JP2004218021A - 銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤及び銅及び銅合金の表面の粗面処理法 - Google Patents
銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤及び銅及び銅合金の表面の粗面処理法 Download PDFInfo
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 55
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 54
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000007788 roughening Methods 0.000 title claims description 12
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 27
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 29
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 15
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 4
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N chembl1095986 Chemical compound C1[C@@H](N)[C@@H](O)[C@H](C)O[C@H]1O[C@@H]([C@H]1C(N[C@H](C2=CC(O)=CC(O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)=C2C=2C(O)=CC=C(C=2)[C@@H](NC(=O)[C@@H]2NC(=O)[C@@H]3C=4C=C(C(=C(O)C=4)C)OC=4C(O)=CC=C(C=4)[C@@H](N)C(=O)N[C@@H](C(=O)N3)[C@H](O)C=3C=CC(O4)=CC=3)C(=O)N1)C(O)=O)=O)C(C=C1)=CC=C1OC1=C(O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO[C@@H]5[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](C)O5)O)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)C4=CC2=C1 BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N (2s)-2-aminopentanedioic acid;hydrochloride Chemical class Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N 0.000 description 1
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
【課題】塩素イオンの混入による影響を受けず、レジストとの密着力の向上に必要な粗面化状態を得ることができる銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤を提供する。
【解決手段】表面処理剤を、水溶液の質量を基準として、過酸化水素1〜5質量%、硫酸3〜15質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.01〜1.5質量%及びシクロヘキシルアミン0.05〜5.0質量%を含有する水溶液で構成する。
【選択図】 なし
【解決手段】表面処理剤を、水溶液の質量を基準として、過酸化水素1〜5質量%、硫酸3〜15質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.01〜1.5質量%及びシクロヘキシルアミン0.05〜5.0質量%を含有する水溶液で構成する。
【選択図】 なし
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板等の製造に有用な銅及び銅合金の表面を粗面化するためのマイクロエッチング用表面処理剤、及びこの表面処理剤を使用する銅及び銅合金の表面の粗面処理法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント配線板の一般的な製造方法としては、銅張りした薄層板等の銅張基板を使用し、ドライフィルムなどのエッチングレジストによって、銅表面を適宜被覆し、露光及び現像した後、エッチング液に浸漬して銅表面の不要部分を除去し、残留部分の銅によって回路を形成すると共に、形成された回路の保護のため、銅表面にソルダーレジストを適宜被覆することからなる方法がよく知られている。
【0003】
エッチングレジスト又はソルダーレジストでの被覆に当たっては、レジストと銅表面との密着性を向上させるために、銅表面を粗面化している。銅表面を粗面化する方法としては、物理的にはバフ研摩、化学的にはマイクロエッチングが知られているが、特に、細線パターンを有するプリント配線板については、マイクロエッチングが一般的に用いられている。
【0004】
銅及び銅合金の表面のマイクロエッチングに使用される表面処理剤としては、硫酸、硝酸等の鉱酸と過酸化水素とを主成分とし、さらに、5−アミノテトラゾールを添加した水溶液でなるものが知られている(特許文献1参照)。
【0005】
一般に、鉱酸及び過酸化水素を主成分とする鉱酸−過酸化水素系処理液では、処理の間に、金属に対する溶解速度の著しい低下(老化とも称される)を生ずる。5−アミノテトラゾールは、このような老化の発生を抑制するために添加されている。
【0006】
また、過酸化水素、硫酸、プロピルアルコール及びシクロヘキシルアミンを含有するスプレーエッチング用表面処理剤も知られている(特許文献2参照)。
【0007】
この表面処理剤では、アルコールの添加によって、塩素イオンの混入による悪影響を受け難いものとするとともに、アミンを銅表面に吸着させることにより、銅表面の酸化速度を遅らせ、銅表面とレジストとの間における酸化物の介在を極端に低減させることによって、銅表面に対するレジストの密着性を増加せしめることを目的としており、スプレーエッチング後の酸洗浄を省略することが可能である。
【0008】
さらに、硫酸、過酸化水素及びリン酸に、アミンを添加してなる銅及び銅合金の化学研摩液も知られている(特許文献3参照)。
【0009】
このような化学研摩液において、アミンは、塩素等のハロゲンが系中に存在する場合において、得られる処理表面の光沢性及び曇り等の問題点及び研摩液の老化に関する問題点を解消する機能を果たす。
【特許文献1】
特開昭51−27819号公報
【特許文献2】
特開平5−295365号公報
【特許文献3】
特公昭53−32340号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の表面処理剤の内、過酸化水素−鉱酸−5−アミノテトラゾール系の表面処理剤は、塩素イオンが混入すると、エッチング能力が失われるため、その調製に当たっては、塩素イオンを含まない脱イオン水の使用が必須であり、塩素イオンを含有する水、例えば、水道水を使用できず、コストが高いとの課題がある。
【0011】
また、過酸化水素−硫酸−プロピルアルコール−シクロヘキシルアミン系の表面処理剤では、塩素イオン混入による悪影響は緩和されるものの、エッチング表面は、粗面化よりもむしろ平滑化しており、レジストとの充分な密着性が得られないとの課題がある。
【0012】
加えて、近年、特にビルドアップ法によるプリント回路板の製造では、基板の大きさが極端に小さくなり、この傾向は加速されてきており、小型になればなるほど、回路幅が微細化することにより、ドライフィルム及びソルダーレジストと回路との単位当たりの接触面積が少なくなり、上記の酸化物の介在防止による密着力の改善法では、カバーすることが困難な状況に至っている。
【0013】
さらに、硫酸−過酸化水素−リン酸−アミン系の化学研摩液は、銅又は銅合金の表面を研摩して、光沢のある平滑な表面を得るためのものであり、銅及び銅合金の表面をマイクロエッチングするための表面処理剤ではない。
【0014】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、鋭意研究を行った結果、過酸化水素及び硫酸を含有する水溶液に、5−アミノ−1H−テトラゾール及びシクロヘキシルアミンを含有させることによって、塩素イオンの混入に対して強く、レジストとの密着力向上に必要な銅及び銅合金の粗面化状態が得られることを見出し、本発明に至った。
【0015】
本発明によると、上記課題は、次のようにして解決される。
(1)銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤を、水溶液の質量を基準として、過酸化水素1〜5質量%、硫酸3〜15質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.01〜1.5質量%及びシクロヘキシルアミン0.05〜5.0質量%を含有する水溶液で構成する。
(2)上記(1)において、水溶液を構成する水として、脱イオン水又は塩素イオンを含有する水を使用する。
(3)上記(1)又は(2)において、水溶液における硫酸/過酸化水素の質量比を3〜15とする。
(4)銅及び銅合金の表面をマイクロエッチングして粗面化する方法において、マイクロエッチング用表面処理剤として、上記(1)〜(3)のいずれかに記載の処理剤を使用する。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明による銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤を構成する水溶液における各種成分の含量(水溶液の質量を基準として質量%で示す)について説明する。
【0017】
表面処理剤を構成する水溶液における過酸化水素の含量は1〜5質量%である。1質量%未満では、実質的なエッチング速度が不足し、5質量%より大きくなると、エッチング速度が速くなり過ぎて、制御が困難になる。
【0018】
硫酸の含量は3〜15質量%であり、硫酸と過酸化水素との質量比(硫酸/過酸化水素)は3〜15である。硫酸の量が過酸化水素の3倍以下になると、エッチング時にムラが発生する。また、必要以上の硫酸を含有する場合、エッチング過程で生じた硫酸銅の溶解度を低下させ、表面処理剤中に硫酸銅の結晶を析出させることになる。
【0019】
本発明では、特に5−アミノ−1H−テトラゾールが使用される。他のテトラゾール化合物、例えば、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール等も使用できるが、水に対する溶解性の面から、5−アミノ−1H−テトラゾールが望ましい。5−アミノ−1H−テトラゾールの含量は0.01〜1.5質量%である。0.01質量%未満では、レジストとの密着力の向上に必要な粗面化状態が得られない。また、一般に、含量が大きいほど、エッチング速度が逆に遅くなり、しかも、この化合物は高価であるため、不経済である。より好ましくは、0.05〜1.0質量%である。
【0020】
シクロヘキシルアミンの含量は0.05〜5.0質量%である。含量が0.05質量%未満では、塩素イオンの混入による悪影響を抑制できない。また、含量が大きくなるにつれて、過酸化水素の安定性及び塩素イオンによる悪影響の抑制効果が向上するが、この表面処理剤を使用した後の廃液処理等を考慮すると、上限は5.0質量%である。より好ましくは、0.1〜3.0質量%である。
【0021】
本発明の表面処理剤は、使用時、各成分を、それぞれ、定められた含量となる量で配合することによって調製されるか、又は、予め調製されていたものが使用される。また、予め濃厚溶液として調製しておき、使用時に、本発明で定めた含量となるように希釈することもできる。
【0022】
本発明の表面処理剤の調製に当たり、水として、高価な純水又は脱イオン水を使用する必要はなく、通常の塩素イオンを含有する水、例えば、水道水を使用することができる。水道水における塩素イオン含量は、日本では0.021質量%であるが、国によって異なる。本発明では、各種の含量で塩素イオンを含有する水道水を使用できる。
【0023】
本発明の表面処理剤を使用して銅又は銅合金の表面をマイクロエッチングする場合、処理方法は特に限定されず、当分野で一般的に使用されている各種の方法、例えば、スプレーエッチング装置を使用するスプレー法、エッチングタンク内での揺動、ポンプによる液循環等を伴う浸漬法が使用される。
【0024】
マイクロエッチングの際の処理温度については、特に制限はないが、一般に常温〜50℃、好ましくは25〜40℃である。処理温度が高くなるにつれて、エッチング速度が増大するため、目的に応じて設定できる。
【0025】
銅又は銅合金の表面のエッチング量についても制限はない。一般に、0.3〜5.0μmの深さでエッチングすることが望ましい。エッチング量が多くなると粗面化の度合が増すことから、必要に応じてエッチング量を選択できる。目安としては、ドライフィルムレジストの前処理としては約1.0μm、ソルダーレジストの前処理としては約2.0μm、プリプレグ接着の前処理としては約4.0μmのエッチングを行うことが望ましい。
【0026】
本発明による金属表面の粗面処理法は、上述したレジスト及びプリプレグの前処理に限定されず、プリント配線板の製造工程における各種の前処理での使用も可能である。例えば、無電解メッキの前処理、電解メッキの前処理、プリスラックスの前処理、はんだホットレベラーの前処理等が挙げられる。
【0027】
以下に、実施例を参照して本発明を説明するが、本発明は実施例により制限されるものではない。
【0028】
【実施例1〜6】
水の一部に、過酸化水素、硫酸、5−アミノ−1H−テトラゾール及びシクロヘキシルアミンを、それぞれ、表1に示す含量となる量で添加、溶解させ、水の残りを加え、水溶液とすることによって、各種の表面処理剤を調製した。なお、水として、脱イオン水、我国の水道水及び後述する疑似水道水を使用している。
【0029】
比較のため、実施例1〜6における組成から、それぞれ、シクロヘキシルアミン又は5−アミノ−1H−テトラゾールを除外して、水溶液を調製した(比較例1〜12)。
【0030】
実施例3及び6は、それぞれ、実施例2及び5と同様ではあるが、我国の水道水を使用した場合の約3倍の量の塩素イオンが存在する水溶液を調製するため、水として、脱イオン水に塩化水素を添加して調製した疑似水道水(塩素イオン含量=0.06質量%)を使用している(これらの実施例は、日本以外の国の水道水では、塩素イオンが我国の水道水の2〜3倍多い量で含有されており、このような他国の水道水の使用を考慮したものである)。
【0031】
加えて、比較のため、従来技術の1例として詳述した特開昭51−27819号の開示に従って、表1に示す組成を有する各種の表面処理剤を調製した(比較例13〜16)。
【0032】
上記の如く調製した各表面処理剤を用いて、表面に電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板について、30℃において1分間スプレー処理を行い、銅のエッチング速度の測定、目視による銅表面の色の観察及び走査型電子顕微鏡による銅表面の状態の観察を行った。
【0033】
実施例2の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の微細組織を、電子顕微鏡(日本電子(株)製:JSM−5300)にて、ステージ角30°で撮影した電子顕微鏡写真(3500倍)を図1に示す。同じく、実施例2の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の粗面化深度を、プロファイルマイクロメータ(キーエンス社製:VF−7510)にて測定した微細組織の写真(2500倍)を図2に示す。
【0034】
また、比較例1の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の微細組織を、電子顕微鏡(日本電子(株)製:JSM−5300)にて、ステージ角30°で撮影した電子顕微鏡写真(3500倍)を図3に示し、同じく、比較例1の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面を、プロファイルマイクロメータ(キーエンス社製:VF−7510)にて測定した微細組織の写真(2500倍)を図4に示す。
【0035】
通常、銅表面の色は、粗面化の度合が増すにつれて、光沢性から茶褐色に変色する。エッチング量は、処理の前後の質量差から算定した平均値である。
【0036】
得られた結果を、表1に合わせて示す。
【表1−1】
【表1−2】
【表1−3】
【0037】
得られた結果を検討すると、実施例1〜3の対比及び実施例4〜6の対比から、水溶液中における塩素イオンの存在は、表面処理剤のマイクロエッチング効果に対して格別の影響を及ぼさないことが理解される。
【0038】
実施例1〜6と比較例1〜6及び比較例7〜12との対比から、銅表面の良好な粗面化状態を得るには、5−アミノ−1H−テトラゾール及びシクロヘキシルアミンの両方の存在が必須であることが明らかである。
【0039】
さらに、実施例2と実施例3との対比及び実施例5と実施例6との対比から、水溶液中における塩素イオン濃度が、我国の水道水を使用した場合の約3倍であっても、マイクロエッチングに対して格別の影響を及ぼさないことが理解される。
【0040】
また、実施例1〜6と比較例13〜16(5−アミノ−1Hテトラゾールを含有するが、シクロヘキシルアミンではなく、トリブチルアミン又はエタノールを含有している)との対比から、過酸化水素及び硫酸を主成分とするマイクロエッチング表面処理剤における塩素イオン混入による悪影響の防止に関して、5−アミノ−1H−テトラゾール及びシクロヘキシルアミンの組合せが最適であることが理解される。
【0041】
次に、上記の各表面処理剤について、ドライフィルム及びソルダーレジストの密着性の評価を、下記の如く実施した。
【0042】
1)ドライフィルムの密着性の評価
電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板を、上述の実施例1〜6及び比較例1〜16の各水溶液を用いて、30℃において、スプレーエッチング法によって、1μm及び2μmの深さで粗面処理した後、ドライフィルム(デュポン社:RISTON FRA O63−50)を被覆し、露光(オーク社:661C)及び現像を行った。JISK5480に準拠して、ドライフィルムに幅1mmの碁盤目状の切り傷を付け、粘着テープによる引き剥がし試験を行った。
【0043】
2)ソルダーレジストの密着性の評価
ドライフィルムの密着性の評価の場合と同様にして、電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板の表面を、スプレーエッチング法によって、深さ1μm及び2μmで粗面処理した後、ソルダーレジスト(太陽インキ社:PSR−4000G24)を印刷法により厚さ20〜30μmで被覆し、露光(オーク社:661C)及び現像を行った。JIS K5480に準拠して、ソルダーレジストに幅1mmの碁盤目状の切り傷を付け、粘着テープによる引き剥がし試験を行った。
【0044】
得られた結果を表2に示す。
【表2−1】
【表2−2】
【0045】
【実施例7】
電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板を、水溶液の質量を基準として、過酸化水素2質量%、硫酸6質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.05質量%及びシクロヘキシルアミン0.3質量%を含有する水溶液(水道水を使用)を用いて、30℃において、この水溶液中に銅張積層板を浸漬することによって1μmエッチングした後、ドライフィルム(デュポン社:RISTON FRAO63−50)を被覆し、露光(オーク社:661C)及び現像を行った。
【0046】
上記と同様にJIS K5480に準拠して、ドライフィルムに幅1mmの碁盤目状の切り傷を付け、粘着テープによる引き剥がし試験を行った。比較のため、5−アミノ−1H−テトラゾールを含まない場合(水溶液の質量を基準として、過酸化水素2質量%、硫酸6質量%及びシクロヘキシルアミン0.3質量%を含有する)について行った(比較例17)。
【0047】
【表3】
【0048】
【実施例8】
電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板を、水溶液の質量を基準として、過酸化水素3質量%、硫酸10質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.05質量%及びシクロヘキシルアミン0.3質量%を含有する水溶液(水道水を使用)を使用して、30℃において2μm浸漬エッチングした後、ソルダーレジスト(太陽インキ社:PSR−4000G24)を印刷法により厚さ20〜30μmで被覆し、露光(オーク社:661C)及び現像を行った。
【0049】
上記と同様にJIS K5480に準拠して、ソルダーレジストに幅1mmの碁盤目状の切り傷を付け、粘着テープによる引き剥がし試験を行った。
【0050】
比較のため、5−アミノ−1H−テトラゾールを含まない場合(水溶液の質量を基準として、過酸化水素3質量%、硫酸10質量%及びシクロヘキシルアミン0.3質量%を含有する)についても行った(比較例18)。
【0051】
この結果を表4に示す。
【表4】
【0052】
図5は、実施例8の表面処理剤でマイクロエッチングしたプリント配線板の銅表面にソルダーレジストインクを塗布した後に行ったクロスカッター試験の結果を示す図であり、図6は、比較例18の表面処理剤でマイクロエッチングしたプリント配線板の銅表面にソルダーレジストインクを塗布した後に行ったクロスカッター試験の結果を示す図である。
【0053】
【発明の効果】
本発明の表面処理剤では、従来困難であって塩素イオンを含有する水、例えば、水道水を使用することが可能であり、また、浸漬エッチング法及びスプレーエッチング法のいずれによっても銅及び銅合金を粗面処理して、エッチングレジスト又はソルダーレジスト等の密着力を向上させることが可能であり、産業上の利用価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例2の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の微細組織を、電子顕微鏡(日本電子(株)製:JSM−5300)にて、ステージ角30°で撮影した電子顕微鏡写真(3500倍)である。
【図2】実施例2の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の粗面化深度を、プロファイルマイクロメータ(キーエンス社製:VF−7510)で測定した微細組織の写真(2500倍)である。
【図3】比較例1の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の微細組織を、電子顕微鏡(日本電子(株)製:JSM−5300)にて、ステージ角30°で撮影した電子顕微鏡写真(3500倍)である。
【図4】比較例1の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の粗面化深度を、プロファイルマイクロメータ(キーエンス社製:VF−7510)で測定した微細組織の写真(2500倍)である。
【図5】実施例8の表面処理剤でマイクロエッチングしたプリント配線板の銅表面にソルダーレジストインクを塗布した後に行ったクロスカッター試験の結果を示す銅表面の微細なパターンを写した写真である。
【図6】比較例18の表面処理剤でマイクロエッチングしたプリント配線板の銅表面にソルダーレジストインクを塗布した後に行ったクロスカッター試験の結果を示す銅表面の微細なパターンを写した写真である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板等の製造に有用な銅及び銅合金の表面を粗面化するためのマイクロエッチング用表面処理剤、及びこの表面処理剤を使用する銅及び銅合金の表面の粗面処理法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント配線板の一般的な製造方法としては、銅張りした薄層板等の銅張基板を使用し、ドライフィルムなどのエッチングレジストによって、銅表面を適宜被覆し、露光及び現像した後、エッチング液に浸漬して銅表面の不要部分を除去し、残留部分の銅によって回路を形成すると共に、形成された回路の保護のため、銅表面にソルダーレジストを適宜被覆することからなる方法がよく知られている。
【0003】
エッチングレジスト又はソルダーレジストでの被覆に当たっては、レジストと銅表面との密着性を向上させるために、銅表面を粗面化している。銅表面を粗面化する方法としては、物理的にはバフ研摩、化学的にはマイクロエッチングが知られているが、特に、細線パターンを有するプリント配線板については、マイクロエッチングが一般的に用いられている。
【0004】
銅及び銅合金の表面のマイクロエッチングに使用される表面処理剤としては、硫酸、硝酸等の鉱酸と過酸化水素とを主成分とし、さらに、5−アミノテトラゾールを添加した水溶液でなるものが知られている(特許文献1参照)。
【0005】
一般に、鉱酸及び過酸化水素を主成分とする鉱酸−過酸化水素系処理液では、処理の間に、金属に対する溶解速度の著しい低下(老化とも称される)を生ずる。5−アミノテトラゾールは、このような老化の発生を抑制するために添加されている。
【0006】
また、過酸化水素、硫酸、プロピルアルコール及びシクロヘキシルアミンを含有するスプレーエッチング用表面処理剤も知られている(特許文献2参照)。
【0007】
この表面処理剤では、アルコールの添加によって、塩素イオンの混入による悪影響を受け難いものとするとともに、アミンを銅表面に吸着させることにより、銅表面の酸化速度を遅らせ、銅表面とレジストとの間における酸化物の介在を極端に低減させることによって、銅表面に対するレジストの密着性を増加せしめることを目的としており、スプレーエッチング後の酸洗浄を省略することが可能である。
【0008】
さらに、硫酸、過酸化水素及びリン酸に、アミンを添加してなる銅及び銅合金の化学研摩液も知られている(特許文献3参照)。
【0009】
このような化学研摩液において、アミンは、塩素等のハロゲンが系中に存在する場合において、得られる処理表面の光沢性及び曇り等の問題点及び研摩液の老化に関する問題点を解消する機能を果たす。
【特許文献1】
特開昭51−27819号公報
【特許文献2】
特開平5−295365号公報
【特許文献3】
特公昭53−32340号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の表面処理剤の内、過酸化水素−鉱酸−5−アミノテトラゾール系の表面処理剤は、塩素イオンが混入すると、エッチング能力が失われるため、その調製に当たっては、塩素イオンを含まない脱イオン水の使用が必須であり、塩素イオンを含有する水、例えば、水道水を使用できず、コストが高いとの課題がある。
【0011】
また、過酸化水素−硫酸−プロピルアルコール−シクロヘキシルアミン系の表面処理剤では、塩素イオン混入による悪影響は緩和されるものの、エッチング表面は、粗面化よりもむしろ平滑化しており、レジストとの充分な密着性が得られないとの課題がある。
【0012】
加えて、近年、特にビルドアップ法によるプリント回路板の製造では、基板の大きさが極端に小さくなり、この傾向は加速されてきており、小型になればなるほど、回路幅が微細化することにより、ドライフィルム及びソルダーレジストと回路との単位当たりの接触面積が少なくなり、上記の酸化物の介在防止による密着力の改善法では、カバーすることが困難な状況に至っている。
【0013】
さらに、硫酸−過酸化水素−リン酸−アミン系の化学研摩液は、銅又は銅合金の表面を研摩して、光沢のある平滑な表面を得るためのものであり、銅及び銅合金の表面をマイクロエッチングするための表面処理剤ではない。
【0014】
【課題を解決するための手段】
発明者らは、鋭意研究を行った結果、過酸化水素及び硫酸を含有する水溶液に、5−アミノ−1H−テトラゾール及びシクロヘキシルアミンを含有させることによって、塩素イオンの混入に対して強く、レジストとの密着力向上に必要な銅及び銅合金の粗面化状態が得られることを見出し、本発明に至った。
【0015】
本発明によると、上記課題は、次のようにして解決される。
(1)銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤を、水溶液の質量を基準として、過酸化水素1〜5質量%、硫酸3〜15質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.01〜1.5質量%及びシクロヘキシルアミン0.05〜5.0質量%を含有する水溶液で構成する。
(2)上記(1)において、水溶液を構成する水として、脱イオン水又は塩素イオンを含有する水を使用する。
(3)上記(1)又は(2)において、水溶液における硫酸/過酸化水素の質量比を3〜15とする。
(4)銅及び銅合金の表面をマイクロエッチングして粗面化する方法において、マイクロエッチング用表面処理剤として、上記(1)〜(3)のいずれかに記載の処理剤を使用する。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明による銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤を構成する水溶液における各種成分の含量(水溶液の質量を基準として質量%で示す)について説明する。
【0017】
表面処理剤を構成する水溶液における過酸化水素の含量は1〜5質量%である。1質量%未満では、実質的なエッチング速度が不足し、5質量%より大きくなると、エッチング速度が速くなり過ぎて、制御が困難になる。
【0018】
硫酸の含量は3〜15質量%であり、硫酸と過酸化水素との質量比(硫酸/過酸化水素)は3〜15である。硫酸の量が過酸化水素の3倍以下になると、エッチング時にムラが発生する。また、必要以上の硫酸を含有する場合、エッチング過程で生じた硫酸銅の溶解度を低下させ、表面処理剤中に硫酸銅の結晶を析出させることになる。
【0019】
本発明では、特に5−アミノ−1H−テトラゾールが使用される。他のテトラゾール化合物、例えば、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール等も使用できるが、水に対する溶解性の面から、5−アミノ−1H−テトラゾールが望ましい。5−アミノ−1H−テトラゾールの含量は0.01〜1.5質量%である。0.01質量%未満では、レジストとの密着力の向上に必要な粗面化状態が得られない。また、一般に、含量が大きいほど、エッチング速度が逆に遅くなり、しかも、この化合物は高価であるため、不経済である。より好ましくは、0.05〜1.0質量%である。
【0020】
シクロヘキシルアミンの含量は0.05〜5.0質量%である。含量が0.05質量%未満では、塩素イオンの混入による悪影響を抑制できない。また、含量が大きくなるにつれて、過酸化水素の安定性及び塩素イオンによる悪影響の抑制効果が向上するが、この表面処理剤を使用した後の廃液処理等を考慮すると、上限は5.0質量%である。より好ましくは、0.1〜3.0質量%である。
【0021】
本発明の表面処理剤は、使用時、各成分を、それぞれ、定められた含量となる量で配合することによって調製されるか、又は、予め調製されていたものが使用される。また、予め濃厚溶液として調製しておき、使用時に、本発明で定めた含量となるように希釈することもできる。
【0022】
本発明の表面処理剤の調製に当たり、水として、高価な純水又は脱イオン水を使用する必要はなく、通常の塩素イオンを含有する水、例えば、水道水を使用することができる。水道水における塩素イオン含量は、日本では0.021質量%であるが、国によって異なる。本発明では、各種の含量で塩素イオンを含有する水道水を使用できる。
【0023】
本発明の表面処理剤を使用して銅又は銅合金の表面をマイクロエッチングする場合、処理方法は特に限定されず、当分野で一般的に使用されている各種の方法、例えば、スプレーエッチング装置を使用するスプレー法、エッチングタンク内での揺動、ポンプによる液循環等を伴う浸漬法が使用される。
【0024】
マイクロエッチングの際の処理温度については、特に制限はないが、一般に常温〜50℃、好ましくは25〜40℃である。処理温度が高くなるにつれて、エッチング速度が増大するため、目的に応じて設定できる。
【0025】
銅又は銅合金の表面のエッチング量についても制限はない。一般に、0.3〜5.0μmの深さでエッチングすることが望ましい。エッチング量が多くなると粗面化の度合が増すことから、必要に応じてエッチング量を選択できる。目安としては、ドライフィルムレジストの前処理としては約1.0μm、ソルダーレジストの前処理としては約2.0μm、プリプレグ接着の前処理としては約4.0μmのエッチングを行うことが望ましい。
【0026】
本発明による金属表面の粗面処理法は、上述したレジスト及びプリプレグの前処理に限定されず、プリント配線板の製造工程における各種の前処理での使用も可能である。例えば、無電解メッキの前処理、電解メッキの前処理、プリスラックスの前処理、はんだホットレベラーの前処理等が挙げられる。
【0027】
以下に、実施例を参照して本発明を説明するが、本発明は実施例により制限されるものではない。
【0028】
【実施例1〜6】
水の一部に、過酸化水素、硫酸、5−アミノ−1H−テトラゾール及びシクロヘキシルアミンを、それぞれ、表1に示す含量となる量で添加、溶解させ、水の残りを加え、水溶液とすることによって、各種の表面処理剤を調製した。なお、水として、脱イオン水、我国の水道水及び後述する疑似水道水を使用している。
【0029】
比較のため、実施例1〜6における組成から、それぞれ、シクロヘキシルアミン又は5−アミノ−1H−テトラゾールを除外して、水溶液を調製した(比較例1〜12)。
【0030】
実施例3及び6は、それぞれ、実施例2及び5と同様ではあるが、我国の水道水を使用した場合の約3倍の量の塩素イオンが存在する水溶液を調製するため、水として、脱イオン水に塩化水素を添加して調製した疑似水道水(塩素イオン含量=0.06質量%)を使用している(これらの実施例は、日本以外の国の水道水では、塩素イオンが我国の水道水の2〜3倍多い量で含有されており、このような他国の水道水の使用を考慮したものである)。
【0031】
加えて、比較のため、従来技術の1例として詳述した特開昭51−27819号の開示に従って、表1に示す組成を有する各種の表面処理剤を調製した(比較例13〜16)。
【0032】
上記の如く調製した各表面処理剤を用いて、表面に電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板について、30℃において1分間スプレー処理を行い、銅のエッチング速度の測定、目視による銅表面の色の観察及び走査型電子顕微鏡による銅表面の状態の観察を行った。
【0033】
実施例2の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の微細組織を、電子顕微鏡(日本電子(株)製:JSM−5300)にて、ステージ角30°で撮影した電子顕微鏡写真(3500倍)を図1に示す。同じく、実施例2の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の粗面化深度を、プロファイルマイクロメータ(キーエンス社製:VF−7510)にて測定した微細組織の写真(2500倍)を図2に示す。
【0034】
また、比較例1の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の微細組織を、電子顕微鏡(日本電子(株)製:JSM−5300)にて、ステージ角30°で撮影した電子顕微鏡写真(3500倍)を図3に示し、同じく、比較例1の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面を、プロファイルマイクロメータ(キーエンス社製:VF−7510)にて測定した微細組織の写真(2500倍)を図4に示す。
【0035】
通常、銅表面の色は、粗面化の度合が増すにつれて、光沢性から茶褐色に変色する。エッチング量は、処理の前後の質量差から算定した平均値である。
【0036】
得られた結果を、表1に合わせて示す。
【表1−1】
【表1−2】
【表1−3】
【0037】
得られた結果を検討すると、実施例1〜3の対比及び実施例4〜6の対比から、水溶液中における塩素イオンの存在は、表面処理剤のマイクロエッチング効果に対して格別の影響を及ぼさないことが理解される。
【0038】
実施例1〜6と比較例1〜6及び比較例7〜12との対比から、銅表面の良好な粗面化状態を得るには、5−アミノ−1H−テトラゾール及びシクロヘキシルアミンの両方の存在が必須であることが明らかである。
【0039】
さらに、実施例2と実施例3との対比及び実施例5と実施例6との対比から、水溶液中における塩素イオン濃度が、我国の水道水を使用した場合の約3倍であっても、マイクロエッチングに対して格別の影響を及ぼさないことが理解される。
【0040】
また、実施例1〜6と比較例13〜16(5−アミノ−1Hテトラゾールを含有するが、シクロヘキシルアミンではなく、トリブチルアミン又はエタノールを含有している)との対比から、過酸化水素及び硫酸を主成分とするマイクロエッチング表面処理剤における塩素イオン混入による悪影響の防止に関して、5−アミノ−1H−テトラゾール及びシクロヘキシルアミンの組合せが最適であることが理解される。
【0041】
次に、上記の各表面処理剤について、ドライフィルム及びソルダーレジストの密着性の評価を、下記の如く実施した。
【0042】
1)ドライフィルムの密着性の評価
電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板を、上述の実施例1〜6及び比較例1〜16の各水溶液を用いて、30℃において、スプレーエッチング法によって、1μm及び2μmの深さで粗面処理した後、ドライフィルム(デュポン社:RISTON FRA O63−50)を被覆し、露光(オーク社:661C)及び現像を行った。JISK5480に準拠して、ドライフィルムに幅1mmの碁盤目状の切り傷を付け、粘着テープによる引き剥がし試験を行った。
【0043】
2)ソルダーレジストの密着性の評価
ドライフィルムの密着性の評価の場合と同様にして、電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板の表面を、スプレーエッチング法によって、深さ1μm及び2μmで粗面処理した後、ソルダーレジスト(太陽インキ社:PSR−4000G24)を印刷法により厚さ20〜30μmで被覆し、露光(オーク社:661C)及び現像を行った。JIS K5480に準拠して、ソルダーレジストに幅1mmの碁盤目状の切り傷を付け、粘着テープによる引き剥がし試験を行った。
【0044】
得られた結果を表2に示す。
【表2−1】
【表2−2】
【0045】
【実施例7】
電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板を、水溶液の質量を基準として、過酸化水素2質量%、硫酸6質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.05質量%及びシクロヘキシルアミン0.3質量%を含有する水溶液(水道水を使用)を用いて、30℃において、この水溶液中に銅張積層板を浸漬することによって1μmエッチングした後、ドライフィルム(デュポン社:RISTON FRAO63−50)を被覆し、露光(オーク社:661C)及び現像を行った。
【0046】
上記と同様にJIS K5480に準拠して、ドライフィルムに幅1mmの碁盤目状の切り傷を付け、粘着テープによる引き剥がし試験を行った。比較のため、5−アミノ−1H−テトラゾールを含まない場合(水溶液の質量を基準として、過酸化水素2質量%、硫酸6質量%及びシクロヘキシルアミン0.3質量%を含有する)について行った(比較例17)。
【0047】
【表3】
【0048】
【実施例8】
電気銅メッキを施したプリント配線銅張積層板を、水溶液の質量を基準として、過酸化水素3質量%、硫酸10質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.05質量%及びシクロヘキシルアミン0.3質量%を含有する水溶液(水道水を使用)を使用して、30℃において2μm浸漬エッチングした後、ソルダーレジスト(太陽インキ社:PSR−4000G24)を印刷法により厚さ20〜30μmで被覆し、露光(オーク社:661C)及び現像を行った。
【0049】
上記と同様にJIS K5480に準拠して、ソルダーレジストに幅1mmの碁盤目状の切り傷を付け、粘着テープによる引き剥がし試験を行った。
【0050】
比較のため、5−アミノ−1H−テトラゾールを含まない場合(水溶液の質量を基準として、過酸化水素3質量%、硫酸10質量%及びシクロヘキシルアミン0.3質量%を含有する)についても行った(比較例18)。
【0051】
この結果を表4に示す。
【表4】
【0052】
図5は、実施例8の表面処理剤でマイクロエッチングしたプリント配線板の銅表面にソルダーレジストインクを塗布した後に行ったクロスカッター試験の結果を示す図であり、図6は、比較例18の表面処理剤でマイクロエッチングしたプリント配線板の銅表面にソルダーレジストインクを塗布した後に行ったクロスカッター試験の結果を示す図である。
【0053】
【発明の効果】
本発明の表面処理剤では、従来困難であって塩素イオンを含有する水、例えば、水道水を使用することが可能であり、また、浸漬エッチング法及びスプレーエッチング法のいずれによっても銅及び銅合金を粗面処理して、エッチングレジスト又はソルダーレジスト等の密着力を向上させることが可能であり、産業上の利用価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例2の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の微細組織を、電子顕微鏡(日本電子(株)製:JSM−5300)にて、ステージ角30°で撮影した電子顕微鏡写真(3500倍)である。
【図2】実施例2の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の粗面化深度を、プロファイルマイクロメータ(キーエンス社製:VF−7510)で測定した微細組織の写真(2500倍)である。
【図3】比較例1の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の微細組織を、電子顕微鏡(日本電子(株)製:JSM−5300)にて、ステージ角30°で撮影した電子顕微鏡写真(3500倍)である。
【図4】比較例1の表面処理剤でマイクロエッチングした銅表面の粗面化深度を、プロファイルマイクロメータ(キーエンス社製:VF−7510)で測定した微細組織の写真(2500倍)である。
【図5】実施例8の表面処理剤でマイクロエッチングしたプリント配線板の銅表面にソルダーレジストインクを塗布した後に行ったクロスカッター試験の結果を示す銅表面の微細なパターンを写した写真である。
【図6】比較例18の表面処理剤でマイクロエッチングしたプリント配線板の銅表面にソルダーレジストインクを塗布した後に行ったクロスカッター試験の結果を示す銅表面の微細なパターンを写した写真である。
Claims (4)
- 水溶液の質量を基準として、過酸化水素1〜5質量%、硫酸3〜15質量%、5−アミノ−1H−テトラゾール0.01〜1.5質量%及びシクロヘキシルアミン0.05〜5.0質量%を含有する水溶液でなることを特徴とする銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤。
- 水溶液を構成する水が、脱イオン水又は塩素イオンを含有する水である請求項1記載のマイクロエッチング用表面処理剤。
- 硫酸/過酸化水素の質量比が3〜15である請求項1又は2記載のマイクロエッチング用表面処理剤。
- 銅及び銅合金の表面をマイクロエッチングして粗面化する方法において、マイクロエッチング用表面処理剤として、請求項1〜3のいずれか記載の表面処理剤を使用することを特徴とする銅及び銅合金の表面の粗面処理法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2003008124A Pending JP2004218021A (ja) | 2003-01-16 | 2003-01-16 | 銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤及び銅及び銅合金の表面の粗面処理法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010080934A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Techno Semichem Co Ltd | 液晶表示装置の銅及び銅/モリブデンまたは銅/モリブデン合金電極用の食刻組成物 |
| JP2012019232A (ja) * | 2011-09-21 | 2012-01-26 | Mec Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| CN113493352A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-10-12 | 西安微电子技术研究所 | 一种dbc陶瓷板基材的脱色溶液及其脱色方法 |
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2003
- 2003-01-16 JP JP2003008124A patent/JP2004218021A/ja active Pending
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