JP2008031068A - Organic compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device - Google Patents
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Abstract
【課題】高い三重項励起エネルギー準位を有すると共に、溶剤に対する溶解性にも優れた有機化合物と、この有機化合物からなる電荷輸送材料、この有機化合物を用いた高輝度、高効率かつ長寿命な有機電界発光素子の提供。
【解決手段】下記式(I)(R1〜R6は、H又は任意の置換基であり、Ar1は芳香族炭化水素基等であり、Q1は直接結合、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基等であり、nは2〜6の整数を表す。)で表される有機化合物を用いた、湿式製膜法による有機電界発光素子の製造に好適であり、特に青色燐光発光素子において、高輝度、高効率かつ長寿命な有機電界発光素子。
【選択図】なしAn organic compound having a high triplet excitation energy level and excellent solubility in a solvent, a charge transport material comprising the organic compound, high luminance, high efficiency, and long life using the organic compound Provision of organic electroluminescent elements.
The following formula (I) (R 1 to R 6 are H or an arbitrary substituent, Ar 1 is an aromatic hydrocarbon group or the like, Q 1 is a direct bond, an aromatic hydrocarbon group, Suitable for the production of an organic electroluminescent device by a wet film-forming method using an organic compound represented by the following formula: n is an integer of 2 to 6. Organic electroluminescent device with high brightness, high efficiency and long life.
[Selection figure] None
Description
本発明は、高い三重項励起エネルギー準位を持ち、また、溶剤に対する溶解性も良好で、特に有機電界発光素子の発光層のホスト材料として有用な有機化合物と、この有機化合物からなる電荷輸送材料と、この有機化合物を含む電荷輸送材料組成物に関する。本発明はまた、この有機化合物を用いた高効率かつ超寿命の有機電界発光素子に関するものである。 The present invention relates to an organic compound having a high triplet excitation energy level, good solubility in a solvent, and particularly useful as a host material for a light emitting layer of an organic electroluminescence device, and a charge transport material comprising the organic compound And a charge transport material composition comprising the organic compound. The present invention also relates to a high-efficiency and long-life organic electroluminescence device using this organic compound.
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子(有機電界発光素子)の開発が行われている。有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式製膜法が挙げられる。このうち、湿式製膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、一つの層(塗布液)に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。 In recent years, an electroluminescent element (organic electroluminescent element) using an organic thin film has been developed. Examples of the method for forming the organic thin film include a vacuum deposition method and a wet film forming method. Among these, the wet film forming method does not require a vacuum process, is easy to increase in area, and is easy to mix a plurality of materials having various functions in one layer (coating liquid). There are advantages.
湿式製膜法によって形成される発光層の材料としては、従来、ポリ(p−フェニレンビニレン)誘導体やポリフルオレン誘導体等の高分子材料が主に用いられているが、高分子材料には以下のような問題がある。
・高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難である。
・連続駆動時に末端残基による劣化が起こる。
・材料自体の高純度化が困難で、不純物を含む。
Conventionally, polymer materials such as poly (p-phenylene vinylene) derivatives and polyfluorene derivatives are mainly used as materials for the light emitting layer formed by the wet film forming method. There is a problem like this.
・ It is difficult to control the degree of polymerization and molecular weight distribution of polymer materials.
・ Deterioration due to terminal residues occurs during continuous driving.
・ High purity of the material itself is difficult and contains impurities.
上記問題のために、湿式製膜法による素子は、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。 Due to the above-mentioned problems, an element using a wet film forming method is inferior in driving stability to an element using a vacuum vapor deposition method, and has not reached a practical level except for a part.
以上のような問題を解決する試みとして、特許文献1には高分子化合物ではなく、複数の低分子材料(電荷輸送材料、発光材料)を混合して、湿式製膜法により形成した有機薄膜を用いた有機電界発光素子が記載されている。しかしながら、特許文献1に記載されている有機電界発光素子は蛍光発光を利用しているため、素子の発光効率および最大発光輝度が低く、実用特性を満たしていない。 As an attempt to solve the above problems, Patent Document 1 discloses an organic thin film formed by a wet film-forming method by mixing a plurality of low-molecular materials (charge transport materials, light-emitting materials) instead of a polymer compound. The organic electroluminescent element used is described. However, since the organic electroluminescent element described in Patent Document 1 uses fluorescent light emission, the light emission efficiency and the maximum light emission luminance of the element are low, and the practical characteristics are not satisfied.
このような湿式製膜法により形成された複数の低分子材料からなる有機薄膜を用いた有機電界発光素子において、非特許文献1には、素子の発光効率を高めるために、燐光発光を利用した素子が記載されている。この非特許文献1に記載の有機電界発光素子では、電荷輸送材料として、以下に示すビフェニル誘導体を用いている。 In an organic electroluminescent device using an organic thin film made of a plurality of low molecular materials formed by such a wet film forming method, Non-Patent Document 1 uses phosphorescence emission to increase the luminous efficiency of the device. An element is described. In the organic electroluminescent element described in Non-Patent Document 1, the following biphenyl derivatives are used as the charge transport material.
しかしながら、上記ビフェニル誘導体は、非常に結晶化しやすく、湿式製膜法では均一な非晶質膜を得ることが困難であった。更に、上記ビフェニル誘導体は、溶媒に対する溶解性が低いため、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒を塗布溶媒に用いる必要がある。ハロゲン系溶媒は環境負荷が大きく実用上問題がある。また、ハロゲン系溶媒中に含まれる不純物により材料を劣化させる可能性が大きいため、ハロゲン系溶媒を用いた湿式製膜法による素子は駆動安定性が十分でないと考えられる。 However, the biphenyl derivative is very easy to crystallize, and it has been difficult to obtain a uniform amorphous film by a wet film forming method. Furthermore, since the biphenyl derivative has low solubility in a solvent, it is necessary to use a halogen-based solvent such as chloroform or 1,2-dichloroethane as a coating solvent. Halogen solvents have a large environmental impact and have practical problems. In addition, since there is a high possibility that the material is deteriorated by impurities contained in the halogen-based solvent, it is considered that an element by a wet film forming method using a halogen-based solvent does not have sufficient driving stability.
一方、特許文献2には、以下に示すアミド化合物が有機エレクトロルミネッセンス材料として開示されている。しかしながら、これらのアミド化合物では、アミド結合が環状となり、芳香環などを通じてπ共役でつながっているため、高い三重項励起エネルギー準位(T1準位)を保つことが困難である。また、このアミド化合物は、溶剤に対する溶解性も悪く湿式製膜法には適していない。 On the other hand, Patent Document 2 discloses an amide compound shown below as an organic electroluminescence material. However, in these amide compounds, it is difficult to maintain a high triplet excitation energy level (T1 level) because the amide bond is cyclic and is linked by π conjugation through an aromatic ring or the like. Further, this amide compound has poor solubility in a solvent and is not suitable for a wet film forming method.
本発明は、高い三重項励起エネルギー準位を有すると共に、溶剤に対する溶解性にも優れた有機化合物と、この有機化合物からなる電荷輸送材料、この有機化合物を含んでなる電荷輸送材料組成物、この有機化合物を用いた高輝度、高効率かつ長寿命な有機電界発光素子を提供することを課題とする。 The present invention includes an organic compound having a high triplet excitation energy level and excellent solubility in a solvent, a charge transport material comprising the organic compound, a charge transport material composition comprising the organic compound, It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescence device that uses an organic compound and has high luminance, high efficiency, and long life.
本発明者らが、鋭意検討した結果、下記の特定の構造を有する化合物が高い三重項励起エネルギー準位を持ち、かつ溶剤に対する溶解性にも優れ、この化合物を用いることにより、有機電界発光素子、とりわけ、燐光発光性の有機電界発光素子において、高効率かつ長寿命なデバイスを得ることができることを見出した。
本発明はこのような知見に基いて達成されたものであり、以下を要旨とする。
As a result of intensive studies by the present inventors, a compound having the following specific structure has a high triplet excitation energy level and excellent solubility in a solvent. By using this compound, an organic electroluminescent device is obtained. In particular, it has been found that a highly efficient and long-lived device can be obtained in a phosphorescent organic electroluminescent device.
The present invention has been achieved on the basis of such findings, and the gist thereof is as follows.
[1] 下記式(I)で表される有機化合物。
[2] 上記式(I)が、下記式(I−1)で表される[1]に記載の有機化合物。
[3] 上記式(I)において、Q1が、上記式(I)で表される化合物を構成する、n個の下記式(i)で表される部分構造どうしを共役させない連結基である[1]または[2]に記載の有機化合物。
[4] 下記式(II)で表される有機化合物。
[5] 上記式(II)が、下記式(II−1)で表される[4]に記載の有機化合物。
[6] [1]ないし[5]のいずれかに記載の有機化合物からなる電荷輸送材料。 [6] A charge transport material comprising the organic compound according to any one of [1] to [5].
[7] [1]ないし[5]のいずれかに記載の有機化合物を含有することを特徴とする電荷輸送材料用組成物。 [7] A composition for a charge transport material, comprising the organic compound according to any one of [1] to [5].
[8] さらに、溶剤を含有することを特徴とする[7]に記載の電荷輸送材料用組成物。 [8] The charge transport material composition as described in [7], further comprising a solvent.
[9] 基板上に陽極、陰極、および該陽極と該陰極に挟持された発光層を有する有機電界発光素子において、[7]または[8]に記載の電荷輸送材料用組成物を用いて、湿式成膜法により形成された層を有することを特徴とする有機電界発光素子。 [9] In an organic electroluminescence device having an anode, a cathode, and a light emitting layer sandwiched between the anode and the cathode on a substrate, using the composition for a charge transport material according to [7] or [8], An organic electroluminescence device comprising a layer formed by a wet film formation method.
[10] 基板上に陽極、陰極、および該陽極と該陰極に挟持された発光層を有する有機電界発光素子において、[1]ないし[5]のいずれかに記載の有機化合物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子。 [10] In an organic electroluminescent element having an anode, a cathode, and a light emitting layer sandwiched between the anode and the cathode on a substrate, the layer containing the organic compound according to any one of [1] to [5] An organic electroluminescent device comprising:
前記式(I)または(II)で表される本発明の有機化合物は、高い三重項励起エネルギー準位を有し、また、各種溶剤への溶解性に優れる。しかも、これらの化合物は合成も容易である。
従って、本発明の有機化合物からなる電荷輸送材料は、湿式製膜法による有機電界発光素子の製造に好適であり、このような本発明の電荷輸送材料を用いることにより、特に青色燐光発光素子において、高輝度、高効率かつ長寿命な有機電界発光素子が提供される。
The organic compound of the present invention represented by the formula (I) or (II) has a high triplet excitation energy level and is excellent in solubility in various solvents. Moreover, these compounds are easy to synthesize.
Therefore, the charge transport material comprising the organic compound of the present invention is suitable for the production of an organic electroluminescent device by a wet film-forming method. By using such a charge transport material of the present invention, particularly in a blue phosphorescent light-emitting device. An organic electroluminescence device having high brightness, high efficiency and long life is provided.
本発明の有機化合物を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。 The organic electroluminescent element using the organic compound of the present invention is a light source (for example, a copy) that takes advantage of the characteristics of a flat panel display (for example, for an OA computer or a wall-mounted television), an in-vehicle display element, a mobile phone display or a surface light emitter. It can be applied to machine light sources, back light sources for liquid crystal displays and instruments, display panels, and sign lamps, and its technical value is great.
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。 Embodiments of the present invention will be described in detail below, but the description of the constituent elements described below is an example (representative example) of an embodiment of the present invention, and the present invention does not exceed the gist thereof. It is not specified in the contents.
[有機化合物]
本発明の有機化合物は、下記式(I)または(II)で表される。
[Organic compounds]
The organic compound of the present invention is represented by the following formula (I) or (II).
<式(I)で表される化合物>
式(I)で表される化合物は、三重項励起エネルギー準位の高いブロックをアミド基で結合した化合物であるため、高い三重項励起エネルギー準位を各々保つことができる。また、溶剤溶解性に優れ、有機電界発光素子、とりわけ、燐光発光性の有機電界発光素子において、高効率かつ長寿命なデバイスを提供することができるものと推測される。
<Compound represented by formula (I)>
Since the compound represented by the formula (I) is a compound in which a block having a high triplet excitation energy level is bonded with an amide group, each compound can maintain a high triplet excitation energy level. In addition, it is presumed that a highly efficient and long-life device can be provided in an organic electroluminescent element, particularly a phosphorescent organic electroluminescent element, which is excellent in solvent solubility.
(1) Ar1
Ar1は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar1は、その置換基も含めて通常分子量60以上、1000以下が好ましく、500以下がより好ましい。
(1) Ar 1
Ar 1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 1 usually has a molecular weight of preferably 60 or more and 1000 or less, more preferably 500 or less, including its substituents.
その芳香族炭化水素基としては、通常炭素数5〜70、好ましくは炭素数6〜30のものであって、5または6員環の単環または2〜5縮合環由来の基が好ましく、具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の芳香族炭化水素環由来の基が挙げられる。 The aromatic hydrocarbon group is usually a group having 5 to 70 carbon atoms, preferably 6 to 30 carbon atoms, and is preferably a group derived from a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring. Examples include groups derived from aromatic hydrocarbon rings such as a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, and fluoranthene ring.
また、その芳香族複素環基としては、通常炭素数4〜70、好ましくは炭素数5〜30のものであって、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の基が好ましく、具体例としては、ピリジン環、ピラゾール環、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等の芳香族複素環由来の基が挙げられる。 The aromatic heterocyclic group is usually a group having 4 to 70 carbon atoms, preferably 5 to 30 carbon atoms, preferably a group derived from a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include pyridine ring, pyrazole ring, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolo Pyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, triazine Ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring Quinoxaline ring, a benzimidazole ring, perimidine ring, a quinazoline ring, a quinazolinone ring, an aromatic heterocyclic group derived from azulene ring.
これらのうち特に好ましいものは、三重項励起エネルギー準位が高いこと及びガラス転位温度が高いことから、ベンゼン環由来の基である。 Among these, a group derived from a benzene ring is particularly preferable because of its high triplet excitation energy level and high glass transition temperature.
また、Ar1の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基は置換基を有していてもよい。その置換基としては、R1〜R6の任意の置換基として下記に例示したものが挙げられる。 Moreover, the aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group of Ar 1 may have a substituent. Examples of the substituent include those exemplified below as optional substituents for R 1 to R 6 .
Ar1は置換基を有していても有していなくてもよいが、化合物のガラス転移温度(Tg)を上げるためには、カルバゾール環、ジベンゾフラン環等の縮合環で置換されたものが好ましい。Ar1は、カルバゾール環を置換基として有するベンゼン環由来の基(フェニル基)または置換基を有さないフェニル基であることが特に好ましい。 Ar 1 may or may not have a substituent, but is preferably substituted with a condensed ring such as a carbazole ring or a dibenzofuran ring in order to increase the glass transition temperature (Tg) of the compound. . Ar 1 is particularly preferably a benzene ring-derived group (phenyl group) having a carbazole ring as a substituent or a phenyl group having no substituent.
式(I)で表される化合物の1分子中に複数含まれるAr1は同一であってもよく、異なるものであってもよいが、合成の容易さからは同一であることが好ましい。 A plurality of Ar 1 contained in one molecule of the compound represented by formula (I) may be the same or different, but are preferably the same from the viewpoint of ease of synthesis.
(2) R1〜R6
R1〜R6は、それぞれ独立に水素原子または任意の置換基を表す。
(2) R 1 to R 6
R 1 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or an arbitrary substituent.
この任意の置換基の具体例としては、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、炭素数1〜30のアシル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、炭素数6〜30のアリールオキシ基、員数5〜30のヘテロアリールオキシ基、炭素数1〜30のアルキルチオ基、炭素数6〜30のアリールチオ基、員数5〜30のヘテロアリールチオ基、炭素数1〜30のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜30のアリールオキシカルボニル基、員数5〜30のヘテロアリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、炭素数6〜30のアリールアミノ基、員数5〜30のヘテロアリールアミノ基、炭素数1〜30のアルキルアミノ基、員数5〜30の芳香族複素環基が挙げられ、より好ましくは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、員数5〜30の芳香族複素環基が挙げられる。好ましくは、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基或いは、員数5〜30の芳香族複素環基である。 Specific examples of the optional substituent include an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, an acyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, C6-C30 aryloxy group, C5-C30 heteroaryloxy group, C1-C30 alkylthio group, C6-C30 arylthio group, C5-C30 heteroarylthio group, Carbon number 1 to 30 alkoxycarbonyl groups, 6 to 30 aryloxycarbonyl groups, 5 to 30 heteroaryloxycarbonyl groups, halogen atoms, 6 to 30 arylamino groups, 5 to 30 heteroaryls Examples thereof include an amino group, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, and an aromatic heterocyclic group having 5 to 30 members, more preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms and 1 carbon atom. 30 alkoxy group, aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms and an aromatic heterocyclic group of membered 5-30. Preferably, it is a C1-C30 alkyl group, a C1-C30 alkoxy group, a C6-C30 aromatic hydrocarbon group, or a C5-C30 aromatic heterocyclic group.
高い三重項励起準位の観点観点から、より好ましくは、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、フェニル基、或いは、ベンゼン環が複数個連結されて形成された1価の基(例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など)またはカルバゾリル基であり、最も好ましくは、フェニル基或いはベンゼン環を2〜8個連結してなる1価の基(例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など)、カルバゾリル基である。前記ベンゼン環を連結してなる1価の基の場合、ベンゼン環がメタ位で連結してなることが好ましい。 From the viewpoint of a high triplet excitation level, more preferably, a 1 to 30 alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, a phenyl group, or a benzene ring formed by connecting a plurality of them. A valent group (for example, biphenyl group, terphenyl group, etc.) or a carbazolyl group, and most preferably a monovalent group (for example, biphenyl group, terphenyl group) formed by linking 2 to 8 phenyl groups or benzene rings. Group), and a carbazolyl group. In the case of a monovalent group formed by connecting the benzene rings, the benzene ring is preferably connected at the meta position.
上記置換基は更に任意の位置に任意の数の置換基を有していてもよい。その置換基として、好ましくは、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、炭素数1〜30のアシル基、特に、アルキル基またはフェニル基を有するアシル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、炭素数6〜30のアリールオキシ基、員数5〜30のヘテロアリールオキシ基、炭素数1〜30のアルキルチオ基、炭素数6〜30のアリールチオ基、員数5〜30のヘテロアリールチオ基、炭素数1〜30のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜30のアリールオキシカルボニル基、員数5〜30のヘテロアリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、炭素数6〜30のアリールアミノ基、員数5〜30のヘテロアリールアミノ基、炭素数1〜30のアルキルアミノ基、員数5〜30の芳香族複素環基が挙げられ、より好ましくは炭素数1〜30のアルキル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、炭素数6〜30の芳香族炭化水素基、員数5〜30の芳香族複素環基であり、更に好ましくは、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、フェニル基、或いは、ベンゼン環を1〜8個連結してなる1価の基(例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など)、置換基を有していてもよいフェニルアミノ基(ジフェニルアミノ基など)、又は置換基を有していてもよいN−カルバゾリル基である。フェニルアミノ基およびN−カルバゾリル基の置換基としては炭素数1〜30のアルキル基、炭素数1〜30のアルコキシ基、炭素数6〜30のアリール基などが挙げられる。 The above substituents may further have an arbitrary number of substituents at arbitrary positions. As the substituent, preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, an acyl group having 1 to 30 carbon atoms, particularly an acyl group having an alkyl group or a phenyl group, An alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an aryloxy group having 6 to 30 carbon atoms, a heteroaryloxy group having 5 to 30 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, an arylthio group having 6 to 30 carbon atoms, and 5 to 5 members 30 heteroarylthio groups, C1-C30 alkoxycarbonyl groups, C6-C30 aryloxycarbonyl groups, C5-C30 heteroaryloxycarbonyl groups, halogen atoms, C6-C30 arylamino Group, a heteroarylamino group having 5 to 30 members, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, and an aromatic heterocyclic group having 5 to 30 members. Preferably, it is an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group having 5 to 30 members, more preferably A C1-C30 alkyl group, a C1-C30 alkoxy group, a phenyl group, or a monovalent group formed by connecting 1 to 8 benzene rings (for example, a biphenyl group, a terphenyl group, etc.), A phenylamino group (such as a diphenylamino group) which may have a substituent, or an N-carbazolyl group which may have a substituent. Examples of the substituent for the phenylamino group and the N-carbazolyl group include an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
また、R1〜R6は、共役系が延びないのであれば、それぞれ隣接する基同士が結合して置換基を有していても良い環を形成していても良い。なお、ここで「隣接する」とは必ずしも同一のベンゼン環上の隣接する炭素原子に置換している置換基をさすものではなく、分子構造上、結合可能な互いに近接する状態をさす。この環が更に置換基を有する場合、その置換基としてはR1〜R6等が更に有していても良い置換基として例示したものが挙げられる。 In addition, R 1 to R 6 may form a ring that may have a substituent by bonding adjacent groups to each other as long as the conjugated system does not extend. Here, “adjacent” does not necessarily refer to a substituent substituted on an adjacent carbon atom on the same benzene ring, but refers to a state in which they can be bonded to each other in terms of molecular structure. In the case where this ring further has a substituent, examples of the substituent include those exemplified as the substituent that R 1 to R 6 and the like may further have.
式(I)で表される化合物の1分子中に複数含まれるR1〜R6は同一であってもよく異なるものであってもよいが、合成の容易さから同一であることが好ましい。 A plurality of R 1 to R 6 contained in one molecule of the compound represented by the formula (I) may be the same or different, but are preferably the same for ease of synthesis.
また、R1〜R6の置換基は各々分子量1000以下であることが好ましく、500以下であることがさらに好ましい。 Further, each of the substituents R 1 to R 6 preferably has a molecular weight of 1000 or less, and more preferably 500 or less.
特に、R1〜R6が任意の置換基である場合、最も好ましい置換基は、N−カルバゾリル基またはジベンゾフリル基であり、とりわけ好ましくはN−カルバゾリル基である。 In particular, when R 1 to R 6 are optional substituents, the most preferable substituent is an N-carbazolyl group or a dibenzofuryl group, and particularly preferably an N-carbazolyl group.
また、化合物の溶剤に対する溶解性の観点から、R1〜R6として任意の置換基を有する場合、R1〜R3を有するベンゼン環のカルボニル基との結合位置またはR4〜R6を有するベンゼン環の窒素原子との結合位置に対してm位の位置(即ち、R1,R3,R4,R6)が置換され、p位の位置は水素原子(即ち、R2,R5)であることが好ましい。 From the viewpoint of solubility of the compound in a solvent, when R 1 to R 6 have an arbitrary substituent, it has a bonding position with a carbonyl group of a benzene ring having R 1 to R 3 or R 4 to R 6 . The position of the m position (namely, R 1 , R 3 , R 4 , R 6 ) is substituted with respect to the bonding position with the nitrogen atom of the benzene ring, and the position of the p position is a hydrogen atom (ie, R 2 , R 5 ) Is preferable.
(3) Q1
Q1は直接結合、エーテル基、置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
ただし、Q1は、高い三重項励起エネルギー準位を実現するために、前記式(I)で表される化合物を構成する、n個の下記式(i)で表される部分構造どうしを共役させない連結基であることが好ましく、そのために、直接結合ではないことが好ましい。即ち、例えば、Q1がAr1に連結する場合、Q1が直接結合であるとAr1−Ar1でAr1同士が共役してしまうので好ましくない。
(3) Q 1
Q 1 is a direct bond, an ether group, an alkylene group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon group or a substituent which may have a substituent. Represents an aromatic heterocyclic group which may have
However, in order to realize a high triplet excitation energy level, Q 1 conjugates n partial structures represented by the following formula (i) constituting the compound represented by the formula (I). It is preferable that the linking group is not allowed to be bonded, and therefore it is preferable that the linking group is not a direct bond. That is, for example, when Q 1 is linked to Ar 1 , it is not preferable that Q 1 is a direct bond because Ar 1 is conjugated with Ar 1 -Ar 1 .
Q1の連結基としては、通常、分子量100以下であるものが好ましい。 As the linking group for Q 1 , those having a molecular weight of 100 or less are usually preferred.
Q1のアルキレン基としては、炭素数1〜30のアルキレン基が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数1のアルキレン基であること、すなわちメチレン基であることが特に好ましい。
Q1のアミノ基としては、結合手がそれぞれ、式(i)に結合していることが好ましい。すなわち、3級アミノ基であることが好ましい。中でも2つの結合手が式(i)に結合し、1つが置換基であることが好ましい。
Q1の芳香族炭化水素基としては、前記Ar1として例示した芳香族炭化水素基の2価基が挙げられるが、好ましくはベンゼン環またはベンゼン環が2〜8個連結してなる基である。
Q1の芳香族複素環基としては、前記Ar1として例示した芳香族複素環基の2価基が挙げられるが、好ましくはチオフェン環、ピラゾール環、トリアジン環由来の基などが挙げられる。
該アルキル基、アミノ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、R1〜R6として例示したものが挙げられる。
また、連結基Q1は、連結基Q1と連結基Q1に結合する基などが結合して環を形成していてもよい。この場合、形成される環としては、カルバゾール環、ジベンゾフラン環などが挙げられる。
The alkylene group for Q 1 is preferably an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and an alkylene group having 1 carbon atom, that is, a methylene group. Is particularly preferred.
As the amino group of Q 1 , it is preferable that each bond is bonded to the formula (i). That is, it is preferably a tertiary amino group. Among them, it is preferable that two bonds are bonded to the formula (i) and one is a substituent.
Examples of the aromatic hydrocarbon group for Q 1 include the divalent groups of the aromatic hydrocarbon groups exemplified as Ar 1 , and preferably a benzene ring or a group formed by connecting 2 to 8 benzene rings. .
Examples of the aromatic heterocyclic group for Q 1 include the divalent groups of the aromatic heterocyclic group exemplified as Ar 1 , and preferred examples include groups derived from a thiophene ring, a pyrazole ring, and a triazine ring.
Examples of the substituent that the alkyl group, amino group, aromatic hydrocarbon group, or aromatic heterocyclic group may have include those exemplified as R 1 to R 6 .
Furthermore, the linking group Q 1 is, like groups attached to the linking group Q 1 and the linking group Q 1 is bonded to may form a ring. In this case, examples of the ring formed include a carbazole ring and a dibenzofuran ring.
(4) n
nは、2〜6の整数を表す。好ましくは2〜3、特に好ましくは2である。
(4) n
n represents an integer of 2 to 6. Preferably 2 to 3, particularly preferably 2.
(5) より好ましい化合物
上記式(I)で表される化合物は、特に下記式(I−1)で表される化合物であることが好ましい。
(5) More preferred compound The compound represented by the above formula (I) is particularly preferably a compound represented by the following formula (I-1).
上記式(I−1)において、Ar1aおよびAr1bは、それぞれ、式(I)におけるAr1と同義であり、好ましい例等も同様である。
R11〜R16、R21〜R26は、それぞれ、式(I)におけるR1〜R6と同義であり、好ましい例等も同様である。
In the formula (I-1), Ar 1a and Ar 1b have the same meanings as Ar 1 in the formula (I), and preferred examples thereof are also the same.
R 11 to R 16 and R 21 to R 26 have the same meanings as R 1 to R 6 in formula (I), respectively, and preferred examples thereof are also the same.
Q1としては、Ar1a,Ar1bを含めて、次のようなものが好ましい。 As Q 1 , the following are preferable including Ar 1a and Ar 1b .
<式(II)で表される化合物>
式(II)で表される化合物は、高い三重項励起エネルギー準位を有し、また、アミド結合を有するため溶剤溶解性に優れる。また、有機電界発光素子、とりわけ、燐光発光性の有機電界発光素子において、高効率かつ長寿命なデバイスを提供することができるものと推測される。
<Compound represented by formula (II)>
The compound represented by the formula (II) has a high triplet excitation energy level and also has an amide bond, and thus has excellent solvent solubility. In addition, it is presumed that an organic electroluminescent element, particularly a phosphorescent organic electroluminescent element, can provide a highly efficient and long-life device.
前記式(II)においてAr2としては、式(I)におけるAr1と同様のものが挙げられ、その好適例も同様である。
R31〜R33としても、式(I)におけるR1〜R3と同様のものが挙げられ、その好適例も同様である。
Ar 2 in the formula (II) includes the same as Ar 1 in the formula (I), and preferred examples thereof are also the same.
Examples of R 31 to R 33 include the same as R 1 to R 3 in formula (I), and preferred examples thereof are also the same.
カルボニル基が結合しているベンゼン環が該カルボニル基以外にも置換基を有する場合、その置換基としては、前述のR1〜R6の任意の置換基として例示したものが挙げられるが、好ましくは置換基を有さないことである。 When the benzene ring to which the carbonyl group is bonded has a substituent other than the carbonyl group, examples of the substituent include those exemplified as the optional substituents of R 1 to R 6 described above. Does not have a substituent.
mは1〜6の整数であるが、好ましくは1〜3、特に好ましくは2である。 m is an integer of 1 to 6, preferably 1 to 3, particularly preferably 2.
式(II)で表される化合物は、特に下記式(II−1)で表される化合物であることが好ましい。 The compound represented by the formula (II) is particularly preferably a compound represented by the following formula (II-1).
上記式(II−1)において、Ar2bおよびAr2aは式(II)におけるAr2と同義であり、好ましい例等も同様である。
R41〜R46は式(II)におけるR31〜R33と同義であり、好ましい例等も同様である。
In the formula (II-1), Ar 2b and Ar 2a have the same meaning as Ar 2 in the formula (II), and preferred examples thereof are also the same.
R 41 to R 46 have the same meanings as R 31 to R 33 in formula (II), and preferred examples thereof are also the same.
<有機化合物の分子量>
前記式(I)または式(II)で表される本発明の有機化合物の分子量は、通常5000以下、好ましくは4000以下、より好ましくは3000以下であり、また通常200以上、好ましくは300以上、より好ましくは400以上である。分子量がこの上限値を超えると、不純物の高分子量化によって精製が困難となる場合があり、また分子量がこの下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。
<Molecular weight of organic compound>
The molecular weight of the organic compound of the present invention represented by the formula (I) or formula (II) is usually 5000 or less, preferably 4000 or less, more preferably 3000 or less, and usually 200 or more, preferably 300 or more, More preferably, it is 400 or more. If the molecular weight exceeds this upper limit, purification may become difficult due to the high molecular weight of impurities, and if the molecular weight falls below this lower limit, the glass transition temperature, melting point, vaporization temperature, etc. will decrease. There is a risk that the properties are significantly impaired.
<合成方法(原料、触媒、溶媒、温度、圧力、モル比、単離法、精製法)>
本発明の有機化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。
<Synthesis method (raw material, catalyst, solvent, temperature, pressure, molar ratio, isolation method, purification method)>
The organic compound of the present invention can be synthesized by selecting a raw material according to the structure of the target compound and using a known method.
合成法としては、例えば次のような方法が挙げられる。
即ち、まず、下記式(a)で表されるカルボン酸(Ar'OOH)を酸塩化物を経由して、または縮合剤の存在下、一級アリールアミン(Ar''NH2)と、不活性ガス気流下、無溶媒または芳香族溶媒、エーテル系溶媒などの溶媒中、20〜300℃で1〜60時間攪拌混合することによって式(b)で表される二級アミド誘導体を得る。
次に、式(b)で表される二級アミド誘導体とハロゲン化物(Q−(Ar'''−X)n)とを、銅粉末、ハロゲン化銅(I)、酸化銅(I)、パラジウム錯体等の遷移金属触媒(ハロゲン原子に対して0.001〜5当量程度)、および、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基性物質(ハロゲン原子に対して1〜10当量程度)、および必要に応じて配位子の存在下、不活性ガス気流下、無溶剤または、芳香族溶剤、エーテル系溶剤などの溶剤中、20〜300℃で、1〜60時間攪拌混合することによって、式(c)で表される化合物を得る。
これらの反応を段階的に行えば非対称な化合物を得る事もできる。
なお、以下の反応式において、Ar’,Ar”,Ar'''は芳香族環を表し、QはQ1を表し、Xはハロゲン原子を表す。
Examples of the synthesis method include the following methods.
That is, first, a carboxylic acid (Ar′OOH) represented by the following formula (a) is inert with a primary arylamine (Ar ″ NH 2 ) via an acid chloride or in the presence of a condensing agent. The secondary amide derivative represented by the formula (b) is obtained by stirring and mixing at 20 to 300 ° C. for 1 to 60 hours in a solvent such as a solvent-free or aromatic solvent or ether solvent in a gas stream.
Next, the secondary amide derivative represented by the formula (b) and the halide (Q- (Ar ′ ″-X) n ) are mixed with copper powder, copper (I) halide, copper (I) oxide, Transition metal catalysts such as palladium complexes (about 0.001 to 5 equivalents with respect to the halogen atom) and basic substances such as potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, tert-butoxy sodium, triethylamine (halogen) 1 to 10 equivalents per atom), and optionally in the presence of a ligand, in an inert gas stream, in a solvent-free or solvent such as an aromatic solvent or an ether solvent at 20 to 300 ° C. The compound represented by the formula (c) is obtained by stirring and mixing for 1 to 60 hours.
If these reactions are carried out stepwise, an asymmetric compound can be obtained.
In the following reaction formula, Ar ′, Ar ″, Ar ′ ″ represent an aromatic ring, Q represents Q 1 , and X represents a halogen atom.
合成された化合物の精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」(1993年、(財)日本化学会編)、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」(1988年、(株)アイ ピー シー発行)、あるいは「実験化学講座(第4版)1」(1990年、(財)日本化学会編)の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。
具体的には、抽出(懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む)、吸着、吸蔵、融解、晶析(溶剤からの再結晶、再沈殿を含む)、蒸留(常圧蒸留、減圧蒸留)、蒸発、昇華(常圧昇華、減圧昇華)、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー(形状分類:カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類:ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構:吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー)などが挙げられる。
As a purification method of the synthesized compound, “Separation and purification technology handbook” (1993, edited by The Chemical Society of Japan), “High-level separation of trace components and difficult-to-purify substances by chemical conversion method” (1988, ) Issued by IPC), or the methods described in the section “Separation and purification” in “Experimental Chemistry Course (4th edition) 1” (1990, edited by The Chemical Society of Japan) Is available.
Specifically, extraction (including suspension washing, boiling washing, ultrasonic washing, acid-base washing), adsorption, occlusion, melting, crystallization (including recrystallization from solvent, reprecipitation), distillation (atmospheric pressure) Distillation, vacuum distillation), evaporation, sublimation (atmospheric pressure sublimation, vacuum sublimation), ion exchange, dialysis, filtration, ultrafiltration, reverse osmosis, pressure osmosis, zone lysis, electrophoresis, centrifugation, flotation separation, sedimentation separation, Magnetic separation, various chromatography (shape classification: column, paper, thin layer, capillary. Mobile phase classification: gas, liquid, micelle, supercritical fluid. Separation mechanism: adsorption, distribution, ion exchange, molecular sieve, chelate, gel filtration , Exclusion, affinity) and the like.
生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ(GC)、高速液体クロマトグラフ(HPLC)、高速アミノ酸分析計(AAA)、キャピラリー電気泳動測定(CE)、サイズ排除クロマトグラフ(SEC)、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)、交差分別クロマトグラフ(CFC)質量分析(MS、LC/MS,GC/MS,MS/MS)、 核磁気共鳴装置(NMR(1HNMR,13CNMR))、 フーリエ変換赤外分光高度計(FT−IR)、紫外可視近赤外分光高度計(UV.VIS,NIR)、電子スピン共鳴装置(ESR)、透過型電子顕微鏡(TEM−EDX)、電子線マイクロアナライザー(EPMA)、金属元素分析(イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光(ICP−AES)原子吸光分析(AAS)蛍光X線分析装置(XRF))、非金属元素分析、微量成分分析(ICP−MS,GF−AAS,GD−MS)等を必要に応じ、適用可能である。 The product confirmation and purity analysis methods include gas chromatograph (GC), high performance liquid chromatograph (HPLC), high speed amino acid analyzer (AAA), capillary electrophoresis measurement (CE), size exclusion chromatograph (SEC), Gel permeation chromatograph (GPC), cross-fractionation chromatograph (CFC) mass spectrometry (MS, LC / MS, GC / MS, MS / MS), nuclear magnetic resonance apparatus (NMR ( 1 HNMR, 13 CNMR)), Fourier transform Infrared spectrophotometer (FT-IR), UV-visible near-infrared spectrophotometer (UV.VIS, NIR), electron spin resonance apparatus (ESR), transmission electron microscope (TEM-EDX), electron beam microanalyzer (EPMA) , Metal element analysis (ion chromatograph, inductively coupled plasma-emission spectroscopy (ICP-AES) atomic absorption (AAS) X-ray fluorescence analyzer (XRF)), nonmetal element analysis, trace analysis (ICP-MS, GF-AAS, optionally a GD-MS), etc., it is applicable.
<物性>
本発明の有機化合物は、通常50℃以上のガラス転移温度(Tg)を有するが、耐熱性の観点から、ガラス転移温度は80℃以上であることが好ましく、110℃以上であることが更に好ましい。本発明の有機化合物のガラス転移温度の上限は通常300℃以下である。
また、本発明の有機化合物は、通常300℃以上、800℃以下の気化温度を有する。
また、本発明の有機化合物は、ガラス転移温度と気化温度の間に結晶化温度を有さないことが好ましい。
<Physical properties>
The organic compound of the present invention usually has a glass transition temperature (Tg) of 50 ° C. or higher, but from the viewpoint of heat resistance, the glass transition temperature is preferably 80 ° C. or higher, and more preferably 110 ° C. or higher. . The upper limit of the glass transition temperature of the organic compound of the present invention is usually 300 ° C. or lower.
Moreover, the organic compound of this invention has a vaporization temperature of 300 to 800 degreeC normally.
The organic compound of the present invention preferably has no crystallization temperature between the glass transition temperature and the vaporization temperature.
<化合物の具体例>
以下に、前記式(I)または式(II)で表される本発明の有機化合物の好ましい具体的な例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の例示中、Meはメチル基である。
<Specific examples of compounds>
Although the preferable specific example of the organic compound of this invention represented by the said formula (I) or formula (II) below is shown, this invention is not limited to these. In the following examples, Me is a methyl group.
<用途>
本発明の有機化合物を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
なお、本発明の有機化合物は、有機電界発光素子に限らず、電子写真感光体に利用することも有用である。
<Application>
The organic electroluminescent element using the organic compound of the present invention is a light source (for example, a copy) that takes advantage of the characteristics of a flat panel display (for example, for an OA computer or a wall-mounted television), an in-vehicle display element, a mobile phone display or a surface light emitter. It can be applied to machine light sources, back light sources for liquid crystal displays and instruments, display panels, and sign lamps, and its technical value is great.
The organic compound of the present invention is useful not only for organic electroluminescent devices but also for electrophotographic photoreceptors.
また、本発明の有機化合物は、電荷輸送材料用としてだけではなく、各種発光材料用、太陽電池材料用、バッテリー材料(電解液、電極、分離膜、安定剤など)用、医療用、塗料材料用、コーティング材料用、有機半導体材料用、トイレタリー材料用、帯電防止材料用、熱電素子材料用などにおいても有用である。 The organic compound of the present invention is not only used for charge transport materials, but also for various light emitting materials, for solar cell materials, for battery materials (electrolytes, electrodes, separation membranes, stabilizers, etc.), medical use, and paint materials. It is also useful for coating materials, coating materials, organic semiconductor materials, toiletry materials, antistatic materials, thermoelectric element materials, and the like.
特に、本発明の有機化合物は電荷輸送材料として用いられることが好ましく、高い三重項励起準位を有するため、発光層の発光材料のホスト材料として使用されることが好ましく、とりわけ青色発光材料用のホスト材料として使用されることが好ましい。 In particular, the organic compound of the present invention is preferably used as a charge transport material, and since it has a high triplet excitation level, it is preferably used as a host material of the light-emitting material of the light-emitting layer, particularly for blue light-emitting materials. It is preferably used as a host material.
[電荷輸送材料組成物]
本発明の電荷輸送材料組成物は、前記式(I)で表される本発明の有機化合物および/または式(II)で表される本発明の有機化合物と、好ましくは溶剤とを含むものであり、好ましくは、有機電界発光素子用に使用される。本発明の電荷輸送材料組成物は、式(I)で表される本発明の有機化合物および/または式(II)で表される本発明の有機化合物の1種または2種以上を含有していてもよく、さらに他の電荷輸送材料を含有していてもよい。
[Charge transport material composition]
The charge transport material composition of the present invention comprises the organic compound of the present invention represented by the formula (I) and / or the organic compound of the present invention represented by the formula (II), and preferably a solvent. Yes, preferably used for organic electroluminescent devices. The charge transport material composition of the present invention contains one or more of the organic compound of the present invention represented by formula (I) and / or the organic compound of the present invention represented by formula (II). It may also contain other charge transport materials.
[1]溶剤
本発明の電荷輸送材料組成物に含まれる溶剤としては、溶質である本発明の有機化合物等が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。
[1] Solvent The solvent contained in the charge transport material composition of the present invention is not particularly limited as long as the organic compound of the present invention which is a solute dissolves well.
本発明の有機化合物は溶剤に対する溶解性が非常に高いため、種々の溶剤が適用化能である。例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン;メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。 Since the organic compound of the present invention has very high solubility in a solvent, various solvents can be applied. For example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene and tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene and anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and other aromatic ethers; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoic acid Aromatic esters such as ethyl, propyl benzoate and n-butyl benzoate; ketones having an alicyclic ring such as cyclohexanone and cyclooctanone; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; methyl ethyl ketone and cyclohexano Alcohol having an alicyclic ring such as ruthenium or cyclooctanol; Aliphatic alcohol such as butanol or hexanol; Aliphatic ether such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether or propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); Ethyl acetate In addition, aliphatic esters such as n-butyl acetate, ethyl lactate, and n-butyl lactate can be used. Of these, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin and the like are preferable in that they have low water solubility and are not easily altered.
有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。 Since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, the presence of moisture in the composition causes moisture to remain in the dried film, degrading the device characteristics. The possibility is considered and it is not preferable.
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式製膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される電荷輸送材料組成物は、例えば、25℃における水の溶解度が1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下である溶剤を、組成物中10重量%以上含有することが好ましい。 Examples of the method for reducing the amount of water in the composition include nitrogen gas sealing, use of a desiccant, dehydration of the solvent in advance, use of a solvent having low water solubility, and the like. In particular, it is preferable to use a solvent having low water solubility because the solution film can prevent whitening by absorbing moisture in the atmosphere during the wet film-forming process. From such a viewpoint, the charge transport material composition to which the present embodiment is applied includes, for example, a solvent having a water solubility at 25 ° C. of 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less. It is preferable to contain 10 weight% or more in a thing.
また、湿式製膜時における組成物からの溶剤蒸発による、製膜安定性の低下を低減するためには、電荷輸送材料組成物の溶剤として、沸点が100℃以上、好ましくは沸点が150℃以上、より好ましくは沸点が200℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、製膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要で、このためには通常沸点80℃以上、好ましくは沸点100℃以上、より好ましくは沸点120℃以上で、通常沸点270℃未満、好ましくは沸点250℃未満、より好ましくは沸点230℃未満の溶剤を用いることが効果的である。 Further, in order to reduce deterioration in film formation stability due to solvent evaporation from the composition during wet film formation, the solvent of the charge transport material composition has a boiling point of 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher. More preferably, it is effective to use a solvent having a boiling point of 200 ° C. or higher. In order to obtain a more uniform film, it is necessary for the solvent to evaporate from the liquid film immediately after film formation at an appropriate rate. For this purpose, the boiling point is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher. It is effective to use a solvent having a boiling point of 120 ° C. or more, usually less than 270 ° C., preferably less than 250 ° C., more preferably less than 230 ° C.
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、2種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。 A solvent that satisfies the above-mentioned conditions, ie, solute solubility, evaporation rate, and water solubility conditions, may be used alone. However, if a solvent that satisfies all the conditions cannot be selected, two or more solvents may be mixed. It can also be used.
[2]発光材料
本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物として用いられる電荷輸送材料組成物は、発光材料を含有することが好ましい。
[2] Luminescent Material The charge transport material composition of the present invention, particularly the charge transport material composition used as a composition for an organic electroluminescence device, preferably contains a luminescent material.
発光材料とは、本発明の電荷輸送材料組成物において、主として発光する成分を指し、有機電界発光デバイスにおけるドーパント成分に当たる。即ち、電荷輸送材料組成物から発せられる光量(単位:cd/m2)の内、通常10〜100%、好ましくは20〜100%、より好ましくは50〜100%、最も好ましくは80〜100%が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。 The light emitting material refers to a component that mainly emits light in the charge transport material composition of the present invention, and corresponds to a dopant component in an organic electroluminescent device. That is, the amount of light emitted from the charge transport material composition (unit: cd / m 2 ) is usually 10 to 100%, preferably 20 to 100%, more preferably 50 to 100%, and most preferably 80 to 100%. Is identified as light emission from a component material, it is defined as the light emission material.
発光材料としては、任意の公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料或いは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
この発光材料の最大発光ピーク波長は390〜490nmの範囲にあることが好ましい。
Any known material can be applied as the light-emitting material, and a fluorescent light-emitting material or a phosphorescent light-emitting material can be used singly or as a mixture of a plurality of materials. From the viewpoint of internal quantum efficiency, a phosphorescent light-emitting material is preferable.
The maximum emission peak wavelength of this luminescent material is preferably in the range of 390 to 490 nm.
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。 For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of the light emitting material molecule or introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.
青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。 Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.
燐光発光材料としては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。 Examples of the phosphorescent material include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式(V)または式(VI)で表される化合物が挙げられる。
ML(q−j)L’j (V)
(一般式(V)中、Mは金属を表し、qは上記金属の価数を表す。また、LおよびL’は二座配位子を表す。jは0、1または2を表す。)
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following general formula (V) or formula (VI).
ML (q−j) L ′ j (V)
(In general formula (V), M represents a metal, q represents the valence of the metal, L and L ′ represent a bidentate ligand, and j represents 0, 1 or 2.)
以下、まず、一般式(V)で表される化合物について説明する。
一般式(V)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、一般式(V)中の二座配位子LおよびL’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
Hereinafter, the compound represented by the general formula (V) will be described first.
In the general formula (V), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Moreover, the bidentate ligands L and L ′ in the general formula (V) each represent a ligand having the following partial structure.
L’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。
上記L,L’の部分構造において、環A1は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環A2は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。 In the partial structures of L and L ′, the ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent.
環A1,A2が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。 When the rings A1 and A2 have a substituent, preferred substituents include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; alkenyl groups such as vinyl groups; methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups. Alkoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkylamino groups such as dimethylamino groups and diethylamino groups; diarylamino groups such as diphenylamino groups; carbazolyl groups; An acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group.
一般式(V)で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が挙げられる。 More preferable examples of the compound represented by the general formula (V) include compounds represented by the following general formulas (Va), (Vb), and (Vc).
上記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)において、環A1および環A1’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。 In the above general formulas (Va), (Vb), and (Vc), the group of ring A1 and ring A1 ′ is preferably, for example, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, thienyl group, furyl group, benzo Examples include thienyl group, benzofuryl group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.
また、環A2、環A2’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。 In addition, the group of ring A2 and ring A2 ′ is preferably a pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, A phenanthridyl group and the like can be mentioned.
更に、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。 Furthermore, the substituents that the compounds represented by the general formulas (Va), (Vb), and (Vc) may have include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; vinyls Alkenyl groups such as methoxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkyls such as dimethylamino groups and diethylamino groups An amino group; a diarylamino group such as a diphenylamino group; a carbazolyl group; an acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group;
上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常6以上14以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常2以上24以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常12以上28以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常1以上14以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上12以下である。 When the said substituent is an alkyl group, the carbon number is 1 or more and 6 or less normally. Furthermore, when the substituent is an alkenyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. When the substituent is an alkoxycarbonyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. Further, when the substituent is an alkoxy group, the carbon number is usually 1 or more and 6 or less. Moreover, when a substituent is an aryloxy group, the carbon number is 6 or more and 14 or less normally. Furthermore, when the substituent is a dialkylamino group, the carbon number is usually 2 or more and 24 or less. When the substituent is a diarylamino group, the carbon number is usually 12 or more and 28 or less. Furthermore, when the substituent is an acyl group, the carbon number is usually 1 or more and 14 or less. Moreover, when a substituent is a haloalkyl group, the carbon number is 1 or more and 12 or less normally.
なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、または、環A1’が有する置換基と環A2’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環基としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。 These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded. Two fused rings may be formed. Examples of such a condensed ring group include a 7,8-benzoquinoline group.
中でも、環A1、環A1’、環A2および環A2’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。 Among them, as a substituent of ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, a carbazolyl group Is mentioned.
また、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)におけるMa,Mb,Mcとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。 In general formula (Va), (Vb), preferably as M a, M b, M c in (Vc), ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold.
上記一般式(V)、(Va)、(Vb)または(Vc)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない(以下において、Phはフェニル基を表す。)。 Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (V), (Va), (Vb) or (Vc) are shown below, but are not limited to the following compounds (in the following, Ph is phenyl Represents a group).
上記一般式(V)、(Va)、(Vb)、(Vc)で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Lおよび/またはL’として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
また、WO2005/019373号公報に記載の化合物も使用することができる。
Among the organometallic complexes represented by the general formulas (V), (Va), (Vb), and (Vc), in particular, as the ligand L and / or L ′, a 2-arylpyridine-based ligand, , 2-arylpyridine, a compound having an arbitrary substituent bonded thereto, and a compound having an arbitrary group condensed thereto are preferable.
In addition, compounds described in WO2005 / 019373 can also be used.
次に、前記一般式(VI)で表される化合物について説明する。
一般式(VI)中、Mdは金属を表し、具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。
Next, the compound represented by the general formula (VI) will be described.
In the general formula (VI), M d represents a metal, and specific examples thereof include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold is preferable, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferable.
また、一般式(VI)において、R92およびR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。 In the general formula (VI), R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxyl group. Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.
さらに、Tが炭素の場合、R94およびR95は、それぞれ独立に、R92およびR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Tが窒素の場合はR94およびR95は無い。 Further, when T is carbon, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93 . Further, as described above, when T is nitrogen, there is no R 94 or R 95 .
また、R92〜R95はさらに置換基を有していてもよい。この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、R92〜R95は互いに連結して環を形成してもよく、この環が更に任意の置換基を有していてもよい。
R 92 to R 95 may further have a substituent. In this case, the substituent which may further be present is not particularly limited, and any group can be used as the substituent.
Furthermore, R 92 to R 95 may be linked to each other to form a ring, and this ring may further have an arbitrary substituent.
一般式(VI)で表される有機金属錯体の具体例(T−1,T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。 Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the general formula (VI) are shown below, but are not limited to the following exemplified compounds. In the following, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.
[3]その他の成分
本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物として用いられる電荷輸送材料組成物中には、前述した溶剤および発光材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
[3] Other components In the charge transport material composition of the present invention, particularly the charge transport material composition used as the composition for an organic electroluminescent device, in addition to the solvent and the light emitting material described above, if necessary, Various other solvents may be included. Examples of such other solvents include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide.
Moreover, various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, may be included.
また、2層以上の層を湿式製膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、製膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。 In addition, when two or more layers are laminated by a wet film-forming method, in order to prevent these layers from being compatible with each other, a photo-curing resin or a thermosetting resin is used for the purpose of curing and insolubilizing after film formation. Can also be contained.
[4]電荷輸送材料組成物中の材料濃度と配合比
電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物中の電荷輸送材料、発光材料および必要に応じて添加可能な成分(レベリング剤など)などの固形分濃度は、通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、最も好ましくは1重量%以上であり、通常80重量%以下、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下、最も好ましくは20重量%以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる恐れがある。
[4] Material concentration and blending ratio in charge transport material composition Charge transport material composition, particularly charge transport material in organic electroluminescent device composition, light emitting material and components which can be added as required (leveling agent, etc.) ) And the like are usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, still more preferably 0.5% by weight or more, and most preferably 1% by weight. %, Usually 80% by weight or less, preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight or less, still more preferably 30% by weight or less, and most preferably 20% by weight or less. If this concentration is below the lower limit, it is difficult to form a thick film when forming a thin film, and if it exceeds the upper limit, it may be difficult to form a thin film.
また、本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物において、発光材料/電荷輸送材料の重量混合比は、通常、0.1/99.9以上であり、より好ましくは0.5/99.5以上であり、更に好ましくは1/99以上であり、最も好ましくは2/98以上で、通常、50/50以下であり、より好ましくは40/60以下であり、更に好ましくは30/70以下であり、最も好ましくは20/80以下である。この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下する恐れがある。 In the charge transport material composition of the present invention, particularly the composition for an organic electroluminescence device, the light-emitting material / charge transport material weight mixing ratio is usually 0.1 / 99.9 or more, more preferably 0. 0.5 / 99.5 or more, more preferably 1/99 or more, most preferably 2/98 or more, usually 50/50 or less, more preferably 40/60 or less, still more preferably. Is 30/70 or less, most preferably 20/80 or less. If this ratio falls below the lower limit or exceeds the upper limit, the luminous efficiency may be significantly reduced.
[5]電荷輸送材料組成物の調製方法
本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物は、電荷輸送材料、発光材料、および必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、および組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
[5] Method for Preparing Charge Transport Material Composition The charge transport material composition of the present invention, particularly the composition for an organic electroluminescent device, includes a charge transport material, a light emitting material, and a leveling agent or antifoam that can be added as necessary. It is prepared by dissolving a solute composed of various additives such as an agent in an appropriate solvent. In order to shorten the time required for the dissolution step and to keep the solute concentration in the composition uniform, the solute is usually dissolved while stirring the liquid. The dissolution step may be performed at room temperature, but when the dissolution rate is slow, it can be heated and dissolved. After completion of the dissolution step, a filtration step such as filtering may be performed as necessary.
[6]電荷輸送材料組成物の性状、物性等
(水分濃度)
有機電界発光素子を、本発明の電荷輸送材料組成物(有機電界発光素子用組成物)を用いた湿式製膜法により層形成して製造する場合、用いる有機電界発光素子用組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、電荷輸送材料組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
[6] Properties and physical properties of the charge transport material composition (moisture concentration)
When an organic electroluminescent device is produced by forming a layer by a wet film forming method using the charge transport material composition (composition for an organic electroluminescent device) of the present invention, moisture is contained in the composition for organic electroluminescent device to be used. If present, moisture is mixed into the formed film and the uniformity of the film is impaired. Therefore, it is preferable that the water content in the charge transport material composition of the present invention, particularly the composition for organic electroluminescent elements, is as low as possible. . In general, since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, when moisture is present in the charge transport material composition, moisture remains in the dried film. There is a possibility of deteriorating the characteristics of the element, which is not preferable.
具体的には、本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量は、通常1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下、より好ましくは0.01重量%以下である。 Specifically, the amount of water contained in the charge transport material composition of the present invention, particularly the organic electroluminescent device composition, is usually 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less, more preferably 0.8%. 01% by weight or less.
電荷輸送材料組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」(JIS K0068:2001)に記載の方法が好ましく、例えば、カールフィッシャー試薬法(JIS K0211−1348)等により分析することができる。 As a method for measuring the water concentration in the charge transport material composition, the method described in Japanese Industrial Standard “Method for Measuring Water of Chemical Products” (JIS K0068: 2001) is preferable. For example, the Karl Fischer reagent method (JIS K0211-1348). ) And the like.
(均一性)
本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物は、湿式製膜プロセスでの安定性、例えば、インクジェット製膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるためには、常温で均一な液状であることが好ましい。常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ組成物中に粒径0.1μm以上の粒子成分を含有しないことをいう。
(Uniformity)
The charge transport material composition of the present invention, particularly the composition for an organic electroluminescence device, is uniform at room temperature in order to improve stability in a wet film forming process, for example, ejection stability from a nozzle in an ink jet film forming method. It is preferably a liquid. The uniform liquid at normal temperature means that the composition is a liquid composed of a uniform phase and does not contain a particle component having a particle size of 0.1 μm or more in the composition.
(物性)
本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば製膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット製膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット製膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の25℃における粘度は、通常2mPa・s以上、好ましくは3mPa・s以上、より好ましくは5mPa・s以上であり、通常1000mPa・s以下、好ましくは100mPa・s以下、より好ましくは50mPa・s以下である。
(Physical properties)
Regarding the viscosity of the charge transport material composition of the present invention, particularly the composition for organic electroluminescence device, in the case of extremely low viscosity, for example, uneven coating surface due to excessive liquid film flow in the film forming process, Nozzle discharge failure or the like is likely to occur, and when the viscosity is extremely high, nozzle clogging or the like in the ink-jet film formation is likely to occur. For this reason, the viscosity at 25 ° C. of the composition of the present invention is usually 2 mPa · s or more, preferably 3 mPa · s or more, more preferably 5 mPa · s or more, and usually 1000 mPa · s or less, preferably 100 mPa · s or less. More preferably, it is 50 mPa · s or less.
また、本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する製膜用液の濡れ性が低下する、液膜のレベリング性が悪く、乾燥時の製膜面乱れが起こりやすくなる等の問題が発生するため、本発明の組成物の20℃における表面張力は、通常50mN/m未満、好ましくは40mN/m未満である。 In addition, when the surface tension of the charge transport material composition of the present invention, particularly the composition for organic electroluminescent elements is high, the wettability of the film-forming liquid with respect to the substrate is lowered, the leveling property of the liquid film is poor, and when dried Therefore, the surface tension at 20 ° C. of the composition of the present invention is usually less than 50 mN / m, preferably less than 40 mN / m.
更に、本発明の電荷輸送材料組成物、特に有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の25℃における蒸気圧は、通常50mmHg以下、好ましくは10mmHg以下、より好ましくは1mmHg以下である。 Furthermore, when the vapor pressure of the charge transport material composition of the present invention, particularly the composition for organic electroluminescent elements, is high, problems such as changes in solute concentration due to evaporation of the solvent are likely to occur. For this reason, the vapor pressure at 25 ° C. of the composition of the present invention is usually 50 mmHg or less, preferably 10 mmHg or less, more preferably 1 mmHg or less.
[7]電荷輸送材料組成物の保存方法
本発明の電荷輸送材料組成物は、紫外線の透過を防ぐことのできる容器、例えば、褐色ガラス瓶等に充填し、密栓して保管することが好ましい。保管温度は、通常−30℃以上、好ましくは0℃以上で、通常35℃以下、好ましくは25℃以下である。
[7] Method for Preserving Charge Transport Material Composition The charge transport material composition of the present invention is preferably filled in a container capable of preventing the transmission of ultraviolet rays, such as a brown glass bottle, and stored tightly. The storage temperature is usually −30 ° C. or higher, preferably 0 ° C. or higher, and usually 35 ° C. or lower, preferably 25 ° C. or lower.
[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、基板上に少なくとも陽極、陰極、および陽極と陰極に挟持された発光層を有するものであって、本発明の電荷輸送材料用組成物を用いて、湿式成膜法により形成された層、或いは、本発明の有機化合物を含有する層を有することを特徴とする。該電荷輸送材料用組成物を用いて、湿式成膜法により形成された層、或いは該有機化合物を含有する層は、いずれの層であってもよいが、特に発光層であることが好ましい。また、該電荷輸送材料用組成物を用いて、湿式成膜法により形成された層、或いは該有機化合物を含有する層に、有機金属錯体がドープされていることが好ましい。有機金属錯体としては、前記発光材料として例示したものを使用できる。
[Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent device of the present invention has at least an anode, a cathode, and a light emitting layer sandwiched between the anode and the cathode on a substrate, and is wet-film-formed using the charge transport material composition of the present invention. It has a layer formed by the method or a layer containing the organic compound of the present invention. The layer formed by the wet film-forming method using the composition for charge transport material or the layer containing the organic compound may be any layer, but is particularly preferably a light emitting layer. Moreover, it is preferable that the layer formed by the wet film-forming method using this composition for charge transport materials, or the layer containing this organic compound is doped with the organometallic complex. As the organometallic complex, those exemplified as the light emitting material can be used.
図1〜8は本発明の有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は発光層、5は電子注入層、6は陰極を各々表す。 1 to 8 are schematic sectional views showing structural examples suitable for the organic electroluminescence device of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a light emitting layer, 5 represents an electron injection layer, and 6 represents a cathode.
[1]基板
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
[1] Substrate The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and quartz or glass plates, metal plates, metal foils, plastic films, sheets, and the like are used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of securing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also one of preferable methods.
[2]陽極
基板1上には陽極2が設けられる。陽極2は発光層側の層(正孔注入層3または発光層4など)への正孔注入の役割を果たすものである。
[2] Anode An anode 2 is provided on the substrate 1. The anode 2 plays a role of hole injection into a layer on the light emitting layer side (such as the hole injection layer 3 or the light emitting layer 4).
この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。 This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or A conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline is used.
陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。 In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. In addition, when forming an anode using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution is used. The anode 2 can also be formed by dispersing and coating the substrate 1. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).
陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすること
も可能である。
The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。 The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。 The surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve hole injection. Is preferred.
[3]正孔注入層
正孔注入層3は陽極2から発光層4へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層3には正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。
[3] Hole Injection Layer Since the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 4, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound.
正孔注入層3では、電気的に中性の化合物から電子が一つ除かれたカチオンラジカルが、近傍の電気的に中性な化合物から一電子を受容することによって、正孔が移動する。素子非通電時の正孔注入層3にカチオンラジカル化合物が含まれない場合は、通電時に、正孔輸送性化合物が陽極2に電子を与えることにより正孔輸送性化合物のカチオンラジカルが生成し、このカチオンラジカルと電気的に中性な正孔輸送性化合物との間で電子の授受が行われることにより正孔を輸送する。 In the hole injection layer 3, a cation radical obtained by removing one electron from an electrically neutral compound accepts one electron from a nearby electrically neutral compound, whereby holes move. When the cation radical compound is not included in the hole injection layer 3 when the element is not energized, the cation radical of the hole transport compound is generated when the hole transport compound gives electrons to the anode 2 during energization, Holes are transported by transferring electrons between the cation radical and an electrically neutral hole transporting compound.
正孔注入層3にカチオンラジカル化合物が含まれると、陽極2による酸化によって生成する以上の濃度で正孔輸送に必要なカチオンラジカルが存在することになり、正孔輸送性能が向上するため、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましい。カチオンラジカル化合物の近傍に電気的に中性な正孔輸送性化合物が存在すると、電子の受け渡しがスムーズに行われるため、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことがさらに好ましい。 When the hole injection layer 3 contains a cation radical compound, cation radicals necessary for hole transport are present at a concentration higher than that generated by oxidation by the anode 2, and the hole transport performance is improved. It is preferable that the hole injection layer 3 contains a cation radical compound. When an electrically neutral hole transporting compound is present in the vicinity of the cation radical compound, electrons are transferred smoothly, so that the hole injection layer 3 contains a cation radical compound and a hole transporting compound. Is more preferable.
ここで、カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物であり、移動しやすい正孔(フリーキャリア)を既に有している。 Here, the cation radical compound is a cation radical that is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound, and an ionic compound composed of a counter anion, and already has holes (free carriers) that are easy to move. Yes.
また、正孔輸送性化合物に電子受容性化合物を混合することによって、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物への一電子移動が起こり、上述のカチオンラジカル化合物が生成する。このため、正孔注入層3に正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことが好ましい。 Further, by mixing an electron-accepting compound with the hole-transporting compound, one-electron transfer from the hole-transporting compound to the electron-accepting compound occurs, and the above-described cation radical compound is generated. For this reason, it is preferable that the hole injection layer 3 contains a hole transporting compound and an electron accepting compound.
以上の好ましい材料についてまとめると、正孔注入層3に正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがさらに好ましい。また、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことがさらに好ましい。 Summarizing the above preferred materials, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound, and more preferably contains a hole transporting compound and an electron accepting compound. The hole injection layer 3 preferably contains a cation radical compound, and more preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.
さらに、必要に応じて、正孔注入層3には電荷のトラップになりにくいバインダー樹脂や、塗布性改良剤を含んでいてもよい。 Furthermore, the hole injection layer 3 may contain a binder resin that does not easily trap charges and a coating property improving agent as necessary.
但し、正孔注入層3として、電子受容性化合物のみ、或いは電子受容性化合物と正孔輸送性化合物を用いて湿式製膜法によって陽極2上に製膜し、その上から直接、電荷輸送材料組成物を塗布、または蒸着によって積層することも可能である。この場合、電荷輸送材料組成物の一部または全部が電子受容性化合物と相互作用することによって、図7,8に示す如く、正孔注入性に優れた正孔輸送層10が形成される。 However, as the hole injection layer 3, a film is formed on the anode 2 by a wet film-forming method using only an electron-accepting compound or an electron-accepting compound and a hole-transporting compound. It is also possible to laminate the composition by coating or vapor deposition. In this case, a part or all of the charge transport material composition interacts with the electron-accepting compound, whereby the hole transport layer 10 having excellent hole injectability is formed as shown in FIGS.
(正孔輸送性化合物)
正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。
(Hole transporting compound)
As the hole transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable.
正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。 Examples of the hole transporting compound include aromatic amine compounds, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, and the like. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance.
芳香族アミン化合物の中でも、特に、芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 Of the aromatic amine compounds, aromatic tertiary amine compounds are particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型有機化合物)が更に好ましい。 The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerization organic compound in which repeating units are linked) is more preferable from the viewpoint of the surface smoothing effect.
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(VII)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。 Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following general formula (VII).
Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の、1価または2価の基が適用可能である。これらは各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。 As Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 , any monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These may be the same or different from each other. Moreover, you may have arbitrary substituents.
その芳香族炭化水素環としては、5または6員環の単環または2〜5縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などが挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon ring include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring. Specific examples include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring and the like.
また、その芳香族複素環としては、5または6員環の単環または2〜4縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが挙げられる。 The aromatic heterocycle includes a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, Thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring , Synoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring and the like.
また、Ar23〜Ar25、Ar31〜Ar35、Ar37〜Ar40としては、上に例示した1種類または2種類以上の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の2価の基を2つ以上連結して用いることもできる。 Moreover, as Ar < 23 > -Ar < 25 >, Ar < 31 > -Ar < 35 >, Ar < 37 > -Ar < 40 >, the bivalent origin derived from the 1 type or 2 types or more of aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle which were illustrated above is shown. Two or more groups may be linked and used.
Ar21〜Ar41の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の基は、更に置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、次の置換基群Dから選ばれる1種または2種以上が挙げられる。 The group derived from the aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle of Ar 21 to Ar 41 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. The type of the substituent is not particularly limited, and examples thereof include one or more selected from the following substituent group D.
[置換基群D]
メチル基、エチル基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは8以下のアルキル基;ビニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルケニル基;エチニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルキニル基;メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルコキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは7以下のアルコキシカルボニル基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常2以上、通常20以下、好ましくは12以下のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の、炭素数が通常10以上、好ましくは12以上、通常30以下、好ましくは22以下のジアリールアミノ基;フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常6以上、好ましくは7以上、通常25以下、好ましくは17以下のアリールアルキルアミノ基;アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常2以上、通常10以下、好ましくは7以下のアシル基;フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常1以上、通常8以下、好ましくは4以下のハロアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルキルチオ基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールチオ基;トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシリル基;トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシロキシ基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常6以上、通常30以下、好ましくは18以下の芳香族炭化水素環基;チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常3以上、好ましくは4以上、通常28以下、好ましくは17以下の芳香族複素環基。
[Substituent group D]
An alkyl group having usually 1 or more, usually 10 or less, preferably 8 or less, such as a methyl group or an ethyl group; an alkenyl group having usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 5 or less, such as a vinyl group An alkynyl group having usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 5 or less, such as an ethynyl group; an alkoxy having a carbon number of usually 1 or more, usually 10 or less, preferably 6 or less, such as a methoxy group or an ethoxy group; A group; an aryloxy group such as a phenoxy group, a naphthoxy group, a pyridyloxy group, etc., usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 25 or less, preferably 14 or less; a carbon such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group An alkoxycarbonyl group having a number of usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 7 or less; a dimethylamino group, a diethylamino group or the like, and usually having 2 or more carbon atoms Usually 20 or less, preferably 12 or less dialkylamino group; diphenylamino group, ditolylamino group, N-carbazolyl group, etc., and usually diarylamino having 10 or more carbon atoms, preferably 12 or more, usually 30 or less, preferably 22 or less Group: an arylalkylamino group having 6 or more carbon atoms, preferably 7 or more, usually 25 or less, preferably 17 or less, such as a phenylmethylamino group; an acetyl group, a benzoyl group or the like, and usually having 2 or more carbon atoms, Usually an acyl group of 10 or less, preferably 7 or less; a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom; a haloalkyl group having a carbon number of usually 1 or more, usually 8 or less, preferably 4 or less, such as a trifluoromethyl group; An alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, preferably 6 or less, preferably 6 or less; An arylthio group having usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 25 or less, preferably 14 or less, such as a ruthio group, a naphthylthio group, or a pyridylthio group; Or more, preferably 3 or more, usually 33 or less, preferably 26 or less silyl group; trimethylsiloxy group, triphenylsiloxy group, etc., the carbon number is usually 2 or more, preferably 3 or more, usually 33 or less, preferably 26 or less. A siloxy group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon ring group having usually 6 or more, usually 30 or less, preferably 18 or less, such as a phenyl group or a naphthyl group; a carbon number such as a thienyl group or a pyridyl group. An aromatic heterocyclic group of 3 or more, preferably 4 or more, usually 28 or less, preferably 17 or less.
Ar21、Ar22としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基が更に好ましい。 Ar 21 and Ar 22 are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, or a pyridine ring from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.
また、Ar23〜Ar25としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基が更に好ましい。 Ar 23 to Ar 25 are preferably divalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including redox potential. More preferably a group, a biphenylene group, or a naphthylene group.
R101、R102としては、水素原子または任意の置換基が適用可能である。これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。置換基の種類は、特に制限されないが、適用可能な置換基を例示するならば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子が挙げられる。これらの具体例としては、前記の置換基群Dにおいて例示した各基が挙げられる。 As R 101 and R 102 , a hydrogen atom or an arbitrary substituent is applicable. These may be the same or different from each other. The type of the substituent is not particularly limited, and examples of applicable substituents include alkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic rings. Group and halogen atom. Specific examples thereof include the groups exemplified in the above substituent group D.
一般式(VII)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(PB−1)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。 Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (VII) include those described in WO 2005/089024, and suitable examples thereof are also the same. Although the compound (PB-1) represented by a formula is mentioned, it is not limited to them at all.
他の芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(VIII)および/または一般式(IX)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。 Preferable examples of the other aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds containing a repeating unit represented by the following general formula (VIII) and / or general formula (IX).
Ar45,Ar47,Ar48およびAr44、Ar46の具体例、好ましい例、有していてもよい置換基の例および好ましい置換基の例は、それぞれ、Ar21,Ar22およびAr23〜Ar25と同様である。R111〜R113はとして好ましくは水素原子または[置換基群D]に記載されている置換基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族炭化水素基である。 Specific examples of Ar 45 , Ar 47 , Ar 48 and Ar 44 , Ar 46 , preferred examples, examples of substituents that may be included and examples of preferred substituents are Ar 21 , Ar 22, and Ar 23 ˜ Same as Ar 25 . R 111 to R 113 are preferably a hydrogen atom or a substituent described in [Substituent group D], more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, an aromatic hydrocarbon group, It is an aromatic hydrocarbon group.
一般式(VIII)および/または(IX)で表される繰り返し単位を含む芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であるが、何らそれらに限定されるものではない。 Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound containing the repeating unit represented by the general formula (VIII) and / or (IX) include those described in WO 2005/089024, and preferred examples thereof are also the same. However, it is not limited to them.
また、湿式製膜法により正孔注入層を形成する場合には、種々の溶剤に溶解し易い正孔輸送性化合物が好ましい。芳香族三級アミン化合物としては、例えば、ビナフチル系化合物(特開2004−014187)および非対称1,4−フェニレンジアミン化合物(特開2004−026732)が好ましい。 Moreover, when forming a positive hole injection layer with a wet film forming method, the positive hole transport compound which is easy to melt | dissolve in a various solvent is preferable. As the aromatic tertiary amine compound, for example, a binaphthyl compound (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-014187) and an asymmetric 1,4-phenylenediamine compound (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-026732) are preferable.
また、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜精製材料として利用されてきた芳香族アミン化合物の中から、種々の溶剤に溶解し易い化合物を適宜選択してもよい。正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能な芳香族アミン化合物としては、例えば、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の層形成材料として利用されてきた、従来公知の化合物が挙げられる。例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59−194393号公報);4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン化合物(特開平5−234681号公報);トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン化合物(米国特許第4,923,774号);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族ジアミン化合物(米国特許第4,764,625号);α,α,α’,α’−テトラメチル−α,α’−ビス(4−ジ(p−トリル)アミノフェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公報);分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−129271号公報);ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開平4−175395号公報);エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開平4−264189号公報);スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4−290851号公報);チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結した化合物(特開平4−304466号公報);スターバースト型芳香族トリアミン化合物(特開平4−308688号公報);ベンジルフェニル化合物(特開平4−364153号公報);フルオレン基で3級アミンを連結した化合物(特開平5−25473号公報);トリアミン化合物(特開平5−239455号公報);ビスジピリジルアミノビフェニル(特開平5−320634号公報);N,N,N−トリフェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報);フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特開平7−138562号公報);ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公報);ヒドラゾン化合物(特開平2−311591号公報);シラザン化合物(米国特許第4,950,950号公報);シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報);ホスファミン誘導体(特開平6−25659号公報);キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの芳香族アミン化合物は、必要に応じて2種以上を混合して用いてもよい。 In addition, compounds that are easily soluble in various solvents may be appropriately selected from aromatic amine compounds that have been conventionally used as a hole injection / transport thin film purification material in organic electroluminescent devices. Examples of the aromatic amine compound applicable to the hole-transporting compound of the hole-injecting layer include conventionally known compounds that have been utilized as a hole-injecting / transporting layer-forming material in organic electroluminescence devices. It is done. For example, an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit such as 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane is linked (JP 59-194393 A); 4,4′- An aromatic amine compound containing two or more tertiary amines represented by bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms No. 5-23481); an aromatic triamine compound having a starburst structure as a derivative of triphenylbenzene (US Pat. No. 4,923,774); N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3- Aromatic diamine compounds such as methylphenyl) biphenyl-4,4′-diamine (US Pat. No. 4,764,625); α, α, α ′, α′-tetramethyl-α, α′- (4-di (p-tolyl) aminophenyl) -p-xylene (Japanese Patent Laid-Open No. 3-269084); sterically asymmetric triphenylamine derivative as a whole molecule (Japanese Patent Laid-Open No. 4-129271); pyrenyl A compound in which a plurality of aromatic diamino groups are substituted on the group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-175395); an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit is linked with an ethylene group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-264189); a styryl structure An aromatic diamine having a thiophene group (JP-A-4-290851); a compound in which an aromatic tertiary amine unit is linked by a thiophene group (JP-A-4-304466); a starburst type aromatic triamine compound (JP-A-4-30481) 308688); benzylphenyl compound (Japanese Patent Laid-Open No. 4-364153); Compounds in which thiones are linked (JP-A-5-25473); triamine compounds (JP-A-5-239455); bisdipyridylaminobiphenyl (JP-A-5-320634); N, N, N-triphenylamine Derivatives (JP-A-6-1972); Aromatic diamines having a phenoxazine structure (JP-A-7-138562); Diaminophenylphenanthridine derivatives (JP-A-7-252474); 2-311591); silazane compounds (US Pat. No. 4,950,950); silanamine derivatives (JP-A-6-49079); phosphamine derivatives (JP-A-6-25659); quinacridone compounds, etc. Can be mentioned. These aromatic amine compounds may be used in combination of two or more as required.
また、正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能なフタロシアニン誘導体またはポルフィリン誘導体の好ましい具体例としては、ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンコバルト(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン銅(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンバナジウム(IV)オキシド、5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)−21H,23H−ポルフィリン、29H,31H−フタロシアニン銅(II)、フタロシアニン亜鉛(II)、フタロシアニンチタン、フタロシアニンオキシドマグネシウム、フタロシアニン鉛、フタロシアニン銅(II)、4,4’,4”,4'''−テトラアザ−29H,31H−フタロシアニン等が挙げられる。 Preferred specific examples of the phthalocyanine derivative or porphyrin derivative applicable to the hole transporting compound of the hole injection layer include porphyrin, 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin, 5,10 , 15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin cobalt (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin copper (II), 5,10,15,20-tetraphenyl- 21H, 23H-porphyrin zinc (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin vanadium (IV) oxide, 5,10,15,20-tetra (4-pyridyl) -21H, 23H -Porphyrin, 29H, 31H-phthalocyanine copper (II), phthalocyanine zinc (II), Russia Nin titanium, phthalocyanine oxide magnesium, phthalocyanine lead, phthalocyanine copper (II), 4,4 ', 4 ", 4' '' - tetraaza-29H, 31H-phthalocyanine, and the like.
また、正孔注入層の正孔輸送性化合物として適用可能なオリゴチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、α−ターチオフェンとその誘導体、α−セキシチオフェンとその誘導体、ナフタレン環を含有するオリゴチオフェン誘導体(特開6−256341)等が挙げられる。 Further, preferred specific examples of the oligothiophene derivative applicable as the hole transporting compound of the hole injection layer include α-terthiophene and its derivatives, α-sexithiophene and its derivatives, and oligothiophene containing a naphthalene ring. Derivatives (JP-A-6-256341) and the like.
また、本発明における正孔輸送性化合物として適用可能なポリチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)等が挙げられる。 Further, preferred specific examples of the polythiophene derivative applicable as the hole transporting compound in the present invention include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly (3-hexylthiophene) and the like.
なお、これらの正孔輸送性化合物の分子量は、高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合性化合物)の場合を除いて、通常9000以下、好ましくは5000以下、また、通常200以上、好ましくは400以上の範囲である。正孔輸送性化合物の分子量が高過ぎると合成および精製が困難であり好ましくない一方で、分子量が低過ぎると耐熱性が低くなるおそれがありやはり好ましくない。 The molecular weight of these hole transporting compounds is usually 9000 or less, preferably 5000 or less, and usually 200 or more, preferably 400 or more, except in the case of a polymer compound (a polymerizable compound in which repeating units are continuous). Range. If the molecular weight of the hole transporting compound is too high, synthesis and purification are difficult, which is not preferable. On the other hand, if the molecular weight is too low, the heat resistance may be lowered, which is also not preferable.
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用するのが好ましい。 The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use the above together.
(電子受容性化合物)
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.
例としては、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。 Examples include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (JP-A-11-251067), ammonium peroxodisulfate and the like. Examples thereof include valent inorganic compounds, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365), fullerene derivatives, iodine and the like.
上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。 Of the above compounds, onium salts substituted with organic groups and high valent inorganic compounds are preferred because of their strong oxidizing power, and organic groups are substituted because they are soluble in various solvents and applicable to wet coating. Preferred are onium salts, cyano compounds, and aromatic boron compounds.
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、WO2005/089024号に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(A−2)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。 Specific examples of the onium salt substituted with an organic group, cyano compound, and aromatic boron compound suitable as an electron-accepting compound include those described in WO 2005/089024, and the preferred examples thereof are also the same. Although the compound (A-2) represented by Structural Formula is mentioned, it is not limited to them at all.
(カチオンラジカル化合物)
カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物である。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
(Cation radical compound)
The cation radical compound is an ionic compound composed of a cation radical which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound and a counter anion. However, when the cation radical is derived from a hole transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.
カチオンラジカルは、正孔輸送性化合物に前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましく、正孔輸送性化合物としてさらに好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性などの点からさらに好ましい。 The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the aforementioned compound in the hole transporting compound, and is preferably a chemical species obtained by removing one electron from a compound more preferable as the hole transporting compound. From the viewpoints of visible light transmittance, heat resistance, solubility, and the like.
カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンからなるカチオンイオン化合物が生成する。 The cation radical compound can be generated by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound. That is, by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound, electron transfer occurs from the hole transporting compound to the electron accepting compound, and the cation radical and the counter anion of the hole transporting compound are included. A cation ion compound is formed.
PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラルジン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合(脱水素重合)、即ち、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、または、電気化学的に酸化することによっても生成する。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより、高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。 Cationic radical compounds derived from polymer compounds such as PEDOT / PSS (Adv. Mater., 2000, 12, 481) and emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, 94, 7716) It is also generated by oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), that is, by oxidizing a monomer chemically or electrochemically with peroxodisulfate in an acidic solution. In the case of this oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), the monomer is oxidized to be polymerized, and the cation radical is formed by removing one electron from the repeating unit of the polymer with an anion derived from an acidic solution as a counter anion. Produces.
正孔注入層3は、湿式製膜法または真空蒸着法により陽極2上に形成される。 The hole injection layer 3 is formed on the anode 2 by a wet film forming method or a vacuum deposition method.
陽極2として一般的に用いられるITO(インジウム・スズ酸化物)は、その表面粗さが10nm程度の粗さ(Ra)を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、短絡欠陥を生じ易いという問題があった。陽極2の上に形成される正孔注入層3は湿式製膜法により形成することは、真空蒸着法より形成する場合と比較して、これら陽極表面の凹凸に起因する、素子の欠陥の発生を低減する利点を有する。 ITO (indium tin oxide), which is generally used as the anode 2, has a surface roughness of about 10 nm (Ra) and, in addition, often has protrusions locally, resulting in short-circuit defects. There was a problem that it was easy to produce. When the hole injection layer 3 formed on the anode 2 is formed by the wet film forming method, the generation of device defects due to the unevenness of the surface of the anode as compared with the case of forming by the vacuum deposition method. Has the advantage of reducing.
湿式製膜法による層形成の場合は、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上の所定量を、必要により電荷のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤を添加して、溶剤に溶解させて、塗布溶液を調製し、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式製膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層3を形成させる。 In the case of layer formation by the wet film-forming method, a predetermined amount of one or more of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) does not become a charge trap if necessary. Add binder resin and coatability improver, dissolve in solvent, prepare coating solution, by wet film forming method such as spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, inkjet method etc. It is applied on the anode and dried to form the hole injection layer 3.
湿式製膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されないが、正孔注入層に用いられる各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を失活させる恐れのある、失活物質または失活物質を発生させるものを含まないものが好ましい。 As the solvent used for the layer formation by the wet film forming method, any solvent can be used as long as it can dissolve the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound). Is not particularly limited, but generates a deactivated substance or deactivated substance that may deactivate each material (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) used in the hole injection layer The thing which does not contain is preferable.
これらの条件を満たす好ましい溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤およびエステル系溶剤が挙げられる。具体的には、エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。これらは何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。 Preferred solvents that satisfy these conditions include, for example, ether solvents and ester solvents. Specifically, examples of the ether solvent include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1, 3 -Aromatic ethers such as dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and the like. Examples of the ester solvent include aliphatic esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate, and n-butyl lactate; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and benzoic acid. Examples include aromatic esters such as n-butyl. Any one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.
上述のエーテル系溶剤およびエステル系溶剤以外に使用可能な溶剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。また、これらの溶剤のうち1種または2種以上を、上述のエーテル系溶剤およびエステル系溶剤のうち1種または2種以上と組み合わせて用いてもよい。特に、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤は、電子受容性化合物およびカチオンラジカル化合物を溶解する能力が低いため、エーテル系溶剤およびエステル系溶剤と混合して用いることが好ましい。 Examples of solvents that can be used in addition to the ether solvents and ester solvents described above include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene, and amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide. System solvents, dimethyl sulfoxide and the like. Any one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio. Moreover, you may use 1 type (s) or 2 or more types among these solvents in combination with 1 type (s) or 2 or more types among the above-mentioned ether solvent and ester solvent. In particular, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene have a low ability to dissolve electron accepting compounds and cation radical compounds, and therefore are preferably mixed with ether solvents and ester solvents.
塗布溶液中における溶剤の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50%重量以上、また、通常99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、更に好ましくは99.9重量%以下の範囲である。なお、2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。 The concentration of the solvent in the coating solution is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and usually 99.999% by weight or less, preferably 99.99% by weight or less. Preferably it is the range of 99.9 weight% or less. When two or more kinds of solvents are mixed and used, the total of these solvents is set to satisfy this range.
真空蒸着法による層形成の場合には、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。 In the case of forming a layer by vacuum deposition, one or more of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) are put in a crucible installed in a vacuum vessel ( When two or more materials are used, put them in each crucible), and after evacuating the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump, heat the crucible (if using two or more materials, each Heat the crucible) and evaporate by controlling the amount of evaporation (if more than one material is used, evaporate by controlling the amount of evaporation independently) and place it positively on the anode of the substrate placed facing the crucible A hole injection layer is formed. In addition, when using 2 or more types of materials, they can also be put into a crucible, can be heated and evaporated, and can be used for hole injection layer formation.
このようにして形成されるよい正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
なお、正孔注入層3は、図6に示す如く、これを省略しても良い。
The film thickness of the hole injection layer 3 that may be formed in this manner is usually in the range of 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.
The hole injection layer 3 may be omitted as shown in FIG.
[4]発光層
正孔注入層3の上には通常発光層4が設けられる。発光層4は発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極6から電子輸送層5を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層4は発光材料(ドーパント)と1種または2種以上のホスト材料を含むことが好ましく、発光層4は本発明の電荷輸送材料をホスト材料として含むことが更に好ましく、真空蒸着法で形成しても良いが、本発明の電荷輸送材料組成物を用い、湿式製膜法によって作製された層であることが特に好ましい。
[4] Light-Emitting Layer A normal light-emitting layer 4 is provided on the hole injection layer 3. The light emitting layer 4 is a layer containing a light emitting material, and between the electrodes to which an electric field is applied, holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and electrons injected from the cathode 6 through the electron transport layer 5 It is a layer that is excited by recombination and becomes a main light emitting source. The light-emitting layer 4 preferably contains a light-emitting material (dopant) and one or more host materials, and the light-emitting layer 4 more preferably contains the charge transport material of the present invention as a host material, and is formed by a vacuum deposition method. However, it is particularly preferable that the layer be prepared by a wet film forming method using the charge transport material composition of the present invention.
ここで、湿式製膜法とは、上記溶剤を含む本発明の電荷輸送材料組成物を、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法により塗布して成膜するものである。 Here, the wet film forming method is a method of forming a film by applying the charge transporting material composition of the present invention containing the above solvent by spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, or ink jet method. Is.
なお、発光層4は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。 In addition, the light emitting layer 4 may contain other materials and components as long as the performance of the present invention is not impaired.
一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。 In general, in the organic electroluminescence device, when the same material is used, the thinner the film thickness between the electrodes is, the larger the effective electric field is. For this reason, the driving voltage of the organic electroluminescence device decreases when the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to the protrusion caused by the electrode such as ITO. Necessary.
本発明においては、発光層4以外に、正孔注入層3および後述の電子輸送層5等の有機層を有する場合、発光層4と正孔注入層3や電子輸送層5等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、更に好ましくは100nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、更に好ましくは300nm以下である。また、発光層4以外の正孔注入層3や後述の電子注入層5の導電性が高い場合、発光層4に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。 In the present invention, in addition to the light emitting layer 4, when the organic layer such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 described later is provided, the light emitting layer 4 and other organic materials such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 are used. The total film thickness combined with the layer is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, more preferably 300 nm or less. In addition, when the conductivity of the hole injection layer 3 other than the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 described later is high, the amount of charge injected into the light emitting layer 4 increases. It is also possible to reduce the drive voltage while increasing the thickness to reduce the thickness of the light emitting layer 4 and maintaining the total thickness to some extent.
よって、発光層4の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。なお、本発明の素子が、陽極および陰極の両極間に、発光層4のみを有する場合の発光層4の膜厚は、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。 Therefore, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 200 nm or less. When the element of the present invention has only the light emitting layer 4 between the anode and the cathode, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, usually 500 nm or less, preferably 300 nm or less. is there.
[5]電子注入層
電子注入層5は陰極6から注入された電子を効率よく発光層4へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層5を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。
電子注入層5の膜厚は0.1〜5nmが好ましい。
[5] Electron Injection Layer The electron injection layer 5 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 6 into the light emitting layer 4. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 5 is preferably a metal having a low work function, and alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium are used.
The film thickness of the electron injection layer 5 is preferably 0.1 to 5 nm.
また、陰極6と発光層4または後述の電子輸送層8との界面にLiF、MgF2、Li2O、CsCO3等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEE Trans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。 Alternatively, an ultrathin insulating film (0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF 2 , Li 2 O, or CsCO 3 may be inserted at the interface between the cathode 6 and the light emitting layer 4 or the electron transport layer 8 described later. (Appl. Phys. Lett., 70, 152, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Trans. Electron. Devices, 44, 1245, 1997) SID 04 Digest, page 154).
更に、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常、5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。 Further, organic electron transport materials represented by metal complexes such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline described later are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium and rubidium. (Described in JP-A-10-270171, JP-A 2002-1000047, JP-A 2002-1000048, and the like) makes it possible to improve electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. Therefore, it is preferable. The film thickness in this case is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
電子注入層5は、発光層4と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼまたは金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、るつぼまたは金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 The electron injection layer 5 is formed by laminating on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the light emitting layer 4. In the case of the vacuum evaporation method, the evaporation source is put into a crucible or metal boat installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump, and then the crucible or metal boat is Heat and evaporate to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible or metal boat.
アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼおよびディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 The alkali metal is deposited using an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated. In the case of co-evaporating the organic electron transport material and the alkali metal, the organic electron transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. Each crucible and dispenser are heated simultaneously to evaporate to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible and dispenser.
このとき、電子注入層5の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。
なお、電子注入層5は、図5,6,7,8に示す如く、これを省略しても良い。
At this time, co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 5, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction.
The electron injection layer 5 may be omitted as shown in FIGS.
[6]陰極
陰極6は、発光層側の層(電子注入層5または発光層4など)に電子を注入する役割を果たす。陰極6として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
[6] Cathode The cathode 6 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer side (such as the electron injection layer 5 or the light emitting layer 4). The material used for the cathode 6 can be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, such as tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.
陰極6の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。 The film thickness of the cathode 6 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode increases the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used.
[7]その他の構成層
以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子における陽極2および陰極6と発光層4との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層4以外の任意の層を省略してもよい。
[7] Other Constituent Layers While the description has been given centering on the element having the layer constitution shown in FIG. 1, the performance between the anode 2 and the cathode 6 and the light emitting layer 4 in the organic electroluminescent element of the present invention is described. In addition to the layers described above, any layer may be included, and any layer other than the light emitting layer 4 may be omitted.
有してもよい層としては例えば、電子輸送層7が挙げられる。電子輸送層7は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、図2に示す如く、発光層4と電子注入層5との間に設けられる。 Examples of the layer that may be included include the electron transport layer 7. The electron transport layer 7 is provided between the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 as shown in FIG. 2 for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device.
電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極6または電子注入層5からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。 The electron transport layer 7 is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode 6 between electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 4. As an electron transport compound used for the electron transport layer 7, the electron injection efficiency from the cathode 6 or the electron injection layer 5 is high, and the injected electrons can be efficiently transported with high electron mobility. It must be a compound.
このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−または5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。 Materials satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, Styryl biphenyl derivative, silole derivative, 3- or 5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound No. 207169), phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type sulfide Examples include zinc and n-type zinc selenide.
電子輸送層7の膜厚は、通常下限は1nm、好ましくは5nm程度であり、上限は通常300nm、好ましくは100nm程度である。 The lower limit of the thickness of the electron transport layer 7 is usually 1 nm, preferably about 5 nm, and the upper limit is usually about 300 nm, preferably about 100 nm.
電子輸送層7は、正孔注入層3と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。 The electron transport layer 7 is formed by laminating on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole injection layer 3. Usually, a vacuum deposition method is used.
また、正孔輸送層10を有することが本発明において好ましく、前記正孔注入層の正孔輸送性化合物として例示した化合物を用いることもできる。また、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン等の高分子材料を使用してもよい。正孔輸送層10は、これらの材料を湿式製膜法または真空蒸着法により正孔注入層上に積層することにより形成される。このようにして形成される正孔輸送層10の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは30nmである。但し、通常、300nm以下、好ましくは100nm以下である。 Moreover, it is preferable in this invention to have the positive hole transport layer 10, and the compound illustrated as a positive hole transportable compound of the said positive hole injection layer can also be used. Alternatively, a polymer material such as polyarylene ether sulfone containing polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine, or tetraphenylbenzidine may be used. The hole transport layer 10 is formed by laminating these materials on the hole injection layer by a wet film formation method or a vacuum deposition method. The film thickness of the hole transport layer 10 thus formed is usually 10 nm or more, preferably 30 nm. However, it is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
また、特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合、図3に示す如く、正孔阻止層8を設けることも効果的である。正孔阻止層8は正孔と電子を発光層4内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層8は、発光層4から移動してくる正孔が電子輸送層7に到達するのを阻止することで、発光層4内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、電子輸送層8から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。 In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting substance, it is also effective to provide the hole blocking layer 8 as shown in FIG. The hole blocking layer 8 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 4 and improving luminous efficiency. That is, the hole blocking layer 8 is generated by blocking the holes moving from the light emitting layer 4 from reaching the electron transport layer 7, thereby increasing the recombination probability with electrons in the light emitting layer 4. There is a role of confining excitons in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting electrons injected from the electron transport layer 8 toward the light emitting layer 4.
正孔阻止層8は、陽極2から移動してくる正孔を陰極6に到達するのを阻止する役割と、陰極6から注入された電子を率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物により、発光層4の上に、発光層4の陰極6側の界面に接するように積層形成される。 The hole blocking layer 8 prevents the holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 6 and can efficiently transport the electrons injected from the cathode 6 toward the light emitting layer 4. The compound is laminated on the light emitting layer 4 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 4 on the cathode 6 side.
正孔阻止層8を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。 The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 8 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high.
このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。 Examples of the hole blocking layer material satisfying such conditions include mixed arrangements of bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Ligand complexes, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives ( JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7-41759) And phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297).
さらに、WO2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。 Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in WO2005 / 022962 is also preferable as the hole blocking material.
正孔阻止層8の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。 The film thickness of the hole blocking layer 8 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.
正孔阻止層8も正孔注入層3と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。 The hole blocking layer 8 can also be formed by the same method as the hole injection layer 3, but a vacuum deposition method is usually used.
電子輸送層7および正孔阻止層8は必要に応じて、適宜設ければよく、1)電子輸送層のみ、2)正孔阻止層のみ、3)正孔阻止層/電子輸送層の積層、4)用いない、等、用法がある。また、図7に示す如く、電子注入層5を省略して正孔阻止層8と電子輸送層7を積層しても良く、また、図8に示す如く、電子輸送層7のみでも良い。 The electron transport layer 7 and the hole blocking layer 8 may be appropriately provided as necessary. 1) Only the electron transport layer, 2) Only the hole blocking layer, 3) Lamination of the hole blocking layer / electron transport layer, 4) There are usages such as not using. Further, as shown in FIG. 7, the electron injection layer 5 may be omitted and the hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 may be laminated, or only the electron transport layer 7 may be used as shown in FIG.
正孔阻止層8と同様の目的で、図4に示す如く、正孔注入層3と発光層4の間に電子阻止層9を設けることも効果的である。電子阻止層9は、発光層4から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層4内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。 For the same purpose as the hole blocking layer 8, it is also effective to provide an electron blocking layer 9 between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 4 as shown in FIG. The electron blocking layer 9 increases the probability of recombination with holes in the light emitting layer 4 by blocking the electrons moving from the light emitting layer 4 from reaching the hole injection layer 3, thereby generating excitons generated. Has a role of confining the light in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting holes injected from the hole injection layer 3 in the direction of the light emitting layer 4.
電子阻止層9に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。また、発光層4を湿式製膜法で形成する場合、電子阻止層9も湿式製膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。 The characteristics required for the electron blocking layer 9 include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Further, when the light emitting layer 4 is formed by a wet film forming method, it is preferable that the electron blocking layer 9 is also formed by a wet film forming method because the device manufacturing becomes easy.
このため、電子阻止層9も湿式製膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層9に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(WO2004/084260号公報記載)等が挙げられる。 For this reason, it is preferable that the electron blocking layer 9 also has wet film forming compatibility. As a material used for such an electron blocking layer 9, a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB is used. (Described in WO 2004/084260).
なお、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極6、電子注入層5、発光層4、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2〜図8に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。 The structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, the cathode 6, the electron injection layer 5, the light emitting layer 4, the hole injection layer 3, and the anode 2 can be laminated on the substrate 1 in this order. It is also possible to provide the organic electroluminescent element of the present invention between two substrates, at least one of which is highly transparent. Similarly, it is also possible to laminate in a structure opposite to the above-described respective layer configurations shown in FIGS.
さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV2O5等を電荷発生層(CGL)として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 Furthermore, a structure in which a plurality of layers shown in FIG. 1 are stacked (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, the two layers), for example, V 2 O 5 is used as the charge generation layer (CGL). This is more preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。 The present invention can be applied to any of an organic electroluminescent element having a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure having an anode and a cathode arranged in an XY matrix.
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.
(実施例1)
窒素気流中、2,8−ジヨードジベンゾ[b,d]フラン(2.52g)、ベンズアニリド(3.60g)、よう化銅(0.68g)、リン酸三カリウム(5.09g)、および無水1,4−ジオキサン(45ml)を攪拌しているところに、室温でN,N’−ジメチルエチレンジアミン(0.8ml)を投入した後、加熱還流下、23時間攪拌した。これに酢酸エチル(120ml)を加えた後、活性白土を入れ、攪拌した。これを濾過し、濾液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、ヘキサン/エタノール混合溶剤による懸濁洗浄、および高真空下での蒸留により精製し、目的物(I−A)(2.26g)を得た。
DEI−MS m/z=558(M+)により、目的物であることを確認した。
このもののガラス転移温度は93℃、結晶化温度は158℃、融点は200℃、気化温度は426℃であった。三重項励起エネルギー準位は418nmであった。
In a nitrogen stream, 2,8-diiododibenzo [b, d] furan (2.52 g), benzanilide (3.60 g), copper iodide (0.68 g), tripotassium phosphate (5.09 g), and N, N′-dimethylethylenediamine (0.8 ml) was added to room temperature while stirring anhydrous 1,4-dioxane (45 ml), and the mixture was stirred for 23 hours while heating under reflux. After adding ethyl acetate (120 ml) to this, activated clay was added and stirred. This was filtered, and the filtrate was concentrated and purified by silica gel column chromatography, suspension washing with a hexane / ethanol mixed solvent, and distillation under high vacuum to obtain the desired product (IA) (2.26 g). It was.
It was confirmed by DEI-MS m / z = 558 (M + ) that it was the target product.
This had a glass transition temperature of 93 ° C., a crystallization temperature of 158 ° C., a melting point of 200 ° C., and a vaporization temperature of 426 ° C. The triplet excitation energy level was 418 nm.
(実施例2)
窒素気流中、酢酸パラジウム(0.40g)、トリ−t−ブチルホスフィン(1.51g)、および脱水トルエン(80ml)を加え、50℃で30分攪拌した。この系中にm−フェニルブロモカルバゾール(9.66g)、アニリン(3.49g)、t−ブトキシナトリウム(17.2g)を加え、100℃で7時間攪拌した。ジクロロメタン、Brineで抽出洗浄し、硫酸ナトリウムで有機層を乾燥後、ジクロロメタンを減圧留去した。カラムクロマトグラフィーで精製し、目的のアミン体(II−a)を白色粉末(3.01g)で得た。 In a nitrogen stream, palladium acetate (0.40 g), tri-t-butylphosphine (1.51 g), and dehydrated toluene (80 ml) were added, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 30 minutes. M-Phenylbromocarbazole (9.66 g), aniline (3.49 g) and sodium t-butoxy (17.2 g) were added to this system, and the mixture was stirred at 100 ° C. for 7 hours. After extraction and washing with dichloromethane and Brine, the organic layer was dried over sodium sulfate, and then dichloromethane was distilled off under reduced pressure. Purification by column chromatography gave the target amine compound (II-a) as a white powder (3.01 g).
窒素気流中、アミン体(II−a)(2.66g)、脱水エーテル30mlを加え、ドライアイスバスにて−70℃まで冷やした。ここへ、n−ブチルリチウムの1.58mol/lヘキサン溶液(5.53ml)をゆっくりと加え、30分攪拌し、その後ゆっくりと室温まで昇温させて、さらに1時間攪拌した。再びドライアイスバスにて冷やした後、イソフタル酸クロライド(0.72g)をエーテルに飽和させた溶液をゆっくりと加えた。30分攪拌した後、ジクロロメタンで希釈して氷中にあけ、濃塩酸でpH7になるよう中和処理を行った。ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧留去すると茶色オイルが得られた。これをカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物(II−A)(2.7g)を得た。
DEI−MS m/z=780(M+)により、目的物であることを確認した。
このもののガラス転移温度は86℃、気化温度は488℃であった。三重項励起エネルギー準位は411nmであった。
また、トルエンに対する溶解性(飽和溶解度)は10.5重量%、エタノールに対する溶解性は<0.1重量%であった。
In a nitrogen stream, the amine compound (II-a) (2.66 g) and 30 ml of dehydrated ether were added, and the mixture was cooled to −70 ° C. in a dry ice bath. To this, a 1.58 mol / l hexane solution (5.53 ml) of n-butyllithium was slowly added, stirred for 30 minutes, then slowly warmed to room temperature, and further stirred for 1 hour. After cooling again with a dry ice bath, a solution of isophthalic acid chloride (0.72 g) saturated with ether was slowly added. After stirring for 30 minutes, the mixture was diluted with dichloromethane, poured into ice, and neutralized with concentrated hydrochloric acid to pH 7. Extraction with dichloromethane, drying with sodium sulfate, and evaporation under reduced pressure gave a brown oil. This was purified by column chromatography to obtain the target compound (II-A) (2.7 g).
It was confirmed by DEI-MS m / z = 780 (M + ) that it was the target product.
This had a glass transition temperature of 86 ° C. and a vaporization temperature of 488 ° C. The triplet excitation energy level was 411 nm.
Further, the solubility (saturated solubility) in toluene was 10.5% by weight, and the solubility in ethanol was <0.1% by weight.
(実施例3)
窒素気流中、9−フェニルカルバゾール(3.16g)、ヨウ化カリウム(3.02g)、および酢酸(40ml)を加え、120℃に加熱し均一溶液にした。65℃まで放冷後、過よう素酸カリウム(3.89g)を加え4時間攪拌した。水を加え白色粉末を析出させ、これを濾別してアセトンで再結晶し、目的の化合物(I−b)(5g)を得た。 In a nitrogen stream, 9-phenylcarbazole (3.16 g), potassium iodide (3.02 g), and acetic acid (40 ml) were added and heated to 120 ° C. to make a homogeneous solution. After cooling to 65 ° C., potassium periodate (3.89 g) was added and stirred for 4 hours. Water was added to precipitate a white powder, which was filtered off and recrystallized from acetone to obtain the target compound (Ib) (5 g).
窒素気流中、化合物(I−b)(1.1g)、ベンズアニリド(1.1g)、ヨウ化銅(0.21g)、N,N’−ジメチルエチレンジアミン(0.19g)、三リン酸カリウム(1.4g)、およびジメトキシエタン(30ml)を加え、24時間加熱攪拌した。ジクロロメタン、Brineで抽出洗浄し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧留去し茶色オイルを得た。これをカラムクロマトグラフィーで精製することにより、目的の化合物(I−B)(0.8g)を得た。
DEI−MS m/z=635(M+)により、目的物であることを確認した。
このもののガラス転移温度は113℃、気化温度は458℃であった。三重項励起エネルギー準位は427nmであった。
また、トルエンに対する溶解性は12重量%、エタノールに対する溶解性は1.5重量%であった。
In a nitrogen stream, compound (Ib) (1.1 g), benzanilide (1.1 g), copper iodide (0.21 g), N, N′-dimethylethylenediamine (0.19 g), potassium triphosphate ( 1.4 g) and dimethoxyethane (30 ml) were added, and the mixture was heated and stirred for 24 hours. Extraction washing was carried out with dichloromethane and Brine, and the organic layer was dried over sodium sulfate and then distilled off under reduced pressure to obtain a brown oil. This was purified by column chromatography to obtain the target compound (IB) (0.8 g).
It was confirmed by DEI-MS m / z = 635 (M + ) that it was the target product.
This had a glass transition temperature of 113 ° C. and a vaporization temperature of 458 ° C. The triplet excitation energy level was 427 nm.
Moreover, the solubility with respect to toluene was 12 weight%, and the solubility with respect to ethanol was 1.5 weight%.
(実施例4)
窒素気流中、ベンズアニリド(2.95g)、1,3−ジヨードベンゼン(9.90g)、ヨウ化銅(0.28g)、N,N’−ジメチルエチレンジアミン(0.26g)、三リン酸カリウム(6.34g)、およびジオキサン(60ml)を加え、6時間加熱還流した。不溶物を濾過で除き、ジオキサンを減圧留去して茶色オイルを得た。これをカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物(II−b1)(1.8g)を得た。 In a nitrogen stream, benzanilide (2.95 g), 1,3-diiodobenzene (9.90 g), copper iodide (0.28 g), N, N′-dimethylethylenediamine (0.26 g), potassium triphosphate (6.34 g) and dioxane (60 ml) were added, and the mixture was heated to reflux for 6 hours. Insoluble matter was removed by filtration, and dioxane was distilled off under reduced pressure to obtain a brown oil. This was purified by column chromatography to obtain the target compound (II-b1) (1.8 g).
イソフタル酸クロライドとアニリンとを反応させて、目的の化合物(II−b2)を得た。 The target compound (II-b2) was obtained by reacting isophthalic acid chloride with aniline.
窒素気流中、化合物(II−b1)(1.73g)、化合物(II−b2)(0.62g)、ヨウ化銅(0.12g)、N,N’−ジメチルエチレンジアミン(0.03g)、三リン酸カリウム(1.66g)、およびジオキサン(40ml)を加え、40時間加熱還流した。不溶物を濾過で除き、クロロホルムとBrineで抽出洗浄を行い、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧留去後、得られた茶色オイルをカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的の化合物(II−B)(0.4g)を得た。 In a nitrogen stream, compound (II-b1) (1.73 g), compound (II-b2) (0.62 g), copper iodide (0.12 g), N, N′-dimethylethylenediamine (0.03 g), Potassium triphosphate (1.66 g) and dioxane (40 ml) were added, and the mixture was heated to reflux for 40 hours. Insoluble matters were removed by filtration, extraction and washing were performed with chloroform and Brine, and the organic layer was dried over sodium sulfate. After distillation under reduced pressure, the obtained brown oil was purified by column chromatography to obtain the target compound (II-B) (0.4 g).
DEI−MS m/z=860(M+)により、目的物であることを確認した。
このもののガラス転移温度は82℃、気化温度は468℃であった。
また、トルエンに対する溶解性は11.0重量%、エタノールに対する溶解性は1.3重量%であった。
By DEI-MS m / z = 860 (M <+> ), it confirmed that it was the target object.
This had a glass transition temperature of 82 ° C. and a vaporization temperature of 468 ° C.
Moreover, the solubility with respect to toluene was 11.0 weight%, and the solubility with respect to ethanol was 1.3 weight%.
(実施例5)
図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
(Example 5)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited on a glass substrate 1 having a thickness of 150 nm (sputtered film; sheet resistance 15 Ω) is patterned into a 2 mm wide stripe using normal photolithography and hydrochloric acid etching. Thus, an anode 2 was formed. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.
正孔注入層3を以下のように湿式塗布法によって形成した。正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する高分子化合物(P−1(重量平均分子量:29400,数平均分子量:12600))と下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−1)とを用い、下記の条件でスピンコートした。
<スピンコート条件>
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 P−1 2.0重量%
A−1 0.4重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 230℃×15分
<Spin coating conditions>
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration P-1 2.0% by weight
A-1 0.4% by weight
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 230 ° C x 15 minutes
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。 A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.
続いて、正孔輸送層10として下記に示すトリフェニルアミン誘導体(H−1)を用いて真空蒸着法によって形成した。この時、トリフェニルアミン誘導体のるつぼの温度は261〜293℃として、蒸着速度0.08〜0.1nm/秒で40nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は1.4〜1.3×10−4Paであった。 Then, it formed by the vacuum evaporation method using the triphenylamine derivative (H-1) shown below as the positive hole transport layer 10. FIG. At this time, the temperature of the crucible of the triphenylamine derivative was set to 261 to 293 ° C., and the film was laminated with a film thickness of 40 nm at a deposition rate of 0.08 to 0.1 nm / second. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1.4 to 1.3 × 10 −4 Pa.
続いて、正孔輸送層10の上に発光層4を蒸着した。発光層4の材料として、下記化合物(E−1)を、下記に示す構造式のイリジウム錯体(D−1)と共に用い、化合物(E−1)をるつぼ温度256〜261℃、蒸着速度0.1nm/秒、イリジウム錯体(D−1)をるつぼ温度249〜251℃、蒸着速度0.006nm/秒として、厚さ31.8nmに積層した。蒸着時の真空度は1.3〜1.2×10−4Paであった。 Subsequently, the light emitting layer 4 was deposited on the hole transport layer 10. The following compound (E-1) is used as a material for the light-emitting layer 4 together with an iridium complex (D-1) having the structural formula shown below, and the compound (E-1) is crucible at a temperature of 256 to 261 ° C. The iridium complex (D-1) was laminated to a thickness of 31.8 nm at a crucible temperature of 249 to 251 ° C. and a deposition rate of 0.006 nm / second. The degree of vacuum during vapor deposition was 1.3 to 1.2 × 10 −4 Pa.
次に、正孔阻止層8として下記に示すピリジン誘導体(HB−1)をるつぼ温度270〜306℃として、蒸着速度0.08nm/秒で5nmの膜厚に積層した。蒸着時の真空度は1.0×10−4Paであった。 Next, a pyridine derivative (HB-1) shown below as the hole blocking layer 8 was laminated at a crucible temperature of 270 to 306 ° C. to a film thickness of 5 nm at a deposition rate of 0.08 nm / second. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1.0 × 10 −4 Pa.
次に、正孔阻止層8の上に、電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)のるつぼ温度は231〜243℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.0〜0.96×10−4Pa、蒸着速度は0.08〜0.1nm/秒で膜厚は30nmとした。 Next, an aluminum 8-hydroxyquinoline complex (ET-1) shown below was deposited as an electron transport layer 7 on the hole blocking layer 8 in the same manner. At this time, the crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex (ET-1) is controlled in the range of 231 to 243 ° C., and the degree of vacuum during the deposition is 1.0 to 0.96 × 10 −4 Pa, the deposition rate. Was 0.08 to 0.1 nm / second and the film thickness was 30 nm.
上記の正孔輸送層4、発光層5、正孔阻止層6および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。 The substrate temperature during vacuum deposition of the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the hole blocking layer 6 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.
ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.3×10−4Pa以下になるまで排気した。 Here, the element that has been deposited up to the electron transport layer 7 is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a cathode deposition mask. The device was placed in close contact with each other so as to be orthogonal to each other, placed in another vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus was 2.3 × 10 −4 Pa or less in the same manner as the organic layer.
陰極9として、先ず、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度0.008〜0.02nm/秒、真空度2.5×10−4Paで、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.1〜0.12nm/秒、真空度2.5×10−4Paで膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極9を完成させた。以上の2層型陰極9の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 As the cathode 9, first, lithium fluoride (LiF) is deposited using a molybdenum boat at a deposition rate of 0.008 to 0.02 nm / second, a degree of vacuum of 2.5 × 10 −4 Pa, and a thickness of 0.5 nm. Then, a film was formed on the electron transport layer 7. Next, aluminum is similarly heated by a molybdenum boat to form an aluminum layer having a film thickness of 80 nm at a deposition rate of 0.1 to 0.12 nm / second and a degree of vacuum of 2.5 × 10 −4 Pa. Completed. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layered cathode 9 was kept at room temperature.
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度/電流:29.3[cd/A]@100cd/m2
電圧:4.8[V]@100cd/m2
発光効率:19.2[1m/w]@100cd/m2
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are as follows.
Luminance / current: 29.3 [cd / A] @ 100 cd / m 2
Voltage: 4.8 [V] @ 100 cd / m 2
Luminous efficiency: 19.2 [1 m / w] @ 100 cd / m 2
素子の発光スペクトルの極大波長は512.8nmであり、イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.303,0.622)であった。 The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 512.8 nm, which was identified as that from the iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.303, 0.622).
(実施例6)
発光層4の材料として、化合物(E−1)の代わりに、下記に示す化合物(E−2)を用いた他は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
(Example 6)
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound (E-2) shown below was used instead of the compound (E-1) as the material of the light emitting layer 4.
この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度/電流:19.9[cd/A]@100cd/m2
電圧:6.6[V]@100cd/m2
発光効率:9.6[1m/w]@100cd/m2
The light emission characteristics of this element are as follows.
Luminance / current: 19.9 [cd / A] @ 100 cd / m 2
Voltage: 6.6 [V] @ 100 cd / m 2
Luminous efficiency: 9.6 [1 m / w] @ 100 cd / m 2
素子の発光スペクトルの極大波長は512.8nmであり、イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.296,0.618)であった。 The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 512.8 nm, which was identified as that from the iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.296, 0.618).
(実施例7)
発光層5の材料として、化合物(E−1)の代りに、下記に示す化合物(E−3)を用いた他は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
(Example 7)
An organic electroluminescent element was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound (E-3) shown below was used instead of the compound (E-1) as the material of the light emitting layer 5.
この素子の発光特性は以下の通りである。
輝度/電流:22.7[cd/A]@100cd/m2
電圧:6.2[V]@100cd/m2
発光効率:11.6[1m/w]@100cd/m2
The light emission characteristics of this element are as follows.
Luminance / current: 22.7 [cd / A] @ 100 cd / m 2
Voltage: 6.2 [V] @ 100 cd / m 2
Luminous efficiency: 11.6 [1 m / w] @ 100 cd / m 2
素子の発光スペクトルの極大波長は511.5nmであり、イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.306,0.615)であった。 The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 511.5 nm, which was identified as from the iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.306, 0.615).
1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 発光層
5 電子注入層
6 陰極
7 電子輸送層
8 正孔阻止層
9 電子阻止層
10 正孔輸送層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Light emitting layer 5 Electron injection layer 6 Cathode 7 Electron transport layer 8 Hole blocking layer 9 Electron blocking layer 10 Hole transport layer
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