JPH1197962A - 高周波部品 - Google Patents
高周波部品Info
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- JPH1197962A JPH1197962A JP25530397A JP25530397A JPH1197962A JP H1197962 A JPH1197962 A JP H1197962A JP 25530397 A JP25530397 A JP 25530397A JP 25530397 A JP25530397 A JP 25530397A JP H1197962 A JPH1197962 A JP H1197962A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/127—Strip line switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2135—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using strip line filters
Landscapes
- Filters And Equalizers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 インダクタンス素子を構成する伝送線路の特
性インピーダンスの高インピーダンス化が容易に実現で
き、かつ小型化が可能で周波数特性が優れている高周波
部品を提供する。 【解決手段】 高周波部品１０は、第１のポートＰ１と
第２のポートＰ２との間に、伝送線路Ｌ１及びコンデン
サＣ１〜Ｃ３で構成された高域通過フィルタＦ1が接続
され、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間に、
インダクタンス素子である伝送線路Ｌ２及びキャパシタ
ンス素子であるコンデンサＣ４，Ｃ５で構成された低域
通過フィルタＦ２が接続される。
性インピーダンスの高インピーダンス化が容易に実現で
き、かつ小型化が可能で周波数特性が優れている高周波
部品を提供する。 【解決手段】 高周波部品１０は、第１のポートＰ１と
第２のポートＰ２との間に、伝送線路Ｌ１及びコンデン
サＣ１〜Ｃ３で構成された高域通過フィルタＦ1が接続
され、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間に、
インダクタンス素子である伝送線路Ｌ２及びキャパシタ
ンス素子であるコンデンサＣ４，Ｃ５で構成された低域
通過フィルタＦ２が接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機、例
えば携帯電話機等の高周波回路において、２つの異なる
周波数領域の高周波信号を分配、結合する高周波部品に
関する。
えば携帯電話機等の高周波回路において、２つの異なる
周波数領域の高周波信号を分配、結合する高周波部品に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に、高周波信号を分配、結合する高
周波部品の一例であるデュプレクサの透視斜視図を示
す。デュプレクサ５０は、図示していないが、高域通過
フィルタ（High Pass Filter : HPF）及び低域通過フィ
ルタ（Low Pass Filter : LPF）を同一の多層基板５０
ａに内蔵することにより構成される。そして、多層基板
５０ａの裏面の一方の長辺近傍から一方の長辺が近接す
る側面に架けて外部端子Ｔａ〜Ｔｃが設けられる。ま
た、多層基板５０ａの裏面の他方の長辺近傍から他方の
長辺が近接する側面に架けて外部端子Ｔｄ〜Ｔｆが設け
られる。
周波部品の一例であるデュプレクサの透視斜視図を示
す。デュプレクサ５０は、図示していないが、高域通過
フィルタ（High Pass Filter : HPF）及び低域通過フィ
ルタ（Low Pass Filter : LPF）を同一の多層基板５０
ａに内蔵することにより構成される。そして、多層基板
５０ａの裏面の一方の長辺近傍から一方の長辺が近接す
る側面に架けて外部端子Ｔａ〜Ｔｃが設けられる。ま
た、多層基板５０ａの裏面の他方の長辺近傍から他方の
長辺が近接する側面に架けて外部端子Ｔｄ〜Ｔｆが設け
られる。
【０００３】図７（ａ）〜図７（ｆ）、図８（ａ）〜図
８（ｂ）に、図６のデュプレクサ５０を構成する各誘電
体層の上面図及び下面図を示す。デュプレクサ５０は、
第１〜第９の誘電体層５１〜５９を上から順次積層する
ことによって形成される。
８（ｂ）に、図６のデュプレクサ５０を構成する各誘電
体層の上面図及び下面図を示す。デュプレクサ５０は、
第１〜第９の誘電体層５１〜５９を上から順次積層する
ことによって形成される。
【０００４】そして、第２、第３、第４及び第８の誘電
体層５２，５３，５４，５８の上面にはコンデンサ電極
Ｃ５１，Ｃ５２，Ｃ５３，Ｃ５４，Ｃ５５，Ｃ５６，Ｃ
５７，Ｃ５８，Ｃ５９，Ｃ６０がそれぞれ形成される。
また、第５の誘電体層５５の上面には伝送線路Ｌ５１，
Ｌ５２がそれぞれ形成される。
体層５２，５３，５４，５８の上面にはコンデンサ電極
Ｃ５１，Ｃ５２，Ｃ５３，Ｃ５４，Ｃ５５，Ｃ５６，Ｃ
５７，Ｃ５８，Ｃ５９，Ｃ６０がそれぞれ形成される。
また、第５の誘電体層５５の上面には伝送線路Ｌ５１，
Ｌ５２がそれぞれ形成される。
【０００５】さらに、第７及び第９の誘電体層５７、５
９の上面にはグランド電極Ｇ５１，Ｇ５２がそれぞれ形
成される。また、第９の誘電体層５９の下面（図７
（ｄ））には外部端子Ｔａ〜Ｔｆが形成される。
９の上面にはグランド電極Ｇ５１，Ｇ５２がそれぞれ形
成される。また、第９の誘電体層５９の下面（図７
（ｄ））には外部端子Ｔａ〜Ｔｆが形成される。
【０００６】また、第２〜第７の誘電体層５２〜５７に
は、所定の位置にビアホールＶＨｂ’〜ＶＨｇ’が設け
られる。
は、所定の位置にビアホールＶＨｂ’〜ＶＨｇ’が設け
られる。
【０００７】そして、コンデンサ電極Ｃ５１，Ｃ５３，
Ｃ５６、コンデンサ電極Ｃ５２，Ｃ５４，Ｃ５７、及び
コンデンサ電極Ｃ５９，グランド電極Ｇ５１，Ｇ５２で
ＨＰＦを構成する３つのコンデンサを、コンデンサ電極
Ｃ５５，Ｃ５８、及びコンデンサ電極Ｃ６０，グランド
電極Ｇ５１，Ｇ５２でＬＰＦを構成する２つのコンデン
サをそれぞれ形成する。また、伝送線路Ｌ５１でＨＰＦ
を構成するインダクタンス素子を、伝送線路Ｌ５２でＬ
ＰＦを構成するインダクタンス素子をそれぞれ形成す
る。以上のような構成で、高周波部品５０が１つの多層
基板５０ａに構成される。
Ｃ５６、コンデンサ電極Ｃ５２，Ｃ５４，Ｃ５７、及び
コンデンサ電極Ｃ５９，グランド電極Ｇ５１，Ｇ５２で
ＨＰＦを構成する３つのコンデンサを、コンデンサ電極
Ｃ５５，Ｃ５８、及びコンデンサ電極Ｃ６０，グランド
電極Ｇ５１，Ｇ５２でＬＰＦを構成する２つのコンデン
サをそれぞれ形成する。また、伝送線路Ｌ５１でＨＰＦ
を構成するインダクタンス素子を、伝送線路Ｌ５２でＬ
ＰＦを構成するインダクタンス素子をそれぞれ形成す
る。以上のような構成で、高周波部品５０が１つの多層
基板５０ａに構成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高周波部品であるデュプレクサにおいては、ＨＰＦ及び
ＬＰＦのインダクタンス素子を構成する伝送線路が１つ
の誘電体層上に形成されるものであったため、１層あた
りの伝送線路の長さが長くなり、高周波部品（デュプレ
クサ）が大型化するという問題があった。
高周波部品であるデュプレクサにおいては、ＨＰＦ及び
ＬＰＦのインダクタンス素子を構成する伝送線路が１つ
の誘電体層上に形成されるものであったため、１層あた
りの伝送線路の長さが長くなり、高周波部品（デュプレ
クサ）が大型化するという問題があった。
【０００９】また、外部からの電磁界ノイズから伝送線
路を遮蔽するため、２つのグランド電極の間に伝送線路
を配置するが、伝送線路とグランド電極との間に発生す
る浮遊容量の影響により、伝送線路の特性インピーダン
スが低くなる。したがって、この伝送線路をインダクタ
ンスとして用いる高周波部品の挿入損失が大きくなり、
その結果、高周波部品の帯域幅が狭くなるという問題も
あった。
路を遮蔽するため、２つのグランド電極の間に伝送線路
を配置するが、伝送線路とグランド電極との間に発生す
る浮遊容量の影響により、伝送線路の特性インピーダン
スが低くなる。したがって、この伝送線路をインダクタ
ンスとして用いる高周波部品の挿入損失が大きくなり、
その結果、高周波部品の帯域幅が狭くなるという問題も
あった。
【００１０】さらに、伝送線路の特性インピーダンスの
高インピーダンス化には、伝送線路とグランド電極との
間隔を大きくする方法もあるが、この場合には、高周波
部品の小型化が困難であるという問題もある。
高インピーダンス化には、伝送線路とグランド電極との
間隔を大きくする方法もあるが、この場合には、高周波
部品の小型化が困難であるという問題もある。
【００１１】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、インダクタンス素子を構成す
る伝送線路の特性インピーダンスの高インピーダンス化
が容易に実現でき、かつ小型化が可能で周波数特性が優
れている高周波部品を提供することを目的とする。
めになされたものであり、インダクタンス素子を構成す
る伝送線路の特性インピーダンスの高インピーダンス化
が容易に実現でき、かつ小型化が可能で周波数特性が優
れている高周波部品を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明は、複数の誘電体層を積層してなる積層体
と、該積層体に内蔵されるとともに、中心周波数が異な
る帯域を有するインダクタンス素子及びキャパシタンス
素子からなる少なくとも２つのフィルタと、で構成され
る高周波部品であって、前記フィルタを構成するインダ
クタンス素子が、複数の伝送線路導体を前記積層体の積
層方向に誘電体層を介して略対向させるとともに、前記
複数の伝送線路導体のうち隣り合う２つの伝送線路導体
を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同方向になる
ように電気的に直列接続してなる少なくとも１つの伝送
線路からなることを特徴とする。
るため本発明は、複数の誘電体層を積層してなる積層体
と、該積層体に内蔵されるとともに、中心周波数が異な
る帯域を有するインダクタンス素子及びキャパシタンス
素子からなる少なくとも２つのフィルタと、で構成され
る高周波部品であって、前記フィルタを構成するインダ
クタンス素子が、複数の伝送線路導体を前記積層体の積
層方向に誘電体層を介して略対向させるとともに、前記
複数の伝送線路導体のうち隣り合う２つの伝送線路導体
を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同方向になる
ように電気的に直列接続してなる少なくとも１つの伝送
線路からなることを特徴とする。
【００１３】また、前記フィルタの組み合わせが、高域
通過フィルタと低域通過フィルタとであることを特徴と
する。
通過フィルタと低域通過フィルタとであることを特徴と
する。
【００１４】本発明の高周波部品によれば、インダクタ
ンス素子を構成する伝送線路が複数層の伝送線路導体で
構成されるため、伝送線路の特性インピーダンスが一定
であれば、１層当たりの伝送線路導体の長さを従来より
も短くすることができる。
ンス素子を構成する伝送線路が複数層の伝送線路導体で
構成されるため、伝送線路の特性インピーダンスが一定
であれば、１層当たりの伝送線路導体の長さを従来より
も短くすることができる。
【００１５】また、誘電体層を介して隣り合う２つの伝
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向が同方向となる。したがって、隣り
合う２つの伝送線路導体の間隔を近接させることによ
り、伝送線路導体間の結合を大きくすることができる。
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向が同方向となる。したがって、隣り
合う２つの伝送線路導体の間隔を近接させることによ
り、伝送線路導体間の結合を大きくすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波部品の一
実施例の回路図を示す。高周波部品１０は、第１のポー
トＰ１と第２のポートＰ２との間に、高域通過フィルタ
（HighPass Filter : HPF）Ｆ1が接続され、第１のポー
トＰ１と第３のポートＰ３との間に、低域通過フィルタ
（Low Pass Filter : LPF）Ｆ２が接続される。この
際、ＨＰＦＦ１は、インダクタンス素子である伝送線路
Ｌ１及びキャパシタンス素子であるコンデンサＣ１〜Ｃ
３で構成され、ＬＰＦＦ２は、インダクタンス素子であ
る伝送線路Ｌ２及びキャパシタンス素子であるコンデン
サＣ４，Ｃ５で構成される。
施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波部品の一
実施例の回路図を示す。高周波部品１０は、第１のポー
トＰ１と第２のポートＰ２との間に、高域通過フィルタ
（HighPass Filter : HPF）Ｆ1が接続され、第１のポー
トＰ１と第３のポートＰ３との間に、低域通過フィルタ
（Low Pass Filter : LPF）Ｆ２が接続される。この
際、ＨＰＦＦ１は、インダクタンス素子である伝送線路
Ｌ１及びキャパシタンス素子であるコンデンサＣ１〜Ｃ
３で構成され、ＬＰＦＦ２は、インダクタンス素子であ
る伝送線路Ｌ２及びキャパシタンス素子であるコンデン
サＣ４，Ｃ５で構成される。
【００１７】具体的には、ＨＰＦＦ１は、第１のポート
Ｐ１と第２のポートＰ２との間にコンデンサＣ１とコン
デンサＣ２とからなる直列回路が接続され、コンデンサ
Ｃ１とコンデンサＣ２との接続点は、伝送線路Ｌ１とコ
ンデンサＣ３とからなる直列回路を介して接地される。
Ｐ１と第２のポートＰ２との間にコンデンサＣ１とコン
デンサＣ２とからなる直列回路が接続され、コンデンサ
Ｃ１とコンデンサＣ２との接続点は、伝送線路Ｌ１とコ
ンデンサＣ３とからなる直列回路を介して接地される。
【００１８】また、ＬＰＦＦ２は、第１のポートＰ１と
第３のポートＰ３との間に伝送線路Ｌ２とコンデンサＣ
４とからなる並列回路が接続され、伝送線路Ｌ２とコン
デンサＣ４との第３のポートＰ３側の接続点は、コンデ
ンサＣ５を介して接地される。
第３のポートＰ３との間に伝送線路Ｌ２とコンデンサＣ
４とからなる並列回路が接続され、伝送線路Ｌ２とコン
デンサＣ４との第３のポートＰ３側の接続点は、コンデ
ンサＣ５を介して接地される。
【００１９】この構成により、高い周波数領域の高周波
信号が、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間を
通過し、低い周波数領域の高周波信号が、第１のポート
Ｐ１と第３のポートＰ３との間を通過することができ
る。この際、ＨＰＦＦ１の通過領域とＬＰＦＦ２の通過
領域とは、互いの通過領域が重ならないように選択され
る。
信号が、第１のポートＰ１と第２のポートＰ２との間を
通過し、低い周波数領域の高周波信号が、第１のポート
Ｐ１と第３のポートＰ３との間を通過することができ
る。この際、ＨＰＦＦ１の通過領域とＬＰＦＦ２の通過
領域とは、互いの通過領域が重ならないように選択され
る。
【００２０】例えば、第１のポートＰ１にアンテナ、第
２のポートＰ２に送信回路、第３のポートＰ３に受信回
路をそれぞれ接続して、ＰＤＣ８００(Personal Digita
lCellular 800)に使用した場合には、送信回路から出力
された９５０ＭＨｚの送信信号は、ＨＰＦＦ１を通過し
て、アンテナから送信される。一方、アンテナが受信し
た８２０ＭＨｚの受信信号は、ＬＰＦＦ２を通過して、
受信回路に出力される。
２のポートＰ２に送信回路、第３のポートＰ３に受信回
路をそれぞれ接続して、ＰＤＣ８００(Personal Digita
lCellular 800)に使用した場合には、送信回路から出力
された９５０ＭＨｚの送信信号は、ＨＰＦＦ１を通過し
て、アンテナから送信される。一方、アンテナが受信し
た８２０ＭＨｚの受信信号は、ＬＰＦＦ２を通過して、
受信回路に出力される。
【００２１】また、別の例として、第１のポートＰ１に
アンテナ、第２のポートＰ２に１．９ＧＨｚに対応した
送・受信回路、第３のポートＰ３に８００ＭＨｚに対応
した送・受信回路をそれぞれ接続して、複数の異なる周
波数領域の高周波信号、例えば１．９ＧＨｚのＰＣＳ(P
ersonal Communication Service)の高周波信号と８００
ＭＨｚのＡＭＰＳ(Advanced Mobile Phone Service)の
高周波信号とを分配あるいは結合する場合には、アンテ
ナが受信した１．９ＧＨｚの受信信号は、ＨＰＦＦ１を
通過して、１．９ＧＨｚの受信回路に出力され、アンテ
ナが受信した８００ＭＨｚの受信信号は、ＬＰＦＦ２を
通過して、８００ＭＨｚの受信回路に出力される。逆
に、１．９ＧＨｚの送信回路から出力された送信信号
は、ＨＰＦＦ１を通過して、アンテナから送信され、８
００ＭＨｚの送信回路から出力された送信信号は、ＬＰ
ＦＦ２を通過して、アンテナから送信される。この場合
には、デュアルバンド用の高周波分配器あるいは高周波
結合器として用いることができる。従って、デュアルバ
ンド用の移動体通信機の小型化を図ることができる。
アンテナ、第２のポートＰ２に１．９ＧＨｚに対応した
送・受信回路、第３のポートＰ３に８００ＭＨｚに対応
した送・受信回路をそれぞれ接続して、複数の異なる周
波数領域の高周波信号、例えば１．９ＧＨｚのＰＣＳ(P
ersonal Communication Service)の高周波信号と８００
ＭＨｚのＡＭＰＳ(Advanced Mobile Phone Service)の
高周波信号とを分配あるいは結合する場合には、アンテ
ナが受信した１．９ＧＨｚの受信信号は、ＨＰＦＦ１を
通過して、１．９ＧＨｚの受信回路に出力され、アンテ
ナが受信した８００ＭＨｚの受信信号は、ＬＰＦＦ２を
通過して、８００ＭＨｚの受信回路に出力される。逆
に、１．９ＧＨｚの送信回路から出力された送信信号
は、ＨＰＦＦ１を通過して、アンテナから送信され、８
００ＭＨｚの送信回路から出力された送信信号は、ＬＰ
ＦＦ２を通過して、アンテナから送信される。この場合
には、デュアルバンド用の高周波分配器あるいは高周波
結合器として用いることができる。従って、デュアルバ
ンド用の移動体通信機の小型化を図ることができる。
【００２２】図２に、図1の高周波部品１０の斜視図を
示す。図２に示すように、高周波部品１０は、ＨＰＦＦ
１及びＬＰＦＦ２（図示せず）を内蔵する多層基板１０
ａを含み、この多層基板１０ａの裏面の一方の長辺近傍
から一方の長辺が近接する側面に架けて外部端子Ｔａ〜
Ｔｃが設けられ、裏面の他方の長辺近傍から他方の長辺
が近接する側面に架けて外部端子Ｔｄ〜Ｔｆが設けられ
る。
示す。図２に示すように、高周波部品１０は、ＨＰＦＦ
１及びＬＰＦＦ２（図示せず）を内蔵する多層基板１０
ａを含み、この多層基板１０ａの裏面の一方の長辺近傍
から一方の長辺が近接する側面に架けて外部端子Ｔａ〜
Ｔｃが設けられ、裏面の他方の長辺近傍から他方の長辺
が近接する側面に架けて外部端子Ｔｄ〜Ｔｆが設けられ
る。
【００２３】図３（ａ）〜図３（ｈ）、図４（ａ）〜図
４（ｅ）に、図２の高周波部品１０を構成する各誘電体
層の上面図及び下面図を示す。高周波部品１０は、第１
〜第１２の誘電体層１１〜２２を上から順次積層するこ
とにより形成される。
４（ｅ）に、図２の高周波部品１０を構成する各誘電体
層の上面図及び下面図を示す。高周波部品１０は、第１
〜第１２の誘電体層１１〜２２を上から順次積層するこ
とにより形成される。
【００２４】第２、第３、第４、第９及び第１１の誘電
体層１２，１３，１４，１９，２１の上面には、キャパ
シタンス素子形成用電極であるコンデンサ電極Ｃ１１，
Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ１６，Ｃ１７，Ｃ
１８，Ｃ１９，Ｃ２０がそれぞれ印刷され、形成され
る。
体層１２，１３，１４，１９，２１の上面には、キャパ
シタンス素子形成用電極であるコンデンサ電極Ｃ１１，
Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ１６，Ｃ１７，Ｃ
１８，Ｃ１９，Ｃ２０がそれぞれ印刷され、形成され
る。
【００２５】また、第５及び第６の誘電体層１５，１６
の上面には、略螺旋形状をした伝送線路導体Ｌ１１，Ｌ
１２，Ｌ１３，Ｌ１４がそれぞれ印刷され、形成され
る。この際、伝送線路導体Ｌ１１，Ｌ１３、及び伝送線
路導体Ｌ１２，Ｌ１４は、それぞれ、第５の誘電体層１
５を挟んで対向している。
の上面には、略螺旋形状をした伝送線路導体Ｌ１１，Ｌ
１２，Ｌ１３，Ｌ１４がそれぞれ印刷され、形成され
る。この際、伝送線路導体Ｌ１１，Ｌ１３、及び伝送線
路導体Ｌ１２，Ｌ１４は、それぞれ、第５の誘電体層１
５を挟んで対向している。
【００２６】さらに、第８、第１０及び第１２の誘電体
層１８，２０，２２の上面には、グランド電極Ｇ１１，
Ｇ１２，Ｇ１３がそれぞれ印刷され、形成される。ま
た、第１２の誘電体層２２の下面（図４（ｅ））には、
第１〜第３のポートＰ１〜Ｐ３となる外部端子Ｔａ，Ｔ
ｃ，Ｔｅ及び接地端子となる外部端子Ｔｂ，Ｔｄ，Ｔｆ
が形成される。
層１８，２０，２２の上面には、グランド電極Ｇ１１，
Ｇ１２，Ｇ１３がそれぞれ印刷され、形成される。ま
た、第１２の誘電体層２２の下面（図４（ｅ））には、
第１〜第３のポートＰ１〜Ｐ３となる外部端子Ｔａ，Ｔ
ｃ，Ｔｅ及び接地端子となる外部端子Ｔｂ，Ｔｄ，Ｔｆ
が形成される。
【００２７】さらに、第２〜第８の誘電体層１２〜１８
には、所定の位置にビアホールＶＨｂ〜ＶＨｈが設けら
れる。
には、所定の位置にビアホールＶＨｂ〜ＶＨｈが設けら
れる。
【００２８】そして、コンデンサ電極Ｃ１１，Ｃ１４，
Ｃ１６でＨＰＦＦ１のコンデンサＣ１を、コンデンサ電
極Ｃ１２，Ｃ１５，Ｃ１７でＨＰＦＦ１のコンデンサＣ
２を、コンデンサ電極Ｃ１９とグランド電極Ｇ１１，Ｇ
１２とでＨＰＦＦ１のコンデンサＣ３をそれぞれ形成
し、コンデンサ電極Ｃ１３，Ｃ１８でＬＰＦＦ２のコン
デンサＣ４を、コンデンサ電極Ｃ２０とグランド電極Ｇ
１２，Ｇ１３とでＬＰＦＦ２のコンデンサＣ５をそれぞ
れ形成する。
Ｃ１６でＨＰＦＦ１のコンデンサＣ１を、コンデンサ電
極Ｃ１２，Ｃ１５，Ｃ１７でＨＰＦＦ１のコンデンサＣ
２を、コンデンサ電極Ｃ１９とグランド電極Ｇ１１，Ｇ
１２とでＨＰＦＦ１のコンデンサＣ３をそれぞれ形成
し、コンデンサ電極Ｃ１３，Ｃ１８でＬＰＦＦ２のコン
デンサＣ４を、コンデンサ電極Ｃ２０とグランド電極Ｇ
１２，Ｇ１３とでＬＰＦＦ２のコンデンサＣ５をそれぞ
れ形成する。
【００２９】また、伝送線路導体Ｌ１１，Ｌ１３及び伝
送線路導体Ｌ１２，Ｌ１４は、それぞれ、第５の誘電体
層１５に設けたビアホールＶＨｅを介して、伝播する高
周波信号の進行方向が互いに同方向となるように電気的
に直列に接続され（図３（ｅ）、図３（ｆ））、ＨＰＦ
Ｆ１を構成する１本の伝送線路Ｌ１、及びＬＰＦＦ２を
構成する１本の伝送線路Ｌ２をそれぞれ形成する。
送線路導体Ｌ１２，Ｌ１４は、それぞれ、第５の誘電体
層１５に設けたビアホールＶＨｅを介して、伝播する高
周波信号の進行方向が互いに同方向となるように電気的
に直列に接続され（図３（ｅ）、図３（ｆ））、ＨＰＦ
Ｆ１を構成する１本の伝送線路Ｌ１、及びＬＰＦＦ２を
構成する１本の伝送線路Ｌ２をそれぞれ形成する。
【００３０】ここで、上記の１．９ＧＨｚのＰＣＳと８
００ＭＨｚのＡＭＰＳとに用いるデュアルバンド用高周
波部品における第１のポートＰ１と第２のポートＰ２と
の間、及び第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間
の通過特性の周波数依存性を図５に示す。図５におい
て、実線が第１のポートＰ１−第２のポートＰ２間、破
線が第１のポートＰ１−第３のポートＰ３間である。
００ＭＨｚのＡＭＰＳとに用いるデュアルバンド用高周
波部品における第１のポートＰ１と第２のポートＰ２と
の間、及び第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間
の通過特性の周波数依存性を図５に示す。図５におい
て、実線が第１のポートＰ１−第２のポートＰ２間、破
線が第１のポートＰ１−第３のポートＰ３間である。
【００３１】この図から、第１のポートＰ１−第２のポ
ートＰ２間では１．９ＧＨｚ付近でほぼゼロ（ｄＢ）を
示し、第１のポートＰ１−第３のポートＰ３間では８０
０ＭＨｚ付近でほぼゼロ（ｄＢ）を示していることが理
解される。これは、上記の構成で、１．９ＧＨｚの高周
波信号と８００ＭＨｚの高周波信号との間の互いの干渉
が十分に抑えられていることを示している。
ートＰ２間では１．９ＧＨｚ付近でほぼゼロ（ｄＢ）を
示し、第１のポートＰ１−第３のポートＰ３間では８０
０ＭＨｚ付近でほぼゼロ（ｄＢ）を示していることが理
解される。これは、上記の構成で、１．９ＧＨｚの高周
波信号と８００ＭＨｚの高周波信号との間の互いの干渉
が十分に抑えられていることを示している。
【００３２】上記のように、上述の実施例の高周波部品
によれば、第１のポートと第２のポートとの間に接続さ
れる高域通過フィルタの伝送線路、及び第１のポートと
第３のポートとの間に接続される低域通過フィルタの伝
送線路を、誘電体層を介して隣り合う２つの伝送線路導
体で形成しているため、伝送線路の特性インピーダンス
が一定であれば、１層当たりの伝送線路導体の長さを、
従来の約１／２にすることができる。
によれば、第１のポートと第２のポートとの間に接続さ
れる高域通過フィルタの伝送線路、及び第１のポートと
第３のポートとの間に接続される低域通過フィルタの伝
送線路を、誘電体層を介して隣り合う２つの伝送線路導
体で形成しているため、伝送線路の特性インピーダンス
が一定であれば、１層当たりの伝送線路導体の長さを、
従来の約１／２にすることができる。
【００３３】したがって、本実施例の高周波部品は、従
来の高周波部品と比較して、小さい部品サイズで伝送線
路の特定インピーダンスを所定の値に確保することがで
き、高周波部品の小型化が実現する。具体的には、ほぼ
同一の特性インピーダンスを有する伝送線路を備えた本
実施例の高周波部品の外形の寸法と、従来例の高周波部
品の外形の寸法とを比較すると、従来例の高周波部品の
４．５ｍｍ（Ｌ）×３．２ｍｍ（Ｗ）×１．０ｍｍ
（Ｈ）に比べ、本実施例の高周波部品は、３．２ｍｍ
（Ｌ）×２．５ｍｍ（Ｗ）×１．１ｍｍ（Ｈ）となり、
容積にして、２／３以下になっている。
来の高周波部品と比較して、小さい部品サイズで伝送線
路の特定インピーダンスを所定の値に確保することがで
き、高周波部品の小型化が実現する。具体的には、ほぼ
同一の特性インピーダンスを有する伝送線路を備えた本
実施例の高周波部品の外形の寸法と、従来例の高周波部
品の外形の寸法とを比較すると、従来例の高周波部品の
４．５ｍｍ（Ｌ）×３．２ｍｍ（Ｗ）×１．０ｍｍ
（Ｈ）に比べ、本実施例の高周波部品は、３．２ｍｍ
（Ｌ）×２．５ｍｍ（Ｗ）×１．１ｍｍ（Ｈ）となり、
容積にして、２／３以下になっている。
【００３４】また、誘電体層を介して隣り合う２つの伝
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向が同方向となる。したがって、誘電
体層を介して隣り合う２つの伝送線路導体が、同方向に
周回する磁束によって電磁気的に結合することとなり、
隣り合う２つの伝送線路導体が近接して重なり合う部分
において、隣り合う２つの伝送線路導体を中心として周
回する磁束が発生する。
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向が同方向となる。したがって、誘電
体層を介して隣り合う２つの伝送線路導体が、同方向に
周回する磁束によって電磁気的に結合することとなり、
隣り合う２つの伝送線路導体が近接して重なり合う部分
において、隣り合う２つの伝送線路導体を中心として周
回する磁束が発生する。
【００３５】この結果、隣り合う２つの伝送線路導体の
間隔を狭めることにより、隣り合う２つの伝送線路導体
間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピー
ダンスを容易に得ることができる。したがって、外部か
らの電磁界ノイズから伝送線路を遮断するために、２つ
のグランド電極の間に伝送線路を配置して構成しても、
伝送線路とグランド電極との間に発生する浮遊容量の影
響による伝送線路の特性インピーダンスの低下を補償し
て、伝送線路の特性インピーダンスの高インピーダンス
化を実現できる。これに伴い、この高周波部品の挿入損
失の低下及び帯域幅縮小を抑えることができる。すなわ
ち、周波数特性の優れた高周波部品を実現できる。
間隔を狭めることにより、隣り合う２つの伝送線路導体
間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピー
ダンスを容易に得ることができる。したがって、外部か
らの電磁界ノイズから伝送線路を遮断するために、２つ
のグランド電極の間に伝送線路を配置して構成しても、
伝送線路とグランド電極との間に発生する浮遊容量の影
響による伝送線路の特性インピーダンスの低下を補償し
て、伝送線路の特性インピーダンスの高インピーダンス
化を実現できる。これに伴い、この高周波部品の挿入損
失の低下及び帯域幅縮小を抑えることができる。すなわ
ち、周波数特性の優れた高周波部品を実現できる。
【００３６】さらに、高周波部品が、高域通過フィルタ
と低域通過フィルタとからなるため、各フィルタを構成
する伝送線路及びコンデンサの点数を少なくすることが
できる。したがって、高周波部品をさらに小型化するこ
とができる。
と低域通過フィルタとからなるため、各フィルタを構成
する伝送線路及びコンデンサの点数を少なくすることが
できる。したがって、高周波部品をさらに小型化するこ
とができる。
【００３７】なお、上記の実施例において、図１及び図
３〜図４に示した高周波部品の回路図、並びに高周波部
品を構成する各誘電体層の上面図及び下面図は、一例で
あり、インダクタン素子を構成する伝送線路を、積層方
向に誘電体層を介して略対向させるとともに、隣り合う
２つを伝播する高周波信号の進行方向が互いに同方向と
なるように電気的に直列接続した複数の伝送線路導体で
形成したものであれば、本発明の範囲内にあるといえ
る。
３〜図４に示した高周波部品の回路図、並びに高周波部
品を構成する各誘電体層の上面図及び下面図は、一例で
あり、インダクタン素子を構成する伝送線路を、積層方
向に誘電体層を介して略対向させるとともに、隣り合う
２つを伝播する高周波信号の進行方向が互いに同方向と
なるように電気的に直列接続した複数の伝送線路導体で
形成したものであれば、本発明の範囲内にあるといえ
る。
【００３８】また、伝送線路導体が略螺旋形状をなす場
合について説明したが、占有面積や所望の特性インピー
ダンスの仕様によって螺旋形状の他に、スパイラル形状
のもの、ミアンダ形状のもの、あるいはそれらを組み合
わせたもの等であってもよい。
合について説明したが、占有面積や所望の特性インピー
ダンスの仕様によって螺旋形状の他に、スパイラル形状
のもの、ミアンダ形状のもの、あるいはそれらを組み合
わせたもの等であってもよい。
【００３９】さらに、複数のフィルタの組み合わせが、
高域通過フィルタと低域通過フィルタの場合について説
明したが、例えば、帯域通過フィルタと帯域阻止フィル
タ、帯域通過フィルタと帯域通過フィルタ、帯域阻止フ
ィルタと帯域阻止フィルタ等のように他の組み合わせで
あってもよい。
高域通過フィルタと低域通過フィルタの場合について説
明したが、例えば、帯域通過フィルタと帯域阻止フィル
タ、帯域通過フィルタと帯域通過フィルタ、帯域阻止フ
ィルタと帯域阻止フィルタ等のように他の組み合わせで
あってもよい。
【００４０】
【発明の効果】請求項１の高周波部品によれば、中心周
波数が異なる帯域を有する少なくとも２つのフィルタの
インダクタンス素子を構成する伝送線路を、複数層の伝
送線路導体で形成しているため、伝送線路の特性インピ
ーダンスが一定であれば、１層当たりの伝送線路導体の
長さを、従来よりも短くすることができる。したがっ
て、高周波部品の小型化を実現することができる。
波数が異なる帯域を有する少なくとも２つのフィルタの
インダクタンス素子を構成する伝送線路を、複数層の伝
送線路導体で形成しているため、伝送線路の特性インピ
ーダンスが一定であれば、１層当たりの伝送線路導体の
長さを、従来よりも短くすることができる。したがっ
て、高周波部品の小型化を実現することができる。
【００４１】また、誘電体層を介して隣り合う２つの伝
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向を同方向とすることができる。した
がって、誘電体層を介して隣り合う２つの伝送線路導体
の間隔を狭めることにより、隣り合う２つの伝送線路導
体間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピ
ーダンスを容易に得ることができる。
送線路導体を伝播する高周波信号の進行方向が互いに同
方向であるため、伝送線路導体のそれぞれの周囲に発生
する磁束の周回方向を同方向とすることができる。した
がって、誘電体層を介して隣り合う２つの伝送線路導体
の間隔を狭めることにより、隣り合う２つの伝送線路導
体間の結合を大きくすることができ、所望の特性インピ
ーダンスを容易に得ることができる。
【００４２】この結果、外部からの電磁界ノイズから伝
送線路を遮断するために、２つのグランド電極の間に伝
送線路を配置して構成しても、伝送線路とグランド電極
との間に発生する浮遊容量の影響による伝送線路の特性
インピーダンスの低下を補償して、伝送線路の特性イン
ピーダンスの高インピーダンス化を実現できる。これに
伴い、この高周波部品の挿入損失の低下及び帯域幅縮小
を抑えることができる。すなわち、周波数特性の優れた
高周波部品を実現することができる。
送線路を遮断するために、２つのグランド電極の間に伝
送線路を配置して構成しても、伝送線路とグランド電極
との間に発生する浮遊容量の影響による伝送線路の特性
インピーダンスの低下を補償して、伝送線路の特性イン
ピーダンスの高インピーダンス化を実現できる。これに
伴い、この高周波部品の挿入損失の低下及び帯域幅縮小
を抑えることができる。すなわち、周波数特性の優れた
高周波部品を実現することができる。
【００４３】請求項２の高周波部品によれば、低域通過
フィルタと高域通過フィルタとからなるため、各フィル
タを構成するインダクタンス素子及びキャパシタンス素
子の個数を少なくすることができる。したがって、高周
波部品をさらに小型化することができる。
フィルタと高域通過フィルタとからなるため、各フィル
タを構成するインダクタンス素子及びキャパシタンス素
子の個数を少なくすることができる。したがって、高周
波部品をさらに小型化することができる。
【図１】本発明に係る高周波部品の一実施例の回路図で
ある。
ある。
【図２】図１の高周波部品の透視斜視図である。
【図３】図２の高周波部品を構成する（ａ）第１の誘電
体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
【図４】図２の高周波部品を構成する（ａ）第９の誘電
体層〜（ｄ）第１２の誘電体層の上面図及び（ｅ）第１
２の誘電体層の下面図である。
体層〜（ｄ）第１２の誘電体層の上面図及び（ｅ）第１
２の誘電体層の下面図である。
【図５】図２の高周波部品を８００ＭＨｚと１．９ＧＨ
ｚのデュアルバンドに用いた場合の周波数特性を示す図
である。
ｚのデュアルバンドに用いた場合の周波数特性を示す図
である。
【図６】従来の高周波部品の一例を示す概略側面図であ
る。
る。
【図７】図６の高周波部品を構成する（ａ）第１の誘電
体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
体層〜（ｈ）第８の誘電体層の上面図である。
【図８】図６の高周波部品を構成する第９の誘電体層の
（ａ）上面図及び（ｂ）下面図である。
（ａ）上面図及び（ｂ）下面図である。
１０ 高周波部品 １０ａ 積層体 １１〜２２ 誘電体層 Ｃ１〜Ｃ５ キャパシタンス素子（コンデンサ） Ｆ１ 高域通過フィルタ（ＨＰＦ） Ｆ２ 低域通過フィルタ（ＬＰＦ） Ｌ１，Ｌ２ インダクタンス素子（伝送線路） Ｌ１１〜Ｌ１４ 伝送線路導体
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の誘電体層を積層してなる積層体
と、該積層体に内蔵されるとともに、中心周波数が異な
る帯域を有するインダクタンス素子及びキャパシタンス
素子からなる少なくとも２つのフィルタと、で構成され
る高周波部品であって、 前記フィルタを構成するインダクタンス素子が、複数の
伝送線路導体を前記積層体の積層方向に誘電体層を介し
て略対向させるとともに、前記複数の伝送線路導体のう
ち隣り合う２つの伝送線路導体を伝播する高周波信号の
進行方向が互いに同方向になるように電気的に直列接続
してなる少なくとも１つの伝送線路からなることを特徴
とする高周波部品。 - 【請求項２】 前記フィルタの組み合わせが、高域通過
フィルタと低域通過フィルタとであることを特徴とする
請求項１に記載の高周波部品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25530397A JPH1197962A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 高周波部品 |
| EP98117767A EP0903800A3 (en) | 1997-09-19 | 1998-09-18 | High-frequency component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25530397A JPH1197962A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 高周波部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197962A true JPH1197962A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17276911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25530397A Pending JPH1197962A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 高周波部品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0903800A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1197962A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003008383A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 積層高周波フィルタ |
| JP2005142689A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Hitachi Metals Ltd | 高周波部品 |
| JP2006311300A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
| WO2023127245A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置およびそれを搭載した高周波フロントエンド回路 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10064445A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-11 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement und Anordnung mit dem Bauelement |
| DE102004049684B4 (de) | 2004-10-12 | 2019-01-03 | Snaptrack, Inc. | Frontendmodul mit einem Antennenschalter |
| CN104393600A (zh) * | 2014-12-08 | 2015-03-04 | 上海坤友电气有限公司 | 三阶阻基波高通滤波装置及有该滤波装置的电力供电系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267909A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | アンテナ共用器 |
| US5404118A (en) * | 1992-07-27 | 1995-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band pass filter with resonator having spiral electrodes formed of coil electrodes on plurality of dielectric layers |
| JP3201005B2 (ja) * | 1992-08-31 | 2001-08-20 | 株式会社村田製作所 | デュプレクサ |
| EP0793289A1 (en) * | 1996-02-27 | 1997-09-03 | Hitachi Metals, Ltd. | Multilayered frequency separator |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP25530397A patent/JPH1197962A/ja active Pending
-
1998
- 1998-09-18 EP EP98117767A patent/EP0903800A3/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003008383A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 積層高周波フィルタ |
| JP2005142689A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Hitachi Metals Ltd | 高周波部品 |
| JP2006311300A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
| WO2023127245A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置およびそれを搭載した高周波フロントエンド回路 |
| JPWO2023127245A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0903800A3 (en) | 2000-04-19 |
| EP0903800A2 (en) | 1999-03-24 |
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