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JP2007169268A - Organic compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device - Google Patents

Organic compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device Download PDF

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JP2007169268A
JP2007169268A JP2006314584A JP2006314584A JP2007169268A JP 2007169268 A JP2007169268 A JP 2007169268A JP 2006314584 A JP2006314584 A JP 2006314584A JP 2006314584 A JP2006314584 A JP 2006314584A JP 2007169268 A JP2007169268 A JP 2007169268A
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JP
Japan
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group
ring
substituent
compound
layer
Prior art date
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Application number
JP2006314584A
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Japanese (ja)
Inventor
Masako Takeuchi
昌子 竹内
Masayoshi Yabe
昌義 矢部
Tomoyuki Ogata
朋行 緒方
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】 優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、優れた電気化学的耐久性と高い三重項励起準位を有する有機化合物を提供することを課題とする。また、高い発光効率と高い駆動安定性を有しかつ長寿命の有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 下記式(I)で表されることを特徴とする有機化合物。

Figure 2007169268

(式中、各々の芳香族環は置換基を有していてもよい。Zは直接結合または置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、Arは置換基を有していてもよいアリール基を表す。2つのArは同一であっても異なっていてもよい。なお、Zはピリジン環の2位または6位に結合しているフェニル基に連結する。)
【選択図】 なしPROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic compound having both excellent hole transportability and electron transportability, excellent electrochemical durability and high triplet excited level. It is another object of the present invention to provide an organic electroluminescence device having high luminous efficiency and high driving stability and having a long lifetime.
An organic compound represented by the following formula (I):
Figure 2007169268

(In the formula, each aromatic ring may have a substituent. Z represents a direct bond or an arylene group which may have a substituent, and Ar may have a substituent. Represents an aryl group, and two Ars may be the same or different, and Z is linked to a phenyl group bonded to the 2- or 6-position of the pyridine ring.
[Selection figure] None

Description

本発明は新規な有機化合物、該有機化合物からなる電荷輸送材料、該有機化合物を含有する組成物及び該有機化合物を含有する層を有する有機電界発光素子に関する。   The present invention relates to a novel organic compound, a charge transport material comprising the organic compound, a composition containing the organic compound, and an organic electroluminescent device having a layer containing the organic compound.

有機薄膜を用いた電界発光素子の開発が行われている。有機薄膜を用いた電界発光素子、すなわち有機電界発光素子は、通常、基板上に、陽極、陰極、及びこれら両極間に設けられた少なくとも発光層を含む有機層を有する。有機層としては、発光層以外にも、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等が用いられる。通常、これらの層を積層することにより、有機電界発光素子として使用されている。従来、有機電界発光素子は、蛍光発光を利用してきたが、素子の発光効率を上げる試みで、蛍光ではなく燐光発光を用いることが検討されている。しかしながら、燐光発光を用いたとしても、未だ、十分な発光効率を得られることが出来ていない。発光層にはホスト材料及びドーパント材料が使用されるが、例えば、特許文献1では有機電界発光素子のホスト材料として以下の化合物が提案されている。   An electroluminescent device using an organic thin film has been developed. An electroluminescent element using an organic thin film, that is, an organic electroluminescent element, usually has an organic layer including an anode, a cathode, and at least a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate. As the organic layer, in addition to the light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are used. Usually, these layers are laminated to be used as an organic electroluminescent element. Conventionally, organic electroluminescent devices have used fluorescent light emission, but in an attempt to increase the light emission efficiency of the device, it has been studied to use phosphorescent light emission instead of fluorescent light. However, even if phosphorescence is used, sufficient luminous efficiency has not been obtained yet. For the light emitting layer, a host material and a dopant material are used. For example, Patent Document 1 proposes the following compounds as the host material of the organic electroluminescent element.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

しかしながら、上記化合物は正孔輸送性に乏しく、有機電界発光素子の発光層の材料としては、正孔輸送性と電子輸送性のバランスが悪いという問題点があった。
国際公開第WO03/080760号パンフレット
However, the above compound has a poor hole transport property, and as a material for the light emitting layer of the organic electroluminescence device, there is a problem that the balance between the hole transport property and the electron transport property is poor.
International Publication No. WO03 / 080760 Pamphlet

本発明は、優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、優れた電気化学的耐久性と高い三重項励起準位を有する有機化合物を提供することを課題とする。また、高い発光効率と高い駆動安定性を有しかつ長寿命の有機電界発光素子を提供することを課題とする。   An object of the present invention is to provide an organic compound having both excellent hole transportability and electron transportability, excellent electrochemical durability, and a high triplet excited level. It is another object of the present invention to provide an organic electroluminescence device having high luminous efficiency and high driving stability and having a long lifetime.

本発明者らが鋭意検討した結果、下記の特定の構造を有する有機化合物が、優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、優れた電気化学的耐久性と高い三重項励起準位を有することがわかり本発明に到達した。
すなわち、本発明は、下記式(I)で表されることを特徴とする有機化合物、該有機化合物からなる電荷輸送材料、該有機化合物を含有する電荷輸送材料組成物及び該有機化合物を含有する層を有する有機電界発光素子に存する。
As a result of intensive studies by the present inventors, an organic compound having the following specific structure has excellent hole transportability and electron transportability, and has excellent electrochemical durability and high triplet excitation level. As a result, the present invention has been reached.
That is, the present invention contains an organic compound represented by the following formula (I), a charge transport material comprising the organic compound, a charge transport material composition containing the organic compound, and the organic compound. It exists in the organic electroluminescent element which has a layer.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(式中、各々の芳香族環は置換基を有していてもよい。Zは直接結合または置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、Arは置換基を有していてもよいアリール基を表す。2つのArは同一であっても異なっていてもよい。なお、Zはピリジン環の2位または6位に結合しているフェニル基に連結する。) (In the formula, each aromatic ring may have a substituent. Z represents a direct bond or an arylene group which may have a substituent, and Ar may have a substituent. Represents an aryl group, and two Ars may be the same or different, and Z is linked to a phenyl group bonded to the 2- or 6-position of the pyridine ring.

本発明の有機化合物は、優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、優れた電気化学的耐久性と高い三重項励起準位を有する。
このため、この有機化合物を含む層を有する有機電界発光素子によれば、高輝度、高効率かつ長寿命な有機電界発光素子が提供される。
本発明の有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
The organic compound of the present invention has both excellent hole transportability and electron transportability, and has excellent electrochemical durability and high triplet excitation level.
For this reason, according to the organic electroluminescent element which has the layer containing this organic compound, an organic electroluminescent element with high brightness, high efficiency, and long life is provided.
The organic electroluminescence device of the present invention is a flat panel display (for example, for OA computers or wall-mounted televisions), an in-vehicle display device, a light source utilizing characteristics of a mobile phone display or a surface light emitter (for example, a light source of a copying machine, a liquid crystal). It can be applied to backlight sources for displays and instruments, display panels, and indicator lights, and its technical value is great.

また、本発明の有機化合物からなる電荷輸送材料及び本発明の有機化合物を含む電荷輸送材料組成物は、本質的に優れた電気化学的耐久性を有することから、有機電界発光素子に限らず、その他、電子写真感光体等にも有用である。   In addition, the charge transport material comprising the organic compound of the present invention and the charge transport material composition containing the organic compound of the present invention have essentially excellent electrochemical durability, and thus are not limited to organic electroluminescent devices, In addition, it is also useful for electrophotographic photoreceptors.

以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、これらの内容に特定はされない。
<有機化合物>
本発明の有機化合物は、下記式(I)で表されることを特徴とする。
The description of the constituent requirements described below is an example (representative example) of the embodiment of the present invention, and the contents are not specified.
<Organic compounds>
The organic compound of the present invention is represented by the following formula (I).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(式中、各々の芳香族環は置換基を有していてもよい。Zは直接結合または置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、Arは置換基を有していてもよいアリール基を表す。2つのArは同一であっても異なっていてもよい。なお、Zはピリジン環の2位または6位に結合しているフェニル基に連結する。)
本発明の有機化合物は、2位、4位及び6位がフェニル基で置換されたピリジン環に対
し、3位及び6位がアリール基で置換されたカルバゾール環が結合することにより、電子輸送性能を有するピリジン環骨格及び、正孔輸送性能を有するカルバゾール環骨格さらには、カルバゾール環の3位、6位にアリール基で置換されることにより、未置換のカルバ
ゾール環より正孔輸送性能が向上し、両性能のバランスが良好で、かつ酸化可逆性が良好となり、非常に酸化に安定な構造となるため、有機電界発光素子、とりわけ、燐光発光性の有機電界発光素子において、高い発光効率と高い駆動安定性を有する有機電界発光素子が得られるものと推測される。
また、カルバゾール環の3位および6位にアリール基を導入することにより、化合物のガラス転移温度が飛躍的に向上した化合物を得ることができる。また、ピリジン環中の窒素原子に対してパラ位の炭素原子に置換する基を、アルキル基や該炭素原子に結合する位置に対してメタ位に置換基を有するベンゼン環などのメタ連結基とすることで、溶剤への溶解性が向上し、湿式成膜法による発光層の形成が容易となる。
(In the formula, each aromatic ring may have a substituent. Z represents a direct bond or an arylene group which may have a substituent, and Ar may have a substituent. Represents an aryl group, and two Ars may be the same or different, and Z is linked to a phenyl group bonded to the 2- or 6-position of the pyridine ring.
The organic compound of the present invention has an electron transport performance by bonding a carbazole ring substituted with an aryl group at the 3-position and 6-position to a pyridine ring substituted at the 2-position, 4-position and 6-position with a phenyl group. A pyridine ring skeleton having a carbazole ring skeleton having a hole transport performance and further substituted with an aryl group at the 3rd and 6th positions of the carbazole ring improves the hole transport performance over an unsubstituted carbazole ring. The organic electroluminescent device, particularly the phosphorescent organic electroluminescent device has high luminous efficiency and high because the balance between the two performances is good and the oxidation reversibility is good and the structure is very stable to oxidation. It is presumed that an organic electroluminescent element having driving stability can be obtained.
In addition, by introducing aryl groups at the 3-position and 6-position of the carbazole ring, a compound having a drastic improvement in the glass transition temperature of the compound can be obtained. In addition, a group that substitutes a carbon atom in the para position with respect to the nitrogen atom in the pyridine ring, By doing so, the solubility in a solvent is improved, and the formation of a light emitting layer by a wet film forming method is facilitated.

式(I)中の各々の芳香族環は置換基を有していてもよく、該置換基としては下記置換基群Xに記載の基が挙げられる。芳香族環の置換基は、隣接する基あるいは該芳香族環と結合して環を形成していてもよい。
(置換基群X)
メチル基、エチル基、ブチル基等のアルキル基(好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜8のアルキル基);
シクロペンチル基、シクロヘキシルキ基等のシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜12、更に好ましくは炭素数5〜8のシクロアルキル基)
ビニル基等のアルケニル基(好ましくは炭素数2〜11、更に好ましくは炭素数2〜5のアルケニル基);
エチニル基等のアルキニル基(好ましくは炭素数2〜11、更に好ましくは炭素数2〜5のアルキニル基);
メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基(好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜6のアルコキシ基);
フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等のアリールオキシ基(好ましくは炭素数4〜25、更に好ましくは炭素数5〜14のアリールオキシ基);
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜11、更に好ましくは炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基);
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基(好ましくは炭素数2〜20、更に好ましくは炭素数2〜12のジアルキルアミノ基);
ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等のジアリールアミノ基(好ましくは炭素数10〜30、更に好ましくは炭素数12〜22のジアリールアミノ基);
Each aromatic ring in formula (I) may have a substituent, and examples of the substituent include groups described in the following substituent group X. The substituent of the aromatic ring may be bonded to an adjacent group or the aromatic ring to form a ring.
(Substituent group X)
An alkyl group such as a methyl group, an ethyl group or a butyl group (preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms);
Cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group (preferably a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, more preferably 5 to 8 carbon atoms).
An alkenyl group such as a vinyl group (preferably an alkenyl group having 2 to 11 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms);
An alkynyl group such as an ethynyl group (preferably an alkynyl group having 2 to 11 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms);
Alkoxy groups such as methoxy and ethoxy groups (preferably having 1 to 10 carbon atoms, more preferably having 1 to 6 carbon atoms);
Aryloxy groups such as phenoxy group, naphthoxy group and pyridyloxy group (preferably an aryloxy group having 4 to 25 carbon atoms, more preferably 5 to 14 carbon atoms);
Alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group (preferably having 2 to 11 carbon atoms, more preferably having 2 to 7 carbon atoms);
A dialkylamino group such as a dimethylamino group or a diethylamino group (preferably a dialkylamino group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 12 carbon atoms);
A diarylamino group such as a diphenylamino group, a ditolylamino group, or an N-carbazolyl group (preferably a diarylamino group having 10 to 30 carbon atoms, more preferably 12 to 22 carbon atoms);

フェニルメチルアミノ基等のアリールアルキルアミノ基(好ましくは炭素数6〜25、更に好ましくは炭素数7〜17のアリールアルキルアミノ基);
アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基(好ましくは炭素数2〜10、好ましくは炭素数2〜7のアシル基);
フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;
トリフルオロメチル基等のハロアルキル基(好ましくは炭素数1〜8、更に好ましくは炭素数1〜4のハロアルキル基);
メチルチオ基、エチルチオ基等のアルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜6のアルキルチオ基);
フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等のアリールチオ基(好ましくは炭素数4〜25、更に好ましくは炭素数5〜14のアリールチオ基);
トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等のシリル基(好ましくは炭素数2〜33、更に好ましくは炭素数3〜26のシリル基);
トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等のシロキシ基(好ましくは炭素数2〜33、更に好ましくは炭素数3〜26のシロキシ基);
シアノ基;
フェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基(好ましくは炭素数6〜30、更に好ましくは炭素数6〜18の芳香族炭化水素環基);
チエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基(好ましくは炭素数3〜28、更に好ましくは炭素数4〜17の芳香族複素環基)
これら置換基はさらに置換基を有していてもよく、その置換基としては、置換基群Xに記載の基が挙げられる。
An arylalkylamino group such as a phenylmethylamino group (preferably an arylalkylamino group having 6 to 25 carbon atoms, more preferably 7 to 17 carbon atoms);
An acyl group such as an acetyl group or a benzoyl group (preferably an acyl group having 2 to 10 carbon atoms, preferably 2 to 7 carbon atoms);
Halogen atoms such as fluorine atoms and chlorine atoms;
A haloalkyl group such as a trifluoromethyl group (preferably a haloalkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms);
An alkylthio group such as a methylthio group and an ethylthio group (preferably an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms);
Arylthio groups such as phenylthio group, naphthylthio group and pyridylthio group (preferably an arylthio group having 4 to 25 carbon atoms, more preferably 5 to 14 carbon atoms);
A silyl group such as a trimethylsilyl group or a triphenylsilyl group (preferably a silyl group having 2 to 33 carbon atoms, more preferably a silyl group having 3 to 26 carbon atoms);
A siloxy group such as a trimethylsiloxy group or a triphenylsiloxy group (preferably a C2-C33, more preferably a C3-C26 siloxy group);
A cyano group;
An aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group or a naphthyl group (preferably an aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 18 carbon atoms);
Aromatic heterocyclic group such as thienyl group and pyridyl group (preferably an aromatic heterocyclic group having 3 to 28 carbon atoms, more preferably 4 to 17 carbon atoms)
These substituents may further have a substituent, and examples of the substituent include the groups described in Substituent Group X.

(分子量)
本発明の有機化合物の分子量は、5000以下が好ましく、3000以下が更に好ましい。有機化合物の分子量がこの上限を上回ると、不純物成分の除去が困難となったり、気化温度が上昇して蒸着法による製膜が困難になったり、溶解性が低下して湿式法による製膜に支障が出る恐れがあり、好ましくない。また、有機化合物の分子量は300以上が好ましく、500以上が更に好ましい。有機化合物の分子量がこの下限を下回ると、耐熱性が低下して、実用性が制限されたり、気化温度が低下して蒸着法による製膜が困難になったり、湿式法による製膜において、膜質低下などで支障が出る恐れがあり、好ましくない。
(Ar)
式(I)中、Arは置換基を有していてもよいアリール基を表す。式(I)中の、2つのArは同一であっても異なっていてもよい。
(Molecular weight)
The molecular weight of the organic compound of the present invention is preferably 5000 or less, and more preferably 3000 or less. If the molecular weight of the organic compound exceeds this upper limit, it will be difficult to remove the impurity components, the vaporization temperature will rise, making it difficult to form a film by the vapor deposition method, or the solubility will be reduced to form a film by a wet method. There is a risk of trouble, which is not preferable. Further, the molecular weight of the organic compound is preferably 300 or more, and more preferably 500 or more. If the molecular weight of the organic compound is below this lower limit, the heat resistance is lowered, the practicality is limited, the vaporization temperature is lowered and the film formation by the vapor deposition method becomes difficult, the film quality in the film formation by the wet method There is a risk that it may be hindered by a decrease, etc., which is not preferable.
(Ar)
In formula (I), Ar represents an aryl group which may have a substituent. Two Ar in the formula (I) may be the same or different.

アリール基としては、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が挙げられる。
芳香族炭化水素基を例示するならば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環などの、6員環の単環または2〜5縮合環由来の、1価の基が挙げられる。
Examples of the aryl group include an aromatic hydrocarbon group and an aromatic heterocyclic group.
Examples of aromatic hydrocarbon groups include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, and fluoranthene ring. Examples thereof include monovalent groups derived from a single ring of a member ring or 2 to 5 condensed rings.

芳香族複素環基を例示するならば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の、1価の基が挙げられる。   Examples of aromatic heterocyclic groups include furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole Ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring Quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. Reason The include monovalent groups.

中でも、Arはフェニル基(ベンゼン環由来の1価の基)であることが好ましい。
Arは置換基を有していてもよい。該置換基としては、上記置換基群Xに記載のものが挙げられる。
Arの分子量は、その置換基も含めて、500以下が好ましく200以下が更に好ましい。
(Z)
Zは、直接結合又はアリーレン基を表す。アリーレン基としては、2価の芳香族炭化水素基及び2価の芳香族複素環基が挙げられる。該芳香族炭化水素基及び該芳香族複素環基の具体例としては、上記Arとして例示した芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基の2価基が挙げられる。
Among these, Ar is preferably a phenyl group (a monovalent group derived from a benzene ring).
Ar may have a substituent. Examples of the substituent include those described in the above substituent group X.
The molecular weight of Ar, including its substituents, is preferably 500 or less, and more preferably 200 or less.
(Z)
Z represents a direct bond or an arylene group. Examples of the arylene group include a divalent aromatic hydrocarbon group and a divalent aromatic heterocyclic group. Specific examples of the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group include the divalent groups of the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group exemplified as Ar.

Zとして、好ましくは、直接結合、p−フェニレン基、m−フェニレン基、ビフェニレン基であり、特に好ましくは直接結合である。
該アリーレン基は置換基を有していてもよく、該置換基としては前記置換基群Xに記載の基が挙げられるが、好ましくは、無置換であることである。
Zの分子量は、その置換基も含めて、500以下が好ましく、200以下が更に好ましい。
(式II)
式(I)で表される有機化合物は、下記式(II)で表されることが好ましい。
Z is preferably a direct bond, p-phenylene group, m-phenylene group or biphenylene group, and particularly preferably a direct bond.
The arylene group may have a substituent, and examples of the substituent include the groups described in the substituent group X. Preferably, the arylene group is unsubstituted.
The molecular weight of Z including the substituent is preferably 500 or less, and more preferably 200 or less.
(Formula II)
The organic compound represented by the formula (I) is preferably represented by the following formula (II).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

式(II)中、ピリジン環の2位、4位及び6位に置換しているフェニル基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記置換基群Xに記載の基が挙げられる。
Z及びArは式(I)と同義である。
(式III)
更に、上記式(II)で表される有機化合物は、下記式(III)で表されることが好ましい。
In the formula (II), the phenyl group substituted at the 2-position, 4-position and 6-position of the pyridine ring may have a substituent. Examples of the substituent include groups described in the substituent group X.
Z and Ar are as defined in formula (I).
(Formula III)
Furthermore, the organic compound represented by the formula (II) is preferably represented by the following formula (III).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

式中、R〜Rは、アルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルコキシ基または置換基を有していてもよいアリールオキシ基を表す。nは0〜5の整数を表す。R〜Rの数を表すnは、それぞれ同一であっても異っていてもよい。
該アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基及びアリールオキシ基の具体例としては、前記置換基群Xに例示したそれぞれの基の具体例が挙げられる。尚、アリール基は芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基をあらわす。
In the formula, R 1 to R 4 may have an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, or a substituent. Represents an aryloxy group. n represents an integer of 0 to 5. N representing the number of R 1 to R 4 may be the same or different.
Specific examples of the alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, alkoxy group and aryloxy group include specific examples of each group exemplified in the substituent group X. The aryl group represents an aromatic hydrocarbon group and an aromatic heterocyclic group.

アリール基、アルコキシ基及びアリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては前記置換基群Xに記載の基が挙げられる。   The aryl group, alkoxy group and aryloxy group may have a substituent, and examples of the substituent include the groups described in the substituent group X.

以下、本発明の有機化合物の好ましい例を挙げるが、本発明は以下の化合物に限定されるものではない。   Hereinafter, although the preferable example of the organic compound of this invention is given, this invention is not limited to the following compounds.

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(合成法)
本発明の有機化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。
(1) ピリジン環の導入方法としては、次のA)ないしC)に記載の方法を採用することができる。
(Synthesis method)
The organic compound of the present invention can be synthesized by selecting a raw material according to the structure of the target compound and using a known method.
(1) As a method for introducing a pyridine ring, the following methods A) to C) can be employed.

A)原料としてRa−(CHO)を用いた場合(ここでRaは、任意の置換基または連結基を表す)、次の1)〜5)の方法などを採用することができる。
1)Angew.Chem.Int.Ed.Engl.(1962)1,626やSynthesis(1976),1-24やJ.Heterocyclic Chem.(1977)14,147やCollect.Czech.Chem.Commun.57(1992)2,385-392やCS−262585号公報などで開示されている、1当量のアルデヒドと0.5〜2当量のアセチリドとを、硫酸などの強酸存在下で酢酸、アルコール、ニトロベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、シクロヘキサンなどの単独または混合溶媒中、室温で1〜10時間撹拌して、或いは水酸化ナトリウムなどの強塩基存在下、アルコールおよび/または水溶媒中、加熱条件下で1〜10時間撹拌して、中間体(−CH=CR−CO−)を得、これを酢酸溶媒中、加熱条件下、酸素存在下、アシルピリジニウム塩と酢酸アンモニウムを作用させて合成する方法
A) When R a — (CHO) is used as a raw material (where R a represents an arbitrary substituent or linking group), the following methods 1) to 5) may be employed.
1) Angew. Chem. Int. Ed. Engl. (1962) 1,626, Synthesis (1976), 1-24, J. Heterocyclic Chem. (1977) 14, 147, Collect.Czech. Chem. Commun. 57 (1992) 2,385- 392 and CS-262585, etc., 1 equivalent of aldehyde and 0.5 to 2 equivalents of acetylide in the presence of a strong acid such as sulfuric acid, acetic acid, alcohol, nitrobenzene, toluene, chlorobenzene, dichlorobenzene, Stirring for 1 to 10 hours at room temperature alone or in a mixed solvent such as cyclohexane, or stirring for 1 to 10 hours under heating in an alcohol and / or water solvent in the presence of a strong base such as sodium hydroxide, An intermediate (-CH = CR-CO-) is obtained and synthesized by reacting an acylpyridinium salt and ammonium acetate in an acetic acid solvent under heating conditions in the presence of oxygen.

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2)Liebigs Ann.Chem.(1974),1415-1422やJ.Org.Chem.38,(2002)6,830-832や特開2
000−186066号公報などで開示されている、ボロントリフルオリドや過塩素酸などの酸化剤存在下、加熱条件でトルエン溶媒中、アルデヒドとアセチリドとを反応させ、ピリリウム塩を生成し、それを水やアルコール溶媒中でアンモニアと反応させる方法
2) Liebigs Ann. Chem. (1974), 1415-1422, J. Org. Chem. 38, (2002) 6,830-832 and JP-A-2
In the presence of an oxidizing agent such as boron trifluoride or perchloric acid, aldehyde and acetylide are reacted in a toluene solvent under heating conditions to form a pyrylium salt, which is disclosed in To react with ammonia in alcohol solvent

Figure 2007169268
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3)J.Am.Chem.Soc.(1952)74,200などに開示されている、酢酸、アルコール、ニトロベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、シクロヘキサンなどの単独または混合溶媒中、加熱条件下、酢酸アンモニウムとアルデヒドとアセチリドから一段階で合成する方法   3) Ammonium acetate is used under heating conditions in a single or mixed solvent such as acetic acid, alcohol, nitrobenzene, toluene, chlorobenzene, dichlorobenzene, cyclohexane, etc. disclosed in J. Am. Chem. Soc. (1952) 74,200, etc. A one-step synthesis from aldehyde and acetylide

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4)Chem.Commun.(Cambridge)(2000)22,2199-2200などに開示されている、水酸化ナト
リウムなどの強塩基存在下、無溶媒でアルデヒドと2当量のアセチリドを室温で、乳鉢を用いてすり混ぜて中間体(ジケトン)を生成した後、酢酸、アルコール、ニトロベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、シクロヘキサンなどの単独または混合溶媒中、加熱条件下で酢酸アンモニウムを作用させて合成する方法、
4) In a mortar, aldehyde and 2 equivalents of acetylide are used in the presence of a strong base such as sodium hydroxide as disclosed in Chem. Commun. (Cambridge) (2000) 22,2199-2200, without solvent, at room temperature. A method of synthesizing an intermediate (diketone) by mixing with acetic acid, alcohol, nitrobenzene, toluene, chlorobenzene, dichlorobenzene, cyclohexane, etc. alone or in a mixed solvent by reacting with ammonium acetate under heating conditions,

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5)J.Org.Chem.(1988),53,5960などに開示されている、アルデヒドとエチリデンビニ
ルアミンから一段階で合成する方法
5) A method of synthesizing in one step from aldehyde and ethylidene vinylamine as disclosed in J. Org. Chem. (1988), 53, 5960, etc.

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B)2,4,6−位の少なくとも一カ所に塩素や臭素やヨウ素などのハロゲン原子が置換されたピリジン環を原料に用いる場合、前記ハロゲン元素を任意の置換基に変換が可能である。
例えば、Org.Lett.3(2001)26,4263-4265などに開示されている、パラジウム触媒存在下、加熱条件でジンクブロマイドやボロン酸を作用させることによって合成する方法が挙げられる(以下において、dbaはジベンジリデンアセトンである。)。
B) When a pyridine ring in which a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine is substituted in at least one of the 2,4,6-positions is used as a raw material, the halogen element can be converted into an arbitrary substituent.
For example, there is a method disclosed in Org. Lett. 3 (2001) 26, 4263-4265, etc., and a method of synthesizing zinc bromide or boronic acid under heating conditions in the presence of a palladium catalyst (in the following, dba is dibenzylideneacetone).

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C)その他、各種置換基の導入において、必要に応じ、任意に公知の手法を適用することができる。例えば、下記1)〜3)などを採用することができる。
1)アルデヒドとしてパラホルムアルデヒド、アセチリドとして芳香族アシル化合物を用い、2,6−位に芳香環基を有するピリジンを合成し、これをN−ブロモスクシンイミドなどのハロゲン化剤を用いてピリジン環の4−位をハロゲン化してハロゲン体を得、そのハロゲン原子を−B(OH)基や−ZnCl基や−MgBr基に変換したものと、前記ハロゲン体とをカップリング反応させて合成する方法
2)前記ハロゲン体を、n−ブチルリチウムなどでリチオ化後、N,N−ジメチルホルムアミドで処理することで、2,6−位に芳香環基を有し、4−位に−CHO基を有するピリジンを合成した後、アセチリドと反応させて第二のピリジン環を合成する方法
3)前記B)の出発原料として挙げた2,6−ジクロロ−4−ヨードピリジンを塩基存在下、銅粉末などの銅触媒を用いて、150〜250℃で加熱撹拌することにより、2,6,2’,6’−テトラクロロ−[4,4’]ビピリジルを合成し、これを前記B)と同様に処理することで合成する方法
なお、上記合成方法で用いられるアルデヒド(R−CHO)は、通常入手可能な試薬を適宜利用可能であるが、必要があれば、次の1)〜13)の方法等により、容易に合成する
ことが可能である。
C) In addition, in introducing various substituents, known methods can be arbitrarily applied as necessary. For example, the following 1) to 3) can be employed.
1) Using a paraformaldehyde as an aldehyde and an aromatic acyl compound as an acetylide, a pyridine having an aromatic ring group at the 2,6-position was synthesized, and this was synthesized using a halogenating agent such as N-bromosuccinimide. Halogenated at the -position to obtain a halogen compound, and a method in which the halogen atom is converted to -B (OH) 2 group, -ZnCl group or -MgBr group, and the halogen compound is synthesized by a coupling reaction 2 ) After lithiation with n-butyllithium or the like, the halogen compound is treated with N, N-dimethylformamide to have an aromatic ring group at the 2,6-position and a -CHO group at the 4-position. Method of synthesizing pyridine and then reacting with acetylide to synthesize a second pyridine ring 3) 2,6-dichloro-4-iodopi 2,6,2 ′, 6′-tetrachloro- [4,4 ′] bipyridyl was synthesized by heating and stirring gin at 150 to 250 ° C. using a copper catalyst such as copper powder in the presence of a base. A method of synthesizing this by treating in the same manner as in the above B). For the aldehyde (R a -CHO) used in the synthesis method, a commonly available reagent can be used as appropriate, but if necessary, It can be easily synthesized by the following methods 1) to 13).

1) 例えばハロゲン化物(R−X)や活性水素原子を有する炭化水素化合物(R−H)をブチルリチウムなどのアルキルリチウム、水素化ナトリウム、トリエチルアミン、tert−ブトキシカリウム、水酸化ナトリウムなどの強塩基(好ましくはブチルリチウ
ムなどのアルキルリチウム)を作用させた後、N,N−ジメチルホルムアミドで処理する方法(Organic&Biomolecular Chemistry(2003)1,7,1157-1170;Tetrahedron Lett.42(2001)37,6589-6592)
2) −COR基(Rは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基)をリチウムアルミニウムハイドライド、水素化硼素ナトリウム等で還元して、アルコール化後、ピリジニウムクロロクロメート、二酸化マンガン、アイオドキシベンゾイックアシッド、パーオキソジスルフェート、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,4−ベンゾキノン等で酸化して−CHO化する方法(J.Med.Chem.(1990)33,2408-2412;Angew.Chem.,Int.Ed.40(2001)23,4395-4397;J.Am.Chem.Soc.(2002)124,10,2245-58;J.Am.Chem.Soc.(1993)115,9,3752-3759;J.Chem.Res.,Synop.(2001)7,274-276;Synthesis(2001)15,2273-2276;Bull.KoreanChem.Soc.20(1999)11,1373-1374;Arzneim.-Forsch.47(1997)1,13-18;J.Org.Chem.63(1998)16,5658-5661;J.Chem.Soc.Sec.C;Organic(1968)6,630-632)
1) For example, a halide (R a -X) or a hydrocarbon compound having an active hydrogen atom (R a -H) such as alkyl lithium such as butyl lithium, sodium hydride, triethylamine, tert-butoxy potassium, sodium hydroxide, etc. A method of treating with a strong base (preferably alkyllithium such as butyllithium) and then treating with N, N-dimethylformamide (Organic & Biomolecular Chemistry (2003) 1,7,1157-1170; Tetrahedron Lett. 42 (2001) 37) , 6589-6592)
2) A —CO 2 R group (R is a hydrogen atom, a chlorine atom, an alkyl group, an aromatic ring group, an amino group) is reduced with lithium aluminum hydride, sodium borohydride, etc., and after alcoholation, pyridinium chlorochromate, dioxide Oxidation with manganese, iodooxybenzoic acid, peroxodisulfate, 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone, etc. to form —CHO (J. Med. Chem. 1990) 33, 2408-2412; Angew. Chem., Int. Ed. 40 (2001) 23,4395-4397; J. Am. Chem. Soc. (2002) 124, 10, 2245-58; J. Am. Chem. Soc. (1993) 115, 9, 3752-3759; J. Chem. Res., Synop. (2001) 7, 274-276; Synthesis (2001) 15, 2273-2276; Bull. Korean Chem. Soc. 20 (1999) ) 11,1373-1374; Arzneim.-Forsch. 47 (1997) 1,13-18; J. Org. Chem. 63 (1998) 16,5658-5661; J. Chem. Soc. Sec. C; Organic ( 1968) 6,630-632)

3) −COR基(Rは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基)をリチウムトリス(ジアルキルアミノ)アルミニウムハイドライド、ソディウムトリス(ジアルキルアミノ)アルミニウムハイドライドなどで還元し、一段階で−CHO化する方法(Bull.Korean Chem.Soc.,13(1992)6,670-676;Bull.Korean Chem. Soc., 12 (1991) 1,7-8; Org. Prep. Proced. Int. 24 (1992) 3, 335-337)
4) −COR基(Rは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基)を水素とパラジウム触媒の存在下、一段階で−CHO化する方法(Chem.Ber.(1959)92,2532-2542;WO 00/12457;Bull.Chem.Soc.Jpn.(2001)74,1803-1815)
5) −CN基をリチウムトリス(ジアルキルアミノ)アルミニウムハイドライドなどで還元し、一段階で−CHO化する方法(Bull.Korean Chem.Soc.,13(1992)6,670-676)
6) Ar−CH基(Arは芳香環基)にo-Iodylbenzoic acid,Dess-Martin period-inane,Acetoxyiodosylbenzoic acidなどを作用させて、直接、Ar−CHO化する方法(J.Am.Chem.Soc.(2002)124,10,2245-58)
3) The —CO 2 R group (R is a hydrogen atom, chlorine atom, alkyl group, aromatic ring group, amino group) is reduced with lithium tris (dialkylamino) aluminum hydride, sodium tris (dialkylamino) aluminum hydride, etc. -CHO method in stages (Bull. Korean Chem. Soc., 13 (1992) 6,670-676; Bull. Korean Chem. Soc., 12 (1991) 1,7-8; Org. Prep. Proced. Int. 24 (1992) 3, 335-337)
4) A method in which —CO 2 R group (R is a hydrogen atom, chlorine atom, alkyl group, aromatic ring group, amino group) is converted to —CHO in one step in the presence of hydrogen and a palladium catalyst (Chem. Ber. (1959 ) 92,2532-2542; WO 00/12457; Bull.Chem.Soc.Jpn. (2001) 74,1803-1815)
5) A method in which the —CN group is reduced with lithium tris (dialkylamino) aluminum hydride and the like to form —CHO in one step (Bull. Korean Chem. Soc., 13 (1992) 6,670-676)
6) A method of directly converting to Ar-CHO by reacting Ar-CH 3 group (Ar is an aromatic ring group) with o-Iodylbenzoic acid, Dess-Martin period-inane, Acetoxyiodosylbenzoic acid, etc. (J. Am. Chem. Soc. (2002) 124,10,2245-58)

7) Ar−CH基(Arは芳香環基)をAr−CHBr、Ar−CHOCH
COOを経由してAr−CHOHに変換後、ピリジニウムクロロクロメート、二酸化マンガン、アイオドキシベンゾイックアシッド等で酸化して−CHO化する方法(J.Org.Chem.(1993)58,3582-3585)
8) 1−エチル−1−アリールアリルアルコールにVilsmeier試薬を作用させて、アリールカルボキシアルデヒドを合成する方法(Indian Journal of Chemistry(1988)27B,213-216)
9) 1,4−シクロヘキサジエン類にVilsmeier試薬を作用させて、アリールカルボキシアルデヒドを合成する方法(Synthesis(1987),197-199;Synthesis(1985),779-781)
10) Ar−CH基(Arは芳香環基)を臭素、N−ブロモ琥珀酸イミドなどを用いて臭素化してAr−CHBrとした後、2-Nitropropane carboanion試薬、Hexamethylenetetramine等を作用させてAr−CHO化する方法(Collect.Czech.Chem.Commun.(1996)61,1464-1472;Chem.Eur.J.(1996)2,12,1585-1595;J.Chem.Research(S),(1999)210-211
7) Ar—CH 3 group (Ar is an aromatic ring group) Ar—CH 2 Br, Ar—CH 2 OCH 3
A method of converting to Ar—CH 2 OH via COO, followed by oxidation with pyridinium chlorochromate, manganese dioxide, iodoxybenzoic acid, etc. to form —CHO (J. Org. Chem. (1993) 58,3582 -3585)
8) Method of synthesizing aryl carboxaldehyde by reacting 1-ethyl-1-arylallyl alcohol with Vilsmeier reagent (Indian Journal of Chemistry (1988) 27B, 213-216)
9) A method of synthesizing aryl carboxaldehyde by reacting 1,4-cyclohexadiene with Vilsmeier reagent (Synthesis (1987), 197-199; Synthesis (1985), 779-781)
10) After bromination of Ar-CH 3 group (Ar is an aromatic ring group) using bromine, N-bromosuccinimide, etc. to make Ar-CH 2 Br, 2-Nitropropane carboanion reagent, Hexamethylenetetramine, etc. are allowed to act on it. (Coll.Czech.Chem.Commun. (1996) 61,1464-1472; Chem.Eur.J. (1996) 2,12,1585-1595; J.Chem.Research (S) , (1999) 210-211
)

11) ポリメチニウム塩(ヘプタメチニウム塩など)からアリールアルデヒド(1,3,5−トリホルミルベンゼンなど)を得る方法(Collect.Czech.Chem.Commun.(1965)30,53-60)
12)トリホルミルメタンのself-condensationにより、1,3,5−トリホルミルベン
ゼンを得る方法(Collect.Czech.Chem.Commun.(1962)27,2464-2467)
13)Ar−CHBr基(Arは芳香環基)をジアルキルアミンを用いてAr−CHO化する方法(Bulletin de La Societe Chmique De France(1966)9,2966-2971)
また、上記合成方法で用いられるケトン(R−CO−CH2−R)は、通常入手可
能な試薬を適宜利用可能であるが、必要があれば、次の1),2)の方法等により、容易に合成することができる。
11) A method for obtaining aryl aldehydes (such as 1,3,5-triformylbenzene) from polymethinium salts (such as heptamethinium salts) (Collect.Czech.Chem.Commun. (1965) 30,53-60)
12) Method of obtaining 1,3,5-triformylbenzene by self-condensation of triformylmethane (Collect.Czech.Chem.Commun. (1962) 27,2464-2467)
13) A method in which Ar-CHBr 2 group (Ar is an aromatic ring group) is converted to Ar-CHO by using dialkylamine (Bulletin de La Societe Chmique De France (1966) 9,2966-2971)
As the ketone (R c —CO—CH 2 —R b ) used in the above synthesis method, a commonly available reagent can be used as appropriate. If necessary, the following methods 1) and 2) Etc. can be easily synthesized.

1) R−COR基(Rは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基
)を各種アルキル化剤(アルキルリチウム、ジメチル硫酸、ジメチルスルホキシドなど)で処理することにより、R−CO−CH化する方法(J.Am.Chem.Soc.(1959),81,935-939;J.Am.Chem.Soc.(1961)83,4668-;Tetrahedron Lett.(1967)1073-;J.Chem.Soc.(1960)360-;J.Chem.Soc.,Perkin Trans.1(1977)680;JP5-5062039)
2) 塩化アルミニウムなどのルイス酸触媒存在下、酸クロライドなどのアシル化剤を
作用させて合成する方法(極めて一般的な、フリーデルクラフツ反応)
他の合成方法としては、「ヘテロ環の化学−医薬品の基礎」(2002年、國枝ら、化学同仁社)、「Heterocyclic Chemistry」(第4版、2000年、J.A.Joule and K.Mills、Blackwell Science社)、「新編ヘテロ環化合物 基礎編、応用編」(2004年、山中宏ほか、講談社)、「ボルハルト・ショアー現代有機化学 下」(2004年、K.P.C.Vollhardt、化
学同人社)などに記載または引用されている合成方法を利用することもできる。
1) By treating the R c —CO 2 R group (R is a hydrogen atom, chlorine atom, alkyl group, aromatic ring group, amino group) with various alkylating agents (alkyl lithium, dimethyl sulfate, dimethyl sulfoxide, etc.), R c —CO—CH 2 R b conversion method (J. Am. Chem. Soc. (1959), 81, 935-939; J. Am. Chem. Soc. (1961) 83,4668-; Tetrahedron Lett. (1967 1073-; J.Chem.Soc. (1960) 360-; J.Chem.Soc., Perkin Trans.1 (1977) 680; JP5-5062039)
2) Synthesis by reacting an acylating agent such as acid chloride in the presence of Lewis acid catalyst such as aluminum chloride (very common Friedel-Crafts reaction)
Other synthetic methods include "Heterocyclic Chemistry-Pharmaceutical Fundamentals" (2002, Kunieda et al., Chemical Dojinsha), "Heterocyclic Chemistry" (4th edition, 2000, JA Joule and K. Mills, Blackwell Science) ), “New edition of heterocyclic compounds, basic edition, applied edition” (2004, Hiroshi Yamanaka et al., Kodansha), “Under Borhard Shore Modern Organic Chemistry” (2004, KPCVollhardt, Kagaku Dojinsha), etc. It is also possible to use existing synthesis methods.

(2)N−カルバゾリル基の導入方法としては、合成の最終工程でカルバゾリル基を導入する方法として、例えば、次のa)〜c)の方法を採用することができる。
a)フルオロフェニルボロン酸、ジフルオロフェニルボロン酸、フルオロビフェニルボロン酸エステル、ペンタフルオロフェニルボロン酸などのハロゲン化芳香族ボロン化合物の小過剰(後述されるハロゲン化物のハロゲン原子に対して0.7〜1.5倍当量程度)とジブロモフルオロベンゼン、ジヨードベンゼン、トリブロモベンゼン、トリクロロトリアジン、ジヨードビフェニルなどの芳香族2または3置換ハロゲン化物とをテトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウムなどのパラジウム触媒(0.1〜10モル%程度)、炭酸セシウム、リン酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの塩基(前記ハロゲン化物のハロゲン原子に対して2〜10倍当量程度)存在下、トルエン−エタノール、トルエン−水、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミドなど、或いはそれらの混合溶媒系中(前記ボロン酸濃度で1〜1000ミリモル%程度)、不活性ガス雰囲気下で5〜24時間程度、加熱還流させることにより、フッ素原子を置換基に有する基本骨格を形成する。
(2) As a method for introducing an N-carbazolyl group, for example, the following methods a) to c) can be employed as a method for introducing a carbazolyl group in the final step of synthesis.
a) A small excess of a halogenated aromatic boron compound such as fluorophenylboronic acid, difluorophenylboronic acid, fluorobiphenylboronic acid ester, pentafluorophenylboronic acid (0.7 to 0.7 to the halogen atom of the halide described later) Palladium catalyst such as tetrakis (triphenylphosphine) palladium and an aromatic di- or tri-substituted halide such as dibromofluorobenzene, diiodobenzene, tribromobenzene, trichlorotriazine and diiodobiphenyl. (About 0.1 to 10 mol%), in the presence of a base such as cesium carbonate, potassium phosphate, sodium carbonate (about 2 to 10 times equivalent to the halogen atom of the halide), toluene-ethanol, toluene-water , Tetrahydrofuran, diol , Dimethoxyethane, N, N-dimethylformamide, etc., or a mixed solvent system thereof (the boronic acid concentration is about 1 to 1000 mmol%), and heated to reflux in an inert gas atmosphere for about 5 to 24 hours. To form a basic skeleton having a fluorine atom as a substituent.

次に、置換または無置換のカルバゾール(前記フッ素原子を置換基に有する基本骨格上のフッ素原子に対して1.1〜10当量程度)を、乾燥ガス雰囲気下および/または不活性ガス雰囲気下、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶媒中、−78〜+60℃の温度範囲で水素化ナトリウム、tert−ブトキシカリウム、n−ブチルリチウムなどの強塩基(後述するアゾール化合物のN上水素に対して0.9〜2当量程度)と0.1〜60時間撹拌して反応させたものと、先に得られるフッ素原子を置換基に有する基本骨格のテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶液とを混合し、加熱還流下、1〜60時間撹拌することにより、本発明の有機化合物を得ることができる。   Next, substituted or unsubstituted carbazole (about 1.1 to 10 equivalents relative to the fluorine atom on the basic skeleton having the fluorine atom as a substituent) under a dry gas atmosphere and / or an inert gas atmosphere, Strong bases such as sodium hydride, tert-butoxypotassium, n-butyllithium (N of azole compounds described later) in a temperature range of −78 to + 60 ° C. in a solvent such as tetrahydrofuran, dioxane, ether, N, N-dimethylformamide. A mixture obtained by stirring and reacting for 0.1 to 60 hours with respect to hydrogen, and a basic skeleton of tetrahydrofuran, dioxane, ether, N, , N-dimethylformamide and the like, and the mixture is stirred for 1 to 60 hours under reflux with heating, whereby the organication of the present invention is performed. It is possible to obtain a thing.

b)ブロモフェニルボロン酸、ジブロモフェニルボロン酸、ジクロロフェニルボロン酸などのハロゲン化芳香族ボロン酸の小過剰(後述されるハロゲン化物のハロゲン原子に対して1.1〜1.5倍当量程度)とジヨードベンゼン、ブロモジヨードベンゼン、トリヨードベンゼン、トリクロロトリアジン、ジヨードビフェニルなどの2または3置換ハロゲン化物とをテトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウムなどのパラジウム触媒(前記ハロゲン化物のハロゲン原子に対して0.01〜1当量程度)、炭酸セシウム、リン酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの塩基(前記ハロゲン化物のハロゲン原子に対して2〜10当量程度)存在下、トルエン、エタノール、水、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミドなど、或いはそれらの混合溶媒系中(
前記ハロゲン化物濃度で1〜1000ミリモル%程度)、不活性ガス雰囲気下で5〜24時間程度、加熱還流させることにより、臭素原子または/および塩素原子を置換基に有する基本骨格を形成することができる。
b) A small excess of halogenated aromatic boronic acid such as bromophenylboronic acid, dibromophenylboronic acid, dichlorophenylboronic acid (about 1.1 to 1.5 times equivalent to the halogen atom of the halide described later) A di- or tri-substituted halide such as diiodobenzene, bromodiiodobenzene, triiodobenzene, trichlorotriazine, or diiodobiphenyl and a palladium catalyst such as tetrakis (triphenylphosphine) palladium (based on the halogen atom of the halide). 0.01 to 1 equivalent), in the presence of a base such as cesium carbonate, potassium phosphate, sodium carbonate (about 2 to 10 equivalents relative to the halogen atom of the halide), toluene, ethanol, water, tetrahydrofuran, dioxane , Dimethoxyethane, N, N-di Such as chill formamide, or a mixed solvent system thereof (
The basic skeleton having a bromine atom and / or a chlorine atom as a substituent can be formed by heating and refluxing in an inert gas atmosphere for about 5 to 24 hours under an inert gas atmosphere. it can.

更に、必要に応じて、得られた臭素基を有する基本骨格から、ヨウ化カリウム(前記基本骨格上の臭素原子に対して1.5〜10当量)、ヨウ化銅(1〜10当量)存在下、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶媒(前記ハロゲン化物濃度で0.1〜10モル%程度)中、100〜300℃で0.5〜60時間撹拌することにより、臭素基がヨウ素基に変換された基本骨格を得ることができる。
次に、臭素原子または/および塩素原子を置換基に有する基本骨格と、カルバゾール(前記臭素原子または/および塩素原子を置換基に有する基本骨格上の臭素原子または/および塩素原子に対して1.0〜100当量程度)とを、
Furthermore, if necessary, from the basic skeleton having a bromine group, potassium iodide (1.5 to 10 equivalents relative to the bromine atom on the basic skeleton), copper iodide (1 to 10 equivalents) is present. Under stirring in a solvent such as N, N-dimethylformamide (the halide concentration is about 0.1 to 10 mol%) at 100 to 300 ° C. for 0.5 to 60 hours, the bromine group becomes an iodine group. A converted basic skeleton can be obtained.
Next, a basic skeleton having a bromine atom or / and a chlorine atom as a substituent and carbazole (1. with respect to a bromine atom and / or a chlorine atom on the basic skeleton having a bromine atom or / and a chlorine atom as a substituent). 0 to 100 equivalents)

(1) 銅粉末、銅線、ハロゲン化銅(CuX(X=Cl、Br、I))、酸化銅(
CuO)などの銅触媒(前記臭素原子または/および塩素原子を置換基に有する基本骨格上の臭素原子または/および塩素原子に対して1〜5当量程度)存在下、不活性ガス気流下、無溶媒またはテトラグライム、ポリエチレングリコールなどの溶媒(前記基本骨格1モルに対して0.1〜2リットル程度)中、20〜300℃の温度範囲で、1〜60時間撹拌混合するか、
(2) Pd(dba)(Pd=パラジウム、dba=ジベンジリデンアセトン)、
Pd(dba)、酢酸パラジウムなどの2価のパラジウム触媒と、BINAP(=2,2-ビス(ジフェニルフォスフィノ-1,1’-ビナフチル)、トリ(tert−ブチル)フォス
フィン、トリフェニルフォスフィン、1,2−ビス(ジフェニルフォスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)プロパン、1,3−ビス(ジフェニルフォスフィノ)ブタン、dppf(=1,1’-ビス(ジフェニルフォスフィノ)フェロセン)などのリガンド類の組合せ、或いはPd(PPh)(Ph=フェニル)などの0価のパラジウム錯体、或いはPdCl(dppf)などのパラジウム塩化物錯体などの触媒(通常、前記臭素原子または/および塩素原子を置換基に有する基本骨格上の臭素原子または/および塩素原子1当量に対して0.01〜1当量程度)と、必要に応じてtert-ブトキシ
カリウム、tert-ブトキシナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミンなどの強塩基類
(通常、反応で生成し得るハロゲン化水素1当量に対して、1.1〜10当量)存在下、必要に応じてヨウ化銅などの銅触媒(通常、反応で生成し得るハロゲン化水素1当量に対して、1〜10当量)共存下、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、トリエチルアミンなどの溶媒(通常、前記臭素原子または/および塩素原子を置換基に有する基本骨格の濃度で0.1〜100ミリモル%程度)中、30〜200℃で1〜60時間かけて撹拌するなどにより、本発明の有機化合物を得ることが出来る。
(1) Copper powder, copper wire, copper halide (CuX a (X a = Cl, Br, I)), copper oxide (
CuO) and other copper catalysts (about 1 to 5 equivalents to bromine atoms and / or chlorine atoms on the basic skeleton having a bromine atom and / or chlorine atom as a substituent), in an inert gas stream, no In a solvent or a solvent such as tetraglyme and polyethylene glycol (about 0.1 to 2 liters per 1 mol of the basic skeleton), the mixture is stirred and mixed at a temperature range of 20 to 300 ° C. for 1 to 60 hours,
(2) Pd 2 (dba) 3 (Pd = palladium, dba = dibenzylideneacetone),
Bivalent palladium catalyst such as Pd (dba) 2 and palladium acetate, BINAP (= 2,2-bis (diphenylphosphino-1,1′-binaphthyl), tri (tert-butyl) phosphine, triphenylphosphine 1,2-bis (diphenylphosphino) ethane, 1,3-bis (diphenylphosphino) propane, 1,3-bis (diphenylphosphino) butane, dppf (= 1,1′-bis (diphenylphosphino) ) Ferrocene) or a combination of ligands such as Pd (PPh) 4 (Ph = phenyl) or a palladium valent complex such as PdCl 2 (dppf) 2 (usually bromine) 0 for 1 equivalent of bromine atom and / or chlorine atom on the basic skeleton having an atom or / and chlorine atom as a substituent 0.01-1 equivalent) and, if necessary, strong bases such as tert-butoxypotassium, tert-butoxysodium, potassium carbonate, triethylamine (usually 1 equivalent to 1 equivalent of hydrogen halide that can be produced in the reaction). .1 to 10 equivalents) in the presence of a copper catalyst such as copper iodide (usually 1 to 10 equivalents relative to 1 equivalent of hydrogen halide that can be produced by the reaction) in the presence of tetrahydrofuran, dioxane, dimethoxy Solvents such as ethane, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, xylene, toluene, triethylamine (usually about 0.1 to 100 mmol% at the concentration of the basic skeleton having a bromine atom and / or chlorine atom as a substituent) The organic compound of the present invention can be obtained by, for example, stirring at 30 to 200 ° C. for 1 to 60 hours.

c)その他にも、カップリングには、グリニヤ反応、亜鉛を用いた方法、スズを用いた方法など、公知の手法を適用可能であり、使用される触媒としては、パラジウム、ニッケル、銅などの遷移金属触媒が挙げられ、通常、触媒はカルバゾール環を有する中間体に対して0.1〜200モル%程度使用される。また、塩基性物質としては、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウムなどが挙げられ、通常、塩基性物質はカルバゾール環を有する中間体に対して50〜1000モル%程度使用される。反応温度としては、通常、0℃以上、好ましくは50℃以上、300℃以下、好ましくは、200℃以下である。反応に使用できる溶媒としては、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、エトレングリコールジメチルエーテル、テトラグライム等のエーテル系溶媒が挙げられる。   c) In addition, for the coupling, known methods such as a Grignard reaction, a method using zinc, a method using tin, and the like can be applied. Examples of the catalyst used include palladium, nickel, and copper. A transition metal catalyst is mentioned, Usually, a catalyst is used about 0.1-200 mol% with respect to the intermediate body which has a carbazole ring. Examples of the basic substance include potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, tert-butoxy sodium and the like. Usually, the basic substance is 50 to 1000 mol% with respect to the intermediate having a carbazole ring. Used to a degree. The reaction temperature is usually 0 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or higher and 300 ° C. or lower, preferably 200 ° C. or lower. Examples of the solvent that can be used for the reaction include aromatic solvents such as toluene, xylene, and nitrobenzene, and ether solvents such as tetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether, and tetraglyme.

(5) 2〜8−カルバゾリル基の導入方法としては、連結基Zが連結される位置に、塩
素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を有するカルバゾールとアリールボレートとのカップリング反応、若しくは、ハロゲン化アリールとカルバゾリルボレートとのカップリング反応を利用可能であり、具体的には、公知のカップリング手法(「Palladium in Heterocyclic Chemistry:A guide for the Synthetic Chemist」(第二版、2002、Jie Jack Li and Gordon W.Gribble、Pergamon社)、「遷移金属が拓く有機合成 その多彩な反応形式と最新の成果」(1997年、辻二郎、化学同仁社)、「ボルハルト・ショアー現代有機化学 下」(2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社))などに記載または引用
されている環同士の結合(カップリング)反応)を用いることができる。
(5) As a method for introducing a 2-8-carbazolyl group, a coupling reaction of a carbazole having a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine at a position where a linking group Z is linked with an aryl borate, or halogenation A coupling reaction between aryl and carbazolylborate can be used. Specifically, a known coupling method (“Palladium in Heterocyclic Chemistry: A guide for the Synthetic Chemist” (2nd edition, 2002, Jie Jack Li and Gordon W. Gribble, Pergamon), “Organic synthesis pioneered by transition metals, its various reaction forms and latest results” (1997, Junjiro, Kagaku Dojinsha), “Under Bolhardt Shore Modern Organic Chemistry” ( 2004, KPCVollhardt, Kagaku Dojinsha)) and the like can be used.

(6) 化合物の精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」(1993年、(財)日本化学会編)、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」(1988年、(株)アイ ピー シー発行)、或いは「実験化学講座(第4版)1」(1990年、(財)日本化学会編)の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。具体的には、抽出(懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む)、吸着、吸蔵、融解、晶析(溶媒からの再結晶、再沈殿を含む)、蒸留(常圧蒸留、減圧蒸留)、蒸発、昇華(常圧昇華、減圧昇華)、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー(形状分類:カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類:ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構:吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー。)などが挙げられる。 (6) Compound purification methods include “Separation and Purification Technology Handbook” (1993, edited by The Chemical Society of Japan), “High-level separation of trace components and difficult-to-purify substances by chemical conversion methods” (1988, ) Issued by IPC), or the methods described in the section “Separation and purification” in “Experimental Chemistry Course (4th edition) 1” (1990, edited by The Chemical Society of Japan) Is available. Specifically, extraction (including suspension washing, boiling washing, ultrasonic washing, acid-base washing), adsorption, occlusion, melting, crystallization (including recrystallization from solvent, reprecipitation), distillation (atmospheric pressure) Distillation, vacuum distillation), evaporation, sublimation (atmospheric pressure sublimation, vacuum sublimation), ion exchange, dialysis, filtration, ultrafiltration, reverse osmosis, pressure osmosis, zone lysis, electrophoresis, centrifugation, flotation separation, sedimentation separation, Magnetic separation, various chromatography (shape classification: column, paper, thin layer, capillary. Mobile phase classification: gas, liquid, micelle, supercritical fluid. Separation mechanism: adsorption, distribution, ion exchange, molecular sieve, chelate, gel filtration , Exclusion, affinity.).

(7) 生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ(GC)、高速液体クロマトグラフ(HPLC)、高速アミノ酸分析計(AAA)、キャピラリー電気泳動測定(CE)、サイズ排除クロマトグラフ(SEC)、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)、交差分別クロマトグラフ(CFC)質量分析(MS、LC/MS,GC/MS,MS/MS)、核磁気共鳴装置(NMR(HNMR,13CNMR))、フーリエ変換赤外分光高度計(FT−IR)、紫外可視近赤外分光高度計(UV.VIS,NIR)、電子スピン共鳴装置(ESR)、透過型電子顕微鏡(TEM−EDX)電子線マイクロアナライザー(EPMA)、金属元素分析(イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光(ICP−AES)原子吸光分析(AAS)蛍光X線分析装置(XRF))、非金属元素分析、微量成分分析(ICP−MS,GF−AAS,GD−MS)等を必要に応じ、適用可能である。 (7) Product confirmation and purity analysis methods include gas chromatograph (GC), high performance liquid chromatograph (HPLC), high performance amino acid analyzer (AAA), capillary electrophoresis measurement (CE), size exclusion chromatograph ( SEC), gel permeation chromatograph (GPC), cross-fractionation chromatograph (CFC) mass spectrometry (MS, LC / MS, GC / MS, MS / MS), nuclear magnetic resonance apparatus (NMR ( 1 HNMR, 13 CNMR)) , Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR), ultraviolet visible near infrared spectrophotometer (UV.VIS, NIR), electron spin resonance apparatus (ESR), transmission electron microscope (TEM-EDX), electron beam microanalyzer ( EPMA), metal element analysis (ion chromatography, inductively coupled plasma-emission spectroscopy (ICP-AES) atomic absorption) Analysis (AAS) X-ray fluorescence analyzer (XRF)), non-metallic element analysis, trace component analysis (ICP-MS, GF-AAS, GD-MS) and the like can be applied as necessary.

(有機化合物の用途)
本発明の有機化合物は、高い電荷輸送性を有するため、電荷輸送材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。
また、高い三重項励起準位を有することから、本発明の有機化合物からなる電荷輸送材料を用いることにより、耐熱性に優れ、長期間安定に駆動(発光)する有機電界発光素子が得られるため、本発明の有機化合物および電荷輸送材料は有機電界発光素子材料として、とりわけ好適である。
(Use of organic compounds)
Since the organic compound of the present invention has high charge transportability, it can be suitably used as an electrophotographic photosensitive member, an organic electroluminescent device, a photoelectric conversion device, an organic solar cell, an organic rectifying device and the like as a charge transport material.
In addition, since it has a high triplet excitation level, an organic electroluminescent device that has excellent heat resistance and can be stably driven (emitted) for a long period of time can be obtained by using the charge transport material comprising the organic compound of the present invention. The organic compound and charge transport material of the present invention are particularly suitable as an organic electroluminescent element material.

<電荷輸送材料組成物>
本発明の電荷輸送材料組成物は、前述の本発明の有機化合物、好ましくは、さらに溶剤を含むものであり、好ましくは、有機電界発光素子用に使用される。また、本発明の電荷輸送材料組成物は、さらに、下記詳述する発光材料を含んでいてもよい。
[1]溶剤
本発明の電荷輸送材料組成物に含まれる溶剤としては、溶質である本発明の電荷輸送材料等が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。
<Charge transport material composition>
The charge transport material composition of the present invention contains the organic compound of the present invention described above, preferably a solvent, and is preferably used for an organic electroluminescent device. Moreover, the charge transport material composition of the present invention may further contain a light emitting material described in detail below.
[1] Solvent The solvent contained in the charge transport material composition of the present invention is not particularly limited as long as it is a solvent in which the charge transport material of the present invention which is a solute dissolves well.

本発明の電荷輸送材料は溶解性が非常に高いため、種々の溶剤が適用化能である。例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン;メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。   Since the charge transport material of the present invention has very high solubility, various solvents can be applied. For example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene and tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene and anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and other aromatic ethers; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoic acid Aromatic esters such as ethyl, propyl benzoate and n-butyl benzoate; ketones having an alicyclic ring such as cyclohexanone and cyclooctanone; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; methyl ethyl ketone and cyclohexano Alcohol having an alicyclic ring such as ruthenium or cyclooctanol; Aliphatic alcohol such as butanol or hexanol; Aliphatic ether such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether or propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); Ethyl acetate In addition, aliphatic esters such as n-butyl acetate, ethyl lactate, and n-butyl lactate can be used. Of these, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin and the like are preferable in that they have low water solubility and are not easily altered.

有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式製膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される電荷輸送材料組成物は、例えば、25℃における水の溶解度が1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下である溶剤を、組成物中10重量%以上含有することが好ましい。
Since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, the presence of moisture in the composition causes moisture to remain in the dried film, degrading the device characteristics. The possibility is considered and it is not preferable.
Examples of the method for reducing the amount of water in the composition include nitrogen gas sealing, use of a desiccant, dehydration of the solvent in advance, use of a solvent having low water solubility, and the like. In particular, it is preferable to use a solvent having low water solubility because the solution film can prevent whitening by absorbing moisture in the atmosphere during the wet film-forming process. From such a viewpoint, the charge transport material composition to which the present embodiment is applied includes, for example, a solvent having a water solubility at 25 ° C. of 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less. It is preferable to contain 10% by weight or more in the product.

また、湿式製膜時における組成物からの溶剤蒸発による、製膜安定性の低下を低減するためには、電荷輸送材料組成物の溶剤として、沸点が100℃以上、好ましくは沸点が150℃以上、より好ましくは沸点が200℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、製膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要で、このためには通常沸点80℃以上、好ましくは沸点100℃以上、より好ましくは沸点120℃以上で、通常沸点270℃未満、好ましくは沸点250℃未満、より好ましくは沸点230℃未満の溶剤を用いることが効果的である。
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、2種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。
Further, in order to reduce deterioration in film formation stability due to solvent evaporation from the composition during wet film formation, the solvent of the charge transport material composition has a boiling point of 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher. More preferably, it is effective to use a solvent having a boiling point of 200 ° C. or higher. In order to obtain a more uniform film, it is necessary for the solvent to evaporate from the liquid film immediately after film formation at an appropriate rate. For this purpose, the boiling point is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher. It is effective to use a solvent having a boiling point of 120 ° C. or more, usually less than 270 ° C., preferably less than 250 ° C., more preferably less than 230 ° C.
A solvent that satisfies the above-mentioned conditions, ie, solute solubility, evaporation rate, and water solubility conditions, may be used alone. However, if a solvent that satisfies all the conditions cannot be selected, two or more solvents may be mixed. It can also be used.

<有機電界発光素子>
本発明の有機電界発光素子は、基板上に少なくとも陽極、陰極およびこれらの両極間に設けられた発光層を有するものであって、本発明の有機化合物を含有する層を有することを特徴とする。特に本発明の有機化合物を含有する層は発光層であることが好ましい。
図1〜7は本発明の有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は発光層、5は電子注入層、6は陰極を各々表す。
<Organic electroluminescent device>
The organic electroluminescent element of the present invention has at least an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate, and has a layer containing the organic compound of the present invention. . In particular, the layer containing the organic compound of the present invention is preferably a light emitting layer.
1 to 7 are schematic cross-sectional views showing structural examples suitable for the organic electroluminescence device of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a light emitting layer, 5 represents an electron injection layer, and 6 represents a cathode.

[1]基板
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル
、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
[1] Substrate The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and quartz or glass plates, metal plates, metal foils, plastic films, sheets, and the like are used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

[2]陽極
基板1上には陽極2が設けられる。陽極2は発光層側の層(正孔注入層3または発光層4など)への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。
[2] Anode An anode 2 is provided on the substrate 1. The anode 2 plays a role of hole injection into a layer on the light emitting layer side (such as the hole injection layer 3 or the light emitting layer 4).
This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or A conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline is used.

陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. In addition, when forming an anode using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution is used. The anode 2 can also be formed by dispersing and coating the substrate 1. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.
The surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve hole injection. Is preferred.

[3]正孔注入層
正孔注入層3は陽極2から発光層4へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層3には正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。
正孔注入層3では、電気的に中性の化合物から電子が一つ除かれたカチオンラジカルが、近傍の電気的に中性な化合物から一電子を受容することによって、正孔が移動する。素子非通電時の正孔注入層3にカチオンラジカル化合物が含まれない場合は、通電時に、正孔輸送性化合物が陽極2に電子を与えることにより正孔輸送性化合物のカチオンラジカルが生成し、このカチオンラジカルと電気的に中性な正孔輸送性化合物との間で電子の授受が行われることにより正孔を輸送する。
[3] Hole Injection Layer Since the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 4, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound.
In the hole injection layer 3, a cation radical obtained by removing one electron from an electrically neutral compound accepts one electron from a nearby electrically neutral compound, whereby holes move. When the cation radical compound is not included in the hole injection layer 3 when the element is not energized, the cation radical of the hole transport compound is generated when the hole transport compound gives electrons to the anode 2 during energization, Holes are transported by transferring electrons between the cation radical and an electrically neutral hole transporting compound.

正孔注入層3にカチオンラジカル化合物が含まれると、陽極2による酸化によって生成する以上の濃度で正孔輸送に必要なカチオンラジカルが存在することになり、正孔輸送性能が向上するため、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましい。カチオンラジカル化合物の近傍に電気的に中性な正孔輸送性化合物が存在すると、電子の受け渡しがスムーズに行われるため、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことがさらに好ましい。   When the hole injection layer 3 contains a cation radical compound, cation radicals necessary for hole transport are present at a concentration higher than that generated by oxidation by the anode 2, and the hole transport performance is improved. It is preferable that the hole injection layer 3 contains a cation radical compound. When an electrically neutral hole transporting compound is present in the vicinity of the cation radical compound, electrons are transferred smoothly, so that the hole injection layer 3 contains a cation radical compound and a hole transporting compound. Is more preferable.

ここで、カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物であり、移動しやすい正孔(フリーキャリア)を既に有している。
また、正孔輸送性化合物に電子受容性化合物を混合することによって、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物への一電子移動が起こり、上述のカチオンラジカル化合物が生成する。このため、正孔注入層3に正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことが好ましい。
Here, the cation radical compound is a cation radical that is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound, and an ionic compound composed of a counter anion, and already has holes (free carriers) that are easy to move. Yes.
Further, by mixing an electron-accepting compound with the hole-transporting compound, one-electron transfer from the hole-transporting compound to the electron-accepting compound occurs, and the above-described cation radical compound is generated. For this reason, it is preferable that the hole injection layer 3 contains a hole transporting compound and an electron accepting compound.

以上の好ましい材料についてまとめると、正孔注入層3に正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがさらに好ましい。また、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことがさらに好ましい。
さらに、必要に応じて、正孔注入層3には電荷のトラップになりにくいバインダー樹脂や、塗布性改良剤を含んでいてもよい。
Summarizing the above preferred materials, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound, and more preferably contains a hole transporting compound and an electron accepting compound. The hole injection layer 3 preferably contains a cation radical compound, and more preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.
Furthermore, the hole injection layer 3 may contain a binder resin that does not easily trap charges and a coating property improving agent as necessary.

但し、正孔注入層3として、電子受容性化合物のみを湿式製膜法によって陽極2上に製膜し、その上から直接、本発明の電荷輸送材料組成物を塗布、積層することも可能である。この場合、本発明の電荷輸送材料組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。   However, as the hole injection layer 3, it is also possible to form only the electron-accepting compound on the anode 2 by a wet film-forming method, and directly apply and laminate the charge transport material composition of the present invention from the film. is there. In this case, when a part of the charge transport material composition of the present invention interacts with the electron accepting compound, a layer excellent in hole injecting property is formed.

(正孔輸送性化合物)
正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。
正孔輸送性化合物の例としては、本発明の電荷輸送材料の他、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。
芳香族アミン化合物の中でも、特に、芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
(Hole transporting compound)
As the hole transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable.
Examples of the hole transporting compound include an aromatic amine compound, a phthalocyanine derivative, a porphyrin derivative, an oligothiophene derivative, a polythiophene derivative and the like in addition to the charge transport material of the present invention. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance.
Of the aromatic amine compounds, aromatic tertiary amine compounds are particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物)がさらに好ましい。
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(VII)で表される繰
り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
The kind of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (polymerized hydrocarbon compound in which repeating units are linked) is more preferable from the viewpoint of the surface smoothing effect.
Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following general formula (VII).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(一般式(VII)中、Ar21,Ar22は各々独立して、置換基を有していてもよい芳
香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar23〜Ar25は、各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれ
る連結基を表す。また、Ar21〜Ar25のうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。)
(In the general formula (VII), Ar 21 and Ar 22 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Each of Ar 23 to Ar 25 independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Y represents a linking group selected from the following group of linking groups, and among Ar 21 to Ar 25 , two groups bonded to the same N atom are bonded to each other to form a ring. May be.)

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(上記各式中、Ar31〜Ar41は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、または置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の1価または2価の基を表す。R31およびR32は、各々独立して、水素原子または任意の置換基を表す。))
Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の、1価または2価の基が適用可能である。これらは各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。
(In the above formulas, Ar 31 to Ar 41 are each independently an aromatic hydrocarbon ring optionally having a substituent or an aromatic heterocyclic ring optionally having a substituent. R 31 and R 32 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.))
As Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 , a monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These may be the same or different from each other. Moreover, you may have arbitrary substituents.

その芳香族炭化水素環としては、5または6員環の単環または2〜5縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などが挙げられる。
また、その芳香族複素環としては、5または6員環の単環または2〜4縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon ring include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring. Specific examples include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring and the like.
The aromatic heterocycle includes a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, Thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring , Synoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring and the like.

また、Ar23〜Ar25、Ar31〜Ar35、Ar37〜Ar40としては、上に例示した1種類または2種類以上の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の2価の基を2つ以上連結して用いることもできる。
Ar21〜Ar41の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、次の置換基群Wから選ばれる1種または2種以上が挙げられる。
In addition, Ar 23 to Ar 25 , Ar 31 to Ar 35 , and Ar 37 to Ar 40 may be a divalent group derived from one or more of the aromatic hydrocarbon rings and / or aromatic heterocycles exemplified above. Two or more groups may be linked and used.
The group derived from the aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle of Ar 21 to Ar 41 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. The type of the substituent is not particularly limited, and examples thereof include one or more selected from the following substituent group W.

〈置換基群W〉
メチル基、エチル基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは8以下のアルキル基;ビニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルケニル基;エチニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルキニル基;メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルコキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは7以下のアルコキシカルボニル基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常2以上、通常20以下、好ましくは12以下のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の、炭素数が通常10以上、好ましくは12以上、通常30以下、好ましくは22以下のジアリールアミノ基;フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常6以上、好ましくは7以上、通常25以下、好ましくは17以下のアリールアルキルアミノ基;アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常2以上、通常10以下、好ましくは7以下のアシル基;フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常1以上、通常8以下、好ましくは4以下のハロアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルキルチオ基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールチオ基;トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシリル基;トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシロキシ基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常6以上、通常30以下、好ましくは18以下の芳香族炭化水素環基;チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常3以上、好ましくは4以上、通常28以下、好ましくは17以下の芳香族複素環基。
<Substituent group W>
An alkyl group having usually 1 or more, usually 10 or less, preferably 8 or less, such as a methyl group or an ethyl group; an alkenyl group having usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 5 or less, such as a vinyl group An alkynyl group having usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 5 or less, such as an ethynyl group; an alkoxy having a carbon number of usually 1 or more, usually 10 or less, preferably 6 or less, such as a methoxy group or an ethoxy group; A group; an aryloxy group such as a phenoxy group, a naphthoxy group, a pyridyloxy group, etc., usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 25 or less, preferably 14 or less; a carbon such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group An alkoxycarbonyl group having a number of usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 7 or less; a dimethylamino group, a diethylamino group or the like, and usually having 2 or more carbon atoms Usually 20 or less, preferably 12 or less dialkylamino group; diphenylamino group, ditolylamino group, N-carbazolyl group, etc., and usually diarylamino having 10 or more carbon atoms, preferably 12 or more, usually 30 or less, preferably 22 or less Group: an arylalkylamino group having 6 or more carbon atoms, preferably 7 or more, usually 25 or less, preferably 17 or less, such as a phenylmethylamino group; an acetyl group, a benzoyl group or the like, and usually having 2 or more carbon atoms, Usually an acyl group of 10 or less, preferably 7 or less; a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom; a haloalkyl group having a carbon number of usually 1 or more, usually 8 or less, preferably 4 or less, such as a trifluoromethyl group; An alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, preferably 6 or less, preferably 6 or less; An arylthio group having usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 25 or less, preferably 14 or less, such as a ruthio group, a naphthylthio group, or a pyridylthio group; Or more, preferably 3 or more, usually 33 or less, preferably 26 or less silyl group; trimethylsiloxy group, triphenylsiloxy group, etc., the carbon number is usually 2 or more, preferably 3 or more, usually 33 or less, preferably 26 or less. A siloxy group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon ring group having usually 6 or more, usually 30 or less, preferably 18 or less, such as a phenyl group or a naphthyl group; a carbon number such as a thienyl group or a pyridyl group. An aromatic heterocyclic group of 3 or more, preferably 4 or more, usually 28 or less, preferably 17 or less.

Ar21、Ar22としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。
また、Ar23〜Ar25としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。
Ar 21 and Ar 22 are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, or a pyridine ring from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.
Ar 23 to Ar 25 are preferably divalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including redox potential. More preferably a group, a biphenylene group, or a naphthylene group.

31、R32としては、水素原子または任意の置換基が適用可能である。これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。置換基の種類は、特に制限されないが、適用可能な置換基を例示するならば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子が挙げられる。これらの具体例としては、前記の置換基群Wにおいて例示した各基が挙げられる。 As R 31 and R 32 , a hydrogen atom or an arbitrary substituent can be applied. These may be the same or different from each other. The type of the substituent is not particularly limited, and examples of applicable substituents include alkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic rings. Group and halogen atom. Specific examples thereof include the groups exemplified in the above substituent group W.

一般式(VII)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体
例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(PB−1)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (VII) include those described in WO2005 / 089024, and preferred examples thereof are also the same. Although the compound (PB-1) represented by Structural Formula is mentioned, it is not limited to them at all.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

他の芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(VIII)および/または一般式(IX)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。   Preferable examples of the other aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds containing a repeating unit represented by the following general formula (VIII) and / or general formula (IX).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(一般式(VIII)、(IX)中、Ar45,Ar47およびAr48は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar44およびAr46は各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表す。また、Ar45〜Ar48のうち、同一のN原子に結合する2つの基は互いに結合して環を形成してもよい。R41〜R43は各々独立して、水素原子または任意の置換基を表す。)
Ar45,Ar47,Ar48およびAr44、Ar46の具体例、好ましい例、有していてもよい置換基の例および好ましい置換基の例は、それぞれ、Ar21,Ar22およびAr23〜Ar25と同様である。R41〜R43はとして好ましくは水素原子または[置換基群W]に記載されている置換基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族炭化水素基である。
(In the general formulas (VIII) and (IX), Ar 45 , Ar 47 and Ar 48 are each independently an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a substituent. Each of Ar 44 and Ar 46 independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent which may have a substituent; In addition, among Ar 45 to Ar 48 , two groups bonded to the same N atom may be bonded to each other to form a ring, and R 41 to R 43 are each independently And represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.)
Specific examples of Ar 45 , Ar 47 , Ar 48 and Ar 44 , Ar 46 , preferred examples, examples of substituents that may be included, and examples of preferred substituents are Ar 21 , Ar 22 and Ar 23 to Ar respectively. Same as Ar 25 . R 41 to R 43 are preferably a hydrogen atom or a substituent described in [Substituent group W], and more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, an aromatic hydrocarbon group, It is an aromatic hydrocarbon group.

一般式(VIII)および/または(IX)で表される繰り返し単位を含む芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であるが、何らそれらに限定されるものではない。
また、湿式製膜法により正孔注入層を形成する場合には、種々の溶剤に溶解し易い正孔輸送性化合物が好ましい。芳香族三級アミン化合物としては、例えば、ビナフチル系化合
物(特開2004−014187)および非対称1,4−フェニレンジアミン化合物(特開2004−026732)が好ましい。
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound containing a repeating unit represented by the general formula (VIII) and / or (IX) include those described in WO2005 / 089024, and preferred examples thereof are also included. Although it is the same, it is not limited to them at all.
Moreover, when forming a positive hole injection layer with a wet film forming method, the positive hole transport compound which is easy to melt | dissolve in a various solvent is preferable. As the aromatic tertiary amine compound, for example, a binaphthyl compound (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-014187) and an asymmetric 1,4-phenylenediamine compound (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-026732) are preferable.

また、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜精製材料として利用されてきた芳香族アミン化合物の中から、種々の溶剤に溶解し易い化合物を適宜選択してもよい。正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能な芳香族アミン化合物としては、例えば、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の層形成材料として利用されてきた、従来公知の化合物が挙げられる。例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59−194393号公報);4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン化合物(特開平5−234681号公報);トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン化合物(米国特許第4,923,774号);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族ジアミン化合物(米国特許第4,764,625号);α,α,α’,α’−テトラメチル−α,α’−ビス(4−ジ(p−トリル)アミノフェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公報);分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−129271号公報);ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開平4−175395号公報);エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開平4−264189号公報);スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4−290851号公報);チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結した化合物(特開平4−304466号公報);スターバースト型芳香族トリアミン化合物(特開平4−308688号公報);ベンジルフェニル化合物(特開平4−364153号公報);フルオレン基で3級アミンを連結した化合物(特開平5−25473号公報);トリアミン化合物(特開平5−239455号公報);ビスジピリジルアミノビフェニル(特開平5−320634号公報);N,N,N−トリフェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報);フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特開平7−138562号公報);ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公報);ヒドラゾン化合物(特開平2−311591号公報);シラザン化合物(米国特許第4,950,950号公報);シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報);ホスファミン誘導体(特開平6−25659号公報);キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの芳香族アミン化合物は、必要に応じて2種以上を混合して用いてもよい。   In addition, compounds that are easily soluble in various solvents may be appropriately selected from aromatic amine compounds that have been conventionally used as a hole injection / transport thin film purification material in organic electroluminescent devices. Examples of the aromatic amine compound applicable to the hole-transporting compound of the hole-injecting layer include conventionally known compounds that have been utilized as a hole-injecting / transporting layer-forming material in organic electroluminescence devices. It is done. For example, an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit such as 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane is linked (JP 59-194393 A); 4,4′- An aromatic amine compound containing two or more tertiary amines represented by bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms No. 5-23481); an aromatic triamine compound having a starburst structure as a derivative of triphenylbenzene (US Pat. No. 4,923,774); N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3- Aromatic diamine compounds such as methylphenyl) biphenyl-4,4′-diamine (US Pat. No. 4,764,625); α, α, α ′, α′-tetramethyl-α, α′- (4-di (p-tolyl) aminophenyl) -p-xylene (Japanese Patent Laid-Open No. 3-269084); sterically asymmetric triphenylamine derivative as a whole molecule (Japanese Patent Laid-Open No. 4-129271); pyrenyl A compound in which a plurality of aromatic diamino groups are substituted on the group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-175395); an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit is linked with an ethylene group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-264189); a styryl structure An aromatic diamine having a thiophene group (JP-A-4-290851); a compound in which an aromatic tertiary amine unit is linked by a thiophene group (JP-A-4-304466); a starburst type aromatic triamine compound (JP-A-4-30481) 308688); benzylphenyl compound (Japanese Patent Laid-Open No. 4-364153); Compounds in which thiones are linked (JP-A-5-25473); triamine compounds (JP-A-5-239455); bisdipyridylaminobiphenyl (JP-A-5-320634); N, N, N-triphenylamine Derivatives (JP-A-6-1972); Aromatic diamines having a phenoxazine structure (JP-A-7-138562); Diaminophenylphenanthridine derivatives (JP-A-7-252474); 2-311591); silazane compounds (US Pat. No. 4,950,950); silanamine derivatives (JP-A-6-49079); phosphamine derivatives (JP-A-6-25659); quinacridone compounds, etc. Can be mentioned. These aromatic amine compounds may be used in combination of two or more as required.

また、正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能なフタロシアニン誘導体またはポルフィリン誘導体の好ましい具体例としては、ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンコバルト(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン銅(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンバナジウム(IV)オキシド、5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)−21H,23H−ポルフィリン、29H,31H−フタロシアニン銅(II)、フタロシアニン亜鉛(II)、フタロシアニンチタン、フタロシアニンオキシドマグネシウム、フタロシアニン鉛、フタロシアニン銅(II)、4,4’,4”,4'''−テトラ
アザ−29H,31H−フタロシアニン等が挙げられる。
Preferred specific examples of the phthalocyanine derivative or porphyrin derivative applicable to the hole transporting compound of the hole injection layer include porphyrin, 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin, 5,10 , 15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin cobalt (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin copper (II), 5,10,15,20-tetraphenyl- 21H, 23H-porphyrin zinc (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin vanadium (IV) oxide, 5,10,15,20-tetra (4-pyridyl) -21H, 23H -Porphyrin, 29H, 31H-phthalocyanine copper (II), phthalocyanine zinc (II), Russia Nin titanium, phthalocyanine oxide magnesium, phthalocyanine lead, phthalocyanine copper (II), 4,4 ', 4 ", 4''' - tetraaza-29H, 31H-phthalocyanine, and the like.

また、正孔注入層の正孔輸送性化合物として適用可能なオリゴチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、α−ターチオフェンとその誘導体、α−セキシチオフェンとその誘導体、ナフタレン環を含有するオリゴチオフェン誘導体(特開平6−256341)等が挙げられる。
また、本発明における正孔輸送性化合物として適用可能なポリチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)等が挙げられる。
Further, preferred specific examples of the oligothiophene derivative applicable as the hole transporting compound of the hole injection layer include α-terthiophene and its derivatives, α-sexithiophene and its derivatives, and oligothiophene containing a naphthalene ring. Derivatives (JP-A-6-256341) and the like.
Further, preferred specific examples of the polythiophene derivative applicable as the hole transporting compound in the present invention include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly (3-hexylthiophene) and the like.

なお、これらの正孔輸送性化合物の分子量は、高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合性化合物)の場合を除いて、通常9000以下、好ましくは5000以下、また、通常200以上、好ましくは400以上の範囲である。正孔輸送性化合物の分子量が高過ぎると合成および精製が困難であり好ましくない一方で、分子量が低過ぎると耐熱性が低くなるおそれがありやはり好ましくない。   The molecular weight of these hole transporting compounds is usually 9000 or less, preferably 5000 or less, and usually 200 or more, preferably 400 or more, except in the case of a polymer compound (a polymerizable compound in which repeating units are continuous). Range. If the molecular weight of the hole transporting compound is too high, synthesis and purification are difficult, which is not preferable. On the other hand, if the molecular weight is too low, the heat resistance may be lowered, which is also not preferable.

正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用するのが好ましい。
(電子受容性化合物)
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use the above together.
(Electron-accepting compound)
The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is further more preferable.

例としては、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特
開平11−251067)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。
Examples include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (JP-A-11-251067), ammonium peroxodisulfate and the like. Examples thereof include valent inorganic compounds, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365), fullerene derivatives, iodine and the like.

上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(A−2)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。
Of the above compounds, onium salts substituted with organic groups and high valent inorganic compounds are preferred because of their strong oxidizing power, and organic groups are substituted because they are soluble in various solvents and applicable to wet coating. Preferred are onium salts, cyano compounds, and aromatic boron compounds.
Specific examples of an onium salt substituted with an organic group, a cyano compound, and an aromatic boron compound suitable as an electron-accepting compound include those described in WO 2005/089024, and suitable examples thereof are also the same. Although the compound (A-2) represented by the following structural formula is mentioned, it is not limited to them at all.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(カチオンラジカル化合物)
カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物である。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
(Cation radical compound)
The cation radical compound is an ionic compound composed of a cation radical which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound and a counter anion. However, when the cation radical is derived from a hole transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.

カチオンラジカルは、正孔輸送性化合物に前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましく、正孔輸送性化合物としてさらに好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性などの点からさらに好ましい。
カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンからなるカチオンイオン化合物が生成する。
The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the aforementioned compound in the hole transporting compound, and is preferably a chemical species obtained by removing one electron from a compound more preferable as the hole transporting compound. From the viewpoints of visible light transmittance, heat resistance, solubility, and the like.
The cation radical compound can be generated by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound. That is, by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound, electron transfer occurs from the hole transporting compound to the electron accepting compound, and the cation radical and the counter anion of the hole transporting compound are included. A cation ion compound is formed.

PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラルジン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合(脱水素重合)、即ち、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、または、電気化学的に酸化することによっても生成する。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより、高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。   Cationic radical compounds derived from polymer compounds such as PEDOT / PSS (Adv. Mater., 2000, 12, 481) and emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, 94, 7716) It is also generated by oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), that is, by oxidizing a monomer chemically or electrochemically with peroxodisulfate in an acidic solution. In the case of this oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), the monomer is oxidized to be polymerized, and the cation radical is formed by removing one electron from the repeating unit of the polymer with an anion derived from an acidic solution as a counter anion. Produces.

正孔注入層3は、湿式製膜法または真空蒸着法により陽極2上に形成される。
陽極2として一般的に用いられるITO(インジウム・スズ酸化物)は、その表面粗さが10nm程度の粗さ(Ra)を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、短絡欠陥を生じ易いという問題があった。陽極2の上に形成される正孔注入層3は湿式製膜法により形成することは、真空蒸着法より形成する場合と比較して、これら陽極表面の凹凸に起因する、素子の欠陥の発生を低減する利点を有する。
The hole injection layer 3 is formed on the anode 2 by a wet film forming method or a vacuum deposition method.
ITO (indium tin oxide), which is generally used as the anode 2, has a surface roughness of about 10 nm (Ra) and, in addition, often has protrusions locally, resulting in short-circuit defects. There was a problem that it was easy to produce. When the hole injection layer 3 formed on the anode 2 is formed by the wet film forming method, the generation of device defects due to the unevenness of the surface of the anode as compared with the case of forming by the vacuum deposition method. Has the advantage of reducing.

湿式製膜法による層形成の場合は、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上の所定量を、必要により電荷のト
ラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤を添加して、溶剤に溶解させて、塗布溶液を調製し、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式製膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層3を形成させる。
In the case of layer formation by the wet film-forming method, a predetermined amount of one or more of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) does not become a charge trap if necessary. Add binder resin and coatability improver, dissolve in solvent, prepare coating solution, by wet film forming method such as spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, inkjet method etc. It is applied on the anode and dried to form the hole injection layer 3.

湿式製膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されないが、正孔注入層に用いられる各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を失活させる恐れのある、失活物質または失活物質を発生させるものを含まないものが好ましい。具体的には、特開2005−93428号公報や特開2005−93427号公報に記載の溶剤が使用できる。   As the solvent used for the layer formation by the wet film forming method, any solvent can be used as long as it can dissolve the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound). Is not particularly limited, but generates a deactivated substance or deactivated substance that may deactivate each material (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) used in the hole injection layer The thing which does not contain is preferable. Specifically, the solvents described in JP 2005-93428 A and JP 2005-93427 A can be used.

真空蒸着法による層形成の場合には、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。
このようにして形成される正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
なお、正孔注入層3は、図6に示す如く、これを省略しても良い。
In the case of forming a layer by vacuum deposition, one or more of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) are put in a crucible installed in a vacuum vessel ( If two or more materials are used, put them in each crucible), evacuate the vacuum vessel to about 10 -4 Pa with a suitable vacuum pump, and then heat the crucible (if two or more materials are used, each Heat the crucible) and evaporate by controlling the amount of evaporation (if more than one material is used, evaporate by controlling the amount of evaporation independently) and place it positively on the anode of the substrate placed facing the crucible A hole injection layer is formed. In addition, when using 2 or more types of materials, they can also be put into a crucible, can be heated and evaporated, and can be used for hole injection layer formation.
The film thickness of the hole injection layer 3 thus formed is usually in the range of 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.
The hole injection layer 3 may be omitted as shown in FIG.

[4]発光層
正孔注入層3の上、或いは下記詳述する正孔輸送層の上には通常発光層4が設けられる。発光層4は下記発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極6から電子輸送層5を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層4は発光材料(ドーパント)と1種または2種以上のホスト材料を含むことが好ましく、発光層4は本発明の有機化合物をホスト材料として含むことがさらに好ましく、真空蒸着法で形成しても良いが、本発明の電荷輸送材料組成物を用い、湿式製膜法によって作製された層であってもよい。
[4] Light-Emitting Layer The light-emitting layer 4 is usually provided on the hole injection layer 3 or the hole transport layer described in detail below. The light emitting layer 4 is a layer containing the following light emitting material, and between the electrodes to which an electric field is applied, holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and electrons injected from the cathode 6 through the electron transport layer 5. It is a layer which is excited by recombination with and becomes a main light emitting source. The light-emitting layer 4 preferably contains a light-emitting material (dopant) and one or more host materials. The light-emitting layer 4 more preferably contains the organic compound of the present invention as a host material, and is formed by a vacuum evaporation method. However, it may be a layer formed by a wet film-forming method using the charge transport material composition of the present invention.

ここで、湿式製膜法とは、前述の如く、溶剤を含む組成物を、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等により製膜するものである。
湿式成膜法の場合は、ホスト材料と、発光材料、さらに必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スピンコート法などの方法により塗布し、乾燥して発光層5を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔/電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、50重量%以下が好ましい。
Here, as described above, the wet film forming method is a method in which a composition containing a solvent is formed by spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, an ink jet method, or the like.
In the case of the wet film-forming method, the host material and the light-emitting material, and if necessary, additives such as a binder resin that does not become an electron trap or a light-quenching quencher, and a coating property improving agent such as a leveling agent were added and dissolved. The light-emitting layer 5 is formed by preparing a coating solution, applying the solution by a method such as spin coating, and drying. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. When the amount of the binder resin added is large, the hole / electron mobility is lowered. Therefore, the smaller amount is desirable, and 50% by weight or less is preferable.

真空蒸着法の場合には、前記ホスト材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、ドープする色素を別のるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで1.0×10-4Torr程度にまで排気した後、各々のるつぼを同時に加熱して蒸発させ、るつぼと向かい合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを同一のるつぼを用いて蒸発させてもよい。 In the case of the vacuum deposition method, the host material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, the dye to be doped is put in another crucible, and the inside of the vacuum vessel is 1.0 × 10 −4 Torr with an appropriate vacuum pump. After evacuating to a degree, each crucible is heated and evaporated simultaneously to form a layer on the substrate placed opposite the crucible. As another method, a mixture of the above materials in a predetermined ratio may be evaporated using the same crucible.

上記各ドーパントが発光層中にドープされる場合、発光層の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例えば、正孔輸送層との界面近傍にのみドープしたり、逆に、正孔阻止層界面近傍にドープしてもよい。
発光層も下記正孔輸送層と同様の方法で形成することができる。
When each said dopant is doped in a light emitting layer, although doped uniformly in the film thickness direction of a light emitting layer, there may exist concentration distribution in a film thickness direction. For example, it may be doped only in the vicinity of the interface with the hole transport layer, or conversely, it may be doped in the vicinity of the interface of the hole blocking layer.
The light emitting layer can also be formed by the same method as the hole transport layer described below.

(発光材料)
発光材料とは、主として発光する成分を指し、有機ELデバイスにおけるドーパント成分に当たる。
発光材料としては、任意の公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料あるいは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
尚、溶剤への溶解性を向上させる場合は、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、あるいはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。
(Luminescent material)
A light emitting material mainly refers to a component that emits light, and corresponds to a dopant component in an organic EL device.
As the luminescent material, any known material can be applied, and a fluorescent luminescent material or a phosphorescent luminescent material can be used alone or in combination. A phosphorescent luminescent material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency.
In order to improve the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of the light emitting material molecule or to introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.

青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。   Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.

燐光発光材料としては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式(V)または下記一般式(VI)で表される化合物が挙げられる。
Examples of the phosphorescent material include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following general formula (V) or the following general formula (VI).

ML(q−j)L’j (V)
(一般式(V)中、Mは金属を表し、qは上記金属の価数を表す。また、LおよびL’は二座配位子を表す。jは0、1または2を表す。)
ML (q−j) L′ j (V)
(In general formula (V), M represents a metal, q represents the valence of the metal, L and L ′ represent a bidentate ligand, and j represents 0, 1 or 2.)

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(一般式(VI)中、Mは金属を表し、Tは炭素または窒素を表す。R92〜R95は、それ
ぞれ独立に置換基を表す。ただし、Tが窒素の場合は、R94およびR95は無い。)
以下、まず、一般式(V)で表される化合物について説明する。
一般式(V)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
(In the general formula (VI), M d represents a metal, T represents carbon or nitrogen. R 92 to R 95 each independently represent a substituent. However, when T is nitrogen, R 94 and R 95 is not.)
Hereinafter, the compound represented by the general formula (V) will be described first.
In the general formula (V), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.

また、一般式(V)中の二座配位子LおよびL’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。   Moreover, the bidentate ligands L and L ′ in the general formula (V) each represent a ligand having the following partial structure.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

Figure 2007169268
Figure 2007169268

L’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。   L ′ is particularly preferably the following from the viewpoint of the stability of the complex.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

上記L,L’の部分構造において、環A1は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環A2は、含窒素芳香族複素環基を
表し、これらは置換基を有していてもよい。
環A1,A2が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
In the partial structures of L and L ′, the ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent.
When the rings A1 and A2 have a substituent, preferred substituents include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; alkenyl groups such as vinyl groups; methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups. Alkoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkylamino groups such as dimethylamino groups and diethylamino groups; diarylamino groups such as diphenylamino groups; carbazolyl groups; An acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group.

一般式(V)で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the compound represented by the general formula (V) include compounds represented by the following general formulas (Va), (Vb), and (Vc).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(一般式(Va)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In general formula (Va), M a represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, and ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(一般式(Vb)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。) (In the general formula (Vb), M b represents the same metal as M, w represents the valence of the metal. Further, the ring A1 is an aromatic optionally substituted hydrocarbon group or a substituted Represents an aromatic heterocyclic group which may have a group, and ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(一般式(Vc)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、jは0、1または2を表す。さらに、環A1および環A1’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環A2および環A2’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。)
上記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)において、環A1および環A1’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
(In the general formula (Vc), M c represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, and j represents 0, 1 or 2. Further, ring A1 and ring A1 ′ represent Each independently represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group, and ring A2 and ring A2 ′ are each independently Represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
In the above general formulas (Va), (Vb), and (Vc), the group of ring A1 and ring A1 ′ is preferably, for example, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, thienyl group, furyl group, benzo Examples include thienyl group, benzofuryl group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.

また、環A2、環A2’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
さらに、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。
In addition, the group of ring A2 and ring A2 ′ is preferably a pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, A phenanthridyl group and the like can be mentioned.
Furthermore, the substituents that the compounds represented by the general formulas (Va), (Vb), and (Vc) may have include a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group; vinyl Alkenyl groups such as methoxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkyls such as dimethylamino groups and diethylamino groups An amino group; a diarylamino group such as a diphenylamino group; a carbazolyl group; an acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group;

上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常6以上14以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常2以上24以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常12以上28以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常1以上14以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上12以下である。   When the said substituent is an alkyl group, the carbon number is 1 or more and 6 or less normally. Furthermore, when the substituent is an alkenyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. When the substituent is an alkoxycarbonyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. Further, when the substituent is an alkoxy group, the carbon number is usually 1 or more and 6 or less. Moreover, when a substituent is an aryloxy group, the carbon number is 6 or more and 14 or less normally. Furthermore, when the substituent is a dialkylamino group, the carbon number is usually 2 or more and 24 or less. Further, when the substituent is a diarylamino group, the carbon number is usually 12 or more and 28 or less. Furthermore, when the substituent is an acyl group, the carbon number is usually 1 or more and 14 or less. Moreover, when a substituent is a haloalkyl group, the carbon number is 1 or more and 12 or less normally.

なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、または、環A1’が有する置換基と環A2’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このよ
うな縮合環基としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環A1、環A1’、環A2および環A2’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded. Two fused rings may be formed. Examples of such a condensed ring group include a 7,8-benzoquinoline group.
Among them, as a substituent of ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, a carbazolyl group Is mentioned.

また、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)におけるMa,Mb,Mcとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。
上記一般式(V)、(Va)、(Vb)または(Vc)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない(以下において、Phはフェニル基を表す。)。
Further, Ma, Mb, and Mc in the general formulas (Va), (Vb), and (Vc) are preferably ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold.
Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (V), (Va), (Vb) or (Vc) are shown below, but are not limited to the following compounds (in the following, Ph is phenyl Represents a group).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

Figure 2007169268
Figure 2007169268

上記一般式(V)、(Va)、(Vb)、(Vc)で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Lおよび/またはL’として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
次に、前記一般式(VI)で表される化合物について説明する。
Among the organometallic complexes represented by the general formulas (V), (Va), (Vb), and (Vc), in particular, as the ligand L and / or L ′, a 2-arylpyridine-based ligand, , 2-arylpyridine, a compound having an arbitrary substituent bonded thereto, and a compound having an arbitrary group condensed thereto are preferable.
Next, the compound represented by the general formula (VI) will be described.

一般式(VI)中、Mは金属を表し、具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。
また、一般式(VI)において、R92およびR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。
In the general formula (VI), M d represents a metal, and specific examples thereof include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold is preferable, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferable.
In the general formula (VI), R 92 and R 93 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, aralkyl group, alkenyl group, cyano group, amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carboxyl group. Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

さらに、Tが炭素の場合、R94およびR95は、それぞれ独立に、R92およびR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Tが窒素の場合はR94およびR95は無い。
また、R92〜R95はさらに置換基を有していてもよい。この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
Further, when T is carbon, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93 . Further, as described above, when T is nitrogen, R 94 and R 95 are absent.
R 92 to R 95 may further have a substituent. In this case, the substituent which may further be present is not particularly limited, and any group can be used as the substituent.

さらに、R92〜R95は互いに連結して環を形成してもよく、この環がさらに任意の置換
一般式(VI)で表される有機金属錯体の具体例(T−1,T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。
Furthermore, R 92 to R 95 may be linked to each other to form a ring, and this ring is further substituted with an arbitrary substituted general formula (VI). Specific examples of organometallic complexes (T-1, T-10) -T-15) is shown below, but is not limited to the following exemplified compounds. In the following, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

また、有機金属錯体としては、WO2005/019373号公報に記載の化合物も使用することができる。
なお、発光層4は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいても
よい。
一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その
為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。
Moreover, as an organometallic complex, the compounds described in WO2005 / 019373 can also be used.
In addition, the light emitting layer 4 may contain other materials and components as long as the performance of the present invention is not impaired.
In general, when the same material is used in the organic electroluminescent element, the thinner the film thickness between the electrodes, the larger the effective electric field, so that the injected current increases, so the driving voltage decreases. For this reason, the driving voltage of the organic electroluminescence device decreases when the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to the protrusion caused by the electrode such as ITO. Necessary.

本発明においては、発光層4以外に、正孔注入層3および後述の電子輸送層5等の有機層を有する場合、発光層4と正孔注入層3や電子輸送層5等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、さらに好ましくは100nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、さらに好ましくは300nm以下である。また、発光層4以外の正孔注入層3や後述の電子注入層5の導電性が高い場合、発光層4に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。   In the present invention, in addition to the light emitting layer 4, when the organic layer such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 described later is provided, the light emitting layer 4 and other organic materials such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 are used. The total film thickness combined with the layer is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, and more preferably 300 nm or less. In addition, when the conductivity of the hole injection layer 3 other than the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 described later is high, the amount of charge injected into the light emitting layer 4 increases. It is also possible to reduce the drive voltage while increasing the thickness to reduce the thickness of the light emitting layer 4 and maintaining the total thickness to some extent.

よって、発光層4の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。なお、本発明の素子が、陽極および陰極の両極間に、発光層4のみを有する場合の発光層4の膜厚は、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。   Therefore, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 200 nm or less. When the element of the present invention has only the light emitting layer 4 between the anode and the cathode, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, usually 500 nm or less, preferably 300 nm or less. is there.

[5]電子注入層
電子注入層5は陰極6から注入された電子を効率よく発光層4へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層5を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。
[5] Electron Injection Layer The electron injection layer 5 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 6 into the light emitting layer 4. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 5 is preferably a metal having a low work function, and alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium are used.

電子注入層5の膜厚は0.1〜5nmが好ましい。
また、陰極6と発光層4または後述の電子輸送層8との界面にLiF、MgF、LiO、CsCO等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−7
4586号公報;IEEETrans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。
The film thickness of the electron injection layer 5 is preferably 0.1 to 5 nm.
Also, an ultrathin insulating film (0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF 2 , Li 2 O, Cs 2 CO 3 may be inserted at the interface between the cathode 6 and the light emitting layer 4 or the electron transport layer 8 described later. This is an effective method for improving the efficiency of the device (Appl. Phys. Lett., 70, 152, 1997; JP-A-10-7).
No. 4586; IEEE Trans. Electron. Devices, 44, 1245, 1997; SID 04 Digest, 154).

さらに、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。   Furthermore, organic metal transport materials represented by metal complexes such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline described later are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium and rubidium. (Described in JP-A-10-270171, JP-A 2002-1000047, JP-A 2002-1000048, and the like) makes it possible to improve electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. Therefore, it is preferable. The film thickness in this case is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

電子注入層5は、発光層4と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼまたは金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、るつぼまたは金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 The electron injection layer 5 is formed by laminating on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the light emitting layer 4. In the case of vacuum deposition method, put the deposition source installed at a crucible or metal boat in a vacuum vessel, after evacuating to about 10- 4 Pa with a suitable vacuum pump vacuum vessel, the crucible or metal boat Heat and evaporate to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible or metal boat.

アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することによ
り、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼおよびディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。
このとき、電子注入層5の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。
なお、電子注入層5は、図5,6,7に示す如く、これを省略しても良い。
The alkali metal is deposited using an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated. When co-depositing an organic electron transport material and an alkali metal, after placing the organic electron transport material in a crucible installed in a vacuum vessel and evacuating the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump Each crucible and dispenser are heated simultaneously to evaporate to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible and dispenser.
At this time, co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 5, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction.
The electron injection layer 5 may be omitted as shown in FIGS.

[6]陰極
陰極6は、発光層側の層(電子注入層5または発光層4など)に電子を注入する役割を果たす。陰極6として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
[6] Cathode The cathode 6 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer side (such as the electron injection layer 5 or the light emitting layer 4). The material used for the cathode 6 can be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, such as tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

陰極6の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。   The film thickness of the cathode 6 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode increases the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used.

[7]その他の構成層
以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子における陽極2および陰極6と発光層4との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層4以外の任意の層を省略してもよい。
[7] Other Constituent Layers While the description has been given centering on the element having the layer constitution shown in FIG. 1, the performance between the anode 2 and the cathode 6 and the light emitting layer 4 in the organic electroluminescent element of the present invention is described. In addition to the layers described above, any layer may be included, and any layer other than the light emitting layer 4 may be omitted.

有してもよい層としては例えば、電子輸送層7が挙げられる。電子輸送層7は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、図2に示す如く、発光層4と電子注入層5との間に設けられる。
電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極6または電子注入層5からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
Examples of the layer that may be included include the electron transport layer 7. The electron transport layer 7 is provided between the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 as shown in FIG. 2 for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device.
The electron transport layer 7 is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode 6 between electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 4. As an electron transport compound used for the electron transport layer 7, the electron injection efficiency from the cathode 6 or the electron injection layer 5 is high, and the injected electrons can be efficiently transported with high electron mobility. It must be a compound.

このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−または5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。   Materials satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, Styryl biphenyl derivative, silole derivative, 3- or 5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound No. 207169), phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type sulfide Examples include zinc and n-type zinc selenide.

電子輸送層7の膜厚は、通常下限は1nm、好ましくは5nm程度であり、上限は通常300nm、好ましくは100nm程度である。
電子輸送層7は、正孔注入層3と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光
層4上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
また、特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合、図3,7に示す如く、正孔阻止層8を設けることも効果的である。正孔阻止層8は正孔と電子を発光層4内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層8は、発光層4から移動してくる正孔が電子輸送層7に到達するのを阻止することで、発光層4内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、電子輸送層7から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。
The lower limit of the thickness of the electron transport layer 7 is usually 1 nm, preferably about 5 nm, and the upper limit is usually about 300 nm, preferably about 100 nm.
The electron transport layer 7 is formed by laminating on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole injection layer 3. Usually, a vacuum deposition method is used.
In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting substance, it is also effective to provide the hole blocking layer 8 as shown in FIGS. The hole blocking layer 8 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 4 and improving luminous efficiency. That is, the hole blocking layer 8 is generated by blocking the holes moving from the light emitting layer 4 from reaching the electron transport layer 7, thereby increasing the recombination probability with electrons in the light emitting layer 4. There is a role of confining excitons in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting electrons injected from the electron transport layer 7 in the direction of the light emitting layer 4.

正孔阻止層8は、陽極2から移動してくる正孔を陰極6に到達するのを阻止する役割と、陰極6から注入された電子を率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物により、発光層4の上に、発光層4の陰極6側の界面に接するように積層形成される。
正孔阻止層8を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。
The hole blocking layer 8 prevents the holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 6 and can efficiently transport the electrons injected from the cathode 6 toward the light emitting layer 4. The compound is laminated on the light emitting layer 4 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 4 on the cathode 6 side.
The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 8 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high.

このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。   Examples of the hole blocking layer material satisfying such conditions include mixed arrangements of bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Ligand complexes, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives ( JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7-41759) And phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297).

さらに、WO2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。
正孔阻止層8の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
正孔阻止層8も正孔注入層3と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in WO2005 / 022962 is also preferable as the hole blocking material.
The film thickness of the hole blocking layer 8 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.
The hole blocking layer 8 can also be formed by the same method as the hole injection layer 3, but a vacuum deposition method is usually used.

電子輸送層7および正孔阻止層8は必要に応じて、適宜設ければよく、1)電子輸送層のみ、2)正孔阻止層のみ、3)正孔阻止層/電子輸送層の積層、4)用いない、等、用法がある。
正孔阻止層8と同様の目的で、図4に示す如く、正孔注入層3と発光層4の間に電子阻止層9を設けることも効果的である。電子阻止層9は、発光層4から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層4内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。
The electron transport layer 7 and the hole blocking layer 8 may be appropriately provided as necessary. 1) Only the electron transport layer, 2) Only the hole blocking layer, 3) Lamination of the hole blocking layer / electron transport layer, 4) There are usages such as not using.
For the same purpose as the hole blocking layer 8, it is also effective to provide an electron blocking layer 9 between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 4 as shown in FIG. The electron blocking layer 9 increases the probability of recombination with holes in the light emitting layer 4 by blocking the electrons moving from the light emitting layer 4 from reaching the hole injection layer 3, thereby generating excitons generated. Has a role of confining the light in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting holes injected from the hole injection layer 3 in the direction of the light emitting layer 4.

電子阻止層9に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。また、発光層4を湿式製膜法で形成する場合、電子阻止層9も湿式製膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。
このため、電子阻止層9も湿式製膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層9に用いられる材料としては、本発明の電荷輸送材料の他、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(WO2004/084260号公報記載)等が挙げられる。
The characteristics required for the electron blocking layer 9 include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Further, when the light emitting layer 4 is formed by a wet film forming method, it is preferable that the electron blocking layer 9 is also formed by a wet film forming method because the device manufacturing becomes easy.
For this reason, it is preferable that the electron blocking layer 9 also has wet film forming compatibility, and examples of the material used for such an electron blocking layer 9 include dioctyl typified by F8-TFB in addition to the charge transport material of the present invention. And a copolymer of fluorene and triphenylamine (described in WO 2004/084260).

また、図8に示すように、発光層と陽極の間には正孔輸送層が設けられていてもよい。正孔輸送層の材料に要求される条件としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層4に接するために発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが求められる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Tgとして85℃以上の値を有する材料が望ましい。   Further, as shown in FIG. 8, a hole transport layer may be provided between the light emitting layer and the anode. As conditions required for the material of the hole transport layer, it is necessary that the material has a high hole injection efficiency from the anode and can efficiently transport the injected holes. For this purpose, the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is high, the stability is high, and impurities that become traps are less likely to be generated during manufacturing and use. Required. Further, in order to contact the light emitting layer 4, it is required not to quench the light emitted from the light emitting layer or to form an exciplex with the light emitting layer to reduce the efficiency. In addition to the above general requirements, when the application for in-vehicle display is considered, the element is further required to have heat resistance. Therefore, a material having a Tg value of 85 ° C. or higher is desirable.

このような正孔輸送材料としては、例えば、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4′,4′−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J.Lumin.,72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2′,7,7′−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9′−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth. Metals,91巻、209頁、1997年)等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、複数種混合して用いてもよい。上記の化合物以外に、正孔輸送層の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等の高分子材料が挙げられる。   Examples of such a hole transport material include two or more tertiary amines represented by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, and two or more Aromatics having a starburst structure such as aromatic diamines in which condensed aromatic rings are substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), 4,4 ', 4'-tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine Group amine compounds (J. Lumin., 72-74, 985, 1997), aromatic amine compounds consisting of tetramers of triphenylamine (Chem. Commun., 2175, 1996), 2, 2 Spiro compounds such as', 7,7'-tetrakis- (diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene (Synth. Metals, 91, 209, 1 Like 97 years), and the like. These compounds may be used alone or in combination as necessary. In addition to the above compounds, polyarylene ether sulfone (Polym. Adv. Tech., Which contains polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (JP-A-7-53953), and tetraphenylbenzidine as materials for the hole transport layer. 7 (page 33, 1996).

正孔輸送層は、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常の塗布法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など各種印刷法等の湿式成膜法や、真空蒸着法などの乾式成膜法で形成することができる。
塗布法の場合は、正孔輸送材料を1種または2種以上を、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、適当な溶剤に溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層4を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好ましい。
The hole transport layer is formed by a normal coating method such as a spray method, a printing method, a spin coating method, a dip coating method, or a die coating method, a wet film forming method such as an ink-jet method or a screen printing method, or a vacuum deposition method. It can be formed by a dry film forming method such as a method.
In the case of the coating method, one or more hole transport materials are added, and if necessary, additives such as binder resins and coating property improving agents that do not trap holes are added and dissolved in a suitable solvent. A solution is prepared, applied onto the anode 2 by a method such as spin coating, and dried to form the hole transport layer 4. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. When the binder resin is added in a large amount, the hole mobility is lowered.

真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極2が形成された基板1上に正孔輸送層4を形成させる。
正孔輸送層の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
In the case of the vacuum evaporation method, the hole transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, and then the crucible is heated, The hole transport material is evaporated and a hole transport layer 4 is formed on the substrate 1 on which the anode 2 is formed, which is placed facing the crucible.
The thickness of the hole transport layer is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less. In order to uniformly form such a thin film, a vacuum deposition method is generally used.

なお、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極6、電子注入層5、発光層4、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2〜図8に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV25等を電荷発生層(CGL)と
して用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
The structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, the cathode 6, the electron injection layer 5, the light emitting layer 4, the hole injection layer 3, and the anode 2 can be laminated on the substrate 1 in this order. It is also possible to provide the organic electroluminescent element of the present invention between two substrates, at least one of which is highly transparent. Similarly, it is also possible to laminate in a structure opposite to the above-described respective layer configurations shown in FIGS.
Further, a structure in which a plurality of layers shown in FIG. 1 are stacked (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, for example, V 2 O 5 or the like is used as the charge generation layer (CGL) instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (two layers when the anode is ITO and the cathode is Al). This is more preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.

本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。   The present invention can be applied to any of an organic electroluminescent element having a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure having an anode and a cathode arranged in an XY matrix.

本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
(合成例1)
Examples The present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist.
(Synthesis Example 1)

Figure 2007169268
Figure 2007169268

3−ブロモ−アセトフェノン(12.0g)、フェニルベンズアルデヒド(10g)を酢酸(78ml)に溶解し、硫酸(8.8ml)を滴下、35℃以下で8時間攪拌した。反応後、結晶が析出、放冷後、メタノール80ml、水50mlを系内に添加し攪拌した。結晶濾過後、メタノール150mlにて懸洗洗浄することにより、乾燥後、目的物1(19.1g)を得た。   3-Bromo-acetophenone (12.0 g) and phenylbenzaldehyde (10 g) were dissolved in acetic acid (78 ml), sulfuric acid (8.8 ml) was added dropwise, and the mixture was stirred at 35 ° C. or lower for 8 hours. After the reaction, crystals were precipitated and allowed to cool, then 80 ml of methanol and 50 ml of water were added to the system and stirred. After crystal filtration, the target product 1 (19.1 g) was obtained after drying by washing with 150 ml of methanol and drying.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

フェナシルピリジニウムブロミド(11.5g)、上記より得られた目的物1(10g)、酢酸アンモニウム(53.2g)、酢酸(197ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(130ml)を、加熱環流下、9時間攪拌して得られた溶液に、エタノール(50ml)添加し攪拌、そ
の後析出した沈殿物を濾過、得られた結晶をメタノール(200ml)で加熱還流洗浄する
。加熱還流洗浄を数回繰り返した後、乾燥後、目的物2(10.8g)を得た。
Phenacylpyridinium bromide (11.5 g), the target product 1 obtained above (10 g), ammonium acetate (53.2 g), acetic acid (197 ml), N, N-dimethylformamide (130 ml) were heated under reflux for 9 hours. To the solution obtained by stirring, ethanol (50 ml) is added and stirred, and then the deposited precipitate is filtered, and the resulting crystals are heated to reflux with methanol (200 ml). Washing with heating under reflux was repeated several times, and after drying, the target product 2 (10.8 g) was obtained.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

3,6-ジブロモカルバゾール(8g)、フェニルボロン酸(7.8g)をエチレングリコールジメチルエーテル(80ml)に溶解し、炭酸カリウム13.6gを水40mlに溶解した水溶液を脱気
した後系内に添加、系内全体を脱気、窒素置換し、加熱攪拌する。内温60℃で、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0)(1.42g)を添加、その後加熱還流下9時間反応する。放冷後、濃縮し、系内に水,クロロホルムを添加し、有機層を抽出する。
有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、さらに濃縮後、メタノールにて結晶析出する。その後、カラムクロマトグラフィーにて精製し、メタノールにて再結晶し、乾燥後、目的物3(3.2g)を得た。
Dissolve 3,6-dibromocarbazole (8g) and phenylboronic acid (7.8g) in ethylene glycol dimethyl ether (80ml), degas an aqueous solution of potassium carbonate 13.6g in 40ml of water, and add it to the system. The inside is deaerated, purged with nitrogen, and heated and stirred. At an internal temperature of 60 ° C., tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (1.42 g) is added, and the reaction is carried out for 9 hours under heating and reflux. After cooling, the mixture is concentrated, water and chloroform are added to the system, and the organic layer is extracted.
The organic layer is dried over magnesium sulfate, further concentrated and crystallized with methanol. Then, it refine | purified with column chromatography, recrystallized with methanol, and the target object 3 (3.2g) was obtained after drying.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

上記より得られた目的物2(1.96g)、目的物3(1.5g)ナトリウム-tert-ブトキシド
(0.82g)にトルエン(40ml)を添加し攪拌する。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパ
ラジウム(0)クロロホルム(0.07g)をトルエン(8ml)に溶解し、トリ−tert-ブチルホスフィン(0.057g)を加えた溶液を添加し、加熱還流8時間反応する。反応終了後、不溶物
を除去し、濃縮、懸洗洗浄したのち、カラムクロマトグラフィーにて精製し目的物4(0.9g)を得た。DEI-MS(m/z=700(M+))から目的物4であることを確認した。DSC測定の結果、このもののガラス転移温度(Tg)は130℃であった。
(合成例2)
Toluene (40 ml) is added to the target product 2 (1.96 g) and target product 3 (1.5 g) sodium-tert-butoxide (0.82 g) obtained above and stirred. Tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform (0.07 g) is dissolved in toluene (8 ml), a solution to which tri-tert-butylphosphine (0.057 g) is added is added, and the mixture is reacted with heating under reflux for 8 hours. After completion of the reaction, the insoluble material was removed, concentrated, washed with washing, and then purified by column chromatography to obtain the desired product 4 (0.9 g). From DEI-MS (m / z = 700 (M +)), it was confirmed to be the target product 4. As a result of DSC measurement, the glass transition temperature (Tg) of this product was 130 ° C.
(Synthesis Example 2)

Figure 2007169268
Figure 2007169268

窒素気流中、1,3−ジブロモベンズアルデヒド(15g)、4−エチルフェニルボロン酸(25g)、ジメトキシエタン(150ml)の混合物に、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(3.86g)、2M炭酸カリウム水溶液(115ml)を順次投入し、加熱還流下、5時間撹拌した。得られた溶液に食塩水を加えてから、トルエンで抽出後、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて、撹拌後、濾過、濃縮して得られた残留物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物5(9.14g)を得た。   To a mixture of 1,3-dibromobenzaldehyde (15 g), 4-ethylphenylboronic acid (25 g) and dimethoxyethane (150 ml) in a nitrogen stream, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (3.86 g), 2M potassium carbonate Aqueous solution (115 ml) was sequentially added, and the mixture was stirred for 5 hours under reflux with heating. After adding brine to the resulting solution, extracting with toluene, adding anhydrous magnesium sulfate to the organic layer, stirring, filtering and concentrating, the resulting residue was purified by silica gel column chromatography, The target product 5 (9.14 g) was obtained.

不活性ガス雰囲気下、目的物5(9.14g)とm−ブロモアセトフェノン(6.4g、)の酢酸(30mL)溶液を50℃に加温し、硫酸(8.5g)と酢酸(20mL)の混合溶液を滴下し、50℃で8時間攪拌した。反応混合物をメタノールに注ぎ、析出したオイルをデカンテーションして分離し、塩化メチレンに溶解させて、飽和重曹水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し目的物6(10.7g)を得た。   In an inert gas atmosphere, a solution of the target compound 5 (9.14 g) and m-bromoacetophenone (6.4 g) in acetic acid (30 mL) was heated to 50 ° C., and sulfuric acid (8.5 g) and acetic acid (20 mL) were added. Was added dropwise and stirred at 50 ° C. for 8 hours. The reaction mixture was poured into methanol, and the precipitated oil was separated by decantation, dissolved in methylene chloride, and washed with saturated aqueous sodium hydrogen carbonate. After drying over magnesium sulfate, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography to obtain the desired product 6 (10.7 g).

酢酸アンモニウム(8.48g)、フェナシルピリジニウムブロマイド(3.06g)の酢酸(5mL)−DMF(5mL)溶液に目的物6(5.2g)の酢酸(5mL)−DMF(5mL)溶液を室温で滴下した。反応混合物を還流条件下で8時間攪拌し、室温ま
で放冷後、水にあけた。析出した結晶をデカンテーションにより分離し、塩化メチレンに溶解させ、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下で留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、目的物7(3.9g)を得た。
To a solution of ammonium acetate (8.48 g) and phenacylpyridinium bromide (3.06 g) in acetic acid (5 mL) -DMF (5 mL), target 6 (5.2 g) in acetic acid (5 mL) -DMF (5 mL) was added at room temperature. It was dripped at. The reaction mixture was stirred under reflux conditions for 8 hours, allowed to cool to room temperature, and poured into water. The precipitated crystals were separated by decantation, dissolved in methylene chloride, washed with a saturated aqueous sodium chloride solution and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain the intended product 7 (3.9 g).

窒素雰囲気下、ジ(ベンジリデンアセトン)ジクロロパラジウム・クロロホルム付加体(339mg)のトルエン(40mL)溶液にトリ(ターシャリーブチル)ホスフィン(200mg)を室温で加え、40℃で20分間攪拌し錯体を形成させた。不活性ガス雰囲気下、目的物7(5.2g,)、ジフェニルカルバゾール(3.1g)、ターシャリーブトキシナトリウム(1.9g)のトルエン溶液に(40mL)に先に調整した錯体のトルエン溶液を40℃で滴下した。溶液を加温し、還流条件下で8時間攪拌し、室温まで放冷後、水にあけた。析出した結晶をデカンテーションにより分離し、塩化メチレンに溶解させ、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下で
留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、目的物8(3.5g)を得た。質量分析結果(DEI法、M):833より目的物8であることを確認した。
このもののガラス転移温度は132℃であった。
Under nitrogen atmosphere, tri (tertiarybutyl) phosphine (200 mg) was added to a toluene (40 mL) solution of di (benzylideneacetone) dichloropalladium / chloroform adduct (339 mg) at room temperature and stirred at 40 ° C. for 20 minutes to form a complex. I let you. Under an inert gas atmosphere, a toluene solution of the complex prepared previously in (40 mL) was added to a toluene solution of the target product 7 (5.2 g), diphenylcarbazole (3.1 g), and tertiary butoxy sodium (1.9 g). It was dripped at 40 ° C. The solution was warmed, stirred under reflux conditions for 8 hours, allowed to cool to room temperature, and then poured into water. The precipitated crystals were separated by decantation, dissolved in methylene chloride, washed with a saturated aqueous sodium chloride solution and dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The residue was subjected to silica gel column chromatography to obtain the desired product 8 (3.5 g). Mass spectrometry result (DEI method, M + ): From 833, it was confirmed to be the target product 8.
The glass transition temperature of this product was 132 ° C.

(合成例3) (Synthesis Example 3)

Figure 2007169268
Figure 2007169268

3,6−ジブロモカルバゾール(10.5g)、4−ブチルフェニルボロン酸(19.3g)、ジメトキシエタン(96mL)溶液に炭酸カリウム(22.3g)の水溶液(81mL)を加え、窒素置換を行った後、テトラキストリフェニルフホスフィンパラジウム(2.2g)を加え6時間還流した。室温まで放冷後、水に注ぎ、塩化メチレンで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処した。目的物9を4.8g得た。   An aqueous solution (81 mL) of potassium carbonate (22.3 g) was added to a solution of 3,6-dibromocarbazole (10.5 g), 4-butylphenylboronic acid (19.3 g) and dimethoxyethane (96 mL) to perform nitrogen substitution. Then, tetrakistriphenylphosphine palladium (2.2 g) was added and refluxed for 6 hours. The mixture was allowed to cool to room temperature, poured into water, and extracted with methylene chloride. After drying over anhydrous magnesium sulfate, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the residue was subjected to silica gel column chromatography. 4.8 g of the target product 9 was obtained.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

窒素気流中、目的物2(2.47g)、目的物9(1.8g)、銅紛(266mg)、炭酸カリウム(1.16g)、テトラグライム(5ml)を100ml4口フラスコに加え200℃のオイルバスにつけて13時間加熱攪拌した。ジクロロメタンで希釈しろ過後、brineで洗浄し硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧留去すると茶色オイルが得られた。カ
ラムクロマトグラフィー及びGPCで精製し、目的物10(144mg)を得た。
DEI−MS m/z=814(M)により、目的物であることを確認した。このもののガラス転移温度は、84℃、融点118℃、気化温度は507℃であった。
(合成例4)
In a nitrogen stream, target 2 (2.47 g), target 9 (1.8 g), copper powder (266 mg), potassium carbonate (1.16 g), and tetraglyme (5 ml) were added to a 100 ml four-necked flask at 200 ° C. The mixture was placed in an oil bath and stirred for 13 hours. Diluted with dichloromethane, filtered, washed with brine, dried over sodium sulfate, and evaporated under reduced pressure to give a brown oil. Purification by column chromatography and GPC gave the target product 10 (144 mg).
It was confirmed by DEI-MS m / z = 814 (M + ) that it was the target product. This had a glass transition temperature of 84 ° C., a melting point of 118 ° C., and a vaporization temperature of 507 ° C.
(Synthesis Example 4)

Figure 2007169268
Figure 2007169268

3-フ゛ロモヘ゛ンス゛アルテ゛ヒト゛(4.06g)、3-ビフェニルボロン酸(5.0g)、シ
゛メトキシエタン(100ml)
溶液に炭酸カリウム(9.1g)の水溶液(33mL)を加え、窒素置換を行った後、テトラ
キストリフェニルフホスフィンパラジウム(1.0g)を加え9時間還流した。室温まで放冷後、水に注ぎ、塩化メチレンで抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。オイル上の目的物11を4.8g得た。
3-bromophenaldehyde (4.06g), 3-biphenylboronic acid (5.0g), dimethoxyethane (100ml)
An aqueous solution (33 mL) of potassium carbonate (9.1 g) was added to the solution, and the atmosphere was purged with nitrogen. Then, tetrakistriphenylphosphine palladium (1.0 g) was added and refluxed for 9 hours. The mixture was allowed to cool to room temperature, poured into water, and extracted with methylene chloride. After drying over anhydrous magnesium sulfate, the solvent was distilled off under reduced pressure and purified by silica gel column chromatography. 4.8 g of the target product 11 on oil was obtained.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

目的物11(4.8g)と3−ブロモアセトフェノン(4.06g)の酢酸(28g)溶液、室温
下で硫酸(5.46g)を滴下し、30℃で8時間攪拌した。反応混合物にメタノール、水を注ぎ、析出した結晶を濾過した。メタノールで洗浄し、目的物12(6.35g)を得た。
A solution of the target compound 11 (4.8 g) and 3-bromoacetophenone (4.06 g) in acetic acid (28 g) and sulfuric acid (5.46 g) were added dropwise at room temperature, and the mixture was stirred at 30 ° C. for 8 hours. Methanol and water were poured into the reaction mixture, and the precipitated crystals were filtered. Washing with methanol gave the target product 12 (6.35 g).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

目的物12(6.0g)、1-フェナシルヒ゜リシ゛ニウムフ゛ロミト゛(5.69g) 酢酸ア
ンモニウム(26.2g)、を酢酸(97ml)、シ゛メチルホルムアミト゛(70ml)の混合溶液
に溶解し、加熱還流下9時間攪拌反応した。
反応終了後、反応混合物にエタノール、水を添加し、得られた結晶を濾別した。トルエンに溶解し、アルカリ水、食塩水、水で洗浄したのち、有機層を硫酸マク゛ネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、真空乾燥後、オイル状の目的物13 6.3gが得られた。
The target compound 12 (6.0 g), 1-phenacylpyridine bromide (5.69 g), ammonium acetate (26.2 g), is dissolved in a mixed solution of acetic acid (97 ml) and dimethylformamide (70 ml) and stirred for 9 hours with heating under reflux. did.
After completion of the reaction, ethanol and water were added to the reaction mixture, and the resulting crystals were separated by filtration. After dissolving in toluene and washing with alkaline water, brine and water, the organic layer was dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off under reduced pressure, and after vacuum drying, 6.3 g of the oily target product 13 was obtained.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

上記より得られた目的物13(4g)、目的物3(2.85g)ナトリウム-tert-ブトキシド(1.43g)にトルエン(80ml)を添加し攪拌する。トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパ
ラジウム(0)クロロホルム(0.46g)をトルエン(10ml)に溶解し、トリ-tert-ブチルホスフィン(0.45g)を加えた溶液を添加し、加熱還流8時間反応する。反応終了後、不溶物
を除去し、濃縮、懸洗洗浄したのち、カラムクロマトグラフィーにて精製し目的物14(4.15g)を得た。DEI-MS(m/z=776(M+))から目的物14であることを確認した。DSC測定の
結果、このもののガラス転移温度(Tg)は119℃であった。
Toluene (80 ml) is added to the target product 13 (4 g) and target product 3 (2.85 g) sodium-tert-butoxide (1.43 g) obtained above and stirred. Tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform (0.46 g) is dissolved in toluene (10 ml), a solution to which tri-tert-butylphosphine (0.45 g) is added is added, and the mixture is reacted under heating and reflux for 8 hours. After completion of the reaction, insolubles were removed, concentrated, washed with hanging, and purified by column chromatography to obtain the desired product 14 (4.15 g). From DEI-MS (m / z = 776 (M +)), it was confirmed to be the target product 14. As a result of DSC measurement, the glass transition temperature (Tg) of this product was 119 ° C.

(実施例1)
図8に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜2を150nm堆積した
もの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成し
たITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
Example 1
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 8 was produced by the following method.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film 2 deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 150 nm (sputtered film; sheet resistance: 15Ω) is formed into a 2 mm wide stripe using ordinary photolithography and hydrochloric acid etching. An anode was formed by patterning. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物(PB−1)   As a material for the hole injection layer 3, a non-conjugated polymer compound (PB-1) having an aromatic amino group having the structural formula shown below

Figure 2007169268
(PB−1)
Figure 2007169268
(PB-1)

重量平均分子量 :29400
数平均分子量 :12600
を電子受容性化合物(A−2)
Weight average molecular weight: 29400
Number average molecular weight: 12600
An electron-accepting compound (A-2)

Figure 2007169268
(A−2)
Figure 2007169268
(A-2)

と共に以下の条件で混合し、スピンコート、仮乾燥、乾燥を行った。
スピンコート条件
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 2[wt%]
PB−1:A−2 10:2
スピナ回転数 1500[rpm]
スピナ回転時間 30[秒]
乾燥
仮乾燥 80[℃] 1[分] ホットプレート上
乾燥 230[℃] 15[分] オーブン中
上記のスピンコート、仮乾燥、乾燥工程を経ることにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
The mixture was mixed under the following conditions, followed by spin coating, temporary drying, and drying.
Spin coating conditions
Solvent ethyl benzoate
Coating solution concentration 2 [wt%]
PB-1: A-2 10: 2
Spinner speed 1500 [rpm]
Spinner rotation time 30 [seconds]
Dry
Temporary drying 80 [℃] 1 [min] on hot plate
Drying 230 [° C.] 15 [min] In an oven A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed through the spin coating, temporary drying, and drying steps described above.

次に正孔注入層3を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が約1.0×10-4Pa以下になるまでクライオポ
ンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記に示すアリールアミン化合物(H−1)
Next, the substrate on which the hole injection layer 3 was formed was placed in a vacuum evaporation apparatus. After roughly exhausting the apparatus with an oil rotary pump, the apparatus was exhausted with a cryopump until the degree of vacuum in the apparatus was about 1.0 × 10 −4 Pa or less. Arylamine compound (H-1) shown below, placed in a ceramic crucible placed in the above apparatus

Figure 2007169268

(H−1)
Figure 2007169268

(H-1)

をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度7.5×10-5 Pa、蒸着速度は0.10 〜 0.15 nm/秒で膜厚40nmの正孔輸送層4を得た。このときのる
つぼ温度は266〜 276 ℃であった。
引続き、発光層5の主成分(ホスト材料)として下記に示す(E−1)を、副成分(ドーパント)として有機イリジウム錯体(D−1)を、別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。
Vapor deposition was performed by heating with a tantalum wire heater around the crucible. A hole transport layer 4 having a film thickness of 40 nm was obtained at a vacuum degree of 7.5 × 10 −5 Pa and a vapor deposition rate of 0.10 to 0.15 nm / sec. The crucible temperature at this time was 266-276 ° C.
Subsequently, (E-1) shown below as a main component (host material) of the light-emitting layer 5 and an organic iridium complex (D-1) as a subcomponent (dopant) are placed in separate ceramic crucibles, and two-way simultaneous Film formation was performed by vapor deposition.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(E−1)のるつぼ温度は 338〜358℃、蒸着速度は 0.11 nm/秒に、化合物(D−1
)のるつぼ温度は 253 〜 255 ℃にそれぞれ制御し、膜厚30 nmで化合物(D−1)が5.8重量%含有された発光層5を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は7.4× 10-5 Paであった。
さらに、正孔阻止層8として下記に示す化合物(HB−1)
The temperature of the crucible (E-1) is 338 to 358 ° C., the deposition rate is 0.11 nm / second, and the compound (D-1
The temperature of the crucible was adjusted to 253-255 ° C., and the light emitting layer 5 containing 5.8% by weight of the compound (D-1) with a film thickness of 30 nm was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum at the time of deposition was 7.4 × 10 −5 Pa.
Further, the compound (HB-1) shown below as the hole blocking layer 8

Figure 2007169268
Figure 2007169268

をるつぼ温度を 233 〜238 ℃として、蒸着速度0.09 nm/秒で5 nmの膜厚で積層した。蒸
着時の真空度は6.4 ×10-5 Paであった。
正孔阻止層8の上に、電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)
The crucible temperature was 233 to 238 ° C., and the film was laminated with a film thickness of 5 nm at a deposition rate of 0.09 nm / second. The degree of vacuum during the deposition was 6.4 × 10 −5 Pa.
An aluminum 8-hydroxyquinoline complex (ET-1) shown below as an electron transport layer 7 on the hole blocking layer 8

Figure 2007169268
Figure 2007169268

を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は301〜 308 ℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は6.4 ×10-5 Pa、蒸着速度は0.10〜0.17nm/秒で膜厚は30nmとした。
上記の正孔輸送層、発光層、正孔阻止層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
Was deposited in the same manner. At this time, the crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex is controlled in the range of 301 to 308 ° C, the vacuum during deposition is 6.4 × 10 -5 Pa, the deposition rate is 0.10 to 0.17 nm / sec, and the film thickness is 30 nm.
The substrate temperature when vacuum-depositing the hole transport layer, the light emitting layer, the hole blocking layer, and the electron transport layer was maintained at room temperature.

ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2
のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.0×10-4 Pa以下になるまで排気した。陰極8
として、先ず、フッ化リチウム(LiF)をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.01nm/
秒、真空度2.2 ×10-4 Paで、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.1〜 0.4 nm/秒、真空度5.0
× 10-4 〜 8.0 × 10-4 Paで膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極6を完成させ
た。以上の2層型陰極6の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
Here, the element on which the electron transport layer 7 has been deposited is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as the cathode deposition mask.
It was brought into close contact with the element so as to be orthogonal to the ITO stripe, placed in another vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus was 2.0 × 10 −4 Pa or less in the same manner as the organic layer. Cathode 8
First, lithium fluoride (LiF) using a molybdenum boat, the deposition rate of 0.01nm /
Second, the degree of vacuum was 2.2 × 10 −4 Pa, and a film thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer 7. Next, aluminum was similarly heated by a molybdenum boat, the deposition rate was 0.1 to 0.4 nm / second, and the degree of vacuum was 5.0.
An aluminum layer having a thickness of 80 nm was formed at × 10 −4 to 8.0 × 10 −4 Pa to complete the cathode 6. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layered cathode 6 was kept at room temperature.

引き続き、作製した素子が保管中及び特性試験中に大気中の水分で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
窒素で内部を充填したドライボックス中で、20 mm ×60 mmサイズのガラス板の外周部
に、約1mmの幅で光硬化性樹脂(スリーボンド社製3124)を塗布し、中央部に乾燥剤
シート(サエス・ゲッターズ社製ゲッタードライヤー)を設置した。この上に、陰極蒸着を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。
Subsequently, in order to prevent the fabricated device from being deteriorated by moisture in the air during storage and characteristic tests, sealing treatment was performed by the method described below.
In a dry box filled with nitrogen, a photocurable resin (3124 manufactured by ThreeBond) is applied to the outer periphery of a 20 mm x 60 mm size glass plate with a width of about 1 mm, and a desiccant sheet in the center. (Getter dryer manufactured by SAES Getters) was installed. On this, the board | substrate which complete | finished cathode vapor deposition was bonded together so that the vapor-deposited surface might oppose a desiccant sheet. Then, only the area | region where the photocurable resin was apply | coated was irradiated with ultraviolet light, and resin was hardened.

以上の様にして、2 mm × 2 mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が
得られた。この素子の発光特性を表−1に示す。表−1において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度/電流・電圧は 輝度2500 cd/m2での値を各々示す。素子の発
光スペクトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同
定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.61)であった。また、駆動寿命は室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/m2となる一定電流値で直流定電流連続通電し、発光輝度が2500cd/m2となったときの通電時間である。結果を表−2に示す。この素子は、比較例1に示すCBPを発光層5のホスト材料として用いた素子よりも駆動寿命が長かった。
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. In Table 1, the maximum light emission luminance is a value at a current density of 0.25 A / cm 2 , and the luminance / current / voltage are values at a luminance of 2500 cd / m 2 . The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 514 nm, which was identified as that from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.31,0.61). The drive lifetime at room temperature, the emission luminance at the start of energization to direct a constant current continuous energization at a constant current value to be 5000 cd / m 2, a current time when the light emission luminance becomes 2500 cd / m 2. The results are shown in Table-2. This device had a longer driving life than the device using CBP shown in Comparative Example 1 as the host material of the light emitting layer 5.

(実施例2)
図8に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した(ただし、正孔阻止層6を有さない)。正孔阻止層6を積層しなかった以外は実施例1と同様にして、2mm × 2 mm のサ
イズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−1に示す。表−1において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度/電流・電圧
は輝度2500 cd/m2での値を各々示す。素子の発光スペクトルの極大波長は514nmであり、
有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.61)であった。この素子は、比較例2に示す、CBPを発光層5のホスト材料として用い、かつ正孔阻止層6を積層しなかった素子よりも、高い輝度/電流値を示した。
(Example 2)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 8 was produced (however, the hole blocking layer 6 was not provided). An organic electroluminescent element having a light emitting area portion of 2 mm × 2 mm in size was obtained in the same manner as in Example 1 except that the hole blocking layer 6 was not laminated. The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. In Table 1, the maximum light emission luminance is a value at a current density of 0.25 A / cm 2 , and the luminance / current / voltage are values at a luminance of 2500 cd / m 2 . The maximum wavelength of the emission spectrum of the device is 514 nm,
It was identified as from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.30,0.61). This element showed a higher luminance / current value than the element shown in Comparative Example 2 in which CBP was used as the host material of the light emitting layer 5 and the hole blocking layer 6 was not laminated.

(実施例3)
(E−1)のかわりに下記に示す(E−2)を用い、(H-1)の代わりに下記に示す(H-2)を使用した以外は実施例2と同様にして、2 mm ×2 mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−1に示す。表−1において、最大発光輝度は電流密度0.25 A/cm2での値、輝度/電流・電圧は輝度2500 cd/m2での値を各々示す。素子の発光スペクトルの極大波長は512nmであり、有機イリジウム錯体(D
−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.62)であった。また、駆動寿命は室温で、通電開始時の発光輝度が5000 cd/m2となる一定電流値で直流定電流連続通電し、発光輝度が2500 cd/m2となったときの通電時間である。結果を表−2に示す。
(Example 3)
In the same manner as in Example 2 except that (E-2) shown below was used instead of (E-1) and (H-2) shown below was used instead of (H-1), 2 mm An organic electroluminescence device having a light emitting area portion of × 2 mm in size was obtained. The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. In Table 1, the maximum light emission luminance is a value at a current density of 0.25 A / cm 2 , and the luminance / current / voltage are values at a luminance of 2500 cd / m 2 . The maximum wavelength of the emission spectrum of the device is 512 nm, and the organic iridium complex (D
-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.30,0.62). The drive life is the energization time when the constant current of DC constant current is applied at a constant current value of 5000 cd / m 2 at the start of energization and the light emission brightness reaches 2500 cd / m 2 at room temperature. . The results are shown in Table-2.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

この素子は、比較例3に示す、CBPを発光層5のホスト材料として用い、かつ正孔阻止層6を積層しなかった素子よりも、高い輝度/電流値を示した。   This device showed a higher luminance / current value than the device shown in Comparative Example 3 in which CBP was used as the host material of the light emitting layer 5 and the hole blocking layer 6 was not laminated.

(比較例1)
(E−1)の代わりに下記に示す(CBP)を用いた他は、(実施例1)と同様にして、2mm ×2 mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の
発光特性を表−1に示す。表−1において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、
輝度/電流・電圧は輝度2500 cd/m2での値を各々示す。素子の発光スペクトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.62)であった。また、駆動寿命は室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/m2となる一定電流値で直流定電流連続通電し、発光輝度が2500 cd/m2となったときの通電時間である。結果を表−2に示す。
(Comparative Example 1)
An organic electroluminescent device having a light emitting area portion of 2 mm × 2 mm in size was obtained in the same manner as in Example 1 except that (CBP) shown below was used instead of (E-1). . The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. In Table 1, the maximum light emission luminance is a value at a current density of 0.25 A / cm 2 ,
Luminance / current / voltage indicate values at a luminance of 2500 cd / m 2 . The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 514 nm, which was identified as that from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.30,0.62). The drive lifetime at room temperature, a constant DC current is continuously energized with a constant current emission luminance at the start of energization is 5000 cd / m 2, a current time when the light emission luminance becomes 2500 cd / m 2. The results are shown in Table-2.

Figure 2007169268
(CBP)
Figure 2007169268
(CBP)

(比較例2)
(E−1)の代わりに上記に示す(CBP)を用いた他は、(実施例2)と同様にして2mm × 2 mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の
発光特性を表−1に示す。表−1において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、
輝度/電流・電圧は輝度2500 cd/m2での値を各々示す。素子の発光スペクトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.61)であった。
(Comparative Example 2)
An organic electroluminescent device having a light emitting area portion of 2 mm × 2 mm in size was obtained in the same manner as in Example 2 except that (CBP) shown above was used instead of (E-1). The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. In Table 1, the maximum light emission luminance is a value at a current density of 0.25 A / cm 2 ,
Luminance / current / voltage indicate values at a luminance of 2500 cd / m 2 . The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 514 nm, which was identified as that from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.30,0.61).

(比較例3)
(E−2)の代わりに上記に示す(CBP)を用いた他は、(実施例3)と同様にして2 mm × 2 mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の
発光特性を表−1に示す。表−1において、最大発光輝度は電流密度0.25 A/cm2での値、輝度/電流・電圧は輝度2500 cd/m2での値を各々示す。素子の発光スペクトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.61)であった。
(Comparative Example 3)
An organic electroluminescent device having a light emitting area of 2 mm × 2 mm was obtained in the same manner as in Example 3 except that (CBP) shown above was used instead of (E-2). . The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. In Table 1, the maximum light emission luminance is a value at a current density of 0.25 A / cm 2 , and the luminance / current / voltage are values at a luminance of 2500 cd / m 2 . The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 514 nm, which was identified as that from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.30,0.61).

Figure 2007169268
Figure 2007169268

Figure 2007169268
Figure 2007169268

(実施例4)
正孔注入層形成前までを実施例1と同様にして作製した。非共役系高分子としてPB−1の代わりにPB−2を用い、下記条件とした以外は、実施例1と同様にして正孔注入層3を形成した。(PB−2(重量平均分子量:26500,数平均分子量:12000))
Example 4
The process up to the formation of the hole injection layer was performed in the same manner as in Example 1. A hole injection layer 3 was formed in the same manner as in Example 1 except that PB-2 was used instead of PB-1 as the non-conjugated polymer and the following conditions were used. (PB-2 (weight average molecular weight: 26500, number average molecular weight: 12000))

Figure 2007169268
Figure 2007169268

スピンコート条件
溶媒 アニソール
塗布液濃度 PB−2 2.0重量%
A−2 0.4重量%
スピナ回転数 2000rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 230℃×5.5時間
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
続いて、発光層4を以下のように湿式成膜法によって形成した。発光層4の材料として、有機化合物(E−3)を、下記に示す構造式のイリジウム錯体(D−2)と共に用い、下記の条件でスピンコートした。
Spin coating conditions
Solvent Anisole
Coating solution concentration PB-2 2.0% by weight
A-2 0.4% by weight
Spinner speed 2000rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 230 ° C. × 5.5 hours A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.
Subsequently, the light emitting layer 4 was formed by a wet film forming method as follows. As a material for the light emitting layer 4, an organic compound (E-3) was used together with an iridium complex (D-2) having the structural formula shown below, and spin-coated under the following conditions.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

スピンコート条件
溶媒 キシレン
塗布液濃度 E-3 2.5重量%
D−2 0.13重量%
スピナ回転数 1500rpm
スピナ回転時間 30秒
乾燥条件 130℃×60分(減圧下)
上記のスピンコートにより膜厚45nmの均一な薄膜が形成された。
次に、電子輸送層7として実施例1と同様にアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)を蒸着した。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は321〜311℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は1.3〜1.5×10-4Pa(約1.1〜1.0×10-6Torr)、蒸着速度は0.08〜0.16nm/秒で膜厚は30nmとした。
Spin coating conditions
Solvent xylene
Coating concentration E-3 2.5% by weight
D-2 0.13 wt%
Spinner speed 1500rpm
Spinner rotation time 30 seconds Drying conditions 130 ° C x 60 minutes (under reduced pressure)
A uniform thin film having a thickness of 45 nm was formed by the above spin coating.
Next, an aluminum 8-hydroxyquinoline complex (ET-1) was deposited as the electron transport layer 7 in the same manner as in Example 1. The crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex at this time is controlled in the range of 321 to 311 ° C., and the degree of vacuum during the deposition is 1.3 to 1.5 × 10 −4 Pa (about 1.1 to 1.0 × 10 −6 Torr), The deposition rate was 0.08 to 0.16 nm / second and the film thickness was 30 nm.

上記の正孔阻止層8および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2
のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が1.8×10-6Torr(約2.4×10-4Pa)以下になるまで排気した。電子注入層5として、フッ化リチウム(LiF)を、モリブデンボートを用いて
、蒸着速度0.01〜0.06nm/秒、真空度2.0×10-6Torr(約2.6×10-4Pa)で、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒、真空度3.0〜6.8×10-6Torr(約4.0〜9.0×10-4Pa)で膜
厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極6を完成させた。以上の2層型陰極6の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。素子の発光スペクトルの極大波長は513nmであり、イリジウム錯体(D−2)からの
ものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.307,0.625)であった。この素子の発光特性を表3に示す。
The substrate temperature during vacuum deposition of the hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.
Here, the element on which the electron transport layer 7 has been deposited is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as the cathode deposition mask.
In close contact with the ITO stripe perpendicular to the ITO stripe, it was placed in a separate vacuum deposition apparatus and the degree of vacuum in the apparatus was 1.8 × 10 −6 Torr (about 2.4 × 10 −4) in the same manner as the organic layer. Pa) exhausted until below. As the electron injection layer 5, lithium fluoride (LiF) is deposited using a molybdenum boat at a deposition rate of 0.01 to 0.06 nm / second, a degree of vacuum of 2.0 × 10 −6 Torr (about 2.6 × 10 −4 Pa), and 0.5 nm. The film was formed on the electron transport layer 7 with a film thickness of. Next, aluminum was similarly heated by a molybdenum boat, and the deposition rate was 0.1 to 0.3 nm / sec, the degree of vacuum was 3.0 to 6.8 × 10 −6 Torr (about 4.0 to 9.0 × 10 −4 Pa), and the film thickness was 80 nm. A layer was formed to complete the cathode 6. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layered cathode 6 was kept at room temperature.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 513 nm, which was identified as that from the iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.307,0.625). Table 3 shows the light emission characteristics of the device.

(実施例5)
実施例4の有機化合物(E−3)を下記有機化合物(E−4)に変更した以外は同様にして素子を作成した。素子の発光スペクトルの極大波長は512nmであり、イリジウム錯体
(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.312,0.618)であった。この素子の発光特性を表3に示す。
(Example 5)
A device was prepared in the same manner except that the organic compound (E-3) of Example 4 was changed to the following organic compound (E-4). The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 512 nm, which was identified as from the iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.312,0.618). Table 3 shows the light emission characteristics of the device.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

表3において、輝度/電流、電圧は輝度100cd/m2での値を、半減寿命は100
0cd/Aでの値を各々示す。
In Table 3, luminance / current and voltage are values at luminance of 100 cd / m 2 , and half-life is 100
Each value at 0 cd / A is shown.

Figure 2007169268
Figure 2007169268

実施例4,5では、互いを溶解させるような、類似した置換基を有するホストおよびド
ーパント材料を選択して、湿式成膜法で発光層を成膜した。これにより、ホスト材料中にドーパント材料が均一に分散されたと考えられる。この結果、湿式成膜法でも均一な発光が得られ、発光効率の高い素子を得ることができた。
In Examples 4 and 5, a light emitting layer was formed by a wet film forming method by selecting a host and a dopant material having similar substituents so as to dissolve each other. Thereby, it is considered that the dopant material is uniformly dispersed in the host material. As a result, uniform light emission was obtained even by a wet film forming method, and an element with high luminous efficiency could be obtained.

本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed an example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 発光層
5 電子注入層
6 陰極
7 電子輸送層
8 正孔阻止層
9 電子阻止層
10 正孔輸送層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Light emitting layer 5 Electron injection layer 6 Cathode 7 Electron transport layer 8 Hole blocking layer 9 Electron blocking layer 10 Hole transport layer

Claims (8)

下記式(I)で表されることを特徴とする有機化合物。
Figure 2007169268
(式中、各々の芳香族環は置換基を有していてもよい。Zは直接結合または置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、Arは置換基を有していてもよいアリール基を表す。2つのArは同一であっても異なっていてもよい。なお、Zはピリジン環の2位または6位に結合しているフェニル基に連結する。)
An organic compound represented by the following formula (I):
Figure 2007169268
(In the formula, each aromatic ring may have a substituent. Z represents a direct bond or an arylene group which may have a substituent, and Ar may have a substituent. Represents an aryl group, and two Ars may be the same or different, and Z is linked to a phenyl group bonded to the 2- or 6-position of the pyridine ring.
前記式(I)が下記式(II)である請求項1に記載の有機化合物。
Figure 2007169268
(式中、ピリジン環の2位、4位及び6位に置換しているフェニル基は置換基を有していてもよい。Z及びArは式(I)と同義である。)
The organic compound according to claim 1, wherein the formula (I) is the following formula (II).
Figure 2007169268
(In the formula, the phenyl groups substituted at the 2-position, 4-position and 6-position of the pyridine ring may have a substituent. Z and Ar have the same meanings as in formula (I).)
前記式(II)が下記式(III)である請求項2に記載の有機化合物。
Figure 2007169268
(式中、R〜Rは、アルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルコキシ基または置換基を有していてもよいアリールオキシ基を表し、nは0〜5の整数を表す。)
The organic compound according to claim 2, wherein the formula (II) is the following formula (III).
Figure 2007169268
(In the formula, R 1 to R 4 may have an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, or a substituent. Represents a good aryloxy group, and n represents an integer of 0 to 5.)
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機化合物からなる電荷輸送材料。   A charge transport material comprising the organic compound according to any one of claims 1 to 3. 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機化合物を含有する電荷輸送材料組成物。   A charge transport material composition comprising the organic compound according to any one of claims 1 to 3. さらに、溶剤を含有する請求項5に記載の電荷輸送材料組成物。   The charge transport material composition according to claim 5, further comprising a solvent. 基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子において、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機化合物を含有する層を有す
ることを特徴とする有機電界発光素子。
An organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate, comprising a layer containing the organic compound according to any one of claims 1 to 3. An organic electroluminescent element.
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機化合物を含有する層が発光層である、請
求項7に記載の有機電界発光素子。
The organic electroluminescent element of Claim 7 whose layer containing the organic compound of any one of Claim 1 thru | or 3 is a light emitting layer.
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