JP2007281361A - Polyimide printed circuit board and polyimide printed wiring board - Google Patents
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Abstract
【課題】高い180°銅箔剥離強度と高い繰り返し耐折性を有し、微細配線形成性に優れたポリイミド系プリント基板及び、該プリント基板を用いたポリイミド系プリント配線板を提供する。
【解決手段】非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムの少なくとも片面に、突起物が形成された粗化面を有する銅箔が、ポリアミド酸をイミド化して得られた圧着性ポリイミド樹脂層を介して、前記粗化面にて接合されたポリイミド系プリント基板において、前記突起物のD(径)が10〜100nm、かつ、L(長さ)/D(径)が1.5以上であることを特徴とする銅箔接合ポリイミド系プリント基板。
【選択図】なしThe present invention provides a polyimide printed circuit board having high 180 ° copper foil peel strength and high repeated folding resistance and excellent in fine wiring formation, and a polyimide printed wiring board using the printed circuit board.
A copper foil having a roughened surface with protrusions formed on at least one surface of a non-thermoplastic aromatic polyimide resin film is bonded via a pressure-sensitive polyimide resin layer obtained by imidizing polyamic acid. In the polyimide-based printed circuit board bonded at the roughened surface, D (diameter) of the protrusion is 10 to 100 nm, and L (length) / D (diameter) is 1.5 or more. A copper foil bonded polyimide printed circuit board.
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Description
本発明は、接着が均一で強固であり、耐折曲げ耐久性に優れた可撓性のポリイミド系プリント基板に関する。本発明のポリイミド系プリント基板は、TAB用やCOF用等のフレキシブルプリント基板、多層フレキシブル基板や、フレックスリジッド用基板に利用でき、それらからなるプリント配線板は電子機器用途に好適に使用できる。 The present invention relates to a flexible polyimide printed circuit board having uniform and strong adhesion and excellent bending resistance. The polyimide-based printed board of the present invention can be used for flexible printed boards for TAB, COF, etc., multilayer flexible boards, and flex-rigid boards, and printed wiring boards made of these can be suitably used for electronic equipment.
近年、電子機器の小型化軽量化は著しく、限られた容積内に高密度に半導体チップ等を搭載するために、薄く畳み込めることのできる可撓性のあるポリイミド系プリント基板が多用されている。このようなプリント基板としては、一般に、銅箔と芳香族ポリイミドとをキャスト法により接合、あるいは、銅箔と芳香族ポリイミドとをポリイミド系接着剤を用いて接合した電子回路用フレキシブル基板が使用されている。また、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等、フラットパネルディスプレイの分野でもそれら表示素子を駆動するためのICチップを上記のようなフレキシブル基板上に搭載し、表示素子背面に、電子回路用基板を直角ないしは180°にまで折り曲げた状態で組み込むことが行われている。これら用途では、折り曲げ加工性を良好にするため、近年、ポリイミド系の絶縁層厚みは30μm以下になりつつある。 In recent years, electronic devices have become smaller and lighter, and in order to mount semiconductor chips and the like at a high density in a limited volume, flexible polyimide-based printed boards that can be folded thinly are often used. . As such a printed circuit board, a flexible board for electronic circuits is generally used in which copper foil and aromatic polyimide are bonded by a casting method, or copper foil and aromatic polyimide are bonded using a polyimide-based adhesive. ing. Also, in the field of flat panel displays such as liquid crystal displays and plasma displays, an IC chip for driving these display elements is mounted on the flexible substrate as described above, and an electronic circuit substrate is mounted on the back surface of the display element at a right angle or 180 degrees. Incorporating in a state bent to °. In these applications, in order to improve the bending workability, in recent years, the thickness of the polyimide insulating layer is becoming 30 μm or less.
これら用途においては、微細配線形成が出来、かつ過酷に折り曲げてもその強度を高く維持することや、強度設計上その強度バラツキが少ないこと、更には、繰り返しの折り曲げに対して高い耐久性が求められている。 In these applications, fine wiring can be formed and the strength must be maintained high even when severely bent, and there is little variation in strength due to strength design, and high durability against repeated bending is required. It has been.
従来、これらの課題克服のために銅箔の粗化面の表面粗さを粗くし、ポリイミド基材への投錨効果により銅箔との剥離強度を高めたりする試みがなされてきたが、表面粗さを粗くすると繰り返し耐折性が低下したり、印刷回路の微細配線形成性が悪化する等の問題があった。例えば、銅箔面の表面粗さ(Rz)が2.5μmより大きな銅箔を用いる方法では高い剥離強度を得ることができるが、線幅(LW)/導体間スペース(S)=100μm/100μm以下の微細配線を有するプリント基板の高密度設計への適応が十分でなかった。 Conventionally, in order to overcome these problems, attempts have been made to increase the surface roughness of the roughened surface of the copper foil and increase the peel strength from the copper foil by the anchoring effect on the polyimide base material. When the roughness is rough, there are problems such as repeated bending resistance deterioration and deterioration of fine wiring formability of the printed circuit. For example, a method using a copper foil having a surface roughness (Rz) larger than 2.5 μm can obtain a high peel strength, but the line width (LW) / inter-conductor space (S) = 100 μm / 100 μm. Adaptation to the high density design of the printed circuit board which has the following fine wiring was not enough.
また、従来、銅箔剥離強度を高めるための手段として、接着性のよいエポキシ系接着剤やエポキシ系基材を用いることが行われてきたが、硬化作用により硬くなり、折り曲げ加工性等を必要とする用途や、耐熱性用途には使用できない。 Conventionally, epoxy adhesives and epoxy base materials with good adhesiveness have been used as means for increasing the copper foil peel strength, but they become hard due to the hardening action and require bending workability. It can not be used for applications and heat resistant applications.
また、銅箔の厚みを、例えば18μm以上に厚くすることによって、銅箔の持つ剛性を利用して、銅箔剥離強度を高くすることが可能であるが、重厚になる他、繰り返し耐久性等を低下することになる。 In addition, by increasing the thickness of the copper foil to, for example, 18 μm or more, it is possible to increase the copper foil peel strength by utilizing the rigidity of the copper foil. Will be reduced.
更に、絶縁層としてのポリイミド層の厚みを厚くすることは、折り曲げ加工性や、寸法安定性の低下を招くことから好ましくなく、近年、その厚みが30μm程度以下のポリイミド樹脂が使用され始めている。 Furthermore, it is not preferable to increase the thickness of the polyimide layer as the insulating layer because it causes a decrease in bending workability and dimensional stability. In recent years, polyimide resins having a thickness of about 30 μm or less have begun to be used.
一方、表面粗さ(Rz)が2.5μm以下の銅箔とポリイミド基材の組み合わせにより、良好な微細配線形成性を得ることが期待できるが、それらでは、十分満足な銅箔剥離強度を得ることが出来なかった。 On the other hand, it can be expected to obtain good fine wiring formability by a combination of a copper foil having a surface roughness (Rz) of 2.5 μm or less and a polyimide base material, but with them, a sufficiently satisfactory copper foil peel strength can be obtained. I couldn't.
例えば、特許文献1では、厚み12μm、Rz=1.15の電解銅箔と、キャスト法により作成した厚み25μmを有するポリイミドとの接合の例示があるが、90°銅箔剥離強度で8N/cm程度と低いものである。 For example, in Patent Document 1, there is an example of joining of an electrolytic copper foil having a thickness of 12 μm and Rz = 1.15 and a polyimide having a thickness of 25 μm prepared by a cast method, but the 90 ° copper foil peel strength is 8 N / cm. The degree is low.
特許文献2には、表面粗さ(Rz)が2.5μm以下である厚み12μmの市販のF1−WS銅箔に特定の微量金属を付着することにより、厚み25μmのポリイミドとの接着性を向上した例示があるが、その90°銅箔剥離強度は9N/cmを切るものである。 In Patent Document 2, adhesion to a polyimide with a thickness of 25 μm is improved by attaching a specific trace metal to a commercially available F1-WS copper foil with a thickness of 12 μm whose surface roughness (Rz) is 2.5 μm or less. However, the 90 ° copper foil peel strength is less than 9 N / cm.
特許文献3には、ポリアミド系接着剤を用いて、銅箔厚みが12μm以下かつ表面粗さ(Rz)が3μm以下の銅箔と、25μmの厚みのポリイミドフィルムとを張り合わせた例示があるが、この手法によっても、90°銅箔剥離強度は8N/cmと低い。このように90°銅箔剥離強度を1N/cm向上させるだけでも種々の検討がなされてきた。 Patent Document 3 includes an example in which a copper foil having a thickness of 12 μm or less and a surface roughness (Rz) of 3 μm or less and a polyimide film having a thickness of 25 μm are bonded to each other using a polyamide-based adhesive. Even by this method, the 90 ° copper foil peel strength is as low as 8 N / cm. Thus, various studies have been made only by improving the 90 ° copper foil peel strength by 1 N / cm.
最近、180°という過酷な折り曲げ加工性を重視した例として、特許文献4では、特定の金属を含有する圧延銅箔等を用いて、180°銅箔剥離強度を開示している。厚みが35μmという非常に厚い銅箔を用いて、その180°剥離強度で8〜13.5N/cmとの記載があるが、厚い銅箔を使用するとその剛性寄与分の高い数値が出ることから、薄い銅箔で実施すれば相当小さな値となることが明白である。 Recently, as an example of emphasizing severe bending workability of 180 °, Patent Document 4 discloses 180 ° copper foil peel strength using a rolled copper foil containing a specific metal. There is a description of 8 to 13.5 N / cm at 180 ° peel strength using a very thick copper foil with a thickness of 35 μm, but if a thick copper foil is used, a high numerical value for its rigidity contribution will come out. Obviously, the value is considerably smaller when implemented with a thin copper foil.
一方、表面粗さ(Rz)が2.5μmより大きな銅箔では配線形成性が低下したり、厚み35μmの銅箔では厚み軽減のためのエッチングが必要であるとの問題を抱えることになり、それを用いたプリント基板や配線板の軽薄化達成が困難であった。 On the other hand, the copper foil having a surface roughness (Rz) larger than 2.5 μm has a problem that the wiring formability is lowered, or the copper foil having a thickness of 35 μm needs to be etched to reduce the thickness. It has been difficult to achieve lighter and thinner printed circuit boards and wiring boards.
本発明類似の技術(特許文献5参照)として、微小径の二次突起物群を、0.5〜2μm径の一次突起物群の上に形成した銅箔をエポキシ樹脂と積層する技術がある。一次突起物の存在比率が80%を僅かにでも下回れば、0.5μm以下の二次突起物の存在比率が80%以上でも(Rz=2.1μm)、90°銅箔剥離強度は7.6N/cmと低いこと(比較例12)が指摘されている。二次突起物の径を0.01〜0.5μmに制御するだけでは銅箔剥離強度を改善できず、そのため一次突起物の径とその存在比率、二次突起物の径とその存在比率、及び、銅箔の表面粗さを規定することにより達成しているとの記載がある。これは、エポキシ系基板との高い接着性といえども、Rzが2μmより大きな粗さのものを使用して初めて、11.2N/cm(Rz=2.2μm)という高い90°銅箔剥離強度を発揮しているものである。 As a technique similar to the present invention (see Patent Document 5), there is a technique of laminating a copper foil in which a secondary projection group having a small diameter is formed on a primary projection group having a diameter of 0.5 to 2 μm with an epoxy resin. . If the abundance ratio of the primary projections is slightly below 80%, the 90 ° copper foil peel strength is 7. Even if the abundance ratio of secondary projections of 0.5 μm or less is 80% or more (Rz = 2.1 μm). It is pointed out that it is as low as 6 N / cm (Comparative Example 12). It is not possible to improve the copper foil peel strength simply by controlling the diameter of the secondary protrusions to 0.01 to 0.5 μm, so the diameter of the primary protrusions and the abundance ratio thereof, the diameter of the secondary protrusions and the abundance ratio thereof, In addition, there is a description that this is achieved by defining the surface roughness of the copper foil. This is a high 90 ° copper foil peel strength of 11.2 N / cm (Rz = 2.2 μm) for the first time after using Rz having a roughness greater than 2 μm, even though it has high adhesion to an epoxy substrate. It is something that demonstrates.
しかし、特許文献5の技術では、銅箔粗面の一次突起物の径が0.5μmより小さい場合は投錨効果がないこと、また、存在比率が14〜19%である、実質0.5μmより大きい径の二次突起物が、0.5〜2μm径の大きな一次突起物の上に乗っているため、形状バラツキが大きくなり、微細配線形成性のバラツキも懸念される。また、銅箔の表面粗さ(Rz)が2μmを超えるものでの線幅(LW)/導体間スペース距離(S)=100μm/100μmの評価で配線回路形成性が良好との記載があるが、近年、そのような銅箔での微細配線形成上の顧客での合格判定基準は厳しくなっているため、その微細配線形成性評価結果は現在の顧客要求に合ったものではないと考えられる。 However, in the technique of Patent Document 5, when the diameter of the primary protrusion on the rough surface of the copper foil is smaller than 0.5 μm, there is no anchoring effect, and the abundance ratio is 14 to 19%. Since the secondary protrusion having a large diameter is placed on the primary protrusion having a diameter of 0.5 to 2 μm, the variation in shape becomes large, and there is a concern about the variation in fine wiring formability. Moreover, although the surface roughness (Rz) of the copper foil exceeds 2 μm, the line width (LW) / inter-conductor space distance (S) = 100 μm / 100 μm evaluation indicates that the wiring circuit formability is good. In recent years, acceptance criteria for customers on the formation of fine wiring with such copper foils have become stricter, and it is considered that the evaluation results of fine wiring formability do not meet current customer requirements.
特許文献5には、エポキシ系より接着性に劣るポリイミド系プリント基板やポリイミド系プリント配線板のはぜ折り等の過酷な180°剥離強度や繰り返し耐折性の改善の開示はなく、本発明のポリイミド系プリント基板や配線板における180°銅箔剥離強度を高める技術思想とは異なるものである。 In Patent Document 5, there is no disclosure of improvement in severe 180 ° peel strength and repeated folding resistance such as helix folding of polyimide printed circuit boards and polyimide printed wiring boards which are inferior in adhesion to epoxy systems, and This is different from the technical idea of increasing the 180 ° copper foil peel strength in polyimide printed boards and wiring boards.
このように、近年、携帯電話の高度利便性が追求される中、フレキシブルプリント基板の更なる配線の狭ピッチ化、高密度配線化が進み、プリント基板やそれを使用したプリント配線板には、微細配線化とともに高度信頼性が要望され、90°の銅箔剥離強度と共に、より過酷な180°の銅箔剥離強度の向上をあわせもつことが重要となっている。
本発明は、高い180°銅箔剥離強度と高い繰り返し耐折性を有し、微細配線形成性に優れたポリイミド系プリント基板及び、該プリント基板を用いたポリイミド系プリント配線板を提供する。 The present invention provides a polyimide-based printed circuit board having high 180 ° copper foil peel strength and high repeated folding resistance, and excellent in fine wiring formability, and a polyimide-based printed wiring board using the printed circuit board.
(1)非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムの少なくとも片面に、突起物が形成された粗化面を有する銅箔が圧着性ポリイミド樹脂層を介して、前記粗化面にて接合されたポリイミド系プリント基板において、前記突起物のD(径)が10〜100nm、かつ、L(長さ)/D(径)が1.5以上であることを特徴とする銅箔接合ポリイミド系プリント基板。
(2)圧着性ポリイミド樹脂層の層厚みが10μm以下である上記(1)に記載のポリイミド系プリント基板。
(3)圧着性ポリイミド樹脂のガラス転移温度が200〜350℃である上記(1)又は(2)に記載のポリイミド系プリント基板。
(4)ポリイミド樹脂層の少なくとも片面に銅箔が接合されたポリイミド系プリント基板であって、突起物が形成された粗化面を有する銅箔と、前記粗化面上にてポリアミド酸をイミド化して得られたポリイミド樹脂層とが、前記箔粗化面にて接合されており、前記突起物のD(径)が10〜100nm、かつ、L(長さ)/D(径)が1.5以上であることを特徴とする銅箔接合ポリイミド系プリント基板。
(5)銅箔の表面粗さ(Rz)が2.5μm以下、銅箔厚みが20μm以下である上記(1)〜(4)のいずれかに記載のポリイミド系プリント基板。
(6)突起物が、粒子径0.1〜10μmの粗化粒子の上に形成されている上記(1)〜(5)のいずれかに記載のポリイミド系プリント基板。
(7)ポリアミド酸が、3、3’、4、4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及びピロメリット酸二無水物を合わせて80モル%以上含有する芳香族酸二無水物成分と、p−フェニレンジアミン及びジアミノジフェニルエーテルを合わせて50モル%以上含有する芳香族ジアミン成分とを重合して得られるものである上記(4)〜(6)のいずれかに記載のポリイミド系プリント基板。
(8)上記(1)〜(7)のいずれかに記載のポリイミド系プリント基板を用いて形成された回路パターンの180°銅箔剥離強度が、10N/cm以上であることを特徴とするポリイミド系プリント配線板。
(1) A polyimide in which a copper foil having a roughened surface with protrusions formed on at least one surface of a non-thermoplastic aromatic polyimide resin film is bonded to the roughened surface via a pressure-sensitive adhesive polyimide resin layer. A copper foil-bonded polyimide-based printed board, wherein the protrusion has a D (diameter) of 10 to 100 nm and an L (length) / D (diameter) of 1.5 or more.
(2) The polyimide printed circuit board according to (1) above, wherein the pressure-sensitive polyimide resin layer has a thickness of 10 μm or less.
(3) The polyimide printed circuit board according to (1) or (2), wherein the glass transition temperature of the pressure-sensitive polyimide resin is 200 to 350 ° C.
(4) A polyimide-based printed board in which a copper foil is bonded to at least one surface of a polyimide resin layer, the copper foil having a roughened surface on which protrusions are formed, and polyamic acid imide on the roughened surface. The polyimide resin layer obtained by the process is bonded on the roughened surface of the foil, the D (diameter) of the projection is 10 to 100 nm, and the L (length) / D (diameter) is 1. A copper foil-bonded polyimide-based printed circuit board characterized by being 5 or more.
(5) The polyimide printed circuit board according to any one of (1) to (4), wherein the copper foil has a surface roughness (Rz) of 2.5 μm or less and a copper foil thickness of 20 μm or less.
(6) The polyimide printed circuit board according to any one of (1) to (5), wherein the protrusion is formed on roughened particles having a particle diameter of 0.1 to 10 μm.
(7) An aromatic acid dianhydride component in which the polyamic acid contains 80 mol% or more of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic dianhydride, and p -The polyimide type printed circuit board in any one of said (4)-(6) obtained by superposing | polymerizing the aromatic diamine component which contains 50 mol% or more combining phenylenediamine and diamino diphenyl ether.
(8) A polyimide characterized in that a 180 ° copper foil peel strength of a circuit pattern formed using the polyimide printed circuit board according to any one of (1) to (7) is 10 N / cm or more. Printed wiring board.
本発明のポリイミド系プリント基板、及びポリイミド系プリント配線板は、粗化面に微細かつ特定のL/D比を有する突起物を形成する銅箔と、圧着性ポリイミド樹脂層又はポリアミド酸をイミド化して得られたポリイミド樹脂層との接合により、高い180°銅箔剥離強度を達成し、同時に、高い繰り返し耐折性を示し、高い強度設計信頼性を得ることができる。また、本発明プリント基板は微細配線形成性に優れ、微細な回路パターンを形成したポリイミド系プリント配線板作成が可能である。 The polyimide-based printed circuit board and polyimide-based printed wiring board of the present invention are obtained by imidizing a copper foil, a pressure-sensitive polyimide resin layer, or a polyamic acid that forms fine protrusions having a specific L / D ratio on a roughened surface. By joining with the polyimide resin layer obtained in this way, a high 180 ° copper foil peel strength can be achieved, and at the same time, high repeated folding resistance can be exhibited, and high strength design reliability can be obtained. Further, the printed board of the present invention is excellent in fine wiring formability, and it is possible to produce a polyimide printed wiring board on which a fine circuit pattern is formed.
以下、本発明について詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明のポリイミド系プリント基板は、1)突起物のD(径)が10〜100nm、かつ、L(長さ)/D(径)が1.5以上である粗化面を有する銅箔と、2)非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムの上に形成された圧着性ポリイミド樹脂層、又は該銅箔粗化面上にてポリアミド酸をイミド化して得られたポリイミド樹脂層とが、圧着性ポリイミド樹脂層又はポリアミド酸から得られたポリイミド樹脂層の少なくとも片面に該銅箔粗化面にて接合されたプリント基板である。また、本発明のポリイミド系プリント配線板は、該プリント基板を用いて形成された回路パターンの180°銅箔剥離強度が、10N/cm以上であることが好ましい。 The polyimide-based printed board of the present invention includes: 1) a copper foil having a roughened surface in which D (diameter) of the protrusion is 10 to 100 nm and L (length) / D (diameter) is 1.5 or more; 2) A pressure-sensitive adhesive polyimide resin layer formed on a non-thermoplastic aromatic polyimide resin film, or a polyimide resin layer obtained by imidizing polyamic acid on the roughened surface of the copper foil is pressure-bonded. It is the printed circuit board joined by the copper foil roughening surface to at least one surface of the polyimide resin layer obtained from the conductive polyimide resin layer or the polyamic acid. Moreover, it is preferable that the 180 degree copper foil peeling strength of the circuit pattern formed using this printed circuit board of the polyimide type printed wiring board of this invention is 10 N / cm or more.
本発明のプリント基板を形成する銅箔の突起物は、D(径)が10〜100nm、かつ、L(長さ)/D(径)が1.5以上である。L(長さ)とは、銅箔の突起物を形成する根元から突起物の頂点までの距離を示し、D(径)はその間の平均径である。突起物のD(径)が10nm未満の場合、突起物が細すぎて折れやすく実用的でない。100nmより大きい場合は、突起物のポリイミド層への投錨効果が低く、十分な180°銅箔剥離強度が期待できない。 The protrusions of the copper foil forming the printed circuit board of the present invention have D (diameter) of 10 to 100 nm and L (length) / D (diameter) of 1.5 or more. L (length) indicates the distance from the root forming the protrusion of the copper foil to the apex of the protrusion, and D (diameter) is the average diameter therebetween. When the D (diameter) of the protrusion is less than 10 nm, the protrusion is too thin and is easily broken and is not practical. When it is larger than 100 nm, the projecting effect of the protrusion on the polyimide layer is low, and sufficient 180 ° copper foil peel strength cannot be expected.
180°銅箔剥離強度を高める重要な要素は、上記範囲の突起物のD(径)の制御と同時に、突起物のL(長さ)/D(径)の制御である。L(長さ)/D(径)は1.5以上を必須とすることにより、180°銅箔剥離強度を発現するための投錨効果を得ることが出来る。L(高さ)/D(径)が1.5未満の場合、その投錨効果を十分発揮しない恐れがある。L(長さ)/D(径)の値は、好ましくは2以上である。この値が大きいものほどポリイミド層への高い投錨効果を得ることができる。しかしこの突起物が、長細い針状になると折れやすくなることが考えられ、プリント基板用積層板中や、それを用いて作成したプリント基板に折損した銅が異物として混在するおそれがあり、通電耐久性の低下を招くおそれがあることから、L/Dの上限としては10以下が好ましく、5以下がより好ましい。 An important factor for increasing the 180 ° copper foil peel strength is the control of the projection L (length) / D (diameter) simultaneously with the control of the projection D (diameter) within the above range. By requiring L (length) / D (diameter) to be 1.5 or more, it is possible to obtain the anchoring effect for expressing the 180 ° copper foil peel strength. When L (height) / D (diameter) is less than 1.5, the anchoring effect may not be sufficiently exhibited. The value of L (length) / D (diameter) is preferably 2 or more. The larger the value, the higher the anchoring effect on the polyimide layer can be obtained. However, it is conceivable that this protrusion becomes easy to break when it becomes a long and thin needle shape, and there is a possibility that broken copper may be mixed as a foreign substance in the laminated board for printed circuit boards or a printed circuit board made using it. The upper limit of L / D is preferably 10 or less and more preferably 5 or less because there is a risk of lowering durability.
銅箔上の突起物の形状は、円柱状、楕円柱状、釣鐘状、ラグビー球状、多角柱、円錐、多角錐状等を挙げることができるがこれらに限定されない。高角柱状のような円柱状でない場合のD(径)とは、突起物の銅箔に平面に対する平行断面の最大長と、最小長の平均長で示すことができる。 Examples of the shape of the protrusion on the copper foil include, but are not limited to, a cylindrical shape, an elliptical column shape, a bell shape, a rugby ball shape, a polygonal column shape, a cone shape, and a polygonal pyramid shape. The D (diameter) in the case of not a cylindrical shape such as a high-angle columnar shape can be represented by the maximum length of the parallel section with respect to the plane and the average length of the minimum length on the copper foil of the protrusion.
また、180°銅箔剥離強度を一層高めるために、上記の突起物が、粒子径0.1〜10μm、好ましくは、0.1〜3μm、より好ましくは、0.1〜1μm、もっとも好ましくは0.1〜0.5μmを有する粗化粒子の上に形成されていることが好ましい。 Further, in order to further increase the 180 ° copper foil peel strength, the above protrusions have a particle diameter of 0.1 to 10 μm, preferably 0.1 to 3 μm, more preferably 0.1 to 1 μm, most preferably. It is preferable to be formed on roughened particles having 0.1 to 0.5 μm.
該突起物は、該粗化粒子1個の上に平均1〜100個の範囲で形成されている場合が好ましく、より好ましくは平均2〜50個であり、更に好ましくは平均約5〜30個であり、平均6〜20個が最も好ましい。突起物の数が少ない場合は、180度の銅箔剥離強度が十分発揮されない恐れがあり、突起物の数が多い場合は、突起物の隙間に水分が残り耐ハンダ性を低下する懸念がある。 The protrusions are preferably formed on the roughened particles in an average range of 1 to 100, more preferably an average of 2 to 50, and still more preferably an average of about 5 to 30. An average of 6 to 20 is most preferable. When the number of protrusions is small, the copper foil peel strength of 180 degrees may not be sufficiently exhibited. When the number of protrusions is large, moisture may remain in the gaps between the protrusions and solder resistance may be reduced.
突起物のD(径)が10〜100nmであり、かつ、所定以上のL(長さ)/D(径)を有する突起物が、比較的大きな径を有する粗化粒子の上に形成されていることにより、突起物のポリイミド層への投錨効果が更に大きく発揮される。大きな粗化粒子のみを有する銅箔とポリイミド層の接合だけでは、90°銅箔剥離強度を発揮することがあっても、180°銅箔剥離強度を十分に発揮しないほか、プリント基板の微細配線形成性の悪化を招く恐れがある。粗化粒子の粒子径は、銅箔剥離強度の観点から、0.1μm以上が好ましい。 A protrusion having a D (diameter) of 10 to 100 nm and having a L (length) / D (diameter) of a predetermined value or more is formed on the roughened particles having a relatively large diameter. As a result, the projecting effect of the protrusions on the polyimide layer is further enhanced. Even if only 90% copper foil peel strength is exhibited by bonding of copper foil having only large roughened particles and a polyimide layer, 180 ° copper foil peel strength is not sufficiently exhibited. There is a possibility of causing deterioration of formability. The particle diameter of the roughened particles is preferably 0.1 μm or more from the viewpoint of copper foil peel strength.
一方、粗化粒子が所定の粒子径より大きくなると、繰り返し折り曲げ耐久性の低下が懸念され、特に、線幅(LW)が100μm以下の配線回路では、その低下が顕著になる場合がある。従って、高い繰り返し折り曲げ耐久性と高い剥離強度を得るために、突起物のD(径)が10〜100nm、かつ、L(長さ)/D(径)が1.5以上であることと同時に、粗化粒子が所定の粒子径であることが望ましい。 On the other hand, when the roughened particles are larger than a predetermined particle diameter, there is a concern that the repeated bending durability may be lowered. In particular, in a wiring circuit having a line width (LW) of 100 μm or less, the decrease may be remarkable. Therefore, in order to obtain high repeated bending durability and high peel strength, the D (diameter) of the projection is 10 to 100 nm and L (length) / D (diameter) is 1.5 or more at the same time. It is desirable that the roughened particles have a predetermined particle size.
本発明の銅箔は、配線形成性の観点から、表面粗さ(Rz)が2.5μm以下であることが好ましい。より好ましくは表面粗さ(Rz)が0.1μm以上2.0μm以下である。銅箔の表面粗さ(Rz)とは、10点平均粗さのことである。 The copper foil of the present invention preferably has a surface roughness (Rz) of 2.5 μm or less from the viewpoint of wiring formability. More preferably, the surface roughness (Rz) is 0.1 μm or more and 2.0 μm or less. The surface roughness (Rz) of the copper foil is a 10-point average roughness.
銅箔厚みは、特に規定されないが、プリント基板の薄膜化の観点から、20μm以下であることが好ましく、より好ましくは1μm以上15μm以下である。 The thickness of the copper foil is not particularly defined, but is preferably 20 μm or less, more preferably 1 μm or more and 15 μm or less from the viewpoint of thinning the printed circuit board.
本発明のプリント基板や、それを用いたプリント配線板を構成するポリイミド樹脂層は、圧着性ポリイミド樹脂層及び/又は、キャスト法で重合して得られたポリイミド樹脂層を含む。 The polyimide resin layer which comprises the printed circuit board of this invention and a printed wiring board using the same contains the polyimide resin layer obtained by superposing | polymerizing with a press-fit polyimide resin layer and / or the casting method.
本発明の銅箔の突起物がポリイミド樹脂層へ適確に投錨されるという目的から、該突起物を有する銅箔面は、圧着性ポリイミド樹脂層又は、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸をイミド化して得られたポリイミド樹脂層と接合されたものであり、ポリイミド樹脂層が溶融状態で該銅箔面と接合されたプリント基板であることが好ましい。 For the purpose that the protrusion of the copper foil of the present invention is accurately cast on the polyimide resin layer, the copper foil surface having the protrusion is imidized with a pressure-sensitive adhesive polyimide resin layer or a polyamic acid which is a polyimide precursor. It is preferably a printed circuit board that is bonded to the obtained polyimide resin layer and bonded to the copper foil surface in a molten state.
圧着性ポリイミド樹脂層は非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムの上に形成され、該圧着性ポリイミド樹脂層を介して該非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムの反対側の面で、該銅箔面と接合される。 The pressure-bondable polyimide resin layer is formed on the non-thermoplastic aromatic polyimide resin film, and the copper foil surface on the opposite side of the non-thermoplastic aromatic polyimide resin film through the pressure-bondable polyimide resin layer. Joined with.
ポリアミド酸をイミド化して得られたポリイミド樹脂層(キャスト法)の場合、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸のイミド化時に該銅箔面と該ポリイミド樹脂層が接合される。該ポリアミド酸のイミド化後は非熱可塑性ポリイミド樹脂層を形成するものがよい好ましい。 In the case of a polyimide resin layer (cast method) obtained by imidizing polyamic acid, the copper foil surface and the polyimide resin layer are joined at the time of imidization of polyamic acid which is a polyimide precursor. It is preferable to form a non-thermoplastic polyimide resin layer after imidation of the polyamic acid.
上記の圧着性ポリイミド樹脂層の層厚み(T)は10μm以下が好ましく、より好ましくは0.1〜5μm、もっとも好ましくは0.2〜3μmである。本発明用途の目的から、圧着性ポリイミド樹脂層の層厚みを過剰に厚くすることは適切でなく、また、薄くする場合には、銅箔の突起物の長さ(L)より厚いことがよい好ましい。薄すぎると突起物により圧着性ポリイミド樹脂層を著しく損傷する恐れがある。また、圧着性ポリイミドの樹脂層の層厚みは、該銅箔面への埋め込み性の観点から該銅箔面の凹凸の頂点と底辺の距離、又は表面粗さ(Rz)より厚いことが好ましいが制限はない。 The layer thickness (T) of the above-mentioned pressure-sensitive adhesive polyimide resin layer is preferably 10 μm or less, more preferably 0.1 to 5 μm, and most preferably 0.2 to 3 μm. For the purpose of the present invention, it is not appropriate to excessively increase the thickness of the pressure-sensitive adhesive polyimide resin layer, and when it is made thinner, it is better to be thicker than the length (L) of the protrusion of the copper foil. preferable. If it is too thin, the pressure-sensitive adhesive polyimide resin layer may be significantly damaged by the protrusions. In addition, the thickness of the resin layer of the pressure-bonding polyimide is preferably thicker than the distance between the top and bottom of the unevenness of the copper foil surface or the surface roughness (Rz) from the viewpoint of embedding in the copper foil surface. There is no limit.
圧着性ポリイミド樹脂のガラス転移温度は200〜350℃であることが好ましく、より好ましくは200〜300℃である。圧着性ポリイミド樹脂の弾性率については特に制約はされないが、引張弾性率で1〜5GPaであることが好ましい。ガラス転移温度や弾性率が上記範囲にあれば、圧着時の該銅箔面への埋め込み性がより良好で、投錨効果が十分に発揮できる。 The glass transition temperature of the pressure-sensitive polyimide resin is preferably 200 to 350 ° C, more preferably 200 to 300 ° C. Although there is no restriction | limiting in particular about the elasticity modulus of a crimpable polyimide resin, It is preferable that it is 1-5 GPa by a tensile elasticity modulus. If the glass transition temperature and the elastic modulus are in the above ranges, the embedding property to the copper foil surface at the time of pressure bonding is better, and the anchoring effect can be sufficiently exhibited.
上記の該圧着性ポリイミド樹脂層を形成するポリイミド樹脂は、加熱圧着初期には十分流動し、かつ加熱圧着後には十分な接着力と耐熱性を示すように設計される。通常、該ポリイミド樹脂は、酸二無水物成分とジアミン成分を反応させる公知方法を含め全て適用できる。 The polyimide resin forming the pressure-bondable polyimide resin layer is designed to flow sufficiently in the initial stage of thermocompression bonding and to exhibit sufficient adhesion and heat resistance after thermocompression bonding. In general, the polyimide resin can be applied to all known methods including reacting an acid dianhydride component with a diamine component.
酸二無水物成分としては、テトラカルボン酸二無水物等のカルボン酸二無水物を1種、又は2種以上組み合わせて用いることができる。酸二無水物の具体例としては、例えば、芳香族テトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルフィド二無水物、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルフォン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ビフェニル二無水物、2,2−ビス[(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、及び1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル二無水物等が挙げられる。 As the acid dianhydride component, carboxylic dianhydrides such as tetracarboxylic dianhydride can be used singly or in combination of two or more. Specific examples of acid dianhydrides include, for example, aromatic tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′- Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, bis (3,4- Dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfide dianhydride, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone Anhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dica Boxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 1,4-bis (3,4 -Dicarboxyphenoxy) benzene dianhydride, 4,4'-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) biphenyl dianhydride, 2,2-bis [(3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, and 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-iso Examples thereof include benzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester dianhydride.
上述の芳香族テトラカルボン酸ニ無水物に加えて、脂肪族テトラカルボン酸二無水物も使用することができる。具体的な例としては、例えば、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ペンタン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ−1−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、3−エチルシクロヘキサ−1−エン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−メチル−3−エチルシクロヘキサン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−メチル−3−エチルシクロヘキサ−1−エン−3−(1,2),5,6−テトラカルボン酸二無水物、1−エチルシクロヘキサン−1−(1,2),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1−プロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3,4−テトラカルボン酸二無水物、1,3−ジプロピルシクロヘキサン−1−(2,3),3−(2,3)−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセンー1,2−ジカルボン酸二無水物等である。これらの脂肪族テトラカルボン酸二無水物は、単独でも二種以上を同時に用いることも可能である。 In addition to the aromatic tetracarboxylic dianhydrides described above, aliphatic tetracarboxylic dianhydrides can also be used. Specific examples include, for example, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pentane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, cyclobutane tetracarboxylic dianhydride. , Cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, cyclohex-1-ene-2,3,5,6- Tetracarboxylic dianhydride, 3-ethylcyclohex-1-ene-3- (1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-methyl-3-ethylcyclohexane-3- (1, 2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-methyl-3-ethylcyclohex-1-ene-3- (1,2), 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 1-ethyl Cyclohexane-1- (1,2), 3,4 Tetracarboxylic dianhydride, 1-propylcyclohexane-1- (2,3), 3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1,3-dipropylcyclohexane-1- (2,3), 3- ( 2,3) -tetracarboxylic dianhydride, dicyclohexyl-3,4,3 ′, 4′-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.1] heptane-2,3,5,6-tetra Carboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2] octane-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2] oct-7-ene-2,3,5 , 6-tetracarboxylic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, and the like. These aliphatic tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.
また、ジアミン成分としては、公知のジアミンを1種、又は2種以上組み合わせて用いることができる。芳香族ジアミンの具体的な例としては、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォキシド、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルフォン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1、1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−メチルフェニル)プロパン、1,4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、3,5−ジアミノ安息香酸、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、あるいはこれらの芳香族ジアミンの芳香族環と直接結合した水素原子の一部がメチル基、エチル基、及びハロゲン基からなる群から選択される基で置換されたもの等を挙げることができる。これらの中でより好ましい芳香族ジアミンとして、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,4’−ジアミノジフェニルエーテルが挙げられる。上記の芳香族ジアミンはいずれも単独あるいは2種以上を混合して用いることができる。 Moreover, as a diamine component, a well-known diamine can be used 1 type or in combination of 2 or more types. Specific examples of the aromatic diamine include paraphenylene diamine, metaphenylene diamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, 4,4′-diaminobenzophenone, and 3,4′-diamino. Diphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone, 3,3′-diaminodiphenyl sulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfoxide, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2 ′ -Dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, 1,4-bis (4-amino Phenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis ( -Aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4, 4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) Anthracene, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis [4- (4-Aminophenoxy) phenyl] propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (3-amino-4-methylphenyl) propyl Pan, 1,4-bis (3-aminopropyldimethylsilyl) benzene, 3,5-diaminobenzoic acid, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, or aromatic rings of these aromatic diamines And those in which a part of the hydrogen atoms directly bonded to each other are substituted with a group selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, and a halogen group. Among these, more preferred aromatic diamines include 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 3,4'-diaminodiphenyl ether. Any of the above aromatic diamines can be used alone or in admixture of two or more.
芳香族ジアミンに加え,非環状構造を有する脂肪族ジアミン(以下、単に脂肪族ジアミンという)、又は脂環式構造を有するジアミン(以下、単に脂環式ジアミンという)を好適に用いることができる。 In addition to the aromatic diamine, an aliphatic diamine having an acyclic structure (hereinafter simply referred to as an aliphatic diamine) or a diamine having an alicyclic structure (hereinafter simply referred to as an alicyclic diamine) can be suitably used.
脂肪族ジアミンの例示としては、ビス(アミノメチル)エーテル、ビス(2−アミノエチル)エーテル、ビス(3−アミノプロピル)エーテル、ビス(2−アミノメトキシ)エチル]エーテル、ビス[2−(2−アミノエトキシ)エチル]エーテル、ビス[2−(3−アミノプロトキシ)エチル]エーテル、1,2−ビス(アミノメトキシ)エタン、1,2−ビス(2−アミノエトキシ)エタン、1,2−ビス[2−(アミノメトキシ)エトキシ]エタン、1,2−ビス[2−(2−アミノエトキシ)エトキシ]エタン、エチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、ジエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、トリエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル等のエーテル基含有系ジアミン、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカン等の鎖状ジアミンが挙げられる。これらの脂肪族ジアミンは、1種でも、あるいは2種以上を混合して用いてもよい。 Examples of aliphatic diamines include bis (aminomethyl) ether, bis (2-aminoethyl) ether, bis (3-aminopropyl) ether, bis (2-aminomethoxy) ethyl] ether, bis [2- (2 -Aminoethoxy) ethyl] ether, bis [2- (3-aminoprotoxy) ethyl] ether, 1,2-bis (aminomethoxy) ethane, 1,2-bis (2-aminoethoxy) ethane, 1,2 -Bis [2- (aminomethoxy) ethoxy] ethane, 1,2-bis [2- (2-aminoethoxy) ethoxy] ethane, ethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, diethylene glycol bis (3-aminopropyl) Ether group-containing diamines such as ether and triethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether; Range amine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9-diaminononane And chain diamines such as 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane and 1,12-diaminododecane. These aliphatic diamines may be used alone or in combination of two or more.
脂環式ジアミンの具体例としては、イソホロンジアミン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、1,8−ジアミノ−p−メンタン、1,4−シクロヘキサンビス(メチルアミン)、1,3−シクロヘキサンビス(メチルアミン)、2,5−ジアミノメチル−ビシクロ[2,2,2]オクタン、2,5−ジアミノメチル−7,7−ジメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノメチル−7,7−ジフルオロビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノメチル−7,7,8,8−テトラフルオロビシクロ[2,2,2]オクタン、2,5−ジアミノメチル−7,7−ビス(ヘキサフルオロメチル)ビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノメチル−7−オキサビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノメチル−7−チアビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノメチル−7−オキソビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノメチル−7−アザビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノメチル−ビシクロ[2,2,2]オクタン、2,6−ジアミノメチル−7,7−ジメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノメチル−7,7−ジフルオロビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノメチル−7,7,8,8−テトラフルオロビシクロ[2,2,2]オクタン、2,6−ジアミノメチル−7,7−ビス(ヘキサフルオロメチル)ビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノメチル−7−オキシビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノメチル−7−チオビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノメチル−7−オキソビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノメチル−7−イミノビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノ−ビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノ−ビシクロ[2,2,2]オクタン、2,5−ジアミノ−7,7−ジメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノ−7,7−ジフルオロビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノ−7,7,8,8−テトラフルオロビシクロ[2,2,2]オクタン、2,5−ジアミノ−7,7−ビス(ヘキサフルオロメチル)ビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノ−7−オキサビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノ−7−チアビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノ−7−オキソビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,5−ジアミノ−7−アザビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノ−ビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノ−ビシクロ[2,2,2]オクタン、2,6−ジアミノ−7,7−ジメチルビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノ−7,7−ジフルオロビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノ−7,7,8,8−テトラフルオロビシクロ[2,2,2]オクタン、2,6−ジアミノ−7,7−ビス(ヘキサフルオロメチル)ビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノ−7−オキシビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノ−7−チオビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノ−7−オキソビシクロ[2,2,1]ヘプタン、2,6−ジアミノ−7−イミノビシクロ[2,2,1]ヘプタン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,3−ジアミノシクロヘキサン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,2−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、1,3−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、1,4−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン、ビシクロ[2,2,1]ヘプタンビスメチルアミン等が挙げられるが、これらに限定されない。また、これらの脂環式ジアミンは、1種でも、あるいは2種以上を混合して用いてもよい。 Specific examples of the alicyclic diamine include isophorone diamine, 4,4′-diaminodicyclohexylmethane, 1,8-diamino-p-menthane, 1,4-cyclohexanebis (methylamine), 1,3-cyclohexanebis ( Methylamine), 2,5-diaminomethyl-bicyclo [2,2,2] octane, 2,5-diaminomethyl-7,7-dimethylbicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diaminomethyl- 7,7-difluorobicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diaminomethyl-7,7,8,8-tetrafluorobicyclo [2,2,2] octane, 2,5-diaminomethyl-7 , 7-bis (hexafluoromethyl) bicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diaminomethyl-7-oxabicyclo [2,2,1] heptane, 2,5 Diaminomethyl-7-thiabicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diaminomethyl-7-oxobicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diaminomethyl-7-azabicyclo [2,2, 1] heptane, 2,6-diaminomethyl-bicyclo [2,2,2] octane, 2,6-diaminomethyl-7,7-dimethylbicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diaminomethyl- 7,7-difluorobicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diaminomethyl-7,7,8,8-tetrafluorobicyclo [2,2,2] octane, 2,6-diaminomethyl-7 , 7-bis (hexafluoromethyl) bicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diaminomethyl-7-oxybicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diaminomethyl-7-thio Cyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diaminomethyl-7-oxobicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diaminomethyl-7-iminobicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diamino-bicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diamino-bicyclo [2,2,2] octane, 2,5-diamino-7,7-dimethylbicyclo [2,2,1 ] Heptane, 2,5-diamino-7,7-difluorobicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diamino-7,7,8,8-tetrafluorobicyclo [2,2,2] octane, 2,5-diamino-7,7-bis (hexafluoromethyl) bicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diamino-7-oxabicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diamino -7-thiabicyclo [2,2, 1] heptane, 2,5-diamino-7-oxobicyclo [2,2,1] heptane, 2,5-diamino-7-azabicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diamino-bicyclo [2 , 2,1] heptane, 2,6-diamino-bicyclo [2,2,2] octane, 2,6-diamino-7,7-dimethylbicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diamino- 7,7-difluorobicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diamino-7,7,8,8-tetrafluorobicyclo [2,2,2] octane, 2,6-diamino-7,7 -Bis (hexafluoromethyl) bicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diamino-7-oxybicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diamino-7-thiobicyclo [2,2, 1] Heptane, 2,6-diamino 7-oxobicyclo [2,2,1] heptane, 2,6-diamino-7-iminobicyclo [2,2,1] heptane, 1,2-diaminocyclohexane, 1,3-diaminocyclohexane, 1,4- Diaminocyclohexane, 1,2-di (2-aminoethyl) cyclohexane, 1,3-di (2-aminoethyl) cyclohexane, 1,4-di (2-aminoethyl) cyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5,5] undecane, bicyclo [2,2,1] heptanebismethylamine, and the like. It is not limited to. These alicyclic diamines may be used alone or in combination of two or more.
また、ポリアミド酸両末端のいずれかの末端に存在するアミノ基又はジカルボキシル基等を封止する目的でカルボン酸無水物誘導体やアミン誘導体等の末端封止剤を上記重合の際に加えてもよい。得られるポリイミドの末端構造は、製造時における全テトラカルボン酸二無水物と全ジアミンのモル仕込み比によって、アミンもしくは酸無水物構造となる。 In addition, a terminal blocking agent such as a carboxylic acid anhydride derivative or an amine derivative may be added during the polymerization for the purpose of sealing an amino group or dicarboxyl group present at either terminal of both ends of the polyamic acid. Good. The terminal structure of the resulting polyimide becomes an amine or acid anhydride structure depending on the molar charge ratio of all tetracarboxylic dianhydrides and all diamines at the time of production.
アミン末端構造は、カルボン酸無水物にて末端封止してもよく、カルボン酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、4-フェニルフタル酸無水物、4−フェノキシフタル酸無水物、4−フェニルカルボニルフタル酸無水物、4−フェニルスルホニルフタル酸無水物、無水マレイン酸、5−エチニル−フタル酸二無水物、5−フェニルエチニル−フタル酸二無水物、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシ無水物等を用いることができる。 The amine terminal structure may be end-capped with a carboxylic acid anhydride. Examples of the carboxylic acid anhydride include phthalic anhydride, 4-phenylphthalic anhydride, 4-phenoxyphthalic anhydride, 4- Phenylcarbonylphthalic anhydride, 4-phenylsulfonylphthalic anhydride, maleic anhydride, 5-ethynyl-phthalic dianhydride, 5-phenylethynyl-phthalic dianhydride, 5-norbornene-2,3-di Carboxy anhydride and the like can be used.
また、酸無水物末端構造は、モノアミンにて末端封止してもよく、モノアミンとしては、例えば、アニリン、トルイジン、アミノフェノール、アミノビフェニル、アミノベンゾフェノン、ナフチルアミン等を用いることができる。上記の酸無水物、モノアミンを単独もしくは2種以上を混合して末端封止して用いてもよい。 The acid anhydride terminal structure may be end-capped with a monoamine, and examples of the monoamine include aniline, toluidine, aminophenol, aminobiphenyl, aminobenzophenone, and naphthylamine. The above acid anhydrides and monoamines may be used alone or in admixture of two or more and end-capped.
本発明に関わる圧着性ポリイミド樹脂は、溶剤可溶性であることが好ましいが、特に限定はされない。「可溶性」とは、ジオキソラン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン等から選択される少なくとも1種の溶媒に、室温〜100℃の温度範囲において1重量%以上溶解することをいう。 The pressure-sensitive adhesive polyimide resin according to the present invention is preferably solvent-soluble, but is not particularly limited. “Soluble” means at least one solvent selected from dioxolane, dioxane, tetrahydrofuran, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone and the like at room temperature. It means that 1% by weight or more dissolves in a temperature range of ˜100 ° C.
酸二無水物成分とジアミン成分の反応に用いられる溶媒として、例えば,γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1,3−ジオキサン、1,4−ジオキサン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラメチル尿素等が挙げられる。中でもγ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド及びN−メチル−2−ピロリドンが好ましい。これらは単独、又は2種以上を混合して用いることができる。 Examples of the solvent used for the reaction of the acid dianhydride component and the diamine component include γ-butyrolactone, γ-valerolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl Examples include sulfoxide, 1,3-dioxane, 1,4-dioxane, cyclopentanone, cyclohexanone, diethylene glycol dimethyl ether, and tetramethylurea. Of these, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone are preferred. These can be used alone or in admixture of two or more.
溶媒の使用量には、特に制限はなく、ポリアミド酸溶液の粘度等に応じて利用することができる。この反応における反応原料の濃度は、通常2〜50質量%、好ましくは10〜50質量%であり、反応温度は、通常60℃以下、好ましくは50℃以下である。反応圧力は特に限定されず、常圧でも実施できる。また、反応時間は反応原料の種類、溶媒の種類及び反応温度によって異なるが、通常0.5〜24時間である。このような重縮合反応により、ポリアミド酸重合体が生成する。そして、このポリアミド酸重合体をイミド化することにより、圧着性ポリイミド樹脂が得られる。 There is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of a solvent, According to the viscosity etc. of a polyamic acid solution, it can utilize. The concentration of the reaction raw material in this reaction is usually 2 to 50% by mass, preferably 10 to 50% by mass, and the reaction temperature is usually 60 ° C. or less, preferably 50 ° C. or less. The reaction pressure is not particularly limited, and the reaction can be carried out at normal pressure. Moreover, although reaction time changes with the kind of reaction raw material, the kind of solvent, and reaction temperature, it is 0.5 to 24 hours normally. A polyamic acid polymer is produced by such a polycondensation reaction. And a pressure-sensitive adhesive polyimide resin is obtained by imidizing this polyamic acid polymer.
ここで、イミド化には、熱キュア法及びケミカルキュア法のいずれかを用いることができる。熱キュア法は、脱水閉環剤等を作用させずに加熱だけでイミド化反応を進行させる方法であり、ケミカルキュア法は、ポリアミド酸重合体有機溶媒溶液に、無水酢酸等の酸無水物に代表される化学的転化剤(脱水剤)と、イソキノリン、β−ピコリン、ピリジン等の第三級アミン類等に代表される触媒とを作用させる方法である。ケミカルキュア法と熱キュア法を併用することも出来る。イミド化の反応条件は、ポリアミド酸重合体の種類、熱キュア法及び/又はケミカルキュア法等の公知手段の単独、組み合わせ、又は容易類推による応用により適宜選択可能である。 Here, for the imidization, either a thermal curing method or a chemical curing method can be used. The thermal cure method is a method in which the imidization reaction proceeds only by heating without the action of a dehydrating ring-closing agent, and the chemical cure method is represented by an acid anhydride such as acetic anhydride in a polyamic acid polymer organic solvent solution. The chemical conversion agent (dehydrating agent) to be reacted with a catalyst typified by tertiary amines such as isoquinoline, β-picoline and pyridine. A chemical cure method and a thermal cure method can be used in combination. The imidation reaction conditions can be appropriately selected depending on the type of polyamic acid polymer, single or combination of known means such as thermal curing method and / or chemical curing method, or application by easy analogy.
通常、圧着性ポリイミド樹脂は、塗布性の観点から溶液状態で0.3〜500ポイズ程度の可溶性ポリイミドのワニスとして使用されることが多いが、ポリアミド酸重合体の状態で、直接及び/又は間接的に、非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムや銅箔等の基材上に塗布し、加熱イミド化することにより圧着性ポリイミド樹脂層を得ることもできる。 Usually, a pressure-sensitive polyimide resin is often used as a varnish of a soluble polyimide of about 0.3 to 500 poise in a solution state from the viewpoint of applicability, but directly and / or indirectly in a polyamic acid polymer state. In particular, a pressure-bondable polyimide resin layer can also be obtained by coating on a substrate such as a non-thermoplastic aromatic polyimide resin film or a copper foil and heating imidization.
圧着性ポリイミド樹脂は、本発明の目的を損なわない範囲で他の樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニルスルフィド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、エポキシ樹脂等を、通常、可溶性ポリイミド樹脂に対して10重量倍以下の適当量を配合することも可能である。 The pressure-bonding polyimide resin may be other resins, for example, polyethylene, polypropylene, polycarbonate, polyarylate, polyamide, polysulfone, polyethersulfone, polyetherketone, polyetheretherketone, polyphenylsulfide, as long as the object of the present invention is not impaired. Modified polyphenylene oxide, polyamideimide, polyetherimide, epoxy resin, and the like can usually be blended in an appropriate amount not more than 10 times by weight with respect to the soluble polyimide resin.
本発明の圧着性ポリイミド樹脂層は非熱可塑性芳香族系ポリイミドフィルムの片面上あるいは両面上で形成されていることがよい好ましい。これは、圧着性ポリイミド樹脂層は、通常、非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムと銅箔との接着層として供され、それらの構成でプリント基板やポリイミド系プリント配線板となることが多いからである。 The pressure-bondable polyimide resin layer of the present invention is preferably formed on one side or both sides of a non-thermoplastic aromatic polyimide film. This is because the pressure-bondable polyimide resin layer is usually provided as an adhesive layer between the non-thermoplastic aromatic polyimide resin film and the copper foil, and the printed circuit board and the polyimide-based printed wiring board are often formed with those configurations. It is.
例えば、本発明構成要件の銅箔と圧着性ポリイミド樹脂層との接合前、接合後、或いは接合と同時に、圧着性ポリイミド樹脂層は非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムと接合される。通常、圧着性ポリイミド樹脂層の非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムへの接合は、該圧着性ポリイミド樹脂を溶液にて塗布し、加熱により溶媒乾燥することによって行なわれる。その塗布状態は、溶液状態や流動状態等に限定されない。 For example, the pressure-sensitive polyimide resin layer is bonded to the non-thermoplastic aromatic polyimide resin film before, after, or simultaneously with the bonding of the copper foil of the present invention and the pressure-sensitive polyimide resin layer. Usually, the bonding of the pressure-bondable polyimide resin layer to the non-thermoplastic aromatic polyimide resin film is performed by applying the pressure-bondable polyimide resin in a solution and drying the solvent by heating. The application state is not limited to a solution state or a fluid state.
塗布は、公知の種々のコーティング方式、例えばブレードコーター、ナイフコーター、含浸コーター、コンマコーター、リバースロールコーター、グラビヤコーター等を使用して行うことができる。 The coating can be carried out using various known coating methods such as a blade coater, knife coater, impregnation coater, comma coater, reverse roll coater, gravure coater and the like.
本発明の非熱可塑性ポリイミド樹脂フィルムの厚みは、1〜125μmが好ましい。より好ましくは、1〜30μm、更に好ましくは3〜25μmであり、もっとも好ましくは3〜22μmである。熱圧着性ポリイミド樹脂層との接着力を一層向上する目的で、その表面がプラズマ処理やコロナ処理等のドライ処理、シランカップリング剤類でのウェット処理、あるいはサンドブラスト、ウエットブラスト等の表面に物理的な凹凸を形成する処理が施されてもよい。 As for the thickness of the non-thermoplastic polyimide resin film of this invention, 1-125 micrometers is preferable. More preferably, it is 1-30 micrometers, More preferably, it is 3-25 micrometers, Most preferably, it is 3-22 micrometers. For the purpose of further improving the adhesive strength with the thermocompression bonding polyimide resin layer, the surface is physically applied to the surface such as dry treatment such as plasma treatment or corona treatment, wet treatment with silane coupling agents, or sand blast or wet blast. The process which forms a general unevenness | corrugation may be given.
一方、銅箔粗化面上にポリアミド酸をイミド化して得られたポリイミド樹脂層を積層する場合、ポリイミド樹脂層やそれを形成する前駆体であるポリアミド酸の種類に制約はないが、耐熱時剛性の観点から、好ましくは芳香族系成分を有する単位を含む化合物が使用される。 On the other hand, when laminating a polyimide resin layer obtained by imidizing polyamic acid on a roughened copper foil surface, there is no restriction on the type of polyamic acid that is a polyimide resin layer or a precursor that forms the polyimide resin layer, From the viewpoint of rigidity, a compound containing a unit having an aromatic component is preferably used.
例えば、ポリアミド酸の構成原料の酸二無水物成分として、芳香族テトラカルボン酸二無水物、例えば、3、3’、4、4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び/又はピロメリット酸二無水物が主成分として挙げられる。3,4,3',4'−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物、1,3−ジヒドロ−1,3−ジオキソ−5−イソベンゾフランカルボン酸−1,4−フェニレンエステル、2,3,3',4'−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、オキシジフタル酸、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸等の二無水物、また、非芳香族テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸等を本発明の効果を損なわない範囲で用いてもよい。 For example, as the acid dianhydride component of the constituent material of the polyamic acid, aromatic tetracarboxylic dianhydride, for example, 3, 3 ′, 4, 4′-biphenyl tetracarboxylic dianhydride and / or pyromellitic acid 2 An anhydride is mentioned as a main component. 3,4,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,3-dihydro-1,3-dioxo-5-isobenzofurancarboxylic acid-1,4-phenylene ester, 2,3,3 ′ Dianhydrides such as 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, pyromellitic acid, benzophenone tetracarboxylic acid, oxydiphthalic acid, diphenylsulfonetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, and non-aromatic Tetracarboxylic dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic acid, cyclohexanetetracarboxylic acid and the like may be used as long as the effects of the present invention are not impaired.
ポリアミド酸の構成原料のジアミン成分として、芳香族ジアミン、例えば、p−フェニレンジアミン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテルが主成分としてあげられる。また、メタフェニレンジアミン、 3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノベンズアニリド、2,2−ジメチル−4,4−ジアミノビフェニル、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホンを本発明の効果を損なわない範囲で用いてもよい。 Examples of the diamine component of the constituent material of the polyamic acid include aromatic diamines such as p-phenylenediamine and 4,4′-diaminodiphenyl ether as main components. Further, metaphenylenediamine, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzanilide, 2,2-dimethyl-4,4-diaminobiphenyl, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1 , 3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (4- (3-aminophenoxy) Phenyl) sulfone may be used as long as the effects of the present invention are not impaired.
特に、ポリイミド樹脂前駆体であるポリアミド酸としては、3、3’、4、4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及びピロメリット酸二無水物を合わせて少なくとも80モル%含有する芳香族酸二無水物と、p−フェニレンジアミン及びジアミノジフェニルエーテルを合わせて少なくとも50モル%含有する芳香族ジアミン成分とを重合して得られるものが好ましい。 In particular, as the polyamic acid which is a polyimide resin precursor, aromatic acid diacid containing at least 80 mol% of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and pyromellitic dianhydride is combined. Those obtained by polymerizing an anhydride and an aromatic diamine component containing at least 50 mol% of p-phenylenediamine and diaminodiphenyl ether are preferred.
ポリアミド酸をイミド化して得られたポリイミド樹脂層と、少なくとも片面に、突起物のD(径)が10〜100nm、かつ、L(長さ)/D(径)が1.5以上である突起物が形成された粗化面を有する銅箔との接合は該銅箔粗化上にて実施される。イミド化は、有機極性溶媒中で酸二無水物と芳香族ジアミンとを重合し、得られたポリアミド酸を該銅箔粗化面上で流延、乾燥する公知の方法を用いることができる。 A polyimide resin layer obtained by imidizing polyamic acid, and a protrusion having a protrusion D (diameter) of 10 to 100 nm and L (length) / D (diameter) of 1.5 or more on at least one surface Bonding with a copper foil having a roughened surface on which an object is formed is performed on the copper foil roughening. For imidation, a known method of polymerizing acid dianhydride and aromatic diamine in an organic polar solvent and casting and drying the obtained polyamic acid on the roughened surface of the copper foil can be used.
有機極性溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、テトラメチルウレア、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホルアミド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジグライム、トリグライム等を挙げることができる。これらの有機極性溶媒は、トルエン、ベンゾニトリル、キシレン等の他の有機溶媒と混合して使用することもできる。これらは単独、又は2種以上を混合して用いることができる。 Examples of organic polar solvents include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, tetramethylurea, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoramide, dimethylsulfone, and tetramethylene. Examples include sulfone, dimethyltetramethylene sulfone, diglyme, and triglyme. These organic polar solvents can be used by mixing with other organic solvents such as toluene, benzonitrile and xylene. These can be used alone or in admixture of two or more.
また、物性を損なわない範囲において、添加剤として、脱水剤、シリカやリン酸水素カルシウム等のフィラー、及びシランカップリング剤やチタネートカップリング剤等の表面改質剤や、ポリイミド樹脂の硬化を促進するピリジン、イミダゾール、トリアゾール等のイミド化剤等を更に加えてもよい。 In addition, as long as physical properties are not impaired, additives such as dehydrating agents, fillers such as silica and calcium hydrogen phosphate, surface modifiers such as silane coupling agents and titanate coupling agents, and curing of polyimide resins are promoted. An imidizing agent such as pyridine, imidazole or triazole may be further added.
本発明で使用する銅箔は、その組成や金属層形成は限定されない。耐熱変色性、耐腐食性、耐薬品性、耐マイグレーション性、回路形成性等の観点から、通常、Cr、Zn、In、Ni、Co、Mo、Ti、W、Fe、Sn、Al、Be、Mg、Mn、P、Pb、Si、Ag、Zr等から選ばれる少なくとも1種以上の金属からなる表面処理層を有していていることが多い。この表面処理は、それぞれの目的により適切な量の範囲で使用される。表面処理層を形成する手段としては、公知の電気メッキ、化学メッキ、真空蒸着、スパッタリング等の方法があるがが、量産性の観点から、電気メッキ法が多用される。 The composition and metal layer formation of the copper foil used in the present invention are not limited. From the viewpoint of heat discoloration resistance, corrosion resistance, chemical resistance, migration resistance, circuit formability, etc., usually Cr, Zn, In, Ni, Co, Mo, Ti, W, Fe, Sn, Al, Be, It often has a surface treatment layer made of at least one metal selected from Mg, Mn, P, Pb, Si, Ag, Zr and the like. This surface treatment is used in an amount range appropriate for each purpose. As a means for forming the surface treatment layer, there are known methods such as electroplating, chemical plating, vacuum deposition, sputtering, etc., but electroplating is frequently used from the viewpoint of mass productivity.
銅箔とポリイミド樹脂層の接合を一層高めるために、シランカップリング剤を用いることも好ましく行なわれる。通常、クロメートによる防錆処理層上に、品質を悪化しない程度に微量塗布されたものが用いられる。シランカップリング剤としては、限定はないが、各種のシランカップリング剤を単独あるいは混合して用いることができ、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン等のビニル系シランカップリング剤、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン,γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等のエポキシ系シランカップリング剤、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のメタクリル系シランカップリング剤、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のアミノ系シランカップリング剤、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のメルカプト系シランカップリング剤、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン等があげられる。銅箔面へのシランカップリング剤処理は、本発明を損なわない範囲で実施でき、一般に0.01〜5重量%の水溶液を銅箔面に塗布乾燥して行なわれる。 In order to further enhance the bonding between the copper foil and the polyimide resin layer, it is also preferable to use a silane coupling agent. Usually, a material coated on a rust-proofing layer with chromate is applied so as not to deteriorate the quality. The silane coupling agent is not limited, but various silane coupling agents can be used alone or in combination, and vinyl such as vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, etc. Silane coupling agent, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxy Epoxy silane coupling agents such as silane, methacrylic silane coupling agents such as γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltri Ethoxysilane, γ Amino silane coupling agents such as aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltriethoxysilane, mercapto silane coupling agents such as γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, Examples thereof include γ-chloropropyltrimethoxysilane. The silane coupling agent treatment on the copper foil surface can be carried out within a range not impairing the present invention, and is generally performed by applying and drying an aqueous solution of 0.01 to 5% by weight on the copper foil surface.
本発明のプリント基板及びポリイミド系プリント配線板の耐薬品性は、2N−HCl、2N−NaOH、イソプロピルアルコール、メチルエチルケトン等の溶剤に対して良好なものである。 The chemical resistance of the printed board and polyimide printed wiring board of the present invention is good for solvents such as 2N-HCl, 2N-NaOH, isopropyl alcohol, and methyl ethyl ketone.
本発明のプリント基板を用いて形成された回路パターンの180°銅箔剥離強度は、10N/cm以上であることが好ましい。更に、180°銅箔剥離強度の値が90°剥離強度の1.2倍以上を発揮したものはより好ましい。本発明で得られたポリイミド系プリント基板は、配線形成も良好であり、その繰り返し耐折性も良好な結果を示す。 The 180 ° copper foil peel strength of the circuit pattern formed using the printed board of the present invention is preferably 10 N / cm or more. Furthermore, it is more preferable that the 180 ° copper foil peel strength value is at least 1.2 times the 90 ° peel strength. The polyimide-based printed circuit board obtained in the present invention has good wiring formation and good results in repeated folding resistance.
本発明に用いられる非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムの弾性率は、柔軟性の観点から、常温で引張弾性率として7GPa以下であることが好ましく、より好ましくは6GPa以下である好ましいが、特に限定はされない。 From the viewpoint of flexibility, the elastic modulus of the non-thermoplastic aromatic polyimide resin film used in the present invention is preferably 7 GPa or less as a tensile elastic modulus at room temperature, more preferably 6 GPa or less. There is no limitation.
また、寸法安定性向上のために、該非熱可塑性ポリイミド樹脂フィルムの線膨張係数は10〜30ppm/℃が好ましく、より好ましくは、10〜20ppm/℃である。更に、詳細には、銅箔のエッチング除去後の全ポリイミド樹脂層よりなるポリイミドフィルムの線膨張係数が10〜30ppm/℃であることがより好ましい。 In order to improve dimensional stability, the linear expansion coefficient of the non-thermoplastic polyimide resin film is preferably 10 to 30 ppm / ° C, and more preferably 10 to 20 ppm / ° C. More specifically, the linear expansion coefficient of the polyimide film made of the entire polyimide resin layer after removing the copper foil by etching is more preferably 10 to 30 ppm / ° C.
上記の該非熱可塑性ポリイミド樹脂フィルムには、リン酸水素カルシウムやシリカ等のケイ素化合物が添加されていてもよく、それらを単独又は2種類以上用いて1%を超えない程度、通常1000〜5000ppm程度の範囲で添加されることがある。 Silicon compounds such as calcium hydrogen phosphate and silica may be added to the non-thermoplastic polyimide resin film, and the amount of the non-thermoplastic polyimide resin film is not more than 1% by using these alone or in combination of two or more, usually about 1000 to 5000 ppm. May be added in the range of.
本発明のポリイミド系プリント配線板の配線パターン形成方法は、サブトラクティブ等の公知の方法を使用することができる。配線パターンは、任意の形状で形成され、線幅(LW)/導体間スペース(S)は、通常、1〜1000μm/1〜1000μmであるが、特に、限定されない。最近の高密度配線化に伴う耐折信頼性の観点から、LW/S=1〜200μm/1〜200μmの配線パターンを有するポリイミド系プリント配線板が好ましく、LW/S=10〜150μm/10〜150μmの配線パターンを有するポリイミド系プリント配線板がより好ましい。 For the wiring pattern forming method of the polyimide-based printed wiring board of the present invention, a known method such as subtractive can be used. The wiring pattern is formed in an arbitrary shape, and the line width (LW) / inter-conductor space (S) is usually 1-1000 μm / 1-1000 μm, but is not particularly limited. From the viewpoint of folding reliability associated with recent high-density wiring, a polyimide-based printed wiring board having a wiring pattern of LW / S = 1 to 200 μm / 1 to 200 μm is preferable, and LW / S = 10 to 150 μm / 10 A polyimide-based printed wiring board having a wiring pattern of 150 μm is more preferable.
本発明のプリント基板は、次の方法により製造できるがこれに限定されない。例えば、本発明明細書に記載の非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂からなるフィルムや銅箔上に、ポリイミド樹脂系接着剤溶液を均一な厚みに塗布し、乾燥して溶媒を除去後、加熱下、圧力をかけて非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムと銅箔が積層される場合がある。 The printed board of the present invention can be produced by the following method, but is not limited thereto. For example, on a film or copper foil made of a non-thermoplastic aromatic polyimide resin described in the present specification, a polyimide resin adhesive solution is applied to a uniform thickness, dried to remove the solvent, and then heated. The non-thermoplastic aromatic polyimide resin film and the copper foil may be laminated by applying pressure.
例えば、非熱可塑性芳香族ポリイミド樹脂の片面又は両面上に圧着性ポリイミド樹脂層を形成し、その上に銅箔を直接重ねあわせて、その積層体を一対の熱ロール間に供給して、N2等の不活性ガス雰囲気下、熱圧着性ポリイミド樹脂が充分に流動する温度(60〜400℃程度の範囲)にて、1〜500N/mmの熱ロール間線圧力にて、連続的に熱圧着することにより、実施される。この方法は、銅箔の劣化等を防止するために窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。 For example, a pressure-bondable polyimide resin layer is formed on one or both surfaces of a non-thermoplastic aromatic polyimide resin, and a copper foil is directly laminated thereon, and the laminate is supplied between a pair of heat rolls. 2 under an inert gas atmosphere such as 2 at a temperature at which the thermocompression bonding polyimide resin sufficiently flows (in the range of about 60 to 400 ° C.) and continuously at a linear pressure of 1 to 500 N / mm between hot rolls. It is carried out by crimping. This method is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas in order to prevent deterioration of the copper foil.
また、銅箔積層ポリイミド樹脂フィルムの他の好ましい製造方法としては、公知のダブルベルト方式等があげられる。この方法は、非熱可塑性芳香族系ポリイミド樹脂フィルムに圧着性ポリイミド樹脂を介して、片面又は両面に銅箔を直接重ね合わせた積層体を、一対の加熱した回転する耐熱性の金属ベルト間に供給して、圧着ポリイミド樹脂が十分流動を開始する温度で、0.1〜20MPaのベルト間面圧にて、連続的に熱圧着することによって行われる方法である。連続圧着後、更に、接着性を強固にするためや、耐ハンダ性を良好にする目的で、熱硬化炉等を用いて後加熱処理をすることもできる。 Moreover, as another preferable manufacturing method of the copper foil laminated polyimide resin film, a known double belt method and the like can be mentioned. In this method, a laminate in which a copper foil is directly superimposed on one or both sides of a non-thermoplastic aromatic polyimide resin film via a pressure-sensitive adhesive polyimide resin is sandwiched between a pair of heated rotating heat-resistant metal belts. This is a method that is performed by continuously thermocompression bonding at a temperature at which the pressure-bonding polyimide resin starts to sufficiently flow at a surface pressure between the belts of 0.1 to 20 MPa. After the continuous pressure bonding, a post-heating treatment can be performed using a thermosetting furnace or the like for the purpose of further strengthening the adhesion or improving the solder resistance.
更に、その他に、公知のキャスト法として、ポリイミド樹脂の原料である酸二無水物とジアミンを溶液状態で加熱し、ポリイミド樹脂前駆体であるポリアミド酸に反応を進め、そのポリアミド酸を溶媒共存下、銅箔上に展開し、ポリイミド樹脂と銅箔を直接接合する場合等がある。これらの加熱は、通常60〜400℃程度の範囲で実施される。加工方式は、原材料をロール状で扱うロールトゥロール方式の場合が多いが、特に限定されない。 In addition, as a known casting method, acid dianhydride and diamine, which are raw materials for polyimide resin, are heated in a solution state, the reaction proceeds to polyamic acid, which is a polyimide resin precursor, and the polyamic acid is used in the presence of a solvent. In some cases, the film is developed on a copper foil and the polyimide resin and the copper foil are directly joined. These heating are normally implemented in the range of about 60-400 degreeC. The processing method is often a roll-to-roll method in which raw materials are handled in a roll shape, but is not particularly limited.
以下実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
(1)重量平均分子量
次に示すゲルパーミエーションクロマトグラフ法(ポリスチレン換算)により、重量平均分子量(Mw)を測定した。
溶離液:臭化リチウム0.03モル、リン酸(85%)6.2gをジメチルホルムアミド(DMF)1リットルに溶解し溶離液とした。
測定条件:カラム:TSKゲルSuperHM−M×2本連結。流量:0.5mL/分、カラム温度:40℃、注入量:10μL(サンプル濃度0.2%DMF溶液)
(2)ガラス転移温度(Tg)
スピンコートにて圧着性ポリイミド樹脂のフィルムを作成し、これを試験片とした。試験片を105℃にて熱風乾燥機にて乾燥させた後、株式会社 島津製作所 熱分析装置(TMA-50)を用いて引っ張りモード、5g荷重、試料長15mm、昇温速度10℃/min、N2雰囲気下にて測定を行い、接線の交点からTgを算出した。
(3)銅箔剥離強度
銅箔付きポリイミド樹脂プリント基板を長さ150mm、幅10mmに切出し、幅10mmの中央部の幅1〜3mmをテープにてマスキングし、塩化第2鉄水溶液(鶴見曹達製)に浸漬し、銅箔層をエッチング処理し水洗を行った。その後、マスクテープを除去し、得られたフレキシブル配線板を105℃にて熱風乾燥機にて乾燥させた後、幅1〜3mmの銅箔をポリイミド樹脂層から剥離し、その応力を測定した。剥離速度を50mm/分とし、剥離角度を90度及び180度にて実施して、90°銅箔剥離強度、及び180°銅箔剥離強度を求めた。
(4)繰り返し耐折性
JIS−C6471−1994に準拠し、LW/S=1000μm/1000μm、及びLW/S=100μm/100μmのプリント配線板を作成し、折り曲げ回数を求めた。
(5)耐煮沸ハンダ性
縦3cm×横6cmの銅張ポリイミド樹脂プリント基板を切り出し、中央部の2.5cm×2.5cmをテープにてマスキングし、塩化第2鉄水溶液(鶴見曹達製)に浸漬し、銅箔層をエッチング処理し水洗を行った。その後、マスクテープを除去し、得られた試料を煮沸水中にて2時間浸漬し、その後室温にて水中に浸漬し取出し、表面に付着する水をふき取り、すみやかに、280℃1分間、静置した際の外観変化による評価を行った。
(6)引張弾性率
スピンコートにて圧着性ポリイミド樹脂のフィルムを作成した。これを180mm、幅15mmに切り出し、試験片として、引張速度50mm/分測定した。
(7)表面粗さ(Rz)
表面粗さは、一般に使用される10点平均粗さ(Rz)の測定方法(JIS−B0601)に準拠し計測した。単位はμmである。
(8)突起物のL(長さ)/D(径)
目的の試料をエポキシ樹脂で包埋し、銅箔の粗化面に対して垂直方向にウルトラミクロトームで切片(70〜100nm)を作成し、加速電圧200KVにて、透過型電子顕微鏡観察(日立製:HF−2000)を倍率30〜100万倍にて観測される突起物を次の計測方法にて実施した。図1は、このようにして観測した突起物の拡大写真の例示であるが、写真中央にD(径)32nm、L(長さ)180nmを有する柱状突起物が観察することができる。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
(1) Weight average molecular weight The weight average molecular weight (Mw) was measured by the gel permeation chromatograph method (polystyrene conversion) shown below.
Eluent: 0.03 mol of lithium bromide and 6.2 g of phosphoric acid (85%) were dissolved in 1 liter of dimethylformamide (DMF) to prepare an eluent.
Measurement conditions: Column: TSK gel SuperHM-M × 2 ligation. Flow rate: 0.5 mL / min, column temperature: 40 ° C., injection volume: 10 μL (sample concentration 0.2% DMF solution)
(2) Glass transition temperature (Tg)
A film of a pressure-sensitive adhesive polyimide resin was prepared by spin coating, and this was used as a test piece. After drying the test piece at 105 ° C. with a hot air dryer, using a Shimadzu Corporation thermal analyzer (TMA-50), a tensile mode, a 5 g load, a sample length of 15 mm, a heating rate of 10 ° C./min, Measurement was performed under an N2 atmosphere, and Tg was calculated from the intersection of tangents.
(3) Copper foil peel strength A polyimide resin printed circuit board with copper foil was cut into a length of 150 mm and a width of 10 mm, and the width of 1 to 3 mm at the center of the width of 10 mm was masked with a tape. The copper foil layer was etched and washed with water. Then, after removing the mask tape and drying the obtained flexible wiring board with a hot air dryer at 105 ° C., a copper foil having a width of 1 to 3 mm was peeled from the polyimide resin layer, and the stress was measured. The peeling rate was 50 mm / min, the peeling angle was 90 ° and 180 °, and 90 ° copper foil peel strength and 180 ° copper foil peel strength were determined.
(4) Repeated bending resistance Based on JIS-C6471-1994, printed wiring boards with LW / S = 1000 μm / 1000 μm and LW / S = 100 μm / 100 μm were prepared, and the number of bendings was determined.
(5) Resistance to boiling solder Cut out a copper-clad polyimide resin printed circuit board measuring 3cm in length x 6cm in width, masking 2.5cm x 2.5cm in the center with tape, and using ferric chloride aqueous solution (made by Tsurumi Soda) The copper foil layer was etched and washed with water. Then, the mask tape is removed, and the obtained sample is immersed in boiling water for 2 hours, then immersed in water at room temperature, taken out, wiped off water adhering to the surface, and immediately left at 280 ° C. for 1 minute. Evaluation was performed based on changes in appearance.
(6) Tensile modulus A film of a pressure-sensitive adhesive polyimide resin was prepared by spin coating. This was cut out to 180 mm and 15 mm in width, and measured as a test piece at a tensile speed of 50 mm / min.
(7) Surface roughness (Rz)
The surface roughness was measured in accordance with a commonly used 10-point average roughness (Rz) measurement method (JIS-B0601). The unit is μm.
(8) L (length) / D (diameter) of protrusion
The target sample was embedded with an epoxy resin, a section (70 to 100 nm) was made with an ultramicrotome perpendicular to the roughened surface of the copper foil, and observed with a transmission electron microscope at an acceleration voltage of 200 KV (manufactured by Hitachi) : HF-2000) was carried out by the following measuring method for projections observed at a magnification of 300 to 1,000,000 times. FIG. 1 is an example of an enlarged photograph of the protrusions observed in this way, and columnar protrusions having D (diameter) 32 nm and L (length) 180 nm in the center of the photograph can be observed.
L(長さ)値の計測:突起物の頂点から、突起物の根元までの長さをLとし、1nm単位にて計測した。なお、突起物の頂点から根元の方向へ10nmの位置(Lが10nmより短い場合は、頂点から根元の方向へ5nmの位置)の径の2倍径の箇所を根元とした。 Measurement of L (length) value: The length from the top of the protrusion to the root of the protrusion was taken as L, and the measurement was made in units of 1 nm. In addition, the location of the double diameter of the position of 10 nm from the vertex of the protrusion to the root (the position of 5 nm from the vertex to the root when L is shorter than 10 nm) was defined as the root.
D(径)値の計測:突起物の頂点と根元中間点位置の突起物の径をDとし、1nm単位にて計測した。L/D値は、小数点3桁目を四捨五入し算出した。
(9)粗化粒子の粒子径
加速電圧3kV、走査型電子顕微鏡観察(日立製:S−4700)にて倍率1万〜5万倍にて、粗化粒子の粒子径を測定した。粒子径は最長径と最短径の平均値とした。
(10)配線形成性
プリント基板をJIS−C6471−1995の記載に準拠し、線幅(LW)/導体間スペース(S)=100μm/100μmの回路パターンのフレキシブルプリント配線板を作成し、銅回路の直線性、及び銅回路のボトムコーナー部のキレ具合を観測した。
Measurement of D (diameter) value: The diameter of the protrusion at the apex of the protrusion and the diameter of the protrusion at the root midpoint was defined as D, and measurement was performed in units of 1 nm. The L / D value was calculated by rounding off the third digit of the decimal point.
(9) Particle diameter of roughened particles The particle diameter of the roughened particles was measured at an acceleration voltage of 3 kV and a scanning electron microscope observation (Hitachi: S-4700) at a magnification of 10,000 to 50,000 times. The particle diameter was the average of the longest diameter and the shortest diameter.
(10) Wiring formability A flexible printed wiring board having a circuit pattern of line width (LW) / space between conductors (S) = 100 μm / 100 μm is prepared based on the description of JIS-C6471-1995, and a copper circuit The linearity of the copper circuit and the sharpness of the bottom corner of the copper circuit were observed.
[合成参考例]
構成によりガラス転移温度200〜350℃に制御可能である圧着性ポリイミド樹脂組成成分を選択した。3,4,3',4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,3−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、ビシクロ(2,2,2)オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、3,5ジアミノ安息香酸を公知の方法にて反応させて、圧着性ポリイミド樹脂AのN−メチルピロリドン溶液を得た。圧着性ポリイミド樹脂Aのガラス転移温度は260℃、引張弾性率は3.3GPa、重量平均分子量15万であった。
[Synthesis Reference Example]
A pressure-sensitive polyimide resin composition component that can be controlled to a glass transition temperature of 200 to 350 ° C. was selected depending on the configuration. 3,4,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,3-bis- (3-aminophenoxy) benzene, bicyclo (2,2,2) oct-7-ene-2,3 5,6-tetracarboxylic dianhydride and 3,5 diaminobenzoic acid were reacted by a known method to obtain an N-methylpyrrolidone solution of the pressure-sensitive adhesive polyimide resin A. The glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive polyimide resin A was 260 ° C., the tensile modulus was 3.3 GPa, and the weight average molecular weight was 150,000.
[銅箔]
本発明に使用する銅箔として、銅箔粗面上に、粒子径が0.4μmである粗化粒子の上に、粗化粒子1個あたり10〜20個の柱状突起物が形成され、シランカップリング剤処理された電解箔、銅箔A〜銅箔Hを使用した。銅箔厚みは12μm、又は9μmのものを使用した。
[Copper foil]
As the copper foil used in the present invention, 10 to 20 columnar protrusions are formed on the roughened surface of the copper foil on the roughened particles having a particle diameter of 0.4 μm per roughened particle. Electrolytic foil treated with a coupling agent, copper foil A to copper foil H were used. A copper foil having a thickness of 12 μm or 9 μm was used.
銅箔Aは、柱状突起物のD(径)が平均25nm、L/Dが3.00であり、表面粗さ(Rz=1.7μm)、厚み(T)は12μmである。 Copper foil A has columnar protrusions having an average D (diameter) of 25 nm, L / D of 3.00, surface roughness (Rz = 1.7 μm), and thickness (T) of 12 μm.
銅箔Bは、柱状突起物のDが平均45nm、L/D=2.84であり、Rz=1.8μm、T=12μmである。 In the copper foil B, the columnar protrusion D has an average of 45 nm, L / D = 2.84, Rz = 1.8 μm, and T = 12 μm.
銅箔Cは、柱状突起物のDが平均38nm、L/D=2.05であり、Rz=1.7μm、T=12μmである。 In the copper foil C, the columnar protrusion D has an average D of 38 nm, L / D = 2.05, Rz = 1.7 μm, and T = 12 μm.
銅箔Dは、柱状突起物のDが平均34nm、L/D=2.03であり、Rz=1.7μm、T=12μmである。 In the copper foil D, the columnar protrusion D has an average of 34 nm, L / D = 2.03, Rz = 1.7 μm, and T = 12 μm.
銅箔Eは、柱状突起物のDが平均65nm、L/D=1.66であり、Rz=1.8μm、T=12μmである。 In the copper foil E, D of the columnar protrusions has an average of 65 nm, L / D = 1.66, Rz = 1.8 μm, and T = 12 μm.
銅箔Fは、柱状突起物のDが平均25nm、L/D=3.00であり、Rz=1.6μm、T=9μmである。 In the copper foil F, the columnar protrusion D has an average of 25 nm, L / D = 3.00, Rz = 1.6 μm, and T = 9 μm.
銅箔Gは、柱状突起物のDが平均33nm、L/D=2.09であり、Rz=1.6μm、T=9μmである。 In the copper foil G, D of the columnar protrusions has an average of 33 nm, L / D = 2.09, Rz = 1.6 μm, and T = 9 μm.
銅箔Hは、柱状突起物のDが平均70nm、L/D=1.59であり、Rz=1.7μm、T=9μmである。 The copper foil H has an average D of columnar protrusions of 70 nm, L / D = 1.59, Rz = 1.7 μm, and T = 9 μm.
また、本発明に使用する銅箔Iは、粒子径が2.0μm程度の粗化粒子の上に、粗化粒子1個あたり10〜20個の柱状突起物が形成され、シランカップリング剤処理された銅箔厚み12μmの電解銅箔を使用した。柱状突起物のDが平均20nm、L/D=1.70であり、Rz=3.1、T=12μmである。 In addition, the copper foil I used in the present invention has 10 to 20 columnar protrusions per roughened particle formed on the roughened particle having a particle diameter of about 2.0 μm, and is treated with a silane coupling agent. An electrolytic copper foil having a thickness of 12 μm was used. D of the columnar protrusions has an average of 20 nm, L / D = 1.70, Rz = 3.1, and T = 12 μm.
図2〜3には、本発明に使用の銅箔B粗面のSEM写真を示した。平均径が0.4μm程度の粗化粒子が柱状に均一に並び、その上に柱状突起物が、平均約10〜20個程度形成していることが観測されている。 In FIGS. 2-3, the SEM photograph of the copper foil B rough surface used for this invention was shown. It has been observed that rough particles having an average diameter of about 0.4 μm are uniformly arranged in a columnar shape, and about 10 to 20 columnar protrusions are formed on the average.
[実施例1]
厚み20μmのポリイミド樹脂フィルム“カプトン80EN”(東レ・デュポン(株)製)に、リップコーターにより乾燥後の厚さが2.5μmとなるように圧着性ポリイミド樹脂Aを両面に塗布し乾燥後、12μmの厚みの銅箔Aを温度320度にて加熱圧着により両面に張り合わせ、プリント基板を作成した。
[Example 1]
The polyimide resin film “Kapton 80EN” (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) with a thickness of 20 μm was coated on both sides with a lip coater so that the thickness after drying was 2.5 μm, and after drying, A copper foil A having a thickness of 12 μm was pasted on both sides by thermocompression bonding at a temperature of 320 ° C. to produce a printed circuit board.
このプリント基板の180°銅箔剥離強度、及び90°銅箔剥離強度を測定した。また、繰り返し耐折性(線幅(LW)/導体間スペース(S)=1000μm/1000μm)を測定した。 The 180 ° copper foil peel strength and 90 ° copper foil peel strength of this printed board were measured. Further, repeated folding resistance (line width (LW) / inter-conductor space (S) = 1000 μm / 1000 μm) was measured.
このプリント基板をJIS−C6471−1995の記載に準拠し、線幅(LW)/導体間スペース(S)=100μm/100μmの回路パターンのフレキシブルプリント配線板を作成した。その際、エッチング性は良好であり、エッチング後は配線板に銅回路以外の箇所で残銅は観測されなかった。配線形成性も良好であった。その繰り返し耐折性を評価した。それらの結果を表1に示す。 In accordance with the description of JIS-C6471-1995, a flexible printed wiring board having a circuit pattern of line width (LW) / inter-conductor space (S) = 100 μm / 100 μm was prepared. At that time, the etching property was good, and after etching, no remaining copper was observed on the wiring board at locations other than the copper circuit. The wiring formability was also good. The repeated folding resistance was evaluated. The results are shown in Table 1.
[実施例2]
実施例1で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔Bを用いた。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。その結果を表1に示す。
[Example 2]
Instead of the copper foil A used in Example 1, copper foil B was used. Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[実施例3]
実施例1で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔Cを用いた。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。その結果を表1に示す。
[Example 3]
Instead of the copper foil A used in Example 1, a copper foil C was used. Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[実施例4]
実施例1で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔Dを用いた。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。その結果を表1に示す。
[Example 4]
Instead of the copper foil A used in Example 1, a copper foil D was used. Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[実施例5]
実施例1で使用した銅箔Aのかわりに、銅箔Eを用いた。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。その結果を表1に示す。
[Example 5]
Instead of the copper foil A used in Example 1, a copper foil E was used. Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[実施例6]
実施例1で使用した銅箔Aのかわりに、銅箔Iを用いた。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。その結果を表1に示す。
[Example 6]
Instead of the copper foil A used in Example 1, the copper foil I was used. Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[比較例1]
実施例1で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔粗面の粒子径が0.4μmである粗化粒子の上に突起物が無く、シランカップリング剤処理されたもので、厚み(T)が12μmの電解箔である銅箔1を使用した。銅箔1は、表面粗さ(Rz=1.7μm)である。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 1]
Instead of the copper foil A used in Example 1, there were no protrusions on the roughened particles having a particle diameter of 0.4 μm on the rough surface of the copper foil, which had been treated with a silane coupling agent. ) Was a copper foil 1 which was an electrolytic foil of 12 μm. The copper foil 1 has a surface roughness (Rz = 1.7 μm). Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[比較例2]
実施例1で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔粗面の粒子径が0.4μmである粗化粒子の上に、粗化粒子1個あたり10〜20個の柱状突起物が形成され、シランカップリング剤処理されたもので、厚み12μmの電解箔である銅箔2を使用した。銅箔2は、柱状突起物のD(径)が平均5nm、L/D=3.00であり、Rz=1.7μmである。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 2]
Instead of the copper foil A used in Example 1, 10 to 20 columnar protrusions are formed on each roughened particle on the roughened particle having a copper foil rough surface diameter of 0.4 μm. The copper foil 2 that was treated with a silane coupling agent and was 12 μm thick electrolytic foil was used. The copper foil 2 has an average D (diameter) of the columnar protrusions of 5 nm, L / D = 3.00, and Rz = 1.7 μm. Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[比較例3]
実施例1で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔粗面の粒子径が0.4μmである粗化粒子の上に、粗化粒子1個あたり10〜20個の柱状突起物が形成され、シランカップリング剤処理されたもので、厚み12μmの電解箔である銅箔3を使用した。銅箔3は、柱状突起物のD(径)が平均15nm、L/D=1.33であり、Rz=1.7μmである。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 3]
Instead of the copper foil A used in Example 1, 10 to 20 columnar protrusions are formed on each roughened particle on the roughened particle having a copper foil rough surface diameter of 0.4 μm. The copper foil 3 that was treated with a silane coupling agent and was 12 μm thick electrolytic foil was used. The copper foil 3 has a columnar protrusion D (diameter) average of 15 nm, L / D = 1.33, and Rz = 1.7 μm. Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[比較例4]
実施例1で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔の粗面の粒子径が平均1.0μmの粗化粒子の上に突起物が無い“F1−WS”(古河電気工業(株)製、シランカップイリング剤処理済みの電解箔、厚み12μm、M面粗さRz=1.9μm)を用いた以外は、実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 4]
Instead of the copper foil A used in Example 1, “F1-WS” (manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.) having no protrusions on the roughened particles having an average particle diameter of 1.0 μm on the rough surface of the copper foil The electrolytic foil treated with a silane coupling agent, the thickness was 12 μm, and the M-plane roughness Rz = 1.9 μm) was used in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[比較例5]
実施例1で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔の粗面の粒子径が平均約1.3μmの粗化粒子の上に突起物が無い“T8G−SV”(福田金属箔粉(株)製、シランカップリング剤処理済みの電解箔、厚み12μm、M面粗さRz=1.8μm)を用いた以外は、実施例1と同様に行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 5]
Instead of the copper foil A used in Example 1, “T8G-SV” (Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd.) has no protrusions on the roughened particles having an average particle diameter of about 1.3 μm on the rough surface of the copper foil. ), And a silane coupling agent-treated electrolytic foil, a thickness of 12 μm, and an M surface roughness Rz = 1.8 μm) were used in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[比較例6]
実施例1で使用した銅箔Aのかわりに、銅箔粗面の粒子径が平均約2.0μmの粗化粒子の上に突起物が無く、シランカップリング剤処理されたもので、厚み(T)が12μmの電解箔である銅箔4を使用した。銅箔4は、表面粗さ(Rz=3.0μm)である。それ以外は実施例1と同様に試験を行った。その結果を表1に示す。
[Comparative Example 6]
Instead of the copper foil A used in Example 1, there were no protrusions on the roughened particles having an average particle diameter of the copper foil rough surface of about 2.0 μm, and the silane coupling agent was treated. Copper foil 4, which is an electrolytic foil having a T) of 12 μm, was used. The copper foil 4 has a surface roughness (Rz = 3.0 μm). Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[実施例7]
ステンレススチール製の碇型撹拌器を取り付けた容量1000mlのガラス製のセパラブル3つ口フラスコに、p−フェニレンジアミン(PPD)23.7g、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)11gを窒素ガス雰囲気下で固形分濃度15wt%となるように、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)694mlに、50〜80℃にて溶解し、80℃に保持した。その後、3、3’、4、4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)80.8gをフラスコに除々に加え、80〜100℃に保持しながら4時間撹拌した。反応終了後のポリアミド酸樹脂溶液の固形分濃度は15wt%であり、E型粘度は65poiseであった。
[Example 7]
A 1000 ml glass separable three-necked flask equipped with a stainless steel vertical stirrer was charged with 23.7 g of p-phenylenediamine (PPD) and 11 g of 4,4′-diaminodiphenyl ether (ODA) in a nitrogen gas atmosphere. The solution was dissolved in 694 ml of N, N-dimethylacetamide (DMAc) at 50 to 80 ° C. and kept at 80 ° C. so that the solid content concentration was 15 wt%. Thereafter, 80.8 g of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was gradually added to the flask and stirred for 4 hours while maintaining at 80 to 100 ° C. The solid content concentration of the polyamic acid resin solution after completion of the reaction was 15 wt%, and the E-type viscosity was 65 poise.
このポリアミド酸ワニスを80℃に保温された銅箔A(厚み12μm、電解箔)の粗化面上に塗布して30分放置後、空気循環式の乾燥炉で100℃30分乾燥し、更に、空気循環式の乾燥炉にて窒素雰囲気下で150℃にて30分、200℃にて60分、400℃にて60分(昇温速度5℃/min)の熱処理(イミド化)を実施し、25μmのポリイミド樹脂絶縁層を有するプリント基板を得た。得られたプリント基板の180°銅箔剥離強度及び90°銅箔剥離強度を測定した。それらの結果を表2に示す。このプリント基板をJIS−C6471−1995に記載に準拠し、線幅(LW)/導体間スペース(S)=100μm/100μmの回路パターンのフレキシブルプリント配線板を作成した。その際、エッチング性は良好であり、配線形成性も良好であった。結果を表2に示す。 This polyamic acid varnish was applied on the roughened surface of copper foil A (thickness 12 μm, electrolytic foil) kept at 80 ° C. and allowed to stand for 30 minutes, then dried at 100 ° C. for 30 minutes in an air circulation drying oven, , Heat treatment (imidization) in an air circulation drying oven at 150 ° C. for 30 minutes, 200 ° C. for 60 minutes, and 400 ° C. for 60 minutes (heating rate 5 ° C./min) A printed circuit board having a 25 μm polyimide resin insulating layer was obtained. The 180 ° copper foil peel strength and 90 ° copper foil peel strength of the obtained printed circuit board were measured. The results are shown in Table 2. A flexible printed wiring board having a circuit pattern of line width (LW) / inter-conductor space (S) = 100 μm / 100 μm was prepared based on this printed circuit board in accordance with JIS-C6471-1995. At that time, the etching property was good and the wiring formability was also good. The results are shown in Table 2.
[実施例8]
実施例7で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔Cを用いた以外は、実施例7と同様に行った。結果を表2に示す。
[Example 8]
It carried out similarly to Example 7 except having used the copper foil C instead of the copper foil A used in Example 7. FIG. The results are shown in Table 2.
[実施例9]
実施例7で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔Eを用いた以外は、実施例7と同様に行った。結果を表2に示す。
[Example 9]
It carried out similarly to Example 7 except having used the copper foil E instead of the copper foil A used in Example 7. FIG. The results are shown in Table 2.
[比較例7]
実施例7で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔3を用いた以外は、実施例7と同様に行った。結果を表2に示す。
[Comparative Example 7]
It carried out similarly to Example 7 except having used the copper foil 3 instead of the copper foil A used in Example 7. FIG. The results are shown in Table 2.
[比較例8]
実施例7で使用の銅箔Aのかわりに、銅箔の粗面の粒子径が平均約1.2μmの粗化粒子を有する“F2−WS”(古河電気工業(株)製、シランカップリング剤処理済みの電解箔、厚み12μm、M面粗さRz=2.1μm)を用いた以外は、実施例7と同様に行った。結果を表2に示す。
[Comparative Example 8]
Instead of the copper foil A used in Example 7, “F2-WS” (manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd., silane coupling, having roughened particles having an average particle diameter of about 1.2 μm on the rough surface of the copper foil) This was performed in the same manner as in Example 7 except that the agent-treated electrolytic foil, thickness 12 μm, M surface roughness Rz = 2.1 μm) was used. The results are shown in Table 2.
[実施例10]
厚み20μmのポリイミド樹脂フィルム“カプトン80EN”(東レ・デュポン(株)製)に、リップコーターにより乾燥後の厚さが2.5μmとなるように圧着性ポリイミド樹脂Aを両面に塗布し乾燥後、9μmの厚みの銅箔Fを温度320度にて加熱圧着により両面に張り合わせ、プリント基板を作成した。
[Example 10]
The polyimide resin film “Kapton 80EN” (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) with a thickness of 20 μm was coated on both sides with a lip coater so that the thickness after drying was 2.5 μm, and after drying, A 9 μm-thick copper foil F was bonded to both surfaces by thermocompression bonding at a temperature of 320 ° C. to produce a printed circuit board.
このプリント基板の180°銅箔剥離強度、及び90°銅箔剥離強度を測定した。このプリント基板を、線幅(LW)/導体間スペース(S)=100μm/100μmの回路パターンのフレキシブルプリント配線板を作成した。その際、エッチング性は良好であり、エッチング後は配線板に銅回路以外の箇所で残銅は観測されなかった。配線形成性も良好であった。それらの結果を表3に示す。 The 180 ° copper foil peel strength and 90 ° copper foil peel strength of this printed board were measured. A flexible printed wiring board having a circuit pattern of line width (LW) / inter-conductor space (S) = 100 μm / 100 μm was prepared from this printed board. At that time, the etching property was good, and after etching, no remaining copper was observed on the wiring board at locations other than the copper circuit. The wiring formability was also good. The results are shown in Table 3.
[実施例11]
実施例10で使用の銅箔Fのかわりに、銅箔Gを用いた以外は実施例10と同様に行った。結果を表3に示す。
[Example 11]
It carried out similarly to Example 10 except having used the copper foil G instead of the copper foil F used in Example 10. FIG. The results are shown in Table 3.
[実施例12]
実施例10で使用の銅箔Fのかわりに、銅箔Gを用いた以外は、実施例10と同様に行った。結果を表3に示す。
[Example 12]
It carried out similarly to Example 10 except having used copper foil G instead of the copper foil F used in Example 10. FIG. The results are shown in Table 3.
[比較例9]
実施例10で使用の銅箔Fのかわりに、銅箔粗面の粒子径が0.4μmである粗化粒子の上に突起物が無く、シランカップリング剤処理されたもので、厚み(T)が9μmの電解箔である銅箔5を使用した。銅箔5は、表面粗さ(Rz=1.6μm)である。それ以外は実施例10と同様に試験を行った。結果を表3に示す。
[Comparative Example 9]
Instead of the copper foil F used in Example 10, there were no projections on the roughened particles having a particle diameter of 0.4 μm on the rough surface of the copper foil, which had been treated with a silane coupling agent, and the thickness (T ) Was used as the copper foil 5 which is an electrolytic foil of 9 μm. The copper foil 5 has a surface roughness (Rz = 1.6 μm). Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 10. The results are shown in Table 3.
[比較例10]
実施例10で使用の銅箔Fのかわりに、銅箔粗面の粒子径が0.4μmである粗化粒子の上に、粗化粒子1個あたり10〜20個の柱状突起物が形成され、シランカップリング剤処理されたもので、厚み9μmの電解箔である銅箔6を使用した。銅箔6は、柱状突起物のD(径)が平均15nm、L/D=1.33であり、Rz=1.6μmである。それ以外は実施例10と同様に試験を行った。結果を表3に示す。
[Comparative Example 10]
Instead of the copper foil F used in Example 10, 10 to 20 columnar protrusions are formed on each roughened particle on the roughened particle having a copper foil rough surface particle size of 0.4 μm. A copper foil 6 that was treated with a silane coupling agent and was an electrolytic foil having a thickness of 9 μm was used. The copper foil 6 has columnar protrusions with an average D (diameter) of 15 nm, L / D = 1.33, and Rz = 1.6 μm. Otherwise, the test was performed in the same manner as in Example 10. The results are shown in Table 3.
[比較例11]
実施例10で使用の銅箔Fのかわりに、銅箔の粗面の粒子径が平均約1.0μmの粗化粒子の上に突起物が無い“F1−WS”(古河電気工業(株)製、シランカップリング剤処理済みの電解箔、厚み9μm、M面粗さRz=1.8μm)を用いた以外は、実施例10と同様に行った。結果を表3に示す。
[Comparative Example 11]
Instead of the copper foil F used in Example 10, “F1-WS” (Furukawa Electric Co., Ltd.) having no protrusions on the roughened particles having an average particle diameter of about 1.0 μm on the rough surface of the copper foil. This was carried out in the same manner as in Example 10, except that an electrolytic foil treated with a silane coupling agent, a thickness of 9 μm, and an M surface roughness Rz = 1.8 μm was used. The results are shown in Table 3.
[比較例12]
実施例10で使用の銅箔Fのかわりに、銅箔の粗面の粒子径が平均約1.3μmの粗化粒子の上に突起物が無い“T8G−SV”(福田金属箔粉(株)製、シランカップリング剤処理済みの電解箔、厚み9μm、M面粗さRz=1.6μm)を用いた以外は、実施例10と同様に行った。結果を表3に示す。
[Comparative Example 12]
Instead of the copper foil F used in Example 10, “T8G-SV” (Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd.) having no protrusions on the roughened particles having an average particle diameter of about 1.3 μm on the rough surface of the copper foil. ), And an electrolytic foil treated with a silane coupling agent, a thickness of 9 μm, and an M surface roughness Rz = 1.6 μm) were used in the same manner as in Example 10. The results are shown in Table 3.
本発明は、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等、フラットパネルディスプレイの分野で配線板を直角ないしは180°にまで折り曲げた状態で組み込まれる用途や高い耐屈曲性を必要とする可撓性ポリイミド系プリント基板であり、TAB用やCOF用等のフレキシブルプリント基板、多層フレキシブル基板や、フレックスリジッド用基板に利用でき、それらからなるプリント配線板は電子機器用途に好適に使用できる。 The present invention relates to a flexible polyimide-based printed circuit board that is used in the field of flat panel displays, such as liquid crystal displays and plasma displays, and is used in which a wiring board is incorporated in a state of being bent at a right angle or 180 °, and requires high bending resistance. Yes, it can be used for flexible printed boards such as TAB and COF, multilayer flexible boards, and flex-rigid boards, and printed wiring boards made of these can be suitably used for electronic devices.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006108824A JP2007281361A (en) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | Polyimide printed circuit board and polyimide printed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006108824A JP2007281361A (en) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | Polyimide printed circuit board and polyimide printed wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007281361A true JP2007281361A (en) | 2007-10-25 |
| JP2007281361A5 JP2007281361A5 (en) | 2009-05-28 |
Family
ID=38682478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006108824A Pending JP2007281361A (en) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | Polyimide printed circuit board and polyimide printed wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007281361A (en) |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
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