを有し、第一の通過帯域を持つフィルタを集中定数タイプとして構成し、第二の通過帯域を持つフィルタを分布定数タイプとして構成して成る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、マイクロ波分野における移動通信機器に使用され得るダイプレクサ及びそれを用いたマルチプレクサに関するものである。特に、本発明は、特にＷｉＦｉ（ワイファイ）のように高域側通過帯域が５ＧＨｚ付近であり、しかも１０ＧＨｚ以上の周波数領域での減衰量を確保する必要があるダイプレクサ及びマルチプレクサに関する。ここで、ＷｉＦｉ（ワイファイ）（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｆｉｄｅｌｉｔｙ）は無線ＬＡＮの標準規格である「ＩＥＥＥ８０２．１１ａ／ＩＥＥＥ８０２．１１Ｖ」の消費者への認知を深めるために名づけたブランド名であり、ＩＥＥＥ８０２．１１ａはＩＥＥＥでＬＡＮ技術の標準を策定している８０２委員会が定めた無線ＬＡＮの規格の一つで、５．２ＧＨｚ帯の無線で約５４ＭＶｐｓの通信を行う仕様であり、日本では５．１５ＧＨｚ〜５．２５ＧＨｚが高速無線ＬＡＮ用に割り当てられている。またＩＥＥＥ８０２．１１Ｖは２．４ＧＨｚ帯の無線で約１１ＭＶｐｓの通信を行う仕様である。

一つの携帯端末機で２つの周波数帯での通話を可能にするデュアルバンド携帯電話のバンド分波に用いられる分波器として、セラミック絶縁層を積層して一体化した積層体に、インダクタンスとコンデンサとの並列回路から成る第１のノッチ回路と、インダクタンスとコンデンサとの並列回路から成る第２のノッチ回路とを形成し、高周波側の第２のノッチ回路のインダクタンスの線幅を第１のノッチ回路のインダクタンスの線幅より太く形成し、特性を維持しつつ小型化を可能にしたものが公知である（特許文献１参照）。

また、小型化が容易で、損失の少ない同様な分波器として、低域側の第１のフィルタを減衰極付きローパスフィルタとし、高域側の第２のフィルタを減衰極付きハイパスフィルタとし、第１のフィルタ及び第２のフィルタのそれぞれ一方の入出力ポートを共通ポートとしたものも公知である（特許文献２参照）。

さらに、中心周波数の異なる第１のフィルタと第２のフィルタ、及び分波回路を有し、分波回路が、第１のフィルタと第２のフィルタにそれぞれ直列に接続したコンデンサと、第１のフィルタと第２のフィルタにそれぞれ並列に接続したインダクタとを備えて成る分波器も公知である（特許文献３参照）。

特開平１１− ６８４９９号公開特許公報 特開平１１−２６６１３３号公開特許公報 特許第３２０４７５３号特許公報

特許文献１及び特許文献２に記載の分波器では、いずれもＬＣ回路素子を積層体内に構成してダイプレクサ機能を得ている。そして基本的には、ローパスフィルタ機能とハイパスフィルタ機能とを組み合わせることにより、フィルタ機能及び高域側と低域側の整合機能を持たせている。これらのフィルタは、集中定数素子であるインダクタとコンデンサで構成され、集中定数タイプのフィルタと呼ばれている。

集中定数タイプのフィルタの場合、特別な整合回路を別途組み込む必要がなく、またＬＣ共振器により減衰極を発生させるため、極位置を設定するのに比較的自由度があるが、各集中定数素子が自己共振を生じる高周波領域において、各素子毎にインピーダンスがゼロになる共振ピークが発生し、減衰量を悪化させてしまうことになる。そこで、減衰特性を強化するためには減衰回路を追加する必要があり、このことは、必要な回路素子数が増大し、製品の小型化の障害になってしまうことを意味している。また回路素子数が増えれば、自己共振ピークの数も増えてしまい、さらに高調波領域での減衰特性を悪化させてしまうという問題点がある。

また使用する材料面では、理想的なインダクタを形成する必要性から、比較的誘電率の低いものが選択される。また最近、低誘電率の材料と高誘電率の材料を同時に積層する技術も発表されており、低誘電率の材料からなる領域でインダクタを形成し、高誘電率の材料からなる領域でコンデンサを形成することにより、電気特性を向上させることも提案されている。

一方、特許文献３に記載されたものでは、片側短絡片側開放のλ／４線路を共振器として利用してフィルタを構成し、二つのフィルタと分波回路（整合回路）を細み合わせることでダイプレクサ機能を得ている。このλ／４線路を用いるタイプは素子の形状が持つ特性を利用していることから、分布定数タイプのフィルタと呼ばれている。

分布定数タイプのフィルタの場合、一般的に集中定数タイプのフィルタよりも簡易な構成で減衰量のより高い電気特性を得ることができるが、二つのフィルタを単に接続するだけではダイプレクサとして機能しないため、分波回路（整合回路）を設ける必要がある。

また使用する材料面では、λ／４線路の長さと材料の誘電率によって共振周波数が決まるため、小型化するには、より誘電率の高い材料が使用される傾向にある。

このように、従来技術においては、集中定数タイプ同士の組み合わせや、分布定数タイプ同士の組み合わせは提案されているが、集中定数タイプと分布定数タイプの組み合わせは見られない。その理由は、誘電率の低い材料を使用すると、分布定数タイプでは共振周波数を下げるためには非常に大きな共振素子（λ／４線路）を構成する必要があり、誘電率の高い材料を使用する場合には集中定数タイプのインダクタの自己共振周波数が低くなってしまい、インダクタとして機能する周波数領域が狭くなり、また自己共振ピークにより高調波の減衰特性が悪化してしまうからである。

また、高誘電率材料と低誘電率材料を組み合わせる異種材積層技術を用いて、集中定数タイプのフィルタと分布定数タイプのフィルタとを組み合わせる場合には、集中定数タイプと分布定数タイプがシートの積層方向に積み上げられる必要があるので、各タイプに割り振られるシート厚みは相対的に減少し、特に集中定数タイプにおいてグランドとインダクタの距離が狭くなることにより挿入損失値が悪化するという問題がある。

そこで、本発明は、従来技術に伴うこれら問題点を解決して、要求された電気特性を満足できるように設計の自由度が高く、小型化できると共に、所望の特性を実現できるダイプレクサ及びそれを用いたマルチプレクサを提供することを目的としている。

上記の目的を達成するために、本発明によるダイプレクサは、第一の通過帯域を持つフィルタと、第一の通過帯域の中心周波数の２倍又はそれ以上の中心周波数の第二の通過帯域を持つフィルタとを有し、第一の通過帯域を持つフィルタは集中定数タイプのフィルタであり、第二の通過帯域を持つフィルタは分布定数タイプのフィルタであることを特徴としている。

本発明のダイプレクサにおいて、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのフィルタは、ローパスフィルタとハイパスフィルタとを直列に接続したバンドパスフィルタであり得る。また第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのフィルタはバンドパスフィルタであり得る。

第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタの共振器は、多層基板内に形成され、多層基板の積層方向に沿って形成したビア導体を連結してなるインダグタと、接地電極に容量結合した電極とを備え得る。さらに、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタの共振器は、曲がり部を有するインダクタ電極を備え得る。曲がり部を有するインダクタ電極の形状は、スパイラル状、コの字状、ミアンダ状、及び円弧状のうちから選ばれる少なくとも一種であり得る。

第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタは、共通端子に容量結合され得る。別の実施形態では、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタは、ＬＣ並列共振回路を通じて共通端子に接続され得る。

第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタの共振器は、多層基板の実装面と対向する面側に形成した短絡端子に接続され得る。

第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのフィルタは、インダクタ電極を介して共通端子に接続され得る。

また、本発明によれば、集中定数タイプのフィルタと分布定数タイプのフィルタを、それぞれ少なくとも一つ以上有して成る、複数の帯域を分波、結合するマルチプレクサが提供される。

本発明によるダイプレクサは、第一の通過帯域を持つフィルタと、第一の通過帯域の中心周波数の２倍又はそれ以上の中心周波数の第二の通過帯域を持つフィルタとを有し、第一の通過帯域を持つフィルタは集中定数タイプのフィルタであり、第二の通過帯域を持つフィルタは分布定数タイプのフィルタであることにより、必要とされる電気特性に応じて、より適したタイプを選択できるようになり、その結果設計の自由度が増すことになる。また、第二の通過帯域が第一の通過帯域よりも高周波側であり、低域側である第一の通過帯域を持つフィルタを集中定数タイプとし、高域側である第二の通過帯域を持つフィルタを分布定数タイプとしたことにより、分布定数タイプのフィルタの共振素子の長さがその共振周波数で決まるため、より高い周波数領域に適用することで小型化を図ることができるようになる。さらに、第二の通過帯域の中心周波数が、第一の通過帯域の中心周波数の２倍又はそれ以上の周波数帯であることにより、第二の通過帯域を持つフィルタを分布定数タイプのフィルタとするのに必要な共振素子の長さを短くすることができ、低誘電率の材料を使用することができるようになり、それにより第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのフィルタを理想的に形成することができる利点がある。

本発明のダイプレクサにおいては、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのフィルタが、ローパスフィルタとハイパスフィルタとを直列に接続したバンドパスフィルタであり、また第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのフィルタがバンドパスフィルタであり、フィルタをバンドパス化することにより、ダイプレクサ後段のフィルタ素子数を低減することができる利点がある。その結果、高周波側部分全体の部品数を削減でき小型化に寄与することができる利点がある。また、ダイプレクサの減衰量を強化することで、後段のフィルタの減衰量が少なくてもフィルタ特性を良好にできる利点がある。更には、ダイプレクサの減衰量を強化することで、後段のフィルタを削除して減らすことができる利点がある。その結果、安価な積層ＬＣ部品が提供できる利点がある。

また本発明のダイプレクサにおいては、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタの共振器が、多層基板内に形成され、多層基板の積層方向に沿って形成したビア導体を連結してなるインダグタと、接地電極に容量結合した電極とを備えることにより、積層方向に沿ったビア導体をインダクタとして利用することで、このインダクタから発生する磁界は誘電体層に平行な面に広がり、グランド電極を貫くことがなく、それによる渦電流の発生がなく、その結果、挿入損失を悪化させることがなくなる利点がある。

また本発明のダイプレクサにおいては、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタの共振器が、多層基板内に形成され、多層基板の積層方向に沿って形成したビア導体を連結してなるインダグタと、接地電極に容量結合した電極と、曲がり部を有するインダクタ電極とを備えることにより、接地電極との容量結合により中心周波数を調整できるだけでなく、曲がり部を有するインダクタ電極の長さを調整することで、周波数のさらなる微調整が可能になる。曲がり部を有するインダクタ電極の形状は、スパイラル状、コの字状、ミアンダ状、及び円弧状のうちから選ばれる少なくとも一種であり得る。曲がり部を有するインダクタ電極は、当該インダクタ電極の一端同士をビア導体で接続して、積層体の中で積層方向に巻回して形成することで、製品を大型化させることなくインダクタ電極の長さを調整できる利点がある。

また本発明のダイプレクサにおいては、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタが共通端子に容量結合される構成とすることにより、容量結合するコンデンサは、低い周波数領域の信号を遮断し、高い周波数領域の信号を通す特性を持つので、別途分波回路を設けることなく整合を取ることができる利点がある。

また本発明のダイプレクサにおいては、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタをＬＣ並列共振回路を通じて共通端子に接続することにより、ＬＣ並列共振回路の共振周波数を第一の周波数に合わせて、整合回路として機能させることができる利点がある。

また本発明のダイプレクサにおいては、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのフィルタがインダクタ電極を介して共通端子に接続されることにより、インダクタ電極は低い周波数領域の信号を通し、高い周波数領域の信号を遮断する特性を持つので、別途分波回路を設けなくとも整合を取ることができる利点がある。

また本発明によれば、集中定数タイプのフィルタと分布定数タイプのフィルタを二つ以上組合わせることにより、トリプレクサ、またはそれ以上のマルチプレクサを提供することができる。

以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１には、本発明の一実施形態によるダイプレクサの回路構成を概略的に示す。図１の回路において、符号１０は第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのローパスフィルタであり、符号２０は第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのフィルタであり、バンドパスフィルタとして構成されている。集中定数タイプのローパスフィルタ１０はコンデンサ１１とインダクタ１２との並列共振回路を備え、この共振回路は第二の通過帯域で共振するように回路パラメータが設定され、第二の通過帯域に減衰極を発生させる。コンデンサ１１とインダクタ１２との並列共振回路の一端は低周波数側端子ＬＴに接続され、またコンデンサ１３を介して接地されている。コンデンサ１１とインダクタ１２との並列共振回路の他端はアンテナ端子即ち共通端子ＡＮＴに接続され、またコンデンサ１４を介して接地されている。

分布定数タイプのバンドパスフィルタ２０は、二つの共振線路を備え、一方の共振線路はコンデンサ２１ａ、及び共振素子２２ａ、２３ａから成り、他方の共振線路はコンデンサ２１ｂ、及び共振素子２２ｂ、２３ｂから成っている。一方の共振線路における共振素子２２ａ、２３ａの接続点はコンデンサ２４を介して共通端子ＡＮＴに接続され、またコンデンサ２５を介して他方の共振線路における共振素子２２ｂ、２３ｂ間の接続点に接続され、この接続点はまたコンデンサ２６を介して高周波数側端子ＨＴに接続されている。また一方の共振線路における共振素子２３ａは接地されている。同様に他方の共振線路における共振素子２３ｂも接地されている。また分布定数タイプのバンドパスフィルタ２０は、二つの直列共振回路を備え、一方の直列共振回路はコンデンサ２１ａ、及び共振素子２２ａから成り、他方の直列共振回路はコンデンサ２１ｂ、及び共振素子２２ｂから成っている。これらの直列共振回路は、通過帯域の高域側に減衰極を発生させるように作用する。図１に示す符号Ｍは、共振素子２２ａ、２２ｂ間及び共振素子２３ａ、２３ｂ間の誘導性結合を示し、共振素子間の間隔によりその大きさが設定され得る。

図２には、本発明の別の実施形態によるダイプレクサの回路構成を概略的に示す。図２の回路において、図１に示す回路と同等回路素子は同じ符号で示している。

図２の回路において、符号３０は第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタであり、集中定数タイプのローパスフィルタ１０と集中定数タイプのハイパスフィルタ４０とから成っている。集中定数タイプのハイパスフィルタ４０はインダクタ４１とコンデンサ４２との直列共振回路を備え、この直列共振回路の一端はコンデンサ４２を介して接地され、他端はコンデンサ４３を介して低周波側端子ＬＴに接続され、またコンデンサ４４を介して集中定数タイプのローパスフィルタ１０におけるコンデンサ１１とインダクタ１２との並列共振回路の一端に接続されている。この並列共振回路の他端は共通端子ＡＮＴに接続されている。また、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのローパスフィルタ１０は図１の場合と同様に構成され、即ち、集中定数タイプのローパスフィルタ１０はコンデンサ１１とインダクタ１２との並列共振回路を備え、この共振回路は第二の通過帯域で共振するように回路パラメータが設定され、第二の通過帯域に減衰極を発生させる。

また、分布定数タイプのバンドパスフィルタ２０は、図１の場合と同様に構成されている。即ち、分布定数タイプのバンドパスフィルタ２０は、二つの共振線路を備え、一方の共振線路はコンデンサ２１ａ、及び共振素子２２ａ、２３ａから成り、他方の共振線路はコンデンサ２１ｂ、及び共振素子２２ｂ、２３ｂから成っている。一方の共振線路における共振素子２２ａ、２３ａの接続点はコンデンサ２４を介して共通端子ＡＮＴに接続され、またコンデンサ２５を介して他方の共振線路における共振素子２２ｂ、２３ｂ間の接続点に接続され、この接続点はまたコンデンサ２６を介して高周波数側端子に接続されている。また一方の共振線路における共振素子２３ａは接地されている。同様に他方の共振線路における共振素子２３ｂも接地されている。また分布定数タイプのバンドパスフィルタ２０は、二つの直列共振回路を備え、一方の直列共振回路はコンデンサ２１ａ、及び共振素子２２ａから成り、他方の直列共振回路はコンデンサ２１ｂ、及び共振素子２２ｂから成っている。これらの直列共振回路は、通過帯域の高域側に減衰極を発生させるように作用する。

図３には本発明によるダイプレクサの外観を斜視図で示し、ダイプレクサ１（又は２又は３）は１４枚の誘電体層を積層した多層基板で構成され、縦幅約２．０ｍｍ、横幅約２．５ｍｍ、高さ約０．８５ｍｍの寸法をもち、また接地端子Ｔ１〜Ｔ３、低域周波数側端子Ｔ４、高周波数側端子Ｔ５及びアンテナ端子即ち共通端子Ｔ６が示されている。図４及び図５には、本発明によるダイプレクサの一実施形態を示し、図示されたダイプレクサ１は複数層（図示実施形態では１４層）の誘電体層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４で構成される多層基板に形成されている。誘電体層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１４は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ４、Ｍ５、Ｍ１３は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。各誘電体層Ｍ１〜Ｍ１４の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ１〜Ｔ３、低域周波数側端子Ｔ４、高周波数側端子Ｔ５及びアンテナ端子即ち共通端子Ｔ６が形成される。なお、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。

最下方即ち第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の右半分には、第２の誘電体層Ｍ２上の右半分に形成された、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ１及びコンデンサＣ５のそれぞれの一方の電極に誘電体層を挟んで対向する箇所が存在する。また最下方の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の左半分には、第２の誘電体層Ｍ２上の左半分に形成された、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ７及びコンデンサＣ９のそれぞれの一方の電極に誘電体層を挟んで対向する箇所が存在する。グランド電極Ｇ１のうち、これらのコンデンサのそれぞれ一方の電極に対向する箇所はコンデンサとしても作用する。また、グランド電極Ｇ１は接地端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３に接続されており、接地電極としても作用している。この場合、当然、集中定数タイプのバンドパスフィルタ及び分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける各素子の配置を左右逆に配置することも可能である。

第２の誘電体層Ｍ２上の右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ１及びコンデンサＣ５のそれぞれの他方の電極が、第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１に誘電体層を挟んで対向した位置に形成され、また第２の誘電体層Ｍ２上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ７及びコンデンサＣ９のそれぞれの他方の電極が第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１に誘電体層を挟んで対向した位置に形成され、また第２の誘電体層Ｍ２にはビア導体（ここでは、誘電体層に設けられた貫通孔（ビアホール）の中に柱状の導電性材料を形成した、誘電体層間を電気的に接続するための導電経路のことをいう。以下、同じ。）Ｖ２−１が形成され、このビア導体Ｖ２−１は第１の誘電体層Ｍ１上に形成したグランド電極Ｇ１の部位Ｐ１−１に接続される。

第３の誘電体層Ｍ３上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０のそれぞれの一方の電極が形成され、これらの電極はそれぞれ共通端子Ｔ６及び高周波数側端子Ｔ５に接続されている。また第３の誘電体層Ｍ３上には、第２の誘電体層Ｍ２に形成したビア導体Ｖ２−１に相対した位置にビア導体Ｖ３−１が形成され、また第２の誘電体層Ｍ２に形成したコンデンサＣ１の電極、コンデンサＣ５の電極、コンデンサＣ９の電極及びコンデンサＣ７の電極上のそれぞれ部位Ｐ２−２、Ｐ２−３、Ｐ２−４、Ｐ２−５に相対した位置にはビア導体Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５が形成されている。第３の誘電体層Ｍ３上において、コンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０の電極は第３の誘電体層Ｍ３上に形成されたいずれのビア導体とも電気的に分離されている。

第４の誘電体層Ｍ４上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０のそれぞれの他方の電極が形成され、また第４の誘電体層Ｍ４上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ４−１、Ｖ４−２、Ｖ４−３、Ｖ４−４、Ｖ４−５が形成され、第３の誘電体層Ｍ３に形成した対応したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５とそれぞれ電気的に接続されている。図示したように、コンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０の電極はビア導体Ｖ４−５、Ｖ４−４にそれぞれ電気的に接続されている。

第５の誘電体層Ｍ５上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける等価回路上のコンデンサＣ８を形成する電極パターンの一つである電極Ｃ８が形成され、また第５の誘電体層Ｍ５上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ５−１、Ｖ５−２、Ｖ５−３、Ｖ５−４、Ｖ５−５が形成されている。なお、等価回路上のコンデンサＣ８は、便宜上一つのコンデンサＣ８として表示されているが、実施例においては、図４上の電極Ｃ６、Ｃ８、Ｃ１０で形成されている（図６、図８においても同じ）。詳細には、第４の誘電体層Ｍ４に形成した電極Ｃ６と、第５の誘電体層Ｍ５に形成した電極Ｃ８とで一つ目のコンデンサを形成し、また、第４の誘電体層Ｍ４に形成した電極Ｃ１０と、第５の誘電体層Ｍ５に形成した電極Ｃ８とで二つ目のコンデンサを形成し、これらのコンデンサを直列接続して、等価回路上のコンデンサＣ８は形成されている。

第６の誘電体層Ｍ６〜第９の誘電体層Ｍ９上のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ１〜Ｌ４の一部分が形成されている。また、第１０の誘電体層Ｍ１０及び第１１の誘電体層Ｍ１１上のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ４の一部分が形成されている。さらにこれら第６の誘電体層Ｍ６の上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ６−１〜Ｖ６−５が形成されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ１の部分の一端はビア導体Ｖ６−２に接続され、即ち対応したＶ５−２、Ｖ４−２、Ｖ３−２を介して第２の誘電体層Ｍ２上に形成したコンデンサＣ１の電極の部位Ｐ２−２に接続されている。また、これら連結されたビア導体自身も、インダクタとして作用している。インダクタＬ１の部分の他端は第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−６を介してインダクタＬ１の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−６を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−６を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したビア導体Ｖ１０−６を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続され、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したビア導体Ｖ１１−６を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は低周波数側端子Ｔ４に接続されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端は、ビア導体Ｖ６−１に接続され、それに対応したビア導体Ｖ５−１、Ｖ４−１、Ｖ３−１、Ｖ２−１を介して第１の誘電体層Ｍ１上に形成したグランド電極Ｇ１の部位Ｐ１−１に接続されている。また、これら連結されたビア導体自身も、インダクタとして作用している。第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ２の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたビア導体Ｖ７−７を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第８の誘電体層Ｍ８上に形成されたビア導体Ｖ８−７を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたビア導体Ｖ９−７を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたビア導体Ｖ１０−７を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたビア導体Ｖ１１−７を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたビア導体Ｖ１２−７を介して第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ３の電極に接続されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ３、Ｌ４の部分の接続端はビア導体Ｖ６−３に接続され、第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−８を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−８を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−８を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続される。インダクタＬ３の部分の他端は、第１０の誘電体層Ｍ１０、第１１の誘電体層Ｍ１１、第１２の誘電体層Ｍ１２及び第１３の誘電体層Ｍ１３上にそれぞれ形成したビア導体Ｖ１０−８、ビア導体Ｖ１１−８、ビア導体Ｖ１２−８及びビア導体Ｖ１３−８を介して第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成したコンデンサＣ４の電極に接続される。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−９を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−９を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−９を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したビア導体Ｖ１０−９を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続され、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したビア導体Ｖ１１−９を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は共通端子Ｔ６に接続されている。

第１２の誘電体層Ｍ１２及び第１３の誘電体層Ｍ１３のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ２、Ｃ３、Ｃ４が形成され、すなわち第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ２、Ｃ３のそれぞれ一方に対応する電極は互いに接続されて一つの電極として形成されている。また第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ４の電極はビア導体Ｖ１２−３、Ｖ１１−３、Ｖ１０−３、Ｖ９−３、Ｖ８−３、Ｖ７−３を介して第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ３、Ｌ４の接続点に接続され、そしてビア導体Ｖ６−３、Ｖ５−３、Ｖ４−３、Ｖ３−３を介して、第２の誘電体層Ｍ２上に形成されたコンデンサＣ５の電極の部位Ｐ２−３に接続されている。また、これら連結されたビア導体自身も、インダクタとして作用している。第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成されたコンデンサＣ２の他方の電極は低周波数側端子Ｔ４に接続され、また第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成されたコンデンサＣ３、Ｃ４のそれぞれ他方の電極は互いに接続されている。

また、第１３の誘電体層Ｍ１３上の左半分には図示したようにビア導体Ｖ１３−４、Ｖ１３−５と接続する領域にグランド電極Ｇ１３が形成され、このグランド電極Ｇ１３は接地端子Ｔ１、Ｔ３に接続される。

各誘電体層に設けられた各貫通孔（ビアホール）には導電性材料が施されて、誘電体層間を接続する導電経路となるビア導体を形成している。そしてビア導体Ｖ３−５〜Ｖ１３−５は、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける共振素子Ｒ１１、Ｒ１２を形成し、またビア導体Ｖ３−４〜Ｖ１３−４は、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける共振素子Ｒ２１、Ｒ２２を形成している。

このように構成したダイプレクサの図５に示す等価回路におけるＭは、共振素子Ｒ１１、Ｒ２１間及び共振素子Ｒ１２、Ｒ２２間の誘導性結合を示し、共振素子間の間隔によりその大きさが設定され得る。また、集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ２を含む回路は直列共振器として構成することができる。さらに、分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６を含む回路は並列共振器として構成することができる。また、コンデンサＣ１０を含む回路も並列共振器として構成することができる。

図６及び図７には、本発明によるダイプレクサの別の実施形態を示し、図４及び図５に示す構成要素と同様な構成要素は図４及び図５における符号と同じ符号で示している。

図６には、本発明によるダイプレクサの別の実施形態を示し、図示ダイプレクサ１は複数層（図示実施形態では１４層）の誘電体層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４で構成される多層基板に形成されている。誘電体層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１４は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ４、Ｍ５、Ｍ１３は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。各誘電体層Ｍ１〜Ｍ１４の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ１〜Ｔ３、低域周波数側端子Ｔ４、高周波数側端子Ｔ５及びアンテナ端子即ち共通端子Ｔ６が形成される。なお、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。

最下方即ち第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の右半分には、第２の誘電体層Ｍ２上の右半分に形成された、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ１及びコンデンサＣ５のそれぞれの一方の電極に誘電体層を挟んで対向する箇所が存在する。また最下方の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の左半分には、第２の誘電体層Ｍ２上の左半分に形成された、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ７及びコンデンサＣ９のそれぞれの一方の電極に誘電体層を挟んで対向する箇所が存在する。グランド電極Ｇ１のうち、これらのコンデンサのそれぞれ一方の電極に対向する箇所はコンデンサとしても作用する。また、グランド電極Ｇ１は接地端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３に接続されており、接地電極としても作用している。この場合、当然、集中定数タイプのバンドパスフィルタ及び分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける各素子の配置を左右逆に配置することも可能である。

第２の誘電体層Ｍ２上の右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ１及びコンデンサＣ５のそれぞれの他方の電極が、第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の右半分上の誘電体層を挟んで対向した位置に形成され、また第２の誘電体層Ｍ２上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ７及びコンデンサＣ９のそれぞれの他方の電極が第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の左半分上の誘電体層を挟んで対向した位置に形成され、また第２の誘電体層Ｍ２にはビア導体Ｖ２−１が形成され、このビア導体Ｖ２−１は第１の誘電体層Ｍ１上に形成したグランド電極Ｇ１の部位Ｐ１−１に接続される。

第３の誘電体層Ｍ３上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０のそれぞれの一方の電極が形成され、これらの電極はそれぞれ共通端子Ｔ６及び高周波数側端子Ｔ５に接続されている。また第３の誘電体層Ｍ３上には、第２の誘電体層Ｍ２に形成したビア導体Ｖ２−１に相対した位置にビア導体Ｖ３−１が形成され、また第２の誘電体層Ｍ２に形成したコンデンサＣ１の電極、コンデンサＣ５の電極、コンデンサＣ９の電極及びコンデンサＣ７の電極上のそれぞれ部位Ｐ２−２、Ｐ２−３、Ｐ２−４、Ｐ２−５に相対した位置にはビア導体Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５が形成されている。第３の誘電体層Ｍ３上において、コンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０の電極は第３の誘電体層Ｍ３上に形成されたいずれのビア導体とも電気的に分離されている。

第４の誘電体層Ｍ４上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０のそれぞれの他方の電極が形成され、また第４の誘電体層Ｍ４上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ４−１、Ｖ４−２、Ｖ４−３、Ｖ４−４、Ｖ４−５が形成され、第３の誘電体層Ｍ３に形成した対応したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５とそれぞれ電気的に接続されている。図示したように、コンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０の電極はビア導体Ｖ４−５、Ｖ４−４にそれぞれ電気的に接続されている。

第５の誘電体層Ｍ５上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける等価回路上のコンデンサＣ８を形成する電極パターンの一つである電極Ｃ８が形成され、また第５の誘電体層Ｍ５上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ５−１、Ｖ５−２、Ｖ５−３、Ｖ５−４、Ｖ５−５が形成されている。なお、等価回路上のコンデンサＣ８は、便宜上一つのコンデンサＣ８として表示されているが、実施例においては、図６上の電極Ｃ６、Ｃ８、Ｃ１０で形成されている（図４、図８においても同じ）。詳細には、第４の誘電体層Ｍ４に形成した電極Ｃ６と、第５の誘電体層Ｍ５に形成した電極Ｃ８とで一つ目のコンデンサを形成し、また、第４の誘電体層Ｍ４に形成した電極Ｃ１０と、第５の誘電体層Ｍ５に形成した電極Ｃ８とで二つ目のコンデンサを形成し、これらのコンデンサを直列接続して、等価回路上のコンデンサＣ８は形成されている。

第６の誘電体層Ｍ６〜第９の誘電体層Ｍ９上のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ１〜Ｌ４の一部分が形成されている。また、第１０の誘電体層Ｍ１０及び第１１の誘電体層Ｍ１１上のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ４の一部分が形成されている。さらにこれら第６の誘電体層Ｍ６の上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ６−１〜Ｖ６−５が形成されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ１の部分の一端はビア導体Ｖ６−２に接続され、即ち対応したビア導体Ｖ５−２、Ｖ４−２、Ｖ３−２を介して第２の誘電体層Ｍ２上に形成したコンデンサＣ１の電極の部位Ｐ２−２に接続されている。また、これら連結されたビア導体自身も、インダクタとして作用している。インダクタＬ１の部分の他端は第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−６を介してインダクタＬ１の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−６を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−６を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したビア導体Ｖ１０−６を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続され、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したビア導体Ｖ１１−６を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は低周波数側端子Ｔ４に接続されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端は、ビア導体Ｖ５−１、Ｖ４−１、Ｖ３−１、Ｖ２−１を介して第１の誘電体層Ｍ１上に形成したコンデンサＣ５の電極の部位Ｐ１−１に接続されている。また、これら連結されたビア導体自身も、インダクタとして作用している。第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ２の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたビア導体Ｖ７−７を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第８の誘電体層Ｍ８上に形成されたビア導体Ｖ８−７を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたビア導体Ｖ９−７を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたビア導体Ｖ１０−７を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたビア導体Ｖ１１−７を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたビア導体Ｖ１２−７を介して第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ３の電極に接続されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ３、Ｌ４の部分の接続端はビア導体Ｖ６−３に接続され、第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−８を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−８を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−８を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続される。インダクタＬ３の部分の他端は、第１０の誘電体層Ｍ１０、第１１の誘電体層Ｍ１１、第１２の誘電体層Ｍ１２及び第１３の誘電体層Ｍ１３上にそれぞれ形成したビア導体Ｖ１０−８、ビア導体Ｖ１１−８、ビア導体Ｖ１２−８及びビア導体Ｖ１３−８を介して第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成したコンデンサＣ４の電極に接続される。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−９を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−９を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−９を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したビア導体Ｖ１０−９を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続され、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したビア導体Ｖ１１−９を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は共通端子Ｔ６に接続されている。

第１２の誘電体層Ｍ１２及び第１３の誘電体層Ｍ１３のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ２、Ｃ３Ｃ４が形成され、すなわち第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ２、Ｃ３のそれぞれ一方の電極は共通に形成されている。また第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ４の電極はビア導体Ｖ１２−３、Ｖ１１−３、Ｖ１０−３、Ｖ９−３、Ｖ８−３、Ｖ７−３を介して第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ３、Ｌ４の接続点に接続され、そしてビア導体Ｖ６−３、Ｖ５−３、Ｖ４−３、Ｖ３−３を介して、第２の誘電体層Ｍ２上に形成されたコンデンサＣ５の電極の部位Ｐ２−３に接続されている。また、これら連結されたビア導体自身も、インダクタとして作用している。第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成されたコンデンサＣ２の他方の電極は低周波数側端子Ｔ４に接続され、また第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成されたコンデンサＣ３、Ｃ４のそれぞれ他方の電極は互いに接続されている。

この実施形態では、第８の誘電体層Ｍ８〜第１１の誘電体層Ｍ１１の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ７に直列に接続される二つの共振素子Ｒ１１と共振素子Ｒ１２とに接続されるインダクタＬ６が形成される。すなわち第８の誘電体層Ｍ８〜第１１の誘電体層Ｍ１１上にはインダクタＬ６の一部分を成すＬ字型素子がそれぞれ形成され、第８の誘電体層Ｍ８上に形成されたインダクタＬ６の一部分の一端はビア導体Ｖ８−５に接続され、その他端は第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたビア導体Ｖ９−１１を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたインダクタＬ６の一部分の一端に接続され、第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたインダクタＬ６の一部分の他端は第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたビア導体Ｖ１０−５を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたインダクタＬ６の一部分の一端に接続され、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたインダクタＬ６の一部分の他端は第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたビア導体Ｖ１１−１１を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたインダクタＬ６の一部分の一端に接続され、第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたインダクタＬ６の一部分の他端は第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたビア導体Ｖ１２−１１に接続される。こうしてスパイラル状のインダクタＬ６が形成される。このインダクタＬ６は、スパイラル状以外にも、コの字状、ミアンダ状、円弧状など、その他の曲がり部を有する形状とし得る。

また、第１３の誘電体層Ｍ１３上の左半分には図示したようにビア導体Ｖ１３−４、Ｖ１３−５を囲む領域に電極Ｇ１３が形成され、この電極Ｇ１３は接地端子Ｔ３に接続される。

各誘電体層に設けられた各貫通孔（ビアホール）には導電性材料が施されて、誘電体層間を接続する導電経路となるビア導体を形成している。そしてビア導体Ｖ３−５〜Ｖ８−５は、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける共振素子Ｒ１２を形成し、ビア導体Ｖ１１−５〜Ｖ１３−５は、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける共振素子Ｒ１１を形成し、これら共振素子Ｒ１１、Ｒ１２の間にスパイラル状のインダクタＬ６が接続されている。またビア導体Ｖ３−５〜Ｖ８−５は、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける共振素子Ｒ２２を形成し、ビア導体Ｖ３−４〜Ｖ１３−４は、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける共振素子Ｒ２１を形成している。

このように構成したダイプレクサの等価回路を図７に示し、図７の等価回路において符号Ｍは共振素子Ｒ１１、Ｒ１２間及びと共振素子Ｒ１２、２２間の誘導性結合を示し、共振素子間の間隔によりその大きさが設定され得る。また、インダクタＬ６の形状や巻き方向によっても設定され得る。この実施形態でもまた、集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ２を含む回路は直列共振器として形成することができる。さらに、分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６を含む回路は並列共振器として形成することができる。また、コンデンサＣ１０を含む回路も並列共振器として形成することができる。

また、第１３の誘電体層Ｍ１３上の左半分には図示したようにビア導体Ｖ１３−４、Ｖ１３−５を囲む領域にグランド電極Ｇ１３が形成され、このグランド電極Ｇ１３は接地端子Ｔ１、Ｔ３に接続される。

図８及び図９には、本発明によるダイプレクサのさらに別の実施形態を示し、図４及び図５に示す構成要素と同様な構成要素は図４及び図５における符号と同じ符号で示している。

図８には、本発明によるダイプレクサの別の実施形態を示し、図示ダイプレクサ１は複数層（図示実施形態では１４層）の誘電体層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４で構成される多層基板に形成されている。誘電体層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ６、Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９、Ｍ１０、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１４は誘電率の相対的に低い（例えば、誘電率ε７）材料で構成され、誘電体層Ｍ４、Ｍ５、Ｍ１３は誘電率の相対的に高い（例えば、誘電率ε１５）材料で構成されている。各誘電体層Ｍ１〜Ｍ１４の一対の対向した側部にはそれぞれ三つの切り欠き凹部が形成されている。これらの凹部には接地端子Ｔ１〜Ｔ３、低域周波数側端子Ｔ４、高周波数側端子Ｔ５及びアンテナ端子即ち共通端子Ｔ６が形成される。なお、この実施形態でも、切り欠き凹部を設けずに側面印刷などにより各端子を形成してもよい。

最下方即ち第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の右半分には、第２の誘電体層Ｍ２上の右半分に形成された、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ１及びコンデンサＣ５のそれぞれの一方の電極に誘電体層を挟んで対向する箇所が存在する。また最下方の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の左半分には、第２の誘電体層Ｍ２上の左半分に形成された、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ７及びコンデンサＣ９のそれぞれの一方の電極に誘電体層を挟んで対向する箇所が存在する。グランド電極Ｇ１のうち、これらのコンデンサのそれぞれ一方の電極に対向する箇所はコンデンサとしても作用する。また、グランド電極Ｇ１は接地端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３に接続されており、接地電極としても作用している。この場合、当然、集中定数タイプのバンドパスフィルタ及び分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける各素子の配置を左右逆に配置することも可能である。

第２の誘電体層Ｍ２上の右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ１及びコンデンサＣ５のそれぞれの他方の電極が、第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の右半分上の誘電体層を挟んで対向した位置に形成され、また第２の誘電体層Ｍ２上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ７及びコンデンサＣ９のそれぞれの他方の電極が第１の誘電体層Ｍ１上に形成されたグランド電極Ｇ１の左半分上の誘電体層を挟んで対向した位置に形成され、また第２の誘電体層Ｍ２にはビア導体Ｖ２−１が形成され、このビア導体Ｖ２−１は第１の誘電体層Ｍ１上に形成したグランド電極Ｇ１の部位Ｐ１−１に接続される。

第３の誘電体層Ｍ３上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０のそれぞれの一方の電極が形成され、これらの電極はそれぞれ共通端子Ｔ６及び高周波数側端子Ｔ５に接続されている。また第３の誘電体層Ｍ３上には、第２の誘電体層Ｍ２に形成したビア導体Ｖ２−１に相対した位置にビア導体Ｖ３−１が形成され、また第２の誘電体層Ｍ２に形成したコンデンサＣ１の電極、コンデンサＣ５の電極、コンデンサＣ９の電極及びコンデンサＣ７の電極上のそれぞれ部位Ｐ２−２、Ｐ２−３、Ｐ２−４、Ｐ２−５に相対した位置にはビア導体Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５が形成されている。第３の誘電体層Ｍ３上において、コンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０の電極は第３の誘電体層Ｍ３上に形成されたいずれのビア導体とも電気的に分離されている。

第４の誘電体層Ｍ４上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０のそれぞれの他方の電極が形成され、また第４の誘電体層Ｍ４上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ４−１、Ｖ４−２、Ｖ４−３、Ｖ４−４、Ｖ４−５が形成され、第３の誘電体層Ｍ３に形成した対応したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５とそれぞれ電気的に接続されている。図示したように、コンデンサＣ６及びコンデンサＣ１０の電極はビア導体Ｖ４−５、Ｖ４−４にそれぞれ電気的に接続されている。

第５の誘電体層Ｍ５上の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける等価回路上のコンデンサＣ８を形成する電極パターンの一つである電極Ｃ８が形成され、また第５の誘電体層Ｍ５上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ５−１、Ｖ５−２、Ｖ５−３、Ｖ５−４、Ｖ５−５が形成されている。なお、等価回路上のコンデンサＣ８は、便宜上一つのコンデンサＣ８として表示されているが、実施例においては、図８上の電極Ｃ６、Ｃ８、Ｃ１０で形成されている（図４、図６においても同じ）。詳細には、第４の誘電体層Ｍ４に形成した電極Ｃ６と、第５の誘電体層Ｍ５に形成した電極Ｃ８とで一つ目のコンデンサを形成し、また、第４の誘電体層Ｍ４に形成した電極Ｃ１０と、第５の誘電体層Ｍ５に形成した電極Ｃ８とで二つ目のコンデンサを形成し、これらのコンデンサを直列接続して、等価回路上のコンデンサＣ８は形成されている。

第６の誘電体層Ｍ６〜第９の誘電体層Ｍ９上のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ１〜Ｌ４の一部分が形成されている。また、第１０の誘電体層Ｍ１０及び第１１の誘電体層Ｍ１１上のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ４の一部分が形成されている。さらにこれら第６の誘電体層Ｍ６上には、第３の誘電体層Ｍ３に形成したビア導体Ｖ３−１、Ｖ３−２、Ｖ３−３、Ｖ３−４、Ｖ３−５に相対した位置にビア導体Ｖ６−１〜Ｖ６−５が形成されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ１の部分の一端はビア導体Ｖ６−２に接続され、即ち対応したビア導体Ｖ５−２、Ｖ４−２、Ｖ３−２を介して第２の誘電体層Ｍ２上に形成したコンデンサＣ１の電極の部位Ｐ２−２に接続されている。また、これら連結されたビア導体自身も、インダクタとして作用している。インダクタＬ１の部分の他端は第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−６を介してインダクタＬ１の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−６を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−６を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したビア導体Ｖ１０−６を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続され、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したビア導体Ｖ１１−６を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ１の部分の一端に接続される。第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ１の部分の他端は低周波数側端子Ｔ４に接続されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端は、ビア導体Ｖ６−１に接続され即ち対応するビア導体Ｖ５−１、Ｖ４−１、Ｖ３−１、Ｖ２−１を介して第１の誘電体層Ｍ１上に形成したグランド電極Ｇ１の部位Ｐ１−１に接続されている。また、これら連結されたビア導体自身も、インダクタとして作用している。第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ２の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたビア導体Ｖ７−７を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第８の誘電体層Ｍ８上に形成されたビア導体Ｖ８−７を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたビア導体Ｖ９−７を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたビア導体Ｖ１０−７を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたビア導体Ｖ１１−７を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成されたインダクタＬ２の部分の一端に接続され、このインダクタＬ２の部分の他端は、第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたビア導体Ｖ１２−７を介して第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ３の電極に接続されている。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ３、Ｌ４の部分の接続端はビア導体Ｖ６−３に接続され、第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−８を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−８を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ３の部分の他端は、第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−８を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ３の部分の一端に接続される。インダクタＬ３の部分の他端は、第１０の誘電体層Ｍ１０、第１１の誘電体層Ｍ１１、第１２の誘電体層Ｍ１２及び第１３の誘電体層Ｍ１３上にそれぞれ形成したビア導体Ｖ１０−８、ビア導体Ｖ１１−８、ビア導体Ｖ１２−８及びビア導体Ｖ１３−８を介して第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成したコンデンサＣ４の電極に接続される。

第６の誘電体層Ｍ６上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したビア導体Ｖ７−９を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第８の誘電体層Ｍ８上に形成したビア導体Ｖ８−９を介して第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第８の誘電体層Ｍ８上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第９の誘電体層Ｍ９上に形成したビア導体Ｖ９−９を介して第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第９の誘電体層Ｍ９上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したビア導体Ｖ１０−９を介して第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続され、第１０の誘電体層Ｍ１０上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したビア導体Ｖ１１−９を介して第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ４の部分の一端に接続される。第１１の誘電体層Ｍ１１上に形成したインダクタＬ４の部分の他端は共通端子Ｔ６に接続されている。

第１２の誘電体層Ｍ１２及び第１３の誘電体層Ｍ１３のそれぞれ右半分には、第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ２、Ｃ３Ｃ４が形成され、すなわち第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ２、Ｃ３のそれぞれ一方の電極は共通に形成されている。また第１２の誘電体層Ｍ１２上に形成されたコンデンサＣ４の電極はビア導体Ｖ１２−３、Ｖ１１−３、Ｖ１０−３、Ｖ９−３、Ｖ８−３、Ｖ７−３を介して第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ３、Ｌ４の接続点に接続され、そしてビア導体Ｖ６−３、Ｖ５−３、Ｖ４−３、Ｖ３−３を介して、第２の誘電体層Ｍ２上に形成されたコンデンサＣ５の電極の部位Ｐ２−３に接続されている。第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成されたコンデンサＣ２の他方の電極は低周波数側端子Ｔ４に接続され、また第１３の誘電体層Ｍ１３上に形成されたコンデンサＣ３、Ｃ４のそれぞれ他方の電極は互いに接続されている。

この実施形態では、第６の誘電体層Ｍ６及び第７の誘電体層Ｍ７の左半分には、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおけるコンデンサＣ６と共に並列共振器を構成するインダクタＬ７が形成される。すなわち第６の誘電体層Ｍ６及び第７の誘電体層Ｍ７上にはインダクタＬ７の一部分を成すコ字型素子がそれぞれ形成され、第６の誘電体層Ｍ６上に形成されたインダクタＬ７の一部分の一端は共通端子Ｔ６に接続され、その他端は第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたビア導体Ｖ７−１２を介して第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたインダクタＬ７の一部分の一端に接続され、第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたインダクタＬ７の一部分の他端は第７の誘電体層Ｍ７上に形成されたビア導体Ｖ７−５に接続される。こうしてコンデンサＣ６と共に並列共振器を構成するインダクタＬ７が形成される。このインダクタＬ７は、スパイラル状以外にも、コの字状、ミアンダ状、円弧状など、その他の曲がり部を有する形状とし得る。

また、第１３の誘電体層Ｍ１３上の左半分には図示したようにビア導体Ｖ１３−４、Ｖ１３−５を囲む領域にグランド電極Ｇ１３が形成され、このグランド電極Ｇ１３は接地端子Ｔ１、Ｔ３に接続される。

各誘電体層に設けられた各貫通孔（ビアホール）には導電性材料が施されて、誘電体層間を接続する導電経路となるビア導体を形成している。そしてビア導体Ｖ３−５〜Ｖ１３−５は、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける共振素子Ｒ１１、Ｒ１２を形成し、またビア導体Ｖ３−４〜Ｖ１３−４は、第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタにおける共振素子Ｒ２１、Ｒ２２を形成している。

このように構成したダイプレクサの等価回路を図９に示し、図９の等価回路におけるＭは共振素子Ｒ１１、Ｒ１２間及び共振素子Ｒ２１、Ｒ２２間の誘導性結合を示し、共振素子間の間隔によりその大きさが設定され得る。この実施形態でもまた、集中定数タイプのバンドパスフィルタにおけるインダクタＬ２を含む回路は直列共振器として構成することができる。コンデンサＣ１０を含む回路も並列共振器として構成することができる。

本発明の一実施形態によるダイプレクサの回路構成を示す回路線図。 本発明の別の実施形態によるダイプレクサの回路構成を示す回路線図。 本発明によるダイプレクサの外観を示す斜視図。 本発明によるダイプレクサの一実施形態を示す分解斜視図。 図４に示すダイプレクサの等価回路を示す回路線図。 本発明によるダイプレクサの別の実施形態を示す分解斜視図。 図６に示すダイプレクサの等価回路を示す回路線図。 本発明によるダイプレクサのさらに別の実施形態を示す分解斜視図。 図８に示すダイプレクサの等価回路を示す回路線図。

符号の説明

１、 ２、３：ダイプレクサ
１０：集中定数タイプのローパスフィルタ
１１：コンデンサ
１２：インダクタ
１３：コンデンサ
１４：コンデンサ
２０：分布定数タイプのバンドパスフィルタ
２１ａ、２１ｂ、２４、２５、２６：コンデンサ
２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２６：共振素子
３０：第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのバンドパスフィルタ
４０：集中定数タイプのハイパスフィルタ
４１：インダクタ
４２：コンデンサ
４３：コンデンサ
４４：コンデンサ
ＬＴ：低周波側端子
ＡＮＴ：共通端子
ＨＴ：高周波側端子

Claims (11)

1. 第一の通過帯域を持つフィルタと、該第一の通過帯域の中心周波数の２倍又はそれ以上の中心周波数の第二の通過帯域を持つフィルタとを有し、該第一の通過帯域を持つフィルタは集中定数タイプのフィルタであり、該第二の通過帯域を持つフィルタは分布定数タイプのフィルタであることを特徴とするダイプレクサ。
2. 前記第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのフィルタが、ローパスフィルタとハイパスフィルタとを直列に接続したバンドパスフィルタであることを特徴とする請求項１に記載のダイプレクサ。
3. 前記第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのフィルタがバンドパスフィルタであることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイプレクサ。
4. 前記第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタの共振器は、多層基板内に形成され、該多層基板の積層方向に沿って形成したビア導体を連結してなるインダグタと、接地電極に容量結合した電極とを備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイプレクサ。
5. 前記第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタの共振器は、多層基板内に形成され、該多層基板の積層方向に沿って形成したビア導体を連結してなるインダグタと、接地電極に容量結合した電極と、曲がり部を有するインダクタ電極とを備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイプレクサ。
6. 前記曲がり部を有するインダクタ電極の形状は、スパイラル状、コの字状、ミアンダ状、及び円弧状のうちから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項５に記載のダイプレクサ。
7. 前記第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタは、共通端子に容量結合されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のダイプレクサ。
8. 前記第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタは、ＬＣ並列共振回路を通じて共通端子に接続されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のダイプレクサ。
9. 前記第二の通過帯域を持つ分布定数タイプのバンドパスフィルタの共振器は、多層基板の実装面と対向する面側に形成した短絡端子に接続されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のダイプレクサ。
10. 前記第一の通過帯域を持つ集中定数タイプのフィルタは、インダクタ電極を介して共通端子に接続されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のダイプレクサ。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の集中定数タイプのフィルタと分布定数タイプのフィルタを、それぞれ少なくとも一つ以上有して成ることを特徴とする複数の帯域の分波、結合用マルチプレクサ。

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