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JP2003034081A - 相変化型光情報記録媒体 - Google Patents

相変化型光情報記録媒体

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Publication number
JP2003034081A
JP2003034081A JP2001275277A JP2001275277A JP2003034081A JP 2003034081 A JP2003034081 A JP 2003034081A JP 2001275277 A JP2001275277 A JP 2001275277A JP 2001275277 A JP2001275277 A JP 2001275277A JP 2003034081 A JP2003034081 A JP 2003034081A
Authority
JP
Japan
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phase change
optical information
recording medium
phase
change type
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001275277A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Harigai
眞人 針谷
Katsuhiko Tani
克彦 谷
Chikayuki Iwata
周行 岩田
Kazunori Ito
和典 伊藤
Hajime Yuzurihara
肇 譲原
Eiko Suzuki
栄子 鈴木
Hiroko Tashiro
浩子 田代
Nobuaki Onaki
伸晃 小名木
Yuji Miura
裕司 三浦
Yoshiyuki Kageyama
喜之 影山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2001275277A priority Critical patent/JP2003034081A/ja
Priority to US09/951,515 priority patent/US6790592B2/en
Publication of JP2003034081A publication Critical patent/JP2003034081A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速線、高密度化に対応でき、繰り返し特性
と保存特性に優れた相変化型光情報記録媒体を提供する
こと。 【解決手段】 電磁波の照射により非晶相及び結晶相間
を可逆的に相転移する相変化型記録材料からなる記録層
を有する相変化型光情報記録媒体において、該相変化型
記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ並びにＭｇ及び／
又はＣａから構成されていることを特徴とする相変化型
光情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光情報記
録媒体に関し、さらに詳しくは、光ビーム等の電磁波を
照射することによって、相変化記録材料からなる記録層
に光学的な変化を生じさせることにより、情報の記録と
再生を行う書換え可能な相変化型光情報記録媒体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザビーム照射による情報の記録、再
生及び消去可能な光情報記録媒体の一つとして、結晶−
非晶相間又は結晶−結晶相間の相転移を利用する、いわ
ゆる相変化光ディスクが知られている。このディスク
は、単一ビームによるオーバライトが可能であり、ドラ
イブ側の光学系が単純ですむため、コンピュータ関連や
映像、音響に関する記録媒体として応用されている。
【０００３】この記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴ
ｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、ＧｅＴｅ
（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅＳ
ｂ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等が知られている。特に、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅは、高感度で、アモルファス部分の輪郭が明
確な特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層として開
発されている（特開平３−２３１８８９号公報、特開平
４−１９１０８９号公報、特開平４−２３２７７９号公
報、特開平４−２６７１９２号公報、特開平５−３４５
４７８号公報、特開平６−１６６２６６号公報等参
照）。
【０００４】また、IIをII族元素、IIIをIII族元素、IV
をIV族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI族元素として、II・
（III1-ｙ・ＩVｙ）・（Ｖ1-ｚ・VＩｚ）2（０＜ｙ＜
１、０＜ｚ＜１）の一般式組成で表される記録層を有す
る記録媒体が開示されている（特開平３−２３１８８９
号公報）。さらに、ＳｂＴｅを主成分とし、これにＡ
ｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ等を添加した記録材料により、単
一なγ層を構成する記録層を有する記録媒体が開示され
ている（特開平１−３０３６４３号公報）。しかし、上
記のいずれの記録媒体も、高記録速度及び高記録密度を
得るためには、解決しなければならない問題が多々あっ
た。
【０００５】上記のように、相変化型記録材料の結晶、
非結晶相の可逆的相変化を用いた、いわゆる相変化型記
録媒体は、書換え可能なＣＤとして、世界的に普及して
いる。そして、これら記録媒体の普及と共に、記録再生
線速の高速化が要求されている。
【０００６】相変化型光情報記録媒体においては、相変
化型記録材料の非結晶相は、融点付近まで一度、高温に
加熱し、急冷することにより形成され、一方、結晶相は
少なくとも結晶化温度以上に加熱し、徐冷して形成され
るが、高速で急冷と徐冷をバランスよく実施すること
は、相変化型光情報記録媒体においては極めて重要であ
る。
【０００７】また、記録密度が高くなると、隣接の記録
マーク同士の干渉が起こりやすくなるため、特性が劣化
しやすい。したがって、高線速で高密度に記録するため
には、使用する相変化記録層材料及び記録媒体構成の選
択を最適化させる必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
現状に鑑み、高線速、高密度化に対応でき、繰り返し特
性と保存特性に優れた相変化型光情報記録媒体を提供す
ることをその課題とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、記録材料を構成する元素に着目して
鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに到った。
【００１０】すなわち、本発明によれば、電磁波の照射
により非晶相及び結晶相間を可逆的に相転移する相変化
型記録材料からなる記録層を有する相変化型光情報記録
媒体において、該相変化型記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ並びにＭｇ及び／又はＣａから構成されている
ことを特徴とする相変化型光情報記録媒体が提供され
る。
【００１１】本発明には、以下（１）〜（４）に記載の
相変化型光情報記録媒体が含まれる。 （１）該該相変化型記録材料の組成を、ＧｅaＧａbＳｂ
cＴｅdＭeとするとき、 １≦ａ≦７ ２≦ｂ≦８ ６０≦ｃ≦８５ １５≦ｄ≦３５ ０＜ｅ≦３ である相変化型光情報記録媒体（ただし、Ｍは、Ｍｇ又
はＣａであり、数値は、原子％である）。 （２）該相変化型記録材料に、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｂ、
Ｉｎ、Ｓｉ、Ｃ及びＮの中から選ばれた少なくとも１種
の元素を添加した相変化型光情報記録媒体。 （３）該添加元素の添加量が、３原子％以下である相変
化型光情報記録媒体。 （４）該相変化型記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ
及びＭｇ又はＣａからなり、かつＡｇが添加された相変
化型光情報記録媒体。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の相変化型光情報記録媒体
の構成例を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の
記録媒体の構成例を示すもので、基板１上に下部保護層
２、記録層３、上部保護層４、反射層５が順次積層して
設けられている。保護層は、必ずしも記録層３の両側に
設ける必要はないが、基板１がポリカーボネート樹脂の
ように耐熱性が低い材料の場合には、下部保護層２を設
けることが望ましい。
【００１３】また、上部保護層４と反射層５の間に中間
層を設けることもできる。この中間層により、上部保護
層４と反射層５の間の化学的な反応等を抑えることがで
き、保存特性の改善につながるものである。さらに、中
間層に光学的な役割を持たせることにより、信号特性を
改善することも可能である。これは、特にＤＯＷ特性の
改善に有効である。
【００１４】基板１の材料は、通常、ガラス、セラミッ
クス又は樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ
素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、
加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂が好
ましい。また、基板１の形状は、ディスク状、カード状
又はシート状であってもよい。
【００１５】相変化型記録材料は、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、
Ｔｅ及びＭｇ又はＣａからなるものであり、その例とし
ては、組成を、ＧｅaＧａbＳｂcＴｅdＭeとするとき、 １≦ａ≦７ ２≦ｂ≦８ ６０≦ｃ≦８５ １５≦ｄ≦３５ ０＜ｅ≦３ である相変化型記録材料が挙げられる（ただし、Ｍは、
Ｍｇ又はＣａであり、数値は、原子％である）。
【００１６】上記組成において、好ましい範囲は、次の
とおりである。 ２≦ａ≦５ ３≦ｂ≦５ ７０≦ｃ≦８０ １６≦ｄ≦２２ ０．５≦ｅ≦２
【００１７】Ｇｅが１原子％未満では、保存安定性に問
題が生じ、Ｇｅが７原子％を超えると、高線速記録がで
きない。Ｇａが２原子％未満では、やはり高線速記録が
できず、８原子％を超えると、信号特性が悪化してく
る。Ｇａの増加による信号特性の悪化は初期化不良によ
るもので、低線速記録においても信号特性はよくない。
Ｓｂが６０原子％未満では、後記の実施例のような高線
速記録ができなくなり、８５原子％を超えると保存安定
性に問題が生じてくる。Ｔｅが１５原子％未満になる
と、オーバーライト特性（ＤＯＷ）が問題となり、３５
原子％を超えると、高線速記録ができなくなる。相変化
型記録材料にＭｇもＣａも含まれない場合は、高線速記
録ができなくなり、３原子％を超えると、保存安定性に
問題が生じてくる。
【００１８】この相変化型記録材料には、Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｃ及びＮの中から選ばれた少な
くとも一つの元素を添加して保存安定性を図ってもよ
く、特にＡｇは、保存安定性を向上させる効果が顕著で
ある。その添加量は、３原子％以下、好ましくは０．０
１〜２原子％、より好ましくは０．１〜１原子％であ
る。
【００１９】さらに、相変化型記録材料の具体例として
は、構成元素が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＭｇ又は
Ｃａ並びにＡｇで、例えば、Ｇｅ5Ｇａ3Ｓｂ71Ｔｅ18Ｍ
ｇ3、Ｇｅ3Ｇａ3Ｓｂ76Ｔｅ16Ｍｇ2、Ｇｅ2Ｇａ3Ｓｂ75
Ｔｅ18Ｍｇ2、Ｇｅ2Ｇａ5Ｓｂ74Ｔｅ18Ｍｇ1等が挙げら
れる。
【００２０】また、本発明の記録層は、一般的には、ス
パッタ法により膜形成が行われ、その膜厚は、１０〜１
００ｎｍ、好ましくは、１０〜２５ｎｍである。１０ｎ
ｍより薄いと、光吸収能が低下し記録層としての機能を
失い、１００ｎｍより厚いと、透過光が少なくなるた
め、干渉効果を期待できなくなる。
【００２１】下部保護層２及び上部保護層４の材料とし
ては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ
2等の金属酸化物、Ｓｉ2Ｎ3、ＧｅＮ、ＡｌＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、Ｔａ
Ｓ4等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ等の炭化物やダイヤモンド状カーボン又はそ
れらの混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で保
護層とすることもできるが、これらの混合物として用い
てもよい。また、必要に応じて不純物を含んでいてもよ
い。ただし、保護層２、４の融点は、記録層３の融点よ
りも高いことが必要であり、さらに、熱伝導率が高く、
熱膨張係数が小さく、密着性がよいことも要求される。
【００２２】下部保護層２の膜厚としては、２０〜３０
０ｎｍ、好ましくは３５〜２００ｎｍとする。２０ｎｍ
よりも薄くなると、保護層としての機能が失われ、ま
た、３００ｎｍよりも厚くなると界面剥離が生じやすく
なる。上部保護層４の膜厚としては、５〜１００ｎｍ、
好ましくは５〜２０ｎｍとする。５ｎｍより薄いと、基
本的に層間のバリアとしての効果が低下し、好ましくな
い。１００ｎｍを超えると、温度上昇による膜剥離、変
形、放熱性の低下によりオーバーライト特性が悪くな
る。
【００２３】反射層５の材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｐｂ等の金属を中心とした材料を単体として又は合金と
してを用いることができる。必要に応じて、異なる金
属、合金を複数積層してもよい。特に、熱伝導率が高い
Ａｇ又はＡｇに少量のＣｕ、Ｎｉを添加し、耐環境性を
高めた合金は、ジッタの低減に有効である。Ｃｕ、Ｎｉ
の添加は、Ａｇの酸化、粒径増加等を抑制させ、反射率
の低下、熱伝導率の低下を防ぐことができる。
【００２４】図２に示すように、反射層５上に、有機保
護層６及び上部保護基板７を順次積層して設けてもよ
い。有機保護層６は、例えば、アクリル系紫外線硬化樹
脂をスピナーによって薄膜状に塗布し、これを紫外線硬
化させて設けることができる。上部保護基板７は、例え
ば、接着剤によって有機保護層６上に貼り合せて設ける
こことができる。上部保護基板７の材料は、例えば、基
板１の材料と同じであってもよい。
【００２５】また、上部保護層４と反射層５の間に、中
間層を設けてもよく、この中間層の材料としては、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ等を用いることができる。この場合、中
間層の膜厚は２〜１０ｎｍ、好ましくは３〜６ｎｍとす
る。この膜厚が薄すぎると、均一な膜にならず、上部保
護層４と反射層５が直接接触し、中間層としての役割を
果たせない。また、厚すぎると、反射層５への放熱が悪
くなるので好ましくない。
【００２６】このような保護層、反射層、記録層は、各
種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法等によって形成することがで
きる。また、本発明の相変化型光情報記録媒体は、これ
まで説明してきたような各種の層を有するものに限定さ
れるものではない。
【００２７】このような相変化型記録媒体は、記録波長
が４００〜７８０ｎｍの範囲で記録再生が可能である。
記録密度を上げるために、対物レンズの開口率を０．６
０以上とし、入射光のビーム径を小さくすることが好ま
しい。さらに、波長６５０ｎｍ、対物レンズの開口率が
０．６〜０．６５、基板１の厚さを０．６ｍｍとし、基
板１のトラックピッチを０．７４μｍ以下、溝の深さを
１５ｎｍ〜６０ｎｍ、溝幅を０．２〜０．３μｍとする
ことが好ましい。記録線速は、最大２０ｍ／ｓ、記録周
波数は線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔにおいて、最大１
５０ＭＨｚ程度である。好ましい記録線速は、８．５ｍ
／ｓ〜１７．５ｍ／ｓの範囲である。
【００２８】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく
説明するが、これら実施例によって、本発明はなんら限
定されるものではない。
【００２９】実施例１〜４及び比較例１〜２ 図２に示すように、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、
トラックピッチ０．７４μｍのグルーブ付きポリカーボ
ネートディスク基板１を、高温で脱水処理した後、この
ポリカーボネートディスク基板１に、スパッタにより下
部保護層２、記録層３、上部保護層４、反射層５を順次
成膜した。下部保護層２としては、ＺｎＳ・ＳｉＯ2誘
電体層を用い、７０ｎｍの厚さとした。記録層３は、表
１に示す組成比の膜を２０ｎｍの厚さとした。
【００３０】上部保護層４としては、下部保護層２と同
様のＺｎＳ・ＳｉＯ2誘電体層とＳｉＣ層を積層させた
複合層を用い、ＺｎＳ・ＳｉＯ2誘電体層とＳｉＣ層厚
さをそれぞれ１０ｎｍ、５ｎｍとした。反射層５として
は、Ａｇを用い、厚さ１４０ｎｍとした。さらに、反射
層５上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなる有機保護
膜をスピナーによって５〜１０μｍに塗布し、紫外線硬
化させて形成した有機保護層６を設けた。この有機保護
層６の外表面に、さらに上記ポリカーボネートディスク
基板１の材料と同一の材料のポリカーボネートであっ
て、かつ同一の直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、同一の
高温脱水処理をしたポリカーボネートディスク用いて、
これを接着シートにより貼り合わせ、上部保護基板７を
形成して、本発明の相変化型光情報記録媒体を作製し
た。
【００３１】本発明の上記相変化型光情報記録媒体の信
号特性と保存特性の評価ため、この相変化型光情報記録
媒体に記録した記録情報のジッタ（％）を測定した。ま
ず、相変化型光情報記録媒体の記録層３を、波長８１０
ｎｍのレーザービームを用いて、結晶化させ記録層３の
初期化をした。初期化条件は、初期化パワーを８００ｍ
Ｗ、ヘッド送りを３６μｍ／ｒ、初期化線速度を３ｍ／
ｓとした。次に、波長６５５ｎｍのレーザービームでＮ
Ａ０．６５のピックアップを用いて照射することによ
り、情報の記録再生を行なった。記録は、ＥＦＭ＋変調
方式で、記録線密度は０．２６７μｍ／ｂｉｔとし、記
録線速は８．５ｍ／ｓ又は１７．５ｍ／ｓとした。再生
は全て３．５ｍ／ｓで行った。
【００３２】図３に、５Ｔマークの記録ストラテジの例
を示す。ここにおいては、記録パワーＰｗ、消去パワー
Ｐｅ、バイアスパワーＰｂは、それぞれ１５ｍＷ、７ｍ
Ｗ、０．７ｍＷに設定した。本発明の上記相変化型光情
報記録媒体に記録された情報のジッタは、オーバーライ
トを１０回行なった場合と、オーバーライトを１０００
回行なった場合のそれぞれについて、記録線速度を８．
５ｍ／ｓと１７．５ｍ／ｓとに設定して“ｄａｔａ ｔ
ｏ ｃｌｏｃｋ”で測定した。オーバーライトを１０回
行なった場合と、オーバーライトを１０００回行なった
場合のそれぞれを、以下ＤＯＷ１０及びＤＯＷ１０００
で示す。８．５ｍ／ｓ記録におけるパルス幅は、７ｎ
ｓ、１７．５ｍ／ｓ記録におけるパルス幅を３ｎｓとし
た。上記相変化型光情報記録媒体の信号特性の評価の結
果を表２に示す。
【００３３】本発明の上記相変化型光情報記録媒体の保
存特性は、ＤＯＷ１０のこの相変化型光情報記録媒体を
８０℃、８５％ＲＨの条件で２００時間保存した後のジ
ッタを測定して評価した。結果を表３に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】
【表３】
【００３７】実施例１〜４と比較例１〜２の特性を示し
た表２、３から明らかなように、比較例に比べ、本発明
における相変化型記録材料を用いた相変化型光情報記録
媒体は、線速が８．５ｍ／ｓ及び１７．５ｍ／ｓの高線
速であっても、良好な繰返し特性と保存特性を有するも
のである。
【００３８】さらに、実施例１〜４と比較例１の比較か
ら、本発明における元素の組み合わせ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓ
ｂ、Ｔｅ、Ｍｇを主要構成元素とした相変化型記録材料
を用いた相変化型光情報記録媒体では、記録線速８．５
ｍ／ｓ、１７．５ｍ／ｓともに繰返し特性を含め、良好
なジッタが得られているのに対して、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓ
ｂ、Ｔｅからなる比較例１では、低線速側の８．５ｍ／
ｓでは良好なジッタが得られているのに対して高線速側
の１７．５ｍ／ｓではジッタが増加し、ＤＶＤの仕様で
ある９％以下を満足していない。このことから、Ｍｇの
添加が、高線速記録に重要な働きを持っていることが判
る。
【００３９】一方、実施例１〜４と比較例２を比較する
と、実施例１〜４では、８０℃、２００時間保存後のジ
ッタがほとんど変化していないのに対して、比較例２の
相変化型光情報記録媒体では、保存後のジッタが大きく
なり、上記のＤＶＤの仕様を満足していない。このこと
から、高速化に効果のあるＭｇを添加し過ぎると、保存
特性が悪化することが判る。また、Ｍｇの代わりにＣａ
を用いても同様の効果を得ることができた。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、高線速、高密度化に対
応でき、繰返し特性と保存特性に優れた相変化型光情報
記録媒体が提供され、光情報記録分野における記録媒体
の設計及び製作に寄与するところはきわめて大きいもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の相変化型光情報記録媒体の例を示す断
面図である。
【図２】本発明の相変化型光情報記録媒体の他の例を示
す断面図である。
【図３】５Ｔマークの記録ストラテジを示す図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 反射層 ６ 有機保護層 ７ 上部保護基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩田 周行 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 三浦 裕司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA32 EA36 EA40 FB04 FB05 FB09 FB12 FB17 FB18 FB20 FB21 FB29 FB30 5D029 JA01

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電磁波の照射により非晶相及び結晶相間
    を可逆的に相転移する相変化型記録材料からなる記録層
    を有する相変化型光情報記録媒体において、該相変化型
    記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ並びにＭｇ及び／
    又はＣａから構成されていることを特徴とする相変化型
    光情報記録媒体。
  2. 【請求項２】 該相変化型記録材料の組成を、ＧｅaＧ
    ａbＳｂcＴｅdＭeとするとき、 １≦ａ≦７ ２≦ｂ≦８ ６０≦ｃ≦８５ １５≦ｄ≦３５ ０＜ｅ≦３ である請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。（た
    だし、Ｍは、Ｍｇ又はＣａであり、数値は、原子％であ
    る。）
  3. 【請求項３】 該相変化型記録材料に、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ
    ｕ、Ｂ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｃ及びＮの中から選ばれた少なく
    とも１種を添加したものである請求項１又は２に記載の
    相変化型光情報記録媒体。
  4. 【請求項４】 該添加量が、３原子％以下である請求項
    ３に記載の相変化型光情報記録媒体。
  5. 【請求項５】 該相変化型記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓ
    ｂ、Ｔｅ及びＭｇ又はＣａからなり、かつＡｇが添加さ
    れたものである請求項３又は４に記載の相変化型光情報
    記録媒体。
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