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JP2004281859A - Ozone treatment method and ozone treatment device - Google Patents

Ozone treatment method and ozone treatment device Download PDF

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JP2004281859A
JP2004281859A JP2003073235A JP2003073235A JP2004281859A JP 2004281859 A JP2004281859 A JP 2004281859A JP 2003073235 A JP2003073235 A JP 2003073235A JP 2003073235 A JP2003073235 A JP 2003073235A JP 2004281859 A JP2004281859 A JP 2004281859A
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JP
Japan
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substrate
gas
discharge head
processing
cooling fluid
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2003073235A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Kikuchi
辰男 菊池
Takeo Yamanaka
健夫 山中
Masataka Yamaguchi
征隆 山口
Tokiko Kanayama
登紀子 金山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Precision Products Co Ltd filed Critical Sumitomo Precision Products Co Ltd
Priority to JP2003073235A priority Critical patent/JP2004281859A/en
Publication of JP2004281859A publication Critical patent/JP2004281859A/en
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】ガス吐出ヘッドに付着した有機物を効率的に除去することができるオゾン処理方法及びオゾン処理装置を提供する。
【解決手段】表面に有機物膜が形成された基板Ｋを載置台１５上に載置し、ヒータ１６によって加熱するとともに、基板Ｋ上方に基板Ｋと対向するように配設されたガス吐出ヘッド２０の吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを所定の時間吐出して、基板Ｋ表面から有機物膜を除去する除去処理と、表面に有機物膜が形成されていないダミー基板Ｋ’を載置台１５上に載置した状態で、吐出孔から処理ガスを所定の時間吐出して、ガス吐出ヘッド２０に付着した有機物を除去するクリーニング処理とを含み、繰り返し行われる除去処理の間に、クリーニング処理を実行する。
【選択図】 図１An ozone treatment method and an ozone treatment apparatus capable of efficiently removing organic substances attached to a gas discharge head are provided.
A gas discharge head (20) having a substrate (K) having an organic film formed on a surface thereof is mounted on a mounting table (15), heated by a heater (16), and disposed above the substrate (K) so as to face the substrate (K). A process for removing the organic film from the surface of the substrate K by discharging a processing gas containing ozone from the discharge hole of the substrate K for a predetermined time, and placing the dummy substrate K ′ having no organic film on the surface on the mounting table 15. A cleaning process of discharging the processing gas from the discharge holes for a predetermined time in the mounted state to remove the organic substances attached to the gas discharge head 20, and performing the cleaning process during the repeatedly performed removal process. .
[Selection diagram] Fig. 1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶基板などの基板表面に、少なくともオゾンを含んだ処理ガスを吹きかけて、当該基板表面に形成されたレジスト膜などの有機物膜を除去するオゾン処理方法及びオゾン処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
オゾン処理装置は、表面に有機物膜が形成された基板が上面に載置される載置台と、載置台に内蔵され、当該載置台上に載置された基板を加熱するヒータと、載置台の底面を支持してこれを昇降させる昇降手段と、載置台の上方に当該載置台上の基板と対向するように配設され、オゾンガスを前記基板表面に向けて吐出する吐出孔を備えたガス吐出ヘッドなどを備えて構成される。
【０００３】
尚、前記載置台やガス吐出ヘッドは、閉塞空間を備えた処理チャンバ内に配設されており、また、前記ガス吐出ヘッドには、オゾンガス生成装置が接続されている。
【０００４】
このオゾン処理装置によれば、基板が載置台上に適宜載置されると、これがヒータによって所定温度に加熱されるとともに、当該基板とガス吐出ヘッドとが所定間隔を隔てた状態となるように、載置台が昇降手段によって上昇せしめられる。そして、オゾンガス生成装置によって生成された所定濃度のオゾンガス（処理ガス）が当該オゾンガス生成装置からガス吐出ヘッドに供給され、その吐出孔から基板表面に向けて吐出される。
【０００５】
このようにして吐出されたオゾンガスは、基板に衝突した後、これに沿って流れるオゾンガス層を形成し、かかる流れの中で、オゾン（Ｏ３）は基板により加熱され、このように加熱されたり、基板や有機物と接触したりすることによって酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、基板表面から有機物膜が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ガス吐出ヘッドは、ヒータにより加熱され高温となった雰囲気などにより加熱されてその温度が上昇するものの、ヒータによって直接的に加熱される基板やこれを載置する載置台に比べて低温である。また、オゾンは加熱されてその温度が上昇すると、熱分解するため、ガス吐出ヘッドは、これに供給されるオゾンガスを冷却してオゾンの熱分解を防止すべく、これに冷却液流路が設けられ、この冷却液流路内を流通する冷却液によって積極的に冷却されている場合もある。
【０００７】
このため、上記のようにして基板表面から除去された有機物の一部が、低温であるガス吐出ヘッド、特にガス吐出ヘッドの基板側表面に付着するといったことが起こる。そして、ガス吐出ヘッドに付着した有機物がパーティクルとなって雰囲気中に拡散し、これが有機物膜を除去した後の基板表面に付着すると、当該基板が汚損されることになる。したがって、ガス吐出ヘッドに付着した有機物を定期的に除去する必要があるが、従来、このクリーニング処理を、オゾン処理装置を分解して行っており、効率的ではなかった。
【０００８】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、ガス吐出ヘッドに付着した有機物を効率的に除去することができるオゾン処理方法及びオゾン処理装置の提供をその目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段及びその効果】
上記目的を達成するための本発明は、載置台上に載置された基板の上方に当該基板と対向するように配設されたガス吐出ヘッドの吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出して当該基板を処理するオゾン処理方法であって、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板を前記載置台上に載置し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスを予め設定された時間吐出して、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
表面に有機物膜が形成されていないダミー基板を前記載置台上に載置した状態、又は前記処理対象基板を前記載置台上に載置していない状態で、前記ダミー基板又は載置台を加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスを予め設定された時間吐出して、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを含んで構成され、
繰り返し行われる前記除去処理の間に、前記クリーニング処理を実行させるようにしたことを特徴とするオゾン処理方法に係る。
【００１０】
そして、上記オゾン処理方法は、以下のオゾン処理装置によってこれを好適に実施することができる。
即ち、このオゾン処理装置は、上面に基板が載置される載置台と、
前記載置台上に載置された基板を加熱する加熱手段と、
前記載置台上に載置された基板の上方に当該基板と対向するように配設され、オゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出する吐出孔を備えたガス吐出ヘッドと、
前記ガス吐出ヘッドに前記処理ガスを供給して前記吐出孔から吐出させるガス供給手段と、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板と、表面に有機物膜が形成されていないダミー基板とを、前記載置台上に選択的に供給，載置する一方、載置した基板を前記載置台上から排出する基板移送手段と、
前記加熱手段，ガス供給手段及び基板移送手段の作動を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記基板移送手段を駆動して前記処理対象基板を前記載置台上に載置させた後、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、前記基板移送手段を駆動して前記ダミー基板を前記載置台上に載置させた後、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを実行するように構成される。
【００１１】
尚、前記基板移送手段は、前記処理対象基板のみを前記載置台上に供給，載置するように構成されていても良く、更に、前記制御手段は、前記基板移送手段を駆動して前記処理対象基板を前記載置台上に載置させた後、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、前記載置台上に前記処理対象基板が載置されていない状態で、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを実行するように構成されていても良い。
【００１２】
かかる構成のオゾン処理装置によれば、除去処理時には、まず、基板移送手段によって処理対象の基板が載置台上に載置され、これが加熱手段によって加熱される。そして、ガス供給手段からガス吐出ヘッドにオゾンを含んだ処理ガスが供給され、その吐出孔から処理対象の基板表面に向けて所定時間吐出される。
【００１３】
吐出された処理ガスは、処理対象の基板に衝突した後、これに沿って流れる処理ガス層を形成し、かかる流れの中で、当該処理ガス中のオゾン（Ｏ３）は当該基板により加熱され、このように加熱されたり、基板や有機物と接触したりすることによって酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、当該処理対象の基板表面に形成された有機物の膜が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。そして、かかる除去処理を完了した後、載置台上の処理対象基板が基板移送手段によって当該載置台上から排出される。
【００１４】
尚、前記ガス吐出ヘッドの温度は基板や載置台に比べて低温となっており、このために、上述した有機物膜の除去過程で、基板表面から除去された有機物の一部がガス吐出ヘッド、とりわけガス吐出ヘッドの基板側に付着するといったことが起こる。
【００１５】
一方、クリーニング処理時には、基板移送手段によりダミー基板が載置台上に載置されて、加熱手段により加熱された状態で、又は載置台上に何も載置されていない状態で、ガス供給手段からガス吐出ヘッドに処理ガスが供給され、処理ガスが吐出孔からダミー基板表面又は載置台上面に向けて所定時間吐出される。尚、載置台上に何も載置されていない場合には、載置台が加熱手段によって加熱されることになる。
【００１６】
そして、上記の状態で吐出された処理ガスは、ダミー基板又は載置台に衝突した後、当該ダミー基板又は載置台に沿って流れる処理ガス層を形成し、上記と同様にして、当該処理ガス中のオゾン（Ｏ３）が酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、上記のようにしてガス吐出ヘッドに付着した有機物が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。即ち、ダミー基板や載置台には、除去すべき有機物が存在しないため、生成された活性酸素（Ｏ＊）の多くがガス吐出ヘッドに付着した有機物と反応し、これが除去されるのである。
【００１７】
この後、載置台上のダミー基板が基板移送手段によって当該載置台上から排出される。そして、このようなクリーニング処理が、繰り返し行われる前記除去処理の間に適宜実行される。
【００１８】
斯くして、かかるオゾン処理装置及びオゾン処理方法によれば、オゾン処理装置を分解することなく、ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去、即ち、ガス吐出ヘッドをクリーニングすることができるので、当該クリーニング処理を極めて効率的に行うことができるとともに、長時間連続して基板処理を行うことができ、その生産効率を高めることができる。
【００１９】
また、本発明は、搬送手段によって基板の表面に沿った方向に搬送される基板の上方に当該基板と対向するように配設されたガス吐出ヘッドの吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出して当該基板を処理するオゾン処理方法であって、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板を前記搬送手段によって搬送し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
表面に有機物膜が形成されていないダミー基板を前記搬送手段によって搬送し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを含んで構成され、繰り返し行われる前記除去処理の間に、前記クリーニング処理を実行させるようにしたことを特徴とするオゾン処理方法に係る。
【００２０】
そして、このオゾン処理方法は、以下のオゾン処理装置によってこれを好適に実施することができる。
即ち、このオゾン処理装置は、基板を支持して、当該基板の表面に沿った方向に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送される基板を加熱する加熱手段と、
前記搬送手段によって搬送される基板の上方に当該基板と対向するように配設され、オゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出する吐出孔を備えたガス吐出ヘッドと、
前記ガス吐出ヘッドに前記処理ガスを供給して前記吐出孔から吐出させるガス供給手段と、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板と、表面に有機物膜が形成されていないダミー基板とを、前記搬送手段に選択的に供給する基板供給手段と、
前記搬送手段によって前記方向に搬送された基板を、当該搬送手段から排出する基板排出手段と、
前記搬送手段，加熱手段，ガス供給手段，基板供給手段及び基板排出手段の作動を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記基板供給手段を駆動して前記処理対象基板を前記搬送手段に供給し、当該搬送手段により前記処理対象基板を搬送させて、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
前記基板供給手段を駆動して前記ダミー基板を前記搬送手段に供給し、当該搬送手段により前記ダミー基板を搬送させて、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを実行するように構成される。
【００２１】
このオゾン処理装置によれば、除去処理時には、まず、基板供給手段によって処理対象基板が搬送手段に供給され、当該搬送手段によって所定の搬送速度でガス吐出ヘッドの下方を通過するように搬送される。尚、搬送される処理対象基板は加熱手段によって加熱されており、また、ガス吐出ヘッドにはガス供給手段からオゾンを含んだ処理ガスが供給され、その吐出孔から吐出されている。
【００２２】
そして、処理対象基板がガス吐出ヘッドの下方位置まで搬送されると、前記吐出された処理ガスは、搬送される処理対象基板に衝突した後、これに沿って流れる処理ガス層を形成し、上記と同様にして、処理ガス中のオゾン（Ｏ３）が酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、基板表面の有機物膜が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。
【００２３】
そして、処理対象基板は、ガス吐出ヘッドの下方を通過した後、基板排出手段によって搬送手段から排出される。
【００２４】
一方、クリーニング処理時には、まず、基板供給手段によってダミー基板が搬送手段に供給され、当該搬送手段によって所定の搬送速度でガス吐出ヘッドの下方を通過するように搬送される。尚、搬送されるダミー基板は加熱手段によって加熱されており、また、ガス吐出ヘッドにはガス供給手段から処理ガスが供給され、その吐出孔から吐出されている。
【００２５】
そして、ダミー基板がガス吐出ヘッドの下方位置まで搬送されると、前記吐出された処理ガスは、搬送されるダミー基板に衝突した後、これに沿って流れる処理ガス層を形成して、処理ガス中のオゾン（Ｏ３）が酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、上記有機物膜の除去過程でガス吐出ヘッドに付着した有機物が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。
【００２６】
そして、ダミー基板は、ガス吐出ヘッドの下方を通過した後、基板排出手段によって搬送手段から排出される。そして、このようなクリーニング処理が、繰り返し行われる前記除去処理の間に適宜実行される。
【００２７】
斯くして、このオゾン処理装置及びオゾン処理方法によっても、上記と同様に、オゾン処理装置を分解することなく、効率的にガス吐出ヘッドをクリーニングすることができ、基板の生産効率を高めることができる。
【００２８】
尚、上記オゾン処理装置は、その前記ガス吐出ヘッドが冷却流体の流通する冷却流体流路を備えて構成され、更に、この冷却流体流路内に冷却流体を供給して循環させる冷却流体循環手段を備えるとともに、前記制御手段が、前記除去処理時には、前記冷却流体循環手段を駆動して冷却流体を予め設定された流量で前記冷却流体流路内に供給，循環させる一方、前記クリーニング処理時には、前記冷却流体循環手段の駆動を停止して冷却流体を前記冷却流体流路内に供給，循環させないように、若しくは、前記冷却流体循環手段を駆動して冷却流体を前記除去処理時における流量よりも少ない流量で前記冷却流体流路内に供給，循環させるように構成されていても良い。
【００２９】
かかる構成のオゾン処理装置によれば、除去処理時には、所定流量で冷却流体流路内に供給され、循環する冷却流体によってガス吐出ヘッドが冷却されるので、当該ガス吐出ヘッド内を流通する処理ガスが昇温するのを防止することができ、温度上昇によって処理ガス中のオゾンが熱分解してその濃度が低下するのを防止することができる。
【００３０】
その一方、クリーニング処理時には、ガス吐出ヘッドに冷却流体が供給されないので、若しくは、前記除去処理時よりも少ない流量でしか供給されないので、ガス吐出ヘッドはその温度が上昇し、これにより、当該ガス吐出ヘッドに付着した有機物をより効果的に除去することが可能となる。また、ガス吐出ヘッドに冷却流体が供給されている場合には、当該ガス吐出ヘッドの温度が極端に高くなるのを防止することができるので、即ち、ガス吐出ヘッドの温度上昇を一定温度までとすることができるので、処理ガス中のオゾンが熱分解するのを防止することができる。
【００３１】
そして、この場合、更に、前記ガス吐出ヘッドは、前記ガス供給手段から供給された前記処理ガスが流通する処理ガス流路及び前記冷却流体流路を有するヘッド本体と、前記ヘッド本体の下面にこれから垂下するように固設され、前記処理ガス流路と連通し且つ前記基板表面に向けて開口した前記吐出孔を有するノズル体と、前記ヘッド本体とノズル体との間に介装された断熱部材とを備えて構成されるものであっても良い。
【００３２】
このガス吐出ヘッドによれば、ヘッド本体とノズル体との間に断熱部材が介装されているので、これらの間で熱伝導が生じ難くなっている。これにより、ヘッド本体は、冷却流体流路内を循環する冷却流体によって効果的に冷却される一方、ノズル体は、この冷却流体によって冷却されることなく、加熱手段により加熱され高温となった雰囲気などによって効果的に加熱され、前記除去処理時に除去された有機物が当該ノズル体に付着し難くなる。
【００３３】
また、前記制御手段は、前記クリーニング処理時における加熱温度が、前記除去処理時における加熱温度に比べて高くなるように、前記加熱手段を制御するように構成されていることが好ましい。クリーニング処理時におけるダミー基板，載置台やガス吐出ヘッドの温度を除去処理時より高温にすることで、熱分解によって発生する活性酸素量を増やすことができ、当該ガス吐出ヘッドに付着した有機物を更に効果的に除去することが可能となる。
【００３４】
また、本発明は、載置台上に載置された基板の上方に当該基板と対向するように配設されたガス吐出ヘッドの吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出して当該基板を処理するオゾン処理方法であって、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板を前記載置台上に載置し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスを予め設定された時間吐出して、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
前記予め設定された時間が経過した後も、所定時間延長して前記吐出孔から前記処理ガスを吐出して、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを含んで構成され、
繰り返し行われる前記除去処理の間に、前記クリーニング処理を実行させるようにしたことを特徴とするオゾン処理方法に係る。
【００３５】
そして、上記オゾン処理方法は、以下のオゾン処理装置によってこれを好適に実施することができる。
即ち、このオゾン処理装置は、載置台を備えた上記オゾン処理装置において、前記基板移送手段が、前記処理対象基板のみを前記載置台上に供給，載置するように構成されるとともに、前記制御手段が、前記基板移送手段を駆動して前記処理対象基板を前記載置台上に載置させた後、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、前記予め設定された時間が経過した後も、所定時間延長して前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを実行するように構成される。
【００３６】
このオゾン処理装置によれば、まず、基板移送手段によって処理対象基板が載置台上に載置され、加熱手段によって加熱される。そして、ガス供給手段からガス吐出ヘッドにオゾンを含んだ処理ガスが供給され、その吐出孔から処理対象基板表面に向けて所定時間吐出され、これにより、処理対象基板表面から有機物膜が除去される。この後、基板移送手段によって載置台上の処理対象基板が当該載置台上から排出される。このようにして、処理対象の基板表面から有機物膜を除去する除去処理が行われる。
【００３７】
一方、クリーニング処理は、前記除去処理時における所定の処理ガス吐出時間が経過した後も、所定時間延長して吐出孔から処理ガスを吐出させることによって行われる。前記除去処理のときに設定された時間だけ処理ガスが吐出せしめられると、この処理ガスによって基板表面の有機物膜が完全に除去される。したがって、この設定時間を延長して更に所定時間だけ処理ガスを吐出させることで、この処理ガスから生成された活性酸素が、ガス吐出ヘッドに付着した有機物に作用して、当該有機物が除去されることになる。
【００３８】
この後、基板移送手段によって載置台上の処理対象基板が当該載置台上から排出される。そして、このようなクリーニング処理が、繰り返し行われる前記除去処理の間に適宜実行される。斯くして、このオゾン処理装置によっても、上記オゾン処理装置と同様の効果が奏される。
【００３９】
また、本発明は、搬送手段によって基板の表面に沿った方向に搬送される基板の上方に当該基板と対向するように配設されたガス吐出ヘッドの吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出して当該基板を処理するオゾン処理方法であって、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板を前記搬送手段によって搬送し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
前記処理対象基板を前記搬送手段によって搬送し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を前記除去処理時における搬送速度よりも遅い速度で通過させて、前記有機物膜の除去及び前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物の除去を行う低速搬送処理とを含んで構成され、
繰り返し行われる前記除去処理の間に、前記低速搬送処理を実行させるようにしたことを特徴とするオゾン処理方法に係る。
【００４０】
そして、上記オゾン処理方法は、以下のオゾン処理装置によってこれを好適に実施することができる。
即ち、このオゾン処理装置は、搬送手段を備えた上記オゾン処理装置において、前記基板供給手段が、前記処理対象基板のみを前記搬送手段に供給するように構成されるとともに、前記制御手段が、前記基板供給手段を駆動して前記処理対象基板を前記搬送手段に供給し、当該搬送手段により前記処理対象基板を搬送させて、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、前記基板供給手段を駆動して前記処理対象基板を前記搬送手段に供給し、当該搬送手段により前記処理対象基板を搬送させて、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を前記除去処理時における搬送速度よりも遅い速度で通過させて、前記有機物膜の除去及び前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物の除去を行う低速搬送処理とを実行するように構成される。
【００４１】
このオゾン処理装置によれば、基板供給手段によって処理対象基板が搬送手段に供給され、当該搬送手段によって所定の搬送速度でガス吐出ヘッドの下方を通過するように搬送される。尚、搬送される処理対象基板は加熱手段によって加熱されており、また、ガス吐出ヘッドにはガス供給手段からオゾンを含んだ処理ガスが供給され、その吐出孔から吐出されている。
【００４２】
そして、処理対象基板がガス吐出ヘッドの下方を通過することにより、処理対象基板表面から有機物膜が除去される。この後、処理対象基板は、ガス吐出ヘッドの下方を完全に通過した後、基板排出手段によって搬送手段から排出される。このようにして、処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理が行われる。
【００４３】
一方、低速搬送処理は、基板供給手段によって処理対象基板が搬送手段に供給され、前記除去処理時における搬送速度よりも遅い速度でガス吐出ヘッドの下方を通過するように搬送される。このときも処理対象基板は加熱手段によって加熱されており、また、ガス吐出ヘッドにはガス供給手段から処理ガスが供給され、その吐出孔から吐出されている。
【００４４】
そして、処理対象基板がガス吐出ヘッドの下方を通過することにより、基板表面の有機物膜の除去と、ガス吐出ヘッドに付着した有機物の除去とが行われる。即ち、前記除去処理時における搬送速度よりも遅い速度で処理対象基板を搬送することで、当該基板表面に対する処理ガス吐出時間を長くすることができ、当該基板表面の有機物膜が完全に除去された後、引き続き吐出される処理ガスによって、ガス吐出ヘッドに付着した有機物が除去されるのである。
【００４５】
ついで、処理対象基板は、ガス吐出ヘッドの下方を完全に通過した後、基板排出手段によって搬送手段から排出される。そして、このような低速搬送処理が、繰り返し行われる前記除去処理の間に適宜実行される。斯くして、このオゾン処理装置によっても、上記オゾン処理装置と同様の効果が奏される。
【００４６】
尚、上記構成のオゾン処理装置においても、前記ガス吐出ヘッドが、前記処理ガスの流通する処理ガス流路及び冷却流体の流通する冷却流体流路を有するヘッド本体と、前記ヘッド本体の下面にこれから垂下するように固設され、前記処理ガス流路と連通し且つ前記基板表面に向けて開口した前記吐出孔を有するノズル体と、前記ヘッド本体とノズル体との間に介装された断熱部材とを備えて構成され、前記冷却流体流路内に冷却流体循環手段から冷却流体が供給されるとともに、前記処理ガス流路内にガス供給手段から処理ガスが供給されるように構成されていても良い。
【００４７】
このようにすれば、冷却流体流路内を循環する冷却流体によってガス吐出ヘッドが冷却されるので、当該ガス吐出ヘッド内を流通する処理ガスが昇温するのを防止することができ、温度上昇によって処理ガス中のオゾンが熱分解してその濃度が低下するのを防止することができる。
【００４８】
また、ヘッド本体とノズル体との間に断熱部材が介装されているので、これらの間で熱伝導が生じ難くなっている。これにより、ヘッド本体は、冷却流体流路内を循環する冷却流体によって効果的に冷却される一方、ノズル体は、この冷却流体によって冷却されることなく、加熱手段により加熱され高温となった雰囲気などによって効果的に加熱され、前記除去処理時に除去された有機物が当該ノズル体に付着し難くなる。
【００４９】
ところで、前記有機物は、活性酸素と反応するものであれば、何ら限定されるものではないが、一例としては、フォトレジストを挙げることができる。また、前記基板の加熱温度は、２００℃〜５００℃の範囲が好ましく、前記処理ガスは、１４重量％以上のオゾンを含むものが好適であり、オゾンとＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ、ケイ酸テトラエチル、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４）の混合ガスであっても良い。
【００５０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態について添付図面に基づき説明する。尚、図１は、本発明の一実施形態に係るオゾン処理装置の概略構成を一部ブロック図で示した断面図である。また、図２は、図１における矢示Ａ方向の平面図であり、図３は、図１における矢示Ｂ方向の底面図であり、図４は、図２における矢示Ｃ−Ｃ方向の断面図である。
【００５１】
図１に示すように、本例のオゾン処理装置１は、所定の内容積を有し、上部が開口した処理チャンバ１０と、表面に有機物膜が形成された基板（処理対象基板）Ｋと表面に有機物膜が形成されていない基板（ダミー基板）Ｋ’とを選択的に処理チャンバ１０内に搬入する一方、当該処理チャンバ１０内から基板Ｋ，Ｋ’を搬出する基板移送装置１４と、処理チャンバ１０内に配設され、その上面に基板Ｋ，Ｋ’が載置される載置台１５と、載置台１５の上方に配設されたガス吐出ヘッド２０と、基板移送装置１４などの作動を制御する制御装置５０などを備えて構成される。
【００５２】
また、前記オゾン処理装置１は、載置台１５上に載置された基板Ｋ表面に向けてガス吐出ヘッド２０からオゾンガスを吐出して、前記基板Ｋ表面に形成された有機物膜を除去する除去処理と、載置台１５上に載置されたダミー基板Ｋ’表面に向けてガス吐出ヘッド２０からオゾンガスを吐出して、当該ガス吐出ヘッド２０に付着した有機物を除去するクリーニング処理とを行うように構成されている。
【００５３】
前記処理チャンバ１０は、蓋体１１によって閉じられており、基板Ｋ，Ｋ’を搬入又は搬出するための搬入／搬出口（図示せず）を備えている。また、処理チャンバ１０内のガスは、適宜排出口（図示せず）から外部に排出されるようになっている。
【００５４】
前記載置台１５は、ヒータ１６を内蔵しており、このヒータ１６によって、上面に載置された基板Ｋ，Ｋ’を加熱する。尚、ヒータ１６は、前記制御装置５０によって制御されており、クリーニング処理時の方が除去処理時に比べて、基板Ｋ，Ｋ’の温度が高くなるように加熱する。
【００５５】
また、前記載置台１５は、前記制御装置５０によりその作動が制御される昇降装置１７によって上下方向に昇降自在となっており、この昇降装置１７は、処理チャンバ１０の底面を貫通して設けられる昇降ロッド１８を備え、この昇降ロッド１８により載置台１５の底面を支持している。尚、昇降装置１７は、電動シリンダや空圧シリンダなどから構成される。
【００５６】
前記処理チャンバ１０の底面には、先端が先鋭に形成され、先端部に基板Ｋ，Ｋ’が仮置きされる複数の支持針１２が立設されており、この支持針１２は、載置台１５が下降端位置にある時に、当該載置台１５に形成された貫通孔（図示せず）に挿通されて、その先端が載置台１５の上面より上方に突出する一方、載置台１５が上昇端位置にある時に、前記貫通孔（図示せず）から抜き取られるようになっている。
【００５７】
斯くして、載置台１５が下降端位置にあるときに、基板Ｋ，Ｋ’が支持針１２上に仮置きされた後、載置台１５が上昇せしめられると、当該支持針１２が載置台１５に対し相対的に没して、前記基板Ｋ，Ｋ’が載置台１５上に載置される。一方、このようにして載置台１５上に載置された基板Ｋ，Ｋ’は、これと逆の動作が行われることにより、支持針１２上に再び仮置きされる。尚、昇降装置１７は、載置台１５が上昇端位置に達したとき、後述する各対向板３２下面と基板Ｋ，Ｋ’表面との間の間隔が所定の間隔となるように、載置台１５を前記上昇端位置に上昇させる。
【００５８】
前記基板移送装置１４は、例えば、基板Ｋ，Ｋ’を把持して搬送するロボットから構成され、基板Ｋ，Ｋ’を搬入／搬出口（図示せず）から処理チャンバ１０内に搬入して支持針１２上に仮置きする一方、当該支持針１２上に再び仮置きされた基板Ｋ，Ｋ’を、搬入／搬出口（図示せず）から処理チャンバ１０外へ搬出するように構成されており、除去処理時には前記基板Ｋを、クリーニング処理時には前記ダミー基板Ｋ’を支持針１２上に仮置きするように前記制御装置５０によって制御される。
【００５９】
図１乃至図４に示すように、前記ガス吐出ヘッド２０は、ブロック状のヘッド本体２１と、ヘッド本体２１の下面にこれから垂下するように固定部材３０によって固定された複数のノズル体３１と、各ノズル体３１の下端部にそれぞれ固設された平面視六角形状の対向板３２と、ヘッド本体２１と各ノズル体３１との間、及び固定部材３０と各ノズル体３１との間にそれぞれ介装された環状の断熱部材３３，３４などを備えており、ヘッド本体２１の上面が前記処理チャンバ１０の側壁に配設された支持部材２２によって支持されている。尚、ノズル体３１は、ヘッド本体２１の下面全面に配設されるが、図４では、その一部のみを図示している。
【００６０】
前記ヘッド本体２１には、その側面の一方端から他方端に貫通した複数の冷却液流路２７が形成されており、これら各冷却液流路２７には、冷却液循環装置４５に接続された配管４６，４７がそれぞれ接続され、当該冷却液循環装置４５から配管４６を介して各冷却液流路２７内に冷却液が供給される。そして、供給された冷却液は、各冷却液流路２７内を流通した後、配管４７を介して冷却液循環装置４５に還流される。斯くして、冷却液がヘッド本体２１と冷却液循環装置４５との間で供給，循環され、これにより、当該ヘッド本体２１が冷却される。
【００６１】
尚、冷却液循環装置４５は、除去処理時には、冷却液を各冷却液流路２７内に供給して循環させる一方、クリーニング処理時には、冷却液の供給，循環を停止するように前記制御装置５０によって制御されている。
【００６２】
また、前記ヘッド本体２１には、オゾンガス供給孔２３と、オゾンガス供給孔２３に連通した複数のオゾンガス流路２４及び接続孔２５と、オゾンガス流路２４と連通し、ヘッド本体２１の下面に開口する複数の連通孔２６とがそれぞれ形成されており、オゾンガス供給孔２３には、オゾンガス生成装置４０によって生成された所定濃度のオゾンガス（処理ガス）が、各接続孔２５及びこれらに接続した配管４１を介して当該オゾンガス生成装置４０から供給される。
【００６３】
前記各ノズル体３１は、オゾンガス吐出孔として機能する内部空間を備えた管状の部材からなり、上側の開口部３１ａが前記各連通孔２６にそれぞれ接続する一方、下側の開口部３１ｂが基板Ｋ，Ｋ’表面とそれぞれ対向している。斯くして、オゾンガス生成装置４０から配管４１，各接続孔２５，オゾンガス供給孔２３，各オゾンガス流路２４及び各連通孔２６を順次介して各ノズル体３１に供給されたオゾンガスは、その下側の開口部３１ｂから基板Ｋ，Ｋ’表面に向けてそれぞれ吐出される。
【００６４】
尚、オゾンガス生成装置４０は、前記制御装置５０によってその作動が制御されており、除去処理時及びクリーニング処理時にそれぞれ所定時間、各ノズル体３１の開口部３１ｂからオゾンガスが吐出されるように、当該各ノズル体３１にオゾンガスを供給する。
【００６５】
前記各対向板３２は、基板Ｋ，Ｋ’と対向するように同一平面内に配置されており、これら隣接する各対向板３２との間には隙間Ｓが形成されている。尚、対向板３２の好適な材質としては、例えば、セラミックス，ステンレス，シリコン，アルミニウム，チタン，ガラス及び石英などを挙げることができる。
【００６６】
前記各断熱部材３３，３４は、各ノズル体３１がヘッド本体２１や固定部材３０と直接接触しないようにするために設けられているものであり、これにより、各ノズル体３１とヘッド本体２１との間が断熱される。尚、固定部材３０が熱伝導率の極めて低い材料から構成される場合には、断熱部材３４を設けるまでもなく、各ノズル体３１とヘッド本体２１との間の断熱を確保することができる。また、断熱部材３３，３４の好適な材質としては、ポリテトラフルオロエチレンに代表されるフッ素樹脂やセラミックス，ガラス，石英などを挙げることができ、ノズル体３１についても、これを極力熱伝導率の小さい材料から構成するのが好ましい。
【００６７】
斯くして、ヘッド本体２１は、ノズル体３１や対向板３２によって加熱されることなく、これが冷却液流路２７内を循環する冷却液によって効果的に冷却される一方、ノズル体３１及び対向板３２は、この冷却液によって冷却されることなく、ヒータ１６により加熱され高温となった雰囲気などによって効果的に加熱され、その温度が上昇せしめられる。
【００６８】
以上のように構成された本例のオゾン処理装置１によると、除去処理時には、まず、基板移送装置１４によって基板Ｋが処理チャンバ１０内に搬入され、支持針１２上に載置される。このとき、載置台１５の位置は下降端位置に位置している。また、冷却液循環装置４５から各冷却液流路２７内に冷却液が供給，循環され、この冷却液によってヘッド本体２１が冷却される。
【００６９】
そして、載置台１５が上昇すると、支持針１２が載置台１５に対し相対的に没して、基板Ｋが載置台１５上面に載置されるとともに、載置台１５が上昇端位置に達して、各対向板３２下面と基板Ｋ表面との間の間隔が所定の間隔となる。また、載置台１５の上面に載置された基板Ｋは、ヒータ１６によって所定温度に加熱される。
【００７０】
次に、所定濃度のオゾンガスが、オゾンガス生成装置４０から配管４１，各接続孔２５，オゾンガス供給孔２３，各オゾンガス流路２４及び各連通孔２６を順次介して各ノズル体３１に所定時間供給され、その下側の開口部３１ｂから基板Ｋ表面に向けてそれぞれ吐出される。
【００７１】
吐出されたオゾンガスは、基板Ｋに衝突した後、これに沿って流れるオゾンガス層を形成し、かかる流れの中で、オゾン（Ｏ３）は基板Ｋにより加熱され、このように加熱されたり、基板Ｋや有機物と接触したりすることによって酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、基板Ｋの表面から有機物膜が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。
【００７２】
そして、各ノズル体３１から吐出され、基板Ｋに沿って流れるオゾンガスは、その後、相互に衝突して各対向板３２間の隙間Ｓに向かう流れとなり、この隙間Ｓから対向板３２の裏面（上面）側に、即ち、基板Ｋと対向板３２との間から排気される。
【００７３】
この後、載置台１５が降下すると、当該載置台１５上の基板Ｋが支持針１２上に再び載置され、載置された基板Ｋは、基板移送装置１４によって処理チャンバ１０内から搬出される。
【００７４】
尚、前記ガス吐出ヘッド２０の温度は基板Ｋや載置台１５に比べて低温となっており、このために、上述した有機物膜の除去過程で、基板Ｋの表面から除去された有機物の一部がガス吐出ヘッド２０、とりわけ対向板３２の下面に付着するといったことが起こる。そこで、このようにガス吐出ヘッド２０に付着した有機物を次のクリーニング処理によって取り除く。
【００７５】
即ち、クリーニング処理では、まず、有機物膜の形成されていないダミー基板Ｋ’が基板移送装置１４によって処理チャンバ１０内に搬入され、支持針１２上に載置される。このとき、載置台１５の位置は下降端位置に位置している。また、冷却液循環装置４５から各冷却液流路２７内への冷却液の供給，循環が停止される。
【００７６】
そして、載置台１５が上昇して、当該載置台１５上面にダミー基板Ｋ’が載置されるとともに、各対向板３２下面とダミー基板Ｋ’表面との間の間隔が所定の間隔となる。また、載置台１５上面に載置されたダミー基板Ｋ’は、ヒータ１６によって加熱されるが、このとき、前記除去処理時における基板Ｋ加熱温度よりも高くなるように加熱される。
【００７７】
次に、所定濃度のオゾンガスが、オゾンガス生成装置４０から各ノズル体３１に所定時間供給され、その下側の開口部３１ｂからダミー基板Ｋ’表面に向けてそれぞれ吐出される。
【００７８】
吐出されたオゾンガスは、ダミー基板Ｋ’に衝突した後、これに沿って流れるオゾンガス層を形成し、かかる流れの中で、オゾン（Ｏ３）はダミー基板Ｋ’により加熱され、このように加熱されたり、ダミー基板Ｋ’と接触したりすることによって酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、各対向板３２下面などに付着した有機物が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。
【００７９】
即ち、ダミー基板Ｋ’には除去すべき有機物が存在しないため、生成された活性酸素（Ｏ＊）の多くが各対向板３２下面などに付着した有機物と反応し、これが除去されるのである。
【００８０】
この後、載置台１５が降下すると、当該載置台１５上のダミー基板Ｋ’が支持針１２上に再び載置され、載置されたダミー基板Ｋ’は、基板移送装置１４によって処理チャンバ１０内から搬出される。そして、このようなクリーニング処理が、繰り返し行われる前記除去処理の間に適宜実行される。
【００８１】
具体的には、処理対象基板Ｋの処理枚数が所定数に達した時に、即ち、ガス吐出ヘッド２０に付着した有機物が相当量に達したと推定される時に、制御装置５０は、ダミー基板Ｋ’を載置台１５上に載置させて、各ノズル体３１からオゾンガスを吐出させるのである。
【００８２】
斯くして、本例のオゾン処理装置１によれば、当該処理装置１を分解することなく、ガス吐出ヘッド２０に付着した有機物を除去、即ち、ガス吐出ヘッド２０をクリーニングすることができるので、当該クリーニング処理を極めて効率的に行うことができるとともに、長時間連続して基板処理を行うことができ、その生産効率を高めることができる。
【００８３】
また、除去処理時には、冷却液流路２７内を循環する冷却液によってヘッド本体２１が冷却されるので、当該ヘッド本体２１内を流通するオゾンガスが昇温するのを防止することができ、温度上昇によってオゾンガス中のオゾンが熱分解してその濃度が低下するのを防止することができる。
【００８４】
また、クリーニング処理時には、冷却液流路２７内への冷却液の供給，循環を停止させるとともに、ダミー基板Ｋ’を前記除去処理時における加熱温度よりも高くなるように加熱しているので、ダミー基板Ｋ’，載置台１５やガス吐出ヘッド２０（各対向板３２など）の温度をより高めて、熱分解によって発生する活性酸素量を増やすことができ、これにより、各対向板３２下面などに付着した有機物を効果的に除去することが可能となる。
【００８５】
また、ヘッド本体２１とノズル体３１との間、及び固定部材３０と各ノズル体３１との間に断熱部材３３，３４をそれぞれ介装しているので、これらの間で熱伝導が生じ難くなっている。これにより、ヘッド本体２１は、冷却流体流路内を循環する冷却流体によって効果的に冷却される一方、ノズル体３１は、この冷却流体によって冷却されることなく、ヒータ１６により加熱され高温となった雰囲気などによって効果的に加熱され、前記除去処理時に除去された有機物が当該ノズル体３１に付着し難い状態となっている。
【００８６】
尚、前記有機物は、活性酸素と反応するものであれば、何ら限定されるものではないが、一例としては、フォトレジストを挙げることができる。また、前記基板Ｋ、Ｋ’の加熱温度は、２００℃〜５００℃の範囲が好ましく、前記オゾンガスは、１４重量％以上のオゾンを含むものが好適であり、オゾンとＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ、ケイ酸テトラエチル、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４）の混合ガスであっても良い。
【００８７】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
【００８８】
例えば、上例では、載置台１５上にダミー基板Ｋ’を載置し、その表面にオゾンガスを吐出することで上記クリーニング処理を行うようにしたが、これに限られるものではなく、載置台１５上に基板Ｋを載置していない状態で、ガス吐出ヘッド２０からオゾンガスを吐出することによって当該クリーニング処理を行うようにすることもできる。
【００８９】
吐出されたオゾンガスは、載置台１５に衝突した後、これに沿って流れるオゾンガス層を形成し、これにより、各対向板３２下面などに付着した有機物が除去される。尚、載置台１５は、ヒータ１６によって加熱された状態にある。
【００９０】
また、上記クリーニング処理は、前記除去処理時と同様に、処理対象の基板Ｋを載置台１５上に載置した状態で、当該除去処理時における吐出時間が経過した後も、所定時間延長して各ノズル体３１からオゾンガスを吐出させることで、これを行うようにしても良い。
【００９１】
この場合、基板移送装置１４は、前記処理対象の基板Ｋのみを処理チャンバ１０内に搬入するように構成され、オゾンガス生成装置４０は、クリーニング処理時に、前記除去処理時における吐出時間が経過した後も、所定時間延長して各ノズル体３１からオゾンガスを吐出させるように構成される。
【００９２】
前記除去処理のときと同じ時間だけオゾンガスが吐出せしめられると、このオゾンガスによって処理対象基板Ｋ表面の有機物膜が完全に除去され、この時間を経過した後、更に延長して所定時間だけオゾンガスを吐出させることで、このオゾンガスから生成された活性酸素が、対向板３２の下面などに付着した有機物に作用して、当該有機物が除去されるのである。
【００９３】
また、上記オゾン処理装置１は、例えば、図５及び図６に示すように、処理対象の基板Ｋを所定方向に搬送しつつ、この基板Ｋ表面にオゾンガスを供給して、当該基板Ｋ表面に形成された有機物膜を除去する除去処理と、ダミー基板Ｋ’を所定方向に搬送しつつ、このダミー基板Ｋ’表面にオゾンガスを供給して、ガス吐出ヘッド２０に付着した有機物を除去するクリーニング処理とを行うように構成されていても良い。尚、図５は、本発明の他の実施形態に係るオゾン処理装置の概略構成を一部ブロック図で示した断面図であり、図６は、図５における矢示Ｄ方向の側面図である。また、上記オゾン処理装置１の構成と同じ構成部分については、同一の符号を付してその詳しい説明を省略する。
【００９４】
このオゾン処理装置７０は、前記処理チャンバ１０と、処理チャンバ１０内に配設され、前記基板Ｋ，Ｋ’を支持して所定の方向（図６における矢示方向）に搬送する搬送ローラ７１と、搬送ローラ７１によって搬送される基板Ｋ，Ｋ’の上方に配設された前記ガス吐出ヘッド２０と、基板Ｋ，Ｋ’の下方に配設され、当該基板Ｋ，Ｋ’を加熱するヒータ７５と、前記処理対象の基板Ｋと前記ダミー基板Ｋ’とを選択的に搬送ローラ７１上に供給する基板供給装置（図示せず）と、搬送ローラ７１によって前記方向に搬送された基板Ｋ，Ｋ’を当該搬送ローラ７１上から排出する基板排出装置（図示せず）と、ガス吐出ヘッド２０にオゾンガスを供給する前記オゾンガス生成装置４０と、ガス吐出ヘッド２０に冷却流体を供給して循環させる前記冷却液循環装置４５と、前記ヒータ７５，基板供給装置（図示せず），オゾンガス生成装置４０及び冷却液循環装置４５などの作動を制御する制御装置７６などを備えて構成される。
【００９５】
前記処理チャンバ１０には、前記搬送ローラ７１の搬送方向上流側に、基板Ｋ，Ｋ’を搬入するための搬入口（図示せず）が形成され、同搬送方向下流側に基板Ｋ，Ｋ’を搬出するための搬出口（図示せず）が形成されており、前記基板供給装置（図示せず）は、基板Ｋ，Ｋ’を搬入口（図示せず）から処理チャンバ１０内に搬入して搬送ローラ７１上に供給し、前記基板排出装置（図示せず）は、ガス吐出ヘッド２０の下方を通過した後の基板Ｋ，Ｋ’を搬出口（図示せず）から処理チャンバ１０外に搬出する。
【００９６】
前記搬送ローラ７１は、その複数が前記搬送方向に沿って所定の間隔で配設されており、その回転軸７２の両端部が処理チャンバ１０の側壁に固設された各支持装置７３によってそれぞれ回転自在に支持されている。また、搬送ローラ７１の両側に位置するローラ７４には、鍔部７４ａが形成されており、この鍔部７４ａによって、基板Ｋが矢示Ｅ方向に移動するのを規制している。
【００９７】
また、前記回転軸７２の一方端は、図示しない駆動装置に接続されており、この駆動装置（図示せず）によって当該回転軸７２がその軸中心に回転せしめられることにより、搬送ローラ７１が回転して基板Ｋ，Ｋ’が前記搬送方向に搬送されるようになっている。尚、前記駆動装置（図示せず）は、基板Ｋ，Ｋ’の搬送速度が所定の搬送速度となるように前記制御装置７６によってその作動が制御されている。また、本例では、搬送ローラ７１及び駆動装置（図示せず）が搬送手段として機能する。
【００９８】
また、前記ヒータ７５は、クリーニング処理時における加熱温度が、除去処理時における加熱温度に比べて高くなるように、基板Ｋ，Ｋ’を加熱する。
【００９９】
このように構成されたオゾン処理装置７０によれば、除去処理時には、まず、前記基板供給装置（図示せず）によって処理対象の基板Ｋが処理チャンバ１０内に搬入され、搬送ローラ７１上に供給される。そして、基板Ｋは、この搬送ローラ７１によって所定の搬送速度でガス吐出ヘッド２０の下方を通過するように搬送される。
【０１００】
尚、搬送される基板Ｋはヒータ７５によって所定温度に加熱されており、また、各ノズル体３１にはオゾンガス生成装置４０からオゾンガスが供給され、当該各ノズル体３１からそれぞれ吐出されている。また、冷却液循環装置４５から各冷却液流路２７内に冷却液が供給，循環され、この冷却液によってヘッド本体２１が冷却されている。
【０１０１】
基板Ｋがガス吐出ヘッド２０の下方位置まで搬送されると、各ノズル体３１から吐出されたオゾンガスは、搬送される基板Ｋに衝突した後、これに沿って流れるオゾンガス層を形成し、かかる流れの中で、オゾン（Ｏ３）は酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、基板Ｋ表面から有機物膜が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。
【０１０２】
尚、各ノズル体３１から吐出され、基板Ｋに沿って流れるオゾンガスは、その後、相互に衝突して各対向板３２間の隙間Ｓに向かう流れとなり、この隙間Ｓから対向板３２の裏面（上面）側に、即ち、基板Ｋと対向板３２との間から排気される。
【０１０３】
そして、基板Ｋは、ガス吐出ヘッド２０の下方を完全に通過してその全面にわたって有機物膜が除去された後、前記基板排出装置（図示せず）によって処理チャンバ１０内から搬出される。
【０１０４】
ところで、上述したように、前記ガス吐出ヘッド２０の温度は基板Ｋなどに比べて低温となっており、このために、上記有機物膜の除去過程で、基板Ｋの表面から除去された有機物の一部がガス吐出ヘッド２０、とりわけ対向板３２の下面に付着するといったことが起こる。そこで、このようにガス吐出ヘッド２０に付着した有機物を次のクリーニング処理によって取り除く。
【０１０５】
即ち、クリーニング処理時では、まず、有機物膜の形成されていないダミー基板Ｋ’が前記基板供給装置（図示せず）によって処理チャンバ１０内に搬入され、搬送ローラ７１上に供給される。そして、ダミー基板Ｋ’は、この搬送ローラ７１によって所定の搬送速度でガス吐出ヘッド２０の下方を通過するように搬送される。
【０１０６】
尚、搬送されるダミー基板Ｋ’はヒータ７５によって所定温度に加熱されるが、前記除去処理時における加熱温度よりも高い温度に加熱される。また、各ノズル体３１にはオゾンガス生成装置４０からオゾンガスが供給され、当該各ノズル体３１からそれぞれ吐出されている。また、冷却液循環装置４５から各冷却液流路２７内への冷却液の供給，循環が停止される。
【０１０７】
そして、ダミー基板Ｋ’がガス吐出ヘッド２０の下方位置まで搬送されると、各ノズル体３１から吐出されたオゾンガスは、搬送されるダミー基板Ｋ’に衝突した後、これに沿って流れるオゾンガス層を形成し、かかる流れの中で、酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）とに分解され、対向板３２下面などに付着した有機物が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。
【０１０８】
そして、ダミー基板Ｋ’は、ガス吐出ヘッド２０の下方を完全に通過した後、基板排出装置（図示せず）によって処理チャンバ１０内から搬出され、このようなクリーニング処理が、繰り返し行われる前記除去処理の間に適宜実行される。
【０１０９】
斯くして、このオゾン処理装置７０によっても、上記オゾン処理装置１と同様の効果が奏される。
【０１１０】
また、このオゾン処理装置７０において、前記除去処理時における搬送速度よりも遅い速度で前記処理対象の基板Ｋを搬送することで、前記クリーニング処理を行うようにしても良い。
【０１１１】
この場合、前記基板供給装置（図示せず）は、処理対象の基板Ｋのみを処理チャンバ１０内に搬入するように構成され、前記駆動装置（図示せず）は、クリーニング処理時に、除去処理時における搬送速度よりも遅い速度で当該基板Ｋを搬送するように構成される。
【０１１２】
このようにすれば、クリーニング処理時に、基板Ｋ表面の有機物膜の除去と、対向板３２下面などに付着した有機物の除去とが行われる。即ち、前記除去処理時における搬送速度よりも遅い速度で基板Ｋを搬送することで、当該基板Ｋ表面に対するオゾンガスの吐出時間を長くすることができ、当該基板Ｋ表面の有機物膜が完全に除去された後、引き続き吐出されるオゾンガスによって、対向板３２下面などに付着した有機物が除去されるのである。
【０１１３】
また、前記ガス吐出ヘッド２０の構造は、上例のものに限られるものではく、例えば、図７及び図８に示すような構造をしたものであっても良い。尚、図７は、本発明の他の実施形態に係るガス吐出ヘッドの概略構成を示した断面図であり、図８は、図７における矢示Ｆ方向の断面図である。
【０１１４】
このガス吐出ヘッド８０は、ブロック状の上部部材８１と、上部部材８１の下面に固設され、上下にそれぞれ開口した内部空間を有する筐体状の下部部材８２と、下部部材８２の下面（基板Ｋ，Ｋ’との対向面）側の開口部（吐出孔）８３に、当該開口部８３を閉塞するように設けられた通気性部材８４とから構成される。
【０１１５】
前記通気性部材８４は、上下（表裏）に貫通した多数の通気路を全域にわたって有する板状の部材からなり、上述したように、下部部材８２の下部開口部８３を閉塞するように当該下部部材８３に固設されて、その下面が基板Ｋ，Ｋ’と対向している。
【０１１６】
尚、前記通気性部材８４としては、ステンレスの焼結体，ジルコニアの焼結体，チタンの焼結体及びセラミックスの焼結体や、ポリテトラフルオロエチレンの多孔質膜の他、金網やパンチングメタル、金属製の不織布などを挙げることができ、例えば、通気性部材８４が焼結体から構成されている場合、その各粒子間に形成された空隙（気孔）が前記通気路に相当する。
【０１１７】
前記上部部材８１及び通気性部材８４によって閉塞される前記下部部材８２の内部空間は、ガス滞留室８５として機能するものであり、ガス滞留室８５には、前記オゾンガス生成装置４０によって生成されたオゾンガスが、適宜配管及び下部部材８２に形成されたオゾンガス流路８６を介して、当該オゾンガス生成装置４０からそれぞれ供給，充填される。
【０１１８】
そして、オゾンガス生成装置４０からガス滞留室８５に供給されたオゾンガスは、当該ガス滞留室８５の下部開口部８３に設けられた通気性部材８４の各通気路を通り基板Ｋ，Ｋ’表面に向けてそれぞれ吐出されるが、ガス滞留室８５内の内圧が高まり、当該ガス滞留室８５内の圧力がほぼ平衡状態になると、当該オゾンガスは通気性部材８４の全域からほぼ均一な速度で吐出されるようになる。
【０１１９】
即ち、オゾンガス生成装置４０からガス滞留室８５に供給されたオゾンガスは、各通気性部材８４によってほぼ均一な速度に拡散された状態で基板Ｋ，Ｋ’表面に向けて吐出されるのである。
【０１２０】
また、前記上部部材８１には、冷却液流路８７が形成されており、この冷却液流路８７には、冷却液循環装置４５から適宜配管を介して冷却液流路８７内に冷却液が供給され、供給された冷却液は、冷却液流路８７内を流通した後、適宜配管を介して冷却液循環装置４５に還流される。これにより、ガス滞留室８５内に供給，充填されたオゾンガスがこの冷却液によって冷却される。
【０１２１】
また、上例のオゾン処理装置１，７０では、クリーニング処理時に、冷却液循環装置４５から各冷却液流路２７内に冷却液を供給するのを停止するように構成したが、除去処理時における流量よりも少ない流量で冷却液を冷却液流路２７内に供給するようにしても良い。
【０１２２】
このようにしても、冷却液の供給を停止したときと同様に、ガス吐出ヘッド２０の温度を上昇させて、当該ガス吐出ヘッド２０（特に、各対向板３２）に付着した有機物をより効果的に除去することができる。また、ガス吐出ヘッド２０の温度が極端に高くなるのを防止することができるので、即ち、ガス吐出ヘッド２０の温度上昇を一定温度までとすることができるので、オゾンガス中のオゾンが熱分解するのを防止することができる。
【０１２３】
また、上例では、前記ノズル体３１を、ヘッド本体２１とノズル体３１との間、及び固定部材３０とノズル体３１との間に、前記各断熱部材３３，３４を介装して、ヘッド本体２１の下面に設けるように構成したが、これに限られるものではなく、各断熱部材３３，３４を介さずに直に設けるようにすることもできる。
【０１２４】
この場合において、除去処理時とクリーニング処理時とで、冷却液循環装置４５から冷却液流路２７内に供給される冷却液の流量を変化させるときには、除去処理時における対向板３２の温度が、１２０℃〜１４０℃の範囲となる一方、クリーニング処理時には１８０℃〜２５０℃の範囲となるように、冷却液の供給流量を制御することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るオゾン処理装置の概略構成を一部ブロック図で示した断面図である。
【図２】図１における矢示Ａ方向の平面図である。
【図３】図１における矢示Ｂ方向の底面図である。
【図４】図２における矢示Ｃ−Ｃ方向の断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るオゾン処理装置の概略構成を一部ブロック図で示した断面図である。
【図６】図５における矢示Ｄ方向の側面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るガス吐出ヘッドの概略構成を示した断面図である。
【図８】図７における矢示Ｆ方向の断面図である。
【符号の説明】
１ オゾン処理装置
１０ 処理チャンバ
１１ 蓋体
１４ 基板移送装置
１５ 載置台
１６ ヒータ
１７ 昇降装置
２０ ガス吐出ヘッド
２１ ヘッド本体
２４ オゾンガス流路
２７ 冷却液流路
３０ 固定部材
３１ ノズル体
３２ 対向板
３３，３４ 断熱部材
４０ オゾンガス生成装置
４５ 冷却液循環装置
５０ 制御装置
Ｋ，Ｋ’ 基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an ozone treatment method and an ozone treatment apparatus for spraying a processing gas containing at least ozone onto a substrate surface such as a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate to remove an organic film such as a resist film formed on the substrate surface. .
[0002]
[Prior art]
The ozone treatment apparatus has a mounting table on which a substrate having an organic film formed thereon is mounted on an upper surface, a heater built in the mounting table, and a heater for heating the substrate mounted on the mounting table; Elevating means for supporting the bottom surface and elevating the same, and a gas discharge having a discharge hole disposed above the mounting table so as to face the substrate on the mounting table and discharging ozone gas toward the surface of the substrate It is configured with a head and the like.
[0003]
The mounting table and the gas discharge head are disposed in a processing chamber having a closed space, and an ozone gas generator is connected to the gas discharge head.
[0004]
According to this ozone treatment apparatus, when the substrate is appropriately mounted on the mounting table, the substrate is heated to a predetermined temperature by the heater, and the substrate and the gas discharge head are in a state of being separated by a predetermined distance. The mounting table is raised by the lifting means. Then, the ozone gas (processing gas) having a predetermined concentration generated by the ozone gas generation device is supplied from the ozone gas generation device to the gas discharge head, and is discharged from the discharge hole toward the substrate surface.
[0005]
The ozone gas discharged in this way collides with the substrate and forms an ozone gas layer flowing along the substrate. 3 ) Is heated by the substrate. Oxygen (O 2) is heated in this way or by contact with the substrate or an organic substance. 2 ) And active oxygen (O * ) And an organic film is formed from the substrate surface by active oxygen (O 2 * ) Is removed by a thermochemical reaction.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the gas discharge head is heated by an atmosphere heated by a heater to a high temperature, and the temperature rises. However, the gas discharge head has a lower temperature than a substrate directly heated by the heater or a mounting table on which the substrate is mounted. is there. Also, since the ozone is heated and its temperature rises, it thermally decomposes. Therefore, the gas discharge head is provided with a cooling liquid flow path to cool the ozone gas supplied thereto to prevent the thermal decomposition of ozone. In some cases, the coolant is actively cooled by the coolant flowing through the coolant channel.
[0007]
For this reason, a part of the organic matter removed from the substrate surface as described above adheres to the gas discharge head at a low temperature, particularly to the substrate side surface of the gas discharge head. Then, the organic matter attached to the gas discharge head becomes particles and diffuses into the atmosphere, and if the organic matter adheres to the substrate surface after removing the organic material film, the substrate is contaminated. Therefore, it is necessary to periodically remove the organic matter adhering to the gas discharge head. However, conventionally, this cleaning treatment has been performed by disassembling the ozone treatment apparatus, which has been inefficient.
[0008]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide an ozone treatment method and an ozone treatment apparatus capable of efficiently removing organic substances attached to a gas discharge head.
[0009]
Means for Solving the Problems and Their Effects
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for processing a substrate containing ozone from a discharge hole of a gas discharge head disposed above a substrate mounted on a mounting table so as to face the substrate. An ozone treatment method for treating the substrate by discharging toward a surface,
The substrate to be processed having an organic film formed on the surface is placed on the mounting table described above, and heated by heating means, and the processing gas is discharged from the discharge holes for a preset time, and the surface of the substrate to be processed is discharged. A removal process for removing an organic film from
Heating the dummy substrate or the mounting table in a state where the dummy substrate having no organic film formed on the surface is mounted on the mounting table, or in a state where the substrate to be processed is not mounted on the mounting table. And a cleaning process of discharging the processing gas from the discharge hole for a preset time to remove an organic substance attached to the gas discharge head.
The present invention relates to an ozone treatment method, wherein the cleaning process is performed between the repeated removal processes.
[0010]
And the said ozone treatment method can be suitably implemented by the following ozone treatment apparatus.
That is, the ozone treatment apparatus includes a mounting table on which the substrate is mounted on the upper surface,
Heating means for heating the substrate mounted on the mounting table,
A gas discharge head provided with a discharge hole for discharging a processing gas containing ozone toward the surface of the substrate, disposed above the substrate mounted on the mounting table so as to face the substrate,
Gas supply means for supplying the processing gas to the gas discharge head and discharging the gas from the discharge holes,
A substrate to be processed having an organic film formed on its surface and a dummy substrate having no organic film formed on its surface are selectively supplied and placed on the mounting table, and the mounted substrate is placed on the mounting table. Substrate transfer means for discharging from above,
Control means for controlling the operation of the heating means, the gas supply means and the substrate transfer means,
The control unit drives the substrate transfer unit to place the processing target substrate on the mounting table, and then drives the gas supply unit to supply the processing gas from the discharge hole for a preset time. Discharging, removing processing for removing the organic film from the surface of the processing target substrate, and driving the substrate transfer means to place the dummy substrate on the mounting table, and then driving the gas supply means. The processing gas is discharged from the discharge holes for a preset time to perform a cleaning process for removing organic substances attached to the gas discharge head.
[0011]
The substrate transfer means may be configured to supply and place only the substrate to be processed on the mounting table, and further, the control means drives the substrate transfer means to perform the processing. After placing the target substrate on the mounting table, the gas supply means is driven to discharge the processing gas from the discharge hole for a preset time, thereby removing an organic film from the surface of the processing target substrate. Removing the processing gas from the discharge hole by driving the gas supply unit in a state where the substrate to be processed is not mounted on the mounting table and discharging the processing gas from the discharge hole for a preset time; The cleaning process for removing the organic substances attached to the head may be performed.
[0012]
According to the ozone treatment apparatus having such a configuration, at the time of the removal processing, first, the substrate to be processed is placed on the mounting table by the substrate transfer means, and is heated by the heating means. Then, a processing gas containing ozone is supplied to the gas discharge head from the gas supply means, and is discharged from the discharge hole toward the surface of the substrate to be processed for a predetermined time.
[0013]
The discharged processing gas collides with the substrate to be processed and forms a processing gas layer flowing along the substrate. In this flow, the ozone (O 3 ) Is heated by the substrate, and the oxygen (O 2) is heated by such heating or coming into contact with the substrate or an organic substance. 2 ) And active oxygen (O * ) And the organic film formed on the surface of the substrate to be treated becomes active oxygen (O 2 * ) Is removed by a thermochemical reaction. After completing the removal process, the substrate to be processed on the mounting table is discharged from the mounting table by the substrate transfer unit.
[0014]
Note that the temperature of the gas discharge head is lower than that of the substrate or the mounting table. For this reason, in the above-described process of removing the organic film, a part of the organic material removed from the substrate surface is a gas discharge head, In particular, adhesion to the substrate side of the gas discharge head occurs.
[0015]
On the other hand, at the time of the cleaning process, the dummy substrate is placed on the mounting table by the substrate transfer means and is heated by the heating means, or in a state where nothing is mounted on the mounting table, the gas is supplied from the gas supply means. The processing gas is supplied to the gas discharge head, and the processing gas is discharged from the discharge holes toward the surface of the dummy substrate or the upper surface of the mounting table for a predetermined time. When nothing is placed on the mounting table, the mounting table is heated by the heating unit.
[0016]
Then, the processing gas discharged in the above state collides with the dummy substrate or the mounting table, and then forms a processing gas layer flowing along the dummy substrate or the mounting table. Ozone (O 3 ) Is oxygen (O 2 ) And active oxygen (O * ) And the organic matter adhering to the gas discharge head as described above is converted into active oxygen (O 2 * ) Is removed by a thermochemical reaction. That is, since there is no organic substance to be removed on the dummy substrate or the mounting table, the generated active oxygen (O * ) Reacts with the organic matter attached to the gas discharge head, and this is removed.
[0017]
Thereafter, the dummy substrate on the mounting table is discharged from the mounting table by the substrate transfer means. Then, such a cleaning process is appropriately performed during the repeated removal process.
[0018]
Thus, according to the ozone treatment apparatus and the ozone treatment method, the organic substances attached to the gas discharge head can be removed without disassembling the ozone treatment apparatus, that is, the gas discharge head can be cleaned. The processing can be performed extremely efficiently, the substrate processing can be performed continuously for a long time, and the production efficiency can be improved.
[0019]
Further, the present invention provides a process gas containing ozone from a discharge hole of a gas discharge head disposed above a substrate conveyed in a direction along a surface of the substrate by a conveyance unit so as to face the substrate. An ozone treatment method for treating the substrate by discharging toward the substrate surface,
A substrate to be processed having an organic film formed on its surface is transported by the transport unit, heated by a heating unit, and a transport speed set in advance below the gas discharge head where the process gas is discharged from the discharge hole. Removing treatment to remove an organic material film from the surface of the substrate to be treated,
A dummy substrate having no organic film formed on its surface is transported by the transport unit and heated by a heating unit, and a transport speed set in advance below the gas discharge head where the processing gas is discharged from the discharge hole. A cleaning process for removing the organic substances attached to the gas discharge head by passing through the cleaning device, wherein the cleaning process is performed during the removal process that is repeatedly performed. Related to the processing method.
[0020]
And this ozone processing method can be suitably implemented by the following ozone processing apparatus.
That is, the ozone treatment apparatus supports a substrate, and a transport unit that transports the substrate in a direction along the surface of the substrate,
Heating means for heating the substrate transferred by the transfer means,
A gas discharge head, which is disposed above the substrate conveyed by the transfer means so as to face the substrate, and has a discharge hole for discharging a processing gas containing ozone toward the substrate surface;
Gas supply means for supplying the processing gas to the gas discharge head and discharging the gas from the discharge holes,
A substrate to be processed having an organic film formed on its surface, and a dummy substrate having no organic film formed on its surface, a substrate supply means for selectively supplying the transfer means,
A substrate discharge unit that discharges the substrate transported in the direction by the transport unit from the transport unit,
Control means for controlling the operation of the transfer means, heating means, gas supply means, substrate supply means and substrate discharge means,
The control means,
The substrate supply unit is driven to supply the target substrate to the transfer unit, and the target substrate is transferred by the transfer unit, and the processing gas is discharged from the discharge holes below the gas discharge head. Is passed at a preset transport speed, a removing process of removing an organic material film from the surface of the processing target substrate,
The substrate supply means is driven to supply the dummy substrate to the transport means, and the transport means transports the dummy substrate, so that the processing gas is discharged from the discharge holes under the gas discharge head in advance. The cleaning device is configured to execute a cleaning process for removing organic substances attached to the gas discharge head by passing the gas at a set transport speed.
[0021]
According to this ozone treatment apparatus, at the time of the removal processing, first, the substrate to be processed is supplied to the transfer unit by the substrate supply unit, and is transferred by the transfer unit so as to pass below the gas discharge head at a predetermined transfer speed. . The substrate to be transported is heated by the heating means, and a processing gas containing ozone is supplied to the gas discharge head from the gas supply means and discharged from the discharge holes.
[0022]
When the substrate to be processed is transported to a position below the gas discharge head, the discharged processing gas collides with the substrate to be transported, and forms a processing gas layer flowing along the substrate. Ozone (O) in the processing gas 3 ) Is oxygen (O 2 ) And active oxygen (O * ) And the organic film on the substrate surface becomes active oxygen (O * ) Is removed by a thermochemical reaction.
[0023]
Then, after the substrate to be processed passes below the gas discharge head, it is discharged from the transfer means by the substrate discharge means.
[0024]
On the other hand, at the time of the cleaning process, first, the dummy substrate is supplied to the transport unit by the substrate supply unit, and is transported by the transport unit so as to pass below the gas discharge head at a predetermined transport speed. The transported dummy substrate is heated by the heating means, and the processing gas is supplied to the gas discharge head from the gas supply means and discharged from the discharge holes.
[0025]
When the dummy substrate is transported to a position below the gas discharge head, the discharged processing gas collides with the transported dummy substrate and forms a processing gas layer flowing along the dummy substrate. Ozone (O 3 ) Is oxygen (O 2 ) And active oxygen (O * ), And the organic matter adhering to the gas discharge head in the process of removing the organic material film becomes active oxygen (O 2 O). * ) Is removed by a thermochemical reaction.
[0026]
After the dummy substrate passes below the gas discharge head, the dummy substrate is discharged from the transfer means by the substrate discharge means. Then, such a cleaning process is appropriately performed during the repeated removal process.
[0027]
Thus, according to the ozone treatment apparatus and the ozone treatment method, similarly to the above, the gas discharge head can be efficiently cleaned without disassembling the ozone treatment apparatus, and the production efficiency of the substrate can be increased. it can.
[0028]
In the ozone treatment apparatus, the gas discharge head is provided with a cooling fluid passage through which a cooling fluid flows, and a cooling fluid circulating means for supplying and circulating a cooling fluid in the cooling fluid passage. And the control means drives the cooling fluid circulating means to supply and circulate the cooling fluid in the cooling fluid flow path at a preset flow rate during the removal processing, The driving of the cooling fluid circulating means is stopped so that the cooling fluid is not supplied and circulated in the cooling fluid channel, or the cooling fluid circulating means is driven to make the cooling fluid lower than the flow rate at the time of the removal processing. The cooling fluid may be supplied and circulated in the cooling fluid channel at a small flow rate.
[0029]
According to the ozone treatment apparatus having such a configuration, at the time of removal processing, the gas discharge head is supplied at a predetermined flow rate into the cooling fluid flow path and is cooled by the circulating cooling fluid, so that the processing gas flowing through the gas discharge head is cooled. Can be prevented from rising, and the ozone in the processing gas can be prevented from being thermally decomposed due to the rise in temperature and the concentration thereof can be prevented from decreasing.
[0030]
On the other hand, at the time of the cleaning process, since the cooling fluid is not supplied to the gas discharge head or is supplied only at a smaller flow rate than at the time of the removal process, the temperature of the gas discharge head rises, thereby It is possible to more effectively remove the organic matter attached to the head. Further, when the cooling fluid is supplied to the gas discharge head, it is possible to prevent the temperature of the gas discharge head from becoming extremely high, that is, to increase the temperature of the gas discharge head to a certain temperature. Therefore, it is possible to prevent the ozone in the processing gas from being thermally decomposed.
[0031]
In this case, the gas discharge head further includes a head body having a processing gas flow path and the cooling fluid flow path through which the processing gas supplied from the gas supply unit flows, and a lower surface of the head body. A nozzle body fixedly suspended to communicate with the processing gas flow path and having the discharge hole opened toward the substrate surface, and a heat insulating member interposed between the head body and the nozzle body May be provided.
[0032]
According to this gas discharge head, since the heat insulating member is interposed between the head main body and the nozzle body, heat conduction hardly occurs between them. Accordingly, the head body is effectively cooled by the cooling fluid circulating in the cooling fluid flow path, while the nozzle body is not cooled by the cooling fluid, but is heated by the heating means to a high-temperature atmosphere. For example, the organic matter that is effectively heated by the above process and is removed during the removal process is less likely to adhere to the nozzle body.
[0033]
Further, it is preferable that the control unit is configured to control the heating unit such that a heating temperature during the cleaning process is higher than a heating temperature during the removal process. By increasing the temperature of the dummy substrate, the mounting table, and the gas discharge head during the cleaning process as compared with the temperature during the removal process, the amount of active oxygen generated by thermal decomposition can be increased, and the organic substances attached to the gas discharge head can be further reduced. Effective removal can be achieved.
[0034]
In addition, the present invention discharges a processing gas containing ozone toward a surface of the substrate from a discharge hole of a gas discharge head disposed above the substrate mounted on the mounting table so as to face the substrate. An ozone treatment method for treating the substrate by
The substrate to be processed having an organic film formed on the surface is placed on the mounting table described above, and heated by heating means, and the processing gas is discharged from the discharge holes for a preset time, and the surface of the substrate to be processed is discharged. A removal process for removing an organic film from
After the preset time has elapsed, the processing gas is discharged from the discharge hole by extending the predetermined time, and a cleaning process for removing organic substances attached to the gas discharge head is included.
The present invention relates to an ozone treatment method, wherein the cleaning process is performed between the repeated removal processes.
[0035]
And the said ozone treatment method can be suitably implemented by the following ozone treatment apparatus.
That is, this ozone processing apparatus is the ozone processing apparatus having a mounting table, wherein the substrate transfer means is configured to supply and mount only the substrate to be processed on the mounting table, The means drives the substrate transfer means to place the substrate to be processed on the mounting table, and then drives the gas supply means to discharge the processing gas from the discharge holes for a preset time. Removing the organic film from the surface of the processing target substrate, and discharging the processing gas from the discharge holes by extending a predetermined time even after the preset time has elapsed, and And a cleaning process for removing an organic substance attached to the substrate.
[0036]
According to this ozone processing apparatus, first, the substrate to be processed is mounted on the mounting table by the substrate transfer means and heated by the heating means. Then, a processing gas containing ozone is supplied to the gas discharge head from the gas supply means, and is discharged from the discharge hole toward the surface of the substrate to be processed for a predetermined time, whereby the organic film is removed from the surface of the substrate to be processed. . Thereafter, the substrate to be processed on the mounting table is discharged from the mounting table by the substrate transfer means. In this manner, the removal processing for removing the organic film from the surface of the substrate to be processed is performed.
[0037]
On the other hand, the cleaning process is performed by discharging the processing gas from the discharge holes for a predetermined time after the predetermined processing gas discharge time during the removal process has elapsed. When the processing gas is discharged for a time set during the removal processing, the organic gas film on the substrate surface is completely removed by the processing gas. Therefore, by extending the set time and discharging the processing gas only for a predetermined time, the active oxygen generated from the processing gas acts on the organic substance attached to the gas discharge head, and the organic substance is removed. Will be.
[0038]
Thereafter, the substrate to be processed on the mounting table is discharged from the mounting table by the substrate transfer means. Then, such a cleaning process is appropriately performed during the repeated removal process. Thus, the ozone treatment apparatus has the same effect as the above-described ozone treatment apparatus.
[0039]
Further, the present invention provides a process gas containing ozone from a discharge hole of a gas discharge head disposed above a substrate conveyed in a direction along a surface of the substrate by a conveyance unit so as to face the substrate. An ozone treatment method for treating the substrate by discharging toward the substrate surface,
A substrate to be processed having an organic film formed on its surface is transported by the transport unit, heated by a heating unit, and a transport speed set in advance below the gas discharge head where the process gas is discharged from the discharge hole. Removing treatment to remove an organic material film from the surface of the substrate to be treated,
The substrate to be processed is transported by the transport unit, heated by a heating unit, and passes below the gas discharge head from which the processing gas is discharged from the discharge holes at a speed lower than the transport speed during the removal process. And a low-speed transport process for removing the organic material film and removing the organic material attached to the gas discharge head.
The present invention relates to an ozone processing method, wherein the low-speed transport processing is performed during the repeated removal processing.
[0040]
And the said ozone treatment method can be suitably implemented by the following ozone treatment apparatus.
That is, the ozone treatment apparatus is the ozone treatment apparatus provided with a transfer unit, wherein the substrate supply unit is configured to supply only the substrate to be processed to the transfer unit, and the control unit includes the control unit, The substrate supply means is driven to supply the processing target substrate to the transfer means, and the processing target substrate is transferred by the transfer means, so that the processing gas is discharged from the discharge holes under the gas discharge head. The substrate is passed at a preset transfer speed, a removal process of removing an organic film from the surface of the substrate to be processed, and the substrate supply unit is driven to supply the substrate to be processed to the transport unit. The processing target substrate is transported, and a lower speed than the transport speed at the time of the removal processing is provided below the gas discharge head where the processing gas is discharged from the discharge holes. In is passed, configured to perform a low-speed transport process for removal and removal of organic substances adhered to the gas discharge head of the organic film.
[0041]
According to this ozone processing apparatus, the substrate to be processed is supplied to the transport unit by the substrate supply unit, and transported by the transport unit so as to pass below the gas discharge head at a predetermined transport speed. The substrate to be transported is heated by the heating means, and a processing gas containing ozone is supplied to the gas discharge head from the gas supply means and discharged from the discharge holes.
[0042]
Then, the organic film is removed from the surface of the substrate to be processed as the substrate to be processed passes below the gas discharge head. Thereafter, the substrate to be processed passes completely below the gas discharge head, and is then discharged from the transfer means by the substrate discharge means. In this way, the removal processing for removing the organic film from the surface of the substrate to be processed is performed.
[0043]
On the other hand, in the low-speed transport process, the substrate to be processed is supplied to the transport unit by the substrate supply unit, and transported so as to pass below the gas discharge head at a speed lower than the transport speed during the removal process. Also at this time, the substrate to be processed is heated by the heating means, and the processing gas is supplied to the gas discharge head from the gas supply means and discharged from the discharge holes.
[0044]
Then, as the substrate to be processed passes below the gas discharge head, the removal of the organic material film on the substrate surface and the removal of the organic material attached to the gas discharge head are performed. That is, by transporting the substrate to be processed at a speed lower than the transport speed at the time of the removal processing, the processing gas discharge time to the substrate surface can be lengthened, and the organic film on the substrate surface is completely removed. Thereafter, the organic substances adhered to the gas discharge head are removed by the processing gas continuously discharged.
[0045]
Then, after the substrate to be processed completely passes below the gas discharge head, the substrate is discharged from the transfer means by the substrate discharge means. Then, such a low-speed transport process is appropriately executed during the repeated removal process. Thus, the ozone treatment apparatus has the same effect as the above-described ozone treatment apparatus.
[0046]
In the ozone treatment apparatus having the above configuration, the gas discharge head may further include a head main body having a processing gas flow path through which the processing gas flows and a cooling fluid flow path through which a cooling fluid flows, and a lower surface of the head main body. A nozzle body fixedly suspended to communicate with the processing gas flow path and having the discharge hole opened toward the substrate surface, and a heat insulating member interposed between the head body and the nozzle body And a cooling fluid is supplied from the cooling fluid circulation means into the cooling fluid flow path, and a processing gas is supplied from the gas supply means into the processing gas flow path. Is also good.
[0047]
With this configuration, the gas discharge head is cooled by the cooling fluid circulating in the cooling fluid flow path, so that the temperature of the processing gas flowing in the gas discharge head can be prevented from rising, and the temperature rise can be prevented. This can prevent ozone in the processing gas from being thermally decomposed to lower its concentration.
[0048]
Further, since the heat insulating member is interposed between the head main body and the nozzle body, heat conduction hardly occurs between them. Accordingly, the head body is effectively cooled by the cooling fluid circulating in the cooling fluid flow path, while the nozzle body is not cooled by the cooling fluid, but is heated by the heating means to a high-temperature atmosphere. For example, the organic matter that is effectively heated by the above process and is removed during the removal process is less likely to adhere to the nozzle body.
[0049]
By the way, the organic substance is not particularly limited as long as it reacts with active oxygen. As an example, a photoresist can be cited. Further, the heating temperature of the substrate is preferably in a range of 200 ° C. to 500 ° C., and the processing gas preferably contains 14% by weight or more of ozone, and ozone and TEOS (tetraethyl orthosilicate, tetraethyl silicate, Si (C 2 H 5 O) 4 ) May be used.
[0050]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view partially showing a schematic configuration of an ozone treatment apparatus according to an embodiment of the present invention in a block diagram. 2 is a plan view in the direction of arrow A in FIG. 1, FIG. 3 is a bottom view in the direction of arrow B in FIG. 1, and FIG. 4 is a view in the direction of arrow CC in FIG. It is sectional drawing.
[0051]
As shown in FIG. 1, an ozone treatment apparatus 1 of the present embodiment has a treatment chamber 10 having a predetermined internal volume, an opening at the top, a substrate (substrate to be treated) K having an organic film formed on the surface, and a surface K. A substrate (dummy substrate) K ′ having no organic film formed thereon is selectively loaded into the processing chamber 10, and a substrate transfer device 14 for transporting the substrates K and K ′ out of the processing chamber 10; A mounting table 15, which is provided in the chamber 10 and on which the substrates K, K 'are mounted, a gas discharge head 20, which is disposed above the mounting table 15, and an operation of the substrate transfer device 14, etc. It is configured to include a control device 50 for controlling.
[0052]
Further, the ozone treatment apparatus 1 removes an organic film formed on the surface of the substrate K by discharging ozone gas from the gas discharge head 20 toward the surface of the substrate K mounted on the mounting table 15. And a cleaning process of discharging ozone gas from the gas discharge head 20 toward the surface of the dummy substrate K ′ mounted on the mounting table 15 to remove organic substances attached to the gas discharge head 20. Have been.
[0053]
The processing chamber 10 is closed by a lid 11 and has a loading / unloading port (not shown) for loading or unloading the substrates K and K ′. Further, the gas in the processing chamber 10 is appropriately discharged to the outside from a discharge port (not shown).
[0054]
The mounting table 15 has a built-in heater 16 for heating the substrates K and K ′ mounted on the upper surface. The heater 16 is controlled by the control device 50 and heats the substrates K and K ′ so that the temperature of the substrates K and K ′ is higher during the cleaning process than during the removal process.
[0055]
The mounting table 15 is vertically movable by an elevator 17 whose operation is controlled by the controller 50. The elevator 17 is provided through the bottom surface of the processing chamber 10. A lifting rod 18 is provided, and the bottom of the mounting table 15 is supported by the lifting rod 18. The lifting device 17 includes an electric cylinder, a pneumatic cylinder, and the like.
[0056]
A plurality of support needles 12 are formed on the bottom surface of the processing chamber 10, the tips of which are sharply formed, and on which the substrates K and K ′ are temporarily placed. Is located at the lower end position, it is inserted through a through-hole (not shown) formed in the mounting table 15, and its tip projects upward from the upper surface of the mounting table 15, while the mounting table 15 is , It is to be extracted from the through hole (not shown).
[0057]
In this way, when the mounting table 15 is moved up after the substrates K and K ′ are temporarily placed on the support needles 12 while the mounting table 15 is at the lower end position, the support needles 12 are moved upward. And the substrates K and K ′ are mounted on the mounting table 15. On the other hand, the substrates K and K ′ thus placed on the mounting table 15 are temporarily placed again on the support needles 12 by performing the reverse operation. The elevating device 17 moves the mounting table 15 such that when the mounting table 15 reaches the rising end position, the distance between the lower surface of each of the opposed plates 32 described below and the surfaces of the substrates K and K ′ becomes a predetermined distance. To the rising end position.
[0058]
The substrate transfer device 14 includes, for example, a robot that grips and transports the substrates K and K ′, and loads and supports the substrates K and K ′ from the loading / unloading port (not shown) into the processing chamber 10. While being temporarily placed on the needle 12, the substrates K and K ′ temporarily placed again on the support needle 12 are configured to be carried out of the processing chamber 10 through a loading / unloading port (not shown). The controller 50 controls the substrate K to be temporarily placed on the support needles 12 during the removal process and the dummy substrate K ′ during the cleaning process.
[0059]
As shown in FIGS. 1 to 4, the gas discharge head 20 includes a block-shaped head body 21, and a plurality of nozzle bodies 31 fixed to a lower surface of the head body 21 by a fixing member 30 so as to hang therefrom. An opposing plate 32 having a hexagonal shape in plan view, which is fixed to the lower end of each nozzle body 31, is interposed between the head body 21 and each nozzle body 31 and between the fixing member 30 and each nozzle body 31, respectively. The heat insulating members 33 and 34 are provided, and the upper surface of the head main body 21 is supported by a support member 22 disposed on the side wall of the processing chamber 10. The nozzle body 31 is provided on the entire lower surface of the head main body 21, but FIG. 4 shows only a part thereof.
[0060]
The head main body 21 is formed with a plurality of coolant passages 27 penetrating from one end to the other end of the side surface, and each of the coolant passages 27 is connected to a coolant circulation device 45. The pipes 46 and 47 are respectively connected, and the coolant is supplied from the coolant circulating device 45 into the coolant channels 27 via the pipe 46. Then, the supplied coolant flows through each coolant channel 27 and is returned to the coolant circulation device 45 via the pipe 47. Thus, the coolant is supplied and circulated between the head body 21 and the coolant circulating device 45, whereby the head body 21 is cooled.
[0061]
The cooling liquid circulating device 45 supplies the cooling liquid into each of the cooling liquid flow paths 27 during the removing process and circulates the same, while the cleaning device supplies and circulates the cooling liquid during the cleaning process. Is controlled by
[0062]
Further, the head body 21 communicates with the ozone gas supply hole 23, the plurality of ozone gas flow paths 24 and the connection holes 25 communicating with the ozone gas supply hole 23, and opens on the lower surface of the head body 21. A plurality of communication holes 26 are respectively formed, and ozone gas (processing gas) of a predetermined concentration generated by the ozone gas generation device 40 is connected to the ozone gas supply holes 23 through the connection holes 25 and the pipe 41 connected thereto. The ozone gas is supplied from the ozone gas generator 40 via the power supply.
[0063]
Each of the nozzle bodies 31 is formed of a tubular member having an internal space functioning as an ozone gas discharge hole. An upper opening 31a is connected to each of the communication holes 26, while a lower opening 31b is connected to the substrate K. , K ′. Thus, the ozone gas supplied from the ozone gas generator 40 to each nozzle body 31 via the pipe 41, each connection hole 25, the ozone gas supply hole 23, each ozone gas flow path 24, and each communication hole 26 in sequence is located below the ozone gas. Are discharged toward the surfaces of the substrates K and K ′ from the openings 31b.
[0064]
The operation of the ozone gas generation device 40 is controlled by the control device 50, and the ozone gas is discharged from the opening 31b of each nozzle body 31 for a predetermined time during the removal process and the cleaning process, respectively. Ozone gas is supplied to each nozzle body 31.
[0065]
Each of the opposing plates 32 is disposed on the same plane so as to oppose the substrates K and K ′, and a gap S is formed between the opposing plates 32 adjacent to each other. Suitable materials for the facing plate 32 include, for example, ceramics, stainless steel, silicon, aluminum, titanium, glass and quartz.
[0066]
The heat insulating members 33 and 34 are provided to prevent each nozzle body 31 from directly contacting the head main body 21 and the fixing member 30. The space between them is insulated. When the fixing member 30 is made of a material having an extremely low thermal conductivity, heat insulation between each nozzle body 31 and the head main body 21 can be ensured without providing the heat insulating member 34. Examples of suitable materials for the heat insulating members 33 and 34 include fluororesins represented by polytetrafluoroethylene, ceramics, glass, quartz, and the like. Preferably, it is composed of small materials.
[0067]
Thus, the head body 21 is not heated by the nozzle body 31 and the facing plate 32, but is effectively cooled by the coolant circulating in the coolant channel 27, while the nozzle body 31 and the facing plate are not heated. 32 is effectively heated by an atmosphere heated by the heater 16 to a high temperature without being cooled by the cooling liquid, and its temperature is raised.
[0068]
According to the ozone treatment apparatus 1 of the present example configured as described above, at the time of the removal processing, first, the substrate K is carried into the processing chamber 10 by the substrate transfer device 14 and placed on the support needle 12. At this time, the position of the mounting table 15 is located at the lower end position. Further, a coolant is supplied and circulated from the coolant circulation device 45 into each coolant channel 27, and the head body 21 is cooled by the coolant.
[0069]
When the mounting table 15 is raised, the support needles 12 are relatively lowered with respect to the mounting table 15, and the substrate K is mounted on the upper surface of the mounting table 15, and the mounting table 15 reaches the rising end position, The space between the lower surface of each opposing plate 32 and the surface of the substrate K is a predetermined space. The substrate K mounted on the upper surface of the mounting table 15 is heated to a predetermined temperature by the heater 16.
[0070]
Next, ozone gas of a predetermined concentration is supplied from the ozone gas generator 40 to each nozzle body 31 for a predetermined time via the pipe 41, each connection hole 25, the ozone gas supply hole 23, each ozone gas flow path 24, and each communication hole 26 in order. Are discharged from the lower opening 31b toward the surface of the substrate K.
[0071]
The ejected ozone gas collides with the substrate K and forms an ozone gas layer flowing along the substrate K. In this flow, the ozone (O 3 ) Is heated by the substrate K. Oxygen (O 2) is heated by such heating or by contact with the substrate K or an organic substance. 2 ) And active oxygen (O * ), And an organic film is formed from the surface of the substrate K by active oxygen (O 2). * ) Is removed by a thermochemical reaction.
[0072]
The ozone gas discharged from each nozzle body 31 and flowing along the substrate K thereafter collides with each other and flows toward the gap S between the opposing plates 32, and from this gap S, the back surface (upper surface) of the opposing plate 32 ) Side, that is, from the space between the substrate K and the opposing plate 32.
[0073]
Thereafter, when the mounting table 15 is lowered, the substrate K on the mounting table 15 is mounted again on the support needle 12, and the mounted substrate K is unloaded from the processing chamber 10 by the substrate transfer device 14. .
[0074]
Note that the temperature of the gas discharge head 20 is lower than that of the substrate K and the mounting table 15, and therefore, a part of the organic material removed from the surface of the substrate K in the process of removing the organic material film described above. May adhere to the gas discharge head 20, especially the lower surface of the opposing plate 32. Therefore, the organic substances thus attached to the gas discharge head 20 are removed by the next cleaning process.
[0075]
That is, in the cleaning process, first, the dummy substrate K ′ on which the organic material film is not formed is carried into the processing chamber 10 by the substrate transfer device 14 and placed on the support needle 12. At this time, the position of the mounting table 15 is located at the lower end position. Further, the supply and circulation of the coolant from the coolant circulation device 45 into each coolant channel 27 are stopped.
[0076]
Then, the mounting table 15 is raised, and the dummy substrate K ′ is mounted on the upper surface of the mounting table 15, and the distance between the lower surface of each opposing plate 32 and the surface of the dummy substrate K ′ is a predetermined distance. Further, the dummy substrate K ′ placed on the mounting table 15 is heated by the heater 16, and at this time, is heated so as to be higher than the substrate K heating temperature at the time of the removal processing.
[0077]
Next, a predetermined concentration of ozone gas is supplied from the ozone gas generator 40 to each nozzle body 31 for a predetermined time, and is discharged from the lower opening 31b toward the surface of the dummy substrate K ′.
[0078]
The ejected ozone gas collides with the dummy substrate K ′, and then forms an ozone gas layer flowing along the dummy substrate K ′. 3 ) Is heated by the dummy substrate K ′, and the oxygen (O 2) is heated by such heating or contact with the dummy substrate K ′. 2 ) And active oxygen (O * ), And the organic matter attached to the lower surface of each opposing plate 32 and the like becomes active oxygen (O 2). * ) Is removed by a thermochemical reaction.
[0079]
That is, since there is no organic substance to be removed on the dummy substrate K ', the generated active oxygen (O * Most of the above react with organic substances attached to the lower surface of each opposing plate 32 and the like, and are removed.
[0080]
Thereafter, when the mounting table 15 is lowered, the dummy substrate K ′ on the mounting table 15 is mounted again on the support needles 12, and the mounted dummy substrate K ′ is placed in the processing chamber 10 by the substrate transfer device 14. It is carried out from. Then, such a cleaning process is appropriately performed during the repeated removal process.
[0081]
Specifically, when the number of processed substrates K reaches a predetermined number, that is, when it is estimated that the amount of organic substances attached to the gas discharge head 20 has reached a considerable amount, the control device 50 sets the dummy substrate K Is mounted on the mounting table 15, and the ozone gas is discharged from each nozzle body 31.
[0082]
Thus, according to the ozone treatment apparatus 1 of the present embodiment, the organic substances attached to the gas discharge head 20 can be removed without disassembling the treatment apparatus 1, that is, the gas discharge head 20 can be cleaned. The cleaning process can be performed extremely efficiently, and the substrate processing can be performed continuously for a long time, so that the production efficiency can be improved.
[0083]
Further, at the time of the removal process, the head body 21 is cooled by the coolant circulating in the coolant channel 27, so that the temperature of the ozone gas flowing in the head body 21 can be prevented from rising, and the temperature rise can be prevented. This can prevent ozone in the ozone gas from being thermally decomposed to lower its concentration.
[0084]
In addition, during the cleaning process, the supply and circulation of the coolant into the coolant channel 27 are stopped, and the dummy substrate K ′ is heated so as to be higher than the heating temperature during the removal process. By increasing the temperature of the substrate K ′, the mounting table 15 and the gas discharge head 20 (each of the opposed plates 32 and the like), the amount of active oxygen generated by thermal decomposition can be increased. The attached organic matter can be effectively removed.
[0085]
Further, since the heat insulating members 33 and 34 are interposed between the head body 21 and the nozzle body 31 and between the fixing member 30 and each nozzle body 31, respectively, heat conduction hardly occurs between them. ing. As a result, the head body 21 is effectively cooled by the cooling fluid circulating in the cooling fluid flow path, while the nozzle body 31 is heated by the heater 16 to a high temperature without being cooled by the cooling fluid. The organic substance removed during the removal process is effectively heated by an atmosphere or the like, and is hardly attached to the nozzle body 31.
[0086]
The organic substance is not particularly limited as long as it reacts with active oxygen. As an example, a photoresist can be used. Further, the heating temperature of the substrates K and K ′ is preferably in a range of 200 ° C. to 500 ° C., and the ozone gas preferably contains 14% by weight or more of ozone. Ozone and TEOS (tetraethyl orthosilicate, silicic acid) Tetraethyl, Si (C 2 H 5 O) 4 ) May be used.
[0087]
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, the specific aspect which this invention can take is not limited to this at all.
[0088]
For example, in the above example, the dummy substrate K ′ is mounted on the mounting table 15 and the cleaning process is performed by discharging ozone gas to the surface of the dummy substrate K ′. However, the present invention is not limited to this. The cleaning process may be performed by discharging the ozone gas from the gas discharge head 20 in a state where the substrate K is not placed thereon.
[0089]
After the discharged ozone gas collides with the mounting table 15, it forms an ozone gas layer flowing along the mounting table 15, thereby removing organic substances attached to the lower surface of each opposing plate 32 and the like. The mounting table 15 is in a state of being heated by the heater 16.
[0090]
Further, in the cleaning process, as in the case of the removal process, in a state where the substrate K to be processed is mounted on the mounting table 15, after the discharge time in the removal process has elapsed, a predetermined time is extended. This may be performed by discharging ozone gas from each nozzle body 31.
[0091]
In this case, the substrate transfer device 14 is configured to carry only the substrate K to be processed into the processing chamber 10, and the ozone gas generation device 40 performs the cleaning process after the elapse of the discharge time in the removal process. Also, an ozone gas is discharged from each nozzle body 31 for a predetermined time.
[0092]
When the ozone gas is discharged for the same time as the time of the removal processing, the organic material film on the surface of the substrate K to be processed is completely removed by the ozone gas. By doing so, the active oxygen generated from the ozone gas acts on the organic matter attached to the lower surface of the opposing plate 32 and the like, and the organic matter is removed.
[0093]
Further, the ozone treatment apparatus 1 supplies the ozone gas to the surface of the substrate K while transporting the substrate K to be treated in a predetermined direction, as shown in FIGS. A removing process for removing the formed organic material film, and a cleaning process for supplying the ozone gas to the surface of the dummy substrate K 'while transporting the dummy substrate K' in a predetermined direction to remove the organic material attached to the gas discharge head 20. May be performed. FIG. 5 is a cross-sectional view partially showing a schematic configuration of an ozone treatment apparatus according to another embodiment of the present invention in a block diagram, and FIG. 6 is a side view in the direction of arrow D in FIG. . The same components as those of the above-described ozone treatment apparatus 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
[0094]
The ozone processing apparatus 70 includes the processing chamber 10, a transport roller 71 disposed in the processing chamber 10, and supporting the substrates K and K ′ and transporting the substrates K and K ′ in a predetermined direction (the direction indicated by an arrow in FIG. 6). The gas discharge head 20 disposed above the substrates K and K ′ transported by the transport rollers 71, and a heater 75 disposed below the substrates K and K ′ and heating the substrates K and K ′. A substrate supply device (not shown) for selectively supplying the substrate K to be processed and the dummy substrate K ′ onto the transport roller 71, and the substrates K, K transported in the direction by the transport roller 71 ′ From the transport roller 71, the ozone gas generator 40 for supplying ozone gas to the gas discharge head 20, and the cooling fluid for supplying and circulating a cooling fluid to the gas discharge head 20. cooling A circulating device 45, the heater 75, the board supply apparatus (not shown), provided with a like control unit 76 for controlling the operation of such ozone generator 40 and the cooling liquid circulating device 45 constructed.
[0095]
In the processing chamber 10, a carry-in port (not shown) for carrying the substrates K and K 'is formed on the upstream side in the carrying direction of the carrying roller 71, and the substrates K and K' are provided on the downstream side in the carrying direction. The substrate supply device (not shown) carries the substrates K and K ′ into the processing chamber 10 from the carry-in port (not shown). The substrate K and the K ′ after passing below the gas discharge head 20 are transferred from the discharge port (not shown) to the outside of the processing chamber 10 by the substrate discharge device (not shown). Take it out.
[0096]
A plurality of the transfer rollers 71 are disposed at predetermined intervals along the transfer direction, and both ends of a rotation shaft 72 are respectively rotated by respective support devices 73 fixed to a side wall of the processing chamber 10. It is freely supported. A flange 74a is formed on each of the rollers 74 located on both sides of the transport roller 71, and the flange 74a restricts the movement of the substrate K in the direction of arrow E.
[0097]
One end of the rotating shaft 72 is connected to a driving device (not shown). The driving device (not shown) causes the rotating shaft 72 to rotate about its axis, thereby rotating the transport roller 71. Then, the substrates K and K 'are transported in the transport direction. The operation of the drive device (not shown) is controlled by the control device 76 so that the transfer speed of the substrates K and K 'becomes a predetermined transfer speed. In the present example, the transport roller 71 and a driving device (not shown) function as a transport unit.
[0098]
The heater 75 heats the substrates K and K ′ such that the heating temperature during the cleaning process is higher than the heating temperature during the removal process.
[0099]
According to the ozone treatment apparatus 70 configured as described above, at the time of the removal processing, first, the substrate K to be processed is loaded into the processing chamber 10 by the substrate supply device (not shown) and supplied onto the transport roller 71. Is done. Then, the substrate K is transported by the transport rollers 71 so as to pass below the gas discharge head 20 at a predetermined transport speed.
[0100]
The substrate K to be transported is heated to a predetermined temperature by a heater 75, and an ozone gas is supplied to each nozzle body 31 from an ozone gas generator 40 and is discharged from each nozzle body 31. Further, a coolant is supplied and circulated from the coolant circulation device 45 into each coolant channel 27, and the head body 21 is cooled by the coolant.
[0101]
When the substrate K is transported to a position below the gas discharge head 20, the ozone gas discharged from each nozzle body 31 collides with the transported substrate K and forms an ozone gas layer flowing along the substrate K. In the ozone (O 3 ) Is oxygen (O 2 ) And active oxygen (O * ) And an organic film is formed from the surface of the substrate K by active oxygen (O 2 * ) Is removed by a thermochemical reaction.
[0102]
The ozone gas discharged from each nozzle body 31 and flowing along the substrate K thereafter flows toward the gap S between the opposing plates 32 upon collision with each other. ) Side, that is, from the space between the substrate K and the opposing plate 32.
[0103]
The substrate K is completely removed from the processing chamber 10 by the substrate discharge device (not shown) after the organic film is completely removed under the gas discharge head 20 and the entire surface thereof is removed.
[0104]
By the way, as described above, the temperature of the gas discharge head 20 is lower than that of the substrate K or the like. Therefore, in the process of removing the organic material film, one of the organic substances removed from the surface of the substrate K is removed. The part adheres to the gas discharge head 20, especially to the lower surface of the opposing plate 32. Therefore, the organic substances thus attached to the gas discharge head 20 are removed by the next cleaning process.
[0105]
That is, at the time of the cleaning process, first, the dummy substrate K ′ on which the organic film is not formed is loaded into the processing chamber 10 by the substrate supply device (not shown), and is supplied onto the transport roller 71. Then, the dummy substrate K ′ is transported by the transport rollers 71 so as to pass below the gas discharge head 20 at a predetermined transport speed.
[0106]
The transported dummy substrate K 'is heated to a predetermined temperature by the heater 75, but is heated to a temperature higher than the heating temperature at the time of the removal processing. Further, ozone gas is supplied from the ozone gas generator 40 to each nozzle body 31 and is discharged from each nozzle body 31. Further, the supply and circulation of the coolant from the coolant circulation device 45 into each coolant channel 27 are stopped.
[0107]
When the dummy substrate K ′ is conveyed to a position below the gas discharge head 20, the ozone gas discharged from each nozzle body 31 collides with the conveyed dummy substrate K ′, and then flows along the ozone gas layer. To form oxygen (O 2) in such a stream. 2 ) And active oxygen (O * ) And the organic matter attached to the lower surface of the opposing plate 32 and the like is converted into active oxygen (O 2). * ) Is removed by a thermochemical reaction.
[0108]
After the dummy substrate K ′ has completely passed under the gas discharge head 20, it is carried out of the processing chamber 10 by a substrate discharge device (not shown), and the cleaning process is repeatedly performed. It is appropriately executed during the processing.
[0109]
Thus, the same effect as the above-described ozone treatment apparatus 1 is also obtained by the ozone treatment apparatus 70.
[0110]
In the ozone treatment apparatus 70, the cleaning process may be performed by transporting the substrate K to be processed at a speed lower than the transport speed at the time of the removal process.
[0111]
In this case, the substrate supply device (not shown) is configured to carry only the substrate K to be processed into the processing chamber 10, and the driving device (not shown) operates during the cleaning process and during the removal process. Is configured to transfer the substrate K at a speed lower than the transfer speed in.
[0112]
In this way, during the cleaning process, the removal of the organic material film on the surface of the substrate K and the removal of the organic material attached to the lower surface of the opposing plate 32 and the like are performed. That is, by transporting the substrate K at a speed lower than the transport speed at the time of the removal processing, the discharge time of the ozone gas to the surface of the substrate K can be lengthened, and the organic film on the surface of the substrate K is completely removed. After that, organic substances attached to the lower surface of the opposing plate 32 and the like are removed by the subsequently discharged ozone gas.
[0113]
Further, the structure of the gas discharge head 20 is not limited to the above example, and may have a structure as shown in FIGS. 7 and 8, for example. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a gas discharge head according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view in the direction of arrow F in FIG.
[0114]
The gas discharge head 80 includes a block-shaped upper member 81, a housing-shaped lower member 82 fixed to the lower surface of the upper member 81 and having an internal space opened vertically, and a lower surface of the lower member 82 (substrate). An opening (discharge hole) 83 on the side facing K and K ′) is provided with a permeable member 84 provided so as to close the opening 83.
[0115]
The air permeable member 84 is a plate-shaped member having a large number of air passages penetrating vertically (front and back) over the entire area. As described above, the lower member 82 is closed so as to close the lower opening 83 of the lower member 82. 83, the lower surface of which is opposed to the substrates K and K '.
[0116]
The air-permeable member 84 is made of a sintered body of stainless steel, a sintered body of zirconia, a sintered body of titanium and a sintered body of ceramics, a porous film of polytetrafluoroethylene, a metal mesh or a punched metal. For example, when the air-permeable member 84 is made of a sintered body, the voids (pores) formed between the particles correspond to the air passage.
[0117]
The internal space of the lower member 82 closed by the upper member 81 and the gas permeable member 84 functions as a gas retaining chamber 85, and the gas retaining chamber 85 includes an ozone gas generated by the ozone gas generator 40. Are supplied and filled from the ozone gas generator 40 via an ozone gas flow passage 86 formed in the pipe and the lower member 82 as appropriate.
[0118]
Then, the ozone gas supplied from the ozone gas generator 40 to the gas storage chamber 85 passes through each ventilation path of the gas permeable member 84 provided in the lower opening 83 of the gas storage chamber 85 and is directed toward the surfaces of the substrates K and K ′. When the internal pressure in the gas storage chamber 85 increases and the pressure in the gas storage chamber 85 becomes substantially equilibrium, the ozone gas is discharged from the entire area of the gas permeable member 84 at a substantially uniform speed. Become like
[0119]
That is, the ozone gas supplied from the ozone gas generator 40 to the gas retaining chamber 85 is discharged toward the surfaces of the substrates K and K ′ while being diffused at a substantially uniform speed by the respective permeable members 84.
[0120]
The upper member 81 has a coolant flow path 87 formed therein. In the coolant flow path 87, the coolant flows into the coolant flow path 87 from the coolant circulating device 45 via an appropriate pipe. The supplied and supplied cooling liquid flows through the cooling liquid flow path 87, and is then returned to the cooling liquid circulating device 45 via an appropriate pipe. Thus, the ozone gas supplied and filled into the gas retaining chamber 85 is cooled by the cooling liquid.
[0121]
Further, in the ozone treatment apparatuses 1 and 70 of the above example, the supply of the cooling liquid from the cooling liquid circulation device 45 into each of the cooling liquid flow paths 27 is stopped during the cleaning processing. The coolant may be supplied into the coolant channel 27 at a flow rate smaller than the flow rate.
[0122]
Also in this case, as in the case where the supply of the cooling liquid is stopped, the temperature of the gas discharge head 20 is increased to more effectively remove the organic substances attached to the gas discharge head 20 (particularly, the opposed plates 32). Can be removed. Further, since the temperature of the gas discharge head 20 can be prevented from becoming extremely high, that is, the temperature of the gas discharge head 20 can be raised to a certain temperature, the ozone in the ozone gas is thermally decomposed. Can be prevented.
[0123]
Further, in the above example, the nozzle body 31 is disposed between the head body 21 and the nozzle body 31 and between the fixed member 30 and the nozzle body 31 with the heat insulating members 33 and 34 interposed therebetween. Although it is configured to be provided on the lower surface of the main body 21, it is not limited to this, and it may be provided directly without interposing the heat insulating members 33 and 34.
[0124]
In this case, when the flow rate of the coolant supplied from the coolant circulation device 45 into the coolant channel 27 is changed between the removal process and the cleaning process, the temperature of the opposed plate 32 during the removal process becomes It is preferable to control the supply flow rate of the cooling liquid so as to be in the range of 120 ° C. to 140 ° C., but in the range of 180 ° C. to 250 ° C. during the cleaning process.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view partially showing a schematic configuration of an ozone treatment apparatus according to an embodiment of the present invention in a block diagram.
FIG. 2 is a plan view in the direction of arrow A in FIG.
FIG. 3 is a bottom view in the direction of arrow B in FIG. 1;
FIG. 4 is a cross-sectional view in the direction of arrows CC in FIG. 2;
FIG. 5 is a cross-sectional view partially showing a schematic configuration of an ozone treatment apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a side view in the direction of arrow D in FIG. 5;
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a gas discharge head according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view in the direction of arrow F in FIG.
[Explanation of symbols]
1 Ozone treatment equipment
10 Processing chamber
11 Lid
14 Substrate transfer device
15 Mounting table
16 heater
17 Lifting device
20 Gas discharge head
21 Head body
24 Ozone gas flow path
27 Coolant flow path
30 fixing members
31 Nozzle body
32 Opposite plate
33,34 Insulation member
40 Ozone gas generator
45 Coolant circulation device
50 Control device
K, K 'substrate

Claims (15)

載置台上に載置された基板の上方に該基板と対向するように配設されたガス吐出ヘッドの吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出して該基板を処理するオゾン処理方法であって、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板を前記載置台上に載置し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスを予め設定された時間吐出して、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
表面に有機物膜が形成されていないダミー基板を前記載置台上に載置した状態、又は前記処理対象基板を前記載置台上に載置していない状態で、前記ダミー基板又は載置台を加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスを予め設定された時間吐出して、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを含んで構成され、
繰り返し行われる前記除去処理の間に、前記クリーニング処理を実行させるようにしたことを特徴とするオゾン処理方法。A processing gas containing ozone is discharged toward a surface of the substrate by discharging a processing gas containing ozone from a discharge hole of a gas discharge head disposed above the substrate mounted on the mounting table so as to face the substrate. Ozone treatment method,
The substrate to be processed having an organic film formed on the surface is placed on the mounting table described above, and heated by heating means, and the processing gas is discharged from the discharge holes for a preset time, and the surface of the substrate to be processed is discharged. A removal process for removing an organic film from
Heating the dummy substrate or the mounting table in a state where the dummy substrate having no organic film formed on the surface is mounted on the mounting table, or in a state where the substrate to be processed is not mounted on the mounting table. And a cleaning process of discharging the processing gas from the discharge hole for a preset time to remove an organic substance attached to the gas discharge head.
The ozone treatment method, wherein the cleaning process is performed between the repeated removal processes. 搬送手段によって基板の表面に沿った方向に搬送される基板の上方に該基板と対向するように配設されたガス吐出ヘッドの吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出して該基板を処理するオゾン処理方法であって、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板を前記搬送手段によって搬送し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
表面に有機物膜が形成されていないダミー基板を前記搬送手段によって搬送し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを含んで構成され、
繰り返し行われる前記除去処理の間に、前記クリーニング処理を実行させるようにしたことを特徴とするオゾン処理方法。A process gas containing ozone is discharged toward a surface of the substrate from a discharge hole of a gas discharge head disposed above the substrate transported in a direction along the surface of the substrate by the transport means so as to face the substrate. An ozone treatment method for treating the substrate by
A substrate to be processed having an organic film formed on its surface is transported by the transport unit, heated by a heating unit, and a transport speed set in advance below the gas discharge head where the process gas is discharged from the discharge hole. Removing treatment to remove an organic material film from the surface of the substrate to be treated,
A dummy substrate having no organic film formed on its surface is transported by the transport unit and heated by a heating unit, and a transport speed set in advance below the gas discharge head where the processing gas is discharged from the discharge hole. And a cleaning process for removing organic substances attached to the gas discharge head.
The ozone treatment method, wherein the cleaning process is performed between the repeated removal processes. 冷却流体が流通する冷却流体流路を備えた前記ガス吐出ヘッドの前記冷却流体流路内に、前記除去処理時には、前記冷却流体を予め設定された流量で供給，循環させて前記ガス吐出ヘッドを冷却する一方、前記クリーニング処理時には、前記冷却流体を供給，循環させず前記ガス吐出ヘッドを冷却しないように、若しくは、前記冷却流体を前記除去処理時における流量よりも少ない流量で供給，循環させるようにしたことを特徴とする請求項１又は２記載のオゾン処理方法。At the time of the removal processing, the cooling fluid is supplied and circulated at a preset flow rate in the cooling fluid flow path of the gas discharge head provided with the cooling fluid flow path through which the cooling fluid flows, thereby causing the gas discharge head to circulate. On the other hand, during the cleaning process, the cooling fluid is not supplied and circulated, so that the gas discharge head is not cooled, or the cooling fluid is supplied and circulated at a flow rate smaller than that at the time of the removing process. The ozone treatment method according to claim 1 or 2, wherein: 前記クリーニング処理時における加熱温度を、前記除去処理時における加熱温度に比べて高くしたことを特徴とする請求項１乃至３記載のいずれかのオゾン処理方法。The ozone treatment method according to any one of claims 1 to 3, wherein a heating temperature during the cleaning process is higher than a heating temperature during the removal process. 載置台上に載置された基板の上方に該基板と対向するように配設されたガス吐出ヘッドの吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出して該基板を処理するオゾン処理方法であって、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板を前記載置台上に載置し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスを予め設定された時間吐出して、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
前記予め設定された時間が経過した後も、所定時間延長して前記吐出孔から前記処理ガスを吐出して、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを含んで構成され、
繰り返し行われる前記除去処理の間に、前記クリーニング処理を実行させるようにしたことを特徴とするオゾン処理方法。A processing gas containing ozone is discharged toward a surface of the substrate by discharging a processing gas containing ozone from a discharge hole of a gas discharge head disposed above the substrate mounted on the mounting table so as to face the substrate. Ozone treatment method,
The substrate to be processed having an organic film formed on the surface is placed on the mounting table described above, and heated by heating means, and the processing gas is discharged from the discharge holes for a preset time, and the surface of the substrate to be processed is discharged. A removal process for removing an organic film from
After the preset time has elapsed, the processing gas is discharged from the discharge hole by extending the predetermined time, and a cleaning process for removing organic substances attached to the gas discharge head is included.
The ozone treatment method, wherein the cleaning process is performed between the repeated removal processes. 搬送手段によって基板の表面に沿った方向に搬送される基板の上方に該基板と対向するように配設されたガス吐出ヘッドの吐出孔からオゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出して該基板を処理するオゾン処理方法であって、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板を前記搬送手段によって搬送し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
前記処理対象基板を前記搬送手段によって搬送し、加熱手段によって加熱するとともに、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を前記除去処理時における搬送速度よりも遅い速度で通過させて、前記有機物膜の除去及び前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物の除去を行う低速搬送処理とを含んで構成され、
繰り返し行われる前記除去処理の間に、前記低速搬送処理を実行させるようにしたことを特徴とするオゾン処理方法。A process gas containing ozone is discharged toward a surface of the substrate from a discharge hole of a gas discharge head disposed above the substrate transported in a direction along the surface of the substrate by the transport means so as to face the substrate. An ozone treatment method for treating the substrate by
A substrate to be processed having an organic film formed on its surface is transported by the transport unit, heated by a heating unit, and a transport speed set in advance below the gas discharge head where the process gas is discharged from the discharge hole. Removing treatment to remove an organic material film from the surface of the substrate to be treated,
The substrate to be processed is transported by the transport unit, heated by a heating unit, and passes below the gas discharge head from which the processing gas is discharged from the discharge holes at a speed lower than the transport speed during the removal process. And a low-speed transport process for removing the organic material film and removing the organic material attached to the gas discharge head.
The ozone treatment method, wherein the low-speed transport processing is performed during the repeated removal processing. 上面に基板が載置される載置台と、
前記載置台上に載置された基板を加熱する加熱手段と、
前記載置台上に載置された基板の上方に該基板と対向するように配設され、オゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出する吐出孔を備えたガス吐出ヘッドと、
前記ガス吐出ヘッドに前記処理ガスを供給して前記吐出孔から吐出させるガス供給手段と、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板と、表面に有機物膜が形成されていないダミー基板とを、前記載置台上に選択的に供給，載置する一方、載置した基板を前記載置台上から排出する基板移送手段と、
前記加熱手段，ガス供給手段及び基板移送手段の作動を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記基板移送手段を駆動して前記処理対象基板を前記載置台上に載置させた後、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
前記基板移送手段を駆動して前記ダミー基板を前記載置台上に載置させた後、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを実行するように構成されてなることを特徴とするオゾン処理装置。A mounting table on which the substrate is mounted on the upper surface,
Heating means for heating the substrate mounted on the mounting table,
A gas discharge head provided with a discharge hole for discharging a processing gas containing ozone toward the surface of the substrate, the gas discharge head being disposed above the substrate mounted on the mounting table so as to face the substrate,
Gas supply means for supplying the processing gas to the gas discharge head and discharging the gas from the discharge holes,
A substrate to be processed having an organic film formed on its surface and a dummy substrate having no organic film formed on its surface are selectively supplied and placed on the mounting table, and the mounted substrate is placed on the mounting table. Substrate transfer means for discharging from above,
Control means for controlling the operation of the heating means, the gas supply means and the substrate transfer means,
The control means,
After driving the substrate transfer means and placing the substrate to be processed on the mounting table, driving the gas supply means to discharge the processing gas from the discharge holes for a preset time, A removal treatment for removing an organic film from the surface of the substrate to be treated;
After driving the substrate transfer means and placing the dummy substrate on the mounting table, the gas supply means is driven to discharge the processing gas from the discharge holes for a preset time, and the gas is discharged. An ozone treatment apparatus configured to execute a cleaning process for removing organic substances attached to the ejection head. 前記基板移送手段は、前記処理対象基板のみを前記載置台上に供給，載置するように構成されるとともに、
前記制御手段は、前記基板移送手段を駆動して前記処理対象基板を前記載置台上に載置させた後、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、前記載置台上に前記処理対象基板が載置されていない状態で、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを実行するように構成されてなることを特徴とする請求項７記載のオゾン処理装置。The substrate transfer means is configured to supply and mount only the substrate to be processed on the mounting table,
The control unit drives the substrate transfer unit to place the processing target substrate on the mounting table, and then drives the gas supply unit to supply the processing gas from the discharge hole for a preset time. Discharging, removing the organic film from the surface of the processing target substrate, and driving the gas supply unit in a state where the processing target substrate is not mounted on the mounting table, for a preset time. The ozone treatment apparatus according to claim 7, wherein the processing gas is discharged from the discharge holes to perform a cleaning process for removing organic substances attached to the gas discharge head. 基板を支持して、該基板の表面に沿った方向に搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送される基板を加熱する加熱手段と、
前記搬送手段によって搬送される基板の上方に該基板と対向するように配設され、オゾンを含んだ処理ガスを前記基板表面に向けて吐出する吐出孔を備えたガス吐出ヘッドと、
前記ガス吐出ヘッドに前記処理ガスを供給して前記吐出孔から吐出させるガス供給手段と、
表面に有機物膜が形成された処理対象基板と、表面に有機物膜が形成されていないダミー基板とを、前記搬送手段に選択的に供給する基板供給手段と、
前記搬送手段によって前記方向に搬送された基板を、該搬送手段から排出する基板排出手段と、
前記搬送手段，加熱手段，ガス供給手段，基板供給手段及び基板排出手段の作動を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記基板供給手段を駆動して前記処理対象基板を前記搬送手段に供給し、該搬送手段により前記処理対象基板を搬送させて、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、
前記基板供給手段を駆動して前記ダミー基板を前記搬送手段に供給し、該搬送手段により前記ダミー基板を搬送させて、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを実行するように構成されてなることを特徴とするオゾン処理装置。Transport means for supporting the substrate and transporting in a direction along the surface of the substrate,
Heating means for heating the substrate transferred by the transfer means,
A gas discharge head provided with a discharge hole for discharging a processing gas containing ozone toward the surface of the substrate, the gas discharge head being disposed above the substrate conveyed by the conveyance means so as to face the substrate,
Gas supply means for supplying the processing gas to the gas discharge head and discharging the gas from the discharge holes,
A substrate to be processed having an organic film formed on its surface, and a dummy substrate having no organic film formed on its surface, a substrate supply means for selectively supplying the transfer means,
A substrate discharge unit that discharges the substrate transported in the direction by the transport unit from the transport unit,
Control means for controlling the operation of the transfer means, heating means, gas supply means, substrate supply means and substrate discharge means,
The control means,
The substrate supply unit is driven to supply the substrate to be processed to the transport unit, and the substrate is transported by the transport unit, and the processing gas is discharged from the discharge hole below the gas discharge head. Is passed at a preset transport speed, a removing process of removing an organic material film from the surface of the processing target substrate,
The substrate supply means is driven to supply the dummy substrate to the transfer means, and the transfer means transports the dummy substrate, and the processing gas is discharged from the discharge holes under the gas discharge head. An ozone treatment apparatus configured to execute a cleaning process of removing an organic substance attached to the gas discharge head by passing the gas at a set transport speed. 前記ガス吐出ヘッドは、冷却流体が流通する冷却流体流路を備えるとともに、
前記オゾン処理装置は、前記冷却流体流路内に冷却流体を供給して循環させる冷却流体循環手段を更に備えてなり、
前記制御手段は、前記除去処理時には、前記冷却流体循環手段を駆動して冷却流体を予め設定された流量で前記冷却流体流路内に供給，循環させる一方、前記クリーニング処理時には、前記冷却流体循環手段の駆動を停止して冷却流体を前記冷却流体流路内に供給，循環させないように、若しくは、前記冷却流体循環手段を駆動して冷却流体を前記除去処理時における流量よりも少ない流量で前記冷却流体流路内に供給，循環させるように構成されてなることを特徴とする請求項７乃至９記載のいずれかのオゾン処理装置。The gas discharge head includes a cooling fluid passage through which the cooling fluid flows,
The ozone treatment apparatus further includes a cooling fluid circulation unit that supplies and circulates a cooling fluid in the cooling fluid flow path,
The control means drives the cooling fluid circulating means to supply and circulate the cooling fluid at a preset flow rate in the cooling fluid flow path at the time of the removal processing, while the cooling fluid circulation means at the time of the cleaning processing. The driving of the means is stopped so that the cooling fluid is not supplied and circulated in the cooling fluid flow path, or the cooling fluid circulating means is driven to reduce the cooling fluid at a flow rate smaller than the flow rate during the removal processing. The ozone treatment apparatus according to any one of claims 7 to 9, wherein the ozone treatment apparatus is configured to supply and circulate the cooling fluid in the cooling fluid flow path. 前記ガス吐出ヘッドは、前記処理ガスが流通する処理ガス流路、及び前記冷却流体流路を有するヘッド本体と、前記ヘッド本体の下面にこれから垂下するように固設され、前記処理ガス流路と連通し且つ前記基板表面に向けて開口した前記吐出孔を有するノズル体と、前記ヘッド本体とノズル体との間に介装された断熱部材とを備え、
前記ガス供給手段は、前記処理ガス流路内に前記処理ガスを供給するように構成されてなることを特徴とする請求項１０記載のオゾン処理装置。The gas discharge head is a processing gas flow path through which the processing gas flows, and a head body having the cooling fluid flow path, and is fixed to a lower surface of the head body so as to hang therefrom, and the processing gas flow path A nozzle body having the discharge hole communicating with and opening toward the substrate surface, and a heat insulating member interposed between the head body and the nozzle body,
The ozone treatment apparatus according to claim 10, wherein the gas supply unit is configured to supply the processing gas into the processing gas channel. 前記制御手段は、前記クリーニング処理時における加熱温度が、前記除去処理時における加熱温度に比べて高くなるように、前記加熱手段を制御するように構成されてなることを特徴とする請求項７乃至１１記載のいずれかのオゾン処理装置。9. The control device according to claim 7, wherein the control unit controls the heating unit such that a heating temperature during the cleaning process is higher than a heating temperature during the removal process. The ozone treatment apparatus according to any one of claims 11 to 11. 前記基板移送手段は、前記処理対象基板のみを前記載置台上に供給，載置するように構成されるとともに、
前記制御手段は、前記基板移送手段を駆動して前記処理対象基板を前記載置台上に載置させた後、前記ガス供給手段を駆動して予め設定された時間前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、前記予め設定された時間が経過した後も、所定時間延長して前記吐出孔から前記処理ガスを吐出させて、前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物を除去するクリーニング処理とを実行するように構成されてなることを特徴とする請求項７記載のオゾン処理装置。The substrate transfer means is configured to supply and mount only the substrate to be processed on the mounting table,
The control unit drives the substrate transfer unit to place the processing target substrate on the mounting table, and then drives the gas supply unit to supply the processing gas from the discharge hole for a preset time. Discharging, removing the organic film from the surface of the processing target substrate, and discharging the processing gas from the discharge hole by extending the predetermined time after the preset time has elapsed, The ozone treatment apparatus according to claim 7, wherein the ozone treatment apparatus is configured to execute a cleaning process for removing an organic substance attached to the ejection head. 前記基板供給手段は、前記処理対象基板のみを前記搬送手段に供給するように構成されるとともに、
前記制御手段は、前記基板供給手段を駆動して前記処理対象基板を前記搬送手段に供給し、該搬送手段により前記処理対象基板を搬送させて、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を予め設定された搬送速度で通過させて、前記処理対象基板表面から有機物膜を除去する除去処理と、前記基板供給手段を駆動して前記処理対象基板を前記搬送手段に供給し、該搬送手段により前記処理対象基板を搬送させて、前記吐出孔から前記処理ガスが吐出される前記ガス吐出ヘッドの下方を前記除去処理時における搬送速度よりも遅い速度で通過させて、前記有機物膜の除去及び前記ガス吐出ヘッドに付着した有機物の除去を行う低速搬送処理とを実行するように構成されてなることを特徴とする請求項９記載のオゾン処理装置。The substrate supply unit is configured to supply only the substrate to be processed to the transfer unit,
The control means drives the substrate supply means to supply the substrate to be processed to the transport means, transports the substrate to be processed by the transport means, and discharges the processing gas from the discharge holes. A removal process for removing an organic film from the surface of the substrate to be processed by passing the substrate under the gas discharge head at a predetermined transport speed, and supplying the substrate to be processed to the transport unit by driving the substrate supply unit. Transporting the substrate to be processed by the transporting means, and passing the substrate under the gas discharge head from which the processing gas is discharged from the discharge holes at a speed lower than the transfer speed during the removal processing, 10. The ozone treatment according to claim 9, wherein the ozone treatment is configured to execute a low-speed transport process for removing an organic material film and removing an organic material attached to the gas discharge head. Apparatus. 前記ガス吐出ヘッドは、前記処理ガスが流通する処理ガス流路、及び冷却流体が流通する冷却流体流路を有するヘッド本体と、前記ヘッド本体の下面にこれから垂下するように固設され、前記処理ガス流路と連通し且つ前記基板表面に向けて開口した前記吐出孔を有するノズル体と、前記ヘッド本体とノズル体との間に介装された断熱部材とを備えるとともに、
前記オゾン処理装置は、前記冷却流体流路内に冷却流体を供給して循環させる冷却流体循環手段を更に備えてなり、
前記ガス供給手段は、前記処理ガス流路内に前記処理ガスを供給するように構成されてなることを特徴とする請求項１３又は１４記載のオゾン処理装置。A gas main body having a processing gas flow path through which the processing gas flows, and a cooling fluid flow path through which a cooling fluid flows, and a gas discharge head fixed to the lower surface of the head main body so as to hang down therefrom; A nozzle body that communicates with a gas flow path and has the discharge hole opened toward the substrate surface, and a heat insulating member interposed between the head body and the nozzle body,
The ozone treatment apparatus further includes a cooling fluid circulation unit that supplies and circulates a cooling fluid in the cooling fluid flow path,
The ozone treatment apparatus according to claim 13, wherein the gas supply unit is configured to supply the processing gas into the processing gas channel.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20160120511A (en) * 2015-04-08 2016-10-18 주식회사 원익아이피에스 Method of fabricating semiconductor device
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