JP2004061115A - シンチレーターパネル、放射線検出装置及び放射線撮像システム - Google Patents

Abstract

【課題】蛍光体層の密着不良による剥がれを防止する。
【解決手段】シンチレーターパネル１１０が支持基板１１１と、支持基板上に形成された反射層１１４及び下地層１１５と、下地層上に接して形成された蛍光体層１１２とを備え、下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎである。シンチレーターパネル１１０と、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネル１００とを貼り合わせて放射線検出装置とする。複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルと、センサーパネル上に配された下地層、下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎである。
【選択図】　　　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられるシンチレーターパネル、放射線検出装置および放射線撮像システムに関し、特に、Ｘ線撮影等に用いられるシンチレーターパネル、放射線検出装置および放射線撮像システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、Ｘ線蛍光体層が内部に備えられた蛍光スクリーンと両面塗布剤とを有するＸ線フィルムシステムが一般的にＸ線写真撮影に使用されてきた。しかし、最近、Ｘ線蛍光体層と２次元光検出器とを有するデジタル放射線検出装置の画像特性が良好であること、データがデジタルデータであるためネットワーク化したコンピュータシステムに取り込むことによってデータの共有化が図られる利点があることから、デジタル放射線検出装置について盛んに研究開発が行われ、種々の特許出願もされている。
【０００３】
これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特許第３１２６７１５号公報に開示されているように、放射線を透過する支持基板上に反射層と保護層を設け、更に保護層上に蛍光体層を設けてなる放射線検出用シンチレーターパネルと、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ　（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電気素子が配置されている光電変換素子部からなる２次元光検出器とを貼り合わせて一体化した放射線検出装置が知られている。この放射線検出装置は、該シンチレーターパネルの蛍光体層と反射層間に保護層を設けることで、蛍光体層が含有する成分や水分による変質等により反射層の反射膜としての機能が減衰することを防止するものである。
【０００４】
上記公報で開示されている放射線検出装置のシンチレーターパネルは、支持基板上の反射層に保護層が設けられ、その上に柱状の蛍光体よりなる蛍光体層が形成される。さらに、その全体を覆うように有機膜による耐湿保護層が形成されて、全体としてシンチレーターパネルが構成されているが、これらの保護層はいずれも反射層の変質等により反射層の反射機能が減衰するのを防止することを目的とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
放射線検出用シンチレーターパネルに用いられる支持基板、反射層、保護層、絶縁耐熱層に用いられている材料の熱膨張係数は、アモルファスカーボンやガラスでは（１〜１０×１０^−６）／℃、Ａｌ等の金属では（１５〜２５×１０^−６）／℃、一般的な樹脂ではおよそ（１〜５×１０^−５）／℃であり、各層が熱履歴により生じる変位差は大きい。しかしながら、支持基板上に柱状よりなる蛍光体による蛍光体層を形成する際には例えば２００℃〜２５０℃等の一定範囲の温度で加熱される。したがって、上記放射線検出用シンチレーターパネルに於いては製造工程中また長期耐久性試験による加速試験に於いて、以下のような問題が発生する場合があった。
【０００６】
１．工程の熱履歴により構成層を積層した支持基板に反りが発生した場合に、蛍光体層と下地層間の密着力不足により蛍光体層が下地層との間で破壊したり剥がれたりする場合があった。
【０００７】
２．工程の熱履歴により構成層を積層した支持基板に反りが発生し、蛍光体層が反りのある支持基板上に形成され放射線検出用シンチレーターパネルが形成される。蛍光体層を２次元光検出器に貼り合わせる場合には、シンチレーターパネルは反りが強制された状態で光検出器と貼り合わされてしまう。このためシンチレーターパネルと光検出器を貼り合わせた後に、シンチレーターパネル内部に応力が加わり、応力の弱い層が内部応力によって破損する。従来は、蛍光体層が下地層との間や、下地層と接する保護層との間で、破壊したり剥がれたりすることがあった。
【０００８】
３．加速耐久試験において、各構成層が熱により変位を生じるが、この変位によって各層に応力が加わり、応力の弱い層が内部応力によって破損する。従来は、蛍光体層が下地層との間、下地層と接する保護層との間で破壊したり剥がれたりすることがあった。
【０００９】
本発明の目的は、蛍光体層の密着不良による剥がれを防止し、かつ、蒸着によって均一で精度の高い柱状蛍光体の層を形成し、均一な光変換効率が得られる高感度で高鮮鋭なシンチレーターパネル及び放射線検出装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のシンチレーターパネルは、放射線検出に用いられるシンチレーターパネルにおいて、該シンチレーターパネルが支持基板と、該支持基板上に配された下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とするものである。かかるシンチレーターパネルにおいては、前記支持基板と前記下地層との間に前記蛍光体層からの光を反射する反射層を設けることが好ましい。
【００１１】
また本発明の放射線検出装置は、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルと、該センサーパネル上に配された下地層、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とするものである。
【００１２】
また本発明の放射線検出装置は、上記本発明のシンチレーターパネルと、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルとを貼り合わされてなるものである。本発明の放射線撮像システムは上記放射線検出装置を用いたものである。
【００１３】
なお、本明細書では、Ｘ線の他、α線、β線、γ線等の電磁波も、放射線に含まれるものとする。
【００１４】
本発明者らは、上述した課題を解決すべく鋭意検討を行った。まず下地層に表面のヌレ性状を高くして密着力を向上するためにプラズマ処理を行ったところ、以下のような問題が生じた。
【００１５】
シンチレーターに用いられる蛍光体は蒸着法によって形成される柱状蛍光体等が用いられる。蒸着時、蒸着源から気体として発せられた蛍光体は、支持基板表面に接し液体の状態を通り固体として支持基板に定着する。このとき、あまりにも定着表面のヌレ性状が高いと定着表面への広がりが大きくなり、形成される柱状径が太く、または、径が一定せず揃わないものがあった。その結果、放射線検出装置の鮮鋭度が低下するという問題が生じ、単純に密着性向上という観点でのみ下地層の表面ヌレ性状を高くしたのでは、鮮鋭度の高いシンチレーターを形成することができないということが解った。
【００１６】
そして本発明者らは、蛍光体層の破壊や剥がれ等は下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎの範囲であれば生じにくく、鮮鋭度も劣化しないことを見出した。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の放射線検出装置に用いるシンチレーターパネルの一実施形態を示す断面図である。１１１は支持基板、１１２はアルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、タリウム活性化沃化セシウム）の層（蛍光体層）、１１３は有機膜よりなる耐湿保護層、１１４は反射層、１１５は下地層であり、これら全体でシンチレーターパネル１１０を構成するものである。図２は本発明のシンチレーターパネルの一実施形態を製造する方法を示す図である。図２（ａ）に示すように、支持基板１１１上に反射層１１４を設ける。さらに図２（ｂ）に示すように、反射層１１４上に下地層１１５を積層する。
【００１９】
反射層１１４上に下地層１１５を設ける際には、下地層表面の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎになるように下地層の形成方法をコントロールする。
【００２０】
例えば、高耐熱樹脂で一般的な材料として知られるポリイミド樹脂が下地層を形成する場合は、ポリイミド前駆体と溶剤の混合物を塗布し、これを熱により硬化することによって膜を形成する。この場合、通常の３００℃〜４００℃で硬化され、表面エネルギーが３２ｄｙｎ以下の非常にヌレ性状の低い膜表面が形成されてしまう。極めて高温で硬化することにより、前駆体を完全に反応させ、できうる限り残存溶剤を飛ばし、ポリイミドを整列・堅牢化することにより強固な膜を形成している。本実施形態においては、使用される樹脂の状態により硬化の際の温度を適切にコントロールして溶剤蒸発、イミド化、堅牢化を１５０℃〜２３０℃で行い、表面エネルギーが３５ｄｙｎ以上４５ｄｙｎ以下の膜を形成する。詳細な温度は、各々の樹脂性状により異なるが、表面エネルギーが前述の範囲にコントロールされた膜には、微量ではあるがイミド化反応が十分に進行せず、前駆体及び溶剤が残存しており、これら分子の極性基の影響により表面エネルギーが高くヌレ性状の高い膜表面を形成することができる。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示すように、アルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体の層を下地層上に蛍光体層１１２として柱状結晶させる。その後、全体を耐湿保護層１１３で被覆して放射線検出用シンチレーターパネル１１０が出来上がる（図１）。
【００２２】
図３は、前述の放射線検出用シンチレーターパネルを、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が配置されている光電変換素子部からなる２次元検出器（センサーパネル）と貼り合わされてなる放射線検出装置の断面図である。図３中、１０１はガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等よりなる第一の保護層、１０６は樹脂膜等よりなる第二の保護層である。また、１１１は支持基板、１１４は反射層、１１５は下地層、１１２は柱状の蛍光体よりなる蛍光体層で、１１３は有機樹脂等よりなる耐湿保護層である。１０１〜１０６で２次元光検出器１００が構成され、１１１〜１１５でシンチレーターパネル１１０が構成される。１２１は透明な接着剤よりなる接着剤層、１２２は封止部である。このように光検出器（センサーパネル）１００とシンチレーターパネル１１０とを接着剤層１２１を介して貼り合わされて放射線検出装置が得られる。光電変換素子部のフォトセンサーとＴＦＴとは同一の層構成からなり、例えば特許第３０６６９４４号公報にその構成が開示されている。
【００２３】
図４は、本発明の放射線検出装置用シンチレーターパネルの他の実施形態を示す断面図である。１１１は支持基板、１１２はアルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体層（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ）、１１３は有機樹脂よりなる耐湿保護層、１１４は反射層、１１５は下地層、１１６は反射層を支持及び保護する保護層、これら全体でシンチレーターパネル１１０を構成するものである。
【００２４】
図５は本発明の他の実施形態を製造する方法を示す図である。本発明においては、図５（ａ）に示すように、支持基板１１１上に反射層を支持及び保護する保護層１１６を設ける。さらに前述の実施形態と同様に、図５（ｂ）に示すように、保護層１１６上に反射層１１４を形成し、さらに反射層１１４上に下地層１１５を積層する。このとき、下地層は表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎになるように形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、アルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体の層を下地層１１５上に形成する。その後、全体を耐湿保護層１１３で被覆して放射線検出用シンチレーターパネル１１０が出来上がる（図４）。
【００２５】
支持基板１１１と反射層１１４の間に設けられている、反射層を支持する保護層１１６は、反射層の腐蝕を防ぐ目的や、支持基板と反射層間の応力を緩和する目的で設けられるものがある。反射層１１４を支持及び保護する保護層１１６を形成することは、下地層の表面エネルギーをコントロールすることに加え、さらに、熱履歴によって生じた応力に対する変形耐性が増し、ひいては蛍光体剥がれの発生を押さえることができ望ましい。また、反射層の変質による反射率の減衰を防止するためには反射層の両側面に保護層を設けることが望ましく、安価な点から樹脂層による保護層が望ましい。
【００２６】
図６は本発明における他の実施形態の放射線検出装置を示す図である。本実施形態は、前述のように支持基板に蛍光体層を形成した後、これをセンサーパネルと貼り合わせるのではなく、センサーパネル１００上に、下地層１１５を介して蛍光体層１１２を直接形成するものである。
【００２７】
図７は、本発明の放射線検出装置の一実施形態を製造する方法を示した図である。図７（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に形成された、アモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部１０２、配線部１０３、電極取り出し部１０４、窒化シリコン等よりなる第一の保護層１０５を備えたセンサーパネル１００上に、センサーパネルの剛性保護を兼ねた蛍光体の下地層１１５を形成する。このとき、下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎになるように形成する。
【００２８】
次に図７（ｂ）に示すように、センサーパネル上に設けた下地層１１５上に、アルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体の層（蛍光体層１１２）を形成し、全体を耐湿保護層１１３で被覆する。さらに図７（ｃ）に示すように、反射層１１４を蛍光体層１１２上に形成する。このようにして構成した放射線検出装置の反射層１１４に接して全体を覆うように保護層１１７を設けることにより、反射層１１４及び蛍光体層１１２を外部の水分等によって変質することを防止することができる（図６）。
【００２９】
上記実施形態のいずれに於いても、本発明が最も効果を発揮するのは、結晶状態のコントロールが蛍光体の鮮鋭度に影響する柱状結晶の蛍光体層が蒸着によって形成される場合である。
【００３０】
本発明で使用される保護層としては、ＳｉＮやＴｉＯ_２、ＬｉＦ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ等の他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。特に保護層は、放射線照射時に蛍光体によって変換された光が通過し、反射層によって反射された該光が再度通過することから、蛍光体が放出する光の波長において高い透過率を示すものが望ましい。
【００３１】
本発明に用いられる下地層としては、柱状化蛍光体による蛍光体層形成工程での熱プロセス（２００℃以上）に耐える材料であればいずれの材料でもよい。特に表面のヌレ性を形成方法によってより容易にコントロールできることから、高耐熱樹脂が望ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
【００３２】
支持基板としては、放射線検出装置用蛍光体パネルの支持基板として一般的に用いられている材料、Ａｌ、ガラス溶融石英、アモルファスカーボン基板、アモルファスカーボン含有基板、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂基板、を挙げることができる。アモルファスカーボンはガラスやＡｌに比べ、Ｘ線の吸収量が少なくより多くのＸ線を蛍光体層に透過することができるため支持基板に大変適した材料である。
【００３３】
金属反射膜の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。
【００３４】
支持基板及び蛍光体層全体を覆う耐湿保護層１１３は、防湿保護の目的で設けられているものであって該目的にかなうものであればいずれの材料でもよいが、耐湿性の高い特開２０００−９８４５で開示のあった、ポリパラキシリレン等のＣＶＤ膜を用いるのが望ましい。
【００３５】
蛍光体としては、アルカリハライド：付活剤が好適に用いられ、ＣｓＩ：Ｔｌの他に、ＣｓＩ：Ｎａ，ＮａＩ：Ｔｌ，ＬｉＩ：Ｅｕ，ＫＩ：Ｔｌ等を用いることができる。
【００３６】
２次元光検出器として、ガラス基板上にアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部を形成した場合について説明したが、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等を２次元状に配置した撮像素子を形成した半導体単結晶基板を２次元状に貼り合わせて２次元光検出器を構成することもでき、その上ファイバー板等を介してシンチレーターパネルを貼り合わせたり、２次元状に貼り合わせた半導体単結晶基板上に下地層、蛍光体層を配置することで放射線検出装置を構成することができる。
【００３７】
【実施例】
次に、本発明の放射線検出装置を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３８】
（実施例１−３）
図３に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上にフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部（光検出素子（画素））１０２を形成し、その上にＳｉＮ_ｘよりなる保護膜（第一の保護層）１０５と、さらにポリイミド樹脂を硬化した保護層（第二の保護層）１０６を形成してセンサーパネル１００を作製した。
【００３９】
次に、蛍光体の支持基板１１１（アモルファスカーボン基板４５０×４５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）上に、スパッタリング法により反射層１１４としてＡｌ層（５０００Å）を設けた。さらに反射層１１４上にポリイミド樹脂（東レ（株）社製ＬＰ−６２）をスピンコートして、下記表１の各条件（実施例１−３でキュアの条件（硬化温度条件）を変えた）にてキュアを行い５μｍ厚の下地層１１５を形成した。表１の実施例１−３及び比較例１−４の硬化温度の保持時間は１時間（昇温速度　４℃／ｍｉｎ）である。
【００４０】
次に、下地層１１５の表面に、アルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体の層（蛍光体層１１２）を蒸着法によって形成する。全体をパラキシリレン樹脂よりなる耐湿保護層１１３をＣＶＤ法によって形成し、シンチレーターパネル１１０を得た。
【００４１】
得られたシンチレーターパネル１１０をセンサーパネル１００に積層して貼り合わせて、放射線検出装置を構成した。
【００４２】
これらの実施例のような構成においては、蛍光体層１１２が精度良く形成でき、均一性の高い放射線装置が得られた。
【００４３】
さらに以上のように作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層の層間剥離等の外観不良は発生せず、更に感度の低下もほとんど認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られたことを確認できた。
【００４４】
（比較例１）
上記実施例と同様にしてセンサーパネル１００を作製した。
【００４５】
次に、蛍光体の支持基板１１１（アモルファスカーボン基板４５０×４５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）上に、スパッタリング法により反射層１１４としてＡｌ層（５０００Å）を設けた。次に下地層１１５としてポリイミド樹脂（東レ（株）社製ＬＰ−６２）をスピンコートして３００℃でキュアし、膜厚５μｍの層を形成した。上記実施例と同様にして、柱状蛍光体の層（蛍光体層１１２）、耐湿保護層１１３を設け、シンチレーターパネル１１０を得た。さらに、上記実施例と同様にして放射線検出装置を得た。
【００４６】
（比較例２）
下地層１１５を３５０℃でキュアする以外は、比較例１と同様にして、放射線検出装置を得た。
【００４７】
（比較例３）
上記実施例と同様にしてセンサーパネル１００を作製した。次に、上記実施例と同様にして、支持基板１１１上に、反射層１１４及び下地層１１５を積層した。下地層１１５の密着性向上のため、Ａｒプラズマ処理６０ｓｅｃを行い、表面エネルギー５０ｄｙｎの表面を持つ層を得た。上記実施例と同様にして、柱状蛍光体の層（蛍光体層１１２）、耐湿保護層１１３を設け、シンチレーターパネル１１０を得た。さらに、上記実施例と同様にして放射線検出装置を得た。
【００４８】
（比較例４）
Ａｒプラズマ処理７５ｓｅｃを行い、表面エネルギー５３ｄｙｎの下地層１１５を得た以外は、比較例３と同様にして、放射線検出装置を得た。
【００４９】
各実施例及び各比較例で得られた放射線検出装置について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】

１．表面エネルギーの測定
下地層表面の界面の臨界表面張力を測定する所謂濡れ試験標準液から得られる指数（ＪＩＳ　Ｋ６７６８）であって、ここでは、得られた指数の濡れ標準液の表面張力の値を下地層の表面エネルギーの値とした。
【００５１】
２．ＣｓＩ及び下地層の密着強度評価
試験片上の膜を貫通して、素地面に達するＸ状の切り傷をつけて素地面との密着性を評価するＸカットテープ法（ＪＩＳ　Ｋ５４００）によって評価を行い、ＪＩＳに定められる評価点数８以上：○、４以上：△、４未満：×とした。
【００５２】
３．鮮鋭度の評価
厚さ１００ｍｍの水ファントムを通して、管電圧１００ｋＶのＸ線で撮影した時の値であり、感度は実施例１の感度を１とし、鮮鋭度は空間周波数２本／ｍｍにおけるＭＴＦ値を求め、実施例１のＭＴＦを１００としたときの変動について、　変動±５％：○、変動±５％以上：×　とした。
【００５３】
４．耐久性
６０℃、９０％、２０００ｈ耐久ののち、蛍光体部に剥離や破損による欠陥が発生するか、しないかを観察した。
【００５４】
図８は本発明による放射線検出装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【００５５】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、図３に示したような放射線検出装置（イメージセンサ）６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレーター（蛍光体層）は発光し、これをセンサーパネルの光電変換素子が光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００５６】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどの表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。
【００５７】
以上説明したように、本発明は医療用のＸ線センサに応用することが可能であるが、無破壊検査等のそれ以外の用途に応用した場合にも有効である。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば以下の効果がある。
【００５９】
（１）形成された蛍光体層の形状の均一度が高く、感度ムラのないシンチレーターパネル及び放射線検出装置を実現できる。
【００６０】
（２）シンチレーターパネル及び放射線検出装置として構成したときに、蛍光体の剥がれや破損が生じず、特に耐温度耐湿度耐久が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の放射線検出装置におけるシンチレーターパネルの一実施形態の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の放射線検出装置におけるシンチレーターパネルの一実施形態の製造方法を示す図である。
【図３】本発明の放射線検出装置における一実施形態の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の放射線検出装置における他のシンチレーターパネルの一実施形態の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の放射線検出装置における他のシンチレーターパネルの一実施形態の製造方法を示す図である。
【図６】本発明の放射線検出装置における一実施形態の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の放射線検出装置における一実施形態の製造方法を示す図である。
【図８】本発明による放射線撮影システムの構成を示す概念図である。
【符号の説明】
１００　センサーパネル
１０１　ガラス基板
１０２　光電変換素子部
１０３　配線部
１０４　電極取り出し部
１０５　第一の保護層
１０６　第二の保護層
１１０　シンチレーターパネル
１１１　支持基板
１１２　柱状の蛍光体よりなる蛍光体層
１１３　耐湿保護層
１１４　反射層
１１５　下地層
１１６　保護層
１１７　保護層
１２１　接着剤層
１２２　封止部

Claims (10)

1. 放射線検出に用いられるシンチレーターパネルにおいて、該シンチレーターパネルが支持基板と、該支持基板上に配された下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、
   前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とするシンチレーターパネル。
2. 前記支持基板と前記下地層との間に前記蛍光体層からの光を反射する反射層を設けた請求項１記載のシンチレーターパネル。
3. 複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルと、該センサーパネル上に配された下地層、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、
   前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とする放射線検出装置。
4. 請求項１又は２に記載のシンチレーターパネルと、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルとを貼り合わされてなる放射線検出装置。
5. 前記シンチレーターパネルの蛍光体層と前記センサーパネルの前記複数の光電変換素子とが内側に位置するように、前記シンチレーターパネルと前記センサーパネルとが貼り合わされている請求項４に記載の放射線検出装置。
6. 前記下地層が、高耐熱樹脂及びその前駆体を含む樹脂層からなることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
7. 前記蛍光体層が、蒸着法によって前記下地層上に形成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
8. 前記下地層が、ポリイミド樹脂及びその前駆体を含む樹脂層からなることを特徴とする請求項６に記載の放射線検出装置。
9. 前記蛍光体層が、アルカリハライド：付活剤の蒸着によって前記下地層上に形成されることを特徴とする請求項７に記載の放射線検出装置。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
    前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
    前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
    前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
    前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
    前記放射線を発生させるための放射線源と、
    を具備することを特徴とする放射線撮像システム。

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