JP2003032060A - 圧電薄膜共振素子の製造方法およびこれにより製造される圧電薄膜共振素子 - Google Patents
圧電薄膜共振素子の製造方法およびこれにより製造される圧電薄膜共振素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下部電極の下方に良好に空隙部を設けること
ができる圧電薄膜共振素子の製造方法、および、これに
より製造された圧電薄膜共振素子を提供すること。 【解決手段】 圧電薄膜共振素子の製造において、基板
１１上に支持膜１２を設ける工程と、支持膜１２上に、
支持膜１２に接する第１電極膜１３、第２電極膜１５、
およびこれらに挟まれた圧電膜１４からなる積層共振体
１６を形成する工程と、積層共振体１６および支持膜１
２を覆うレジスト膜１７を設ける工程と、レジスト膜１
７に対して、支持膜１２の表面の一部が露出するように
孔部１８を設ける工程と、孔部１８からエッチング液を
導入し、支持膜１２における積層共振体１６の下方領域
の一部を除去して空隙部１９を設ける工程と、レジスト
膜１７を除去する工程と、を含むこととした。
ができる圧電薄膜共振素子の製造方法、および、これに
より製造された圧電薄膜共振素子を提供すること。 【解決手段】 圧電薄膜共振素子の製造において、基板
１１上に支持膜１２を設ける工程と、支持膜１２上に、
支持膜１２に接する第１電極膜１３、第２電極膜１５、
およびこれらに挟まれた圧電膜１４からなる積層共振体
１６を形成する工程と、積層共振体１６および支持膜１
２を覆うレジスト膜１７を設ける工程と、レジスト膜１
７に対して、支持膜１２の表面の一部が露出するように
孔部１８を設ける工程と、孔部１８からエッチング液を
導入し、支持膜１２における積層共振体１６の下方領域
の一部を除去して空隙部１９を設ける工程と、レジスト
膜１７を除去する工程と、を含むこととした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電薄膜共振素子
の製造方法およびこれにより製造される圧電薄膜共振素
子に関する。
の製造方法およびこれにより製造される圧電薄膜共振素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話に代表される移動通信機器の急
速な普及により、弾性表面波素子などによって構成され
る小型軽量フィルタの需要は急激に増大している。弾性
表面波フィルタは、急峻なカットオフ特性を有し、小型
軽量であることから、特に携帯電話におけるＲＦ（radi
o frequency）フィルタやＩＦ（intermediate-frequenc
y）フィルタとして広く利用されている。
速な普及により、弾性表面波素子などによって構成され
る小型軽量フィルタの需要は急激に増大している。弾性
表面波フィルタは、急峻なカットオフ特性を有し、小型
軽量であることから、特に携帯電話におけるＲＦ（radi
o frequency）フィルタやＩＦ（intermediate-frequenc
y）フィルタとして広く利用されている。
【０００３】弾性表面波フィルタは、圧電基板と、その
上に設けられた櫛形電極とからなり、櫛形電極に印可さ
れる交流電圧に従って、圧電基板表面において、特定の
周波数帯域の弾性波を励振するものである。弾性表面波
フィルタでは、櫛形電極に大電力が印可されると、櫛形
電極自体が弾性波による歪みを受けて物理的に断線して
しまう場合があり、この不具合は、櫛形電極の電極指幅
が細くなるほど、即ち高周波フィルタであるほど、顕著
になる。このように、弾性表面波フィルタは耐電力性に
難点があり、特に、アンテナ分波器などのフロントエン
ド部のフィルタとして用いる場合には問題がある。
上に設けられた櫛形電極とからなり、櫛形電極に印可さ
れる交流電圧に従って、圧電基板表面において、特定の
周波数帯域の弾性波を励振するものである。弾性表面波
フィルタでは、櫛形電極に大電力が印可されると、櫛形
電極自体が弾性波による歪みを受けて物理的に断線して
しまう場合があり、この不具合は、櫛形電極の電極指幅
が細くなるほど、即ち高周波フィルタであるほど、顕著
になる。このように、弾性表面波フィルタは耐電力性に
難点があり、特に、アンテナ分波器などのフロントエン
ド部のフィルタとして用いる場合には問題がある。
【０００４】大電力の用途に適したフィルタを構成する
ための有力な手段としては、圧電薄膜共振素子（Film B
ulk Acoustic Resonator、以下「ＦＢＡＲ」と記す）が
知られている。圧電薄膜共振素子は、基板と、金属薄膜
電極により上下から挟まれた圧電薄膜とからなり、基板
に接する下部電極の下側に空隙部が設けられた構造を有
する。上下の電極に電圧を印可すると、圧電効果によ
り、これらに挟まれた圧電膜はその厚み方向に振動し、
電気的共振特性を示す。そして、このような共振器をは
しご型に接続することによって、バンドパスフィルタが
構成される。このようなＦＢＡＲフィルタは非常に優れ
た耐電力性を有することが報告されている。下部電極の
下方に設けられる空隙部は、電気機械結合係数を高め、
通過帯域幅の広いバンドパスフィルタを実現するのに資
する。
ための有力な手段としては、圧電薄膜共振素子（Film B
ulk Acoustic Resonator、以下「ＦＢＡＲ」と記す）が
知られている。圧電薄膜共振素子は、基板と、金属薄膜
電極により上下から挟まれた圧電薄膜とからなり、基板
に接する下部電極の下側に空隙部が設けられた構造を有
する。上下の電極に電圧を印可すると、圧電効果によ
り、これらに挟まれた圧電膜はその厚み方向に振動し、
電気的共振特性を示す。そして、このような共振器をは
しご型に接続することによって、バンドパスフィルタが
構成される。このようなＦＢＡＲフィルタは非常に優れ
た耐電力性を有することが報告されている。下部電極の
下方に設けられる空隙部は、電気機械結合係数を高め、
通過帯域幅の広いバンドパスフィルタを実現するのに資
する。
【０００５】下部電極の下方に空隙部を設ける技術は、
例えば、特開平６−２０４７７６号公報および特開２０
００−６９５９４号公報に開示されている。具体的に
は、特開平６―２０４７７６号公報によると、単結晶シ
リコン基板をＫＯＨ溶液などを用いて異方性エッチング
することにより、基板裏面から、空隙部としての貫通孔
が開設される。一方、特開２０００−６９５９４号公報
によると、まず、基板上に窪みを形成し、そこへ犠牲層
を堆積させる。次いで、研磨によって窪みを填塞する犠
牲層以外を除去した後、犠牲層を覆うように下部電極を
設け、更に圧電膜および上部電極を積層形成する。そし
て、最後に犠牲層を除去することによって、下部電極の
下方に空隙部が形成される。
例えば、特開平６−２０４７７６号公報および特開２０
００−６９５９４号公報に開示されている。具体的に
は、特開平６―２０４７７６号公報によると、単結晶シ
リコン基板をＫＯＨ溶液などを用いて異方性エッチング
することにより、基板裏面から、空隙部としての貫通孔
が開設される。一方、特開２０００−６９５９４号公報
によると、まず、基板上に窪みを形成し、そこへ犠牲層
を堆積させる。次いで、研磨によって窪みを填塞する犠
牲層以外を除去した後、犠牲層を覆うように下部電極を
設け、更に圧電膜および上部電極を積層形成する。そし
て、最後に犠牲層を除去することによって、下部電極の
下方に空隙部が形成される。
【０００６】しかしながら、特開平６−２０４７７６号
公報の方法では、裏面から貫通孔が開設された基板は機
械的強度が低下しているため、製造歩留りの低下を招く
ともに、ウェハからのダイシング工程やパッケージへの
実装工程において、破損を回避するための技術的困難性
を伴ってしまう。また異方性エッチングを行うと、貫通
孔が約５５°の傾斜角を持って広がり形状となってしま
うので、はしご型接続などにおける共振器の近接配置に
おいて不利であり、素子の小型化を充分に図ることがで
きなくなる。一方、特開２０００−６９５９４号公報の
方法では、基板に窪みを設ける工程、犠牲層を堆積する
工程、犠牲層を研磨する工程など、工程数が非常に多
く、低コストで歩留まりのよい製造を達成するのが難し
い。
公報の方法では、裏面から貫通孔が開設された基板は機
械的強度が低下しているため、製造歩留りの低下を招く
ともに、ウェハからのダイシング工程やパッケージへの
実装工程において、破損を回避するための技術的困難性
を伴ってしまう。また異方性エッチングを行うと、貫通
孔が約５５°の傾斜角を持って広がり形状となってしま
うので、はしご型接続などにおける共振器の近接配置に
おいて不利であり、素子の小型化を充分に図ることがで
きなくなる。一方、特開２０００−６９５９４号公報の
方法では、基板に窪みを設ける工程、犠牲層を堆積する
工程、犠牲層を研磨する工程など、工程数が非常に多
く、低コストで歩留まりのよい製造を達成するのが難し
い。
【０００７】また、特開平８−１４８９６８号公報に
も、下部電極の下方に空隙部を有する圧電薄膜共振素子
について開示されている。具体的には、下部電極の下方
に空隙部を有する圧電薄膜共振素子において、下部電極
上に形成される圧電膜の構成材料としてセラミックを採
用する技術が開示されている。しかしながら、当該公報
には、具体的な空隙部形成方法ないし圧電薄膜共振素子
製造方法は開示されていない。
も、下部電極の下方に空隙部を有する圧電薄膜共振素子
について開示されている。具体的には、下部電極の下方
に空隙部を有する圧電薄膜共振素子において、下部電極
上に形成される圧電膜の構成材料としてセラミックを採
用する技術が開示されている。しかしながら、当該公報
には、具体的な空隙部形成方法ないし圧電薄膜共振素子
製造方法は開示されていない。
【０００８】本発明は、このような事情のもとで考え出
されたものであって、上述の従来の問題点を解消ないし
軽減することを課題とし、犠牲層材料を除去するための
研磨技術を用いずに、下部電極の下方に良好に空隙部を
設けることができる圧電薄膜共振素子の製造方法、およ
び、これにより製造された圧電薄膜共振素子を提供する
ことを目的とする。
されたものであって、上述の従来の問題点を解消ないし
軽減することを課題とし、犠牲層材料を除去するための
研磨技術を用いずに、下部電極の下方に良好に空隙部を
設けることができる圧電薄膜共振素子の製造方法、およ
び、これにより製造された圧電薄膜共振素子を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面によ
ると、圧電薄膜共振素子の製造方法が提供される。この
製造方法は、基板上に支持膜を設ける工程と、支持膜上
に、支持膜に接する第１電極膜、第２電極膜、およびこ
れらに挟まれた圧電膜からなる積層共振体を形成する工
程と、積層共振体および支持膜を覆うレジスト膜を設け
る工程と、レジスト膜に対して、支持膜の表面の一部が
露出するように孔部を設ける工程と、孔部からエッチン
グ液を導入し、支持膜における積層共振体の下方領域の
一部を除去して空隙部を設ける工程と、レジスト膜を除
去する工程と、を含むことを特徴とする。
ると、圧電薄膜共振素子の製造方法が提供される。この
製造方法は、基板上に支持膜を設ける工程と、支持膜上
に、支持膜に接する第１電極膜、第２電極膜、およびこ
れらに挟まれた圧電膜からなる積層共振体を形成する工
程と、積層共振体および支持膜を覆うレジスト膜を設け
る工程と、レジスト膜に対して、支持膜の表面の一部が
露出するように孔部を設ける工程と、孔部からエッチン
グ液を導入し、支持膜における積層共振体の下方領域の
一部を除去して空隙部を設ける工程と、レジスト膜を除
去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】このような構成によると、圧電薄膜共振素
子において、基板に接する第１電極膜ないし下部電極の
下方に、良好に空隙部を形成することができる。具体的
には、支持膜と積層共振体とを覆うレジスト膜に対して
支持膜表面の一部が露出するように設けた孔部を介し
て、エッチング液を導入することにより、エッチング液
が、支持膜を侵食して積層共振体の下方領域に回り込
み、空隙部が形成される。このような方法は、基板に窪
みを形成する工程や犠牲層材料の平坦化研磨工程などが
不要であるため、製造歩留りに優れる。また、基板自体
は、貫通孔を有さないので、機械的強度に優れ、実装が
容易である。このように、本発明の第１の側面による
と、犠牲層材料の研磨技術を用いることなく空隙部を設
けることができ、良好な圧電薄膜共振素子を製造するこ
とができるのである。
子において、基板に接する第１電極膜ないし下部電極の
下方に、良好に空隙部を形成することができる。具体的
には、支持膜と積層共振体とを覆うレジスト膜に対して
支持膜表面の一部が露出するように設けた孔部を介し
て、エッチング液を導入することにより、エッチング液
が、支持膜を侵食して積層共振体の下方領域に回り込
み、空隙部が形成される。このような方法は、基板に窪
みを形成する工程や犠牲層材料の平坦化研磨工程などが
不要であるため、製造歩留りに優れる。また、基板自体
は、貫通孔を有さないので、機械的強度に優れ、実装が
容易である。このように、本発明の第１の側面による
と、犠牲層材料の研磨技術を用いることなく空隙部を設
けることができ、良好な圧電薄膜共振素子を製造するこ
とができるのである。
【００１１】本発明の第２の側面によると、圧電薄膜共
振素子の別の製造方法が提供される。この製造方法は、
基板上に支持膜を設ける工程と、支持膜上に、犠牲層を
パターン形成する工程と、支持膜上に、犠牲層の少なく
とも一部に重ねて、支持膜および犠牲層に接する第１電
極膜、第２電極膜、およびこれらに挟まれた圧電膜から
なる積層共振体を形成する工程と、積層共振体、犠牲層
および支持膜を覆うレジスト膜を設ける工程と、レジス
ト膜に対して、犠牲層の表面の一部が露出するように孔
部を設ける工程と、孔部から第１エッチング液を導入す
ることによって犠牲層を除去し、積層共振体の下方領域
に前空隙部を設ける工程と、孔部から第２エッチング液
を導入し、支持膜における積層共振体の下方領域におい
て、前空隙部を拡大して空隙部を設ける工程と、レジス
ト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
振素子の別の製造方法が提供される。この製造方法は、
基板上に支持膜を設ける工程と、支持膜上に、犠牲層を
パターン形成する工程と、支持膜上に、犠牲層の少なく
とも一部に重ねて、支持膜および犠牲層に接する第１電
極膜、第２電極膜、およびこれらに挟まれた圧電膜から
なる積層共振体を形成する工程と、積層共振体、犠牲層
および支持膜を覆うレジスト膜を設ける工程と、レジス
ト膜に対して、犠牲層の表面の一部が露出するように孔
部を設ける工程と、孔部から第１エッチング液を導入す
ることによって犠牲層を除去し、積層共振体の下方領域
に前空隙部を設ける工程と、孔部から第２エッチング液
を導入し、支持膜における積層共振体の下方領域におい
て、前空隙部を拡大して空隙部を設ける工程と、レジス
ト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】このような構成によると、空隙部サイズに
ついて、より良好に制御することができるとともに、第
１の側面と同様の効果を奏することができる。具体的に
は、、まず、支持膜上に設けられた犠牲層をエッチング
することによって、積層共振体の下方に前空隙部が形成
される。次いで、空隙部は、当該前空隙部を通って積層
共振体の下方に回り込んだ第２エッチング液が、前空隙
部を拡大することにより形成される。前空隙部を適切な
サイズで開設しておくことによって、空隙部について
は、基板の広がり方向において必要以上に広がるのを回
避して、良好なサイズで形成することができ、素子の小
型化に資することができるのである。また、第２の側面
に係る製造方法は、犠牲層の加工により空隙部を任意の
形状に制御できるので、フィルタ設計の自由度に優れ、
共振特性の改善に有効である。第１電極膜にできる段差
は、犠牲層の膜厚と同じだけであるので、非常に小さく
抑えることができる。そのため、空隙部を形成した後の
第１電極膜の強度が過度に低下するのを抑制することが
できる。このように、本発明の第２の側面によると、空
隙部のサイズを好適に制御しつつ、第１の側面に関して
上述したのと同様に、良好な圧電薄膜共振素子を製造す
ることが可能となるのである。
ついて、より良好に制御することができるとともに、第
１の側面と同様の効果を奏することができる。具体的に
は、、まず、支持膜上に設けられた犠牲層をエッチング
することによって、積層共振体の下方に前空隙部が形成
される。次いで、空隙部は、当該前空隙部を通って積層
共振体の下方に回り込んだ第２エッチング液が、前空隙
部を拡大することにより形成される。前空隙部を適切な
サイズで開設しておくことによって、空隙部について
は、基板の広がり方向において必要以上に広がるのを回
避して、良好なサイズで形成することができ、素子の小
型化に資することができるのである。また、第２の側面
に係る製造方法は、犠牲層の加工により空隙部を任意の
形状に制御できるので、フィルタ設計の自由度に優れ、
共振特性の改善に有効である。第１電極膜にできる段差
は、犠牲層の膜厚と同じだけであるので、非常に小さく
抑えることができる。そのため、空隙部を形成した後の
第１電極膜の強度が過度に低下するのを抑制することが
できる。このように、本発明の第２の側面によると、空
隙部のサイズを好適に制御しつつ、第１の側面に関して
上述したのと同様に、良好な圧電薄膜共振素子を製造す
ることが可能となるのである。
【００１３】支持膜の形成には、二酸化ケイ素、酸化マ
グネシウム、酸化亜鉛、ＰＳＧ（リン添加シリコンガラ
ス）、ＢＳＧ（ホウ素添加シリコンガラス）、ＢＰＳＧ
（ホウ素とリンを添加したシリコンガラス）、ＳＯＧ
（スピンオンガラス）などの絶縁材料を用いることがで
きる。支持膜の膜厚は、好ましくは、１〜５０μｍであ
り、空隙部の深さ以上としてもよい。
グネシウム、酸化亜鉛、ＰＳＧ（リン添加シリコンガラ
ス）、ＢＳＧ（ホウ素添加シリコンガラス）、ＢＰＳＧ
（ホウ素とリンを添加したシリコンガラス）、ＳＯＧ
（スピンオンガラス）などの絶縁材料を用いることがで
きる。支持膜の膜厚は、好ましくは、１〜５０μｍであ
り、空隙部の深さ以上としてもよい。
【００１４】第１電極膜および第２電極膜の形成には、
モリブデン、タンタル、タングステン、ニッケル、ニオ
ブ、金、白金、銅、パラジウム、アルミニウム、チタ
ン、クロム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ニオブ、
モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングス
テンシリサイド、ニオブシリサイド、クロムシリサイド
などを用いることができる。
モリブデン、タンタル、タングステン、ニッケル、ニオ
ブ、金、白金、銅、パラジウム、アルミニウム、チタ
ン、クロム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ニオブ、
モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングス
テンシリサイド、ニオブシリサイド、クロムシリサイド
などを用いることができる。
【００１５】圧電膜の形成には、窒化アルミニウムや酸
化亜鉛などを用いることができる。また、本発明の第２
の側面において、犠牲層は、酸化マグネシウムや酸化亜
鉛などにより形成することができ、第１電極膜よりも薄
く形成するのが好ましい。
化亜鉛などを用いることができる。また、本発明の第２
の側面において、犠牲層は、酸化マグネシウムや酸化亜
鉛などにより形成することができ、第１電極膜よりも薄
く形成するのが好ましい。
【００１６】本発明の第２の側面において、好ましい実
施の形態では、犠牲層を設けた後、支持膜と犠牲層とが
面一状となるように、支持膜上に追加支持膜材料を積層
する工程を更に行う。好ましくは、犠牲層は、第１ラン
ド部、第２ランド部、およびこれらに接続する連結部を
有するように形成され、積層共振体は、第１ランド部を
覆うように形成され、孔部は、第２ランド部の少なくと
も一部の表面が露出するように形成される。また、レジ
スト膜に対して孔部を設ける工程では、第１電極膜にお
ける犠牲層に重なる部位の表面を露出させた後、当該露
出面を除去することによって犠牲層の表面の一部を露出
させてもよい。
施の形態では、犠牲層を設けた後、支持膜と犠牲層とが
面一状となるように、支持膜上に追加支持膜材料を積層
する工程を更に行う。好ましくは、犠牲層は、第１ラン
ド部、第２ランド部、およびこれらに接続する連結部を
有するように形成され、積層共振体は、第１ランド部を
覆うように形成され、孔部は、第２ランド部の少なくと
も一部の表面が露出するように形成される。また、レジ
スト膜に対して孔部を設ける工程では、第１電極膜にお
ける犠牲層に重なる部位の表面を露出させた後、当該露
出面を除去することによって犠牲層の表面の一部を露出
させてもよい。
【００１７】本発明において、支持膜に対するエッチン
グ液および第２エッチング液としては、フッ化水素酸水
溶液、酢酸水溶液、りん酸水溶液などを用いることがで
きる。一方、本発明の第２の側面において、犠牲層に対
する第１エッチング液としては、酢酸水溶液やりん酸水
溶液を用いることができる。
グ液および第２エッチング液としては、フッ化水素酸水
溶液、酢酸水溶液、りん酸水溶液などを用いることがで
きる。一方、本発明の第２の側面において、犠牲層に対
する第１エッチング液としては、酢酸水溶液やりん酸水
溶液を用いることができる。
【００１８】本発明の第３の側面によると、圧電気薄膜
共振器が提供される。この圧電薄膜共振素子は、基板
と、基板に積層された支持膜と、支持膜上において、支
持膜に接する第１電極膜、第２電極膜、およびこれらの
間の圧電膜からなる積層共振体と、を備え、支持膜にお
ける積層共振体の下方領域の一部には空隙部が設けられ
ており、第１電極膜における空隙部に臨む領域の一部は
退避していることを特徴とする。
共振器が提供される。この圧電薄膜共振素子は、基板
と、基板に積層された支持膜と、支持膜上において、支
持膜に接する第１電極膜、第２電極膜、およびこれらの
間の圧電膜からなる積層共振体と、を備え、支持膜にお
ける積層共振体の下方領域の一部には空隙部が設けられ
ており、第１電極膜における空隙部に臨む領域の一部は
退避していることを特徴とする。
【００１９】このような構成の圧電薄膜共振素子は、上
述の第２の側面において、追加支持膜材料を積層形成し
ない場合の製造方法で作製される。したがって、第３の
側面に係る圧電薄膜共振素子によっても、第２の側面に
関して上述したのと同様の効果が奏される。
述の第２の側面において、追加支持膜材料を積層形成し
ない場合の製造方法で作製される。したがって、第３の
側面に係る圧電薄膜共振素子によっても、第２の側面に
関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
における一連の工程を平面図で表したものである。図２
は、図１に示す一連の工程についての線II―IIに沿った
断面図であり、図３は、線III―IIIに沿った断面図であ
る。
における一連の工程を平面図で表したものである。図２
は、図１に示す一連の工程についての線II―IIに沿った
断面図であり、図３は、線III―IIIに沿った断面図であ
る。
【００２１】本実施形態では、まず、図１（ａ）、図２
（ａ）および図３（ａ）に示すように、スパッタリング
法などにより、シリコン基板１１上に、酸化マグネシウ
ムを５μｍの厚さで成膜して、支持膜１２を形成する。
（ａ）および図３（ａ）に示すように、スパッタリング
法などにより、シリコン基板１１上に、酸化マグネシウ
ムを５μｍの厚さで成膜して、支持膜１２を形成する。
【００２２】次に、図１（ｂ）、図２（ｂ）および図３
（ｂ）に示すように、支持膜１２上に、第１電極膜１
３、圧電膜１４、第２電極膜１５からなる積層共振体１
６を形成する。具体的には、まず、スパッタリング法な
どにより、支持膜１２上にモリブデン膜を１００ｎｍの
厚さで成膜する。次いで、フォトリソグラフィとドライ
エッチングまたはウェットエッチングとにより、モリブ
デン膜を所望の形状に加工して第１電極膜１３を形成す
る。ドライエッチングとしてはＲＩＥを採用することが
できる。また、ウエットエッチングにおいては、エッチ
ング液として、硝酸第二セリウムアンモニウムを用いる
ことができる。次いで、スパッタリング法などにより、
後に圧電膜１４となる窒化アルミニウム膜を５００ｎｍ
の厚さで成膜する。本発明では、ここで、窒化アルミニ
ウムの代わりに酸化亜鉛を用いることもできる。次い
で、スパッタリング法などにより、窒化アルミニウム膜
上にモリブデン膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。次い
で、第１電極膜１３と同様の方法により、モリブデン膜
を所望の形状に加工して第２電極膜１５を形成する。次
いで、フォトリソグラフィとウェットエッチングとによ
り窒化アルミニウム膜を所望の形状に加工して、第１電
極膜１３および第２電極膜１５に挟まれた部位を有する
圧電膜１４を形成する。このとき、ウエットエッチング
においては、エッチング液として、加熱リン酸を用いる
ことができる。ただし、窒化アルミニウムに代えて酸化
亜鉛により圧電膜１４を形成する場合には、エッチング
液には酢酸水溶液を用いる。
（ｂ）に示すように、支持膜１２上に、第１電極膜１
３、圧電膜１４、第２電極膜１５からなる積層共振体１
６を形成する。具体的には、まず、スパッタリング法な
どにより、支持膜１２上にモリブデン膜を１００ｎｍの
厚さで成膜する。次いで、フォトリソグラフィとドライ
エッチングまたはウェットエッチングとにより、モリブ
デン膜を所望の形状に加工して第１電極膜１３を形成す
る。ドライエッチングとしてはＲＩＥを採用することが
できる。また、ウエットエッチングにおいては、エッチ
ング液として、硝酸第二セリウムアンモニウムを用いる
ことができる。次いで、スパッタリング法などにより、
後に圧電膜１４となる窒化アルミニウム膜を５００ｎｍ
の厚さで成膜する。本発明では、ここで、窒化アルミニ
ウムの代わりに酸化亜鉛を用いることもできる。次い
で、スパッタリング法などにより、窒化アルミニウム膜
上にモリブデン膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。次い
で、第１電極膜１３と同様の方法により、モリブデン膜
を所望の形状に加工して第２電極膜１５を形成する。次
いで、フォトリソグラフィとウェットエッチングとによ
り窒化アルミニウム膜を所望の形状に加工して、第１電
極膜１３および第２電極膜１５に挟まれた部位を有する
圧電膜１４を形成する。このとき、ウエットエッチング
においては、エッチング液として、加熱リン酸を用いる
ことができる。ただし、窒化アルミニウムに代えて酸化
亜鉛により圧電膜１４を形成する場合には、エッチング
液には酢酸水溶液を用いる。
【００２３】次に、図１（ｃ）、図２（ｃ−１）および
図３（ｃ−１）に示すように、支持膜１２および積層共
振体１６を覆うようにフォトレジスト１７を形成し、当
該フォトレジスト１７に対して、フォトリソグラフィに
より、支持膜１２の表面が露出するように、孔部１８を
開設する。フォトレジスト１７としては、例えば、ノボ
ラック系ポジ型レジストを用いる。本実施形態では、孔
部１８は、第１電極膜１３の近傍、即ち図１および図２
においては、左右両脇に１つずつ設けられる。次いで、
これを、酸化マグネシウムよりなる支持膜１２に対する
エッチング液としての酢酸水溶液に浸漬するなどして、
酢酸水溶液を孔部１８へと導入する。ただし、簡略化の
観点より、エッチング液は図示しない。すると、図２
（ｃ−２）および図３（ｃ−２）に示すように、支持膜
１２に対するエッチングが、各孔部１８に臨む部位を中
心に、等方的に進行する。そして、更にエッチングが進
行すると、図２（ｃ−３）および図３（ｃ−３）に示す
ように、等方的に進行してきた２つのエッチングパスが
連通する。この時点で基板１１を酢酸水溶液から引き上
げてエッチングを停止して、空隙部１９の形成を終了す
る。
図３（ｃ−１）に示すように、支持膜１２および積層共
振体１６を覆うようにフォトレジスト１７を形成し、当
該フォトレジスト１７に対して、フォトリソグラフィに
より、支持膜１２の表面が露出するように、孔部１８を
開設する。フォトレジスト１７としては、例えば、ノボ
ラック系ポジ型レジストを用いる。本実施形態では、孔
部１８は、第１電極膜１３の近傍、即ち図１および図２
においては、左右両脇に１つずつ設けられる。次いで、
これを、酸化マグネシウムよりなる支持膜１２に対する
エッチング液としての酢酸水溶液に浸漬するなどして、
酢酸水溶液を孔部１８へと導入する。ただし、簡略化の
観点より、エッチング液は図示しない。すると、図２
（ｃ−２）および図３（ｃ−２）に示すように、支持膜
１２に対するエッチングが、各孔部１８に臨む部位を中
心に、等方的に進行する。そして、更にエッチングが進
行すると、図２（ｃ−３）および図３（ｃ−３）に示す
ように、等方的に進行してきた２つのエッチングパスが
連通する。この時点で基板１１を酢酸水溶液から引き上
げてエッチングを停止して、空隙部１９の形成を終了す
る。
【００２４】次に、図１（ｄ）、図２（ｄ）および図３
（ｄ）に示すように、フォトレジスト１７を除去するこ
とによって、第１電極膜１３の下方に５μｍの深さの空
隙部１９を有する圧電薄膜共振素子１０が完成する。
（ｄ）に示すように、フォトレジスト１７を除去するこ
とによって、第１電極膜１３の下方に５μｍの深さの空
隙部１９を有する圧電薄膜共振素子１０が完成する。
【００２５】以上の一連の工程によって作製された圧電
薄膜共振素子１０をはしご型に接続することにより、バ
ンドパスフィルタを構成することができる。例えば、第
１電極膜１３と第２電極膜１４との重なり部分の一辺の
長さＡを、直列共振器で４０μｍ程度に、並列共振器で
は１００μｍ程度にすると、中心周波数が５ＧＨｚ帯の
フィルタを構成することができる。
薄膜共振素子１０をはしご型に接続することにより、バ
ンドパスフィルタを構成することができる。例えば、第
１電極膜１３と第２電極膜１４との重なり部分の一辺の
長さＡを、直列共振器で４０μｍ程度に、並列共振器で
は１００μｍ程度にすると、中心周波数が５ＧＨｚ帯の
フィルタを構成することができる。
【００２６】図４は、本発明の第２の実施形態における
一連の工程を平面図で表したものである。図５は、図４
に示す一連の工程についての線Ｖ―Ｖに沿った断面図で
あり、図６は、線ＶＩ―ＶＩに沿った断面図である。
一連の工程を平面図で表したものである。図５は、図４
に示す一連の工程についての線Ｖ―Ｖに沿った断面図で
あり、図６は、線ＶＩ―ＶＩに沿った断面図である。
【００２７】本実施形態では、まず、図４（ａ）、図５
（ａ）および図６（ａ）に示すように、シリコン基板２
１に対して支持膜２２および犠牲層２２’を形成する。
具体的には、プラズマＣＶＤ法などにより、シリコン基
板２１上に、二酸化ケイ素膜を５μｍの厚さで成膜する
ことによって、支持膜２２を形成する。続いて、電子ビ
ーム蒸着法などにより、支持膜２２上に、酸化マグネシ
ウム膜を１０ｎｍの厚さで成膜し、これをフォトリソグ
ラフィとウェットエッチングまたはドライエッチングと
によりパターン加工することによって、犠牲層２２’を
形成する。ウエットエッチングの場合には、エッチング
液として酢酸水溶液を用いる。本実施形態では、犠牲層
２２’は、第１アイランド部２２’ａと、２つの第２ア
イランド部２２’ｂと、これらを接続する連結部２２’
ｃとからなるように、パターン形成される。犠牲層２
２’は、支持膜２２および後出の第１電極膜２３に対し
てエッチングの選択比が大きい材料によって形成するこ
とができ、例えば酸化亜鉛などを用いることもできる。
（ａ）および図６（ａ）に示すように、シリコン基板２
１に対して支持膜２２および犠牲層２２’を形成する。
具体的には、プラズマＣＶＤ法などにより、シリコン基
板２１上に、二酸化ケイ素膜を５μｍの厚さで成膜する
ことによって、支持膜２２を形成する。続いて、電子ビ
ーム蒸着法などにより、支持膜２２上に、酸化マグネシ
ウム膜を１０ｎｍの厚さで成膜し、これをフォトリソグ
ラフィとウェットエッチングまたはドライエッチングと
によりパターン加工することによって、犠牲層２２’を
形成する。ウエットエッチングの場合には、エッチング
液として酢酸水溶液を用いる。本実施形態では、犠牲層
２２’は、第１アイランド部２２’ａと、２つの第２ア
イランド部２２’ｂと、これらを接続する連結部２２’
ｃとからなるように、パターン形成される。犠牲層２
２’は、支持膜２２および後出の第１電極膜２３に対し
てエッチングの選択比が大きい材料によって形成するこ
とができ、例えば酸化亜鉛などを用いることもできる。
【００２８】次に、図４（ｂ）、図５（ｂ）および図６
（ｂ）に示すように、支持膜２２上において、第１電極
膜２３、圧電膜２４、第２電極膜２５からなる積層共振
体２６を形成する。具体的には、まず、スパッタリング
法などにより、モリブデン膜を１００ｎｍの厚さで成膜
する。次いで、フォトリソグラフィとドライエッチング
またはウェットエッチングとにより、モリブデン膜を一
部が犠牲層２２’に重なるように加工して、第１電極膜
２３を形成する。このとき、第１電極膜２３の図中下面
には、犠牲層２２’に対応して、１０ｎｍの段差が生じ
ている。次いで、スパッタリング法などにより、後に圧
電膜２４となる窒化アルミニウム膜を５００ｎｍの厚さ
で成膜する。次いで、スパッタリング法などにより、モ
リブデン膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。次いで、フ
ォトリソグラフィとドライエッチングまたはウェットエ
ッチングとにより、モリブデン膜を所望の形状に加工し
て第２電極膜２５を形成する。次いで、フォトリソグラ
フィとウェットエッチングとにより窒化アルミニウム膜
を所望の形状に加工して、第１電極膜２３および第２電
極膜２５に挟まれた部位を有する圧電膜２４を形成す
る。
（ｂ）に示すように、支持膜２２上において、第１電極
膜２３、圧電膜２４、第２電極膜２５からなる積層共振
体２６を形成する。具体的には、まず、スパッタリング
法などにより、モリブデン膜を１００ｎｍの厚さで成膜
する。次いで、フォトリソグラフィとドライエッチング
またはウェットエッチングとにより、モリブデン膜を一
部が犠牲層２２’に重なるように加工して、第１電極膜
２３を形成する。このとき、第１電極膜２３の図中下面
には、犠牲層２２’に対応して、１０ｎｍの段差が生じ
ている。次いで、スパッタリング法などにより、後に圧
電膜２４となる窒化アルミニウム膜を５００ｎｍの厚さ
で成膜する。次いで、スパッタリング法などにより、モ
リブデン膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。次いで、フ
ォトリソグラフィとドライエッチングまたはウェットエ
ッチングとにより、モリブデン膜を所望の形状に加工し
て第２電極膜２５を形成する。次いで、フォトリソグラ
フィとウェットエッチングとにより窒化アルミニウム膜
を所望の形状に加工して、第１電極膜２３および第２電
極膜２５に挟まれた部位を有する圧電膜２４を形成す
る。
【００２９】次に、図４（ｃ）、図５（ｃ−１）および
図６（ｃ−１）に示すように、支持膜２２および積層共
振体２６を覆うようにフォトレジスト２７を形成し、当
該フォトレジスト２７に対して、フォトリソグラフィに
より、犠牲２２’の第２アイランド部２２’ｂの表面が
露出するように、孔部２８を開設する。次いで、これ
を、酸化マグネシウムよりなる犠牲層２２’に対するエ
ッチング液としての酢酸水溶液に浸漬し、酢酸水溶液を
孔部２８に導入する。これによって、積層共振体２６の
下方に渡って前空隙部２９’が形成される。このとき二
酸化ケイ素よりなる支持膜２２は、酢酸水溶液によって
有意にはエッチングされない。前空隙部２９’の形成の
後、更に、二酸化ケイ素よりなる支持膜２２に対するエ
ッチング液としてのフッ化水素酸緩衝液に浸漬する。こ
のときフッ化水素酸緩衝液は、前空隙部２９’を通っ
て、積層共振体２６の下方中央領域へと直ちに浸透す
る。そして、支持膜２２に対するエッチングは、図５
（ｃ−２）および図６（ｃ−２）に示すように、第１電
極膜２３から基板２１に向かう方向に一様に進行する。
次いで、図５（ｃ−３）および図６（ｃ−３）に示すよ
うに、支持膜２２が、その膜厚分の５μｍの深さにまで
エッチングされた時点で基板２１をフッ化水素酸緩衝液
から引き上げ、エッチングを停止する。
図６（ｃ−１）に示すように、支持膜２２および積層共
振体２６を覆うようにフォトレジスト２７を形成し、当
該フォトレジスト２７に対して、フォトリソグラフィに
より、犠牲２２’の第２アイランド部２２’ｂの表面が
露出するように、孔部２８を開設する。次いで、これ
を、酸化マグネシウムよりなる犠牲層２２’に対するエ
ッチング液としての酢酸水溶液に浸漬し、酢酸水溶液を
孔部２８に導入する。これによって、積層共振体２６の
下方に渡って前空隙部２９’が形成される。このとき二
酸化ケイ素よりなる支持膜２２は、酢酸水溶液によって
有意にはエッチングされない。前空隙部２９’の形成の
後、更に、二酸化ケイ素よりなる支持膜２２に対するエ
ッチング液としてのフッ化水素酸緩衝液に浸漬する。こ
のときフッ化水素酸緩衝液は、前空隙部２９’を通っ
て、積層共振体２６の下方中央領域へと直ちに浸透す
る。そして、支持膜２２に対するエッチングは、図５
（ｃ−２）および図６（ｃ−２）に示すように、第１電
極膜２３から基板２１に向かう方向に一様に進行する。
次いで、図５（ｃ−３）および図６（ｃ−３）に示すよ
うに、支持膜２２が、その膜厚分の５μｍの深さにまで
エッチングされた時点で基板２１をフッ化水素酸緩衝液
から引き上げ、エッチングを停止する。
【００３０】次に、図４（ｄ）、図５（ｄ）および図６
（ｄ）に示すように、フォトレジスト２７を除去するこ
とによって、第１電極膜２３の下方に５μｍの深さの空
隙部２９を有する圧電薄膜共振素子２０が完成する。
（ｄ）に示すように、フォトレジスト２７を除去するこ
とによって、第１電極膜２３の下方に５μｍの深さの空
隙部２９を有する圧電薄膜共振素子２０が完成する。
【００３１】以上の一連の工程によって作製された圧電
薄膜共振素子２０をはしご型に接続することにより、第
１の実施形態の圧電薄膜共振素子１０と同様に、バンド
パスフィルタを構成することができる。
薄膜共振素子２０をはしご型に接続することにより、第
１の実施形態の圧電薄膜共振素子１０と同様に、バンド
パスフィルタを構成することができる。
【００３２】本実施形態では、支持膜２２に対するエッ
チングは、図５（ｃ−２）および図６（ｃ−２）に示す
ように、第１電極膜２３から基板２１に向かう方向に一
様に進行し、図５（ｃ−３）および図６（ｃ−３）に示
すように、支持膜２２の膜厚分が侵食除去された時点で
エッチングを停止することができる。したがって、支持
膜２２のエッチングに要する時間は、当該支持膜２２の
膜厚に依存し、最終的に形成される空隙部２９の広がり
方向の大きさには依存しない。すなわち、略等方的に進
行するエッチングにおいては、支持膜２２の膜厚方向に
５μｍエッチングが進行したときには、積層共振体２６
から離れる方向への空隙部２９の広がりも、もともと第
２アイランド部２２’ｂが存在していた部位から５μｍ
に抑えられるのである。このように空隙部２９の広がり
を抑制することができるので、複数の圧電薄膜共振素子
によってはしご型に接続してバンドパスフィルタを構成
する場合においては、フィルタ全体を小型化することが
できる。また、犠牲層２２’を任意に加工することによ
り、空隙部２９の形状を制御することができるので、設
計の自由度が大きくなり、その結果、フィルタ特性を向
上することも可能となる。
チングは、図５（ｃ−２）および図６（ｃ−２）に示す
ように、第１電極膜２３から基板２１に向かう方向に一
様に進行し、図５（ｃ−３）および図６（ｃ−３）に示
すように、支持膜２２の膜厚分が侵食除去された時点で
エッチングを停止することができる。したがって、支持
膜２２のエッチングに要する時間は、当該支持膜２２の
膜厚に依存し、最終的に形成される空隙部２９の広がり
方向の大きさには依存しない。すなわち、略等方的に進
行するエッチングにおいては、支持膜２２の膜厚方向に
５μｍエッチングが進行したときには、積層共振体２６
から離れる方向への空隙部２９の広がりも、もともと第
２アイランド部２２’ｂが存在していた部位から５μｍ
に抑えられるのである。このように空隙部２９の広がり
を抑制することができるので、複数の圧電薄膜共振素子
によってはしご型に接続してバンドパスフィルタを構成
する場合においては、フィルタ全体を小型化することが
できる。また、犠牲層２２’を任意に加工することによ
り、空隙部２９の形状を制御することができるので、設
計の自由度が大きくなり、その結果、フィルタ特性を向
上することも可能となる。
【００３３】図７は、本発明の第３の実施形態に係る圧
電薄膜共振素子３０の断面図であり、第２の実施形態に
おける図６（ｄ）に相当する。具体的には、シリコン基
板３１に対して、支持膜３２と、積層共振体３６とが形
成されている。支持膜３１には、空隙部３９が開設され
ており、積層共振体３６は、第１電極膜３３、圧電膜３
４、第２電極膜３５からなる。各構成材料については、
第２の実施形態に関して上述したのと同様である。本実
施形態では、第２の実施形態に係る図４（ａ）、図５
（ａ）および図６（ａ）に相当する工程において、支持
膜３１を１０μｍの膜厚で形成する。そして、第２の実
施形態に係る図５（ｃ−２）および図６（ｃ−２）に相
当する工程において、フッ化水素酸緩衝液による支持膜
３１に対するエッチングを、積層共振体３６から基板３
１の方向へ５μｍ進行した時点で停止する。他の一連の
工程については、第２の実施形態に関して上述したのと
同様である。
電薄膜共振素子３０の断面図であり、第２の実施形態に
おける図６（ｄ）に相当する。具体的には、シリコン基
板３１に対して、支持膜３２と、積層共振体３６とが形
成されている。支持膜３１には、空隙部３９が開設され
ており、積層共振体３６は、第１電極膜３３、圧電膜３
４、第２電極膜３５からなる。各構成材料については、
第２の実施形態に関して上述したのと同様である。本実
施形態では、第２の実施形態に係る図４（ａ）、図５
（ａ）および図６（ａ）に相当する工程において、支持
膜３１を１０μｍの膜厚で形成する。そして、第２の実
施形態に係る図５（ｃ−２）および図６（ｃ−２）に相
当する工程において、フッ化水素酸緩衝液による支持膜
３１に対するエッチングを、積層共振体３６から基板３
１の方向へ５μｍ進行した時点で停止する。他の一連の
工程については、第２の実施形態に関して上述したのと
同様である。
【００３４】本実施形態では、積層共振体３６の下方に
位置する空隙部３９の下方にも支持膜３２が残存し、基
板３１と支持膜３２との接触面積が広く確保されてい
る。その結果、両者の密着性が良好なものとなってい
る。
位置する空隙部３９の下方にも支持膜３２が残存し、基
板３１と支持膜３２との接触面積が広く確保されてい
る。その結果、両者の密着性が良好なものとなってい
る。
【００３５】図８は、本発明の第４の実施形態に係る圧
電薄膜共振素子４０の製造過程における１つの工程の平
面図であり、第２の実施形態における図４（ｂ）に相当
する。具体的には、シリコン基板４１に対して、支持膜
４２と、犠牲層４２’と、第１電極膜４３、圧電膜４４
および第２電極膜４５からなる積層共振体４６とが形成
された構造を表している。本実施形態における犠牲層４
２’は、積層共振体４６の下方に位置する第１アイラン
ド部４２’ａと、積層共振体４６からは位置ずれして設
けられている４つの第２アイランド４２ｂ’と、第１ア
イランド部４２’ａと、各第２アイランド部４２’ｂと
を接続する４本の連結部４２’ｃとからなる。他の構成
は、第２の実施形態に関して上述したのと同様である。
電薄膜共振素子４０の製造過程における１つの工程の平
面図であり、第２の実施形態における図４（ｂ）に相当
する。具体的には、シリコン基板４１に対して、支持膜
４２と、犠牲層４２’と、第１電極膜４３、圧電膜４４
および第２電極膜４５からなる積層共振体４６とが形成
された構造を表している。本実施形態における犠牲層４
２’は、積層共振体４６の下方に位置する第１アイラン
ド部４２’ａと、積層共振体４６からは位置ずれして設
けられている４つの第２アイランド４２ｂ’と、第１ア
イランド部４２’ａと、各第２アイランド部４２’ｂと
を接続する４本の連結部４２’ｃとからなる。他の構成
は、第２の実施形態に関して上述したのと同様である。
【００３６】本実施形態では、第２の実施形態に係る図
４（ｃ）、図５（ｃ−１）および図６(ｃ−１）に相当
する工程において、支持膜４２、犠牲層４２’および積
層共振体４６を覆うように設けられたフォトレジスト４
７に対して、犠牲層４２’の各第２アイランド部４２’
ｂの表面が露出するように、計４つの孔部４８を開設す
る。そして、当該孔部４８を介して、犠牲層４２’に対
するエッチング液である酢酸水溶液を導入することによ
って、積層共振体４６の下方に前空隙部を形成し、続い
て、支持膜４２に対するエッチング液であるフッ化水素
酸緩衝液を導入することによって、空隙部を形成する。
他の一連の工程については、第２の実施形態に関して上
述したのと同様である。本実施形態においては、より多
数の孔部４８を介してエッチング液が導入されるため、
犠牲層４２’および支持膜４２のエッチング時間を短縮
することが可能となる。
４（ｃ）、図５（ｃ−１）および図６(ｃ−１）に相当
する工程において、支持膜４２、犠牲層４２’および積
層共振体４６を覆うように設けられたフォトレジスト４
７に対して、犠牲層４２’の各第２アイランド部４２’
ｂの表面が露出するように、計４つの孔部４８を開設す
る。そして、当該孔部４８を介して、犠牲層４２’に対
するエッチング液である酢酸水溶液を導入することによ
って、積層共振体４６の下方に前空隙部を形成し、続い
て、支持膜４２に対するエッチング液であるフッ化水素
酸緩衝液を導入することによって、空隙部を形成する。
他の一連の工程については、第２の実施形態に関して上
述したのと同様である。本実施形態においては、より多
数の孔部４８を介してエッチング液が導入されるため、
犠牲層４２’および支持膜４２のエッチング時間を短縮
することが可能となる。
【００３７】図９は、本発明の第５の実施形態における
一連の工程を平面図で表したものである。図１０は、図
９に示す一連の工程についての線Ｘ―Ｘに沿った断面図
であり、図１１は、線ＸＩ―ＸＩに沿った断面図であ
る。
一連の工程を平面図で表したものである。図１０は、図
９に示す一連の工程についての線Ｘ―Ｘに沿った断面図
であり、図１１は、線ＸＩ―ＸＩに沿った断面図であ
る。
【００３８】本実施形態では、まず、図９（ａ）、図１
０（ａ）および図１１（ａ）に示すように、シリコン基
板５１に対して支持膜５２および犠牲層５２’を形成す
る。具体的には、プラズマＣＶＤ法などにより、シリコ
ン基板５１上に、二酸化ケイ素膜を５μｍの厚さで成膜
することによって、支持膜５２を形成する。続いて、電
子ビーム蒸着法などにより、支持膜５２上に、酸化マグ
ネシウム膜を１０ｎｍの厚さで成膜し、これをフォトリ
ソグラフィとウェットエッチングまたはドライエッチン
グとによりパターン加工することによって、犠牲層５
２’を形成する。ウエットエッチングの場合には、エッ
チング液として酢酸水溶液を用いる。本実施形態では、
犠牲層５２’は、第１アイランド部５２’ａと、２つの
第２アイランド部５２’ｂと、これらを接続する連結部
５２’ｃとからなるように、パターン形成される。犠牲
層５２’は、支持膜５２および後出の第１電極膜５３に
対してエッチングの選択比が大きい材料によって形成す
ることができ、例えば酸化亜鉛などを用いることもでき
る。
０（ａ）および図１１（ａ）に示すように、シリコン基
板５１に対して支持膜５２および犠牲層５２’を形成す
る。具体的には、プラズマＣＶＤ法などにより、シリコ
ン基板５１上に、二酸化ケイ素膜を５μｍの厚さで成膜
することによって、支持膜５２を形成する。続いて、電
子ビーム蒸着法などにより、支持膜５２上に、酸化マグ
ネシウム膜を１０ｎｍの厚さで成膜し、これをフォトリ
ソグラフィとウェットエッチングまたはドライエッチン
グとによりパターン加工することによって、犠牲層５
２’を形成する。ウエットエッチングの場合には、エッ
チング液として酢酸水溶液を用いる。本実施形態では、
犠牲層５２’は、第１アイランド部５２’ａと、２つの
第２アイランド部５２’ｂと、これらを接続する連結部
５２’ｃとからなるように、パターン形成される。犠牲
層５２’は、支持膜５２および後出の第１電極膜５３に
対してエッチングの選択比が大きい材料によって形成す
ることができ、例えば酸化亜鉛などを用いることもでき
る。
【００３９】次に、図９（ｂ）、図１０（ｂ）および図
１１（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法などによ
り、支持膜５２および犠牲層５２’上に、二酸化ケイ素
を１０ｎｍの厚みで、即ち犠牲層５２’と同じ厚みで積
層する。
１１（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法などによ
り、支持膜５２および犠牲層５２’上に、二酸化ケイ素
を１０ｎｍの厚みで、即ち犠牲層５２’と同じ厚みで積
層する。
【００４０】次に、図９（ｃ）、図１０（ｃ）および図
１１（ｃ）に示すように、レジストを用いたエッチバッ
ク法により、犠牲層５２’上に堆積する二酸化ケイ素を
除去し、支持膜５２と犠牲層５２’とが面一となるよう
に平坦化する。
１１（ｃ）に示すように、レジストを用いたエッチバッ
ク法により、犠牲層５２’上に堆積する二酸化ケイ素を
除去し、支持膜５２と犠牲層５２’とが面一となるよう
に平坦化する。
【００４１】次に、図９（ｄ）、図１０（ｄ）および図
１１（ｄ）に示すように、支持膜５２上において、第１
電極膜５３、圧電膜５４、第２電極膜５５からなる積層
共振体５６を形成する。具体的な工程は、第２の実施形
態に関して上述したのと同様である。ただし、第２の実
施形態とは異なり、本実施形態では第１電極膜５３には
段差が生じていない。
１１（ｄ）に示すように、支持膜５２上において、第１
電極膜５３、圧電膜５４、第２電極膜５５からなる積層
共振体５６を形成する。具体的な工程は、第２の実施形
態に関して上述したのと同様である。ただし、第２の実
施形態とは異なり、本実施形態では第１電極膜５３には
段差が生じていない。
【００４２】次に、図９（ｅ）、図１０（ｅ）および図
１１（ｅ）に示すように、支持膜５２、犠牲膜５２’お
よび積層共振体５６を覆うようにフォトレジスト５７を
形成し、当該フォトレジスト５７に対して、フォトリソ
グラフィにより、犠牲膜５２’の第２アイランド部５
２’ｂの表面が露出するように、孔部５８を開設する。
次いで、これを、酸化マグネシウムよりなる犠牲層５
２’に対するエッチング液としての酢酸水溶液に浸漬し
て、酢酸水溶液を孔部５８に導入する。これによって、
積層共振体５６の下方に前空隙部５９’が形成される。
このとき二酸化ケイ素よりなる支持膜５２はエッチング
されない。
１１（ｅ）に示すように、支持膜５２、犠牲膜５２’お
よび積層共振体５６を覆うようにフォトレジスト５７を
形成し、当該フォトレジスト５７に対して、フォトリソ
グラフィにより、犠牲膜５２’の第２アイランド部５
２’ｂの表面が露出するように、孔部５８を開設する。
次いで、これを、酸化マグネシウムよりなる犠牲層５
２’に対するエッチング液としての酢酸水溶液に浸漬し
て、酢酸水溶液を孔部５８に導入する。これによって、
積層共振体５６の下方に前空隙部５９’が形成される。
このとき二酸化ケイ素よりなる支持膜５２はエッチング
されない。
【００４３】前空隙部５９’の形成の後、更に、二酸化
ケイ素よりなる支持膜５２に対するエッチング液として
のフッ化水素酸緩衝液に浸漬する。このときフッ化水素
酸緩衝液は、前空隙部５９’を通って、積層共振体５６
の下方中央領域に対しても直ちに浸透する。そして、支
持膜５２に対するエッチングは、第１電極膜５３から基
板５１に向かう方向に一様に進行する。次いで、支持膜
５２が、その膜厚分の５μｍの深さにまでエッチングさ
れた時点で基板５１をフッ化水素酸緩衝液から引き上
げ、エッチングを停止する。
ケイ素よりなる支持膜５２に対するエッチング液として
のフッ化水素酸緩衝液に浸漬する。このときフッ化水素
酸緩衝液は、前空隙部５９’を通って、積層共振体５６
の下方中央領域に対しても直ちに浸透する。そして、支
持膜５２に対するエッチングは、第１電極膜５３から基
板５１に向かう方向に一様に進行する。次いで、支持膜
５２が、その膜厚分の５μｍの深さにまでエッチングさ
れた時点で基板５１をフッ化水素酸緩衝液から引き上
げ、エッチングを停止する。
【００４４】次に、図９（ｆ）、図１０（ｆ）および図
１１（ｆ）に示すように、フォトレジスト５７を除去す
ることによって、第１電極膜５３の下方に５μｍの深さ
の空隙部５９を有する圧電薄膜共振素子５０が完成す
る。
１１（ｆ）に示すように、フォトレジスト５７を除去す
ることによって、第１電極膜５３の下方に５μｍの深さ
の空隙部５９を有する圧電薄膜共振素子５０が完成す
る。
【００４５】以上の一連の工程によって作製された圧電
薄膜共振素子５０をはしご型に接続することにより、第
１の実施形態の圧電薄膜共振素子１０および第２の実施
形態の圧電薄膜共振素子２０と同様に、バンドパスフィ
ルタを構成することができる。
薄膜共振素子５０をはしご型に接続することにより、第
１の実施形態の圧電薄膜共振素子１０および第２の実施
形態の圧電薄膜共振素子２０と同様に、バンドパスフィ
ルタを構成することができる。
【００４６】本実施形態では、支持膜５２と犠牲層５
２’とを面一状にしたうえで、第１電極膜５３が積層形
成されるので、図１０（ｆ）および図１１（ｆ）に示さ
れるように、最終的に得られる圧電薄膜共振素子５０に
おいて、第１電極膜５３は段差を有していない。その結
果、共振特性に生じ得るスプリアスを低減することが可
能となる。
２’とを面一状にしたうえで、第１電極膜５３が積層形
成されるので、図１０（ｆ）および図１１（ｆ）に示さ
れるように、最終的に得られる圧電薄膜共振素子５０に
おいて、第１電極膜５３は段差を有していない。その結
果、共振特性に生じ得るスプリアスを低減することが可
能となる。
【００４７】上述の第２〜５の実施形態においては、積
層共振体の第１電極膜は、支持膜上に形成された犠牲層
の一部を覆うように形成され、フォトレジスト膜に開設
される孔部は、犠牲層において第１電極膜に覆われてい
ない箇所を露出するような位置に形成されている。本発
明では、このような構成に代えて、第１電極膜を、犠牲
層の全てを覆うように形成し、レジスト膜に対して孔部
を形成する工程において、まず、第１電極膜の表面を露
出させ、その後、孔部に臨む第１電極膜をドライエッチ
ングで除去することによって、犠牲層の表面の一部を露
出させるという構成を採用することもできる。このよう
な構成は、空隙部の形成を良好に制御するうえで好適で
ある。
層共振体の第１電極膜は、支持膜上に形成された犠牲層
の一部を覆うように形成され、フォトレジスト膜に開設
される孔部は、犠牲層において第１電極膜に覆われてい
ない箇所を露出するような位置に形成されている。本発
明では、このような構成に代えて、第１電極膜を、犠牲
層の全てを覆うように形成し、レジスト膜に対して孔部
を形成する工程において、まず、第１電極膜の表面を露
出させ、その後、孔部に臨む第１電極膜をドライエッチ
ングで除去することによって、犠牲層の表面の一部を露
出させるという構成を採用することもできる。このよう
な構成は、空隙部の形成を良好に制御するうえで好適で
ある。
【００４８】以上のまとめとして、本発明の構成および
そのバリエーションを以下に付記として列挙する。
そのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００４９】（付記１） 基板上に支持膜を設ける工程
と、前記支持膜上に、前記支持膜に接する第１電極膜、
第２電極膜、およびこれらに挟まれた圧電膜からなる積
層共振体を形成する工程と、前記積層共振体および前記
支持膜を覆うレジスト膜を設ける工程と、前記レジスト
膜に対して、前記支持膜の表面の一部が露出するように
孔部を設ける工程と、前記孔部からエッチング液を導入
し、前記支持膜における前記積層共振体の下方領域の一
部を除去して空隙部を設ける工程と、前記レジスト膜を
除去する工程と、を含むことを特徴とする、圧電薄膜共
振素子の製造方法。 （付記２） 基板上に支持膜を設ける工程と、前記支持
膜上に、犠牲層をパターン形成する工程と、前記支持膜
上に、犠牲層の少なくとも一部に重ねて、前記支持膜お
よび前記犠牲層に接する第１電極膜、第２電極膜、およ
びこれらに挟まれた圧電膜からなる積層共振体を形成す
る工程と、前記積層共振体、前記犠牲層および前記支持
膜を覆うレジスト膜を設ける工程と、前記レジスト膜に
対して、前記犠牲層の表面の一部が露出するように孔部
を設ける工程と、前記孔部から第１エッチング液を導入
することによって前記犠牲層を除去し、前記積層共振体
の下方領域に前空隙部を設ける工程と、前記孔部から第
２エッチング液を導入し、前記支持膜における前記積層
共振体の下方領域において、前記前空隙部を拡大して空
隙部を設ける工程と、前記レジスト膜を除去する工程
と、を含むことを特徴とする、圧電薄膜共振素子の製造
方法。 （付記３） 前記レジスト膜に対して前記孔部を設ける
工程は、前記第１電極膜における前記犠牲層に重なる部
位の表面を露出させる工程と、当該露出面を除去するこ
とによって前記犠牲層の表面の一部を露出させる工程と
を含む、付記２に記載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記４） 前記犠牲層を設けた後、前記支持膜と前記
犠牲層とが面一状となるように、前記支持膜上に追加支
持膜材料を積層する工程を含む、付記２または３に記載
の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記５） 前記犠牲層は、第１ランド部、第２ランド
部、およびこれらに接続する連結部を有するように形成
され、前記積層共振体は、第１ランド部を覆うように形
成され、前記孔部は、第２ランド部の少なくとも一部の
表面が露出するように形成される、付記２または４に記
載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記６） 前記犠牲層は、前記第１電極膜よりも薄く
形成される、付記２から５のいずれか１つに記載の圧電
薄膜共振素子の製造方法。 （付記７） 前記支持膜は、前記空隙部の深さ以上の膜
厚で形成される、付記１から６のいずれか１つに記載の
圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記８） 前記支持膜の膜厚は、１〜５０μｍである
付記１から７のいずれか１つに記載の圧電薄膜共振素子
の製造方法。 （付記９） 前記支持膜は絶縁性を有する材料により形
成される、付記１から８のいずれか１つに記載の圧電薄
膜共振素子の製造方法。 （付記１０） 前記材料は、二酸化ケイ素、酸化マグネ
シウム、酸化亜鉛、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ
からなる群より選択される付記９に記載の圧電薄膜共振
素子の製造方法。 （付記１１） 前記第１電極膜および／または前記第２
電極膜は、モリブデン、タンタル、タングステン、ニッ
ケル、ニオブ、金、白金、銅、パラジウム、アルミニウ
ム、チタン、クロム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化
ニオブ、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、
タングステンシリサイド、ニオブシリサイド、クロムシ
リサイドからなる群より選択される材料により形成され
る、付記１から１０のいずれか１つに記載の圧電薄膜共
振素子の製造方法。 （付記１２） 前記エッチング液または前記第２エッチ
ング液は、フッ化水素酸、酢酸水溶液、りん酸水溶液か
らなる群より選択される、付記１から１１のいずれか１
つに記載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記１３） 前記犠牲層は、酸化マグネシウムおよび
酸化亜鉛のいずれか一方を用いて形成される、付記２か
ら１２のいずれか１つに記載の圧電薄膜共振素子の製造
方法。 （付記１４） 前記第１エッチング液は、酢酸水溶液お
よびりん酸水溶液から選択される、付記２から１３のい
ずれか１つに記載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記１５） 下部電極と、上部電極と、それらの間に
挟まれた圧電体とから成る積層共振体を基体上に支持し
て成る構成において、前記下部電極と前記基体との間
に、所定範囲の第１の空隙と、第１の空隙に連続してそ
れよりも広い範囲の第２の空隙とを有して成ることを特
徴とする、圧電薄膜共振素子。 （付記１６） 基板と、基板に積層された支持膜と、支
持膜上において、支持膜に接する第１電極膜、第２電極
膜、およびこれらの間の圧電膜からなる積層共振体と、
を備え、支持膜における積層共振体の下方領域の一部に
は空隙部が設けられており、第１電極膜における空隙部
に臨む領域の一部は退避していることを特徴とする、圧
電薄膜共振素子。
と、前記支持膜上に、前記支持膜に接する第１電極膜、
第２電極膜、およびこれらに挟まれた圧電膜からなる積
層共振体を形成する工程と、前記積層共振体および前記
支持膜を覆うレジスト膜を設ける工程と、前記レジスト
膜に対して、前記支持膜の表面の一部が露出するように
孔部を設ける工程と、前記孔部からエッチング液を導入
し、前記支持膜における前記積層共振体の下方領域の一
部を除去して空隙部を設ける工程と、前記レジスト膜を
除去する工程と、を含むことを特徴とする、圧電薄膜共
振素子の製造方法。 （付記２） 基板上に支持膜を設ける工程と、前記支持
膜上に、犠牲層をパターン形成する工程と、前記支持膜
上に、犠牲層の少なくとも一部に重ねて、前記支持膜お
よび前記犠牲層に接する第１電極膜、第２電極膜、およ
びこれらに挟まれた圧電膜からなる積層共振体を形成す
る工程と、前記積層共振体、前記犠牲層および前記支持
膜を覆うレジスト膜を設ける工程と、前記レジスト膜に
対して、前記犠牲層の表面の一部が露出するように孔部
を設ける工程と、前記孔部から第１エッチング液を導入
することによって前記犠牲層を除去し、前記積層共振体
の下方領域に前空隙部を設ける工程と、前記孔部から第
２エッチング液を導入し、前記支持膜における前記積層
共振体の下方領域において、前記前空隙部を拡大して空
隙部を設ける工程と、前記レジスト膜を除去する工程
と、を含むことを特徴とする、圧電薄膜共振素子の製造
方法。 （付記３） 前記レジスト膜に対して前記孔部を設ける
工程は、前記第１電極膜における前記犠牲層に重なる部
位の表面を露出させる工程と、当該露出面を除去するこ
とによって前記犠牲層の表面の一部を露出させる工程と
を含む、付記２に記載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記４） 前記犠牲層を設けた後、前記支持膜と前記
犠牲層とが面一状となるように、前記支持膜上に追加支
持膜材料を積層する工程を含む、付記２または３に記載
の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記５） 前記犠牲層は、第１ランド部、第２ランド
部、およびこれらに接続する連結部を有するように形成
され、前記積層共振体は、第１ランド部を覆うように形
成され、前記孔部は、第２ランド部の少なくとも一部の
表面が露出するように形成される、付記２または４に記
載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記６） 前記犠牲層は、前記第１電極膜よりも薄く
形成される、付記２から５のいずれか１つに記載の圧電
薄膜共振素子の製造方法。 （付記７） 前記支持膜は、前記空隙部の深さ以上の膜
厚で形成される、付記１から６のいずれか１つに記載の
圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記８） 前記支持膜の膜厚は、１〜５０μｍである
付記１から７のいずれか１つに記載の圧電薄膜共振素子
の製造方法。 （付記９） 前記支持膜は絶縁性を有する材料により形
成される、付記１から８のいずれか１つに記載の圧電薄
膜共振素子の製造方法。 （付記１０） 前記材料は、二酸化ケイ素、酸化マグネ
シウム、酸化亜鉛、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ
からなる群より選択される付記９に記載の圧電薄膜共振
素子の製造方法。 （付記１１） 前記第１電極膜および／または前記第２
電極膜は、モリブデン、タンタル、タングステン、ニッ
ケル、ニオブ、金、白金、銅、パラジウム、アルミニウ
ム、チタン、クロム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化
ニオブ、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、
タングステンシリサイド、ニオブシリサイド、クロムシ
リサイドからなる群より選択される材料により形成され
る、付記１から１０のいずれか１つに記載の圧電薄膜共
振素子の製造方法。 （付記１２） 前記エッチング液または前記第２エッチ
ング液は、フッ化水素酸、酢酸水溶液、りん酸水溶液か
らなる群より選択される、付記１から１１のいずれか１
つに記載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記１３） 前記犠牲層は、酸化マグネシウムおよび
酸化亜鉛のいずれか一方を用いて形成される、付記２か
ら１２のいずれか１つに記載の圧電薄膜共振素子の製造
方法。 （付記１４） 前記第１エッチング液は、酢酸水溶液お
よびりん酸水溶液から選択される、付記２から１３のい
ずれか１つに記載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 （付記１５） 下部電極と、上部電極と、それらの間に
挟まれた圧電体とから成る積層共振体を基体上に支持し
て成る構成において、前記下部電極と前記基体との間
に、所定範囲の第１の空隙と、第１の空隙に連続してそ
れよりも広い範囲の第２の空隙とを有して成ることを特
徴とする、圧電薄膜共振素子。 （付記１６） 基板と、基板に積層された支持膜と、支
持膜上において、支持膜に接する第１電極膜、第２電極
膜、およびこれらの間の圧電膜からなる積層共振体と、
を備え、支持膜における積層共振体の下方領域の一部に
は空隙部が設けられており、第１電極膜における空隙部
に臨む領域の一部は退避していることを特徴とする、圧
電薄膜共振素子。
【００５０】
【発明の効果】以上のように、本発明によればに、基板
に凹部ないし貫通孔を設けることなく、また、基板に設
けた凹部に充填した犠牲層材料と基板とを面一上にする
ための研磨技術を用いることなく、第１電極膜ないし下
部電極の下方に良好に空隙部を設けることによって、良
好な圧電薄膜共振素子を製造することができる。このよ
うな圧電薄膜共振素子は、耐電力特性において弾性表面
波フィルタ等の素子に比べて優れた特性を有するもので
ある。
に凹部ないし貫通孔を設けることなく、また、基板に設
けた凹部に充填した犠牲層材料と基板とを面一上にする
ための研磨技術を用いることなく、第１電極膜ないし下
部電極の下方に良好に空隙部を設けることによって、良
好な圧電薄膜共振素子を製造することができる。このよ
うな圧電薄膜共振素子は、耐電力特性において弾性表面
波フィルタ等の素子に比べて優れた特性を有するもので
ある。
【図１】本発明の第１の実施形態における一連の工程を
平面図で表したものである。
平面図で表したものである。
【図２】図１に示す一連の工程についての線II―IIに沿
った断面図である。
った断面図である。
【図３】図１に示す一連の工程についての線III―IIIに
沿った断面図である。
沿った断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における一連の工程を
平面図で表したものである。
平面図で表したものである。
【図５】図４に示す一連の工程についての線Ｖ―Ｖに沿
った断面図である。
った断面図である。
【図６】図４に示す一連の工程についての線ＶＩ―ＶＩ
に沿った断面図である。
に沿った断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る平面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る断面図である。
【図９】本発明の第５の実施形態における一連の工程を
平面図で表したものである。
平面図で表したものである。
【図１０】図９に示す一連の工程についての線Ｘ―Ｘに
沿った断面図である。
沿った断面図である。
【図１１】図９に示す一連の工程についての線ＸＩ―Ｘ
Ｉに沿った断面図である。
Ｉに沿った断面図である。
１０，２０，３０，４０，５０ 圧電薄膜共振素子
１１，２１，３１，４１，５１ シリコン基板
１２，２２，３２，４２，５２ 支持膜
２２’，３２’，４２’，５２’ 犠牲層
１３，２３，３３，４３，５３ 第１電極膜
１４，２４，３４，４４，５４ 圧電膜
１５，２５，３５，４５，５５ 第２電極膜
１６，２６，３６，４６，５６ 積層共振体
１９，２９，３９，５９ 空隙部
１９’，２９’，５９’ 前空隙部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中谷 忠司
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 宮下 勉
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 佐藤 良夫
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 5J108 BB07 BB08 CC04 CC11 EE03
EE07 KK01 MM08
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に支持膜を設ける工程と、 前記支持膜上に、前記支持膜に接する第１電極膜、第２
電極膜、およびこれらに挟まれた圧電膜からなる積層共
振体を形成する工程と、 前記積層共振体および前記支持膜を覆うレジスト膜を設
ける工程と、 前記レジスト膜に対して、前記支持膜の表面の一部が露
出するように孔部を設ける工程と、 前記孔部からエッチング液を導入し、前記支持膜におけ
る前記積層共振体の下方領域の一部を除去して空隙部を
設ける工程と、 前記レジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴と
する、圧電薄膜共振素子の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に支持膜を設ける工程と、 前記支持膜上に、犠牲層をパターン形成する工程と、 前記支持膜上に、前記犠牲層の少なくとも一部に重ね
て、前記支持膜および前記犠牲層に接する第１電極膜、
第２電極膜、およびこれらに挟まれた圧電膜からなる積
層共振体を形成する工程と、 前記積層共振体、前記犠牲層および前記支持膜を覆うレ
ジスト膜を設ける工程と、 前記レジスト膜に対して、前記犠牲層の表面の一部が露
出するように孔部を設ける工程と、 前記孔部から第１エッチング液を導入することによって
前記犠牲層を除去し、前記積層共振体の下方領域に前空
隙部を設ける工程と、 前記孔部から第２エッチング液を導入し、前記支持膜に
おける前記積層共振体の下方領域において、前記前空隙
部を拡大して空隙部を設ける工程と、 前記レジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴と
する、圧電薄膜共振素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記レジスト膜に対して前記孔部を設け
る工程は、前記第１電極膜における前記犠牲層に重なる
部位の表面を露出させる工程と、当該露出面を除去する
ことによって前記犠牲層の表面の一部を露出させる工程
とを含む、請求項２に記載の圧電薄膜共振素子の製造方
法。 - 【請求項４】 前記犠牲層を設けた後、前記支持膜と前
記犠牲層とが面一状となるように、前記支持膜上に追加
支持膜材料を積層する工程を含む、請求項２または３に
記載の圧電薄膜共振素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記犠牲層は、前記第１電極膜よりも薄
く形成される、請求項２から４のいずれか１つに記載の
圧電薄膜共振素子の製造方法。 - 【請求項６】 下部電極と、上部電極と、それらの間に
挟まれた圧電体とから成る積層共振体を基体上に支持し
て成る構成において、 前記下部電極と前記基体との間に、所定範囲の第１の空
隙と、第１の空隙に連続してそれよりも広い範囲の第２
の空隙とを有して成ることを特徴とする、圧電薄膜共振
素子。 - 【請求項７】 前記第１の空隙および前記第２の空隙
は、基体表面に重ねて設けられた互いに異なるエッチン
グ液で蝕刻可能な絶縁材料層を液体蝕刻することによっ
て形成されたものである、請求項６に記載の圧電薄膜共
振素子。
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