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JP2004031710A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

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JP2004031710A
JP2004031710A JP2002187022A JP2002187022A JP2004031710A JP 2004031710 A JP2004031710 A JP 2004031710A JP 2002187022 A JP2002187022 A JP 2002187022A JP 2002187022 A JP2002187022 A JP 2002187022A JP 2004031710 A JP2004031710 A JP 2004031710A
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copper
copper foil
substrate
via hole
carrier
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Application number
JP2002187022A
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English (en)
Inventor
Katsuya Fukase
深瀬 克哉
Hiroyuki Terajima
寺島 弘幸
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】ビアを介して電気的絶縁層の両面に形成された配線パターンが電気的に接続された配線基板を高精度にかつ効率的に製造可能とする。
【解決手段】両面銅張り基板30として、銅箔31b、32bに剥離可能に銅キャリア31a、32aを接着した銅キャリア付き銅箔31、32が、基材10の両面に被着された基板を使用し、基材10の一方の面に被着する銅キャリア付き銅箔31の銅キャリア31aのみを剥離して除去した後、基板10の一方の面側からレーザ加工を施して、基材10の一方の面に被着する銅箔31bを消失させるとともに、基材10の他方の面側に被着された銅キャリア付き銅箔32が底面に露出するビア穴16を形成し、次いで、前記ビア穴13に導体部を形成して、基材の両面に形成された配線パターンが前記導体部を介して電気的に接続された配線基板を形成する。
【選択図】     図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板の製造方法に関し、より詳細には電気的絶縁性を有する基材の両面に形成された導体層を層間で電気的に接続して形成する配線基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子を搭載して半導体装置を構成する配線基板には、電気的絶縁性を有する絶縁層を介して導体層を積層して形成た製品が提供されている。このような多層配線基板ではスルーホールを介して層間で導体層を電気的に接続するようにしたり、ビアを介して層間の導体層を電気的に接続するといったことがなされている。
しかしながら、絶縁層の両面に形成されている導体層を層間で電気的に接続して導体層を積層する製造工程は必ずしも容易な作業とはいえず、とくに配線パターンが高密度に形成される製品や、導体層を多層に形成する製品では、加工精度等の問題もあって導体層を層間で確実に電気的に接続することが困難であるという問題がある。
【0003】
絶縁層の両面に形成されている導体層を層間で電気的に接続する構造を形成する方法として広く行われている方法に、電気的絶縁性材からなる基材の両面にあらかじめ銅箔が被着された両面銅張り基板を使用する方法がある。両面銅張り基板を使用して層間で導体層を電気的に接続する方法としては、基材の一方の面を被覆する銅箔をエッチングし、ビア穴を形成する部位の銅箔を除去してビア穴形成部分の基材を露出させ、レーザ光を照射し基材が露出している部位にビア穴を形成する方法がある。この場合、ビア穴を形成する部位の銅箔をエッチングした後の銅箔は、レーザ光に対するマスクとして作用する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように両面銅張り基板を使用して配線基板を製造する際に、ビア穴を形成する部位の基材部分を露出させるように銅箔をあらかじめエッチングするといった操作によって配線基板を形成する方法は、銅箔の厚さが厚いために高密度に微細な配線パターンを形成することができず、また銅箔をエッチングするといった工程が煩雑であり、製造工程中の基板の伸縮等により高精度の加工には向かないという問題がある。そこで、微細な配線パターンであってもより簡易にかつ精度よく形成する方法として、基材の表面に銅箔を被着したままレーザ加工してビア穴を形成する方法がある。
【0005】
図6は、電気的絶縁性を有する基材10の両面に銅箔12a、12bが被着された両面銅張り基板14にレーザ加工を施してビア穴16を形成し、層間で導体層を電気的に接続する加工方法を示す。この加工方法では、図6(b)に示すように、両面銅張り基板14の一方の面側からレーザ光を照射し、ビア穴16を形成する部位の銅箔12aを除去するとともに基材10を除去してビア穴16を形成する。
【0006】
しかしながら、この加工方法の場合は、銅箔12aをレーザ加工によって除去するため、エネルギーの高いレーザ光を使用するから、レーザ加工時に、ビア穴16の底面に露出する銅箔12bがレーザ光によって損傷を受けるという問題がある。図6(b)でA部分が銅箔12bの損傷を受けた部分である。微細な配線パターンを精度よく形成するには、まず、銅箔12a、12bを化学的にエッチングして銅箔12a、12bの厚さを薄くし(図6(c))、エッチング後の銅箔12a、12bを利用して配線パターンを形成しなければならない。
ところが、銅箔12a、12bを必要な厚さにエッチングして薄くすると、ビア穴16の底面で銅箔12bの損傷を受けた部分に孔があいてしまい、次工程で配線パターンを所定の精度で形成できなくなる。図6(c)で、B部分が孔があいた部位を示す。
【0007】
図7は、両面銅張り基板14を使用して配線基板を形成する他の方法を示す。この方法は、レーザ加工で使用するレーザ光のエネルギーを抑えるため、まず、基材10の両面に被着している銅箔12a、12bをエッチングして厚さを薄くした後(図7(b))、レーザ加工によってビア穴16を形成する(図7(c))。この方法の場合は、銅箔12a、12bの厚さを薄くしたことにより、レーザ光のエネルギーを抑えることができ、ビア穴16の底面で露出する銅箔12bは損傷を受けにくくなるのであるが、逆に、銅箔12bが薄くなったためレーザ光が照射された際にビア穴の底部の銅箔12bが簡単に加熱され、これによって銅箔12が損傷を受けやすくなるという問題が生じる。ビア穴16の底面で露出する銅箔12bはレーザ光によって加熱されるが、銅箔12bがある程度厚ければ、熱拡散によって銅箔12bの過熱が抑えられるのに対し、銅箔12bの厚さが薄いと簡単に銅箔12bが加熱されてしまうからである。
【0008】
上述した問題を回避する方法としては、両面銅張り基板にレーザ加工を施す際に、レーザ光を照射する一方の面についてはあらかじめ銅箔12aをエッチングして薄くするとともに、他方の面の銅箔12bについてはそのままの厚さとすることで、レーザ光のエネルギーを抑えることができ、かつレーザ加工の際に他方の面の銅箔12bから効果的に熱拡散させて銅箔12bが損傷を受けることを防止するようにすることが可能である。しかしながら、この方法の場合は、レーザ加工を施した後、他方の面の銅箔12bのみを片面エッチングする必要があり、エッチング作業が煩雑になるとともに、製造コストが高くなる。
【0009】
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、電気的絶縁性を有する基材の両面に形成された導体層が確実に電気的に接続され、微細な配線パターンであっても高精度に形成することができ、簡易でかつ確実な製造方法によることで、製造コストを抑えて歩留まり良く製品を製造することができる配線基板の製造方法を提供するにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、電気的絶縁性を有する基材の両面に銅箔を被着した両面銅張り基板にレーザ加工を施してビア穴を形成し、ビアを介して基材の両面に形成された配線パターンを電気的に接続した配線基板の製造方法において、前記両面銅張り基板として、基材の両面に、銅箔に剥離可能に銅キャリアを接着した銅キャリア付き銅箔が被着された基板を使用し、基材の一方の面に被着する銅キャリア付き銅箔の銅キャリアのみを剥離して除去した後、基板の一方の面側からレーザ加工を施して、基材の一方の面に被着する銅箔を消失させるとともに、基材の他方の面側に被着された銅キャリア付き銅箔が底面に露出するビア穴を形成し、次に、前記ビア穴に導体部を形成して、基材の両面に形成された配線パターンが前記導体部を介して電気的に接続された配線基板を形成することを特徴とする。
【0011】
また、前記ビア穴に導体部を形成する際に、基材の他方の面側に被着する銅キャリア付き銅箔の銅キャリアを剥離し、次いで、前記ビア穴の内面を含む基板の少なくとも一方の面にめっき給電層を形成し、該めっき給電層を給電層として基板に電解めっきを施すことにより、前記ビア穴の内面および基板の両面に導体部を形成することを特徴とする。
また、前記ビア穴に導体部を形成する際に、基材の他方の面側に被着する銅キャリア付き銅箔をめっき給電層として基板に電解めっきを施して、ビア穴がめっきにより充填された導体部を形成し、次いで、前記銅キャリア付き銅箔の銅キャリアを剥離して除去することを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面にしたがって詳細に説明する。
図1、2、3は本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を示す説明図である。図1は電気的絶縁性を有する基材10の両面に銅キャリア付き銅箔31、32を被着した基板30に対してレーザ加工を施す製造工程、図2はビア穴16が形成された基板の両面に配線パターンを形成する製造工程、図3は配線パターンのランドに外部接続端子を接合して外部接続端子付きの配線基板を製造する工程を示す。
【0013】
図1に示すように、本発明に係る配線基板の製造方法においては、基材10の両面に銅キャリア付き銅箔31、32を被着した両面銅張り基板30を使用する。基材10としては、ガラスエポキシ基板等の電気的絶縁性を有する樹脂材が使用される。
図4に基材10の一方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔31の構成を拡大して示す。銅キャリア付き銅箔31は銅キャリア31aと銅箔31bとを剥離可能に接着して形成されている。34が銅キャリア31aと銅箔31bとを剥離可能に接着している剥離層である。銅キャリア31aは銅箔31bを支持するキャリアとして作用するもので、銅箔31bにくらべてはるか厚く形成されている。本実施形態の銅キャリア付き銅箔31は、銅キャリア31aの厚さが35μm、銅箔31bの厚さが3μmである。
【0014】
銅キャリア31aと銅箔31bとが剥離層34を介して接着されていることにより、銅キャリア付き銅箔31から銅キャリア31aのみを簡単に剥離して除去することが可能である。
なお、図4では基材10の一方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔31の構成を示すが、基材10の他方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔32についても、その構成は銅キャリア付き銅箔31とまったく同じであり、銅キャリア32aに剥離層34を介して銅箔32bを剥離可能に接着して形成されている。したがって、基材10の他方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔32についても、銅キャリア32aのみを簡単に剥離して除去することができる。
【0015】
図4で35は銅箔31bの表面に形成されているレーザ光の吸収層である。この吸収層35は銅箔31bにレーザ光を照射した際にレーザ光を反射させずに吸収しやすくする処理を施した層である。この吸収層35を設けたことにより、銅箔31bはレーザ光を吸収しやすくなり、レーザ光を照射した部位の銅箔31bが容易に消失するようになる。なお、銅キャリア付き銅箔32の銅箔32bの表面に、必要に応じて同様にレーザ光の吸収層35を設けてもよい。
【0016】
図1(a)に示す両面銅張り基板30は、基材10の両面に、上述した3層ないし4層構造からなる銅キャリア付き銅箔31、32が、銅箔31b、32bを基材10と一体に積層して提供される。この両面銅張り基板30は配線基板等を製造する素材として従来提供されている量産品であり、低コストで使用できるという利点がある。
【0017】
図1(b)は、レーザ加工を開始する前に、基材10のレーザ光が照射される面側である一方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔31から銅キャリア31aを剥離して取り去った状態を示す。上述したように、銅キャリア31aは剥離層34から簡単に剥離することができ、銅キャリア31aを除去した状態で基材10の一方の面には銅箔31bのみが残る。銅箔31bの表面にはレーザ光の吸収層35が露出する。本実施形態では基材10のレーザ光を照射する面に被着する銅キャリア付き銅箔31についてのみ銅キャリア31aを除去し、基材10の他方の面に被着する銅キャリア付き銅箔32についてはそのままとしてレーザ加工を施す。
【0018】
図1(c)は、基材10の一方の面側からビア穴16を形成する部位に向けてレーザ光を照射してビア穴16を形成した状態を示す。基材10の一方の面には銅箔31bのみが被着し、銅箔31bはきわめて薄い(厚さ3μm)から低エネルギーのレーザ光を使用して銅箔31bを消失させることができる。
銅キャリア付き銅箔31を使用した場合は、銅箔31bの厚さのばらつきがなく基材10の表面に均等に銅箔31bが形成されていることから、レーザ加工によって銅箔31bを消失させる処理がきわめて安定的に、ばらつきなく行うことができ、これによって高精度のビア穴16を形成することが可能になるという利点がある。
【0019】
従来のように肉厚の銅箔をまずエッチングして所要の厚さにまで薄くした後にレーザ加工によって銅箔を消失させる処理を行う方法による場合は、エッチング後の銅箔の厚さを正確に制御することが難しく、ロットごとに厚さがばらつき、また、1枚の基板内でも場所によって厚さがばらつくことが避けられない。このように、銅箔の厚さがばらついた状態でレーザ加工によってビア穴を形成する場合は、レーザ光の照射精度が高くてもビア穴を形成する場所によって銅箔の消失時間等がばらつき、精度よくビア穴16を形成することが困難になる。
これに対して、本実施形態の銅キャリア付き銅箔31を被着した両面銅張り基板30の場合は、銅箔31bの厚さが均等であることから、高精度にレーザ加工することが可能となり、ビア穴16をあらかじめ設定した寸法精度に正確に形成することができる。また、銅箔31bの表面にレーザ光の吸収層35が設けられていることから、効率的に銅箔31bを消失させることができ、ビア穴16を形成する効率を向上させることができる。
【0020】
ビア穴16は、ビア穴16を形成する部位の銅箔31bを消失させる処理に続いて絶縁層である基材10をレーザ光によって消失させて形成される。本実施形態では銅箔31bを消失させる処理が均等に行えることから、基材10に対しても均等にレーザ光が照射され、確実にかつ効率的にビア穴16を形成することができる。たとえば、基材10に過度にレーザ光が照射されると、基材10が横方向に侵食されてビア穴16の穴径が規定値よりも広がるといったことが起こり得るが、基材10にレーザ光が均等に照射されることによってビア穴16が広がったりせず、所定精度にビア穴16を形成することができる。
また、本実施形態では、レーザ加工で使用するレーザ光のエネルギーを低く抑えることができるから、レーザ光による基材10に対する侵食作用が抑えられ、ビア穴16の形成精度を高めることができる。
【0021】
また、本実施形態では、基材10の他方の面については銅キャリア付き銅箔32を被着したままとしているから、ビア穴16の底面に銅キャリア付き銅箔32が露出し、レーザ光が直接、銅キャリア付き銅箔32に照射されても、銅キャリア32aによって熱が効果的に拡散され、銅箔32bが過度に熱せられることがなく、銅キャリア付き銅箔32が損傷を受けることを防止することができるという利点がある。
【0022】
図1(d)は、ビア穴16を形成した後、基材10の他方の面に被着されている銅キャリア付き銅箔32から銅キャリア32aを剥離して除去した状態を示す。銅キャリア付き銅箔32から銅キャリア32aを剥離することにより、基材10の他方の面には銅箔32bのみが残る。ビア穴16を形成するレーザ加工によって銅キャリア付き銅箔32が損傷を受けていないから、基材10の他方の面には一様に銅箔32bが残り、ビア穴16の底面で孔があいたりせず良好な状態で銅箔32bが被着されて残る。
本実施形態では、基材10の他方の面に銅箔32bを残す操作が、銅キャリア32aを銅キャリア付き銅箔32から剥離する操作によるから、従来のように銅箔をエッチングして薄く形成する作業にくらべてきわめて簡単である。また、基材10の表面に残る銅箔32bの厚さが均一であり、従来のように銅箔の厚さにばらつきがない点でも有効である。
【0023】
図1(d)に示すように、ビア穴16を形成した状態で、基材10の両面に薄い銅箔31b、32bを残すようにするのは、これらの銅箔31b、32bを使用して基材10の両面に微細な配線パターンを高精度に形成するためである。
図2は、上記のようにして形成した基板の両面にセミアディティブ法によって配線パターンを形成する方法を示す。
図2(a)は、基材10の両面に銅箔31b、32bが被着形成された基板である。この基板に対し、まず、ビア穴16を含む全面に無電解銅めっきを施し、あるいはビア穴16の開口面側から銅のスパッタリングを施して、ビア穴16の内壁面、底面および銅箔31bの表面にめっき給電層となる導体層36を形成する(図2(b))。
【0024】
次に、導体層36の表面と銅箔32bの表面にレジストパターン38を形成する(図2(c))。レジストパターン38は導体層36および銅箔32bをめっき給電層として配線パターンの導体となる導体部を形成するためのもので、基材10の両面に感光性レジストをラミネートし、露光および現像して導体層36と銅箔32bの表面で、配線パターンを形成する部位を露出させるように形成する。本実施形態では、基材の両面にレジストパターン38を形成して、基材10の両面に一度に配線パターンを形成するようにしている。
【0025】
図2(d)は、導体層36と基材10の他方の面に被着する銅箔32bをめっき給電層として電解銅めっきを施し、導体層36と銅箔32bの露出面上に銅を盛り上げ、導体部40を形成した状態である。
図2(e)は、次に、レジストパターン38を剥離して除去した状態で、レジストパターン38によって被覆されていた部位で、導体層36と銅箔32bとが露出した状態を示す。
【0026】
図2(f)は、銅のエッチング液を使用して、外面に露出している部位の導体層36と銅箔32bとを溶解除去し、基材10の両面に配線パターン42a、42bを形成した状態を示す。導体部40が数十μm程度の厚さに形成されるのに対して、導体層36、銅箔31b、32bの厚さははるかに薄いから、銅のエッチング液を用いたエッチング操作により、導体部40によって被覆されていない部位の導体層36と銅箔31b、32bは簡単に除去されて図2(f)に示すような独立した配線パターン42a、42bを得ることができる。
ビア穴16の内壁面、底面に被着して形成された導体部40は、基材10の両面に形成された配線パターン42a、42bを電気的に接続するビア44となる。こうして、電気的絶縁性を有する基材10の両面に形成された配線パターン42a、42bがビア44を介して電気的に接続された配線基板が得られる。
【0027】
図3は、基材10の両面に配線パターン42a、42bが形成された基板(図3(a))に外部接続端子を形成する工程を示す。
図3(b)は、ビア穴16を形成した部位にはんだボール等の外部接続端子を接合して配線基板とする例で、外部接続端子を形成するビア穴16の部位を除いてソルダーレジスト等の保護膜46により基板の両面を被覆した状態を示す。
図3(c)は、ビア穴16に外部接続端子48を接合し、外部接続端子付きの配線基板を形成した状態を示す。ビア穴16の開口部の周囲にランド部分を形成しておき、はんだボールをビア穴16に位置合わせし、はんだリフローすることにより、図3(c)に示すようにビア穴16に外部接続端子48を接合することができる。
【0028】
図3(d)、(e)は、配線パターン42a、42bに外部接続用のランドを形成し、ランドに外部接続端子48を接合して配線基板とする場合の例である。図3(d)は外部接続端子を接合するランド43を除いて基板の両面をソルダーレジスト等の保護膜46によって被覆した状態を示す。
図3(e)は、次に、ランド43にはんだボール等の外部接続端子48を接合し、基板の両面に外部接続端子48を備えた配線基板を形成した状態を示す。基板の両面の外部接続端子48はそれぞれ配線パターン42a、42bに接続し、両面の配線パターン42a、42bはビア44を介して電気的に接続する。
【0029】
図3(c)に示す配線基板は、配線パターン42bを形成した基材10の一方の面側に半導体素子を搭載することによって、外部接続端子48を備えた半導体装置として提供することができる。
また、図3(e)に示す配線基板は、基材10の両面に形成された配線パターン42a、42bが外部接続端子48を介して電気的に接続されることから、配線基板を電気的に接続して積層する際に使用するインターポーザとして利用することができる。
【0030】
上述した実施形態では、基材10にビア穴16を形成した後、ビア穴16の内面に導体層を形成してビア44としたが、ビア穴16をめっきにより充填してビアとなる導体部を形成することも可能である。図5は、ビア穴16をめっきによって充填して配線基板を製造する方法を示す。
図5(a)は、基材10にレーザ光を照射してビア穴16を形成した状態である。図5(a)は図1(c)の状態と同一の状態であり、基材10にビア穴16を形成するまでの工程は、上述した図1(a)〜(c)までの工程と同一である。図5(b)は、基材10の他方の面に被着した銅キャリア付き銅箔32をめっき給電層とする電解銅めっきを施して、ビア穴16を銅50によって充填した状態を示す。なお、電解銅めっきは銅キャリア付き銅箔32の下面にも付着する。
【0031】
図5(c)は、銅キャリア付き銅箔32から銅キャリア32aを剥離して除去し、銅キャリア32aの外面(下面)に付着した銅50を銅キャリア32aとともに除去し、基材10の他方の面に銅箔32bのみを残した状態である。ビア穴16には銅50が充填されている。
図5(d)〜(h)は、基材10の両面にセミアディティブ法によって配線パターン42a、42bを形成する方法を示す。この製造工程は上述した実施形態と同様である。すなわち、基材10の両面に銅箔31b、32bが被着された基板に無電解銅めっきを施して基板の両面にめっき給電層となる導体層36を形成する(図5(d))。次に、導体層36の表面にレジストパターン38を形成する(図5(e))。レジストパターン38は配線パターンを形成する部位を露出させて形成したものである。次に、導体層36をめっき給電層として基板に電解銅めっきを施し、導体層36と銅箔32bの露出面上に銅を盛り上げ、導体部40を形成する(図5(f))。図5(g)は、レジストパターン38を剥離して除去した状態で、レジストパターン38によって被覆されていた部位の導体層36を露出させた状態である。
【0032】
図5(h)は、銅のエッチング液を使用して、基板の外面に露出している導体層36の部位を溶解除去し、基材10の両面に配線パターン42a、42bを形成した状態である。導体層36と銅箔31b、32bは導体部40にくらべてはるかに薄いからエッチング液によって簡単にエッチングされ、導体部40が形成された部位のみが基板上に残り、基板の両面に所要の配線パターン42a、42bが形成される。こうして、ビア穴16に充填された銅50がビアとなり、基材10の両面に形成された配線パターン42a、42bが電気的に接続された配線基板を得ることができる。本実施形態の製造方法によって得られた配線基板も、上述した配線基板と同様に、配線パターン42a、42bに外部接続端子を接合する等により、実装用基板あるいはインターポーザ等として利用することができる。
【0033】
【発明の効果】
本発明に係る配線基板の製造方法によれば、上述したように、銅キャリア付き銅箔を被着した両面銅張り基板を使用し、基材の一方の面側の銅キャリアを剥離して銅箔のみを残した状態でレーザ加工することによって、ビア穴部分での銅箔を損傷させることなく、きわめて精度よくビア穴を形成することができる。また、銅キャリア付き銅箔を被着した両面銅張り基板を使用することによって製造作業を簡素化することができ、製造コストの低減を図ることができる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る配線基板の製造方法において、ビア穴を加工する工程を示す説明図である。
【図2】本発明に係る配線基板の製造方法において、基材の両面に配線パターンを形成する工程を示す説明図である。
【図3】本発明に係る配線基板の製造方法において、基板に外部接続端子を接合する工程を示す説明図である。
【図4】銅キャリア付き銅箔の構成を示す断面図である。
【図5】配線基板の製造方法の他の実施形態を示す説明図である。
【図6】基材の両面に設けられる導体層を電気的に接続するための従来の加工方法を示す説明図である。
【図7】基材の両面に設けられる導体層を電気的に接続するための従来の他の加工方法を示す説明図である。
【符号の説明】
10 基材
12、12a、12b 銅箔
16 ビア穴
30 両面銅張り基板
31、32 銅キャリア付き銅箔
31a、32a 銅キャリア
31b、32b 銅箔
34 剥離層
35 吸収層
36 導体層
38 レジストパターン
40 導体部
42a、42b   配線パターン
43 ランド
44 ビア
46 保護膜
48 外部接続端子
50 銅

Claims (3)

  1. 電気的絶縁性を有する基材の両面に銅箔を被着した両面銅張り基板にレーザ加工を施してビア穴を形成し、ビアを介して基材の両面に形成された配線パターンを電気的に接続した配線基板の製造方法において、
    前記両面銅張り基板として、基材の両面に、銅箔に剥離可能に銅キャリアを接着した銅キャリア付き銅箔が被着された基板を使用し、
    基材の一方の面に被着する銅キャリア付き銅箔の銅キャリアのみを剥離して除去した後、
    基板の一方の面側からレーザ加工を施して、基材の一方の面に被着する銅箔を消失させるとともに、基材の他方の面側に被着された銅キャリア付き銅箔が底面に露出するビア穴を形成し、
    次に、前記ビア穴に導体部を形成して、基材の両面に形成された配線パターンが前記導体部を介して電気的に接続された配線基板を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. 前記ビア穴に導体部を形成する際に、基材の他方の面側に被着する銅キャリア付き銅箔の銅キャリアを剥離し、
    次いで、前記ビア穴の内面を含む基板の少なくとも一方の面にめっき給電層を形成し、該めっき給電層を給電層として基板に電解めっきを施すことにより、前記ビア穴の内面および基板の両面に導体部を形成することを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。
  3. 前記ビア穴に導体部を形成する際に、基材の他方の面側に被着する銅キャリア付き銅箔をめっき給電層として基板に電解めっきを施して、ビア穴がめっきにより充填された導体部を形成し、
    次いで、前記銅キャリア付き銅箔の銅キャリアを剥離して除去することを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。
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