JP2006112934A - Semiconductor integrated circuit inspection apparatus and inspection method - Google Patents
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Abstract
【課題】被検査半導体集積回路(DUT)の検査時間を短縮して高速で高品質な検査を行う。
【解決手段】DUT1−1,1−2の出力信号をバッファ2の近くに配置したRMS/DCコンバータ3で、配線容量等による振幅損失がない状態でAC信号の振幅に比例したDC信号に変換する。DUT1−1用高速スイッチ4−1とDUT1−2用高速スイッチ4−2、DUT選択用高速スイッチ4を介して、検査装置本体18内のメモリ12にA/Dコンバータ11より出力のデータを取り込む。また、メモリ12への取り込み開始及び終了と各高速スイッチの制御を総括的に行い、RMS/DCコンバータ3の各出力信号を高速に切り換えて複数のDC信号をメモリ12に連続的に記録する。メモリ12に取り込んだデータは、各入出力信号のDC信号をレベル測定部14により対象ポイントで測定し振幅変換部15で振幅に変換する。判定部16で照合され良/不良が判定される。
【選択図】図1An object of the present invention is to reduce the inspection time of a semiconductor integrated circuit (DUT) to be inspected and perform high-quality inspection at high speed.
An output signal of a DUT 1-1, 1-2 is converted into a DC signal proportional to the amplitude of an AC signal in an RMS / DC converter 3 arranged near a buffer 2 without amplitude loss due to wiring capacitance or the like. To do. The output data is fetched from the A / D converter 11 into the memory 12 in the inspection apparatus body 18 via the high-speed switch 4-1 for DUT1-1, the high-speed switch 4-2 for DUT1-2, and the high-speed switch 4 for DUT selection. . Further, the start and end of loading into the memory 12 and the control of each high-speed switch are collectively performed, and each output signal of the RMS / DC converter 3 is switched at a high speed to continuously record a plurality of DC signals in the memory 12. The data fetched into the memory 12 is obtained by measuring the DC signal of each input / output signal at the target point by the level measuring unit 14 and converting it into an amplitude by the amplitude converting unit 15. The determination unit 16 collates and determines good / bad.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、半導体集積回路(以下、ICという)の検査装置及び検査方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as IC) inspection apparatus and inspection method.
ICは出荷前に電気的特性の検査が行われる。この検査はICの規模にもよるが、通常数百項目にわたってICの入力端子に定格の電圧波形を印加、出力端子から得られる出力電圧波形の測定を行う種々の検査項目が一連して実行され、1項目でも不良が発生すると、そのICは不良と判定され出荷しない。また、集積化された回路であるICにおいては、1個のICにおいて複数の入出力があることが多い。その他、検査効率を向上させるために複数のICに対して同時に入力電圧波形を印加し測定を行う同時測定の技法を用いることもある。 The IC is inspected for electrical characteristics before shipment. Although this inspection depends on the scale of the IC, a series of various inspection items are performed in which a rated voltage waveform is applied to the input terminal of the IC over several hundred items and the output voltage waveform obtained from the output terminal is measured. If even one item fails, the IC is determined to be defective and is not shipped. Further, in an IC which is an integrated circuit, a plurality of inputs / outputs are often provided in one IC. In addition, in order to improve inspection efficiency, a simultaneous measurement technique in which input voltage waveforms are simultaneously applied to a plurality of ICs for measurement may be used.
図6は従来のICの検査装置の構成図を示すものである。図6において被検査IC(以下、DUTという)1−1,1−2として2個のDUTを示し、検査効率向上のため、2個のICを同時に測定する場合の例である。各DUTには、複数の入力端子(IN1〜3)と複数の出力端子(OUT1〜3)を有する。各々の入力端子は、同時に信号を入力することができるように結合され、終端抵抗5に接続される。 FIG. 6 shows a configuration diagram of a conventional IC inspection apparatus. FIG. 6 shows an example in which two DUTs are shown as ICs to be inspected (hereinafter referred to as DUTs) 1-1 and 1-2, and two ICs are simultaneously measured to improve inspection efficiency. Each DUT has a plurality of input terminals (IN1 to 3) and a plurality of output terminals (OUT1 to 3). Each input terminal is coupled so that signals can be input simultaneously, and is connected to the termination resistor 5.
この終端抵抗5は、検査装置本体18が有する信号源8の信号源出力抵抗9とのマッチングを取るためのもので、50オームの値を使用する。各入力端子に同時に信号を入力するため入力端子の6本を結合したことにより、各DUTの入力端子が有する入力抵抗と終端抵抗5によるマッチングの影響が無視できなくなる。その結果、IC交換のたびに微妙に入力信号が変化することになる。
This terminating resistor 5 is used for matching with the signal
一方、各々の出力端子は、各出力端子とつながるバッファ2と出力切換用リレー19とDUT切換用リレー20を介して1つの出力が選択され検査装置本体18に接続される。また、各DUTの出力端子のできるだけ近くにバッファ2を配置することにより、高周波信号でも配線容量による損失を緩和でき、検査装置本体18まで効率よく接続することができる構造にしたり、テストボード17から同軸ケーブル6,7を介して検査装置本体18にあるA/Dコンバータ11に接続することにより効率よく信号を伝えることができる。また、テストボード17には各DUTの出力端子からバッファ2を介した信号や、入力信号を切り換える出力切換用リレー19としてSW1〜SW6、DUT切換用リレー20としてSW7がある。
On the other hand, for each output terminal, one output is selected via the
また、各DUTへの入力信号を測定できる経路を設けた目的は、前述のIC交換のたびに微妙に入力信号が変化する問題を解決し、バッファ2、各切換用リレーの損失、A/Dコンバータ11の精度に影響を受けず、DUTの振幅ゲインを正確に測定するためである。
The purpose of providing a path through which the input signal to each DUT can be measured is to solve the above-mentioned problem that the input signal slightly changes every time the IC is replaced, and the loss of the
検査装置本体18内のA/Dコンバータ11はメモリ12に接続されA/Dコンバータ11より出力されたA/D変換データを取り込むことができる。さらにメモリ12に取り込まれたデータの内容は、DSP演算処理部13によって平均値,振幅値などFFT(高速フーリエ変換)処理,RMS(平方二乗平均)処理を数値演算で求めることができ、その結果は、判定部16によって規格と照合され良品/不良品の判定が行われる。
The A /
次に、図6に示す従来のIC検査装置の動作について、図7のフローチャートを参照しながら説明する。まず、各DUTの入力端子に同時に信号を入力する(Step1)。各出力に設けられたバッファ2を介して出てきた信号を出力切換用リレー19にてDUT1−1のOUT1を選択する(Step2)。リレー切り換えが完全に終えるまで待つ(通常リードリレーのオン/オフの切り換えは1〜3msかかることから、正確な測定を行うために3〜5msの「wait」を取る)(Step3)。A/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込みを開始して、演算に必要なポイント量に達したらA/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込みを停止する(Step4)。メモリ12に取り込んだデータを使用してFFT処理,RMS処理等のDSP演算処理部13で演算を行う(Step5)。演算結果を規格と照合し判定を行う(Step6)。以降、各DUTの全出力(DUT1−1のOUT1〜OUT3、及びDUT1−2のOUT1〜OUT3)、及び各DUTへの入力信号で処理Step2〜処理Step6の内容の処理を繰り返し行い、総処理数は41ステップになる。
Next, the operation of the conventional IC inspection apparatus shown in FIG. 6 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, signals are simultaneously input to the input terminals of the respective DUTs (Step 1). A signal output via the
次に、図7のフローチャートにおける動作を横軸に時間として具体的にしたものを図8に示す。時間の経過と信号波形、メモリへの取り込みタイミング、入力信号測定区間(A)、OUT1測定区間(B)、OUT2測定区間(C)、OUT3測定区間(D)を併記する。
しかしながら、従来の技術では各DUTの各出力を順番に切り換えて、リレーの切り換えに必要な「wait」をおいた後、その都度メモリ取り込みと数値演算を行って検査する処理フローとなっていた。そのため、ICの出力信号が応答時間を無視できるような早い応答の信号を測定するときでも、リレーの切り換えの「wait」時間のほうが長くかかってしまい、結果的に検査時間が伸びてしまう。また、各出力毎に出力波形をA/D変換してメモリに取り込んで、FFT処理,RMS処理等を行って複数の演算を行うためその分の時間もかかってしまうという問題があった。 However, in the prior art, each output of each DUT is switched in order, and after a “wait” necessary for switching the relay is set, a memory flow and numerical calculation are performed each time, and a processing flow is performed. For this reason, even when measuring an early response signal in which the output signal of the IC can ignore the response time, the “wait” time for switching the relay takes longer, resulting in an increase in the inspection time. In addition, the output waveform is A / D converted for each output, fetched into a memory, and subjected to FFT processing, RMS processing, etc., and a plurality of calculations are performed, so there is a problem that it takes much time.
本発明は、前記従来技術の問題を解決することに指向するものであり、被検査半導体集積回路(DUT)の検査時間を短縮して高速で高品質な検査を行う半導体集積回路の検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。 The present invention is directed to solving the above-described problems of the prior art, and a semiconductor integrated circuit inspection apparatus that performs high-speed and high-quality inspection by reducing the inspection time of a semiconductor integrated circuit (DUT) to be inspected, and The purpose is to provide an inspection method.
前記の目的を達成するために、本発明に係る半導体集積回路の検査装置は、複数の入出力端子を持つ被検査半導体集積回路の複数を同時に検査する半導体集積回路の検査装置において、被検査半導体集積回路の複数入力端子に入力信号を同時に入力する手段と、入力信号と被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例したDC信号を出力する手段とを備え、各DC信号を高速に切り換えて振幅測定することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor integrated circuit inspection apparatus according to the present invention is a semiconductor integrated circuit inspection apparatus for simultaneously inspecting a plurality of semiconductor integrated circuits to be inspected having a plurality of input / output terminals. Means for simultaneously inputting input signals to a plurality of input terminals of the integrated circuit, and means for outputting a DC signal proportional to the amplitude of each AC signal from the input signal and the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be tested, Each DC signal is switched at high speed to measure amplitude.
さらに、A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び停止の制御、DC信号を切り換える高速スイッチの制御を行うタイミング制御部を備え、入力信号と被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例した各DC信号の出力を、タイミング制御部により連続的にメモリに取り込むことを特徴とする。 In addition, it has a timing control unit that controls the start and stop of A / D conversion data fetching into the memory and the high-speed switch that switches the DC signal. From the input signal and the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be tested The output of each DC signal proportional to the amplitude of each AC signal is continuously taken into a memory by a timing control unit.
また、半導体集積回路の検査方法は、複数の入出力端子を持つ被検査半導体集積回路の複数を同時に検査する半導体集積回路の検査方法において、被検査半導体集積回路の複数入力端子に入力信号を同時に入力する工程と、入力信号と被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例して出力する各DC信号を高速に切り換えて振幅測定する工程とを有することを特徴とする。 The semiconductor integrated circuit inspection method is a semiconductor integrated circuit inspection method for simultaneously inspecting a plurality of semiconductor integrated circuits to be inspected having a plurality of input / output terminals, and simultaneously inputting input signals to a plurality of input terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected. And a step of measuring the amplitude by switching each DC signal output in proportion to the amplitude of each AC signal from the input signal and the output signals of the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected. And
さらに、A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び停止の制御、DC信号を切り換える高速スイッチの制御を行うタイミングを制御する工程を有し、入力信号と被検査半導体集積回路の複数出力端子の出力信号から各々のAC信号振幅に比例した各DC信号の出力を、タイミングを制御する工程により連続的にメモリに取り込むことを特徴とする。 Furthermore, it has a step of controlling the timing of starting and stopping the taking in of A / D conversion data into the memory and the control of the high-speed switch for switching the DC signal, and the input signal and the plurality of output terminals of the semiconductor integrated circuit to be inspected. It is characterized in that the output of each DC signal proportional to the amplitude of each AC signal is continuously taken into the memory from the output signal by the step of controlling the timing.
前記構成の検査装置及び方法によれば、AC信号振幅に比例するDC信号を出力して、DC信号の高速選択の制御やA/D変換データのメモリへの取り込み開始及び終了の制御を行うタイミングを統括的に制御でき、複数の信号波形をメモリに連続的に記録して、被検査半導体集積回路の検査時間を短縮して、高速で高品質な検査を行うことができる。 According to the inspection apparatus and method having the above-described configuration, a DC signal proportional to the AC signal amplitude is output, and the timing for controlling the high-speed selection of the DC signal and the start and end of loading of A / D conversion data into the memory is performed. And a plurality of signal waveforms are continuously recorded in the memory, thereby shortening the inspection time of the semiconductor integrated circuit to be inspected and performing high-quality inspection at high speed.
本発明によれば、高周波信号の場合でも配線容量等による損失を大幅に軽減し、テストボード上でAC信号振幅に比例したDC信号に変換するため演算処理作業を削減し、さらに、メモリへの記録容量も少なく取り込むことができる。また、タイミング制御部によって、A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び終了の制御とDC信号を切り換える高速スイッチの制御を総括的に行い、DC信号を高速に切り換えて複数の信号波形を連続的にメモリに記録でき、従来のリレー切り換えの「wait」時間を不要として、検査時間を短縮した高速で高品質な検査が可能となり、多量にICを検査する量産検査に適用することで極めて大きな実益が得られるという効果を奏する。 According to the present invention, even in the case of a high-frequency signal, loss due to wiring capacitance or the like is greatly reduced, and the calculation processing work is reduced because the signal is converted to a DC signal proportional to the AC signal amplitude on the test board. The recording capacity can be reduced. In addition, the timing control unit comprehensively controls the start and end of A / D conversion data import into the memory and the high-speed switch that switches the DC signal, and the DC signal is switched at high speed to continuously connect multiple signal waveforms. It can be recorded in memory, eliminates the need for conventional “wait” time for relay switching, enables high-speed and high-quality inspection with reduced inspection time, and is extremely large when applied to mass-production inspection that inspects a large amount of ICs. There is an effect that a profit can be obtained.
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は本発明の実施の形態1におけるICの検査装置を示す構成図である。ここで、前記従来例を示す図6において説明した構成部材に対応し実質的に同等の機能を有するものには同一の符号を付して示す。
FIG. 1 is a block diagram showing an IC inspection apparatus according to
図1において、被検査IC(DUT)1−1,1−2として2個のDUTを示し、検査効率を向上させるため2個のDUTを同時に測定する場合を例としている。各DUTには、複数の入力端子(IN1〜3)と複数の出力端子(OUT1〜3)を有する。各々の入力端子は、同時に信号を入力することができるように結合され、終端抵抗5に接続される。 In FIG. 1, two DUTs are shown as ICs to be inspected (DUTs) 1-1 and 1-2, and a case where two DUTs are measured simultaneously is shown as an example in order to improve inspection efficiency. Each DUT has a plurality of input terminals (IN1 to 3) and a plurality of output terminals (OUT1 to 3). Each input terminal is coupled so that signals can be input simultaneously, and is connected to the termination resistor 5.
この終端抵抗5は、検査装置本体が有する信号源8の信号源出力抵抗9とのマッチングを取るためのもので、50オームの値を使用する。各入力端子に同時に信号を入力するため入力端子の6本を結合したことにより、各DUTの入力端子が有する入力抵抗と終端抵抗5によるマッチングの影響が無視できなくなってしまう。その結果、IC交換のたびに微妙に入力信号が変化することになる。
The terminating resistor 5 is used for matching with the signal
一方、各々の出力端子は、各出力端子とつながるバッファ2、AC信号をDC信号に変換するRMS/DCコンバータ3、DUT1−1用高速スイッチ4−1とDUT1−2用高速スイッチ4−2、DUT選択用高速スイッチ4を介して1つの出力が選択され検査装置本体18に接続される。AC信号をDC信号に変換するRMS/DCコンバータ3は半導体技術を用いた変換装置を使用しており、AC信号の振幅に比例したDC信号に変換される。
On the other hand, each output terminal includes a
また、バッファ2の近くにRMS/DCコンバータ3を配置することにより、配線容量等による振幅の損失がない状態でDC信号に変換される。各高速スイッチは半導体技術を用いた電子スイッチを利用している。さらに、テストボード17から同軸ケーブル6,7を介して検査装置本体18にあるA/Dコンバータ11に接続することにより効率よく信号を伝える目的がある。DUT1−1用高速スイッチ4−1とDUT1−2用高速スイッチ4−2には、DUTの出力を切り換えるほかに入力信号を選択するためにも用いられる。
Further, by arranging the RMS /
また、各DUTへの入力信号を測定できる経路を設けた目的は、IC交換のたびに微妙に入力信号が変化する問題を解決し、バッファ2,各高速スイッチの損失,A/Dコンバータ11の精度に影響を受けず、DUTの振幅ゲインを正確に測定するためである。入力信号の測定経路が各DUTのそれぞれにあるのは、各々のDUTに近い配置にすることにより正確な入力信号の測定ができることと、DUT選択用高速スイッチ4の損失差の影響をなくすためである。そして、各高速スイッチは検査装置本体18内にあるタイミング制御部10によってオン/オフのタイミングを時間軸で正確に制御できる。
The purpose of providing a path through which the input signal to each DUT can be measured is to solve the problem that the input signal changes slightly each time the IC is replaced, and the
検査装置本体18内のA/Dコンバータ11はメモリ12に接続されA/Dコンバータ11より出力されたデータを取り込むことができる。さらに、メモリ12に取り込まれたデータの内容は、各入出力信号に相当するDC信号のレベルをレベル測定部14によって各対象ポイントで測定し、振幅変換部15により振幅に変換することができ、その結果は、判定部16によって規格と照合され良品/不良品の判定が行われる。
The A /
次に、図1に示す本実施の形態1におけるICの検査装置の動作について図2のフローチャートを参照しながら説明する。まず、各DUTの入力端子に同時に信号を入力する(Step101)。各出力端子に接続されたバッファ2を介してRMS/DCコンバータ3により、各々振幅に比例したDC信号に変換する(Step102)。A/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込みを開始する(Step103)。各々のRMS/DCコンバータ3にて変換されたDC信号を高速スイッチにより連続的に切り換えて複数の波形をメモリ12に記録する(Step104)。A/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込みを停止する(Step105)。メモリ12の内容から各出力端子に相当するDC信号を対象ポイントにおいてDCレベルを測定する(Step106)。各出力に相当するDCレベルを振幅変換するための演算を行う(Step107)。演算結果を規格と照合し判定を行う(Step108)。
Next, the operation of the IC inspection apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 1 will be described with reference to the flowchart of FIG. First, signals are simultaneously input to the input terminals of the respective DUTs (Step 101). Each of the signals is converted into a DC signal proportional to the amplitude by the RMS /
次に、図2のフローチャートの動作における各ポイントでの波形を図3(a),(b),(c),(d)に示す。図3において(a)〜(d)の4種類の波形は、図1に示す測定点Jの各DUTの出力端子部分でバッファ2の入力信号(a)のAC信号、図1に示す測定点Kのバッファ2の出力信号(b)、図1に示す測定点LのRMS/DCコンバータ3の出力信号(c)、図1に示す測定点MのA/Dコンバータ入力信号(d)である。その他にメモリ取り込みタイミング、DCレベル測定ポイント(P1)〜(P8)を併記する。
Next, waveforms at each point in the operation of the flowchart of FIG. 2 are shown in FIGS. 3 (a), (b), (c), and (d). 3, the four types of waveforms (a) to (d) are the AC signal of the input signal (a) of the
次に本実施の形態1と従来の違いを述べる。従来の場合、各DUTの各出力を順番にリレーを切り換えて、リレーの切り換えに必要な時間を待ち、各出力毎にメモリ取り込みを行ってDSP演算処理を行っていたため、リレーの切り換え「wait」時間、DSP演算処理にかかる時間が必要で検査時間を多く要していた。 Next, the difference between the first embodiment and the prior art will be described. In the conventional case, each output of each DUT is switched in order, waiting for the time required for switching the relay, and taking the memory for each output and performing DSP arithmetic processing, so the relay switching “wait” Time and time required for DSP calculation processing are required, and much inspection time is required.
本実施の形態1の場合、まず各DUTの各出力信号,入力信号をAC信号からDC信号にテストボード17上で変換することにより、今までのDSP演算処理部13による振幅演算の必要がない。また、A/Dコンバータ11からの変換データをメモリ12に取り込む量もDCレベルを対象ポイントで測定するだけなので少なく取り込むことができる。さらに、高周波信号の場合でも各入出力端子の近くでAC信号をDC信号に変換するため配線容量等による損失を大幅に軽減することができ、精度の高いゲイン測定ができる。
In the case of the first embodiment, first, each output signal and input signal of each DUT is converted from an AC signal to a DC signal on the
次に、検査装置のタイミング制御部10によって、A/Dコンバータ11から変換データのメモリ12への取り込み開始及び終了の制御,高速スイッチの制御を総括的に行い、各々のRMS/DCコンバータ3のDC信号出力を高速に切り換えて複数の信号波形をメモリ12に連続的に記録するため、従来のリレーの切り換えに必要だった「wait」時間は不必要となり、検査時間を短縮することができる。したがって、高速で高品質な検査を提供することができる。
Next, the
図4は本発明の実施の形態2におけるICの検査装置を示す構成図である。図4において、前述した実施の形態1と異なるところはDUTの個数が3個以上ある場合を例としている。しかし、基本的な作用効果は実施の形態1と同様であり、検査時間を短縮し、高速で高品質な検査を行うことができる。
FIG. 4 is a block diagram showing an IC inspection apparatus according to
図5は本発明の実施の形態3におけるICの検査装置を示す構成図である。図5において、前述した実施の形態1と異なるところはDUTの個数が1個で、入出力端子が3系統以上の端子がある場合を例としている。その結果、DUTを切り換えるDUT選択用高速スイッチ4はない。しかし、本実施の形態3の場合もまた基本的な作用効果は実施の形態1と同様であり、検査時間を短縮し、高速で高品質な検査を行うことができる。
FIG. 5 is a block diagram showing an IC inspection apparatus according to
本発明に係る半導体集積回路の検査装置及び検査方法は、高周波信号でも配線容量等の損失を大幅に軽減して、テストボード上でAC信号振幅に比例したDC信号に変換して演算処理を削減し、さらに、メモリへの記録容量も少なく取り込むことができ、また、タイミング制御部により、A/D変換データのメモリへの取り込み開始及び終了とDC信号を切り換える高速スイッチの制御を総括的に行い、DC信号を高速に切り換えて複数の信号波形を連続的にメモリに記録でき、従来のリレー切り換えの「wait」時間を不要とし、検査時間を短縮して高速で高品質な検査ができ、被検査半導体集積回路における検査装置及び方法として有用である。 The inspection apparatus and inspection method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention greatly reduces the loss of wiring capacitance and the like even for a high-frequency signal, and converts it into a DC signal proportional to the AC signal amplitude on the test board, thereby reducing arithmetic processing. Furthermore, the recording capacity to the memory can be reduced, and the timing control unit comprehensively controls the start and end of the A / D conversion data to the memory and the high-speed switch for switching the DC signal. , DC signals can be switched at high speed, and multiple signal waveforms can be recorded continuously in memory, eliminating the “wait” time of conventional relay switching, reducing inspection time, enabling high-speed and high-quality inspection, It is useful as an inspection apparatus and method in an inspection semiconductor integrated circuit.
1 DUT(被検査半導体集積回路)
2 バッファ
3 RMS/DCコンバータ
4 DUT選択用高速スイッチ
5 終端抵抗
6,7 同軸ケーブル
8 信号源
9 信号源出力抵抗
10 タイミング制御部
11 A/Dコンバータ
12 メモリ
13,13’ DSP演算処理部
14 レベル測定部
15 振幅変換部
16 判定部
17 テストボード
18 検査装置本体
19 出力切換用リレー
20 DUT切換用リレー
1 DUT (Semiconductor Integrated Circuit)
2
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|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112051461A (en) * | 2019-06-06 | 2020-12-08 | 基思利仪器有限责任公司 | Interconnect system with high current and low leakage capability |
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