JP2003008228A - Multilayer printed wiring board and method of manufacturing the same - Google Patents
Multilayer printed wiring board and method of manufacturing the sameInfo
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半田バンプ等の半
田体を支持する導電性ポストを最も外側の導体層上に形
成してなる多層プリント配線板およびその製造方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer printed wiring board in which a conductive post for supporting a solder body such as a solder bump is formed on the outermost conductor layer, and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の多層プリント配線板は、例えば、
特開平9−130050号に開示されるような方法で製
造されている。その方法によれば、まずプリント配線板
の内層の回路パターンの表面に無電解めっきやエッチン
グにより、粗化層を形成させ、その後、ロールコーター
や印刷により層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、層
間導通のためのバイアホール開口部を形成させ、UV硬
化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、
その層間樹脂絶縁層に、酸や酸化剤などからなる粗化液
による粗化処理を施して粗化面を形成し、その粗化面に
パラジウムなどの触媒を付け、その後、粗化面上に薄い
無電解めっき膜を形成する。2. Description of the Related Art Conventional multilayer printed wiring boards are, for example,
It is manufactured by the method as disclosed in JP-A-9-130050. According to the method, first, a roughened layer is formed on the surface of the circuit pattern of the inner layer of the printed wiring board by electroless plating or etching, and then an interlayer insulating resin is applied, exposed and developed by a roll coater or printing. A via hole opening for interlayer conduction is formed, UV curing and main curing are performed to form an interlayer resin insulation layer. further,
The interlayer resin insulation layer is subjected to a roughening treatment with a roughening liquid containing an acid or an oxidizing agent to form a roughened surface, a catalyst such as palladium is attached to the roughened surface, and then the roughened surface is formed. Form a thin electroless plating film.
【0003】次いで、無電解めっき膜上にドライフィル
ムにてパターン形成し、電解めっきで厚付けしたのち、
アルカリ液でドライフィルムを剥離除去し、エッチング
して外層の回路パターンを形成する。このような処理を
繰り返すことにより、ビルドアップ配線層を有する多層
プリント配線板が得られ、この多層プリント配線板の最
も外層の回路パターン上に半田バンプや、外部端子とし
てのBGAおよびPGAが形成されている。Then, a pattern is formed on the electroless plated film by a dry film and thickened by electrolytic plating.
The dry film is peeled off with an alkaline solution and etched to form an outer layer circuit pattern. By repeating such processing, a multilayer printed wiring board having a build-up wiring layer is obtained, and solder bumps and BGA and PGA as external terminals are formed on the outermost circuit pattern of the multilayer printed wiring board. ing.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】近年、ICチップの高
周波化および高機能化の要請に応じて、配線幅を0.2
μm以下とするような超微細配線技術が開発され、IC
チップと外部との電気的接続を行なうために、ICチッ
プ上に配設されるバンプ間距離も、配線幅の微細化に伴
って狭ピッチ化されるようになった。そのようなバンプ
間距離の狭ピッチ化に応じてプリント配線板に設ける導
体パッド間距離も狭ピッチ化されるようになってきた。In recent years, the wiring width has been reduced to 0.2 in response to the demand for higher frequency and higher functionality of IC chips.
Ultra-fine wiring technology to reduce the size to less than μm has been developed.
In order to electrically connect the chip to the outside, the distance between the bumps arranged on the IC chip has become narrower with the miniaturization of the wiring width. As the pitch between the bumps is narrowed, the pitch between the conductor pads provided on the printed wiring board is also narrowed.
【0005】しかしながら、そのような挟ピッチ化の要
請に応えるべく、半田バンプ形成用のパッドのサイズ
(ソルダーレジスト開口径)を100μm以下に小さく
した場合には、半田ペーストをパッド上に印刷する際に
用いるメタルマスクの開口径も小さくなる。そのため
に、ソルダーレジストと半田ペーストとの密着性が悪く
なり、半田ペーストの未転写が多くなってしまう。その
結果、電気的接続性や接続信頼性の低下を招いて、半田
バンプ形成の歩留まりが低下するという問題があった。However, when the size of the pads for forming the solder bumps (solder resist opening diameter) is reduced to 100 μm or less in order to meet the demand for such a narrow pitch, when the solder paste is printed on the pads. The opening diameter of the metal mask used for is also small. As a result, the adhesion between the solder resist and the solder paste becomes poor, and the amount of untransferred solder paste increases. As a result, there is a problem that the electrical connectivity and the connection reliability are deteriorated and the yield of solder bump formation is decreased.
【0006】そこで、本発明は、先行技術の抱える上記
問題点を解決するためになされたものであり、その目的
とするところは、半田バンプ形成の歩留まりを向上させ
たプリント配線板を提供することにある。Therefore, the present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a printed wiring board having an improved yield of solder bump formation. It is in.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向けて鋭意研究した結果、ソルダーレジスト層か
ら露出する導体パッド上に導電性ポストを形成し、半導
体チップに接続される半田バンプをその導電性ポスト上
に形成するような構成を採用することによって、ソルダ
ーレジスト開口径の微細化に起因する半田ペーストの未
転写の問題が解決され、半田バンプ形成歩留まりを向上
させることができることを知見し、以下のような内容を
要旨とする本発明の完成に至った。As a result of intensive studies aimed at achieving the above object, the inventors have formed a conductive post on a conductor pad exposed from a solder resist layer, and solder connected to a semiconductor chip. By adopting a structure in which bumps are formed on the conductive posts, the problem of untransferred solder paste due to the miniaturization of the solder resist opening diameter can be solved, and the solder bump formation yield can be improved. Based on this knowledge, the present invention has been completed, which has the following contents.
【0008】すなわち、本発明は、(1) 絶縁性基板
上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に設けられ、最
外層の層間樹脂絶縁層に形成された最も外側の導体回路
を選択的に覆ってソルダーレジスト層が設けられ、その
ソルダーレジスト層から露出する導体回路表面に半田体
が形成されてなる多層プリント配線板において、前記最
外層の層間樹脂絶縁層に形成された導体回路のランド表
面に、前記ソルダーレジスト層から露出する平坦な表面
を有する導電性ポストが形成され、その導電性ポストの
表面に半田体が供給されてなることを特徴とする多層プ
リント配線板である。That is, according to the present invention, (1) conductor circuits and interlayer resin insulation layers are alternately provided on an insulating substrate, and the outermost conductor circuit formed in the outermost interlayer resin insulation layer is selectively selected. In a multilayer printed wiring board in which a solder resist layer is provided to cover the conductor resist layer, and a solder body is formed on the conductor circuit surface exposed from the solder resist layer, the land of the conductor circuit formed in the outermost interlayer resin insulation layer. A multilayer printed wiring board, characterized in that a conductive post having a flat surface exposed from the solder resist layer is formed on the surface, and a solder body is supplied to the surface of the conductive post.
【0009】前記(1)の多層プリント配線板におい
て、導電性ポストは、めっきによって形成されているこ
とが望ましく、特に、Cu、Sn、Ni、Ag、Pd、
Au、Ptから選ばれる少なくとも一種のめっきで形成
されていることが望ましい。前記めっきとしては、電解
めっき又は無電解めっきであることが望ましい。In the multilayer printed wiring board of the above (1), the conductive posts are preferably formed by plating, and in particular, Cu, Sn, Ni, Ag, Pd,
It is desirable to be formed by at least one kind of plating selected from Au and Pt. The plating is preferably electrolytic plating or electroless plating.
【0010】前記導電性ポストの露出表面には、耐食性
皮膜が形成されていることが望ましく、その皮膜はめっ
きであることが望ましく、さらにそのめっきは、Au、
Pt、Ag、Ni、Sn、Pdから選ばれる少なくとも
一種の無電解めっきから形成されていることがより望ま
しい。さらに、前記導電性ポストの露出表面は、研磨に
よる平坦化処理が施されていることが望ましい。It is desirable that a corrosion resistant film is formed on the exposed surface of the conductive post, and that the film is a plating, and the plating is Au,
More preferably, it is formed from at least one electroless plating selected from Pt, Ag, Ni, Sn and Pd. Furthermore, it is desirable that the exposed surface of the conductive post be subjected to a flattening treatment by polishing.
【0011】また本発明は、(2) 絶縁性基板上に導
体層と層間樹脂絶縁層とが交互に設けられ、最も外側の
層間樹脂絶縁層に形成された導体層を覆ってソルダーレ
ジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層を介して
露出する導体層上に半田体が形成されてなる多層プリン
ト配線板の製造にあたって、少なくとも以下の〜の
工程、すなわち、
最も外側の層間樹脂絶縁層に設けた導体回路を選択
的に被覆するめっきレジスト層を形成した後、めっき処
理を施して導体回路表面のめっきレジスト非形成部分に
めっきポストを形成する工程、
前記めっきレジスト層を剥離した後、前記導体回路
およびめっきポストを被覆するソルダーレジスト層を形
成し、さらに前記めっきポストの上端面をソルダーレジ
スト層表面から露出させ、その露出面を平坦化する工
程、
前記めっきポストの露出表面上に半田体を形成する
工程、とを含んでなる多層プリント配線板の製造方法で
ある。
前記(2)の製造方法において、の工程の後に、めっ
きポストの平坦化した露出面に耐食性皮膜を形成する工
程を含み、前記半田体は、その耐食性皮膜上に形成され
ることが望ましい。Further, according to the present invention, (2) conductor layers and interlayer resin insulation layers are alternately provided on an insulating substrate, and a solder resist layer is formed so as to cover the conductor layers formed on the outermost interlayer resin insulation layers. In manufacturing a multilayer printed wiring board in which a solder body is formed on a conductor layer that is provided and exposed through the solder resist layer, at least the following steps (1) to (2), that is, the outermost interlayer resin insulation layer, are provided. A step of forming a plating resist layer for selectively covering the conductor circuit and then performing a plating treatment to form a plating post on a portion of the conductor circuit surface where the plating resist is not formed; and after removing the plating resist layer, the conductor circuit And a solder resist layer covering the plating post is formed, and the upper end surface of the plating post is exposed from the surface of the solder resist layer. Planarizing to form a solder body on the exposed surface of the plating post, a method for manufacturing a multilayer printed wiring board comprising the city. In the manufacturing method of the above (2), after the step of, a step of forming a corrosion resistant film on the flattened exposed surface of the plating post is included, and the solder body is preferably formed on the corrosion resistant film.
【0012】さらに、本発明は、(3) 絶縁性基板上
に導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に設けられ、最外
層の層間樹脂絶縁層に形成された最も外側の導体回路を
選択的に覆うソルダーレジスト層が設けられ、そのソル
ダーレジスト層から露出する導体回路のランド上に半田
体が形成されてなる多層プリント配線板の製造にあたっ
て、その製造工程中に、少なくとも以下の〜の工
程、すなわち、
前記最も外側の導体回路を選択的に覆ってめっきレ
ジスト層を形成した後、無電解めっき処理を施して、前
記ランド表面およびめっきレジスト層表面に無電解めっ
き膜を形成する工程、
前記ランド位置に形成された前記無電解めっき膜を
除いた部分にめっきレジスト層を形成した後、電解めっ
き処理を施して、前記ランド位置に形成された無電解め
っき膜上に電解めっき膜を形成する工程、
前記めっきレジスト層をエッチング処理により除去
した後、さらに、その下にある無電解めっき膜およびそ
の無電解めっき膜下にあるめっきレジスト層をエッチン
グ処理によって除去して、前記導体回路のランド位置
に、無電解めっき膜と電解めっき膜とからなるめっきポ
ストを形成する工程、
前記最も外側の導体回路およびめっきポストを被覆
するソルダーレジスト層を形成した後、そのソルダーレ
ジスト層表面から前記めっきポスト上面を露出させる工
程、
前記めっきポストの露出表面を導体パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、とを含んでなる多層プ
リント配線板の製造方法であり、Further, according to the present invention, (3) conductor circuits and interlayer resin insulation layers are alternately provided on an insulating substrate, and the outermost conductor circuit formed in the outermost interlayer resin insulation layer is selectively selected. Is provided with a solder resist layer to cover, in the production of a multilayer printed wiring board in which a solder body is formed on the land of the conductor circuit exposed from the solder resist layer, during the production process, at least the following steps ~, That is, a step of forming a plating resist layer by selectively covering the outermost conductor circuit and then performing an electroless plating treatment to form an electroless plating film on the land surface and the plating resist layer surface, the land After forming the plating resist layer on the portion excluding the electroless plating film formed at the position, the electroless plating process is performed to form the electroless layer formed at the land position. A step of forming an electrolytic plating film on the plating film, after removing the plating resist layer by etching treatment, further, by etching treatment of the electroless plating film underneath and the plating resist layer under the electroless plating film Removing, at the land position of the conductor circuit, a step of forming a plating post consisting of an electroless plating film and an electrolytic plating film, after forming a solder resist layer that covers the outermost conductor circuit and the plating post, Exposing the plating post upper surface from the solder resist layer surface, the exposed surface of the plating post as a conductor pad,
A step of forming a solder body thereon, and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board comprising:
【0013】さらに、本発明は、(4) 絶縁性樹脂基
板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に設けられ、
最外層の層間樹脂絶縁層に形成された充填バイアホール
を含んだ最も外側の導体回路を選択的に覆ってソルダー
レジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層から露
出する導体回路のランド上に半田体が形成されてなる多
層プリント配線板の製造にあたって、その製造工程中
に、少なくとも以下の〜の工程、すなわち、
前記最も外側の導体回路を選択的に覆うめっきレジ
スト層を形成した後、無電解めっき処理を施して、前記
バイアホールを含んだランド表面およびめっきレジスト
層表面に無電解めっき膜を形成する工程、
前記バイアホールを含んだランド位置に形成された
前記無電解めっき膜を除いた部分に、めっきレジスト層
を形成した後、電解めっき処理を施して、前記バイアホ
ールを含んだランドの無電解めっき膜上に電解めっき膜
を形成する工程、
前記めっきレジスト層をエッチング処理により除去
した後、さらに、その下にある無電解めっき膜およびそ
の無電解めっき膜下にあるめっきレジスト層をエッチン
グ処理によって除去して、前記バイアホールを含んだラ
ンド上に無電解めっき膜および電解めっき膜とからなる
めっきポストを形成する工程、
前記バイアホールを含んだ最も外側の導体回路およ
びめっきポストを被覆するソルダーレジスト層を形成し
た後、そのソルダーレジスト層表面から前記めっきポス
ト上面を露出させる工程、
前記めっきポストの露出表面を導体パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、とを含んでなる多層プ
リント配線板の製造方法である。Further, according to the present invention, (4) conductor circuits and interlayer resin insulation layers are alternately provided on an insulating resin substrate,
A solder resist layer is provided to selectively cover the outermost conductor circuit including the filled via hole formed in the outermost interlayer resin insulation layer, and the solder body is provided on the land of the conductor circuit exposed from the solder resist layer. In manufacturing a multilayer printed wiring board formed by forming a plating resist layer that selectively covers at least the following steps, ie, the outermost conductor circuit, during the manufacturing process, electroless plating is performed. A step of forming a non-electrolytic plating film on the land surface including the via hole and the plating resist layer surface by applying a treatment, to a portion excluding the electroless plating film formed at the land position including the via hole After forming the plating resist layer, electrolytic plating treatment is performed to electrolytically plate on the electroless plating film of the land including the via hole. A step of forming a film, after removing the plating resist layer by an etching treatment, further removing the electroless plating film underneath and the plating resist layer under the electroless plating film by an etching treatment, A step of forming a plating post consisting of an electroless plating film and an electrolytic plating film on the land including the hole, after forming a solder resist layer covering the outermost conductor circuit and the plating post including the via hole, Exposing the plating post upper surface from the solder resist layer surface, the exposed surface of the plating post as a conductor pad,
And a step of forming a solder body thereon, which is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
【0014】前記(3)および(4)の製造方法におい
て、前記のめっきポスト上面を露出させる工程は、前
記ソルダーレジスト層の表面を研磨によって除去する工
程、または、前記ソルダーレジスト層の表面に前記めっ
きポスト上面に達する開口を設ける工程を含んでいるこ
とが望ましい。In the manufacturing methods (3) and (4), the step of exposing the upper surface of the plating post is a step of removing the surface of the solder resist layer by polishing, or the step of exposing the surface of the solder resist layer to the surface. It is desirable to include a step of providing an opening reaching the upper surface of the plating post.
【0015】前記(3)および(4)の製造方法におい
て、前記の工程の後に、めっきポストの露出表面上に
耐食性皮膜を形成する工程を含み、前記半田体はその耐
食性皮膜上に形成されることが望ましい。前記耐蝕皮膜
は、めっき処理によって形成されることが望ましく、そ
のめっき処理は、Au、Pt、Ag、Ni、Sn、Pd
から選ばれる少なくとも一種からなる無電解めっき処理
であることが好ましい。In the manufacturing methods (3) and (4), the method includes a step of forming a corrosion resistant film on the exposed surface of the plating post after the above steps, and the solder body is formed on the corrosion resistant film. Is desirable. The corrosion resistant film is preferably formed by a plating process, and the plating process is Au, Pt, Ag, Ni, Sn, Pd.
It is preferable that the electroless plating treatment is at least one selected from the following.
【0016】また、本発明は(5) 絶縁性基板上に導
体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に設けられ、最外層の
層間樹脂絶縁層に形成された最も外側の導体回路を選択
的に覆うソルダーレジスト層が設けられ、そのソルダー
レジスト層から露出する導体回路のランド上に半田体が
形成されてなる多層プリント配線板の製造にあたって、
その製造工程中に、少なくとも以下の〜の工程、す
なわち、
前記最も外側の導体回路を選択的に覆い、かつその
ランド位置に対応した開口を有するめっきレジスト層を
形成した後、無電解めっき処理を施して、前記開口内に
無電解めっき膜を充填する工程、
前記めっきレジスト層をエッチング処理により除去
して、前記導体回路のランド位置に、無電解めっき膜か
らなるめっきポストを形成する工程、
前記最も外側の導体回路およびめっきポストを被覆
するソルダーレジスト層を形成した後、そのソルダーレ
ジスト層表面から前記めっきポスト上面を露出させる工
程、
前記めっきポストの露出表面を導体パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、とを含んでなる多層プ
リント配線板の製造方法であり、Further, according to the present invention, (5) conductor circuits and interlayer resin insulation layers are alternately provided on an insulating substrate, and the outermost conductor circuits formed in the outermost interlayer resin insulation layer are selectively selected. In manufacturing a multilayer printed wiring board in which a solder resist layer is provided, and a solder body is formed on the land of the conductor circuit exposed from the solder resist layer,
During the manufacturing process, at least the following steps, that is, after forming a plating resist layer selectively covering the outermost conductor circuit and having an opening corresponding to the land position, electroless plating treatment is performed. And a step of filling the opening with an electroless plating film, a step of removing the plating resist layer by an etching process to form a plating post made of an electroless plating film at a land position of the conductor circuit, After forming a solder resist layer covering the outermost conductor circuit and the plating post, the step of exposing the plating post upper surface from the solder resist layer surface, the exposed surface of the plating post as a conductor pad,
A step of forming a solder body thereon, and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board comprising:
【0017】さらに、本発明は、(6) 絶縁性樹脂基
板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に設けられ、
最外層の層間樹脂絶縁層に形成された充填バイアホール
を含んだ最も外側の導体回路を選択的に覆ってソルダー
レジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層から露
出する導体回路のランド上に半田体が形成されてなる多
層プリント配線板の製造にあたって、その製造工程中
に、少なくとも以下の〜の工程、すなわち、
前記最も外側の導体回路を選択的に覆い、かつその
充填バイアホールを含んだ導体回路のランド位置に対応
した開口を有するめっきレジスト層を形成した後、無電
解めっき処理を施して、前記開口内に無電解めっき膜を
充填する工程、
前記めっきレジスト層をエッチング処理により除去
して、前記バイアホールを含んだランド上に無電解めっ
き膜からなるめっきポストを形成する工程、
前記バイアホールを含んだ最も外側の導体回路およ
びめっきポストを被覆するソルダーレジスト層を形成し
た後、そのソルダーレジスト層表面から前記めっきポス
ト上面を露出させる工程、
前記めっきポストの露出表面を導体パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、とを含んでなる多層プ
リント配線板の製造方法である。Further, according to the present invention, (6) conductive circuits and interlayer resin insulating layers are alternately provided on an insulating resin substrate,
A solder resist layer is provided to selectively cover the outermost conductor circuit including the filled via hole formed in the outermost interlayer resin insulation layer, and the solder body is provided on the land of the conductor circuit exposed from the solder resist layer. In manufacturing a multi-layer printed wiring board in which the above-mentioned is formed, at least the following steps (1) to (4) during the manufacturing process, that is, the conductor circuit selectively covering the outermost conductor circuit and including the filling via hole: After forming a plating resist layer having an opening corresponding to the land position, the step of performing electroless plating treatment, filling the electroless plating film in the opening, by removing the plating resist layer by etching treatment, Forming a plating post made of an electroless plating film on the land including the via hole, the outermost portion including the via hole After forming the solder resist layer covering the conductor circuit and plated posts, thereby exposing the plating post top from the solder resist layer surface, the exposed surface of the plating post as a conductor pad,
And a step of forming a solder body thereon, which is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
【0018】前記(5)および(6)の製造方法におい
て、前記のめっきポスト上面を露出させる工程は、前
記ソルダーレジスト層の表面を研磨によって除去する工
程、または、前記ソルダーレジスト層の表面に前記めっ
きポスト上面に達する開口を設ける工程を含んでいるこ
とが望ましい。In the manufacturing methods (5) and (6), the step of exposing the upper surface of the plating post is a step of removing the surface of the solder resist layer by polishing, or the step of exposing the surface of the solder resist layer to the surface. It is desirable to include a step of providing an opening reaching the upper surface of the plating post.
【0019】また、前記(5)および(6)の製造方法
において、前記の工程の後に、めっきポストの露出表
面上に耐食性皮膜を形成する工程を含み、前記半田体は
その耐食性皮膜上に形成されることが望ましく、耐蝕皮
膜は、Au、Pt、Ag、Ni、Sn、Pdから選ばれ
る少なくとも一種からなる無電解めっきによって形成さ
れることが好ましい実施の態様である。In addition, in the manufacturing methods of (5) and (6), the method includes a step of forming a corrosion resistant film on the exposed surface of the plating post after the above steps, and the solder body is formed on the corrosion resistant film. In a preferred embodiment, the corrosion resistant film is formed by electroless plating of at least one selected from Au, Pt, Ag, Ni, Sn and Pd.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板は、
最外層の層間樹脂絶縁層に形成された導体回路のランド
表面に、ソルダーレジスト層から露出する平坦な表面を
有する導電性ポストを形成し、その導電性ポストの表面
に半田体が供給されてなることを特徴とする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The multilayer printed wiring board of the present invention comprises:
A conductive post having a flat surface exposed from the solder resist layer is formed on the land surface of the conductor circuit formed in the outermost interlayer resin insulation layer, and the solder body is supplied to the surface of the conductive post. It is characterized by
【0021】ソルダーレジスト層は、基板上に設けた最
も外側の導体回路のランド表面を覆って形成され、その
厚みは、10〜30μmであることが望ましい。The solder resist layer is formed so as to cover the land surface of the outermost conductor circuit provided on the substrate, and its thickness is preferably 10 to 30 μm.
【0022】また、ソルダーレジスト層から露出した導
電性ポストは、その露出領域の直径が、その表面上にバ
ンプを設ける場合には、50〜150μm、BGAあるい
はPGAを設ける場合には300〜600μmであること
が望ましい。バンプピッチがファインピッチになるに従
がって直径も小さく形成されることが好ましい。The diameter of the exposed region of the conductive post exposed from the solder resist layer is 50 to 150 μm when a bump is provided on its surface, and 300 to 600 μm when a BGA or PGA is provided. Is desirable. As the bump pitch becomes finer, the diameter is preferably made smaller.
【0023】このような導電性ポストは、Cu、Sn、
Ni、Ag、Pd、Au、Ptから選ばれる少なくとも
1種のめっきから形成されるのが望ましく、そのめっき
としては、電解めっきまたは無電解めっきが望ましい。
特に、電解銅めっきまたは電解スズめっきによって形成
されるのが好ましい。その理由は、電気的特性が低下せ
ずかつ貴金属を使用しないので安価であるからである。Such conductive posts are made of Cu, Sn,
It is desirable to form it by at least one kind of plating selected from Ni, Ag, Pd, Au and Pt, and as the plating, electrolytic plating or electroless plating is desirable.
In particular, it is preferably formed by electrolytic copper plating or electrolytic tin plating. The reason is that the electrical characteristics are not deteriorated and no precious metal is used, so that it is inexpensive.
【0024】さらに、導電性ポストの露出表面は、ベル
トサンダーやバフ研磨のような方法で研磨処理を施して
平坦化することが望ましい。その理由は、最後に形成さ
れるソルダーレジストが導電性ポスト上に塗布されてい
ると、半田バンプが半田付けされないため、導電性ポス
トの表面の汚染を除去する必要があるからである。Further, it is desirable that the exposed surface of the conductive post be flattened by a polishing process such as belt sander or buffing. The reason is that if the solder resist to be finally formed is applied on the conductive posts, the solder bumps are not soldered, so that it is necessary to remove the contamination on the surface of the conductive posts.
【0025】このような導電性ポストの表面は、耐食性
皮膜によって被覆されることが望ましく、その耐食性皮
膜は、その表面上に半田バンプや、BGA、PGA等の半田体
が形成される半田パッドとして機能する。It is desirable that the surface of such a conductive post is covered with a corrosion resistant film, and the corrosion resistant film serves as a solder bump or a solder pad on which a solder body such as BGA or PGA is formed. Function.
【0026】前記耐食性皮膜は、Au、Ag、Pt、N
i、Sn、Pdから選ばれる少なくとも1種のめっきか
ら形成されるのが望ましく、特に、無電解めっきによる
Ni膜とAu膜の組み合わせが好ましい。The corrosion-resistant coating is made of Au, Ag, Pt, N
It is desirable to be formed by at least one kind of plating selected from i, Sn, and Pd, and a combination of a Ni film and an Au film by electroless plating is particularly preferable.
【0027】このような耐食性皮膜の厚みは、Ni膜の
場合には2〜5μm、Au膜の場合には、0.01〜
0.05μmの範囲が望ましい。その理由は、耐食性皮
膜の膜厚が大きいとコスト高となり、膜厚が小さいと下
層のめっきポストを形成する銅等の無電解めっき膜が酸
化され、半田濡れ性が悪くなるからである。The thickness of such a corrosion-resistant coating is 2 to 5 μm in the case of a Ni film, and 0.01 to in the case of an Au film.
The range of 0.05 μm is desirable. The reason is that if the thickness of the corrosion resistant film is large, the cost becomes high, and if the film thickness is small, the electroless plated film of copper or the like forming the lower plating post is oxidized and the solder wettability deteriorates.
【0028】前記耐食性皮膜上に形成される半田バン
プ、BGA,PGA等の半田体は、Sn/Pb、Sn/Sb、
Sn/Ag、Sn/Ag/Cu、Sn/Cu、Sn/Z
nから選ばれる少なくとも一種の半田から形成されるこ
とが望ましい。すなわち、上記各種半田の中から選ばれ
る一種類で形成させてもよいし、2種類以上を混合して
用いてもよい。Solder bumps such as BGA, PGA, etc. formed on the corrosion resistant coating are Sn / Pb, Sn / Sb,
Sn / Ag, Sn / Ag / Cu, Sn / Cu, Sn / Z
It is desirable to be formed from at least one solder selected from n. That is, one kind selected from the above-mentioned various solders may be formed, or two or more kinds may be mixed and used.
【0029】そのような半田の例を上げると、組成比が
Sn:Pb=63:37であるスズ/鉛半田、同じくS
n:Pb:Ag=62:36:2であるスズ/鉛/銀半
田、同じくSn:Ag=96.5:3.5であるスズ/
銀半田等がある。As an example of such a solder, tin / lead solder having a composition ratio of Sn: Pb = 63: 37, and S / S
n: Pb: Ag = 62: 36: 2 tin / lead / silver solder, also Sn: Ag = 96.5: 3.5 tin /
There is silver solder etc.
【0030】半田バンプの形成は、上記導電性ポストの
表面に形成された半田パッド上に円形の開口を有するマ
スクを載置して、印刷法により形成されることが望まし
い。The solder bumps are preferably formed by printing with a mask having a circular opening placed on the solder pads formed on the surface of the conductive posts.
【0031】本発明にかかる半田体形成用の半田は、一
般的なプリント配線板の製造で使用されている半田のほ
とんど全ての種類を単独で、あるいは組み合わせて用い
ることができる。As the solder for forming a solder body according to the present invention, almost all kinds of solder used in the manufacture of general printed wiring boards can be used alone or in combination.
【0032】前記半田バンプの高さは、5〜50μmの
範囲が望ましく、高さおよび形状を均一化することがで
きる。The height of the solder bumps is preferably in the range of 5 to 50 μm, and the height and shape can be made uniform.
【0033】そして最後に、半田バンプにはリフロー処
理が施されて硬化される。そのリフロー条件は、窒素等
の不活性ガスを用いて温度100〜300℃の範囲で行
われる。リフロー温度は、用いる半田の融点に応じて最
適な温度プロフィールを設定する。Finally, the solder bumps are subjected to a reflow process and hardened. The reflow condition is that the temperature is 100 to 300 ° C. using an inert gas such as nitrogen. The reflow temperature sets an optimum temperature profile according to the melting point of the solder used.
【0034】前記リフロー処理によって形成された半田
バンプは、全てがほぼ半球状となり、その高さも5〜5
0μmの範囲で均一形成され、ソルダーレジスト層は半
田ペーストに汚染されることがなくなる。All of the solder bumps formed by the reflow process are substantially hemispherical, and the height thereof is 5 to 5.
The solder resist layer is uniformly formed in the range of 0 μm, and the solder resist layer is not contaminated by the solder paste.
【0035】次に、本発明にかかるプリント配線板の製
造方法の一例について説明する。すなわち、絶縁性基板
上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に設けられ、最
外層の層間樹脂絶縁層に形成された最も外側の導体回路
を選択的に覆ってソルダーレジスト層が設けられ、その
ソルダーレジスト層から露出する導体回路のランド上に
半田体が形成されてなる多層プリント配線板は、少なく
とも以下の(1)〜(3)の工程を経て製造される。Next, an example of a method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described. That is, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are alternately provided on an insulating substrate, and a solder resist layer is provided to selectively cover the outermost conductor circuit formed in the outermost interlayer resin insulation layer, A multilayer printed wiring board in which a solder body is formed on the land of the conductor circuit exposed from the solder resist layer is manufactured through at least the following steps (1) to (3).
【0036】(1) 最外層の層間樹脂絶縁層に設けた導
体回路を選択的に被覆するめっきレジスト層を形成した
後、めっき処理を施して導体回路表面のめっきレジスト
非形成部分に導電性ポストを形成する工程、(2) 前記
めっきレジスト層を剥離した後、前記導体回路およびめ
っきポストを被覆するソルダーレジスト層を形成し、さ
らに前記導電性ポストの上端面をソルダーレジスト層表
面から露出させる工程、(3) 前記導電性ポストの露出
表面上に半田体を形成する工程。(1) After forming a plating resist layer for selectively covering the conductor circuit provided on the outermost interlayer resin insulation layer, a plating process is performed to form a conductive post on the surface of the conductor circuit where the plating resist is not formed. (2) after peeling the plating resist layer, forming a solder resist layer that covers the conductor circuit and the plating post, and further exposing the upper end surface of the conductive post from the solder resist layer surface (3) A step of forming a solder body on the exposed surface of the conductive post.
【0037】このような工程(1)〜(3)からなる本発明
の多層プリント配線板の製造方法は、最も外側の導体回
路のランド表面に、めっきによって導電性ポストを形成
し、その後、導電性ポストを覆ってソルダーレジスト層
を形成する工程を必須の構成要件として備えるものであ
り、このような構成によって、めっきからなる導電性ポ
ストとソルダーレジスト層との間の密着性を向上させる
ことができる。According to the method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention comprising the above steps (1) to (3), conductive posts are formed on the land surface of the outermost conductor circuit by plating, and then the conductive posts are formed. The step of forming a solder resist layer to cover the conductive posts is provided as an essential constituent feature, and such a structure can improve the adhesion between the conductive post made of plating and the solder resist layer. it can.
【0038】前記工程(1)においては、最も外側の導体
回路パターンは、絶縁性基板の最外層に形成した層間樹
脂絶縁層上に無電解めっき処理によって形成された無電
解めっき膜と、その無電解めっき膜上にめっきレジスト
層を形成した後、電解めっき処理によって無電解めっき
膜上のめっきレジスト非形成部分に形成した電解めっき
膜との2層から形成される(セミアディティブ法)こと
が望ましい。In the step (1), the outermost conductor circuit pattern is an electroless plating film formed by electroless plating on the interlayer resin insulation layer formed on the outermost layer of the insulating substrate, and the electroless plating film After forming a plating resist layer on the electroplated film, it is desirable to be formed from two layers including an electroplated film formed on the electroless plated film on the non-plated resist film by electroplating (semi-additive method). .
【0039】前記導体回路パターンの形成は、まず、粗
化した層間樹脂絶縁層上の全面に設けた無電解めっき膜
にめっきレジスト層を配設して非導体部分を形成する一
方、その非導体部分以外に電解めっきを施して導体層を
形成した後、めっきレジスト層とこのめっきレジスト下
にある前記無電解めっき膜を溶解除去することにより、
無電解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる導体回路
パターンおよび充填バイアホールを得ることが望まし
い。In the formation of the conductor circuit pattern, first, a non-conductor portion is formed by disposing a plating resist layer on the electroless plating film provided on the entire surface of the roughened interlayer resin insulation layer, and the non-conductor portion is formed. After forming a conductor layer by electrolytic plating other than the portion, by dissolving and removing the plating resist layer and the electroless plating film under this plating resist,
It is desirable to obtain a conductor circuit pattern and a filled via hole that are composed of two layers, an electroless plated film and an electrolytic plated film.
【0040】本発明にかかる多層プリント配線板は、最
も外側の導体回路パターンおよび充填バイアホールのラ
ンド位置に対応した開口を有するめっきレジスト層を形
成し、めっき処理によって、めっきレジスト層の開口か
ら露出したランド表面上に導電性ポストを形成する。In the multilayer printed wiring board according to the present invention, a plating resist layer having an opening corresponding to the land position of the outermost conductor circuit pattern and the filling via hole is formed and exposed from the opening of the plating resist layer by the plating treatment. A conductive post is formed on the surface of the formed land.
【0041】前記導電性ポストを無電解めっきと電解め
っきとの2層構造によって形成する場合には、まず、無
電解めっきを施して、バイアホールを含んだ導体回路の
ランド表面およびめっきレジスト表面に、薄付けの無電
解めっき膜を形成し、さらに、その薄付けの無電解めっ
き膜上に、導体回路のランド位置にほぼ対応する開口を
有してなるめっきレジストを形成した後、電解めっきを
施して、ランド表面の薄付け無電解めっき膜上に電解め
っき膜を形成することが望ましい。When the conductive posts are formed by a two-layer structure of electroless plating and electrolytic plating, first, electroless plating is applied to the land surface of the conductor circuit including via holes and the plating resist surface. , A thin electroless plating film is formed, and a plating resist having an opening substantially corresponding to the land position of the conductor circuit is formed on the thin electroless plating film, and then electroplating is performed. Then, it is desirable to form the electrolytic plating film on the thin electroless plating film on the land surface.
【0042】一方、前記導電性ポストを無電解めっきだ
けで形成する場合には、めっきレジスト層の開口内に無
電解めっきを充填することによって、導体回路パターン
および充填バイアホールのランド表面に無電解めっき膜
からなる導電性ポストを形成することが望ましい。On the other hand, when the conductive posts are formed only by electroless plating, the openings of the plating resist layer are filled with electroless plating so that the land surface of the conductor circuit pattern and the filled via holes is electrolessly plated. It is desirable to form the conductive posts made of a plated film.
【0043】このような導電性ポストは、Cu、Sn、
Ni、Ag、Pd、Au、Ptから選ばれる少なくとも
1種からなる電解めっきまたは無電解めっきから形成さ
れることが望ましく、特に、電解銅めっきまたは電解ス
ズめっきによって形成されるのが好ましい。Such conductive posts are made of Cu, Sn,
It is preferably formed by electrolytic plating or electroless plating composed of at least one selected from Ni, Ag, Pd, Au and Pt, and particularly preferably formed by electrolytic copper plating or electrolytic tin plating.
【0044】前記工程(2)においては、導電性ポストを
無電解めっきと電解めっきとの2層構造によって形成す
る場合には、まず、上層のめっきレジスト層をエッチン
グ処理により除去した後、さらに、その下にある無電解
めっき膜およびその無電解めっき膜下にある下層のめっ
きレジスト層をエッチング処理によって除去することに
よって、充填バイアホール表面を含んだランド上に無電
解めっき膜および電解めっき膜とからなる導電性ポスト
が形成されることが望ましい。In the step (2), when the conductive posts are formed by a two-layer structure of electroless plating and electrolytic plating, first, the upper plating resist layer is removed by etching treatment, and then, By removing the underlying electroless plating film and the underlying plating resist layer underneath the electroless plating film by etching, the electroless plating film and the electrolytic plating film are formed on the land including the filled via hole surface. It is desirable that a conductive post consisting of is formed.
【0045】また、導電性ポストを無電解めっきだけで
形成する場合には、めっきレジスト層をエッチング処理
により除去することによって、充填バイアホール表面を
含んだランド上に無電解めっき膜からなる導電性ポスト
が形成されることが望ましい。When the conductive posts are formed only by electroless plating, the plating resist layer is removed by etching so that the conductive post formed of electroless plated film on the land including the filled via hole surface. It is desirable that posts be formed.
【0046】次いで、ランド表面に形成された導電性ポ
ストを覆って、ソルダーレジスト層を形成した後、ベル
トサンダーやバフ研削等の機械的研磨によって、ソルダ
ーレジスト層表面を研削して導電性ポストの上端面がソ
ルダーレジスト層表面から露出し平坦化されるように加
工する、あるいはフォトリソグラフィー法によって、ソ
ルダーレジスト層に開口を形成し、その開口から導電性
ポストの表面を露出させる。Next, a conductive resist formed on the surface of the land is covered to form a solder resist layer, and then the surface of the solder resist layer is ground by mechanical polishing such as belt sander or buff grinding. Processing is performed so that the upper end surface is exposed from the surface of the solder resist layer to be planarized, or an opening is formed in the solder resist layer by a photolithography method, and the surface of the conductive post is exposed from the opening.
【0047】前記工程(3)においては、導電性ポストの
表面に半田体を形成する前に、導電性ポストの表面を耐
食性皮膜によって被覆し、その耐食性皮膜の表面に半田
バンプや、BGA、PGA等の半田体を形成することが
望ましい。In the step (3), the surface of the conductive post is covered with a corrosion resistant film before the solder body is formed on the surface of the conductive post, and the surface of the corrosion resistant film is covered with solder bumps, BGA, or PGA. It is desirable to form a solder body such as.
【0048】前記耐食性皮膜は、Au、Ag、Pt、N
i、Sn、Pdから選ばれる少なくとも1種のめっきか
ら形成されるのが望ましく、特に、無電解めっきによる
Ni膜とAu膜の組み合わせが好ましい。The corrosion-resistant coating is made of Au, Ag, Pt, N
It is desirable to be formed by at least one kind of plating selected from i, Sn, and Pd, and a combination of a Ni film and an Au film by electroless plating is particularly preferable.
【0049】前記耐食性皮膜上に形成される半田バン
プ、BGA,PGA等の半田体は、Sn/Pb、Sn/Sb、
Sn/Ag、Sn/Ag/Cu、Sn/Cu、Sn/Z
nから選ばれる少なくとも一種の半田から形成されるこ
とが望ましい。すなわち、上記各種半田の中から選ばれ
る一種類で形成させてもよいし、2種類以上を混合して
用いてもよい。Solder bumps such as BGA and PGA formed on the corrosion-resistant coating are Sn / Pb, Sn / Sb,
Sn / Ag, Sn / Ag / Cu, Sn / Cu, Sn / Z
It is desirable to be formed from at least one solder selected from n. That is, one kind selected from the above-mentioned various solders may be formed, or two or more kinds may be mixed and used.
【0050】本発明にかかる半田体形成用の半田は、一
般的なプリント配線板の製造で使用されている半田のほ
とんど全ての種類を単独で、あるいは組み合わせて用い
ることができる。As the solder for forming a solder body according to the present invention, almost all kinds of solder used in the manufacture of general printed wiring boards can be used alone or in combination.
【0051】また、本発明の多層プリント配線板は、基
板の両面に導体回路を設け、その両面に設けた導体回路
のランド表面にそれぞれ導電性ポストを形成し、それら
の導電性ポストの上面に半田バンプや、BGAまたはP
GAのような半田体を形成するような実施の形態だけで
なく、一方の導体回路のランド表面だけに導電性ポスト
を形成し、他方の導体回路のランド表面には導電性ポス
トを形成しない実施の形態にも適用される。In the multilayer printed wiring board of the present invention, conductor circuits are provided on both surfaces of the substrate, conductive posts are formed on the land surfaces of the conductor circuits provided on both surfaces, and the conductive posts are formed on the upper surfaces of the conductive posts. Solder bump, BGA or P
Not only the embodiment in which a solder body such as GA is formed, but the conductive post is formed only on the land surface of one conductor circuit and the conductive post is not formed on the land surface of the other conductor circuit. It also applies to the form.
【0052】[0052]
【実施例】(実施例1)
(1) 厚さ 0.8mmのガラスエポキシ樹脂(FR4,FR5)、
またはBT(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる基
板1の両面に、厚さ18μmの銅箔2がラミネートされて
なる銅張積層板を出発材料とした(第1図(a) 参照)。
まず、この銅張積層板をドリル削孔し、内壁面を有機金
属ナトリウムからなる改質剤で処理して表面の濡れ性を
改善した(第1図(b) 参照)。(Example) (Example 1) (1) 0.8 mm thick glass epoxy resin (FR4, FR5),
Alternatively, a copper clad laminate obtained by laminating a copper foil 2 having a thickness of 18 μm on both surfaces of a substrate 1 made of BT (bismaleimide-triazine) resin was used as a starting material (see FIG. 1 (a)).
First, the copper clad laminate was drilled and the inner wall surface was treated with a modifier consisting of organometallic sodium to improve the wettability of the surface (see FIG. 1 (b)).
【0053】(2) 次に、パラジウム−スズコロイドを
付着させ、下記組成で無電解めっきを施して、基板全面
に2μmの無電解銅めっき膜を形成した。
〔無電解めっき水溶液〕
EDTA 150 g/l
硫酸銅 20 g/l
HCHO 30 ml/l
NaOH 40 g/l
α、α’−ビピリジル 80 mg/l
PEG 0.1 g/l
〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分(2) Next, a palladium-tin colloid was attached and electroless plating was performed with the following composition to form a 2 μm electroless copper plating film on the entire surface of the substrate. [Aqueous electroless plating solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C 30 minutes at liquid temperature
【0054】さらに、以下の条件で電解銅めっきを施
し、厚さ15μmの電解銅めっき膜を形成した(第1図
(c) 参照)。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180 g/l
硫酸銅 80 g/l
添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL)
1 ml/l
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm2
時間 30分
温度 室温Further, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 15 μm (see FIG. 1).
(See (c)). [Electrolytic plating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (manufactured by Atotech Japan, trade name: Kaparaside GL) 1 ml / l [Electrolytic plating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature room temperature
【0055】(3) 全面に無電解銅めっき膜と電解銅め
っき膜からなる導体層(スルーホール3を含む)を形成
した基板1を、水洗いし、乾燥した後、第二銅錯体と有
機酸とを含有するエッチング液を、スプレーやバブリン
グ等の酸素共存条件で作用させて、導体層の銅を溶解さ
せボイドを形成する処理により、スルーホール3を含む
導体層の全表面に粗化層4を設けた(第1図(d) 参
照)。(3) The substrate 1 having a conductor layer (including the through holes 3) formed of an electroless copper plating film and an electrolytic copper plating film on the entire surface is washed with water and dried, and then a cupric complex and an organic acid are added. The roughening layer 4 is formed on the entire surface of the conductor layer including the through holes 3 by applying an etching solution containing and to act under oxygen coexisting conditions such as spraying and bubbling to dissolve copper in the conductor layer to form voids. Is provided (see FIG. 1 (d)).
【0056】このようなエッチングによる粗化処理以外
にも、酸化−還元処理や無電解めっきの合金によって粗
化層を設けてもよく、形成される粗化層は、0.1〜5
μmの範囲にあるものが望ましい。その範囲であれば、
導体回路パターンと層間樹脂絶縁層の剥離が起きにく
く、エッチングで金属層を除去しても残留しにくいから
である。In addition to such a roughening treatment by etching, a roughening layer may be provided by an oxidation-reduction treatment or an electroless plating alloy, and the roughening layer formed is from 0.1 to 5
Those in the range of μm are desirable. Within that range,
This is because the conductor circuit pattern and the interlayer resin insulation layer are less likely to be peeled off, and are less likely to remain even if the metal layer is removed by etching.
【0057】上記第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯
体が好ましく、金属銅等を酸化する酸化剤として作用す
る。上記アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾー
ル、テトラゾールがよい。中でも、イミダゾール、2−
メチルイミダゾール、2−エチレイミダゾール、2−エ
チル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾ
ール、2−ウンデシルイミダゾール等がよい。アゾール
類の第二銅錯体の添加量は、1〜15重量%がよい。溶
解性及び安定性に優れるからである。The cupric complex is preferably a cupric complex of an azole, and acts as an oxidizing agent for oxidizing metallic copper or the like. As the azoles, diazole, triazole and tetrazole are preferable. Among them, imidazole, 2-
Methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole and the like are preferable. The addition amount of the cupric complex of azoles is preferably 1 to 15% by weight. This is because it has excellent solubility and stability.
【0058】また、酸化銅を溶解させるために、有機酸
をアゾール類の第二銅錯体に配合する。有機酸の具体例
としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、
カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロ
ン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、
グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からな
る群より選ばれる少なくとも1種がよい。有機酸の含有
量は、0.1〜30重量%がよい。酸化された銅の溶解
性を維持し、かつ溶解安定性を確保するためである。発
生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合し
て第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。In order to dissolve copper oxide, an organic acid is added to the cupric complex of azoles. Specific examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid,
Caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid,
At least one selected from the group consisting of glycolic acid, lactic acid, malic acid, and sulfamic acid is preferable. The content of the organic acid is preferably 0.1 to 30% by weight. This is for maintaining the solubility of the oxidized copper and ensuring the dissolution stability. The generated cuprous complex is dissolved by the action of an acid, combines with oxygen to form a cupric complex, and contributes again to the oxidation of copper.
【0059】また、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を
補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオ
ン、塩素イオン、臭素イオン等をエッチング液に加えて
もよい。本発明では、塩酸、塩化ナトリウム等を添加し
て、ハロゲンイオンを供給することができる。ハロゲン
イオン量は、0.01〜20重量%がよい。形成された
粗化面と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからであ
る。Further, in order to assist the dissolution of copper and the oxidizing action of azoles, halogen ions such as fluorine ions, chlorine ions, bromine ions may be added to the etching solution. In the present invention, halogen ions can be supplied by adding hydrochloric acid, sodium chloride or the like. The amount of halogen ions is preferably 0.01 to 20% by weight. This is because the formed roughened surface and the interlayer resin insulation layer have excellent adhesion.
【0060】上記アゾール類の第二銅錯体と有機酸(必
要に応じてハロゲンイオン)を、水に溶解してエッチン
グ液を調整する。また、市販のエッチング液、例えば、
メック社製、商品名「メック エッチボンド」を使用し
て粗化面を形成することもできる。The cupric complex of the azole and the organic acid (halogen ion if necessary) are dissolved in water to prepare an etching solution. In addition, a commercially available etching solution, for example,
It is also possible to form a roughened surface by using a product name “Mec Etch Bond” manufactured by Mec Co., Ltd.
【0061】(4) 次に、以下のような樹脂組成物
と硬化剤組成物とを混合させてなる樹脂充填材5を、
スルーホール3にスクリーン印刷によって充填し、乾燥
炉内の温度100℃で、20分間乾燥させた。(4) Next, a resin filler 5 prepared by mixing the following resin composition and curing agent composition,
The through holes 3 were filled by screen printing and dried in a drying oven at a temperature of 100 ° C. for 20 minutes.
【0062】〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポ
キシモノマー(油化シェル製、分子量310 、YL983U)10
0重量部、表面にシランカップリング剤がコーティング
された平均粒径 1.6μmのSiO2球状粒子(アドマテ
ック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは、
後述する内層銅パターンの厚み(15μm)以下とする)
170重量部、レベリング剤(サンノプコ製、ペレノール
S4)1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合
物の粘度を23±1℃で36,000〜49,000cps に調整して得
た。
〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。[Resin composition] Bisphenol F type epoxy monomer (Made by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U) 10
0 parts by weight, SiO 2 spherical particles having an average particle diameter of 1.6 μm and coated with a silane coupling agent on the surface (manufactured by Admatech, CRS 1101-CE, where the maximum particle size is
The thickness (15 μm) or less of the inner layer copper pattern described later)
170 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) were mixed by stirring to adjust the viscosity of the mixture at 23 ± 1 ° C. to 36,000 to 49,000 cps. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei,
2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight.
【0063】(5) そして、導体層上面の粗化層4およ
びスルーホール3からはみ出した充填材5を、#600 の
ベルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベルトサンダー
研磨により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行い、基板表面を平坦
化した。このような一連の研磨を基板の他面についても
同様に行った後、100℃で1時間、150℃で1時間
の加熱処理を行って樹脂充填剤を完全に硬化した。な
お、研磨の際、半硬化状態にして行っているが、完全に
硬化した後に行ってもよい。(第1図(e) 参照)。(5) Then, the filler 5 protruding from the roughening layer 4 and the through hole 3 on the upper surface of the conductor layer is removed by belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.). Buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing to flatten the substrate surface. After such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate, heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to completely cure the resin filler. It should be noted that while the polishing is performed in a semi-cured state, it may be performed after the curing is completed. (See Fig. 1 (e)).
【0064】上記樹脂充填材は、金属粒子、熱硬化性の
樹脂および硬化剤からなるか、あるいは金属粒子および
熱可塑性の樹脂からなることが好ましく、必要に応じて
溶剤を添加してもよい。このような充填材は、金属粒子
が含まれていると、その表面を研磨することにより金属
粒子が露出し、この露出した金属粒子を介してその上に
形成される導体層のめっき膜と一体化するため、PCT
(pressure cooker test)のような過酷な高温多湿条件
下でも導体層との界面で剥離が発生しにくくなる。ま
た、この充填材は、壁面に金属膜が形成されたスルーホ
ールに充填されるので、金属イオンのマイグレーション
が発生しない。The above resin filler is preferably composed of metal particles, a thermosetting resin and a curing agent, or preferably composed of metal particles and a thermoplastic resin, and a solvent may be added if necessary. When such a filler contains metal particles, the metal particles are exposed by polishing the surface, and the filler is integrated with the plating film of the conductor layer formed on the exposed metal particles. PCT
Even under severe high temperature and high humidity conditions such as (pressure cooker test), peeling is less likely to occur at the interface with the conductor layer. Further, since this filling material is filled in the through hole having the metal film formed on the wall surface, migration of metal ions does not occur.
【0065】金属粒子としては、銅、金、銀、アルミニ
ウム、ニッケル、チタン、クロム、すず/鉛、パラジウ
ム、プラチナなどが使用できる。なお、この金属粒子の
粒子径は、0.1〜50μmがよい。この理由は、 0.1μm
未満であると、銅表面が酸化して樹脂に対する濡れ性が
悪くなり、一方、50μmを超えると、印刷性が悪くなる
からである。Copper, gold, silver, aluminum, nickel, titanium, chromium, tin / lead, palladium, platinum and the like can be used as the metal particles. The particle size of the metal particles is preferably 0.1 to 50 μm. The reason for this is 0.1 μm
When it is less than 50 μm, the copper surface is oxidized to deteriorate the wettability to the resin, and when it exceeds 50 μm, the printability is deteriorated.
【0066】上記金属粒子の配合量は、全体量に対して
30〜90wt%がよい。この理由は、30wt%より少ないと、
フタめっき(スルーホールからの露出面を覆って形成さ
れる導体層)との密着性が悪くなり、一方、90wt%を超
えると、印刷性が悪化するからである。The compounding amount of the above metal particles is based on the total amount.
30 ~ 90wt% is good. The reason is that if less than 30 wt%,
This is because the adhesion with the lid plating (the conductor layer formed to cover the exposed surface from the through hole) deteriorates, while when it exceeds 90 wt%, the printability deteriorates.
【0067】使用される樹脂としては、ビスフェノール
A型、ビスフェノールF型などのエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレ
ン(PTFE)等のフッ素樹脂、ビスマレイミドトリア
ジン(BT)樹脂、FEP、PFA、PPS、PEN、
PES、ナイロン、アラミド、PEEK、PEKK、P
ETなどが使用できる。硬化剤としては、イミダゾール
系、フェノール系、アミン系などの硬化剤が使用でき
る。Examples of the resin used include epoxy resins such as bisphenol A type and bisphenol F type, phenol resin, polyimide resin, fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), bismaleimide triazine (BT) resin, FEP, PFA, PPS, PEN,
PES, nylon, aramid, PEEK, PEKK, P
ET etc. can be used. As the curing agent, imidazole-based, phenol-based, amine-based curing agents and the like can be used.
【0068】溶剤としては、NMP(ノルマルメチルピ
ロリドン)、DMDG(ジエチレングリコールジメチル
エーテル)、グリセリン、水、1−又は2−又は3−の
シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、メチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、ブタノール、プロパノールなどが使用できる。Examples of the solvent include NMP (normal methylpyrrolidone), DMDG (diethylene glycol dimethyl ether), glycerin, water, 1- or 2- or 3-cyclohexanol, cyclohexanone, methylcellosolve, methylcellosolve acetate, methanol, ethanol, butanol. , Propanol, etc. can be used.
【0069】特に、この充填材の最適組成としては、重
量比で6:4〜9:1のCu粉とビスフェノールF型の無
溶剤エポキシ(油化シェル製、商品名:E-807)の混合
物と硬化剤の組合せ、あるいは重量比で8:2:3のCu
粉とPPSとNMPの組合せが好ましい。この充填材
は、非導電性であることが望ましい。非導電性の方が硬
化収縮が小さく、導体層やバイアホールとの剥離が起こ
りにくいからである。In particular, the optimum composition of this filler is a mixture of Cu powder in a weight ratio of 6: 4 to 9: 1 and a bisphenol F type solventless epoxy (made by Yuka Shell, trade name: E-807). And hardener combination, or Cu in a weight ratio of 8: 2: 3
A combination of flour, PPS and NMP is preferred. The filler is preferably non-conductive. This is because the non-conductive material has a smaller curing shrinkage and is less likely to be separated from the conductor layer or the via hole.
【0070】(6) 上記(5)で平坦化した基板表面に、パ
ラジウム触媒(アトテック製)を付与し、常法に従って
無電解銅めっきを施すことにより、厚さ0.6μmの無
電解銅めっき膜6を形成した(第1図(f) 参照)。無電
解銅めっき膜に代えて、スパッタによる銅またはニッケ
ル皮膜を形成することもできる。(6) A palladium catalyst (manufactured by Atotech Co., Ltd.) is applied to the surface of the substrate flattened in (5) above, and electroless copper plating is performed according to a conventional method to obtain electroless copper plating having a thickness of 0.6 μm. A film 6 was formed (see FIG. 1 (f)). Instead of the electroless copper plating film, it is possible to form a copper or nickel film by sputtering.
【0071】(7) ついで、以下の条件で電解銅めっき
を施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜7を形成し、内
層の導体回路となる部分およびスルーホール3に充填さ
れた充填材5を覆うスルーホール被覆導体層となる部分
を厚付けした。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180 g/l
硫酸銅 80 g/l
添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL)
1 ml/l
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm2
時間 30分
温度 室温(7) Next, electrolytic copper plating is performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 7 having a thickness of 15 μm, and the filling material 5 filled in the inner layer conductor circuit portion and the through hole 3 is filled. The portion to be the covering conductor layer for covering the through holes was thickened. [Electrolytic plating aqueous solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (manufactured by Atotech Japan, trade name: Kaparaside GL) 1 ml / l [Electrolytic plating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature room temperature
【0072】(8) 内層の導体回路およびスルーホール
被覆導体層となる部分を形成した基板の両面に、市販の
感光性ドライフィルムを張り付け、マスク載置して、10
0 mJ/cm2 で露光、0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理
し、厚さ20μmのエッチングレジスト8を形成した
(第2図(a) 参照)。(8) Commercially available photosensitive dry films are attached to both surfaces of the substrate on which the inner conductor circuit and the portion to be the through-hole covering conductor layer are formed, masked, and
The resist was exposed at 0 mJ / cm 2 and developed with 0.8% sodium carbonate to form an etching resist 8 having a thickness of 20 μm (see FIG. 2 (a)).
【0073】(9) そして、エッチングレジスト8を形
成してない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合
液を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、エッチ
ングレジスト8をNaOHやKOH等のアルカリ溶液で
剥離除去して、独立した内層の導体回路9および充填材
5を覆うスルーホール被覆導体層10(以下、「ふため
っき層」と言う)を形成した(第2図(b) 参照)。(9) Then, the plating film in the portion where the etching resist 8 is not formed is dissolved and removed by etching using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the etching resist 8 is removed with NaOH, KOH or the like. It was peeled and removed with an alkaline solution to form a through-hole-covered conductor layer 10 (hereinafter referred to as a "lid plating layer") that covers the conductor circuit 9 and the filler 5 which are independent layers (see FIG. 2 (b)). .
【0074】(10) 〔樹脂充填剤の調製〕
.ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量310,YL983U)100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μmでSi
O2球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、
最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み以下
とする)170重量部、レベリング剤(サンノプコ製、ペレ
ノールS4) 1.5重量部を3本ロールにて混練して、その
混合物の粘度を23±1℃で45,000〜49,000cps に調整し
た。(10) [Preparation of resin filler] 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (Made by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), coated with silane coupling agent on the surface
O 2 spherical particles (manufactured by Admatech, CRS 1101-CE, where
The maximum particle size is 170 parts by weight or less and the leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) 1.5 parts by weight is kneaded with a three-roll mill, and the viscosity of the mixture is 23 ±. It was adjusted to 45,000 to 49,000 cps at 1 ° C.
【0075】.イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E
4MZ-CN)6.5 重量部。これらを混合して層内樹脂絶縁材
12を調製し、その調製した層間樹脂絶縁材12を、基
板の片面にスクリーン印刷にて塗布することにより、導
体回路パターン9間の隙間や、導体回路パターン9とふ
ためっき層10との間の隙間に充填し、70℃、20分
間で乾燥させ、他方の面についても同様に、樹脂充填材
12を導体回路パターン9間の隙間や、導体回路パター
ン9とふためっき層との間の隙間に充填し、70℃、2
0分間で乾燥させた。即ち、この工程により、この層間
樹脂絶縁材12が内層の導体回路パターン9とふためっ
き層10からなる内層銅パターン相互間の凹部に充填さ
れる。.. Imidazole hardener (Shikoku Kasei, 2E
4MZ-CN) 6.5 parts by weight. These are mixed to prepare the in-layer resin insulation material 12, and the prepared interlayer resin insulation material 12 is applied to one surface of the substrate by screen printing, whereby gaps between the conductor circuit patterns 9 and conductor circuit patterns 9 are formed. 9 is filled in the gap between the lid plating layer 10 and dried at 70 ° C. for 20 minutes. Similarly, on the other surface, the resin filler 12 is similarly filled in the gap between the conductor circuit patterns 9 and the conductor circuit pattern 9. Fill the gap between the lid and the plating layer at 70 ℃, 2
It was dried in 0 minutes. That is, in this step, the interlayer resin insulation material 12 is filled in the recesses between the inner layer copper patterns composed of the inner conductor circuit patterns 9 and the lid plating layer 10.
【0076】(11) 前記(10) の処理を終えた基板の片
面を、#400 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターンの表面に層
間樹脂絶縁材が残らないように研磨し、次いで、前記ベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を
行った。このような一連の研磨を基板の他方の面につい
ても同様に行った。(11) One side of the substrate which has been subjected to the treatment of (10) above is subjected to belt sander polishing using # 400 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to remove an interlayer resin insulating material on the surface of the inner layer copper pattern. Polishing was performed so as not to remain, and then buffing was performed to remove scratches due to the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate.
【0077】このようにして、導体回路パターン9また
はふためっき層10の間に充填された層間樹脂絶縁材1
2の表層部および導体回路パターン9またはふためっき
層10上面の粗化層11を除去して基板両面を平滑化
し、層間樹脂絶縁材12と導体回路パターン9またはふ
ためっき層10の側面とが粗化層11を介して強固に密
着した基板を得た。即ち、この工程により、層間樹脂絶
縁材12の表面と内層銅パターンの表面が同一平面とな
る。In this way, the interlayer resin insulation material 1 filled between the conductor circuit patterns 9 or the lid plating layer 10 is formed.
2 and the roughening layer 11 on the conductor circuit pattern 9 or on the upper surface of the lid plating layer 10 is removed to smooth both surfaces of the substrate, and the interlayer resin insulating material 12 and the side surface of the conductor circuit pattern 9 or the lid plating layer 10 are roughened. A substrate was obtained which was firmly adhered via the chemical layer 11. That is, by this step, the surface of the interlayer resin insulating material 12 and the surface of the inner layer copper pattern are flush with each other.
【0078】(12) 次に、内層の導体回路パターン9お
よびふためっき層10の表面に、工程(3)と同様の処理
を施して、厚さ2.5μmの粗化層を形成した(第2図
(c)参照)。(12) Next, the surface of the inner conductor circuit pattern 9 and the lid plating layer 10 was subjected to the same treatment as in the step (3) to form a roughened layer having a thickness of 2.5 μm (first). Figure 2
(See (c)).
【0079】(13) 上記(12)の粗化処理を行なった基板
の両面に、層間樹脂絶縁層となるべき、半硬化状態にし
た樹脂フィルムを、温度50〜150℃まで昇温しなが
ら圧力0.5MPaで真空圧着ラミネートして貼り付け
る。もしくは、予め粘度を調整し、塗布できる状態にし
た樹脂を、ロールコーター、カテーンコーターなどで塗
布して形成してもよい。上記樹脂フィルムは、難溶性樹
脂、可溶性樹脂粒子、硬化剤、その他の成分を含有して
いることが望ましい。以下、それぞれについて説明す
る。(13) A semi-cured resin film, which is to be an interlayer resin insulating layer, is applied to both surfaces of the substrate subjected to the roughening treatment of (12) while heating to a temperature of 50 to 150 ° C. It is vacuum-pressed and laminated at 0.5 MPa. Alternatively, it may be formed by applying a resin whose viscosity has been adjusted in advance to a state in which it can be applied by a roll coater, a caten coater or the like. The resin film preferably contains a poorly soluble resin, soluble resin particles, a curing agent, and other components. Each will be described below.
【0080】上記樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可
溶性の粒子(以下、可溶性粒子という)を酸または酸化
剤に難溶性の樹脂(以下、難溶性樹脂という)中に分散
させてなる接着剤を樹脂フィルム上に貼付形成したもの
である。The above resin film comprises an adhesive obtained by dispersing particles soluble in an acid or an oxidant (hereinafter referred to as soluble particles) in a resin hardly soluble in an acid or an oxidant (hereinafter referred to as a sparingly soluble resin). It is formed by pasting on a resin film.
【0081】なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶
性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に
同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いもの
を便宜上「可溶性」と言い、相対的に溶解速度の遅いも
のを便宜上「難溶性」と言う。The terms "poorly soluble" and "soluble" used in the present invention are, for the sake of convenience, those having a relatively high dissolution rate when immersed in a solution containing the same acid or oxidizing agent for the same time. For the sake of convenience, those having a relatively slow dissolution rate are referred to as "poorly soluble".
【0082】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。Examples of the soluble particles include resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter, soluble resin particles), inorganic particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter, soluble inorganic particles), acid or an oxidizing agent. Examples thereof include soluble metal particles (hereinafter, soluble metal particles). These soluble particles may be used alone or in combination of two or more kinds.
【0083】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。上記可溶性粒子の平均粒径としては、0.1〜10
μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2種類以上
の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均
粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均粒径が1
〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。これによ
り、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路
との密着性にも優れる。なお、可溶性粒子の粒径とは、
可溶性粒子の一番長い部分の長さのことである。The shape of the soluble particles is not particularly limited,
Examples thereof include spherical shapes and crushed shapes. Further, it is desirable that the soluble particles have a uniform shape. This is because it is possible to form a roughened surface having unevenness with a uniform roughness. The average particle size of the soluble particles is 0.1 to 10
μm is desirable. Within this particle size range, two or more different particle sizes may be contained. That is, the soluble particles having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and the average particle size of 1
˜3 μm soluble particles and so on. As a result, a more complicated roughened surface can be formed, and the adhesion with the conductor circuit is excellent. The particle size of the soluble particles is
It is the length of the longest part of the soluble particles.
【0084】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。Examples of the soluble resin particles include particles made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, etc., which have a faster dissolution rate than the hardly soluble resin when immersed in a solution containing an acid or an oxidizing agent. It is not particularly limited as long as it is.
【0085】上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例
えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリフェニレン樹脂、ポリエーテルスルフォン、フ
ェノキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。Specific examples of the soluble resin particles include those made of epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyether sulfone, phenoxy resin, polyolefin resin, fluororesin, and the like. 1 may be used, or a mixture of two or more resins may be used.
【0086】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。As the soluble resin particles, resin particles made of rubber can be used. Examples of the rubber include polybutadiene rubber, various modified polybutadiene rubbers such as epoxy-modified, urethane-modified, (meth) acrylonitrile-modified, and (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group. By using these rubbers, the soluble resin particles are easily dissolved in the acid or the oxidizing agent.
【0087】つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解
する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸
化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的
酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができ
る。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解す
ることができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残
留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩
化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与され
なたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。That is, when the soluble resin particles are dissolved with an acid, an acid other than a strong acid can be dissolved, and when the soluble resin particles are dissolved with an oxidizing agent, a relatively strong oxidizing power is obtained. It can dissolve even weak permanganate. Even when chromic acid is used, it can be dissolved at a low concentration. Therefore, the acid and the oxidizing agent do not remain on the resin surface, and as described later, when the catalyst such as palladium chloride is applied after the roughened surface is formed, the catalyst is not applied or the catalyst is oxidized. There is nothing to do.
【0088】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。Examples of the soluble inorganic particles include particles made of at least one selected from the group consisting of aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds and silicon compounds.
【0089】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide, and examples of the calcium compound include calcium carbonate and
Examples include calcium hydroxide and the like, examples of the potassium compound include potassium carbonate and the like, examples of the magnesium compound include magnesia, dolomite, basic magnesium carbonate and the like, and examples of the silicon compound include silica and zeolite. Is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
【0090】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。Examples of the soluble metal particles include, for example,
Copper, nickel, iron, zinc, lead, gold, silver, aluminum,
Examples thereof include particles made of at least one selected from the group consisting of magnesium, calcium and silicon. The surface layer of these soluble metal particles may be coated with a resin or the like in order to ensure insulation.
【0091】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用い
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。When two or more kinds of the above soluble particles are mixed and used, the combination of the two kinds of soluble particles to be mixed is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. Both can ensure the insulation of the resin film because the conductivity is low, it is easy to adjust the thermal expansion with the poorly soluble resin, cracks do not occur in the interlayer resin insulation layer made of the resin film, This is because peeling does not occur between the interlayer resin insulation layer and the conductor circuit.
【0092】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。The sparingly soluble resin is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed in the interlayer resin insulating layer using an acid or an oxidizing agent. Examples thereof include thermosetting resins, thermoplastic resins, and composites thereof. Further, it may be a photosensitive resin obtained by imparting photosensitivity to these resins. By using the photosensitive resin, the via hole opening can be formed in the interlayer resin insulation layer by exposure and development.
【0093】これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有し
ているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは
種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持すること
ができるからである。Of these, those containing a thermosetting resin are desirable. This is because the shape of the roughened surface can be maintained by the plating solution or various heat treatments.
【0094】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹
脂、ポリエーテルスルフォン、フェノキシ樹脂等が挙げ
られる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、2種以
上を併用してもよい。さらには、1分子中に、2個以上
のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前
述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱
性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下において
も、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離など
が起きにくいからである。Specific examples of the poorly soluble resin include epoxy resin, phenol resin, polyimide resin,
Examples thereof include polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, polyether sulfone, and phenoxy resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Furthermore, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable. Not only can the roughened surface described above be formed, but also because it has excellent heat resistance, stress concentration does not occur in the metal layer even under heat cycle conditions, and peeling of the metal layer does not easily occur. Because.
【0095】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。Examples of the epoxy resin include cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of a condensation product of a phenol and an aromatic aldehyde having a phenolic hydroxyl group,
Examples thereof include triglycidyl isocyanurate and alicyclic epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more. As a result, the heat resistance is excellent.
【0096】上記層間樹脂絶縁層の形成に用いられる樹
脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、難溶性樹脂中
にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗
さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フ
ィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、そ
の上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保するこ
とができるからである。In the resin film used for forming the interlayer resin insulation layer, it is desirable that the soluble particles are substantially uniformly dispersed in the sparingly soluble resin. It is possible to form a roughened surface having unevenness with a uniform roughness, and even if a via hole or a through hole is formed in the resin film, it is possible to secure the adhesion of the metal layer of the conductor circuit formed thereon. Because you can.
【0097】また、粗化面を形成する表層部だけに可溶
性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それに
よって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤に
さらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導
体回路間の絶縁性が確実に保たれる。A resin film containing soluble particles may be used only in the surface layer portion forming the roughened surface. As a result, the parts other than the surface layer of the resin film are not exposed to the acid or the oxidizing agent, so that the insulating property between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.
【0098】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。In the above resin film, the compounding amount of the soluble particles dispersed in the poorly soluble resin is preferably 3 to 40% by weight based on the resin film. If the content of the soluble particles is less than 3% by weight, it may not be possible to form a roughened surface having desired irregularities, and if it exceeds 40% by weight, when the soluble particles are dissolved using an acid or an oxidizing agent. In addition, the resin film may be dissolved to a deep portion, and the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulation layer made of the resin film cannot be maintained, which may cause a short circuit.
【0099】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。It is desirable that the resin film contains a curing agent and other components in addition to the soluble particles and the poorly soluble resin.
【0100】上記硬化剤としては、例えば、イミダゾー
ル系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、こ
れらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマ
イクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、
テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレー
ト等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。Examples of the above-mentioned curing agent include imidazole-based curing agents, amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, epoxy adducts of these curing agents, microencapsulations of these curing agents, triphenylphosphine,
Examples thereof include organic phosphine compounds such as tetraphenylphosphonium and tetraphenylborate.
【0101】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。The content of the above curing agent is preferably 0.05 to 10% by weight based on the resin film. 0.
If it is less than 05% by weight, the resin film is insufficiently cured, so that the degree of penetration of the acid or the oxidant into the resin film becomes large, and the insulating property of the resin film may be impaired. On the other hand, if it exceeds 10% by weight, an excessive amount of the curing agent component may modify the composition of the resin, which may lead to a decrease in reliability.
【0102】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り、プリント配線板
の性能を向上させることができる。Examples of the above-mentioned other components include fillers such as inorganic compounds or resins that do not affect the formation of the roughened surface. As the inorganic compound, for example,
Examples of the resin include silica, alumina, dolomite, and the like. Examples of the resin include polyimide resin, polyacrylic resin, polyamideimide resin, polyphenylene resin, melanin resin, and olefin resin. By including these fillers, the coefficient of thermal expansion can be matched, the heat resistance and the chemical resistance can be improved, and the performance of the printed wiring board can be improved.
【0103】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。Further, the resin film may contain a solvent. Examples of the solvent include acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone,
Aromatic hydrocarbons such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, toluene, xylene and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
【0104】(14) 次いで、炭酸ガスレーザ、エキシマ
レーザ、YAGレーザ又はUVレーザによって、上記(1
1)で形成した樹脂フィルムに対して、直径60〜80μ
mのバイアホール形成用開口(非貫通孔)13を設ける
(図2(e)参照)。(14) Then, using a carbon dioxide gas laser, an excimer laser, a YAG laser, or a UV laser, the above (1)
60 ~ 80μ diameter for the resin film formed in 1)
A via hole forming opening (non-through hole) 13 of m is provided (see FIG. 2 (e)).
【0105】このようなバイアホール形成用開口13を
設けた樹脂フィルムを、熱硬化処理により硬化させて層
間樹脂絶縁層を形成する。上記バイアホールは、レーザ
照射によるエリア加工、あるいは、マスクを載置させた
状態でのレーザ照射によるエリア加工によって形成させ
てもよい。又、混在レーザ(炭酸レーザとエキシマレー
ザといった組み合わせを意味する)を用いた加工によっ
て形成してもよい。The resin film provided with the via hole forming opening 13 is cured by a thermosetting treatment to form an interlayer resin insulation layer. The via holes may be formed by area processing by laser irradiation or area processing by laser irradiation with a mask placed. Alternatively, it may be formed by processing using a mixed laser (meaning a combination of a carbon dioxide laser and an excimer laser).
【0106】(15) 次に、上記(14)で形成したバイアホ
ール内のデスミア処理を行なう。このデスミア処理は、
クロム酸又は過マンガン酸塩(過マンガン酸カリウム、
過マンガン酸ナトリウム)から成る酸化剤によって行な
われ、バイアホール用非貫通孔内をクリーニングすると
ともに、非貫通孔内壁を含んだ層間樹脂絶縁層の表面に
粗化層(図示を省略)を形成する。(15) Next, a desmear process in the via hole formed in (14) above is performed. This desmear processing is
Chromic acid or permanganate (potassium permanganate,
(Sodium permanganate) is used to clean the inside of the non-through holes for via holes and to form a roughening layer (not shown) on the surface of the interlayer resin insulation layer including the inner walls of the non-through holes. .
【0107】(16) 上記(15)の粗化処理を施した層間樹
脂絶縁層表面に、パラジウム触媒を付与した後、以下の
ような条件で無電解めっきを施して、粗化面上に無電解
銅めっき膜14を形成する(図3(a)参照)。
〔無電解めっき水溶液〕
EDTA :150 g/l
硫酸銅 :20 g/l
HCHO :30 ml/l
NaOH :40 g/l
α、α’−ビピリジル :80 mg/l
PEG :0.1 g/l
〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分(16) After applying a palladium catalyst to the surface of the interlayer resin insulation layer that has been subjected to the roughening treatment of (15) above, electroless plating is performed under the following conditions so that the roughened surface is not coated. An electrolytic copper plating film 14 is formed (see FIG. 3 (a)). [Electroless plating aqueous solution] EDTA: 150 g / l Copper sulfate: 20 g / l HCHO: 30 ml / l NaOH: 40 g / l α, α'-bipyridyl: 80 mg / l PEG: 0.1 g / l [Electroless plating condition] 30 minutes at a liquid temperature of 70 ° C
【0108】この実施例では、金属膜として無電解銅め
っき膜を形成しているが、スパッタを用いて、銅又はニ
ッケル皮膜を形成することも可能である。また、金属層
を形成する前に、表層にドライ処理として、プラズマ処
理、UV処理、コロナ処理等を行って表面を改質しても
よい。In this embodiment, the electroless copper plating film is formed as the metal film, but it is also possible to form the copper or nickel film by using sputtering. Before forming the metal layer, the surface may be subjected to plasma treatment, UV treatment, corona treatment or the like as a dry treatment to modify the surface.
【0109】(17) 前記(16)で無電解めっき膜14を形
成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張
り付け、フォトマスクフィルムを載置して、100mJ/cm
2で露光、 0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ1
5μmのめっきレジスト16を設けた(図3(b) 参
照)。(17) A commercially available photosensitive dry film is attached to both surfaces of the substrate on which the electroless plating film 14 is formed in (16) above, and a photomask film is placed on the substrate, and 100 mJ / cm 2.
2 exposure, development processing with 0.8% sodium carbonate, thickness 1
A 5 μm plating resist 16 was provided (see FIG. 3 (b)).
【0110】(18) さらに、以下のような条件で電解め
っきを施して、厚さ15μmの電解めっき膜15を形成
し、導体回路9の部分の厚付け、およびバイアホール1
7をめっき充填した(図3(c) 参照)。
〔電解メッキ水溶液〕
硫酸 :150 g/l
硫酸銅 :160 g/l
レベリング剤 :30 ml/l
(ポリオキシエチレン系化合物)
光沢剤 :0.8 ml/l
(スルホン酸アミン系化合物)
〔電解メッキ条件〕
電流密度 :1 A/dm2
時間 :78 min
温度 :23±2 ℃(18) Further, electrolysis is performed under the following conditions.
Apply plating to form an electroplated film 15 with a thickness of 15 μm
Then, thicken the portion of the conductor circuit 9 and the via hole 1
7 was filled by plating (see FIG. 3 (c)).
[Electrolytic plating solution]
Sulfuric acid: 150 g / l
Copper sulfate: 160 g / l
Leveling agent: 30 ml / l
(Polyoxyethylene compound)
Brightener: 0.8 ml / l
(Amine sulfonate compound)
[Electrolytic plating conditions]
Current density: 1 A / dmTwo
Time: 78 min
Temperature: 23 ± 2 ℃
【0111】(19) そして、めっきレジスト16をNa
OHやKOH等のアルカリ溶液で剥離除去した後、その
めっきレジスト下の無電解めっき膜14を硫酸と過酸化
水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、無電
解銅めっき膜14と電解銅めっき膜15とからなる厚さ
16μmの外層の導体回路パターン9 (充填バイアホー
ル17を含む)を形成した(図3(d) 参照)。(19) Then, the plating resist 16 is changed to Na.
After stripping and removing with an alkaline solution such as OH or KOH, the electroless plating film 14 under the plating resist is dissolved and removed by etching using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the electroless copper plating film 14 and electrolytic copper are removed. An outer conductor circuit pattern 9 (including the filling via hole 17) having a thickness of 16 μm and including the plated film 15 was formed (see FIG. 3D).
【0112】(20) 上記(19)の工程にて得たバイアホー
ル表面および導体回路パターン表面(いずれも側面を含
んだ全表面)に、エッチング(第二銅錯体と有機酸とを
含有するエッチング液)を施して、それらの表面に粗化
層(図示を省略)を形成する。(20) Etching (etching containing a cupric complex and an organic acid) on the via hole surface and the conductor circuit pattern surface (all surfaces including side surfaces) obtained in the step (19) above. Liquid) to form a roughened layer (not shown) on their surface.
【0113】このようなエッチング処理に代わって、無
電解めっき(Cu−Ni−P)により、あるいは酸化―
還元処理により粗化層を形成してもよい。
(21) 次いで、上記粗化面を形成した基板上に、上記
(13)〜(18)の工程を繰り返すことで、2層目の層間樹
脂絶縁層22上の無電解めっき膜上に電解めっきを施し
て、厚さ15μmの電解めっき膜を形成し、最外層の導
体回路19の厚付けおよび充填バイアホール27を形成
した(図4参照)。Instead of such etching treatment, electroless plating (Cu-Ni-P) or oxidation-
The roughening layer may be formed by reduction treatment. (21) Next, the steps (13) to (18) are repeated on the substrate with the roughened surface formed thereon to perform electroplating on the electroless plated film on the second interlayer resin insulation layer 22. Then, an electrolytic plated film having a thickness of 15 μm was formed to thicken the outermost conductor circuit 19 and fill via holes 27 (see FIG. 4).
【0114】(22) 前記(21)で得た基板の両面に、市販
の液状レジストを塗布し、乾燥させた後に、基板の一方
の側には口径が100μmであるような円形パターン
を、基板の他方の側には口径が400μmであるような
円形パターンを描画したフォトマスクフィルムを載置し
て、100mJ/cm2で露光、 0.8%炭酸ナトリウムで現像
処理し、基板の一方の側における導体回路パターンの所
定個所において、口径がほぼ100μmで開口し、基板
の他方の側における導体回路パターンの所定個所におい
て、口径がほぼ400μmで開口する、厚さ15〜20
μmのめっきレジスト26を設けた(図5参照)。(22) A commercially available liquid resist is applied to both surfaces of the substrate obtained in (21) and dried, and then a circular pattern having a diameter of 100 μm is formed on one side of the substrate. On the other side, place a photomask film on which a circular pattern with a diameter of 400 μm is drawn, expose at 100 mJ / cm 2 , develop with 0.8% sodium carbonate, and conduct on one side of the substrate. A thickness of 15 to 20 opens at a predetermined portion of the circuit pattern with a diameter of about 100 μm, and at a predetermined portion of the conductor circuit pattern on the other side of the substrate with a diameter of about 400 μm
A μm plating resist 26 was provided (see FIG. 5).
【0115】(23) さらに、以下のような条件で、無電
解めっきを施して、めっきレジスト26の開口内に露出
するバイアホール27を含んだ導体回路19の表面およ
びめっきレジスト表面に無電解銅めっき膜24を形成す
る(図6参照)。
〔無電解めっき水溶液〕
EDTA :150 g/l
硫酸銅 :20 g/l
HCHO :30 ml/l
NaOH :40 g/l
α、α’−ビピリジル :80 mg/l
PEG :0.1 g/l
〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分(23) Furthermore, electroless plating is performed under the following conditions to form electroless copper on the surface of the conductor circuit 19 including the via hole 27 exposed in the opening of the plating resist 26 and the surface of the plating resist. The plating film 24 is formed (see FIG. 6). [Electroless plating aqueous solution] EDTA: 150 g / l Copper sulfate: 20 g / l HCHO: 30 ml / l NaOH: 40 g / l α, α'-bipyridyl: 80 mg / l PEG: 0.1 g / l [Electroless plating condition] 30 minutes at a liquid temperature of 70 ° C
【0116】(24) 前記(23)で無電解めっき膜24を形
成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張
り付け、フォトマスクフィルムを載置して、100mJ/cm
2で露光、 0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ2
0μmのめっきレジスト36を設けた。(24) A commercially available photosensitive dry film is attached to both surfaces of the substrate on which the electroless plating film 24 is formed in (23) above, and a photomask film is placed on the substrate, and 100 mJ / cm 2 is applied.
2 exposure, developed with 0.8% sodium carbonate, thickness 2
A plating resist 36 of 0 μm was provided.
【0117】(25) さらに、以下のような条件で電解め
っきを施して、めっきレジストの開口位置に対応する無
電解めっき膜24上に、厚さ15μmの電解銅めっき膜2
5をめっき充填した(図7参照)。
〔電解メッキ水溶液〕
硫酸 :150 g/l
硫酸銅 :160 g/l
レベリング剤 :30 ml/l
(ポリオキシエチレン系化合物)
光沢剤 :0.8 ml/l
(スルホン酸アミン系化合物)
〔電解メッキ条件〕
電流密度 :1 A/dm2
時間 :78 min
温度 :23±2 ℃(25) Furthermore, electrolysis is performed under the following conditions.
Plating is applied to the plating resist opening position
15 μm thick electrolytic copper plating film 2 on the electrolytic plating film 24
5 was plated and filled (see FIG. 7).
[Electrolytic plating solution]
Sulfuric acid: 150 g / l
Copper sulfate: 160 g / l
Leveling agent: 30 ml / l
(Polyoxyethylene compound)
Brightener: 0.8 ml / l
(Amine sulfonate compound)
[Electrolytic plating conditions]
Current density: 1 A / dmTwo
Time: 78 min
Temperature: 23 ± 2 ℃
【0118】(26) そして、めっきレジスト36をNa
OHやKOH等のアルカリ溶液で剥離除去した(図8参
照)後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜24を
硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解
除去し、さらに、めっきレジスト26をNaOHやKO
H等のアルカリ溶液で剥離除去して、無電解銅めっき膜
24と電解銅めっき膜25とからなる高さ16μmのめ
っきポスト30を、導体回路パターン19 (充填バイア
ホール27を含む)上に形成した(図9参照)。(26) Then, the plating resist 36 is changed to Na.
After peeling and removing with an alkaline solution such as OH or KOH (see FIG. 8), the electroless plated film 24 under the plating resist is dissolved and removed by etching using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and further the plating resist 26 for NaOH and KO
Stripping and removing with an alkaline solution such as H to form a plating post 30 having a height of 16 μm consisting of the electroless copper plating film 24 and the electrolytic copper plating film 25 on the conductor circuit pattern 19 (including the filling via hole 27). (See FIG. 9).
【0119】(27) 次いで、DMDGに溶解させた60重
量%のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオ
リゴマー(分子量4000)を 46.67g、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダ
ゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)1.6 g、感光性
モノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、R
604 )3g、同じく多価アクリルモノマー(共栄社化学
製、DPE6A ) 1.5g、分散系消泡剤(サンノプコ社製、
S−65)0.71gを混合し、さらにこの混合物に対して光
開始剤としてのベンゾフェノン(関東化学製)を2g、
光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)を 0.2
g加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・sに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。(27) Next, 46.67 g of a photosensitizing oligomer (molecular weight 4000) obtained by acrylated 50% of epoxy groups of 60 wt% cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku) dissolved in DMDG, 15.0 g of 80 wt% bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, 2E4MZ-CN) 1.6 g, polyvalent acrylic monomer as a photosensitive monomer (Nippon Kayaku, R
604) 3 g, similarly polyvalent acrylic monomer (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., DPE6A) 1.5 g, dispersion type defoaming agent (manufactured by San Nopco,
S-65) 0.71 g was mixed, and further 2 g of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator was added to the mixture.
0.2 Michler's ketone (Kanto Kagaku) as a photosensitizer
g to obtain a solder resist composition having a viscosity adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C.
【0120】ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂
を使用でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、
ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂
のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤
などで硬化させた樹脂を使用できる。As the solder resist layer, various resins can be used. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin acrylate,
A novolac type epoxy resin or a resin obtained by curing an acrylate of a novolac type epoxy resin with an amine-based curing agent or an imidazole curing agent can be used.
【0121】(28) 上記(26)で得られた基板の両面に、
(27)で得られたソルダーレジスト組成物を、めっきポス
ト30の上面を覆って、厚さ25μmで塗布した。市販
のソルダーレジスト組成物でもよい(図10参照)。(28) On both sides of the substrate obtained in (26) above,
The solder resist composition obtained in (27) was applied so as to cover the upper surface of the plating post 30 and have a thickness of 25 μm. It may be a commercially available solder resist composition (see FIG. 10).
【0122】(29) 次に、ソルダーレジスト組成物の塗
膜に対して、80℃で20分間、100℃で30分間の
乾燥処理を行った後、上記(26)で得られためっきポスト
30の表面が露出するまで、この塗膜表面に研磨処理を
施す。このような研磨は、たとえば、ベルトサンダー又
はバフ研磨によって行うことが望ましい。(29) Next, the coating film of the solder resist composition was dried at 80 ° C. for 20 minutes and at 100 ° C. for 30 minutes, and then the plating post 30 obtained in (26) above. The surface of this coating film is subjected to polishing until the surface of is exposed. Such polishing is preferably performed by belt sander or buff polishing, for example.
【0123】(30) そしてさらに、80℃で1時間、1
00℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間
の条件で加熱処理して、厚みが20μmのソルダーレジ
スト層32を基板の両面に形成する(図11参照)。こ
の状態では、研磨されためっきポスト30の平坦な上端
面が、ソルダーレジスト層32の表面に露出しており、
そのめっきポスト30の上端面は、基板の一方の側にお
いては直径がほぼ100μm、基板の他方の側において
は直径がほぼ400μmであるような円形領域を呈して
いる。但し、図においては、基板両面に形成しためっき
ポスト30は、便宜上ほぼ同一のサイズに示されてい
る。(30) Then, at 80 ° C. for 1 hour, 1
Heat treatment is performed under the conditions of 00 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours to form a solder resist layer 32 having a thickness of 20 μm on both surfaces of the substrate (see FIG. 11). In this state, the flat upper end surface of the polished plating post 30 is exposed on the surface of the solder resist layer 32,
The upper end surface of the plating post 30 presents a circular region having a diameter of about 100 μm on one side of the substrate and a diameter of about 400 μm on the other side of the substrate. However, in the drawing, the plating posts 30 formed on both surfaces of the substrate are shown to have substantially the same size for convenience.
【0124】(31) その後、基板を塩化ニッケル2.3 ×
10−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−1
mol/l、クエン酸ナトリウム1.6 ×10−1mol/
l、からなるpH=4.5の無電解ニッケルめっき液
に、20分間浸漬して、めっきポスト30の上端面に、
厚さ5μmのニッケルめっき層40を形成し、さらに、
シアン化金カリウム7.6 ×10−3mol/l、塩化アン
モニウム1.9 ×10−1mol/l、クエン酸ナトリウム
1.2 ×10−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×
10−1mol/lからなる無電解金めっき液に80℃の条
件で7.5分間浸漬して、厚さ5μmのニッケルめっき
層40上に厚さ0.03μmの金めっき層42を形成す
る(図12参照)。(31) Thereafter, the substrate is nickel chloride 2.3 ×
10 −1 mol / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 −1
mol / l, sodium citrate 1.6 × 10 −1 mol / l
The electroless nickel plating solution consisting of 1 and pH = 4.5 is immersed in the electroless nickel plating solution for 20 minutes, and the upper end surface of the plating post 30 is
A nickel plating layer 40 having a thickness of 5 μm is formed, and further,
Potassium gold cyanide 7.6 x 10 -3 mol / l, ammonium chloride 1.9 x 10 -1 mol / l, sodium citrate
1.2 x 10 -1 mol / l, sodium hypophosphite 1.7 x
The electroless gold plating solution of 10 −1 mol / l is immersed for 7.5 minutes at 80 ° C. to form a 0.03 μm-thick gold plating layer 42 on the 5 μm-thick nickel plating layer 40. (See Figure 12).
【0125】このようなニッケルめっき層40と金めっ
き層42は、めっきポスト30に対する耐蝕めっき層を
構成し、このような耐蝕めっき層の表面は、半田バンプ
や、半田ボール、Tピン等の半田体が配設される導体パ
ッドを形成する。The nickel plating layer 40 and the gold plating layer 42 constitute a corrosion-resistant plating layer for the plating post 30, and the surface of such a corrosion-resistant plating layer is a solder bump, a solder ball, a solder such as a T pin, or the like. Form a conductor pad on which the body is disposed.
【0126】上記ニッケル以外の金属としては、パラジ
ウム、チタンなどが用いられ、また上記金以外の貴金属
としては、銀、白金などを用いることもできる。また、
貴金属層を2層以上で形成してもよい。表面処理として
ドライ処理、プラズマ、UV、コロナ処理を行ってもよ
い。それにより、アンダーフィルの充填性が向上させる
ことができるからである。Palladium, titanium, etc. may be used as the metal other than nickel, and silver, platinum, etc. may be used as the noble metal other than gold. Also,
The noble metal layer may be formed of two or more layers. The surface treatment may be dry treatment, plasma, UV, or corona treatment. This is because the filling property of the underfill can be improved.
【0127】(32) そして、ソルダーレジスト層32の
表面から露出するめっきポスト30を覆ったニッケル−
金層上には、以下のような組成の半田ペーストを、円錐
面形態の開口(ソルダーレジスト層側の下部開口径11
0μmと半田ペーストが充填される側の上部開口径10
5μm)を有し、厚みが40μmのマスクをソルダーレ
ジスト層の表面に密着させた状態で、スキージを用いて
印刷し、230℃でリフローすることにより、基板上面
側のめっきポスト30上に半田バンプ44を150μm
ピッチで形成し、また、基板下面側のニッケル−金層の
表面には、半田を介して、1.27mmピッチで半田ボ
ール(図示を省略)を形成してなる多層プリント配線板
を製造した(図13参照)。但し、図においては、半田
バンプ44のピッチと半田ボールのピッチは、便宜上ほ
ぼ同じ程度に描かれている。(32) Then, the nickel-covered plating post 30 exposed from the surface of the solder resist layer 32 is formed.
On the gold layer, a solder paste having the following composition was used to form a conical surface-shaped opening (lower opening diameter 11 on the solder resist layer side).
0 μm and upper opening diameter 10 on the side filled with solder paste
5 μm) and a thickness of 40 μm is closely adhered to the surface of the solder resist layer, printing is performed using a squeegee and reflow is performed at 230 ° C., so that solder bumps are formed on the plating posts 30 on the upper surface side of the substrate. 44 to 150 μm
A multi-layer printed wiring board was manufactured in which pitches were formed and solder balls (not shown) were formed at a pitch of 1.27 mm on the surface of the nickel-gold layer on the lower surface side of the substrate via solder ( (See FIG. 13). However, in the drawing, the pitch of the solder bumps 44 and the pitch of the solder balls are drawn substantially the same for convenience.
【0128】上記はんだバンプ44を形成するための半
田ペーストは、溶融温度が約183℃のSn63/Pb
37半田を用い、その半田成分としての半田の粒子径の
範囲は、5−20μmであることが望ましく、1−20
μmの範囲であることがより望ましい。The solder paste for forming the solder bumps 44 is Sn63 / Pb having a melting temperature of about 183 ° C.
37 solder is used, and the particle size range of the solder as the solder component is preferably 5 to 20 μm.
The range of μm is more preferable.
【0129】また、そのような半田はフラックスによっ
てその粘度(23℃)が150−350Pa・sの範囲
に調整され、より好ましくは、230−290Pa・s
の粘度に調整される。The viscosity (23 ° C.) of such solder is adjusted to a range of 150-350 Pa · s by the flux, and more preferably 230-290 Pa · s.
Is adjusted to the viscosity of.
【0130】上記半田ペーストのスキージによる印刷
は、例えば、以下の条件にて行なわれる。即ち、アディ
ティブ製のメタルマスクと硬度80°の樹脂製平スキー
ジを角度60°で、半田ペースト粘度: 230Pa・
s、スキージ速度:20mm/secの条件で印刷する。Printing of the solder paste with a squeegee is performed, for example, under the following conditions. That is, an additive metal mask and a resin flat squeegee with a hardness of 80 ° at an angle of 60 ° and a solder paste viscosity of 230 Pa ·
s, squeegee speed: Print under the condition of 20 mm / sec.
【0131】このような多層回路基板を構成する最も外
側の回路基板のうち、基板上面側のめっきポスト30上
には、高さ35μmの半田バンプを形成した。この多層
回路基板の最も外側の層回路基板に電子部品を載置した
状態で、Sn/Pb半田の溶融点近傍の雰囲気内でリフ
ローさせて、はんだバンプに電子部品のはんだボールを
溶融固着させることによって、多層回路基板と電子部品
とを電気的に接続する。また、上記実施例では、基板下
面側の導体パッド上に、マザーボードとの接続用に半田
ボール(BGA)を設けたが、その代わりに接続用Tピ
ン(PGA)を形成することも可能である。Among the outermost circuit boards constituting such a multilayer circuit board, solder bumps having a height of 35 μm were formed on the plating posts 30 on the upper surface side of the board. With the electronic component placed on the outermost layer circuit board of this multilayer circuit board, reflow in an atmosphere near the melting point of the Sn / Pb solder to melt and fix the solder ball of the electronic component to the solder bump. To electrically connect the multilayer circuit board and the electronic component. Further, in the above-described embodiment, the solder ball (BGA) is provided on the conductor pad on the lower surface side of the substrate for connection with the mother board, but a T-pin for connection (PGA) may be formed instead. .
【0132】(実施例2)
(1) 上記実施例1の(1)〜(21)と同様の処理によって、
最も外側の層間樹脂絶縁層22の表面に形成された無電
解めっき膜上に電解めっきを施して、厚さ15μmの電解
めっき膜を形成し、厚付けされた最外層の導体回路19
および充填バイアホール27を形成した基板を得た(図
1〜図4参照)。(Example 2) (1) By the same processing as (1) to (21) in Example 1 above,
Electroless plating is performed on the electroless plating film formed on the surface of the outermost interlayer resin insulation layer 22 to form an electrolytic plating film having a thickness of 15 μm, and the thickened outermost conductor circuit 19 is formed.
A substrate having the filled via hole 27 formed therein was obtained (see FIGS. 1 to 4).
【0133】(2) 上記(1)で得た基板の下面側に保護膜
29を貼り付けた状態で、上面側に市販の液状レジスト
を塗布し、乾燥させた後に、口径が100μmであるよ
うな円形パターンを描画したフォトマスクフィルムを載
置して、100mJ/cm2で露光、 0.8%炭酸ナトリウムで
現像処理して、基板の上面側における導体回路パターン
の所定個所において、口径がほぼ100μmで開口する
めっきレジスト26を形成した。(2) With the protective film 29 attached to the lower surface side of the substrate obtained in (1) above, a commercially available liquid resist is applied to the upper surface side, and after drying, the aperture is 100 μm. Place a photomask film with a circular pattern drawn on it, expose it to 100 mJ / cm 2 , develop it with 0.8% sodium carbonate, and make sure that the conductor circuit pattern on the top side of the substrate has a diameter of about 100 μm. A plating resist 26 having an opening was formed.
【0134】(3) 次いで、上記実施例1の(23)〜(24)
と同様な処理によって、めっきレジスト26の開口内に
露出するバイアホール27を含んだ導体回路19の表面
およびめっきレジスト表面に、薄付けの無電解銅めっき
膜24を形成する(図14参照)。(3) Then, (23) to (24) in Example 1 above
A thin electroless copper-plated film 24 is formed on the surface of the conductor circuit 19 including the via hole 27 exposed in the opening of the plating resist 26 and the surface of the plating resist by the same process as in (see FIG. 14).
【0135】(4) 前記(3)で無電解めっき膜24を形成
した基板の上面側に、市販の感光性ドライフィルムを張
り付け、フォトマスクフィルムを載置して、100mJ/cm
2で露光、 0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15
μmのめっきレジスト36を設けた。(4) A commercially available photosensitive dry film is attached to the upper surface of the substrate on which the electroless plating film 24 is formed in (3) above, a photomask film is placed, and 100 mJ / cm 2 is applied.
2 exposure, developed with 0.8% sodium carbonate, thickness 15
A plating resist 36 of μm was provided.
【0136】(5) さらに、以下のような条件で電解め
っきを施して、めっきレジストの開口位置に対応する無
電解めっき膜24上に、厚さ15μmの電解銅めっき膜
25をめっき充填した(図15参照)。
〔電解メッキ水溶液〕
硫酸 :150 g/l
硫酸銅 :160 g/l
レベリング剤 :30 ml/l
(ポリオキシエチレン系化合物)
光沢剤 :0.8 ml/l
(スルホン酸アミン系化合物)
〔電解メッキ条件〕
電流密度 :1 A/dm2
時間 :78 min
温度 :23±2 ℃(5) Further, electrolysis is performed under the following conditions.
Plating is applied to the plating resist opening position
A 15 μm-thick electrolytic copper-plated film on the electrolytic-plated film 24.
25 was filled by plating (see FIG. 15).
[Electrolytic plating solution]
Sulfuric acid: 150 g / l
Copper sulfate: 160 g / l
Leveling agent: 30 ml / l
(Polyoxyethylene compound)
Brightener: 0.8 ml / l
(Amine sulfonate compound)
[Electrolytic plating conditions]
Current density: 1 A / dmTwo
Time: 78 min
Temperature: 23 ± 2 ℃
【0137】(6) そして、めっきレジスト36をNa
OHやKOH等のアルカリ溶液で剥離除去した(図16
参照)後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜24
を硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶
解除去し、さらに、めっきレジスト26をNaOHやK
OH等のアルカリ溶液で剥離除去して、無電解銅めっき
膜24と電解銅めっき膜25とからなる厚さ16μmの
めっきポスト30を、充填バイアホール27を含む導体
回路パターン19のランド上に形成し(図17参照)、
その後、基板の下面側に貼り付けた保護膜29を剥離除
去した。(6) Then, the plating resist 36 is changed to Na.
Stripped and removed with an alkaline solution such as OH or KOH (Fig. 16).
Then, the electroless plating film 24 under the plating resist
Is dissolved and removed by etching using a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the plating resist 26 is further removed with NaOH or K.
Stripping and removing with an alkaline solution such as OH, a plating post 30 having a thickness of 16 μm and formed of an electroless copper plating film 24 and an electrolytic copper plating film 25 is formed on the land of the conductor circuit pattern 19 including the filling via hole 27. (See FIG. 17),
After that, the protective film 29 attached to the lower surface side of the substrate was peeled and removed.
【0138】(7) 次いで、上記実施例1の(27)と同様
な処理によって、ソルダーレジスト組成物を得る。
(8) 上記(6)で得られた基板の両面に、前記(7)で得ら
れたソルダーレジスト組成物を、めっきポスト30の上
面を覆って、厚さ18μmで塗布した。市販のソルダー
レジスト組成物でもよい。(7) Then, a solder resist composition is obtained by the same treatment as in (27) of Example 1 above. (8) The solder resist composition obtained in the above (7) was applied to both surfaces of the substrate obtained in the above (6) so as to cover the upper surface of the plating post 30 and have a thickness of 18 μm. A commercially available solder resist composition may be used.
【0139】(9) 次いで、80℃で20分間、100
℃で30分間の乾燥処理を行った後、基板の下面側のソ
ルダーレジスト層32の表面に、直径200μmの円形
パターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルム
を密着させて載置し、1000mJ/cm2の紫外線で露光し、
DMTG現像処理する(図18参照)。(9) Then, at 80 ° C. for 20 minutes, 100
After performing a drying process at 30 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask film having a circular pattern with a diameter of 200 μm drawn on the surface of the solder resist layer 32 on the lower surface side of the substrate is closely attached and placed at 1000 mJ. / Cm 2 of UV exposure,
DMTG development processing is performed (see FIG. 18).
【0140】(10) さらに、基板の上面側のソルダーレ
ジスト層32を、めっきポスト30の表面が露出するま
で、研磨処理を施す。この研磨は、たとえば、ベルトサ
ンダー又はバフ研磨によって行うことが望ましい。(10) Further, the solder resist layer 32 on the upper surface side of the substrate is polished until the surface of the plating post 30 is exposed. It is desirable to perform this polishing by, for example, belt sander or buff polishing.
【0141】(11) そしてさらに、80℃で1時間、1
00℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間
の条件で加熱処理して、厚みが20μmのソルダーレジ
スト層32を基板の両面に形成し、基板の下面側のソル
ダーレジスト層だけに、直径がほぼ200μmの開口3
4が形成される(図19参照)。(11) Then, at 80 ° C. for 1 hour, 1
Heat treatment is performed under conditions of 00 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours to form a solder resist layer 32 having a thickness of 20 μm on both sides of the substrate, and only the solder resist layer on the lower surface side of the substrate is formed. And an opening 3 with a diameter of approximately 200 μm
4 are formed (see FIG. 19).
【0142】この状態では、基板上面側には、めっきポ
スト30の平坦な上端面が、ソルダーレジスト層32の
表面に露出しており、そのめっきポスト30の上端面
は、直径が100μmであるような円形領域を呈してい
る。但し、図においては、めっきポスト30の口径と、
基板の下面側のソルダーレジスト層に設けた開口34の
口径は、便宜上ほぼ同一のサイズに示されている。In this state, the flat upper end surface of the plating post 30 is exposed on the surface of the solder resist layer 32 on the upper surface side of the substrate, and the upper end surface of the plating post 30 has a diameter of 100 μm. It has a circular area. However, in the drawing, the diameter of the plating post 30 and
The diameters of the openings 34 provided in the solder resist layer on the lower surface side of the substrate are shown as substantially the same size for convenience.
【0143】(12) 次いで、実施例1の(31)と同様の
処理によって、基板の上面側のめっきポスト30上に、
ニッケルめっき層40と金めっき層42からなる耐蝕め
っき層を形成すると共に、基板の下面側のソルダーレジ
スト層32の開口34内に露出するバイアホール27を
含む導体回路19の表面にも、ニッケルめっき層40と
金めっき層42からなる耐蝕めっき層が形成される(図
20参照)。(12) Next, by the same treatment as in (31) of Example 1, the plating post 30 on the upper surface side of the substrate was
A corrosion resistant plating layer including a nickel plating layer 40 and a gold plating layer 42 is formed, and nickel plating is also performed on the surface of the conductor circuit 19 including the via hole 27 exposed in the opening 34 of the solder resist layer 32 on the lower surface side of the substrate. A corrosion-resistant plating layer including the layer 40 and the gold plating layer 42 is formed (see FIG. 20).
【0144】(13) さらに、実施例1の(32)と同様の
処理によって、基板の上面側のソルダーレジスト層32
の表面に露出するめっきポスト30を覆ったニッケル−
金層上には、半田バンプ44(半田体)を形成し、ま
た、基板下面側のソルダーレジスト層32の開口34内
に露出するニッケル−金層上には、半田を介して半田ボ
ール(図示を省略)を形成してなる多層プリント配線板
を製造した(図21参照)。(13) Further, the same process as (32) in Example 1 was performed to obtain the solder resist layer 32 on the upper surface side of the substrate.
Nickel covering the plating post 30 exposed on the surface of the
Solder bumps 44 (solder bodies) are formed on the gold layer, and solder balls (shown in the figure) are formed on the nickel-gold layer exposed in the openings 34 of the solder resist layer 32 on the lower surface of the substrate via solder. Was omitted) was manufactured (see FIG. 21).
【0145】(実施例3)
(1) 上記実施例1の(1)〜(28)と同様の処理を行って、
基板の両面に、めっきポスト30の上面を覆って、ソル
ダーレジスト組成物を厚さ18μmで塗布した(図1〜
図10参照)。(Embodiment 3) (1) The same processes as (1) to (28) in the above-mentioned Embodiment 1 are carried out,
A solder resist composition having a thickness of 18 μm was applied to both surfaces of the substrate, covering the upper surfaces of the plating posts 30 (see FIGS. 1 to 1).
(See FIG. 10).
【0146】(2) 次いで、80℃で20分間、100
℃で30分間の乾燥処理を行った後、直径が100μm
の円形パターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクフ
ィルムを多層回路基板の片面に、直径が400μmの円
形パターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクフィル
ムを多層回路基板の他方の面に密着させて載置し、1000
mJ/cm2の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。(2) Then, at 80 ° C. for 20 minutes, 100
After drying for 30 minutes at ℃, the diameter is 100μm
5mm thick photomask film with a circular pattern drawn on one side of the multilayer circuit board, and 5mm thick photomask film with a circular pattern of 400μm drawn on the other side of the multilayer circuit board And place it at 1000
It is exposed to ultraviolet rays of mJ / cm 2 and subjected to DMTG development processing.
【0147】(3) そしてさらに、80℃で1時間、10
0℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間の
条件で加熱処理し、多層回路基板の一方の側に口径がほ
ぼ100μmであるような開口部46と、多層回路基板
の他方の側に口径がほぼ400μmであるような開口部
48とを有するソルダーレジスト層(厚み20μm)を
それぞれ形成する(図22参照)。すなわち、基板の両
面に設けためっきポスト30の上面は、ソルダーレジス
ト層32に設けた開口46および48内に露出される。(3) Then, at 80 ° C. for 1 hour, 10
The heat treatment is performed under the conditions of 0 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours, and an opening 46 having a diameter of about 100 μm is formed on one side of the multilayer circuit board and the other side of the multilayer circuit board. A solder resist layer (thickness 20 μm) having an opening 48 having a diameter of approximately 400 μm is formed on each side (see FIG. 22). That is, the upper surfaces of the plating posts 30 provided on both surfaces of the substrate are exposed in the openings 46 and 48 provided in the solder resist layer 32.
【0148】(4) その後、上記実施例1の(31)の処理
にしたがって、ソルダーレジスト層32の開口46およ
び48内に露出するめっきポスト30の上面を覆ってニ
ッケル層40および金層42を形成する(図23参
照)。(4) Then, according to the process of (31) of the above-mentioned Example 1, the nickel layer 40 and the gold layer 42 are covered with the upper surface of the plating post 30 exposed in the openings 46 and 48 of the solder resist layer 32. Formed (see FIG. 23).
【0149】(5) さらに、上記実施例1の(32)と同様
の処理を行って、基板の上面側のめっきポスト30上に
形成したニッケル−金層上に半田バンプ44を150μ
mピッチで形成し、また、基板の下面側のめっきポスト
30上に形成したニッケル−金層の表面には、半田を介
して、1.27mmピッチで半田ボール(図示を省略)
を形成してなる多層プリント配線板を製造した(図24
参照)。(5) Further, the same treatment as in (32) of Example 1 was performed to form 150 μm of solder bumps 44 on the nickel-gold layer formed on the plating posts 30 on the upper surface side of the substrate.
Solder balls (not shown) are formed at a pitch of 1.27 mm on the surface of the nickel-gold layer formed on the plating posts 30 on the lower surface side of the substrate through the solder.
To produce a multilayer printed wiring board (FIG. 24).
reference).
【0150】(実施例4)
(1) 上記実施例1の(1)〜(21)と同様の処理によって、
最も外側の層間樹脂絶縁層22の表面に形成された無電
解めっき膜上に、厚さ15μmの電解めっき膜を形成
し、厚付けされた最外層の導体回路19および充填バイ
アホール27を形成した基板を得た(図1〜図4参
照)。(Embodiment 4) (1) By the same processing as (1) to (21) of the above Embodiment 1,
An electrolytic plating film having a thickness of 15 μm was formed on the electroless plating film formed on the surface of the outermost interlayer resin insulation layer 22, and the thickened outermost conductor circuit 19 and filling via hole 27 were formed. A substrate was obtained (see FIGS. 1 to 4).
【0151】(2) 次いで、前記(1)で得た基板の両面
に、市販の液状レジストを塗布し、乾燥させた後に、基
板の一方の側には口径が100μmであるような円形パ
ターンを、基板の他方の側には口径が400μmである
ような円形パターンを描画したフォトマスクフィルムを
載置して、100mJ/cm2で露光、 0.8%炭酸ナトリウム
で現像処理し、基板の一方の側における導体回路パター
ンのランドにおいて口径がほぼ100μmで開口し、基
板の他方の側における導体回路パターンのランドにおい
て口径がほぼ400μmで開口する、厚さ15〜20μ
mのめっきレジスト53を設けた。(2) Next, a commercially available liquid resist is applied on both sides of the substrate obtained in (1) above and dried, and then a circular pattern having a diameter of 100 μm is formed on one side of the substrate. On the other side of the substrate, place a photomask film on which a circular pattern with a diameter of 400 μm is drawn, expose it at 100 mJ / cm 2 , develop with 0.8% sodium carbonate, and one side of the substrate. In the land of the conductor circuit pattern at about 100 μm, and at the land of the conductor circuit pattern on the other side of the substrate at about 400 μm in diameter, the thickness is 15 to 20 μm.
m plating resist 53 was provided.
【0152】(3) さらに、以下のような条件で無電解
めっきを施して、めっきレジスト53の開口部54内
に、厚さ16μmの無電解銅めっき膜55を充填形成し
た(図25参照)。
〔無電解めっき水溶液〕
EDTA :150g/l
硫酸銅 :20g/l
HCHO :30ml/l
NaOH :40g/l
反応安定剤 :50mg/l
〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で75分(3) Further, electroless plating was performed under the following conditions to fill and form an electroless copper plating film 55 with a thickness of 16 μm in the opening 54 of the plating resist 53 (see FIG. 25). . [Aqueous electroless plating solution] EDTA: 150 g / l Copper sulfate: 20 g / l HCHO: 30 ml / l NaOH: 40 g / l Reaction stabilizer: 50 mg / l [Electroless plating conditions] 75 minutes at 70 ° C. liquid temperature
【0153】(4) 次いで、めっきレジスト53をNa
OHやKOH等のアルカリ溶液で剥離除去して、基板の
上面側および下面側に、無電解銅めっき膜55からなる
厚さ16μmのめっきポスト30を形成した(図26参
照)。(4) Next, the plating resist 53 is replaced with Na.
After peeling and removing with an alkaline solution such as OH or KOH, a plating post 30 having a thickness of 16 μm and made of an electroless copper plating film 55 was formed on the upper surface side and the lower surface side of the substrate (see FIG. 26).
【0154】(5) さらに、上記実施例1の(27)〜(32)
と同様の処理を行って、基板上面側のめっきポスト30
上に半田バンプ44を150μmピッチで形成し、ま
た、基板下面側のニッケル−金層の表面には、半田を介
して、1.27mmピッチで半田ボール(図示を省略)
を形成してなる多層プリント配線板を製造した(図27
〜29参照)。(5) Further, (27) to (32) of Example 1 above.
Perform the same process as the above to perform plating post 30 on the upper surface side of the substrate.
Solder bumps 44 are formed on the upper surface at a pitch of 150 μm, and solder balls are formed on the surface of the nickel-gold layer on the lower surface of the substrate at a pitch of 1.27 mm via solder (not shown).
To produce a multilayer printed wiring board (FIG. 27).
~ 29).
【0155】(実施例5)
(1) 上記実施例4の(1)〜(4)と同様の処理を行って、
基板の上面側および下面側に、無電解銅めっき膜55か
らなる厚さ16μmのめっきポスト30を形成した。(Embodiment 5) (1) The same processes as (1) to (4) in Embodiment 4 are performed,
On the upper surface side and the lower surface side of the substrate, the plating posts 30 made of the electroless copper plating film 55 and having a thickness of 16 μm were formed.
【0156】(2) 次いで、上記実施例1の(27)と同様
の処理によって、ソルダーレジスト組成物を得る。
(3) 上記(1)で得られた基板の両面に、前記(2)で得ら
れたソルダーレジスト組成物を、めっきポスト30の上
面を覆って、厚さ18μmで塗布した。市販のソルダー
レジスト組成物でもよい。(2) Next, a solder resist composition is obtained by the same treatment as in (27) of Example 1 above. (3) The solder resist composition obtained in (2) above was applied to both surfaces of the substrate obtained in (1) above so as to cover the upper surface of the plating post 30 and have a thickness of 18 μm. A commercially available solder resist composition may be used.
【0157】(4) 次いで、80℃で20分間、100℃
で30分間の乾燥処理を行った後、直径が100μmの円
形パターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクフィル
ムを多層回路基板の片面に、直径が400μmの円形パ
ターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルムを
多層回路基板の他方の面に密着させて載置し、1000mJ/
cm2の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。(4) Next, at 80 ° C. for 20 minutes, 100 ° C.
After performing a drying process for 30 minutes, a photomask film with a thickness of 5 mm on which a circular pattern with a diameter of 100 μm is drawn is placed on one side of a multilayer circuit board and a circular pattern with a diameter of 400 μm on which a thickness of 5 mm is drawn. Place the photomask film in close contact with the other surface of the multi-layer circuit board, 1000 mJ /
It is exposed to ultraviolet rays of cm 2 and subjected to DMTG development processing.
【0158】(5) そしてさらに、80℃で1時間、1
00℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間
の条件で加熱処理し、基板の上面側に口径がほぼ100
μmであるような開口部46と、多層回路基板の他方の
側に口径がほぼ400μmであるような開口部48とを
有するソルダーレジスト層32(厚み20μm)をそれ
ぞれ形成する(図30参照)。(5) Further, at 80 ° C. for 1 hour, 1
Heat treatment is performed under the conditions of 00 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours, and the diameter of the substrate is approximately 100 on the upper surface side.
A solder resist layer 32 (thickness 20 μm) having an opening 46 having a diameter of about 400 μm and an opening 48 having a diameter of about 400 μm is formed on the other side of the multilayer circuit board (see FIG. 30).
【0159】(6) 次いで、上記実施例1の(31)〜(32)
と同様の処理を行って、ソルダーレジスト層の開口部4
6および48内に露出するめっきポスト30の表面に、
厚さ5μmのニッケルめっき膜40を形成し、そのニッ
ケルめっき膜40上に厚さ0.03μmの金めっき膜4
2を形成し、さらに、基板上面側のニッケル−金層の表
面には、半田バンプ44を150μmピッチで形成し、
また、基板下面側のニッケル−金層の表面には、半田を
介して、1.27mmピッチで半田ボール(図示を省略
した)を形成してなる多層プリント配線板を製造した
(図31参照)。(6) Then, (31) to (32) in Example 1 above
The same process as above is performed to form the opening 4 of the solder resist layer.
On the surface of the plating post 30 exposed in 6 and 48,
A nickel plating film 40 having a thickness of 5 μm is formed, and a gold plating film 4 having a thickness of 0.03 μm is formed on the nickel plating film 40.
2 and further, solder bumps 44 are formed at a pitch of 150 μm on the surface of the nickel-gold layer on the upper surface of the substrate.
Further, a multilayer printed wiring board was manufactured by forming solder balls (not shown) at a pitch of 1.27 mm on the surface of the nickel-gold layer on the lower surface side of the substrate via solder (see FIG. 31). .
【0160】(実施例6)
(1) 上記実施例1の(1)〜(21)と同様の処理によって、
最も外側の層間樹脂絶縁層22の表面に形成された無電
解銅めっき膜上に、厚さ15μmの電解銅めっき膜を形成
し、厚付けされた最外層の導体回路19および充填バイ
アホール27を形成した基板を得た(図1〜図4参
照)。(Sixth Embodiment) (1) By the same processing as (1) to (21) in the first embodiment,
An electrolytic copper plating film having a thickness of 15 μm is formed on the electroless copper plating film formed on the surface of the outermost interlayer resin insulation layer 22, and the thickened outermost conductor circuit 19 and filling via hole 27 are formed. The formed substrate was obtained (see FIGS. 1 to 4).
【0161】(2) 次いで、前記(1)で得た基板の両面
に、市販の液状レジストを塗布し、乾燥させた後に、口
径が100μmであるような円形パターンを描画したフ
ォトマスクフィルムを基板の上面側に載置し、100mJ/c
m2で露光、 0.8%炭酸ナトリウムで現像処理して、基
板の上面側における導体回路パターンのランドにおい
て、口径がほぼ100μmで開口(開口部54)し、基
板の下面側における導体回路パターンをすべて覆ってい
る、厚さ15〜20μmのめっきレジスト53を設けた
(図32参照)。(2) Next, a commercially available liquid resist is applied to both surfaces of the substrate obtained in (1) above, and after drying, a photomask film having a circular pattern with a diameter of 100 μm is drawn on the substrate. Placed on the upper surface side of 100mJ / c
After exposing with m 2 and developing with 0.8% sodium carbonate, an opening (opening 54) with a diameter of about 100 μm is made in the land of the conductor circuit pattern on the upper surface side of the substrate, and all the conductor circuit patterns on the lower surface side of the substrate are exposed. A plating resist 53 having a thickness of 15 to 20 μm was provided so as to cover (see FIG. 32).
【0162】(3) さらに、以下のような条件で無電解
めっきを施して、めっきレジスト53の開口部54内
に、厚さ16μmの無電解銅めっき膜55を充填形成し
た(図33参照)。
〔無電解めっき水溶液〕
EDTA :150g/l
硫酸銅 :20g/l
HCHO :30ml/l
NaOH :40g/l
反応安定剤 :50mg/l
〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で75分(3) Further, electroless plating was performed under the following conditions to fill and form an electroless copper plating film 55 having a thickness of 16 μm in the opening 54 of the plating resist 53 (see FIG. 33). . [Aqueous electroless plating solution] EDTA: 150 g / l Copper sulfate: 20 g / l HCHO: 30 ml / l NaOH: 40 g / l Reaction stabilizer: 50 mg / l [Electroless plating conditions] 75 minutes at a liquid temperature of 70 ° C
【0163】(4) 次いで、めっきレジスト53をNa
OHやKOH等のアルカリ溶液で剥離除去して、基板の
上面側だけに、無電解銅めっき膜55からなる厚さ16
μmのめっきポスト30を形成した(図34 参照)。(4) Next, the plating resist 53 is changed to Na.
Strip and remove with an alkaline solution such as OH or KOH to obtain a thickness 16 of the electroless copper plating film 55 only on the upper surface side of the substrate.
A μm plating post 30 was formed (see FIG. 34).
【0164】(5) さらに、上記実施例5の(2)〜(6)と
同様の処理を行って、基板上面側のめっきポスト30上
に半田バンプ44を150μmピッチで形成し、また、
基板下面側のニッケル−金層の表面には、半田を介し
て、1.27mmピッチで半田ボール(図示を省略)を
形成してなる多層プリント配線板を製造した(図36〜
37参照)。(5) Further, the same processes as (2) to (6) of Example 5 were performed to form solder bumps 44 on the plating posts 30 on the upper surface of the substrate at a pitch of 150 μm.
On the surface of the nickel-gold layer on the lower surface side of the substrate, solder balls (not shown) were formed at a pitch of 1.27 mm via solder to manufacture a multilayer printed wiring board (FIGS. 36-).
37).
【0165】(比較例1)
(1) 上記実施例1の(1)〜(21)と同様の処理によって、
最も外側の層間樹脂絶縁層22の表面に形成された無電
解めっき膜上に電解めっきを施して、厚さ15μmの電
解めっき膜を形成し、厚付けされた最外層の導体回路1
9および充填バイアホール27を形成した基板を得た
(図1〜図4参照)。(Comparative Example 1) (1) By the same processing as (1) to (21) in Example 1 above,
The electroless plating film formed on the surface of the outermost interlayer resin insulation layer 22 is electroplated to form an electrolytic plating film having a thickness of 15 μm, and the thickened outermost conductor circuit 1 is formed.
A substrate having 9 and filling via holes 27 formed was obtained (see FIGS. 1 to 4).
【0166】(2) 次いで、上記実施例1の(27)と同様
の処理によって、ソルダーレジスト組成物を得る。
(3) 上記(1)で得られた基板の両面に、前記(2)で得ら
れたソルダーレジスト組成物を厚さ18μmで塗布し
た。市販のソルダーレジスト組成物でもよい。(2) Next, a solder resist composition is obtained by the same treatment as in (27) of Example 1 above. (3) The solder resist composition obtained in (2) above was applied to both surfaces of the substrate obtained in (1) above in a thickness of 18 μm. A commercially available solder resist composition may be used.
【0167】(4) 次いで、80℃で20分間、100
℃で30分間の乾燥処理を行った後、直径が100μm
の円形パターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクフ
ィルムを基板の上面側に、直径が400μmの円形パタ
ーンが描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルムを基
板の下面側に密着させて載置し、1000mJ/cm2の紫外線
で露光し、DMTG現像処理する。(4) Then, at 80 ° C. for 20 minutes, 100
After drying for 30 minutes at ℃, the diameter is 100μm
Place a 5 mm thick photomask film with a circular pattern drawn on the top side of the substrate and a 5 mm thick photomask film with a 400 μm diameter circular pattern drawn on the bottom side of the substrate. , 1000 mJ / cm 2 of ultraviolet light, and DMTG development treatment.
【0168】(5) そしてさらに、80℃で1時間、1
00℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間
の条件で加熱処理し、基板の上面側に口径がほぼ100
μmであるような開口部と、基板の下面側に口径がほぼ
400μmであるような開口部とを有するソルダーレジ
スト層(厚み20μm)をそれぞれ形成する。(5) Further, at 80 ° C. for 1 hour, 1
Heat treatment is performed under the conditions of 00 ° C. for 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours, and the diameter of the substrate is approximately 100 on the upper surface side.
A solder resist layer (thickness 20 μm) having an opening having a diameter of about 400 μm and an opening having a diameter of about 400 μm is formed on the lower surface side of the substrate.
【0169】(6) その後、上記実施例1の(31)と同様
の処理を行って、ソルダーレジスト層の開口部から露出
する導体回路のランド上に、厚さ5μmのニッケルめっ
き層およびそのニッケルめっき層上に厚さ0.03μm
の金めっき層を形成し、そのニッケル−金層上に、実施
例1の(32)と同様な処理を行って、基板上面側には半田
バンプを150μmピッチで形成し、また、基板下面側
には、半田を介して、1.27mmピッチで半田ボール
を形成してなる多層プリント配線板を製造した。(6) After that, the same treatment as in (31) of Example 1 above is performed to form a nickel plating layer having a thickness of 5 μm and its nickel on the land of the conductor circuit exposed from the opening of the solder resist layer. 0.03μm thickness on the plating layer
Gold plating layer is formed, and the nickel-gold layer is subjected to the same treatment as in (32) of Example 1 to form solder bumps on the upper surface of the substrate at a pitch of 150 μm, and on the lower surface of the substrate. A multi-layer printed wiring board having solder balls formed with a pitch of 1.27 mm via solder was manufactured.
【0170】このようにして製造した実施例1−6およ
び比較例1の多層プリント配線板について、半田ペー
スト印刷時に転写されなかったバンプの割合(未転写バ
ンプ数)を、光学顕微鏡(×20倍)によって検査し、
印刷によって形成した半田バンプ内に気泡が存在する
かどうかを、X線検査機によって観察し、さらに半田
バンプの高さをレーザー測定機によって検査し、ソルダ
ーレジスト表面からの高さのばらつき(μm)を算出し
た。With respect to the multilayer printed wiring boards of Examples 1-6 and Comparative Example 1 thus manufactured, the ratio of the bumps that were not transferred during solder paste printing (the number of untransferred bumps) was measured by an optical microscope (× 20 times). ) By
The presence or absence of air bubbles in the solder bumps formed by printing is observed by an X-ray inspection machine, and the height of the solder bumps is inspected by a laser measuring machine, and the height variation from the solder resist surface (μm) Was calculated.
【0171】上記の検査に際して、の未転写率は、1
ピース当りのバンプ数が5000個(150μmピッ
チ)のものを150ピースについて検査し、1ピース中
に1ヶ所でも不良個所があれば不良とし、150ピース
中の不良ピース数で算出し、のX線検査は、3ピース
15000個のバンプについて気泡残留率(%)を算出
した。In the above inspection, the untransferred rate is 1
X-rays for which the number of bumps per piece is 5000 (150 μm pitch) is inspected for 150 pieces, and if there is even one defective point in one piece, it is regarded as defective, and the number of defective pieces in 150 pieces is calculated. In the inspection, the bubble residual rate (%) was calculated with respect to 15,000 bumps of 3 pieces.
【0172】その結果、実施例1−6の多層プリント配
線板によれば、半田ペーストの未転写率は4%、半田バ
ンプ内への気泡残留率は0.2%で、バンプの高さのば
らつきも2μm程度であった。これに対し、比較例1の
多層プリント配線板では、半田ペーストの未転写率は1
2.7%、半田バンプ内への気泡残留率は1.5%で、
半田バンプの高さのばらつきも3.6μmと悪かった。As a result, according to the multilayer printed wiring board of Example 1-6, the untransferred rate of the solder paste was 4%, the residual rate of bubbles in the solder bumps was 0.2%, and the height of the bumps was high. The variation was about 2 μm. On the other hand, in the multilayer printed wiring board of Comparative Example 1, the untransferred rate of the solder paste is 1
2.7%, the residual rate of bubbles in the solder bump is 1.5%,
The variation in height of the solder bumps was also as bad as 3.6 μm.
【0173】[0173]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、最
も外側の導体回路を覆うソルダーレジスト層を設け、そ
のソルダーレジスト層に設けた開口から露出する導体回
路のパッド上に、ほぼ平坦な表面を有するめっきポスト
を形成し、そのめっきポスト表面に半田バンプ等の半田
体が形成されるので、半田ペーストとソルダーレジスト
との間の密着力の低下および半田ペーストのソルダーレ
ジスト開口内への転写率の低下という、従来技術におけ
るソルダーレジスト層の開口径の微細化に起因する課題
を解消することができる。したがって、電気的接続性や
接続信頼性も改善されて、半田バンプ形成の歩留まりを
向上させることができる。As described above, according to the present invention, a solder resist layer covering the outermost conductor circuit is provided, and a substantially flat surface is formed on the pad of the conductor circuit exposed from the opening provided in the solder resist layer. Since a plating post having a surface is formed and a solder body such as a solder bump is formed on the surface of the plating post, the adhesion between the solder paste and the solder resist is reduced and the solder paste is transferred into the solder resist opening. It is possible to solve the problem of reduction in the rate, which is caused by the miniaturization of the opening diameter of the solder resist layer in the conventional technique. Therefore, the electrical connectivity and the connection reliability are also improved, and the yield of solder bump formation can be improved.
【図1】(a)〜(f)は、本発明にかかる実施例1によって
製造される多層プリント配線板の製造工程の一部を示す
図である。1A to 1F are views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board manufactured according to a first embodiment of the present invention.
【図2】(a)〜(e)は、本発明にかかる実施例1によって
製造される多層プリント配線板の製造工程の一部を示す
図である。2 (a) to 2 (e) are views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図3】(a)〜(d)は、本発明にかかる実施例1によって
製造される多層プリント配線板の製造工程の一部を示す
図である。3 (a) to 3 (d) are views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図4】本発明にかかる実施例1によって製造される多
層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図5】本発明にかかる実施例1によって製造される多
層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing part of the process of manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図6】本発明にかかる実施例1によって製造される多
層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図7】本発明にかかる実施例1によって製造される多
層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing part of the process of manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図8】本発明にかかる実施例1によって製造される多
層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図9】本発明にかかる実施例1によって製造される多
層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図10】本発明にかかる実施例1によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing part of the process of manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図11】本発明にかかる実施例1によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing part of the process of manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図12】本発明にかかる実施例1によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図13】本発明にかかる実施例1によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 1 of the present invention.
【図14】本発明にかかる実施例2によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 2 of the present invention.
【図15】本発明にかかる実施例2によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 2 of the present invention.
【図16】本発明にかかる実施例2によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 2 of the present invention.
【図17】本発明にかかる実施例2によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 2 of the present invention.
【図18】本発明にかかる実施例2によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing a part of a manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 2 of the present invention.
【図19】本発明にかかる実施例2によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 2 of the present invention.
【図20】本発明にかかる実施例2によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 2 of the present invention.
【図21】本発明にかかる実施例2によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 2 of the present invention.
【図22】本発明にかかる実施例3によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 3 of the present invention.
【図23】本発明にかかる実施例3によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 23 is a diagram illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 3 of the present invention.
【図24】本発明にかかる実施例3によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 24 is a diagram illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 3 of the present invention.
【図25】本発明にかかる実施例4によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 25 is a diagram illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 4 of the present invention.
【図26】本発明にかかる実施例4によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 26 is a diagram showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 4 of the present invention.
【図27】本発明にかかる実施例4によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 27 is a diagram showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 4 of the present invention.
【図28】本発明にかかる実施例4によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 28 is a diagram showing a part of manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 4 of the present invention.
【図29】本発明にかかる実施例4によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 29 is a diagram showing part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 4 of the present invention.
【図30】本発明にかかる実施例5によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 30 is a diagram showing part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 5 of the present invention.
【図31】本発明にかかる実施例5によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 31 is a diagram showing a part of manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 5 of the invention.
【図32】本発明にかかる実施例6によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 32 is a diagram showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 6 of the present invention.
【図33】本発明にかかる実施例6によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 33 is a diagram showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 6 of the present invention.
【図34】本発明にかかる実施例6によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 34 is a diagram showing part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 6 of the present invention.
【図35】本発明にかかる実施例6によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 35 is a diagram showing part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 6 of the present invention.
【図36】本発明にかかる実施例6によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 36 is a diagram showing a part of manufacturing process of the multilayer printed wiring board manufactured according to Example 6 of the present invention.
【図37】本発明にかかる実施例6によって製造される
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す図である。FIG. 37 is a diagram showing part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board manufactured according to Example 6 of the present invention.
1 基板 2 銅箔 3 スルーホール 4、11 粗化層 5 スルーホール充填材 6、14、24 無電解銅めっき膜 7、15、25 電解銅めっき膜 8 エッチングレジスト 9、19 導体回路パターン 10 ふためっき層 12、22 層間樹脂絶縁層 13 バイアホール形成用開口 16、26、36 めっきレジスト 17、27 充填バイアホール 30 めっきポスト 32 ソルダーレジスト層 40 ニッケル層 42 金層 44 半田バンプ 1 substrate 2 copper foil 3 through holes 4, 11 Roughened layer 5 Through hole filling material 6, 14, 24 Electroless copper plating film 7, 15, 25 Electrolytic copper plating film 8 Etching resist 9, 19 Conductor circuit pattern 10 Lid plating layer 12, 22 Interlayer resin insulation layer 13 Opening for via hole formation 16, 26, 36 plating resist 17,27 Filled via hole 30 plating post 32 Solder resist layer 40 nickel layer 42 gold 44 Solder bump
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C25D 7/00 C25D 7/00 J H05K 3/34 501 H05K 3/34 501F 505 505A 505C Fターム(参考) 4K022 AA02 AA42 BA01 BA03 BA08 BA14 BA18 BA21 BA31 BA35 BA36 CA26 CA28 DA01 EA04 4K024 AA09 AB01 AB03 AB04 AB08 AB17 BA09 BB11 FA05 5E319 AA03 AB05 AC01 AC11 AC16 AC17 BB01 BB04 BB05 CC33 CD04 CD06 CD29 GG01 GG03 GG05 GG09 GG13 GG15 5E346 AA06 AA12 AA15 AA17 AA32 AA43 AA51 BB16 CC08 CC31 CC32 CC33 CC37 DD23 DD24 EE02 EE06 EE07 EE33 EE35 FF04 FF07 FF08 FF10 FF13 FF14 FF45 GG17 GG25 GG28 HH11 HH26 HH31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI theme code (reference) C25D 7/00 C25D 7/00 J H05K 3/34 501 H05K 3/34 501F 505 505A 505C F term (reference) 4K022 AA02 AA42 BA01 BA03 BA08 BA14 BA18 BA21 BA31 BA35 BA36 CA26 CA28 DA01 EA04 4K024 AA09 AB01 AB03 AB04 AB08 AB17 BA09 BB11 FA05 5E319 AA03 AB05 AC01 AC11 AC16 AC17 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB01 BB05 BB ABB BB05 BB05 BB01 AA17 AA32 AA43 AA51 BB16 CC08 CC31 CC32 CC33 CC37 DD23 DD24 EE02 EE06 EE07 EE33 EE35 FF04 FF07 FF08 FF10 FF13 FF14 FF45 GG17 GG25 GG28 HH11 HH26 HH31
Claims (25)
層とが交互に設けられ、最外層の層間樹脂絶縁層に形成
された最も外側の導体回路を選択的に覆ってソルダーレ
ジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層から露出
する導体回路表面に半田体が供給されてなる多層プリン
ト配線板において、 前記最も外側の導体回路のランド表面に、前記ソルダー
レジスト層から露出する導電性ポストが形成され、その
導電性ポストの表面に、半田体が供給されてなることを
特徴とする多層プリント配線板。1. A conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are alternately provided on an insulating substrate, and a solder resist layer is formed by selectively covering the outermost conductor circuit formed on the outermost interlayer resin insulation layer. In a multilayer printed wiring board provided with a solder body on a conductor circuit surface exposed from the solder resist layer, a conductive post exposed from the solder resist layer is formed on the land surface of the outermost conductor circuit. And a solder body is supplied to the surface of the conductive post, a multilayer printed wiring board.
成されていることを特徴とする請求項1に記載の多層プ
リント配線板。2. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the conductive post is formed by plating.
i、Ag、Pd、Au、Ptから選ばれる少なくとも一
種のめっきによって形成されていることを特徴とする請
求項2に記載の多層プリント配線板。3. The conductive post is made of Cu, Sn, N.
The multilayer printed wiring board according to claim 2, which is formed by at least one plating selected from i, Ag, Pd, Au, and Pt.
膜が形成され、その耐食性皮膜上に前記半田体が形成さ
れていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記
載の多層プリント配線板。4. The multilayer structure according to claim 1, wherein a corrosion resistant film is formed on an upper surface of the conductive post, and the solder body is formed on the corrosion resistant film. Printed wiring board.
Ni、Sn、Pdから選ばれる少なくとも一種の無電解
めっきで形成されていることを特徴とする請求項4に記
載の多層プリント配線板。5. The corrosion resistant film is made of Au, Pt, Ag,
The multilayer printed wiring board according to claim 4, wherein the multilayer printed wiring board is formed by at least one electroless plating selected from Ni, Sn, and Pd.
よる平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項
1〜3のいずれかに記載の多層プリント配線板。6. The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the exposed surface of the conductive post is subjected to a flattening treatment by polishing.
層とが交互に設けられ、最外層の層間樹脂絶縁層に形成
された最も外側の導体回路を選択的に覆ってソルダーレ
ジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層から露出
する導体回路のランド上に半田体が形成されてなる多層
プリント配線板の製造にあたって、その製造工程中に、
少なくとも以下の〜の工程、すなわち、 前記最も外側の導体回路を選択的に被覆するめっき
レジストを形成した後、めっき処理を施して前記ランド
上に導電性ポストを形成する工程、 前記めっきレジスト層を剥離した後、前記最も外側
の導体回路および導電性ポストを被覆するソルダーレジ
スト層を形成し、そのソルダーレジスト層表面から前記
導電性ポスト上面を露出させる工程、 前記導電性ポストの露出表面を半田パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、 とを含んでなる多層プリント配線板の製造方法。7. A solder resist layer is formed by alternately providing conductor circuits and interlayer resin insulation layers on an insulating substrate, and selectively covering the outermost conductor circuits formed on the outermost interlayer resin insulation layer. During the manufacturing process of a multilayer printed wiring board provided with a solder body formed on the land of the conductor circuit exposed from the solder resist layer,
At least the following steps, that is, after forming a plating resist that selectively covers the outermost conductor circuit, then performing a plating process to form a conductive post on the land, the plating resist layer After peeling, a step of forming a solder resist layer that covers the outermost conductor circuit and the conductive post, and exposing the conductive post upper surface from the solder resist layer surface, the exposed surface of the conductive post is a solder pad As
And a step of forming a solder body thereon, and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
出表面上に耐食性皮膜を形成する工程を含み、前記半田
体は、その耐食性皮膜上に形成されることを特徴とする
請求項7に記載の多層プリント配線板の製造方法。8. The method according to claim 7, further comprising a step of forming a corrosion resistant film on the exposed surface of the conductive post after the step, wherein the solder body is formed on the corrosion resistant film. A method for producing the multilayer printed wiring board described.
れることを特徴とする請求項8に記載の多層プリント配
線板の製造方法。9. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 8, wherein the corrosion resistant film is formed by plating.
i、Sn、Pdから選ばれる少なくとも一種からなる無
電解めっきであることを特徴とする請求項9に記載の多
層プリント配線板の製造方法。10. The plating is Au, Pt, Ag, N
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 9, wherein the electroless plating is at least one selected from i, Sn, and Pd.
i、Ag、Pd、Au、Ptから選ばれる少なくとも一
種からなるめっきによって形成されることを特徴とする
請求項7に記載の多層プリント配線板の製造方法。11. The conductive post is made of Cu, Sn, N.
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 7, wherein the multilayer printed wiring board is formed by plating of at least one selected from i, Ag, Pd, Au, and Pt.
縁層とが交互に設けられ、最外層の層間樹脂絶縁層に形
成された最も外側の導体回路を選択的に覆うソルダーレ
ジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層から露出
する導体回路のランド上に半田体が形成されてなる多層
プリント配線板の製造にあたって、その製造工程中に、
少なくとも以下の〜の工程、すなわち、 前記最も外側の導体回路を選択的に覆ってめっきレ
ジスト層を形成した後、無電解めっき処理を施して、前
記ランド表面およびめっきレジスト層表面に無電解めっ
き膜を形成する工程、 前記ランド位置に形成された前記無電解めっき膜を
除いた部分にめっきレジスト層を形成した後、電解めっ
き処理を施して、前記ランド位置に形成された無電解め
っき膜上に電解めっき膜を形成する工程、 前記めっきレジスト層をエッチング処理により除去
した後、さらに、その下にある無電解めっき膜およびそ
の無電解めっき膜下にあるめっきレジスト層をエッチン
グ処理によって除去して、前記導体回路のランド位置
に、無電解めっき膜と電解めっき膜とからなるめっきポ
ストを形成する工程、 前記最も外側の導体回路およびめっきポストを被覆
するソルダーレジスト層を形成した後、そのソルダーレ
ジスト層表面から前記めっきポスト上面を露出させる工
程、 前記めっきポストの露出表面を導体パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、 とを含んでなる多層プリント配線板の製造方法。12. A conductor resist layer and an interlayer resin insulation layer are alternately provided on an insulating substrate, and a solder resist layer selectively covering the outermost conductor circuit formed on the outermost interlayer resin insulation layer is provided. In manufacturing the multilayer printed wiring board in which the solder body is formed on the land of the conductor circuit exposed from the solder resist layer, during the manufacturing process,
At least the following steps, ie, after forming a plating resist layer selectively covering the outermost conductor circuit, an electroless plating treatment is performed to form an electroless plating film on the land surface and the plating resist layer surface. Forming a plating resist layer on the portion except the electroless plating film formed at the land position, then subjected to electrolytic plating treatment, on the electroless plating film formed at the land position Step of forming an electrolytic plating film, after removing the plating resist layer by etching treatment, further, by removing the plating resist layer underneath the electroless plating film and the electroless plating film by etching treatment, Forming a plating post composed of an electroless plating film and an electrolytic plating film at a land position of the conductor circuit; After forming a solder resist layer covering the conductor circuit and the plating post, the step of exposing the plating post upper surface from the solder resist layer surface, the exposed surface of the plating post as a conductor pad,
And a step of forming a solder body thereon, and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
脂絶縁層とが交互に設けられ、最外層の層間樹脂絶縁層
に形成された充填バイアホールを含んだ最も外側の導体
回路を選択的に覆ってソルダーレジスト層が設けられ、
そのソルダーレジスト層から露出する導体回路のランド
上に半田体が形成されてなる多層プリント配線板の製造
にあたって、その製造工程中に、少なくとも以下の〜
の工程、すなわち、 前記最も外側の導体回路を選択的に覆うめっきレジ
スト層を形成した後、無電解めっき処理を施して、前記
バイアホールを含んだランド表面およびめっきレジスト
層表面に無電解めっき膜を形成する工程、 前記バイアホールを含んだランド位置に形成された
前記無電解めっき膜を除いた部分に、めっきレジスト層
を形成した後、電解めっき処理を施して、前記バイアホ
ールを含んだランドの無電解めっき膜上に電解めっき膜
を形成する工程、 前記めっきレジスト層をエッチング処理により除去
した後、さらに、その下にある無電解めっき膜およびそ
の無電解めっき膜下にあるめっきレジスト層をエッチン
グ処理によって除去して、前記バイアホールを含んだラ
ンド上に無電解めっき膜および電解めっき膜とからなる
めっきポストを形成する工程、 前記バイアホールを含んだ最も外側の導体回路およ
びめっきポストを被覆するソルダーレジスト層を形成し
た後、そのソルダーレジスト層表面から前記めっきポス
ト上面を露出させる工程、 前記めっきポストの露出表面を導体パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、 とを含んでなる多層プリント配線板の製造方法。13. A conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are alternately provided on an insulating resin substrate, and the outermost conductor circuit including a filled via hole formed in the outermost interlayer resin insulation layer is selectively formed. Is covered with a solder resist layer,
In manufacturing a multilayer printed wiring board in which a solder body is formed on a land of a conductor circuit exposed from the solder resist layer, during the manufacturing process, at least the following
Step, that is, after forming a plating resist layer that selectively covers the outermost conductor circuit, an electroless plating process is performed to form an electroless plating film on the land surface including the via holes and the plating resist layer surface. Forming a plating resist layer on a portion except the electroless plating film formed at a land position including the via hole, and then performing an electroplating process to form a land including the via hole. The step of forming an electrolytic plating film on the electroless plating film, after removing the plating resist layer by etching treatment, further, the electroless plating film below and the plating resist layer under the electroless plating film The plating formed by the electroless plating film and the electrolytic plating film is removed by the etching process and is formed on the land including the via hole. A step of forming a post, a step of forming a solder resist layer covering the outermost conductor circuit including the via hole and a plating post, and a step of exposing the plating post upper surface from the solder resist layer surface, The exposed surface as a conductor pad,
And a step of forming a solder body thereon, and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
る工程は、前記ソルダーレジスト層の表面を研磨によっ
て除去する工程を含んでなることを特徴とする請求項1
2または13に記載の多層プリント配線板の製造方法。14. The step of exposing the upper surface of the plating post includes the step of removing the surface of the solder resist layer by polishing.
14. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to 2 or 13.
る工程は、前記ソルダーレジスト層の表面に前記めっき
ポスト上面に達する開口を設ける工程を含んでいること
を特徴とする請求項12または13に記載の多層プリン
ト配線板の製造方法。15. The method according to claim 12, wherein the step of exposing the upper surface of the plating post includes the step of forming an opening on the surface of the solder resist layer to reach the upper surface of the plating post. Manufacturing method of multilayer printed wiring board.
露出表面上に耐食性皮膜を形成する工程を含み、前記半
田体はその耐食性皮膜上に形成されることを特徴とする
請求項12または13に記載の多層プリント配線板の製
造方法。16. The method according to claim 12, further comprising a step of forming a corrosion resistant film on the exposed surface of the plating post after the step, wherein the solder body is formed on the corrosion resistant film. A method for producing the multilayer printed wiring board described.
形成されることを特徴とする請求項16に記載の多層プ
リント配線板の製造方法。17. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 16, wherein the corrosion resistant film is formed by plating.
g、Ni、Sn、Pdから選ばれる少なくとも一種から
なる無電解めっき処理であることを特徴とする請求項1
7に記載の多層プリント配線板の製造方法。18. The plating treatment is Au, Pt, A
2. An electroless plating process comprising at least one selected from g, Ni, Sn and Pd.
7. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to 7.
縁層とが交互に設けられ、最外層の層間樹脂絶縁層に形
成された最も外側の導体回路を選択的に覆うソルダーレ
ジスト層が設けられ、そのソルダーレジスト層から露出
する導体回路のランド上に半田体が形成されてなる多層
プリント配線板の製造にあたって、その製造工程中に、
少なくとも以下の〜の工程、すなわち、 前記最も外側の導体回路を選択的に覆い、かつその
ランド位置に対応した開口を有するめっきレジスト層を
形成した後、無電解めっき処理を施して、前記開口内に
無電解めっき膜を充填する工程、 前記めっきレジスト層をエッチング処理により除去
して、前記導体回路のランド位置に、無電解めっき膜か
らなるめっきポストを形成する工程、 前記最も外側の導体回路およびめっきポストを被覆
するソルダーレジスト層を形成した後、そのソルダーレ
ジスト層表面から前記めっきポスト上面を露出させる工
程、 前記めっきポストの露出表面を導体パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、 とを含んでなる多層プリント配線板の製造方法。19. A solder resist layer, wherein conductor circuits and interlayer resin insulation layers are alternately provided on an insulating substrate, and a solder resist layer selectively covering the outermost conductor circuits formed in the outermost interlayer resin insulation layer is provided. In manufacturing the multilayer printed wiring board in which the solder body is formed on the land of the conductor circuit exposed from the solder resist layer, during the manufacturing process,
At least the following steps, that is, after forming a plating resist layer selectively covering the outermost conductor circuit and having an opening corresponding to the land position, an electroless plating process is performed to form the inside of the opening. A step of filling an electroless plating film with, a step of removing the plating resist layer by an etching process, and forming a plating post made of an electroless plating film at a land position of the conductor circuit, the outermost conductor circuit and After forming a solder resist layer covering the plating post, the step of exposing the plating post upper surface from the solder resist layer surface, the exposed surface of the plating post as a conductor pad,
And a step of forming a solder body thereon, and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
脂絶縁層とが交互に設けられ、最外層の層間樹脂絶縁層
に形成された充填バイアホールを含んだ最も外側の導体
回路を選択的に覆ってソルダーレジスト層が設けられ、
そのソルダーレジスト層から露出する導体回路のランド
上に半田体が形成されてなる多層プリント配線板の製造
にあたって、その製造工程中に、少なくとも以下の〜
の工程、すなわち、 前記最も外側の導体回路を選択的に覆い、かつその
充填バイアホールを含んだ導体回路のランド位置に対応
した開口を有するめっきレジスト層を形成した後、無電
解めっき処理を施して、前記開口内に無電解めっき膜を
充填する工程、 前記めっきレジスト層をエッチング処理により除去
して、前記バイアホールを含んだランド上に無電解めっ
き膜からなるめっきポストを形成する工程、 前記バイアホールを含んだ最も外側の導体回路およ
びめっきポストを被覆するソルダーレジスト層を形成し
た後、そのソルダーレジスト層表面から前記めっきポス
ト上面を露出させる工程、 前記めっきポストの露出表面を導体パッドとして、
その上に半田体を形成する工程、 とを含んでなる多層プリント配線板の製造方法。20. A conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are alternately provided on an insulating resin substrate, and the outermost conductor circuit including a filled via hole formed in the outermost interlayer resin insulation layer is selectively formed. Is covered with a solder resist layer,
In manufacturing a multilayer printed wiring board in which a solder body is formed on a land of a conductor circuit exposed from the solder resist layer, during the manufacturing process, at least the following
Step, that is, after forming a plating resist layer selectively covering the outermost conductor circuit and having an opening corresponding to the land position of the conductor circuit including the filled via hole, electroless plating treatment is performed. A step of filling the opening with an electroless plating film, a step of removing the plating resist layer by an etching process to form a plating post made of an electroless plating film on the land including the via hole, After forming a solder resist layer covering the outermost conductor circuit including the via hole and the plating post, the step of exposing the plating post upper surface from the solder resist layer surface, the exposed surface of the plating post as a conductor pad,
And a step of forming a solder body thereon, and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
る工程は、前記ソルダーレジスト層の表面を研磨によっ
て除去する工程を含んでなることを特徴とする請求項1
9または20に記載の多層プリント配線板の製造方法。21. The step of exposing the upper surface of the plating post includes the step of removing the surface of the solder resist layer by polishing.
21. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to 9 or 20.
る工程は、前記ソルダーレジスト層の表面に前記めっき
ポスト上面に達する開口を設ける工程を含んでいること
を特徴とする請求項19または20に記載の多層プリン
ト配線板の製造方法。22. The method according to claim 19, wherein the step of exposing the upper surface of the plating post includes the step of providing an opening on the surface of the solder resist layer to reach the upper surface of the plating post. Manufacturing method of multilayer printed wiring board.
露出表面上に耐食性皮膜を形成する工程を含み、前記半
田体はその耐食性皮膜上に形成されることを特徴とする
請求項19または20に記載の多層プリント配線板の製
造方法。23. The method according to claim 19, further comprising the step of forming a corrosion resistant film on the exposed surface of the plating post after the step, wherein the solder body is formed on the corrosion resistant film. A method for producing the multilayer printed wiring board described.
形成されることを特徴とする請求項23に記載の多層プ
リント配線板の製造方法。24. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 23, wherein the corrosion resistant film is formed by plating.
g、Ni、Sn、Pdから選ばれる少なくとも一種から
なる無電解めっき処理であることを特徴とする請求項2
4に記載の多層プリント配線板の製造方法。25. The plating treatment is Au, Pt, A
3. An electroless plating process comprising at least one selected from g, Ni, Sn and Pd.
4. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to 4.
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