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JP2006030320A - グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 - Google Patents

グレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法 Download PDF

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JP2006030320A JP2004205309A JP2004205309A JP2006030320A JP 2006030320 A JP2006030320 A JP 2006030320A JP 2004205309 A JP2004205309 A JP 2004205309A JP 2004205309 A JP2004205309 A JP 2004205309A JP 2006030320 A JP2006030320 A JP 2006030320A
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Abstract

【課題】透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクとして、半透光部の透過率分布が良好で、透光部と隣接する遮光部のパターン断面形状が良好で、透光部のパターン精度が良好なグレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスク１０であって、前記パターンは、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有し、前記遮光部は、遮光部を形成する遮光膜１３ａと、該遮光膜１３ａ上の、前記透光部との隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に形成された半透光膜１２ａとが積層されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）の製造に用いる薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板と呼ぶ）等に好適に使用されるグレートーンマスクの製造方法に関する。
ＴＦＴ−ＬＣＤは、ＣＲＴ（陰極線管）に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在商品化が急速に進んでいる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応して、レッド、グリーン、及びブルーの画素パターンが配列されたカラーフィルターが液晶相の介在の下に重ね合わされた概略構造を有する。ＴＦＴ−ＬＣＤでは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも５〜６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。
このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法、即ち２種の膜厚のフォトレジストパターンを用いる方法によりフォトリソグラフィ工程数を低減する方法が提案されている。
例えば、特許文献１には、ソース電極とドレイン電極の間（チャネル部）の第１の厚さを有するフォトレジストと、第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有するフォトレジストと第１の厚さよりも薄い第３の厚さ（厚さゼロを含む）を有するフォトレジストとを用いる工程を有するものが開示されている。
さらに、特許文献１には、この２種類の膜厚を有するフォトレジストパターンを形成する方法として、２つの方法、即ち、（１）透光部、遮光部、及び半透光部を有するグレートーンマスクを用いる方法、及び（２）レジストのリフローによってレジストを変形する方法が開示されている。
上記したグレートーンマスクとしては、半透光部を、マスクが使用される露光装置の解像度よりも小さいパターン、例えばスリットや格子形態のパターンにより形成するか、半透光膜を設けて、光の照射量を調節する方法があり、半透光膜の場合は、遮光性クロム層を完全に除去せず一定の厚さほど残して、この部分を通って入る光の照射量が減少するようにする。
図８（ａ）は、ソース電極及びドレイン電極に対応する領域を遮光部２０４とし、それらの間のチャネル部に対応する領域をスリット形状の半透光部２０３とした例であり、図８（ｂ）は、前記チャネル部に対応する領域を半透光膜で形成した例である。
特許文献１に記載された、チャネル部に対応する領域を半透光部としたグレートーンマスクを、先行例１と呼ぶ。
一方、ＴＦＴ基板の製造方法の別の例として、例えば、特許文献２には、グレートーンマスクを用いる方法とレジストをリフローにより変形する方法の両方を組み合わせて用いたＴＦＴ基板の製造方法が開示されている。
以下、図９を用いて、特許文献２に記載された方法の一例を説明する。
図９（ａ）に示したように、ガラス基板１０１上にゲート電極１０２を形成し、ガラス基板１０１上に、ゲート電極１０２を覆ってゲート絶縁膜１０３を形成し、ゲート絶縁膜１０３上に、シリコン膜１０４，ｎ+シリコン膜１０５，金属膜１０６を順次堆積して積層する。
次に、金属膜１０６上にポジ型のフォトレジストを塗布してレジスト膜１０７を形成し、図９（ｂ）に示すように、レジスト膜１０７に対し、グレートーンマスク２０１を介して露光光を照射する。図９は、グレートーンマスクの平面図である。遮光部２０４は、ソース電極及びドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接した領域に対応して形成され、ソース電極及びドレイン電極の残りの部分は半透光部２０３から形成され、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル部は透光部２０５で形成されている。
次に、露光後のポジ型のフォトレジストを現像すると、厚マスクパターン１０７ａ部分は、ほとんど溶解せずに残り、薄マスクパターン１０７ｂ部分は、ある程度溶解し、他の部分は全て溶解して無くなる。この結果、図９（ｃ）に示すように、膜厚の厚い厚マスクパターン１０７ａと、膜厚の薄い薄マスクパターン１０７ｂが同時に形成できる。
次に、厚マスクパターン１０７ａおよび薄マスクパターン１０７ｂをマスクとしてエッチングを行うことで、図９（ｄ）に示すように、シリコン膜１０４上に、オーミックコンタクト層１０５ａ，１０５ｂおよびソース電極１０６ａ，ドレイン電極１０６ｂを形成する。
オーミックコンタクト層１０５ａ，１０５ｂを形成した後、加熱等により、厚マスクパターン１０７ａと薄マスクパターン１０７ｂとをリフローさせる。このことにより、有機樹脂である各マスクパターンは、シリコン膜１０４平面に広がり、オーミックコンタクト層１０５ａとオーミックコンタクト層１０５ｂの間のシリコン膜１０４上では、厚マスクパターン１０７ａと厚マスクパターン１０７ｂとがつながり、図９（ｅ）及び図１１の平面図に示すように、リフローマスクパターン１０８が形成される。尚、図９（ｅ）は、図１１のｘ−ｘ断面を示している。
つぎに、リフローマスクパターン１０８をマスクとしてシリコン層１０４をエッチング除去し、リフローマスクパターン１０８を除去することで、半導体島上に、オーミックコンタクト層１０５ａ，１０５ｂおよびソース電極１０６ａ，ドレイン電極１０６ｂが形成された状態が得られる（図示せず）。この後、パッシベーション膜を形成し、ソース電極１０６ａ，ドレイン電極１０６ｂ上に各々コンタクトホールを形成し、これらコンタクトホール底部でソース電極１０６ａに接続する画素電極、ドレイン電極１０６ｂに接続する端子部電極を形成する（図示せず）。
特許文献２に記載された、ソース電極及びドレイン電極の対向部分を除く領域が半透光部となるグレートーンマスクを、先行例２と呼ぶ。
特開２０００−１６５８８６号公報 特開２００２−２６１０７８号公報
上述の先行例２に記載されたような、ソース電極及びドレイン電極の対向部分を除く領域が半透光部となるグレートーンマスクは、半透光部が占める面積が広いため、マスクが使用される露光装置の解像度よりも小さい微細パターンにより半透光部を形成したのでは、広範囲での高精度の微細パターンが得られないと半透光部において均一な透過率分布が悪化してしまうという問題点がある。
そのため、半透光部を半透光膜で形成することを想定すると、例えば、図１２に示されるような構造が考えられる。
図１２（Ａ）に示されるグレートーンマスク２００は、遮光部が、半透光膜とその上の遮光膜から形成されている構造である（以下、従来構造例Ａと呼ぶ）。従来構造例Ａのグレートーンマスクは、図１４に示される方法により製造することができる（以下、従来製造例Ａと呼ぶ）。
即ち、まず、半透光膜２１２及び遮光膜２１３が順次形成されたマスクブランク２１４を用意する（図１４（ａ）参照）。
次に、マスクブランク２１４上に例えば電子線或いはレーザ描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜２１５を形成する（図１４（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。描画後、これを現像して、マスクブランク上にレジストパターン２１５ａを形成する（図１４（ｃ）参照）。
次に、形成されたレジストパターン２１５ａをマスクとして、遮光膜２１３をエッチングして、引続き、半透光膜２１２をエッチングする。残存するレジストパターン２１５ａは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（図１４（ｄ）参照）。
次に、再び全面に前記レジストを塗布してレジスト膜２１６を形成する（図１４（ｅ）参照）。そして、２回目の描画を行う。描画後、これを現像して、遮光膜パターンを形成するためのレジストパターン２１６ｂを形成する（図１４（ｆ）参照）。次に、形成されたレジストパターン２１６ｂをマスクとして、露出した半透光膜上の遮光膜をエッチングにより除去する。これにより、遮光部は半透光部と画され、半透光部及び遮光部が形成される（図１４（ｇ）参照）。そして、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図１４（ｈ）参照）。
上述の従来製造例Ａにおいては、図１４（ｇ）に示される遮光膜のエッチングおいて、遮光膜のエッチングに対し下地の半透光膜が耐性を有することが必要となる。そのため、遮光膜と半透光膜とはエッチング特性が異なる材料の組み合わせを選択する必要があり、材料選択の幅が制約されるという問題点がある。
次に、図１２（Ｂ）に示されるグレートーンマスクは、遮光部が、遮光膜とその上の半透光膜で形成されている（以下、従来構造例Ｂと呼ぶ）。従来構造例Ｂのグレートーンマスクは、図１５に示される方法により製造することができる（以下、従来製造例Ｂ−１と呼ぶ）。
即ち、まず、透明基板２１１上に、遮光膜２１３を形成したマスクブランク２２４を用意する（図１５（ａ）参照）。
このマスクブランク２２４上に、例えばレーザ又は電子線描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜２１５を形成する。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部及び遮光部に挟まれた半透光部に対応する第１のレジストパターン２１５ａを形成する（図１５（ｂ）参照）。
次に、形成された第１のレジストパターン２１５ａをマスクとして、遮光膜２１３をウェット又はドライエッチングして、遮光部に対応するパターン２１３ａを形成する（図１５（ｃ）参照）。残存するレジストパターン２１５ａは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（図１５（ｄ）参照）。
次に、全面に、半透光膜２１２を形成する（図１５（ｅ）参照）。次に、半透光膜２１２上にレジストを塗布して半透光膜パターンを形成するためのレジスト膜２１６を形成する（図１５（ｆ）参照）。そして、２回目の描画を行う。描画後、これを現像して、少なくとも半透光部に対応する第２のレジストパターン２１６ａを形成する（図１５（ｇ）参照）。
次に、形成されたレジストパターン２１６ａをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜２１２及び遮光膜２１３ａを連続的にウェット又はドライエッチングにより除去し、半透光膜パターン２１２ａ及び遮光膜パターン２１３ｂを形成する。これにより、半透光部及び遮光部は透光部と画され、半透光部、遮光部及び透光部が形成される。なお、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図１５（ｈ）参照）。
上述の従来製造例Ｂ−１によれば、半透光部は、半透光部に対応する領域を露出させた透明基板上に直接半透光膜が成膜されているため、従来構造例１のように半透光部を形成する場合に、上層の遮光膜のみをエッチングにより除去して下層の半透光膜を露出させる必要がなくなり、それゆえ遮光膜と半透光膜を共に、例えばクロム／クロム化合物といったような、エッチング特性が同じか類似した膜材料で形成することもでき、膜材料の選択の幅が広がる。しかしながら、チャネル部に対応する透光部の形成において、遮光膜と半透光膜を連続的にエッチングを行う際に、遮光膜と半透光膜を合わせた総膜厚が大きくなることから、パターンの断面形状が良好なパターンを形成することが困難であった。特に、遮光膜として反射防止膜付き遮光膜を用いた場合、下層部分と反射防止層の部分とでエッチング速度が異なる。そのような場合、表面反射防止層を考慮して遮光膜をエッチングした際のパターン断面形状が良好となるように遮光膜材料やエッチング条件をコントロールすることは可能であるが、半透光膜との積層膜でコントロールすることが困難であった。その結果、高精度のチャネル部に対応したパターンを形成することができず、ＴＦＴの製造に用いた際にＴＦＴの性能に悪影響を及ぼしてしまうという問題点があった。
さらに、従来構造例２の製造方法としては、次のような図１６に示す方法がある（以下、従来製造例Ｂ−２と呼ぶ）。
即ち、透明基板２１１上に、遮光膜２１３を形成したマスクブランク２２４を用意する（図１６（ａ）参照）。
このマスクブランク上に、例えばレーザ又は電子線描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜２１５を形成する。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部に対応する第１のレジストパターン２１５ａを形成する（図１６（ｂ）参照）。
次に、形成された第１のレジストパターン２１５ａをマスクとして、遮光膜２１３をウェット又はドライエッチングして、遮光部に対応するパターン２１３ａを形成する（図１６（ｃ）参照）。残存するレジストパターン２１５ａは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（図１６（ｄ）参照）。
次に、全面に、半透光膜２１２を形成する（図１６（ｅ）参照）。次に、半透光膜２１２上にレジストを塗布して半透光膜パターンを形成するためのレジスト膜２１６を形成する（図１６（ｆ）参照）。そして、２回目の描画を行う。描画後、これを現像して、少なくとも半透光部に対応する第２のレジストパターン２１６ａを形成する（図１６（ｇ）参照）。
次に、形成されたレジストパターン２１６ａをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜２１２をウェット又はドライエッチングにより除去する。これにより、半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される。なお、残存するレジストパターン２１６ａは酸素アッシング等を用いて除去する（図１６（ｈ）参照）。
上述の従来製造例Ｂ−２によれば、従来製造例Ｂ−１のように、チャネル部に対応する透光部を形成する際に、半透光膜と遮光膜を連続してエッチングするのではなく、半透光膜のみをエッチングするため、パターンの断面形状が良好なパターンとすることができる。
しかしながら、従来製造例Ｂ−２においては、半透光部の形成と遮光部の形成と、別々のフォトリソ工程を用いる必要がある。このように、２回描画を行う際には、１回目の描画とパターンずれが起きないようにアライメントをとって２回目の描画を行うが、アライメント精度には限界がありアライメントずれを完全になくすことは困難である。従って、半透光部を半透光膜とした場合、２回描画のアライメントずれ等の理由により、良好なパターンが得られなくなる場合があるという問題点があった。
図１３は、図１２（Ｂ）の点線で囲まれた部分の拡大図である。図１３（ａ）は、アライメントずれを起こさなかった例であり、図１３（ｂ）及び（ｃ）は、図１３（ａ）の半透光部２０３と遮光部２０４とが、位置ずれを起こした例である。この例のように、半透光部が左右に位置ずれを起こした場合、チャネル部に対応する透光部２０５の幅が設計値と変わってしまい、ＴＦＴ基板の特性が変わってしまうという不具合が生じてしまう。このように、ＴＦＴで特に重要なチャネル部を精度よく形成することができるグレートーンマスクが得られない場合があるという問題点があった。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、上記先行例２のグレートーンマスクのような、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクとして、半透光部の透過率分布が良好で、透光部と隣接する遮光部のパターン断面形状が良好で、透光部のパターン精度が良好なグレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、上記先行例２のグレートーンマスク、即ち、薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、チャネル部に対応する部分を含む他の領域に形成された透光部とを有し、少なくとも前記遮光部によって形成されたレジストパターンを変形する工程を有する薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクとして、半透光部の透過率分布が良好で、チャネル部に対応する透光部に隣接する遮光部のパターン断面形状が良好で、かつチャネル部に対応するパターンのパターン精度が良好なグレートーンマスク及びグレートーンマスクの製造方法を提供することを目的とする。
（構成１）遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクにおいて、前記パターンは、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有し、前記遮光部は、遮光部を形成する遮光膜と、該遮光膜上の、前記透光部との隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に形成された半透光膜とが積層されていることを特徴とするグレートーンマスク。
（構成２）薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、前記遮光部と隣接するチャネル部に対応する透光部とを少なくとも有する、薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクであって、前記遮光部は、遮光部を形成する遮光膜と、該遮光膜上の、前記透光部との隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に形成された半透光膜とが積層されていることを特徴とするグレートーンマスク。
（構成３）遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクであって、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、次いで、前記遮光部が形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、次いで、半透光膜パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程を含む半透光膜パターン形成工程とを有し、前記第１の描画パターンは、前記遮光部に対応するパターンであり、第２の描画パターンは、前記半透光部と、前記遮光部の内の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンであることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
（構成４）薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、前記遮光部と隣接するチャネル部に対応する透光部とを少なくとも有する、薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、次いで、前記遮光部が形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、次いで、半透光膜パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程を含む半透光膜パターン形成工程とを有し、前記第１の描画パターンは、前記遮光部に対応するパターンであり、第２の描画パターンは、前記半透光部と、前記遮光部の内の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンであることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
（構成５）遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクであって、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に、少なくとも半透光膜、遮光膜が積層されたマスクブランクを準備する工程と、遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、半透光膜パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程を含む半透光膜パターン形成工程とを有し、前記第１の描画パターンは、前記遮光部に対応するパターンであり、第２の描画パターンは、前記半透光部と、前記遮光部の内の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンであることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
（構成６）薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、前記遮光部と隣接するチャネル部に対応する透光部とを少なくとも有する、薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも半透光膜、遮光膜が積層されたマスクブランクを準備する工程と、
遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、半透光膜パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程を含む半透光膜パターン形成工程とを有し、前記第１の描画パターンは、前記遮光部に対応するパターンであり、第２の描画パターンは、前記半透光部と、前記遮光部の内の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンであることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
本発明のグレートーンマスクによれば、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクとして、半透光部を半透光膜で形成することから半透光部の透過率分布を得ることができる。また、透光部と隣接する遮光部が、遮光膜のみのエッチングにより形成されているため、透光部と隣接する遮光部の断面形状が良好なパターンが得られる。さらに、前記遮光部を、遮光部を形成する遮光膜と、該遮光膜上の、前記透光部との隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に形成された半透光膜とが積層するようにしたので、透光部のパターン精度が良好なグレートーンマスクを得ることができる。
さらに、本発明のグレートーンマスクによれば、薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、チャネル部に対応する部分を含む他の領域に形成された透光部とを有する薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクとして、半透光部を半透光膜で形成することから半透光部の透過率分布を得ることができる。また、透光部と隣接する遮光部が、遮光膜のみのエッチングにより形成されているため、チャネル部と隣接する遮光部の断面形状が良好なパターンが得られる。さらに、前記遮光部を、遮光部を形成する遮光膜と、該遮光膜上の、前記透光部との隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に形成された半透光膜とが積層するようにしたので、チャネル部に対応する透光部のパターン精度が良好なグレートーンマスクを得ることができる。
さらに、本発明のグレートーンマスクの製造方法によれば、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクとして、半透光部を半透光膜で形成することから半透光部の透過率分布を得ることができる。また、透光部と隣接する遮光部が、遮光膜のみのエッチングにより形成されているため、透光部と隣接する遮光部の断面形状が良好なパターンが得られる。さらに、半透光膜パターンを形成するための第２の描画データを、半透光部と、遮光部の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンとすることによって、透光部のパターン精度が良好なグレートーンマスクを製造することができる。
さらに、グレートーンマスクの製造方法によれば、薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、チャネル部に対応する部分を含む他の領域に形成された透光部とを有する薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクの製造方法として、半透光部を半透光膜で形成することから半透光部の透過率分布を得ることができる。また、透光部と隣接する遮光部が、遮光膜のみのエッチングにより形成されているため、チャネル部と隣接する遮光部の断面形状が良好なパターンが得られる。さらに、半透光膜パターンを形成するための第２の描画データを、半透光部と、遮光部の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンとすることによって、チャネル部のパターン精度が良好なグレートーンマスクを製造することができる。
以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態１に係るグレートーンマスクの、ＴＦＴ基板におけるソース電極及びドレイン電極付近のパターンを示す断面図であり、図２（ａ）は、図１の点線で囲まれた部分の拡大図である。
図１及び図２に示されているように、本実施の形態では、石英等の透明基板１１上に、ソース電極及びドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接した領域に遮光膜パターン１３ａが形成され、ソース電極及びドレイン電極とチャネル部の隣接部における前記電極側のマージン領域１７を除く遮光膜上の領域及びソース電極及びドレイン電極部に半透光膜パターン１２ａが形成されている。即ち、遮光膜パターン１３ａ及びマージン領域１７を除く遮光膜上の領域に形成された半透光膜パターン１２ａと積層された部分が遮光部、遮光部以外の半透光膜が形成された領域が半透光部、半透光膜１２ａも遮光膜１３ａも形成されていない領域が透光部である。
次に、上記グレートーンマスクを製造する方法について図３を用いて説明する。
本実施の形態では、まず、図３（ａ）に示すように、石英等からなる、主表面のサイズが４５０ｍｍ×５５０ｍｍの大型透明基板１１上に、例えばＣｒ系材料からなる遮光膜１３を形成したマスクブランク１４を用いる。
このマスクブランク上に、例えばレーザ又は電子線描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜１５を形成する（図３（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。描画データ（第１の描画データ）は、図２に示す、ソース電極とドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接する領域に対応する遮光膜パターン１３ａに対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部に対応する第１のレジストパターン１５ａを形成する。
尚、本実施の形態のグレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板製造工程においては、先行例２のグレートーンマスクと同様、ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を所定の間隔で形成するため、ゲート電極とソース及びドレイン電極のアライメントをとる必要があるため、ゲート電極とのアライメントに関係するマーク（露光の際の位置合わせマーク、位置精度確認用マーク等）をマスク上に設ける必要がある。その場合、ソース電極とドレイン電極に挟まれたチャネル部をゲート電極とが正確に位置合わせされることが重要であることから、ソース電極とドレイン電極の最もチャネル部側に形成される薄膜パターンと相関のとれたマークを、フォトマスクのパターン領域外に設けることが好ましい。本発明では、ソース電極とドレイン電極の最もチャネル部側に形成される薄膜パターンは、遮光膜パターンである。従って、本実施の形態においては、前記工程において、遮光膜パターンを形成するための描画データ（第１の描画データ）に、ゲート電極とのアライメントに関係するマークを含め、遮光膜パターンの形成と同じにマークの形成も行い、以降の工程において、遮光膜パターンと同様に、遮光膜により形成されたマークパターンを形成することができる。
次に、形成された第１のレジストパターン１５ａをマスクとして、遮光膜１３をウェット又はドライエッチングして、遮光部に対応するパターン１３ａを形成する（図３（ｃ）参照）。遮光膜１３がＣｒ系材料からなる場合、ウェットエッチングには、例えば硝酸第２セリウムアンモニウムと過酸素塩を混合させて希釈したエッチング液等を用いることが出来、ドライエッチングには、Ｃｌ２＋Ｏ２等の塩素系ガスを含むドライエッチングガスを用いることができる。残存するレジストパターン１５ａは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（図３（ｄ）参照）。
次に、全面に、半透光膜１２を形成する（図３（ｅ）参照）。次に、半透光膜１２上にレジストを塗布して半透光膜パターンを形成するための第２のレジスト膜１６を形成する（図３（ｆ）参照）。そして、２回目の描画を行う。この時の描画データ（第２の描画データ）は、ソース電極及びドレイン電極とチャネル部の隣接部における前記電極側のマージン領域１７を除くソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、少なくとも半透光部に対応する第２のレジストパターン１６ａを形成する（図３（ｇ）参照）。尚、このマージン領域は、２回描画のアライメント精度を考慮して、想定されるアライメントずれよりも大きいチャネル部側からの幅とする。但し、マージン領域が大きいと、露出した遮光膜による高い光反射がマスク使用時に問題となる可能性が考えられるため、必要以上に大きくすることは好ましくない。従って、本実施の形態の場合、０．１〜１μｍの範囲で設定することが好ましい。
次に、形成された第２のレジストパターン１６ａをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜１２をウェット又はドライエッチングにより除去する。これにより、半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される。なお、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図３（ｈ）参照）。
以上のようにして図１に示す本実施の形態のグレートーンマスク１０が出来上がる。
図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、図２（ａ）の理想構造に対し、上記方法において、第１の描画パターンによる描画と、第２の描画パターンによる描画とが、アライメントずれを起こしたケースを想定した例であり、図２（ｂ）は第１の描画パターンに対して第２の描画パターンが図中右側に、図２（ｃ）は第１の描画パターンに対して第２の描画パターンが図中左側にずれた例である。これらの図に示されるように、本実施の形態におけるグレートーンマスクでは、第２の描画データは、ソース電極及びドレイン電極とチャネル部の隣接部における前記電極側のマージン領域１７を除くソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータであり、これによりチャネル部側にマージン領域を設けて半透光膜パターン１２ａを形成しているため、アライメントずれが発生してもチャネル部に対応するパターン寸法精度を悪化させることがない。
従って、本実施の態様によれば、ＴＦＴ特性上重要なパターンを高精度で形成できるので、高品質のグレートーンマスクを提供することができる。
尚、遮光膜１３の材質としては、薄膜で高い遮光性が得られるものが好ましく、例えばＣｒ，Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられる。尚、遮光膜１３は、表面又は表裏面に、例えば前記金属の酸化物からなる反射防止層を有するものとすることによって、レーザ描画を行う際の描画精度が良好となり好ましい。さらに、遮光膜１３は、エッチングによる断面形状が良好となるようにエッチング速度を順次調整するために組成を変更した多層膜又は組成傾斜膜であってもよい。また、半透光膜１２の材質としては、薄膜で、透光部の透過率を１００％とした場合に透過率５０％程度の半透光性が得られるものが好ましく、例えばＣｒ化合物（Ｃｒの酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物など）、ＭｏＳｉ、Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられる。Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等は、その膜厚によって高い遮光性も得られ、或いは半透光性も得られる材質である。また、形成されるマスクの遮光部は半透光膜１２と遮光膜１３の積層となるため、遮光膜単独では遮光性が足りなくても半透光膜と合わせた場合に遮光性が得られれば良い。なお、ここで透過率とは、グレートーンマスクを使用する例えば大型ＬＣＤ用露光機の露光光の波長に対する透過率のことである。半透光膜の透過率は５０％程度に限定される必要は全くない。半透光部の透過性をどの程度に設定するかは設計上の問題である。
遮光膜１３と半透光膜１２の材質は、互いにエッチング特性が同じ又は類似したものであっても良いが、半透光膜をエッチングする際の遮光膜のサイドエッチングや、マージン領域を形成する際の下地の遮光膜の削れを考慮すると、半透光膜のエッチングの際に遮光膜が耐性を有する材料とすることが好ましい。また、上記したサイドエッチングや下地の削れを防止するために、半透光膜を形成する前に、エッチングストッパー層を設けてもよい。エッチングストッパー層としては、例えばＳｉＯ２又はＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等を用いることができる。これらの材質は透過性が良好であり、半透光部に介在してもその透過特性を損なわないため除去しないでおくことも可能である。
次に、本発明の実施の形態２を説明する。尚、実施の形態２は、本発明を、図１１（Ａ）に示した構造のグレートーンマスクの製造方法に適用した例である。
本実施の形態で使用するマスクブランク２４は、図４（ａ）に示すように、石英等からなる、主表面のサイズが４５０ｍｍ×５５０ｍｍの大型透明基板１１上に、遮光膜材料とエッチング選択性を有する材料からなる半透光膜１２及び例えばクロム系材料からなる遮光膜１３を順次形成したものである。
上記マスクブランク２４は、透明基板１１上に半透光膜１２及び遮光膜１３を順次成膜することで得られるが、成膜方法は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。また、膜厚に関しては、特に制約はないが、要は良好な遮光性或いは半透光性が得られるように最適化された膜厚で形成すればよい。
次に、このマスクブランク２４上に例えば電子線或いはレーザ描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜１５を形成する（図４（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。描画データ（第１の描画データ）は、図２に示す、ソース電極とドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接する領域に対応する遮光膜パターン１３ａに対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部に対応する第１のレジストパターン１５ａを形成する（図４（ｂ）参照）。
尚、ゲート電極とのアライメントに関係するマークの形成については、前記工程において、遮光膜パターンを形成するための描画データ（第１の描画データ）に、ゲート電極とのアライメントに関係するマークを含め、半透光膜パターンの形成と同時にマークの形成も行い、以降の工程において、半透光膜パターンと同様に、半透光膜により形成されたマークパターンを形成することができる。
次に、形成されたレジストパターン１５ａをマスクとして、遮光膜１３をドライエッチングして、遮光部に対応する遮光膜パターン１３ａを形成する（図４（ｃ）参照）。遮光膜１３がＣｒ系材料からなる場合、塩素ガスを用いたドライエッチングを用いることが出来る。遮光部に対応する領域以外は、遮光膜１３のエッチングにより下地の半透光膜１２が露出した状態である。残存するレジストパターン１５ａは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（図４（ｄ）参照）。
次に、再び全面に前記レジストを塗布して第２のレジスト膜１６を形成する（図４（ｅ）参照）。そして、２回目の描画を行う。この時の描画データ（第２の描画データ）は、図２に示すソース電極及びドレイン電極とチャネル部の隣接部における前記電極側のマージン領域１７を除くソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、半透光膜パターンを形成するためのレジストパターン１６ａを形成する（図４（ｆ）参照）。尚、このマージン領域の幅は、実施の形態１と同様である。
次に、形成されたレジストパターン１６ａ及び遮光膜パターン１３ａをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜１２をドライエッチングにより除去する。この場合、遮光膜パターン１３ａは、半透光膜１２のエッチングに対して耐性を有するため、半透光膜１２は遮光膜パターン１３ａに沿ってエッチングされる。これにより、半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される（図４（ｇ）参照）。そして、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図４（ｈ）参照）。
以上のようにして本実施の形態のグレートーンマスクが出来上がる。
図５は、図４の（ｆ）と（ｇ）の点線が囲まれた部分の拡大図であり、図５（ａ）の理想構造に対し、上記方法において、第１の描画パターンによる描画と、第２の描画パターンによる描画とが、アライメントずれを起こしたケースを想定した例であり、図５（ｂ）は第１の描画パターンに対して第２の描画パターンが図中右側に、図５（ｃ）は第１の描画パターンに対して第２の描画パターンが図中左側にずれた例である。これらの図に示されるように、本実施の形態におけるグレートーンマスクでは、第２の描画データは、ソース電極及びドレイン電極とチャネル部の隣接部における前記電極側のマージン領域１７を除くソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータであり、これによりチャネル部側にマージン領域を設けて第２のレジストパターン１６ａを形成しているため、アライメントずれが発生してもチャネル部に対応するパターン寸法精度を悪化させることがない。
一方、図６は、比較のため、上記方法において、第２の描画パターンにおいて、マージン領域を設けずに、ソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータとした場合について示す図である。即ち、図６（ａ）の理想構造に対し、上記方法において、第１の描画パターンによる描画と、第２の描画パターンによる描画とが、アライメントずれを起こしたケースを想定した例であり、図６（ｂ）は第１の描画パターンに対して第２の描画パターンが図中右側に、図６（ｃ）は第１の描画パターンに対して第２の描画パターンが図中左側にずれた例である。
これらの図に示されるように、マージン領域を設けなかった例においては、アライメントずれの発生により、チャネル部に対応するパターン精度を悪化させてしまう。
このように、本実施の形態によれば、ＴＦＴ特性上重要なパターンを高精度に形成させるので、高品質のグレートーンマスクを提供することができる。
尚、上記実施の形態２において、遮光膜１３の材質及び半透光膜１２の材質としては、実施の形態１と同様のものを用いることができる。但し、上記遮光膜１３と半透光膜１２の材質の組合せに関しては、互いの膜のエッチング特性が異なり、一方の膜のエッチング環境において他方の膜は耐性を有することが必要である。例えば、遮光膜１３をＣｒ，半透光膜１２をＭｏＳｉで形成した場合、Ｃｒ遮光膜を塩素系ガスを用いてドライエッチング又は硝酸第２セリウムアンモニウムと過酸素塩を混合させて希釈したエッチング液を用いてウェットエッチングすると、下地のＭｏＳｉ半透光膜との間では高いエッチング選択比が得られるので、ＭｏＳｉ半透光膜に殆どダメージを与えずにＣｒ遮光膜だけをエッチングにより除去することが可能である。さらに、上記遮光膜１３と半透光膜１２は、基板上に成膜したときに密着性が良好であることが望ましい。
また、遮光膜１３と半透光膜１２の材質は、互いにエッチング特性が同じ又は類似したものとし、半透光膜１３と遮光膜１２の間にエッチングストッパー層を設けたマスクブランクを用いることもできる。エッチングストッパー層としては、例えばＳｉＯ２又はＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等を用いることができる。これらの材質は透過性が良好であり、半透光部に介在してもその透過特性を損なわないため除去しないでおくことも可能である。
尚、上述の実施の形態では、遮光部のチャネル部側のみにマージン領域を設けた例について説明したが、図７に示すように、遮光部と透光部が隣接する他の部分についてもマージン領域１８を設けてもよい。マージン領域１８を設けることによって、Ｙ方向にアライメントずれが生じた場合であっても、遮光部から半透光膜がはみ出してしまうことも防止することができる。
尚、上記した実施の形態では、先行例２のＴＦＴ基板製造用のグレートーンマスクを例示したが、本発明は、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクに適用することができる。
実施の形態１に係るグレートーンマスクの断面図である。 実施の形態１に係るグレートーンマスクの部分拡大図である。 実施の形態１に係るグレートーンマスクの製造工程図である。 実施の形態２に係るグレートーンマスクの製造工程図である。 実施の形態２に係るグレートーンマスクの部分拡大図である。 比較例に係るグレートーンマスクの部分拡大図である。 他の実施の形態に係るグレートーンマスクの平面図である。 従来のグレートーンマスクの平面図である。 従来のＴＦＴ基板の製造工程図である。 従来のグレートーンマスクの平面図である。 従来の製造段階におけるＴＦＴ基板の平面図である。 従来のグレートーンマスクの断面図である。 従来のグレートーンマスクの部分拡大図である。 従来のグレートーンマスクの製造工程図である。 従来のグレートーンマスクの製造工程図である。 従来のグレートーンマスクの製造工程図である。
符号の簡単な説明
１０ グレートーンマスク
１１ 透明基板
１２ 半透光膜
１２ａ 半透光膜パターン
１３ 遮光膜
１３ａ 遮光膜パターン
１４ マスクブランク
１５、１６ レジスト膜

Claims (6)

  1. 遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクにおいて、
    前記パターンは、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有し、前記遮光部は、遮光部を形成する遮光膜と、該遮光膜上の、前記透光部との隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に形成された半透光膜とが積層されていることを特徴とするグレートーンマスク。
  2. 薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、前記遮光部と隣接するチャネル部に対応する透光部とを少なくとも有する、薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクであって、
    前記遮光部は、遮光部を形成する遮光膜と、該遮光膜上の、前記透光部との隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に形成された半透光膜とが積層されていることを特徴とするグレートーンマスク。
  3. 遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクであって、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクの製造方法において、
    透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、
    遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、
    次いで、前記遮光部が形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、
    次いで、半透光膜パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程を含む半透光膜パターン形成工程と
    を有し、
    前記第１の描画パターンは、前記遮光部に対応するパターンであり、第２の描画パターンは、前記半透光部と、前記遮光部の内の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンであることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
  4. 薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、前記遮光部と隣接するチャネル部に対応する透光部とを少なくとも有する、薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクの製造方法であって、
    透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、
    遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、
    次いで、前記遮光部が形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、
    次いで、半透光膜パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程を含む半透光膜パターン形成工程と
    を有し、
    前記第１の描画パターンは、前記遮光部に対応するパターンであり、第２の描画パターンは、前記半透光部と、前記遮光部の内の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンであることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
  5. 遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクであって、透光部、遮光部、及び半透光部が一方向にこの順に隣接しているパターンを有するグレートーンマスクの製造方法において、
    透明基板上に、少なくとも半透光膜、遮光膜が積層されたマスクブランクを準備する工程と、
    遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、
    半透光膜パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程を含む半透光膜パターン形成工程と
    を有し、
    前記第１の描画パターンは、前記遮光部に対応するパターンであり、第２の描画パターンは、前記半透光部と、前記遮光部の内の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンであることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
  6. 薄膜トランジスタ基板におけるソース電極及びドレイン電極に対応するパターンのソース電極及びドレイン電極の対向部分に形成された遮光部と、ソース電極及びドレイン電極の遮光部以外の部分に形成された半透光部と、前記遮光部と隣接するチャネル部に対応する透光部とを少なくとも有する、薄膜トランジスタ基板の製造工程において使用されるグレートーンマスクの製造方法であって、
    透明基板上に、少なくとも半透光膜、遮光膜が積層されたマスクブランクを準備する工程と、
    遮光膜パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、
    半透光膜パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程を含む半透光膜パターン形成工程と
    を有し、
    前記第１の描画パターンは、前記遮光部に対応するパターンであり、第２の描画パターンは、前記半透光部と、前記遮光部の内の少なくとも遮光部と透光部の隣接部における遮光部側の所望のマージン領域を除く領域に対応するパターンであることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
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