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JP2008166586A - 接合方法 - Google Patents

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Shoji Nishida
昭二 西田
Takayuki Fujiwara
隆行 藤原
Norihito Nosaka
教翁 野坂
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Abstract

【課題】
2枚の板状部材を仮接合する際に、ボイドを発生させず、均一に板状部材を密着させ、製品の品質を高める接合方法を提供すること。
【解決手段】
シリコンウェーハ10の反りの凸方向と、ガラスウェーハ11の反りの凸方向とが向き合うようにシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とを密着させて仮接合を行う。
【選択図】図2

Description

本発明は2枚の板状部材の表面をプラズマ活性化することにより接合する接合方法に関する。
デジタルカメラや携帯電話に用いられるCCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)からなる固体撮像装置の製造工程においては、例えばSiにより形成された板状部材と、ガラスにより形成された板状部材とを接合する接合工程が実施される。近年、このような2種類の板状部材の接合においては、2つの板状部材を接触させた状態で電圧を印加すると同時に、高温で加熱することで接合させる陽極接合による方法が提案されている(例えば、特許文献1、又は特許文献2参照。)。
陽極接合は、例えば図6に示すように、第1の板状部材としてのシリコンウェーハ10、第2の板状部材としてのガラスウェーハ11、シリコンウェーハ10を載置するテーブル12、及びテーブル12とガラスウェーハ11とにつながる高圧電源13等の構成を備えた接合装置1で実施される。
接合装置1では、接触されたシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは不図示の加熱装置により400℃から500℃の高温で加熱されるとともに、高圧電源13によりガラスウェーハ11側をカソードとして、500Vから1000V程度の直流高電圧を印加する。
これにより、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との間に大きな静電引力が発生し、界面部で化学結合することによって強固にシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とが接合される。
この他、2種類の板状部材の接合させる方法としては、板状部材の接合面を原子ビーム、イオンビームまたはプラズマ等のエネルギー波により活性化して接合する方法も提案されている(例えば、特許文献3、又は特許文献4参照。)。
特開2001−64041号公報 特開2005−187321号公報 特開2006−73780号公報 特開2006−248895号公報
前記特許文献に記載されるような接合方法では、加熱等の処理により最終的な強固な接合力を得る前段階として、原子ビーム、イオンビームまたはプラズマ等のエネルギー波により接合する2枚の板状部材の表面を活性化させた後、板状部材を接近させてファンデルワールス力により分子レベルで板状部材を接合する仮接合が行われる。
この仮接合においては、最終的な全面に渡る強固な接合を実現するため、板状部材の全面に渡り均一に密着させることが必要となる。しかし、板状部材は、径が大きくなるに従い反りが発生しやすく、均一に密着させることが困難となり、密着された板状部材の間に部分的に空気層(ボイドと称する)が残りやすくなる。このようなボイドが発生した場所では接合力が低下するため、後の工程で結合した板状部材が剥がれるなど、製品の品質を下げる大きな問題となっていた。
本発明はこのような問題に対して成されたものであり、2枚の板状部材を仮接合する際に、ボイドを発生させず、均一に板状部材を密着させ、製品の品質を高める接合方法を提供することを目的としている。
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、第1の板状部材と第2の板状部材との表面を、原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波を照射することにより活性化させた後、前記第1の板状部材と前記第2の板状部材とを密着させて接合する接合方法において、前記第1の板状部材の反りの凸方向と、前記第2の板状部材の反りの凸方向とが向き合うように該第1の板状部材と該第2の板状部材とが密着されて接合されることを特徴としている。
請求項1の発明によれば、第1の板状部材と第2の板状部材との表面は、原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波を照射することにより活性化される。表面の活性化後、第1の板状部材と第2の板状部材とは、位置を合わせて接触されることにより、ファンデルワールス力により分子レベルで自発的に接合が進行していく。このとき、第1の板状部材と第2の板状部材には微小な反りが生じており、反りの凸方向が向き合うように第1の板状部材と第2の板状部材とを接触させる。
これにより、接触された第1の板状部材と第2の板状部材との間に隔離された空気の層が生じず、接合は接触している凸部の頂点から外側に向かって進行するので、第1の板状部材と第2の板状部材との間にボイドが生じることなく仮接合が行われる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第1の板状部材と前記第2の板状部材とは、Si、SiO2、SiN、またはガラスのいずれかにより形成されていることを特徴としている。
請求項2の発明によれば、第1の板状部材と第2の板状部材とは、Si、SiO2、SiN、またはガラスにより形成され、CCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の固体撮像装置用の半導体素子が形成されたウェーハ、もしくは「パイレックス(登録商標)ガラス」等の熱膨張係数がSiに近い透明ガラスウェーハ等が用いられる。
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記第1の板状部材と前記第2の板状部材とは、中心部に向かって凸形状に形成されたテーブルにそれぞれ固定され、前記第1の板状部材の反りの凸方向と、前記第2の板状部材の反りの凸方向とが向き合い、該第1の板状部材と該第2の板状部材との中心部の一点が密着されて接合されることを特徴としている。
請求項3によれば、第1の板状部材と第2の板状部材は中心部に向かって凸形状に形成されたテーブルに吸引吸着等の方法により固定される。凸形状のテーブルに固定されて一方方向に反った状態が維持された第1の板状部材と第2の板状部材とは、反りの凸方向が向き合わされ、凸部の頂点となる中心部の一点が密着されて接合が行われる。
第1の板状部材と第2の板状部材との接合は、中心部から外側に向かってファンデルワールス力により分子レベルで自発的に進行していく。
これにより、接触された第1の板状部材と第2の板状部材との間に隔離された空気の層が生じず、第1の板状部材と第2の板状部材との間にボイドが生じることなく仮接合が行われる。
請求項4に記載の発明は、請求項1、2、又は3のうちいずれか1項に記載の発明において、前記第1の板状部材を固定する前記テーブル、または前記第2の板状部材を固定する前記テーブルのいずれか一方は、板状部材を固定する面が弾性体により形成されていることを特徴としている。
請求項4によれば、第1の板状部材と第2の板状部材が固定される中心部に向かって凸形状に形成されたテーブルのいずれか一方の表面は、弾性体によって形成されている。これにより、第1の板状部材と第2の板状部材とを密着させる際に、一方の板状部材から押圧力をかけ、より均一に密着させることが可能となる。
請求項5に記載の発明は、請求項1、2、3、又は4のうちいずれか1項に記載の発明において、前記第1の板状部材と前記第2の板状部材との反りを無くし、平坦な状態に戻るのに必要な該第1の板状部材の弾性力と該第2の板状部材の弾性力に対応する力は、該第1の板状部材と該第2の板状部材とが接合する際に生じる接合力よりも小さい大きさであることを特徴としている。
請求項5によれば、反っている状態の第1の板状部材と第2の板状部材とが接合する際、板状部材はファンデルワールス力を起因とする接合力により、反った状態から平坦な状態に戻っていく。このとき、反っている状態の第1の板状部材と第2の板状部材とを平坦な状態に戻す為の第1の板状部材の弾性力と第2の板状部材の弾性力に対応する力は、接合力よりも小さくなるように板状部材の厚さ、または弾性係数、テーブルの凸形状等が調整されている。反りを戻すための弾性力よりも接合力の方が大きい為、第1の板状部材と第2の板状部材とは良好に仮接合される。
請求項6に記載の発明は、請求項1、2、3、4、又は5のうちいずれか1項に記載の発明において、前記第1の板状部材と前記第2の板状部材とは、接合後に加熱されることを特徴としている。
請求項6によれば、仮接合された第1の板状部材と第2の板状部材は、本接合として加熱されることにより強固に接合される。
以上説明したように、本発明の接合方法によれば、2枚の板状部材を仮接合する際に、凸形状の頂点となる中心部から仮接合され、間に空気の隔離された空気の層が作られない為、ボイドを発生させない。これにより、均一に板状部材を密着させて仮接合が行われ、後の工程で問題が起こらず、製品の品質を高める。
以下添付図面に従って本発明に係る接合方法の好ましい実施の形態について詳説する。図1は、本発明に係る接合方法行う接合装置における接合工程の概略を示したもの、図2は板状部材の活性化を行う装置の模式図である。
接合装置では、第1の板状部材としてSi、SiO2、またはSiNにより形成されたシリコンウェーハ10と第2の板状部材としてガラスにより形成されたガラスウェーハ11とを、まずチャンバー減圧下に置き、酸素プラズマ処理を実施した後、窒素プラズマ処理を行う。
酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理では、図2に示すように、チャンバー30内に設けられた中心部に向かって凸形状となったテーブル20A、20B上にシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11を固定し、プラズマ発生源22A、22Bよりシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11表面に酸素プラズマ、窒素プラズマを照射する。
これにより、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との表面が活性化されるとともに、親水化される。
続いて、チャンバー30内を大気状態に戻し、シリンダー21A、21Bを移動させてシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との接合面全面を密着させ、仮接合を行う。仮接合後、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは、加圧されるとともに、不図示の加熱装置により加熱され、接合温度(例えば400℃から500℃)まで温度上昇される。この状態で、高圧電源13によりガラスウェーハ11側をカソードとして直流高電圧(例えば500Vから1000V)を印加する。
これにより、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との間に大きな静電引力が発生し、界面部で化学結合することによって、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とが強固に結合される。
なお、上記の接合方法では、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは鏡面加工されたものが使用され、平坦度は100μm、面粗さは1nm以下の物が望ましい。
また、本発明に係る接合方法、及び本発明に係わる接合部材の製造を行う接合装置では、上記接合工程に限らず、加熱の工程を伴う既知の接合工程であれば、いずれの接合工程であっても好適に利用可能である。
次に、本発明に係わる接合方法について説明する。図3は本発明に係わる接合方法を示した断面図、図4は通常の接合方法と本発明に係わる接合方法を比較した断面図である。
本発明に係わる接合方法では、図2に示されるチャンバー30内に設けられた中心部に向かって凸形状となったテーブル20A、20B上にシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とが固定され、プラズマ発生源22A、22Bよりシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との表面へ向かって原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波が照射される。
これにより表面が活性かされたシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは、チャンバー内を大気状態に戻した後、シリンダー21A、21Bを移動させてシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との接合面を密着させて仮接合が開始される。
仮接合では、テーブル20A、20Bが中心部に向かって凸形状なため、図3(a)に示すようにシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とがテーブル20A、20Bの形状に沿って中心部が凸となるように反る。シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは、テーブル20A、20Bが向き合って接近することにより、それぞれの反りの凸方向が向き合い、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との中心部の一点が密着される。
中心部の一点が密着された表面が活性化されているシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは、図3(b)、図4(b)に示すように中心部から外側に向かってファンデルワールス力により分子レベルで自発的に進行していく。
通常の接合方法では、本発明とは異なり、図4(a)に示すように、凹方向を向けて密着されてしまう場合があり、隔離された空気の層がシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との間に生じる。隔離された空気の層が生じた状態で接合が進行すると、接合は外周部から中心部に向かって進み、中心部にボイド14が生じる。
本発明の接合は、図4(b)に示すように、接触している凸部の頂点から外側に向かって進行するので、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との間にボイド14が生じることなく仮接合が行われる。
これにより、本発明の接合方法では、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との全面に渡り均一に密着させて仮接合が行われ、後の工程で問題が起こらず、製品の品質を高める。
また、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とがテーブル20A、20Bの凸形状に沿って反った際、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との反りを無くし、平坦な状態に戻るのに必要なシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との弾性力に対応する力が、仮接合時のシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との接合力よりも小さくなるように、テーブル20A、20Bの凸形状は形成されている。
これにより、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との反りを戻すための弾性力よりも接合力の方が大きくなるため、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは良好に仮接合される。
なお、テーブル20A、20Bの凸形状以外に、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との厚み、または弾性係数を調整することにより、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との反りを戻すための弾性力よりも接合力の方が大きくなるようにしてもよい。
次に、本発明に係わる接合方法の別の実施の形態について説明する。図5は本発明に係わる接合方法の別の実施の形態を示した断面図である。
別の実施の形態では、図2に示されるチャンバー30内にテーブル20A、20Bに代わり、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とをそれぞれ固定するテーブル40Aとテーブル40Bが設けられる。テーブル40Bは、図5(a)に示すように、中心部に向かって凸形状に形成され、表面がゴム等の弾性体により形成されている。テーブル40Aは、平坦に形成され、金属、または多孔性シリコン等により形成されている。
テーブル40Bに固定されたガラスウェーハ11は、テーブル40Bの凸形状に沿って中心部が凸となるように反り、テーブル40Aに固定されたシリコンウェーハ10は、平坦に固定される。
固定されたシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは、プラズマ発生源22A、22Bより表面へ向かって原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波が照射されて表面が活性化される。
表面が活性かされたシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは、チャンバー内を大気状態に戻した後、シリンダー21A、21Bを移動させてシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との接合面を密着させて仮接合が開始される。
仮接合では、図5(a)に示すように、ガラスウェーハ11の反りの凸方向の頂点となるガラスウェーハ11の中心部がテーブル40Aに固定された平坦なシリコンウェーハ10の中心部の一点に密着される。
中心部の一点が密着された表面が活性化されているシリコンウェーハ10とガラスウェーハ11とは、図5(b)に示すように中心部から外側に向かってファンデルワールス力により分子レベルで自発的に進行していく。
このとき、テーブル40Bは表面が弾性体で形成されているため、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11の密着を補助し、均一な力でガラスウェーハ11側を押圧していく。
これにより、本発明の別の実施の形態に接合方法では、シリコンウェーハ10とガラスウェーハ11との全面に渡り均一に密着されるとともに、押圧されて仮接合が行われ、後の工程で問題が起こらず、製品の品質を高める。
なお、別の実施の形態では、ガラスウェーハ11が固定されたテーブル40Bのみが弾性体により形成されているが、本発明はそれに限らず、テーブル40A側、または双方のテーブルが弾性体を有していても好適に実施可能である。
以上説明したように、本発明の接合方法によれば、2枚の板状部材を仮接合する際に、2枚の板状部材の反りの凸方向を向けて密着させることにより、凸形状の頂点となる中心部から仮接合され、間に空気の隔離された空気をつくることなく、ボイドが発生しない均一で良好な仮接合が行われる。これにより、後の工程で問題が起こらず、製品の品質を高めることが可能となる。
なお、本実施形態では、第1の板状部材としてSi、SiO2、またはSiNにより形成されたシリコンウェーハ10、第2の板状部材としてガラスにより形成されたガラスウェーハ11としたが、本発明はこれに限らず、第1の板状部材がシリコンウェーハ10、第2の板状部材がガラスウェーハ11、または第1の板状部材と第2の板状部材ともシリコンウェーハ10、もしくは第1の板状部材と第2の板状部材ともガラスウェーハ11であっても好適に実施可能である。
本発明に係る接合方法が使用される接合装置における接合工程の概略図。 板状部材の活性化を行う装置の模式図。 本発明に係わる接合方法を示した断面図。 通常の接合方法と本発明に係わる接合方法を比較した断面図。 本発明に係わる接合方法の別の実施の形態を示した断面図。 陽極接合の接合装置を示した模式図。
符号の説明
10…シリコンウェーハ(第1の板状部材),11…ガラスウェーハ(第2の板状部材),12、20A、20B、40A、40B…テーブル,13…高圧電源、14…ボイド、21A、21B…シリンダー,22A、22B…プラズマ発生源,30…チャンバー

Claims (6)

  1. 第1の板状部材と第2の板状部材との表面を、原子ビーム、イオンビームまたはプラズマであるエネルギー波を照射することにより活性化させた後、前記第1の板状部材と前記第2の板状部材とを密着させて接合する接合方法において、
    前記第1の板状部材の反りの凸方向と、前記第2の板状部材の反りの凸方向とが向き合うように該第1の板状部材と該第2の板状部材とが密着されて接合されることを特徴とする接合方法。
  2. 前記第1の板状部材と前記第2の板状部材とは、Si、SiO2、SiN、またはガラスのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の接合方法。
  3. 前記第1の板状部材と前記第2の板状部材とは、中心部に向かって凸形状に形成されたテーブルにそれぞれ固定され、前記第1の板状部材の反りの凸方向と、前記第2の板状部材の反りの凸方向とが向き合い、該第1の板状部材と該第2の板状部材との中心部の一点が密着されて接合されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の接合方法。
  4. 前記第1の板状部材を固定する前記テーブル、または前記第2の板状部材を固定する前記テーブルのいずれか一方は、板状部材を固定する面が弾性体により形成されていることを特徴とする請求項1、2、または3のいずれか1項に記載の接合方法。
  5. 前記第1の板状部材と前記第2の板状部材との反りを無くし、平坦な状態に戻るのに必要な該第1の板状部材の弾性力と該第2の板状部材の弾性力に対応する力は、該第1の板状部材と該第2の板状部材とが接合する際に生じる接合力よりも小さい大きさであることを特徴とする請求項1、2、3、または4のいずれか1項に記載の接合方法。
  6. 前記第1の板状部材と前記第2の板状部材とは、接合後に加熱されることを特徴とする請求項1、2、3、4、または5のいずれか1項に記載の接合方法。
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