JP2003118164A

JP2003118164A - 集積型発光装置、露光装置及び記録装置

Info

Publication number: JP2003118164A
Application number: JP2001320260A
Authority: JP
Inventors: Hiraki Kozuka; 開小塚
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-10-18
Filing date: 2001-10-18
Publication date: 2003-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子等を発光源として用いる集積型
発光装置で問題となっていた個々の発光素子の光量バラ
ツキの補正に関して、おのおのの発光点ごとの発光量バ
ラツキ、および経時変化バラツキを高精度、かつ安価に
補正する。【解決手段】複数の発光素子からなる発光素子群と、
前記発光素子の発光を検出する受光手段と、前記受光手
段を蓄積動作せしめる蓄積動作手段と、画像データと前
記蓄積動作手段からの信号と、を比較する比較手段と、
前記比較手段の出力に基づいて前記発光素子の発光時間
を制御する制御手段と、を有する集積型発光装置。これ
により個々の発光素子の発光量の積分値が所定の値に達
した段階で夫々の発光素子の発光を終了させ、発光量を
一定に保つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式の複
写機やプリンタ等の記録装置が備える露光装置等に用い
られる集積型発光装置、また露光装置及び記録装置に関
するものであり、より詳細には、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子（有機ＥＬ素子）に代表されるように発光
特性が変動する発光素子を用いた発光素子群における光
量バラツキの低減に関わるものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、感光体の露光用光源として発光ダ
イオードからなる発光体やレーザダイオードを用いたス
キャナ（露光装置）が提案されており、複写機、プリン
タ等の記録装置用の露光装置として、広く一般的に用い
られている。

【０００３】特に、ダイオードからなる発光体を用いた
露光装置の場合、装置の小型化が容易であるという利点
がある。

【０００４】一方、発光体を１次元アレイ状に形成する
必要があることから、おのおのの発光素子の光量バラツ
キが大きな問題点となっている。

【０００５】また近年、有機ＥＬ素子の研究開発が盛ん
に行われているが、この有機ＥＬ素子を露光装置に応用
した場合、初期の光量バラツキばかりではなく、発光特
性の経時変化、及び発光素子の経時変化特性バラツキと
いう問題が一般的に知られており、従って、有機ＥＬ素
子を露光装置へ応用することは、非常に困難であった。

【０００６】上記の問題を解決するために、例えば、特
開平１１−１０９９１８号公報には劣化特性に合わせて
駆動電流値などの駆動条件を変化させて経時変化を補正
する技術が、特開２０００−２３８３３３号公報には受
光手段を用いて発光量を検出し、その受光手段からの信
号を用いて発光量を補正する、という技術が提案されて
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術には以下のような課題がある。

【０００８】第１の課題は、補正方法に関する課題であ
る。

【０００９】特開平１１−１０９９１８号公報に開示さ
れている補正方法は、あらかじめ発光素子の経時変化
（寿命特性）をメモリ等の記憶手段に格納しておき、更
に実際に発光素子を駆動した時間を検出して前記の経時
変化特性と演算を行い、補正量を算出して駆動条件を設
定するという技術が開示されている。

【００１０】しかしながら上記方法においては、ある代
表的な経時変化を記憶手段に格納するため、発光素子作
製におけるバッチやロットによる発光量のバラツキ、更
には同一装置内の個別発光点ごとのバラツキを補正する
ことはできないという課題がある。

【００１１】特開２０００−２３８３３３号公報に開示
されている補正方法は、露光前、又は露光中に発光点の
光量を検出して駆動条件を中央処理装置（ＣＰＵ）によ
り算出する技術が開示されている。

【００１２】しかしながら、露光中の光量を検出してＣ
ＰＵに入力し演算を行い駆動電圧にフィードバックする
という方法においては、補正に要する時間が必要となる
ため、高速記録が困難となる。また、露光前（待機時）
に補正を行う方法においては、１枚の画像データを露光
している間に生じる光量変化を補正することができな
い。

【００１３】また、上記従来技術においては発光量の補
正に記録手段や演算手段等が必須であるため、装置の低
価格化が難しい。

【００１４】第２の課題は、発光素子と発光量検出に用
いる光検出手段の構成に関するものである。

【００１５】特開平１１−１０９９１８号公報には発光
素子と光検出手段との間には素子基板、又は封止基板を
介して配置する構成が提案されているが、一般的に上記
素子基板、及び封止基板には、数百μｍ〜数ｍｍの厚さ
が要求されるため、上記構成では光の拡散距離を考慮す
ると、６００ｄｐｉ、１２００ｄｐｉ、という記録装置
に求められる解像度では、おのおのの発光点の光量を正
確に検出することが非常に困難である。

【００１６】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであり、従来の露光装置等が備えてい
た集積型発光装置、特に、有機ＥＬ素子を発光源として
用いる集積型発光装置で問題となっていた光量補正に関
して、おのおのの発光点ごとの発光量バラツキ、および
経時変化バラツキを高精度、かつ安価に補正することが
可能で、加えて高速記録も可能な、集積型発光装置、露
光装置、さらには該露光装置を備えた記録装置を提供す
ることを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の発明は、複数の発光素子からなる発光素子群
と、前記発光素子の発光を検出する受光手段と、前記受
光手段を蓄積動作せしめる蓄積動作手段と、画像データ
と前記蓄積動作手段からの信号と、を比較する比較手段
と、前記比較手段の出力に基づいて前記発光素子の発光
時間を制御する制御手段と、を有することを特徴とする
集積型発光装置である。

【００１８】本発明は、上記第１の発明において、「前
記制御手段は、前記発光素子群の発光開始時には複数の
発光素子を同時に発光開始させる機能を有すること」、
「前記制御手段は、前記蓄積動作手段からの信号が前記
画像データに対応する値に達した時に前記発光素子の発
光を終了させる機能を有すること」、「前記受光手段と
して、前記発光素子群に含まれる夫々の発光素子に対応
して設けられた受光素子からなる受光素子群を用いるこ
と」、をその好ましい態様として含むものである。

【００１９】上記課題を解決するための第２の発明は、
複数の発光素子からなる発光素子群と、前記発光素子の
発光を検出する受光手段と、前記受光手段を蓄積動作せ
しめる蓄積動作手段と、画像データと前記蓄積動作手段
からの信号と、を比較する比較手段と、前記比較手段の
出力に基づいて前記発光素子の発光時間を制御する制御
手段とを有し、前記複数の発光素子からなる発光素子群
は基板上に形成され、前記受光手段は前記発光素子に対
応して設けられた複数の受光素子からなる受光素子群で
あり、前記発光素子と前記受光素子とが光透過性電極を
介して積層して形成されていることを特徴とする集積型
発光装置である。

【００２０】本発明は、上記第２の発明において、「前
記制御手段は、前記発光素子群の発光開始時には複数の
発光素子を同時に発光開始させる機能を有すること」、
「前記制御手段は、前記蓄積動作手段からの信号が前記
画像データに対応する値に達した時に前記発光素子の発
光を終了させる機能を有すること」、「前記基板は薄膜
半導体素子が形成された絶縁性基板であること」、「前
記基板は半導体素子が形成された半導体基板であるこ
と」、をその好ましい態様として含むものである。

【００２１】また本発明は上記第１、第２の発明におい
て、前記発光素子群に含まれる前記複数の発光素子が、
１次元状に配置されていることをその好ましい態様とし
て含むものである。

【００２２】また本発明は第３の発明として、上記第
１、第２の発明の集積型発光装置を備えたことを特徴と
する露光装置をも含むものである。

【００２３】また本発明は第４の発明として、電子写真
用感光体と、露光装置と、前記電子写真用感光体と前記
露光装置との間に設けられたレンズアレイと、を有する
記録装置において、前記露光装置は、上記第３の発明の
露光装置であることを特徴とする記録装置をも含むもの
である。

【００２４】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、図１〜
図３に従って、第１の実施形態を説明する。

【００２５】図１は本発明の集積型発光装置の一実施形
態のブロック図であり、Ｎ画素分の発光素子が配列され
た集積型発光装置の構成を示している。図２は本発明の
集積型発光装置の一実施形態の１画素分の駆動回路、及
び蓄積回路の等価回路図である。

【００２６】図１において、１０１は発光素子、１０２
は受光素子であり、この受光素子１０２は夫々の発光素
子１０１に対応して同数設けられている。また、発光素
子１０１は、各画素に駆動回路１０３、及び発光のＯＮ
／ＯＦＦを制御する制御回路１０４により駆動制御が行
われ、受光素子については、蓄積動作を行うための蓄積
回路１０５、各画素の画像データをアナログ信号に変換
するためのＤ−Ａコンバータ１０６、蓄積動作中の光信
号レベルと画像データの比較を行うコンパレータ１０７
が各画素に設けられた構成となっている。

【００２７】また、画像データはシフトレジスタ１０８
で順次送られ、ラッチ回路１０９により全画素同時にＤ
−Ａコンバータ１０６に転送される。

【００２８】更に、コンパレータ１０７の出力は発光素
子１０１の制御回路１０４に接続され、更にシフトレジ
スタ１１０を介して駆動回路１０３の駆動条件（駆動電
圧）を設定する電源制御回路１１１へ転送される。

【００２９】図２において、図１中の発光素子１０１の
駆動回路１０３は電源電圧が電源制御回路１１１から供
給されるＣＭＯＳバッファ回路で構成されており、ま
た、受光素子１０２の蓄積回路１０５はリセットトラン
ジスタ２０１とＰＭＯＳソースホロア回路２０２で構成
されている。

【００３０】次に、図３を用いて本発明の第１の実施形
態における動作を詳細に説明する。図３は図１に示した
形態の集積型発光装置の駆動方法を示すタイミングチャ
ートである。

【００３１】尚、図３においては画像データが２ビット
４階調で、おのおの画素目画像信号レベルを、Ｄｉｎ＿
１→ＬＥＶＥＬ２、Ｄｉｎ＿２→ＬＥＶＥＬ３、Ｄｉｎ
＿Ｎ→ＬＥＶＥＬ４と設定した一例を示している。

【００３２】最初に、画像データＤＡＴＡをシフトレジ
スタで順次転送し、その後、受光素子をリセットパルス
ＲＥＳにより初期状態にリセットした後に。ラッチパル
スＬＡにより全画素同時に画像データを所望のアナログ
信号への変換、すなわち、Ｄ−Ａ変換を行う。

【００３３】ここで、ラッチパルスＬＡが入力され、画
像データがＤ−Ａ変換された後の状態において、図１に
示すコンパレータ１０７には受光素子のリセット状態の
信号とＤ−Ａ変換後の画像データが入力されていること
になる。

【００３４】その後、発光素子の駆動開始パルスＳＴに
より、全画素同時に駆動パルスＣＮＴ＿１〜ＣＮＴ＿Ｎ
がＯＮ状態となり発光が開始される。発光が開始される
と同時に、発光によって受光素子で生成された光キャリ
アによる光信号が蓄積回路より出力され、その信号ＳＯ
ＵＴ＿１〜ＳＯＵＴ＿Ｎは時間と共に上昇する。ここ
で、図３に示す１画素目について着目すると、１画素目
の受光素子からの信号ＳＯＵＴ＿１は画像データがＬＥ
ＶＥＬ１に達するまでの間は発光状態を維持するが、Ｌ
ＥＶＥＬ１に達した時点でコンパレータの出力が反転
し、その反転した信号により駆動回路はＯＦＦ状態とな
る。

【００３５】同様に、他の画素についても受光素子で発
生した光量が画像データと同一になるまでは発光を継続
し、画像データと同一になった時点で発光を終了する。

【００３６】すなわち、本実施形態においては、発光開
始は全画素同時に開始され、発光の終了は受光素子で検
出される光量を蓄積手段において積分値として蓄えてい
き、該積分値が画像データに対応したレベルまで達した
時点で、個別の画素ごとに終了するという動作となる。
本発明においては、全ての発光素子の発光開始は必ずし
も同時でなくても良く、受光手段で検出される光量の積
分値と画像データとを比較して夫々の発光素子の発光時
間を制御すれば良いが、１ライン毎に高速な露光動作が
必要な電子写真方式の記録装置等に適用する場合には、
本実施形態のように全ての発光素子の発光を同時に開始
する形態や、全発光素子を複数のブロックに分けて夫々
のブロック毎に発光させる等で少なくとも複数の発光素
子の発光を同時に開始する形態が好ましい。

【００３７】ここで、本発明において発光素子が発光中
に光量が低下した場合について考えると、光量が低下し
た場合は、発光中の受光素子出力の傾きが途中から小さ
くなる。しかしながら、傾きが小さくなった分だけ発光
時間は長くなるものの、発光の積分量を考えると、光量
変化が起こっても起こらなくても、積分量としては変わ
らない。従って、従来の発明のように複雑な駆動電圧の
制御や駆動電流の制御を必要とせずに高精度の光量制御
が可能となる。

【００３８】例えば、電子写真方式の記録装置におい
て、原稿濃度は感光体に入射された光の積分量と相関が
あることが一般的に知られている。

【００３９】従って、本発明を電子写真方式の記録装置
に適用することにより、発光素子に如何なる状態の発光
特性の変化が生じても、画像データに対応した高精度の
露光が可能となり、常に高品質な画像を得ることが可能
となる。

【００４０】また、図１においては、各画素のコンパレ
ータ出力が電源制御回路に接続されているが、例えば、
所望の時間内に光量が不足する場合も考慮して、例えば
本露光を行う前に、あらかじめフルスケール発光動作を
実施してコンパレータが全画素反転するかどうかをチェ
ックし、不足している場合は図２に示すように駆動回路
の駆動電圧を上昇させる等のシーケンスを設けることも
可能である。更には、全画素のコンパレータが反転する
駆動回路の駆動電圧条件を設定した後、その電圧にマー
ジン分を上乗せした駆動電圧条件を再設定するようなシ
ーケンスを設けることも可能である。

【００４１】また、図２において、駆動回路として定電
圧駆動回路を用いても定電流駆動回路を用いても本発明
の効果が有効であることは言うまでもない。

【００４２】加えて、受光素子の感度バラツキ等を補正
するために、あらかじめ受光素子のバラツキデータを記
憶手段に格納し、本来の画像データと演算した結果を、
画像データとして本発明の露光装置に入力しても構わな
い。

【００４３】また、図２においては受光素子の光信号を
ＰＭＯＳソースホロアで出力した例を示しているが、感
度調整が必要な場合は増幅器を設けても良いし、画像デ
ータをＤ−Ａ変換する部分にゲイン調整手段を設けても
良く、本発明においては、これらのパラメータに関して
発光素子、受光素子の特性に応じた最適設計を行うこと
が可能な構成となっている。

【００４４】また、本発明においては画像データが２ビ
ット４階調の例を示したが、必要な階調数に応じて画像
データのビット数を増減させても良い。

【００４５】（第２の実施形態）本形態は、発光素子と
受光素子とが光透過性電極を介して積層して形成されて
いる集積型発光装置の一例を示すものである。

【００４６】図４は集積型発光装置の断面構造の概略図
であり、本形態においては結晶シリコン基板上に図１に
示す回路ブロックを形成した集積型発光装置の断面構造
を示している。

【００４７】図４において、結晶シリコン基板４０１上
には一般的な半導体プロセスにより形成可能な半導体素
子が形成されている。具体的には、受光素子となるＰＮ
ホトダイオード４０２、駆動回路や蓄積回路等の周辺回
路を構成するＮＭＯＳトランジスタ４０３、及びＰＭＯ
Ｓトランジスタ４０４を図４に示しているが、その他、
必要に応じて容量素子（不図示）、抵抗素子（不図示）
を形成しても構わない。

【００４８】上記の回路素子を形成した結晶シリコン基
板４０１上には絶縁層４０５を介して有機ＥＬ素子を構
成する第１光透過性導電膜４０６、有機正孔輸送層４０
７、有機電子輸送層４０８、第２光透過性導電膜４０
９、保護膜４１０が順次積層されている。

【００４９】図４においては第１光透過性導電膜４０６
と第２光透過性導電膜４０９で規定された部分Ａが主た
る発光領域となり、保護膜４１０の側にも結晶シリコン
基板４０１方向の側にも発光層からの発光が放射可能と
なっている。

【００５０】ここで、露光に用いる光を取り出す方向に
設けられた第２光透過性導電膜４０９は透過率が高い方
が好ましいが、受光素子側に設けられた第１光透過性導
電膜４０６は受光素子の感度設計次第で透過率を決定す
ることが可能であるため、例えば半透明状の金属電極等
を用いても構わない。

【００５１】本形態の構成を第１の実施形態の集積型発
光装置に用いれば、保護膜４１０側の発光を露光等に用
いるために外部に取り出し、結晶シリコン基板４０１側
の発光を発光検出に用いており、発光素子そのものの発
光をリアルタイムでホトダイオードにより検出できる構
成となっているため、発光の積分量を非常に高精度、か
つ高速に測定することが可能となる。

【００５２】ここで結晶シリコン上に形成された回路素
子を用いる場合、発光素子からの発光により生成した光
キャリアが本来の回路動作に影響を及ぼす場合もあるた
め、本実施形態においては、受光素子部以外の領域に遮
光層４１１を設けており、従って有効な受光領域は図４
中のＢで示した領域となり、上述した発光領域Ａより小
さい構成となっている。

【００５３】ちなみに、Ａの寸法は露光装置の解像度に
より決定され、例えば６００ｄｐｉの場合、おおよそ４
２μｍ程度となる。

【００５４】（第３の実施形態）本形態は第１、第２の
実施形態において示した形態の集積型発光装置を用いた
露光装置の一例を示す。

【００５５】図５は第１、第２の実施形態に示した集積
型発光装置を用いて構成した露光装置の平面構造の概略
図であり、第１、第２の実施形態で示した集積型発光装
置を１次元状に配置して構成した露光装置を示してい
る。図６は図５のａ−ａ’部における断面構造の概略図
である。

【００５６】図５、図６において、基体５０１上に集積
型発光装置５０２がＭ個一次元状に配置されており、お
のおのの集積型発光装置５０２はワイヤボンディング５
０３により基体５０１の配線と接続され、コネクタ５０
４を介して外部装置と電気的に接続される。また、上記
の基体５０１は筐体５０６中に固定され、本発明の露光
装置が構成される。ここで、基体５０１上には集積型発
光装置５０２を覆うように光透過性封止部材５０５が設
けられており、有機ＥＬ素子の特性劣化を防止するため
に、不活性ガスが封入されているが、必要に応じて光透
過性封止部材５０５の内部に吸着剤等を設けても構わな
い。

【００５７】このように、第１、第２の実施形態に示し
た集積型発光装置を用いれば、全画素同時の駆動方式で
ありながら、ワイヤボンディングによる電気的な接続数
を低減することが可能であるため、実装歩留まりを向上
できるため、その結果として安価な露光装置を提供する
ことが可能となる。

【００５８】（第４の実施形態）本形態は、本発明の露
光装置を搭載した記録装置の一実施形態を示す。

【００５９】図７は第３の実施形態の露光装置を搭載し
た記録装置の一実施形態の要部構成を示す断面図であ
る。図７において、７００ａ〜７００ｄは露光装置、７
０１ａ〜７０１ｄは現像手段、７０２ａ〜７０２ｄは帯
電手段、７０３ａ〜７０３ｄはロッドレンズアレイ、７
０４ａ〜７０４ｄは転写手段、７０５は用紙搬送手段、
７０６ａ，７０６ｂは用紙給紙手段、７０７は記録用
紙、７０８ａ〜７０８ｄは感光ドラムである。

【００６０】上記構成において動作を説明すると、露光
装置７００ａ〜７００ｄより発光された光はロッドレン
ズ７０３ａ〜７０３ｄにより感光ドラム７０８ａ〜７０
８ｄに感光され、現像手段７０１ａ〜７０１ｄにより現
像され、転写手段７０４ａ〜７０４ｄにより記録用紙７
０７に転写される。その後、定着手段（不図示）により
定着され、一連の電子写真方式の記録が終了する。

【００６１】以上説明したとおり、本発明においては、
各発光点の発光の積分量を、それぞれの発光点に対応し
た受光素子の光信号に変換して積分量として蓄積し、そ
の積分値と画像データとの比較により発光素子の発光時
間を制御する構成、及び駆動方法を用いているため、各
発光部の光量を画像データに対して高精度、かつ高速に
制御することができ、更には発光素子が如何なる状況下
で発光特性の変化を生じた場合でも、常に高品質の画像
を提供することができる。

【００６２】特に、第４の実施形態にて説明したタンデ
ム方式の電子写真記録装置においては、装置の小型化、
高速化、メンテンスフリーという特徴から、本発明はよ
り有効な手段となる。

【００６３】また、ここでは全画素同時に発光を開始す
る例を示したが、例えばブロック駆動等の駆動方式にお
いても本発明によって同様の効果を得ることが可能であ
る。

【００６４】本発明においては、発光素子の発光の積分
量が画像品質を決定するような電子写真記録装置におい
て特にその効果は絶大であるが、その他に、ディスプレ
イ等の表示装置に本発明を適用した場合においても、本
発明は表示画像品質の向上という効果が得られる。

【００６５】（第５の実施形態）図８〜図９を用いて本
発明の第５の実施形態を説明する。

【００６６】図８は本発明の集積型発光装置の一実施形
態のブロック図であり、発光素子がＮ画素分配列された
集積型発光装置の構成を示している。図９は図８に示し
た形態の集積型発光装置の駆動方法を示すタイミングチ
ャートである。

【００６７】本実施形態においては、図８に示すよう
に、画像データをアナログ信号に変換し、各画素に設け
られたコンパレータに読み込む部分が、第１の実施形態
と異なる構成となっている。以下、図８、図９を用いて
本実施形態の動作を説明する。

【００６８】図８において、画像データＤＡＴＡは最初
にＤ−Ａコンバータ８０１によりアナログ信号に変換さ
れ、バッファアンプ８０２を介して全画素共通のデータ
入力線８０３に送られる。一方、シフトレジスタ８０４
により各画素に設けられた第１のサンプルホールド回路
８０５が順次動作し、データ入力線８０３のアナログ信
号を保持していく。

【００６９】全画素分の画像データが第１のサンプルホ
ールド回路８０５に保持された後、受光素子をリセット
パルスＲＥＳにより初期状態にリセットし、続いてラッ
チパルスＬＡにより全画素同時に第１のサンプルホール
ド回路８０５に保持された画像データを、バッファアン
プ８０６を介して第２のサンプルホールド回路８０７へ
読み込む。

【００７０】従って、上記状態において、図８に示すコ
ンパレータ１０７には受光素子のリセット状態の信号と
Ｄ−Ａ変換後の画像データが入力されていることにな
る。

【００７１】ここから後の動作は第１の実施形態と同様
である。

【００７２】本実施形態においては、１画素あたりの回
路規模を小さくすることが可能であるため、より安価な
露光装置を提供することが可能となる。

【００７３】（第６の実施形態）本形態は、発光素子と
受光素子とが光透過性電極を介して積層して形成されて
いる集積型発光装置の一例を示すものである。

【００７４】図１０は本実施形態における集積型発光装
置の断面構造の概略図である。

【００７５】図１０において、絶縁性基板１００１上
に、受光素子となるアモルファスシリコンＰＩＮホトダ
イオード１００２、駆動回路や蓄積回路等の周辺回路を
構成する多結晶シリコンＮＭＯＳトランジスタ１００
３、及び多結晶シリコンＰＭＯＳトランジスタ１００４
を示すが、その他、必要に応じて容量素子（不図示）、
抵抗素子（不図示）を形成しても構わない。

【００７６】上記の回路素子を形成した絶縁性基板１０
０１上には絶縁層４０５を介して、有機ＥＬ素子を構成
する第１光透過性導電膜４０６、有機正孔輸送層４０
７、有機電子輸送層４０８、第２光透過性導電膜４０
９、保護膜４１０が順次積層されている。

【００７７】図１０においては第１光透過性導電膜４０
６と第２光透過性導電膜４０９で規定された部分Ｃが主
たる発光領域となり、保護膜４１０方向からも透明基板
１００１方向からも有機ＥＬ素子からの発光を取り出す
ことが可能である。

【００７８】更に、本実施形態においては、受光素子と
なるアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオード１００
２の下部電極として、金属電極１００５を設けており、
受光素子となるアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオ
ード１００２を透過した光が金属電極１００５で反射す
るため、光の利用効率を高くすることが可能となる。

【００７９】本実施形態に示したように、本発明は、一
般的な薄膜半導体形成プロセスと有機ＥＬプロセスを用
いて形成することも可能である。

【００８０】更に、本実施形態の場合は、大型の絶縁性
基板を用いることにより、コネクタ装着直前のプロセス
までを一貫して処理することも可能となるため、更に安
価な露光装置を提供することも可能になる。

【００８１】言うまでもなく、本実施形態においては、
アモルファスシリコンＰＩＮホトダイオード１００２上
に有機ＥＬ素子を積層した構成となっているため、上述
のアモルファスシリコンＰＩＮホトダイオード１００２
を蓄積動作させることにより、有機ＥＬ素子の発光特性
が変動しても、常に高品質な画像が得られる露光装置を
提供することができる。

【００８２】（第７の実施形態）本形態は第５、第６の
実施形態において示した形態の集積型発光装置を用いた
露光装置の一例を示す。

【００８３】図１１は第５、第６の実施形態に示した集
積型発光装置を用いて構成した露光装置の平面構造概略
図である。

【００８４】図１１において絶縁性基板１００１上には
前述の発光素子、及び受光素子アレイ１１０１、及びそ
の他の回路素子１１０２の他に、前述の素子の駆動や制
御、及び信号処理を行う半導体チップ１１０３が設けら
れ、絶縁性基板１００１上に形成された配線と電気的に
接続されており、更に上述の半導体チップ１１０３の入
出力端子はコネクタ５０４を介して外部装置と電気的に
接続されている。

【００８５】また、第３の実施形態と同様、絶縁性基板
１００１上には、集積型発光装置を覆うように光透過性
封止部材５０５が設けられている。

【００８６】なお、本実施形態の露光装置は第３の実施
形態と同様、第４の実施形態の記録装置に適用可能であ
り、第４の実施形態において示した効果と同様の効果が
得られる。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機ＥＬ素子に代表されるように、発光特性が経時的に
変動するような発光素子を用いても、常に画像データに
対応した発光量が得られる集積型発光装置、更にはそれ
を用いた露光装置が簡易な回路構成の装置によって実現
可能となるため、高速で、かつ高品質な画像を得ること
のできる露光装置、及び記録装置等を安価に提供するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の集積型発光装置の一実施形態のブロッ
ク図である。

【図２】本発明の集積型発光装置の一実施形態の１画素
分の駆動回路、及び蓄積回路の等価回路図である。

【図３】図１に示した形態の集積型発光装置の駆動方法
を示すタイミングチャートである。

【図４】本発明の集積型発光装置の断面構造の概略図で
ある。

【図５】本発明の露光装置の一実施形態の平面構造の概
略図である。

【図６】図５のａ−ａ’部における断面構造の概略図で
ある。

【図７】本発明の露光装置を搭載した記録装置の一実施
形態の要部構成を示す断面図である。

【図８】本発明の集積型発光装置の一実施形態のブロッ
ク図である。

【図９】図８に示した形態の集積型発光装置の駆動方法
を示すタイミングチャートである。

【図１０】本発明の集積型発光装置の断面構造の概略図
である。

【図１１】本発明の露光装置の一実施形態の平面構造の
概略図である。

【符号の説明】

１０１発光素子１０２受光素子１０３駆動回路１０４制御回路１０５蓄積回路１０６Ｄ−Ａコンバータ１０７コンパレータ１０８シフトレジスタ１０９ラッチ回路１１０シフトレジスタ１１１電源制御回路２０１リセットトランジスタ２０２ＰＭＯＳソースホロア回路４０１結晶シリコン基板４０２ＰＮホトダイオード４０３ＮＭＯＳトランジスタ４０４ＰＭＯＳトランジスタ４０５絶縁層４０６光透過性導電膜４０７有機正孔輸送層４０８有機電子輸送層４０９光透過性導電膜４１０保護膜４１１遮光層５０１基体５０２集積型発光装置５０３ワイヤボンディング５０４コネクタ５０５光透過性封止部材５０６筐体７００ａ〜７００ｄ露光装置７０１ａ〜７０１ｄ現像手段７０２ａ〜７０２ｄ帯電手段７０３ａ〜７０３ｄロッドレンズアレイ７０４ａ〜７０４ｄ転写手段７０５用紙搬送手段７０６ａ〜７０６ｂ用紙給紙手段７０７記録用紙７０８ａ〜７０８ｄ感光ドラム８０１Ｄ−Ａコンバータ８０２バッファアンプ８０３データ入力線８０４シフトレジスタ８０５第１のサンプルホールド回路８０６バッファアンプ８０７第２のサンプルホールド回路１００１絶縁性基板１００２アモルファスシリコンＰＩＮホトダイオード１００３多結晶シリコンＮＭＯＳトランジスタ１００４多結晶シリコンＰＭＯＳトランジスタ１００５金属電極１１０１受光素子アレイ１１０２その他の回路素子１１０３半導体チップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の発光素子からなる発光素子群と、前記発光素子の発光を検出する受光手段と、前記受光手段を蓄積動作せしめる蓄積動作手段と、画像データと前記蓄積動作手段からの信号と、を比較す
る比較手段と、前記比較手段の出力に基づいて前記発光素子の発光時間
を制御する制御手段と、を有することを特徴とする集積
型発光装置。
【請求項２】前記制御手段は、前記発光素子群の発光
開始時には複数の発光素子を同時に発光開始させる機能
を有することを特徴とする請求項１に記載の集積型発光
装置。
【請求項３】前記制御手段は、前記蓄積動作手段から
の信号が前記画像データに対応する値に達した時に前記
発光素子の発光を終了させる機能を有することを特徴と
する請求項１又は２に記載の集積型発光装置。
【請求項４】前記受光手段として、前記発光素子群に
含まれる夫々の発光素子に対応して設けられた受光素子
からなる受光素子群を用いることを特徴とする請求項１
から３のうちのいずれか一項に記載の集積型発光装置。
【請求項５】複数の発光素子からなる発光素子群と、前記発光素子の発光を検出する受光手段と、前記受光手段を蓄積動作せしめる蓄積動作手段と、画像データと前記蓄積動作手段からの信号と、を比較す
る比較手段と、前記比較手段の出力に基づいて前記発光素子の発光時間
を制御する制御手段とを有し、前記複数の発光素子からなる発光素子群は基板上に形成
され、前記受光手段は前記発光素子に対応して設けられた複数
の受光素子からなる受光素子群であり、前記発光素子と前記受光素子とが光透過性電極を介して
積層して形成されていることを特徴とする集積型発光装
置。
【請求項６】前記制御手段は、前記発光素子群の発光
開始時には複数の発光素子を同時に発光開始させる機能
を有することを特徴とする請求項５に記載の集積型発光
装置。
【請求項７】前記制御手段は、前記蓄積動作手段から
の信号が前記画像データに対応する値に達した時に前記
発光素子の発光を終了させる機能を有することを特徴と
する請求項５又は６に記載の集積型発光装置。
【請求項８】前記基板は薄膜半導体素子が形成された
絶縁性基板であることを特徴とする請求項５から７のう
ちのいずれか一項に記載の集積型発光装置。
【請求項９】前記基板は半導体素子が形成された半導
体基板であることを特徴とする請求項５から８のうちの
いずれか一項に記載の集積型発光装置。
【請求項１０】前記発光素子群に含まれる前記複数の
発光素子が、１次元状に配置されていることを特徴とす
る請求項１から９のうちのいずれか一項に記載の集積型
発光装置。
【請求項１１】請求項１から１０のうちのいずれか一
項に記載の集積型発光装置を備えたことを特徴とする露
光装置。
【請求項１２】電子写真用感光体と、露光装置と、前
記電子写真用感光体と前記露光装置との間に設けられた
レンズアレイと、を有する記録装置において、前記露光
装置は、請求項１１に記載の露光装置であることを特徴
とする記録装置。