JP2008008774A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成された薄膜プローブを用いて行うプローブ検査において、探針とその探針が対応するテストパッドとを所望の接触圧力で接触させることのできる技術を提供する。
【解決手段】プローブ検査に用いるプローブカードが有する薄膜シート２（第１シート）の曲げ剛性の面分布を、一定間隔で配列されたプローブ７（複数の接触端子）の配列端部のプローブ７Ｅ周囲にある第１領域の曲げ剛性が、前記配列端部間のプローブ７Ａ、７Ｂの周囲にある第２領域の曲げ剛性と比較して小さくなるようにする。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、半導体集積回路装置の検査に適用して有効な技術に関するものである。

例えば、特開平８−２２０１３８号公報（特許文献１）には、メンブレン方式のプローブカードを用いて行う半導体素子の電気特性の測定に際して、軸からの荷重と薄膜の張力とに起因する押さえ板の反りを防ぎ、半導体素子との良好なコンタクトを得るために、押さえ板については、前記軸を受ける上側面と、円筒状の側面と、薄膜に形成され半導体素子に接触させられる金属突起を押圧する下面と、この下面と円筒状の側面との間に形成された傾斜面とから形成する旨が開示されている。

また、例えば特開平７−１３５２４０号公報（特許文献２）には、異方導電性の薄膜に形成されたバンプを被測定体の電極に接続させるように用いて電気的特性を検査するプローブ装置において、装置台上の被測定体と薄膜との空隙にエアーを噴出させ、跳ね返りのエアー圧で薄膜の撓みを除去し、被測定対面に対してバンプ以外の接触を排除する技術が開示されている。
特開平８−２２０１３８号公報 特開平７−１３５２４０号公報

半導体集積回路装置の検査技術としてプローブ検査がある。このプローブ検査は、半導体集積回路装置が所定の機能どおりに動作するか否かを確認する機能テストや、ＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するテスト等を含む。

近年、半導体集積回路装置の多機能化が進行し、１個の半導体チップ（以下、単にチップと記す）に複数の回路を作りこむことが進められている。また、半導体集積回路装置の製造コストを低減するために、半導体素子および配線を微細化して、チップの面積を小さくし、ウエハ１枚当たりの取得チップ数を増加することが進められている。

そのため、テストパッド（ボンディングパッド）数が増加するだけでなく、テストパッドの配置が狭ピッチ化し、テストパッドの面積も縮小されてきている。このようなテストパッドの狭ピッチ化に伴って、上記プローブ検査にカンチレバー状の探針を有するプローバを用いようとした場合には、探針をテストパッドの配置位置に合わせて設置することが困難になってしまう課題が存在する。

本発明者らは、半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成された複数の探針を有するプローバを用いることにより、テストパッドが狭ピッチ化したチップに対してもプローブ検査が実現できる技術について検討している。その中で、本発明者らは、以下のような課題を見出した。

前記複数の探針は、半導体集積回路装置の製造技術を用いて金属膜およびポリイミド膜の堆積や、それらのパターニング等を実施することにより形成された薄膜プローブの一部であり、検査対象であるチップと対向する薄膜プローブの下主面側に設けられている。

プローブ検査時には、たとえば４２アロイなどからなり押圧面が平坦な押圧具によって、探針が形成された領域の薄膜プローブを前記主面とは反対側の裏面から押圧する。この押圧によって、薄膜プローブは、押圧具からほぼ一様の押圧方向の強制変位を受ける。

ところが、前記複数の探針とそれぞれ接触する相手テストパッドとの接触圧力は必ずしも一様にならない。すなわち、薄膜プローブが不均一間隔で配列された探針を有する場合、探針の配列間隔が広い箇所の探針が接触する相手テストパッドとの接触圧力は、探針の配列間隔が狭い箇所の探針が接触する相手テストパッドとの接触圧力よりも高くなることがある。

また、探針の配列が矩形状態の場合など探針の配列方向が変化する場合は、コーナ領域の探針の接触圧力が高くなることがある。

このように探針と対応するテストパッドとの接触圧力が所望の状態からかけ離れた状態になると、複数の探針と対応する各テストパッドとの接触部の電気的な接触抵抗が不均一になり、チップ内部の回路の電気抵抗の正確な検査が出来なくなってしまうことになる。

また、探針と対応するテストパッドとの接触圧力が高くなると、探針が摩耗し易くなる問題や、前記接触圧力が高くなりすぎると検査対象であるチップに損傷を与える問題がある。

上記特許文献１に開示された技術においては、これらの薄膜プローブ内の探針の面圧の分布までは考慮していない。また、上記特許文献２においても、これらの薄膜プローブ内の探針の面圧の分布までは考慮していない。

開示された技術においては、エアーにより薄膜に皺のような波打ち形状が発生しないように工夫されているが、探針の配置に起因する探針の面圧の分布が発生した場合には、対応が難しいと思われる。

本願に開示された一つの代表的な発明の目的は、半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成された薄膜プローブを用いて行うプローブ検査において、探針とその探針が対応するテストパッドとを所望の接触圧力範囲内に接触させることのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、半導体集積回路の電気的検査を行う工程を有する半導体集積回路装置製造技術であって、前記電気的検査に用いる複数の接触端子を有するプローブカードを以下のように構成するものである。

前記プローブカードにおいて、前記複数の接触端子が形成された第１シートの曲げ剛性の面分布を、一定方向に配列された前記複数の接触端子のうち、前記配列の端部にある前記接触端子の周囲にある第１領域の曲げ剛性を、前記配列の両端部以外の前記接触端子の周囲にある第２領域の曲げ剛性と比較して小さくするように構成するものである。

本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、以下の工程を含む、
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の第１電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）第１配線が形成された第１配線基板と、前記複数の第１電極に接触させるための複数の接触端子および前記複数の接触端子と電気的に接続する第２配線が形成され、前記第２配線が前記第１配線と電気的に接続し前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記第１配線基板に保持された第１シートと、前記第１配線基板の前記第１シートと対向する第１の面に前記第１シートを固定する第１固定治具と、平面で前記第１固定治具の内側に配置され、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された第１領域を裏面より押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子の前記先端を前記複数の第１電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
ここで、前記第1シートは、端子間が広い場合や配列方向が急に変化するコーナ部の端子の場合などの接触端子の配列が不連続な特異点では端子間或いは端子の近傍において特異点以外の領域に比べて曲げ剛性を小さくしたものである。曲げ剛性を相対的に弱くするための手段の一例としては、構成材料の厚さを薄くしたり、構成部材を削除したり、柔らかい部材と置き換えたり、或いは構成部材にスリットを施す、或いは特異点以外の領域に構成部材を追加する方法である。
また、本発明による半導体集積回路装置の製造方法は、以下の工程を含む、
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数の第１電極が形成された半導体ウエハを用意する工程、
（ｂ）第１配線が形成された第１配線基板と、前記複数の第１電極に接触させるための複数の接触端子および前記複数の接触端子と電気的に接続する第２配線が形成され、前記第２配線が前記第１配線と電気的に接続し前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記第１配線基板に保持された第１シートと、前記第１配線基板の前記第１シートと対向する第１の面に前記第１シートを固定する第１固定治具と、平面で前記第１固定治具の内側に配置され、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された第１領域を裏面より押圧する押圧機構とを有するプローブカードを用意する工程、
（ｃ）前記複数の接触端子の前記先端を前記複数の第１電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程。
ここで、前記第1シートは、端子配列が矩形の場合は端子配列のコーナ部へ至る配列の途上からコーナ部に掛けて端子配列の中央側の曲げ剛性をコーナ以外の領域に対して相対的に小さい値としたものである。曲げ剛性を小さくするための手段の一例としては、構成材料の厚さを薄くしたり、柔らかい部材と置き換えたり、或いは構成部材にスリットを施す方法、または、逆にコーナ部以外の領域に構成部材を増やす方法である。

また、本願に開示されたその他の概要を簡単に説明するとすれば、以下の通りである。

第１配線が形成された第１配線基板と、半導体ウエハの主面に形成された複数の第１電極に接触させるための複数の接触端子および前記複数の接触端子と電気的に接続する第２配線が形成され、前記第２配線が前記第１配線と電気的に接続し前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記第１配線基板に保持された第１シートと、前記第１配線基板の前記第１シートと対向する第１の面に前記第１シートを固定する第１固定治具と、平面で前記第１固定治具の内側に配置され、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された第１領域を裏面より押圧する押圧機構とを有し、前記第１シートの端子配列間隔が急に広くなる端子間では、該第１シートの端子間或いは該間隔が広くなっている端子間や端子近傍領域で、該第１シートに切り込みスリットを施す、或いは該第一シートの端子間の材料構成を他の領域に比較して構成材料を削除する、或いは曲げ剛性の小さい材質にする、或いは厚さを薄くした形であるプローブカード。

第１配線が形成された第１配線基板と、半導体ウエハの主面に形成された複数の第１電極に接触させるための複数の接触端子および前記複数の接触端子と電気的に接続する第２配線が形成され、前記第２配線が前記第１配線と電気的に接続し前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記第１配線基板に保持された第１シートと、前記第１配線基板の前記第１シートと対向する第１の面に前記第１シートを固定する第１固定治具と、平面で前記第１固定治具の内側に配置され、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された第１領域を裏面より押圧する押圧機構とを有し、前記第１シートの端子配列が矩形である場合、コーナ部へ至る配列の途上からコーナ部に掛けて端子配列の近傍で、該第１シートに切り込みスリットを施す、或いは該第一シートの端子近傍の材料構成を他の領域に比較して構成材料を削除する、或いは曲げ剛性の小さい材質にする、或いは厚さを薄くした形であるプローブカード。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

すなわち、半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成された薄膜プローブを用いて行うプローブ検査において、探針（プローブ）とその探針が対応するテストパッドとを所望の接触圧力範囲内で接触させることができる。

本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。

ウエハとは、集積回路の製造に用いる単結晶シリコン基板（一般にほぼ平面円形状）、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基板等並びにそれらの複合的基板をいう。また、本願において半導体集積回路装置というときは、シリコンウエハやサファイア基板等の半導体または絶縁体基板上に作られるものだけでなく、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）およびＳＴＮ（Super-Twisted-Nematic）液晶等のようなガラス等の他の絶縁基板上に作られるもの等も含むものとする。

デバイス面とは、ウエハの主面であって、その面にリソグラフィにより、複数のチップ領域に対応するデバイスパターンが形成される面をいう。

接触端子とは、シリコンウエハを半導体集積回路の製造に用いるのと同様な、ウエハプロセス、すなわちフォトリソグラフィ技術、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、スパッタリング技術およびエッチング技術などを組み合わせたパターニング手法によって、配線層およびそれに電気的に接続された先端部を一体的に形成したものをいう。

薄膜プローブ（membrane probe）、薄膜プローブカード、または突起針配線シート複合体とは、検査対象と接触する前記接触端子（突起針）とそこから引き回された配線とが設けられ、その配線に外部接触用の電極が形成された薄膜をいい、たとえば厚さ１０μｍ〜１００μｍ程度のものをいう。

プローブカードとは、検査対象となるウエハと接触する接触端子および多層配線基板などを有する構造体をいい、半導体検査装置とは、プローブカードおよび検査対象となるウエハを載せる試料支持系を有する検査装置をいう。

プローブ検査とは、ウエハ工程が完了したウエハに対してプローバを用いて行われる電気的試験であって、チップ領域の主面上に形成された電極に上記接触端子の先端を当てて半導体集積回路の電気的検査を行うことをいい、所定の機能通りに動作するか否かを確認する機能テストやＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するものである。各チップに分割してから（またはパッケージング完了後）行われる選別テスト（最終テスト）とは区別される。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

また、本実施の形態を説明するための全図においては、各部材の構成をわかりやすくするために、平面図であってもハッチングを付す場合がある。

また、本実施の形態においては、絶縁ゲート型電界効果トランジスタをＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）も含めてＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）と呼ぶ。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施の形態１）
図１は本実施の形態１のプローブカードの下面の要部平面図であり、図２は図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

図１および図２に示すように、本実施の形態１のプローブカードは、たとえば多層配線基板（第１配線基板）１、薄膜シート（薄膜プローブ、第１シート）２およびプランジャ３などから形成されている。

薄膜シート２は押さえリング（第１固定治具）４によって薄膜シート２の上側の主面（第１シートの第１主面）２ａと多層配線基板１の下側の主面（多層配線基板の第２主面）１ｂを対向させた状態で多層配線基板１に固定され、プランジャ３は多層配線基板１の上側の主面（多層配線基板の第１主面）１ａに取り付けられている。多層配線基板１の中央部には開口部５が設けられ、この開口部５内において、薄膜シート２とプランジャ３とは接着リング６を介して接着されている。

薄膜シート２の下側の主面（第１シートの第２主面）２ｂには、たとえば四角錐型または四角錐台形型の複数のプローブ（接触端子）７が形成されている。薄膜シート２内には、プローブ７の各々と電気的に接続され、各々のプローブ７から薄膜シート２の端部に向かって延在する複数の配線（第２配線）が形成されている。

多層配線基板１の下側の主面１ｂには、この複数の配線とそれぞれ電気的に接触する複数の受け部（図示は省略）が形成されており、この複数の受け部は、多層配線基板１内に形成された配線（第１配線）を通じて多層配線基板１の上面に設けられた複数のポゴ（POGO）座８と電気的に接続している。このポゴ座８は、テスタからの信号をプローブカードへ導入するピンを受ける機能を有する。

本実施の形態１において、薄膜シート２は、たとえばポリイミドを主成分とする薄膜から構成され、主面２ａにはプローブ７が形成された領域（複数の接触端子が配置された領域）に沿って、所定の位置（詳細は後述する）にエラストマ（図１、図２において図示は省略）を重ねた金属シート４５が形成されている。

また、本実施の形態１では、プローブ検査を行う際にチップ（半導体集積回路装置）１０のパッド（第１電極）に全てのプローブ７を接触させるために、プローブ７が形成された領域の薄膜シート２を薄膜シート２の上主面２ａ側からチップ（チップ領域）１０の上側の主面（半導体ウエハの第１主面）１０ａ方向に押圧具（押圧部）９を介してプランジャ３が押圧する機構（押圧機構）となっている。

すなわち、プランジャ３内に配置されたばね３Ａの弾性力によって一定の圧力を押圧具９に加えるものである。本実施の形態１において、押圧具９の材質としては、４２アロイを例示することができる。

本実施の形態１において、上記プローブカードを用いてプローブ検査（電気的検査）を行う対象としては、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）ドライバが形成されたチップを例示することができる。図３は、チップ１０の主面１０ａ側の平面と、その一部を拡大したものを図示している。

チップ１０は、たとえば単結晶シリコン基板からなり、その主面にはＬＣＤドライバ回路が形成されている。

また、チップ１０の主面１０ａの周辺部には、ＬＣＤドライバ回路と電気的に接続する多数のパッド（第１電極）１１、１２が配置されており、図３中におけるチップ１０の上側の長辺および両短辺に沿って配列されたパッド１１は出力端子となり、チップ１０の下側の長辺に沿って配列されたパッド１２は入力端子となっている。

ＬＣＤドライバの出力端子数は入力端子数より多いことから、隣り合ったパッド１１の間隔をできる限り広げるために、パッド１１はチップ１０の上側の長辺および両短辺に沿って２列で配列され、チップ１０の上側の長辺および両短辺に沿って互いの列のパッド１１が互い違いに配列されている。

本実施の形態１において、隣り合うパッド１１が配置されているピッチＬＰは、たとえば約６８μｍである。また、本実施の形態１において、パッド１１は平面矩形であり、チップ１０の外周と交差（直交）する方向に延在する長辺の長さＬＡは約６３μｍであり、チップ１０の外周に沿って延在する短辺の長さＬＢは約３４μｍである。

また、隣り合うパッド１１が配置されているピッチＬＰが約６８μｍであり、パッド１１の短辺の長さＬＢが約３４μｍであることから、隣り合うパッド１１の間隔は約３４μｍとなる。

パッド１１、１２は、たとえばＡｕ（金）から形成されたバンプ電極であり、チップ１０の入出力端子（ボンディングパッド）上に、電解めっき、無電解めっき、蒸着あるいはスパッタリングなどの方法によって形成されたものである。

図４は、パッド１１の斜視図である。パッド１１の高さＬＣは約１５μｍであり、パッド１２も同程度の高さを有する。

また、上記チップ１０は、ウエハの主面に区画された多数のチップ領域に半導体製造技術を使ってＬＣＤドライバ回路（半導体集積回路）や入出力端子（ボンディングパッド）を形成し、次いで入出力端子上に上記の方法でパッド１１、１２を形成した後、ウエハをダイシングしてチップ領域を個片化することにより製造することができる。

また、本実施の形態１において、上記プローブ検査は、ウエハをダイシングする前に各チップ領域に対して実施するものである。なお、以後プローブ検査（パッド１１、１２とプローブ７とが接触する工程）を説明する際に、特に明記しない場合には、チップ１０はウエハをダイシングする前の各チップ領域を示すものとする。

図５は、上記チップ１０の液晶パネルへの接続方法を示す要部断面図である。図５に示すように、液晶パネルは、たとえば主面に画素電極１４、１５が形成されたガラス基板１６、液晶層１７、および液晶層１７を介してガラス基板１６と対向するように配置されたガラス基板１８などから形成されている。

本実施の形態１においては、このような液晶パネルのガラス基板１６の画素電極１４、１５に、それぞれパッド１１、１２が接続するようにチップ１０をフェイスダウンボンディングすることによって、チップ１０を液晶パネルへ接続することを例示できる。

図６は上記薄膜シート２の下主面２ｂのプローブ７が形成された領域のうち、コーナ領域周辺を拡大して示した要部平面図であり、図７は図６中のＢ−Ｂ線に沿った要部断面図であり、図８は図６中のＣ−Ｃ線に沿った要部断面図である。

上記プローブ７は、薄膜シート２中にて平面六角形状にパターニングされた金属膜２１Ａ、２１Ｂの一部であり、金属膜２１Ａ、２１Ｂのうちの薄膜シート２の下面に四角錐型または四角錐台形型に飛び出した部分である。

プローブ７は、薄膜シート２の下主面２ｂにおいて上記チップ１０に形成されたパッド１１、１２の位置に合わせて配置されており、図６ではパッド１１に対応するプローブ７の配置について示している。

本実施の形態１では、パッド１１、１２は矩形状に配置されており、プローブ７もパッド１１、１２の配置に合わせて矩形状に配置されている。本実施の形態１では説明の都合上図６が記載された紙面の左右方向を第１配列方向、紙面の上下方向を第２配列方向として説明する。以下とくに明示しない限り、全ての平面図において、図が記載された紙面の左右方向を第１方向とする。

これらプローブ７のうち、プローブ７Ａは、２列で配列されたパッド１１のうちの相対的にチップ１０の外周に近い配列のパッド１１に対応し、プローブ７Ｂは、２列で配列されたパッド１１のうちの相対的にチップ１０の外周から遠い配列のパッド１１に対応している。

薄膜シート２の主面２ｂには、第１配列方向に沿って複数のプローブ７（プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅ）が配列された第１配列領域と、第１配列方向に交差する第２配列方向に沿って、複数のプローブ７（プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅ）が配列される第２配列領域と、第１配列領域と前記第２配列領域が交差するコーナ領域を有するようにプローブ７が配置されている。

ここで、第１配列領域とは、プローブ７が形成される金属膜２１Ａ、２１Ｂが配列される領域であって、前記コーナ領域から第１配列方向に沿って反対側に位置するコーナ領域までの領域を指す。同様に、第２配列領域とは、プローブ７が形成される金属膜２１Ａ、２１Ｂが配列される領域であって、前記コーナ領域から第２配列方向に沿って反対側に位置するコーナ領域までの領域を指す。

第１配列領域に配列されたプローブ７のうち、プローブ７Ａ、７Ｂはそれぞれ第１配列方向に沿って第１配列間隔で配列されており、各配列の端部にはプローブ７Ｅが配置されている。また、第２配列領域に配列されたプローブ７のうち、プローブ７Ａ、７Ｂはそれぞれ第２配列方向に沿って第１配列間隔で配列されており、各配列の端部にはプローブ７Ｅが配置されている。

また、最も近い位置に存在するプローブ７Ａとプローブ７Ｂとの間の距離は、第１方向の距離ＬＸと第２方向の距離ＬＹとで規定され、距離ＬＸは前述の隣り合うパッド１１が配置されているピッチＬＰの半分の約３４μｍとなる。

また、本実施の形態１において、距離ＬＹは、約９３μｍとなる。また、図９に示すように、ポリイミド膜２２の表面からプローブ７Ａ、７Ｂの先端までの高さＬＺ（針高さ）は、５０μｍ以下（大きくとも９０μｍ以下）、更に望ましくは３０μｍ以下で揃えられている。

ここで、プローブ７とそれぞれ対応するパッド１１との接触圧力について本発明者が検討した結果を説明する。

既に説明した通り、押圧具９にはプランジャ３内に配置されたばね３Ａの弾性力によって一定の圧力が押圧具９に加えられる。そして薄膜シート２は押圧具９からほぼ一様に押圧方向の強制変位を受ける。

ところが、プローブ７とそれぞれ対応するパッド１１との接触圧力は一定にはならない。具体的には、例えば第１配列方向に沿って、第１配列間隔で配列されたプローブ７の配列端部にあるプローブ７Ｅの接触圧力は、配列端部以外のプローブ７Ａ、７Ｂの接触圧力と比較して高くなる。

これは、以下の理由によると考えられる。すなわち、薄膜シート２は押圧具９からほぼ一様に強制変位を受ける。この強制変位はプローブ７に伝えられ、プローブ７はそれぞれ対応するパッド１１と接触する。

この際、第１配列領域に配列されたプローブ７のうち、プローブ７Ｅ以外のプローブ７Ａ、７Ｂはほぼ一様な強制変位に応じた圧力で押圧されるため、対応するパッド１１との接触圧力もほぼ一様となるが、配列端部のプローブ７Ｅは薄膜シート２のプローブ７が形成されていない領域（空き領域）の強制変位による押圧も受けることとなる。

このため、第１配列間隔で配列されたプローブ７の配列端部にあるプローブ７Ｅは薄膜シート２のプローブ７が形成されていない領域の強制変位による押圧分だけ配列端部以外のプローブ７Ａ、７Ｂよりも接触圧力が高くなる。

このようにプローブ７Ｅが高い押圧力を受けた場合には、プローブ７Ｅと接触する例えばパッド１１がプローブ７Ｅによって掘り起こされて、パッド材料がパッド１１の初期外形寸法から両隣のパッド方向へ膨らみ、該隣接パッド１１と接触し、ショートしてしまう結果、検査対象であるＬＣＤドライバが形成されたチップの検査がきちんと出来ない場合が発生することが考えられる。

また、前記の高い押圧力によりパッド下の部材に亀裂が入るなどにより検査対象であるＬＣＤドライバが形成されたチップを破損してしまうことが発生する場合がある。或いは、プローブ７Ｅがパッド１１と強く接触することにより、プローブ7Ｅの摩耗が進行しシート２の寿命が短くなる場合がある。

上記した第１配列間隔で配列されたプローブ７の配列端部にあるプローブ７Ｅの接触圧力が、配列端部以外のプローブ７Ａ、７Ｂの接触圧力と比較して高くなる現象は、図６に示すようにプローブ７の配列方向が変化する場合（例えば、プローブ７が矩形の外周に沿うように配列される場合）に特に顕著に発生する。

例えば図６の第１配列領域に配置されたプローブ７について説明すると、コーナ領域に面した位置に配置されているプローブ７Ｅの接触圧力は、プローブ７Ａ、７Ｂの接触圧力と比較して高くなる。図６の第２配列領域についても同様にプローブ７Ｅの接触圧力は、プローブ７Ａ、７Ｂの接触圧力と比較して高くなる。

本実施の形態１では、薄膜シート２の曲げ剛性の面分布を、第１配列領域に配置されたプローブ７のうち、配列の端部にあるプローブ７Ｅの周囲にある第１領域の曲げ剛性が、第１配列領域に配列された複数のプローブ７Ａまたはプローブ７Ｂの間にある第２領域の曲げ剛性と比較して小さくなるようにした。

同様に、薄膜シート２の曲げ剛性の面分布を、第２配列領域に配置されたプローブ７のうち、配列の端部にあるプローブ７Ｅの周囲にある第１領域の曲げ剛性が、第２配列領域に配列された複数のプローブ７Ａまたはプローブ７Ｂの間にある第２領域の曲げ剛性と比較して小さくなるようにした。

薄膜シート２の第１領域の曲げ剛性を第２領域の曲げ剛性と比較して小さくすることにより、薄膜シート２のプローブ７が形成されていない領域の強制変位による押圧は、第１領域の曲げ剛性が、第２領域の曲げ剛性と等しい場合と比較してプローブ７Ｅに伝わり難くなる。

このため、薄膜シート２の曲げ剛性をプローブ７の配列に応じて部分的に調整すれば、プローブ７とそれぞれ対応するパッド１１とを所望の接触圧力範囲内で接触させることが可能になる。

ここで、前記第１領域および前記第２領域の平面上の範囲について図６を用いて説明する。

図６において、第１領域の平面上の範囲は、プローブ７Ｅの周囲にある領域であって、コーナ領域とプローブ７Ｅの位置で規定される四角形の領域である。（図６にはプローブ７Ａが配列される領域に形成されるプローブ７Ｅに対する第１領域の平面上の範囲を点線で囲み、ハッチングで示す）。

また、特に好ましい第１領域の平面上の範囲は、コーナ領域とプローブ７Ｅの位置で規定される四角形の領域のうち、プローブ７Ｅからの距離が前記第１配列間隔の範囲内にある領域である。

一方、図６において、第２領域の平面上の範囲は、隣り合って配置されるプローブ７Ａが形成された金属膜２１Ａの間の領域、または隣り合って配置されるプローブ７Ｂが形成された金属膜２１Ｂの間の領域である。

薄膜シート２の曲げ剛性の面分布を、第１領域の曲げ剛性が第２領域の曲げ剛性と比較して小さくする手段については後に詳述する。

図６〜図８に示す金属膜２１Ａ、２１Ｂは、たとえば下層からＲｈ（ロジウム）膜およびニッケル膜が順次積層して形成されている。金属膜２１Ａ、２１Ｂ上にはポリイミド膜２２が成膜され、ポリイミド膜２２上には各金属膜２１Ａ、２１Ｂと電気的に接続する配線（第２配線）２３が形成されている。

配線２３は、ポリイミド膜２２に形成されたスルーホール２４の底部で金属膜２１Ａ、２１Ｂと接触している。また、配線２３はプローブ７が形成された領域から、多層配線基板１の方向に向かって、放射状に形成されている。

また、ポリイミド膜２２上には、ダミー部材２３Ａが形成されている。ここで、ダミー部材２３Ａは薄膜シート２の機械的強度を調整する機能や、隣接する配線２３同士の相互干渉ノイズを抑制または防止する機能を有し、配線２３など他の部材とは電気的に接続されておらず、信号伝達には関与しない。

ポリイミド膜２２、配線２３およびダミー部材２３Ａ上には、ポリイミド膜２５が成膜されている。

上記ダミー部材２３Ａは、薄膜シート２の上記配線２３が存在しないところに形成される。配線２３が存在しない箇所にダミー部材２３Ａを形成すると、配線２３が形成された箇所と配線２３が形成されていない箇所とで、薄膜シート２の曲げ剛性が略均一となる。

しかし、配線２３もダミー部材２３Ａも形成しない領域がある場合、該領域の曲げ剛性は配線２３、またはダミー部材２３Ａが形成された領域と比較して曲げ剛性が小さくなる。

本実施の形態１では、プローブ７Ａ、７Ｂの間にある領域、すなわち第２領域には配線２３またはダミー部材２３Ａを形成している。また、前記第２領域と隣接する領域であって、プローブ７を形成した領域の内周方向に広がる第３領域にはダミー部材２３Ａを形成し、前記第２領域と隣接する領域であって、プローブ７を形成した領域の外周方向に広がる第４領域には配線２３を形成している。

しかし、プローブ７Ｅの周囲にある領域であって、プローブ７Ｅが形成された金属膜２１Ａまたは金属膜２１Ｂから前記コーナ領域までの領域（第１領域）には配線２３もダミー部材２３Ａを形成しない構成としている。

すなわち、プローブ７Ｅの周囲にある第１領域は、プローブ７Ａ、７Ｂの周囲にある第２領域と比較して薄膜シート２の構成部材の数が少なくなるように構成している。このため、薄膜シート２の第１領域の曲げ剛性は、第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくすることができる。

そして、薄膜シート２の第１領域の曲げ剛性を第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくすることにより、プローブ７とそれぞれ対応するパッド１１、１２とを所望の接触圧力範囲内で接触させることが可能になる。

本実施の形態１では、第１領域と第２領域との構成部材上の相違点は、薄膜シート２の主要構成部材であるポリイミド膜と比較して剛性の大きい構成部材である配線２３、またはダミー部材２３Ａである。

このように、第２領域を構成する構成部材のうち、主要構成部材であるポリイミド膜よりも剛性の大きい構成部材を第１領域には形成しないようにすることで、容易に薄膜シート２の曲げ剛性の面分布を調整することができる。

薄膜シート２の第１領域の構成部材が、第２領域の構成部材と比較して少なくなるように薄膜シート２の構成部材を部分的に少なくする薄膜シート２の曲げ剛性調整手段は、プローブカードの製造工程において、特別な工程を付加することなく実現できるため、有効な方法である。

なお、本実施の形態１では、第１領域に配線２３もダミー部材２３Ａも形成しない構成について説明したが、第２領域に第１領域には存在しない新たな構成部材を追加する手段をとっても良い。

この場合、プローブカードの製造工程において、構成部材を追加する工程が必要となるため、製造工程が煩雑となるが、薄膜シート２の第１領域の曲げ剛性は、第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくすることはできる。

既に述べたように、金属膜２１Ａ、２１Ｂの一部は四角錐型または四角錐台形型に形成されたプローブ７Ａ、７Ｂとなり、ポリイミド膜２２には金属膜２１Ａ、２１Ｂに達するスルーホール２４が形成される。

そのため、プローブ７Ａが形成された金属膜２１Ａおよびスルーホール２４の平面パターンと、プローブ７Ｂが形成された金属膜２１Ｂおよびスルーホール２４の平面パターンとが同じ方向で配置されるようにすると、隣り合う金属膜２１Ａと金属膜２１Ｂとが接触してしまい、プローブ７Ａ、７Ｂからそれぞれ独立した入出力を得られなくなってしまう不具合が懸念される。

そこで、本実施の形態１では、図６に示すように、プローブ７Ｂが形成された金属膜２１Ｂおよびスルーホール２４の平面パターンは、プローブ７Ａが形成された金属膜２１Ａおよびスルーホール２４の平面パターンを１８０°回転したパターンとしている。

それにより、平面でプローブ７Ａおよびスルーホール２４が配置された金属膜２１Ａの幅広の領域と、平面でプローブ７Ｂおよびスルーホール２４が配置された金属膜２１Ｂの幅広の領域とが、紙面の左右方向の直線上に配置されないようになり、金属膜２１Ａおよび金属膜２１Ｂの平面順テーパー状の領域が紙面の左右方向の直線上に配置されるようになる。

その結果、隣り合う金属膜２１Ａと金属膜２１Ｂとが接触してしまう不具合を防ぐことができる。また、狭ピッチでパッド１１（図３参照）が配置されても、それに対応した位置にプローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅを配置することが可能となる。

本実施の形態１では、図３を用いてパッド１１が２列で配列されている場合について説明したが、図１０に示すように、１列で配列されているチップも存在する。

そのようなチップに対しては、図１１に示すように、上記金属膜２１Ａの幅広の領域が紙面の左右方向（第１配列方向）の直線上に配置された薄膜シート２を用いることで対応することができる。

図１１に示す薄膜シート２では、第１配列方向に沿って、第１配列領域に第１配列間隔で配列されたプローブ７の配列両端部の間のプローブ７Ａの間にある第２領域と、前記第２領域に隣接し、プローブ７が形成された領域の内周方向に広がる第３領域には、ダミー部材２３Ａを形成している。

しかし、第１配列方向に沿って配列されたプローブ７の配列端部にあるプローブ７Ｅの周囲にある領域であって、コーナ領域とプローブ７Ｅの位置で規定される四角形の領域（図１１には点線で囲み、ハッチングで示す領域）である第１領域には配線２３もダミー部材２３Ａも形成しない。

薄膜シート２の各領域の曲げ剛性は、当該領域に隣接する領域の曲げ剛性の影響も受けることがある。すなわち、図１１に示した薄膜シート２のように、第２領域に直接ダミー部材２３Ａを形成することができない場合、第２領域に隣接する領域にダミー部材２３Ａを設け、第１領域にはダミー部材２３Ａを設けない上記のような構成とすることにより、薄膜シート２の第１領域の曲げ剛性は、第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくすることができる。

換言すれば、第１領域の曲げ剛性を第２領域の曲げ剛性と比較して小さくする手段として、第１領域を構成する構成部材の数を配列方向と交差する方向に沿って第２領域に隣接する領域を構成する構成部材と比較して少なくなるように、薄膜シート２の構成部材を部分的に少なくする構成とすることもできる。

そして第１領域の曲げ剛性を第２領域の曲げ剛性と比較して小さくすることにより、プローブ７とそれぞれ対応するパッド１１、１２とを所望の接触圧力範囲内で接触させることが可能になる。

また、図１０に示すようにパッド１１が１列で配列される場合であっても図６〜図８で説明した薄膜シート２を用いることができる場合もある。

例えば、パッド１１の長辺の長さＬＡ約１４０μｍであり、パッド１１の短辺の長さＬＢが約１９μｍであり、隣り合うパッド１１が配置されているピッチＬＰが約３４μｍであり、隣り合うパッド１１の間隔が約１５μｍである場合について検討する。

上記の場合、図３に示したパッド１１に比べて図１０に示したパッド１１の長辺は約２倍以上となり、短辺方向でのパッド１１の中心位置を図３に示したパッド１１の中心位置と揃えることができるので、図６〜図８を用いて説明した薄膜シート２を用いることが可能となる。この場合、図１２に示す位置ＰＯＳ１、ＰＯＳ２でプローブ７Ａ、７Ｂのそれぞれがパッド１１に接触することになる。

また、パッド１１の数がさらに多い場合には、３列以上で配列されている場合もある。図１３は３列で配列されたパッド１１に対応した薄膜シート２の下主面２ｂのプローブ７が形成された領域のコーナ領域周辺の要部平面図であり、図１４は４列で配列されたパッド１１に対応した薄膜シート２の下面のプローブ７が形成された領域のコーナ領域周辺の要部平面図である。

チップ１０のサイズが同じであれば、パッド１１の配列数が増えるに従って、図６を用いて説明した距離ＬＸがさらに狭くなるので、上記金属膜２１Ａ、２１Ｂを含む金属膜が接触してしまうことがさらに懸念される。

そこで、図１３および図１４に示すように、金属膜２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄを、たとえば図６に示した金属膜２１Ａの平面パターンを４５°回転させたものとすることで、金属膜２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄが互いに接触してしまう不具合を防ぐことが可能となる。

また、ここでは図６に示した金属膜２１Ａの平面パターンを４５°回転させた例について説明したが、４５°に限定するものではなく、金属膜２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄの互いの接触を防ぐことができるのであれば他の回転角でもよい。

なお、金属膜２１Ｃには、プローブ７Ｂが対応するパッド１１よりさらにチップ１０内の内側に配置されたパッド１１に対応するプローブ７Ｃが形成され、金属膜２１Ｄには、プローブ７Ｃが対応するパッド１１よりさらにチップ１０内の内側に配置されたパッド１１に対応するプローブ７Ｄが形成されている。

ここで、図１５は図１４中のＤ−Ｄ線に沿った要部断面図であり、図１６は図１４中のＥ−Ｅ線に沿った要部断面図である。図１４に示したように、４列のパッド１１に対応するプローブ７Ａ〜７Ｄを有する金属膜２１Ａ〜２１Ｄを配置した場合には、金属膜２１Ａ〜２１Ｄのそれぞれに上層から電気的に接続する配線のすべてを同一の配線層で形成することが困難になる。

これは、上記距離ＬＸが狭くなることによって、金属膜２１Ａ〜２１Ｄのそれぞれ同士が接触する虞が生じるのと共に、金属膜２１Ａ〜２１Ｄに電気的に接続する配線同士も接触する虞が生じるからである。

そこで、本実施の形態１においては、図１５および図１６に示すように、それら配線を２層の配線層（配線２３、２６）から形成することを例示することができる。なお、配線２６およびポリイミド膜２５上には、ポリイミド膜２７が形成されている。

相対的に下層の配線２３はポリイミド膜２２に形成されたスルーホール２４の底部で金属膜２１Ａ、２１Ｃと接触し、相対的に上層の配線２６はポリイミド膜２２、２５に形成されたスルーホール２８の底部で金属膜２１Ｂ、２１Ｄと接触している。

それにより、同一の配線層においては、隣り合う配線２３または配線２６の間隔を大きく確保することが可能となるので、隣り合う配線２３または配線２６が接触してしまう不具合を防ぐことができる。

また、パッド１１が５列以上となり、それに対応するプローブ数が増加して上記距離ＬＸが狭くなる場合には、さらに多層に配線層を形成することによって、配線間隔を広げてもよい。

図１３および図１４に示す薄膜シート２でも、図６〜図８で説明した薄膜シート２と同様に第１配列方向に沿って配列されたプローブ７の配列両端部の間のプローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄの間にある第２領域には、配線２３、配線２６、ダミー部材２３Ａまたは２６Ａのいずれかを形成している。

しかし、第１配列方向に配列されたプローブ７の配列端部にあるプローブ７Ｅの周囲にある領域であって、コーナ領域とプローブ７Ｅの位置で規定される四角形の領域（図示せず）である第１領域には配線２３、配線２６、ダミー部材２３Ａ、ダミー部材２６Ａも形成しない。

上記のように構成することにより、薄膜シート２の第１領域の曲げ剛性は、第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくすることができるので、プローブ７とそれぞれ対応するパッド１１、１２とを所望の接触圧力範囲内で接触させることが可能になる。

次に、上記の本実施の形態１の薄膜シート２の構造について、その製造工程と併せて図１７〜図２５を用いて説明する。図１７〜図２５は、図６〜図８を用いて説明した２列のパッド１１（図３参照）に対応したプローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅを有する薄膜シート２の製造工程中の要部断面図である。

なお、図１７〜図２５では、プローブ７Ａ、７Ｂを形成する領域と、プローブ７Ｅを形成する領域との構造上の差異を分かりやすくするために、各図が記載される紙面に対して左側にプローブ７Ａ、７Ｂの構造、右側にプローブ７Ｅの構造を示す。

まず、図１７に示すように、厚さ０．２ｍｍ〜０．６ｍｍ程度のシリコンからなるウエハ３１を用意し、熱酸化法によってこのウエハ３１の両面に膜厚０．５μｍ程度の酸化シリコン膜３２を形成する。

続いて、フォトレジスト膜をマスクとしてウエハ３１の主面側の酸化シリコン膜３２をエッチングし、ウエハ３１の主面側の酸化シリコン膜３２にウエハ３１に達する開口部を形成する。

次いで、残った酸化シリコン膜３２をマスクとし、強アルカリ水溶液（たとえば水酸化カリウム水溶液）をもちいてウエハ３１を異方的にエッチングすることによって、ウエハ３１の主面に（１１１）面に囲まれた四角錐型または四角錐台形型の穴３３を形成する。

次に、図１８に示すように、上記穴３３の形成時にマスクとして用いた酸化シリコン膜３２をフッ酸およびフッ化アンモニウムの混合液によるウェットエッチングにより除去する。

続いて、ウエハ３１に熱酸化処理を施すことにより、穴３３の内部を含むウエハ３１の全面に膜厚０．５μｍ程度の酸化シリコン膜３４を形成する。次いで、穴３３の内部を含むウエハ３１の主面に導電性膜３５を成膜する。この導電性膜３５は、たとえば膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜することができる。

次いで、導電性膜３５上にフォトレジスト膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術によって後の工程で金属膜２１Ａ、２１Ｂ（図６〜図８参照）が形成される領域のフォトレジスト膜を除去し、開口部を形成する。

次に、導電性膜３５を電極とした電解めっき法により、上記フォトレジスト膜の開口部の底部に現れた導電性膜３５上に硬度の高い導電性膜３７および導電性膜３８を順次堆積する。

本実施の形態１においては、導電性膜３７をＲｈ膜とし、導電性膜３８をニッケル膜とすることを例示できる。ここまでの工程により、導電性膜３７、３８から前述の金属膜２１Ａ、２１Ｂを形成することができる。また、穴３３内の導電性膜３７、３８が前述のプローブ７Ａ、７Ｂとなる。なお、導電性膜３５は、後の工程で除去されるが、その工程については後述する。

金属膜２１Ａ、２１Ｂにおいては、後の工程で前述のプローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅが形成された時に、Ｒｈ膜から形成された導電性膜３７が表面となり、導電性膜３７がパッド１１に直接接触することになる。そのため、導電性膜３７としては、硬度が高く耐磨耗性に優れた材質を選択することが好ましい。

また、導電性膜３７はパッド１１に直接接触するため、プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅによって削り取られたパッド１１の屑が導電性膜３７に付着すると、その屑を除去するクリーニング工程が必要となり、プローブ検査工程が延びてしまうことが懸念される。

そのため、導電性膜３７としては、パッド１１を形成する材料が付着し難い材質を選択することが好ましい。

そこで、本実施の形態１においては、導電性膜３７として、これらの条件を満たすＲｈ膜を選択している。それにより、そのクリーニング工程を省略することができる。

次に、上記金属膜２１Ａ、２１Ｂ（導電性膜３７、３８）の成膜に用いたフォトレジスト膜を除去した後、図１９に示すように、金属膜２１Ａ、２１Ｂおよび導電性膜３５を覆うようにポリイミド膜２２（図７および図８も参照）を成膜する。続いて、そのポリイミド膜２２に金属膜２１Ａ、２１Ｂに達する前述のスルーホール２４を形成する。このスルーホール２４は、レーザを用いた穴あけ加工またはアルミニウム膜をマスクとしたドライエッチングによって形成することができる。

次に、図２０に示すように、スルーホール２４の内部を含むポリイミド膜２２上に導電性膜４２を成膜する。この導電性膜４２は、たとえば膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜することができる。

続いて、その導電性膜４２上にフォトレジスト膜を形成した後に、そのフォトレジスト膜をフォトリソグラフィ技術によってパターニングし、フォトレジスト膜に導電性膜４２に達する開口部を形成する。

次いで、めっき法により、その開口部内の導電性膜４２上に導電性膜４３を成膜する。本実施の形態１においては、導電性膜４３として銅膜、または銅膜およびニッケル膜を下層から順次堆積した積層膜を例示することができる。

次に、上記フォトレジスト膜を除去した後、導電性膜４３をマスクとして導電性膜４２をエッチングすることにより、導電性膜４２、４３からなる配線２３およびダミー部材２３Ａを形成する。配線２３は、スルーホール２４の底部にて金属膜２１Ａ、２１Ｂと電気的に接続することができる。

上記エッチング工程において、薄膜シート２の前記第２領域であって、配線２３が形成されない領域にはダミー部材２３Ａを形成するが、薄膜シート２の前記第１領域にはダミー部材２３Ａを形成しない。

次に、図２１に示すように、ウエハ３１の主面に前述のポリイミド膜２５を成膜する。このポリイミド膜２５は、後の工程でウエハ３１の主面に固着される金属シートの接着層として機能する。

次に、図２２に示すように、ポリイミド膜２５の上面に金属シート（第２固定治具）４５を固着する。この金属シート４５としては、線膨張率が低く、かつシリコンから形成されたウエハ３１の線膨張率に近い材質を選ぶものであり、本実施の形態１では、たとえば４２アロイ（ニッケル４２％かつ鉄５８％の合金で、線膨張率４ｐｐｍ／℃）またはインバー（ニッケル３６％かつ鉄６４％の合金で、線膨張率１．５ｐｐｍ／℃）を例示することができる。

また、金属シート４５を用いる代わりにウエハ３１と同じ材質のシリコン膜を形成してもよいし、シリコンと同程度の線膨張率を有する材質、たとえば鉄とニッケルとコバルトとの合金、またはセラミックと樹脂との混合材料などでもよい。

このような金属シート４５を固着するには、ウエハ３１の主面に位置合わせしつつ重ね合わせ、１０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２程度で加圧しながらポリイミド膜２５のガラス転移点温度以上の温度で加熱を行い、加熱加圧圧着することによって実現できる。このような金属シート４５をポリイミド膜２５を用いて固着することによって、形成される薄膜シート２の強度の向上を図ることができる。

また、金属シート４５を固着しない場合には、プローブ検査時の温度に起因する薄膜シート２および検査対象のウエハの膨張または収縮によって、プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅと対応するパッド１１との相対的な位置がずれてしまい、プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅが対応するパッド１１と接触できなくなってしまう不具合が懸念される。

一方、本実施の形態１によれば、金属シート４５を固着したことにより、プローブ検査時の温度に起因する薄膜シート２および検査対象のウエハの膨張量または収縮量を揃えることができる。それにより、プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅと対応するパッド１１との相対的な位置がずれてしまうことを防ぐことが可能となる。

すなわち、プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅと対応するパッド１１とがプローブ検査時の温度に関係なく常に電気的接触を保つことが可能となる。また、様々な状況下での薄膜シート２と検査対象のウエハとの相対的な位置制度を確保することが可能となる。

次に、フォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜をマスクとして金属シート４５をエッチングし、プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅ上の金属シート４５に開口部４６を形成する。本実施の形態１において、このエッチングは、塩化第二鉄溶液を用いたスプレーエッチングとすることができる。

この、開口部４６を形成する工程では、薄膜シート２のプローブ７Ｅ周囲にある第１領域には開口部４７も形成しても良い。開口部４７には次の工程でエラストマ４８が形成されるが、このエラストマ４８は金属シート４５と比較して剛性が低い材料である。

すなわち、薄膜シート２の第１領域の構成部材の一部を前記第２領域の対応する箇所の構成部材と比較して曲げ剛性の小さい部材に置き換えた構成とする。

上記のように構成することにより、第１領域の曲げ剛性は、第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくすることができるので、プローブ７とそれぞれ対応するパッド１１、１２とを所望の接触圧力範囲内で接触させることが可能になる。

次に、上記フォトレジスト膜を除去した後、図２３に示すように、開口部４６および開口部４７内に、エラストマ４８を形成する。この時、エラストマ４８は所定量が開口部４６および開口部４７の上部へ突出するように形成する。本実施の形態１においては、エラストマ４８を形成する方法として、開口部４６および開口部４７内に弾性樹脂を印刷もしくはディスペンサ塗布する方法、またはシリコンシートを設置する方法を例示することができる。

エラストマ４８は、多数のプローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅの先端がパッド１１に接触する際の衝撃を緩和しつつ、個々のプローブ７Ａ、７Ｂの先端の高さのばらつきを局部的な変形によって吸収し、パッド１１の高さのばらつきに倣った均一な食い込みによってプローブ７Ａ、７Ｂとパッド１１との接触を実現する。

次に、図２４に示すように、たとえばフッ酸とフッ化アンモニウムの混合液を用いたエッチングによって、ウエハ３１の裏面の酸化シリコン膜３４を除去する。続いて、強アルカリ水溶液（たとえば水酸化カリウム水溶液）を用いたエッチングにより、薄膜シート２を形成するための型材であるウエハ３１を除去する。次いで、酸化シリコン膜３４および導電性膜３５を順次エッチングにより除去する。

この時、酸化シリコン膜３４はフッ酸およびフッ化アンモニウムの混合液を用いてエッチングし、導電性膜３５に含まれるクロム膜は過マンガン酸カリウム水溶液を用いてエッチングし、導電性膜３５に含まれる銅膜はアルカリ性銅エッチング液を用いてエッチングする。

ここまでの工程により、プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅを形成する導電性膜３７（図１８参照）であるＲｈ膜がプローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅの表面に現れる。前述したように、Ｒｈ膜が表面に形成されたプローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅにおいては、プローブ７Ａ、７Ｂ、７Ｅが接触するパッド１１の材料であるＡｕなどが付着し難く、Ｎｉより硬度が高く、かつ酸化され難く接触抵抗を安定させることができる。

次に、たとえば４２アロイから形成された押圧具９をエラストマ４８上に接着して本実施の形態１の薄膜シート２を製造する。

上記の工程によって製造した本実施の形態１の薄膜シート２は、金属シート４５を接着させる構成とすることにより、金属シート４５を接着しない構成と比較して、薄膜シート２の第１領域と第２領域の曲げ剛性の差を容易に調整することが可能となる。

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、薄膜シート２の第１領域の曲げ剛性を、第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくするための手段として、第１領域の構成部材を第２領域の構成部材と比較して少なくなるようにする方法、および第１領域の構成部材の一部を前記第２領域の対応する箇所の構成部材と比較して曲げ剛性の小さい部材に置き換える方法について説明したが、異なる手段をとることもできる。

また、前記実施の形態１では第１領域がプローブ７の配列方向が変化するコーナ領域に存在する場合について説明したが、前記実施の形態１で説明したとおり、プローブ７の配列は検査対象物のパッドの配列に応じて決定されるため、必ずしも全てのプローブ７が一定間隔で配列されているとは限らず、プローブ７の配列間隔（第２配列間隔）が同じ配列方向に配列されるの他のプローブ７の配列間隔（第１配列間隔）と比較して広くなっている特異点が存在する場合がある。

そこで、本実施の形態２では、プローブ７の第２配列間隔が同じ配列方向に沿って配列されるプローブ７の第１配列間隔と比較して広くなっている特異点が存在するケースを例として、前記実施の形態１で説明した方法と異なる薄膜シート２の曲げ剛性調整手段について説明する。

図２６は本実施の形態２の薄膜シート２の下面のプローブ７が形成された領域であって、プローブ７の配列間隔が広い特異点周辺を拡大して示した要部平面図であり、図２７は図２６中のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図であり、図２８は図２６中のＧ−Ｇ線に沿った要部断面図である。

図２６において、プローブ７の配置は、図２６が記載された紙面の左右方向（第１配列方向）に沿って第１配列間隔で配列されたプローブ（第１接触端子）７Ａ（またはプローブ７Ｂ）と、第１配列方向に沿って、第１配列間隔の配列端部にあるプローブ（第１接触端子の配列端部にある第１接触端子）７Ｆと隣り合うように配列されたプローブ（第２接触端子）７Ｇとを有するように配置されている。

プローブ７Ｆとプローブ７Ｇの配列間隔（第２配列間隔）は第１配列間隔よりも広くなっている。

このように、プローブ７の配列間隔が他のプローブ７の配列間隔と比較して広くなっている特異点がある場合、狭い間隔で配列されたプローブ７の配列端部にあるプローブ７Ｆと対応するパッド１１との接触圧力は、プローブ７Ａ、７Ｂと対応するパッド１１との接触圧力と比較して高くなる場合がある。

これは、前記実施の形態１で説明したように、第１配列間隔で配列されたプローブ７の配列端部にあるプローブ７Ｆ以外のプローブ７Ａ、７Ｂはほぼ一様な強制変位に応じた圧力で押圧されるため、対応するパッド１１、１２との接触圧力もほぼ一様となるが、配列端部のプローブ７Ｆは薄膜シート２のプローブ７が形成されていない領域（プローブ７Ｆとプローブ７Ｇの間の空き領域）の強制変位による押圧も受けることとなるためであると考えられる。

そこで、本実施の形態２では、薄膜シート２の曲げ剛性の面分布を、第２配列間隔で配列されるプローブ７Ｆとプローブ７Ｇの間の第１領域の曲げ剛性を、第２配列間隔より狭い第１配列間隔で配列されるプローブ７Ａ（またはプローブ７Ｂ）の間の第２領域の曲げ剛性と比較して小さくなるようにした。

薄膜シート２の曲げ剛性を調整する手段としては、図２６〜図２８に示すように、薄膜シート２の第１領域に溝部５０を形成している。

すなわち、薄膜シート２の第１領域の厚さ（薄膜シート２の下主面２ｂから押圧具９と接触する面である上主面２ａまでの距離）が第２領域の厚さと比較して薄くなるように、薄膜シート２を部分的に薄くしている。

そして薄膜シート２の第１領域の厚さを第２領域の厚さよりも薄くすることにより、第１領域の曲げ剛性を第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくすることができる。

薄膜シート２のプローブ７Ｆやプローブ７Ｇの周囲の領域に、ダミーではない配線２３など機能上の制約から取り除くことができない構成部材が密集して形成されているような場合、実施の形態１で説明したように構成部材の多少により、薄膜シート２の曲げ剛性を調整することが困難な場合がある。

本実施の形態２で説明した薄膜シート２の厚さを調整することにより曲げ剛性を調整する手段は、薄膜シート２の第１領域に配線２３など、取り除くことのできない構成部材が密集して形成されているような場合に特に有効である。

次に本実施の形態２の薄膜シート２の製造工程について説明する。なお、実施の形態１で説明した製造工程と異なる部分についてのみ説明する。本実施の形態２の薄膜シート２の製造工程は、ポリイミド膜２２に溝部５０を形成する点が、前記実施の形態１の薄膜シート２の製造工程と相違する。

ポリイミド膜２２への溝部５０形成は、例えば、前記実施の形態１で説明した製造工程において、酸化シリコン膜３４、導電性膜３５に含まれるクロム膜、導電性膜３５に含まれる銅膜を順次エッチングにより除去した後、レーザー加工でのトリミングにより行うことができる。

或いは前記実施の形態１で説明した製造工程において、金属膜２１Ａ、２１Ｂ（導電性膜３７、３８）の成膜に用いたフォトレジスト膜を除去した後、金属膜２１Ａ、２１Ｂおよび導電性膜３５を覆うようにポリイミド膜２２を成膜する前に、溝部５０に該当する箇所に予めマスクを形成しておき、酸化シリコン膜３４、導電性膜３５に含まれるクロム膜、導電性膜３５に含まれる銅膜を順次エッチングにより除去した後に前記マスクをエッチング除去しても良い。

本実施の形態２では溝部５０を形成する箇所をポリイミド膜２２として説明したが、溝部５０を形成する箇所はポリイミド膜２２に限定されない。例えば、前記実施の形態１で説明した金属シート４５やエラストマ４８に溝部を設けることもできる。

プローブ７が形成される層であるポリイミド膜２２に溝部５０を形成する場合、プローブ７Ｆの近傍に溝部を設けることができるので、溝幅、溝長、溝深さを同一とした場合、ポリイミド膜２２に溝部を形成した方が、エラストマ４８等に溝部を形成するよりも、第１領域の曲げ剛性を小さくすることができるが、エラストマ４８に溝部を形成する場合は、適宜溝幅、溝長、溝深さを調整すれば良い。

また、本実施の形態２では第１領域に形成する薄膜シート２の厚さ調整手段を溝部５０として説明したが、厚さ調整手段は溝には限定されない。すなわち、図２６に示す溝部５０を形成した領域に薄膜シート２を貫通（プローブ７が形成された下側主面２ｂから押圧具９との接触する上側主面２ａまで貫通）する孔を形成しても良い。

薄膜シート２の第１領域に、配線２３など機能上の制約から取り除くことができない構成部材がある場合、貫通孔を形成することはできないが、これらの構成部材が配置されていない場所には貫通孔を形成することができる。

第１領域に貫通孔を形成させる場合、形成する幅および長さを同一とした場合、溝部を設けるよりも第１領域の曲げ剛性を小さくすることができる。

また、本実施の形態２では薄膜シート２の第３領域に溝部５０を形成する例を説明したが、溝部５０を形成する領域は第３領域に限定されない。

例えば、隣り合うプローブ７Ｆとプローブ７Ｇの配列間隔が短いなどの理由により、第３領域に溝部５０や貫通孔を形成できない場合、図２９に示すように第１配列方向と交差する方向に沿って、前記第１領域に隣接する領域であって、プローブ７Ｆ、７Ｇから配線２３が形成される方向にある第３領域、或いはプローブ７Ｆ、７Ｇから配線２３が形成される方向と反対方向にある第４領域に溝部５０や貫通孔を第１配列方向に沿って延在させても良い。

溝部５０または貫通孔を第３領域または、第４領域に形成する場合、薄膜シート２の第１領域の曲げ剛性を直接的に小さくするわけではないので、前記した第１領域に直接、溝部５０または貫通孔を形成する方法と比較すると、第１領域の曲げ剛性を小さくする効果は低いが、第３領域または第４領域に形成する溝部５０は適宜溝幅、溝長、溝深さを調整することにより、第１領域の曲げ剛性を第２領域の曲げ剛性よりも小さくすることができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、実施の形態１ではプローブ７が交差する２つの方向に沿った２つの配列領域に配列される場合において、２つの配列領域が交差するコーナ領域を含む領域を第１領域とし、第１領域の曲げ剛性を、第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくするための手段として、第１領域の構成部材を第２領域の構成部材と比較して少なくなるようにする方法、および第１領域の構成部材の一部を前記第２領域の対応する箇所の構成部材と比較して曲げ剛性の小さい部材に置き換える方法について説明した。

しかし、薄膜シート２の曲げ剛性調整手段はこれらに限られる訳ではなく、実施の形態２で説明したように溝部や貫通孔を形成する方法を用いても良い。

例えばプローブ７の配列例を示した要部拡大平面図である図３０のように、第１配列領域と第２配列領域が交差するコーナ領域にもプローブ７Ｅが形成されている場合、プローブ７Ｅ周囲にある第１領域の曲げ剛性を小さくする手段として、図３０に示すように前記コーナ領域の外側（多層配線基板１に近い方向）あるいは前記コーナ領域の内周側（多層配線基板１から遠くなる方向）に溝部５０または貫通孔を設けることもできる。

このように構成することにより、前記コーナ領域周囲の領域の曲げ剛性を小さくすることができる。

反対に、実施の形態２で説明したように、プローブ７の配列間隔が他のプローブ７の配列間隔と比較して広くなっている特異点を有するような場合に、配列間隔が広い第２配列間隔で配列されたプローブ７Ｆ、７Ｇの間にある第１領域の曲げ剛性を、前記第２配列間隔より狭い第２配列間隔で配列されたプローブ７Ａの間にある第２領域の曲げ剛性と比較して相対的に小さくするための手段として、第１領域の構成部材を第２領域の構成部材と比較して少なくなるようにする方法、および第１領域の構成部材の一部を前記第２領域の対応する箇所の構成部材と比較して曲げ剛性の小さい部材に置き換える方法を用いても良い。

また、薄膜シート２の曲げ剛性を調整する手段として、実施の形態１で説明した方法、例えば構成部材の多少により調整する方法と、本実施の形態２で説明した薄膜シート２の厚さにより調整する方法を組み合わせて使用してもよい。

例えば、薄膜シート２の第２領域にはダミー部材２３Ａを形成し、薄膜シート２の一定間隔で配列されたプローブ７の配列端部にあるプローブ７Ｅおよび７Ｆの近傍領域であって、プローブ７Ｅ、７Ｆからプローブ７が配列される方向と反対方向の領域にはダミー部材２３Ａを形成せず、かつ溝部５０が形成するような構成とする。

この場合、薄膜シート２のプローブ７Ｅ、７Ｆの周囲の領域と、プローブ７Ａ、７Ｂの周囲の領域の曲げ剛性の差を大きくすることができるので、機能上必要な構成部材のレイアウトの制約によらず、薄膜シート２の曲げ剛性を調整することができる。

本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、たとえば半導体集積回路装置の製造工程におけるプローブ検査工程に広く適用することができる。

本発明の一実施の形態であるプローブカードの下面の要部平面図である。 図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの平面図である。 図３に示した半導体チップに形成されたパッドの斜視図である。 図４に示した半導体チップの液晶パネルへの接続方法を示す要部断面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。 図６中のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 図６中のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部を拡大して示す断面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップの平面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを用いてプローブ検査を行う対象の半導体チップに設けられたバンプ電極上にてプローブが接触する位置を示した要部平面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの要部平面図である。 図１４中のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。 図１４中のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。 本発明の一実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの製造工程を説明する要部断面図である。 図１７に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。 図１８に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。 図１９に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。 図２０に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。 図２１に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。 図２２に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。 図２３に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。 図２４に続く薄膜シートの製造工程中の要部断面図である。 本発明の他の実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの構造を説明する要部平面図である。 図２６中のＦ−Ｆ線に沿った断面図である。 図２６中のＧ−Ｇ線に沿った断面図である。 本発明の他の実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの構造を説明する要部平面図である。 本発明の他の実施の形態であるプローブカードを形成する薄膜シートの構造を説明する要部平面図である。

符号の説明

１ 多層配線基板（第１配線基板）
１ａ 主面（配線基板の第１主面）
１ｂ 主面（配線基板の第２主面）
２ 薄膜シート（薄膜プローブ、第１シート）
２ａ 主面（シートの第１主面）
２ｂ 主面（シートの第２主面）
３ プランジャ
４ 押さえリング（第１固定治具）
５ 開口部
６ 接着リング
７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ、７Ｆ、７Ｇ プローブ（接触端子）
８ ポゴ座
９ 押圧具（押圧機構）
１０ チップ（チップ領域）
１０ａ 主面（半導体ウエハの第１主面）
１０ｂ 主面（半導体ウエハの第２主面）
１１、１２ パッド（第１電極）
１４、１５ 画素電極
１６、１８ ガラス基板
１７ 液晶層
２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ 金属膜
２２ ポリイミド膜
２３ 配線
２３Ａ ダミー部材
２４ スルーホール
２５ ポリイミド膜
２６ 配線
２６Ａ ダミー部材
２７ ポリイミド膜
２８ スルーホール
３１ ウエハ
３２ 酸化シリコン膜
３３ 穴
３４ 酸化シリコン膜
３５、３７、３８ 導電性膜
４２、４３ 導電性膜
４５ 金属シート（第２固定治具）
４５Ａ 輪郭（第３の輪郭）
４５Ｂ 角部
４６、４７ 開口部
５０ 溝部

Claims (5)

1. （ａ）厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有する半導体ウエハを用意する工程、
   （ｂ）前記半導体ウエハの区画された前記第１主面の複数のチップ領域の各々に半導体集積回路を形成する工程、
   （ｃ）前記複数のチップ領域の各々に、前記半導体集積回路に電気的に接続される複数の第１電極を形成する工程、
   （ｄ）複数の接触端子を有するプローブカードを用意する工程、
   （ｅ）前記複数の接触端子を前記複数の第１電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程とを含み、
   前記プローブカードは、
   厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有し、第１配線が形成された第１配線基板と、
   厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有する第１シートと、
   前記第１シートの第１主面と前記第１配線基板の第２主面を対向させた状態で、前記第１配線基板に前記第１シートを固定する固定治具と、
   前記第１シートの第１主面側に配置され、前記第１シートを前記半導体ウエハ方向に押圧する押圧機構とを備え、
   前記第１シートは、
   前記第１シートの前記第２主面に配置された前記複数の接触端子と、
   前記第１配線基板の前記第１配線に電気的に接続され、かつ、前記複数の接触端子に電気的に接続された第２配線とを備え、
   前記押圧機構は、前記電気的検査を行う工程において、前記第１シートの前記複数の接触端子が配置された領域を、前記第１シートの前記第１主面側から前記半導体ウエハの前記第１主面方向に押圧することにより前記複数の接触端子を前記複数の第１電極に接触させる押圧部を備え、
   前記第１シートの前記第２主面には、
   第１配列方向に沿って、前記複数の接触端子が配列される第１配列領域と、
   前記第１配列方向に交差する第２配列方向に沿って、前記複数の接触端子が配列される第２配列領域と、
   前記第１配列領域と前記第２配列領域が交差するコーナ領域を有するように配置され、
   前記第１シートの曲げ剛性の面分布は、
   前記第１配列領域に配置された前記複数の接触端子のうち、前記配列の端部にある前記接触端子の周囲にある第１領域の曲げ剛性が、前記第１配列領域に配列された前記複数の接触端子間にある第２領域の曲げ剛性と比較して小さいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
2. （ａ）厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有する半導体ウエハを用意する工程、
   （ｂ）前記半導体ウエハの区画された前記第１主面の複数のチップ領域の各々に半導体集積回路を形成する工程、
   （ｃ）前記複数のチップ領域の各々に、前記半導体集積回路に電気的に接続される複数の第１電極を形成する工程、
   （ｄ）複数の接触端子を有するプローブカードを用意する工程、
   （ｅ）前記複数の接触端子を前記複数の第１電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程とを含み、
   前記プローブカードは、
   厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有し、第１配線が形成された第１配線基板と、
   厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有する第１シートと、
   前記第１シートの第１主面と前記第１配線基板の第２主面を対向させた状態で、前記第１配線基板に前記第１シートを固定する固定治具と、
   前記第１シートの第１主面側に配置され、前記第１シートを前記前記半導体ウエハ方向に押圧する押圧機構とを備え、
   前記第１シートは、
   前記第１シートの前記第２主面に配置された前記複数の接触端子と、
   前記第１配線基板の前記第１配線に電気的に接続され、かつ、前記複数の接触端子に電気的に接続された第２配線とを備え、
   前記押圧機構は、前記電気的検査を行う工程において、前記第１シートの前記複数の接触端子が配置された領域を、前記第１シートの前記第１主面側から前記半導体ウエハの前記第１主面方向に押圧することにより前記複数の接触端子を前記複数の第１電極に接触させる押圧部を備え、
   前記第１シートの前記第２主面には、
   第１配列方向に沿って、第１配列間隔で配列された複数の第１接触端子と、
   前記第１配列方向に沿って、前記第１配列間隔より広い第２配列間隔で、前記第１接触端子の配列端部にある前記第１接触端子と隣り合うように配列された第２接触端子とを有するように配置され、
   前記第１シートの曲げ剛性の面分布は、
   前記第２配列間隔で配列された前記第１接触端子と前記第２接触端子の間にある第１領域の曲げ剛性が、前記第１配列間隔で配列された前記複数の第１接触端子の間にある第２領域の曲げ剛性と比較して小さいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第１領域の曲げ剛性を前記第２領域の曲げ剛性と比較して小さくする手段が、前記第１領域を構成する構成部材を前記第２領域を構成する構成部材と比較して少なくなるように、前記第１シートの構成部材を部分的に少なくする構成であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
4. 請求項１または請求項２に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第１領域の曲げ剛性を前記第２領域の曲げ剛性と比較して小さくする手段が、前記第１領域の厚さが前記第２領域の厚さと比較して薄くなるように前記第１シートを部分的に薄くする構成であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
5. 請求項１または請求項２に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
   前記第１領域の曲げ剛性を前記第２領域の曲げ剛性と比較して小さくする手段が、前記第１配列方向と交差する方向に沿って前記第１領域に隣接する領域の厚さが前記第２領域の厚さと比較して薄くなるように前記第１シートを部分的に薄くする構成であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

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