JP2008060344A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性が改善された半導体発光装置を提供する。
【解決手段】リードと、前記リードと一体成形され、段差が設けられた側面を有する凹部が形成された樹脂からなる成形体と、前記凹部内に露出した前記リードにマウントされた半導体発光素子と、前記成形体の前記凹部の内部の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記成形体の前記凹部の内部の表面よりも高い反射率を有する樹脂層と、前記樹脂層と、前記半導体発光素子と、を覆うように前記凹部内に充填された封止樹脂層と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光装置に関する。

半導体発光装置の用途は、車載用途を含む照明、液晶表示装置用バックライト、インジケータなどと急速に拡大している。これらの用途に対応するために、青色光や紫外線を発光する半導体発光素子を用いた半導体発光装置の光出力の進歩はめざましい。この用途の半導体発光装置には、小型化のため表面実装型（Surface Mount Device：ＳＭＤ）が用いられることが多い。

表面実装型の半導体発光装置は、熱可塑性樹脂からなる成形体、リード、封止樹脂層、半導体発光素子を含んでいる。

ところが、このような半導体発光装置において、発光素子の高出力化に伴い、半導体発光装置からの光出力が経時的に低下する傾向があることが判明した。

コーティング部材を半導体発光素子と非接触となるような構造とし、反射率の低下を抑え、光出力の低下を防止しながら、さらに半導体装置やパッケージ成形体における構成部材の剥離を防止する半導体装置に関する技術開示例がある（特許文献１）。
特開２００５−１３６３７９号公報

本発明は、信頼性が改善された半導体発光装置を提供する。

本発明の一態様によれば、リードと、前記リードと一体成形され、段差が設けられた側面を有する凹部が形成された樹脂からなる成形体と、前記凹部内に露出した前記リードにマウントされた半導体発光素子と、前記成形体の前記凹部の内部の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記成形体の前記凹部の内部の表面よりも高い反射率を有する樹脂層と、前記樹脂層と、前記半導体発光素子と、を覆うように前記凹部内に充填された封止樹脂層と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。

本発明により、信頼性が改善された半導体発光装置が提供される。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態につき説明する。
図１は、本発明の第１具体例にかかる半導体発光装置を表し、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は鎖線ＡＡに沿う模式断面図である。

半導体発光装置は、半導体発光素子１０、第１リード２２、第２リード２７、熱可塑性樹脂などからなる成形体５０、反射フィラー含有樹脂層５２、封止樹脂層５４を少なくとも含む。なお、図１（ａ）においては、説明を容易にするために、反射フィラー含有樹脂層５２及び封止樹脂層５４を表示しない。

第１リード２２は熱可塑性樹脂からなる成形体５０と一体成形されており、インナーリード２１とその外部のアウターリード２０とを含む。また、同様に一体成形された第２リード２７もインナーリード２６とアウターリード２５とを含む。第１リード２２のインナーリード２１の先端部分には、導電性接着剤またはＡｕＳｎのような共晶半田により半導体発光素子１０がマウントされている。半導体発光素子１０の電極（図示せず）は、ボンディングワイヤ１４により第２リード２７のインナーリード２６の先端部分と接続されている。なお、半導体発光素子１０の裏面側で電気的な接続を形成する必要がない場合には、導電性接着剤のかわりに非導電性接着剤を用いて半導体発光素子１０をマウントしてもよい。

熱可塑性樹脂の材料としては、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などのナイロン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、液晶ポリマなどの耐熱性材料を挙げることができる。これら熱可塑性樹脂の種類に合わせて、インサート成形、射出成形、押し出し成形などの中から適正な成形方法が選択される。本具体例においては、ＰＰＡからなる材料を用いたインサート成形により成形体５０が形成されている。なお、図１（ｂ）に表したように、成形体５０の裏面（図１（ｂ）において下方の面）には、凹部が形成されている。これは成形体５０を鋳型によりモールドする際の樹脂の注入口（ゲート）の部分である。凹部の底部にゲートを設け、ここを切断して注入部分から切り離すことにより、切断部のバリなどが裏面に突出することを防止でき、半導体発光装置を実装部材などにマウントする際にバリなどが実装部材にあたることを防止できる。
熱可塑性樹脂からなる成形体５０の凹部５１の側壁及び底面と、凹部５１に露出しているインナーリード２１及び２６は、半導体発光素子１０の近傍を除いた領域が反射フィラー含有樹脂層５２により被覆されている。反射フィラー含有樹脂層５２に用いる樹脂の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂などを挙げることができる。

また、反射フィラーとしては、例えば青色光波長帯において反射率が高いチタン酸カリウムや酸化チタンを用いることができる。この場合、反射フィラーが２５重量％以上であると、粘度が高すぎて液状の樹脂の塗布が困難である。また、５重量％以下であると樹脂が柔らかくなりすぎて塗布後に広がりすぎ、かつ光の透過率が高くなりすぎて熱可塑性樹脂からなる成形体５０への透過光が増加し過ぎる。従って、反射フィラーは、反射フィラー含有樹脂５２の５以上２５以下の重量％範囲であることが好ましい。

反射フィラーの形状は、例えば球状あるいは繊維状とすることができる。繊維状とした場合には、その長さを５〜３０μｍ程度とすることができる。反射フィラーを繊維状とした場合には、比重を比較的小さくできるので、反射フィラー含有樹脂層５２の中での反射フィラーの沈降を抑制できる。

凹部５１内には、反射フィラー含有樹脂層５２、半導体発光素子１０、ボンディングワイヤ１４を覆うように樹脂が充填される。樹脂の材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂などを挙げることができ、充填後１００℃以上の熱硬化により封止樹脂層５４が形成される。
また、凹部５１の円周に沿って段差５３を設けることにより、後に詳述するように、凹部５１の側壁の上側にも反射フィラー含有樹脂層５２を残すことが容易となる。また、段差５３により、実装時のリフロー工程や温度サイクルにおいて、熱可塑性樹脂と封止樹脂とを剥離させる熱応力を緩和することができる。

図２は、反射フィラー含有樹脂層５２の作用を説明するための模式断面図である。
例えば、半導体発光素子１０の材料としてＢ_ｘＩｎ_ｙＧａ_ｚＡｌ_{１−ｘ−ｙ−ｚ}Ｎ（但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなる窒化物系半導体を用いた場合、紫外光から緑色光の波長範囲の光が放射される。

このうちＧ１，Ｇ２，Ｇ３は封止樹脂層５４の上方へ放射される。一方、Ｇ４で表される横方向への放射光の多くは凹部５１の側壁を覆う反射フィラー含有樹脂層５２に当り反射され上方へと向かう。また、Ｇ５で表される凹部５１の底面に向かう放射光の多くは反射フィラー含有樹脂層５２に当り斜め上方または上方へ向かう。Ｇ４及びＧ５の多くは反射された後、外部へ放射されるので光取り出し効率を高くできる。

なお、封止樹脂層５４中に蛍光体を分散配置させることにより、半導体発光素子１０からの紫外光〜青色光の放射光を吸収し、励起された蛍光体から波長変換された光を得ることができる。このようにして、例えば、半導体発光素子１０からの青色光と、黄色蛍光体により波長変換された黄色光との混合色を得ることができる。この場合、図２において反射フィラー含有樹脂層５２に当たったＧ４及びＧ５のうち反射後、蛍光体により波長変換される部分もある。青色光の波長を４５０ｎｍとし、これにより励起される黄色蛍光体からの発光スペクトルのピークが５８０ｎｍ近傍とすると、混合色として白色光が得られる。

このような黄色蛍光体としては、（Ｍｅ_１−ｙＥｕ_ｙ）_２ＳｉＯ_４（但し、Ｍｅは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇの少なくとも一つを含み、０＜ｙ≦１）なる化学組成式で表される珪酸塩蛍光体が挙げられる。黄色蛍光体に加えて、橙色蛍光体または赤色蛍光体を用いると、より演色性に富む白色光が得られる。このように蛍光体の発光スペクトル及び半導体発光素子１０の発光波長を適正に選択すれば、ＣＩＥ（国際照明協会）規格の色度図上のさまざまな色を実現できる。

そして、本具体例においては、反射フィラー含有樹脂層５２を設けたことにより、成形体５０を構成する熱可塑性樹脂に照射される青色光の照射量は低下する。一般に、青色光は、熱可塑性樹脂に吸収されやすい。光出力が増大するに伴い熱可塑性樹脂に吸収されるエネルギーが増大し熱可塑性樹脂に変化を生じる。近年、半導体発光素子１０は数百ｍＡを超える電流で動作が可能となり青色光の吸収を抑制する必要が増している。本具体例においては、反射フィラー含有樹脂層５２により、光取り出し効率を上げつつ、熱可塑性樹脂における光エネルギー吸収を抑制できる。

次に、リードフレームについて説明する。
本具体例においては、インナーリード２１のうちの半導体発光素子１０がマウントされる部分が上方に突出して凸部２３を構成している。つまり、半導体発光素子１０は、インナーリード２１の凸部２３の上にマウントされている。このようにすると、反射フィラー含有樹脂層５２と半導体発光素子１０とが接触することを防止できる。
例えば、反射フィラー含有樹脂層５２を塗布した後に、半導体発光素子１０をインナーリード２１にマウントする場合、反射フィラー含有樹脂層５２が半導体発光素子１０のマウント部にはみ出すと、半導体発光素子１０のマウントに支障が生ずる場合もある。また、半導体発光素子１０の裏面側にも電極が設けられている場合には、この電極とインナーリード２１との間に反射フィラー含有樹脂層５２が介在することとなり、電気的な接続が不十分となる。なおこの場合には、ボンディングワイヤ１４をボンディングするインナーリード２６のボンディング領域にも、反射フィラー含有樹脂層５２がはみださないようにする必要がある。
一方、半導体発光素子１０をマウントした後に反射フィラー含有樹脂層５２を塗布する場合にも、反射フィラー含有樹脂層５２が半導体発光素子１０の側面や上面にまではみ出して付着すると、半導体発光素子１０からの光の放出を妨げることとなる。

これに対して、本具体例においては、インナーリード２１に凸部２３を設け、半導体発光素子１０をこの上にマウントすることにより、半導体発光素子１０と反射フィラー含有樹脂層５２とが接触することを防止できる。その結果として、上述したような問題を解消できる。なお、凸部２３の平面形状は、図１（ａ）に例示したように略円形でもよいが、その他、楕円形や多角形などとしてもよい。

第１リード２２及び第２リード２７を含むリードフレームの材料として、例えば、銅（Ｃｕ）系の合金を用いると、高い熱伝導率が得られ有利である。また、その表面にメッキなどの方法によりコーティングを施すと、反射率を高めかつ半田の接合強度を上げることができる。このようなコーティング材としては、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）をこの順に積層したものを挙げることができる。この場合、ニッケルを１μｍ程度、パラジウムを０．０３μｍ程度、金を０．００８μｍ程度とすることができる。

第１リード２２及び第２リード２７の厚みは、０．２５ｍｍ程度、凸部２３の高さは、０．１ｍｍ程度、凸部の直径は１ｍｍ程度、凹部５１の深さは０．９ｍｍ程度とする。このような凸部２３を含むリードフレーム形状は、プレス加工により形成可能である。

図３は、本発明の第２具体例にかかる半導体発光装置であり、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は鎖線ＢＢに沿う模式断面図、同図（ｃ）は等価回路である。なお、図１と同様の構成要素には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
本具体例においては、半導体発光素子１０はリード３０を構成するインナーリード２９の凸部３１に導電性接着剤や非導電性接着剤またはＡｕＳｎのような共晶半田によりマウントされている。このリード３０と平行方向に、リード３７及びリード４０が互いに先端部が対向するように配置されている。

リード３７を構成するインナーリード３６の先端部分にはツェナーダイオード１２がマウントされ、ツェナーダイオード１２の一方の電極とリード４０のインナーリード３９の先端部分とはボンディングワイヤ１６により接続されている。半導体発光素子１０の一方の電極はリード３７のインナーリード３６とボンディングワイヤ１５により、また他方の電極はリード４０のインナーリード３９とボンディングワイヤ１４によりそれぞれ接続される。また、図３（ｃ）に例示されるように、リード３７は半導体発光素子１０のアノード電極、リード４０はカソード電極とする。

ツェナーダイオード１２は、半導体発光素子１０を静電破壊から保護する。すなわち、半導体発光素子１０の正方向に過大なサージが加わった場合、ツェナーダイオード１２の逆方向耐圧以上のサージを吸収し、半導体発光素子１０を保護する。

本具体例の場合、熱可塑性樹脂からなる成形体５０の凹部５１の側壁及び底面は、半導体発光素子１０の近傍を除いた領域が反射フィラー含有樹脂層５２により被覆される。この場合、凹部５１の底面に露出しているインナーリード３６の先端部分及びインナーリード３９の先端部分、インナーリード２９のうち半導体発光素子１０の非マウント領域が反射フィラー含有樹脂層５２により被覆される。本具体例においても、反射フィラー含有樹脂層５２により、光取り出し効率を上げつつ、熱可塑性樹脂における光エネルギーの吸収を抑制できる。

また、本具体例では、鎖線ＢＢに平行かつ半導体発光素子１０の中心を含む断面において切断した場合、半導体発光素子１０の左右がほぼ対称な構造である。この結果、リード３０及び封止樹脂層５４と、半導体発光素子１０との間で生じる熱収縮、熱膨張による応力は左右均等に作用する。従って、チップの剥離やクラックを低減でき、信頼性を改善できる。

図４は、反射フィラーが混合された樹脂が塗布された後の状態を表し、同図（ａ）は凹部５１を上方から見た写真、同図（ｂ）は凹部５１の断面を見た写真である。
凹部５１内において半導体発光素子１０を除いた領域には反射フィラーが混合された樹脂が塗布されている。この場合、図３のインナーリード２９に設けられた１ｍｍφの凸部３１の上に半導体発光素子１０がマウントされる構造の場合、前述したようにフィラー含有液状樹脂が半導体発光素子１０に接触することを防止でき、図４（ａ）のように確実に樹脂が塗布できる。

さらに、半導体発光素子１０、ツェナーダイオード１２、及ボンディングワイヤ１４、１５、１６、反射フィラー含有樹脂５２を覆うように、樹脂が凹部５１に充填され、熱硬化されて封止樹脂層５４が形成される。また、第１具体例と同様に、封止樹脂層５４に蛍光体を分散配置することもできる。

図５は、図３（ａ）の鎖線ＣＣに沿う模式断面図である。
半導体発光装置の凹部５１の内部表面にフィラーを混合した樹脂層５２を塗布する場合、液状樹脂が下方に流れると凹部５１の側壁の上側の部分では反射フィラー含有樹脂層５２が残り難くなり、放射光が熱可塑性樹脂に照射されやすくなる。この照射による樹脂の劣化を抑制するには側壁の上側にも反射フィラー含有樹脂層５２が残るようにする必要がある。

これに対して、図５に表したように、成形体５０の上面から０．２ｍｍの位置に凹部５１上面の円周に沿って設けられた段差５３が設けられている。このようにすると、反射フィラー含有樹脂層５２は、凹部の底面の隅部だけでなく段差５３の隅にも溜まるので、凹部５１の側壁の上側であっても反射フィラー含有樹脂層５２を残すことが容易となる。また、段差５３により、実装時のリフロー工程や温度サイクルにおいて、熱可塑性樹脂と封止樹脂とを剥離させる熱応力を緩和することができる。なお、このような段差５３は、凹部５１の側面にひとつのみではなく、複数設けてもよい。すなわち、凹部５１の側面に、複数の段差５３を設けることにより、反射フィラー含有樹脂層５２を凹部５１の側面により確実に保持でき、また、上述した熱応力の緩和効果も得られる。

なお、段差５３の位置は、例えば、図１（ｂ）に表したように、ワイヤ１４の最も高い位置よりも高くしてもよく、または、図１（ｂ）においてワイヤ１４の最も高い位置と半導体発光素子１０の上面との間にしてもよい。凹部５１の側壁に反射フィラー含有樹脂層５２を効率よく残すためには、段差５３をひとつだけ設ける場合には、凹部５１の側面の高さ方向の中央付近に設けるとよい。また、段差５３をふたつ設ける場合には、凹部５１の側面を高さ方向に３等分するようにこれら段差５３を設けるとよい。

なお、図５に表した各部の寸法は一例であり、これらより大きくしても小さくしてもよい。

次に、青色光が熱可塑性樹脂に直接照射された場合の劣化について詳細に説明する。
まず、８５℃において動作電流が１５０ｍＡの高温通電を１０００時間経過後、反射フィラー含有樹脂層５２を備えた本具体例の半導体発光装置の光度残存率は９９％であった。一方、同様の条件で、反射フィラー含有樹脂層を備えていない比較例の半導体発光装置の光度残存率は９０％と低かった。

また、動作電流が１５０ｍＡで、６０℃／９０％の高温高湿通電を１０００時間経過後、本具体例の半導体発光装置の光度残存率は９７％であった。一方、同様の条件で、比較例の半導体発光装置の光度残存率は７５％と低かった。すなわち、本具体例において、高寿命化が可能であることが確認できた。

図６は、熱可塑性樹脂の劣化を説明するための比較例の写真及び模式図であり、同図（ａ）は封止樹脂層の上方から見た写真、同図（ｂ）は高温通電１０００時間経過し劣化した半導体発光装置の凹部の側壁の写真、同図（ｃ）及び同図（ｄ）は部分拡大写真、同図（ｅ）は同図（ｄ）の位置を表す模式断面図である。
図６（ｄ）に例示されるように、比較例では青色光が照射された熱可塑性樹脂の表面は劣化して、クラック及び変色を生じる。この結果、光反射率が低下する。また、熱可塑性樹脂と封止樹脂の剥離も生じやすくなる。これに対して、本具体例においては、反射フィラー含有樹脂層５２が青色光を反射するので熱可塑性樹脂への照射を防止でき、反射フィラー含有樹脂層５２の反射率も安定しているので光出力の低下を抑制できている。また、熱可塑性樹脂と封止樹脂の剥離も防止できる。

なお、凹部５１内の光反射率を高めるには、露出しているインナーリード部分の光反射率を高める方法もある。

すなわち、インナーリードの表面に銀（Ａｇ）メッキまたは金（Ａｕ）メッキを施すと凹部内の光反射率を高めることができる。但し、Ａｇの場合４００〜５００ｎｍの波長範囲において８５〜９２％と高い反射率を有するが、青色光の照射により再結晶を生じ反射率が低下する。この結果、動作時間が経過するに従い、光出力の低下が生じる。また、Ａｇが露出したアウターリードは酸化防止のために半田などによる外装メッキまたはＡｕメッキが必要となり部品コストが上昇する。さらにＡｕの場合、青色光に対してＡｇより安定であるが、４００〜５００ｎｍの波長範囲において、反射率が３９〜５８％と低い。

以上説明した熱可塑性樹脂及びインナーリードの光反射率をそれぞれに高める方法と比較して、本具体例においては、熱可塑性樹脂及びインナーリードを同一の反射フィラー含有樹脂により被覆することができるので工程が簡素化できる。また、光取り出し効率を高めつつ、高寿命化による高信頼性を確保できる。

図７は、本発明の第３具体例にかかる半導体発光装置であり、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は鎖線ＡＡに沿う模式断面図である。図７については、図１〜図６に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

本具体例においては、いわゆるフリップチップ構造が採用されている。すなわち、半導体発光素子１０の裏面側には、一対の電極が形成され、これら電極にはメタルバンプ１１がそれぞれ接続されている。そして、これらメタルバンプ１１が、インナーリード２１、２６にそれぞれ接続されている。つまり、半導体発光素子１０は、メタルバンプ１１によりマウントされると同時に電気的な接続も確保されている。このようなフリップチップ構造を採用した場合においても、図１〜図６に関して前述したものと同様に、凹部５１の内面に反射フィラー含有樹脂層５２を設けることにより、熱可塑性樹脂の劣化や変質を抑制でき、長期間に亘って安定した光出力が得られる。

また、本具体例においても、インナーリード２１、２６に凸部２３、２８を設けることにより、反射フィラー含有樹脂層５２と半導体発光素子１０とが接触することを防止できる。なお、メタルバンプ１１を厚く形成し、且つ半導体発光素子１０をマウントしてから反射フィラー含有樹脂層５２を塗布する工程を実施するような場合には、凸部２３、２８を必ずしも設けなくても、反射フィラー含有樹脂層５２と半導体発光素子１０とが接触することによる光の取り出しの低下や、反射フィラー含有樹脂層５２が介在することにより半導体発光素子１０とリードとの接触不良などの問題を回避できる。

次に、アウターリードの変形例について説明する。
図８は、アウターリード近傍の模式部分断面図であり、同図（ａ）は既に説明した具体例、同図（ｂ）及び同図（ｃ）はその変形例を表す。

図８（ａ）は第１具体例のアウターリード２５を表し、ガルウィング／Ｚ曲げなどと呼ばれる。図８（ｂ）はＪベンド／Ｊ曲げ、同図（ｃ）は多方向曲げなどと呼ばれる。用途及び実装基板に合わせて、これらの中から適正なアウターリード形状を選択することが好ましい。

なお、半導体発光装置の組み立て工程は、多数個取りのリードフレームを用いて、半導体素子マウント、ワイヤボンディング、インサート成形、樹脂封止などが行われる。この後、リードフレームが切断され、必要に応じて上記のような構造のリード曲げ加工が行われて図１及び図３の半導体発光装置が完成する。

本具体例において、窒化物系半導体を用いた半導体発光素子を搭載した半導体発光装置について説明したが、他の材料を用いた半導体発光装置であっても良い。例えば、ＩｎＧａＡｌＰ，ＡｌＧａＡｓなどを用いた５００ｎｍ〜７００ｎｍ帯、すなわち緑色〜赤色帯の半導体発光素子を搭載した半導体発光装置であっても良い。

以上、図面を参照しつつ本発明の実施の形態につき説明した。しかし、本発明はこれらに限定されない。例えば、半導体発光装置を構成する半導体素子、成形体、樹脂、フィラー、蛍光体、リードなどの材質、形状、サイズなどに関して、当業者が各種設計変更を行ったものであっても本発明の主旨を逸脱しない限り本発明に包含される。

本発明の第１具体例にかかる半導体発光装置の模式図である。 反射フィラー含有樹脂層の作用を説明する模式図である。 本発明の第２具体例にかかる半導体発光装置の模式図である。 反射フィラー含有樹脂を塗布後の状態を表す写真である。 第２具体例の模式断面図である。 比較例における樹脂の変化を表す写真である。 本発明の第３具体例にかかる半導体発光装置の模式図である。 アウターリードの変形例を表す部分模式断面図である。

符号の説明

１０ 半導体発光素子、１４ ボンディングワイヤ、２２ 第１リード、２３ 凸部、２７ 第２リード、３１ 凸部、５０ 成形体、５１ 凹部、５２ 反射フィラー含有樹脂層、５３ 段差 ５４ 封止樹脂層

Claims (5)

1. リードと、
   前記リードと一体成形され、段差が設けられた側面を有する凹部が形成された樹脂からなる成形体と、
   前記凹部内に露出した前記リードにマウントされた半導体発光素子と、
   前記成形体の前記凹部の内部の表面の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記成形体の前記凹部の内部の表面よりも高い反射率を有する樹脂層と、
   前記樹脂層と、前記半導体発光素子と、を覆うように前記凹部内に充填された封止樹脂層と、
   を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記リードは、凸部を有し、
   前記半導体発光素子は、前記リードの前記凸部の上にマウントされたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
3. 前記樹脂層は、前記半導体発光素子と接触していないことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
4. 前記成型体は、熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
5. 前記樹脂層は、チタン酸カリウム及び酸化チタンの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。