JP2003008174A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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- JP2003008174A JP2003008174A JP2001188624A JP2001188624A JP2003008174A JP 2003008174 A JP2003008174 A JP 2003008174A JP 2001188624 A JP2001188624 A JP 2001188624A JP 2001188624 A JP2001188624 A JP 2001188624A JP 2003008174 A JP2003008174 A JP 2003008174A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】絶縁層の残渣が発生しずらく。これが発生しに
くくなる事によって導通の信頼性が向上するとともにビ
アの導通不良などが起きない配線基板の製造方法が望ま
れていた。また、絶縁層がポリイミドである場合でも、
レーザー加工後のビアの検査でポリイミドの残渣の視認
性が良くなる配線基板の製造方法が望まれていた。 【解決手段】絶縁層の一方の面に、導通ビアの底部とな
る銅層が形成されてなる材料を用い、前記銅層に達する
ように絶縁層側からレーザー加工を行い、加工された穴
の内部に導通化処理を行う配線基板の製造方法におい
て、レーザー加工を行う前に、前記銅層の絶縁層に接す
る面の少なくとも導通ビアの底部となる部分に、着色処
理を施しておくことを特徴とする配線基板の製造方法を
提供する。
くくなる事によって導通の信頼性が向上するとともにビ
アの導通不良などが起きない配線基板の製造方法が望ま
れていた。また、絶縁層がポリイミドである場合でも、
レーザー加工後のビアの検査でポリイミドの残渣の視認
性が良くなる配線基板の製造方法が望まれていた。 【解決手段】絶縁層の一方の面に、導通ビアの底部とな
る銅層が形成されてなる材料を用い、前記銅層に達する
ように絶縁層側からレーザー加工を行い、加工された穴
の内部に導通化処理を行う配線基板の製造方法におい
て、レーザー加工を行う前に、前記銅層の絶縁層に接す
る面の少なくとも導通ビアの底部となる部分に、着色処
理を施しておくことを特徴とする配線基板の製造方法を
提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルムキャリア
やプリント配線基板に代表される配線基板の製造方法に
関し、特に絶縁層の両側に配線回路を有して導通ビアに
よって両側の配線回路の導通を行った配線基板の製造方
法に関する。
やプリント配線基板に代表される配線基板の製造方法に
関し、特に絶縁層の両側に配線回路を有して導通ビアに
よって両側の配線回路の導通を行った配線基板の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、導通ビアの形成にレーザーを用
いて行う場合、銅箔を加工できるエネルギでビア形成部
の銅箔を加工し次に絶縁層を加工するエネルギにエネル
ギ密度を低下させポリイミドの加工を行う。それを、裏
面の銅箔に達するまで加工してビア部のレーザー加工を
行い、加工された穴の内部に導通化処理を行って配線基
板の製造方法をしていた。
いて行う場合、銅箔を加工できるエネルギでビア形成部
の銅箔を加工し次に絶縁層を加工するエネルギにエネル
ギ密度を低下させポリイミドの加工を行う。それを、裏
面の銅箔に達するまで加工してビア部のレーザー加工を
行い、加工された穴の内部に導通化処理を行って配線基
板の製造方法をしていた。
【０００３】特にＵＶ−ＹＡＧレーザーはパルスレーザ
ーであるためショット数によって徐々に加工物を加工で
きる特性がある。このためレーザーのショット数が不足
していると加工残渣が発生してしまう。（図５，図６参
照）
ーであるためショット数によって徐々に加工物を加工で
きる特性がある。このためレーザーのショット数が不足
していると加工残渣が発生してしまう。（図５，図６参
照）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来は、両面に配線パ
ターンを有した配線回路基板の製造をする際に、ＵＶ−
ＹＡＧレーザー加工によってビア部の加工を行う際にビ
アの底部に絶縁層の残渣が発生しビアの導通が不十分で
ある場合が発生する。これによって導通の信頼性が低下
するとともにビアの導通不良などの原因にもなる。
ターンを有した配線回路基板の製造をする際に、ＵＶ−
ＹＡＧレーザー加工によってビア部の加工を行う際にビ
アの底部に絶縁層の残渣が発生しビアの導通が不十分で
ある場合が発生する。これによって導通の信頼性が低下
するとともにビアの導通不良などの原因にもなる。
【０００５】また、絶縁層がポリイミドである場合に
は、レーザー加工後のビアの検査でポリイミドの残渣の
視認性が悪く検査が困難であった。
は、レーザー加工後のビアの検査でポリイミドの残渣の
視認性が悪く検査が困難であった。
【０００６】そこで、両面に配線パターンを有した配線
回路基板の作製する際に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工に
よってビア部の加工を行う際にビアの底部に絶縁層の残
渣が発生しずらく。これが発生しにくくなる事によって
導通の信頼性が向上するとともにビアの導通不良などが
起きない配線基板の製造方法が望まれていた。
回路基板の作製する際に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工に
よってビア部の加工を行う際にビアの底部に絶縁層の残
渣が発生しずらく。これが発生しにくくなる事によって
導通の信頼性が向上するとともにビアの導通不良などが
起きない配線基板の製造方法が望まれていた。
【０００７】また、絶縁層がポリイミドである場合で
も、レーザー加工後のビアの検査でポリイミドの残渣の
視認性が良くなる配線基板の製造方法が望まれていた。
も、レーザー加工後のビアの検査でポリイミドの残渣の
視認性が良くなる配線基板の製造方法が望まれていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明では
上記課題を解決するために、絶縁層の一方の面に、導通
ビアの底部となる銅層が形成されてなる材料を用い、前
記銅層に達するように絶縁層側からレーザー加工を行
い、加工された穴の内部に導通化処理を行う配線基板の
製造方法において、レーザー加工を行う前に、前記銅層
の絶縁層に接する面の少なくとも導通ビアの底部となる
部分に、着色処理を施しておくことを特徴とする配線基
板の製造方法を提供するものである。
上記課題を解決するために、絶縁層の一方の面に、導通
ビアの底部となる銅層が形成されてなる材料を用い、前
記銅層に達するように絶縁層側からレーザー加工を行
い、加工された穴の内部に導通化処理を行う配線基板の
製造方法において、レーザー加工を行う前に、前記銅層
の絶縁層に接する面の少なくとも導通ビアの底部となる
部分に、着色処理を施しておくことを特徴とする配線基
板の製造方法を提供するものである。
【０００９】これにより、前記銅層の絶縁層に接する面
の少なくとも導通ビアの底部となる部分に着色処理され
ているため、レーザー加工が銅層に達した時に反射率が
変わり、加工の終点を検知しやすくなり、その時点から
さらに加工を行うことにより、残渣のない加工を行うこ
とが可能となる。
の少なくとも導通ビアの底部となる部分に着色処理され
ているため、レーザー加工が銅層に達した時に反射率が
変わり、加工の終点を検知しやすくなり、その時点から
さらに加工を行うことにより、残渣のない加工を行うこ
とが可能となる。
【００１０】なお、着色処理としては、加工の終点の検
知が可能な色に着色されるものであればどの様なもので
もよく、色も黒に限らず、加工の終点の検知が可能な色
であればどの様な色でも良く、例えば、着色された導電
性材料例えば導電性接着剤を塗布しておく等の方法でも
よいが、酸化処理が好ましい。
知が可能な色に着色されるものであればどの様なもので
もよく、色も黒に限らず、加工の終点の検知が可能な色
であればどの様な色でも良く、例えば、着色された導電
性材料例えば導電性接着剤を塗布しておく等の方法でも
よいが、酸化処理が好ましい。
【００１１】銅層と絶縁層の密着力を高めることができ
るからである。酸化処理としても特にＣｕＯを主体とし
た酸化銅（黒化処理：実施例２）とすることが好まし
い。酸化銅としてはＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏがあるが、ＣｕＯ
は色が黒色であり、レーザー加工の際に、終端検知を行
いやすい。
るからである。酸化処理としても特にＣｕＯを主体とし
た酸化銅（黒化処理：実施例２）とすることが好まし
い。酸化銅としてはＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏがあるが、ＣｕＯ
は色が黒色であり、レーザー加工の際に、終端検知を行
いやすい。
【００１２】また、少なくとも導通ビアの底部となる部
分に加工が施されていればよいが、例えば酸化処理の場
合は、選択的に行うよりも全体を酸化処理したほうが加
工が行いやすく好ましい。また、他方の面側にも銅層が
形成されていてももちろんよい。
分に加工が施されていればよいが、例えば酸化処理の場
合は、選択的に行うよりも全体を酸化処理したほうが加
工が行いやすく好ましい。また、他方の面側にも銅層が
形成されていてももちろんよい。
【００１３】請求項２記載の発明では上記課題を解決す
るために、前記絶縁層の他方の面にも銅層が形成されて
おり、前記他方の面の銅層の、絶縁層とは反対面にも着
色処理を施しておくことを特徴とする請求項１記載の配
線基板の製造方法を提供するものである。
るために、前記絶縁層の他方の面にも銅層が形成されて
おり、前記他方の面の銅層の、絶縁層とは反対面にも着
色処理を施しておくことを特徴とする請求項１記載の配
線基板の製造方法を提供するものである。
【００１４】これにより、他方の面の銅層の、絶縁層と
は反対面、即ちレーザー照射を行う面に着色処理を行っ
ておくと、加工後にビアの径が所望の大きさになってい
るか、というような検査を行う際に検査が行いやすくな
り好ましいものである。
は反対面、即ちレーザー照射を行う面に着色処理を行っ
ておくと、加工後にビアの径が所望の大きさになってい
るか、というような検査を行う際に検査が行いやすくな
り好ましいものである。
【００１５】もっとも、片面だけに黒化処理や酸化処理
をする場合でも、レーザー加工側の銅箔がどちらである
か明確にする効果もあるので、場合により適宜選択可能
である。
をする場合でも、レーザー加工側の銅箔がどちらである
か明確にする効果もあるので、場合により適宜選択可能
である。
【００１６】この様に、レーザー照射側と反対面の銅箔
の絶縁層側にのみ黒化処理や酸化処理を行った場合は、
ビア部にレーザー加工を行った際に絶縁層の加工が終わ
り裏側の銅箔表面までレーザー加工を行うことで黒化処
理や酸化処理した銅箔表面がレーザー加工によって除去
され銅箔の反射率の変化によってレーザー加工の終点を
明確にすることができ、これによりで問題となっている
絶縁層の加工残渣をなくすことができる。
の絶縁層側にのみ黒化処理や酸化処理を行った場合は、
ビア部にレーザー加工を行った際に絶縁層の加工が終わ
り裏側の銅箔表面までレーザー加工を行うことで黒化処
理や酸化処理した銅箔表面がレーザー加工によって除去
され銅箔の反射率の変化によってレーザー加工の終点を
明確にすることができ、これによりで問題となっている
絶縁層の加工残渣をなくすことができる。
【００１７】請求項３記載の発明では上記課題を解決す
るために、前記レーザー加工として、前記一方の面の銅
層に達した後、着色処理された部分を除去する加工をさ
らに行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載
の配線基板の製造方法を提供するものである。
るために、前記レーザー加工として、前記一方の面の銅
層に達した後、着色処理された部分を除去する加工をさ
らに行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載
の配線基板の製造方法を提供するものである。
【００１８】これは、着色処理された部分は、ビアの底
部となるため、酸化処理の場合は除去しておいたほうが
好ましいからであり、絶縁物で着色処理がされている場
合は除去が必要である。なお、他の場合でも、電気抵抗
が銅層と異なる場合、ビア内に施す導通処理が行いにく
かったりするような場合は除去しておくほうが好まし
い。
部となるため、酸化処理の場合は除去しておいたほうが
好ましいからであり、絶縁物で着色処理がされている場
合は除去が必要である。なお、他の場合でも、電気抵抗
が銅層と異なる場合、ビア内に施す導通処理が行いにく
かったりするような場合は除去しておくほうが好まし
い。
【００１９】請求項４記載の発明では上記課題を解決す
るために、前記レーザー加工にＵＶ−ＹＡＧレーザーを
用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
か一項記載の配線基板の製造方法を提供するものであ
る。
るために、前記レーザー加工にＵＶ−ＹＡＧレーザーを
用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
か一項記載の配線基板の製造方法を提供するものであ
る。
【００２０】本発明に使用できるレーザーとしては、エ
キシマレーザー、炭酸ガスレーザー等があげられる。し
かし、請求項４記載の発明の様にＵＶ−ＹＡＧレーザー
を用いるのが、特に銅層と絶縁層の両方を容易に加工す
ることができるため、好ましい。これにより、照射面側
に銅層が存在し、その銅層を加工する場合には優れた加
工性を発揮する。
キシマレーザー、炭酸ガスレーザー等があげられる。し
かし、請求項４記載の発明の様にＵＶ−ＹＡＧレーザー
を用いるのが、特に銅層と絶縁層の両方を容易に加工す
ることができるため、好ましい。これにより、照射面側
に銅層が存在し、その銅層を加工する場合には優れた加
工性を発揮する。
【００２１】請求項５記載の発明では上記課題を解決す
るために、前記着色処理が酸化処理であることを特徴と
する請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載の配線基
板の製造方法を提供するものである。これにより、容易
に、厚さが薄い着色層が加工でき、加工部以外の部分に
酸化膜が残存した場合にも、配線基板の使用にあたって
も特に悪影響がないからである。特にＣｕＯを主体とし
た酸化膜を形成することが好ましい。
るために、前記着色処理が酸化処理であることを特徴と
する請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載の配線基
板の製造方法を提供するものである。これにより、容易
に、厚さが薄い着色層が加工でき、加工部以外の部分に
酸化膜が残存した場合にも、配線基板の使用にあたって
も特に悪影響がないからである。特にＣｕＯを主体とし
た酸化膜を形成することが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】配線基板の製造方法を図１と図２
を使って説明する。絶縁体１１にポリイミドを用いてな
にも処理していない銅箔１０と表裏に黒化処理を施した
銅箔２０を熱可塑性の接着剤で貼り合わせる。この材料
を用いてＵＶ−ＹＡＧレーザー加工を行う。
を使って説明する。絶縁体１１にポリイミドを用いてな
にも処理していない銅箔１０と表裏に黒化処理を施した
銅箔２０を熱可塑性の接着剤で貼り合わせる。この材料
を用いてＵＶ−ＹＡＧレーザー加工を行う。
【００２３】レーザー加工の条件としては、例えば、銅
箔を１パルス当たり０．２Ｊで加工を行っていく。ショ
ット数は使用する機器によって異なるが、１２μｍの銅
箔で２〜１５ショット程度で銅箔の加工が終わり銅箔１
０ｂのような形態が得られる。次にポリイミドを加工す
る場合には、レーザーの加工エネルギーを１パルス当た
り０．０２Ｊまで落として使用する。これを２０〜３０
ショットすることでポリイミドだけ加工して裏面の銅箔
で加工を完了することが可能となる。
箔を１パルス当たり０．２Ｊで加工を行っていく。ショ
ット数は使用する機器によって異なるが、１２μｍの銅
箔で２〜１５ショット程度で銅箔の加工が終わり銅箔１
０ｂのような形態が得られる。次にポリイミドを加工す
る場合には、レーザーの加工エネルギーを１パルス当た
り０．０２Ｊまで落として使用する。これを２０〜３０
ショットすることでポリイミドだけ加工して裏面の銅箔
で加工を完了することが可能となる。
【００２４】ショット数は、５０μｍのポリイミドの場
合で３０〜５０ショット程度必要となる。ポリイミドの
材質によって加工できるエッチングレートが異なるため
ポリイミドの材料が異なるとショット数の条件だしが必
要になる。ポリイミドの加工が終わるとポリイミドの１
１ｃのような形態が得られる。
合で３０〜５０ショット程度必要となる。ポリイミドの
材質によって加工できるエッチングレートが異なるため
ポリイミドの材料が異なるとショット数の条件だしが必
要になる。ポリイミドの加工が終わるとポリイミドの１
１ｃのような形態が得られる。
【００２５】ポリイミドの加工が終わった段階では、裏
面の銅箔２０は黒化処理表面が残っており図２（ａ）の
状態にある。この状態では、ポリイミドの加工残渣があ
るかないか分からない状態である。さらにレーザーの加
工エネルギを銅箔の加工エネルギーを１パルス当たり
０．２Ｊにもどし裏面の銅箔を１，２ショット加工する
ことで黒化処理膜が除去され、銅箔２０ａを得ることが
できる。この状態の銅箔が得られていればポリイミドの
残渣がないことが明確となりビアの信頼性は向上する。
面の銅箔２０は黒化処理表面が残っており図２（ａ）の
状態にある。この状態では、ポリイミドの加工残渣があ
るかないか分からない状態である。さらにレーザーの加
工エネルギを銅箔の加工エネルギーを１パルス当たり
０．２Ｊにもどし裏面の銅箔を１，２ショット加工する
ことで黒化処理膜が除去され、銅箔２０ａを得ることが
できる。この状態の銅箔が得られていればポリイミドの
残渣がないことが明確となりビアの信頼性は向上する。
【００２６】この後に、めっき処理を行い、表裏の導通
を行う導通化処理を行い、配線基板の製造方法を行う。
この工程において、ビア内の加工残渣があれば、残渣が
残った部分でめっきが付かなかったため、導通不良の原
因になっていたが、残渣付着がなくなり、または発見が
容易で、事前に導通化処理後の導通不良が予測できるの
で、安定した導通化処理が可能になった。
を行う導通化処理を行い、配線基板の製造方法を行う。
この工程において、ビア内の加工残渣があれば、残渣が
残った部分でめっきが付かなかったため、導通不良の原
因になっていたが、残渣付着がなくなり、または発見が
容易で、事前に導通化処理後の導通不良が予測できるの
で、安定した導通化処理が可能になった。
【００２７】
【実施例】（実施例１）以下、実施例について図１，図
２を用いて詳細に説明する。９μｍの銅箔１０に対し、
黒化処理液（次亜塩素酸ナトリウム４０ｇ／ｌ，水酸化
ナトリウム２０ｇ／ｌ，リン酸三ナトリウム２０ｇ／
ｌ，液温９０℃，５分デップ処理）で両面を黒化処理
し、３０μｍのポリイミド１１にポリイミド系の熱可塑
性接着剤（デュポン社製ポリイミド熱可塑性接着剤）１
０μｍを両面に挟んで９μｍの銅箔２０を接着する。こ
れによって図１（ａ）のような両面銅箔基材が形成でき
る。
２を用いて詳細に説明する。９μｍの銅箔１０に対し、
黒化処理液（次亜塩素酸ナトリウム４０ｇ／ｌ，水酸化
ナトリウム２０ｇ／ｌ，リン酸三ナトリウム２０ｇ／
ｌ，液温９０℃，５分デップ処理）で両面を黒化処理
し、３０μｍのポリイミド１１にポリイミド系の熱可塑
性接着剤（デュポン社製ポリイミド熱可塑性接着剤）１
０μｍを両面に挟んで９μｍの銅箔２０を接着する。こ
れによって図１（ａ）のような両面銅箔基材が形成でき
る。
【００２８】次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友
重機械工業株式会社製ＬＡＶＩＡＵＶ ２０００）を使
用して、ビア形成部に６０μｍ径のビームを照射する。
銅箔１０を加工するために１パルス当たり０．２Ｊのエ
ネルギーで６ショット照射することで図１（ｃ）のよう
な状態で銅箔１０を除去できる。なお、２，３ショット
だと図１（ｂ）の状態である。
重機械工業株式会社製ＬＡＶＩＡＵＶ ２０００）を使
用して、ビア形成部に６０μｍ径のビームを照射する。
銅箔１０を加工するために１パルス当たり０．２Ｊのエ
ネルギーで６ショット照射することで図１（ｃ）のよう
な状態で銅箔１０を除去できる。なお、２，３ショット
だと図１（ｂ）の状態である。
【００２９】次にポリイミド１１を加工するためレーザ
ーを１パルス当たり０．２Ｊのエネルギーでに設定し３
０ショット照射することで図１（ｆ）の形態が得られ
る。なお、ショット数が少ないと図１（ｄ），（ｅ）の
状態になる。
ーを１パルス当たり０．２Ｊのエネルギーでに設定し３
０ショット照射することで図１（ｆ）の形態が得られ
る。なお、ショット数が少ないと図１（ｄ），（ｅ）の
状態になる。
【００３０】ポリイミドの加工が完了すると、銅箔は図
２（ａ）のような状態になる。この状態だとポリイミド
の加工残りが銅箔表面に存在することがあり、ビアの接
続不良になってしまうため、さらにレーザーのエネルギ
密度を銅箔加工の１パルス当たり０．２Ｊのエネルギー
に戻し、さらに１，２ショット照射すると図１（ｇ）の
ように銅箔の黒化処理面が除去され、確実にポリイミド
の残渣がないことが確認できる。また図２でみると黒化
処理面にレーザーを照射することで図２（ｃ）の導体層
２０ａのような状態になり、ポリイミド残渣のない加工
部が得られる。
２（ａ）のような状態になる。この状態だとポリイミド
の加工残りが銅箔表面に存在することがあり、ビアの接
続不良になってしまうため、さらにレーザーのエネルギ
密度を銅箔加工の１パルス当たり０．２Ｊのエネルギー
に戻し、さらに１，２ショット照射すると図１（ｇ）の
ように銅箔の黒化処理面が除去され、確実にポリイミド
の残渣がないことが確認できる。また図２でみると黒化
処理面にレーザーを照射することで図２（ｃ）の導体層
２０ａのような状態になり、ポリイミド残渣のない加工
部が得られる。
【００３１】本発明のレーザー加工方法を用いること
で、加工残渣のないビアの形成が可能で、さらに残渣の
有無が明確なレーザー加工が行えた。この後に、ビアを
めっき液（メルテックス株式会社製ダイレクトプレーテ
ィングプロセス）で処理し、１０μｍ厚形成するめっき
処理を行い、表裏の導通を行う導通化処理を行い、配線
基板の製造方法を行う。残渣がなかったために導通化処
理が完全に行えた。
で、加工残渣のないビアの形成が可能で、さらに残渣の
有無が明確なレーザー加工が行えた。この後に、ビアを
めっき液（メルテックス株式会社製ダイレクトプレーテ
ィングプロセス）で処理し、１０μｍ厚形成するめっき
処理を行い、表裏の導通を行う導通化処理を行い、配線
基板の製造方法を行う。残渣がなかったために導通化処
理が完全に行えた。
【００３２】（実施例２）以下、実施例について図３を
用いて詳細に説明する。１２μｍの銅箔１０に、黒化処
理液（次亜塩素酸ナトリウム４０ｇ／ｌ，水酸化ナトリ
ウム２０ｇ／ｌ，リン酸三ナトリウム２０ｇ／ｌ，液温
９０℃，５分デップ処理）でポリイミドと貼り付ける面
を黒化処理し、３０μｍのポリイミド１１に実施例１と
同様のポリイミド系の熱可塑性接着剤１０μｍを両面に
挟んで１２μｍの銅箔２０をを接着する。これによって
図１（ａ）のような両面銅箔基材が形成できる。
用いて詳細に説明する。１２μｍの銅箔１０に、黒化処
理液（次亜塩素酸ナトリウム４０ｇ／ｌ，水酸化ナトリ
ウム２０ｇ／ｌ，リン酸三ナトリウム２０ｇ／ｌ，液温
９０℃，５分デップ処理）でポリイミドと貼り付ける面
を黒化処理し、３０μｍのポリイミド１１に実施例１と
同様のポリイミド系の熱可塑性接着剤１０μｍを両面に
挟んで１２μｍの銅箔２０をを接着する。これによって
図１（ａ）のような両面銅箔基材が形成できる。
【００３３】次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機を使用
して、ビア形成部に５０μｍ径のビームを照射する。銅
箔１０を加工するためにエネルギ密度２０Ｊ／ｃｍ2の
エネルギで１０ショット照射することで図３（ｃ）のよ
うな状態で銅箔１０を除去できる。（２，３ショットだ
と図３（ｂ）の状態）次にポリイミド１１を加工するた
めレーザーのエネルギ密度を１パルス当たり０．０２Ｊ
に設定し３０ショット照射することで図３（ｆ）の形態
が得られる。（ショット数が少ないと図３（ｄ），
（ｅ）の状態になる。）
して、ビア形成部に５０μｍ径のビームを照射する。銅
箔１０を加工するためにエネルギ密度２０Ｊ／ｃｍ2の
エネルギで１０ショット照射することで図３（ｃ）のよ
うな状態で銅箔１０を除去できる。（２，３ショットだ
と図３（ｂ）の状態）次にポリイミド１１を加工するた
めレーザーのエネルギ密度を１パルス当たり０．０２Ｊ
に設定し３０ショット照射することで図３（ｆ）の形態
が得られる。（ショット数が少ないと図３（ｄ），
（ｅ）の状態になる。）
【００３４】ポリイミドの加工が完了すると、銅箔は図
２（ａ）のような状態になる。この状態だとポリイミド
の加工残りが銅箔表面に存在することがあり、ビアの接
続不良になってしまうため、さらにレーザーのエネルギ
密度を銅箔加工の１パルス当たり０．２Ｊに戻し、さら
に１，２ショット照射すると図３（ｇ）のように銅箔の
黒化処理面が除去され、確実にポリイミドの残渣がない
ことが確認できる。また図２でみると黒化処理面にレー
ザーを照射することで図２（ｃ）の２０ａのような状態
になり、ポリイミド残渣のない加工部が得られる。
２（ａ）のような状態になる。この状態だとポリイミド
の加工残りが銅箔表面に存在することがあり、ビアの接
続不良になってしまうため、さらにレーザーのエネルギ
密度を銅箔加工の１パルス当たり０．２Ｊに戻し、さら
に１，２ショット照射すると図３（ｇ）のように銅箔の
黒化処理面が除去され、確実にポリイミドの残渣がない
ことが確認できる。また図２でみると黒化処理面にレー
ザーを照射することで図２（ｃ）の２０ａのような状態
になり、ポリイミド残渣のない加工部が得られる。
【００３５】本発明のレーザー加工方法を用いること
で、請求項１と同様に加工残渣のないビアの形成が可能
で、さらに残渣の有無が明確なレーザー加工が行えた。
この後に、実施例１と同様なめっき処理を行い、表裏の
導通を行う導通化処理を行い、配線基板の製造方法を行
った結果、残渣がなかったために導通化処理が完全に行
えた。
で、請求項１と同様に加工残渣のないビアの形成が可能
で、さらに残渣の有無が明確なレーザー加工が行えた。
この後に、実施例１と同様なめっき処理を行い、表裏の
導通を行う導通化処理を行い、配線基板の製造方法を行
った結果、残渣がなかったために導通化処理が完全に行
えた。
【００３６】（実施例３）以下、実施例について図４を
用いて詳細に説明する。銅箔４０と２０に銅箔１２μｍ
を使用し、それらを酸化処理（２５０℃で空気中でベー
ク２０分）する。次に、実施例１と同様のポリイミドと
熱可塑性接着剤１０μｍを両面に挟んで銅箔と接着す
る。これによって図１（ａ）のような両面銅箔基材が形
成できる。
用いて詳細に説明する。銅箔４０と２０に銅箔１２μｍ
を使用し、それらを酸化処理（２５０℃で空気中でベー
ク２０分）する。次に、実施例１と同様のポリイミドと
熱可塑性接着剤１０μｍを両面に挟んで銅箔と接着す
る。これによって図１（ａ）のような両面銅箔基材が形
成できる。
【００３７】次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機を使用
して、ビア形成部に６０μｍ径のビームを照射する。銅
箔４０を加工するためにエネルギ密度１パルス当たり
０．２Ｊのエネルギで１０ショット照射することで図４
（ｃ）のような状態で銅箔４０を除去できる。なお、
２，３ショットだと図４（ｂ）の状態になる。
して、ビア形成部に６０μｍ径のビームを照射する。銅
箔４０を加工するためにエネルギ密度１パルス当たり
０．２Ｊのエネルギで１０ショット照射することで図４
（ｃ）のような状態で銅箔４０を除去できる。なお、
２，３ショットだと図４（ｂ）の状態になる。
【００３８】次にポリイミド１１を加工するためレーザ
ーのエネルギ密度を１パルス当たり０．０２Ｊに設定し
３０ショット照射することで図４（ｆ）の形態が得られ
る。なお、ショット数が少ないと図４（ｄ），（ｅ）の
状態になる。
ーのエネルギ密度を１パルス当たり０．０２Ｊに設定し
３０ショット照射することで図４（ｆ）の形態が得られ
る。なお、ショット数が少ないと図４（ｄ），（ｅ）の
状態になる。
【００３９】この状態だとポリイミドの加工残りが銅箔
表面に存在することがあり、ビアの接続不良になってし
まうため、さらにレーザーのエネルギ密度を銅箔加工の
１パルス当たり０．２Ｊに戻し、さらに１，２ショット
照射すると図４（ｇ）のように銅箔の酸化処理面が除去
され、酸化処理によって光沢のない銅箔が従来の銅箔の
光沢に戻り、確実にポリイミドの残渣がないことが確認
できる。
表面に存在することがあり、ビアの接続不良になってし
まうため、さらにレーザーのエネルギ密度を銅箔加工の
１パルス当たり０．２Ｊに戻し、さらに１，２ショット
照射すると図４（ｇ）のように銅箔の酸化処理面が除去
され、酸化処理によって光沢のない銅箔が従来の銅箔の
光沢に戻り、確実にポリイミドの残渣がないことが確認
できる。
【００４０】銅箔４０を酸化処理することで、レーザー
加工部の銅箔２０ａと銅箔４０の光沢度のコントラスト
が大きくなり、検査機で確認する際に確認がとりやすく
なる。
加工部の銅箔２０ａと銅箔４０の光沢度のコントラスト
が大きくなり、検査機で確認する際に確認がとりやすく
なる。
【００４１】本発明のレーザー加工方法を用いること
で、請求項１と同様に加工残渣のないビアの形成が可能
で、さらに残渣の有無が明確なレーザー加工が行えた。
で、請求項１と同様に加工残渣のないビアの形成が可能
で、さらに残渣の有無が明確なレーザー加工が行えた。
【００４２】この後に、実施例１と同様なめっき処理を
行い、表裏の導通を行う導通化処理を行い、配線基板の
製造方法を行った結果、残渣がなかったために導通化処
理が完全に行えた。
行い、表裏の導通を行う導通化処理を行い、配線基板の
製造方法を行った結果、残渣がなかったために導通化処
理が完全に行えた。
【００４３】
【発明の効果】本発明の配線基板の製造方法を用いるこ
とで、レーザー加工の残渣のない加工が可能となり、さ
らに加工部の検査を容易にすることができた。さらに銅
箔を酸化処理する工程は、いままでのように高温で銅箔
を貼り付けする際の貼り付け時の雰囲気を気にせずに貼
り付けることができるため、コストメリットも大きい。
とで、レーザー加工の残渣のない加工が可能となり、さ
らに加工部の検査を容易にすることができた。さらに銅
箔を酸化処理する工程は、いままでのように高温で銅箔
を貼り付けする際の貼り付け時の雰囲気を気にせずに貼
り付けることができるため、コストメリットも大きい。
【図１】本発明の一実施例を示す模式断面図である。
【図２】図１の実施例を示す模式斜視図である。
【図３】図１の実施例とは別の本発明の一実施例を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図４】図１及び図２の実施例とは別の本発明の一実施
例を示す模式断面図である。
例を示す模式断面図である。
【図５】従来例を示す模式断面図である。
【図６】従来例を示す模式斜視図である。
１０・・・導体層
１０ａ・・レーザー加工後の導体層
１０ｂ・・レーザー加工後の導体層
１１・・・絶縁層
１１ａ・・レーザー加工後の絶縁層
１１ｂ・・レーザー加工後の絶縁層
１１ｃ・・レーザー加工後の絶縁層
１２・・・導体層
２０・・・黒化あるいは酸化処理後の導体層
２０ａ・・レーザー加工後の導体層
３０・・・片面が黒化あるいは酸化処理後の導体層
３０ａ・・・レーザー加工後の導体層
４０・・・黒化あるいは酸化処理後の導体層
４０ａ・・レーザー加工後の導体層
４０ｂ・・レーザー加工後の導体層
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁層の一方の面に、導通ビアの底部とな
る銅層が形成されてなる材料を用い、前記銅層に達する
ように絶縁層側からレーザー加工を行い、加工された穴
の内部に導通化処理を行う配線基板の製造方法におい
て、 レーザー加工を行う前に、前記銅層の絶縁層に接する面
の少なくとも導通ビアの底部となる部分に、着色処理を
施しておくことを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項２】前記絶縁層の他方の面にも銅層が形成され
ており、前記他方の面の銅層の、絶縁層とは反対面にも
着色処理を施しておくことを特徴とする請求項１記載の
配線基板の製造方法。 - 【請求項３】前記レーザー加工として、前記一方の面の
銅層に達した後、着色処理された部分を除去する加工を
さらに行うことを特徴とする請求項１または請求項２記
載の配線基板の製造方法。 - 【請求項４】前記レーザー加工にＵＶ−ＹＡＧレーザー
を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
れか一項記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項５】前記着色処理が酸化処理であることを特徴
とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載の配線
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001188624A JP2003008174A (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001188624A JP2003008174A (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003008174A true JP2003008174A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19027696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001188624A Pending JP2003008174A (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003008174A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013073638A1 (ja) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 旭硝子株式会社 | 硬化性組成物、塗布用組成物、硬化膜、レーザ加工方法、および多層配線構造体の製造方法 |
| CN116261273A (zh) * | 2023-03-08 | 2023-06-13 | 广州广合科技股份有限公司 | 一种hdi印制电路板的制作方法及hdi印制电路板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199596A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Hitachi Ltd | 基板の穴あけ方法 |
| JPH1085976A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JPH11300487A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-02 | Sony Corp | 孔加工方法及び孔加工体 |
| JP2001102720A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-04-13 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板の加工方法 |
-
2001
- 2001-06-21 JP JP2001188624A patent/JP2003008174A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199596A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Hitachi Ltd | 基板の穴あけ方法 |
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| JP2001102720A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-04-13 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板の加工方法 |
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| CN116261273A (zh) * | 2023-03-08 | 2023-06-13 | 广州广合科技股份有限公司 | 一种hdi印制电路板的制作方法及hdi印制电路板 |
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