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JP2006112934A - Semiconductor integrated circuit inspection apparatus and inspection method - Google Patents

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JP2006112934A
JP2006112934A JP2004300988A JP2004300988A JP2006112934A JP 2006112934 A JP2006112934 A JP 2006112934A JP 2004300988 A JP2004300988 A JP 2004300988A JP 2004300988 A JP2004300988 A JP 2004300988A JP 2006112934 A JP2006112934 A JP 2006112934A
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semiconductor integrated
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memory
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JP2004300988A
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Shinichiro Yamakawa
慎一郎 山川
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

【課題】被検査半導体集積回路(DUT)の検査時間を短縮して高速で高品質な検査を行う。
【解決手段】DUT1−1,1−2の出力信号をバッファ2の近くに配置したRMS/DCコンバータ3で、配線容量等による振幅損失がない状態でAC信号の振幅に比例したDC信号に変換する。DUT1−1用高速スイッチ4−1とDUT1−2用高速スイッチ4−2、DUT選択用高速スイッチ4を介して、検査装置本体18内のメモリ12にA/Dコンバータ11より出力のデータを取り込む。また、メモリ12への取り込み開始及び終了と各高速スイッチの制御を総括的に行い、RMS/DCコンバータ3の各出力信号を高速に切り換えて複数のDC信号をメモリ12に連続的に記録する。メモリ12に取り込んだデータは、各入出力信号のDC信号をレベル測定部14により対象ポイントで測定し振幅変換部15で振幅に変換する。判定部16で照合され良/不良が判定される。
【選択図】図1
An object of the present invention is to reduce the inspection time of a semiconductor integrated circuit (DUT) to be inspected and perform high-quality inspection at high speed.
An output signal of a DUT 1-1, 1-2 is converted into a DC signal proportional to the amplitude of an AC signal in an RMS / DC converter 3 arranged near a buffer 2 without amplitude loss due to wiring capacitance or the like. To do. The output data is fetched from the A / D converter 11 into the memory 12 in the inspection apparatus body 18 via the high-speed switch 4-1 for DUT1-1, the high-speed switch 4-2 for DUT1-2, and the high-speed switch 4 for DUT selection. . Further, the start and end of loading into the memory 12 and the control of each high-speed switch are collectively performed, and each output signal of the RMS / DC converter 3 is switched at a high speed to continuously record a plurality of DC signals in the memory 12. The data fetched into the memory 12 is obtained by measuring the DC signal of each input / output signal at the target point by the level measuring unit 14 and converting it into an amplitude by the amplitude converting unit 15. The determination unit 16 collates and determines good / bad.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、半導体集積回路(以下、ICという)の検査装置及び検査方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC) inspection apparatus and inspection method.

ICは出荷前に電気的特性の検査が行われる。この検査はICの規模にもよるが、通常数百項目にわたってICの入力端子に定格の電圧波形を印加、出力端子から得られる出力電圧波形の測定を行う種々の検査項目が一連して実行され、1項目でも不良が発生すると、そのICは不良と判定され出荷しない。また、集積化された回路であるICにおいては、1個のICにおいて複数の入出力があることが多い。その他、検査効率を向上させるために複数のICに対して同時に入力電圧波形を印加し測定を行う同時測定の技法を用いることもある。   The IC is inspected for electrical characteristics before shipment. Although this inspection depends on the scale of the IC, a series of various inspection items are performed in which a rated voltage waveform is applied to the input terminal of the IC over several hundred items and the output voltage waveform obtained from the output terminal is measured. If even one item fails, the IC is determined to be defective and is not shipped. Further, in an IC which is an integrated circuit, a plurality of inputs / outputs are often provided in one IC. In addition, in order to improve inspection efficiency, a simultaneous measurement technique in which input voltage waveforms are simultaneously applied to a plurality of ICs for measurement may be used.

図6は従来のICの検査装置の構成図を示すものである。図6において被検査IC(以下、DUTという)1−1,1−2として2個のDUTを示し、検査効率向上のため、2個のICを同時に測定する場合の例である。各DUTには、複数の入力端子(IN1〜3)と複数の出力端子(OUT1〜3)を有する。各々の入力端子は、同時に信号を入力することができるように結合され、終端抵抗5に接続される。   FIG. 6 shows a configuration diagram of a conventional IC inspection apparatus. FIG. 6 shows an example in which two DUTs are shown as ICs to be inspected (hereinafter referred to as DUTs) 1-1 and 1-2, and two ICs are simultaneously measured to improve inspection efficiency. Each DUT has a plurality of input terminals (IN1 to 3) and a plurality of output terminals (OUT1 to 3). Each input terminal is coupled so that signals can be input simultaneously, and is connected to the termination resistor 5.

この終端抵抗5は、検査装置本体18が有する信号源8の信号源出力抵抗9とのマッチングを取るためのもので、50オームの値を使用する。各入力端子に同時に信号を入力するため入力端子の6本を結合したことにより、各DUTの入力端子が有する入力抵抗と終端抵抗5によるマッチングの影響が無視できなくなる。その結果、IC交換のたびに微妙に入力信号が変化することになる。   This terminating resistor 5 is used for matching with the signal source output resistor 9 of the signal source 8 included in the inspection apparatus body 18 and uses a value of 50 ohms. Since the six input terminals are coupled to simultaneously input signals to each input terminal, the influence of matching by the input resistance and the termination resistance 5 of the input terminal of each DUT cannot be ignored. As a result, the input signal slightly changes every time the IC is exchanged.

一方、各々の出力端子は、各出力端子とつながるバッファ2と出力切換用リレー19とDUT切換用リレー20を介して1つの出力が選択され検査装置本体18に接続される。また、各DUTの出力端子のできるだけ近くにバッファ2を配置することにより、高周波信号でも配線容量による損失を緩和でき、検査装置本体18まで効率よく接続することができる構造にしたり、テストボード17から同軸ケーブル6,7を介して検査装置本体18にあるA/Dコンバータ11に接続することにより効率よく信号を伝えることができる。また、テストボード17には各DUTの出力端子からバッファ2を介した信号や、入力信号を切り換える出力切換用リレー19としてSW1〜SW6、DUT切換用リレー20としてSW7がある。   On the other hand, for each output terminal, one output is selected via the buffer 2 connected to each output terminal, the output switching relay 19 and the DUT switching relay 20 and connected to the inspection apparatus main body 18. Further, by disposing the buffer 2 as close as possible to the output terminal of each DUT, it is possible to reduce the loss due to the wiring capacitance even with a high-frequency signal and to make a structure that can be efficiently connected to the inspection apparatus main body 18. By connecting to the A / D converter 11 in the inspection apparatus body 18 via the coaxial cables 6 and 7, signals can be transmitted efficiently. Further, the test board 17 has SW1 to SW6 as output switching relays 19 for switching signals and input signals from the output terminals of the respective DUTs, and SW7 as DUT switching relays 20.

また、各DUTへの入力信号を測定できる経路を設けた目的は、前述のIC交換のたびに微妙に入力信号が変化する問題を解決し、バッファ2、各切換用リレーの損失、A/Dコンバータ11の精度に影響を受けず、DUTの振幅ゲインを正確に測定するためである。   The purpose of providing a path through which the input signal to each DUT can be measured is to solve the above-mentioned problem that the input signal slightly changes every time the IC is replaced, and the loss of the buffer 2, each switching relay, A / D This is because the amplitude gain of the DUT is accurately measured without being affected by the accuracy of the converter 11.

検査装置本体18内のA/Dコンバータ11はメモリ12に接続されA/Dコンバータ11より出力されたA/D変換データを取り込むことができる。さらにメモリ12に取り込まれたデータの内容は、DSP演算処理部13によって平均値,振幅値などFFT(高速フーリエ変換)処理,RMS(平方二乗平均)処理を数値演算で求めることができ、その結果は、判定部16によって規格と照合され良品/不良品の判定が行われる。   The A / D converter 11 in the inspection apparatus body 18 is connected to the memory 12 and can take in A / D conversion data output from the A / D converter 11. Further, the content of the data fetched into the memory 12 can be obtained by numerical calculation of FFT (Fast Fourier Transform) processing such as average value and amplitude value and RMS (square mean square) processing by the DSP arithmetic processing unit 13, and as a result Is checked against the standard by the determination unit 16 to determine the non-defective product / defective product.

次に、図6に示す従来のIC検査装置の動作について、図7のフローチャートを参照しながら説明する。まず、各DUTの入力端子に同時に信号を入力する(Step1)。各出力に設けられたバッファ2を介して出てきた信号を出力切換用リレー19にてDUT1−1のOUT1を選択する(Step2)。リレー切り換えが完全に終えるまで待つ(通常リードリレーのオン/オフの切り換えは1〜3msかかることから、正確な測定を行うために3〜5msの「wait」を取る)(Step3)。A/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込みを開始して、演算に必要なポイント量に達したらA/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込みを停止する(Step4)。メモリ12に取り込んだデータを使用してFFT処理,RMS処理等のDSP演算処理部13で演算を行う(Step5)。演算結果を規格と照合し判定を行う(Step6)。以降、各DUTの全出力(DUT1−1のOUT1〜OUT3、及びDUT1−2のOUT1〜OUT3)、及び各DUTへの入力信号で処理Step2〜処理Step6の内容の処理を繰り返し行い、総処理数は41ステップになる。   Next, the operation of the conventional IC inspection apparatus shown in FIG. 6 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, signals are simultaneously input to the input terminals of the respective DUTs (Step 1). A signal output via the buffer 2 provided for each output is selected by the output switching relay 19 as OUT1 of the DUT 1-1 (Step 2). Wait until the relay switching is completed (switching on / off of the normal reed relay takes 1 to 3 ms, so take “wait” of 3 to 5 ms for accurate measurement) (Step 3). When the conversion data from the A / D converter 11 is started to be taken into the memory 12 and the point amount necessary for the calculation is reached, the taking of the conversion data from the A / D converter 11 into the memory 12 is stopped (Step 4). Using the data fetched into the memory 12, the DSP arithmetic processing unit 13 such as FFT processing and RMS processing performs arithmetic (Step 5). The calculation result is checked against the standard and determined (Step 6). Thereafter, the processing of step 2 to step 6 is repeatedly performed on all the outputs of each DUT (OUT1 to OUT3 of DUT1-1 and OUT1 to OUT3 of DUT1-2) and the input signals to each DUT, and the total number of processes Is 41 steps.

次に、図7のフローチャートにおける動作を横軸に時間として具体的にしたものを図8に示す。時間の経過と信号波形、メモリへの取り込みタイミング、入力信号測定区間(A)、OUT1測定区間(B)、OUT2測定区間(C)、OUT3測定区間(D)を併記する。
特開平9−26468号公報
Next, FIG. 8 shows a specific example of the operation in the flowchart of FIG. 7 as time on the horizontal axis. The passage of time and signal waveform, the timing of loading into the memory, the input signal measurement section (A), the OUT1 measurement section (B), the OUT2 measurement section (C), and the OUT3 measurement section (D) are also shown.
Japanese Patent Laid-Open No. 9-26468

しかしながら、従来の技術では各DUTの各出力を順番に切り換えて、リレーの切り換えに必要な「wait」をおいた後、その都度メモリ取り込みと数値演算を行って検査する処理フローとなっていた。そのため、ICの出力信号が応答時間を無視できるような早い応答の信号を測定するときでも、リレーの切り換えの「wait」時間のほうが長くかかってしまい、結果的に検査時間が伸びてしまう。また、各出力毎に出力波形をA/D変換してメモリに取り込んで、FFT処理,RMS処理等を行って複数の演算を行うためその分の時間もかかってしまうという問題があった。   However, in the prior art, each output of each DUT is switched in order, and after a “wait” necessary for switching the relay is set, a memory flow and numerical calculation are performed each time, and a processing flow is performed. For this reason, even when measuring an early response signal in which the output signal of the IC can ignore the response time, the “wait” time for switching the relay takes longer, resulting in an increase in the inspection time. In addition, the output waveform is A / D converted for each output, fetched into a memory, and subjected to FFT processing, RMS processing, etc., and a plurality of calculations are performed, so there is a problem that it takes much time.

本発明は、前記従来技術の問題を解決することに指向するものであり、被検査半導体集積回路(DUT)の検査時間を短縮して高速で高品質な検査を行う半導体集積回路の検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。   The present invention is directed to solving the above-described problems of the prior art, and a semiconductor integrated circuit inspection apparatus that performs high-speed and high-quality inspection by reducing the inspection time of a semiconductor integrated circuit (DUT) to be inspected, and The purpose is to provide an inspection method.

前記の目的を達成するために、本発明に係る半導体集積回路の検査装置は、複数の入出力端子を持つ被検査半導体集積回路の複数を同時に検査する半導体集積回路の検査装置において、被検査半導体集積回路の複数入力端子に入力信号を同時に入力する手段と、入力信号と被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例したDC信号を出力する手段とを備え、各DC信号を高速に切り換えて振幅測定することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a semiconductor integrated circuit inspection apparatus according to the present invention is a semiconductor integrated circuit inspection apparatus for simultaneously inspecting a plurality of semiconductor integrated circuits to be inspected having a plurality of input / output terminals. Means for simultaneously inputting input signals to a plurality of input terminals of the integrated circuit, and means for outputting a DC signal proportional to the amplitude of each AC signal from the input signal and the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be tested, Each DC signal is switched at high speed to measure amplitude.

さらに、A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び停止の制御、DC信号を切り換える高速スイッチの制御を行うタイミング制御部を備え、入力信号と被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例した各DC信号の出力を、タイミング制御部により連続的にメモリに取り込むことを特徴とする。   In addition, it has a timing control unit that controls the start and stop of A / D conversion data fetching into the memory and the high-speed switch that switches the DC signal. From the input signal and the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be tested The output of each DC signal proportional to the amplitude of each AC signal is continuously taken into a memory by a timing control unit.

また、半導体集積回路の検査方法は、複数の入出力端子を持つ被検査半導体集積回路の複数を同時に検査する半導体集積回路の検査方法において、被検査半導体集積回路の複数入力端子に入力信号を同時に入力する工程と、入力信号と被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例して出力する各DC信号を高速に切り換えて振幅測定する工程とを有することを特徴とする。   The semiconductor integrated circuit inspection method is a semiconductor integrated circuit inspection method for simultaneously inspecting a plurality of semiconductor integrated circuits to be inspected having a plurality of input / output terminals, and simultaneously inputting input signals to a plurality of input terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected. And a step of measuring the amplitude by switching each DC signal output in proportion to the amplitude of each AC signal from the input signal and the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected. And

さらに、A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び停止の制御、DC信号を切り換える高速スイッチの制御を行うタイミングを制御する工程を有し、入力信号と被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例した各DC信号の出力を、タイミングを制御する工程により連続的にメモリに取り込むことを特徴とする。   Furthermore, it has a step of controlling the timing of starting and stopping the taking in of A / D conversion data into the memory and the control of the high-speed switch for switching the DC signal, and the input signal and the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected. It is characterized in that the output of each DC signal proportional to the amplitude of each AC signal is continuously taken into the memory from the output signal by the step of controlling the timing.

前記構成の検査装置及び方法によれば、AC信号振幅に比例するDC信号を出力して、DC信号の高速選択の制御やA/D変換データのメモリへの取り込み開始及び終了の制御を行うタイミングを統括的に制御でき、複数の信号波形をメモリに連続的に記録して、被検査半導体集積回路の検査時間を短縮して、高速で高品質な検査を行うことができる。   According to the inspection apparatus and method having the above-described configuration, a DC signal proportional to the AC signal amplitude is output, and the timing for controlling the high-speed selection of the DC signal and the start and end of loading of A / D conversion data into the memory is performed. And a plurality of signal waveforms are continuously recorded in the memory, thereby shortening the inspection time of the semiconductor integrated circuit to be inspected and performing high-quality inspection at high speed.

本発明によれば、高周波信号の場合でも配線容量等による損失を大幅に軽減し、テストボード上でAC信号振幅に比例したDC信号に変換するため演算処理作業を削減し、さらに、メモリへの記録容量も少なく取り込むことができる。また、タイミング制御部によって、A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び終了の制御とDC信号を切り換える高速スイッチの制御を総括的に行い、DC信号を高速に切り換えて複数の信号波形を連続的にメモリに記録でき、従来のリレー切り換えの「wait」時間を不要として、検査時間を短縮した高速で高品質な検査が可能となり、多量にICを検査する量産検査に適用することで極めて大きな実益が得られるという効果を奏する。   According to the present invention, even in the case of a high-frequency signal, loss due to wiring capacitance or the like is greatly reduced, and the calculation processing work is reduced because the signal is converted to a DC signal proportional to the AC signal amplitude on the test board. The recording capacity can be reduced. In addition, the timing control unit comprehensively controls the start and end of A / D conversion data import into the memory and the high-speed switch that switches the DC signal, and the DC signal is switched at high speed to continuously connect multiple signal waveforms. It can be recorded in memory, eliminates the need for conventional “wait” time for relay switching, enables high-speed and high-quality inspection with reduced inspection time, and is extremely large when applied to mass-production inspection that inspects a large amount of ICs. There is an effect that a profit can be obtained.

以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は本発明の実施の形態1におけるICの検査装置を示す構成図である。ここで、前記従来例を示す図6において説明した構成部材に対応し実質的に同等の機能を有するものには同一の符号を付して示す。   FIG. 1 is a block diagram showing an IC inspection apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. Here, components corresponding to the components described in FIG. 6 showing the conventional example and having substantially the same functions are denoted by the same reference numerals.

図1において、被検査IC(DUT)1−1,1−2として2個のDUTを示し、検査効率を向上させるため2個のDUTを同時に測定する場合を例としている。各DUTには、複数の入力端子(IN1〜3)と複数の出力端子(OUT1〜3)を有する。各々の入力端子は、同時に信号を入力することができるように結合され、終端抵抗5に接続される。   In FIG. 1, two DUTs are shown as ICs to be inspected (DUTs) 1-1 and 1-2, and a case where two DUTs are measured simultaneously is shown as an example in order to improve inspection efficiency. Each DUT has a plurality of input terminals (IN1 to 3) and a plurality of output terminals (OUT1 to 3). Each input terminal is coupled so that signals can be input simultaneously, and is connected to the termination resistor 5.

この終端抵抗5は、検査装置本体が有する信号源8の信号源出力抵抗9とのマッチングを取るためのもので、50オームの値を使用する。各入力端子に同時に信号を入力するため入力端子の6本を結合したことにより、各DUTの入力端子が有する入力抵抗と終端抵抗5によるマッチングの影響が無視できなくなってしまう。その結果、IC交換のたびに微妙に入力信号が変化することになる。   The terminating resistor 5 is used for matching with the signal source output resistor 9 of the signal source 8 included in the inspection apparatus body, and uses a value of 50 ohms. Since the six input terminals are coupled to simultaneously input signals to each input terminal, the influence of matching due to the input resistance and termination resistance 5 of the input terminal of each DUT cannot be ignored. As a result, the input signal slightly changes every time the IC is exchanged.

一方、各々の出力端子は、各出力端子とつながるバッファ2、AC信号をDC信号に変換するRMS/DCコンバータ3、DUT1−1用高速スイッチ4−1とDUT1−2用高速スイッチ4−2、DUT選択用高速スイッチ4を介して1つの出力が選択され検査装置本体18に接続される。AC信号をDC信号に変換するRMS/DCコンバータ3は半導体技術を用いた変換装置を使用しており、AC信号の振幅に比例したDC信号に変換される。   On the other hand, each output terminal includes a buffer 2 connected to each output terminal, an RMS / DC converter 3 that converts an AC signal into a DC signal, a high-speed switch 4-1 for DUT1-1 and a high-speed switch 4-2 for DUT1-2, One output is selected via the DUT selection high-speed switch 4 and connected to the inspection apparatus body 18. The RMS / DC converter 3 for converting an AC signal into a DC signal uses a conversion device using semiconductor technology, and is converted into a DC signal proportional to the amplitude of the AC signal.

また、バッファ2の近くにRMS/DCコンバータ3を配置することにより、配線容量等による振幅の損失がない状態でDC信号に変換される。各高速スイッチは半導体技術を用いた電子スイッチを利用している。さらに、テストボード17から同軸ケーブル6,7を介して検査装置本体18にあるA/Dコンバータ11に接続することにより効率よく信号を伝える目的がある。DUT1−1用高速スイッチ4−1とDUT1−2用高速スイッチ4−2には、DUTの出力を切り換えるほかに入力信号を選択するためにも用いられる。   Further, by arranging the RMS / DC converter 3 near the buffer 2, it is converted into a DC signal without any loss of amplitude due to wiring capacitance or the like. Each high-speed switch uses an electronic switch using semiconductor technology. Further, there is an object of efficiently transmitting signals by connecting the test board 17 to the A / D converter 11 in the inspection apparatus main body 18 through the coaxial cables 6 and 7. The DUT 1-1 high-speed switch 4-1 and the DUT 1-2 high-speed switch 4-2 are used not only for switching the output of the DUT but also for selecting an input signal.

また、各DUTへの入力信号を測定できる経路を設けた目的は、IC交換のたびに微妙に入力信号が変化する問題を解決し、バッファ2,各高速スイッチの損失,A/Dコンバータ11の精度に影響を受けず、DUTの振幅ゲインを正確に測定するためである。入力信号の測定経路が各DUTのそれぞれにあるのは、各々のDUTに近い配置にすることにより正確な入力信号の測定ができることと、DUT選択用高速スイッチ4の損失差の影響をなくすためである。そして、各高速スイッチは検査装置本体18内にあるタイミング制御部10によってオン/オフのタイミングを時間軸で正確に制御できる。   The purpose of providing a path through which the input signal to each DUT can be measured is to solve the problem that the input signal changes slightly each time the IC is replaced, and the buffer 2, the loss of each high-speed switch, the A / D converter 11 This is because the amplitude gain of the DUT is accurately measured without being affected by the accuracy. The reason why each DUT has an input signal measurement path is that it is possible to accurately measure the input signal by arranging it close to each DUT, and to eliminate the influence of the loss difference of the DUT selection high-speed switch 4. is there. Each high-speed switch can accurately control the on / off timing on the time axis by the timing control unit 10 in the inspection apparatus main body 18.

検査装置本体18内のA/Dコンバータ11はメモリ12に接続されA/Dコンバータ11より出力されたデータを取り込むことができる。さらに、メモリ12に取り込まれたデータの内容は、各入出力信号に相当するDC信号のレベルをレベル測定部14によって各対象ポイントで測定し、振幅変換部15により振幅に変換することができ、その結果は、判定部16によって規格と照合され良品/不良品の判定が行われる。   The A / D converter 11 in the inspection apparatus main body 18 is connected to the memory 12 and can take in the data output from the A / D converter 11. Furthermore, the content of the data captured in the memory 12 can be measured by measuring the level of the DC signal corresponding to each input / output signal at each target point by the level measuring unit 14 and converting it into an amplitude by the amplitude converting unit 15. The result is checked against the standard by the determination unit 16 to determine the non-defective product / defective product.

次に、図1に示す本実施の形態1におけるICの検査装置の動作について図2のフローチャートを参照しながら説明する。まず、各DUTの入力端子に同時に信号を入力する(Step101)。各出力端子に接続されたバッファ2を介してRMS/DCコンバータ3により、各々振幅に比例したDC信号に変換する(Step102)。A/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込みを開始する(Step103)。各々のRMS/DCコンバータ3にて変換されたDC信号を高速スイッチにより連続的に切り換えて複数の波形をメモリ12に記録する(Step104)。A/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込みを停止する(Step105)。メモリ12の内容から各出力端子に相当するDC信号を対象ポイントにおいてDCレベルを測定する(Step106)。各出力に相当するDCレベルを振幅変換するための演算を行う(Step107)。演算結果を規格と照合し判定を行う(Step108)。   Next, the operation of the IC inspection apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 1 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, signals are simultaneously input to the input terminals of the respective DUTs (Step 101). Each of the signals is converted into a DC signal proportional to the amplitude by the RMS / DC converter 3 through the buffer 2 connected to each output terminal (Step 102). The import of the conversion data from the A / D converter 11 to the memory 12 is started (Step 103). A DC signal converted by each RMS / DC converter 3 is continuously switched by a high-speed switch, and a plurality of waveforms are recorded in the memory 12 (Step 104). The import of the conversion data from the A / D converter 11 to the memory 12 is stopped (Step 105). The DC level corresponding to each output terminal is measured from the contents of the memory 12 at the target point (Step 106). An operation for converting the amplitude of the DC level corresponding to each output is performed (Step 107). The calculation result is checked against the standard to make a determination (Step 108).

次に、図2のフローチャートの動作における各ポイントでの波形を図3(a),(b),(c),(d)に示す。図3において(a)〜(d)の4種類の波形は、図1に示す測定点Jの各DUTの出力端子部分でバッファ2の入力信号(a)のAC信号、図1に示す測定点Kのバッファ2の出力信号(b)、図1に示す測定点LのRMS/DCコンバータ3の出力信号(c)、図1に示す測定点MのA/Dコンバータ入力信号(d)である。その他にメモリ取り込みタイミング、DCレベル測定ポイント(P1)〜(P8)を併記する。   Next, waveforms at each point in the operation of the flowchart of FIG. 2 are shown in FIGS. 3 (a), (b), (c), and (d). 3, the four types of waveforms (a) to (d) are the AC signal of the input signal (a) of the buffer 2 at the output terminal portion of each DUT at the measurement point J shown in FIG. 1, and the measurement points shown in FIG. The output signal (b) of the K buffer 2, the output signal (c) of the RMS / DC converter 3 at the measurement point L shown in FIG. 1, and the A / D converter input signal (d) at the measurement point M shown in FIG. . In addition, memory fetch timing and DC level measurement points (P1) to (P8) are also shown.

次に本実施の形態1と従来の違いを述べる。従来の場合、各DUTの各出力を順番にリレーを切り換えて、リレーの切り換えに必要な時間を待ち、各出力毎にメモリ取り込みを行ってDSP演算処理を行っていたため、リレーの切り換え「wait」時間、DSP演算処理にかかる時間が必要で検査時間を多く要していた。   Next, the difference between the first embodiment and the prior art will be described. In the conventional case, each output of each DUT is switched in order, waiting for the time required for switching the relay, and taking the memory for each output and performing DSP arithmetic processing, so the relay switching “wait” Time and time required for DSP calculation processing are required, and much inspection time is required.

本実施の形態1の場合、まず各DUTの各出力信号,入力信号をAC信号からDC信号にテストボード17上で変換することにより、今までのDSP演算処理部13による振幅演算の必要がない。また、A/Dコンバータ11からの変換データをメモリ12に取り込む量もDCレベルを対象ポイントで測定するだけなので少なく取り込むことができる。さらに、高周波信号の場合でも各入出力端子の近くでAC信号をDC信号に変換するため配線容量等による損失を大幅に軽減することができ、精度の高いゲイン測定ができる。   In the case of the first embodiment, first, each output signal and input signal of each DUT is converted from an AC signal to a DC signal on the test board 17, so that there is no need for amplitude calculation by the conventional DSP calculation processing unit 13. . Also, the amount of conversion data from the A / D converter 11 taken into the memory 12 can be taken in small because the DC level is only measured at the target point. Furthermore, even in the case of a high-frequency signal, since the AC signal is converted into a DC signal near each input / output terminal, loss due to wiring capacitance or the like can be greatly reduced, and high-accuracy gain measurement can be performed.

次に、検査装置のタイミング制御部10によって、A/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込み開始及び終了の制御,高速スイッチの制御を総括的に行い、各々のRMS/DCコンバータ3のDC信号出力を高速に切り換えて複数の信号波形をメモリ12に連続的に記録するため、従来のリレーの切り換えに必要だった「wait」時間は不必要となり、検査時間を短縮することができる。したがって、高速で高品質な検査を提供することができる。   Next, the timing control unit 10 of the inspection device collectively controls the start and end of the conversion data from the A / D converter 11 to the memory 12 and the high-speed switch, and controls each RMS / DC converter 3. Since the DC signal output is switched at a high speed and a plurality of signal waveforms are continuously recorded in the memory 12, the “wait” time required for switching the conventional relay is unnecessary, and the inspection time can be shortened. Therefore, high-speed and high-quality inspection can be provided.

図4は本発明の実施の形態2におけるICの検査装置を示す構成図である。図4において、前述した実施の形態1と異なるところはDUTの個数が3個以上ある場合を例としている。しかし、基本的な作用効果は実施の形態1と同様であり、検査時間を短縮し、高速で高品質な検査を行うことができる。   FIG. 4 is a block diagram showing an IC inspection apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 4, the difference from the first embodiment described above is an example in which the number of DUTs is three or more. However, the basic operational effects are the same as those of the first embodiment, and the inspection time can be shortened and high-quality inspection can be performed at high speed.

図5は本発明の実施の形態3におけるICの検査装置を示す構成図である。図5において、前述した実施の形態1と異なるところはDUTの個数が1個で、入出力端子が3系統以上の端子がある場合を例としている。その結果、DUTを切り換えるDUT選択用高速スイッチ4はない。しかし、本実施の形態3の場合もまた基本的な作用効果は実施の形態1と同様であり、検査時間を短縮し、高速で高品質な検査を行うことができる。   FIG. 5 is a block diagram showing an IC inspection apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 5, the difference from the first embodiment described above is an example in which the number of DUTs is one and there are three or more input / output terminals. As a result, there is no DUT selection high-speed switch 4 for switching the DUT. However, in the case of the third embodiment, the basic operational effects are the same as those of the first embodiment, and the inspection time can be shortened and high-quality inspection can be performed at high speed.

本発明に係る半導体集積回路の検査装置及び検査方法は、高周波信号でも配線容量等の損失を大幅に軽減して、テストボード上でAC信号振幅に比例したDC信号に変換して演算処理を削減し、さらに、メモリへの記録容量も少なく取り込むことができ、また、タイミング制御部により、A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び終了とDC信号を切り換える高速スイッチの制御を総括的に行い、DC信号を高速に切り換えて複数の信号波形を連続的にメモリに記録でき、従来のリレー切り換えの「wait」時間を不要とし、検査時間を短縮して高速で高品質な検査ができ、被検査半導体集積回路における検査装置及び方法として有用である。   The inspection apparatus and inspection method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention greatly reduces the loss of wiring capacitance and the like even for a high-frequency signal, and converts it into a DC signal proportional to the AC signal amplitude on the test board, thereby reducing arithmetic processing. Furthermore, the recording capacity to the memory can be reduced, and the timing control unit comprehensively controls the start and end of the A / D conversion data to the memory and the high-speed switch for switching the DC signal. , DC signals can be switched at high speed, and multiple signal waveforms can be recorded continuously in memory, eliminating the “wait” time of conventional relay switching, reducing inspection time, enabling high-speed and high-quality inspection, It is useful as an inspection apparatus and method in an inspection semiconductor integrated circuit.

本発明の実施の形態1におけるICの検査装置を示す構成図The block diagram which shows the inspection apparatus of IC in Embodiment 1 of this invention 本実施の形態1におけるICの検査装置の動作を示すフローチャートFlowchart showing the operation of the IC inspection apparatus according to the first embodiment. 本実施の形態1における測定点Jの信号波形(a)、測定点Kの信号波形(b)、測定点Lの信号波形(c)、測定点Mの信号波形(d)を示す図The figure which shows the signal waveform (a) of the measurement point J in this Embodiment 1, the signal waveform (b) of the measurement point K, the signal waveform (c) of the measurement point L, and the signal waveform (d) of the measurement point M 本発明の実施の形態2におけるICの検査装置を示す構成図The block diagram which shows the test | inspection apparatus of IC in Embodiment 2 of this invention 本発明の実施の形態3におけるICの検査装置を示す構成図The block diagram which shows the inspection apparatus of IC in Embodiment 3 of this invention 従来のIC検査装置を示す構成図Configuration diagram showing a conventional IC inspection device 従来のIC検査装置の動作を示すフローチャートFlow chart showing operation of conventional IC inspection apparatus 従来のIC検査装置における動作を具体的に示す図The figure which shows concrete operation in the conventional IC inspection device

符号の説明Explanation of symbols

1 DUT(被検査半導体集積回路)
2 バッファ
3 RMS/DCコンバータ
4 DUT選択用高速スイッチ
5 終端抵抗
6,7 同軸ケーブル
8 信号源
9 信号源出力抵抗
10 タイミング制御部
11 A/Dコンバータ
12 メモリ
13,13’ DSP演算処理部
14 レベル測定部
15 振幅変換部
16 判定部
17 テストボード
18 検査装置本体
19 出力切換用リレー
20 DUT切換用リレー
1 DUT (Semiconductor Integrated Circuit)
2 Buffer 3 RMS / DC converter 4 DUT selection high-speed switch 5 Terminating resistors 6 and 7 Coaxial cable 8 Signal source 9 Signal source output resistor 10 Timing control unit 11 A / D converter 12 Memory 13 and 13 ′ DSP arithmetic processing unit 14 Level Measurement unit 15 Amplitude conversion unit 16 Determination unit 17 Test board 18 Inspection device body 19 Output switching relay 20 DUT switching relay

Claims (4)

複数の入出力端子を持つ被検査半導体集積回路の複数を同時に検査する半導体集積回路の検査装置において、前記被検査半導体集積回路の複数入力端子に入力信号を同時に入力する手段と、前記入力信号と前記被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例したDC信号を出力する手段とを備え、前記各DC信号を高速に切り換えて振幅測定することを特徴とする半導体集積回路の検査装置。   In a semiconductor integrated circuit inspection apparatus for simultaneously inspecting a plurality of semiconductor integrated circuits to be inspected having a plurality of input / output terminals, means for simultaneously inputting input signals to a plurality of input terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected, and the input signals Means for outputting a DC signal proportional to the amplitude of each AC signal from the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected, and switching the DC signals at high speed to measure the amplitude. Integrated circuit inspection equipment. A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び停止の制御、DC信号を切り換える高速スイッチの制御を行うタイミング制御部を備え、前記入力信号と前記被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例した各DC信号の出力を、前記タイミング制御部により連続的に前記メモリに取り込むことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路の検査装置。   A timing control unit is provided for controlling the start and stop of taking A / D conversion data into the memory and the high-speed switch for switching the DC signal. From the input signal and the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected 2. The semiconductor integrated circuit inspection apparatus according to claim 1, wherein the output of each DC signal proportional to the amplitude of each AC signal is continuously taken into the memory by the timing control unit. 複数の入出力端子を持つ被検査半導体集積回路の複数を同時に検査する半導体集積回路の検査方法において、前記被検査半導体集積回路の複数入力端子に入力信号を同時に入力する工程と、前記入力信号と前記被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例して出力する各DC信号を高速に切り換えて振幅測定する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の検査方法。   In a semiconductor integrated circuit inspection method for simultaneously inspecting a plurality of semiconductor integrated circuits to be inspected having a plurality of input / output terminals, a step of simultaneously inputting input signals to a plurality of input terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected, and the input signals And a step of measuring the amplitude by switching at high speed each DC signal output in proportion to the amplitude of each AC signal from the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected. Method. A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び停止の制御、DC信号を切り換える高速スイッチの制御を行うタイミングを制御する工程を有し、前記入力信号と前記被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例した各DC信号の出力を、前記タイミングを制御する工程により連続的に前記メモリに取り込むことを特徴とする請求項3記載の半導体集積回路の検査方法。   A step of controlling the start and stop of taking A / D conversion data into the memory and the control of the high-speed switch for switching the DC signal, and the step of controlling the input signal and the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected. 4. The method for inspecting a semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the output of each DC signal proportional to each AC signal amplitude from the output signal is continuously taken into the memory by the step of controlling the timing.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112051461A (en) * 2019-06-06 2020-12-08 基思利仪器有限责任公司 Interconnect system with high current and low leakage capability

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