JP2004061115A

JP2004061115A - Scintillator panel, radiation detection device and radiation imaging system

Info

Publication number: JP2004061115A
Application number: JP2002215385A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Nagano; 長野　和美; Katsuro Takenaka; 竹中　克郎; Tomoyuki Tamura; 田村　知之; Satoshi Okada; 岡田　聡
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-07-24
Filing date: 2002-07-24
Publication date: 2004-02-26

Abstract

【課題】蛍光体層の密着不良による剥がれを防止する。
【解決手段】シンチレーターパネル１１０が支持基板１１１と、支持基板上に形成された反射層１１４及び下地層１１５と、下地層上に接して形成された蛍光体層１１２とを備え、下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎである。シンチレーターパネル１１０と、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネル１００とを貼り合わせて放射線検出装置とする。複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルと、センサーパネル上に配された下地層、下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎである。
【選択図】　　　図３An object of the present invention is to prevent peeling due to poor adhesion of a phosphor layer.
A scintillator panel includes a support substrate, a reflective layer and an underlayer formed on the support substrate, and a phosphor layer formed in contact with the underlayer, and a surface of the underlayer. The energy is between 35 dyn and 45 dyn. The scintillator panel 110 and the sensor panel 100 in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged two-dimensionally are attached to form a radiation detection device. A sensor panel in which a plurality of photoelectric conversion elements are two-dimensionally arranged, a base layer disposed on the sensor panel, and a phosphor layer formed in contact with the base layer, the surface energy of the base layer being 35 dyn ４５45 dyn.
[Selection diagram] FIG.

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられるシンチレーターパネル、放射線検出装置および放射線撮像システムに関し、特に、Ｘ線撮影等に用いられるシンチレーターパネル、放射線検出装置および放射線撮像システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、Ｘ線蛍光体層が内部に備えられた蛍光スクリーンと両面塗布剤とを有するＸ線フィルムシステムが一般的にＸ線写真撮影に使用されてきた。しかし、最近、Ｘ線蛍光体層と２次元光検出器とを有するデジタル放射線検出装置の画像特性が良好であること、データがデジタルデータであるためネットワーク化したコンピュータシステムに取り込むことによってデータの共有化が図られる利点があることから、デジタル放射線検出装置について盛んに研究開発が行われ、種々の特許出願もされている。
【０００３】
これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特許第３１２６７１５号公報に開示されているように、放射線を透過する支持基板上に反射層と保護層を設け、更に保護層上に蛍光体層を設けてなる放射線検出用シンチレーターパネルと、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ　（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電気素子が配置されている光電変換素子部からなる２次元光検出器とを貼り合わせて一体化した放射線検出装置が知られている。この放射線検出装置は、該シンチレーターパネルの蛍光体層と反射層間に保護層を設けることで、蛍光体層が含有する成分や水分による変質等により反射層の反射膜としての機能が減衰することを防止するものである。
【０００４】
上記公報で開示されている放射線検出装置のシンチレーターパネルは、支持基板上の反射層に保護層が設けられ、その上に柱状の蛍光体よりなる蛍光体層が形成される。さらに、その全体を覆うように有機膜による耐湿保護層が形成されて、全体としてシンチレーターパネルが構成されているが、これらの保護層はいずれも反射層の変質等により反射層の反射機能が減衰するのを防止することを目的とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
放射線検出用シンチレーターパネルに用いられる支持基板、反射層、保護層、絶縁耐熱層に用いられている材料の熱膨張係数は、アモルファスカーボンやガラスでは（１〜１０×１０^−６）／℃、Ａｌ等の金属では（１５〜２５×１０^−６）／℃、一般的な樹脂ではおよそ（１〜５×１０^−５）／℃であり、各層が熱履歴により生じる変位差は大きい。しかしながら、支持基板上に柱状よりなる蛍光体による蛍光体層を形成する際には例えば２００℃〜２５０℃等の一定範囲の温度で加熱される。したがって、上記放射線検出用シンチレーターパネルに於いては製造工程中また長期耐久性試験による加速試験に於いて、以下のような問題が発生する場合があった。
【０００６】
１．工程の熱履歴により構成層を積層した支持基板に反りが発生した場合に、蛍光体層と下地層間の密着力不足により蛍光体層が下地層との間で破壊したり剥がれたりする場合があった。
【０００７】
２．工程の熱履歴により構成層を積層した支持基板に反りが発生し、蛍光体層が反りのある支持基板上に形成され放射線検出用シンチレーターパネルが形成される。蛍光体層を２次元光検出器に貼り合わせる場合には、シンチレーターパネルは反りが強制された状態で光検出器と貼り合わされてしまう。このためシンチレーターパネルと光検出器を貼り合わせた後に、シンチレーターパネル内部に応力が加わり、応力の弱い層が内部応力によって破損する。従来は、蛍光体層が下地層との間や、下地層と接する保護層との間で、破壊したり剥がれたりすることがあった。
【０００８】
３．加速耐久試験において、各構成層が熱により変位を生じるが、この変位によって各層に応力が加わり、応力の弱い層が内部応力によって破損する。従来は、蛍光体層が下地層との間、下地層と接する保護層との間で破壊したり剥がれたりすることがあった。
【０００９】
本発明の目的は、蛍光体層の密着不良による剥がれを防止し、かつ、蒸着によって均一で精度の高い柱状蛍光体の層を形成し、均一な光変換効率が得られる高感度で高鮮鋭なシンチレーターパネル及び放射線検出装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のシンチレーターパネルは、放射線検出に用いられるシンチレーターパネルにおいて、該シンチレーターパネルが支持基板と、該支持基板上に配された下地層と、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とするものである。かかるシンチレーターパネルにおいては、前記支持基板と前記下地層との間に前記蛍光体層からの光を反射する反射層を設けることが好ましい。
【００１１】
また本発明の放射線検出装置は、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルと、該センサーパネル上に配された下地層、該下地層上に接して形成された蛍光体層とを備え、前記下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎであることを特徴とするものである。
【００１２】
また本発明の放射線検出装置は、上記本発明のシンチレーターパネルと、複数の光電変換素子が２次元状に配されたセンサーパネルとを貼り合わされてなるものである。本発明の放射線撮像システムは上記放射線検出装置を用いたものである。
【００１３】
なお、本明細書では、Ｘ線の他、α線、β線、γ線等の電磁波も、放射線に含まれるものとする。
【００１４】
本発明者らは、上述した課題を解決すべく鋭意検討を行った。まず下地層に表面のヌレ性状を高くして密着力を向上するためにプラズマ処理を行ったところ、以下のような問題が生じた。
【００１５】
シンチレーターに用いられる蛍光体は蒸着法によって形成される柱状蛍光体等が用いられる。蒸着時、蒸着源から気体として発せられた蛍光体は、支持基板表面に接し液体の状態を通り固体として支持基板に定着する。このとき、あまりにも定着表面のヌレ性状が高いと定着表面への広がりが大きくなり、形成される柱状径が太く、または、径が一定せず揃わないものがあった。その結果、放射線検出装置の鮮鋭度が低下するという問題が生じ、単純に密着性向上という観点でのみ下地層の表面ヌレ性状を高くしたのでは、鮮鋭度の高いシンチレーターを形成することができないということが解った。
【００１６】
そして本発明者らは、蛍光体層の破壊や剥がれ等は下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎの範囲であれば生じにくく、鮮鋭度も劣化しないことを見出した。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の放射線検出装置に用いるシンチレーターパネルの一実施形態を示す断面図である。１１１は支持基板、１１２はアルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ、タリウム活性化沃化セシウム）の層（蛍光体層）、１１３は有機膜よりなる耐湿保護層、１１４は反射層、１１５は下地層であり、これら全体でシンチレーターパネル１１０を構成するものである。図２は本発明のシンチレーターパネルの一実施形態を製造する方法を示す図である。図２（ａ）に示すように、支持基板１１１上に反射層１１４を設ける。さらに図２（ｂ）に示すように、反射層１１４上に下地層１１５を積層する。
【００１９】
反射層１１４上に下地層１１５を設ける際には、下地層表面の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎになるように下地層の形成方法をコントロールする。
【００２０】
例えば、高耐熱樹脂で一般的な材料として知られるポリイミド樹脂が下地層を形成する場合は、ポリイミド前駆体と溶剤の混合物を塗布し、これを熱により硬化することによって膜を形成する。この場合、通常の３００℃〜４００℃で硬化され、表面エネルギーが３２ｄｙｎ以下の非常にヌレ性状の低い膜表面が形成されてしまう。極めて高温で硬化することにより、前駆体を完全に反応させ、できうる限り残存溶剤を飛ばし、ポリイミドを整列・堅牢化することにより強固な膜を形成している。本実施形態においては、使用される樹脂の状態により硬化の際の温度を適切にコントロールして溶剤蒸発、イミド化、堅牢化を１５０℃〜２３０℃で行い、表面エネルギーが３５ｄｙｎ以上４５ｄｙｎ以下の膜を形成する。詳細な温度は、各々の樹脂性状により異なるが、表面エネルギーが前述の範囲にコントロールされた膜には、微量ではあるがイミド化反応が十分に進行せず、前駆体及び溶剤が残存しており、これら分子の極性基の影響により表面エネルギーが高くヌレ性状の高い膜表面を形成することができる。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示すように、アルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体の層を下地層上に蛍光体層１１２として柱状結晶させる。その後、全体を耐湿保護層１１３で被覆して放射線検出用シンチレーターパネル１１０が出来上がる（図１）。
【００２２】
図３は、前述の放射線検出用シンチレーターパネルを、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が配置されている光電変換素子部からなる２次元検出器（センサーパネル）と貼り合わされてなる放射線検出装置の断面図である。図３中、１０１はガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部、１０５は窒化シリコン等よりなる第一の保護層、１０６は樹脂膜等よりなる第二の保護層である。また、１１１は支持基板、１１４は反射層、１１５は下地層、１１２は柱状の蛍光体よりなる蛍光体層で、１１３は有機樹脂等よりなる耐湿保護層である。１０１〜１０６で２次元光検出器１００が構成され、１１１〜１１５でシンチレーターパネル１１０が構成される。１２１は透明な接着剤よりなる接着剤層、１２２は封止部である。このように光検出器（センサーパネル）１００とシンチレーターパネル１１０とを接着剤層１２１を介して貼り合わされて放射線検出装置が得られる。光電変換素子部のフォトセンサーとＴＦＴとは同一の層構成からなり、例えば特許第３０６６９４４号公報にその構成が開示されている。
【００２３】
図４は、本発明の放射線検出装置用シンチレーターパネルの他の実施形態を示す断面図である。１１１は支持基板、１１２はアルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体層（例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ）、１１３は有機樹脂よりなる耐湿保護層、１１４は反射層、１１５は下地層、１１６は反射層を支持及び保護する保護層、これら全体でシンチレーターパネル１１０を構成するものである。
【００２４】
図５は本発明の他の実施形態を製造する方法を示す図である。本発明においては、図５（ａ）に示すように、支持基板１１１上に反射層を支持及び保護する保護層１１６を設ける。さらに前述の実施形態と同様に、図５（ｂ）に示すように、保護層１１６上に反射層１１４を形成し、さらに反射層１１４上に下地層１１５を積層する。このとき、下地層は表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎになるように形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、アルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体の層を下地層１１５上に形成する。その後、全体を耐湿保護層１１３で被覆して放射線検出用シンチレーターパネル１１０が出来上がる（図４）。
【００２５】
支持基板１１１と反射層１１４の間に設けられている、反射層を支持する保護層１１６は、反射層の腐蝕を防ぐ目的や、支持基板と反射層間の応力を緩和する目的で設けられるものがある。反射層１１４を支持及び保護する保護層１１６を形成することは、下地層の表面エネルギーをコントロールすることに加え、さらに、熱履歴によって生じた応力に対する変形耐性が増し、ひいては蛍光体剥がれの発生を押さえることができ望ましい。また、反射層の変質による反射率の減衰を防止するためには反射層の両側面に保護層を設けることが望ましく、安価な点から樹脂層による保護層が望ましい。
【００２６】
図６は本発明における他の実施形態の放射線検出装置を示す図である。本実施形態は、前述のように支持基板に蛍光体層を形成した後、これをセンサーパネルと貼り合わせるのではなく、センサーパネル１００上に、下地層１１５を介して蛍光体層１１２を直接形成するものである。
【００２７】
図７は、本発明の放射線検出装置の一実施形態を製造する方法を示した図である。図７（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に形成された、アモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部１０２、配線部１０３、電極取り出し部１０４、窒化シリコン等よりなる第一の保護層１０５を備えたセンサーパネル１００上に、センサーパネルの剛性保護を兼ねた蛍光体の下地層１１５を形成する。このとき、下地層の表面エネルギーが３５ｄｙｎ〜４５ｄｙｎになるように形成する。
【００２８】
次に図７（ｂ）に示すように、センサーパネル上に設けた下地層１１５上に、アルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体の層（蛍光体層１１２）を形成し、全体を耐湿保護層１１３で被覆する。さらに図７（ｃ）に示すように、反射層１１４を蛍光体層１１２上に形成する。このようにして構成した放射線検出装置の反射層１１４に接して全体を覆うように保護層１１７を設けることにより、反射層１１４及び蛍光体層１１２を外部の水分等によって変質することを防止することができる（図６）。
【００２９】
上記実施形態のいずれに於いても、本発明が最も効果を発揮するのは、結晶状態のコントロールが蛍光体の鮮鋭度に影響する柱状結晶の蛍光体層が蒸着によって形成される場合である。
【００３０】
本発明で使用される保護層としては、ＳｉＮやＴｉＯ_２、ＬｉＦ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ等の他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。特に保護層は、放射線照射時に蛍光体によって変換された光が通過し、反射層によって反射された該光が再度通過することから、蛍光体が放出する光の波長において高い透過率を示すものが望ましい。
【００３１】
本発明に用いられる下地層としては、柱状化蛍光体による蛍光体層形成工程での熱プロセス（２００℃以上）に耐える材料であればいずれの材料でもよい。特に表面のヌレ性を形成方法によってより容易にコントロールできることから、高耐熱樹脂が望ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
【００３２】
支持基板としては、放射線検出装置用蛍光体パネルの支持基板として一般的に用いられている材料、Ａｌ、ガラス溶融石英、アモルファスカーボン基板、アモルファスカーボン含有基板、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂基板、を挙げることができる。アモルファスカーボンはガラスやＡｌに比べ、Ｘ線の吸収量が少なくより多くのＸ線を蛍光体層に透過することができるため支持基板に大変適した材料である。
【００３３】
金属反射膜の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。
【００３４】
支持基板及び蛍光体層全体を覆う耐湿保護層１１３は、防湿保護の目的で設けられているものであって該目的にかなうものであればいずれの材料でもよいが、耐湿性の高い特開２０００−９８４５で開示のあった、ポリパラキシリレン等のＣＶＤ膜を用いるのが望ましい。
【００３５】
蛍光体としては、アルカリハライド：付活剤が好適に用いられ、ＣｓＩ：Ｔｌの他に、ＣｓＩ：Ｎａ，ＮａＩ：Ｔｌ，ＬｉＩ：Ｅｕ，ＫＩ：Ｔｌ等を用いることができる。
【００３６】
２次元光検出器として、ガラス基板上にアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部を形成した場合について説明したが、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等を２次元状に配置した撮像素子を形成した半導体単結晶基板を２次元状に貼り合わせて２次元光検出器を構成することもでき、その上ファイバー板等を介してシンチレーターパネルを貼り合わせたり、２次元状に貼り合わせた半導体単結晶基板上に下地層、蛍光体層を配置することで放射線検出装置を構成することができる。
【００３７】
【実施例】
次に、本発明の放射線検出装置を実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３８】
（実施例１−３）
図３に示すようにガラス基板１０１上の非晶質シリコンから成る半導体薄膜上にフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部（光検出素子（画素））１０２を形成し、その上にＳｉＮ_ｘよりなる保護膜（第一の保護層）１０５と、さらにポリイミド樹脂を硬化した保護層（第二の保護層）１０６を形成してセンサーパネル１００を作製した。
【００３９】
次に、蛍光体の支持基板１１１（アモルファスカーボン基板４５０×４５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）上に、スパッタリング法により反射層１１４としてＡｌ層（５０００Å）を設けた。さらに反射層１１４上にポリイミド樹脂（東レ（株）社製ＬＰ−６２）をスピンコートして、下記表１の各条件（実施例１−３でキュアの条件（硬化温度条件）を変えた）にてキュアを行い５μｍ厚の下地層１１５を形成した。表１の実施例１−３及び比較例１−４の硬化温度の保持時間は１時間（昇温速度　４℃／ｍｉｎ）である。
【００４０】
次に、下地層１１５の表面に、アルカリハライドよりなる柱状結晶化した蛍光体の層（蛍光体層１１２）を蒸着法によって形成する。全体をパラキシリレン樹脂よりなる耐湿保護層１１３をＣＶＤ法によって形成し、シンチレーターパネル１１０を得た。
【００４１】
得られたシンチレーターパネル１１０をセンサーパネル１００に積層して貼り合わせて、放射線検出装置を構成した。
【００４２】
これらの実施例のような構成においては、蛍光体層１１２が精度良く形成でき、均一性の高い放射線装置が得られた。
【００４３】
さらに以上のように作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、蛍光体層の層間剥離等の外観不良は発生せず、更に感度の低下もほとんど認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られたことを確認できた。
【００４４】
（比較例１）
上記実施例と同様にしてセンサーパネル１００を作製した。
【００４５】
次に、蛍光体の支持基板１１１（アモルファスカーボン基板４５０×４５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）上に、スパッタリング法により反射層１１４としてＡｌ層（５０００Å）を設けた。次に下地層１１５としてポリイミド樹脂（東レ（株）社製ＬＰ−６２）をスピンコートして３００℃でキュアし、膜厚５μｍの層を形成した。上記実施例と同様にして、柱状蛍光体の層（蛍光体層１１２）、耐湿保護層１１３を設け、シンチレーターパネル１１０を得た。さらに、上記実施例と同様にして放射線検出装置を得た。
【００４６】
（比較例２）
下地層１１５を３５０℃でキュアする以外は、比較例１と同様にして、放射線検出装置を得た。
【００４７】
（比較例３）
上記実施例と同様にしてセンサーパネル１００を作製した。次に、上記実施例と同様にして、支持基板１１１上に、反射層１１４及び下地層１１５を積層した。下地層１１５の密着性向上のため、Ａｒプラズマ処理６０ｓｅｃを行い、表面エネルギー５０ｄｙｎの表面を持つ層を得た。上記実施例と同様にして、柱状蛍光体の層（蛍光体層１１２）、耐湿保護層１１３を設け、シンチレーターパネル１１０を得た。さらに、上記実施例と同様にして放射線検出装置を得た。
【００４８】
（比較例４）
Ａｒプラズマ処理７５ｓｅｃを行い、表面エネルギー５３ｄｙｎの下地層１１５を得た以外は、比較例３と同様にして、放射線検出装置を得た。
【００４９】
各実施例及び各比較例で得られた放射線検出装置について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】

１．表面エネルギーの測定
下地層表面の界面の臨界表面張力を測定する所謂濡れ試験標準液から得られる指数（ＪＩＳ　Ｋ６７６８）であって、ここでは、得られた指数の濡れ標準液の表面張力の値を下地層の表面エネルギーの値とした。
【００５１】
２．ＣｓＩ及び下地層の密着強度評価
試験片上の膜を貫通して、素地面に達するＸ状の切り傷をつけて素地面との密着性を評価するＸカットテープ法（ＪＩＳ　Ｋ５４００）によって評価を行い、ＪＩＳに定められる評価点数８以上：○、４以上：△、４未満：×とした。
【００５２】
３．鮮鋭度の評価
厚さ１００ｍｍの水ファントムを通して、管電圧１００ｋＶのＸ線で撮影した時の値であり、感度は実施例１の感度を１とし、鮮鋭度は空間周波数２本／ｍｍにおけるＭＴＦ値を求め、実施例１のＭＴＦを１００としたときの変動について、　変動±５％：○、変動±５％以上：×　とした。
【００５３】
４．耐久性
６０℃、９０％、２０００ｈ耐久ののち、蛍光体部に剥離や破損による欠陥が発生するか、しないかを観察した。
【００５４】
図８は本発明による放射線検出装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【００５５】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、図３に示したような放射線検出装置（イメージセンサ）６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレーター（蛍光体層）は発光し、これをセンサーパネルの光電変換素子が光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００５６】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどの表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録手段となるフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。
【００５７】
以上説明したように、本発明は医療用のＸ線センサに応用することが可能であるが、無破壊検査等のそれ以外の用途に応用した場合にも有効である。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば以下の効果がある。
【００５９】
（１）形成された蛍光体層の形状の均一度が高く、感度ムラのないシンチレーターパネル及び放射線検出装置を実現できる。
【００６０】
（２）シンチレーターパネル及び放射線検出装置として構成したときに、蛍光体の剥がれや破損が生じず、特に耐温度耐湿度耐久が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の放射線検出装置におけるシンチレーターパネルの一実施形態の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の放射線検出装置におけるシンチレーターパネルの一実施形態の製造方法を示す図である。
【図３】本発明の放射線検出装置における一実施形態の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の放射線検出装置における他のシンチレーターパネルの一実施形態の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の放射線検出装置における他のシンチレーターパネルの一実施形態の製造方法を示す図である。
【図６】本発明の放射線検出装置における一実施形態の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の放射線検出装置における一実施形態の製造方法を示す図である。
【図８】本発明による放射線撮影システムの構成を示す概念図である。
【符号の説明】
１００　センサーパネル
１０１　ガラス基板
１０２　光電変換素子部
１０３　配線部
１０４　電極取り出し部
１０５　第一の保護層
１０６　第二の保護層
１１０　シンチレーターパネル
１１１　支持基板
１１２　柱状の蛍光体よりなる蛍光体層
１１３　耐湿保護層
１１４　反射層
１１５　下地層
１１６　保護層
１１７　保護層
１２１　接着剤層
１２２　封止部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a scintillator panel, a radiation detection device, and a radiation imaging system used for medical diagnostic equipment, non-destructive inspection equipment, and the like, and particularly to a scintillator panel, a radiation detection device, and a radiation imaging system used for X-ray photography and the like.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, an X-ray film system having a fluorescent screen having an X-ray phosphor layer provided therein and a double-side coating agent has been generally used for X-ray photography. However, recently, a digital radiation detector having an X-ray phosphor layer and a two-dimensional photodetector has good image characteristics, and since the data is digital data, the data is shared by a networked computer system. Due to the advantage of digitalization, digital radiation detectors have been actively researched and developed, and various patent applications have been filed.
[0003]
Among these digital radiation detectors, a reflective layer and a protective layer are provided on a radiation-transmitting support substrate as disclosed in Japanese Patent No. 3126715 as a high-sensitivity and high-sharp device. A scintillator panel for radiation detection, in which a phosphor layer is provided on the substrate, and a two-dimensional photodetector, which is a photoelectric conversion element section in which a plurality of photosensors and electric elements such as TFTs (Thin Film Transistors) are arranged, are attached. An integrated radiation detection device is known. By providing a protective layer between the phosphor layer and the reflection layer of the scintillator panel, this radiation detection device can prevent the function of the reflection layer from being attenuated due to degradation of components contained in the phosphor layer or moisture. It is to prevent.
[0004]
In the scintillator panel of the radiation detection device disclosed in the above publication, a protective layer is provided on a reflective layer on a support substrate, and a phosphor layer made of a columnar phosphor is formed thereon. Furthermore, a moisture-resistant protective layer made of an organic film is formed so as to cover the entire surface, and the entire scintillator panel is constructed. However, in any of these protective layers, the reflective function of the reflective layer is attenuated due to deterioration of the reflective layer. The purpose is to prevent that.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The thermal expansion coefficient of the material used for the support substrate, the reflective layer, the protective layer, and the insulating heat-resistant layer used for the scintillator panel for radiation detection is (1-10 × 10 ⁻⁶ ) / ° C. for amorphous carbon or glass, and Al For metals such as (15 to 25 × 10 ⁻⁶ ) / ° C., and for general resins, it is approximately (1 to 5 × 10 ⁻⁵ ) / ° C., and the displacement difference between layers due to thermal history is large. However, when a phosphor layer made of a phosphor having a columnar shape is formed on the support substrate, the phosphor layer is heated at a certain temperature, for example, 200 ° C. to 250 ° C. Therefore, in the radiation detecting scintillator panel, the following problems may occur during the manufacturing process or in the accelerated test by the long-term durability test.
[0006]
1. When the support substrate on which the constituent layers are laminated is warped due to the heat history of the process, the phosphor layer may be broken or peeled between the phosphor layer and the underlayer due to insufficient adhesion between the phosphor layer and the underlayer. Was.
[0007]
2. Due to the heat history of the process, the support substrate on which the constituent layers are stacked is warped, and the phosphor layer is formed on the warped support substrate to form a scintillator panel for radiation detection. When the phosphor layer is bonded to the two-dimensional photodetector, the scintillator panel is bonded to the photodetector in a state where warpage is forced. Therefore, after the scintillator panel and the photodetector are bonded to each other, stress is applied to the inside of the scintillator panel, and the weakly stressed layer is broken by the internal stress. Conventionally, the phosphor layer may be broken or peeled between the underlayer and the protective layer in contact with the underlayer.
[0008]
3. In the accelerated endurance test, each constituent layer is displaced by heat, and stress is applied to each layer by this displacement, and a layer with weak stress is broken by internal stress. Conventionally, the phosphor layer may be broken or peeled between the underlayer and the protective layer in contact with the underlayer.
[0009]
An object of the present invention is to prevent peeling due to poor adhesion of a phosphor layer, and to form a uniform and highly accurate columnar phosphor layer by vapor deposition, and to obtain a highly sensitive and sharp sharp light conversion efficiency. An object of the present invention is to provide a scintillator panel and a radiation detection device.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The scintillator panel of the present invention is a scintillator panel used for radiation detection, wherein the scintillator panel has a support substrate, an underlayer disposed on the support substrate, and a phosphor layer formed in contact with the underlayer. Wherein the underlayer has a surface energy of 35 dyn to 45 dyn. In such a scintillator panel, it is preferable to provide a reflection layer for reflecting light from the phosphor layer between the support substrate and the base layer.
[0011]
In addition, the radiation detection device of the present invention provides a sensor panel in which a plurality of photoelectric conversion elements are two-dimensionally arranged, an underlayer disposed on the sensor panel, and a phosphor layer formed in contact with the underlayer. Wherein the surface energy of the underlayer is 35 dyn to 45 dyn.
[0012]
Further, a radiation detection device of the present invention is obtained by laminating the scintillator panel of the present invention and a sensor panel in which a plurality of photoelectric conversion elements are two-dimensionally arranged. A radiation imaging system according to the present invention uses the above radiation detection device.
[0013]
In this specification, electromagnetic waves such as α-rays, β-rays, and γ-rays are included in the radiation in addition to X-rays.
[0014]
The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems. First, when a plasma treatment was performed on the underlayer to improve the wetting property of the surface and improve the adhesion, the following problems occurred.
[0015]
As the phosphor used for the scintillator, a columnar phosphor formed by a vapor deposition method or the like is used. At the time of vapor deposition, the phosphor emitted as a gas from the vapor deposition source contacts the surface of the support substrate, passes through a liquid state, and is fixed to the support substrate as a solid. At this time, if the wetting property of the fixing surface is too high, the spread to the fixing surface becomes large, and the formed columnar diameter is large, or the diameter of the columnar shape is not uniform and may not be uniform. As a result, there arises a problem that the sharpness of the radiation detection device is reduced, and it is not possible to form a scintillator having a high sharpness by simply increasing the surface wetting property of the underlayer only from the viewpoint of improving the adhesion. I understood that.
[0016]
The present inventors have found that destruction and peeling of the phosphor layer are unlikely to occur when the surface energy of the underlayer is in the range of 35 dyn to 45 dyn, and the sharpness is not deteriorated.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0018]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a scintillator panel used in the radiation detection device of the present invention. 111 is a supporting substrate, 112 is a layer (phosphor layer) of columnar crystallized phosphor (for example, CsI: Tl, thallium-activated cesium iodide) made of alkali halide, 113 is a moisture-resistant protective layer made of an organic film, 114 Is a reflective layer, and 115 is a base layer, which together constitute the scintillator panel 110. FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing one embodiment of the scintillator panel of the present invention. As shown in FIG. 2A, a reflective layer 114 is provided on a support substrate 111. Further, as shown in FIG. 2B, an underlayer 115 is laminated on the reflective layer 114.
[0019]
When the base layer 115 is provided on the reflective layer 114, the formation method of the base layer is controlled such that the surface energy of the base layer surface is 35 dyn to 45 dyn.
[0020]
For example, when a polyimide resin known as a general material with a high heat resistance resin forms an underlayer, a mixture of a polyimide precursor and a solvent is applied and cured by heat to form a film. In this case, the film is cured at a normal temperature of 300 ° C. to 400 ° C., and a very slimy film surface having a surface energy of 32 dyn or less is formed. By curing at an extremely high temperature, the precursor is completely reacted, the remaining solvent is removed as much as possible, and a strong film is formed by arranging and strengthening the polyimide. In this embodiment, solvent evaporation, imidization, and hardening are performed at 150 ° C. to 230 ° C. by appropriately controlling the temperature during curing depending on the state of the resin used, and a film having a surface energy of 35 dyn or more and 45 dyn or less. To form The detailed temperature varies depending on the properties of each resin, but in a film whose surface energy is controlled in the above-mentioned range, the imidation reaction does not proceed sufficiently, though a trace amount, and the precursor and the solvent remain. Due to the influence of the polar groups of these molecules, a film surface having a high surface energy and a high wetting property can be formed.
[0021]
Next, as shown in FIG. 2C, a columnar-crystallized phosphor layer made of alkali halide is columnar-crystallized as a phosphor layer 112 on the underlayer. Then, the whole is covered with the moisture-resistant protective layer 113, and the scintillator panel 110 for radiation detection is completed (FIG. 1).
[0022]
FIG. 3 shows a radiation detection apparatus in which the above-described scintillator panel for radiation detection is bonded to a two-dimensional detector (sensor panel) including a plurality of photosensors and a photoelectric conversion element unit in which electric elements such as TFTs are arranged. FIG. In FIG. 3, 101 is a glass substrate, 102 is a photoelectric conversion element unit including a photosensor and TFT using amorphous silicon, 103 is a wiring unit, 104 is an electrode extraction unit, and 105 is a first protective layer made of silicon nitride or the like. Reference numeral 106 denotes a second protective layer made of a resin film or the like. Reference numeral 111 denotes a support substrate, 114 denotes a reflection layer, 115 denotes a base layer, 112 denotes a phosphor layer made of a columnar phosphor, and 113 denotes a moisture-resistant protective layer made of an organic resin or the like. The two-dimensional photodetector 100 is constituted by 101 to 106, and the scintillator panel 110 is constituted by 111 to 115. 121 is an adhesive layer made of a transparent adhesive, and 122 is a sealing portion. Thus, the radiation detector is obtained by bonding the photodetector (sensor panel) 100 and the scintillator panel 110 with the adhesive layer 121 interposed therebetween. The photosensor and the TFT of the photoelectric conversion element portion have the same layer configuration, and the configuration is disclosed in, for example, Japanese Patent No. 3066944.
[0023]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the scintillator panel for a radiation detection device of the present invention. 111 is a support substrate, 112 is a columnar crystallized phosphor layer (eg, CsI: Tl) made of an alkali halide, 113 is a moisture-resistant protective layer made of an organic resin, 114 is a reflective layer, 115 is a base layer, and 116 is a reflective layer And a protective layer for supporting and protecting the scintillator panel 110.
[0024]
FIG. 5 is a diagram illustrating a method of manufacturing another embodiment of the present invention. In the present invention, as shown in FIG. 5A, a protective layer 116 for supporting and protecting the reflective layer is provided on the support substrate 111. Further, similarly to the above-described embodiment, as shown in FIG. 5B, a reflective layer 114 is formed on the protective layer 116, and a base layer 115 is further laminated on the reflective layer 114. At this time, the underlayer is formed so that the surface energy becomes 35 dyn to 45 dyn. Next, as shown in FIG. 5C, a columnar crystallized phosphor layer made of alkali halide is formed on the underlayer 115. Thereafter, the whole is covered with the moisture-resistant protective layer 113, and the scintillator panel 110 for radiation detection is completed (FIG. 4).
[0025]
The protective layer 116 that supports the reflective layer and is provided between the support substrate 111 and the reflective layer 114 is provided for the purpose of preventing corrosion of the reflective layer and for reducing the stress between the support substrate and the reflective layer. is there. Forming the protective layer 116 for supporting and protecting the reflective layer 114 not only controls the surface energy of the underlayer, but also increases the resistance to deformation caused by the stress caused by the heat history, and further reduces the occurrence of phosphor peeling. It can be suppressed and is desirable. Further, in order to prevent the reflectance from being attenuated due to the deterioration of the reflective layer, it is desirable to provide protective layers on both side surfaces of the reflective layer.
[0026]
FIG. 6 is a diagram showing a radiation detecting apparatus according to another embodiment of the present invention. In the present embodiment, the phosphor layer 112 is formed directly on the sensor panel 100 via the base layer 115 instead of bonding the phosphor layer to the sensor panel after forming the phosphor layer on the support substrate as described above. Is what you do.
[0027]
FIG. 7 is a diagram showing a method for manufacturing an embodiment of the radiation detection apparatus of the present invention. As shown in FIG. 7A, a photoelectric conversion element 102 formed of a photosensor and a TFT using amorphous silicon and a TFT formed on a glass substrate 101, a wiring section 103, an electrode extraction section 104, and silicon nitride are formed. On the sensor panel 100 provided with the first protective layer 105, a phosphor base layer 115 that also protects the rigidity of the sensor panel is formed. At this time, the base layer is formed so that the surface energy of the base layer becomes 35 dyn to 45 dyn.
[0028]
Next, as shown in FIG. 7 (b), a columnar crystallized phosphor layer (phosphor layer 112) made of alkali halide is formed on an underlayer 115 provided on the sensor panel, and the whole is protected against moisture. Cover with layer 113. Further, as shown in FIG. 7C, a reflection layer 114 is formed on the phosphor layer 112. By providing the protective layer 117 so as to be in contact with and cover the entire reflective layer 114 of the radiation detecting device thus configured, it is possible to prevent the reflective layer 114 and the phosphor layer 112 from being deteriorated by external moisture or the like. (Fig. 6).
[0029]
In any of the above embodiments, the present invention is most effective when the columnar crystal phosphor layer whose crystal state control affects the sharpness of the phosphor is formed by vapor deposition.
[0030]
Examples of the protective layer used in the present invention include SiN, TiO ₂ , LiF, Al ₂ O ₃ , and MgO, as well as polyphenylene sulfide resin, fluorine resin, polyetheretherketone resin, liquid crystal polymer, polyethernitrile resin, and polysulfone. Resin, polyether sulfone resin, polyarylate resin, polyamide imide resin, polyether imide resin, polyimide resin, epoxy resin, silicone resin, and the like. In particular, the protective layer has a high transmittance at the wavelength of the light emitted by the phosphor because the light converted by the phosphor at the time of irradiation of the radiation passes therethrough and the light reflected by the reflection layer passes again. desirable.
[0031]
As the underlayer used in the present invention, any material can be used as long as it can withstand a heat process (200 ° C. or higher) in the phosphor layer forming step using the columnar phosphor. In particular, a highly heat-resistant resin is desirable because the wettability of the surface can be more easily controlled by a forming method, and examples thereof include a polyamideimide resin, a polyetherimide resin, a polyimide resin, an epoxy resin, and a silicone resin.
[0032]
Examples of the support substrate include materials generally used as a support substrate of a phosphor panel for a radiation detection device, Al, glass fused quartz, an amorphous carbon substrate, an amorphous carbon-containing substrate, and a heat-resistant resin substrate such as a polyimide resin. be able to. Amorphous carbon is a material very suitable for a support substrate because it has a smaller amount of X-ray absorption than glass or Al and can transmit more X-rays to the phosphor layer.
[0033]
As a material of the metal reflection film, a metal having a high reflectance such as Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, and Au is desirable.
[0034]
The moisture-resistant protective layer 113 covering the whole of the support substrate and the phosphor layer is provided for the purpose of moisture-proof protection and may be made of any material that meets the purpose. It is desirable to use a CVD film of polyparaxylylene or the like disclosed in -9845.
[0035]
As the phosphor, an alkali halide: activator is suitably used, and in addition to CsI: Tl, CsI: Na, NaI: Tl, LiI: Eu, KI: Tl, or the like can be used.
[0036]
As the two-dimensional photodetector, a case has been described in which a photoelectric conversion element unit including a photosensor using amorphous silicon and a TFT is formed on a glass substrate. However, an imaging element in which a CCD, a CMOS sensor, or the like is two-dimensionally arranged is used. The formed semiconductor single crystal substrate can be two-dimensionally bonded to form a two-dimensional photodetector. Further, a scintillator panel can be bonded via a fiber plate or the like, or a two-dimensionally bonded semiconductor single crystal substrate can be formed. A radiation detection device can be configured by disposing a base layer and a phosphor layer on a crystal substrate.
[0037]
【Example】
Next, the radiation detection apparatus of the present invention will be described in detail based on embodiments.
[0038]
(Example 1-3)
As shown in FIG. 3, a photoelectric conversion element portion (photodetection element (pixel)) 102 composed of a photosensor and a TFT is formed on a semiconductor thin film composed of amorphous silicon on a glass substrate 101, and SiN _x is formed thereon. A protective film (first protective layer) 105 and a protective layer (second protective layer) 106 obtained by curing a polyimide resin were further formed to complete the sensor panel 100.
[0039]
Next, an Al layer (5000 °) was provided as a reflective layer 114 on the phosphor support substrate 111 (amorphous carbon substrate 450 × 450 mm, thickness 1 mm) by a sputtering method. Furthermore, a polyimide resin (LP-62, manufactured by Toray Industries, Inc.) was spin-coated on the reflective layer 114, and the conditions shown in Table 1 below (the curing conditions (curing temperature conditions) were changed in Example 1-3). To form an underlayer 115 having a thickness of 5 μm. The holding time of the curing temperature in Example 1-3 and Comparative Example 1-4 in Table 1 is 1 hour (heating rate 4 ° C./min).
[0040]
Next, on the surface of the base layer 115, a columnar-crystallized phosphor layer made of alkali halide (phosphor layer 112) is formed by an evaporation method. A moisture-resistant protective layer 113 made entirely of para-xylylene resin was formed by a CVD method to obtain a scintillator panel 110.
[0041]
The obtained scintillator panel 110 was laminated on the sensor panel 100 and bonded to form a radiation detecting device.
[0042]
In the configurations as in these examples, the phosphor layer 112 can be formed with high accuracy, and a highly uniform radiation device was obtained.
[0043]
Further, the radiation detection device manufactured as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature / humidity test tank for 1000 hours. As a result, appearance defects such as delamination of the phosphor layer did not occur, and the sensitivity was hardly reduced, confirming that a highly reliable radiation detector was obtained.
[0044]
(Comparative Example 1)
A sensor panel 100 was manufactured in the same manner as in the above example.
[0045]
Next, an Al layer (5000 °) was provided as a reflective layer 114 on the phosphor support substrate 111 (amorphous carbon substrate 450 × 450 mm, thickness 1 mm) by a sputtering method. Next, a polyimide resin (LP-62 manufactured by Toray Industries, Inc.) was spin-coated as the base layer 115 and cured at 300 ° C. to form a layer having a thickness of 5 μm. In the same manner as in the above example, a columnar phosphor layer (phosphor layer 112) and a moisture-resistant protective layer 113 were provided to obtain a scintillator panel 110. Further, a radiation detection device was obtained in the same manner as in the above embodiment.
[0046]
(Comparative Example 2)
A radiation detector was obtained in the same manner as in Comparative Example 1, except that the underlayer 115 was cured at 350 ° C.
[0047]
(Comparative Example 3)
A sensor panel 100 was manufactured in the same manner as in the above example. Next, a reflective layer 114 and a base layer 115 were stacked on the support substrate 111 in the same manner as in the above example. To improve the adhesion of the underlayer 115, Ar plasma treatment was performed for 60 seconds to obtain a layer having a surface energy of 50 dyn. In the same manner as in the above example, a columnar phosphor layer (phosphor layer 112) and a moisture-resistant protective layer 113 were provided to obtain a scintillator panel 110. Further, a radiation detection device was obtained in the same manner as in the above embodiment.
[0048]
(Comparative Example 4)
A radiation detector was obtained in the same manner as in Comparative Example 3, except that the Ar plasma treatment was performed for 75 seconds to obtain an underlayer 115 having a surface energy of 53 dyn.
[0049]
The following evaluations were performed on the radiation detection devices obtained in each example and each comparative example. Table 1 shows the results.
[0050]
[Table 1]

1. Measurement of surface energy This is an index (JIS K6768) obtained from a so-called wetting test standard solution for measuring the critical surface tension at the interface of the underlayer surface. The value was the surface energy of the underlayer.
[0051]
2. Evaluation is performed by the X-cut tape method (JIS K5400), in which an X-shaped cut is made to penetrate the film on the test piece for evaluation of the adhesion strength of CsI and the underlying layer, and the adhesion to the ground is evaluated. Evaluation score 8 or more: 、４, 4 or more: Δ, less than 4: ×
[0052]
3. Evaluation of Sharpness The value was obtained when X-rays were taken with a tube voltage of 100 kV through a water phantom having a thickness of 100 mm. The sensitivity was defined as 1 in Example 1, and the MTF value at a spatial frequency of 2 lines / mm. Were determined, and the variation when the MTF of Example 1 was set to 100 was ± 5% for variation: 変動, and ± 5% or more for variation: ×.
[0053]
4. After a durability of 60 ° C., 90%, and 2,000 hours, it was observed whether or not a defect due to peeling or breakage occurred in the phosphor portion.
[0054]
FIG. 8 shows an application example of the radiation detection apparatus according to the present invention to an X-ray diagnostic system.
[0055]
X-rays 6060 generated by the X-ray tube 6050 pass through the chest 6062 of the patient or the subject 6061 and enter a radiation detection device (image sensor) 6040 as shown in FIG. The incident X-ray contains information on the inside of the body of the patient 6061. The scintillator (phosphor layer) emits light in response to the incidence of X-rays, and this is photoelectrically converted by the photoelectric conversion element of the sensor panel to obtain electrical information. This information is converted into digital data, image-processed by an image processor 6070 serving as signal processing means, and can be observed on a display 6080 serving as display means in a control room.
[0056]
Further, this information can be transferred to a remote place by a transmission processing means such as a telephone line 6090, and can be displayed on a display 6081 as a display means such as a doctor room at another place or can be stored in a recording means such as an optical disk. It is also possible for a local doctor to make a diagnosis. Further, it can be recorded on a film 6110 by a film processor 6100 as recording means.
[0057]
As described above, the present invention can be applied to a medical X-ray sensor, but is also effective when applied to other uses such as nondestructive inspection.
[0058]
【The invention's effect】
As described above, the present invention has the following effects.
[0059]
(1) It is possible to realize a scintillator panel and a radiation detection device with high uniformity of the shape of the formed phosphor layer and no sensitivity unevenness.
[0060]
(2) When configured as a scintillator panel and a radiation detection device, peeling or breakage of the phosphor does not occur, and in particular, the temperature resistance, humidity resistance, and durability are improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an embodiment of a scintillator panel in a radiation detection device of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a method for manufacturing a scintillator panel according to an embodiment of the radiation detection apparatus of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an embodiment of the radiation detection apparatus of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration of another embodiment of another scintillator panel in the radiation detection apparatus of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a method of manufacturing another embodiment of the scintillator panel in the radiation detecting apparatus of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an embodiment of the radiation detection apparatus of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing method of one embodiment of the radiation detection apparatus of the present invention.
FIG. 8 is a conceptual diagram showing a configuration of a radiation imaging system according to the present invention.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 100 sensor panel 101 glass substrate 102 photoelectric conversion element section 103 wiring section 104 electrode take-out section 105 first protective layer 106 second protective layer 110 scintillator panel 111 support substrate 112 phosphor layer made of columnar phosphor 113 moisture-resistant protective layer 114 Reflective layer 115 Underlayer 116 Protective layer 117 Protective layer 121 Adhesive layer 122 Sealed part

Claims

In the scintillator panel used for radiation detection, the scintillator panel includes a support substrate, an underlayer disposed on the support substrate, and a phosphor layer formed in contact with the underlayer,
The scintillator panel, wherein the surface energy of the underlayer is 35 dyn to 45 dyn.

The scintillator panel according to claim 1, further comprising: a reflection layer that reflects light from the phosphor layer between the support substrate and the base layer.

A sensor panel in which a plurality of photoelectric conversion elements are two-dimensionally arranged, a base layer disposed on the sensor panel, and a phosphor layer formed in contact with the base layer,
A radiation detection apparatus, wherein the surface energy of the underlayer is 35 dyn to 45 dyn.

A radiation detection apparatus comprising the scintillator panel according to claim 1 and a sensor panel in which a plurality of photoelectric conversion elements are two-dimensionally arranged.

The radiation detection device according to claim 4, wherein the scintillator panel and the sensor panel are bonded together such that the phosphor layer of the scintillator panel and the plurality of photoelectric conversion elements of the sensor panel are located inside.

The radiation detector according to claim 1, wherein the underlayer is formed of a resin layer containing a high heat-resistant resin and a precursor thereof.

The radiation detecting apparatus according to claim 1, wherein the phosphor layer is formed on the base layer by a vapor deposition method.

7. The radiation detecting apparatus according to claim 6, wherein the underlayer comprises a resin layer containing a polyimide resin and a precursor thereof.

The radiation detector according to claim 7, wherein the phosphor layer is formed on the base layer by vapor deposition of an alkali halide: activator.

A radiation detection device according to any one of claims 1 to 9,
Signal processing means for processing a signal from the radiation detection device,
Recording means for recording a signal from the signal processing means,
Display means for displaying a signal from the signal processing means,
Transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means,
A radiation source for generating the radiation,
A radiation imaging system comprising: