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CN102881800A - 发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

发光二极管封装结构及其制造方法 Download PDF

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陈滨全
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Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
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Rongchuang Energy Technology Co ltd
Zhanjing Technology Shenzhen Co Ltd
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Abstract

一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接。反射杯环设于发光二极管芯片的外围，封装层封装发光二极管芯片于其内部，还包括一阻挡结构，该阻挡结构位于所述反射杯内部，该阻挡结构贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。

Description

发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
目前发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构通常包括一个基板及位于基板上的反射杯，发光二极管装设于基板上并收容于反射杯中。这种发光二极管封装结构中基板与反射杯接触的表面之间容易形成缝隙，水汽和灰尘容易沿该缝隙进入封装后的发光二极管封装结构中，从而影响该发光二极管封装结构的寿命，甚至造成发光二极管的失效。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种密封性更好的发光二极管封装结构及其制造方法。
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接。反射杯环设于发光二极管芯片的外围，封装层封装发光二极管芯片于其内部，还包括一阻挡结构，该阻挡结构位于所述反射杯内部，该阻挡结构贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力。
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供形成有电极的基板；
在所述基板的上形成环形的反射杯，该反射杯包括与电极接触的一底面及与该底面相对的一顶面，该反射杯内设有贯穿该底面的空腔及贯穿该顶面的注入通道，所述注入通道与空腔连通；
在所述反射杯空腔内通过注入通道注入绝缘材料，形成阻挡结构，该阻挡结构与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于所述反射杯对金属的附着力；
将发光二极管芯片固定于基板上，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接；
在反射杯围成的空间内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片。
上述发光二极管封装结构中，由于在反射杯与电极之间形成阻挡结构，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力，因此阻挡结构与电极之间相对反射杯与电极之间的结合更加紧密，从而使外界的水汽和杂质进入到反射杯与电极之间的接合面后，难于穿过该阻挡结构进入到封装体内部而影响发光二极管芯片，起到有效的防尘、防水的作用。该阻挡结构贯穿反射杯贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，从而该阻挡结构可通过从反射杯的顶面注入绝缘材料形成，从而制程简单，且使得所形成的阻挡结构与电极和反射杯之间的结合更加紧密。
附图说明
图1是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。
图2是本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。
图3是本发明提供的一种发光二极管封装结构的制造方法流程图。
图4至图9是本发明提供的发光二极管封装结构的制造方法示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 10，20
基板 11
上表面 111
下表面 112
第一侧面 113
第二侧面 114
绝缘区 115
电极 12
第一水平部 121
第二水平部 122
竖直部 123
发光二极管芯片 13，23
金属导线 131
阻挡结构 14，24
结合部 141，241
连接部 142
反射杯 15
底面 151
顶面 152
反射面 153
外侧面 154
空腔 155
注入通道 156
封装层 16
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，本发明的一实施方式提供一种发光二极管封装结构10，其包括基板11、电极12、发光二极管芯片13、阻挡结构14、反射杯15和封装层16。
该基板11呈矩形，包括上表面111、与上表面111相对的下表面112、以及连接于上表面111和下表面112之间的两第一侧面113（图7）和两第二侧面114。本实施例中，所述基板11材料为PPA（Polyphthalamide，聚醋酸乙烯酯）等。可以理解的，所述基板11的形状并不限于矩形，其形状还可以为圆形等。
电极12的数量至少为两个。本实施例中，电极12的数量为两个，所述电极12形成在所述基板11的相对两端。每一电极12大致呈U形，包括位于基板11上表面111的第一水平部121、位于基板11下表面112的第二水平部122以及连接于所述第一水平部121与第二水平部122之间的竖直部123，所述两电极12的竖直部123分别位于基板11的第二侧面114上。所述电极12的宽度小于基板11的宽度，每一电极12的相对两侧与基板11的两第一侧面113之间相距一定距离，从而在电极12与两第一侧面113之间形成绝缘区115（图7）。两电极12之间相互间隔且电性绝缘。所述电极12所用的材料为导电性能较好的金属材料，如金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁中的一种或几种的合金。
发光二极管芯片13贴设于基板11的上表面111上。更具体的，发光二极管芯片13可置于一电极12上。所述发光二极管芯片13通过金属导线131与所述电极12电性连接。可以理解的，该发光二极管芯片13也可以采用覆晶的方式固定于电极12上并与电极12电连接。
所述阻挡结构14与电极12接触。在本实施例中，阻挡结构14的数量为两个。每一阻挡结构14包括一长条矩形的结合部141及从结合部141向上延伸的一连接部142，该两个阻挡结构14分别贴设于两电极12的第一水平部121上，并位于发光二极管芯片13的两侧。所述阻挡结构14的结合部141分别沿电极12的宽度方向延伸，即所述阻挡结构14的延伸方向与基板11的第二侧面114平行，每一阻挡结构14的结合部141的相对两端延伸出对应电极12的相对两侧，以搭接于分别位于对应电极12的相对两侧与基板11的第一侧面113之间的绝缘区115之间，从而使每个电极12被阻挡结构14分隔成靠近发光二极管芯片13的一个部分和远离发光二极管芯片13的另一部分。
反射杯15形成于所述上表面111上。该反射杯15环绕基板11将发光二极管芯片13围设于反射杯15之中。请同时参阅图5，该反射杯15包括与电极12接触的一环形的底面151、与该底面151相对的一环形的顶面152、连接于所述顶面152与底面151的外周缘的一外侧面154以及连接于所述顶面152与底面151的内周缘之间的一倾斜的反射面153。所述反射杯15的内部形成所述阻挡结构14，所述阻挡结构14的结合部141位于反射杯15的底端，并位于所述外侧面154与反射面153之间。该阻挡结构14的结合部141的底端贯穿反射杯15的底面151，该阻挡结构14的连接部142分别由结合部141的顶端向上延伸至与所述反射杯15的顶面152平齐。
封装层16形成于所述基板11上的反射杯15内，覆盖所述发光二极管芯片13和金属导线131。所述封装层16的材质可以为硅胶(silicone)、环氧树脂(epoxy resin)或二者的组合物。所述封装层16还可以包含荧光转换材料，该萤光转换材料可以为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉和氮化物基荧光粉。所述封装层16可以保护发光二极管芯片13免受灰尘、水汽等影响。
所述阻挡结构14采用对金属的附着力高于反射杯15对金属的附着力的材料制成，如，环氧树脂、硅树脂或二者的组合物等。所述阻挡结构14位于反射杯15的外侧面154与反射面153之间，可以对外部水汽或者杂质形成很好的阻隔。以其中一个阻挡结构14为例，阻挡结构14的结合部141贴设于对应的电极12上并延伸至靠近基板11第一侧面113的绝缘区115，从而阻隔于外部水汽、杂质等进入到发光二极管芯片13的路径上。由于该阻挡结构14对金属的附着力高于反射杯15对金属的附着力，因此封装层16以外的水汽或杂质进入到反射杯15与电极12之间的间隙后，难于穿过该阻挡结构14进入到位于该反射杯15内部的封装体内，从而避免水汽、杂质等与发光二极管芯片13接触而产生不好的影响。由于阻挡结构14可采用环氧树脂等材料，其对常作为反射杯15的材料的PPA等也具有较好的结合力，因此阻挡结构14还可以作为电极12与反射杯15之间的一个缓冲层将两者紧密接合。此外，阻挡结构14与反射杯15接合处形成一个阶梯面，若有水汽或杂质等进入，也同时增大了外界水汽和杂质由此接合面进入封装体内的路径，进一步起到防止其进入的功效。
可以理解的是，在其他实施例中，也可于同一侧的电极12上形成多个阻挡结构14，所述多个阻挡结构14从反射杯15的反射面153向外侧面154间隔设置，从而达到更好的防水汽、杂质的效果。
如图2所示，为本发明的第二实施例提供一种发光二极管封装结构20，其与本发明第一实施例提供的发光二极管封装结构10的区别在于，其阻挡结构24的结合部241为环形，围绕发光二极管芯片23设置。所述结合部241环绕于发光二极管芯片23的外围，从而环绕该发光二极管芯片23形成封闭的阻隔层，达到更好的防水汽或杂质的效果。
请参阅图3至图9，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构10的制造方法包括以下步骤。
步骤S01：请参阅图4，提供基板11，于基板11上形成至少两电极12。所述基板11包括相对的上表面111和下表面112，以及连接于上表面111和下表面112之间的两第一侧面113和两第二侧面114。本实施例中，所述基板11采用PPA材料制成。该两电极12相互间隔设置，每一电极12自上表面111绕行基板11的两第二侧面114延伸至下表面112。所述电极12所用的材料为金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁中的一种或几种的合金。所述电极12采用电镀、磁控溅射、化学镀或晶圆键合等方法形成。
步骤S02：请参阅图5，在基板11及电极12上形成反射杯15，其可以采用注塑成型或传递模塑成型等方式制成。该反射杯15环绕于基板11的上表面111的周缘部分，包括一与电极12接触的环形的底面151、与该底面151相对的一环形的顶面152、连接于所述顶面152与底面151的外周缘的一外侧面154以及连接于所述顶面152与底面151的内周缘之间的一倾斜的反射面153。该反射杯15从底面151向顶面152所在方向凹陷设有两矩形的空腔155，且从顶面152向底面151所在方向凹陷形成有分别与空腔155对应的注入通道156，所述注入通道156的底端与对应空腔155连通，注入通道156的顶端与顶面152平齐。该反射杯15的反射面153环绕形成用于容置发光二极管芯片13的空间。
步骤S03：请参阅图6和图7，从注入通道156的顶端向所述反射杯15的空腔155内注入绝缘材料，形成阻挡结构14。该阻挡结构14包括与空腔155的形状相匹配的结合部141及与注入通道156的形状相匹配的连接部142。所述结合部141与电极12接触，所述连接部142向上延伸至与反射杯15的顶面152平齐。每一阻挡结构14沿第二侧面114方向横跨于电极12上，并搭接于电极12与基板11的第一侧面113之间的绝缘区115，从而使每个电极12被阻挡结构14完全分隔成靠近发光二极管芯片13的部分和远离发光二极管芯片13的另一部分。该阻挡结构14采用环氧树脂、硅树脂或二者的组合物等材料制成，其对金属具有较高的附着性，使得阻挡结构14对金属的附着力大于所述反射杯15对金属的附着力。
步骤S04：请参阅图8，将所述发光二极管芯片13固定于所述上表面111的电极12上。该发光二极管芯片13通过金属导线131与所述电极12电性连接。该发光二极管芯片13收容于反射杯15中央的空间内，所述阻挡结构14对称地设置于所述发光二极管芯片13的两侧。
步骤S05：最后如图9，在所述基板11上的反射杯15中央的空间内注入封装材料形成透明的封装层16，所述封装层16覆盖所述发光二极管芯片13和金属导线131。所述封装层16的材质可以为硅胶、环氧树脂或二者的组合物。所述封装层16还可以包含荧光转换材料。所述封装层16可以保护发光二极管芯片13免受灰尘、水气等影响。
其中，第二实施方式中的发光二极管封装结构20的制作方法与上述第一实施方式中的发光二极管封装结构10的制作方法类似，其区别仅在于该反射杯15从底面151的中央向顶面152所在方向凹陷设有环形的空腔。该空腔位于反射杯15的反射面153与外侧面154之间，且空腔与反射面153共圆心。
本发明实施方式提供的发光二极管封装结构10中，由于在反射杯15内设置阻挡结构14，该阻挡结构14采用相对反射杯15与电极12之间具有更高附着性的材料制成，因而比反射杯15与电极12之间结合更加紧密，外界的水汽和杂质进入到反射杯15与电极12的结合面之间，难于穿过阻挡结构14而进入到封装体内部，从而避免了发光二极管芯片13受到外界的污染而损坏。此外，阻挡结构14连接于电极12与反射杯15之间，阻挡结构14与电极12之间结合紧密，从而使得电极12与反射杯15之间连接更稳固，使三者之间的接合更加紧密。同时，由于阻挡结构14与反射杯15之间的结合面为阶梯面，从而增加了水汽、杂质等从阻挡结构14与反射杯15之间的结合面向内渗透的路径的距离，且该结合面为阶梯面而形成曲线路径，能够更加有效的保护发光二极管封装结构10。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，反射杯环设于发光二极管芯片的外围，封装层封装发光二极管芯片于其内部，其特征在于：还包括一阻挡结构，该阻挡结构位于所述反射杯内部，该阻挡结构贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该阻挡结构包括若干结合部及分别从结合部向上延伸的连接部，所述结合部与电极接触，连接部的顶端与发射杯的顶面平齐。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述结合部分别呈长条状，且对称地设置于发光二极管芯片的外围。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：该阻挡结构包括一环形的结合部及从结合部向上延伸的连接部，所述结合部与电极接触，连接部的顶端与发射杯的顶面平齐。
5.如权利要求2至4中任意一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板包括上表面、下表面及连接于上下表面之间的若干侧面，所述电极的数量为两个，每一电极自上表面绕行一对应的侧面后延伸至第二表面，所述结合部与电极位于基板的上表面的部分接触。
6.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供形成有电极的基板；
在所述基板的上形成环形的反射杯，该反射杯包括与电极接触的一底面及与该底面相对的一顶面，该反射杯内设有贯穿该底面的空腔及贯穿该顶面的注入通道，所述注入通道与空腔连通；
在所述反射杯空腔内通过注入通道注入绝缘材料，形成阻挡结构，该阻挡结构与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于所述反射杯对金属的附着力；
将发光二极管芯片固定于基板上，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接；
在反射杯围成的空间内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该阻挡结构包括与空腔相匹配的结合部及与注入通道相匹配的连接部。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述结合部与连接部的数量均为多个，所述结合部分别呈长条状，且对称地设置于发光二极管芯片的外围，连接部分别从对应的结合部向上延伸，所述结合部与电极接触，连接部的顶端与发射杯的顶面平齐。
9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该结合部呈环形且环设于发光二极管芯片的外围，连接部从结合部向上延伸，所述结合部与电极接触，连接部的顶端与发射杯的顶面平齐。
10.如权利要求6至9中任意一项所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述反射杯通过注塑成型或传递模塑成型的方法形成。
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TW100125880A TWI506821B (zh) 2011-07-15 2011-07-22 發光二極體封裝結構及其製造方法
US13/330,688 US8492180B2 (en) 2011-07-15 2011-12-20 LED and method for manufacturing the same
US13/919,003 US8981419B2 (en) 2011-07-15 2013-06-17 Led

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104064656A (zh) * 2014-06-25 2014-09-24 晶科电子（广州）有限公司 一种具有良好防潮性能的led支架及其led器件和制备方法
CN112635644A (zh) * 2020-12-01 2021-04-09 泉州三安半导体科技有限公司 Led封装体
WO2022247323A1 (zh) * 2021-05-24 2022-12-01 至芯半导体(杭州)有限公司 紫外发光二极管封装结构
CN116995170A (zh) * 2023-05-24 2023-11-03 佛山科学技术学院 一种电极封装结构和发光模组

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130096094A (ko) 2012-02-21 2013-08-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템
TWI506823B (zh) * 2013-09-16 2015-11-01 隆達電子股份有限公司 發光裝置之封裝結構及其製造方法
CN105934702B (zh) * 2014-01-30 2019-08-09 惠普发展公司，有限责任合伙企业 用于提供自适应图像的方法和系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030006421A1 (en) * 2001-06-15 2003-01-09 Takemasa Yasukawa Light-emitting device
US20080054287A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US20080080194A1 (en) * 2006-07-21 2008-04-03 Wen-Lung Su Frame structure for supporting a surface mount device light emitting diode used as a side light source

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7993021B2 (en) 2005-11-18 2011-08-09 Cree, Inc. Multiple color lighting element cluster tiles for solid state lighting panels
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
TWI403006B (zh) * 2009-01-15 2013-07-21 億光電子工業股份有限公司 發光二極體元件封裝結構及其製造方法
TWM361098U (en) 2009-01-22 2009-07-11 Tcst Tech Co Ltd LED base structure capable of preventing leakage
TWM390542U (en) * 2010-03-17 2010-10-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd LED lead frame

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030006421A1 (en) * 2001-06-15 2003-01-09 Takemasa Yasukawa Light-emitting device
US20080080194A1 (en) * 2006-07-21 2008-04-03 Wen-Lung Su Frame structure for supporting a surface mount device light emitting diode used as a side light source
US20080054287A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104064656A (zh) * 2014-06-25 2014-09-24 晶科电子（广州）有限公司 一种具有良好防潮性能的led支架及其led器件和制备方法
CN104064656B (zh) * 2014-06-25 2017-11-17 广东晶科电子股份有限公司 一种具有防潮性能的led支架及其led器件和制备方法
CN112635644A (zh) * 2020-12-01 2021-04-09 泉州三安半导体科技有限公司 Led封装体
CN112635644B (zh) * 2020-12-01 2022-02-15 泉州三安半导体科技有限公司 Led封装体
WO2022247323A1 (zh) * 2021-05-24 2022-12-01 至芯半导体(杭州)有限公司 紫外发光二极管封装结构
CN116995170A (zh) * 2023-05-24 2023-11-03 佛山科学技术学院 一种电极封装结构和发光模组

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