TWI496165B - Radiation image conversion panel - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 56
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 55
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 claims description 76
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 48
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 25
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 18
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 11
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- ZEDZJUDTPVFRNB-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);triiodide Chemical compound I[Ce](I)I ZEDZJUDTPVFRNB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 3
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011094 fiberboard Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
- C09K11/626—Halogenides
- C09K11/628—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7732—Halogenides
- C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/201—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using scintillating fibres
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- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
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- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
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- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Molecular Biology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
本發明係關於放射線影像轉換面板。
作為屬於一種習知放射線影像轉換面板之閃爍體面板(scintillator panel)，具備基板、形成於基板上之樹脂層、以及蒸鍍形成於樹脂層上之柱狀結晶所構成的閃爍體(螢光體)之構造是已知的(例如參照專利文獻1、2)。
此外，作為屬於一種習知放射線影像轉換面板之閃爍體面板，例如專利文獻3所記載之具備光纖板(Fiber Optic Plate，以下也稱「FOP」)及蒸鍍形成於該FOP上之柱狀結晶所構成的閃爍體(螢光體)之構造是已知的。該閃爍體面板，是藉由被覆薄膜而進行固定支承。
專利文獻1：日本特開2004-61115號公報
專利文獻2：日本特開2008-209124號公報
專利文獻3：日本特公平5-39558號公報
上述閃爍體面板，若在所蒸鍍形成之閃爍體的基板部側部(FOP側端部，亦即根部)的結晶性變差，在該根部可能會發生閃爍光之通過性惡化及散射。結果，在上述閃爍體面板，會有光輸出及解析度變差的情況。
於是，本發明的課題在於，為了提供一種可提昇光輸
出及解析度之放射線影像轉換面板。
為了解決上述課題，本發明人等深入探討的結果發現，樹脂層之用來蒸鍍形成螢光體的主面之表面能(表面張力)、和螢光體的根部之結晶性間，存在著相關關係。於是想到，若將該表面能設定為適當的數值，即可使螢光體根部的結晶性良好，而完成本發明。
亦即，本發明之放射線影像轉換面板之特徵在於，係具備基板、形成於基板的主面上之樹脂層、以及蒸鍍形成於樹脂層之與基板相反側的主面上之柱狀結晶所構成的螢光體，樹脂層之至少主面的表面能為20mN/m以上且未達35mN/m。
依據該放射線影像轉換面板，可抑制螢光體根部之輸出光(例如光激性發光、閃爍光)的通過性惡化及散射，而能提昇放射線影像轉換面板之光輸出及解析度。這是因為，若樹脂層之用來蒸鍍形成螢光體的主面之表面能設定成20mN/m以上且未達35mN/m，能使螢光體的根部之結晶性良好。
這時，樹脂層會有由矽酮樹脂形成的情況。此外，樹脂層會有由經由多階段的硬化步驟之多階段硬化樹脂形成的情況。
此外較佳為，樹脂層之至少主面的表面能，是對應於螢光體的結晶性而設定。在此情況，例如適當地設定樹脂層之主面的表面能，能使螢光體的結晶性良好，而能提昇放射線影像轉換面板之光輸出及解析度。
此外，本發明之放射線影像轉換面板之特徵在於，係具備基板、形成於基板的主面上之樹脂層、以及蒸鍍形成於樹脂層之與基板相反側的主面上之柱狀結晶所構成的螢光體；且螢光體之基板側的柱狀結晶是形成柱狀。
此外，本發明之放射線影像轉換面板之特徵在於，係具備基板、形成於基板的主面上之樹脂層、以及蒸鍍形成於樹脂層之與基板相反側的主面上之柱狀結晶所構成的螢光體；螢光體之基板側的柱狀結晶，是形成與其相反側的柱狀結晶大致相等的柱狀。
依據上述般的本發明也是，由於螢光體根部的結晶性良好，可抑制螢光體根部之輸出光的通過性惡化及散射，而能提昇放射線影像轉換面板之光輸出及解析度。
此外，基板是包含：使用放射線透過性的基板的情況、使用光纖板的情況、使用影像感測器的情況。
此外，為了解決上述課題，本發明人等深入探討的結果得知，若在耐熱性樹脂層上蒸鍍形成螢光體，可適當地蒸鍍螢光體，而使螢光體根部之結晶性良好。於是，根據此認知，想到能將放射線影像轉換面板之光輸出及解析度提昇，而完成本發明。
亦即，本發明之放射線影像轉換面板，係具備：將複數個光纖結合在一起而構成之光纖板、以及柱狀結晶所構成之螢光體；該放射線影像轉換面板之特徵在於，具備耐熱性樹脂層，其形成在光纖板之主面上，且對於從螢光體輸出的輸出光是呈透明的；螢光體是蒸鍍形成於耐熱性樹脂層之與光纖板相反側的主面上。
依據該放射線影像轉換面板，對於從螢光體輸出的輸出光(例如光激性發光、閃爍光)呈透明的耐熱性樹脂層是形成於FOP上，且在該耐熱性樹脂層的主面上蒸鍍形成螢光體。如此，基於上述理由，能使由柱狀結晶所構成之螢光體根部的結晶性良好，而能抑制根部之輸出光的通過性惡化及散射。因此，可提昇放射線影像轉換面板之光輸出及解析度。
這時，耐熱性樹脂層會有由矽酮樹脂所形成的情況。此外，耐熱性樹脂層，會有由經由多階段硬化步驟之多階段硬化樹脂所形成的情況。
此外，耐熱性樹脂層的硬化條件，較佳為對應於螢光體的結晶性而設定。在此情況，例如適當地設定耐熱性樹脂層之硬化條件，能使螢光體的結晶性良好，而能提昇放射線影像轉換面板之光輸出及解析度。
此外，本發明之放射線影像轉換面板，其特徵在於，係具備：將複數個光纖結合在一起而構成之光纖板、形成於光纖板的主面上之耐熱性樹脂層、以及蒸鍍形成於耐熱性樹脂層之與光纖板相反側的主面上且由柱狀結晶所構成之螢光體；螢光體之光纖板側的柱狀結晶，是形成柱狀。
此外，本發明之放射線影像轉換面板，其特徵在於，係具備：將複數個光纖結合在一起而構成之光纖板、形成於光纖板的主面上之耐熱性樹脂層、以及蒸鍍形成於耐熱性樹脂層之與光纖板相反側的主面上且由柱狀結晶所構成之螢光體；螢光體之光纖板側的柱狀結晶，是形成與相反側的柱狀結晶大致相等的柱狀。
依據上述般的本發明也是，由於螢光體根部的結晶性良好，可抑制螢光體所輸出之輸出光的通過性惡化及散射，而能提昇放射線影像轉換面板之光輸出及解析度。
依據本發明，可提昇放射線影像轉換面板之光輸出及解析度。
以下，針對本發明的較佳實施形態，參照圖式詳細地說明。又在以下說明中，對相同或相當的要素賦予同一符號而省略重複說明。
針對屬於放射線影像轉換面板之閃爍體面板，在以下作說明。第1圖係顯示本發明的一實施形態之閃爍體面板之概略側截面圖。如第1圖所示，本實施形態之閃爍體面板(放射線影像轉換面板)1，係用來將射入的X射線等的放射線R轉換成閃爍光而進行檢測。在此的閃爍體面板1，是屬於使用FOP作為基板之FOP型(Fiber Optic plate with x-ray Scintillator)。閃爍體面板1，例如使用於乳房攝影檢查裝置、胸部檢查裝置、CT裝置、以及牙科口內攝影裝置等。
該閃爍體面板1係具備：FOP(基板)2、設置於FOP2的表面(主面)2a上之耐熱性樹脂層(樹脂層)3、蒸鍍形成於耐熱性樹脂層3之與FOP2相反側的表面(主面)3a上之閃爍體(螢光體)4、以及被覆FOP2、耐熱性樹脂層3及閃爍體4之保護層5。
FOP2，例如是將數微米的光纖結合在一起而構成之光學元件。FOP2呈矩形板狀。在該FOP2，光學耦合著攝影元件等的光電轉換元件(未圖示)。藉此，將閃爍光高效率且低失真地傳遞至光電轉換元件。
耐熱性樹脂層3，是對於閃爍光呈透明的樹脂層(所謂透明樹脂層)。耐熱性樹脂層3，是塗布在FOP2的表面2a而形成。此外，耐熱性樹脂層3，至少可承受閃爍體4蒸鍍時的加熱而具有既定耐熱性。
又在此的「透明」是指，具有讓“光學耦合於FOP2之光電轉換元件具有感度的光”透過的性質。如此，例如利用對可見光中的特定波長帶具有感度的光電轉換元件的情況，對於該感度範圍以外的可見光，耐熱性樹脂層3呈不透明亦可。又在不是可見光而是對紅外線、紫外線等具有感度的光電轉換元件的情況，只要讓具有感度的光透過即可，耐熱性樹脂層3對於可見光呈不透明亦可。如此，耐熱性樹脂層3的顏色，例如不僅是呈透明色的情況，為了進行光輸出調整也會有設定成半透明灰等的情況。
閃爍體4，是將射入的放射線R轉換成閃爍光的螢光體層。閃爍體4，是對應於射入的放射線R的量而發光。該閃爍體4，是將複數個林立的柱狀結晶(針狀結晶，柱徑數μm)之摻雜Tl(鉈)的CsI(碘化銫)真空蒸鍍於耐熱性樹脂層3的表面3a而形成。
保護層5，是用來保護FOP2、耐熱性樹脂層3及閃爍體4而避免受濕氣等的影響。保護層5，是藉由CVD(化學蒸鍍)法而形成被覆FOP2、耐熱性樹脂層3及閃爍體4。作為保護層5，是使用聚對二甲苯等的有機膜或無機膜。
在此，本實施形態之耐熱性樹脂層3，是藉由矽酮樹脂所形成。換言之，耐熱性樹脂層3，是以矽酮樹脂為主成分之矽酮系樹脂層。此外，耐熱性樹脂層3，是在塗布樹脂後，藉由包含常溫之加熱、或是光照射進行硬化而形成的。此外，該樹脂，可為經由多階段的硬化步驟而到達完全硬化之多階段硬化樹脂。
此外，耐熱性樹脂層3之至少表面3a的表面能，較佳為20mN/m以上且未達35mN/m。更佳為24.8mN/m以上且未達32.7mN/m。又一般的矽酮樹脂之表面能為20mN/m左右。
本實施形態之表面能，是在室溫測定試驗液的接觸角，藉由進行使用擴張Fowkes公式之固體表面張力的成分分解(3成分)而測定出。具體而言，是改變試驗液之滴落處測定5次接觸角而將其平均化。根據該平均值，使用擴張Fowkes公式算出分散成分、極性成分及氫鍵成分。而且，求出各成分的和當作表面能。作為接觸角測定，例如是使用靜滴法。具體而言，對於滴到測定對象表面上的液滴，從水平方向使用CCD攝影機拍攝，進行該液滴影像的影像處理而測定出。作為試驗液，是使用複數種的液體(在此包含：水、甲醯胺、二碘甲烷、乙二醇共4種)。
此外，取代FOP2而使用放射線透過性的基板，從基板側射入放射線影像，從閃爍體4的前端側射出對應於放射線影像之可見光影像，若使用這種型式的閃爍體面板，耐熱性樹脂層3，例如為了作為反射膜(讓閃爍體面板1的光輸出增加)而發揮作用，也會有由含有顏料之矽酮樹脂所形成的情況。作為顏料，可使用白色顏料或金屬等。若使用白色顏料，可提高漫反射率而進一步提高光輸出。又該耐熱性樹脂層3，並不限定於像本實施形態這樣是由矽酮樹脂所形成，亦可為其他樹脂所形成之樹脂層。
依據上述構造的閃爍體面板1，是從閃爍體4之FOP2的表面2a側(圖示上側，光輸入面側)射入放射線R(放射線影像)，亦即從閃爍體4的前端側射入放射線R。該放射線R，透過保護層5而射入閃爍體4後被吸收，轉換成與放射線R的光量成比例之既定波長的閃爍光(可見光影像)。接著，轉換後的閃爍光透過耐熱性樹脂層3而到達FOP2。該FOP2將可見光影像傳遞至FOP2的光輸出面。
在此，上述閃爍體面板1，例如可藉由以下例示的方法製造出。亦即，首先將FOP2用洗淨水予以洗淨後，在FOP2的表面2a塗布耐熱性樹脂層3，讓耐熱性樹脂層3進行熱硬化。
在此的耐熱性樹脂層3，是上述般的多階段硬化樹脂，較佳為B階段。
〔A階段〕耐熱性樹脂層3剛塗布後(未燒成)
〔B階段〕耐熱性樹脂層3塗布後進行燒成，硬化反應
的中途階段
〔C階段〕耐熱性樹脂層3塗布後完全硬化的階段
接著，將FOP2例如以100℃加熱後，藉由斜方蒸鍍使用CsI在耐熱性樹脂層3的表面3a進行成膜而形成閃爍體4。然後，形成覆蓋FOP2和耐熱性樹脂層3和閃爍體4之保護層5。藉此獲得閃爍體面板1。
第2圖係閃爍體根部的放大圖。第2(a)圖係本實施形態之閃爍體面板之閃爍體根部的放大圖，第2(b)圖係習知的閃爍體面板之閃爍體根部的放大圖。該習知的閃爍體面板(以下也稱「習知品」)，在FOP2和閃爍體4間並未形成耐熱性樹脂層3，而是將閃爍體4蒸鍍形成在FOP2的表面2a(以下相同)。
如第2(b)圖所示，關於習知品，在所蒸鍍形成之閃爍體4之FOP2側的端部4x(亦即蒸鍍開始側的根部4x)結晶性特別差，例如結晶形狀(柱狀)走樣而變成塊狀，且結晶形狀產生許多參差。因此，在習知品，根部4x有發生閃爍光的通過性惡化及散射之虞。又根部4x，是指從FOP2的表面2a起算30μm左右的結晶部分(以下的根部4x是同樣的)。
針對這點，如第2(a)圖所示，依據本實施形態，閃爍體4的根部4x的結晶性改善而變良好。具體而言，根部4x的柱狀結晶，是維持其柱狀而整齊且筆直地延伸，且柱狀結晶之參差少。換言之，閃爍體4之根部4x(FOP2側)的柱狀結晶，是形成與前端側(與FOP2相反側)的柱狀結
晶大致相等的柱狀。藉此，可大幅改善發光(輸出)的通過方式而提昇光輸出，並抑制閃爍光之散射而提昇解析度。
這是因為，若在耐熱性樹脂層3上蒸鍍形成閃爍體4，可適當地蒸鍍閃爍體4。其原因在於，在耐熱性樹脂層3，其表面3a的表面能變低，當CsI的蒸氣流(氣體)附著時，CsI微粒子變得容易收縮，從蒸鍍初期開始就容易形成柱狀結晶。
附帶一提的，如上述般，在本實施形態，當製造閃爍體面板1時，是將FOP2加熱。如此，閃爍體4的根部4x的柱狀結晶會變粗。
第3圖係顯示耐熱性樹脂層的表面能和閃爍體結晶性的相關之實驗結果。圖中，「○」表示根部4x的結晶性良好，「×」表示根部4x的結晶性惡化。又試料A~C，是耐熱性樹脂層3由矽酮樹脂所形成之閃爍體面板。耐熱性樹脂層3的硬化條件，試料A為A階段，試料B、C為C階段。此外，試料C，是在耐熱性樹脂層3含有白色顏料。試料D，是耐熱性樹脂層3由聚對二甲苯所形成之閃爍體面板。
如第3圖所示，表面3a的表面能為32.7mN/m之試料A、表面3a的表面能為24.8mN/m之試料B、表面3a的表面能為30.8mN/m之試料C，根部4x的結晶性良好。另一方面，表面3a的表面能為41.8mN/m之試料D、根部4x的結晶性惡化。
如此，在本實施形態是如上述般，耐熱性樹脂層3的
表面3a之表面能設定成20mN/m以上且未達35mN/m，更佳為24.8mN/m以上且未達32.7mN/m。因此，依據本實施形態，能使根部4x的結晶性良好，可抑制該根部4x之閃爍光的通過性惡化及散射，而能提昇閃爍體面板之光輸出及解析度。
第4圖係顯示耐熱性樹脂層的硬化條件和閃爍體結晶性的相關之閃爍體放大圖。圖中，耐熱性樹脂層3是由矽酮樹脂所形成，耐熱性樹脂層3的硬化條件，第4(a)圖為A階段，第4(b)圖為B階段，第4(c)圖為C階段。
如第4圖所示，硬化條件為A~C階段的根部4x各個的結晶性都獲得改善。特別是B、C階段的根部4x之柱狀結晶(第4(b)(c)圖)，相較於A階段的根部4x之柱狀結晶(第4(a)圖)，更能維持柱狀而容易成為筆直一根的狀態。此外，B階段的根部4x，是比C階段的根部4x有更良好的結晶性。
如此，在本實施形態，如上述般，耐熱性樹脂層3的硬化條件宜為A~C階段之任一者，更佳為B階段或C階段，又更佳為B階段。藉此，可抑制根部4x之輸出光的通過性惡化及散射，而能提昇閃爍體面板1之光輸出及解析度。
第5、6圖係顯示閃爍體面板的光輸出及解析度之圖表。圖中，橫軸表示解析度的相對值，是使用CFT圖來測定10Lp/mm。此外，縱軸表示光輸出的相對值。放射線R的照射條件設定為管電壓30kV、管電流1.5mA。
根據第5、6圖所示的結果，可確認出讓光輸出及解析
度提昇之上述作用。此外如第5圖所示，本實施形態比起習知品，在光輸出及解析度雙方都提高10%以上。此外，如第6圖所示，在圖上，本實施形態的數據位於習知品數據的右上方。如此可知光輸出及解析度雙方都有提昇。
以上雖是說明本發明的較佳實施形態，但本發明之閃爍體面板並不限定於實施形態之上述閃爍體面板1，亦可在不變更各請求項所記載的要旨之範圍內予以變形，或應用於其他物品的。
例如在上述實施形態，作為基板是具備FOP2，但亦可取代其而如第7圖所示，具備放射線透過性的基板(金屬基板、碳基板或樹脂基板等)52。基板為放射線透過性的基板52的情況，放射線影像，透過基板52後射入閃爍體4而轉換成與放射線影像對應的可見光影像。接著，該可見光影像從閃爍體4的前端側輸出，藉由光學耦合的影像感測器進行檢測。
在此情況，為了增加閃爍體面板1的光輸出，亦可將光反射膜介入基板52和耐熱性樹脂層3間，並在該光反射膜的表面設置耐熱性樹脂層3。若該光反射膜是使用金屬膜，也具有防止濕氣等的影響而造成腐蝕的效果。
再者，如第8圖所示，基板亦可為影像感測器76，而在該影像感測器76上形成耐熱性樹脂層3(基板為影像感測器76的情況，放射線影像轉換面板也稱為放射線檢測器)。在此情況，影像感測器76可採用以下的構造。亦即，在絕緣性(例如玻璃製)的基板62上，將進行光電轉換的受光元件72予以2維排列而形成受光部。受光元件72是由非晶矽製的光二極體(PD)或薄膜電晶體(TFT)所構成。各受光元件72，是分別藉由訊號讀取用的訊號線73進行電氣連接。用來將訊號送往外部電路(未圖示)之複數個接合墊74，是沿著基板62的外周邊呈露出地配置，其透過訊號線73電氣連接於受光元件72。在受光元件72及訊號線73上，形成絕緣性的鈍化膜75。保護層5的外周部，是藉由被覆樹脂82予以被覆。
又在本發明，如上述般，閃爍體4的根部(蒸鍍開始側)4x的結晶形狀良好。如此，將本發明應用於從閃爍體4的根部4x側輸出閃爍光(作為基板是具備FOP2或影像感測器76之閃爍體面板(放射線檢測器))的情況，其效果更顯著。
再者，硬化條件並不限定於上述A~C階段，只要能使閃爍體4的根部4x之結晶性良好的話，也能採用各種的硬化條件。此外，上述「大致相等的柱狀」是指，包含彼此相同的柱狀、同樣的柱狀、近似的柱狀等之廣義的。
又上述實施形態的耐熱性樹脂層3，例如以下所例示般，會有閃爍體4的根部4x之柱狀結晶形成柱狀構造的情況。這是因為，根部4x之柱狀結晶之結晶性，是與耐熱性樹脂層3的彈性、熱膨脹率、收縮性、表面狀態及晶格常數之至少一者具有相關關係。
亦即，藉由將耐熱性樹脂層3的彈性設定在既定彈性範圍，及/或將熱膨脹率設定在既定範圍，能使根部4x之柱狀結晶形成柱狀構造。此外，藉由將耐熱性樹脂層3的收縮性設定成具有既定收縮性，能使根部4x之柱狀結晶形成柱狀構造。另外，藉由將耐熱性樹脂層3的表面狀態適當地設定，能使根部4x之柱狀結晶形成柱狀構造。再者，藉由將耐熱性樹脂層3的晶格常數適當地匹配，能使根部4x之柱狀結晶形成柱狀構造。
另外，表面能，除了依據樹脂種類及硬化方法進行調整以外，藉由照射紫外線或電子線來進行調整亦可。此外，在上述實施形態，作為閃爍體4雖是使用CsI(Tl)，但並不限定於此，亦可使用CsI(Na)、NaI(Tl)、LiI(Eu)、KI(Tl)等。又在上述，作為放射線影像轉換面板，雖以螢光體是使用閃爍體之閃爍體面板來做說明，但本發明也能適用於：使用CsBr(Eu)等的柱狀結晶所構成的光激性螢光體之放射線影像轉換面板。
此外，耐熱性樹脂層(樹脂層)3，只要存在於閃爍體(螢光體)4的有效區域即可，在此情況，耐熱性樹脂層3的面積和閃爍體4的面積，是相同或任一方較大皆可。
依據本發明，可提昇放射線影像轉換面板之光輸出及解析度。
1‧‧‧閃爍體面板(放射線影像轉換面板)
2‧‧‧光纖板(基板)
2a‧‧‧光纖板的表面(主面)
3‧‧‧耐熱性樹脂層(樹脂層)
3a‧‧‧耐熱性樹脂層的表面(主面)
4‧‧‧閃爍體(螢光體)
52‧‧‧基板
76‧‧‧影像感測器(基板)
第1圖係顯示本發明的一實施形態之閃爍體面板的概略側截面圖。
第2(a)(b)圖係顯示柱狀結晶性的閃爍體之根部的放大圖。
第3圖係顯示耐熱性樹脂層的表面能和閃爍體結晶性的相關之實驗結果。
第4(a)~(c)圖係顯示耐熱性樹脂層的硬化條件和閃爍體結晶性的相關之閃爍體放大圖。
第5(a)(b)圖係顯示閃爍體面板的光輸出及解析度的傾向之圖表。
第6圖係顯示閃爍體面板的光輸出及解析度的傾向之圖表。
第7圖係顯示本發明的變形例之概略側截面圖。
第8(a)圖係顯示本發明的其他變形例之概略俯視圖，第8(b)圖係第8(a)圖的VIII(b)-VIII(b)線之截面圖。
1．．．閃爍體面板(放射線影像轉換面板)
2．．．光纖板(基板)
2a．．．光纖板的表面(主面)
3．．．耐熱性樹脂層(樹脂層)
3a．．．耐熱性樹脂層的表面(主面)
4．．．閃爍體(螢光體)
5．．．保護層
R．．．放射線
Claims (13)
- 一種放射線影像轉換面板，其特徵在於：係具備基板、由經由多階段的硬化步驟之多階段硬化樹脂形成於前述基板的主面上之樹脂層、以及在前述樹脂層的硬化反應的中途階段蒸鍍形成於前述樹脂層之與前述基板相反側的主面上之柱狀結晶所構成的螢光體；前述樹脂層之至少前述主面的表面能為20mN/m以上且未達35mN/m。
- 如申請專利範圍第1項記載的放射線影像轉換面板，其中，前述樹脂層是由矽酮樹脂所形成。
- 如申請專利範圍第1記載的放射線影像轉換面板，其中，前述樹脂層之至少前述主面的前述表面能，是對應於前述螢光體的結晶性而設定。
- 一種放射線影像轉換面板，其特徵在於：係具備基板、由經由多階段的硬化步驟之多階段硬化樹脂形成於前述基板的主面上之樹脂層、以及在前述樹脂層的硬化反應的中途階段蒸鍍形成於前述樹脂層之與前述基板相反側的主面上之柱狀結晶所構成的螢光體； 且前述螢光體之前述基板側的柱狀結晶，不會成為走樣的塊狀而是形成維持其柱狀且筆直地延伸的形狀。
- 一種放射線影像轉換面板，其特徵在於：係具備基板、由經由多階段的硬化步驟之多階段硬化樹脂形成於前述基板的主面上之樹脂層、以及在前述樹脂層的硬化反應的中途階段蒸鍍形成於前述樹脂層之與前述基板相反側的主面上之柱狀結晶所構成的螢光體；前述螢光體之前述基板側的柱狀結晶，是形成與其相反側的柱狀結晶大致相等的柱狀。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項記載的放射線影像轉換面板，其中，前述基板為放射線透過性的基板。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項記載的放射線影像轉換面板，其中，前述基板為光纖板。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項記載的放射線影像轉換面板，其中，前述基板為影像感測器。
- 一種放射線影像轉換面板，係具備：將複數個光纖結合在一起而構成之光纖板、以及柱狀結晶所構成之螢光體；該放射線影像轉換面板之特徵在於：具備耐熱性樹脂層，其由經由多階段的硬化步驟之多階段硬化樹脂形成在前述光纖板之主面上，且對於從前述螢光體輸出的輸出光是呈透明的；前述螢光體是在前述耐熱性樹脂層的硬化反應的中途 階段蒸鍍形成於前述耐熱性樹脂層之與前述光纖板相反側的主面上。
- 如申請專利範圍第9項記載的放射線影像轉換面板，其中，前述樹脂層是由矽酮樹脂所形成。
- 如申請專利範圍第9或10項記載的放射線影像轉換面板，其中，前述耐熱性樹脂層的硬化條件，是對應於前述螢光體的結晶性而設定。
- 一種放射線影像轉換面板，其特徵在於，係具備：將複數個光纖結合在一起而構成之光纖板、由經由多階段的硬化步驟之多階段硬化樹脂形成於前述光纖板的主面上之耐熱性樹脂層、以及在前述耐熱性樹脂層的硬化反應的中途階段蒸鍍形成於前述耐熱性樹脂層之與前述光纖板相反側的主面上且由柱狀結晶所構成之螢光體；前述螢光體之前述光纖板側的柱狀結晶，不會成為走樣的塊狀而是形成維持其柱狀且筆直地延伸的形狀。
- 一種放射線影像轉換面板，其特徵在於，係具備將複數個光纖結合在一起而構成之光纖板、由經由多階段的硬化步驟之多階段硬化樹脂形成於前述光纖板的主面上之耐熱性樹脂層、以及 在前述耐熱性樹脂層的硬化反應的中途階段蒸鍍形成於前述耐熱性樹脂層之與前述光纖板相反側的主面上且由柱狀結晶所構成之螢光體；前述螢光體之前述光纖板側的柱狀結晶，是形成與相反側的柱狀結晶大致相等的柱狀。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010018548A JP2011158291A (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | 放射線像変換パネル |
| JP2010018563A JP5749439B2 (ja) | 2010-01-29 | 2010-01-29 | 放射線像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201214464A TW201214464A (en) | 2012-04-01 |
| TWI496165B true TWI496165B (zh) | 2015-08-11 |
Family
ID=44319131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100102483A TWI496165B (zh) | 2010-01-29 | 2011-01-24 | Radiation image conversion panel |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8866088B2 (zh) |
| EP (2) | EP2530682B1 (zh) |
| KR (1) | KR101726464B1 (zh) |
| CN (1) | CN102741941B (zh) |
| TW (1) | TWI496165B (zh) |
| WO (1) | WO2011093140A1 (zh) |
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| TWI690942B (zh) * | 2015-09-15 | 2020-04-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 閃爍器板及放射線檢測器 |
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| JP5844545B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2016-01-20 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
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| CN101886675B (zh) | 2010-06-30 | 2012-10-03 | 浙江大学 | 一种半自动电控离合器系统 |
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- 2011-01-13 EP EP11736855.5A patent/EP2530682B1/en active Active
- 2011-01-13 EP EP17169731.1A patent/EP3220392B1/en active Active
- 2011-01-13 US US13/522,568 patent/US8866088B2/en active Active
- 2011-01-13 KR KR1020127006503A patent/KR101726464B1/ko active Active
- 2011-01-13 WO PCT/JP2011/050460 patent/WO2011093140A1/ja not_active Ceased
- 2011-01-13 CN CN201180007472.4A patent/CN102741941B/zh active Active
- 2011-01-24 TW TW100102483A patent/TWI496165B/zh active
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| EP3220392A1 (en) | 2017-09-20 |
| EP2530682A4 (en) | 2017-07-26 |
| EP3220392B1 (en) | 2021-09-15 |
| WO2011093140A1 (ja) | 2011-08-04 |
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| CN102741941B (zh) | 2015-04-08 |
| EP2530682A1 (en) | 2012-12-05 |
| KR20120125222A (ko) | 2012-11-14 |
| CN102741941A (zh) | 2012-10-17 |
| KR101726464B1 (ko) | 2017-04-12 |
| US8866088B2 (en) | 2014-10-21 |
| EP2530682B1 (en) | 2019-11-20 |
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