JP2008182009A - 金属用研磨液 - Google Patents

Abstract

【課題】迅速な化学的機械的研磨速度を有し、ディッシングが少なく平坦性が向上し、銅／タンタル選択性が向上した、ＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物と、酸化剤とを含有することを特徴とする金属用研磨液。下記式中、Ｒ^ａは水素原子、アミノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、またはこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。Ｒ^ｂは水素原子、アミノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、またはこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。Ｘは、硫黄原子または酸素原子を表す。

【選択図】なし

Description

本発明は、半導体デバイスの製造に用いる研磨液に関するものであり、特に半導体デバイスの配線工程における金属研磨用有機素材の製造方法およびそれを用いた金属用研磨液に関する。

半導体集積回路（以下ＬＳＩと記す）で代表される半導体デバイスの開発においては、高集積化・高速化のため、配線の微細化と積層化による高密度化・高集積化が求められている。このための技術として、絶縁性薄膜（ＳｉＯ_２など）や配線に用いられる金属薄膜を研磨し、基板の平滑化や配線形成時の余分な金属薄膜の除去を行う化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、以下ＣＭＰと記す）等の種々の術が用いられてきている。
ＣＭＰの一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨液で浸して、パッドに基盤（ウェハ）の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力（研磨圧力）を加えた状態で、研磨定盤及び基盤の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により基盤の表面を平坦化するものである。
ＣＭＰに用いる金属用研磨溶液は、一般には砥粒（例えばアルミナ、シリカ）と酸化剤（例えば過酸化水素、過硫酸）とを含むものであって、酸化剤によって金属表面を酸化し、その酸化皮膜を砥粒で除去することで研磨していると考えられている。

しかしながら、このような固体砥粒を含む金属用研磨液を用いてＣＭＰを行うと、研磨傷（スクラッチ）、研磨面全体が必要以上に研磨される現象（シニング）、研磨金属面が平面状ではなく、中央のみがより深く研磨されて皿状のくぼみを生ずる現象（ディッシング）、金属配線間の絶縁体が必要以上に研磨されたうえ、複数の配線金属面表面が皿状の凹部を形成する現象（エロージョン）などが発生することがある。
このような従来の固体砥粒における問題点を解決するために、砥粒を含まず、過酸化水素／リンゴ酸／ベンゾトリアゾール／ポリアクリル酸アンモニウムおよび水からなる金属用研磨液が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法によれば、半導体基体の凸部の金属膜が選択的にＣＭＰされ、凹部に金属膜が残されて所望の導体パターンが得られるものの、従来の固体砥粒を含むよりもはるかに機械的に柔らかい研磨パッドとの摩擦によってＣＭＰが進むため、十分な研磨速度が得難いという問題点を有している。

一方、更なる高性能化を目指し、配線用の金属として、従来汎用のタングステンやアルミニウムに代えて、配線抵抗の低い銅を用いたＬＳＩが開発されるようになった。高密度化を目指す配線の微細化に伴って、銅配線の導電性や電子マイギュレート耐性などの向上が必要となり、それに伴って高純度銅に銀などの第３成分を微量添加した銅合金を用いることも検討されはじめてきている。同時に、これらの高精細で高純度の材料を汚染させることなく高生産性を発揮し得る高速金属研磨手段が求められている。

また、最近は生産性向上のため、ＬＳＩ製造時のウェハ径を大型化しており、現在は直径２００ｍｍ以上が汎用されており、３００ｍｍ以上の大きさでの製造も開始され始めてきた。このような大型化に伴い、ウェハ中心部と周辺部とでの研磨速度の差が大きくなり、面内均一性に対する改善要求が強くなってきている。
銅及び銅合金に対して機械的研磨手段をもたない化学研磨方法としては、溶解作用のみによる化学研磨方法も知られている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、凸部の金属膜が選択的に化学的機械的に研磨されるＣＭＰに比べ、ディッシングなどの発生による問題が発生しやすく平坦性の確保が課題となっている。
その他にも研磨面の段差平坦化を目的として、研磨パッドの劣化を抑える化学機械研磨用水系分散体（例えば、特許文献３参照。）や、ウエハ表面を修正するのに有用なイミノジ酢酸とその塩から選ばれるキレート剤を含有する加工液（例えば、特許文献４参照。）、α−アミノ酸を含有する化学機械研磨組成物（例えば、特許文献５参照。）などが提案されている。
これらの技術により、銅配線における研磨性能の向上が見られるが、銅配線のバリア金属としてしばしば用いられるタンタルやその合金類は、銅に比較して硬質であるため、配線近傍の平滑化に際しては、銅／タンタル選択性を有する研磨液の実現が望まれているのが現状である。
特開２００１−１２７０１９公報 特開昭４９−１２２４３２号公報。 特開２００１−２７９２３１公報。 特表２００２−５３８２８４公報。 特開２００３−５０７８９４公報。

本発明は、ＬＳＩの生産性を高めるために、銅金属及び銅合金を原料とする配線のより迅速な研磨を実現するＣＭＰスラリーが求められているという背景に基づいて行なわれたものである。
したがって本発明の目的は、迅速な研磨速度を有し、且つ、研磨における銅／タンタル選択性が向上することで、ディッシングが少なく平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液を提供することにある。

上記の金属用研磨液に係る問題点について、本発明者は鋭意検討した結果、下記金属用研磨液を用いることによって問題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は下記の通りである。
＜１＞ 半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物と、酸化剤とを含有することを特徴とする金属用研磨液。

式中、Ｒ^ａは水素原子、アミノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、またはこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。Ｒ^ｂは水素原子、アミノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、またはこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。Ｘは、硫黄原子または酸素原子を表す。
＜２＞ 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする＜１＞に記載の金属用研磨液。

式中、Ｒ^ｃは水素原子、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。
＜３＞ 前記金属用研磨液が、半導体デバイスの化学的機械的平坦化において、主として銅配線の研磨に用いられることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の金属用研磨液。

半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いる研磨液として、本発明の金属用研磨液を使用することにより、化学的機械的研磨速度が向上し、且つ、研磨における銅／タンタル選択性が向上し、ディッシングの発生が少なく平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とすることができる。

本発明の金属用研磨液は、一般式（Ｉ）で表される化合物及び酸化剤を必須成分として含有し、所望によりその他の化合物を含むことを特徴とする。以下に一般式（Ｉ）で表される化合物について詳細に説明する。
〔一般式（Ｉ）で表される化合物〕

上記一般式（Ｉ）において、Ｘは酸素原子、硫黄原子を表し、硫黄原子が好ましい。
Ｒ^ａは水素原子；アミノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、及び、ヘテロ環基からなる群より選択される置換基；或いは、前記した置換基から選択される１以上を部分構造として含む置換基を表す。
ここで、Ｒ^ａがアルキル基を表す場合のアルキル基としては、例えば、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基が挙げられ、直鎖または分岐のプロピル基、直鎖または分岐のブチル基、直鎖または分岐のペンチル基、直鎖または分岐のヘキシル基が好ましく、特に、直鎖または分岐のブチル基、直鎖または分岐のペンチル基がより好ましい。

上記アルキル基は、更に置換基を有していてもよく、置換基としては例えば、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、アリール基、ヘテロ環基等が挙げられ、アリール基、ヘテロ環基がより好ましい。

また、Ｒ^ａがアリール基を表す場合のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ベンジル基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

アリール基には、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又はこれらの基を部分構造として含む置換基が導入されていてもよい。
また、一般式（Ｉ）のＲ^ａが表す「これらの基を部分構造として含む置換基」とは、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、アミノ基、及びヘテロ環基からなる群より選択される基を少なくとも１種以上含む置換基をいう。

本発明において、カルボキシ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、カルボキシ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、カルボキシブチル、カルボキシペンチル、カルボキシプロピル、カルボキシベンジル、カルボキシナフチルなどが好ましく、特に、カルボキシブチル、カルボキシベンジルがより好ましい。

ヒドロキシ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、ヒドロキシ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペンチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシベンジル、ヒドロキシナフチルが好ましく、特に、ヒドロキシブチル、ヒドロキシベンジルがより好ましい。

アミノ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、アミノ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、アミノ、アミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル、アミノペンチル、アミノベンジル、アミノナフチルが好ましく、特に、アミノブチル、アミノベンジルがより好ましい。

カルバモイル基を部分構造として含む置換基としては、例えば、カルバモイル基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、カルバモイルブチル、カルバモイルペンチル、カルバモイルプロピル、カルバモイルベンジル、カルバモイルナフチルが好ましく、特に、カルバモイルブチル、カルバモイルベンジルがより好ましい。

前記アリール基に置換基として導入しうるアルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のアルキル基や、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基が挙げられ、メチル、エチル、直鎖又は分岐のプロピル、直鎖又は分岐のブチルなどの炭素数１〜４程度の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、特に、メチル、エチルがより好ましい。
また、一般式（Ｉ）で表される化合物に導入しうる、アルキル基を部分構造として含む置換基としては、活性メチン基を含むアルキル基が挙げられる。

前記アルキル基又はアリール基に導入しうるアリール基及びアリール基を部分構造として含む置換基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ベンジル基、ナフチルメチル、アントラニルメチルなどが挙げられる。
上記アリール基は、置換基を有していてもよく、また、無置換であってもよいが、無置換である方が好ましい。

上記アリール基に導入しうる置換基として、具体的には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基であっても、活性メチン基を含んでもよい）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基（置換基を有するカルバモイル基としては、例えば、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、チオカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基）、カルバゾイル基、カルボキシ基又はその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基若しくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、Ｎ−ヒドロキシウレイド基、イミド基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキル若しくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、ヒドロキシアミノ基、ニトロ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、メルカプト基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）ジチオ基、（アルキル又はアリール）スルホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、スルホ基又はその塩、スルファモイル基（置換基を有するスルファモイル基としては、例えば、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基）又はその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子、アルキル基がより好ましい。
なお、これらの置換基は、ここに挙げられた置換基により更に置換されていてもよい。

なお、前記活性メチン基とは、２つの電子求引性基で置換されたメチン基を意味し、電子求引性基とは、例えば、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）を意味する。２つの電子求引性基は互いに結合して環状構造をとってもよい。
また、前記した置換基が塩の状態である場合の塩とは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、重金属などの陽イオンや、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオンなどの有機の陽イオンを意味する。

ヘテロ環基及びヘテロ環基を部分構造として含む置換基としては、例えば、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピロリニル、イミダゾリニル、ピリジル、ピラジル、チアジアゾリル、チアゾリル、トリアゾリル、インダゾリル、イミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾオキサゾリル、テトラゾリル、オキサゾリル、メチルピロリジニル、メチルイミダゾリジニル、メチルピロリニル、メチルイミダゾリニル、メチルピリジル、メチルピラジル、メチルチアジアゾリル、メチルチアゾリル、メチルトリアゾリル、メチルインダゾリル、メチルイミダゾリル、メチルベンゾチアゾリル、メチルベンゾイミダゾリル、メチルベンゾトリアゾリル、メチルベンゾオキサゾリル、メチルテトラゾリル、メチルオキサゾリルが挙げられ、ピリジルが好ましい。
上記ヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、また、無置換であってもよいが、無置換である方が好ましい。

上記ヘテロ環基に導入しうる置換基としては、前記アリール基に導入しうる置換基として挙げられていたものを適用することができるが、中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子、アルキル基がより好ましい。

Ｒ^ａが置換基を表す場合、これらの置換基の中でも、アルキル基が好ましい。
ここで、Ｒ^ａが前記例示された置換基のいずれかを表し、該置換基にさらに複数の置換基が導入される場合、導入される複数の置換基は同じものであっても、互いに異なるものであってもよい。また、複数の置換基が導入される場合、それらが互いに結合して環状構造をとってもよい。

Ｒ^ｂは水素原子；アミノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、及び、ヘテロ環基からなる群より選択される置換基；或いは、これらの置換基を部分構造として含む置換基を表す。

Ｒ^ｂがアルキル基を表す場合のアルキル基としては、例えば、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基が挙げられ、直鎖または分岐のプロピル基、直鎖または分岐のブチル基、直鎖または分岐のペンチル基、直鎖または分岐のヘキシル基が好ましく、特に、直鎖または分岐のブチル基、直鎖または分岐のペンチル基がより好ましい。

上記アルキル基は、更に置換基を有していてもよく、置換基としては例えば、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、アリール基、ヘテロ環基等が挙げられ、アリール基、ヘテロ環基がより好ましい。

Ｒ^ｂがアリール基を表す場合のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ベンジル基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基がより好ましく、フェニル基が特に好ましい。

また、前記アルキル基又はアリール基は、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又はこれらの基を部分構造として含む置換基が導入されていてもよい。
ここで、「これらの基を部分構造として含む置換基」とは、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、アミノ基、及びヘテロ環基からなる群より選択される基を少なくとも１種以上含む置換基をいう。

Ｒ^ｂが表す、カルボキシ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、カルボキシ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、カルボキシブチル、カルボキシペンチル、カルボキシプロピル、カルボキシベンジル、カルボキシナフチルなどが好ましく、特に、カルボキシブチル、カルボキシベンジルがより好ましい。

ヒドロキシ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、ヒドロキシ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、ヒドロキシ、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペンチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシベンジル、ヒドロキシナフチルが好ましく、特に、ヒドロキシ、ヒドロキシブチル、ヒドロキシベンジルがより好ましい。

アミノ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、アミノ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、アミノブチル、アミノペンチル、アミノプロピル、アミノベンジル、アミノナフチルが好ましく、特に、アミノブチル、アミノベンジルがより好ましい。

カルバモイル基を部分構造として含む置換基としては、例えば、カルバモイル基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、カルバモイルブチル、カルバモイルペンチル、カルバモイルプロピル、カルバモイルベンジル、カルバモイルナフチルが好ましく、特に、カルバモイルブチル、カルバモイルベンジルがより好ましい。

前記アルキル基又はアリール基に導入しうるアルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のアルキル基や、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基が挙げられ、メチル、エチル、直鎖又は分岐のプロピル、直鎖又は分岐のブチルなどの炭素数１〜４程度の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、特に、メチル、エチルがより好ましい。
また、一般式（Ｉ）で表される化合物に導入しうる、アルキル基を部分構造として含む置換基としては、活性メチン基を含むアルキル基が挙げられる。

前記アルキル基又はアリール基に導入しうるアリール基及びアリール基を部分構造として含む置換基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ベンジル基、ナフチルメチル、アントラニルメチルなどが挙げられる。
上記アリール基は、置換基を有していてもよく、また、無置換であってもよいが、無置換である方が好ましい。

上記アリール基に導入しうる置換基として、具体的には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基であっても、活性メチン基を含んでもよい）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基（置換基を有するカルバモイル基としては、例えば、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、チオカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基）、カルバゾイル基、カルボキシ基又はその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基若しくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、Ｎ−ヒドロキシウレイド基、イミド基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキル若しくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、ヒドロキシアミノ基、ニトロ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、メルカプト基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）ジチオ基、（アルキル又はアリール）スルホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、スルホ基又はその塩、スルファモイル基（置換基を有するスルファモイル基としては、例えば、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基）又はその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子、アルキル基がより好ましい。
なお、これらの置換基は、ここに挙げられた置換基により更に置換されていてもよい。

なお、Ｒ^ｂが示す置換基の説明における前記活性メチン基や塩は、Ｒ^ａにおいて説明したものと同義であり、好ましい範囲も同様である。

ヘテロ環基及びヘテロ環基を部分構造として含む置換基としては、例えば、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピロリニル、イミダゾリニル、ピリジル、ピラジル、チアジアゾリル、チアゾリル、トリアゾリル、インダゾリル、イミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾオキサゾリル、テトラゾリル、オキサゾリル、メチルピロリジニル、メチルイミダゾリジニル、メチルピロリニル、メチルイミダゾリニル、メチルピリジル、メチルピラジル、メチルチアジアゾリル、メチルチアゾリル、メチルトリアゾリル、メチルインダゾリル、メチルイミダゾリル、メチルベンゾチアゾリル、メチルベンゾイミダゾリル、メチルベンゾトリアゾリル、メチルベンゾオキサゾリル、メチルテトラゾリル、メチルオキサゾリルが挙げられ、ピリジルが好ましい。
上記ヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、また、無置換であってもよいが、無置換である方が好ましい。

上記ヘテロ環基に導入しうる置換基としては、前記アリール基に導入しうる置換基として挙げられていたものを適用することができるが、中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子、アルキル基がより好ましい。

一般式（Ｉ）におけるＲ^ｂが置換基を表す場合、前記置換基の中でも、アルキル基が好ましい。
ここで、Ｒ^ｂが置換基を表し、そこに複数の置換基が導入される場合、導入される置換基は同じものであっても、互いに異なるものであってもよい。
複数の置換基が導入される場合、それらが互いに結合して環状構造をとってもよい。
一般式（Ｉ）におけるＲ^ｂとしては、ヒドロキシル基又はアルキル基が好ましい。

以下、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例（例示化合物Ｏ−１〜Ｏ−１５、例示化合物Ａ−１〜Ａ−１５）を示すが、これらに限定されるものではない。

本発明に用いられる一般式（Ｉ）で表される化合物のより好ましい態様として、一般式（ＩＩ）で表される化合物が挙げられる。一般式（ＩＩ）で表される化合物は、一般式（Ｉ）におけるＸが酸素原子であり、Ｒ^ｂがヒドロキシル基である化合物に包含される。以下、一般式（ＩＩ）で表される化合物について詳細に説明する。

一般式（ＩＩ）中、Ｒ^ｃは水素原子、又は、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、及びヘテロ環基から選択される置換基、或いは、該置換基を部分構造として含む置換基を表す。
Ｒ^ｃがアルキル基を表す場合のアルキル基としては、例えば、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基が挙げられ、直鎖または分岐のプロピル基、直鎖または分岐のブチル基、直鎖または分岐のペンチル基、直鎖または分岐のヘキシル基が好ましく、特に、直鎖または分岐のブチル基、直鎖または分岐のペンチル基がより好ましい。

上記アルキル基は、更に置換基を有していてもよく、置換基としては例えば、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、アリール基、ヘテロ環基等が挙げられ、アリール基、ヘテロ環基がより好ましい。

Ｒ^ｃがアリール基を表す場合のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ベンジル基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基がより好ましく、フェニル基が特に好ましい。

また、前記アルキル基又はアリール基は、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又はこれらの基を部分構造として含む置換基が導入されていてもよい。
ここで、「これらの基を部分構造として含む置換基」とは、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、アミノ基、及びヘテロ環基からなる群より選択される基を少なくとも１種以上含む置換基をいう。

本発明において、カルボキシ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、カルボキシ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、カルボキシブチル、カルボキシペンチル、カルボキシプロピル、カルボキシベンジル、カルボキシナフチルなどが好ましく、特に、カルボキシブチル、カルボキシベンジルがより好ましい。

ヒドロキシ基を部分構造として含む置換基としては、例えば、ヒドロキシ基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペンチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシベンジル、ヒドロキシナフチルが好ましく、特に、ヒドロキシブチル、ヒドロキシベンジルがより好ましい。

カルバモイル基を部分構造として含む置換基としては、例えば、カルバモイル基を少なくとも１つ有するアルキル基、アリール基などが挙げられる。中でも、カルバモイルブチル、カルバモイルペンチル、カルバモイルプロピル、カルバモイルベンジル、カルバモイルナフチルが好ましく、特に、カルバモイルブチル、カルバモイルベンジルがより好ましい。

前記アルキル基又はアリール基に導入しうるアルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のアルキル基や、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基が挙げられ、メチル、エチル、直鎖又は分岐のプロピル、直鎖又は分岐のブチルなどの炭素数１〜４程度の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましく、特に、メチル、エチルがより好ましい。
また、一般式（ＩＩ）で表される化合物に導入しうる、アルキル基を部分構造として含む置換基としては、活性メチン基を含むアルキル基が挙げられる。

前記アルキル基又はアリール基に導入しうるアリール基及びアリール基を部分構造として含む置換基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ベンジル基、ナフチルメチル、アントラニルメチルなどが挙げられる。
上記アリール基は、置換基を有していてもよく、また、無置換であってもよいが、無置換である方が好ましい。

上記アリール基に導入しうる置換基として、具体的には、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、ビシクロアルキル基のように多環アルキル基であっても、活性メチン基を含んでもよい）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基（置換基を有するカルバモイル基としては、例えば、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、チオカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基）、カルバゾイル基、カルボキシ基又はその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Ｃａｒｂｏｎｉｍｉｄｏｙｌ基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基若しくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、Ｎ−ヒドロキシウレイド基、イミド基、（アルコキシ若しくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキル若しくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、ヒドロキシアミノ基、ニトロ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えば、ピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、メルカプト基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）チオ基、（アルキル、アリール、又はヘテロ環）ジチオ基、（アルキル又はアリール）スルホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、スルホ基又はその塩、スルファモイル基（置換基を有するスルファモイル基としては、例えば、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基）又はその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子、アルキル基がより好ましい。
なお、これらの置換基は、ここに挙げられた置換基により更に置換されていてもよい。

なお、Ｒ^ｃが示す置換基の説明における前記活性メチン基や塩は、Ｒ^ａにおいて説明したものと同義であり、好ましい範囲も同様である。
の陽イオンを意味する。

ヘテロ環基及びヘテロ環基を部分構造として含む置換基としては、例えば、ピロリジニル、イミダゾリジニル、ピロリニル、イミダゾリニル、ピリジル、ピラジル、チアジアゾリル、チアゾリル、トリアゾリル、インダゾリル、イミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾオキサゾリル、テトラゾリル、オキサゾリル、メチルピロリジニル、メチルイミダゾリジニル、メチルピロリニル、メチルイミダゾリニル、メチルピリジル、メチルピラジル、メチルチアジアゾリル、メチルチアゾリル、メチルトリアゾリル、メチルインダゾリル、メチルイミダゾリル、メチルベンゾチアゾリル、メチルベンゾイミダゾリル、メチルベンゾトリアゾリル、メチルベンゾオキサゾリル、メチルテトラゾリル、メチルオキサゾリルが挙げられ、ピリジルが好ましい。
上記ヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、また、無置換であってもよいが、無置換である方が好ましい。

上記ヘテロ環基に導入しうる置換基としては、前記アリール基に導入しうる置換基として挙げられていたものを適用することができるが、中でも、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシ基、アルコキシ基が好ましく、ハロゲン原子、アルキル基がより好ましい。

これらの置換基の中でも、アルキル基が好ましい。
ここで、複数の置換基が導入される場合、それらは同じものであっても、互いに異なるものであってもよい。
複数の置換基が導入される場合、それらが互いに結合して環状構造をとってもよい。

以下、一般式（ＩＩ）で表される化合物の具体例（例示化合物Ａ−１〜Ａ−１５）を示すが、これらに限定されるものではない。

一般式（Ｉ）で表される化合物は、市販品としても入手可能である。例えば、例示化合物Ｏ−１はＲａｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から、例示化合物Ｏ−２はＴｉｍｅｔｅｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社からそれぞれ市販品として提供されている。また、より好ましい態様である一般式（ＩＩ）で表される化合物は、市販品を購入することもできるし、ジャーナル オブ オーガニック ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）、２１，３２，３５（１９５０年）の記載を参考にして合成することもできる。すなわち、対応する任意のローダニン化合物をアルコールと水の混合溶媒中、加水分解することで得られる。

本発明の金属用研磨液において、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本発明の金属用研磨液に含まれる一般式（Ｉ）で表される化合物の添加量は、総量として、研磨に使用する際の金属用研磨液（即ち、水または水溶液で希釈する場合は希釈後の研磨液。以降の「研磨に使用する際の研磨液」も同義である。）の１Ｌ中、好ましくは０．００００１〜１ｍｏｌであり、より好ましくは０．０００１〜０．５ｍｏｌであり、更に好ましくは０．０００１〜０．１ｍｏｌの範囲である。

本発明の金属用研磨液は、構成成分として前記本発明の化合物の少なくとも１種と後述する酸化剤と、溶媒／分散媒とを含有する他は、その処方に特に制限はなく、本発明の効果を損なわない限りにおいては、公知の金属用研磨液に用いられる化合物を目的に応じて選択して用いることができるが、有機酸（例えばアミノ酸誘導体、カルボン酸誘導体）を含有することが好ましい。
一般に金属用研磨液には、酸化剤、不動態膜形成剤、有機酸、砥粒が含まれるが、本発明においては必ずしも砥粒を入れなくてもよい。本発明の金属用研磨液は、さらに他の成分を含有してもよく、好ましい成分としては例えば芳香環を有する化合物、界面活性剤、水溶性ポリマー、及び各種添加剤を挙げることができる。金属用研磨液には、各成分を２種以上添加してもよい。

本発明における「金属用研磨液」は、研磨に使用する際の研磨液（即ち、必要により希釈された研磨液）のみならず、金属用研磨液の濃縮液を含んでいる。濃縮液または濃縮された研磨液とは、研磨に使用する際の研磨液よりも、溶質の濃度が高く調製された研磨液を意味し、研磨に使用する際に、水または水溶液などで希釈して、研磨に使用されるものである。希釈倍率は、一般的には１〜２０体積倍である。本明細書において「濃縮」及び「濃縮液」とは、使用状態よりも「濃厚」及び「濃厚な液」を意味する慣用表現にしたがって用いており、蒸発などの物理的な濃縮操作を伴う一般的な用語の意味とは異なる用法で用いている。

なお、金属用研磨液の濃縮液作製時に添加する成分の内、室温での水に対する溶解度が５質量％未満のものの配合量は、濃縮液を５℃に冷却した際の析出を防止する点で、室温での水に対する溶解度の２倍以内とすることが好ましく、１．５倍以内とすることがより好ましい。
なお、本明細書において「濃縮」及び「濃縮液」とは、使用状態よりも「濃厚」及び「濃厚な液」を意味する慣用表現にしたがって用いており、蒸発などの物理的な濃縮操作を伴う一般的な用語の意味とは異なる用法で用いている。

以下、本発明の金属研磨液に用いうる前記一般式（Ｉ）で表される化合物以外の構成成分について説明する。
〔酸化剤〕
本発明の金属用研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物（酸化剤）を含有する。酸化剤としては、例．えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水および銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩が挙げられる。

鉄（ＩＩＩ）塩としては例えば、硝酸鉄（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）など無機の鉄（ＩＩＩ）塩の他、鉄（ＩＩＩ）の有機錯塩が好ましく用いられる。

鉄（ＩＩＩ）の有機錯塩を用いる場合、鉄（ＩＩＩ）錯塩を構成する錯形成化合物としては、例えば、酢酸、クエン酸、シュウ酸、サリチル酸、ジエチルジチオカルバミン酸、コハク酸、酒石酸、グリコール酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、チオグリコール酸、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，２−エタンジチオール、マロン酸、グルタル酸、３−ヒドロキシ酪酸、プロピオン酸、フタル酸、イソフタル酸、３−ヒドロキシサリチル酸、３，５−ジヒドロキシサリチル酸、没食子酸、安息香酸、マレイン酸などやこれらの塩の他、アミノポリカルボン酸及びその塩が挙げられる。

アミノポリカルボン酸及びその塩としては、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、１，３−ジアミノプロパン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、１，２−ジアミノプロパン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸（ラセミ体）、エチレンジアミンジコハク酸（ＳＳ体）、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、Ｎ−（カルボキシメチル）−Ｌ−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、メチルイミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸、イミノジ酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミン１−Ｎ，Ｎ’−ジ酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸など及びその塩が挙げられる。対塩の種類は、アルカリ金属塩及びアンモニウム塩が好ましく、特にはアンモニウム塩が好ましい。
中でも、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水が好ましい。

酸化剤の添加量は、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．００３ｍｏｌ〜８ｍｏｌとすることが好ましく、０．０３ｍｏｌ〜６ｍｏｌとすることがより好ましく、０．１ｍｏｌ〜４ｍｏｌとすることが特に好ましい。即ち、酸化剤の添加量は、金属の酸化が十分で高いＣＭＰ速度を確保する点で０．００３ｍｏｌ以上が好ましく、研磨面の荒れ防止の点から８ｍｏｌ以下が好ましい。

〔有機酸〕
本発明の研磨液には、有機酸を併用することが好ましい。ここでいう有機酸とは、金属を酸化するための酸化剤とは構造が異なる化合物であり、前述の酸化剤として機能する酸を包含するものではない。
有機酸としては、以下の群から選ばれたものが適している。ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、およびアミノ酸類（アミノ酸類には、１級、２級、３級のアミノ酸およびアミノポリカルボン酸類が包含され、本発明においては水溶性のものが好ましい。例えばグリシン、Ｌ−アラニン、β−アラニン、Ｌ−２−アミノ酪酸、Ｌ−ノルバリン、Ｌ−バリン、Ｌ−ロイシン、Ｌ−ノルロイシン、Ｌ−イソロイシン、Ｌ−アロイソロイシン、Ｌ−フェニルアラニン、Ｌ−プロリン、サルコシン、Ｌ−オルニチン、Ｌ−リシン、タウリン、Ｌ−セリン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−アロトレオニン、Ｌ−ホモセリン、Ｌ−チロシン、３，５−ジヨード−Ｌ−チロシン、β−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−Ｌ−アラニン、Ｌ−チロキシン、４−ヒドロキシ−Ｌ−プロリン、Ｌ−システィン、Ｌ−メチオニン、Ｌ−エチオニン、Ｌ−ランチオニン、Ｌ−シスタチオニン、Ｌ−シスチン、Ｌ−システィン酸、Ｌ−アスパラギン酸、Ｌ−グルタミン酸、Ｓ−（カルボキシメチル）−Ｌ−システィン、４−アミノ酪酸、Ｌ−アスパラギン、Ｌ−グルタミン、アザセリン、Ｌ−アルギニン、Ｌ−カナバニン、Ｌ−シトルリン、δ−ヒドロキシ−Ｌ−リシン、クレアチン、Ｌ−キヌレニン、Ｌ−ヒスチジン、１−メチル−Ｌ−ヒスチジン、３−メチル−Ｌ−ヒスチジン、エルゴチオネイン、Ｌ−トリプトファン、アクチノマイシンＣ１、アパミン、アンギオテンシンＩ、アンギオテンシンＩＩ及びアンチパインが挙げられる。）、以下に示す一般式（１）で表される化合物、一般式（２）で表される化合物及びそれらのアンモニウム塩やアルカリ金属塩等が挙げられる。

上記一般式（１）中、Ｒ^１は、単結合、アルキレン基、又はフェニレン基を表す。Ｒ^２及びＲ^３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又はアリール基を表す。Ｒ^４及びＲ^５は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキル基、又はアシル基を表す。但し、Ｒ^１が単結合のとき、Ｒ^４及びＲ^５の少なくともいずれかは水素原子ではない。

一般式（１）におけるＲ^１としてのアルキレン基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチレン基、エチレン基を挙げることができる。アルキレン基が有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子などを挙げることができる。

Ｒ^２及びＲ^３としてのアルキル基は、好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチル基、プロピル基などを挙げることができる。Ｒ^２及びＲ^３としてのシクロアルキル基は、好ましくは炭素数５〜１５であり、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基を挙げることができる。Ｒ^２及びＲ^３としてのアルケニル基は、好ましくは炭素数２〜９であり、例えば、ビニル基、プロペニル基、アリル基を挙げることができる。Ｒ^２及びＲ^３としてのアルキニル基は、好ましくは炭素数２〜９であり、例えば、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基を挙げることができる。

Ｒ^２及びＲ^３としてのアリール基は、好ましくは炭素数６〜１５であり、例えばフェニル基を挙げることができる。これらの基におけるアルキレン鎖中には、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有していてもよい。Ｒ^２及びＲ^３としての各基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、芳香環（好ましくは炭素数３〜１５）、カルボキシル基、アミノ基などを挙げることができる。

Ｒ^４及びＲ^５としてのアルキル基は、好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。アシル基は、好ましくは炭素数２〜９であり、例えば、メチルカルボニル基を挙げることができる。Ｒ^４及びＲ^５としての各基が有してもよい置換基としては、水酸基、アミノ基、ハロゲン原子を挙げることができる。

一般式（１）において、Ｒ^４及びＲ^５のいずれか一方は水素原子でないことが好ましい。

また、一般式（１）において、Ｒ^１が単結合、Ｒ^２及びＲ^４が水素原子であることが特に好ましい。この場合、Ｒ^３は、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又はアリール基を表すが、特に水素原子、アルキル基が好ましい。Ｒ^５は、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキル基、又はアシル基を表すが、特にはアルキル基が好ましい。Ｒ^３としてのアルキル基が有してもよい置換基として、水酸基、カルボキシル基又はアミノ基が好ましい。Ｒ^５としてのアルキル基が有してもよい置換基として、水酸基又はアミノ基が好ましい。

上記一般式（２）中、Ｒ^６は単結合、アルキレン基、又はフェニレン基を表す。Ｒ^７及びＲ^８は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又はアリール基を表す。Ｒ^９は、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、又はアルキル基を表す。Ｒ^１０はアルキレン基を表す。但し、Ｒ^１０が−ＣＨ_２−のとき、Ｒ^６は単結合ではないか、Ｒ^９が水素原子ではないかの少なくともいずれかである。

一般式（２）におけるＲ^６及びＲ^１０としてのアルキレン基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチレン基、エチレン基を挙げることができる。アルキレン基及びフェニレン基が有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子などを挙げることができる。

Ｒ^７及びＲ^８としてのアルキル基は、好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチル基、プロピル基などを挙げることができる。Ｒ^７及びＲ^８としてのシクロアルキル基は、好ましくは炭素数５〜１５であり、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基を挙げることができる。Ｒ^７及びＲ^８としてのアルケニル基は、好ましくは炭素数２〜９であり、例えば、ビニル基、プロペニル基、アリル基を挙げることができる。Ｒ^７及びＲ^８としてのアルキニル基は、好ましくは炭素数２〜９であり、例えば、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基を挙げることができる。

Ｒ^７及びＲ^８としてのアリール基は、好ましくは炭素数６〜１５であり、例えばフェニル基を挙げることができる。これらの基におけるアルキレン鎖中には、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有していてもよい。Ｒ^７及びＲ^８としての各基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、芳香環（好ましくは炭素数３〜１５）などを挙げることができる。

Ｒ^９としてのアルキル基は、好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。Ｒ^９としてのアシル基は、好ましくは炭素数２〜９であり、例えば、メチルカルボニル基を挙げることができる。これらの基におけるアルキレン鎖中には、酸素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有していてもよい。Ｒ^９としての各基が有してもよい置換基としては、水酸基、アミノ基、ハロゲン原子、カルボキシル基を挙げることができる。
一般式（２）において、Ｒ^９は水素原子でないことが好ましい。

以下に、一般式（１）又は一般式（２）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定するものではない。

一般式（１）または（２）で表される化合物は、公知の方法により合成できるが、市販のものを用いてもよい。

特に有機酸としては、一般式（１）で表される化合物および一般式（２）で表される化合物を含むアミノ酸誘導体が、実用的なＣＭＰ速度を維持しつつ、エッチング速度を効果的に抑制できるという点で好ましい。

有機酸の添加量は、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００５〜０．５ｍｏｌとすることが好ましく、０．００５ｍｏｌ〜０．３ｍｏｌとすることがより好ましく、０．０１ｍｏｌ〜０．１ｍｏｌとすることが特に好ましい。即ち、酸の添加量は、エッチングの抑制の点から０．５ｍｏｌ以下が好ましく、充分な効果を得る上で０．０００５ｍｏｌ以上が好ましい。

〔無機酸〕
本発明の研磨液は更に無機酸を含有することができる。ここでの酸は、酸化の促進、ｐＨ調整、緩衝剤としての作用を有する。無機酸としては、過塩素酸、硫酸、硝酸、ホウ酸などが挙げられ、無機酸の中では硝酸が好ましい。
酸の添加量は、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００５〜０．５ｍｏｌとすることが好ましく、０．００５ｍｏｌ〜０．３ｍｏｌとすることがより好ましく、０．０１ｍｏｌ〜０．１ｍｏｌとすることが特に好ましい。即ち、酸の添加量は、エッチングの抑制の点から０．５ｍｏｌ以下が好ましく、充分な効果を得る上で０．０００５ｍｏｌ以上が好ましい。

〔不動態膜形成剤〕
また、本発明における金属用研磨液には、一般式（Ｉ）で表される化合物以外に、酸化剤の劣化を抑制し、且つ、金属表面に不動態膜を形成し、研磨速度を制御する不動態膜形成剤としての機能を有する化合物、具体的には、芳香環を有する化合物を併用してもよい。
不動態膜形成剤として有用な芳香環を有する化合物とは、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香環を有する、好ましくは分子量２０〜６００の化合物であり、例えば、テトラゾール類及びその誘導体またはアントラニル酸類及びその誘導体、アミノトルイル酸、キナルジン酸、以下のようなアゾール類が挙げられる。

芳香環を有する化合物としてのアゾール類は、ベンズイミダゾール−２−チオール、２−［２−（ベンゾチアゾリル）］チオプロピオン酸、２−［２−（ベンゾチアゾリル）］チオブチル酸、２−メルカプトベンゾチアゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３−ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−カルボキシル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−メトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−ブトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−オクチルオキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−ヘキシルベンゾトリアゾール、Ｎ−（１，２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル）−Ｎ−（１，２，４−トリアゾリル−１−メチル）−２−エチルヘキシルアミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス［（１−ベンゾトリアゾリル）メチル］ホスホン酸、テトラゾール、テトラゾール酢酸、テトラゾールカルボン酸、テトラゾールプロピオン酸、フェニルテトラゾール、メチルテトラゾール等が挙げられ、ベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−カルボキシル−１Ｈ−ベンゾトリアゾールブチルエステル、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾールテトラゾール、テトラゾール酢酸、テトラゾールカルボン酸、テトラゾールプロピオン酸、フェニルテトラゾール、メチルテトラゾールが高いＣＭＰ速度と低いエッチング速度を両立する上で好ましい。

不動態膜形成剤（芳香環を有する化合物）の添加量は、総量として、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００１〜１．０ｍｏｌが好ましく、より好ましくは０．００１〜０．５ｍｏｌ、更に好ましくは０．０１〜０．１ｍｏｌである。
すなわち、芳香環を有する化合物の添加量は、酸化剤及びこれらの化合物の劣化（無効化、分解）防止の点から研磨に使用する際の研磨液１Ｌ中１．０ｍｏｌ以下が好ましく、充分な効果を得る上で０．０００１ｍｏｌ以上が好ましい。
なお、芳香環を有する化合物の添加量よりも少ない添加量で、チオシアン酸塩、チオエーテル類、チオ硫酸塩又はメソイオン化合物を併用してもよい。

〔キレート剤〕
本発明の金属用研磨液は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤（すなわち硬水軟化剤）を含有することが好ましい。
キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物であり、例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、Ｎ，Ｎ′−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジ酢酸、１，２−ジヒドロキシベンゼン−４，６−ジスルホン酸等が挙げられる。

キレート剤は必要に応じて２種以上併用してもよい。キレート剤の添加量は混入する多価金属イオンなどの金属イオンを封鎖するのに充分な量であればよく、例えば、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００３ｍｏｌ〜０．０７ｍｏｌになるように添加する。

〔添加剤〕
また、本発明の金属用研磨液には以下の添加剤を用いることが好ましい。アンモニア；ジメチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、プロピレンジアミン等のアルキルアミンや、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム及びキトサン等のアミン；ジチゾン、クプロイン（２，２’−ビキノリン）、ネオクプロイン（２，９−ジメチル−１，１０−フェナントロリン）、バソクプロイン（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）及びキュペラゾン（ビスシクロヘキサノンオキサリルヒドラゾン）等のイミン；ノニルメルカプタン、ドデシルメルカプタン、トリアジンチオール、トリアジンジチオール、トリアジントリチオール等のメルカプタン、その他、アントラニル酸、アミノトルイル酸、キナルジン酸などが挙げられる。これらの中でもキトサン、Ｌ−トリプトファン、キュペラゾン、トリアジンジチオールが高いＣＭＰ速度と低いエッチング速度を両立する上で好ましい。

これら添加剤の添加量は、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．０００１ｍｏｌ〜０．５ｍｏｌとすることが好ましく０．００１ｍｏｌ〜０．２ｍｏｌとすることがより好ましく、０．００５ｍｏｌ〜０．１ｍｏｌとすることが特に好ましい。即ち、添加剤の添加量は、エッチング抑制の点から０．０００１ｍｏｌ以上が好ましく、ＣＭＰ速度低下防止の点から０．５ｍｏｌ以下が好ましい。

〔界面活性剤及び／又は親水性ポリマー〕
本発明の金属用研磨液は、界面活性剤及び／又は親水性ポリマーを含有することが好ましい。界面活性剤と親水性ポリマーは、いずれも被研磨面の接触角を低下させる作用を有して、均一な研磨を促す作用を有する。用いられる界面活性剤及び／又は親水性ポリマーとしては、以下の群から選ばれたものが好適である。
（界面活性剤）
陰イオン界面活性剤として、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル塩が挙げられ、カルボン酸塩として、石鹸、Ｎ−アシルアミノ酸塩、ポリオキシエチレンまたはポリオキシプロピレンアルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド；スルホン酸塩として、アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼン及びアルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、Ｎ−アシルスルホン酸塩；硫酸エステル塩として、硫酸化油、アルキル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテル硫酸塩、アルキルアミド硫酸塩；リン酸エステル塩として、アルキルリン酸塩、ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテルリン酸塩を挙げることができる。

陽イオン界面活性剤として、脂肪族アミン塩、脂肪族４級アンモニウム塩、塩化ベンザルコニウム塩、塩化ベンゼトニウム、ピリジニウム塩、イミダゾリニウム塩；両性界面活性剤として、カルボキシベタイン型、アミノカルボン酸塩、イミダゾリニウムベタイン、レシチン、アルキルアミンオキサイドを挙げることができる。
非イオン界面活性剤として、エーテル型、エーテルエステル型、エステル型、含窒素型が挙げられ、エーテル型として、ポリオキシエチレンアルキルおよびアルキルフェニルエーテル、アルキルアリルホルムアルデヒド縮合ポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルが挙げられ、エーテルエステル型として、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソルビタンエステルのポリオキシエチレンエーテル、ソルビトールエステルのポリオキシエチレンエーテル、エステル型として、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ポリグリセリンエステル、ソルビタンエステル、プロピレングリコールエステル、ショ糖エステル、含窒素型として、脂肪酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルアミド等が例示される。また、フッ素系界面活性剤などが挙げられる。

さらに、その他の界面活性剤、親水性化合物、親水性ポリマー等としては、グリセリンエステル、ソルビタンエステル、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸、３−エトキシプロピオン酸及びアラニンエチルエステル等のエステル；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレングリコールアルケニルエーテル、アルキルポリエチレングリコール、アルキルポリエチレングリコールアルキルエーテル、アルキルポリエチレングリコールアルケニルエーテル、アルケニルポリエチレングリコール、アルケニルポリエチレングリコールアルキルエーテル、アルケニルポリエチレングリコールアルケニルエーテル、ポリプロピレングリコールアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールアルケニルエーテル、アルキルポリプロピレングリコール、アルキルポリプロピレングリコールアルキルエーテル、アルキルポリプロピレングリコールアルケニルエーテル、アルケニルポリプロピレングリコール、アルケニルポリプロピレングリコールアルキルエーテル及びアルケニルポリプロピレングリコールアルケニルエーテル等のエーテル；アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、カードラン及びプルラン等の多糖類；

グリシンアンモニウム塩及びグリシンナトリウム塩等のアミノ酸塩；ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ−スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩；ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマ；メチルタウリン酸アンモニウム塩、メチルタウリン酸ナトリウム塩、硫酸メチルナトリウム塩、硫酸エチルアンモニウム塩、硫酸ブチルアンモニウム塩、ビニルスルホン酸ナトリウム塩、１−アリルスルホン酸ナトリウム塩、２−アリルスルホン酸ナトリウム塩、メトキシメチルスルホン酸ナトリウム塩、エトキシメチルスルホン酸アンモニウム塩、３−エトキシプロピルスルホン酸ナトリウム塩、メトキシメチルスルホン酸ナトリウム塩、エトキシメチルスルホン酸アンモニウム塩、３−エトキシプロピルスルホン酸ナトリウム塩及びスルホコハク酸ナトリウム塩等のスルホン酸及びその塩；プロピオンアミド、アクリルアミド、メチル尿素、ニコチンアミド、コハク酸アミド及びスルファニルアミド等のアミド等が挙げられる。

但し、適用する基体が半導体集積回路用シリコン基板などの場合はアルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、酸もしくはそのアンモニウム塩が望ましい。基体がガラス基板等である場合はその限りではない。上記例示化合物の中でもシクロヘキサノール、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリビニルアルコール、コハク酸アミド、ポロビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマーがより好ましい。

界面活性剤及び／又は親水性ポリマーの添加量は、総量として、研磨に使用する際の金属用研磨液の１Ｌ中、０．００１〜１０ｇとすることが好ましく、０．０１〜５ｇとすることがより好ましく０．１〜３ｇとすることが特に好ましい。即ち、界面活性剤及び／又は親水性ポリマーの添加量は、充分な効果を得る上で、０．００１ｇ以上が好ましく、ＣＭＰ速度の低下防止の点から１０ｇ以下が好ましい。また、これらの界面活性剤及び／又は親水性ポリマーの重量平均分子量としては、５００〜１０００００が好ましく、特には２０００〜５００００が好ましい。

〔アルカリ剤及び緩衝剤〕
本発明の研磨液は、必要に応じて、ｐＨ調整のためにアルカリ剤、さらにはｐＨの変動抑制の点から緩衝剤を含有することができる。

アルカリ剤及び緩衝剤としては、水酸化アンモニウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドなどの有機水酸化アンモニウム、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどのようなアルカノールアミン類などの非金属アルカリ剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩、グリシル塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン塩、ロイシン塩、ノルロイシン塩、グアニン塩、３，４−ジヒドロキシフェニルアラニン塩、アラニン塩、アミノ酪酸塩、２−アミノ−２−メチル−１，３−プロパンジオール塩、バリン塩、プロリン塩、トリスヒドロキシアミノメタン塩、リシン塩などを用いることができる。

アルカリ剤及び緩衝剤の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸二カリウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、四ホウ酸ナトリウム（ホウ砂）、四ホウ酸カリウム、ｏ−ヒドロキシ安息香酸ナトリウム（サリチル酸ナトリウム）、ｏ−ヒドロキシ安息香酸カリウム、５−スルホ−２−ヒドロキシ安息香酸ナトリウム（５−スルホサリチル酸ナトリウム）、５−スルホ−２−ヒドロキシ安息香酸カリウム（５−スルホサリチル酸カリウム）、水酸化アンモニウムなどを挙げることができる。
特に好ましいアルカリ剤として水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドである。

アルカリ剤及び緩衝剤の添加量としては、ｐＨが好ましい範囲に維持される量であればよく、研磨に使用する際の研磨液の１Ｌ中、０．０００１ｍｏｌ〜１．０ｍｏｌとすることが好ましく、０．００３ｍｏｌ〜０．５ｍｏｌとすることがより好ましい。
研磨に使用する際の研磨液のｐＨは２〜１４が好ましく、３〜１２がより好ましく、３．５〜８が最も好ましい。この範囲において本発明の金属液は特に優れた効果を発揮する。

本発明においては、研磨面への吸着性や反応性、研磨金属の溶解性、被研磨面の電気化学的性質、化合物官能基の解離状態、液としての安定性などにより、適時化合物種、添加量やｐＨを設定することが好ましい。

〔砥粒〕
本発明の金属用研磨液は砥粒を含有する。好ましい砥粒としては、例えば、シリカ（沈降シリカ、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、合成シリカ）、セリア、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、酸化マンガン、炭化ケイ素、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリテレフタレートなどが挙げられる。
また、砥粒は平均粒径が５〜１０００ｎｍが好ましく、特には１０〜２００ｎｍが好ましい。
砥粒の添加量としては、砥粒は、使用する際の金属用研磨液の全質量に対して０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．０５〜５質量％の範囲であることがより好ましい。研磨速度の向上とウエハ面内の研磨速度のばらつきの低減における充分な効果を得る上で０．０１質量％以上が好ましく、ＣＭＰによる研磨速度が飽和するため、２０質量％以下が好ましい。

〔配線金属原材料〕
本発明においては、研磨する対象である半導体が、銅金属及び／又は銅合金からなる配線を持つＬＳＩであることが好ましく、特には銅合金が好ましい。更には、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。銅合金に含有される銀含量は、４０質量％以下が好ましく、特には１０質量％以下、さらには１質量％以下が好ましく、０．００００１〜０．１質量％の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。

〔配線の太さ〕
本発明においては、研磨する対象である半導体が、例えばＤＲＡＭデバイス系ではハーフピッチで０．１５μｍ以下で特には０．１０μｍ以下、更には０．０８μｍ以下、一方、ＭＰＵデバイス系では０．１２μｍ以下で特には０．０９μｍ以下、更には０．０７μｍ以下の配線を持つＬＳＩであることが好ましい。これらのＬＳＩに対して、本発明の研磨液は特に優れた効果を発揮する。

〔バリア金属〕
本発明においては、半導体が銅金属及び／または銅合金からなる配線と層間絶縁膜との間に、銅の拡散を防ぐ為のバリア層を設けることが好ましい。バリア層としては低抵抗のメタル材料がよく、特にはＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｗ、ＷＮが好ましく、中でもＴａ、ＴａＮが特に好ましい。

〔研磨方法〕
金属用研磨液は、濃縮液であって使用する際に水を加えて希釈して使用液とする場合、または、各成分が次項に述べる水溶液の形態でこれらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、あるいは使用液として調製されている場合がある。本発明の金属用研磨液を用いた研磨方法は、いずれの場合にも適用でき、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する研磨方法である。
研磨する装置としては、被研磨面を有する半導体基板等を保持するホルダーと研磨パッドを貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）研磨定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は基板が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましい。被研磨面（被研磨膜）を有する半導体基板の研磨パッドへの押しつけ圧力は、５〜５００ｇ／ｃｍ^２であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、１２〜２４０ｇ／ｃｍ^２であることがより好ましい。

研磨している間、研磨パッドには金属用研磨液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄した後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。本発明の研磨方法では、希釈する水溶液は、次ぎに述べる水溶液と同じである。水溶液は、予め酸化剤、酸、添加剤、界面活性剤のうち少なくとも１つ以上を含有した水で、水溶液中に含有した成分と希釈される金属用研磨液の成分を合計した成分が、金属用研磨液を使用して研磨する際の成分となるようにする。水溶液で希釈して使用する場合は、溶解しにくい成分を水溶液の形で配合することができ、より濃縮した金属用研磨液を調製することができる。

濃縮された金属用研磨液に水または水溶液を加え希釈する方法としては、濃縮された金属用研磨液を供給する配管と水または水溶液を供給する配管を途中で合流させて混合し、混合し希釈された金属用研磨液を研磨パッドに供給する方法がある。混合は、圧力を付した状態で狭い通路を通して液同士を衝突混合する方法、配管中にガラス管などの充填物を詰め液体の流れを分流分離、合流させることを繰り返し行う方法、配管中に動力で回転する羽根を設ける方法など通常に行われている方法を採用することができる。

金属用研磨液の供給速度は１０〜１０００ｍｌ／ｍｉｎが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、１７０〜８００ｍｌ／ｍｉｎであることがより好ましい。

濃縮された金属用研磨液を水または水溶液などにより希釈し、研磨する方法としては、金属用研磨液を供給する配管と水または水溶液を供給する配管を独立に設け、それぞれから所定量の液を研磨パッドに供給し、研磨パッドと被研磨面の相対運動で混合しつつ研磨する方法である。または、１つの容器に、所定量の濃縮された金属用研磨液と水または水溶液を入れ混合してから、研磨パッドにその混合した金属用研磨液を供給し、研磨をする方法がある。

本発明の別の研磨方法は、金属用研磨液が含有すべき成分を少なくとも２つの構成成分に分けて、それらを使用する際に、水または水溶液を加え希釈して研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する方法である。
例えば、酸化剤を１つの構成成分（Ａ）とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を１つの構成成分（Ｂ）とし、それらを使用する際に水または水溶液で構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）を希釈して使用する。
また、溶解度の低い添加剤を２つの構成成分（Ａ）と（Ｂ）に分け、酸化剤、添加剤及び界面活性剤を１つの構成成分（Ａ）とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を１つの構成成分（Ｂ）とし、それらを使用する際に水または水溶液を加え構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）を希釈して使用する。この例の場合、構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）と水または水溶液をそれぞれ供給する３つの配管が必要であり、希釈混合は、３つの配管を、研磨パッドに供給する１つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、２つの配管を結合してから他の１つの配管を結合することも可能である。
なお、ここで、本発明に係る前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、２つの構成成分のうち、有機酸とともに、（Ｂ）に添加することが溶液経時安定性の観点から好ましい。

例えば、溶解しにくい添加剤を含む構成成分と他の構成成分を混合し、混合経路を長くして溶解時間を確保してから、さらに水または水溶液の配管を結合する方法である。その他の混合方法は、上記したように直接に３つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法、１つの容器に３つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された金属用研磨液を供給する方法である。上記した研磨方法において、酸化剤を含む１つの構成成分を４０℃以下にし、他の構成成分を室温から１００℃の範囲に加温し、且つ１つの構成成分と他の構成成分または水もしくは水溶液を加え希釈して使用する際に、混合した後に４０℃以下とするようにすることもできる。温度が高いと溶解度が高くなるため、金属用研磨液の溶解度の低い原料の溶解度を上げるために好ましい方法である。

酸化剤を含まない他の成分を室温から１００℃の範囲で加温して溶解させた原料は、温度が下がると溶液中に析出するため、温度が低下したその成分を用いる場合は、予め加温して析出したものを溶解させる必要がある。これには、加温し溶解した構成成分液を送液する手段と、析出物を含む液を攪拌しておき、送液し配管を加温して溶解させる手段を採用することができる。加温した成分が酸化剤を含む１つの構成成分の温度を４０℃以上に高めると酸化剤が分解してくる恐れがあるので、加温した構成成分とこの加温した構成成分を冷却する酸化剤を含む１つの構成成分で混合した場合、４０℃以下となるようにする。

また本発明においては、上述したように金属用研磨液の成分を二分割以上に分割して、研磨面に供給してもよい。この場合、酸化物を含む成分と酸を含有する成分とに分割して供給する事が好ましい。また、金属用研磨液を濃縮液とし、希釈水を別にして研磨面に供給してもよい。

〔パッド〕
研磨用のパッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体（乾式発泡系）、連続発泡体（湿式発泡系）、２層複合体（積層系）の３つがあり、特には２層複合体（積層系）が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に研磨に用いる砥粒（例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など）を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、研磨面と接触する面には、格子溝／穴／同心溝／らせん状溝などの加工を施してもよい。

〔ウエハ〕
本発明の金属用研磨液でＣＭＰを行なう対象ウエハは、径が２００ｍｍ以上であることが好ましく、特には３００ｍｍ以上が好ましい。３００ｍｍ以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。

本発明におけるより好ましい態様は以下の通りである。
（１）本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物と酸化剤とを使用することを特徴とする金属用研磨液。
（２）有機酸として一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１つの化合物と本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物とを併用することを特徴とする金属用研磨液。
（３）有機酸として一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１つの化合物と本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物とを併用し、かつ該化合物を１ｍｍｏｌ／Ｌ以下添加することを特徴とする金属用研磨液。
（４）有機酸として一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１つの化合物と本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物とを併用し、かつ該化合物を０．５ｍｍｏｌ／Ｌ以下添加することを特徴とする金属用研磨液。
（５）押さえ圧力７５ｇ／ｃｍ^２以下で研磨するための金属用研磨液として、有機酸として一般式（１）及び一般式（２）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１つの化合物と本発明に係る一般式（Ｉ）で示される化合物とを併用し、かつ本発明に係る該化合物を０．５ｍｍｏｌ／Ｌ以下添加することを特徴とする金属用研磨液。
半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いる研磨液として、本発明の金属用研磨液を使用することにより、化学的機械的研磨速度が向上し、且つ、研磨における銅／タンタル選択性が向上し、ディッシングの発生が少なく平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とすることができる。また、このことから、ＬＳＩ作製時における、コロージョン、スクラッチ、シニング、エロージョンなどの研磨の局部的な不均一に伴う欠陥の発生が低レベルに維持されるという効果をも奏するものである。

以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。

＜例示化合物Ａ−１の合成＞
５−ｂｕｔｙｌ−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ １８９．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとメタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化ナトリウム４００ｍｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−１を９１ｍｇ（０．６２ｍｍｏｌ，収率６２％）得た。

得られた例示化合物Ａ−１の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１４６．２１として、
計算値 Ｃ ４９．２９ Ｈ ６．８９（％）
実測値 Ｃ ５０．２ Ｎ ６．８（％）

＜例示化合物Ａ−２の合成＞
５−ｐｅｎｔｙｌ−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２０３．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化カリウム２８０ｍｇ（５ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−２を１０２ｍｇ（０．６４ｍｍｏｌ，収率６４％）得た。

得られた例示化合物Ａ−２の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１６０．２３として、
計算値 Ｃ ５２．４７ Ｈ ７．５５（％）
実測値 Ｃ ５２．２ Ｎ ７．６（％）

＜例示化合物Ａ−３の合成＞
５−ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２３７．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化カリウム２８０ｍｇ（５ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−３を１２０ｍｇ（０．６２ｍｍｏｌ，収率６２％）得た。

得られた例示化合物Ａ−３の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１９４．２５として、
計算値 Ｃ ６１．８３ Ｈ ５．１９（％）
実測値 Ｃ ６２．０ Ｎ ５．４（％）

＜例示化合物Ａ−４の合成＞
５−ｂｅｎｚｙｌ−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２２３．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化リチウム２４０ｍｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−４を１２２ｍｇ（０．６８ｍｍｏｌ，収率６８％）得た。

得られた例示化合物Ａ−４の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１８０．２２として、
計算値 Ｃ ５９．９８ Ｈ ４．４７（％）
実測値 Ｃ ６０．９ Ｎ ４．４（％）

＜例示化合物Ａ−５の合成＞
５−（（ｐｙｒｉｄｉｎ−４−ｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ）−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２２４．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに２０％テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液７．４ｍＬ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−５を１３１ｍｇ（０．７２ｍｍｏｌ，収率７２％）得た。

得られた例示化合物Ａ−５の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１８１．２１として、
計算値 Ｃ ５３．０２ Ｈ ３．８９（％）
実測値 Ｃ ５４．１ Ｎ ４．２（％）

＜例示化合物Ａ−６の合成＞
２−ｍｅｔｈｙｌ−４−（４−ｏｘｏ−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−５−ｙｌ）ｂｕｔａｎｏｉｃ ａｃｉｄ ２３３．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとメタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化ナトリウム２００ｍｇ（５ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−６を１４０ｍｇ（０．７４ｍｍｏｌ，収率７４％）得た。

得られた例示化合物Ａ−６の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１９０．２２として、
計算値 Ｃ ４４．２０ Ｈ ５．３０（％）
実測値 Ｃ ４５．１ Ｎ ６．０（％）

＜例示化合物Ａ−７の合成＞
５−（３−ａｍｉｎｏｂｕｔｙｌ）−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２０４．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化カリウム５６０ｍｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−７を１１２ｍｇ（０．６９ｍｍｏｌ，収率６９％）得た。

得られた例示化合物Ａ−７の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１６１．２２として、
計算値 Ｃ ４４．７０ Ｈ ６．８８（％）
実測値 Ｃ ４５．２ Ｎ ７．２（％）

＜例示化合物Ａ−８の合成＞
５−ｉｓｏｂｕｔｙｌ−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ １８９．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化リチウム１２０ｍｇ（５ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−８を９８ｍｇ（０．６７ｍｍｏｌ，収率６７％）得た。

得られた例示化合物Ａ−８の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１４６．２１として、
計算値 Ｃ ４９．２９ Ｈ ６．８９（％）
実測値 Ｃ ５０．１ Ｎ ７．１（％）

＜例示化合物Ａ−９の合成＞
５−（２−（１Ｈ−ｉｍｉｄａｚｏｌ−５−ｙｌ）ｅｔｈｙｌ）−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２２７．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに２０％テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液３．７ｍＬ（５ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−９を１３２ｍｇ（０．７２ｍｍｏｌ，収率７２％）得た。

得られた例示化合物Ａ−９の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１８４．２２として、
計算値 Ｃ ４５．６４ Ｈ ４．３８（％）
実測値 Ｃ ４６．１ Ｎ ４．２（％）

＜例示化合物Ａ−１０の合成＞
３−（（４−ｏｘｏ−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−５−ｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ）ｂｕｔａｎａｍｉｄｅ ２３２．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに２０％テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液３．７ｍＬ（５ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をかくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−１０を８７ｍｇ（０．４６ｍｍｏｌ，収率４６％）得た。

得られた例示化合物Ａ−１０の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１８９．２３として、
計算値 Ｃ ４４．４３ Ｈ ５．８６（％）
実測値 Ｃ ４２．９ Ｎ ４．９（％）

＜例示化合物Ａ−１１の合成＞
５−（３−ｈｙｄｒｏｘｙｂｕｔｙｌ）−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２０５．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとメタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化ナトリウム２００ｍｇ（５ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−１１を１３５ｍｇ（０．８３ｍｍｏｌ，収率８３％）得た。

得られた例示化合物Ａ−１１の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１６２．２１として、
計算値 Ｃ ４４．４３ Ｈ ６．２１（％）
実測値 Ｃ ４５．１ Ｎ ６．０（％）

＜例示化合物Ａ−１２の合成＞
５−（４’−ｍｅｔｈｙｌ−ｂｅｎｚｙｌ）−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２３７．３ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化カリウム５６０ｍｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−１２を１５１ｍｇ（０．７８ｍｍｏｌ，収率７８％）得た。

得られた例示化合物Ａ−１２の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：１９４．２５として、
計算値 Ｃ ６１．８３ Ｈ ５．１９（％）
実測値 Ｃ ６０．１ Ｎ ５．７（％）

＜例示化合物Ａ−１３の合成＞
２−（２−（４−ｏｘｏ−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−５−ｙｌ）ｅｔｈｙｌ）ｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ ２８１．４ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化リチウム２４０ｍｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−１３を１９８ｍｇ（０．８３ｍｍｏｌ，収率８３％）得た。

得られた例示化合物Ａ−１３の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：２３８．２６として、
計算値 Ｃ ５５．４５ Ｈ ４．２３（％）
実測値 Ｃ ５４．１ Ｎ ４．１（％）

＜例示化合物Ａ−１４の合成＞
５−（（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−３−ｙｌ）ｍｅｔｈｙｌ）−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２７３．４ｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに２０％テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液３．７ｍＬ（５ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−１４を２０１ｍｇ（０．８７ｍｍｏｌ，収率８７％）得た。

得られた例示化合物Ａ−１４の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：２３０．２８として、
計算値 Ｃ ６７．８０ Ｈ ４．３８（％）
実測値 Ｃ ６６．２ Ｎ ４．１（％）

＜例示化合物Ａ−１５の合成＞
５−（３−ａｍｉｎｏｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）−２−ｔｈｉｏｘｏｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎ−４−ｏｎｅ ２５２．４ｍｇ（１ｍｍｏｌ）を水１０ｍＬとエタノール１０ｍＬの混合溶媒で攪拌し、これに水酸化カリウム５６０ｍｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を加熱かくはんした後、塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出後、エバポレーターで減圧濃縮することにより、例示化合物Ａ−１５を１５５ｍｇ（０．７４ｍｍｏｌ，収率７４％）得た。

得られた例示化合物Ａ−１５の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値 Ｍｏｌ．Ｗｔ．：２０９．２６として、
計算値 Ｃ ５７．３９ Ｈ ５．３０（％）
実測値 Ｃ ５８．２ Ｎ ５．５（％）

＜実施例１＞
下記に示す処方（金属用研磨液１）により、研磨液を調製し、実施例１の金属用研磨液を得た。この金属用研磨液を、下記の方法により研磨試験を行って評価した。
（金属用研磨液１）
・過酸化水素〔酸化剤〕 ５ｇ／Ｌ
・グリシン（有機酸） １５．０ｇ／Ｌ（０．２ｍｏｌ／Ｌ）
・例示化合物Ａ−３〔一般式（Ｉ）で表される化合物〕 ０．２ｍｍｏｌ／Ｌ
・コロイダルシリカ（砥粒） ９ｇ／Ｌ
純水を加えて全量 １０００ｍＬ
ｐＨ（アンモニア水と硫酸で調整） ７．５

（研磨試験）
研磨パッド：ＩＣ１４００ＸＹ−Ｋ Ｇｒｏｏｖｅ（ロデール社）
研磨機：ＬＧＰ−６１２（ＬａｐｍａＳｔｅｒＳＦＴ社）
押さえ圧力：７５ｇ／ｃｍ^２
研磨液供給速度：２００ｍｌ／ｍｉｎ
銅ブランケットウエハ：厚さ１．４μｍの銅膜を形成したウエハ（２００ｍｍ）
タンタルブランケットウエハ：厚さ１μｍのタンタル膜を形成したウエハ（２００ｍｍ）
パターンウエハ：セマテック社製ＣＭＰ８５４パターンウエハ（２００ｍｍ）
研磨パッド／ウエハの回転数：９５／１２０ｒｐｍ
定盤温調：２０℃

（評価方法）
研磨速度：銅またはタンタルブランケットウエハ面上の４９箇所に対し、金属膜のＣＭＰ前後での膜厚さを電気抵抗値から換算して、平均研磨速度を求めた。
ディッシング：パターンウエハに対し、非配線部の銅が完全に研磨されるまでの時間に加えて、該時間の５０％に相当する時間研磨し、ラインアンドスペース部（ライン１００μｍ、スペース１００μｍ）のディッシングを触針式段差計で測定した。
上記研磨液を用いてＣＭＰを行って得られた研磨速度、ディッシング及び銅とタンタルの研磨速度比を下記表１に示した。

＜実施例２〜１６及び比較例１〜１０＞
実施例１における金属用研磨液１の処方において、例示化合物Ａ−３及び有機酸であるグリシンを、それぞれ表３に記載の化合物とした他は、実施例１と同様にして実施例２〜１６及び比較例１〜１０の金属用研磨液を調製し、実施例１と同様にして研磨試験を行った。結果を下記表３に併記する。
なお、以下の実施例に用いられる例示化合物Ｏ−１〜例示化合物Ｏ−１５は、Ｒａｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社、或いは、Ｔｉｍｅｔｅｃ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社から提供される市販品を用いている。

表３に示されるように、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する本発明の金属用研磨液は、ベンゾトリアゾールやキナルジン酸などの比較化合物を含有する研磨液に対して、研磨速度及びディッシングに優れることがわかる。また、銅とタンタルの研磨選択比が高いことが明らかとなった。

（実施例１７）
下記に示す処方（金属用研磨液２）により、研磨液を調製し、実施例１７の金属用研磨液を得た。この金属用研磨液を、実施例１と同様の方法により研磨試験を行って評価した。
（金属用研磨液２）
・例示化合物Ａ−１〔一般式（Ｉ）で表される化合物〕 ６ｇ
・過酸化水素〔酸化剤〕 ５ｇ
・ベンゾトリアゾール（不動態膜形成剤） ０．１ｇ
・コロイダルシリカ（砥粒） １２ｇ
純水 全量が１０００ｍｌとなる量
アンモニア水および硫酸（研磨液のｐＨが６．４になるように調整）
得られた金属用研磨液を実施例１と同様に研磨試験を行った。評価結果である研磨速度、ディッシング及び銅とタンタルの研磨速度比を下記表４に示した。

＜実施例１８〜３０及び比較例１１〜１８＞
実施例１７における金属用研磨液２の処方において、例示化合物Ａ−１及び不動態膜形成剤であるベンゾトリアゾールを、それぞれ表４に記載の化合物とした他は、実施例１７と同様にして実施例１８〜３０及び比較例１１〜１０の金属用研磨液を調製し、実施例１７と同様に研磨試験を行った。結果を下記表４に併記する。

表４に示されるように、本発明の化合物を含有する本発明の金属用研磨液は、グリシンやりんご酸などの比較化合物を含有する研磨液に対して、研磨速度及びディッシングに優れることがわかる。また、銅とタンタルの研磨選択比が高いことが明らかとなった。

Claims (3)

1. 半導体デバイスの化学的機械的平坦化に使用される金属用研磨液であって、
   下記一般式（Ｉ）で表される化合物と、酸化剤とを含有することを特徴とする金属用研磨液。
   

   

   式中、Ｒ^ａは水素原子、アミノ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、またはこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。Ｒ^ｂは水素原子、アミノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、またはこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。Ｘは、硫黄原子または酸素原子を表す。
2. 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の金属用研磨液。
   

   

   式中、Ｒ^ｃは水素原子、カルボキシ基、ヒドロキシ基、カルバモイル基、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはこれらの基を部分構造として含む置換基を表す。
3. 前記金属用研磨液が、半導体デバイスの化学的機械的平坦化において、主として銅配線の研磨に用いられることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の金属用研磨液。