JP2008147381A

JP2008147381A - Method for manufacturing printed circuit board

Info

Publication number: JP2008147381A
Application number: JP2006332188A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Ishii; 淳石井; Kyoya Oyabu; 恭也大薮; Hiroyuki Kurai; 寛幸倉井
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2006-12-08
Filing date: 2006-12-08
Publication date: 2008-06-26

Abstract

【課題】端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５を備える回路付サスペンション基板１を用意し、次いで、導体パターン４を形成する銅の標準電極電位よりも標準電極電位の低い鉛および／または錫から形成される保護層９を、カバー絶縁層５の開口部１２から露出する露出部１１に積層する。その後、この保護層９が積層された回路付サスペンション基板１を、ポリアニリンの重合液に浸漬して、半導電性層１０を、ベース絶縁層３の表面およびカバー絶縁層５の表面に形成する。
【選択図】図４To provide a method for manufacturing a printed circuit board capable of efficiently removing static electricity from the obtained printed circuit board while preventing discoloration of a terminal portion.
A suspension board with circuit 1 including a metal supporting board 2, a base insulating layer 3, a conductor pattern 4, and a cover insulating layer 5 is prepared, and then the standard electrode is higher than the standard electrode potential of copper forming the conductor pattern 4. A protective layer 9 made of lead and / or tin having a low potential is laminated on the exposed portion 11 exposed from the opening 12 of the insulating cover layer 5. Thereafter, the suspension board with circuit 1 on which the protective layer 9 is laminated is immersed in a polyaniline polymerization solution to form the semiconductive layer 10 on the surface of the base insulating layer 3 and the surface of the cover insulating layer 5.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a wired circuit board, and more particularly to a method for manufacturing a wired circuit board such as a suspension board with circuit.

従来より、ベース絶縁層と、配線および端子部を有する導体パターンと、カバー絶縁層とを順次積層した配線回路基板が知られている。このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
このような配線回路基板の製造方法として、実装される電子部品の静電破壊を防止するために、例えば、ベース層、導体回路およびカバー層からなる積層体（基板本体）を製造し、その後、該積層体の周囲に導電ポリマー層を形成する、フレキシブルプリント回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１５８４８０号公報 Conventionally, a printed circuit board in which a base insulating layer, a conductor pattern having wiring and terminal portions, and a cover insulating layer are sequentially laminated is known. Such a printed circuit board is widely used in the fields of various electric devices and electronic devices.
As a method of manufacturing such a printed circuit board, in order to prevent electrostatic breakdown of electronic components to be mounted, for example, a laminate (board body) including a base layer, a conductor circuit, and a cover layer is manufactured. A method of manufacturing a flexible printed circuit board in which a conductive polymer layer is formed around the laminate has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
JP 2004-158480 A

しかるに、特許文献１に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法では、導電ポリマー層の形成において、積層体を、モノマーと酸化重合剤とを含む酸化性の処理液中に浸漬するので、このような処理液によって、導体回路におけるカバー層から露出する端子部において、導体回路を形成する導体材料が溶解する場合がある。そのため、端子部が腐食されて、端子部が変色するというおそれがある。 However, in the method for manufacturing a flexible printed circuit board described in Patent Document 1, in the formation of the conductive polymer layer, the laminate is immersed in an oxidizing treatment liquid containing a monomer and an oxidation polymerization agent. The treatment liquid may dissolve the conductor material forming the conductor circuit at the terminal portion exposed from the cover layer of the conductor circuit. For this reason, the terminal portion may be corroded and the terminal portion may be discolored.

本発明の目的は、端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a printed circuit board that can efficiently remove static charges of the obtained printed circuit board while preventing discoloration of terminal portions.

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層に被覆される配線および前記絶縁層から露出する端子部を含む導体パターンと、を備える配線回路基板を用意する工程と、前記導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成される接触部材を、前記導体パターンと接触しかつ前記絶縁層から露出するように設置する工程と、設置された前記接触部材を含む前記配線回路基板を、導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層を、前記絶縁層の表面に形成する工程とを備えることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing a wired circuit board according to the present invention includes an insulating layer, and a conductor pattern including a wiring covered by the insulating layer and a terminal portion exposed from the insulating layer. A step of preparing a substrate, and a contact member formed of a material having a standard electrode potential lower than a standard electrode potential of a conductor material forming the conductor pattern, so as to be in contact with the conductor pattern and exposed from the insulating layer And a step of immersing the wired circuit board including the installed contact member in a polymerization solution of a conductive polymer to form a semiconductive layer on the surface of the insulating layer. It is a feature.

この配線回路基板の製造方法では、導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成される接触部材を、導体パターンと接触しかつ絶縁層から露出するように設置する。そのため、設置された前記接触部材を含む配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときには、この接触部材が導体パターンと接触しており、かつ、接触部材を形成する材料の標準電極電位が導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも低いため、接触部材および導体パターンにおいて局部電池が形成される。そうすると、このような局部電池の原理により、導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い（イオン化傾向の高い）接触部材を形成する材料は溶解する一方で、導体パターンを形成する導体材料は、たとえ、端子部において露出していても、溶解しにくくなる。 In this printed circuit board manufacturing method, a contact member formed of a material having a lower standard electrode potential than the standard electrode potential of the conductor material forming the conductor pattern is placed so as to be in contact with the conductor pattern and exposed from the insulating layer. To do. Therefore, when the printed circuit board including the installed contact member is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer, the contact member is in contact with the conductor pattern, and the standard electrode potential of the material forming the contact member is Since it is lower than the standard electrode potential of the conductor material forming the conductor pattern, a local battery is formed in the contact member and the conductor pattern. Then, according to the principle of such a local battery, while the material forming the contact member having a lower standard electrode potential (higher ionization tendency) than the standard electrode potential of the conductor material forming the conductor pattern is dissolved, the conductor pattern is changed. Even if the conductor material to be formed is exposed at the terminal portion, it is difficult to dissolve.

そのため、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。
その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配線回路基板を用意する工程において、前記端子部の表面にめっき層を形成することが好適である。 Therefore, the semiconductive layer can be formed on the surface of the insulating layer while preventing corrosion at the terminal portion.
As a result, it is possible to efficiently remove the electrostatic charge of the obtained printed circuit board while preventing discoloration in the terminal portion.
In the wired circuit board manufacturing method of the present invention, it is preferable that a plating layer is formed on the surface of the terminal portion in the step of preparing the wired circuit board.

一般に、配線回路基板の製造方法において、端子部を保護するために、その表面にめっき層を形成する場合があるところ、それでも、導電性ポリマーの重合液に浸漬した場合には、めっき層の周端部と絶縁層との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、これによって、端子部における導体材料が溶解して、端子部が腐食されるおそれがある。
しかし、この配線回路基板の製造方法では、上記した局部電池の原理により、端子部における導体材料は溶解しにくくなるので、端子部の表面にめっき層を形成して、めっき層の周端部と絶縁層との界面に導電性ポリマーの重合液が浸透しても、かかる腐食のおそれが少なく、そのため、端子部における変色を有効に防止することができる。 In general, in a method of manufacturing a printed circuit board, a plating layer may be formed on the surface to protect the terminal portion. However, if the plating layer is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer, the periphery of the plating layer is still present. There is a possibility that the polymer solution of the conductive polymer permeates into the interface between the end portion and the insulating layer, whereby the conductor material in the terminal portion is dissolved and the terminal portion is corroded.
However, in this method of manufacturing a printed circuit board, the conductor material in the terminal portion is difficult to dissolve due to the principle of the local battery described above. Therefore, a plating layer is formed on the surface of the terminal portion, and the peripheral end portion of the plating layer and Even if the polymerization solution of the conductive polymer penetrates into the interface with the insulating layer, there is little risk of such corrosion, so that discoloration at the terminal portion can be effectively prevented.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配線回路基板を用意する工程において、前記接触部材を設置するために、前記導体パターンに前記絶縁層から露出する露出部を形成することが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、接触部材を設置するために、導体パターンに絶縁層から露出する露出部を形成するので、露出部に接触部材を設置すれば、接触部材を簡単に設置することができる。 In the wired circuit board manufacturing method of the present invention, in the step of preparing the wired circuit board, it is preferable that an exposed portion exposed from the insulating layer is formed in the conductor pattern in order to install the contact member. It is.
In this method of manufacturing a printed circuit board, an exposed portion exposed from the insulating layer is formed in the conductor pattern in order to install the contact member. Therefore, if the contact member is installed in the exposed portion, the contact member can be easily installed. Can do.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記接触部材が、前記露出部に積層される保護層であることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、接触部材が露出部に積層される保護層であるので、保護層を導体パターンと確実に接触させることができる。そのため、端子部における腐食を確実に防止することができ、その結果、端子部における変色を確実に防止することができる。 In the wired circuit board manufacturing method of the present invention, it is preferable that the contact member is a protective layer laminated on the exposed portion.
In this method for manufacturing a printed circuit board, since the contact member is a protective layer laminated on the exposed portion, the protective layer can be reliably brought into contact with the conductor pattern. Therefore, corrosion at the terminal portion can be reliably prevented, and as a result, discoloration at the terminal portion can be reliably prevented.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記接触部材を設置する工程において、前記接触部材を前記露出部に除去可能に設置して、前記接触部材が設置された前記配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬した後、前記接触部材を前記露出部から除去することが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、接触部材を除去可能に露出部に設置し、半導電性層を形成した後、その接触部材を除去する。そのため、接触部材を配線回路基板に残存させることがなく、配線回路基板の信頼性を向上させることができる。 In the wired circuit board manufacturing method of the present invention, in the step of installing the contact member, the contact member is detachably installed on the exposed portion, and the wired circuit board on which the contact member is installed is electrically conductive. It is preferable that the contact member is removed from the exposed portion after being immersed in the polymerization solution of the conductive polymer.
In this method of manufacturing a printed circuit board, the contact member is removably installed on the exposed portion, and after the semiconductive layer is formed, the contact member is removed. Therefore, the contact member does not remain on the printed circuit board, and the reliability of the printed circuit board can be improved.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導体パターンの前記導体材料が、銅であり、前記接触部材の前記材料が、鉛および／または錫であることが好適である。
鉛および／または錫は、銅よりも、標準電極電位が低いため、端子部における銅の溶解が確実に抑制される。
そのため、端子部における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部における変色を確実に防止することができる。 In the method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention, it is preferable that the conductor material of the conductor pattern is copper and the material of the contact member is lead and / or tin.
Since lead and / or tin has a lower standard electrode potential than copper, dissolution of copper in the terminal portion is reliably suppressed.
Therefore, corrosion at the terminal portion can be reliably prevented. As a result, discoloration in the terminal portion can be reliably prevented.

また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンであるので、得られた配線回路基板は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。 In the method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention, it is preferable that the conductive polymer is polyaniline.
In this method of manufacturing a printed circuit board, since the conductive polymer is polyaniline, the obtained wired circuit board can more efficiently remove static charges.

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。 According to the method for manufacturing a printed circuit board of the present invention, the semiconductive layer can be formed on the surface of the insulating layer while preventing corrosion at the terminal portion. As a result, it is possible to efficiently remove the electrostatic charge of the obtained printed circuit board while preventing discoloration in the terminal portion.

図１は、本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の部分平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持するための金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が形成されている。 FIG. 1 is a partial plan view of a suspension board with circuit, which is an embodiment of a wired circuit board manufactured by the method for manufacturing a wired circuit board of the present invention, and FIG. 2 is an A- of the suspension board with circuit shown in FIG. It is sectional drawing which follows A line.
In FIG. 1, this suspension board with circuit 1 is mounted on a hard disk drive, mounted with a magnetic head (not shown), and the air flow when the magnetic head travels relative to the magnetic disk. Contrary to this, a conductor pattern 4 for connecting a magnetic head and a read / write substrate (not shown) is formed on a metal support substrate 2 for supporting the magnetic disk while maintaining a minute gap. Has been.

なお、図１では、導体パターン４の配置を明確にするために、後述するめっき層８、保護層９および半導電性層１０を省略して示している。
導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部７と、図示しない外部側接続端子部と、これら磁気ヘッド側接続端子部７および図示しない外部側接続端子部を接続するための配線６とを、一体的に連続して備えている。 In FIG. 1, in order to clarify the arrangement of the conductor pattern 4, a plating layer 8, a protective layer 9 and a semiconductive layer 10 described later are omitted.
The conductor pattern 4 includes a magnetic head side connection terminal portion 7, an external side connection terminal portion (not shown), and a wiring 6 for connecting the magnetic head side connection terminal portion 7 and an external side connection terminal portion (not shown). Continuously.

配線６は、回路付サスペンション基板１の長手方向（以下、単に長手方向という。）に沿って設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向、以下同じ。）において互いに間隔を隔てて複数（４本）並列配置されている。
また、導体パターン４は、配線６の長手方向途中において、後述するカバー絶縁層５の開口部１２に対応する位置において、幅方向両外側に膨出するように形成される膨出部２６を備えている。この膨出部２６は、平面視略矩形状に形成されている。 The wiring 6 is provided along the longitudinal direction of the suspension board with circuit 1 (hereinafter simply referred to as the longitudinal direction), and a plurality (4) of the wiring 6 are spaced apart from each other in the width direction (the direction orthogonal to the longitudinal direction, hereinafter the same). Book) are arranged in parallel.
Further, the conductor pattern 4 includes a bulging portion 26 formed so as to bulge outward in the width direction at a position corresponding to an opening 12 of the cover insulating layer 5 described later in the middle of the wiring 6 in the longitudinal direction. ing. The bulging portion 26 is formed in a substantially rectangular shape in plan view.

磁気ヘッド側接続端子部７は、金属支持基板２の先端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、磁気ヘッド側接続端子部７は、各配線６の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部７には、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。 The magnetic head side connection terminal portions 7 are arranged at the front end portion of the metal support substrate 2 and are arranged in parallel along the width direction so as to be spaced apart from each other, and are formed as rectangular lands having a substantially rectangular shape in plan view extending in the longitudinal direction. Has been. Also, a plurality (four) of magnetic head side connection terminal portions 7 are provided so that the tip ends of the respective wires 6 are connected to each other. The magnetic head side connection terminal portion 7 is connected to a terminal portion (not shown) of the magnetic head.

図示しない外部側接続端子部は、金属支持基板２の後端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、図示しない外部側接続端子部は、各配線６の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この外部側接続端子部には、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。 External connection terminal portions (not shown) are arranged at the rear end portion of the metal support substrate 2 and are arranged in parallel at intervals along the width direction, and as rectangular lands having a substantially rectangular shape in plan view extending in the longitudinal direction. Is formed. In addition, a plurality (four) of external connection terminal portions (not shown) are provided so that the rear end portions of the respective wires 6 are respectively connected. A terminal portion (not shown) of a read / write board is connected to the external connection terminal portion.

なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部７および図示しない外部側接続端子部は、特に区別が必要でない場合には、単に端子部７として説明する。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。また、この回路付サスペンション基板１は、導体パターン４の端子部７の表面に形成されるめっき層８と、導体パターン４における後述する露出部１１の上に形成される接触部材としての保護層９と、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層１０とを備えている。 Hereinafter, the magnetic head side connection terminal portion 7 and the external side connection terminal portion (not shown) will be described simply as the terminal portion 7 when it is not necessary to distinguish between them.
As shown in FIG. 2, the suspension board with circuit 1 includes a metal supporting board 2, a base insulating layer 3 formed on the metal supporting board 2, and a conductor formed on the base insulating layer 3. A pattern 4 and a cover insulating layer 5 formed on the insulating base layer 3 so as to cover the conductor pattern 4 are provided. The suspension board with circuit 1 includes a plating layer 8 formed on the surface of the terminal portion 7 of the conductor pattern 4 and a protective layer 9 as a contact member formed on an exposed portion 11 described later in the conductor pattern 4. And a semiconductive layer 10 formed on the surface of the insulating cover layer 5 and the surface of the insulating base layer 3.

金属支持基板２は、図１に示すように、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。金属支持基板２は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成される。金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
ベース絶縁層３は、図１および図２に示すように、金属支持基板２の上に、金属支持基板２より長手方向および幅方向がやや短くなる平面視略矩形シート状に形成されている。ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などの絶縁材料から形成される。好ましくは、ポリイミドから形成される。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。また、ベース絶縁層３の長さ（長手方向長さ、以下同じ。）および幅（幅方向長さ、以下同じ。）は、金属支持基板２に対応して、適宜設定される。 As shown in FIG. 1, the metal support substrate 2 is formed in a substantially rectangular sheet shape in plan view extending along the longitudinal direction. The metal supporting board 2 is made of a metal material such as stainless steel, 42 alloy, aluminum, copper-beryllium, phosphor bronze. The thickness of the metal supporting board 2 is 15-30 micrometers, for example, Preferably, it is 20-25 micrometers.
As shown in FIGS. 1 and 2, the insulating base layer 3 is formed on the metal support substrate 2 in a substantially rectangular sheet shape in plan view in which the longitudinal direction and the width direction are slightly shorter than the metal support substrate 2. The base insulating layer 3 is formed of an insulating material such as a synthetic resin such as polyimide, polyamideimide, acrylic, polyether nitrile, polyether sulfone, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or polyvinyl chloride. Preferably, it is formed from polyimide. The insulating base layer 3 has a thickness of, for example, 1 to 35 μm, or preferably 8 to 15 μm. Further, the length (length in the longitudinal direction, hereinafter the same) and the width (length in the width direction, hereinafter the same) of the insulating base layer 3 are appropriately set corresponding to the metal support substrate 2.

導体パターン４は、ベース絶縁層３の上に、配線６および配線６に接続される端子部７から一体的に形成される配線回路パターンとして、形成されている。
配線６は、カバー絶縁層５に被覆されるように形成されている。
端子部７は、ベース絶縁層３の長手方向両端部において、カバー絶縁層５の両端部から露出するように形成されている。 The conductor pattern 4 is formed on the base insulating layer 3 as a wiring circuit pattern integrally formed from the wiring 6 and the terminal portion 7 connected to the wiring 6.
The wiring 6 is formed so as to be covered with the insulating cover layer 5.
The terminal portions 7 are formed so as to be exposed from both end portions of the insulating cover layer 5 at both longitudinal ends of the insulating base layer 3.

また、導体パターン４において、配線６の長手方向途中に配置される膨出部２６の内側に、後述するカバー絶縁層５の開口部１２から露出する露出部１１が形成されている。露出部１１は、保護層９を形成するために、導体パターン４においてカバー絶縁層５から露出する部分として設けられている。
導体パターン４は、標準電極電位（２５℃）が、例えば、０〜２．０Ｖ、好ましくは、０．１〜０．５Ｖの導体材料から形成され、より具体的には、例えば、銅（標準電極電位（２５℃）：０．３３７Ｖ）、金（標準電極電位（２５℃）：１．５０Ｖ）、またはこれらの合金などの導体材料から形成される。好ましくは、銅から形成される。なお、標準電極電位は、水素電極（ＮＨＥ）に対する電位である。 In the conductor pattern 4, an exposed portion 11 exposed from an opening portion 12 of a cover insulating layer 5 described later is formed inside a bulging portion 26 disposed in the middle of the wiring 6 in the longitudinal direction. The exposed portion 11 is provided as a portion exposed from the insulating cover layer 5 in the conductor pattern 4 in order to form the protective layer 9.
The conductor pattern 4 is formed of a conductor material having a standard electrode potential (25 ° C.) of, for example, 0 to 2.0 V, preferably 0.1 to 0.5 V, and more specifically, for example, copper (standard Electrode potential (25 ° C.): 0.337 V), gold (standard electrode potential (25 ° C.): 1.50 V), or a conductive material such as an alloy thereof. Preferably, it is formed from copper. The standard electrode potential is a potential with respect to the hydrogen electrode (NHE).

導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各配線６の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各配線６間の間隔は、例えば、１０〜３００００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各端子部７の長さは、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍであり、幅は、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍである。また、膨出部２６の幅は、例えば、０．２〜１２ｍｍ、好ましくは、１．０〜７ｍｍである。膨出部２６の長さは、開口部１２の長さに応じて、適宜設定される。 The thickness of the conductor pattern 4 is 3-50 micrometers, for example, Preferably, it is 5-20 micrometers. Moreover, the width | variety of each wiring 6 is 10-200 micrometers, for example, Preferably, it is 20-100 micrometers, and the space | interval between each wiring 6 is 10-30000 micrometers, for example, Preferably it is 20-100 micrometers. Moreover, the length of each terminal part 7 is 50-2000 micrometers, for example, Preferably, it is 100-1000 micrometers, and the width is 50-2000 micrometers, for example, Preferably, it is 100-1000 micrometers. Moreover, the width | variety of the bulging part 26 is 0.2-12 mm, for example, Preferably, it is 1.0-7 mm. The length of the bulging portion 26 is appropriately set according to the length of the opening 12.

カバー絶縁層５は、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。より具体的には、カバー絶縁層５は、幅方向においては、その幅方向両端縁が、平面視においてベース絶縁層３の幅方向両端縁と同一位置に配置されている。また、カバー絶縁層５は、長手方向においては、その長手方向両端縁が、ベース絶縁層３の長手方向両端縁よりもやや短くなるように配置されている。これにより、カバー絶縁層５は、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出させている。カバー絶縁層５は、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料から形成されている。 The insulating cover layer 5 is formed in a substantially rectangular sheet shape in plan view extending along the longitudinal direction. More specifically, in the width direction, the cover insulating layer 5 has both end edges in the width direction arranged at the same position as both end edges in the width direction of the base insulating layer 3 in plan view. Further, the insulating cover layer 5 is arranged such that both longitudinal edges thereof are slightly shorter than both longitudinal edges of the insulating base layer 3 in the longitudinal direction. Thus, the insulating cover layer 5 covers the wiring 6 of the conductor pattern 4 and exposes the terminal portions 7 of the conductor pattern 4. The insulating cover layer 5 is made of the same insulating material as the insulating base layer 3 described above.

また、カバー絶縁層５には、このカバー絶縁層５を厚み方向に貫通する開口部１２が形成されている。
開口部１２は、厚み方向において配線６に対向配置されるように複数（４つ）形成されている。各開口部１２は、各配線６に対応してそれぞれ設けられており、各開口部１２は、長手方向に延び、導体パターン４の膨出部２６よりやや小さい平面視略矩形状に開口されている。 The insulating cover layer 5 has an opening 12 that penetrates the insulating cover layer 5 in the thickness direction.
A plurality of (four) openings 12 are formed so as to face the wiring 6 in the thickness direction. Each opening 12 is provided corresponding to each wiring 6, and each opening 12 extends in the longitudinal direction and is opened in a substantially rectangular shape in plan view that is slightly smaller than the bulging portion 26 of the conductor pattern 4. Yes.

カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。また、カバー絶縁層５の長さは、ベース絶縁層３および端子部７の大きさに応じて、適宜設定される。また、各開口部１２の長さは、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍであり、幅は、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍである。 The insulating cover layer 5 has a thickness of, for example, 1 to 40 μm, or preferably 1 to 7 μm. The length of the insulating cover layer 5 is appropriately set according to the size of the insulating base layer 3 and the terminal portion 7. The length of each opening 12 is, for example, 0.1 to 10 mm, preferably 0.5 to 5 mm, and the width is, for example, 0.1 to 10 mm, preferably 0.5 to 5 mm. is there.

めっき層８は、端子部７の上面、長手方向両側面（配線６の両端部が接続される部分を除く。）および幅方向両側面（図２において図示されない）に形成されている。めっき層８の材料としては、例えば、金などの金属材料が用いられる。めっき層８の厚みは、例えば、０．２〜３μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。
保護層９は、導体パターン４における各露出部１２の上に、カバー絶縁層５の各開口部１２内に充填されるように設けられている。すなわち、保護層９は、導体パターン４と接触しかつカバー絶縁層５の開口部１２から露出するように、露出部１１に積層されている。 The plating layer 8 is formed on the upper surface of the terminal portion 7, both side surfaces in the longitudinal direction (excluding portions where both ends of the wiring 6 are connected), and both side surfaces in the width direction (not shown in FIG. 2). As a material of the plating layer 8, for example, a metal material such as gold is used. The thickness of the plating layer 8 is, for example, 0.2 to 3 μm, or preferably 0.5 to 2 μm.
The protective layer 9 is provided on each exposed portion 12 in the conductor pattern 4 so as to be filled in each opening 12 of the insulating cover layer 5. That is, the protective layer 9 is laminated on the exposed portion 11 so as to be in contact with the conductor pattern 4 and exposed from the opening 12 of the insulating cover layer 5.

保護層９は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成されている。
保護層９を形成する材料の標準電極電位（２５℃）は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位（２５℃）より、例えば、０．０５〜２．０Ｖ低く、好ましくは、０．２〜２．０Ｖ低く設定され、保護層９を形成する材料の標準電極電位（２５℃）は、より具体的には、例えば、−２．０〜０Ｖ、好ましくは、−１．８〜−０．１Ｖである。 The protective layer 9 is made of a material having a standard electrode potential lower than the standard electrode potential of the conductor material forming the conductor pattern 4.
The standard electrode potential (25 ° C.) of the material forming the protective layer 9 is, for example, 0.05 to 2.0 V lower than the standard electrode potential (25 ° C.) of the conductor material forming the conductor pattern 4, preferably 0. More specifically, the standard electrode potential (25 ° C.) of the material which is set to be lower by 2 to 2.0 V and forms the protective layer 9 is, for example, −2.0 to 0 V, preferably −1.8 to -0.1V.

このような保護層９を形成する材料としては、例えば、鉛（標準電極電位（２５℃）：−０．１２６Ｖ）、錫（標準電極電位（２５℃）：−０．１３６Ｖ）、ニッケル（標準電極電位（２５℃）：−０．２５０Ｖ）、鉄（標準電極電位（２５℃）：−０．４４Ｖ）、亜鉛（標準電極電位（２５℃）：−０．７６３Ｖ）、アルミニウム（標準電極電位（２５℃）：−１．６６Ｖ）、またはこれらの合金（共晶を含む。）などが用いられ、好ましくは、鉛、錫、ニッケルまたはこれらの合金などが用いられ、さらに好ましくは、鉛、錫またはこれらの合金が用いられる。 Examples of the material for forming the protective layer 9 include lead (standard electrode potential (25 ° C.): −0.126 V), tin (standard electrode potential (25 ° C.): −0.136 V), nickel (standard). Electrode potential (25 ° C.): −0.250 V), iron (standard electrode potential (25 ° C.): −0.44 V), zinc (standard electrode potential (25 ° C.): −0.763 V), aluminum (standard electrode potential) (25 ° C.): −1.66 V), or alloys thereof (including eutectic), etc. are used, preferably lead, tin, nickel, or alloys thereof, more preferably lead, Tin or an alloy thereof is used.

保護層９の厚みは、例えば、０．１〜５００μｍ、好ましくは、１〜２００μｍである。
半導電性層１０は、カバー絶縁層５の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（開口部１２の内側面を含む。）と、カバー絶縁層５および導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面、ベース絶縁層３の長手方向両側面および幅方向両側面とに、形成されている。 The thickness of the protective layer 9 is 0.1-500 micrometers, for example, Preferably, it is 1-200 micrometers.
The semiconductive layer 10 includes an upper surface of the cover insulating layer 5, both side surfaces in the longitudinal direction, and both side surfaces in the width direction (including the inner surface of the opening 12), and the base insulating layer exposed from the cover insulating layer 5 and the conductor pattern 4. 3 is formed on the upper surface of 3, on both side surfaces in the longitudinal direction and on both side surfaces in the width direction of the base insulating layer 3.

半導電性層１０は、後述する導電性ポリマーの重合液への浸漬により、導電性ポリマーから形成されている。
導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体などが挙げられる。好ましくは、ポリアニリンが挙げられる。これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。 The semiconductive layer 10 is formed from a conductive polymer by immersing the conductive polymer described later in a polymerization solution.
Examples of the conductive polymer include polyaniline, polypyrrole, polythiophene, or derivatives thereof. Preferably, polyaniline is used. These conductive polymers can be used alone or in combination of two or more.

半導電性層１０の厚みは、例えば、０．０１〜０．１μｍ、好ましくは、０．０２〜０．０５μｍである。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３および４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。 The thickness of the semiconductive layer 10 is, for example, 0.01 to 0.1 μm, preferably 0.02 to 0.05 μm.
Next, a method for manufacturing the suspension board with circuit 1 will be described with reference to FIGS.
First, in this method, a metal support substrate 2 is prepared as shown in FIG.

次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３を上記したパターンで形成する。
ベース絶縁層３を、上記したパターンで形成するには、例えば、金属支持基板２の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。 Next, in this method, as shown in FIG. 3B, the base insulating layer 3 is formed on the metal support substrate 2 in the above-described pattern.
In order to form the base insulating layer 3 in the pattern described above, for example, a photosensitive varnish of the insulating material described above is applied to the upper surface of the metal supporting substrate 2, and after drying, exposed through a photomask, After development, it is cured if necessary.

次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を上記した配線回路パターンで形成する。
導体パターン４は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面、長手方向両側面および幅方向両側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、仮想線で示す金属薄膜１８を形成する。金属薄膜１８は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。 Next, in this method, as shown in FIG. 3C, the conductor pattern 4 is formed on the insulating base layer 3 with the above-described wiring circuit pattern.
The conductor pattern 4 is formed by a known patterning method such as an additive method or a subtractive method. Preferably, it is formed by an additive method.
In the additive method, first, a metal thin film 18 indicated by an imaginary line is formed on the upper surface of the base insulating layer 3, both side surfaces in the longitudinal direction and both side surfaces in the width direction, and the upper surface of the metal support substrate 2 exposed from the base insulating layer 3. . The metal thin film 18 is formed by laminating a chromium thin film and a copper thin film by sputtering, preferably chromium sputtering and copper sputtering.

次いで、この金属薄膜１８の上面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜１８の上面に、電解めっきにより、上記したパターンで、導体パターン４を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の金属薄膜１８を除去する。
これにより、導体パターン４をベース絶縁層３の上に、上記した配線回路パターンで形成することができる。 Next, after forming a plating resist (not shown) on the upper surface of the metal thin film 18 in a pattern opposite to the above pattern, the conductor pattern 4 is formed in the above pattern by electrolytic plating on the upper surface of the metal thin film 18 exposed from the plating resist. After that, the plating resist and the metal thin film 18 where the plating resist was laminated are removed.
Thereby, the conductor pattern 4 can be formed on the base insulating layer 3 with the wiring circuit pattern described above.

次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出するとともに、開口部１２を有するパターンで形成する。
カバー絶縁層５を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン４およびベース絶縁層３を含む金属支持基板２の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。 Next, in this method, as shown in FIG. 3 (d), the insulating cover layer 5 is covered with the wiring 6 of the conductor pattern 4 on the insulating base layer 3, and the terminal portion 7 of the conductive pattern 4 is provided. The pattern is exposed and has an opening 12.
In order to form the insulating cover layer 5 with the above-described pattern, for example, a photosensitive varnish of the insulating material described above is applied to the upper surface of the metal supporting substrate 2 including the conductive pattern 4 and the insulating base layer 3 and dried. Then, it is exposed through a photomask, and after development, it is cured if necessary.

次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、めっき層８を、端子部７の表面に形成する。
めっき層８を形成するには、例えば、金属支持基板２および露出部１１を被覆するように図示しないめっきレジストを形成した後、例えば、電解めっきまたは無電解めっき、好ましくは、電解金めっきまたは無電解金めっきする。その後、めっきレジストを除去する。 Next, in this method, the plating layer 8 is formed on the surface of the terminal portion 7 as shown in FIG.
In order to form the plating layer 8, for example, after forming a plating resist (not shown) so as to cover the metal support substrate 2 and the exposed portion 11, for example, electrolytic plating or electroless plating, preferably electrolytic gold plating or non-plating. Electrolytic gold plating. Thereafter, the plating resist is removed.

これにより、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５と、導体パターン４とを備える、製造途中の回路付サスペンション基板１（半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１）を用意する。
この製造途中の回路付サスペンション基板１では、導体パターン４は、カバー絶縁層５に被覆される配線６と、カバー絶縁層５から露出し、その表面にめっき層８が形成される端子部７とを一体的に備えている。また、配線６の長手方向途中は、膨出部２６内において、開口部１２から露出する露出部１１とされている。 As a result, a suspension board with circuit 1 with circuit (the suspension board with circuit 1 before the semiconductive layer 10 is formed) including the base insulating layer 3, the cover insulating layer 5, and the conductor pattern 4 is prepared. .
In the suspension board with circuit 1 in the course of manufacturing, the conductor pattern 4 includes the wiring 6 that is covered with the insulating cover layer 5, the terminal portion 7 that is exposed from the insulating cover layer 5 and on which the plating layer 8 is formed. Is integrated. In the middle of the wiring 6 in the longitudinal direction, the exposed portion 11 exposed from the opening 12 is formed in the bulging portion 26.

次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、露出部１１に、保護層９を形成する。保護層９は、露出部１１と接触するように積層し、開口部１２から露出するように設ける。
保護層９を形成するには、例えば、上記した材料のめっき溶液を用いためっき、例えば、上記した材料の粒子を含む金属ペーストを用いた印刷、例えば、上記した材料を含む半田を用いた塗布などが用いられる。 Next, in this method, a protective layer 9 is formed on the exposed portion 11 as shown in FIG. The protective layer 9 is laminated so as to be in contact with the exposed portion 11 and is provided so as to be exposed from the opening 12.
In order to form the protective layer 9, for example, plating using a plating solution of the above-described material, for example, printing using a metal paste including particles of the above-described material, for example, application using solder including the above-described material Etc. are used.

めっきでは、例えば、電解めっきまたは無電解めっき、好ましくは、鉛および／または錫のめっき溶液を用いた電解めっきまたは無電解めっきなどが用いられる。
金属ペーストを用いた印刷では、例えば、露出部１１に、上記した材料の粒子を含むペースト、好ましくは、鉛および／または錫の粒子を含むペーストを印刷し、その後、これを焼結させる。 In the plating, for example, electrolytic plating or electroless plating, preferably electrolytic plating or electroless plating using a lead and / or tin plating solution is used.
In printing using a metal paste, for example, a paste containing particles of the above-described material, preferably a paste containing particles of lead and / or tin, is printed on the exposed portion 11 and then sintered.

半田を用いた塗布では、例えば、露出部１１に、上記した材料からなる半田、好ましくは、鉛および／または錫の半田を塗布し、その後、これを加熱する。
次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、半導電性層１０を、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成する。
半導電性層１０を形成するには、まず、図４（ｆ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤を配合する。 In the application using solder, for example, the exposed portion 11 is applied with solder made of the above-described material, preferably lead and / or tin solder, and then heated.
Next, in this method, as shown in FIG. 4G, the semiconductive layer 10 is formed on the surface of the cover insulating layer 5 and the surface of the base insulating layer 3.
In order to form the semiconductive layer 10, first, the suspension board with circuit 1 in the process of manufacturing shown in FIG. 4 (f) is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer, and a polymerization initiator is blended in the polymerization solution. To do.

導電性ポリマーの重合液は、例えば、導電性ポリマーを重合するためのモノマーおよび溶媒を配合することにより調製される。
モノマーとしては、例えば、アニリン、ピロール、チオフェンなどが用いられ、好ましくは、アニリンが用いられる。これらモノマーは、単独使用または２種以上併用することができる。 The conductive polymer polymerization solution is prepared, for example, by blending a monomer and a solvent for polymerizing the conductive polymer.
As the monomer, for example, aniline, pyrrole, thiophene or the like is used, and aniline is preferably used. These monomers can be used alone or in combination of two or more.

溶媒としては、例えば、水、酸性水溶液などが用いられ、好ましくは、酸性水溶液が用いられる。酸性水溶液を形成する酸性成分としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸などの有機酸などが用いられる。
重合開始剤としては、例えば、２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二硫酸塩、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩などのアゾ系開始剤、例えば、過硫酸カリウム（ペルオキソ二硫酸カリウム）、過硫酸アンモニウム（ペルオキソ二硫酸アンモニウム）などの過硫酸塩系開始剤、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化水素などの過酸化物系開始剤、例えば、フェニル置換エタンなどの置換エタン系開始剤、例えば、芳香族カルボニル化合物などのカルボニル系開始剤、例えば、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムとの組合せ、過酸化物とアスコルビン酸ナトリウムとの組合せなどのレドックス系開始剤などが用いられる。これら重合開始剤は、単独使用または２種以上併用することができる。 As the solvent, for example, water, an acidic aqueous solution, or the like is used, and an acidic aqueous solution is preferably used. Examples of the acidic component that forms the acidic aqueous solution include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, and phosphoric acid, and organic acids such as formic acid, acetic acid, and oxalic acid.
Examples of the polymerization initiator include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2-methylpropionamidine) disulfate, and 2,2′-azobis (2-methylpropionamidine). Azo initiators such as dihydrochloride, for example persulfate initiators such as potassium persulfate (potassium peroxodisulfate), ammonium persulfate (ammonium peroxodisulfate), such as benzoyl peroxide, t-butyl hydroperoxide Peroxide initiators such as hydrogen peroxide, substituted ethane initiators such as phenyl-substituted ethane, carbonyl initiators such as aromatic carbonyl compounds, such as persulfate and sodium bisulfite Combinations, redox initiators such as combinations of peroxides and sodium ascorbate, etc. That. These polymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.

また、重合開始剤をその重合液に配合するには、必要により、重合開始剤を溶媒に溶解させた重合開始剤溶液を調製し、この重合開始剤溶液を配合することもできる。なお、重合開始剤溶液の調製において用いられる溶媒は、重合液の調製に用いられる溶媒と同様のものが用いられる。
導電性ポリマーの重合液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００２〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．０５ｍｏｌ／Ｌである。また、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときの、重合液においては、重合開始剤の濃度が、例えば、０．００２〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。 Moreover, in order to mix | blend a polymerization initiator with the polymerization liquid, the polymerization initiator solution which melt | dissolved the polymerization initiator in the solvent can be prepared as needed, and this polymerization initiator solution can also be mix | blended. The solvent used in preparing the polymerization initiator solution is the same as the solvent used in preparing the polymerization solution.
In the conductive polymer polymerization solution, the monomer concentration is, for example, 0.005 to 0.5 mol / L, preferably 0.01 to 0.1 mol / L, and the acidic component when the solvent is an acidic aqueous solution. The concentration of is, for example, 0.002 to 0.1 mol / L, preferably 0.005 to 0.05 mol / L. Moreover, in the polymerization liquid when a polymerization initiator (or polymerization initiator solution) is blended, the concentration of the polymerization initiator is, for example, 0.002 to 0.2 mol / L, preferably 0.005 to 0.1 mol / L.

そして、上記した回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、重合開始剤を配合した後、例えば、５〜１８０分間、好ましくは、１０〜１００分間、回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬する。
上記した浸漬において、導電性ポリマーの重合液は、その浸漬温度が、例えば、１〜４０℃、好ましくは、５〜２５℃に設定される。 And after immersing the suspension board | substrate 1 with a circuit mentioned above in the polymerization liquid of a conductive polymer and mix | blending a polymerization initiator, for example, for 5 to 180 minutes, Preferably, the suspension board | substrate 1 with a circuit for 10 to 100 minutes. Immerse in the polymerization solution of conductive polymer.
In the above immersion, the polymerization temperature of the conductive polymer is set to 1 to 40 ° C., preferably 5 to 25 ° C., for example.

これにより、導電性ポリマーからなる半導電性層１０が、絶縁層の表面、すなわち、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面において析出するように重合され形成される。
その後、半導電性層１０が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を水洗する。 Thereby, the semiconductive layer 10 made of the conductive polymer is polymerized and formed so as to be deposited on the surface of the insulating layer, that is, the surface of the cover insulating layer 5 and the surface of the base insulating layer 3.
Thereafter, the suspension board with circuit 1 in the process of manufacturing on which the semiconductive layer 10 is formed is washed with water.

次いで、この方法では、必要により、半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングする。
半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングするには、上記した半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤を溶解した溶液（ドーピング剤溶液）に浸漬する。 Next, in this method, if necessary, the conductive polymer of the semiconductive layer 10 is doped.
In order to dope the conductive polymer of the semiconductive layer 10, the suspension board with circuit 1 on which the semiconductive layer 10 is formed is immersed in a solution in which a doping agent is dissolved (doping agent solution).

ドーピング剤は、導電性ポリマーに導電性を付与するものであって、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。これらドーピング剤は、単独使用または２種以上併用することができる。 The doping agent imparts conductivity to the conductive polymer. For example, p-toluenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, alkylnaphthalenesulfonic acid, polystyrenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid novolak resin, p-toluene Phenolsulfonic acid novolak resin, β-naphthalenesulfonic acid formalin condensate and the like are used. These doping agents can be used alone or in combination of two or more.

ドーピング剤を溶解するための溶媒としては、例えば、水、メタノールなどが用いられる。
ドーピング剤溶液の調製においては、ドーピング剤の濃度が、例えば、５〜１００重量％、好ましくは、１０〜５０重量％となるように、溶媒を配合する。
半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１のドーピング剤溶液への浸漬時間は、例えば、３０秒〜３０分、好ましくは、１〜１０分に設定される。 As a solvent for dissolving the doping agent, for example, water, methanol or the like is used.
In the preparation of the doping agent solution, the solvent is blended so that the concentration of the doping agent is, for example, 5 to 100% by weight, preferably 10 to 50% by weight.
The immersion time of the suspension board with circuit 1 on which the semiconductive layer 10 is formed in the dopant solution is set to, for example, 30 seconds to 30 minutes, preferably 1 to 10 minutes.

また、ドーピング剤溶液の浸漬（ドーピング）温度は、例えば、１０〜７０℃、好ましくは、２０〜６０℃に設定される。
上記した半導電性層１０の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。
また、導電性ポリマーがドーピングされた、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、１×１０⁵〜１×１０¹²Ω／□、好ましくは、１×１０⁶〜１×１０¹¹Ω／□である。なお、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩＰＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製のＨｉｒｅｓｔａＩＰＭＣＰ−ＨＴ２６０（プローブ：ＨＲＳ）を用いて測定することができる。 Further, the immersion (doping) temperature of the doping agent solution is set to, for example, 10 to 70 ° C, preferably 20 to 60 ° C.
Conductivity is imparted to the conductive polymer by doping the conductive polymer of the semiconductive layer 10 described above.
The surface resistance value of the semiconductive layer 10 doped with the conductive polymer is, for example, 1 × 10 ⁵ to 1 × 10 ¹² Ω / □, preferably 1 × 10 ⁶ to 1 × 10 ¹¹ Ω / □. □. In addition, the surface resistance value of the semiconductive layer 10 can be measured using, for example, HIRESTA IP MCP-HT260 (probe: HRS) manufactured by MITSUBISHI PETROCHEMICAL.

その後、この方法では、導電性ポリマーがドーピングされた半導電性層１０が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をさらに水洗する。
そして、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、保護層９を、開口部１２から露出する露出部１１に設ける。そのため、保護層９が設けられた回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときに、この保護層９が露出部１１において導体パターン４と接触しており、かつ、保護層９を形成する材料の標準電極電位が導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも低いため、保護層９および導体パターン４において局部電池が形成される。そうすると、このような局部電池の原理により、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い（イオン化傾向の高い）保護層９を形成する材料は溶解する一方で、導体パターン４を形成する導体材料は、たとえ、端子部７において露出していても、溶解しにくくなる。 Thereafter, in this method, the suspension board with circuit 1 in the process of manufacturing the semiconductive layer 10 doped with the conductive polymer is further washed with water.
In the manufacturing method of the suspension board with circuit 1, the protective layer 9 is provided on the exposed portion 11 exposed from the opening 12. Therefore, when the suspension board with circuit 1 provided with the protective layer 9 is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer, the protective layer 9 is in contact with the conductor pattern 4 at the exposed portion 11, and the protective layer 9 Since the standard electrode potential of the material forming the conductor pattern 4 is lower than the standard electrode potential of the conductor material forming the conductor pattern 4, local cells are formed in the protective layer 9 and the conductor pattern 4. Then, according to the principle of such a local battery, while the material forming the protective layer 9 having a lower standard electrode potential (higher ionization tendency) than the standard electrode potential of the conductor material forming the conductor pattern 4 is dissolved, the conductor Even if the conductor material forming the pattern 4 is exposed at the terminal portion 7, it is difficult to dissolve.

そのため、端子部７における腐食を防止できながら、半導電性層１０をカバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成することができる。
その結果、端子部７における変色を防止できながら、得られた回路付サスペンション基板１の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、端子部７を保護するために、その表面にめっき層８を形成しているが、導電性ポリマーの重合液に浸漬すると、めっき層８の周端部とカバー絶縁層５およびベース絶縁層３との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、端子部７を腐食させるおそれがある。しかし、この方法では、上記した局部電池の原理により、端子部７における導体材料は溶解しにくくなっているので、かかる腐食のおそれは少なく、そのため、端子部７における変色を有効に防止することができる。 Therefore, the semiconductive layer 10 can be formed on the surface of the insulating cover layer 5 and the surface of the insulating base layer 3 while preventing corrosion at the terminal portion 7.
As a result, the electrostatic charge of the obtained suspension board with circuit 1 can be efficiently removed while preventing discoloration in the terminal portion 7.
Further, in this manufacturing method of the suspension board with circuit 1, the plating layer 8 is formed on the surface thereof in order to protect the terminal portion 7, but when immersed in a conductive polymer polymerization solution, the periphery of the plating layer 8 is formed. There is a risk that the polymer solution of the conductive polymer may permeate into the interface between the end portion and the insulating cover layer 5 and the insulating base layer 3 to corrode the terminal portion 7. However, in this method, the conductor material in the terminal portion 7 is difficult to dissolve due to the principle of the local battery described above, so there is little risk of such corrosion, and therefore, it is possible to effectively prevent discoloration in the terminal portion 7. it can.

しかも、この方法では、導体パターン４にカバー絶縁層５の開口部１２から露出する露出部１１を形成するので、この露出部１１に保護層９を設けることにより、保護層９を簡単に積層することができる。
さらにまた、保護層９は積層されるので、保護層９を導体パターン４と確実に接触させることができる。そのため、端子部７における腐食を確実に防止することができ、その結果、端子部７における変色を確実に防止することができる。 In addition, in this method, the exposed portion 11 exposed from the opening 12 of the insulating cover layer 5 is formed in the conductor pattern 4, and thus the protective layer 9 is provided on the exposed portion 11 so that the protective layer 9 can be easily laminated. be able to.
Furthermore, since the protective layer 9 is laminated, the protective layer 9 can be reliably brought into contact with the conductor pattern 4. Therefore, corrosion at the terminal portion 7 can be reliably prevented, and as a result, discoloration at the terminal portion 7 can be reliably prevented.

また、製造途中の回路付サスペンション基板１において、導体パターン４の導体材料が銅であり、保護層９の材料が鉛および／または錫である場合には、鉛および／または錫は、銅よりも、標準電極電位が低いため、端子部７における銅の溶解が確実に抑制される。
そのため、端子部７における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部７における変色を確実に防止することができる。 Further, in the suspension board with circuit 1 in the process of manufacture, when the conductor material of the conductor pattern 4 is copper and the material of the protective layer 9 is lead and / or tin, lead and / or tin is more than copper. Since the standard electrode potential is low, dissolution of copper in the terminal portion 7 is reliably suppressed.
Therefore, corrosion at the terminal portion 7 can be reliably prevented. As a result, discoloration in the terminal portion 7 can be reliably prevented.

また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンである場合には、得られた回路付サスペンション基板１は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態としての回路付サスペンション基板の製造方法について、図５〜図８を参照して、説明する。なお、上記した各部に対応する部材については、図５〜図８において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。 Further, in this method of manufacturing the suspension board with circuit 1, when the conductive polymer is polyaniline, the obtained suspension board with circuit 1 can more efficiently remove static charge.
Next, a method for manufacturing a suspension board with circuit as another embodiment of the method for manufacturing a wired circuit board according to the present invention will be described with reference to FIGS. In addition, about the member corresponding to each above-mentioned part, the same referential mark is attached | subjected in FIGS. 5-8, and the detailed description is abbreviate | omitted.

上記した回路付サスペンション基板１の製造方法の説明では、保護層９を露出部１１に積層したが、保護層９の積層に代替して、例えば、回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬する間、接触部材としてのクリップ１９によって、回路付サスペンション基板１を挟み込むこともできる。
すなわち、この方法では、回路付サスペンション基板１の浸漬の前に、図５（ａ）に示すように、クリップ１９で、露出部１１と、その露出部１１に対向する金属支持基板２とに接触するように回路付サスペンション基板１を挟み込む。 In the above description of the manufacturing method of the suspension board with circuit 1, the protective layer 9 is laminated on the exposed portion 11, but instead of the lamination of the protective layer 9, for example, the suspension board with circuit 1 is made of a conductive polymer polymerization solution. During the immersion, the suspension board with circuit 1 can be sandwiched by the clip 19 as a contact member.
That is, in this method, before immersion of the suspension board with circuit 1, as shown in FIG. 5A, the clip 19 contacts the exposed portion 11 and the metal support substrate 2 facing the exposed portion 11. Then, the suspension board with circuit 1 is sandwiched.

クリップ１９は、例えば、ステンレスなどの金属材料から形成されており、その表面全体が、めっきなどにより形成される被覆層１７によって被覆されている。
被覆層１７は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成され、例えば、上記した保護層９と同様の材料、好ましくは、ニッケルから形成されている。 The clip 19 is made of, for example, a metal material such as stainless steel, and the entire surface thereof is covered with a covering layer 17 formed by plating or the like.
The covering layer 17 is made of a material having a standard electrode potential lower than the standard electrode potential of the conductor material forming the conductor pattern 4, and is made of, for example, the same material as the protective layer 9 described above, preferably nickel. .

次いで、図５（ｂ）で示すように、クリップ１９で挟み込まれた回路付サスペンション基板１を、そのまま、導電性ポリマーの重合液に浸漬することにより、半導電性層１０を、ベース絶縁層３の表面およびカバー絶縁層５の表面に形成する。
その後、図５（ｃ）に示すように、クリップ１９を回路付サスペンション基板１から取り外す。 Next, as shown in FIG. 5 (b), the suspension board with circuit 1 sandwiched between the clips 19 is immersed in a conductive polymer polymerization solution as it is, so that the semiconductive layer 10 is formed into the base insulating layer 3. And on the surface of the insulating cover layer 5.
Thereafter, as shown in FIG. 5C, the clip 19 is removed from the suspension board with circuit 1.

この方法によれば、被覆層１７で被覆されるクリップ１９で、回路付サスペンション基板１を挟み込む。そのため、このクリップ１９により挟み込まれた回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときに、上記と同様に、被覆層１７および導体パターン４において局部電池が形成され、これにより、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い（イオン化傾向の高い）被覆層１７を形成する材料は溶解する一方で、導体パターン４を形成する導体材料は、たとえ、端子部７において露出していても、溶解しにくくなる。 According to this method, the suspension board with circuit 1 is sandwiched between the clips 19 covered with the covering layer 17. Therefore, when the suspension board with circuit 1 sandwiched between the clips 19 is immersed in a conductive polymer polymerization solution, a local battery is formed in the covering layer 17 and the conductor pattern 4 in the same manner as described above. The material forming the coating layer 17 having a lower standard electrode potential (higher ionization tendency) than the standard electrode potential of the conductive material forming the pattern 4 is dissolved, while the conductive material forming the conductive pattern 4 is a terminal. Even if it is exposed at the portion 7, it becomes difficult to dissolve.

そのため、端子部７における腐食を防止できながら、半導電性層１０をカバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成することができる。
その結果、端子部７における変色を防止できながら、得られた回路付サスペンション基板１の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
しかも、この方法では、クリップ１９で回路付サスペンション基板１を着脱可能に挟み込んだ後、この回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層１０を形成し、その後、回路付サスペンション基板１からクリップ１９を取り外す。そのため、上記した保護層９のように回路付サスペンション基板１にそのまま残存することがなく、回路付サスペンション基板１の信頼性を向上させることができる。 Therefore, the semiconductive layer 10 can be formed on the surface of the insulating cover layer 5 and the surface of the insulating base layer 3 while preventing corrosion at the terminal portion 7.
As a result, the electrostatic charge of the obtained suspension board with circuit 1 can be efficiently removed while preventing discoloration in the terminal portion 7.
Moreover, in this method, after the suspension board with circuit 1 is detachably sandwiched between the clips 19, the suspension board with circuit 1 is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer to form the semiconductive layer 10, and thereafter Then, the clip 19 is removed from the suspension board with circuit 1. Therefore, unlike the protective layer 9 described above, the suspension board with circuit 1 does not remain as it is, and the reliability of the suspension board with circuit 1 can be improved.

なお、上記した説明では、保護層９を、回路付サスペンション基板１の内側に設けたが、例えば、図６に示すように、回路付サスペンション基板１の外側に設けることもできる。
すなわち、図６において、この方法では、回路付サスペンション基板１を、複数の回路付サスペンション基板１を備える回路付サスペンション基板シート２３として製造する。 In the above description, the protective layer 9 is provided on the inner side of the suspension board with circuit 1, but may be provided on the outer side of the suspension board with circuit 1, for example, as shown in FIG. 6.
That is, in FIG. 6, in this method, the suspension board with circuit 1 is manufactured as a suspension board sheet with circuit 23 including a plurality of suspension boards with circuit 1.

この方法において、回路付サスペンション基板シート２３は、複数の回路付サスペンション基板１と、これらを分離可能に支持する支持枠２５とを備えている。
各回路付サスペンション基板１は支持枠２５内において、互いに間隔を隔てて整列状態で配置されており、図示しない切断可能な複数のジョイント部を介してそれぞれ支持枠２５に支持されている。 In this method, the suspension board with circuit sheet 23 includes a plurality of suspension boards with circuit 1 and a support frame 25 that detachably supports them.
Each suspension board with circuit 1 is arranged in an aligned state in the support frame 25 at intervals, and is supported by the support frame 25 via a plurality of severable joint portions (not shown).

導体パターン４は、複数の回路付サスペンション基板１（回路付サスペンション基板１の内側）においては、配線６および端子部７を含み、支持枠２５（回路付サスペンション基板１の外側）においては、めっきリード２４を含んでいる。
支持枠２５は、図８（ｆ）に示すように、後述する金属支持層２７における各回路付サスペンション基板１の金属支持基板２を除く部分であって、平面視略矩形シート状に形成されている。支持枠２５の上には、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成されるめっきリード２４とが設けられている。 The conductor pattern 4 includes the wiring 6 and the terminal portion 7 in the plurality of suspension boards with circuit 1 (inside the suspension board with circuit 1), and plating leads in the support frame 25 (outside of the suspension board with circuit 1). 24.
As shown in FIG. 8 (f), the support frame 25 is a portion of the metal support layer 27, which will be described later, excluding the metal support substrate 2 of the suspension board with circuit 1, and is formed in a substantially rectangular sheet shape in plan view. Yes. On the support frame 25, the base insulating layer 3 and the plating lead 24 formed on the base insulating layer 3 are provided.

ベース絶縁層３は、支持枠２５において、後述するめっきリード２４が形成される位置に対応するパターンとして、形成されている。
めっきリード２４は、配線６および端子部７と、図示しないめっきリード端子とを電気的に接続して、電解めっきによりめっき層８を形成するために形成されている。より具体的には、めっきリード２４は、図６に示すように、１本のめっきリード２４が分岐して、各回路付サスペンション基板１に接続されており、各回路付サスペンション基板１では、さらに分岐して、各配線６および端子部７に接続されている。また、このめっきリード２４は、その全体がカバー絶縁層５から露出する露出部１１とされている。また、１本のめっきリード２４の途中には、膨出部２６が１つ形成されている。 The base insulating layer 3 is formed in the support frame 25 as a pattern corresponding to a position where a plating lead 24 described later is formed.
The plating lead 24 is formed to electrically connect the wiring 6 and the terminal portion 7 to a plating lead terminal (not shown) and form the plating layer 8 by electrolytic plating. More specifically, as shown in FIG. 6, the plating lead 24 is branched to one plating lead 24 and connected to each suspension board with circuit 1. In each suspension board with circuit 1, It branches and is connected to each wiring 6 and the terminal part 7. Further, the plating lead 24 is the exposed portion 11 exposed from the insulating cover layer 5 as a whole. In addition, one bulging portion 26 is formed in the middle of one plating lead 24.

次いで、この回路付サスペンション基板シート２３の製造方法について、図７および図８を参照して、説明する。
まず、この方法では、図７（ａ）に示すように、金属支持層２７を用意する。
金属支持層２７を形成する金属材料は、金属支持基板２と同様のものが用いられる。
次いで、この方法では、図７（ｂ）に示すように、金属支持層２７の上に、ベース絶縁層３を、各回路付サスペンション基板１に対応したパターンで、かつ、めっきリード２４に対応したパターンで形成する。ベース絶縁層３の形成には、上記と同様の方法が用いられる。 Next, a method for manufacturing the suspension board sheet with circuit 23 will be described with reference to FIGS.
First, in this method, a metal support layer 27 is prepared as shown in FIG.
The metal material for forming the metal support layer 27 is the same as that of the metal support substrate 2.
Next, in this method, as shown in FIG. 7B, the base insulating layer 3 is formed on the metal support layer 27 in a pattern corresponding to each suspension board with circuit 1 and corresponding to the plating lead 24. Form with a pattern. For the formation of the base insulating layer 3, the same method as described above is used.

次いで、この方法では、図７（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を、各回路付サスペンション基板１に対応した配線回路パターンで形成するとともに、支持枠２５（図８（ｆ）参照）において、ベース絶縁層３の上に、めっきリード２４を形成する。めっきリード２４は、導体パターン４の導体材料と同様の導体材料から形成される。導体パターン４およびめっきリード２４の形成には、上記と同様の方法が用いられる。 Next, in this method, as shown in FIG. 7C, the conductor pattern 4 is formed on the insulating base layer 3 with a wiring circuit pattern corresponding to each suspension board with circuit 1 and the support frame 25 ( In FIG. 8F, the plating lead 24 is formed on the base insulating layer 3. The plating lead 24 is formed from the same conductive material as that of the conductive pattern 4. For the formation of the conductor pattern 4 and the plating lead 24, the same method as described above is used.

次いで、この方法では、図７（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出する各回路付サスペンション基板１に対応したパターンで形成する。カバー絶縁層５の形成には、上記と同様の方法が用いられる。
その後、この方法では、図示しないが、めっき層８を、端子部７の表面に形成する。めっき層８の形成は、上記と同様の方法が用いられる。 Next, in this method, as shown in FIG. 7 (d), the insulating cover layer 5 is covered with the wiring 6 of the conductor pattern 4 on the insulating base layer 3, and the terminal portion 7 of the conductive pattern 4 is provided. A pattern corresponding to each exposed suspension board with circuit 1 is formed. For the formation of the insulating cover layer 5, the same method as described above is used.
Thereafter, in this method, although not shown, the plating layer 8 is formed on the surface of the terminal portion 7. The plating layer 8 is formed using the same method as described above.

次いで、この方法では、図８（ｅ）に示すように、めっきリード２４の膨出部２６内に、保護層９を形成する。保護層９を形成するには、上記と同様の方法が用いられる。
次いで、この方法では、図８（ｆ）に示すように、半導電性層１０を、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成する。半導電性層１０の形成には、上記と同様の方法が用いられる。 Next, in this method, as shown in FIG. 8E, the protective layer 9 is formed in the bulging portion 26 of the plating lead 24. In order to form the protective layer 9, the same method as described above is used.
Next, in this method, as shown in FIG. 8 (f), the semiconductive layer 10 is formed on the surface of the cover insulating layer 5 and the surface of the base insulating layer 3. For the formation of the semiconductive layer 10, the same method as described above is used.

その後、この方法では、金属支持層２７を外形加工することにより、金属支持層２７に図示しないジョイント部を形成して、各回路付サスペンション基板１に対応する金属支持基板２を形成する。その後、図示しないジョイント部を切断して、点線に沿って、各回路付サスペンション基板１を支持枠２５から切り離す。これにより、めっきリード２４と、各回路付サスペンション基板１の配線６および端子部７とが、電気的に切断される。 After that, in this method, the metal support layer 27 is trimmed to form a joint portion (not shown) in the metal support layer 27, and the metal support substrate 2 corresponding to each suspension board with circuit 1 is formed. Then, the joint part which is not illustrated is cut | disconnected and each suspension board | substrate 1 with a circuit is cut | disconnected from the support frame 25 along a dotted line. Thereby, the plating lead 24 and the wiring 6 and the terminal portion 7 of each suspension board with circuit 1 are electrically disconnected.

そして、この方法では、各回路付サスペンション基板１を、保護層９が形成されている支持枠２５から切り離すので、保護層９が、各回路付サスペンション基板１に残存することがなく、回路付サスペンション基板１の信頼性を向上させることができる。
しかも、１枚の回路付サスペンション基板シート２３に、１つの保護層９を設けるので、保護層９を簡単に設けることができ、回路付サスペンション基板１の製造工程を簡略化することができる。 In this method, each suspension board with circuit 1 is separated from the support frame 25 on which the protective layer 9 is formed. Therefore, the protective layer 9 does not remain on each suspension board with circuit 1, and the suspension with circuit is provided. The reliability of the substrate 1 can be improved.
Moreover, since one protective layer 9 is provided on one suspension board sheet with circuit 23, the protective layer 9 can be provided easily, and the manufacturing process of the suspension board with circuit 1 can be simplified.

また、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、または、多層フレキシブル配線回路基板、さらには、金属支持基板２が補強層として設けられた各種フレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。 In the above description, the wiring circuit board of the present invention has been described by taking the suspension board with circuit 1 as an example. The present invention can be widely applied to other wiring circuit boards such as a wiring circuit board, a multilayer flexible wiring circuit board, and various flexible wiring circuit boards provided with the metal supporting board 2 as a reinforcing layer.

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
（回路付サスペンション基板の製造）
実施例１
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to the examples and comparative examples.
(Manufacture of suspension board with circuit)
Example 1
A metal support substrate made of stainless steel having a thickness of 20 μm was prepared (see FIG. 3A).

次いで、その金属支持基板の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分間加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１９０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、平面視矩形状の上記したパターンで形成した（図３（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。 Next, a varnish of a photosensitive polyamic acid resin is uniformly applied to the upper surface of the metal support substrate using a spin coater, and then the applied varnish is heated at 90 ° C. for 15 minutes to form a base film. Formed. Thereafter, the base film was exposed at 700 mJ / cm ² through a photomask, heated at 190 ° C. for 10 minutes, and then developed using an alkali developer. Thereafter, the base insulating layer made of polyimide was formed on the metal support substrate in the above-described rectangular shape in plan view by curing at 385 ° C. in a state where the pressure was reduced to 1.33 Pa (FIG. 3B). )reference). The insulating base layer had a thickness of 10 μm.

次いで、アディティブ法により、銅からなる厚み１５μｍの導体パターンを上記したパターンで形成した（図３（ｃ）参照）。各配線間の間隔は１０００μｍ、各配線の幅は３０μｍであり、各端子部の長さは２００μｍ、各端子部の幅は２００μｍであった。また、膨出部の幅は５００μｍ、長さは５００μｍであった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターンおよびベース絶縁層を含む金属支持基板の上面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分間加熱することにより、厚み１５μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１８０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、ポリイミドからなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層上に、配線を被覆しかつ端子部を露出するとともに、露出部を露出する開口部が形成されるように平面視矩形状のパターンとして形成した（図３（ｄ）参照）。このカバー絶縁層の厚みは４μｍであった。また、各開口部の長さは２００μｍ、幅は２００μｍであった。 Next, a conductor pattern made of copper having a thickness of 15 μm was formed in the above-described pattern by an additive method (see FIG. 3C). The interval between each wiring was 1000 μm, the width of each wiring was 30 μm, the length of each terminal part was 200 μm, and the width of each terminal part was 200 μm. Further, the bulging portion had a width of 500 μm and a length of 500 μm.
Next, the above-described photosensitive polyamic acid resin varnish is uniformly applied to the upper surface of the metal support substrate including the conductor pattern and the base insulating layer by using a spin coater, and heated at 90 ° C. for 10 minutes to obtain a thickness of 15 μm. A cover film was formed. Thereafter, the cover film was exposed at 700 mJ / cm ² through a photomask, heated at 180 ° C. for 10 minutes, and then developed using an alkali developer to pattern the cover film. Thereafter, it was cured at 385 ° C. under a reduced pressure of 1.33 Pa. As a result, the insulating cover layer made of polyimide is formed on the insulating base layer as a rectangular pattern in plan view so that the wiring is covered and the terminal portion is exposed and the exposed portion is exposed. (See FIG. 3D). The insulating cover layer had a thickness of 4 μm. Each opening had a length of 200 μm and a width of 200 μm.

次いで、金属支持基板および露出部にめっきレジストを形成した後、無電解金めっきすることにより、金めっき層を端子部の表面に形成し、その後、めっきレジストを除去した（図４（ｅ）参照）。この金めっき層の厚みは２．５μｍであった。
次いで、露出部に、鉛および錫の共晶半田（標準電極電位（２５℃）：−０．１３Ｖ）を塗布し加熱することにより、保護層を積層した（図４（ｆ）参照）。保護層の厚みは１５０μｍであった。 Next, after forming a plating resist on the metal support substrate and the exposed portion, electroless gold plating was performed to form a gold plating layer on the surface of the terminal portion, and then the plating resist was removed (see FIG. 4E). ). The thickness of this gold plating layer was 2.5 μm.
Next, a lead and tin eutectic solder (standard electrode potential (25 ° C.): −0.13 V) was applied to the exposed portion and heated to laminate a protective layer (see FIG. 4F). The thickness of the protective layer was 150 μm.

次いで、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成した（図４（ｇ）参照）。
半導電性層の形成では、まず、９８％濃硫酸２．０ｇに、純水約３００ｇおよびアニリン２．５ｇを順次加え、攪拌しながら１０℃になるまで冷却することにより、ポリアニリンの重合液を調製した。次いで、別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム（過硫酸アンモニウム：ＡＰＳ）１０．７ｇに、純水２０ｇを加え、溶解するまで攪拌し、１０℃になるまで冷却することにより、重合開始剤水溶液を調製した。 Next, a semiconductive layer was formed on the surface of the cover insulating layer and the surface of the base insulating layer (see FIG. 4G).
In the formation of the semiconductive layer, first, about 300 g of pure water and 2.5 g of aniline were sequentially added to 2.0 g of 98% concentrated sulfuric acid, and the mixture was cooled to 10 ° C. with stirring, whereby a polyaniline polymerization solution was obtained. Prepared. Subsequently, 20 g of pure water was separately added to 10.7 g of ammonium peroxodisulfate (ammonium persulfate: APS), stirred until dissolved, and cooled to 10 ° C. to prepare an aqueous polymerization initiator solution.

その後、上記したポリアニリンの重合液に、保護層が積層された回路付サスペンション基板を浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤水溶液を添加して混合し、その後、さらに１０℃で１２分間浸漬することにより、アニリンを重合させて、ベース絶縁層の表面およびカバー絶縁層の表面にポリアニリンを析出させた。
なお、重合開始剤が添加された重合液において、アニリンの濃度は０．０５ｍｏｌ／Ｌ、硫酸の濃度は０．０４ｍｏｌ／Ｌ、ペルオキソ二硫酸アンモニウムの濃度は０．０９ｍｏｌ／Ｌであった。 Thereafter, the suspension board with circuit on which the protective layer is laminated is immersed in the above-described polyaniline polymerization solution, and an aqueous polymerization initiator solution is added to the polymerization solution and mixed, and then further immersed at 10 ° C. for 12 minutes. Thus, aniline was polymerized to deposit polyaniline on the surface of the base insulating layer and the surface of the cover insulating layer.
In the polymerization solution to which the polymerization initiator was added, the aniline concentration was 0.05 mol / L, the sulfuric acid concentration was 0.04 mol / L, and the ammonium peroxodisulfate concentration was 0.09 mol / L.

その後、製造途中の回路付サスペンション基板を重合液から引き上げ、これを水洗後、濃度２０重量％のｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂（ＰＰＳＡ）のドーピング剤水溶液に、６０℃で１０分間浸漬することにより、半導電性層のポリアニリンをドーピングした。その後、これを水洗した。なお、このドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の厚みは０．０３μｍであった。また、ドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の表面抵抗値は、１×１０⁷〜１×１０⁸Ω／□であった。 Thereafter, the suspension board with circuit in the middle of manufacture was pulled up from the polymerization solution, washed with water, and then immersed in an aqueous doping agent solution of p-phenolsulfonic acid novolak resin (PPSA) having a concentration of 20% by weight at 60 ° C. for 10 minutes. The semiconductive layer was doped with polyaniline. Thereafter, this was washed with water. The semiconductive layer made of doped polyaniline had a thickness of 0.03 μm. The surface resistance value of the semiconductive layer made of doped polyaniline was 1 × 10 ⁷ to 1 × 10 ⁸ Ω / □.

実施例２
実施例１において、鉛および錫の共晶半田の塗布および加熱に代えて、回路付サスペンション基板をステンレスクリップにより挟み込んだ以外は、実施例１と同様に処理することにより、回路付サスペンション基板を得た。
すなわち、ステンレスクリップにより、露出部と、その露出部と対向する金属支持基板とに接触するように回路付サスペンション基板を挟み込む（図５（ａ）参照）。ステンレスクリップは、その表面全体が、ニッケルめっきにより形成される被覆層によって被覆されている。 Example 2
In Example 1, a suspension board with circuit was obtained by processing in the same manner as in Example 1 except that the suspension board with circuit was sandwiched between stainless steel clips instead of application and heating of eutectic solder of lead and tin. It was.
That is, the suspension board with circuit is sandwiched between the exposed portion and the metal support substrate facing the exposed portion by the stainless clip (see FIG. 5A). The entire surface of the stainless clip is covered with a coating layer formed by nickel plating.

次いで、ステンレスクリップで挟み込まれた回路付サスペンション基板を、そのまま、ポリアニリンの重合液に浸漬するとともに、重合開始剤水溶液を添加して浸漬することにより、半導電性層を形成した（図５（ｂ）参照）。
その後、ステンレスクリップを回路付サスペンション基板から取り外した（図５（ｃ）参照）。 Next, the suspension board with circuit sandwiched between the stainless steel clips was immersed in a polyaniline polymerization solution as it was, and a semiconducting layer was formed by adding an aqueous polymerization initiator solution and immersing (FIG. 5B). )reference).
Thereafter, the stainless clip was removed from the suspension board with circuit (see FIG. 5C).

比較例１
実施例１において、保護層を積層しなかった以外は、実施例１と同様に処理することにより、回路付サスペンション基板を得た。
（評価）
実施例１および２と比較例１とにより得られた回路付サスペンション基板の端子部を目視により観察した。 Comparative Example 1
A suspension board with circuit was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective layer was not laminated in Example 1.
(Evaluation)
The terminal portions of the suspension board with circuit obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were visually observed.

実施例１および２の回路付サスペンション基板では、端子部に変色は見られなかった。
しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、端子部に変色が見られた。 In the suspension boards with circuit of Examples 1 and 2, no discoloration was observed in the terminal portions.
However, in the suspension board with circuit of Comparative Example 1, discoloration was observed in the terminal portion.

本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の部分平面図である。It is a partial top view of the suspension board with circuit which is one embodiment of the wired circuit board manufactured by the manufacturing method of the wired circuit board of the present invention. 図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line of the suspension board | substrate with a circuit shown in FIG. 図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、開口部を有するパターンで形成する工程を示す。FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views showing a manufacturing process of the suspension board with circuit shown in FIG. 2, wherein FIG. 3A is a process for preparing a metal support board, and FIG. 2B is a process for forming a base insulating layer on the metal support board. Step (c) shows a step of forming a conductor pattern on the insulating base layer, and (d) shows a step of forming the insulating cover layer on the insulating base layer in a pattern having an opening. 図３に続いて、図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ｅ）は、めっき層を、端子部の表面に形成する工程、（ｆ）は、保護層を、露出部に形成する工程、（ｇ）は、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成する工程を示す。3 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the suspension board with circuit shown in FIG. 2 following FIG. 3, wherein (e) is a step of forming a plating layer on the surface of the terminal portion, and (f) is a protective layer. (G) shows a step of forming a semiconductive layer on the surface of the cover insulating layer and the surface of the base insulating layer. 本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態である回路付サスペンション基板の製造方法を示す断面図であって、（ａ）は、露出部を、被覆層で被覆されるクリップで、挟み込む工程、（ｂ）は、半導電性層を、ベース絶縁層の表面およびカバー絶縁層の表面に形成する工程、（ｃ）は、クリップを露出部から取り外す工程を示す。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the suspension board | substrate with a circuit which is other embodiment of the manufacturing method of the wired circuit board of this invention, Comprising: (a) is pinched | exposed with the clip coat | covered with a coating layer. Step (b) shows a step of forming a semiconductive layer on the surface of the base insulating layer and the surface of the cover insulating layer, and (c) shows a step of removing the clip from the exposed portion. 本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板が複数備えられる回路付サスペンション基板シートの平面図である。It is a top view of the suspension board sheet | seat with a circuit provided with two or more suspension boards with a circuit which are one Embodiment of the wired circuit board manufactured by the manufacturing method of the wired circuit board of this invention. 図６に示す回路付サスペンション基板シートの製造工程を示すＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持層の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層をベース絶縁層の上に形成する工程を示す。It is sectional drawing which follows the AA line which shows the manufacturing process of the suspension board sheet | seat with a circuit shown in FIG. 6, Comprising: (a) is a process which prepares a metal support layer, (b) is a base insulating layer, metal. The step of forming on the support layer, (c) shows the step of forming a conductor pattern, and (d) shows the step of forming the insulating cover layer on the insulating base layer. 図７に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示すＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ｅ）は、保護層を、めっきリードの膨出部内に形成する工程、（ｆ）は、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成する工程示す。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA showing the manufacturing process of the suspension board with circuit shown in FIG. 3 following FIG. 7, and (e) is a step of forming a protective layer in the bulging portion of the plating lead. (F) shows the process of forming the semiconductive layer on the surface of the cover insulating layer and the surface of the base insulating layer.

Explanation of symbols

１回路付サスペンション基板
３ベース絶縁層
４導体パターン
５カバー絶縁層
６配線
７端子部
８めっき層
９保護層
１０半導電性層
１１露出部
１７被覆層
１９クリップ
２４めっきリード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Suspension board with a circuit 3 Base insulating layer 4 Conductor pattern 5 Cover insulating layer 6 Wiring 7 Terminal part 8 Plating layer 9 Protective layer 10 Semiconductive layer 11 Exposed part 17 Covering layer 19 Clip 24 Plating lead

Claims

Preparing a wiring circuit board comprising an insulating layer, and a conductor pattern including a wiring covered by the insulating layer and a terminal portion exposed from the insulating layer;
Installing a contact member formed of a material having a lower standard electrode potential than a standard electrode potential of a conductor material forming the conductor pattern so as to be in contact with the conductor pattern and exposed from the insulating layer;
A wiring circuit board comprising the step of immersing the wired circuit board including the installed contact member in a polymerization solution of a conductive polymer to form a semiconductive layer on the surface of the insulating layer. A method of manufacturing a circuit board.

In the step of preparing the wired circuit board,
The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein a plating layer is formed on a surface of the terminal portion.

In the step of preparing the wired circuit board,
The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein an exposed portion exposed from the insulating layer is formed in the conductor pattern in order to install the contact member.

The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 3, wherein the contact member is a protective layer laminated on the exposed portion.

In the step of installing the contact member, the contact member is detachably installed on the exposed portion,
4. The printed circuit board according to claim 3, wherein the contact member is removed from the exposed portion after the wired circuit board on which the contact member is installed is immersed in a polymerization solution of a conductive polymer. 5. Method.

The conductor material of the conductor pattern is copper;
The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein the material of the contact member is lead and / or tin.

The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1, wherein the conductive polymer is polyaniline.