JP2002368060A - 基板支持部材、基板処理装置、基板処理方法および基板処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ハンドによる保持が基板に与える影響を抑制
し、これによって高品質な基板処理を実現する。 【解決手段】プリベーク処理部のホットプレートから処
理済の基板を搬出するためのハンドＨ２１には、２ｍｍ
以下の線幅で基板の下面に線接触する吸着パッドＰ１〜
Ｐ４および支持パッドＰｓ１，Ｐｓ２が備えられてい
る。このようなハンドＨ２１は、ホットプレートでの加
熱処理後の高温になった基板との間で、大量の熱量を交
換することがない。そのため、基板に対して不所望な熱
影響を及ぼすことがない。具体的には、露光および現像
処理後のレジストに、不所望なムラが生じることがな
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示パネル用ガラス基板、プラズマディスプレイ用
ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用
基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の
基板を支持するために用いられる基板支持部材、ならび
に、上記のような基板の処理のための基板処理装置およ
び基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置や液晶表示パネルなどの製造
工程では、基板の表面に微細な薄膜パターンを形成する
ためにフォトリソグラフィプロセスが行われる。フォト
リソグラフィプロセスは、基板洗浄、洗浄後の基板の乾
燥（デハイドベーク）、基板表面へのレジスト塗布、レ
ジスト乾燥（プリベーク）、所望のパターンの露光、露
光後の現像、および現像後のレジストの焼き締め（ポス
トベーク）の各工程を含む。

【０００３】レジスト塗布工程から現像工程までを実行
するための基板処理装置は、たとえば図１９に簡略化し
て示す構成を有することになる。すなわち、基板は、ま
ずコータユニットによってレジスト塗布処理を受け、ホ
ットプレート（ＨＰ）およびクールプレート（ＣＰ）に
よってプリベーク処理を受けた後に、露光機による露光
処理を受けて、さらに現像機による現像処理を受ける。
ユニット間の基板の搬送は、基板を保持するハンドを有
する基板搬送機構によって行われる。ホットプレートに
よって加熱処理を受ける前の基板の表面には、湿潤な状
態のレジストが塗布されている。この湿潤な状態のレジ
ストは、温度変化に極めて敏感である。そのため、コー
タユニットからホットプレートへと基板を搬送するため
のハンドとの間の熱交換により、ムラが生じることが知
られている。ホットプレートによってベーキングされた
後のレジストは、さほど温度に対して敏感ではないの
で、ホットプレート以降のユニット間における基板の搬
送によってレジストに大きなムラが生じることはない。

【０００４】基板とハンドとの間での熱交換を可及的に
抑制するために、コータとホットプレートとの間での基
板の搬送のために用いるハンドには、基板裏面の縁部の
みに接触して基板を保持する構成のものが用いられてき
た。しかし、最近では、１枚の基板からたとえば複数枚
の液晶表示パネルを生産することにより、生産性の向上
が図られている。そのため、処理対象の基板の大きさが
大きく、基板の中央部における撓みが無視できなくなっ
てきた。そこで、コータからホットプレートへと基板を
搬送するためのハンドには、基板裏面の中心付近を支持
する支持ピンが備えられるようになってきている。

【０００５】この支持ピンの接触によって、該当箇所に
おいてレジストのムラが生じることになるから、液晶表
示パネルの取り方（４枚取りまたは６枚取りなど）に応
じて、支持ピンの配置を変更し、液晶表示パネルの有効
画素領域内にレジストのムラが生じないようにしなけれ
ばならない。しかし、このように支持ピンの配置を変更
する作業は煩雑であるので、特に１日に何種類ものパタ
ーンの基板が投入される生産工場では、生産性の悪化を
免れない。

【０００６】この問題を解決するために、図２０に示す
ように、コータユニットとホットプレートとの間に簡易
乾燥装置を配置した構成が採用されるようになってきて
いる。簡易乾燥装置は、風乾燥処理または減圧乾燥処理
によって、レジストを乾燥させる装置である。この簡易
乾燥装置の導入によって、コータユニットとホットプレ
ートとの間での基板搬送時における上記支持ピンの接触
に起因するレジストのムラを抑制できる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この構成を
採用すると、ホットプレートにおけるベーキング処理が
不足することがわかってきた。すなわち、簡易乾燥装置
では、風乾燥処理または減圧乾燥処理によって、レジス
トの表面から乾燥が進行するため、表面に乾燥皮膜が形
成される。この乾燥皮膜の存在により、ホットプレート
におけるベーキング処理の進行が遅くなり、ベーキング
不足となる。

【０００８】すなわち、ベーキングによってレジストの
内部から溶剤等の蒸気が発生するが、前記乾燥皮膜が該
蒸気の散逸を阻害する。このため、前記上記がレジスト
内部に残存した状態になり、ベーキング不足になる。こ
のようなベーキング不足が生じているレジストを担持し
た基板をハンドで保持してホットプレートからクールプ
レートへと搬送する際に、ホットプレートによって加熱
された基板と室温状態のハンドとの間で大量の熱交換が
行われる。これにより、ハンドが接触していた基板の部
分上にあるレジストはその他の部分のレジストに対して
変質してしまう。従って、ホットプレートからクールプ
レートへの基板搬送に用いられたハンドの接触に起因す
るムラが生じてしまう。

【０００９】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、ハンドによる保持が基板に与える影響を
抑制し、これによって高品質な基板処理を実現すること
ができる基板支持部材、基板処理装置および基板処理方
法を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を下
面から支持するための基板支持部材であって、基板の下
面に２ｍｍ以下の線幅で線接触する基板接触部を有する
ことを特徴とする基板支持部材である。この構成によれ
ば、基板支持部材は、２ｍｍ以下の線幅で線接触する基
板接触部により基板の下面を支持するので、基板との間
の熱交換量が少ない。これにより、基板に熱影響を与え
ることを防止できる。これにより、温度に敏感なプロセ
スの品質を向上できる。

【００１１】上記基板接触部は、請求項２に記載のよう
に、周状に連続する周壁部を含むものであってもよい。
この場合に、上記周壁部は、請求項３に記載のように、
当該周壁部と基板の下面とにより気密室を形成するもの
であってもよい。この場合には、上記気密室内を排気す
ることにより、基板の下面を吸着して保持することがで
きる。このような吸着保持を良好に行い、かつ基板との
間の熱交換量を少なく抑えるためには、請求項４に記載
のように、上記周壁部は、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以
下の線幅で基板の下面に線接触するものであることが好
ましい。

【００１２】上記基板接触部は、請求項５に記載されて
いるように、複数個備えられていてもよい。この場合
に、この複数個の基板接触部の延在方向が交差していれ
ば、基板を安定に支持することができる。また、請求項
６に記載のように、上記基板接触部は、所定値以下の熱
伝導率（たとえば１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、好ましくは
０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ））の材料で構成されていることが
好ましい。これにより、基板と基板支持部材との間の熱
交換量を効果的に抑制できる。

【００１３】請求項７記載の発明は、基板に対して処理
を施す処理部と、上記処理部から基板を搬出するための
基板搬送機構とを含み、上記基板搬送機構は、請求項１
ないし６のいずれかに記載の基板支持部材を有し、この
基板支持部材で基板の下面を支持することによって基板
を保持するハンドと、上記ハンドを上記処理部に対して
移動させる駆動機構とを備えていることを特徴とする基
板処理装置である。この構成によれば、処理部から基板
を搬出するための基板搬送機構に備えられた基板保持用
のハンドは、基板の下面に２ｍｍ以下の線幅で線接触す
る基板接触部を有する基板支持部材により基板の下面を
支持するように構成されている。したがって、基板とハ
ンドとの間での熱交換量を少なく抑えることができるの
で、上記熱交換に起因する悪影響を基板に与えることが
ない。そのため、特に温度条件の厳しいプロセスに対し
てこの基板処理装置を適用すれば、高品質な基板処理を
実現できる。

【００１４】上記基板搬送機構は、処理部から基板を搬
出するとともに、未処理の基板を上記処理部に対して搬
入する機能を併せて有するものであってもよい。この場
合に、基板搬入用のハンドと基板搬出用のハンドとが備
えられていることが好ましく、少なくとも基板搬出用の
ハンドについては、請求項１ないし６のいずれかに記載
の基板支持部材が設けられていることが好ましい。請求
項８記載の発明は、上記処理部は、基板を加熱処理する
加熱処理部を含むことを特徴とする請求項７記載の基板
処理装置である。

【００１５】この構成では、処理部において基板が加熱
処理されるため、たとえば室温状態の雰囲気中で基板を
搬送するハンドによって加熱処理後の基板を保持する時
に、基板とハンドとの間には大きな温度差が生じてい
る。しかし、この発明では、基板の下面を支持する基板
支持部材が、基板とハンドとの間での熱交換を可及的に
抑制できる構成となっているので、大量の熱量が基板と
ハンドとの間で交換されることがない。したがって、加
熱処理後の基板に対して、悪影響を与えることがない。

【００１６】請求項９記載の発明は、上記加熱処理部
は、レジストが上面に塗布された未露光の基板に対して
加熱処理を施すものであることを特徴とする請求項８記
載の基板処理装置である。上記加熱処理部は、フォトリ
ソグラフィ工程におけるプリベーク工程を実行するため
の加熱処理部である。たとえば、上記レジストの上面に
塗布された未露光の基板は、風乾燥処理または減圧乾燥
処理等の簡易乾燥処理が施された基板であってもよい。
このような基板においては、レジストは、表面に乾燥皮
膜が生じた状態となっていて、加熱処理部によるプリベ
ークが不足する傾向にある。このようなプリベーク不足
の基板を室温のハンドで保持したとき、基板とハンドと
の間で大量の熱量が交換されると、露光および現像処理
後の基板において明確なムラが生じる。しかし、この発
明では、基板とハンドとの間での熱交換量が少なく抑制
されているので、上記のような不具合が生じることがな
い。これによって、良好なフォトリソグラフィ処理を実
行することができる。

【００１７】請求項１０記載のように、上記基板支持部
材と基板の下面との間に気密室が形成される場合（例え
ば請求項３に記載のような場合）には、この気密室を排
気する排気手段を設けることによって、基板を吸着保持
することができ、基板の搬送を確実に行える。請求項１
１記載の発明は、上記処理部である第１処理部の他に、
基板に対して処理を施す第２処理部をさらに含み、上記
基板搬送機構である第１基板搬送機構の他に、上記第２
処理部から基板を搬出するための第２基板搬送機構をさ
らに含み、上記第２基板搬送機構は、基板の下面に対し
て上記基板支持部材である第１基板支持部材よりも太い
線幅で接触して当該基板を支持する第２基板支持部材を
有するハンドと、このハンドを上記処理部に対して移動
するための駆動機構とを備えていることを特徴とする請
求項７ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置であ
る。

【００１８】たとえば、第１処理部による処理後の基板
に対して厳密な温度管理が要求されるのに対して、第２
処理部による処理後の基板についてはさほど厳密な温度
管理が要求されないとする。この場合に、第２処理部か
ら基板を搬出する第２基板搬送機構は、第１基板搬送機
構に備えられた第１基板支持部材よりも太い線幅で接触
して基板を支持する第２基板支持部材を有するハンドを
備えている。これによって、基板を安定に保持すること
ができるので、たとえば、第１基板搬送機構よりも高速
に基板を搬送することができる。その結果、基板の搬送
タクトを短縮できるから、基板処理の生産性向上に寄与
することができる。

【００１９】請求項１２記載の発明は、基板に対して処
理を施す処理部と、複数の基板支持部材を有し、この複
数の基板支持部材で基板の下面を支持することによって
基板を保持するハンド、および上記ハンドを上記処理部
に対して進退移動させる駆動機構を備え、上記処理部か
ら基板を搬出する基板搬送機構とを含み、上記複数の基
板支持部材は、上記ハンドの上記処理部に対する進退方
向に関して異なる位置に配置されており、各基板支持部
材と基板の下面との間の熱交換量が、上記進退方向前方
側から上記進退方向後方側に向かうに従って少なくなる
ように定められていることを特徴とする基板処理装置で
ある。

【００２０】この構成によれば、基板搬送機構のハンド
には、その進退方向に関して異なる位置に複数の基板支
持部材が配置されていて、これらの複数の基板支持部材
により基板を安定に保持できる。そして、各基板支持部
材と基板の下面との間の熱交換量が、ハンドの進退方向
前方側から進退方向後方側に向かうに従って少なくなる
ように定められている。したがって、請求項１３記載の
ように、上記処理部が基板を加熱処理する加熱処理部で
ある場合に、処理部に対してより深く進入し、その結
果、処理部内により長時間に渡って存在することになる
進退方向前方側の基板支持部材ほど、基板との間の熱交
換が生じやすく、進退方向後方側の基板支持部材ほど、
基板との間の熱交換が生じにくい。進退方向前方側の基
板支持部材は、処理部内での滞在時間が長いので、基板
との温度差が小さく、逆に、進退方向後方側の基板支持
部材は、基板との温度差が大きくなる傾向にある。した
がって、この発明の構成を採用することにより、基板に
ハンドからの熱影響を及ぼすことを防止できる。

【００２１】上記加熱処理部は、請求項１４記載のよう
に、レジストが上面に塗布された未露光の基板に対して
加熱処理を施すものであってもよい。すなわち、上記加
熱処理部は、フォトリソグラフィ工程におけるプリベー
ク工程を実行するものであってもよい。この場合に、加
熱処理部において処理される基板は、基板上に塗布され
たレジストに対して簡易乾燥処理が施されたものであっ
てもよい。したがって、レジストの表面に形成される乾
燥皮膜の影響で、加熱処理部によるプリベークに不足が
生じる虞れがあるが、この場合でも、ハンドと基板との
熱交換量が少ないので、露光および現像処理後の基板に
おいて明確なレジストムラが生じることはない。

【００２２】請求項１５記載の発明は、上記複数の基板
支持部材は、基板の下面と接触する基板接触部をそれぞ
れ有し、各基板支持部材の基板接触部と基板の下面と接
触面積が、上記進退方向前方側から上記進退方向後方側
に向かうに従って少なくなるように定められていること
を特徴とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載の
基板処理装置である。この構成によれば、ハンドの基端
部側では基板支持部材と基板の下面との接触面積が少な
いので、それらの間の熱交換量が少ない。その一方で、
ハンドの先端側では、基板接触部と基板の下面とが比較
的大きな面積で接触しているので、基板を安定に保持す
ることができる。こうして、基板を安定に保持しなが
ら、ハンドと基板との間の熱交換量を抑制することがで
きる。基板が安定に保持される結果、基板の搬送を高速
に行うことができるから、基板搬送タクトを短縮でき、
基板処理の生産性を向上できる。

【００２３】具体的には、請求項１６に記載のように、
上記基板接触部が基板の下面に線状の領域で接触するも
のである場合に、各基板支持部材の基板接触部の接触線
幅が、上記進退方向前方側から上記進退方向後方側に向
かうに従って狭くなるように定めればよい。請求項１７
記載の発明は、上記複数の基板支持部材は、基板の下面
と接触する基板接触部をそれぞれ有し、各基板支持部材
の基板接触部の熱伝導率が、上記進退方向前方側から上
記進退方向後方側に向かうに従って小さくなるように定
められていることを特徴とする請求項１２ないし１６の
いずれかに記載の基板処理装置である。

【００２４】これにより、基板支持部材の形状または大
きさが同じであっても、ハンド上においてその進退方向
各部に設けられた基板支持部材において、基板との間の
適切な熱交換状態を設定できる。これにより、基板を安
定に支持でき、かつ、ハンドから基板への熱影響を抑制
できる。請求項１８記載の発明は、上記処理部である第
１処理部の他に、基板に対して処理を施す第２処理部を
さらに含み、上記基板搬送機構である第１基板搬送機構
の他に、上記第２処理部から基板を搬出するための第２
基板搬送機構をさらに含み、上記第２基板搬送機構は、
基板の下面に接触して当該基板を支持する複数の基板支
持部材を有するハンドと、このハンドを上記第２処理部
に対して進退移動させるための駆動機構とを備えてお
り、上記第２基板搬送機構に備えられた複数の基板支持
部材は、上記第２処理部に対する進退方向に関する位置
によらずに、基板の裏面との間の熱交換量がほぼ等しく
定められていることを特徴とする請求項１２ないし１７
のいずれかに記載の基板処理装置である。

【００２５】たとえば、第１処理部は、処理後の基板に
対する温度管理が厳密に要求されるプロセスを実行する
ものであり、第２処理部は、処理後の基板に対する温度
管理がさほど厳格ではないプロセスを実行するものであ
る。そこで、第２基板搬送機構に備えられた複数の基板
支持部材は、ハンド上における進退方向に関する位置に
よらずに、基板の裏面との間の熱交換量がほぼ等しく定
められている。これによって、基板の安定保持が可能と
なり、基板を高速に搬送できる。

【００２６】請求項１９記載の発明は、上記第１基板搬
送機構の駆動機構は、上記第２基板搬送機構の駆動機構
によるハンドの移動速度よりも遅い速度で上記ハンドを
移動させるものであることを特徴とする請求項１１また
は１８記載の基板処理装置である。この構成により、第
１基板搬送機構による基板の搬送不良が生じることを防
止できる。その一方で、第２基板搬送機構のハンドは高
速に移動させることができるので、基板の搬送タクトを
短縮できる。

【００２７】請求項２０記載の発明は、上記第１処理部
はレジストが上面に塗布された未露光の基板を加熱する
ものであり、上記第２処理部は第１処理部加熱された基
板を冷却するものであることを特徴とする請求項１１、
１８および１９のうちいずれかに記載の基板処理装置で
ある。この発明により未露光の基板上のレジストを加熱
するという、厳密な温度管理が要求される処理と、第１
処理部で加熱された基板を冷却するというさほど厳密な
温度管理が必要ではない処理とを実行する場合におい
て、請求項１１、１８および１９のうちいずれかに関し
て述べた効果と同様な効果を実現できる。

【００２８】請求項２１記載の発明は、上記第１処理部
は基板が載置されるホットプレートを有し、上記第２処
理部は基板が載置されるクールプレートを有することを
特徴とする請求項２０に記載の基板処理装置である。こ
の発明により、未露光の基板上のレジストをホットプレ
ートで加熱するという、厳密な温度管理が要求される処
理と、ホットプレートで加熱された基板をクールプレー
トで冷却するという、さほど厳密な温度管理が必要では
ない処理とを実行する場合において、請求項２０で述べ
た効果と同様な効果を実現できる。

【００２９】請求項２２記載の発明は、上記基板処理装
置は、基板洗浄工程、デハイドベーク工程、レジスト塗
布工程、プリベーク工程、現像工程およびポストベーク
工程を含むフォトリソグラフィプロセスのための基板処
理を行うものであり、上記第１処理部は、上記プリベー
ク工程を実行するものであり、上記第２処理部は、上記
デハイドベーク工程または上記ポストベーク工程を実行
するものであることを特徴とする請求項１１、１８およ
び１９のうちのいずれかに記載の基板処理装置である。

【００３０】上記プリベーク工程の前に、基板上に塗布
されたレジストに対して簡易乾燥処理を行う簡易乾燥工
程が設けられてもよい。請求項２３記載の発明は、請求
項２２に記載の基板処理装置と露光装置とを有する基板
処理システムであって、露光装置はプリベーク工程が実
行された基板を受け取り、基板にパターンを露光し、露
光が完了した基板を基板処理装置に渡すことを特徴とす
る基板処理システムである。

【００３１】請求項２４記載の発明は、処理部内で基板
に対して処理を施す基板処理工程と、この基板処理工程
後の基板を、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板
支持部材で基板の下面を支持することによって基板を保
持するハンドによって上記処理部から搬出する工程とを
含むことを特徴とする基板処理方法である。この発明に
より、請求項７の発明に関して述べた効果と同等の効果
を達成できる。

【００３２】請求項２５記載の発明は、処理部内で基板
に対して処理を施す基板処理工程と、複数の基板支持部
材を有し、この複数の基板支持部材で基板の下面を支持
することによって基板を保持するハンドを上記処理部に
対して進退移動させることにより、上記基板処理工程後
の基板を上記処理部から搬出する工程とを含み、上記複
数の基板支持部材は、上記ハンドの上記処理部に対する
進退方向に関して異なる位置に配置されており、各基板
支持部材と基板の下面との間の熱交換量が、上記進退方
向前方側から上記進退方向後方側に向かうに従って少な
くなるように定められていることを特徴とする基板処理
方法である。

【００３３】この方法により、請求項１２の発明に関し
て述べた効果と同様な効果を実現できる。請求項２６に
記載されているように、上記基板処理工程は、基板を加
熱処理する加熱処理工程を含んでいてもよい。この場合
に、請求項２７に記載のように、上記加熱処理工程は、
レジストが上面に塗布された未露光の基板に対して加熱
処理を施す工程であってもよい。

【００３４】請求項２８記載の発明は、第１処理部内で
基板に対して処理を施す第１基板処理工程と、この第１
基板処理工程後の基板を、請求項１ないし６のいずれか
に記載の基板支持部材で基板の下面を支持することによ
って基板を保持する第１ハンドによって上記第１処理部
から搬出する工程と、第２処理部内で基板に対して処理
を施す第２基板処理工程と、この第２基板処理工程後の
基板を、上記第１ハンドの基板支持部材よりも太い線幅
で基板の下面に対して当該基板を支持する基板支持部材
を備えた第２ハンドによって上記第２処理部から搬出す
る工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。

【００３５】この方法により、請求項１１記載の発明に
関して述べた効果と同様な効果を実現できる。請求項２
９記載の発明は、第１処理部内で基板に対して処理を施
す第１基板処理工程と、第１ハンドを上記第１処理部に
対して進退させることによって、上記第１基板処理工程
後の基板を上記第１処理部から搬出する工程と、第２処
理部内で基板に対して処理を施す第２基板処理工程と、
第２ハンドを上記第２処理部に対して進退させることに
よって、上記第２基板処理工程後の基板を上記第２処理
部から搬出する工程とを含み、上記第１ハンドには、上
記処理部に対する進退方向に関して異なる位置に配置さ
れた複数の基板支持部材を有し、各基板支持部材と基板
の下面との間の熱交換量が、上記進退方向前方側から上
記進退方向後方側に向かうに従って少なくなるように定
められているハンドを用い、上記第２ハンドには、上記
処理部に対する進退方向に関する位置によらずに基板の
下面との熱交換量がほぼ等しく定められた複数の基板支
持部材を有するハンドを用いることを特徴とする基板処
理方法である。

【００３６】この方法により、請求項１８記載の発明に
述べた効果と同様な効果を達成できる。請求項３０記載
の発明は、上記第１ハンドは、上記第２ハンドが上記第
２処理部から基板を搬出する速さよりも遅い速さで上記
第１処理部から基板を搬出することを特徴とする請求項
２８または２９記載の基板処理方法である。この方法に
より、請求項１９記載の発明に関して述べた効果と同様
な効果を実現できる。

【００３７】請求項３１に記載の発明は、上記第１処理
部はレジストが上面に塗布された未露光の基板を加熱す
るものであり、上記第２処理部は第１処理部で加熱され
た基板を冷却するものであることを特徴とする請求項２
８ないし３０のいずれかに記載の基板処理方法である。
この発明により請求項２０に関して述べた効果と同様
な効果を実現できる。請求項３２に記載の発明は、上記
第１処理部は基板が載置されるホットプレートを有し、
上記第２処理部は基板が載置されるクールプレートを有
することを特徴とする請求項３１に記載の基板処理方法
である。

【００３８】この発明により請求項２１に関して述べた
効果と同様な効果を実現できる。請求項３３記載の発明
は、上記基板処理方法は、基板洗浄工程、デハイドベー
ク工程、レジスト塗布工程、プリベーク工程、現像工程
およびポストベーク工程を含むフォトリソグラフィプロ
セスのための方法であり、上記第１処理部は、上記プリ
ベーク工程を実行するものであり、上記第２処理部は、
上記デハイドベーク工程または上記ポストベーク工程を
実行するものであることを特徴とする請求項２８ないし
３０のいずれかに記載の基板処理方法である。

【００３９】この方法により、請求項２０記載の発明に
関して述べた効果と同様な効果が達成される。請求項３
４に記載の発明は、上記基板処理法はプリベーク工程が
実行された基板にパターンを露光する露光工程を有し、
上記現像工程は露光工程が実行された基板に対して実行
されることを特徴とする請求項３３に記載の基板処理法
である。

【００４０】この発明により請求項２３に関して述べた
効果と同様な効果を実現できる。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成を示す
図解図である。この基板処理システムは、液晶表示パネ
ル用ガラス基板等の被処理基板に対してフォトリソグラ
フィ工程を実行するための装置である。この基板処理シ
ステムは、基板表面の洗浄を行うための洗浄処理部１
と、洗浄処理後の基板を乾燥させるためのデハイドベー
ク処理部２と、デハイドベーク処理後の基板表面にレジ
ストを塗布する塗布処理部３と、基板表面に塗布された
レジストを乾燥硬化させるためのプリベーク処理部４
と、プリベーク処理後のレジストを、所望のマスクパタ
ーンにより露光する露光処理部５と、露光後のレジスト
を現像する現像処理部６と、現像処理後の基板表面のレ
ジストを焼き締めるためのポストベーク処理部７とを備
えている。

【００４２】なお、このような基板処理システムは基板
処理装置と露光装置とから構成される。具体的には、洗
浄処理部１、デハイドベーク処理部２、塗布処理部３、
プリベーク処理部４、現像処理部６、ポストベーク処理
部７の各処理部を有する基板処理装置と、露光処理部５
を有する露光装置とがそれぞれ存在し、接続されてい
る。すなわちプリベーク処理部４で処理を受けた基板を
露光装置に搬送し、また、露光装置で処理を受けた基板
を現像処理部６に搬送する仲介搬送装置により前記基板
処理装置と露光装置とが接続されている。

【００４３】そして、前記洗浄処理部１は、例えば、矩
形の基板を水平方向で支持し、かつ搬送する複数のロー
ラからなる基板の保持手段、保持された基板への洗浄液
（薬液や純水）の供給手段、洗浄液として薬液が供給さ
れた場合のリンス液（純水）の供給手段を有する。ま
た、洗浄液としての純水の供給を受けて洗浄が完了した
基板、またはリンス液の供給を受けて洗浄が完了した基
板に付着している液体を吹き飛ばす気体噴射手段も有す
る。これにより、基板から液滴が除去される。気体噴射
手段は例えば、基板の幅寸法よりも長いスリット状の開
口から気体を吹出すことで基板上の液体を吹き飛ばすス
リットノズルを有する。

【００４４】デハイドベーク処理部２の構成は後述す
る。塗布処理部３の構成は後述する。プリベーク処理部
４の構成は後述する。露光処理部５は露光装置内に存在
し、前述の仲介搬送装置によりプリベーク処理後の基板
を受取りマスクパターンを露光する。現像処理部６は前
述の仲介搬送装置により露光処理を受けた基板を受取
り、該基板に現像液を供給する。

【００４５】ポストベーク処理部７の構成は後述する。
デハイドベーク処理部２は、洗浄処理後の基板表面の水
分を蒸発させて乾燥させるためのホットプレート（Ｈ
Ｐ）２１と、加熱処理後の基板を室温に冷却するクール
プレート（ＣＰ）２２とを備えている。また、ポストベ
ーク処理部７は、現像処理後のレジストを焼き締めるた
めのホットプレート７１と、ホットプレート７１による
加熱処理後の基板を室温に冷却するためのクールプレー
ト７２とを備えている。

【００４６】図２は、塗布処理部３およびプリベーク処
理部４の詳細な構成を説明するための図解図である。塗
布処理部３は、基板にレジストを供給するレジストノズ
ルと、レジストを供給された基板を回転させる回転手段
を有するスピンコータ等のコータ部（ＳＣ）３１と、塗
布されたレジストに対して気流を当てる風乾燥処理また
は、基板を収容する密閉したチャンバを有し、チャンバ
内の雰囲気を排気して密閉チャンバ内の気圧を減圧する
減圧乾燥処理を施す簡易乾燥処理部３２と、簡易乾燥処
理後の基板の端面に付着しているレジストを除去するた
めの端面洗浄処理部（ＥＢＲ）３３とを備えている。な
お、簡易乾燥処理部３２は省略される場合もある。ま
た、プリベーク処理部４は、塗布処理部３によって塗布
されたレジストを加熱乾燥させるためのホットプレート
４１と、ホットプレート４１による加熱処理後の基板を
室温に冷却するためのクールプレート４２とを備えてい
る。

【００４７】プリベーク処理部４に関連して、塗布処理
部３の端面洗浄処理部３３から基板を受け取ってホット
プレート４１に搬入し、さらにホットプレート４１によ
る加熱処理後の基板をクールプレート４２へと搬送し、
さらにクールプレート４２による冷却処理後の基板を露
光処理部５に向かって払い出すための搬送ロボットＴＲ
２が設けられている。塗布処理部３の内部における基板
の搬送は、専用の搬送機構（図示せず）によって行われ
るようになっていて、この搬送には搬送ロボットＴＲ２
は関与しない。

【００４８】図１に示されているように、デハイドベー
ク処理部２に関連して、搬送ロボットＴＲ１が設けられ
ており、さらにポストベーク処理部７に関連して、搬送
ロボットＴＲ３が設けられている。搬送ロボットＴＲ１
は、洗浄処理部１から洗浄後の基板を取り出してデハイ
ドベーク処理部２のホットプレート２１へと搬入し、こ
のホットプレート２１による加熱処理後の基板を取り出
しクールプレート２２に搬入し、クールプレート２２に
よる冷却処理後の基板を搬出して塗布処理部３へと受け
渡す。同様に、搬送ロボットＴＲ３は、現像処理部６か
ら処理後の基板を搬出して、ポストベーク処理部７のホ
ットプレート７１に搬入し、このホットプレート７１に
よる加熱処理後の基板を搬出してクールプレート７２へ
と搬入し、クールプレート７２による冷却処理後の基板
を払い出す。

【００４９】図３は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２，Ｔ
Ｒ３に共通する構成を示す図である。搬送ロボットＴＲ
１，ＴＲ２，ＴＲ３は、それぞれ、上下に重なり合うよ
うに配置された一対のハンドＨ１１，Ｈ１２；Ｈ２１，
Ｈ２２；Ｈ３１，Ｈ３２を備えている。これらのハンド
Ｈ１１，Ｈ１２；Ｈ２１，Ｈ２２；Ｈ３１，Ｈ３２は、
基台部Ｂに対して、水平方向に向かって進退可能に取り
付けられている。基台部Ｂには、ハンドＨ１１，Ｈ２
１，Ｈ３１と、ハンドＨ１２，Ｈ２２，Ｈ３２とを独立
に進退させるための進退駆動機構（図示せず）が設けら
れている。基台部Ｂは、図示しない回転駆動機構によっ
て鉛直軸線回りに回転可能に保持されているとともに、
必要に応じて所定の水平方向に沿うスライド移動が可能
であるように構成されている。たとえば、ハンドＨ１
１，Ｈ２１，Ｈ３１；Ｈ１２，Ｈ２２，Ｈ３２は、或る
処理部から一方のハンドにより処理済の基板を搬出した
後に、他方の基板によって当該処理部に未処理の基板を
搬入するように、その動作が制御される。

【００５０】図４は、プリベーク処理部４の構成例を示
す断面図である。プリベーク処理部４は、たとえば、熱
処理部４５が上下方向に多段に積層されて構成されてい
る。熱処理部４５は、ホットプレートまたはクールプレ
ートである。この多段に積層された熱処理部４５に対し
て、搬送ロボットＴＲ２が、未処理の基板Ｓを搬入し、
また処理済の基板Ｓを搬出する。搬送ロボットＴＲ２
は、たとえば、図４の紙面に垂直な方向に形成された搬
送路４６に沿って走行可能に構成されているとともに、
その基台部Ｂが、鉛直方向に沿って昇降可能とされてい
る。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、或る熱処理部
４５から、他の熱処理部４５へと基板を移動させること
ができる。熱処理部４５は、搬送路４６の一方側のみに
設けられてもよいが、図４には、搬送路４６の両側に熱
処理部４５が配置されている例が示されている。

【００５１】図５は、熱処理部４５の詳細な構成を示す
断面図である。熱処理部４５は、処理室５１と、この処
理室５１内に配置された熱処理プレート（ホットプレー
トまたはクールプレート）５２と、この熱処理プレート
５２に対して基板Ｓを接触／離反（昇降）させるための
リフトピン５３と、このリフトピン５３を昇降させるた
めの昇降駆動機構５４とを備えている。処理室５１にお
いて、搬送ロボットＴＲ２側である前方には、基板Ｓを
搬入／搬出するための開口５５が形成されている。この
開口５５に関連して、シャッタ５６が設けられており、
シャッタ駆動機構５７により駆動されるようになってい
る。シャッタ５６を駆動することにより、開口５５を開
閉できる。処理室５１の後方には、ダンパ５８を介して
排気ダクト５９が接続されている。

【００５２】熱処理プレート５２が基板Ｓを加熱処理す
るホットプレートである場合には、たとえば、内部にヒ
ータが仕込まれている。また、熱処理プレート５２が、
基板Ｓを冷却するためのクールプレートである場合に
は、たとえば、熱処理プレート５２内に冷却水通路が形
成されていて、この冷却水通路に、温調された冷却水が
循環される。搬送ロボットＴＲ２は、ホットプレート４
１から加熱処理済の基板Ｓを搬出する時には、ハンドＨ
２１，Ｈ２２のうちの一方のハンド（ここでは仮に、ハ
ンドＨ２１とする。）を使用する。このハンドＨ２１の
構成は、図６に示されている。すなわち、ハンドＨ２１
は、たとえばフォーク形状に形成されている。すなわ
ち、ハンドＨ２１は、一対の平行な腕部６１，６２を有
している。これらの腕部６１，６２の先端部および基端
部には、基板Ｓの下面を吸着保持するための吸着パッド
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が上面に固定されている。そし
て、腕部６１，６２の途中部には、基板Ｓの下面に接触
して基板Ｓを支持するための支持パッドＰｓ１，Ｐｓ２
が上面にそれぞれ固定されている。吸着パッドＰ１〜Ｐ
４には、排気通路が接続されていて、この排気通路は、
真空ポンプ等の排気手段（図示せず）に接続されてい
る。

【００５３】図７は、吸着パッドＰ１〜Ｐ４の構成を説
明するための斜視図である。吸着パッドＰ１〜Ｐ４は、
ハンドＨ２１に取り付けられる板状の本体部６５と、こ
の本体部６５の表面から立設して形成され、円周状に連
続した周壁部６６とを備えている。周壁部６６は、円筒
形状を有していて、２ｍｍ以下（好ましくは０．１ｍｍ
以上１．０ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以上、
１．０ｍｍ以下）の肉厚を有している。したがって、周
壁部６６は、その上面に、基板Ｓに接触する基板接触部
６６ａを有し、この基板接触部６６ａは、基板Ｓの下面
に２ｍｍ以下（好ましくは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以
下、より好ましくは０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下）
の線幅で線接触することになる。この基板接触部６６ａ
が基板Ｓの下面に接触した状態では、周壁部６６の内部
空間は気密室を形成する。

【００５４】本体部６５において、周壁部６６の中央に
該当する部分には、上述の排気通路に連通する吸着口６
７が形成されている。したがって、この吸着口６７を介
して真空ポンプ等の排気手段によって気密室内を排気す
ることによって、基板ＳをハンドＨ２１上に吸着するこ
とができる。図８は、支持パッドＰｓ１，Ｐｓ２の構成
例を示す斜視図である。この支持パッドＰｓ１，Ｐｓ２
は、矩形板状の本体部７５と、この本体部７５の表面に
立設された十字状の支持壁部７６とを有している。この
支持壁部７６は、その肉厚が２ｍｍ以下（好ましくは
０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、より好ましくは０．５
ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下）のものであり、したがっ
て、その上面に２ｍｍ以下（好ましくは０．１ｍｍ以上
１．０ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以上、１．
０ｍｍ以下）の線幅で基板Ｓの下面に線接触する基板接
触部７６ａを有している。基板接触部７６ａは、十字状
に形成されているので、複数個の直線状基板接触部を、
延在方向が直交するように配置したものと見なすことも
できる。

【００５５】ホットプレート４１から処理済の基板Ｓの
搬出のために用いられることのないハンドＨ２２は、ハ
ンドＨ２１とほぼ同様な構成を有しているが、その上面
に設けられた吸着パッドおよび支持パッドは、基板の下
面に対する接触部の線幅が、ハンドＨ２１の支持パッド
の接触部の線幅よりも大きく、例えばここでは２ｍｍよ
りも大きく定められている。すなわち、ハンドＨ２２上
の吸着パッドおよび支持パッドＰｓは、ハンドＨ２１上
の吸着パッドＰ１〜Ｐ３および支持パッドＰｓ１，Ｐｓ
２よりも大きな線幅で、基板の下面に線接触する基板接
触部を有する。

【００５６】基板との接触面積が大きいほど基板の保持
を安定に行える。そこで、搬送ロボットＴＲ２の動作を
制御するための制御装置（図示せず）は、ハンドＨ２２
を、ハンドＨ２１よりも高速に駆動する。これにより、
ハンドＨ２１の駆動中に基板Ｓが脱落することがなく、
また、基板を安定に保持できるハンドＨ２２は高速に駆
動されるので、基板の搬送タクトを短縮できる。ハンド
Ｈ２１を低速に動かす必要があるのは、ハンドＨ２１が
基板を保持している場合だけであるので、ホットプレー
ト４１から基板を搬出するためにハンドＨ２１をホット
プレート４１に向かって前進させる時には、ハンドＨ２
１を高速に移動してもよい。

【００５７】デハイドベーク処理部２およびポストベー
ク処理部７に関連して設けられた搬送ロボットＴＲ１，
ＴＲ３は、上記の搬送ロボットＴＲ２と同様の構成を有
している。ただし、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２のハン
ドＨ１１，Ｈ１２；Ｈ３１，Ｈ３２の各上面に設けられ
た吸着パッドおよび支持パッドは、搬送ロボットＴＲ２
のハンドＨ２２と同様に、ハンドＨ２１の支持パッドの
接触部の線幅よりも大きく、例えばここでは２ｍｍ以上
の線幅で基板Ｓの下面に線状に接触する基板接触部をそ
れぞれ有している。したがって、ハンドＨ１１，Ｈ１
２；Ｈ３１，Ｈ３２は、搬送ロボットＴＲ２のハンドＨ
２２の場合と同様、ハンドＨ２１によってホットプレー
ト４１から処理済の基板を搬出する時の速さよりも、高
速に駆動されるようになっている。こうして、搬送タク
トの短縮が図られている。

【００５８】以上のように、この実施形態の基板処理装
置によれば、プリベーク処理部４のホットプレート４１
から処理済の基板を搬出するためのハンドＨ２１には、
２ｍｍ以下の線幅で基板の下面に線接触する吸着パッド
Ｐ１〜Ｐ４および支持パッドＰｓ１，Ｐｓ２が備えられ
ている。このようなハンドＨ２１は、したがって、ホッ
トプレート４１での加熱処理後の高温になった基板との
間で、大量の熱量を交換することがない。そのため、基
板に対して不所望な熱影響を及ぼすことがない。具体的
には、露光および現像処理後のレジストに、不所望なム
ラが生じることがない。

【００５９】次に、ホットプレート４１からの基板の搬
出のために用いられるハンドＨ２１の改良につき、図６
を参照して説明する。ハンドＨ２１は、腕部６１，６２
の先端部からホットプレート４１（熱処理部）の処理室
５１内に入り、リフトピン５３によって基板受け渡し高
さ（図５の二点鎖線位置）まで持ち上げられた基板Ｓの
下方に入り込む。そして、リフトピン５３から基板Ｓを
受け取った後、その基端部側から処理室５１外に退出す
る。したがって、吸着パッドＰ１〜Ｐ４および支持パッ
ドＰｓ１，Ｐｓ２は、ハンド１１のホットプレート４１
に対する進退方向前方側のものほど、処理室５１の内部
における滞在時間が長い。そのため、進退方向前方側に
位置する吸着パッドまたは支持パッドほど、処理室５１
内で熱量を受けるから、基板Ｓとの温度差が少なくな
る。

【００６０】そこで、ハンドＨ２１上において、進退方
向前方側（腕部６１，６２の先端側）ほど、吸着パッド
または支持パッドの基板に対する接触面積を大きくする
ことが好ましい。具体的には、吸着パッドＰ１，Ｐ３の
基板接触部の線幅をＬＡとし、支持パッドＰｓ１，Ｐｓ
２の基板接触部の線幅をＬＢとし、吸着パッドＰ２，Ｐ
４の基板接触部における接触線幅をＬＣとすると、ＬＡ
＞ＬＢ＞ＬＣなる関係が成立するように、各接触部の線
幅が定められることが好ましい。これによって、接触線
幅の大きな吸着パッドＰ１，Ｐ３により、基板の保持を
安定に行えるとともに、接触線幅の小さな吸着パッドＰ
２，Ｐ４と基板との間での熱交換を抑制することができ
る。この構成により、ハンドＨ２１を高速に移動させて
も基板がハンドＨ２１から脱落したりすることがなく、
かつ、ハンドＨ２１と基板との間で多量の熱交換が生じ
ることもない。

【００６１】上述の線幅ＬＡ，ＬＢ，ＬＣは、いずれも
２ｍｍ以下であってもよいが、たとえば、線幅ＬＡのみ
（または線幅ＬＡおよびＬＢ）については、線幅ＬＣよ
りも大きく、例えば２ｍｍよりも大きく定め、線幅ＬＢ
およびＬＣに関して（または線幅ＬＣのみ）は、２ｍｍ
以下としてもよい。図９は、吸着パッドＰ１〜Ｐ４に代
えて適用することができる吸着パッドの構成例を示す斜
視図である。図９（Ａ）の吸着パッドは、矩形板状の本
体部６５上に、平面視において矩形状の周壁部６６１を
形成し、その内方に吸着口６７を形成して構成されてい
る。周壁部６６１の頂面は、基板の下面に２ｍｍ以下
（好ましくは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、より好ま
しくは０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下）の線幅で線接
触する基板接触部６６１Ａを形成している。この基板接
触部６６１Ａが基板の下面に接触した状態では、矩形周
壁部６６１の内部空間は、気密室となる。したがって、
吸着口６７を介する排気により、基板を吸着して保持す
ることができる。

【００６２】図９（Ｂ）に示されている吸着パッドは、
平面視においてほぼ円形の周壁部６６の内方において複
数の吸着口６７１を形成した例である。図１０は、支持
パッドＰｓ１，Ｐｓ２に代えて用いることができる支持
パッドの構成を示す斜視図である。図１０（Ａ）には、
直線状の基板接触部７６１ａをそれぞれ有する４個の壁
状部材７６１を、矩形板状の本体部７５の表面に配置し
た構成の支持パッドが示されている。４個の壁状部材７
６１は、平面視において、一対が一直線上に配置され、
他の一対がそれらとほぼ直交するように交差する一直線
上に配置されている。換言すれば、４個の壁状部材７６
１は、ほぼ十字形をなすように本体部６５上に設けられ
ている。基板接触部７６１ａは、線幅が２ｍｍ（好まし
くは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、より好ましくは
０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下）とされている。この
構成によって、基板を下面から安定に支持できるととも
に、基板との間に大きな熱交換が生じることを防止でき
る。

【００６３】図１０（Ｂ）に示された支持パッドは、１
つの円周囲に沿うようにリング状に配置された複数個
（この実施形態では５個）の円弧状壁状部材７６２を、
本体部７５上に備えている。各円弧状壁状部材７６２の
頂面７６２ａは、線幅２ｍｍ以下（好ましくは０．１ｍ
ｍ以上１．０ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以
上、１．０ｍｍ以下）の線幅で、基板の下面に線接触す
るように構成されている。この構成によって、基板を安
定に支持でき、かつ基板と支持パッドとの間での大量の
熱交換が生じることがない。

【００６４】円周状に配置される円弧状壁状部材７６２
の個数は、図１０（Ｂ）の例よりも少なくてもよいし、
多くてもよい。図１０（Ｃ）には、図１０（Ｂ）の場合
よりも多数の円弧状壁状部材７６２を、１つの円周に沿
ってリング状に配列した例が示されている。吸着パッド
Ｐ１〜Ｐ４および支持パッドＰｓ１，Ｐｓ２ならびに上
記図９および図１０に示された各パッドは、少なくとも
基板の下面に接触する基板接触部が、熱伝導率が低い材
料で構成されていることが好ましい。このような材料に
は、樹脂、セラミック材、樹脂およびセラミック材の複
合材利用、ゴムおよび金属を積層した熱遮断効果のある
複合材料、樹脂と金属の積層された複合材料を例示する
ことができる。具体的には、次のようなものを例示でき
る。

【００６５】（ａ）ＰＥＥＫ（Ｐｏｌｙ ｅｔｈｅｒ ｅ
ｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎｅ） （ｂ）ＭＣナイロン（Ｍｏｎｏ Ｃａｓｔ Ｎｙｌｏｎ） （ｃ）ＰＩ樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ樹脂） （ｄ）フッ素樹脂 （ｅ）ＰＰ（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ） （ｆ）ＰＥ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ） （ｇ）ＵＰＥ（ｕｌｔｒａ ｈｉｇｈ ｍｏｌｅｃｕｌａ
ｒ ｗｅｉｇｈｔ Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ） （ｈ）ＨＤＰＥ（ｈｉｇｈ ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｏｌｙｅ
ｔｈｙｌｅｎｅ） （ｉ）ＰＰＳ（Ｐｏｌｙ Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｓｕｌｆ
ｉｄｅ） （ｊ）セラミック（アルミナ、ジルコニア等） （ｋ）ＧＦＲＰ（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏ
ｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ） （ｌ）ＣＦＲＰ（Ｃａｒｂｏｎ Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆ
ｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ） （ｍ）ゴム、樹脂等の熱伝導率の悪い接触部と、金属
（ＳＵＳ、アルミニウム等）等の耐久性があり、比較的
熱伝導率の悪いものからなる本体との複合材料 また、熱伝導率を例示すると以下の通りである。（単
位：Ｗ／（ｍ・Ｋ）） ＰＥＥＫ ０．２５ ＭＣナイロン ０．２３ ＰＩ樹脂 ０．８７ ＧＦＲＰ ０．３８ 図１１は、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３のハン
ドＨ１１，Ｈ１２；Ｈ２１，Ｈ２２；Ｈ３１，Ｈ３２と
して使用可能なハンドの他の構成例を示す斜視図であ
る。このハンドＨは、ハンドＨの進退方向に沿って平行
に延びた３本の腕部９１，９２，９３を備えている。外
側の一対の腕部９１，９３は、中央の腕部９２よりも長
く形成されている。この外側の一対の腕部９１，９３に
は、その先端部および基端部に、基板Ｓの端面を規制し
つつ、その下面の縁部を支持する基板規制部材１０１，
１０２，１０３，１０４が上面に固定されている。一
方、中央の腕部９１の先端には、基板Ｓの裏面に接触し
て、この基板Ｓの下面を吸着保持する吸着パッド１０５
が設けられている。この吸着パッド１０５の構成は、上
述の吸着パッドＰ１〜Ｐ４の構成と同様である。

【００６６】特に、搬送ロボットＴＲ２において、ホッ
トプレート４１から処理後の基板を搬出するために用い
られるハンドＨ２１に、この図１１に示されたハンドＨ
が適用されるときには、吸着パッド１０５は、基板Ｓの
裏面に接触する基板接触部の線幅が２ｍｍ以下（好まし
くは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、より好ましくは
０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下）のものであることが
好ましい。無論、吸着パッド１０５には、図９（Ａ）ま
たは図９（Ｂ）に示された構成の吸着パッドを適用する
こともできる。

【００６７】図１２は、塗布処理部３の他の構成例を示
す図解図である。上述の実施形態では、コータ処理部３
１によってレジストを塗布し、その後に簡易乾燥処理部
３２によりレジストの簡易乾燥を行った後に、基板の端
面の洗浄を端面洗浄処理部３３で行うようにしている。
これに対して、図１２に示された例では、端面洗浄処理
と簡易乾燥処理との順序が逆転されている。また、図１
３には、塗布処理部３のさらに他の構成例が示されてい
る。この図１３の構成では、端面洗浄処理が省かれてい
る。

【００６８】この他、塗布処理部３において、必ずしも
簡易乾燥処理が行われる必要はないので、塗布処理部３
を、コータ処理部３１のみで構成することとしてもよ
い。図１４は、プリベーク処理部４の他の構成例を示す
図解図である。上述の実施形態では、熱処理部が多段に
構成される例について説明したが、熱処理部を平面的に
配置して、基板を順送り的に処理する、いわゆる平流し
ベーク処理部に対しても、この発明を適用することがで
きる。すなわち、図１４に示された平流しベーク処理部
２００は、順に配置されたホットプレート２０１，２０
２，２０３およびクールプレート２０４を備えている。
そして、少なくともホットプレート２０１、２０２、２
０３はそれぞれ、筐体に収容されている。入口コンベア
２０５から、ホットプレート２０１へと、レジストが表
面に塗布された未露光の基板が搬入される。そして、専
用搬送機構によって、一定時間毎に、ホットプレート２
０１，２０２，２０３およびクールプレート２０４へと
基板が順送りされていく。そして、クールプレート２０
４から出口コンベア２０６へと基板が受け渡されて、こ
の出口コンベア２０６から、露光部に向けて基板が払い
出される。

【００６９】図１５は、ホットプレート２０１，２０２
間、ホットプレート２０２，２０３間、ならびにホット
プレート２０３およびクールプレート２０４間にそれぞ
れ設けられ、それらの間での基板の搬送のために使用さ
れる専用搬送機構の構成を簡略化して示す平面図であ
る。たとえば角形の基板Ｓの相対向する一対の辺の外方
側に、鉛直軸線回りに揺動する揺動アーム２１０が、４
個備えられている。この揺動アーム２１０の先端の上面
には、基板Ｓの下面を吸着保持するための吸着パッド２
１１が設けられている。揺動アーム２１０をそれぞれ回
動させて、吸着パッド２１１を基板Ｓの四隅の裏面に対
向させ、その状態で揺動アーム２１０を上昇させること
により、基板Ｓが保持される。４本の揺動アーム２１０
は、矢印２１２方向に沿って一体的に移動可能であり、
これによって、ホットプレート２０１，２０２間、２０
２，２０３間，ならびにホットプレート２０３およびク
ールプレート２０４の間で、基板を搬送する。

【００７０】ホットプレート２０３からクールプレート
２０４へと基板Ｓを搬送する専用搬送機構においては、
吸着パッド２１１は、基板Ｓの下面に接触する基板接触
部が、線幅２ｍｍ以下（好ましくは０．１ｍｍ以上１．
０ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以上、１．０ｍ
ｍ以下）で、基板の下面に線接触するものである。すな
わち、吸着パッド２１１は、上述の吸着パッドＰ１〜Ｐ
４または図９（Ａ）または（Ｂ）に示された構成を有す
るものである。したがって、ホットプレート２０３から
クールプレート２０４へと基板Ｓを搬出する際に、専用
搬送機構と基板Ｓとの間で、大量の熱交換が生じること
がない。

【００７１】また、ホットプレート２０３が収容されて
いる筐体とクールプレート２０４との間で前記専用搬送
機構が往復移動するが、該筐体から該専用搬送機構が退
出するときは吸着パッドのグループａの方が吸着パッド
２１１のグループｂよりも時間的に後に筐体から退出す
る。その逆に前記筐体に専用搬送機構が進入するときは
吸着パッドのグループａの方が吸着パッド２１１のグル
ープｂよりも先に筐体に進入している。このため、ホッ
トプレート２０３寄りに位置する一対の吸着パッド２１
１のグループａは、クールプレート２０４側に位置する
一対の吸着パッド２１１のグループｂよりも、ホットプ
レート２０３からの熱量を多く受ける。そこで、グルー
プａの吸着パッド２１１の基板接触部の線幅Ｌａは、グ
ループｂの基板吸着パッド２１１における基板接触部の
線幅Ｌｂよりも大きく定められることが好ましい。この
場合、線幅Ｌａは、線幅Ｌｂよりも大きく、また、２ｍ
ｍよりも大きくてもよい。このような構成により、ホッ
トプレート２０３からクールプレート２０４への基板の
搬送を安定して行うことができるとともに、基板Ｓと専
用搬送機構との間で大きな熱交換が生じることを防止で
きる。

【００７２】なお、吸着パッド２１１に代えて、基板Ｓ
の裏面に接触して、基板Ｓを支持する支持パッドが用い
られてもよい。このような支持パッドは、上述の支持パ
ッドＰｓ１，Ｐｓ２のような構成を有することもできる
し、図１０に示された構成を有することもできる。な
お、図１の基板処理システムは具体的には洗浄処理部
１、デハイドベーク処理部２、塗布処理部３、プリベー
ク処理部４、現像処理部６、ポストベーク処理部７の各
処理部を有する基板処理装置と、露光処理部５を有する
露光装置とがそれぞれ存在し、仲介搬送装置により接続
されているが以下のようにしてもよい。

【００７３】図１６のように洗浄処理部１、デハイドベ
ーク処理部２、塗布処理部３、プリベーク処理部４を有
する第１基板処理装置８１１と、露光処理部５を有する
露光装置８１２と、現像処理部６、ポストベーク処理部
７を有する第２基板処理装置８１３と、第１基板処理装
置８１１と露光装置８１２との間で基板を搬送する第１
仲介搬送装置８１４と、第２基板処理装置８１３と露光
装置８１２との間で基板を搬送する第２仲介搬送装置８
１５とを有する基板処理システム８１０である。

【００７４】この場合は第１基板処理装置８１１のプリ
ベーク処理部４において、搬送ロボットＴＲ２が適用さ
れている。図１７のように、洗浄処理部１、デハイドベ
ーク処理部２、塗布処理部３、プリベーク処理部４を有
する第１基板処理装置８２１と、露光処理部５、現像処
理部６、ポストベーク処理部７を有する第３基板処理装
置８２２と、第１基板処理装置８２１と第３基板処理装
置８２２との間で基板を搬送する第３仲介搬送装置８２
３とを有する基板処理システム８２０としてもよい。

【００７５】この場合も第１基板処理装置のプリベーク
処理部４において、搬送ロボットＴＲ２が適用されてい
る。図１８のように洗浄処理部１、デハイドベーク処理
部２、塗布処理部３、プリベーク処理部４を有する第１
基板処理装置８３１と、露光処理部５を有する露光装置
８３２と、現像処理部６、ポストベーク処理部７を有す
る第２基板処理装置８３３と、第１基板処理装置８３１
と露光装置８３２との間で基板を搬送するとともに、第
２基板処理装置８３３と露光装置８３２との間で基板を
搬送する第４仲介搬送装置８３４とを有する基板処理シ
ステム８３０である。

【００７６】この第４仲介搬送装置８３４はプリベーク
４から基板を受け取り、受け取った基板を露光装置５３
２に渡す。また露光装置５３２で露光処理が施された基
板を現像処理部６に渡す。この場合も第１基板処理装置
のプリベーク処理部４において、搬送ロボットＴＲ２が
適用されている。以上、この発明のいくつかの実施形態
について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施
することもできる。たとえば、上記の実施形態では、基
板支持パッドが、平面視において十字形またはリング形
に形成されているが、他の任意の二次元形状が採用され
てもよい。また、二次元形状に限らず、一直線状（一次
元形状）の１つの壁状部材で基板の裏面を支持するよう
にしてもよい。

【００７７】吸着パッドの構成についても同様であり、
円形リング状または矩形リング状以外にも、任意の形状
の周壁部を有するものを採用することができる。その
他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設
計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す図解図である。

【図２】塗布処理部およびプリベーク処理部の詳細な構
成を説明するための図解図である。

【図３】搬送ロボットに共通する構成を示す図である。

【図４】プリベーク処理部の構成例を示す断面図であ
る。

【図５】熱処理部の詳細な構成を示す断面図である。

【図６】ハンドの構成例を示す平面図である。

【図７】吸着パッドの構成例を説明するための斜視図で
ある。

【図８】支持パッドの構成例を示す斜視図である。

【図９】図７の吸着パッドに代えて適用することができ
る吸着パッドの構成例を示す斜視図である。

【図１０】図８の支持パッドに代えて用いることができ
る支持パッドの構成を示す斜視図である。

【図１１】搬送ロボットのハンドの他の構成例を示す斜
視図である。

【図１２】塗布処理部の他の構成例を示す図解図であ
る。

【図１３】塗布処理部のさらに他の構成例を示す図解図
である。

【図１４】プリベーク処理部の他の構成例を示す図解図
である。

【図１５】平流しベーク処理部の専用搬送機構の構成を
簡略化して示す平面図である。

【図１６】第１基板処理装置および第２基板処理装置を
第１および第２仲介搬送装置を介して行う基板処理装置
の構成例を示す図解図である。

【図１７】第１基板処理装置および第３基板処理装置を
第３仲介搬送装置を介して行う基板処理装置の構成例を
示す図解図である。

【図１８】第１基板処理装置および第２基板処理装置を
第４仲介搬送装置を介して行う基板処理装置のさらに他
の構成例を示す図解図である。

【図１９】レジスト塗布工程から現像工程までを実行す
るための基板処理装置の構成例を示す図解図である。

【図２０】基板処理装置の他の構成例を示す図解図であ
る。

【符号の説明】

１ 洗浄処理部 ２ デハイドベーク処理部 ３ 塗布処理部 ４ プリベーク処理部 ５ 露光処理部 ６ 現像処理部 ７ ポストベーク処理部 ２１ ホットプレート ２２ クールプレート ３１ コータ処理部 ３２ 簡易乾燥処理部 ３３ 端面洗浄処理部 ４１ ホットプレート ４２ クールプレート ４５ 熱処理部 ４６ 搬送路 ５１ 処理室 ５２ 熱処理プレート ６１，６２ 腕部 ６５ 本体部 ６６ 周壁部 ６６ａ 基板接触部 ６７ 吸着口 ６７ 吸着孔 ７１ ホットプレート ７２ クールプレート ７５ 本体部 ７６ 支持壁部 ７６ａ 基板接触部 ９１，９２，９３ 腕部 １０１，１０２，１０３，１０４ 基板規制部材 １０５ 吸着パッド ２００ ベーク処理部 ２０１，２０２，２０３ ホットプレート ２０４ クールプレート ２０５ 入口コンベア ２０６ 出口コンベア ２１０ 揺動アーム ２１１ 基板吸着パッド ６６１ 矩形周壁部 ６６１Ａ 基板接触部 ６７１ 吸着口 ７６１ 壁状部材 ７６１ａ 基板接触部 ７６２ 円弧状壁状部材 ７６２ａ 頂面 ８１０，８２０，８３０ 基板処理システム ８１１，８２１，８３１ 第１基板処理装置 ８１２，８３２ 露光装置 ８１３，８３３ 第２基板処理装置 ８１４ 第１仲介搬送装置 ８１５ 第２仲介搬送装置 ８２２ 第３基板処理装置 ８２３ 第３仲介搬送装置 ８３４ 第４仲介搬送装置 Ｈ１１，Ｈ２１，Ｈ３１,Ｈ１２，Ｈ２２，Ｈ３２ ハ
ンド ＬＡ，ＬＢ，ＬＣ 線幅 Ｐｓ１，Ｐｓ２ 支持パッド Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４ 吸着パッド ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３ 搬送ロボット Ｓ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｊ ５６２ Ｆターム(参考） 3C007 AS24 BT11 BT14 CY34 DS03 EV05 FT08 FT11 FU09 5F031 CA02 CA05 DA17 FA01 FA02 FA11 GA06 GA08 GA13 GA15 GA32 GA43 GA48 GA50 HA33 MA23 MA24 MA27 MA30 5F046 AA17 CD01 CD05 DA26 JA22 JA24 KA07 LA11 LA13

Claims (34)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板を下面から支持するための基板支持部
   材であって、 基板の下面に２ｍｍ以下の線幅で線接触する基板接触部
   を有することを特徴とする基板支持部材。
2. 【請求項２】上記基板接触部は、周状に連続する周壁部
   を含むことを特徴とする請求項１記載の基板支持部材。
3. 【請求項３】上記周壁部は、この周壁部と基板の下面と
   により気密室を形成するものであることを特徴とする請
   求項２記載の基板支持部材。
4. 【請求項４】上記周壁部は、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ
   以下の線幅で基板の下面に線接触するものであることを
   特徴とする請求項３記載の基板支持部材。
5. 【請求項５】上記基板接触部を複数個備え、この複数個
   の基板接触部の延在方向が交差していることを特徴とす
   る請求項１記載の基板支持部材。
6. 【請求項６】上記基板接触部は、所定値以下の熱伝導率
   の材料で構成されていることを特徴とする請求項１ない
   し５のいずれかに記載の基板支持部材。
7. 【請求項７】基板に対して処理を施す処理部と、 上記処理部から基板を搬出するための基板搬送機構とを
   含み、 上記基板搬送機構は、請求項１ないし６のいずれかに記
   載の基板支持部材を有し、この基板支持部材で基板の下
   面を支持することによって基板を保持するハンドと、上
   記ハンドを上記処理部に対して移動させる駆動機構とを
   備えていることを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】上記処理部は、基板を加熱処理する加熱処
   理部を含むことを特徴とする請求項７記載の基板処理装
   置。
9. 【請求項９】上記加熱処理部は、レジストが上面に塗布
   された未露光の基板に対して加熱処理を施すものである
   ことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
10. 【請求項１０】上記基板支持部材と基板の下面との間に
    形成される気密室内の気体を排気する排気手段をさらに
    含むことを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記
    載の基板処理装置。
11. 【請求項１１】上記処理部である第１処理部の他に、基
    板に対して処理を施す第２処理部をさらに含み、 上記基板搬送機構である第１基板搬送機構の他に、上記
    第２処理部から基板を搬出するための第２基板搬送機構
    をさらに含み、 上記第２基板搬送機構は、基板の下面に対して上記基板
    支持部材である第１基板支持部材以上の線幅で接触して
    当該基板を支持する第２基板支持部材を有するハンド
    と、このハンドを上記第２処理部に対して移動するため
    の駆動機構とを備えていることを特徴とする請求項７な
    いし１０のいずれかに記載の基板処理装置。
12. 【請求項１２】基板に対して処理を施す処理部と、 複数の基板支持部材を有し、この複数の基板支持部材で
    基板の下面を支持することによって基板を保持するハン
    ド、および上記ハンドを上記処理部に対して進退移動さ
    せる駆動機構を備え、上記処理部から基板を搬出する基
    板搬送機構とを含み、 上記複数の基板支持部材は、上記ハンドの上記処理部に
    対する進退方向に関して異なる位置に配置されており、
    各基板支持部材と基板の下面との間の熱交換量が、上記
    進退方向前方側から上記進退方向後方側に向かうに従っ
    て少なくなるように定められていることを特徴とする基
    板処理装置。
13. 【請求項１３】上記処理部は、基板を加熱処理する加熱
    処理部を含むことを特徴とする請求項１２記載の基板処
    理装置。
14. 【請求項１４】上記加熱処理部は、レジストが上面に塗
    布された未露光の基板に対して加熱処理を施すものであ
    ることを特徴とする請求項１３記載の基板処理装置。
15. 【請求項１５】上記複数の基板支持部材は、基板の下面
    と接触する基板接触部をそれぞれ有し、各基板支持部材
    の基板接触部と基板の下面と接触面積が、上記進退方向
    前方側から上記進退方向後方側に向かうに従って少なく
    なるように定められていることを特徴とする請求項１２
    ないし１４のいずれかに記載の基板処理装置。
16. 【請求項１６】上記基板接触部は基板の下面に線状の領
    域で接触するものであり、各基板支持部材の基板接触部
    の接触線幅が、上記進退方向前方側から上記進退方向後
    方側に向かうに従って狭くなるように定められているこ
    とを特徴とする請求項１２ないし１５のいずれかに記載
    の基板処理装置。
17. 【請求項１７】上記複数の基板支持部材は、基板の下面
    と接触する基板接触部をそれぞれ有し、各基板支持部材
    の基板接触部の熱伝導率が、上記進退方向前方側から上
    記進退方向後方側に向かうに従って小さくなるように定
    められていることを特徴とする請求項１２ないし１６の
    いずれかに記載の基板処理装置。
18. 【請求項１８】上記処理部である第１処理部の他に、基
    板に対して処理を施す第２処理部をさらに含み、 上記基板搬送機構である第１基板搬送機構の他に、上記
    第２処理部から基板を搬出するための第２基板搬送機構
    をさらに含み、 上記第２基板搬送機構は、基板の下面に接触して当該基
    板を支持する複数の基板支持部材を有するハンドと、こ
    のハンドを上記第２処理部に対して進退移動させるため
    の駆動機構とを備えており、 上記第２基板搬送機構に備えられた複数の基板支持部材
    は、上記第２処理部に対する進退方向に関する位置によ
    らずに、基板の裏面との間の熱交換量がほぼ等しく定め
    られていることを特徴とする請求項１２ないし１７のい
    ずれかに記載の基板処理装置。
19. 【請求項１９】上記第１基板搬送機構の駆動機構は、上
    記第２基板搬送機構の駆動機構によるハンドの移動速度
    よりも遅い速度で上記ハンドを移動させるものであるこ
    とを特徴とする請求項１１または１８記載の基板処理装
    置。
20. 【請求項２０】上記第１処理部はレジストが上面に塗布
    された未露光の基板を加熱するものであり、 上記第２処理部は第１処理部で加熱された基板を冷却す
    るものであることを特徴とする請求項１１、１８および
    １９のうちのいずれかに記載の基板処理装置。
21. 【請求項２１】上記第１処理部は基板が載置されるホッ
    トプレートを有し、 上記第２処理部は基板が載置されるクールプレートを有
    することを特徴とする請求項２０に記載の基板処理装
    置。
22. 【請求項２２】上記基板処理装置は、基板洗浄工程、デ
    ハイドベーク工程、レジスト塗布工程、プリベーク工
    程、現像工程およびポストベーク工程を含むフォトリソ
    グラフィプロセスのための基板処理を行うものであり、 上記第１処理部は、上記プリベーク工程を実行するもの
    であり、 上記第２処理部は、上記デハイドベーク工程または上記
    ポストベーク工程を実行するものであることを特徴とす
    る請求項１１、１８および１９のうちのいずれかに記載
    の基板処理装置。
23. 【請求項２３】請求項２２に記載の基板処理装置と露光
    装置とを有する基板処理システムであって、 露光装置はプリベーク工程が実行された基板を受け取
    り、基板にパターンを露光し、露光が完了した基板を基
    板処理装置に渡すことを特徴とする基板処理システム。
24. 【請求項２４】処理部内で基板に対して処理を施す基板
    処理工程と、 この基板処理工程後の基板を、請求項１ないし６のいず
    れかに記載の基板支持部材で基板の下面を支持すること
    によって基板を保持するハンドによって上記処理部から
    搬出する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
25. 【請求項２５】処理部内で基板に対して処理を施す基板
    処理工程と、 複数の基板支持部材を有し、この複数の基板支持部材で
    基板の下面を支持することによって基板を保持するハン
    ドを上記処理部に対して進退移動させることにより、上
    記基板処理工程後の基板を上記処理部から搬出する工程
    とを含み、 上記複数の基板支持部材は、上記ハンドの上記処理部に
    対する進退方向に関して異なる位置に配置されており、
    各基板支持部材と基板の下面との間の熱交換量が、上記
    進退方向前方側から上記進退方向後方側に向かうに従っ
    て少なくなるように定められていることを特徴とする基
    板処理方法。
26. 【請求項２６】上記基板処理工程は、基板を加熱処理す
    る加熱処理工程を含むことを特徴とする請求項２４また
    は２５記載の基板処理方法。
27. 【請求項２７】上記加熱処理工程は、レジストが上面に
    塗布された未露光の基板に対して加熱処理を施す工程で
    あることを特徴とする請求項２６記載の基板処理方法。
28. 【請求項２８】第１処理部内で基板に対して処理を施す
    第１基板処理工程と、 この第１基板処理工程後の基板を、請求項１ないし６の
    いずれかに記載の基板支持部材で基板の下面を支持する
    ことによって基板を保持する第１ハンドによって上記第
    １処理部から搬出する工程と、 第２処理部内で基板に対して処理を施す第２基板処理工
    程と、 この第２基板処理工程後の基板を、上記第１ハンドの基
    板支持部材よりも太い線幅で基板の下面に対して当該基
    板を支持する基板支持部材を備えた第２ハンドによって
    上記第２処理部から搬出する工程とを含むことを特徴と
    する基板処理方法。
29. 【請求項２９】第１処理部内で基板に対して処理を施す
    第１基板処理工程と、 第１ハンドを上記第１処理部に対して進退させることに
    よって、上記第１基板処理工程後の基板を上記第１処理
    部から搬出する工程と、 第２処理部内で基板に対して処理を施す第２基板処理工
    程と、 第２ハンドを上記第２処理部に対して進退させることに
    よって、上記第２基板処理工程後の基板を上記第２処理
    部から搬出する工程とを含み、 上記第１ハンドには、上記処理部に対する進退方向に関
    して異なる位置に配置された複数の基板支持部材を有
    し、各基板支持部材と基板の下面との間の熱交換量が、
    上記進退方向前方側から上記進退方向後方側に向かうに
    従って少なくなるように定められているハンドを用い、 上記第２ハンドには、上記処理部に対する進退方向に関
    する位置によらずに基板の下面との熱交換量がほぼ等し
    く定められた複数の基板支持部材を有するハンドを用い
    ることを特徴とする基板処理方法。
30. 【請求項３０】上記第１ハンドは、上記第２ハンドが上
    記第２処理部から基板を搬出する速さよりも遅い速さで
    上記第１処理部から基板を搬出することを特徴とする請
    求項２８または２９記載の基板処理方法。
31. 【請求項３１】上記第１処理部はレジストが上面に塗布
    された未露光の基板を加熱するものであり、 上記第２処理部は第１処理部で加熱された基板を冷却す
    るものであることを特徴とする請求項２８ないし３０の
    いずれかに記載の基板処理方法。
32. 【請求項３２】上記第１処理部は基板が載置されるホッ
    トプレートを有し、上記第２処理部は基板が載置される
    クールプレートを有することを特徴とする請求項３１に
    記載の基板処理方法。
33. 【請求項３３】上記基板処理方法は、基板洗浄工程、デ
    ハイドベーク工程、レジスト塗布工程、プリベーク工
    程、現像工程およびポストベーク工程を含むフォトリソ
    グラフィプロセスのための方法であり、上記第１処理部
    は、上記プリベーク工程を実行するものであり、上記第
    ２処理部は、上記デハイドベーク工程または上記ポスト
    ベーク工程を実行するものであることを特徴とする請求
    項２８ないし３０のいずれかに記載の基板処理方法。
34. 【請求項３４】上記基板処理方法はプリベーク工程が実
    行された基板にパターンを露光する露光工程を有し、上
    記現像工程は露光工程が実行された基板に対して実行さ
    れることを特徴とする請求項３３に記載の基板処理方
    法。