JP2008024698A - Organic compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device - Google Patents
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Abstract
【課題】高発光効率、長寿命の有機電界発光素子を得るために有用な有機化合物を提供すること。
【解決手段】式(I)で表される三重項励起準位が高く、且つ耐熱性が良好である有機化合物(式中、G1〜G3は、N−カルバゾリル基で置換された芳香族6員環等である。)。
【選択図】なしTo provide an organic compound useful for obtaining an organic electroluminescent device having high luminous efficiency and long life.
An organic compound having a high triplet excitation level represented by formula (I) and good heat resistance (wherein G 1 to G 3 are aromatic groups substituted with an N-carbazolyl group) 6-membered ring, etc.).
[Selection figure] None
Description
本発明は、有機電界発光素子等に関し、より詳しくは三重項励起準位が高く、且つ耐熱性が良好な電荷輸送材料を用いた有機電界発光素子等に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence device and the like, and more particularly to an organic electroluminescence device using a charge transport material having a high triplet excitation level and good heat resistance.
近年、薄膜型の電界発光素子として、無機材料に代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層等を有し、この各層に適した材料が開発されている。
このような材料としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムが挙げられる。特許文献1では、発光層にトリス(8−キノリノラト)アルミニウムを含有し、正孔注入層及び正孔輸送層にそれぞれ特定構造のアミン化合物を含有して、発光輝度、発光効率及び耐熱性に優れた有機電界発光素子が提案されている。
In recent years, an organic electroluminescent element using an organic thin film instead of an inorganic material has been developed as a thin film type electroluminescent element. An organic electroluminescent element usually has a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like between an anode and a cathode, and materials suitable for these layers have been developed.
An example of such a material is tris (8-quinolinolato) aluminum. In Patent Document 1, tris (8-quinolinolato) aluminum is contained in the light-emitting layer, and an amine compound having a specific structure is contained in each of the hole injection layer and the hole transport layer, so that the light emission luminance, light emission efficiency, and heat resistance are excellent. Organic electroluminescent devices have been proposed.
また、従来、有機電界発光素子は蛍光発光を利用してきたが、素子の発光効率を上げるために、蛍光発光に代わり燐光発光を用いることが検討されている。
例えば、これまでに開発された燐光発光性分子を用いた有機電界発光素子の多くは、発光層の材料(ホスト材料)として、以下に示すようなカルバゾリル基を有するビフェニル誘導体が用いられている。
Conventionally, organic electroluminescent devices have used fluorescent light emission, but in order to increase the light emission efficiency of the device, it has been studied to use phosphorescent light emission instead of fluorescent light emission.
For example, in many organic electroluminescent devices using phosphorescent molecules developed so far, biphenyl derivatives having a carbazolyl group as shown below are used as the material (host material) of the light emitting layer.
ところで、これまで開発されている有機電界発光素子は、発光輝度、発光効率及び耐熱性にはある程度優れるものの、素子の寿命に関しては、さらなる課題を有している。
例えば、発光層に用いられるトリス(8−キノリノラト)アルミニウムは、発光効率、最大発光輝度及び色純度の点において不十分であるため、フルカラーディスプレイ用途への適用は限定的であるという問題点がある。
また、燐光発光は用いる試みは、未だ十分な発光効率が得られていないのが現状である。さらに、燐光発光性物質として開発されているカルバゾリル基を有するビフェニル誘導体の場合は、非晶質性あるいは電気化学的な耐久性等が不十分であるため、それを用いた素子は、耐久性に課題を有している。
一方、車搭載等の用途を考えた場合、夏場の車内環境などを考慮すると耐熱性が良好である必要があり、現状の材料ではこの点でも十分ではないという問題を有している。
By the way, although the organic electroluminescent element developed so far is excellent in luminous luminance, luminous efficiency, and heat resistance to some extent, there is a further problem regarding the lifetime of the element.
For example, tris (8-quinolinolato) aluminum used for the light emitting layer is insufficient in terms of light emission efficiency, maximum light emission luminance, and color purity, and thus has a problem that application to full color display is limited. .
Moreover, the present condition is that sufficient luminous efficiency has not been obtained yet. Furthermore, in the case of a biphenyl derivative having a carbazolyl group, which has been developed as a phosphorescent material, the amorphous or electrochemical durability is insufficient, so that an element using the same has durability. Has a problem.
On the other hand, when considering applications such as in-car use, heat resistance needs to be good in consideration of the environment in the car in summer, and the current materials have a problem that this point is not sufficient.
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものである。
即ち、本発明の目的は、三重項励起準位が高く、且つ耐熱性が良好な電荷輸送材料を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、三重項励起準位が高く、且つ耐熱性が良好な電荷輸送材料を使用した電荷輸送材料組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、長寿命、且つ発光効率が高い有機電界発光素子を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-described problems.
That is, an object of the present invention is to provide a charge transport material having a high triplet excitation level and good heat resistance.
Another object of the present invention is to provide a charge transport material composition using a charge transport material having a high triplet excitation level and good heat resistance.
Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having a long lifetime and high luminous efficiency.
かくして本発明によれば、下記一般式(I)で表されることを特徴とする電荷輸送材料が提供される。 Thus, according to the present invention, a charge transport material represented by the following general formula (I) is provided.
(式(I)中、G1〜G3は、互いに独立に任意の芳香族炭化水素基、または一般式(II)で表される部分構造に繋がる直接結合または任意の連結基を表す。但し、G1〜G3の何れか1以上は、一般式(II)で表される部分構造に繋がる直接結合または任意の連結基を表す。当該部分構造は、さらに他の任意の基で置換されていてもよい。) (In Formula (I), G 1 to G 3 each independently represent an arbitrary aromatic hydrocarbon group, or a direct bond or an arbitrary linking group that leads to a partial structure represented by General Formula (II). Any one or more of G 1 to G 3 represents a direct bond or an arbitrary linking group linked to the partial structure represented by the general formula (II), which is further substituted with any other arbitrary group. May be.)
(式(II)中、環Aは、芳香族6員環を表し、X1〜X4は、互いに独立に、窒素原子または置換基を有していてもよい炭素原子を表す。Czは、置換基を有していてもよいN−カルバゾリル基を表す。但し、環Aと直接結合している(置換基を有していてもよい)N原子の数は、該N−カルバゾリル基を含め1または2である。) (In Formula (II), ring A represents an aromatic 6-membered ring, and X 1 to X 4 each independently represent a nitrogen atom or a carbon atom that may have a substituent. Represents an N-carbazolyl group which may have a substituent, provided that the number of N atoms directly bonded to ring A (which may have a substituent) includes the N-carbazolyl group. 1 or 2)
ここで、置換基G1〜G3が、直接結合であることが好ましく、また置換基G1〜G3の内、少なくとも2つが、互いに独立に、一般式(II)で表される部分構造に繋がる直接結合または任意の連結基で表されることがさらに好ましく、環Aが、ベンゼン環またはピリジン環であるとさらに好ましい。 Here, the substituents G 1 to G 3 are preferably direct bonds, and at least two of the substituents G 1 to G 3 are each independently a partial structure represented by the general formula (II). The ring A is more preferably represented by a direct bond or an arbitrary linking group, and the ring A is more preferably a benzene ring or a pyridine ring.
次に、本発明によれば、上述した式(I)で示される電荷輸送材料と溶剤とを含有することを特徴とする電荷輸送材料組成物が提供される。
ここで、さらに燐光発光性色素を含有することが好ましい。
Next, according to the present invention, there is provided a charge transport material composition comprising the charge transport material represented by the above formula (I) and a solvent.
Here, it is preferable to further contain a phosphorescent dye.
また、本発明によれば、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、上述した式(I)で示される電荷輸送材料を含有してなる層を有することを特徴とする、有機電界発光素子が提供される。 According to the present invention, there is also provided an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and an organic light emitting layer provided between both electrodes on a substrate, wherein the charge transport material represented by the above formula (I) is There is provided an organic electroluminescent device characterized by having a layer containing it.
ここで、電荷輸送材料を含有する層が有機発光層であることが好ましく、有機発光層が、上述した式(I)で示される電荷輸送材料をホスト材料とし、当該ホスト材料に対して、燐光発光性色素がドープされていることが好ましい。 Here, the layer containing the charge transport material is preferably an organic light-emitting layer, and the organic light-emitting layer uses the charge transport material represented by the formula (I) described above as a host material, and phosphorescents the host material. It is preferable that the luminescent pigment is doped.
また発光スペクトルが、波長425nm〜500nmの範囲にピークを有することが好ましい。 The emission spectrum preferably has a peak in the wavelength range of 425 nm to 500 nm.
本発明によれば、長寿命、且つ発光効率が高い有機電界発光素子が得られる。 According to the present invention, an organic electroluminescence device having a long lifetime and high luminous efficiency can be obtained.
以下、本発明を実施するための最良の形態(実施の形態)について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。 Hereinafter, the best mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and can be implemented with various modifications within the scope of the gist. Also, the drawings used are used to describe the present embodiment and do not represent the actual size.
1.有機化合物
本実施の形態が適用される有機化合物は、下記式(I)で表されることを特徴とする。
1. Organic Compound The organic compound to which the present embodiment is applied is represented by the following formula (I).
(式(I)中、G1〜G3は、互いに独立に任意の芳香族炭化水素基、または一般式(II)で表される部分構造に繋がる直接結合または任意の連結基を表す。但し、G1〜G3の何れか1以上は、一般式(II)で表される部分構造に繋がる直接結合または任意の連結基を表す。当該部分構造は、さらに他の任意の基で置換されていてもよい。) (In Formula (I), G 1 to G 3 each independently represent an arbitrary aromatic hydrocarbon group, or a direct bond or an arbitrary linking group that leads to a partial structure represented by General Formula (II). Any one or more of G 1 to G 3 represents a direct bond or an arbitrary linking group linked to the partial structure represented by the general formula (II), which is further substituted with any other arbitrary group. May be.)
(式(II)中、環Aは、芳香族6員環を表し、X1〜X4は、互いに独立に、窒素原子または置換基を有していてもよい炭素原子を表す。Czは、置換基を有していてもよいN−カルバゾリル基を表す。但し、環Aと直接結合している(置換基を有していてもよい)N原子の数は、該N−カルバゾリル基を含め1または2である。) (In Formula (II), ring A represents an aromatic 6-membered ring, and X 1 to X 4 each independently represent a nitrogen atom or a carbon atom that may have a substituent. Represents an N-carbazolyl group which may have a substituent, provided that the number of N atoms directly bonded to ring A (which may have a substituent) includes the N-carbazolyl group. 1 or 2)
G1〜G3が一般式(II)で表される部分構造と繋がる連結基である場合の具体例としては、置換基を有してもよいアルキル基(好ましくは炭素数1〜8の直鎖または分岐のアルキル基で、メチル、エチル、n−プロピル、2−プロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル基などが挙げられる。);置換基を有してもよいアルケニル基(例えば、炭素数1〜8のアルケニル基であり、ビニル、アリル、1−ブテニル基などが挙げられる。);置換基を有してもよいアルキニル基(例えば、炭素数1〜8のアルキニル基であり、エチニル、プロパルギル基などが挙げられる。);置換基を有してもよいアラルキル基(例えば、炭素数1〜8のアラルキル基であり、ベンジル基などが挙げられる。);置換基を有してもよいアミノ基(好ましくは、置換基に炭素数1〜8のアルキル基を1つ以上有するものであり、例えば、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。);置換基を有してもよいアリールアミノ基(例えば、フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ基などが挙げられる。);置換基を有してもよいヘテロアリールアミノ基(例えば、ピリジルアミノ、チエニルアミノ、ジチエニルアミノ基などが含まれる。);置換基を有してもよいアシルアミノ基(例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ基などが含まれる。);置換基を有していてもよいアルコキシ基(好ましくは、置換基を有してもよい炭素数1〜8のアルコキシ基であり、メトキシ、エトキシ、ブトキシ基などが含まれる);置換基を有してもよいアリールオキシ基(好ましくは、芳香族炭化水素基や複素環基を有するものであり、例えば、フェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ、ピリジルオキシ、チエニルオキシ基などが含まれる。);置換基を有していてもよいアシル基(好ましくは、置換基を有してもよい炭素数1〜8のアシル基であり、ホルミル、アセチル、ベンゾイル基などが含まれる);置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基(好ましくは、置換基を有してもよい炭素数2〜13のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル基などが含まれる);置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基(好ましくは、置換基を有してもよい炭素数2〜13のアリールオキシカルボニル基であり、アセトキシ基などが含まれる);カルボキシル基;シアノ基;水酸基;チオール基;置換基を有していてもよいアルキルチオ基(好ましくは、炭素数1〜8までのアルキルチオ基であり、メチルチオ基、エチルチオ基などが含まれる。);置換基を有していてもよいアリールチオ基(好ましくは、炭素数1〜8までのアリールチオ基であり、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基などが含まれる。);置換基を有していてもよいスルホニル基(例えば、メシル基、トシル基などが含まれる);置換基を有してもよいシリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが含まれる);置換基を有してもよいボリル基(例えば、ジメシチルボリル基などが含まれる);置換基を有してもよいホスフィノ基(例えば、ジフェニルホスフィノ基などが含まれる);置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基(例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などが含まれる。);芳香族複素環基(例えば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが含まれる)、など由来の2価基が挙げられる。
このうちベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、6員環の単環または2〜5縮合環由来の2価の連結基、或いは、それらが複数個連結されて形成された2価の連結基(例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基など)であることが好ましい。より好ましくは直接結合、または、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基などの−(Ph)p−(Phは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、pは1〜8の整数を表す。)で表される、ベンゼン環を1個〜8個連結してなる2価の連結基である。連結基の分子量としては、1000以下が好ましく、500以下がさらに好ましい。
但し、連結基がなく直接に結合することが好ましい。
Specific examples of the case where G 1 to G 3 are a linking group linked to the partial structure represented by the general formula (II) include an alkyl group (preferably a straight chain having 1 to 8 carbon atoms) which may have a substituent. A chain or branched alkyl group such as methyl, ethyl, n-propyl, 2-propyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl group, etc.); an alkenyl group which may have a substituent (for example, An alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms such as vinyl, allyl, 1-butenyl group, etc.); an alkynyl group which may have a substituent (for example, an alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms; Ethynyl, propargyl group, etc.); an aralkyl group which may have a substituent (for example, an aralkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as a benzyl group); Good amino (Preferably, the substituent has one or more alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino groups, etc.); An arylamino group which may be substituted (for example, phenylamino, diphenylamino, ditolylamino group, etc.); a heteroarylamino group which may have a substituent (for example, pyridylamino, thienylamino, dithienylamino group, etc.) An acylamino group which may have a substituent (for example, an acetylamino, benzoylamino group, etc.); an alkoxy group which may have a substituent (preferably having a substituent). An alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, which includes a methoxy, ethoxy, butoxy group, etc.); substituent Aryloxy group which may have (preferably those having an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, pyridyloxy, thienyloxy groups, etc. An acyl group which may have a substituent (preferably an acyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, including a formyl, acetyl, benzoyl group, etc.) An alkoxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms which may have a substituent, including, for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, etc.); An optionally substituted aryloxycarbonyl group (preferably an optionally substituted aryloxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms) Acetoxy group and the like); carboxyl group; cyano group; hydroxyl group; thiol group; alkylthio group optionally having a substituent (preferably an alkylthio group having 1 to 8 carbon atoms, methylthio group And ethylthio group. An arylthio group which may have a substituent (preferably an arylthio group having 1 to 8 carbon atoms, including a phenylthio group, a 1-naphthylthio group, etc.); A sulfonyl group (eg, including a mesyl group, a tosyl group, etc.); a silyl group that may have a substituent (eg, a trimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, etc.); Boryl group (for example, including dimesitylboryl group, etc.); Phosphino group that may have a substituent (for example, including diphenylphosphino group); Aromatic carbonization that may have a substituent Hydrogen ring group (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, trif An aromatic heterocyclic group (eg, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, etc.) Carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring , Pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc.) Divalent group, and the like.
Of these, 6-membered monocyclic or 2-5 condensed rings such as benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, etc. Or a divalent linking group formed by linking a plurality of them (for example, biphenylene group, terphenylene group, etc.). More preferably, it is a direct bond, or-(Ph) p- (Ph represents a phenylene group which may have a substituent, such as a phenylene group, a biphenylene group or a terphenylene group, and p represents an integer of 1 to 8. And a divalent linking group formed by linking 1 to 8 benzene rings. The molecular weight of the linking group is preferably 1000 or less, and more preferably 500 or less.
However, it is preferable that they are directly bonded without a linking group.
また置換基G1〜G3の内、少なくとも2つが、互いに独立に、一般式(II)で表される部分構造に直接または連結基を介して繋がることが好ましい。 Moreover, it is preferable that at least two of the substituents G 1 to G 3 are linked to the partial structure represented by the general formula (II) directly or via a linking group, independently of each other.
X1〜X4が置換基を有していてもよい炭素原子である場合の置換基としては、下記一般式(II)で表される部分構造が有していてもよい置換基として、以下に例示するものが挙げられる。 As the substituent when X 1 to X 4 are carbon atoms that may have a substituent, the substituent that the partial structure represented by the following general formula (II) may have is as follows: Are exemplified.
この中では、ベンゼン環またはピリジン環が最も好ましい。 Among these, a benzene ring or a pyridine ring is most preferable.
一般式(I)で表される有機化合物において、G1〜G3で表される任意の芳香族炭化水素基としては、例えば、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基(例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環由来の基などが含まれる。)が挙げられるが、G1〜G3としてはベンゼン環由来の基(フェニル基)が好ましい。
また一般式(II)で表される部分構造は、さらに他の基で置換されていてもよいが、その置換基や、また一般式(II)においてCzで表される置換基を有してもよいN−カルバゾリル基における置換基は上記例示したものが挙げられる。また、これら置換基は通常500以下、好ましくは300以下である。
In the organic compound represented by the general formula (I), as the arbitrary aromatic hydrocarbon group represented by G 1 to G 3 , for example, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent (for example, , benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and the like groups derived from fluoranthene ring.) Although the like, G 1 ~ G 3 is preferably a benzene ring-derived group (phenyl group).
In addition, the partial structure represented by the general formula (II) may be further substituted with another group, but has the substituent and the substituent represented by Cz in the general formula (II). Examples of the substituent in the good N-carbazolyl group include those exemplified above. These substituents are usually 500 or less, preferably 300 or less.
本実施の形態が適用される有機化合物の分子量は、上限としては5000以下であることが好ましく、3000以下であることが更に好ましい。また下限としては、400以上であることが好ましく、500以上であることが更に好ましい。 The upper limit of the molecular weight of the organic compound to which this embodiment is applied is preferably 5000 or less, and more preferably 3000 or less. Moreover, as a minimum, it is preferable that it is 400 or more, and it is still more preferable that it is 500 or more.
次に、本実施の形態が適用される有機化合物の合成方法の具体例を以下に示す。
本実施の形態の有機化合物は、公知の各種の方法を用いて製造することができ、ピラゾール環の導入とN−カルバゾリル基の導入の2つの工程で合成を行う。
Next, specific examples of a method for synthesizing an organic compound to which the exemplary embodiment is applied are shown below.
The organic compound of this embodiment can be manufactured by using various known methods, and is synthesized in two steps of introduction of a pyrazole ring and introduction of an N-carbazolyl group.
[ピラゾール環の導入方法]
まずピラゾール環を導入し中間生成物Aを得る方法としては、以下の反応例1〜8を含む以下の方法が挙げられる。
[Pyrazole ring introduction method]
First, examples of the method for obtaining the intermediate product A by introducing a pyrazole ring include the following methods including the following Reaction Examples 1 to 8.
(反応例1)
反応例1としては、酸性もしくは塩基性条件下(例えば、塩酸もしくは水素化ナトリウム存在下)、無溶媒で、あるいはエーテル、テトラヒドロフラン、トルエンなど任意の溶媒中で、0℃〜100℃程度の温度範囲で、アセチル化合物と混合し、10分〜24時間反応させることにより、1,3−プロパンジオン化合物を得ることができる。
(Reaction example 1)
Reaction example 1 is a temperature range of about 0 ° C. to 100 ° C. under acidic or basic conditions (for example, in the presence of hydrochloric acid or sodium hydride) without solvent or in any solvent such as ether, tetrahydrofuran, toluene, etc. The 1,3-propanedione compound can be obtained by mixing with an acetyl compound and reacting for 10 minutes to 24 hours.
(反応例2)
反応例2としては、酸性もしくは塩基性条件下(例えば、塩酸、酢酸、p−トルエンスルホン酸などの酸触媒もしくは水酸化ナトリウム、水素化ナトリウム存在下)、無溶媒あるいはエタノール、イソプロパノール、メタノール、水、エチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテルなどの溶媒中で、0℃〜200℃程度の温度範囲で、1,3−プロパンジオン化合物と置換ヒドラジン化合物と混合し、10分〜48時間反応させることにより、ピラゾール化合物を得ることができる。
(Reaction example 2)
Reaction example 2 includes acidic or basic conditions (for example, in the presence of an acid catalyst such as hydrochloric acid, acetic acid, p-toluenesulfonic acid, sodium hydroxide, sodium hydride), no solvent, ethanol, isopropanol, methanol, water In a solvent such as ethylene glycol and ethylene glycol monoethyl ether, the 1,3-propanedione compound and the substituted hydrazine compound are mixed in a temperature range of about 0 ° C. to 200 ° C. and reacted for 10 minutes to 48 hours. A pyrazole compound can be obtained.
(反応例3)
反応例3としては、酸性もしくは塩基性条件下(例えば、塩酸、酢酸、p−トルエンスルホン酸などの酸触媒もしくは水酸化ナトリウム、水素化ナトリウム存在下)、無溶媒あるいはエタノール、イソプロパノール、メタノール、水、エチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテルなどの溶媒中で、0℃〜200℃程度の温度範囲で、ヒドラジンまたはヒドラジン水和物と混合し、10分〜48時間反応させることにより、N上に置換基を持たないピラゾール化合物を得ることができる。
(Reaction example 3)
Reaction example 3 includes acidic or basic conditions (for example, in the presence of an acid catalyst such as hydrochloric acid, acetic acid, p-toluenesulfonic acid, sodium hydroxide, sodium hydride), no solvent, ethanol, isopropanol, methanol, water Substituted on N by mixing with hydrazine or hydrazine hydrate in a solvent such as ethylene glycol or ethylene glycol monoethyl ether at a temperature range of about 0 ° C. to 200 ° C. and reacting for 10 minutes to 48 hours. A pyrazole compound having no group can be obtained.
(反応例4)
反応例4としては、まずアリールハライド(Ra−X、好ましくはX=Br、I)と、N上に置換基を持たないピラゾール化合物とを、銅触媒と塩基性物質の存在下、不活性ガス気流下において無溶媒または、溶媒中で、必要に応じて配位子を加え、20℃〜300℃の温度範囲で、0.5時間〜60時間撹拌混合する方法が挙げられる。
ここで銅触媒としては、銅粉末、銅線、ハロゲン化銅(CuX(X=Cl、Br、I))、酸化銅(CuO)、Cu2O、酢酸銅(Cu(OAc)2)が、塩基性物質としては、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウム、ピリジンが、溶媒としてはニトロベンゼンなどの芳香族溶媒;テトラグライム、ポリエチレングリコールなどのアルコール系溶媒;アセトニトリル、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメトキシエタンなどの溶媒が、配位子としては、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン、N,N’−ジメチル−1,2−エチレンジアミン、1,2−エチレンジアミン、N,N’−ジメチル−1,2−シクロヘキサンジアミン、サリチルアルドキシム、ジメチルグリオキシム、2−ピリジンアルドキシム、1,10−フェナントロリンなどである。
アリールハライドの量は、N上に置換基を持たないピラゾール化合物に対して0.5当量〜100当量であり、銅触媒の量は、Xに対して0.01当量〜10当量程度、塩基性物質の量はハロゲン原子に対して1当量〜100当量程度、また溶媒の量は、通常N上に置換基を持たないピラゾール化合物の1モルに対して、0.1リットル〜100リットルであり、配位子の量は、通常銅触媒1モルに対して、1モル〜10モル程度である。
(Reaction example 4)
In Reaction Example 4, first, an aryl halide (R a -X, preferably X = Br, I) and a pyrazole compound having no substituent on N are inactivated in the presence of a copper catalyst and a basic substance. Examples include a method in which a ligand is added if necessary in a solventless or solvent under a gas stream, and the mixture is stirred and mixed in a temperature range of 20 ° C. to 300 ° C. for 0.5 hour to 60 hours.
Here, as the copper catalyst, copper powder, copper wire, copper halide (CuX (X = Cl, Br, I)), copper oxide (CuO), Cu 2 O, copper acetate (Cu (OAc) 2 ), Examples of basic substances include triethylamine, triethanolamine, potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, tert-butoxy sodium, and pyridine. Solvents include aromatic solvents such as nitrobenzene; tetraglyme, polyethylene glycol, and the like. Alcohol solvents; solvents such as acetonitrile, tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, and dimethoxyethane include trans-1,2-cyclohexanediamine and N, N′-dimethyl as ligands. -1,2-ethylenediamine, 1,2-ethylenediamine N, N'-dimethyl-1,2-cyclohexanediamine, salicylaldoxime, dimethylglyoxime, 2-pyridine aldoxime, and the like 1,10-phenanthroline.
The amount of the aryl halide is 0.5 to 100 equivalents relative to the pyrazole compound having no substituent on N, and the amount of the copper catalyst is about 0.01 to 10 equivalents relative to X. The amount of the substance is about 1 to 100 equivalents with respect to the halogen atom, and the amount of the solvent is usually 0.1 to 100 liters with respect to 1 mol of the pyrazole compound having no substituent on N, The amount of the ligand is usually about 1 mol to 10 mol with respect to 1 mol of the copper catalyst.
あるいは、触媒と塩基性物質を溶媒中、0℃〜200℃で1時間〜60時間かけて撹拌する方法が挙げられる。
触媒としては、2価のパラジウム触媒、0価のパラジウム錯体、パラジウム塩化物錯体であり、2価のパラジウム触媒はPd2(dba)3(Pd=パラジウム、dba=ジベンジリデンアセトン)、Pd(dba)2、酢酸パラジウムなど、0価のパラジウム錯体は、BINAP(=2,2’−ビス(ジフェニルフォスフィノ−1,1’−ビナフチル)、トリ(tert−ブチル)フォスフィン、トリフェニルフォスフィン、1,2−ビス(ジフェニルフォスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)ブタン、dppf(=1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン)などのリガンド類の組合せなどであり、パラジウム塩化物錯体はPdCl2(dppf)2などである。
また、塩基性物質としては、tert−ブトキシカリウム、tert−ブトキシナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、トリエチルアミンなどであり、溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、トリエチルアミン、ピリジンなどである。
触媒の量としては、N上に置換基を持たないピラゾール化合物に対して0.001当量〜1当量程度であり、塩基性物質の量としては、通常N上に置換基を持たないピラゾール化合物に対して、2当量〜100当量、溶媒の量としては、通常N上に置換基を持たないピラゾール化合物の1モルに対して、0.1リットル〜100リットルである。
Alternatively, a method of stirring the catalyst and the basic substance in a solvent at 0 ° C. to 200 ° C. for 1 hour to 60 hours can be mentioned.
The catalyst is a divalent palladium catalyst, a zero-valent palladium complex, or a palladium chloride complex. The divalent palladium catalyst is Pd 2 (dba) 3 (Pd = palladium, dba = dibenzylideneacetone), Pd (dba ) 2 , palladium acetate, and other zero-valent palladium complexes include BINAP (= 2,2′-bis (diphenylphosphino-1,1′-binaphthyl), tri (tert-butyl) phosphine, triphenylphosphine, 1 , 2-bis (diphenylphosphino) ethane, 1,3-bis (diphenylphosphino) propane, 1,3-bis (diphenylphosphino) butane, dppf (= 1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene ) and the like ligand combinations such as palladium chloride complex PdCl 2 (dpp ) 2, and the like.
Examples of basic substances include tert-butoxypotassium, tert-butoxysodium, potassium carbonate, cesium carbonate, triethylamine, and the like. Solvents include tetrahydrofuran, dioxane, dimethoxyethane, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, Xylene, toluene, triethylamine, pyridine and the like.
The amount of the catalyst is about 0.001 equivalent to 1 equivalent with respect to the pyrazole compound having no substituent on N, and the amount of the basic substance is usually a pyrazole compound having no substituent on N. On the other hand, the amount of the solvent is 2 equivalents to 100 equivalents, and is usually 0.1 liters to 100 liters per 1 mole of the pyrazole compound having no substituent on N.
他の方法としては、アリールボロン酸やアリールボロン酸エステルと、N上に置換基を持たないピラゾール化合物とを、一価の銅触媒と、必要に応じて、リガンド類、塩基性物質と共に、酸素存在下、溶媒中で、−10℃〜200℃の温度範囲にて1時間〜60時間撹拌する方法が挙げられる。
一価の銅触媒は、CuCl、CuBr、CuIなどであり、リガンド類は、N,N’−ジメチルエチレン−1,2−ジアミン、1,2−シクロヘキサンジアミン、フェナントロリン、サリチルアルドキシムなどであり、塩基性物質は、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウムなどであり、溶媒は、メタノール、エタノール、ノルマルブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテルなどである。
アリールボロン酸やアリールボロン酸エステルの量は、2当量〜100当量であり、一価の銅触媒の量は、通常中間生成物Aに対して、0.001当量〜5当量であり、リガンド類の量は、ハロゲン原子に対して0.01当量〜100当量程度であり、溶媒の量は、通常中間生成物Aの1モルに対して、0.1リットル〜100リットルである。
As another method, aryl boronic acid or aryl boronic acid ester and pyrazole compound having no substituent on N are mixed with a monovalent copper catalyst, and optionally together with a ligand and a basic substance, oxygen. In the presence, a method of stirring in a solvent at a temperature range of −10 ° C. to 200 ° C. for 1 hour to 60 hours can be mentioned.
The monovalent copper catalyst is CuCl, CuBr, CuI, etc., and the ligands are N, N′-dimethylethylene-1,2-diamine, 1,2-cyclohexanediamine, phenanthroline, salicylaldoxime, etc. Basic substances are triethylamine, triethanolamine, potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, tert-butoxy sodium, etc., and solvents are methanol, ethanol, normal butanol, ethylene glycol, ethylene glycol monoethyl ether Etc.
The amount of the aryl boronic acid or aryl boronic acid ester is 2 to 100 equivalents, and the amount of the monovalent copper catalyst is usually 0.001 to 5 equivalents relative to the intermediate product A. The amount of the solvent is about 0.01 to 100 equivalents with respect to the halogen atom, and the amount of the solvent is usually 0.1 to 100 liters with respect to 1 mole of the intermediate product A.
またさらに他の方法としては、アリールフルオリドとN上に置換基を持たないピラゾール化合物とを、塩基存在下、溶媒中で、−10℃〜200℃の温度範囲にて1時間〜60時間撹拌する方法が挙げられる。
塩基としては、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、tert−ブトキシカリウム、tert−ブトキシナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミンなどであり、溶媒としては、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメトキシエタンである。
アリールフルオリドの量は、N上に置換基を持たないピラゾール化合物に対して0.5当量〜100当量であり、塩基の量は、N上に置換基を持たないピラゾール化合物に対して1当量〜100当量程度であり、溶媒としては、通常N上に置換基を持たないピラゾール化合物の1モルに対して、0.1リットル〜100リットルである。
As still another method, aryl fluoride and a pyrazole compound having no substituent on N are stirred in a solvent in the presence of a base at a temperature range of −10 ° C. to 200 ° C. for 1 hour to 60 hours. The method of doing is mentioned.
Examples of the base include sodium hydride, sodium hydroxide, tert-butoxypotassium, tert-butoxysodium, potassium carbonate, cesium carbonate, sodium bicarbonate, triethylamine, and the like. Solvents include tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide, Dimethoxyethane.
The amount of aryl fluoride is 0.5 equivalent to 100 equivalents relative to the pyrazole compound having no substituent on N, and the amount of base is 1 equivalent relative to the pyrazole compound having no substituent on N. About 100 equivalents, and the solvent is usually 0.1 liters to 100 liters per 1 mole of the pyrazole compound having no substituent on N.
(反応例5)
反応例5としては、アセチル化合物とアルデヒド化合物とを、水酸化ナトリウム、Pipeピロリドンなどの塩基存在下、または硫酸、酢酸、塩酸などの酸存在下、無溶媒あるいはエタノール、酢酸、水、ジメトキシエタンなどの溶媒中で、通常−20℃〜150℃の温度範囲で、0.5時間〜24時間撹拌することにより、ピラゾリン化合物を得ることが出来る。
(Reaction example 5)
As Reaction Example 5, an acetyl compound and an aldehyde compound are mixed in the presence of a base such as sodium hydroxide and Pipe pyrrolidone, or in the presence of an acid such as sulfuric acid, acetic acid and hydrochloric acid, without solvent, or ethanol, acetic acid, water, dimethoxyethane, etc. In the solvent, a pyrazoline compound can be obtained by stirring in a temperature range of −20 ° C. to 150 ° C. for 0.5 hours to 24 hours.
(反応例6)
反応例6は、反応例2と同様の手法で成立させることができるが、過剰の置換ヒドラジン化合物を作用させることにより、一気に中間生成物Aを得ることも可能である。
(Reaction example 6)
Reaction Example 6 can be established in the same manner as Reaction Example 2, but it is also possible to obtain intermediate product A at a stretch by allowing an excess of substituted hydrazine compound to act.
(反応例7)
反応例7は、五塩化アンチモン、クロラニル、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,4−ベンゾキノンなどの酸化剤存在下、ピラゾリン化合物を、アセトニトリル、ジメトキシエタン、ジクロロメタン、N,N−ジメチルホルムアミド、トルエン、キシレンなどの溶媒中で、−20℃〜150℃で、10分〜24時間撹拌することにより、中間生成物Aを得ることが出来る。
(Reaction example 7)
Reaction Example 7 was conducted in the presence of an oxidizing agent such as antimony pentachloride, chloranil, 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone, and a pyrazoline compound in acetonitrile, dimethoxyethane, dichloromethane, N, N- The intermediate product A can be obtained by stirring at −20 ° C. to 150 ° C. for 10 minutes to 24 hours in a solvent such as dimethylformamide, toluene, and xylene.
(反応例8)
反応例8は、置換または無置換ヒドラジン化合物を、エチニルカルボニル化合物と、溶媒(エタノールなど)中で、−20℃〜200℃で、1時間〜24時間混合することにより、中間生成物Aを得ることが出来る。
(Reaction Example 8)
In Reaction Example 8, an intermediate A is obtained by mixing a substituted or unsubstituted hydrazine compound with an ethynylcarbonyl compound in a solvent (such as ethanol) at −20 ° C. to 200 ° C. for 1 hour to 24 hours. I can do it.
[N−カルバゾリル基の導入方法]
N−カルバゾリル基の導入方法としては、例えば、下記のa)〜c)の方法を採用することができる。
[Method of introducing N-carbazolyl group]
As a method for introducing the N-carbazolyl group, for example, the following methods a) to c) can be employed.
a)フッ素原子を置換基に有する中間生成物Aを用いる場合、置換または無置換のカルバゾールを、乾燥ガス雰囲気下および/または不活性ガス雰囲気下において、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、N,N−ジメチルホルムアミド等の溶媒中、−78℃〜+60℃の温度範囲で強塩基と0.1時間〜60時間撹拌して反応させたものと、先に得られたフッ素原子を置換基に有する中間生成物Aのテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶液とを混合し、加熱還流下、1時間〜60時間撹拌することにより、本実施の形態の有機化合物を得ることができる。
置換または無置換のカルバゾールの量は、前記フッ素原子を置換基に有する中間生成物A上のフッ素原子に対して1.1当量〜10当量程度であり、強塩基の量は、置換または無置換のカルバゾールのN上水素に対して0.9当量〜2当量程度である。
a) When the intermediate product A having a fluorine atom as a substituent is used, the substituted or unsubstituted carbazole is converted to tetrahydrofuran, dioxane, ether, N, N-dimethyl under a dry gas atmosphere and / or an inert gas atmosphere. A product obtained by reacting with a strong base in a solvent such as formamide at a temperature range of −78 ° C. to + 60 ° C. for 0.1 to 60 hours and an intermediate product having a fluorine atom as a substituent obtained previously The organic compound of the present embodiment can be obtained by mixing a solution of A in tetrahydrofuran, dioxane, ether, N, N-dimethylformamide, and the like, and stirring for 1 hour to 60 hours while heating under reflux.
The amount of the substituted or unsubstituted carbazole is about 1.1 to 10 equivalents relative to the fluorine atom on the intermediate product A having the fluorine atom as a substituent, and the amount of the strong base is substituted or unsubstituted. The carbazole is about 0.9 to 2 equivalents relative to hydrogen on N.
b)臭素原子または/およびヨウ素原子を置換基に有する中間生成物Aを用いる場合、臭素原子または/およびヨウ素原子を置換基に有する中間生成物Aと、置換または無置換カルバゾールを臭素原子または/およびヨウ素原子を置換基に有する中間生成物A上の臭素原子または/およびヨウ素原子に対して1.0当量〜100当量程度とを、以下の(1)〜(2)の方法のいずれかを用いて合成を行う。 b) When using the intermediate product A having a bromine atom or / and iodine atom as a substituent, the intermediate product A having a bromine atom or / and iodine atom as a substituent and a substituted or unsubstituted carbazole as a bromine atom or / And about 1.0 to 100 equivalents of the bromine atom and / or iodine atom on the intermediate product A having an iodine atom as a substituent, any one of the following methods (1) to (2): To synthesize.
(1)銅触媒と塩基性物質の存在下、不活性ガス気流下、無溶媒または溶媒中、必要に応じて配位子を更に加え、20℃〜300℃の温度範囲で、0.5時間〜60時間撹拌混合する。
銅触媒は、銅粉末、銅線、ハロゲン化銅(CuX(X=Cl、Br、I))、酸化銅(CuO)、Cu2O、酢酸銅(Cu(OAc)2)などであり、塩基性物質は、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウム、ピリジンなどであり、溶媒としては、ニトロベンゼンなどの芳香族溶媒;テトラグライム、ポリエチレングリコールなどのアルコール系溶媒;アセトニトリル;テトラヒドロフラン;N,N−ジメチルホルムアミド;N,N−ジメチルアセトアミド;ジメトキシエタンなどであり、配位子としては、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン、N,N’−ジメチル−1,2−エチレンジアミン、1,2−エチレンジアミン、N,N’−ジメチル−1,2−シクロヘキサンジアミン、サリチルアルドキシム、ジメチルグリオキシム、2−ピリジンアルドキシム、1,10−フェナントロリンなどである。
銅触媒の量としては、臭素原子または/およびヨウ素原子に対して0.01当量〜10当量程度であり、塩基性物質の量としては、臭素原子または/およびヨウ素原子に対して1当量〜100当量程度であり、溶媒の量は、通常、置換または無置換カルバゾールの1モルに対して、0.1リットル〜100リットルであり、配位子の量は、通常銅触媒1モルに対して、1モル〜10モル程度である。
(1) In the presence of a copper catalyst and a basic substance, in an inert gas stream, in the absence of solvent or in a solvent, a ligand is further added as necessary, and a temperature range of 20 ° C. to 300 ° C., 0.5 hours Stir and mix for ~ 60 hours.
The copper catalyst is copper powder, copper wire, copper halide (CuX (X = Cl, Br, I)), copper oxide (CuO), Cu 2 O, copper acetate (Cu (OAc) 2 ), and the like. Substances include triethylamine, triethanolamine, potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, tert-butoxy sodium, pyridine and the like, and examples of the solvent include aromatic solvents such as nitrobenzene; tetraglyme, polyethylene glycol and the like A solvent such as acetonitrile, tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethoxyethane, and the like. The ligands include trans-1,2-cyclohexanediamine and N, N′-dimethyl. -1,2-ethylenediamine, 1,2-ethylenediamine, , N'- dimethyl-1,2-cyclohexanediamine, salicylaldoxime, dimethylglyoxime, 2-pyridine aldoxime, and the like 1,10-phenanthroline.
The amount of the copper catalyst is about 0.01 equivalent to 10 equivalents with respect to the bromine atom and / or iodine atom, and the amount of the basic substance is 1 equivalent to 100 with respect to the bromine atom and / or iodine atom. The amount of the solvent is usually 0.1 to 100 liters per 1 mol of the substituted or unsubstituted carbazole, and the amount of the ligand is usually 1 mol of the copper catalyst. It is about 1 mol to 10 mol.
(2)2価のパラジウム触媒と、リガンド類の組合せ、0価のパラジウム錯体、パラジウム塩化物錯体などの触媒と、必要に応じて強塩基類の触媒の存在下、また必要に応じて銅触媒共存下、溶媒中、30℃〜200℃で1時間〜60時間かけて撹拌することにより、本実施の形態の有機化合物を得ることができる。
2価のパラジウム触媒は、Pd2(dba)3(Pd=パラジウム、dba=ジベンジリデンアセトン)、Pd(dba)2、酢酸パラジウムなどであり、リガンド類は、BINAP(=2,2’−ビス(ジフェニルフォスフィノ−1,1’ビナフチル)、トリ(tert−ブチル)フォスフィン、トリフェニルフォスフィン、1,2−ビス(ジフェニルフォスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)ブタン、dppf(=1,1’−ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン)などであり、0価のパラジウム錯体は、Pd(PPh)4(Ph=フェニル)などであり、パラジウム塩化物錯体はPdCl2(dppf)2などであり、強塩基類は、tert−ブトキシカリウム、tert−ブトキシナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミンなどであり、銅触媒はヨウ化銅などであり、溶媒は、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、トリエチルアミンなどである。
また触媒の量は、通常前記臭素原子または/およびヨウ素原子を置換基に有する中間生成物A上の臭素原子または/およびヨウ素原子1当量に対して0.01当量〜1当量程度であり、強塩基類は、通常反応で生成し得るハロゲン化水素1当量に対して、1.1当量〜10当量であり、銅触媒は通常反応で生成し得るハロゲン化水素1当量に対して、1当量〜10当量であり、溶媒の量は、通常前記臭素原子または/およびヨウ素原子を置換基に有する中間生成物Aの濃度で0.1ミリモル%〜100ミリモル%程度である。
(2) A divalent palladium catalyst, a combination of ligands, a catalyst such as a zero-valent palladium complex, a palladium chloride complex, and the presence of a strong base catalyst as necessary, and a copper catalyst as necessary Under the coexistence, the organic compound of the present embodiment can be obtained by stirring in a solvent at 30 ° C. to 200 ° C. for 1 hour to 60 hours.
Examples of the divalent palladium catalyst include Pd 2 (dba) 3 (Pd = palladium, dba = dibenzylideneacetone), Pd (dba) 2 , palladium acetate, and the like. The ligands are BINAP (= 2,2′-bis). (Diphenylphosphino-1,1′binaphthyl), tri (tert-butyl) phosphine, triphenylphosphine, 1,2-bis (diphenylphosphino) ethane, 1,3-bis (diphenylphosphino) propane, 1 , 3-bis (diphenylphosphino) butane, dppf (= 1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene), and the zero-valent palladium complex is Pd (PPh) 4 (Ph = phenyl) or the like. There, palladium chloride complexes and the like PdCl 2 (dppf) 2, strong bases are, tert- Bed Such as potassium potassium, tert-butoxy sodium, potassium carbonate, triethylamine and the like, the copper catalyst is copper iodide and the like, and the solvent is tetrahydrofuran, dioxane, dimethoxyethane, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, xylene, toluene, Such as triethylamine.
The amount of the catalyst is usually about 0.01 to 1 equivalent with respect to 1 equivalent of bromine atom and / or iodine atom on the intermediate product A having a bromine atom and / or iodine atom as a substituent. The bases are 1.1 equivalents to 10 equivalents per 1 equivalent of hydrogen halide that can be generated in a normal reaction, and the copper catalysts are 1 equivalent to 1 equivalent per 1 equivalent of hydrogen halide that can be generated in a normal reaction. The amount of the solvent is usually about 0.1 to 100 mmol% in terms of the concentration of the intermediate product A having a bromine atom and / or iodine atom as a substituent.
c)その他にも、カップリングには、グリニヤ反応、亜鉛を用いた方法、スズを用いた方法など、公知の手法を適用可能であり、使用される触媒としては、パラジウム、ニッケル、銅などの遷移金属触媒が挙げられ、通常、触媒はカルバゾールに対して0.1モル%〜200モル%程度使用される。また、塩基性物質としては、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウムなどが挙げられ、通常、塩基性物質はカルバゾールに対して50モル%〜1000モル%程度使用される。反応温度としては、通常、0℃以上、好ましくは50℃以上、300℃以下、好ましくは、200℃以下である。反応に使用できる溶媒としては、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、エトレングリコールジメチルエーテル、テトラグライム等のエーテル系溶媒が挙げられる。 c) In addition, for the coupling, known methods such as a Grignard reaction, a method using zinc, a method using tin, and the like can be applied. Examples of the catalyst used include palladium, nickel, and copper. A transition metal catalyst is mentioned, Usually, a catalyst is used about 0.1 mol%-about 200 mol% with respect to carbazole. Examples of the basic substance include potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, and tert-butoxy sodium. Usually, the basic substance is used in an amount of about 50 to 1000 mol% with respect to carbazole. The The reaction temperature is usually 0 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or higher and 300 ° C. or lower, preferably 200 ° C. or lower. Examples of the solvent that can be used for the reaction include aromatic solvents such as toluene, xylene, and nitrobenzene, and ether solvents such as tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether, and tetraglyme.
他にも、芳香環へのN−カルバゾリル基の導入には、J.Am. Chem.Soc.(2001),123,7727−9に記載の方法や、Angew.Chem.Int.Ed.(2003),42,5400−49に記載の方法や、Coordination
Chemistry Reviews(2004),248,2337−64に記載の方法や、「第4版実験化学講座20」(日本化学会編、丸善)、第6章(アミン)の項に記載の方法などが適用可能である。
In addition, for introduction of an N-carbazolyl group into an aromatic ring, J. et al. Am. Chem. Soc. (2001), 123, 7727-9, Angew. Chem. Int. Ed. (2003), 42, 5400-49, Coordination
The method described in Chemistry Reviews (2004), 248, 2337-64, the method described in the section of “4th edition Experimental Chemistry Course 20” (edited by the Chemical Society of Japan, Maruzen), Chapter 6 (Amine), etc. are applied. Is possible.
化合物の精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」(1993年、(財)日本化学会編)、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」(1988年、(株)アイ ピー シー発行)、あるいは「実験化学講座(第4版)1」(1990年、(財)日本化学会編)の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。 Methods for purifying compounds include “Separation and Purification Technology Handbook” (1993, edited by The Chemical Society of Japan), “Advanced separation of trace components and difficult-to-purify substances by chemical conversion method” (1988, IP Corporation). Issued by C.), or the methods described in the section “Separation and purification” of “Experimental Chemistry Course (4th edition) 1” (1990, edited by The Chemical Society of Japan) can be used. It is.
具体的には、抽出(懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む)、吸着、吸蔵、融解、晶析(溶媒からの再結晶、再沈殿を含む)、蒸留(常圧蒸留、減圧蒸留)、蒸発、昇華(常圧昇華、減圧昇華)、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー(形状分類:カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類:ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構:吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー)などが挙げられる。 Specifically, extraction (including suspension washing, boiling washing, ultrasonic washing, acid-base washing), adsorption, occlusion, melting, crystallization (including recrystallization from solvent, reprecipitation), distillation (atmospheric pressure) Distillation, vacuum distillation), evaporation, sublimation (atmospheric pressure sublimation, vacuum sublimation), ion exchange, dialysis, filtration, ultrafiltration, reverse osmosis, pressure osmosis, zone lysis, electrophoresis, centrifugation, flotation separation, sedimentation separation, Magnetic separation, various chromatography (shape classification: column, paper, thin layer, capillary. Mobile phase classification: gas, liquid, micelle, supercritical fluid. Separation mechanism: adsorption, distribution, ion exchange, molecular sieve, chelate, gel filtration , Exclusion, affinity) and the like.
生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ(GC)、高速液体クロマトグラフ(HPLC)、高速アミノ酸分析計(AAA)、キャピラリー電気泳動測定(CE)、サイズ排除クロマトグラフ(SEC)、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)、交差分別クロマトグラフ(CFC)、質量分析(MS、LC/MS、GC/MS、MS/MS)、核磁気共鳴装置(NMR(1HNMR,13CNMR))、フーリエ変換赤外分光高度計(FT−IR)、紫外可視近赤外分光高度計(UV.VIS、NIR)、電子スピン共鳴装置(ESR)、透過型電子顕微鏡(TEM−EDX)、電子線マイクロアナライザー(EPMA)、金属元素分析(イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光(ICP−AES)、原子吸光分析(AAS)、蛍光X線分析装置(XRF))、非金属元素分析、微量成分分析(ICP−MS、GF−AAS、GD−MS)等を必要に応じ、適用可能である。 The product confirmation and purity analysis methods include gas chromatograph (GC), high performance liquid chromatograph (HPLC), high speed amino acid analyzer (AAA), capillary electrophoresis measurement (CE), size exclusion chromatograph (SEC), Gel permeation chromatograph (GPC), cross-fractionation chromatograph (CFC), mass spectrometry (MS, LC / MS, GC / MS, MS / MS), nuclear magnetic resonance apparatus (NMR (1HNMR, 13CNMR)), Fourier transform red Outer spectrophotometer (FT-IR), ultraviolet visible near infrared spectrophotometer (UV.VIS, NIR), electron spin resonance apparatus (ESR), transmission electron microscope (TEM-EDX), electron beam microanalyzer (EPMA), Metal elemental analysis (ion chromatograph, inductively coupled plasma-emission spectroscopy (ICP-AES), atomic absorption Analysis (AAS), fluorescent X-ray analyzer (XRF)), nonmetal element analysis, trace analysis (ICP-MS, GF-AAS, optionally a GD-MS), etc., it is applicable.
以下に、本実施の形態が適用される有機化合物の具体例を示す。 Below, the specific example of the organic compound to which this Embodiment is applied is shown.
上記有機化合物は、電荷輸送材料として使用されることが好ましい。 The organic compound is preferably used as a charge transport material.
2.有機電界発光素子用組成物(電荷輸送材料組成物)
次に、本実施の形態が適用される有機化合物を使用する有機電界発光素子用組成物について説明する。
有機電界発光素子用組成物は、少なくとも上述した有機化合物を含有する。通常、溶剤を含有し、好ましくは発光材料を含有する。
2. Composition for organic electroluminescence device (charge transport material composition)
Next, the composition for organic electroluminescent elements using the organic compound to which this embodiment is applied will be described.
The composition for organic electroluminescent elements contains at least the organic compound described above. Usually, it contains a solvent, preferably a light emitting material.
(1)発光材料
発光材料とは、有機電界発光素子用組成物において、主として発光する成分を指し、有機ELデバイスにおけるドーパント成分に当たる。有機電界発光素子用組成物から発せられる光量(単位:cd/m2)の内、通常10%〜100%、好ましくは20%〜100%、より好ましくは50%〜100%、最も好ましくは80%〜100%が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。
(1) Luminescent material A luminescent material refers to the component which mainly light-emits in the composition for organic electroluminescent elements, and corresponds to the dopant component in an organic EL device. Of the amount of light (unit: cd / m 2 ) emitted from the composition for organic electroluminescent elements, it is usually 10% to 100%, preferably 20% to 100%, more preferably 50% to 100%, and most preferably 80%. If% -100% is identified as luminescence from a component material, it is defined as the luminescent material.
発光材料としては、任意の公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料あるいは燐光発光性色素を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光性色素である。 As the luminescent material, any known material can be applied, and a fluorescent luminescent material or a phosphorescent dye can be used singly or in combination. From the viewpoint of internal quantum efficiency, a phosphorescent dye is preferable. is there.
尚、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、あるいはアルキル基等の親油性置換基を導入したりすることも、重要である。中でも、アルキル基を有する化合物が好ましい。 For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of the light emitting material molecule or introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group. Of these, compounds having an alkyl group are preferred.
青色発光を与える蛍光発光材料としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色発光を与える蛍光発光材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色発光を与える蛍光発光材料としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色発光を与える蛍光発光材料としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。 Examples of the fluorescent material that gives blue light emission include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the fluorescent material that gives green light emission include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of the fluorescent material that gives yellow light include rubrene and perimidone derivatives. Examples of the fluorescent material that emits red light include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, and the like.
燐光発光性色素としては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。 Examples of phosphorescent dyes include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式(III)または下記一般式(IV)で表される化合物が挙げられる。
ML”(q−j)L’j (III)
(一般式(III)中、Mは金属を表し、qは上記金属の価数を表す。また、L”およびL’は二座配位子を表す。jは0、1または2を表す。)
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following general formula (III) or the following general formula (IV).
ML ″ (q−j) L ′ j (III)
(In the general formula (III), M represents a metal, q represents the valence of the metal, L ″ and L ′ represent a bidentate ligand, and j represents 0, 1 or 2. )
(一般式(IV)中、Mdは金属を表し、Tは炭素または窒素を表す。R92〜R95は、それぞれ独立に置換基を表す。ただし、Tが窒素の場合は、R94およびR95は無い。 (In General Formula (IV), M d represents a metal, T represents carbon or nitrogen. R 92 to R 95 each independently represent a substituent. However, when T is nitrogen, R 94 and R 95 is not.
以下、一般式(III)で表される化合物について説明する。
一般式(III)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、一般式(III)中の二座配位子L”およびL’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
Hereinafter, the compound represented by formula (III) will be described.
In general formula (III), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
In addition, bidentate ligands L ″ and L ′ in the general formula (III) each represent a ligand having the following partial structure.
L’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。 L ′ is particularly preferably the following from the viewpoint of the stability of the complex.
上記L”,L’の部分構造において、環A1は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環A2は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。 In the partial structures of L ″ and L ′, the ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, which may have a substituent. The ring A2 is a nitrogen-containing aromatic group. Represents a heterocyclic group, and these may have a substituent.
環A1,A2が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基等のアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。 When the rings A1 and A2 have a substituent, preferred substituents include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; alkenyl groups such as vinyl groups; methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups. Alkoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkylamino groups such as dimethylamino groups and diethylamino groups; diarylamino groups such as diphenylamino groups; carbazolyl groups; An acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group.
一般式(III)で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)で表される化合物が挙げられる。 More preferable examples of the compound represented by the general formula (III) include compounds represented by the following general formulas (IIIa), (IIIb), and (IIIc).
(一般式(IIIa)中、MaはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In general formula (IIIa), M a represents the same metal as M, w represents the valence of the above metal, and ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
(一般式(IIIb)中、MbはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In the general formula (IIIb), M b represents the same metal as M, w represents the valence of the metal. Further, the ring A1 is an aromatic optionally substituted hydrocarbon group or a substituted Represents an aromatic heterocyclic group which may have a group, and ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)
(一般式(IIIc)中、McはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、jは0、1または2を表す。さらに、環A1および環A1’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環A2および環A2’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In general formula (IIIc), M c represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, j represents 0, 1 or 2. Furthermore, ring A1 and ring A1 ′ are Each independently represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group, and ring A2 and ring A2 ′ are each independently Represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
上記一般式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)において、環A1および環A1’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。 In the general formulas (IIIa), (IIIb), and (IIIc), the group of the ring A1 and the ring A1 ′ is preferably, for example, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a thienyl group, a furyl group, a benzoic group. Examples include thienyl group, benzofuryl group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.
また、環A2、環A2’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。 In addition, the group of ring A2 and ring A2 ′ is preferably a pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, A phenanthridyl group and the like can be mentioned.
さらに、一般式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基等のアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。 Furthermore, the substituents that the compounds represented by the general formulas (IIIa), (IIIb), and (IIIc) may have include a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group; vinyl Alkenyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkyls such as dimethylamino groups and diethylamino groups An amino group; a diarylamino group such as a diphenylamino group; a carbazolyl group; an acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group;
上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常6以上14以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常2以上24以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常12以上28以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常1以上14以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上12以下である。 When the said substituent is an alkyl group, the carbon number is 1 or more and 6 or less normally. Furthermore, when the substituent is an alkenyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. When the substituent is an alkoxycarbonyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. Further, when the substituent is an alkoxy group, the carbon number is usually 1 or more and 6 or less. Moreover, when a substituent is an aryloxy group, the carbon number is 6 or more and 14 or less normally. Furthermore, when the substituent is a dialkylamino group, the carbon number is usually 2 or more and 24 or less. When the substituent is a diarylamino group, the carbon number is usually 12 or more and 28 or less. Furthermore, when the substituent is an acyl group, the carbon number is usually 1 or more and 14 or less. Moreover, when a substituent is a haloalkyl group, the carbon number is 1 or more and 12 or less normally.
尚、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、または、環A1’が有する置換基と環A2’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環基としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。 These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded. Two fused rings may be formed. Examples of such a condensed ring group include a 7,8-benzoquinoline group.
中でも、環A1、環A1’、環A2および環A2’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。 Among them, as a substituent of ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, a carbazolyl group Is mentioned.
また、一般式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)におけるMa,Mb,Mcとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。 In general formula (IIIa), (IIIb), preferably a M a, M b, M c in (IIIc), ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold.
上記一般式(III)、(IIIa)、(IIIb)または(IIIc)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない(以下において、Phはフェニル基を表す。)。 Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (III), (IIIa), (IIIb) or (IIIc) are shown below, but are not limited to the following compounds (in the following, Ph is phenyl Represents a group).
上記一般式(III)、(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子L”および/またはL’として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。 Among the organometallic complexes represented by the above general formulas (III), (IIIa), (IIIb), and (IIIc), in particular, as the ligand L ″ and / or L ′, a 2-arylpyridine-based ligand, That is, a compound having 2-arylpyridine, a compound in which an arbitrary substituent is bonded thereto, and a compound in which an arbitrary group is condensed to this is preferable.
次に、前記一般式(IV)で表される化合物について説明する。
一般式(IV)中、Mdは金属を表し、具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。
Next, the compound represented by the general formula (IV) will be described.
In the general formula (IV), M d represents a metal, and specific examples include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold is preferable, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferable.
また、一般式(IV)において、R92およびR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。 In the general formula (IV), R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxyl group. Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.
さらに、Tが炭素の場合、R94およびR95は、それぞれ独立に、R92およびR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Tが窒素の場合はR94およびR95は無い。 Further, when T is carbon, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93 . Further, as described above, when T is nitrogen, there is no R 94 or R 95 .
また、R92〜R95はさらに置換基を有していてもよい。この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、R92〜R95は互いに連結して環を形成してもよく、この環がさらに任意の置換基を有していてもよい。
R 92 to R 95 may further have a substituent. In this case, the substituent which may further be present is not particularly limited, and any group can be used as the substituent.
Furthermore, R 92 to R 95 may be connected to each other to form a ring, and this ring may further have an arbitrary substituent.
一般式(IV)で表される有機金属錯体の具体例(T−1,T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。尚、以下において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。 Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the general formula (IV) are shown below, but are not limited to the following exemplified compounds. In the following, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.
また、有機金属錯体としては、WO2005/019373号公報に記載の化合物も使用することができる。 Moreover, as an organometallic complex, the compounds described in WO2005 / 019373 can also be used.
(2)溶剤
本実施の形態が適用される有機電界発光素子組成物に含まれる溶剤としては種々の溶剤が適用化能であり、特に限定されない。例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン;メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル等が挙げられる。
これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。
(2) Solvent Various solvents are applicable as the solvent contained in the organic electroluminescent element composition to which the present embodiment is applied, and are not particularly limited. For example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene and tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene and anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and other aromatic ethers; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoic acid Aromatic esters such as ethyl, propyl benzoate and n-butyl benzoate; ketones having an alicyclic ring such as cyclohexanone and cyclooctanone; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; methyl ethyl ketone and cyclohexano Alcohol having an alicyclic ring such as ruthenium or cyclooctanol; Aliphatic alcohol such as butanol or hexanol; Aliphatic ether such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether or propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); Ethyl acetate And aliphatic esters such as n-butyl acetate, ethyl lactate and n-butyl lactate.
Of these, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin and the like are preferable in that they have low water solubility and are not easily altered.
有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。 Since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, the presence of moisture in the composition causes moisture to remain in the dried film, degrading the device characteristics. The possibility is considered and it is not preferable.
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式製膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される電荷輸送材料組成物は、例えば、25℃における水の溶解度が1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下である溶剤を、組成物中10重量%以上含有することが好ましい。 Examples of the method for reducing the amount of water in the composition include nitrogen gas sealing, use of a desiccant, dehydration of the solvent in advance, use of a solvent having low water solubility, and the like. In particular, it is preferable to use a solvent having low water solubility because the solution film can prevent whitening by absorbing moisture in the atmosphere during the wet film-forming process. From such a viewpoint, the charge transport material composition to which the present embodiment is applied includes, for example, a solvent having a water solubility at 25 ° C. of 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less. It is preferable to contain 10 weight% or more in a thing.
また、湿式製膜時における組成物からの溶剤蒸発による、製膜安定性の低下を低減するためには、電荷輸送材料組成物の溶剤として、沸点が100℃以上、好ましくは沸点が150℃以上、より好ましくは沸点が200℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、製膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要で、このためには通常沸点80℃以上、好ましくは沸点100℃以上、より好ましくは沸点120℃以上で、通常沸点270℃未満、好ましくは沸点250℃未満、より好ましくは沸点230℃未満の溶剤を用いることが効果的である。 Further, in order to reduce deterioration in film formation stability due to solvent evaporation from the composition during wet film formation, the solvent of the charge transport material composition has a boiling point of 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher. More preferably, it is effective to use a solvent having a boiling point of 200 ° C. or higher. In order to obtain a more uniform film, it is necessary for the solvent to evaporate from the liquid film immediately after film formation at an appropriate rate. For this purpose, the boiling point is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher. It is effective to use a solvent having a boiling point of 120 ° C. or more, usually less than 270 ° C., preferably less than 250 ° C., more preferably less than 230 ° C.
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、2種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。 A solvent that satisfies the above-mentioned conditions, ie, solute solubility, evaporation rate, and water solubility conditions, may be used alone. However, if a solvent that satisfies all the conditions cannot be selected, two or more solvents may be mixed. It can also be used.
3.有機電界発光素子
次に、有機電界発光素子について説明する。
本実施の形態が適用される有機電界発光素子は、基板上に少なくとも陽極、陰極およびこれらの両極間に設けられた発光層を有するものであって、前述した一般式(I)で表される有機化合物を含有する層を有することを特徴とする。この層は、湿式製膜法により形成された層であることが好ましく、特にこの層は有機発光層であることが好ましい。
3. Organic Electroluminescent Device Next, the organic electroluminescent device will be described.
The organic electroluminescent device to which the present embodiment is applied has at least an anode, a cathode and a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate, and is represented by the general formula (I) described above. It has a layer containing an organic compound. This layer is preferably a layer formed by a wet film forming method, and in particular, this layer is preferably an organic light emitting layer.
図1は、本実施の形態が適用される有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面模式図である。図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層(有機発光層)、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は電子注入層、9は陰極を各々表す。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example suitable for an organic electroluminescent element to which the present exemplary embodiment is applied. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 is a light emitting layer (organic light emitting layer), 6 is a hole blocking layer, 7 is an electron transport layer, 8 Represents an electron injection layer, and 9 represents a cathode.
[1]基板
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
[1] Substrate The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescence device, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone or the like is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of securing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also one of preferable methods.
[2]陽極
基板1上には陽極2が設けられる。陽極2は発光層側の層(正孔注入層3または発光層5等)への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
[2] Anode An anode 2 is provided on the substrate 1. The anode 2 plays a role of hole injection into a layer on the light emitting layer side (such as the hole injection layer 3 or the light emitting layer 5).
This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or It is composed of a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline.
陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。
陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
In general, the anode 2 is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. In addition, when forming the anode 2 using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, and conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution It is also possible to form the anode 2 by dispersing it and applying it onto the substrate 1. Furthermore, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).
The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陽極2の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。 The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.
陽極2に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極2表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。 For the purpose of removing impurities adhering to the anode 2 and adjusting the ionization potential to improve the hole injection property, the surface of the anode 2 is treated with ultraviolet (UV) / ozone, or with oxygen plasma or argon plasma. It is preferable to do.
[3]正孔注入層
正孔注入層3は陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層3には正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。
[3] Hole Injection Layer Since the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound.
正孔注入層3は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがさらに好ましい。また、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことがさらに好ましい。
さらに、必要に応じて、正孔注入層3には電荷のトラップになりにくいバインダー樹脂や、塗布性改良剤を含んでいてもよい。
The hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound, and more preferably contains a hole transporting compound and an electron accepting compound. The hole injection layer 3 preferably contains a cation radical compound, and more preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.
Furthermore, the hole injection layer 3 may contain a binder resin that does not easily trap charges and a coating property improving agent as necessary.
但し、正孔注入層3として、電子受容性化合物のみを湿式製膜法によって陽極2上に製膜し、その上から直接、本実施の形態の電荷輸送材料組成物を塗布、積層することも可能である。この場合、本実施の形態の組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。 However, as the hole injection layer 3, only the electron-accepting compound may be formed on the anode 2 by a wet film forming method, and the charge transport material composition of the present embodiment may be directly applied and laminated thereon. Is possible. In this case, a part of the composition of the present embodiment interacts with the electron-accepting compound, so that a layer having excellent hole injecting property is formed.
(正孔輸送性化合物)
正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。
正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。
(Hole transporting compound)
As the hole transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable.
Examples of the hole transporting compound include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, and the like. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance.
特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 An aromatic tertiary amine compound is particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物)がさらに好ましい。
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(V)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
The kind of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (polymerized hydrocarbon compound in which repeating units are linked) is more preferable from the viewpoint of the surface smoothing effect.
Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following general formula (V).
(一般式(V)中、Ar21,Ar22は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar23〜Ar25は、各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar21〜Ar25のうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。) (In general formula (V), each of Ar 21 and Ar 22 independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 23 to Ar 25 each independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Y represents a linking group selected from the following group of linking groups, and among Ar 21 to Ar 25 , two groups bonded to the same N atom are bonded to each other to form a ring. May be.)
(上記各式中、Ar31〜Ar41は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、または置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の1価または2価の基を表す。R51およびR52は、各々独立して、水素原子または任意の置換基を表す。) (In the above formulas, Ar 31 to Ar 41 are each independently 1 derived from an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent. And R 51 and R 52 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.)
Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の、1価または2価の基が適用可能である。これらは各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。 As Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 , any monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These may be the same or different from each other. Moreover, you may have arbitrary substituents.
Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。 The groups derived from the aromatic hydrocarbon rings and / or aromatic heterocycles of Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less.
Ar21、Ar22としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。 Ar 21 and Ar 22 are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, or a pyridine ring from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.
また、Ar23〜Ar25としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。 Ar 23 to Ar 25 are preferably divalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including redox potential. A group, a biphenylene group, and a naphthylene group are more preferable.
一般式(V)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられる。 Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (V) include those described in WO2005 / 089024.
正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用するのが好ましい。 The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer 3 may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use the above together.
(電子受容性化合物)
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.
例としては、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。 Examples include onium salts substituted with organic groups such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (Japanese Patent Laid-Open No. 11-251067), ammonium peroxodisulfate, etc. High valent inorganic compounds, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365), fullerene derivatives, iodine and the like.
上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。 Of the above compounds, onium salts substituted with organic groups and high valent inorganic compounds are preferred because of their strong oxidizing power, and organic groups are substituted because they are soluble in various solvents and applicable to wet coating. Preferred are onium salts, cyano compounds, and aromatic boron compounds.
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(A−2)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。 Specific examples of an onium salt substituted with an organic group, a cyano compound, and an aromatic boron compound suitable as an electron-accepting compound include those described in WO 2005/089024, and suitable examples thereof are also the same. Although the compound (A-2) represented by the following structural formula is mentioned, it is not limited to them at all.
(カチオンラジカル化合物)
カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物である。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
(Cation radical compound)
The cation radical compound is an ionic compound composed of a cation radical which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound and a counter anion. However, when the cation radical is derived from a hole transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.
カチオンラジカルは、正孔輸送性化合物に前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましく、正孔輸送性化合物としてさらに好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性等の点からさらに好ましい。 The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the aforementioned compound in the hole transporting compound, and is preferably a chemical species obtained by removing one electron from a compound more preferable as the hole transporting compound. From the viewpoints of visible light transmittance, heat resistance, solubility, and the like.
カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンからなるカチオンイオン化合物が生成する。 The cation radical compound can be generated by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound. That is, by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound, electron transfer occurs from the hole transporting compound to the electron accepting compound, and the cation radical and the counter anion of the hole transporting compound are included. A cation ion compound is formed.
PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラルジン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合(脱水素重合)、即ち、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、または、電気化学的に酸化することによっても生成する。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより、高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。 Cationic radical compounds derived from polymer compounds such as PEDOT / PSS (Adv. Mater., 2000, 12, 481) and emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, 94, 7716) It is also generated by oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), that is, by oxidizing a monomer chemically or electrochemically with peroxodisulfate in an acidic solution. In the case of this oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), the monomer is oxidized to be polymerized, and the cation radical is formed by removing one electron from the repeating unit of the polymer with an anion derived from an acidic solution as a counter anion. Produces.
正孔注入層3は、湿式製膜法または真空蒸着法により陽極2上に形成される。 The hole injection layer 3 is formed on the anode 2 by a wet film forming method or a vacuum deposition method.
湿式製膜法による層形成の場合は、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上の所定量を、必要により電荷のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤を添加して、溶剤に溶解させて、塗布溶液を調製し、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式製膜法により陽極2上に塗布し、乾燥して、正孔注入層3を形成させる。 In the case of layer formation by the wet film-forming method, a predetermined amount of one or more of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) does not become a charge trap if necessary. Add binder resin and coatability improver, dissolve in solvent, prepare coating solution, by wet film forming method such as spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, inkjet method etc. It is applied on the anode 2 and dried to form the hole injection layer 3.
湿式製膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されないが、正孔注入層3に用いられる各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を失活させる恐れのある、失活物質または失活物質を発生させるものを含まないものが好ましい。好ましくは、エーテル系溶剤またはエステル系溶剤である。 As the solvent used for the layer formation by the wet film forming method, any solvent can be used as long as it can dissolve the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound). Is not particularly limited, but generates a deactivated substance or deactivated substance that may deactivate each material (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) used for the hole injection layer 3 What does not contain a thing is preferable. An ether solvent or an ester solvent is preferable.
真空蒸着法による層形成の場合には、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板1の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。尚、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し、蒸発させて正孔注入層3形成に用いることもできる。 In the case of forming a layer by vacuum deposition, one or more of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) are put in a crucible installed in a vacuum vessel ( When two or more materials are used, put them in each crucible), and after evacuating the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump, heat the crucible (if using two or more materials, each The crucible is heated) and evaporated by controlling the amount of evaporation (when two or more materials are used, the amount of evaporation is controlled independently), and on the anode 2 of the substrate 1 placed facing the crucible Then, the hole injection layer 3 is formed. When two or more kinds of materials are used, a mixture thereof can be put into a crucible, heated and evaporated to be used for forming the hole injection layer 3.
このようにして形成される正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。尚、正孔注入層3は省略してもよい。 The film thickness of the hole injection layer 3 thus formed is usually in the range of 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. The hole injection layer 3 may be omitted.
[4]正孔輸送層
正孔注入層3上に正孔輸送層4が設けられる。正孔輸送層4の材料に要求される条件としては、陽極2からの正孔注入効率が高く、且つ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、更に安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層5に接するために発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが求められる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子には更に耐熱性が要求される。従って、ガラス転移温度として通常70℃以上、好ましくは85℃以上の値を有する材料が好ましい。
[4] Hole Transport Layer The hole transport layer 4 is provided on the hole injection layer 3. As conditions required for the material of the hole transport layer 4, it is necessary that the hole injection efficiency from the anode 2 is high and the injected hole can be efficiently transported. For this purpose, the ionization potential is low, the transparency to visible light is high, the hole mobility is high, the stability is high, and impurities that become traps are unlikely to be generated during manufacturing or use. Required. Further, in order to contact the light emitting layer 5, it is required not to quench the light emitted from the light emitting layer 5 or to form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the efficiency. In addition to the above general requirements, when the application for in-vehicle display is considered, the element is further required to have heat resistance. Therefore, a material having a glass transition temperature of usually 70 ° C. or higher, preferably 85 ° C. or higher is preferable.
このような正孔輸送材料としては、発光層5のホスト材料に用いられる正孔輸送性材料と同様に、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4’,4’’−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J.Lumin.,72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2’,7,7’−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体等が挙げられる。これらの化合物は、1種を単独で用いてもよいし、必要に応じて複数種混合して用いてもよい。 As such a hole transporting material, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl is used similarly to the hole transporting material used for the host material of the light emitting layer 5. Aromatic diamines containing two or more representative tertiary amines and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), 4,4 ′, 4 ″ -tris ( Aromatic amine compounds having a starburst structure such as 1-naphthylphenylamino) triphenylamine (J. Lumin., 72-74, 985, 1997), tetraamines of triphenylamine Spiro compounds such as compounds (Chem. Commun., 2175, 1996), 2,2 ′, 7,7′-tetrakis- (diphenylamino) -9,9′-spirobifluorene Synth.Metals, 91 vol, 209 pp., 1997), 4,4'-N, such as a carbazole derivative such as N'- dicarbazole biphenyl. These compounds may be used individually by 1 type, and may be used in mixture of multiple types as needed.
上記の化合物以外に、正孔輸送層4の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等の高分子材料が挙げられる。 In addition to the above compounds, polyarylene ether sulfone (Polym. Adv. Tech.) Containing polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Laid-Open No. 7-53953), and tetraphenylbenzidine as a material for the hole transport layer 4. 7, Vol. 33, 1996).
正孔輸送層4は、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常の塗布法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など各種印刷法等の湿式成膜法や、真空蒸着法などの乾式成膜法で形成することができる。 The hole transport layer 4 may be formed by a normal coating method such as a spray method, a printing method, a spin coating method, a dip coating method, or a die coating method, a wet film forming method such as various printing methods such as an ink jet method or a screen printing method, or a vacuum. It can be formed by a dry film formation method such as a vapor deposition method.
塗布法の場合は、正孔輸送材料の1種または2種以上に、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、適当な溶剤に溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層4を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、正孔輸送層中の含有量で50重量%以下が好ましい。 In the case of the coating method, an additive such as a binder resin or a coating property improving agent that does not trap holes is added to one or more of the hole transport materials, if necessary, and dissolved in a suitable solvent. A solution is prepared, applied onto the anode 2 by a method such as spin coating, and dried to form the hole transport layer 4. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. When the amount of the binder resin added is large, the hole mobility is lowered. Therefore, the smaller amount is desirable, and the content in the hole transport layer is usually preferably 50% by weight or less.
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、るつぼを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、るつぼと向かい合って置かれた、陽極2が形成された基板1上に正孔輸送層4を形成させる。 In the case of the vacuum deposition method, the hole transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, and then the crucible is heated, The hole transport material is evaporated and a hole transport layer 4 is formed on the substrate 1 on which the anode 2 is formed, which is placed facing the crucible.
正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。 The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less. In order to uniformly form such a thin film, a vacuum deposition method is generally used.
[5]発光層(有機発光層)
正孔輸送層4の上には、通常、発光層5が設けられる。発光層5は例えば前述の発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極9から電子注入層8を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層5は前述した発光材料(ドーパント)と1種または2種以上のホスト材料を含むことが好ましく、発光層5は本実施の形態の有機化合物をホスト材料として含むことがさらに好ましく、真空蒸着法で形成してもよいが、湿式製膜法によって作製された層であることが特に好ましい。
尚、発光層5は、本実施の形態の有機電界発光素子の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。
[5] Light emitting layer (organic light emitting layer)
A light emitting layer 5 is usually provided on the hole transport layer 4. The light emitting layer 5 is, for example, a layer containing the above-described light emitting material. Between the electrodes to which an electric field is applied, holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and holes injected from the cathode 9 through the electron injection layer 8 are used. It is a layer that is excited by recombination with other electrons and becomes the main light emitting source. The light-emitting layer 5 preferably includes the above-described light-emitting material (dopant) and one or more host materials, and the light-emitting layer 5 further preferably includes the organic compound of the present embodiment as a host material. Although it may be formed by a method, a layer prepared by a wet film forming method is particularly preferable.
In addition, the light emitting layer 5 may contain another material and a component in the range which does not impair the performance of the organic electroluminescent element of this Embodiment.
一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。 In general, in the organic electroluminescence device, when the same material is used, the thinner the film thickness between the electrodes is, the larger the effective electric field is. For this reason, the driving voltage of the organic electroluminescence device decreases when the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to the protrusion caused by the electrode such as ITO. Necessary.
本実施の形態においては、発光層5以外に、正孔注入層3および後述の電子注入層8等の有機層を有する場合、発光層5と正孔注入層3や電子注入層8の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、さらに好ましくは100nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、さらに好ましくは300nm以下である。また、発光層5以外の正孔注入層3や後述の電子注入層8の導電性が高い場合、発光層5に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層5の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。 In the present embodiment, in addition to the light emitting layer 5, when the organic layer such as the hole injection layer 3 and the electron injection layer 8 described later is provided, the light emitting layer 5, the hole injection layer 3, and the electron injection layer 8 other than The total film thickness combined with the organic layer is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, and more preferably 300 nm or less. In addition, when the conductivity of the hole injection layer 3 other than the light emitting layer 5 and the electron injection layer 8 described later is high, the amount of charge injected into the light emitting layer 5 increases. It is also possible to reduce the drive voltage while increasing the thickness to reduce the thickness of the light emitting layer 5 while maintaining the total thickness to some extent.
よって、発光層5の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。尚、本実施の形態の素子が、陽極2および陰極9の両極間に、発光層5のみを有する場合の発光層5の膜厚は、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。 Therefore, the film thickness of the light emitting layer 5 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 200 nm or less. When the element of the present embodiment has only the light emitting layer 5 between the anode 2 and the cathode 9, the thickness of the light emitting layer 5 is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, and usually 500 nm or less, preferably Is 300 nm or less.
[6]正孔阻止層
発光物質として燐光発光性色素を用いたり、青色発光を与える蛍光発光材料を用いたりする場合、正孔阻止層6を設けることが効果的である。正孔阻止層6は正孔と電子を発光層5内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層6は、発光層5から移動してくる正孔が電子輸送層7に到達するのを阻止することで、発光層5内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、電子輸送層7から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割がある。
[6] Hole blocking layer When a phosphorescent dye is used as the luminescent substance or a fluorescent material that gives blue light is used, it is effective to provide the hole blocking layer 6. The hole blocking layer 6 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 5 and improving luminous efficiency. That is, the hole blocking layer 6 is generated by increasing the recombination probability with electrons in the light emitting layer 5 by blocking the holes moving from the light emitting layer 5 from reaching the electron transport layer 7. There is a role of confining excitons in the light emitting layer 5 and a role of efficiently transporting electrons injected from the electron transport layer 7 in the direction of the light emitting layer 5.
正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物により、発光層5の上に、発光層5の陰極9側の界面に接するように積層形成される。 The hole blocking layer 6 can prevent holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and can efficiently transport electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. The compound is laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.
Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。 The physical properties required for the materials constituting Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 include high electron mobility and low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), excited triplet It can be mentioned that the term level (T1) is high.
このような条件を満たす正孔阻止層6の材料としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996号公報)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。 Examples of the material of the hole blocking layer 6 that satisfies such conditions include bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Mixed ligand complexes, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, styryls such as distyrylbiphenyl derivatives Compounds (JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7- 41759) and phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297).
さらに、WO2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。 Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in WO2005 / 022962 is also preferable as the hole blocking material.
正孔阻止層6の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。正孔阻止層6は正孔注入層3と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。 The film thickness of the hole blocking layer 6 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less. The hole blocking layer 6 can be formed by the same method as the hole injection layer 3, but usually a vacuum deposition method is used.
[7]電子輸送層
電子輸送層7は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、発光層5と電子注入層8との間に設けられる。
電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極9または電子注入層8からの電子注入効率が高く、且つ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−または5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛等が挙げられる。
[7] Electron Transport Layer The electron transport layer 7 is provided between the light emitting layer 5 and the electron injection layer 8 for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device.
The electron transport layer 7 is formed of a compound that can efficiently transport electrons injected from the cathode 9 between electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 5. As the electron transporting compound used for the electron transport layer 7, the electron injection efficiency from the cathode 9 or the electron injection layer 8 is high, and the injected electrons having high electron mobility can be efficiently transported. It must be a compound.
Materials satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, di- Styryl biphenyl derivative, silole derivative, 3- or 5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound No. 207169), phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type sulfide Examples include zinc and n-type zinc selenide.
電子輸送層7の膜厚は、通常下限は1nm、好ましくは5nm程度であり、上限は通常300nm、好ましくは100nm程度である。電子輸送層7は、正孔注入層3と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層5上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。 The lower limit of the thickness of the electron transport layer 7 is usually 1 nm, preferably about 5 nm, and the upper limit is usually about 300 nm, preferably about 100 nm. The electron transport layer 7 is formed by laminating on the light emitting layer 5 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole injection layer 3. Usually, a vacuum deposition method is used.
[8]電子注入層
電子注入層8は陰極9から注入された電子を効率よく発光層5へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層8を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム等のアルカリ土類金属が用いられる。電子注入層8の膜厚は0.1nm〜5nmが好ましい。
[8] Electron Injection Layer The electron injection layer 8 serves to efficiently inject electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 8 is preferably a metal having a low work function, and an alkali metal such as sodium or cesium, or an alkaline earth metal such as barium or calcium is used. The thickness of the electron injection layer 8 is preferably 0.1 nm to 5 nm.
また、陰極9と発光層5または後述の電子輸送層7との界面にLiF、MgF2、Li2O、Cs2CO3等の極薄絶縁膜(0.1nm〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEETrans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。 Further, an ultrathin insulating film (0.1 nm to 5 nm) such as LiF, MgF 2 , Li 2 O, Cs 2 CO 3 may be inserted at the interface between the cathode 9 and the light emitting layer 5 or the electron transport layer 7 described later. This is an effective method for improving the efficiency of the device (Appl. Phys. Lett., 70, 152, 1997; Japanese Patent Laid-Open No. 10-74586; IEEE Trans. Electrons. Devices, 44, 1245, 1997). Year; SID 04 Digest, page 154).
さらに、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報等に記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。 Further, organic electron transport materials represented by metal complexes such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline described later are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium and rubidium. (Described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-270171, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-1000047, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-1000048, and the like), the electron injecting / transporting property is improved and excellent film quality can be achieved. Therefore, it is preferable. The film thickness in this case is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
電子注入層8は、発光層5と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層5上に積層することにより形成される。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼまたは金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、るつぼまたは金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板1上に電子注入層8を形成する。 The electron injection layer 8 is formed by laminating on the light emitting layer 5 by the wet film forming method or the vacuum deposition method in the same manner as the light emitting layer 5. In the case of the vacuum evaporation method, the evaporation source is put into a crucible or metal boat installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump, and then the crucible or metal boat is By heating and evaporating, the electron injection layer 8 is formed on the substrate 1 placed facing the crucible or the metal boat.
アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼおよびディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板1上に電子注入層8を形成する。このとき、電子注入層8の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。尚、電子注入層8は、これを省略してもよい。 The alkali metal is deposited using an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated. In the case of co-evaporating the organic electron transport material and the alkali metal, the organic electron transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. Each crucible and dispenser are heated simultaneously to evaporate, and an electron injection layer 8 is formed on the substrate 1 placed facing the crucible and dispenser. At this time, co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 8, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction. The electron injection layer 8 may be omitted.
[9]陰極
陰極9は、発光層5側の層(電子注入層8または発光層5等)に電子を注入する役割を果たす。陰極9として用いられる材料は、陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
[9] Cathode The cathode 9 plays a role of injecting electrons into a layer (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5) on the light emitting layer 5 side. The material used for the cathode 9 can be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection. Tin, magnesium, indium, calcium, aluminum A suitable metal such as silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.
陰極9の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極9を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。 The film thickness of the cathode 9 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode 9 made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere increases the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used.
[10]その他の構成層
以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本実施の形態においては、有機電界発光素子における陽極2および陰極9と発光層5との間には、その性能を損なわない限り任意の層を有していてもよく、また発光層5以外の任意の層を省略してもよい。例えば、電子輸送層7および正孔阻止層6は必要に応じて、適宜設ければよく、1)電子輸送層のみ、2)正孔阻止層のみ、3)正孔阻止層/電子輸送層の積層、4)用いない等の用法がある。
または、正孔輸送層4を省略することもできる。
図2は、図1における正孔輸送層4を設けずに作製した本実施の形態が適用される有機電界発光素子の構造例を示す断面模式図である。
図2で示した有機電界発光素子は、基板1、陽極2、正孔注入層3、発光層(有機発光層)5、正孔阻止層6、電子輸送層7、電子注入層8、陰極9が順に積層する。
[10] Other Constituent Layers Although the above description has focused on the element having the layer structure shown in FIG. 1, in the present embodiment, the anode 2 and the cathode 9 in the organic electroluminescent element and the light emitting layer 5 are interposed. May have any layer as long as its performance is not impaired, and any layer other than the light emitting layer 5 may be omitted. For example, the electron transport layer 7 and the hole blocking layer 6 may be appropriately provided as necessary. 1) Only the electron transport layer, 2) Only the hole blocking layer, and 3) The hole blocking layer / electron transport layer There are usages such as stacking, 4) not using, etc.
Alternatively, the hole transport layer 4 can be omitted.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent element to which the present embodiment, which is manufactured without providing the hole transport layer 4 in FIG. 1, is applied.
The organic electroluminescent device shown in FIG. 2 includes a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 3, a light emitting layer (organic light emitting layer) 5, a hole blocking layer 6, an electron transport layer 7, an electron injection layer 8, and a cathode 9. Are stacked in order.
正孔阻止層6と同様の目的で、正孔注入層3と発光層5の間に電子阻止層(図示せず。)を設けることも効果的である。電子阻止層は、発光層5から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層5内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層5の方向に輸送する役割がある。 For the same purpose as the hole blocking layer 6, it is also effective to provide an electron blocking layer (not shown) between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 5. The electron blocking layer prevents electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole injection layer 3, thereby increasing the recombination probability with holes in the light emitting layer 5, and generating generated excitons. There is a role of confining in the light emitting layer 5 and a role of efficiently transporting holes injected from the hole injection layer 3 in the direction of the light emitting layer 5.
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。また、発光層5を湿式製膜法で形成する場合、電子阻止層も湿式製膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。
このため、電子阻止層も湿式製膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層に用いられる材料としては、上述した有機電界発光素子組成物の他、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(WO2004/084260号公報記載)等が挙げられる。
The characteristics required for the electron blocking layer include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). In addition, when the light emitting layer 5 is formed by a wet film forming method, it is preferable that the electron blocking layer is also formed by a wet film forming method because the device manufacturing becomes easy.
For this reason, it is preferable that the electron blocking layer also has wet film forming compatibility, and examples of the material used for such an electron blocking layer include dioctyl typified by F8-TFB in addition to the organic electroluminescent element composition described above. And a copolymer of fluorene and triphenylamine (described in WO 2004/084260).
尚、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極9、電子注入層8、発光層5、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に有機電界発光素子を設けることも可能である。
さらに、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV2O5等を電荷発生層(CGL)として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
Note that the structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, the cathode 9, the electron injection layer 8, the light emitting layer 5, the hole injection layer 3, and the anode 2 can be laminated on the substrate 1 in this order. It is also possible to provide an organic electroluminescent element between two substrates, at least one of which is highly transparent.
Furthermore, a structure in which a plurality of layers shown in FIG. 1 are stacked (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, the two layers), for example, V 2 O 5 is used as the charge generation layer (CGL). This is more preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.
本実施の形態が適用される有機電界発光素子は、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
本発明の有機化合物を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
なお、本発明の有機化合物は、有機電界発光素子に限らず、電子写真感光体に利用することも有用である。
また、本発明の有機化合物は、電荷輸送材料用としてだけではなく、各種発光材料用、太陽電池材料用、バッテリー材料(電解液、電極、分離膜、安定剤など)用、医療用、塗料材料用、コーティング材料用、有機半導体材料用、トイレタリー材料用、帯電防止材料用、熱電素子材料用などにおいても有用である。
The organic electroluminescence device to which the present embodiment is applied applies to any of a single device, a device having a structure arranged in an array, and a structure in which an anode and a cathode are arranged in an XY matrix. be able to.
The organic electroluminescent element using the organic compound of the present invention is a light source (for example, a copy) that takes advantage of the characteristics of a flat panel display (for example, for an OA computer or a wall-mounted television), an in-vehicle display element, a mobile phone display or a surface light emitter. It can be applied to machine light sources, back light sources for liquid crystal displays and instruments, display panels, and sign lamps, and its technical value is great.
The organic compound of the present invention is useful not only for organic electroluminescent devices but also for electrophotographic photoreceptors.
The organic compound of the present invention is not only used for charge transport materials, but also for various light emitting materials, for solar cell materials, for battery materials (electrolytes, electrodes, separation membranes, stabilizers, etc.), medical use, and paint materials. It is also useful for coating materials, coating materials, organic semiconductor materials, toiletry materials, antistatic materials, thermoelectric element materials, and the like.
次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.
[有機化合物の製造・評価]
(実施例1)
式(I)で表される有機化合物(目的物1〜2)の合成例を以下に示す。
[Manufacture and evaluation of organic compounds]
(Example 1)
Synthesis examples of the organic compound (target products 1 and 2) represented by the formula (I) are shown below.
大気中において、1,3−ジフェニルプロパン−1,3−ジオン(5.33g)、3−ブロモフェニルヒドラジン・塩酸塩(5.59g)、イソプロパノール(250ml)の混合物を、加熱還流下、9時間撹拌した。得られた溶液を濃縮後、メタノール、水を加え、沈殿物をデカンテーションにて分け取り、これをジクロロメタン−ヘキサンの混合溶媒で抽出し、抽出物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製したところ、目的物1(6.24g)を得た。 In the atmosphere, a mixture of 1,3-diphenylpropane-1,3-dione (5.33 g), 3-bromophenylhydrazine hydrochloride (5.59 g) and isopropanol (250 ml) was heated under reflux for 9 hours. Stir. After concentration of the resulting solution, methanol and water were added, the precipitate was separated by decantation, extracted with a mixed solvent of dichloromethane-hexane, and the extract was purified by silica gel column chromatography. 1 (6.24 g) was obtained.
窒素気流中において、目的物1(6.24g)、カルバゾール(5.55g)、銅粉(1.05g)、炭酸カリウム(5.73g)、テトラグライム(13ml)の混合物を、180℃で5.8時間、次に190℃で1.3時間、次に200℃で3時間撹拌した後、銅粉(1.05g)、炭酸カリウム(3.7g)、テトラグライム(3ml)をさらに加えてから、200℃で7.3時間撹拌した。
得られた混合物にジクロロメタン(150ml)を加え、ろ過後、ろ液を食塩水で洗浄し、得られた溶液に、無水硫酸マグネシウム、活性白土を投入した。
これをさらにろ過し、ろ液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーおよびクロロホルム−メタノールからの再結晶で精製し、目的物2(1.80g)を得た。
これを高真空下、260℃で昇華精製し、目的物2の高純度品(1.66g)を得た。
脱離電子イオン化質量分析(Desorption electron Ionization−Mass Spectrum:以下、DEI−MSと記す。)の結果、質量分析値(M+)は461であり、これにより目的物2であることを確認した。
なお、測定装置は日本電子JMS−700/MStation質量分析計を使用し、測定条件としては、加速電圧10kV、イオン化電圧70eV、positive ion modeで行った。
In a nitrogen stream, a mixture of the target compound 1 (6.24 g), carbazole (5.55 g), copper powder (1.05 g), potassium carbonate (5.73 g), tetraglyme (13 ml) For 8 hours, then at 190 ° C. for 1.3 hours and then at 200 ° C. for 3 hours, and then copper powder (1.05 g), potassium carbonate (3.7 g) and tetraglyme (3 ml) were further added. And stirred at 200 ° C. for 7.3 hours.
Dichloromethane (150 ml) was added to the resulting mixture, and after filtration, the filtrate was washed with brine, and anhydrous magnesium sulfate and activated clay were added to the resulting solution.
This was further filtered, and the filtrate was concentrated and purified by silica gel column chromatography and recrystallization from chloroform-methanol to obtain the desired product 2 (1.80 g).
This was purified by sublimation at 260 ° C. under high vacuum to obtain a high-purity product (1.66 g) of the target product 2.
As a result of desorption electron ionization-mass spectrum (hereinafter referred to as DEI-MS), the mass spectrometric value (M + ) was 461.
The measuring device used was a JEOL JMS-700 / MStation mass spectrometer, and the measurement conditions were an acceleration voltage of 10 kV, an ionization voltage of 70 eV, and a positive ion mode.
以上の工程により合成した有機化合物(目的物2)の物性は以下の通りである。
ガラス転移温度:70℃
融点:162℃
気化温度:394℃
The physical properties of the organic compound (target product 2) synthesized by the above steps are as follows.
Glass transition temperature: 70 ° C
Melting point: 162 ° C
Vaporization temperature: 394 ° C
(実施例2)
式(I)で表される有機化合物(目的物3)の合成例を以下に示す。
(Example 2)
Synthesis examples of the organic compound (target product 3) represented by the formula (I) are shown below.
不活性ガス雰囲気下、55%NaH(15.2g,348mmol)のDME懸濁液(400mL)を0度まで冷却し、3−ブロモアセトフェノン(25g,116mmol)、3−ブロモ安息香酸メチルエステル(19.28g,96.9mmol)のDME溶液(100mL)を滴下した。
徐々に温度を上昇させ、8時間還流した。反応終了後、反応液を0度まで冷却し、水(50mL)をゆっくりと滴下し、水素ガスが発生しなくなったのを確認して、水にあけ塩化メチレン(100mLx3)で抽出した。
Under an inert gas atmosphere, a DME suspension (400 mL) of 55% NaH (15.2 g, 348 mmol) was cooled to 0 ° C., and 3-bromoacetophenone (25 g, 116 mmol), 3-bromobenzoic acid methyl ester (19 .28 g, 96.9 mmol) in DME (100 mL) was added dropwise.
The temperature was gradually raised and refluxed for 8 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to 0 ° C., water (50 mL) was slowly added dropwise, it was confirmed that hydrogen gas was no longer generated, and the mixture was poured into water and extracted with methylene chloride (100 mL × 3).
有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をエタノールで再結晶して中間体1(31.24g、収率85%)を得た。 The organic layer was washed with a saturated aqueous sodium chloride solution and dried over magnesium sulfate, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was recrystallized with ethanol to obtain Intermediate 1 (31.24 g, yield 85%).
中間体1(8.55g,22.4mmol)、3−ブロモフェニルヒドラジン(5g,22.4mmol)p−トルエンスルホン酸水和物(86mg,0.45mmol)のイソプロパノール溶液(100mL)を不活性ガス雰囲気下で加熱還流した。
反応終了後、溶媒を減圧下に留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーに処し、中間体2(10.4g、収率87%)を得た。
Intermediate 1 (8.55 g, 22.4 mmol), 3-bromophenylhydrazine (5 g, 22.4 mmol) p-toluenesulfonic acid hydrate (86 mg, 0.45 mmol) in isopropanol (100 mL) was inert gas Heated to reflux under atmosphere.
After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was subjected to column chromatography to obtain Intermediate 2 (10.4 g, yield 87%).
不活性ガス雰囲気下、ジベンジリデンアセトンパラジウムクロロホルム付加体(349mg,0.34mmol)のトルエン溶液(25mL)にトリターシャリーブチルホスフィン(204mg,1.01mmol)を滴下し、60℃で30分撹拌し錯体を形成させた。
不活性ガス雰囲気下、中間体2(2g,3.75mmol)、カルバゾール(2.23g,13.5mmol)、ターシャリーブトキシナトリウム(2.2g,22.5mmol)のトルエン溶液(25mL)に形成させた錯体を滴下し、6時間加熱還流した。
反応終了後、水にあけ、トルエン(50mLx2)で抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に留去した。
残渣をカラムクロマトグラフィーに処し、目的物3(1.34g、収率45%)を得た。DEI−MSの結果、質量分析値(M+)は792であり、これにより目的物3であることを確認した。
Under an inert gas atmosphere, tritertiary butylphosphine (204 mg, 1.01 mmol) was added dropwise to a toluene solution (25 mL) of dibenzylideneacetone palladium chloroform adduct (349 mg, 0.34 mmol) and stirred at 60 ° C. for 30 minutes. A complex was formed.
Formed in a toluene solution (25 mL) of intermediate 2 (2 g, 3.75 mmol), carbazole (2.23 g, 13.5 mmol), and tertiary butoxy sodium (2.2 g, 22.5 mmol) under an inert gas atmosphere The complex was added dropwise and heated to reflux for 6 hours.
After completion of the reaction, the reaction mixture was poured into water and extracted with toluene (50 mL × 2). The organic layer was washed with a saturated aqueous sodium chloride solution, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
The residue was subjected to column chromatography to obtain the intended product 3 (1.34 g, yield 45%). As a result of DEI-MS, the mass analysis value (M + ) was 792, which confirmed that it was the target product 3.
(測定例1)
窒素雰囲気下、77Kで、2−メチルテトラヒドロフラン溶媒に、目的物2を溶解させ、337nm波長レーザーで励起したときの燐光発光スペクトルから算出した材料の三重項励起準位は、423nm(2.93eV)であり、非常に高い三重項励起準位を有する化合物であることがわかった。
(Measurement Example 1)
The triplet excitation level of the material calculated from the phosphorescence emission spectrum when the target compound 2 was dissolved in 2-methyltetrahydrofuran solvent at 77 K under a nitrogen atmosphere and excited with a 337 nm wavelength laser was 423 nm (2.93 eV). And was found to be a compound having a very high triplet excited level.
(測定例2)
測定例1と同様にして、目的物3の三重項励起準位を測定した。
三重項励起準位は、424nm(2.92eV)であり、非常に高い三重項励起準位を有する化合物であることがわかった。
(Measurement example 2)
In the same manner as in Measurement Example 1, the triplet excited level of the target product 3 was measured.
The triplet excited level was 424 nm (2.92 eV), and it was found that the compound had a very high triplet excited level.
(比較例1)
測定例1と同様に、下記化合物を評価したところ、三重項励起準位は450nm(2.75eV)であった。
(Comparative Example 1)
When the following compounds were evaluated in the same manner as in Measurement Example 1, the triplet excitation level was 450 nm (2.75 eV).
(比較例2)
測定例1と同様に、下記化合物を評価したところ、三重項励起準位は450nm(2.75eV)であった。本発明の化合物に比べて三重項励起準位が低かった。
(Comparative Example 2)
When the following compounds were evaluated in the same manner as in Measurement Example 1, the triplet excitation level was 450 nm (2.75 eV). The triplet excited level was lower than that of the compound of the present invention.
[有機電界発光素子の製造・評価]
(実施例3)
図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
[Manufacture and evaluation of organic electroluminescence devices]
(Example 3)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 1 was produced by the following method.
ガラス製の基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。 An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 having a thickness of 150 nm (sputtered film product; sheet resistance 15 Ω) is a stripe having a width of 2 mm using ordinary photolithography technology and hydrochloric acid etching. The anode 2 was formed by patterning.
パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。 The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.
正孔注入層3を以下のように湿式塗布法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する高分子化合物(P−1(重量平均分子量:29400、数平均分子量:12600))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートした。 The hole injection layer 3 was formed by a wet coating method as follows. As a material for the hole injection layer 3, a polymer compound having an aromatic amino group represented by the structural formula shown below (P-1 (weight average molecular weight: 29400, number average molecular weight: 12600)) and an electron having the structural formula shown below. Using the accepting compound (A-1), spin coating was performed under the following conditions.
スピンコート条件
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 P−1 2.0重量%
A−1 0.4重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 230℃×15分
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
Spin coating conditions Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration P-1 2.0% by weight
A-1 0.4% by weight
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 230 ° C. × 15 minutes A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.
続いて、正孔輸送層4として下記に示すトリフェニルアミン誘導体を用いて真空蒸着法によって形成した。このとき、トリフェニルアミン誘導体のるつぼの温度は269℃〜299℃として、蒸着速度0.08nm/秒〜0.1nm/秒で40nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は9.4×10−5Pa〜8.7×10−5Paであった。 Subsequently, the hole transport layer 4 was formed by a vacuum deposition method using a triphenylamine derivative shown below. At this time, the temperature of the crucible of the triphenylamine derivative was set to 269 ° C. to 299 ° C., and the film was stacked with a film thickness of 40 nm at a deposition rate of 0.08 nm / second to 0.1 nm / second. The degree of vacuum during deposition was 9.4 × 10 -5 Pa~8.7 × 10 -5 Pa.
続いて、正孔輸送層4の上に発光層5を蒸着した。発光層5の材料として、下記化合物E−1(目的物3)を、下記に示す構造式のイリジウム錯体(D−1)と共に用い、E−1をるつぼの温度286℃〜297℃,蒸着速度0.1nm/秒とし、イリジウム錯体D−1をるつぼの温度254℃〜256℃,蒸着速度0.006nm/秒として32.0nm積層した。蒸着時の真空度は9.4×10−5Pa〜9.2×10−5Paであった。 Subsequently, a light emitting layer 5 was deposited on the hole transport layer 4. The following compound E-1 (target product 3) is used as a material for the light-emitting layer 5 together with an iridium complex (D-1) having the structural formula shown below, and E-1 is used at a crucible temperature of 286 ° C. to 297 ° C. The iridium complex D-1 was laminated at 32.0 nm at a crucible temperature of 254 ° C. to 256 ° C. and a deposition rate of 0.006 nm / sec. The degree of vacuum during deposition was 9.4 × 10 -5 Pa~9.2 × 10 -5 Pa.
次に、正孔阻止層6として下記に示すピリジン誘導体(HB−1)をるつぼ温度289℃〜283℃として、蒸着速度0.08nm/秒〜0.09nm/秒で5nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は8.0×10−5Pa〜7.8×10−5Paであった。 Next, a pyridine derivative (HB-1) shown below was laminated as the hole blocking layer 6 at a crucible temperature of 289 ° C. to 283 ° C. with a deposition rate of 0.08 nm / sec to 0.09 nm / sec to a thickness of 5 nm. . The degree of vacuum during deposition was 8.0 × 10 -5 Pa~7.8 × 10 -5 Pa.
次に、正孔阻止層6の上に、電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は232℃〜247℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は8.2×10−5Pa〜7.5×10−5Pa、蒸着速度は0.09nm/秒〜0.1nm/秒で膜厚は30nmとした。 Next, an aluminum 8-hydroxyquinoline complex (ET-1) shown below was deposited as an electron transport layer 7 on the hole blocking layer 6 in the same manner. The temperature of the crucible for the aluminum 8-hydroxyquinoline complex in this procedure was controlled within the range of 232 ℃ ~247 ℃, vacuum degree during deposition was 8.2 × 10 -5 Pa~7.5 × 10 -5 Pa, deposition The speed was 0.09 nm / second to 0.1 nm / second, and the film thickness was 30 nm.
上記の正孔輸送層4、発光層5、正孔阻止層6および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。 The substrate temperature during vacuum deposition of the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the hole blocking layer 6 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.
ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.9×10−4Pa以下になるまで排気した。陰極9として、先ず、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.008nm/秒〜0.01nm/秒、真空度2.9×10−4Paで、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.08nm/秒〜0.1nm/秒、真空度2.7×10−4Pa〜2.5×10−4Paで膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極9を完成させた。以上の2層型陰極9の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 Here, the element on which the electron transport layer 7 has been vapor-deposited is once taken out from the vacuum vapor deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm-wide stripe shadow mask is orthogonal to the ITO stripe of the anode 2 as a mask for cathode vapor deposition. In close contact with the element, it was placed in another vacuum vapor deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus was 2.9 × 10 −4 Pa or less in the same manner as the organic layer. As the cathode 9, first, lithium fluoride (LiF) was deposited using a molybdenum boat at a deposition rate of 0.008 nm / second to 0.01 nm / second, a degree of vacuum of 2.9 × 10 −4 Pa, and 0.5 nm. A film was formed on the electron transport layer 7 in a film thickness. Next, aluminum was heated in the same molybdenum boat, thickness at a deposition rate of 0.08 nm / sec ~0.1Nm / sec, the degree of vacuum 2.7 × 10 -4 Pa~2.5 × 10 -4 Pa The cathode 9 was completed by forming an aluminum layer of 80 nm. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layered cathode 9 was kept at room temperature.
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は100cd/m2時において、以下の通りである。
輝度/電流:41.0[cd/A]
電圧:7.0[V]
発光効率:18.4[lm/W]
素子の発光スペクトルの極大波長は513nmであり、イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.296,0.618)であった。
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this device are as follows at 100 cd / m 2 .
Luminance / current: 41.0 [cd / A]
Voltage: 7.0 [V]
Luminous efficiency: 18.4 [lm / W]
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 513 nm, which was identified as from the iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.296, 0.618).
以上、本実施の形態において詳述した有機化合物は、高い三重項エネルギー準位、高い耐熱性を有し、有機溶剤に対し高い溶解性を有する。また電気的な酸化や還元を繰返し受けても安定である。
このため、この有機化合物よりなる電荷輸送材料、この有機化合物を含む電荷輸送材料組成物及びこの有機化合物を用いた有機電界発光素子によれば、高輝度、高効率且つ長寿命な有機電界発光素子が提供される。
なお、以下の有機化合物、有機電界発光素子についても同様である。
As described above, the organic compound described in detail in this embodiment has a high triplet energy level, high heat resistance, and high solubility in an organic solvent. It is stable even when subjected to repeated electrical oxidation and reduction.
Therefore, according to the charge transport material comprising the organic compound, the charge transport material composition containing the organic compound, and the organic electroluminescent device using the organic compound, the organic electroluminescent device having high luminance, high efficiency, and long life. Is provided.
The same applies to the following organic compounds and organic electroluminescent elements.
[有機化合物の製造・評価(2)]
(実施例4)
式(I)で表される有機化合物(目的物4)の合成例を以下に示す。
[Production and evaluation of organic compounds (2)]
Example 4
Synthesis examples of the organic compound (target product 4) represented by the formula (I) are shown below.
55%水素化ナトリウム(15.2g,348mmol)を乾燥ジメトキシエタン(以下”DME”と略)(400mL)に懸濁させ、氷冷下、m−ブロモアセトフェノン(19.3g,96.9mmol)、メチル3−ブロモベンゾエート(25g,116mmol)のDME溶液(100mL)を3時間かけて滴下した。
滴下終了後、常温で2時間、60℃で6時間撹拌した。反応混合物を0℃まで冷却し、メタノールで残存する水素化ナトリウムを分解した後、水に開け、希塩酸で中和後、塩化メチレンで抽出した。
有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をエタノール−トルエンで再結晶して中間体3(31.2g,85%)を得た。
55% sodium hydride (15.2 g, 348 mmol) was suspended in dry dimethoxyethane (hereinafter abbreviated as “DME”) (400 mL), and m-bromoacetophenone (19.3 g, 96.9 mmol), Methyl 3-bromobenzoate (25 g, 116 mmol) in DME (100 mL) was added dropwise over 3 hours.
After completion of dropping, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and at 60 ° C. for 6 hours. The reaction mixture was cooled to 0 ° C., the remaining sodium hydride was decomposed with methanol, then poured into water, neutralized with dilute hydrochloric acid, and extracted with methylene chloride.
The organic layer was washed with a saturated aqueous sodium chloride solution and dried over sodium sulfate, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was recrystallized from ethanol-toluene to obtain Intermediate 3 (31.2 g, 85%).
中間体3(10g,26.2mmol)、ヒドラジン1水和物(1.44g,28.8mmol)のエタノール溶液(260mL)を還流下で3時間撹拌した。
反応終了後、減圧下で溶媒を留去して、残渣を塩化メチレンに溶解させ、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体4(9.5g,96%)を得た。
An ethanol solution (260 mL) of intermediate 3 (10 g, 26.2 mmol) and hydrazine monohydrate (1.44 g, 28.8 mmol) was stirred under reflux for 3 hours.
After completion of the reaction, the solvent was distilled off under reduced pressure, the residue was dissolved in methylene chloride, washed with a saturated aqueous sodium chloride solution and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain Intermediate 4 (9.5 g, 96%).
窒素気流中、カルバゾール(18.8g)、2,6−ジブロモピリジン(80.0g)、銅粉末(14.4g)、炭酸カリウム(31.2g)、テトラグライム(80mL)を、170℃に加熱下、7時間撹拌し、室温まで放冷した。
反応混合物にクロロホルムを加え、不溶物を濾別した。濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去し、エタノール/水(40/1)混合液を加え、析出物を濾別した。濾液に水を加え、析出物を濾取し、エタノールで洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン=2/1)で精製することにより、白色結晶の中間体5(17.7g)を得た。
In a nitrogen stream, carbazole (18.8 g), 2,6-dibromopyridine (80.0 g), copper powder (14.4 g), potassium carbonate (31.2 g), and tetraglyme (80 mL) are heated to 170 ° C. The mixture was stirred for 7 hours and allowed to cool to room temperature.
Chloroform was added to the reaction mixture, and insoluble matters were filtered off. Chloroform contained in the filtrate was distilled off under reduced pressure, an ethanol / water (40/1) mixture was added, and the precipitate was separated by filtration. Water was added to the filtrate, and the precipitate was collected by filtration, washed with ethanol, and purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride = 2/1) to give intermediate 5 (17.7 g) of white crystals. )
窒素雰囲気下、中間体4(2.0g,5.3mmol)、中間体5(2.05g,15mmol)、ヨウ化銅(10mg,0.053mmol)、炭酸カリウム(1.46g,10.6mmol)、N,N’−ジメチルエチレンジアミン(46mg,0.53mmol)の1,4−ジオキサン溶液(50mL)を還流下、24時間撹拌した。
反応混合物を塩化メチレン(100mL)で希釈し、無機物を濾過した。溶媒を減圧下に留去して残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体6(1.9g,58%)を得た。
Under nitrogen atmosphere, intermediate 4 (2.0 g, 5.3 mmol), intermediate 5 (2.05 g, 15 mmol), copper iodide (10 mg, 0.053 mmol), potassium carbonate (1.46 g, 10.6 mmol) , N, N′-dimethylethylenediamine (46 mg, 0.53 mmol) in 1,4-dioxane (50 mL) was stirred under reflux for 24 hours.
The reaction mixture was diluted with methylene chloride (100 mL) and the inorganic was filtered. The solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain Intermediate 6 (1.9 g, 58%).
窒素雰囲気下、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム付加体(125mg,0.12mmol)の乾燥トルエン溶液(10mL)にトリターシャリーブチルホスフィン(146mg,0.73mmol)を加え、60℃で20分撹拌し触媒を合成した。
窒素雰囲気下、中間体6(1.5g,2.42mmol)、カルバゾール(1.0g,6.04mmol)ターシャリーブトキシナトリウム(1.2g,12.4mmol)の乾燥トルエン懸濁液(20mL)に常温で先に合成した触媒を添加し、還流下で8時間撹拌した。
反応混合物にトルエンを加えて希釈したのち水にあけ、トルエンで抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに処し、目的物4(1.2g、70%)を得た。
DEI−MSの結果、質量分析値(M+)は792であり、これにより目的物4であることを確認した。また、ガラス転移温度は、131℃であった。
Under a nitrogen atmosphere, tritertiary butylphosphine (146 mg, 0.73 mmol) was added to a dry toluene solution (10 mL) of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform adduct (125 mg, 0.12 mmol), and 60 ° C. The mixture was stirred for 20 minutes to synthesize a catalyst.
To a dry toluene suspension (20 mL) of intermediate 6 (1.5 g, 2.42 mmol), carbazole (1.0 g, 6.04 mmol) and tertiary butoxy sodium (1.2 g, 12.4 mmol) under a nitrogen atmosphere. The catalyst synthesized previously at room temperature was added and stirred at reflux for 8 hours.
The reaction mixture was diluted with toluene, poured into water, and extracted with toluene. The organic layer was washed with a saturated aqueous sodium chloride solution and then dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel chromatography to obtain the desired product 4 (1.2 g, 70%).
As a result of DEI-MS, the mass analysis value (M + ) was 792, which confirmed that it was the target product 4. The glass transition temperature was 131 ° C.
[有機電界発光素子の製造・評価(2)]
(実施例5)
図2に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
[Manufacture and evaluation of organic electroluminescent elements (2)]
(Example 5)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 2 was produced by the following method.
ガラス製の基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。 An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 having a thickness of 150 nm (sputtered film product; sheet resistance 15 Ω) is a stripe having a width of 2 mm using ordinary photolithography technology and hydrochloric acid etching. The anode 2 was formed by patterning.
パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。 The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.
次いで、正孔注入層3を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物(P−2(重量平均分子量:26500,数平均分子量:12000))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートした。 Next, the hole injection layer 3 was formed by a wet film formation method as follows. As a material for the hole injection layer 3, a non-conjugated polymer compound having an aromatic amino group represented by the structural formula shown below (P-2 (weight average molecular weight: 26500, number average molecular weight: 12000)) and a structure shown below Using the electron-accepting compound (A-1) of the formula, spin coating was performed under the following conditions.
スピンコート条件
溶媒 アニソール
塗布液濃度 P−2 2.0重量%
A−1 0.4重量%
スピナ回転数 2000rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 230℃×3時間
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
Spin coating conditions Solvent Anisole Coating solution concentration P-2 2.0% by weight
A-1 0.4% by weight
Spinner speed 2000rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 230 ° C. × 3 hours A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.
続いて、正孔注入層3の上に発光層5を以下のように湿式成膜法を用いて成膜した。発光層5の材料として、E−1を、下記に示す構造式のイリジウム錯体(D−2)と共に用い、下記の条件でスピンコートした。 Subsequently, the light emitting layer 5 was formed on the hole injection layer 3 using a wet film forming method as follows. As a material of the light emitting layer 5, E-1 was used with the iridium complex (D-2) of the structural formula shown below, and spin-coated on the following conditions.
スピンコート条件
溶媒 トルエン
塗布液濃度 E−1 2.0重量%
D−2 0.1重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 100℃×1時間(減圧下)
上記スピンコートにより53nmの均一な発光層5が得られた。
Spin coating conditions Solvent Toluene Coating solution concentration E-1 2.0% by weight
D-2 0.1% by weight
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 100 ° C x 1 hour (under reduced pressure)
A uniform light-emitting layer 5 having a thickness of 53 nm was obtained by the spin coating.
次に、正孔阻止層6として下記に示すHB−2をるつぼ温度419℃〜431℃として、蒸着速度0.1nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は1.9×10−4Paであった。 Next, HB-2 shown below as the hole blocking layer 6 was laminated at a crucible temperature of 419 ° C. to 431 ° C. with a deposition rate of 0.1 nm / second and a film thickness of 10 nm. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1.9 × 10 −4 Pa.
次に、正孔阻止層6の上に、電子輸送層7として下記に示すフェナントロリン誘導体(ET−2)を同様にして蒸着した。蒸着時の真空度は1.5×10−4Pa〜1.6×10−4Pa、蒸着速度は0.1nm/秒で膜厚は30nmとした。 Next, a phenanthroline derivative (ET-2) shown below was deposited as an electron transport layer 7 on the hole blocking layer 6 in the same manner. The degree of vacuum during the deposition was 1.5 × 10 −4 Pa to 1.6 × 10 −4 Pa, the deposition rate was 0.1 nm / second, and the film thickness was 30 nm.
上記の正孔阻止層6および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.8×10−4Pa以下になるまで排気した。陰極9として、先ず、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.006nm/秒〜0.02nm/秒、真空度2.1×10−4Pa〜3.2×10−4Paで制御し、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.1nm/秒〜0.5nm/秒、真空度2.5×10−4Pa〜9.0×10−4Paの範囲で制御し、膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極9を完成させた。以上の2層型陰極9の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。
The substrate temperature during vacuum deposition of the hole blocking layer 6 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.
Here, the element that has been deposited up to the electron transport layer 7 is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a cathode deposition mask. It was made to adhere to the element so as to be orthogonal to each other, placed in another vacuum vapor deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus was 2.8 × 10 −4 Pa or less in the same manner as the organic layer. As the cathode 9, first, lithium fluoride (LiF) was vapor-deposited at a rate of 0.006 nm / second to 0.02 nm / second using a molybdenum boat, and a degree of vacuum of 2.1 × 10 −4 Pa to 3.2 × 10. The film was controlled on −4 Pa and formed on the electron transport layer 7 with a film thickness of 0.5 nm. Next, aluminum was heated in the same molybdenum boat, deposition rate 0.1 nm / sec ~0.5Nm / sec, a range of vacuum of 2.5 × 10 -4 Pa~9.0 × 10 -4 Pa The cathode 9 was completed by controlling and forming an aluminum layer with a thickness of 80 nm. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layered cathode 9 was kept at room temperature.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are as follows.
輝度/電流:22.4[cd/A]@100cd/m2
電圧:7.3[V]@100cd/m2
発光効率:9.6[lm/W]@100cd/m2
素子の発光スペクトルの極大波長は498nmであり、イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.182,0.405)であった。
Luminance / current: 22.4 [cd / A] @ 100 cd / m 2
Voltage: 7.3 [V] @ 100 cd / m 2
Luminous efficiency: 9.6 [lm / W] @ 100 cd / m 2
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 498 nm, which was identified as that from the iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.182, 0.405).
(比較例3)
図2に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
(Comparative Example 3)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 2 was produced by the following method.
ガラス製の基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。 An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 having a thickness of 150 nm (sputtered film product; sheet resistance 15 Ω) is a stripe having a width of 2 mm using ordinary photolithography technology and hydrochloric acid etching. The anode 2 was formed by patterning.
パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。 The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.
次いで、正孔注入層3を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物(P−1(重量平均分子量:29400,数平均分子量:12600))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートした。 Next, the hole injection layer 3 was formed by a wet film formation method as follows. As a material for the hole injection layer 3, a non-conjugated polymer compound (P-1 (weight average molecular weight: 29400, number average molecular weight: 12600)) having an aromatic amino group having the structural formula shown below and the structure shown below Using the electron-accepting compound (A-1) of the formula, spin coating was performed under the following conditions.
スピンコート条件
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 PB−1 2.0重量%
A−1 0.4重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 230℃×15分
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
Spin coating conditions Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration PB-1 2.0% by weight
A-1 0.4% by weight
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 230 ° C. × 15 minutes A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.
続いて、正孔注入層3の上に発光層5を以下のように湿式成膜法を用いて成膜した。発光層5の材料として、下記に示すE−2、E−3、およびイリジウム錯体(D−2)と共に用い、下記の条件でスピンコートした。 Subsequently, the light emitting layer 5 was formed on the hole injection layer 3 using a wet film forming method as follows. As a material of the light emitting layer 5, it used together with the following E-2, E-3, and the iridium complex (D-2), and spin-coated on the following conditions.
スピンコート条件
溶媒 トルエン
塗布液濃度 E−2 1.0重量%
E−3 1.0重量%
D−2 0.1重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 100℃×1時間(減圧下)
上記スピンコートにより60nmの均一な発光層5が得られた。
Spin coating conditions Solvent Toluene Coating solution concentration E-2 1.0% by weight
E-3 1.0% by weight
D-2 0.1% by weight
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 100 ° C x 1 hour (under reduced pressure)
A uniform light emitting layer 5 of 60 nm was obtained by the above spin coating.
次に、正孔阻止層6として下記に示すHB−1をるつぼ温度238℃〜264℃、蒸着速度0.01nm/秒〜0.07nm/秒の範囲で制御し、5nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は2.7×10−4Pa〜3.7×10−4Paであった。 Next, HB-1 shown below as the hole blocking layer 6 was controlled at a crucible temperature of 238 ° C. to 264 ° C. and a deposition rate of 0.01 nm / second to 0.07 nm / second, and was laminated with a film thickness of 5 nm. . The degree of vacuum during deposition was 2.7 × 10 -4 Pa~3.7 × 10 -4 Pa.
次いで、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウムを加熱して蒸着を行い、電子輸送層7を成膜した。蒸着時のるつぼ温度240℃〜247℃、蒸着速度0.1nm/秒で制御し、30nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は3.3×10−4Pa〜4.0×10−4Paであった。
陰極9の成膜は実施例5と同様にして行った。
Next, tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum was heated and evaporated to form an electron transport layer 7. The crucible temperature at the time of vapor deposition was 240 ° C. to 247 ° C., the vapor deposition rate was controlled at 0.1 nm / second, and the film was laminated with a film thickness of 30 nm. The degree of vacuum during deposition was 3.3 × 10 -4 Pa~4.0 × 10 -4 Pa.
The cathode 9 was formed in the same manner as in Example 5.
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。 As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are as follows.
輝度/電流:1.5[cd/A]@100cd/m2
電圧:8.3[V]@100cd/m2
発光効率:0.6[lm/W]@100cd/m2
素子の発光スペクトルの極大波長は512nmであり、イリジウム錯体(D−2)からの発光だけでなく、ホスト材料からの発光も確認された。
Luminance / current: 1.5 [cd / A] @ 100 cd / m 2
Voltage: 8.3 [V] @ 100 cd / m 2
Luminous efficiency: 0.6 [lm / W] @ 100 cd / m 2
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 512 nm, and not only light emission from the iridium complex (D-2) but also light emission from the host material was confirmed.
(比較例4)
発光層5を以下のように成膜した他は、比較例3と同様にして図2に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。
(Comparative Example 4)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 2 was produced in the same manner as in Comparative Example 3 except that the light emitting layer 5 was formed as follows.
発光層5の材料として、下記に示すE−4をイリジウム錯体(D−2)と共に用い、下記の条件でスピンコートした。 As a material for the light-emitting layer 5, E-4 shown below was used together with an iridium complex (D-2) and spin-coated under the following conditions.
スピンコート条件
溶媒 トルエン
塗布液濃度 E−4 2.0重量%
D−2 0.1重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 100℃×1時間(減圧下)
上記スピンコートにより60nmの均一な発光層5が得られた。
Spin coating conditions Solvent Toluene Coating solution concentration E-4 2.0% by weight
D-2 0.1% by weight
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 100 ° C x 1 hour (under reduced pressure)
A uniform light emitting layer 5 of 60 nm was obtained by the above spin coating.
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。 As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are as follows.
輝度/電流:9.8[cd/A]@100cd/m2
電圧:8.2[V]@100cd/m2
発光効率:3.8[lm/W]@100cd/m2
素子の発光スペクトルの極大波長は470nmであり、イリジウム錯体(D−2)からの発光と同定された。色度はCIE(x,y)=(0.201,0.362)であった。
Luminance / current: 9.8 [cd / A] @ 100 cd / m 2
Voltage: 8.2 [V] @ 100 cd / m 2
Luminous efficiency: 3.8 [lm / W] @ 100 cd / m 2
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 470 nm, and it was identified as light emission from the iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.201, 0.362).
1…基板、2…陽極、3…正孔注入層、4…正孔輸送層、5…発光層(有機発光層)、6…正孔阻止層、7…電子輸送層、8…電子注入層、9…陰極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Anode, 3 ... Hole injection layer, 4 ... Hole transport layer, 5 ... Light emitting layer (organic light emitting layer), 6 ... Hole blocking layer, 7 ... Electron transport layer, 8 ... Electron injection layer , 9 ... Cathode
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| JP2007163148A JP2008024698A (en) | 2006-06-21 | 2007-06-20 | Organic compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device |
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