JP2008180661A - 電子デバイス検査装置及び電子デバイス検査方法 - Google Patents
電子デバイス検査装置及び電子デバイス検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008180661A JP2008180661A JP2007015760A JP2007015760A JP2008180661A JP 2008180661 A JP2008180661 A JP 2008180661A JP 2007015760 A JP2007015760 A JP 2007015760A JP 2007015760 A JP2007015760 A JP 2007015760A JP 2008180661 A JP2008180661 A JP 2008180661A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic device
- measuring
- led
- conductive stage
- light emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 44
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】導電性ステージ13と電気特性測定機18が電気的に接続されており、電子デバイス14を導電性ステージ13に載置し、裏面電極16と導電性ステージ13の表面を接触させ、電気特性測定機18のニードル17と表面電極15を接触させ、電子デバイス14に通電して、電子デバイス14の電気特性を測定する工程を含み、電子デバイスの載置から電気特性を測定する工程を連続して行う際、該工程を所定回数行った後、導電性ステージ13に付着した異物をクリーニング手段11により除去するクリーニング工程を行うことを特徴とする電子デバイス検査方法及び電子デバイス検査装置1。
【選択図】図1
Description
前記電子デバイスを載置し、且つ前記電子デバイスの裏面電極と電気的に接続するための導電性ステージと、
該導電性ステージと電気的に接続され、且つ前記電子デバイスの表面電極と電気的に接続させるためのニードルを有する前記電子デバイスの電気特性を測定するための電気特性測定機とを具備する電子デバイス検査装置において、
前記導電性ステージの表面に付着した異物を除去するためのクリーニング手段を具備するものであることを特徴とする電子デバイス検査装置を提供する(請求項1)。
前記電子デバイスを載置するための導電性ステージと、前記電子デバイスの電気特性を測定するための電気特性測定機が電気的に接続されており、
前記電子デバイスを前記導電性ステージに載置し、
前記電子デバイスの裏面電極と前記導電性ステージの表面を接触させ、
前記電気特性測定機の有するニードルと前記電子デバイスの表面電極を接触させ、
前記電子デバイスに通電することによって、前記電子デバイスの電気特性を測定する工程を含み、
前記電子デバイスの載置から電気特性を測定する工程を連続して行う際、
前記電子デバイスの載置から電気特性を測定する工程を所定回数行った後に、前記導電性ステージの表面に付着した異物をクリーニング手段により除去するクリーニング工程を行うことを特徴とする電子デバイス検査方法を提供する(請求項4)。
このように、クリーニング工程を行うまでの電子デバイスの載置から電気特性を測定する工程の所定回数を10回以下とすることにより、さらに測定値のバラツキを抑制することができる。
このように、多孔質スポンジに有機溶剤を含ませたクリーニング手段を用いることによって、多孔質スポンジは有機溶剤を多く含むことができ、導電性ステージの表面にアクリル系の異物が付着していたとしても、有機溶剤により異物を溶かすことができ、多孔質スポンジにより異物を絡め取り、簡単な手段で導電性ステージの表面に付着している異物を除去することができる。
このように、電子デバイスがLEDである場合、LEDの電気特性を測定すると同時に、発光量測定機によりLEDの発光量と、発光波長測定機によりLEDの発光波長を測定することにより、LEDの電気特性と、発光量、発光波長を同時に測定できるので、電子デバイスの検査工程にかかる時間を短縮できる。
このように、電子デバイスがLEDである場合、電子デバイス検査装置1が電気特性測定機18と並んで、発光量測定機19及び発光波長測定機20を具備するものであれば、電気特性測定機18からニードル17と導電性ステージ13を介して電気的に接続されているLED14に通電した際、LED14が発光するので、その電気特性、発光量、及び発光波長を同時に測定でき、電子デバイスの検査工程にかかる時間を短縮できる。
図2は本発明に係る電子デバイス検査装置の周辺システムを示す概略図であり、図3は本発明に係る電子デバイス検査装置を使用し、電子デバイスを検査する本発明の方法を説明するための図である。
このように、電子デバイスがLEDである場合、LEDの電気特性を測定すると同時に、発光量測定機と発光波長測定機により、LEDの発光量と発光波長を測定することにより、LEDの電気特性、発光量、及び発光波長を同時に測定できるので、電子デバイスの検査工程にかかる時間を短縮できる。
このような、電子デバイスの検査の動作は、全てコンピュータ等の制御部10により制御されている。
(実施例)
図1のような電子デバイス検査装置1を用いて、図3で説明するような本発明の電子デバイス検査方法を実施し、LEDの電気特性を測定した。
ここで、電子デバイスとしては比較的特性の安定しているGaP YG LEDを使用した。クリーニング手段はステンレス製の棒の先端に、ベルクリンの多孔質スポンジを取り付け、多孔質スポンジに有機溶剤としてエタノールを染み込ませた。また、クリーニング手段で導電性ステージの表面に付着した異物を除去する際のクリーニング手段の回転数は約200rpmとし、導電性ステージをクリーニングする時間を0.4秒とした。
また、クリーニング工程を行う周期としては、初めの20回の測定はLEDを10個測定する毎に1回クリーニング工程を行い、21回目以降はLEDの測定後、毎回クリーニング工程を行った。
比較のため、連続的にLEDを検査する図1のような電子デバイス検査装置からクリーニング手段を取り外し、LEDの電気特性を測定後、導電性ステージの異物を除去するクリーニング工程を、全く行わない以外は、実施例と同じ検査装置、同じウエーハから製造され、同じ粘着シートに接着されたLEDチップを使用し、同じ方法で、LEDの電気特性を測定した。
この結果より、本発明の電子デバイス検査装置は、検査装置が原因でLEDの振り分け作業の精度が良くなかったという従来の問題を劇的に改善することができることがわかる。この特徴は、測定回数が多ければ多いほど顕著に現れてくる。
12…多孔質スポンジ、 13…導電性ステージ、
14…電子デバイス(LED)、 15…表面電極、
16…裏面電極、 17…ニードル、
18…電気特性測定機、 19…発光量測定機、
20…発光波長測定機、 25…ディテクター、
26…スペクトルアナライザー、 27…貫通孔。
Claims (7)
- 表面電極と裏面電極を有する電子デバイスの特性を連続的に検査するための電子デバイス検査装置であって、少なくとも、
前記電子デバイスを載置し、且つ前記電子デバイスの裏面電極と電気的に接続するための導電性ステージと、
該導電性ステージと電気的に接続され、且つ前記電子デバイスの表面電極と電気的に接続させるためのニードルを有する前記電子デバイスの電気特性を測定するための電気特性測定機とを具備する電子デバイス検査装置において、
前記導電性ステージの表面に付着した異物を除去するためのクリーニング手段を具備するものであることを特徴とする電子デバイス検査装置。 - 前記クリーニング手段は、多孔質スポンジに有機溶剤を含ませたものであることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス検査装置。
- 前記電子デバイスがLEDである場合、前記電子デバイス検査装置は、前記LEDの発光量を測定するための発光量測定機と、前記LEDの発光波長を測定するための発光波長測定機を具備するものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子デバイス検査装置。
- 表面電極と裏面電極を有する電子デバイスの特性を連続的に検査するための電子デバイス検査方法であって、少なくとも、
前記電子デバイスを載置するための導電性ステージと、前記電子デバイスの電気特性を測定するための電気特性測定機が電気的に接続されており、
前記電子デバイスを前記導電性ステージに載置し、
前記電子デバイスの裏面電極と前記導電性ステージの表面を接触させ、
前記電気特性測定機の有するニードルと前記電子デバイスの表面電極を接触させ、
前記電子デバイスに通電することによって、前記電子デバイスの電気特性を測定する工程を含み、
前記電子デバイスの載置から電気特性を測定する工程を連続して行う際、
前記電子デバイスの載置から電気特性を測定する工程を所定回数行った後に、前記導電性ステージの表面に付着した異物をクリーニング手段により除去するクリーニング工程を行うことを特徴とする電子デバイス検査方法。 - 前記所定回数を10回以下とすることを特徴とする請求項4に記載の電子デバイス検査方法。
- 前記クリーニング工程の際、前記クリーニング手段として、多孔質スポンジに有機溶剤を含ませたものを使用することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の電子デバイス検査方法。
- 前記電子デバイスがLEDである場合、該LEDの電気特性を測定する工程と同時に、前記LEDの発光量を発光量測定機により測定する工程と、前記LEDの発光波長を発光波長測定機により測定する工程を行うことを特徴とする請求項4ないし請求項6のいずれか1項に記載の電子デバイス検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007015760A JP2008180661A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 電子デバイス検査装置及び電子デバイス検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007015760A JP2008180661A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 電子デバイス検査装置及び電子デバイス検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008180661A true JP2008180661A (ja) | 2008-08-07 |
Family
ID=39724661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007015760A Pending JP2008180661A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 電子デバイス検査装置及び電子デバイス検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008180661A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4975199B1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-07-11 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用受光モジュール及び半導体発光素子用検査装置 |
| WO2013145132A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用の測定装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252941A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体測定装置 |
| JPS6338175A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Meisei Electric Co Ltd | 半導体発光素子の発光特性測定装置 |
| JPH075229A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JP2000187056A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Noozeru Engineering Kk | 半導体デバイス検査装置 |
| JP2002214271A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Nitto Denko Corp | クリーニング部材、及びこれを用いた導通検査装置のクリーニング方法 |
| JP2005164460A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nec Electronics Corp | 半導体パッケージのテストシステム及びテスト方法 |
-
2007
- 2007-01-26 JP JP2007015760A patent/JP2008180661A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252941A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体測定装置 |
| JPS6338175A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Meisei Electric Co Ltd | 半導体発光素子の発光特性測定装置 |
| JPH075229A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JP2000187056A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Noozeru Engineering Kk | 半導体デバイス検査装置 |
| JP2002214271A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Nitto Denko Corp | クリーニング部材、及びこれを用いた導通検査装置のクリーニング方法 |
| JP2005164460A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Nec Electronics Corp | 半導体パッケージのテストシステム及びテスト方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4975199B1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-07-11 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用受光モジュール及び半導体発光素子用検査装置 |
| WO2013145132A1 (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用の測定装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5584241B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
| CN116429380B (zh) | 试验装置、试验方法及计算机可读取媒体 | |
| CN104360256B (zh) | 一种二极管的光电测试方法 | |
| TW201428873A (zh) | 處理設備及裝置製造方法 | |
| KR20090012977A (ko) | 웨이퍼 마킹 방법, 불량 다이의 마킹 방법, 웨이퍼 정렬방법 및 웨이퍼 검사 방법 | |
| CN102033073A (zh) | 确定自动光学检测设备性能的方法及标准片 | |
| TW584927B (en) | Test wafer and method for investigating electrostatic discharge induced wafer defects | |
| CN110491795A (zh) | 粘取元件、微型发光二极管光学检修设备及光学检修方法 | |
| JP6037580B2 (ja) | 部品実装機 | |
| TWI894453B (zh) | 製造方法、檢查方法及檢查裝置 | |
| JP2008180661A (ja) | 電子デバイス検査装置及び電子デバイス検査方法 | |
| CN104167373A (zh) | 半导体检查方法以及半导体检查装置 | |
| KR20220085725A (ko) | 부품 높이 편차 결정 | |
| CN105826216A (zh) | 半导体评价装置、检查用半导体装置及卡盘台的检查方法 | |
| JP2020109392A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
| CN114430717B (zh) | 焊料膏印刷系统以及焊料膏印刷方法 | |
| KR102278752B1 (ko) | 프로브 장치 | |
| CN209266356U (zh) | 晶粒功能检测装置 | |
| JPH11111613A (ja) | 半導体素子の欠点モニタ方法 | |
| CN1211851C (zh) | 半导体器件检测系统 | |
| KR102503282B1 (ko) | 프로브 스테이션 | |
| CN101210932A (zh) | 一种可提高缺陷检验可靠性的方法 | |
| JP5176142B2 (ja) | ダイボンディングフィルムの表面検査方法及び表面検査システム | |
| TWI890937B (zh) | 檢查方法、導電性構件及檢查裝置 | |
| JP2023039754A (ja) | メンテナンス方法、及び電子部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20090810 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20110303 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20110316 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20110512 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20110531 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |