JP2003118163A

JP2003118163A - 集積型発光装置の駆動方法及び露光装置の駆動方法

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Publication number: JP2003118163A
Application number: JP2001320259A
Authority: JP
Inventors: Hiraki Kozuka; 開小塚
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-10-18
Filing date: 2001-10-18
Publication date: 2003-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の集積型発光装置、特に、有機ＥＬ素子
を発光源として用いる集積型発光装置で問題となってい
た光量補正に関して、おのおのの発光点ごとの発光量バ
ラツキ、および経時変化バラツキを高精度、かつ安価に
補正することが可能で、加えて高速記録も可能な、集積
型発光装置の駆動方法、それを用いた露光装置の駆動方
法を提供すること。【解決手段】発光素子の発光を受光手段で検出し、該
受光手段で検出される光量の積分値と画像データとの比
較結果に基づいて、発光素子の発光時間を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式の複
写機やプリンタ等の記録装置が備える露光装置等に用い
られる集積型発光装置の駆動方法に関するものであり、
より詳細には、有機エレクトロルミネッセンス素子（有
機ＥＬ素子）に代表されるように発光特性が変動する発
光素子を用いた発光素子群における光量バラツキを低減
せしめる集積型発光装置の駆動方法に関わるものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、感光体の露光用光源として発光ダ
イオードからなる発光体やレーザダイオードを用いたス
キャナ（露光装置）が提案されており、複写機、プリン
タ等の記録装置用の露光装置として、広く一般的に用い
られている。特に、ダイオードからなる発光体を用いた
露光装置の場合、装置の小型化が容易であるという利点
がある。

【０００３】一方、発光体を１次元アレイ状に形成する
必要があることから、おのおのの発光素子の光量バラツ
キが問題点となっている。

【０００４】また近年、有機ＥＬ素子の研究開発が盛ん
に行われているが、この有機ＥＬ素子を露光装置に応用
した場合、初期の光量バラツキばかりではなく、発光特
性の経時変化、及び発光素子の経時変化特性バラツキと
いう問題が一般的に知られており、従って、有機ＥＬ素
子を露光装置へ応用することは、非常に困難であった。

【０００５】上記の問題を解決するために、例えば、特
開平１１−１０９９１８号公報には劣化特性に合わせて
駆動電流値などの駆動条件を変化させて経時変化を補正
する技術が、特開２０００−２３８３３３号公報には受
光手段を用いて発光量を検出し、その受光手段からの信
号を用いて発光量を補正する、という技術が提案されて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術には以下のような課題がある。

【０００７】特開平１１−１０９９１８号公報に開示さ
れている補正方法は、あらかじめ発光素子の経時変化
（寿命特性）をメモリ等の記憶手段に格納しておき、更
に実際に発光素子を駆動した時間を検出して前記の経時
変化特性と演算を行い、補正量を算出して駆動条件を設
定するという技術が開示されている。

【０００８】しかしながら上記方法においては、ある代
表的な経時変化を記憶手段に格納するため、発光素子作
製におけるバッチやロットによる発光量のバラツキ、更
には同一装置内の個別発光点ごとのバラツキを補正する
ことはできないという課題がある。

【０００９】特開２０００−２３８３３３号公報に開示
されている補正方法は、露光前、又は露光中に発光点の
光量を検出して駆動条件を中央処理装置（ＣＰＵ）によ
り算出する技術が開示されている。

【００１０】しかしながら、露光中の光量を検出してＣ
ＰＵに入力し演算を行い駆動電圧にフィードバックする
という方法においては、補正に要する時間が必要となる
ため、高速記録が困難となる。また、露光前（待機時）
に補正を行う方法においては、１枚の画像データを露光
している間に生じる光量変化を補正することができな
い。

【００１１】また、上記従来技術においては発光量の補
正に記録手段や演算手段等が必須であるため、装置の低
価格化が難しい。

【００１２】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであり、従来の集積型発光装置、特
に、有機ＥＬ素子を発光源として用いる集積型発光装置
で問題となっていた光量補正に関して、おのおのの発光
点ごとの発光量バラツキ、および経時変化バラツキを高
精度、かつ安価に補正することが可能で、加えて高速記
録も可能な、集積型発光装置の駆動方法、それを用いた
露光装置の駆動方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の発明は、複数の発光素子からなる発光素子群
と、前記発光素子の発光を検出する受光手段とを少なく
とも備えた集積型発光装置の駆動方法において、前記受
光手段で検出される光量の積分値と画像データとの比較
結果に基づいて、前記発光素子の発光時間を制御するこ
とを特徴とする。

【００１４】本発明は、上記第１の発明において、「前
記発光素子群の発光開始時には、複数の発光素子を同時
に発光開始させること」、「前記発光素子の発光は、前
記光量の積分値が前記画像データに対応する値に達した
時に終了させること」、「前記受光手段として、前記発
光素子群に含まれる夫々の発光素子に対応して設けられ
た受光素子からなる受光素子群を用いること」、を好ま
しい態様として含むものである。

【００１５】また、上記課題を解決するための第２の発
明は、複数の発光素子からなる発光素子群と、前記発光
素子の発光を検出する受光手段とを少なくとも備えた集
積型発光装置を含む露光装置の駆動方法であって、上記
第１の発明の集積型発光装置の駆動方法を用いたことを
特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、図１〜
図７に従って、第１の実施形態を説明する。

【００１７】図１は本発明の駆動方法を実現する集積型
発光装置の一実施形態のブロック図であり、Ｎ画素分の
発光素子が配列された集積型発光装置の構成を示してい
る。図２は本発明の駆動方法を実現する集積型発光装置
の一実施形態の１画素分の駆動回路、及び蓄積回路の等
価回路図である。

【００１８】図１において、１０１は発光素子、１０２
は受光素子であり、この受光素子１０２は夫々の発光素
子１０１に対応して同数設けられている。また、発光素
子１０１は、各画素に駆動回路１０３、及び発光のＯＮ
／ＯＦＦを制御する制御回路１０４により駆動制御が行
われ、受光素子については、蓄積動作を行うための蓄積
回路１０５、各画素の画像データをアナログ信号に変換
するためのＤ−Ａコンバータ１０６、蓄積動作中の光信
号レベルと画像データの比較を行うコンパレータ１０７
が各画素に設けられた構成となっている。

【００１９】また、画像データはシフトレジスタ１０８
で順次送られ、ラッチ回路１０９により全画素同時にＤ
−Ａコンバータ１０６に転送される。

【００２０】更に、コンパレータ１０７の出力は発光素
子１０１の制御回路１０４に接続され、更にシフトレジ
スタ１１０を介して駆動回路１０３の駆動条件（駆動電
圧）を設定する電源制御回路１１１へ転送される。

【００２１】図２において、図１中の発光素子１０１の
駆動回路１０３は電源電圧が電源制御回路１１１から供
給されるＣＭＯＳバッファ回路で構成されており、ま
た、受光素子１０２の蓄積回路１０５はリセットトラン
ジスタ２０１とＰＭＯＳソースホロア回路２０２で構成
されている。

【００２２】次に、図３を用いて本発明の第１の実施形
態における動作を詳細に説明する。

【００２３】図３は図１に示した形態の集積型発光装置
の駆動方法を示すタイミングチャートである。

【００２４】尚、図３においては画像データが２ビット
４階調で、おのおの画素目画像信号レベルを、Ｄｉｎ＿
１→ＬＥＶＥＬ２、Ｄｉｎ＿２→ＬＥＶＥＬ３、Ｄｉｎ
＿Ｎ→ＬＥＶＥＬ４と設定した一例を示している。

【００２５】最初に、画像データＤＡＴＡをシフトレジ
スタで順次転送し、その後、受光素子をリセットパルス
ＲＥＳにより初期状態にリセットした後に。ラッチパル
スＬＡにより全画素同時に画像データを所望のアナログ
信号への変換、すなわち、Ｄ−Ａ変換を行う。

【００２６】ここで、ラッチパルスＬＡが入力され、画
像データがＤ−Ａ変換された後の状態において、図１に
示すコンパレータ１０７には受光素子のリセット状態の
信号とＤ−Ａ変換後の画像データが入力されていること
になる。

【００２７】その後、発光素子の駆動開始パルスＳＴに
より、全画素同時に駆動パルスＣＮＴ＿１〜ＣＮＴ＿Ｎ
がＯＮ状態となり発光が開始される。発光が開始される
と同時に、発光によって受光素子で生成された光キャリ
アによる光信号が蓄積回路より出力され、その信号ＳＯ
ＵＴ＿１〜ＳＯＵＴ＿Ｎは時間と共に上昇する。ここ
で、図３に示す１画素目について着目すると、１画素目
の受光素子からの信号ＳＯＵＴ＿１は画像データがＬＥ
ＶＥＬ１に達するまでの間は発光状態を維持するが、Ｌ
ＥＶＥＬ１に達した時点でコンパレータの出力が反転
し、その反転した信号により駆動回路はＯＦＦ状態とな
る。

【００２８】同様に、他の画素についても受光素子で発
生した光量が画像データと同一になるまでは発光を継続
し、画像データと同一になった時点で発光を終了する。

【００２９】すなわち、本実施形態においては、発光開
始は全画素同時に開始され、発光の終了は受光素子で検
出される光量を蓄積手段において積分値として蓄えてい
き、該積分値が画像データに対応したレベルまで達した
時点で、個別の画素ごとに終了するという動作となる。
本発明においては、発光開始は必ずしも同時でなくても
良く、受光手段で検出される光量の積分値と画像データ
とを比較して夫々の発光素子の発光時間を制御すれば良
いが、１ライン毎に高速な露光動作が必要な電子写真方
式の記録装置等に適用する場合には、本実施形態のよう
に全ての発光素子の発光を同時に開始する形態や、全発
光素子を複数のブロックに分けて夫々のブロック毎に発
光させる等で少なくとも複数の発光素子の発光を同時に
開始する形態が好ましい。

【００３０】ここで、本発明において発光素子が発光中
に光量が低下した場合について考えると、光量が低下し
た場合は、発光中の受光素子出力の傾きが途中から小さ
くなる。しかしながら、傾きが小さくなった分だけ発光
時間は長くなるものの、発光の積分量を考えると、光量
変化が起こっても起こらなくても、積分量としては変わ
らない。従って、従来の発明のように複雑な駆動電圧の
制御や駆動電流の制御を必要とせずに高精度の光量制御
が可能となる。

【００３１】例えば、電子写真方式の記録装置におい
て、原稿濃度は感光体に入射された光の積分量と相関が
あることが一般的に知られている。

【００３２】従って、本発明を電子写真方式の記録装置
に適用することにより、発光素子に如何なる状態の発光
特性の変化が生じても、画像データに対応した高精度の
露光が可能となり、常に高品質な画像を得ることが可能
となる。

【００３３】また、図１においては、各画素のコンパレ
ータ出力が電源制御回路に接続されているが、例えば、
所望の時間内に光量が不足する場合も考慮して、例えば
本露光を行う前に、あらかじめフルスケール発光動作を
実施してコンパレータが全画素反転するかどうかをチェ
ックし、不足している場合は図２に示すように駆動回路
の駆動電圧を上昇させる等のシーケンスを設けることも
可能である。更には、全画素のコンパレータが反転する
駆動回路の駆動電圧条件を設定した後、その電圧にマー
ジン分を上乗せした駆動電圧条件を再設定するようなシ
ーケンスを設けることも可能である。

【００３４】また、図２において、駆動回路として定電
圧駆動回路を用いても定電流駆動回路を用いても本発明
の効果が有効であることは言うまでもない。

【００３５】加えて、受光素子の感度バラツキ等を補正
するために、あらかじめ受光素子のバラツキデータを記
憶手段に格納し、本来の画像データと演算した結果を、
画像データとして本発明の露光装置に入力しても構わな
い。

【００３６】また、図２においては受光素子の光信号を
ＰＭＯＳソースホロアで出力した例を示しているが、感
度調整が必要な場合は増幅器を設けても良いし、画像デ
ータをＤ−Ａ変換する部分にゲイン調整手段を設けても
良く、本発明においては、これらのパラメータに関して
発光素子、受光素子の特性に応じた最適設計を行うこと
が可能な構成となっている。

【００３７】また、本発明においては画像データが２ビ
ット４階調の例を示したが、必要な階調数に応じて画像
データのビット数を増減させても良い。

【００３８】次に図４〜図７を用いて本発明の構成を更
に詳細に説明する。

【００３９】図４は図１に示した形態の集積型発光装置
の断面構造の概略図であり、結晶シリコン基板上に図１
に示す回路ブロックを形成した集積型発光装置の断面構
造を示している。図５は図４に示した断面構造を有する
集積型発光装置を用いて構成した露光装置の平面構造の
概略図であり、図４で示した集積型発光装置を１次元状
に配置して構成した露光装置を示している。図６は図５
のａ−ａ’部における断面構造の概略図であり、図７は
本発明の駆動方法を実現する露光装置を搭載した記録装
置の一実施形態の要部構成を示す断面図である。

【００４０】図４において、結晶シリコン基板４０１上
には一般的な半導体プロセスにより形成可能な半導体素
子が形成されている。具体的には、受光素子となるＰＮ
ホトダイオード４０２、駆動回路や蓄積回路等の周辺回
路を構成するＮＭＯＳトランジスタ４０３、及びＰＭＯ
Ｓトランジスタ４０４を図４に示しているが、その他、
必要に応じて容量素子（不図示）、抵抗素子（不図示）
を形成しても構わない。

【００４１】上記の回路素子を形成した結晶シリコン基
板４０１上には絶縁層４０５を介して有機ＥＬ素子を構
成する第１光透過性導電膜４０６、有機正孔輸送層４０
７、有機電子輸送層４０８、第２光透過性導電膜４０
９、保護膜４１０が順次積層されている。

【００４２】図４においては第１光透過性導電膜４０６
と第２光透過性導電膜４０９で規定された部分Ａが主た
る発光領域となり、保護膜４１０の側にも結晶シリコン
基板４０１の側にも発光層からの発光が放射可能となっ
ている。

【００４３】ここで、露光に用いる光を取り出す方向に
設けられた第２光透過性導電膜４０９は透過率が高い方
が好ましいが、受光素子側に設けられた第１光透過性導
電膜４０６は受光素子の感度設計次第で透過率を決定す
ることが可能であるため、例えば半透明状の金属電極等
を用いても構わない。

【００４４】尚、本発明においては、保護膜４１０側の
発光を露光に用い、結晶シリコン基板４０１側の発光を
発光検出に用いており、露光に用いる発光素子そのもの
の発光をリアルタイムでホトダイオードにより検出でき
る構成となっているため、発光の積分量を非常に高精
度、かつ高速に測定することが可能となる。

【００４５】ここで結晶シリコン上に形成された回路素
子を用いる場合、発光素子からの発光により生成した光
キャリアが本来の回路動作に影響を及ぼす場合もあるた
め、本実施形態においては、受光素子部以外の領域に遮
光層４１１を設けており、従って有効な受光領域は図４
中のＢで示した領域となり、上述した発光領域Ａより小
さい構成となっている。

【００４６】ちなみに、Ａの寸法は露光装置の解像度に
より決定され、例えば６００ｄｐｉの場合、おおよそ４
２μｍ程度となる。

【００４７】図５は図４に示した集積型発光装置を複数
配置して構成される、露光装置の平面構造概略図、図６
は図５ａ−ａ’部における断面構造の概略図である。図
５、図６において、基体５０１上に集積型発光装置５０
２がＭ個一次元状に配置されており、おのおのの集積型
発光装置５０２はワイヤボンディング５０３により基体
５０１の配線と接続され、コネクタ５０４を介して外部
装置と電気的に接続される。また、上記の基体５０１は
筐体５０６中に固定され、本発明の露光装置が構成され
る。ここで、基体５０１上には集積型発光装置５０２を
覆うように光透過性封止部材５０５が設けられており、
有機ＥＬ素子の特性劣化を防止するために、不活性ガス
が封入されているが、必要に応じて光透過性封止部材５
０５の内部に吸着剤等を設けても構わない。

【００４８】本発明において、発光素子アレイは集積型
発光装置５０２を用いているため、全画素同時の駆動方
式でありながら、ワイヤボンディング５０３による電気
的な接続数を低減することが可能であるため、実装歩留
まりを向上できるため、その結果として安価な露光装置
を提供することが可能となる。

【００４９】図７は上記に示した本発明の露光装置を記
録装置に搭載した場合の要部構成を示す断面図である。
図７において、７００ａ〜７００ｄは露光装置、７０１
ａ〜７０１ｄは現像手段、７０２ａ〜７０２ｄは帯電手
段、７０３ａ〜７０３ｄはロッドレンズアレイ、７０４
ａ〜７０４ｄは転写手段、７０５は用紙搬送手段、７０
６ａ，７０６ｂは用紙給紙手段、７０７は記録用紙、７
０８ａ〜７０８ｄは感光ドラムである。

【００５０】上記構成において動作を説明すると、露光
装置７００ａ〜７００ｄより発光された光はロッドレン
ズ７０３ａ〜７０３ｄにより感光ドラム７０８ａ〜７０
８ｄに感光され、現像手段７０１ａ〜７０１ｄにより現
像され、転写手段７０４ａ〜７０４ｄにより記録用紙７
０７に転写される。その後、定着手段（不図示）により
定着され、一連の電子写真方式の記録が終了する。

【００５１】以上説明したとおり、本発明においては、
各発光点の発光を、それぞれの発光点に対応した受光素
子の光信号に変換して積分量として蓄積し、その積分値
と画像データとの比較により発光素子の発光時間を制御
する構成、及び駆動方法を用いているため、各発光部の
光量を画像データに対して高精度、かつ高速に制御する
ことができ、更には発光素子が如何なる状況下で発光特
性の変化を生じた場合でも、常に高品質の画像を提供す
ることができる。

【００５２】特に、本実施形態にて説明したタンデム方
式の電子写真記録装置においては、装置の小型化、高速
化、メンテンスフリーという特徴から、本発明はより有
効な手段となる。

【００５３】また、本実施形態においては全画素同時に
発光を開始する例を示したが、例えばブロック駆動等の
駆動方式においても本発明によって同様の効果を得るこ
とが可能である。

【００５４】また、本実施形態で示したように、本発明
においては、発光素子の発光の積分量が画像品質を決定
するような電子写真記録装置において特にその効果は絶
大であるが、その他に、ディスプレイ等の表示装置に本
発明を適用した場合においても、本発明は表示画像品質
の向上という効果が得られる。

【００５５】（第２の実施形態）以下図８〜図１１を用
いて本発明の第２の実施形態を説明する。

【００５６】図８は本発明の駆動方法を実現する集積型
発光装置の一実施形態のブロック図であり、発光素子が
Ｎ画素分配列された集積型発光装置の構成を示してい
る。図９は図８に示した形態の集積型発光装置の駆動方
法を示すタイミングチャート、図１０は図８に示した形
態の集積型発光装置の断面構造の概略図、図１１は図１
０に示した断面構造を有する集積型発光装置を用いて構
成した露光装置の平面構造概略図である。

【００５７】本実施形態においては、図８に示すよう
に、画像データをアナログ信号に変換し、各画素に設け
られたコンパレータに読み込む部分が、第１の実施形態
と異なる構成となっている。以下、図８、図９を用いて
本実施形態の動作を説明する。

【００５８】図８において、画像データＤＡＴＡは最初
にＤ−Ａコンバータ８０１によりアナログ信号に変換さ
れ、バッファアンプ８０２を介して全画素共通のデータ
入力線８０３に送られる。一方、シフトレジスタ８０４
により各画素に設けられた第１のサンプルホールド回路
８０５が順次動作し、データ入力線８０３のアナログ信
号を保持していく。

【００５９】全画素分の画像データが第１のサンプルホ
ールド回路８０５に保持された後、受光素子をリセット
パルスＲＥＳにより初期状態にリセットし、続いてラッ
チパルスＬＡにより全画素同時に第１のサンプルホール
ド回路８０５に保持された画像データを、バッファアン
プ８０６を介して第２のサンプルホールド回路８０７へ
読み込む。

【００６０】従って、上記状態において、図８に示すコ
ンパレータ１０７には受光素子のリセット状態の信号と
Ｄ−Ａ変換後の画像データが入力されていることにな
る。

【００６１】ここから後の動作は第１の実施形態と同様
である。

【００６２】本実施形態においては、１画素あたりの回
路規模を小さくすることが可能であるため、より安価な
露光装置を提供することが可能となる。

【００６３】図１０は本実施形態における集積型発光装
置の断面構造の概略図である。

【００６４】図１０において、絶縁性基板１００１上
に、受光素子となるアモルファスシリコンＰＩＮホトダ
イオード１００２、駆動回路や蓄積回路等の周辺回路を
構成する多結晶シリコンＮＭＯＳトランジスタ１００
３、及び多結晶シリコンＰＭＯＳトランジスタ１００４
を示すが、その他、必要に応じて容量素子（不図示）、
抵抗素子（不図示）を形成しても構わない。

【００６５】上記の回路素子を形成した絶縁性基板１０
０１上には絶縁層４０５を介して、有機ＥＬ素子を構成
する第１光透過性導電膜４０６、有機正孔輸送層４０
７、有機電子輸送層４０８、第２光透過性導電膜４０
９、保護膜４１０が順次積層されている。

【００６６】図１０においては第１光透過性導電膜４０
６と第２光透過性導電膜４０９で規定された部分Ｃが主
たる発光領域となり、保護膜４１０方向からも透明基板
１００１方向からも有機ＥＬ素子からの発光を取り出す
ことが可能である。

【００６７】更に、本実施形態においては、受光素子と
なるアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオード１００
２の下部電極として、金属電極１００５を設けており、
受光素子となるアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオ
ード１００２を透過した光が金属電極１００５で反射す
るため、光の利用効率を高くすることが可能となる。

【００６８】図１１において絶縁性基板１００１上には
前述の発光素子、及び受光素子アレイ１１０１、及びそ
の他の回路素子１１０２の他に、前述の素子の駆動や制
御、及び信号処理を行う半導体チップ１１０３が設けら
れ、絶縁性基板１００１上に形成された配線と電気的に
接続されており、更に上述の半導体チップ１１０３の入
出力端子はコネクタ５０４を介して外部装置と電気的に
接続されている。

【００６９】また、第１の実施形態と同様、絶縁性基板
１００１上には、集積型発光装置を覆うように光透過性
封止部材５０５が設けられている。

【００７０】本実施形態に示したように、本発明は、一
般的な薄膜半導体形成プロセスと有機ＥＬプロセスを用
いて形成することも可能である。

【００７１】更に、本実施形態の場合は、大型の絶縁性
基板を用いることにより、コネクタ装着直前のプロセス
までを一貫して処理することも可能となるため、更に安
価な露光装置を提供することも可能になる。

【００７２】言うまでもなく、本実施形態においては、
アモルファスシリコンＰＩＮホトダイオード１００２上
に有機ＥＬ素子を積層した構成となっているため、上述
のアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオード１００２
を蓄積動作させることにより、有機ＥＬ素子の発光特性
が変動しても、常に高品質な画像が得られる露光装置を
提供することができる。

【００７３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の駆動方法
を用いることにより、有機ＥＬ素子に代表されるよう
に、発光特性が経時的に変動するような発光素子を用い
ても、常に画像データに対応した発光量が得られる集積
型発光装置の駆動方法、更にはそれを用いた露光装置の
駆動方法が簡易な回路構成の装置によって実現可能とな
るため、高速で、かつ高品質な画像を得ることのできる
露光装置、及び記録装置等を安価に提供することが可能
となる

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の駆動方法を実現する集積型発光装置の
一実施形態のブロック図である。

【図２】本発明の駆動方法を実現する集積型発光装置の
一実施形態の１画素分の駆動回路、及び蓄積回路の等価
回路図である。

【図３】図１に示した形態の集積型発光装置の駆動方法
を示すタイミングチャートである。

【図４】図１に示した形態の集積型発光装置の断面構造
の概略図である。

【図５】図４に示した断面構造を有する集積型発光装置
を用いて構成した露光装置の平面構造の概略図である。

【図６】図５のａ−ａ’部における断面構造の概略図で
ある。

【図７】本発明の駆動方法を実現する露光装置を搭載し
た記録装置の一実施形態の要部構成を示す断面図であ
る。

【図８】本発明の駆動方法を実現する集積型発光装置の
一実施形態のブロック図である。

【図９】図８に示した形態の集積型発光装置の駆動方法
を示すタイミングチャートである。

【図１０】図８に示した形態の集積型発光装置の断面構
造の概略図である。

【図１１】図１０に示した断面構造を有する集積型発光
装置を用いて構成した露光装置の平面構造の概略図であ
る。

【符号の説明】

１０１発光素子１０２受光素子１０３駆動回路１０４制御回路１０５蓄積回路１０６Ｄ−Ａコンバータ１０７コンパレータ１０８シフトレジスタ１０９ラッチ回路１１０シフトレジスタ１１１電源制御回路２０１リセットトランジスタ２０２ＰＭＯＳソースホロア回路４０１結晶シリコン基板４０２ＰＮホトダイオード４０３ＮＭＯＳトランジスタ４０４ＰＭＯＳトランジスタ４０５絶縁層４０６光透過性導電膜４０７有機正孔輸送層４０８有機電子輸送層４０９光透過性導電膜４１０保護膜４１１遮光層５０１基体５０２集積型発光装置５０３ワイヤボンディング５０４コネクタ５０５光透過性封止部材５０６筐体７００ａ〜７００ｄ露光装置７０１ａ〜７０１ｄ現像手段７０２ａ〜７０２ｄ帯電手段７０３ａ〜７０３ｄロッドレンズアレイ７０４ａ〜７０４ｄ転写手段７０５用紙搬送手段７０６ａ〜７０６ｂ用紙給紙手段７０７記録用紙７０８ａ〜７０８ｄ感光ドラム８０１Ｄ−Ａコンバータ８０２バッファアンプ８０３データ入力線８０４シフトレジスタ８０５第１のサンプルホールド回路８０６バッファアンプ８０７第２のサンプルホールド回路１００１絶縁性基板１００２アモルファスシリコンＰＩＮホトダイオード１００３多結晶シリコンＮＭＯＳトランジスタ１００４多結晶シリコンＰＭＯＳトランジスタ１００５金属電極１１０１受光素子アレイ１１０２その他の回路素子１１０３半導体チップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の発光素子からなる発光素子群と、
前記発光素子の発光を検出する受光手段とを少なくとも
備えた集積型発光装置の駆動方法において、前記受光手段で検出される光量の積分値と画像データと
の比較結果に基づいて、前記発光素子の発光時間を制御
することを特徴とする集積型発光装置の駆動方法。
【請求項２】前記発光素子群の発光開始時には、複数
の発光素子を同時に発光開始させることを特徴とする請
求項１に記載の集積型発光装置の駆動方法。
【請求項３】前記発光素子の発光は、前記光量の積分
値が前記画像データに対応する値に達した時に終了させ
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の集積型発光
装置の駆動方法。
【請求項４】前記受光手段として、前記発光素子群に
含まれる夫々の発光素子に対応して設けられた受光素子
からなる受光素子群を用いることを特徴とする請求項１
から３のうちのいずれか一項に記載の集積型発光装置の
駆動方法。
【請求項５】複数の発光素子からなる発光素子群と、
前記発光素子の発光を検出する受光手段とを少なくとも
備えた集積型発光装置を含む露光装置の駆動方法であっ
て、請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の集積型発
光装置の駆動方法を用いたことを特徴とする露光装置の
駆動方法。