JP2002368060A - Substrate support member, substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate processing system - Google Patents
Substrate support member, substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate processing systemInfo
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ハンドによる保持が基板に与える影響を抑制
し、これによって高品質な基板処理を実現する。
【解決手段】プリベーク処理部のホットプレートから処
理済の基板を搬出するためのハンドH21には、2mm
以下の線幅で基板の下面に線接触する吸着パッドP1〜
P4および支持パッドPs1,Ps2が備えられてい
る。このようなハンドH21は、ホットプレートでの加
熱処理後の高温になった基板との間で、大量の熱量を交
換することがない。そのため、基板に対して不所望な熱
影響を及ぼすことがない。具体的には、露光および現像
処理後のレジストに、不所望なムラが生じることがな
い。
(57) [Summary] To suppress the influence of holding by a hand on a substrate, thereby realizing high-quality substrate processing. A hand H21 for unloading a processed substrate from a hot plate of a pre-bake processing unit has a length of 2 mm.
Suction pads P1 to 1 that make line contact with the lower surface of the substrate with the following line width
P4 and support pads Ps1 and Ps2 are provided. Such a hand H21 does not exchange a large amount of heat with the hot substrate after the heat treatment on the hot plate. Therefore, there is no undesired thermal effect on the substrate. Specifically, undesired unevenness does not occur in the resist after the exposure and the development processing.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示パネル用ガラス基板、プラズマディスプレイ用
ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用
基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の
基板を支持するために用いられる基板支持部材、ならび
に、上記のような基板の処理のための基板処理装置およ
び基板処理方法に関する。[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
A substrate supporting member used to support a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display panel, a glass substrate for a plasma display, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, and the like The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate as described above.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置や液晶表示パネルなどの製造
工程では、基板の表面に微細な薄膜パターンを形成する
ためにフォトリソグラフィプロセスが行われる。フォト
リソグラフィプロセスは、基板洗浄、洗浄後の基板の乾
燥(デハイドベーク)、基板表面へのレジスト塗布、レ
ジスト乾燥(プリベーク)、所望のパターンの露光、露
光後の現像、および現像後のレジストの焼き締め(ポス
トベーク)の各工程を含む。2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display panel, a photolithography process is performed to form a fine thin film pattern on a surface of a substrate. The photolithography process includes substrate cleaning, drying of the substrate after cleaning (dehydration baking), application of a resist on the substrate surface, drying of the resist (prebaking), exposure of a desired pattern, development after exposure, and baking of the resist after development. (Post bake).
【0003】レジスト塗布工程から現像工程までを実行
するための基板処理装置は、たとえば図19に簡略化し
て示す構成を有することになる。すなわち、基板は、ま
ずコータユニットによってレジスト塗布処理を受け、ホ
ットプレート(HP)およびクールプレート(CP)に
よってプリベーク処理を受けた後に、露光機による露光
処理を受けて、さらに現像機による現像処理を受ける。
ユニット間の基板の搬送は、基板を保持するハンドを有
する基板搬送機構によって行われる。ホットプレートに
よって加熱処理を受ける前の基板の表面には、湿潤な状
態のレジストが塗布されている。この湿潤な状態のレジ
ストは、温度変化に極めて敏感である。そのため、コー
タユニットからホットプレートへと基板を搬送するため
のハンドとの間の熱交換により、ムラが生じることが知
られている。ホットプレートによってベーキングされた
後のレジストは、さほど温度に対して敏感ではないの
で、ホットプレート以降のユニット間における基板の搬
送によってレジストに大きなムラが生じることはない。A substrate processing apparatus for performing the steps from the resist coating step to the developing step has, for example, a simplified configuration shown in FIG. That is, the substrate is first subjected to a resist coating process by a coater unit, is subjected to a pre-bake process by a hot plate (HP) and a cool plate (CP), is then subjected to an exposure process by an exposure device, and is further subjected to a development process by a development device. receive.
The transfer of the substrate between the units is performed by a substrate transfer mechanism having a hand for holding the substrate. A wet resist is applied to the surface of the substrate before being subjected to the heat treatment by the hot plate. This wet resist is extremely sensitive to temperature changes. Therefore, it is known that unevenness occurs due to heat exchange between the coater unit and a hand for transferring a substrate to a hot plate. Since the resist baked by the hot plate is not so sensitive to temperature, the resist is not largely uneven due to the transfer of the substrate between the units after the hot plate.
【0004】基板とハンドとの間での熱交換を可及的に
抑制するために、コータとホットプレートとの間での基
板の搬送のために用いるハンドには、基板裏面の縁部の
みに接触して基板を保持する構成のものが用いられてき
た。しかし、最近では、1枚の基板からたとえば複数枚
の液晶表示パネルを生産することにより、生産性の向上
が図られている。そのため、処理対象の基板の大きさが
大きく、基板の中央部における撓みが無視できなくなっ
てきた。そこで、コータからホットプレートへと基板を
搬送するためのハンドには、基板裏面の中心付近を支持
する支持ピンが備えられるようになってきている。[0004] In order to minimize the heat exchange between the substrate and the hand, the hand used for transferring the substrate between the coater and the hot plate is provided only at the edge of the back surface of the substrate. A configuration that holds the substrate in contact has been used. However, recently, productivity has been improved by producing, for example, a plurality of liquid crystal display panels from one substrate. Therefore, the size of the substrate to be processed is large, and the deflection at the center of the substrate cannot be ignored. Therefore, a hand for transporting the substrate from the coater to the hot plate has been provided with a support pin for supporting the vicinity of the center of the back surface of the substrate.
【0005】この支持ピンの接触によって、該当箇所に
おいてレジストのムラが生じることになるから、液晶表
示パネルの取り方(4枚取りまたは6枚取りなど)に応
じて、支持ピンの配置を変更し、液晶表示パネルの有効
画素領域内にレジストのムラが生じないようにしなけれ
ばならない。しかし、このように支持ピンの配置を変更
する作業は煩雑であるので、特に1日に何種類ものパタ
ーンの基板が投入される生産工場では、生産性の悪化を
免れない。[0005] Since the contact of the support pins causes unevenness of the resist at the corresponding location, the arrangement of the support pins is changed according to the method of mounting the liquid crystal display panel (four or six). In addition, it is necessary to prevent the resist from being uneven in the effective pixel area of the liquid crystal display panel. However, since the operation of changing the arrangement of the support pins is complicated, the productivity is inevitably deteriorated, especially in a production factory in which boards of various types are put in a day.
【0006】この問題を解決するために、図20に示す
ように、コータユニットとホットプレートとの間に簡易
乾燥装置を配置した構成が採用されるようになってきて
いる。簡易乾燥装置は、風乾燥処理または減圧乾燥処理
によって、レジストを乾燥させる装置である。この簡易
乾燥装置の導入によって、コータユニットとホットプレ
ートとの間での基板搬送時における上記支持ピンの接触
に起因するレジストのムラを抑制できる。In order to solve this problem, a configuration in which a simple drying device is disposed between a coater unit and a hot plate as shown in FIG. 20 has been adopted. The simple drying device is a device for drying a resist by air drying or reduced pressure drying. With the introduction of the simple drying device, it is possible to suppress the unevenness of the resist due to the contact of the support pins during the transfer of the substrate between the coater unit and the hot plate.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、この構成を
採用すると、ホットプレートにおけるベーキング処理が
不足することがわかってきた。すなわち、簡易乾燥装置
では、風乾燥処理または減圧乾燥処理によって、レジス
トの表面から乾燥が進行するため、表面に乾燥皮膜が形
成される。この乾燥皮膜の存在により、ホットプレート
におけるベーキング処理の進行が遅くなり、ベーキング
不足となる。However, it has been found that when this configuration is employed, the baking process on the hot plate becomes insufficient. That is, in the simple drying device, the drying proceeds from the surface of the resist by the air drying process or the reduced pressure drying process, so that a dry film is formed on the surface. Due to the presence of the dried film, the progress of the baking process on the hot plate is slowed, and the baking is insufficient.
【0008】すなわち、ベーキングによってレジストの
内部から溶剤等の蒸気が発生するが、前記乾燥皮膜が該
蒸気の散逸を阻害する。このため、前記上記がレジスト
内部に残存した状態になり、ベーキング不足になる。こ
のようなベーキング不足が生じているレジストを担持し
た基板をハンドで保持してホットプレートからクールプ
レートへと搬送する際に、ホットプレートによって加熱
された基板と室温状態のハンドとの間で大量の熱交換が
行われる。これにより、ハンドが接触していた基板の部
分上にあるレジストはその他の部分のレジストに対して
変質してしまう。従って、ホットプレートからクールプ
レートへの基板搬送に用いられたハンドの接触に起因す
るムラが生じてしまう。That is, vapor such as a solvent is generated from the inside of the resist by baking, and the dried film inhibits the dissipation of the vapor. For this reason, the above remains in the inside of the resist, resulting in insufficient baking. When holding the substrate carrying the resist having such insufficient baking by hand and transporting it from the hot plate to the cool plate, a large amount of the substrate heated by the hot plate and the hand at room temperature Heat exchange takes place. As a result, the resist on the portion of the substrate with which the hand has contacted changes in quality with respect to the other portions of the resist. Therefore, unevenness occurs due to the contact of the hand used to transfer the substrate from the hot plate to the cool plate.
【0009】そこで、この発明の目的は、上述の技術的
課題を解決し、ハンドによる保持が基板に与える影響を
抑制し、これによって高品質な基板処理を実現すること
ができる基板支持部材、基板処理装置および基板処理方
法を提供することである。Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems, suppress the influence of holding by a hand on a substrate, and thereby realize a high-quality substrate processing. An object of the present invention is to provide a processing apparatus and a substrate processing method.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板を下
面から支持するための基板支持部材であって、基板の下
面に2mm以下の線幅で線接触する基板接触部を有する
ことを特徴とする基板支持部材である。この構成によれ
ば、基板支持部材は、2mm以下の線幅で線接触する基
板接触部により基板の下面を支持するので、基板との間
の熱交換量が少ない。これにより、基板に熱影響を与え
ることを防止できる。これにより、温度に敏感なプロセ
スの品質を向上できる。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate supporting member for supporting a substrate from a lower surface, wherein the substrate has a lower surface of 2 mm or less. A substrate support member having a substrate contact portion that makes line contact with a line width of: According to this configuration, since the substrate supporting member supports the lower surface of the substrate by the substrate contact portion that makes line contact with a line width of 2 mm or less, the amount of heat exchange with the substrate is small. Thereby, it is possible to prevent the substrate from being affected by heat. This can improve the quality of temperature-sensitive processes.
【0011】上記基板接触部は、請求項2に記載のよう
に、周状に連続する周壁部を含むものであってもよい。
この場合に、上記周壁部は、請求項3に記載のように、
当該周壁部と基板の下面とにより気密室を形成するもの
であってもよい。この場合には、上記気密室内を排気す
ることにより、基板の下面を吸着して保持することがで
きる。このような吸着保持を良好に行い、かつ基板との
間の熱交換量を少なく抑えるためには、請求項4に記載
のように、上記周壁部は、0.1mm以上1.0mm以
下の線幅で基板の下面に線接触するものであることが好
ましい。[0011] The substrate contact portion may include a peripheral wall portion that is circumferentially continuous.
In this case, the peripheral wall portion is, as described in claim 3,
An airtight chamber may be formed by the peripheral wall portion and the lower surface of the substrate. In this case, by exhausting the airtight chamber, the lower surface of the substrate can be sucked and held. In order to perform such adsorption holding well and to reduce the amount of heat exchange with the substrate, as set forth in claim 4, the peripheral wall portion is formed of a wire of 0.1 mm or more and 1.0 mm or less. It is preferable that the width makes line contact with the lower surface of the substrate.
【0012】上記基板接触部は、請求項5に記載されて
いるように、複数個備えられていてもよい。この場合
に、この複数個の基板接触部の延在方向が交差していれ
ば、基板を安定に支持することができる。また、請求項
6に記載のように、上記基板接触部は、所定値以下の熱
伝導率(たとえば1W/(m・K)以下、好ましくは
0.5W/(m・K))の材料で構成されていることが
好ましい。これにより、基板と基板支持部材との間の熱
交換量を効果的に抑制できる。[0012] As described in claim 5, a plurality of the substrate contact portions may be provided. In this case, if the extending directions of the plurality of substrate contact portions intersect, the substrate can be stably supported. The substrate contact portion is made of a material having a thermal conductivity of a predetermined value or less (for example, 1 W / (m · K) or less, preferably 0.5 W / (m · K)). Preferably, it is configured. Thereby, the amount of heat exchange between the substrate and the substrate support member can be effectively suppressed.
【0013】請求項7記載の発明は、基板に対して処理
を施す処理部と、上記処理部から基板を搬出するための
基板搬送機構とを含み、上記基板搬送機構は、請求項1
ないし6のいずれかに記載の基板支持部材を有し、この
基板支持部材で基板の下面を支持することによって基板
を保持するハンドと、上記ハンドを上記処理部に対して
移動させる駆動機構とを備えていることを特徴とする基
板処理装置である。この構成によれば、処理部から基板
を搬出するための基板搬送機構に備えられた基板保持用
のハンドは、基板の下面に2mm以下の線幅で線接触す
る基板接触部を有する基板支持部材により基板の下面を
支持するように構成されている。したがって、基板とハ
ンドとの間での熱交換量を少なく抑えることができるの
で、上記熱交換に起因する悪影響を基板に与えることが
ない。そのため、特に温度条件の厳しいプロセスに対し
てこの基板処理装置を適用すれば、高品質な基板処理を
実現できる。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a processing unit for performing processing on a substrate, and a substrate transport mechanism for unloading the substrate from the processing unit, wherein the substrate transport mechanism is provided in the first aspect.
A hand that holds the substrate by supporting the lower surface of the substrate with the substrate supporting member, and a driving mechanism that moves the hand with respect to the processing unit. A substrate processing apparatus, comprising: According to this configuration, the substrate holding hand provided in the substrate transport mechanism for unloading the substrate from the processing unit is a substrate supporting member having a substrate contact portion that makes line contact with the lower surface of the substrate with a line width of 2 mm or less. To support the lower surface of the substrate. Therefore, the amount of heat exchange between the substrate and the hand can be reduced, so that the substrate does not have an adverse effect due to the heat exchange. Therefore, if this substrate processing apparatus is applied to a process in which temperature conditions are particularly severe, high-quality substrate processing can be realized.
【0014】上記基板搬送機構は、処理部から基板を搬
出するとともに、未処理の基板を上記処理部に対して搬
入する機能を併せて有するものであってもよい。この場
合に、基板搬入用のハンドと基板搬出用のハンドとが備
えられていることが好ましく、少なくとも基板搬出用の
ハンドについては、請求項1ないし6のいずれかに記載
の基板支持部材が設けられていることが好ましい。請求
項8記載の発明は、上記処理部は、基板を加熱処理する
加熱処理部を含むことを特徴とする請求項7記載の基板
処理装置である。The substrate transport mechanism may have a function of carrying out a substrate from the processing section and a function of carrying an unprocessed substrate into the processing section. In this case, it is preferable that a hand for carrying in the substrate and a hand for carrying out the substrate are provided, and at least the hand for carrying out the substrate is provided with the substrate supporting member according to any one of claims 1 to 6. Preferably. The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the processing unit includes a heat processing unit that heats the substrate.
【0015】この構成では、処理部において基板が加熱
処理されるため、たとえば室温状態の雰囲気中で基板を
搬送するハンドによって加熱処理後の基板を保持する時
に、基板とハンドとの間には大きな温度差が生じてい
る。しかし、この発明では、基板の下面を支持する基板
支持部材が、基板とハンドとの間での熱交換を可及的に
抑制できる構成となっているので、大量の熱量が基板と
ハンドとの間で交換されることがない。したがって、加
熱処理後の基板に対して、悪影響を与えることがない。In this configuration, since the substrate is subjected to the heat treatment in the processing section, when the substrate after the heat treatment is held by the hand for transporting the substrate in an atmosphere at room temperature, for example, a large space is formed between the substrate and the hand. A temperature difference has occurred. However, according to the present invention, since the substrate supporting member that supports the lower surface of the substrate is configured to minimize the heat exchange between the substrate and the hand, a large amount of heat is generated between the substrate and the hand. It is not exchanged between. Therefore, the substrate after the heat treatment is not adversely affected.
【0016】請求項9記載の発明は、上記加熱処理部
は、レジストが上面に塗布された未露光の基板に対して
加熱処理を施すものであることを特徴とする請求項8記
載の基板処理装置である。上記加熱処理部は、フォトリ
ソグラフィ工程におけるプリベーク工程を実行するため
の加熱処理部である。たとえば、上記レジストの上面に
塗布された未露光の基板は、風乾燥処理または減圧乾燥
処理等の簡易乾燥処理が施された基板であってもよい。
このような基板においては、レジストは、表面に乾燥皮
膜が生じた状態となっていて、加熱処理部によるプリベ
ークが不足する傾向にある。このようなプリベーク不足
の基板を室温のハンドで保持したとき、基板とハンドと
の間で大量の熱量が交換されると、露光および現像処理
後の基板において明確なムラが生じる。しかし、この発
明では、基板とハンドとの間での熱交換量が少なく抑制
されているので、上記のような不具合が生じることがな
い。これによって、良好なフォトリソグラフィ処理を実
行することができる。According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the eighth aspect of the present invention, the heat treatment section performs a heat treatment on an unexposed substrate having a resist coated on the upper surface. Device. The heat treatment section is a heat treatment section for performing a pre-bake step in a photolithography step. For example, the unexposed substrate applied to the upper surface of the resist may be a substrate that has been subjected to a simple drying process such as an air drying process or a reduced pressure drying process.
In such a substrate, the resist is in a state where a dry film is formed on the surface, and the pre-bake by the heat treatment unit tends to be insufficient. When such a pre-baked substrate is held by a hand at room temperature, if a large amount of heat is exchanged between the substrate and the hand, a distinct unevenness occurs in the substrate after exposure and development processing. However, according to the present invention, since the amount of heat exchange between the substrate and the hand is suppressed to be small, the above-described problem does not occur. Thereby, a favorable photolithography process can be performed.
【0017】請求項10記載のように、上記基板支持部
材と基板の下面との間に気密室が形成される場合(例え
ば請求項3に記載のような場合)には、この気密室を排
気する排気手段を設けることによって、基板を吸着保持
することができ、基板の搬送を確実に行える。請求項1
1記載の発明は、上記処理部である第1処理部の他に、
基板に対して処理を施す第2処理部をさらに含み、上記
基板搬送機構である第1基板搬送機構の他に、上記第2
処理部から基板を搬出するための第2基板搬送機構をさ
らに含み、上記第2基板搬送機構は、基板の下面に対し
て上記基板支持部材である第1基板支持部材よりも太い
線幅で接触して当該基板を支持する第2基板支持部材を
有するハンドと、このハンドを上記処理部に対して移動
するための駆動機構とを備えていることを特徴とする請
求項7ないし10のいずれかに記載の基板処理装置であ
る。According to a tenth aspect, when an airtight chamber is formed between the substrate support member and the lower surface of the substrate (eg, in the case of the third aspect), the airtight chamber is evacuated. By providing the exhaust means, the substrate can be sucked and held, and the substrate can be transported reliably. Claim 1
The invention described in (1) includes, in addition to the first processing unit which is the processing unit,
The apparatus further includes a second processing unit that performs processing on the substrate, and further includes, in addition to the first substrate transport mechanism that is the substrate transport mechanism,
The apparatus further includes a second substrate transport mechanism for unloading the substrate from the processing unit, wherein the second substrate transport mechanism contacts the lower surface of the substrate with a wider line width than the first substrate support member that is the substrate support member. 11. The apparatus according to claim 7, further comprising a hand having a second substrate supporting member for supporting the substrate, and a driving mechanism for moving the hand with respect to the processing unit. 4. The substrate processing apparatus according to item 1.
【0018】たとえば、第1処理部による処理後の基板
に対して厳密な温度管理が要求されるのに対して、第2
処理部による処理後の基板についてはさほど厳密な温度
管理が要求されないとする。この場合に、第2処理部か
ら基板を搬出する第2基板搬送機構は、第1基板搬送機
構に備えられた第1基板支持部材よりも太い線幅で接触
して基板を支持する第2基板支持部材を有するハンドを
備えている。これによって、基板を安定に保持すること
ができるので、たとえば、第1基板搬送機構よりも高速
に基板を搬送することができる。その結果、基板の搬送
タクトを短縮できるから、基板処理の生産性向上に寄与
することができる。For example, while strict temperature control is required for the substrate after processing by the first processing unit,
It is assumed that the substrate after the processing by the processing unit does not require very strict temperature control. In this case, the second substrate transport mechanism that unloads the substrate from the second processing unit is a second substrate that supports the substrate by contacting with a wider line width than the first substrate support member provided in the first substrate transport mechanism. A hand having a support member is provided. Thus, the substrate can be stably held, so that, for example, the substrate can be transferred at a higher speed than the first substrate transfer mechanism. As a result, it is possible to shorten the transfer tact time of the substrate, which can contribute to the improvement of the productivity of the substrate processing.
【0019】請求項12記載の発明は、基板に対して処
理を施す処理部と、複数の基板支持部材を有し、この複
数の基板支持部材で基板の下面を支持することによって
基板を保持するハンド、および上記ハンドを上記処理部
に対して進退移動させる駆動機構を備え、上記処理部か
ら基板を搬出する基板搬送機構とを含み、上記複数の基
板支持部材は、上記ハンドの上記処理部に対する進退方
向に関して異なる位置に配置されており、各基板支持部
材と基板の下面との間の熱交換量が、上記進退方向前方
側から上記進退方向後方側に向かうに従って少なくなる
ように定められていることを特徴とする基板処理装置で
ある。According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a processing section for performing processing on a substrate, and a plurality of substrate support members, wherein the plurality of substrate support members hold the substrate by supporting the lower surface of the substrate. A hand, and a drive mechanism for moving the hand forward and backward with respect to the processing unit, including a substrate transport mechanism for unloading a substrate from the processing unit, wherein the plurality of substrate support members are provided for the processing unit of the hand with respect to the processing unit. It is arranged at a different position with respect to the retreating direction, and is determined so that the amount of heat exchange between each substrate supporting member and the lower surface of the substrate decreases from the front side in the retreating direction to the rear side in the retreating direction. A substrate processing apparatus characterized in that:
【0020】この構成によれば、基板搬送機構のハンド
には、その進退方向に関して異なる位置に複数の基板支
持部材が配置されていて、これらの複数の基板支持部材
により基板を安定に保持できる。そして、各基板支持部
材と基板の下面との間の熱交換量が、ハンドの進退方向
前方側から進退方向後方側に向かうに従って少なくなる
ように定められている。したがって、請求項13記載の
ように、上記処理部が基板を加熱処理する加熱処理部で
ある場合に、処理部に対してより深く進入し、その結
果、処理部内により長時間に渡って存在することになる
進退方向前方側の基板支持部材ほど、基板との間の熱交
換が生じやすく、進退方向後方側の基板支持部材ほど、
基板との間の熱交換が生じにくい。進退方向前方側の基
板支持部材は、処理部内での滞在時間が長いので、基板
との温度差が小さく、逆に、進退方向後方側の基板支持
部材は、基板との温度差が大きくなる傾向にある。した
がって、この発明の構成を採用することにより、基板に
ハンドからの熱影響を及ぼすことを防止できる。According to this configuration, the hand of the substrate transport mechanism has a plurality of substrate support members arranged at different positions in the advancing / retreating direction, and the substrate can be stably held by the plurality of substrate support members. The amount of heat exchange between each substrate support member and the lower surface of the substrate is determined so as to decrease from the front side in the forward / backward direction of the hand toward the rear side in the forward / backward direction. Therefore, when the processing unit is a heat processing unit that heats a substrate as described in claim 13, the processing unit enters the processing unit more deeply, and as a result, exists in the processing unit for a longer time. The more the substrate support member on the front side in the forward / backward direction, the more easily heat exchange between the substrate and the substrate support member on the rear side in the forward / backward direction,
Heat exchange with the substrate hardly occurs. The substrate support member on the front side in the forward / backward direction has a long stay time in the processing unit, so the temperature difference with the substrate is small, and conversely, the substrate support member on the rear side in the forward / backward direction tends to have a large temperature difference with the substrate. It is in. Therefore, by employing the configuration of the present invention, it is possible to prevent the substrate from being affected by heat from the hand.
【0021】上記加熱処理部は、請求項14記載のよう
に、レジストが上面に塗布された未露光の基板に対して
加熱処理を施すものであってもよい。すなわち、上記加
熱処理部は、フォトリソグラフィ工程におけるプリベー
ク工程を実行するものであってもよい。この場合に、加
熱処理部において処理される基板は、基板上に塗布され
たレジストに対して簡易乾燥処理が施されたものであっ
てもよい。したがって、レジストの表面に形成される乾
燥皮膜の影響で、加熱処理部によるプリベークに不足が
生じる虞れがあるが、この場合でも、ハンドと基板との
熱交換量が少ないので、露光および現像処理後の基板に
おいて明確なレジストムラが生じることはない。The heat treatment section may perform a heat treatment on an unexposed substrate having a resist applied on the upper surface thereof. That is, the heat treatment section may execute a pre-bake step in a photolithography step. In this case, the substrate to be processed in the heat treatment unit may be one obtained by subjecting a resist applied on the substrate to a simple drying process. Therefore, there is a possibility that the pre-bake by the heat treatment section may be insufficient due to the influence of the dry film formed on the surface of the resist. However, even in this case, since the amount of heat exchange between the hand and the substrate is small, the exposure and development processing are performed. Clear resist unevenness does not occur on the subsequent substrate.
【0022】請求項15記載の発明は、上記複数の基板
支持部材は、基板の下面と接触する基板接触部をそれぞ
れ有し、各基板支持部材の基板接触部と基板の下面と接
触面積が、上記進退方向前方側から上記進退方向後方側
に向かうに従って少なくなるように定められていること
を特徴とする請求項12ないし14のいずれかに記載の
基板処理装置である。この構成によれば、ハンドの基端
部側では基板支持部材と基板の下面との接触面積が少な
いので、それらの間の熱交換量が少ない。その一方で、
ハンドの先端側では、基板接触部と基板の下面とが比較
的大きな面積で接触しているので、基板を安定に保持す
ることができる。こうして、基板を安定に保持しなが
ら、ハンドと基板との間の熱交換量を抑制することがで
きる。基板が安定に保持される結果、基板の搬送を高速
に行うことができるから、基板搬送タクトを短縮でき、
基板処理の生産性を向上できる。According to a fifteenth aspect of the present invention, the plurality of substrate support members each have a substrate contact portion that contacts a lower surface of the substrate, and a contact area between the substrate contact portion of each substrate support member and the lower surface of the substrate is: 15. The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the number is set so as to decrease from a front side in the forward / backward direction to a rearward side in the forward / backward direction. According to this configuration, since the contact area between the substrate supporting member and the lower surface of the substrate is small on the base end side of the hand, the amount of heat exchange between them is small. On the other hand,
On the tip side of the hand, the substrate contact portion and the lower surface of the substrate are in contact with a relatively large area, so that the substrate can be stably held. Thus, the amount of heat exchange between the hand and the substrate can be suppressed while holding the substrate stably. As a result of the substrate being held stably, the substrate can be transported at a high speed, so that the substrate transport tact can be reduced,
The productivity of substrate processing can be improved.
【0023】具体的には、請求項16に記載のように、
上記基板接触部が基板の下面に線状の領域で接触するも
のである場合に、各基板支持部材の基板接触部の接触線
幅が、上記進退方向前方側から上記進退方向後方側に向
かうに従って狭くなるように定めればよい。請求項17
記載の発明は、上記複数の基板支持部材は、基板の下面
と接触する基板接触部をそれぞれ有し、各基板支持部材
の基板接触部の熱伝導率が、上記進退方向前方側から上
記進退方向後方側に向かうに従って小さくなるように定
められていることを特徴とする請求項12ないし16の
いずれかに記載の基板処理装置である。Specifically, as described in claim 16,
When the substrate contact portion is to contact the lower surface of the substrate in a linear region, the contact line width of the substrate contact portion of each substrate support member, from the front in the retreat direction to the rear in the retreat direction. What is necessary is just to determine so that it may become narrow. Claim 17
In the invention described above, the plurality of substrate support members each have a substrate contact portion that is in contact with a lower surface of the substrate, and the thermal conductivity of the substrate contact portion of each substrate support member is different from the forward / backward direction in the forward / backward direction. 17. The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the substrate processing apparatus is set so as to become smaller toward a rear side.
【0024】これにより、基板支持部材の形状または大
きさが同じであっても、ハンド上においてその進退方向
各部に設けられた基板支持部材において、基板との間の
適切な熱交換状態を設定できる。これにより、基板を安
定に支持でき、かつ、ハンドから基板への熱影響を抑制
できる。請求項18記載の発明は、上記処理部である第
1処理部の他に、基板に対して処理を施す第2処理部を
さらに含み、上記基板搬送機構である第1基板搬送機構
の他に、上記第2処理部から基板を搬出するための第2
基板搬送機構をさらに含み、上記第2基板搬送機構は、
基板の下面に接触して当該基板を支持する複数の基板支
持部材を有するハンドと、このハンドを上記第2処理部
に対して進退移動させるための駆動機構とを備えてお
り、上記第2基板搬送機構に備えられた複数の基板支持
部材は、上記第2処理部に対する進退方向に関する位置
によらずに、基板の裏面との間の熱交換量がほぼ等しく
定められていることを特徴とする請求項12ないし17
のいずれかに記載の基板処理装置である。Thus, even if the shape or size of the substrate supporting member is the same, an appropriate heat exchange state with the substrate can be set in the substrate supporting member provided at each part of the hand in the forward and backward directions. . Thus, the substrate can be stably supported, and the influence of heat on the substrate from the hand can be suppressed. The invention according to claim 18 further includes a second processing unit that performs processing on a substrate, in addition to the first processing unit that is the processing unit, in addition to the first substrate transportation mechanism that is the substrate transportation mechanism. A second process for unloading the substrate from the second processing unit.
Further comprising a substrate transport mechanism, wherein the second substrate transport mechanism comprises:
A hand having a plurality of substrate support members for supporting the substrate in contact with the lower surface of the substrate, and a drive mechanism for moving the hand forward and backward with respect to the second processing unit; The plurality of substrate support members provided in the transport mechanism are characterized in that the heat exchange amounts with the back surface of the substrate are set substantially equal regardless of the position in the advance / retreat direction with respect to the second processing unit. Claims 12 to 17
A substrate processing apparatus according to any one of the above.
【0025】たとえば、第1処理部は、処理後の基板に
対する温度管理が厳密に要求されるプロセスを実行する
ものであり、第2処理部は、処理後の基板に対する温度
管理がさほど厳格ではないプロセスを実行するものであ
る。そこで、第2基板搬送機構に備えられた複数の基板
支持部材は、ハンド上における進退方向に関する位置に
よらずに、基板の裏面との間の熱交換量がほぼ等しく定
められている。これによって、基板の安定保持が可能と
なり、基板を高速に搬送できる。For example, the first processing unit executes a process that requires strict temperature control for the processed substrate, and the second processing unit performs less strict temperature control for the processed substrate. Run the process. Therefore, the plurality of substrate support members provided in the second substrate transport mechanism have substantially the same heat exchange amount with the back surface of the substrate regardless of the position in the advance / retreat direction on the hand. As a result, the substrate can be stably held, and the substrate can be transferred at a high speed.
【0026】請求項19記載の発明は、上記第1基板搬
送機構の駆動機構は、上記第2基板搬送機構の駆動機構
によるハンドの移動速度よりも遅い速度で上記ハンドを
移動させるものであることを特徴とする請求項11また
は18記載の基板処理装置である。この構成により、第
1基板搬送機構による基板の搬送不良が生じることを防
止できる。その一方で、第2基板搬送機構のハンドは高
速に移動させることができるので、基板の搬送タクトを
短縮できる。According to a nineteenth aspect of the present invention, the driving mechanism of the first substrate transfer mechanism moves the hand at a speed lower than the moving speed of the hand by the drive mechanism of the second substrate transfer mechanism. 19. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein: With this configuration, it is possible to prevent the occurrence of a substrate transfer failure by the first substrate transfer mechanism. On the other hand, since the hand of the second substrate transport mechanism can be moved at high speed, the substrate transfer tact can be reduced.
【0027】請求項20記載の発明は、上記第1処理部
はレジストが上面に塗布された未露光の基板を加熱する
ものであり、上記第2処理部は第1処理部加熱された基
板を冷却するものであることを特徴とする請求項11、
18および19のうちいずれかに記載の基板処理装置で
ある。この発明により未露光の基板上のレジストを加熱
するという、厳密な温度管理が要求される処理と、第1
処理部で加熱された基板を冷却するというさほど厳密な
温度管理が必要ではない処理とを実行する場合におい
て、請求項11、18および19のうちいずれかに関し
て述べた効果と同様な効果を実現できる。According to a twentieth aspect of the present invention, the first processing section heats an unexposed substrate having a resist applied on its upper surface, and the second processing section heats the substrate heated by the first processing section. 12. A cooling device,
20. The substrate processing apparatus according to any one of 18 and 19. According to the present invention, a process that requires strict temperature control, that is, heating a resist on an unexposed substrate,
In the case of performing processing that does not require strict temperature control, such as cooling the substrate heated in the processing unit, the same effect as that described in any of claims 11, 18 and 19 can be realized. .
【0028】請求項21記載の発明は、上記第1処理部
は基板が載置されるホットプレートを有し、上記第2処
理部は基板が載置されるクールプレートを有することを
特徴とする請求項20に記載の基板処理装置である。こ
の発明により、未露光の基板上のレジストをホットプレ
ートで加熱するという、厳密な温度管理が要求される処
理と、ホットプレートで加熱された基板をクールプレー
トで冷却するという、さほど厳密な温度管理が必要では
ない処理とを実行する場合において、請求項20で述べ
た効果と同様な効果を実現できる。According to a twenty-first aspect of the present invention, the first processing section has a hot plate on which the substrate is placed, and the second processing section has a cool plate on which the substrate is placed. A substrate processing apparatus according to claim 20. According to the present invention, a strict temperature control is required, in which a resist on an unexposed substrate is heated with a hot plate, and a very strict temperature control, in which a substrate heated with a hot plate is cooled with a cool plate, is used. In the case of executing the processing that is not necessary, the same effect as the effect described in claim 20 can be realized.
【0029】請求項22記載の発明は、上記基板処理装
置は、基板洗浄工程、デハイドベーク工程、レジスト塗
布工程、プリベーク工程、現像工程およびポストベーク
工程を含むフォトリソグラフィプロセスのための基板処
理を行うものであり、上記第1処理部は、上記プリベー
ク工程を実行するものであり、上記第2処理部は、上記
デハイドベーク工程または上記ポストベーク工程を実行
するものであることを特徴とする請求項11、18およ
び19のうちのいずれかに記載の基板処理装置である。According to a twenty-second aspect of the present invention, the substrate processing apparatus performs a substrate processing for a photolithography process including a substrate cleaning step, a dehydration baking step, a resist coating step, a pre-baking step, a developing step, and a post-baking step. 12. The method according to claim 11, wherein the first processing unit executes the pre-bake process, and the second processing unit executes the dehydration bake process or the post-bake process. 20. The substrate processing apparatus according to any one of 18 and 19.
【0030】上記プリベーク工程の前に、基板上に塗布
されたレジストに対して簡易乾燥処理を行う簡易乾燥工
程が設けられてもよい。請求項23記載の発明は、請求
項22に記載の基板処理装置と露光装置とを有する基板
処理システムであって、露光装置はプリベーク工程が実
行された基板を受け取り、基板にパターンを露光し、露
光が完了した基板を基板処理装置に渡すことを特徴とす
る基板処理システムである。Before the pre-baking step, a simple drying step of performing a simple drying process on the resist applied on the substrate may be provided. An invention according to claim 23 is a substrate processing system including the substrate processing apparatus and the exposure apparatus according to claim 22, wherein the exposure apparatus receives the substrate on which the pre-baking process has been performed, and exposes a pattern on the substrate, A substrate processing system, wherein a substrate that has been exposed is transferred to a substrate processing apparatus.
【0031】請求項24記載の発明は、処理部内で基板
に対して処理を施す基板処理工程と、この基板処理工程
後の基板を、請求項1ないし6のいずれかに記載の基板
支持部材で基板の下面を支持することによって基板を保
持するハンドによって上記処理部から搬出する工程とを
含むことを特徴とする基板処理方法である。この発明に
より、請求項7の発明に関して述べた効果と同等の効果
を達成できる。According to a twenty-fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing step of processing a substrate in a processing part, and the substrate after the substrate processing step is replaced by the substrate supporting member according to any one of the first to sixth aspects. And carrying out the substrate from the processing section by a hand holding the substrate by supporting the lower surface of the substrate. According to this invention, an effect equivalent to the effect described with respect to the invention of claim 7 can be achieved.
【0032】請求項25記載の発明は、処理部内で基板
に対して処理を施す基板処理工程と、複数の基板支持部
材を有し、この複数の基板支持部材で基板の下面を支持
することによって基板を保持するハンドを上記処理部に
対して進退移動させることにより、上記基板処理工程後
の基板を上記処理部から搬出する工程とを含み、上記複
数の基板支持部材は、上記ハンドの上記処理部に対する
進退方向に関して異なる位置に配置されており、各基板
支持部材と基板の下面との間の熱交換量が、上記進退方
向前方側から上記進退方向後方側に向かうに従って少な
くなるように定められていることを特徴とする基板処理
方法である。According to a twenty-fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing step of performing processing on a substrate in a processing unit, and a plurality of substrate supporting members, wherein the lower surface of the substrate is supported by the plurality of substrate supporting members. Moving the hand holding the substrate forward and backward with respect to the processing unit, thereby carrying out the substrate after the substrate processing step from the processing unit, wherein the plurality of substrate support members perform the processing of the hand. Are arranged at different positions with respect to the forward and backward directions with respect to the portion, and are determined so that the amount of heat exchange between each substrate support member and the lower surface of the substrate decreases from the forward and backward direction forward side toward the forward and backward direction backward side. A substrate processing method.
【0033】この方法により、請求項12の発明に関し
て述べた効果と同様な効果を実現できる。請求項26に
記載されているように、上記基板処理工程は、基板を加
熱処理する加熱処理工程を含んでいてもよい。この場合
に、請求項27に記載のように、上記加熱処理工程は、
レジストが上面に塗布された未露光の基板に対して加熱
処理を施す工程であってもよい。According to this method, the same effect as the effect described in the twelfth aspect can be realized. As described in claim 26, the substrate processing step may include a heat treatment step of heating the substrate. In this case, as described in claim 27, the heat treatment step
A step of performing a heat treatment on the unexposed substrate on which the resist is applied on the upper surface may be used.
【0034】請求項28記載の発明は、第1処理部内で
基板に対して処理を施す第1基板処理工程と、この第1
基板処理工程後の基板を、請求項1ないし6のいずれか
に記載の基板支持部材で基板の下面を支持することによ
って基板を保持する第1ハンドによって上記第1処理部
から搬出する工程と、第2処理部内で基板に対して処理
を施す第2基板処理工程と、この第2基板処理工程後の
基板を、上記第1ハンドの基板支持部材よりも太い線幅
で基板の下面に対して当該基板を支持する基板支持部材
を備えた第2ハンドによって上記第2処理部から搬出す
る工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。According to a twenty-eighth aspect of the present invention, there is provided a first substrate processing step of performing processing on a substrate in a first processing unit;
A step of unloading the substrate after the substrate processing step from the first processing unit by a first hand that holds the substrate by supporting a lower surface of the substrate with the substrate support member according to any one of claims 1 to 6; A second substrate processing step of performing processing on the substrate in the second processing unit, and applying the substrate after the second substrate processing step to a lower surface of the substrate with a wider line width than the substrate supporting member of the first hand. And carrying out the substrate from the second processing unit by a second hand provided with a substrate supporting member for supporting the substrate.
【0035】この方法により、請求項11記載の発明に
関して述べた効果と同様な効果を実現できる。請求項2
9記載の発明は、第1処理部内で基板に対して処理を施
す第1基板処理工程と、第1ハンドを上記第1処理部に
対して進退させることによって、上記第1基板処理工程
後の基板を上記第1処理部から搬出する工程と、第2処
理部内で基板に対して処理を施す第2基板処理工程と、
第2ハンドを上記第2処理部に対して進退させることに
よって、上記第2基板処理工程後の基板を上記第2処理
部から搬出する工程とを含み、上記第1ハンドには、上
記処理部に対する進退方向に関して異なる位置に配置さ
れた複数の基板支持部材を有し、各基板支持部材と基板
の下面との間の熱交換量が、上記進退方向前方側から上
記進退方向後方側に向かうに従って少なくなるように定
められているハンドを用い、上記第2ハンドには、上記
処理部に対する進退方向に関する位置によらずに基板の
下面との熱交換量がほぼ等しく定められた複数の基板支
持部材を有するハンドを用いることを特徴とする基板処
理方法である。According to this method, the same effect as the effect described in the eleventh aspect can be realized. Claim 2
The invention described in Item 9 is a first substrate processing step of performing processing on the substrate in the first processing section, and the first hand is moved forward and backward with respect to the first processing section, so that the first substrate processing step is performed. A step of unloading the substrate from the first processing unit, a second substrate processing step of processing the substrate in the second processing unit,
Moving the second hand with respect to the second processing section to carry out the substrate after the second substrate processing step from the second processing section, wherein the first hand includes the processing section. Has a plurality of substrate support members arranged at different positions with respect to the retreat direction, the amount of heat exchange between each substrate support member and the lower surface of the substrate, from the retreat direction front side toward the retreat direction rear side A plurality of substrate support members having a heat exchange amount with the lower surface of the substrate which is determined to be substantially equal regardless of the position of the second hand relative to the processing unit in the forward / backward direction. A substrate processing method characterized by using a hand having:
【0036】この方法により、請求項18記載の発明に
述べた効果と同様な効果を達成できる。請求項30記載
の発明は、上記第1ハンドは、上記第2ハンドが上記第
2処理部から基板を搬出する速さよりも遅い速さで上記
第1処理部から基板を搬出することを特徴とする請求項
28または29記載の基板処理方法である。この方法に
より、請求項19記載の発明に関して述べた効果と同様
な効果を実現できる。According to this method, the same effect as that described in the eighteenth aspect can be achieved. The invention according to claim 30 is characterized in that the first hand unloads the substrate from the first processing unit at a speed lower than the speed at which the second hand unloads the substrate from the second processing unit. 30. The substrate processing method according to claim 28 or 29. According to this method, the same effect as that described with respect to the nineteenth aspect can be realized.
【0037】請求項31に記載の発明は、上記第1処理
部はレジストが上面に塗布された未露光の基板を加熱す
るものであり、上記第2処理部は第1処理部で加熱され
た基板を冷却するものであることを特徴とする請求項2
8ないし30のいずれかに記載の基板処理方法である。
この発明により請求項20に関して述べた効果と同様
な効果を実現できる。請求項32に記載の発明は、上記
第1処理部は基板が載置されるホットプレートを有し、
上記第2処理部は基板が載置されるクールプレートを有
することを特徴とする請求項31に記載の基板処理方法
である。According to a thirty-first aspect of the present invention, the first processing section heats an unexposed substrate having a resist applied to the upper surface, and the second processing section is heated by the first processing section. 3. The method according to claim 2, wherein the substrate is cooled.
31. The substrate processing method according to any one of 8 to 30.
According to the present invention, the same effect as the effect described in claim 20 can be realized. In the invention according to claim 32, the first processing unit has a hot plate on which a substrate is placed,
The substrate processing method according to claim 31, wherein the second processing unit includes a cool plate on which the substrate is placed.
【0038】この発明により請求項21に関して述べた
効果と同様な効果を実現できる。請求項33記載の発明
は、上記基板処理方法は、基板洗浄工程、デハイドベー
ク工程、レジスト塗布工程、プリベーク工程、現像工程
およびポストベーク工程を含むフォトリソグラフィプロ
セスのための方法であり、上記第1処理部は、上記プリ
ベーク工程を実行するものであり、上記第2処理部は、
上記デハイドベーク工程または上記ポストベーク工程を
実行するものであることを特徴とする請求項28ないし
30のいずれかに記載の基板処理方法である。According to the present invention, the same effect as the effect described in claim 21 can be realized. The invention according to claim 33, wherein the substrate processing method is a method for a photolithography process including a substrate cleaning step, a dehydration baking step, a resist coating step, a pre-baking step, a developing step, and a post-baking step. The unit performs the pre-bake step, and the second processing unit includes:
31. The substrate processing method according to claim 28, wherein the dehydration baking step or the post baking step is performed.
【0039】この方法により、請求項20記載の発明に
関して述べた効果と同様な効果が達成される。請求項3
4に記載の発明は、上記基板処理法はプリベーク工程が
実行された基板にパターンを露光する露光工程を有し、
上記現像工程は露光工程が実行された基板に対して実行
されることを特徴とする請求項33に記載の基板処理法
である。According to this method, the same effect as that described with respect to the twentieth aspect of the present invention is achieved. Claim 3
The invention according to 4, wherein the substrate processing method has an exposure step of exposing a pattern to the substrate on which the pre-bake step has been performed,
The substrate processing method according to claim 33, wherein the developing step is performed on the substrate on which the exposure step has been performed.
【0040】この発明により請求項23に関して述べた
効果と同様な効果を実現できる。According to the present invention, the same effect as the effect described in claim 23 can be realized.
【0041】[0041]
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成を示す
図解図である。この基板処理システムは、液晶表示パネ
ル用ガラス基板等の被処理基板に対してフォトリソグラ
フィ工程を実行するための装置である。この基板処理シ
ステムは、基板表面の洗浄を行うための洗浄処理部1
と、洗浄処理後の基板を乾燥させるためのデハイドベー
ク処理部2と、デハイドベーク処理後の基板表面にレジ
ストを塗布する塗布処理部3と、基板表面に塗布された
レジストを乾燥硬化させるためのプリベーク処理部4
と、プリベーク処理後のレジストを、所望のマスクパタ
ーンにより露光する露光処理部5と、露光後のレジスト
を現像する現像処理部6と、現像処理後の基板表面のレ
ジストを焼き締めるためのポストベーク処理部7とを備
えている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an illustrative view showing a configuration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. This substrate processing system is an apparatus for performing a photolithography process on a substrate to be processed, such as a glass substrate for a liquid crystal display panel. The substrate processing system includes a cleaning processing unit 1 for cleaning a substrate surface.
A dehydration baking unit 2 for drying the substrate after the cleaning process, a coating unit 3 for applying a resist to the substrate surface after the dehydration baking process, and a prebake process for drying and curing the resist applied to the substrate surface Part 4
An exposure processing unit 5 for exposing the resist after the pre-baking process with a desired mask pattern, a developing processing unit 6 for developing the exposed resist, and a post-baking process for baking the resist on the substrate surface after the development processing. And a processing unit 7.
【0042】なお、このような基板処理システムは基板
処理装置と露光装置とから構成される。具体的には、洗
浄処理部1、デハイドベーク処理部2、塗布処理部3、
プリベーク処理部4、現像処理部6、ポストベーク処理
部7の各処理部を有する基板処理装置と、露光処理部5
を有する露光装置とがそれぞれ存在し、接続されてい
る。すなわちプリベーク処理部4で処理を受けた基板を
露光装置に搬送し、また、露光装置で処理を受けた基板
を現像処理部6に搬送する仲介搬送装置により前記基板
処理装置と露光装置とが接続されている。Note that such a substrate processing system includes a substrate processing apparatus and an exposure apparatus. Specifically, the cleaning unit 1, the dehydration bake unit 2, the coating unit 3,
A substrate processing apparatus having respective processing units of a pre-bake processing unit 4, a development processing unit 6, and a post-bake processing unit 7;
Are present and connected. That is, the substrate processing apparatus and the exposure apparatus are connected by an intermediary transport apparatus that transports the substrate processed by the pre-bake processing section 4 to the exposure apparatus and transports the substrate processed by the exposure apparatus to the development processing section 6. Have been.
【0043】そして、前記洗浄処理部1は、例えば、矩
形の基板を水平方向で支持し、かつ搬送する複数のロー
ラからなる基板の保持手段、保持された基板への洗浄液
(薬液や純水)の供給手段、洗浄液として薬液が供給さ
れた場合のリンス液(純水)の供給手段を有する。ま
た、洗浄液としての純水の供給を受けて洗浄が完了した
基板、またはリンス液の供給を受けて洗浄が完了した基
板に付着している液体を吹き飛ばす気体噴射手段も有す
る。これにより、基板から液滴が除去される。気体噴射
手段は例えば、基板の幅寸法よりも長いスリット状の開
口から気体を吹出すことで基板上の液体を吹き飛ばすス
リットノズルを有する。The cleaning processing unit 1 includes, for example, a substrate holding means including a plurality of rollers for horizontally supporting and transporting a rectangular substrate, and a cleaning liquid (chemical solution or pure water) for the held substrate. And a means for supplying a rinse liquid (pure water) when a chemical liquid is supplied as a cleaning liquid. Further, there is also provided a gas ejecting means for blowing off the liquid adhering to the substrate which has been cleaned by receiving the supply of pure water as the cleaning liquid or the substrate which has been supplied to and rinsed with the rinsing liquid. This removes droplets from the substrate. The gas ejecting means has, for example, a slit nozzle that blows out gas from a slit-shaped opening longer than the width of the substrate to blow off the liquid on the substrate.
【0044】デハイドベーク処理部2の構成は後述す
る。塗布処理部3の構成は後述する。プリベーク処理部
4の構成は後述する。露光処理部5は露光装置内に存在
し、前述の仲介搬送装置によりプリベーク処理後の基板
を受取りマスクパターンを露光する。現像処理部6は前
述の仲介搬送装置により露光処理を受けた基板を受取
り、該基板に現像液を供給する。The structure of the dehydration bake processing unit 2 will be described later. The configuration of the coating processing unit 3 will be described later. The configuration of the pre-bake processing unit 4 will be described later. The exposure processing unit 5 is provided in the exposure apparatus, and receives the substrate after the pre-baking process by the above-described intermediary transport device to expose the mask pattern. The development processing unit 6 receives the substrate that has been subjected to the exposure processing by the above-described intermediary transport device, and supplies a developing solution to the substrate.
【0045】ポストベーク処理部7の構成は後述する。
デハイドベーク処理部2は、洗浄処理後の基板表面の水
分を蒸発させて乾燥させるためのホットプレート(H
P)21と、加熱処理後の基板を室温に冷却するクール
プレート(CP)22とを備えている。また、ポストベ
ーク処理部7は、現像処理後のレジストを焼き締めるた
めのホットプレート71と、ホットプレート71による
加熱処理後の基板を室温に冷却するためのクールプレー
ト72とを備えている。The configuration of the post bake processing section 7 will be described later.
The dehydration bake processing unit 2 is provided with a hot plate (H) for evaporating and drying moisture on the substrate surface after the cleaning processing.
P) 21 and a cool plate (CP) 22 for cooling the substrate after the heat treatment to room temperature. Further, the post-bake processing section 7 includes a hot plate 71 for baking the resist after the development processing, and a cool plate 72 for cooling the substrate after the heat processing by the hot plate 71 to room temperature.
【0046】図2は、塗布処理部3およびプリベーク処
理部4の詳細な構成を説明するための図解図である。塗
布処理部3は、基板にレジストを供給するレジストノズ
ルと、レジストを供給された基板を回転させる回転手段
を有するスピンコータ等のコータ部(SC)31と、塗
布されたレジストに対して気流を当てる風乾燥処理また
は、基板を収容する密閉したチャンバを有し、チャンバ
内の雰囲気を排気して密閉チャンバ内の気圧を減圧する
減圧乾燥処理を施す簡易乾燥処理部32と、簡易乾燥処
理後の基板の端面に付着しているレジストを除去するた
めの端面洗浄処理部(EBR)33とを備えている。な
お、簡易乾燥処理部32は省略される場合もある。ま
た、プリベーク処理部4は、塗布処理部3によって塗布
されたレジストを加熱乾燥させるためのホットプレート
41と、ホットプレート41による加熱処理後の基板を
室温に冷却するためのクールプレート42とを備えてい
る。FIG. 2 is an illustrative view for explaining a detailed configuration of the coating processing unit 3 and the pre-bake processing unit 4. The coating processing unit 3 applies a resist nozzle for supplying a resist to the substrate, a coater unit (SC) 31 such as a spin coater having a rotating unit for rotating the substrate supplied with the resist, and applies an airflow to the coated resist. A simple drying processing unit 32 that has a closed chamber for accommodating air drying or a substrate, and performs a reduced-pressure drying process for evacuating the atmosphere in the chamber and reducing the pressure in the closed chamber; And an end face cleaning section (EBR) 33 for removing the resist adhering to the end face. The simple drying unit 32 may be omitted. Further, the pre-bake processing section 4 includes a hot plate 41 for heating and drying the resist applied by the coating processing section 3 and a cool plate 42 for cooling the substrate after the heat processing by the hot plate 41 to room temperature. ing.
【0047】プリベーク処理部4に関連して、塗布処理
部3の端面洗浄処理部33から基板を受け取ってホット
プレート41に搬入し、さらにホットプレート41によ
る加熱処理後の基板をクールプレート42へと搬送し、
さらにクールプレート42による冷却処理後の基板を露
光処理部5に向かって払い出すための搬送ロボットTR
2が設けられている。塗布処理部3の内部における基板
の搬送は、専用の搬送機構(図示せず)によって行われ
るようになっていて、この搬送には搬送ロボットTR2
は関与しない。In connection with the pre-bake processing section 4, the substrate is received from the end face cleaning processing section 33 of the coating processing section 3, carried into the hot plate 41, and the substrate after the heat processing by the hot plate 41 is transferred to the cool plate 42. Transport,
Further, the transport robot TR for paying out the substrate after the cooling process by the cool plate 42 toward the exposure processing unit 5
2 are provided. The transfer of the substrate inside the coating processing section 3 is performed by a dedicated transfer mechanism (not shown), and the transfer robot TR2
Does not participate.
【0048】図1に示されているように、デハイドベー
ク処理部2に関連して、搬送ロボットTR1が設けられ
ており、さらにポストベーク処理部7に関連して、搬送
ロボットTR3が設けられている。搬送ロボットTR1
は、洗浄処理部1から洗浄後の基板を取り出してデハイ
ドベーク処理部2のホットプレート21へと搬入し、こ
のホットプレート21による加熱処理後の基板を取り出
しクールプレート22に搬入し、クールプレート22に
よる冷却処理後の基板を搬出して塗布処理部3へと受け
渡す。同様に、搬送ロボットTR3は、現像処理部6か
ら処理後の基板を搬出して、ポストベーク処理部7のホ
ットプレート71に搬入し、このホットプレート71に
よる加熱処理後の基板を搬出してクールプレート72へ
と搬入し、クールプレート72による冷却処理後の基板
を払い出す。As shown in FIG. 1, a transfer robot TR1 is provided in connection with the dehydration bake processing unit 2, and a transfer robot TR3 is provided in connection with the post bake processing unit 7. . Transfer robot TR1
Takes out the substrate after cleaning from the cleaning processing unit 1 and carries it into the hot plate 21 of the dehydration bake processing unit 2, takes out the substrate after the heat treatment by the hot plate 21, carries it into the cool plate 22, and The substrate after the cooling process is carried out and delivered to the coating processing unit 3. Similarly, the transport robot TR3 unloads the processed substrate from the development processing unit 6, loads the substrate on the hot plate 71 of the post-bake processing unit 7, unloads the substrate after the heat processing by the hot plate 71, and cools the substrate. The substrate is carried into the plate 72, and the substrate after the cooling process by the cool plate 72 is discharged.
【0049】図3は、搬送ロボットTR1,TR2,T
R3に共通する構成を示す図である。搬送ロボットTR
1,TR2,TR3は、それぞれ、上下に重なり合うよ
うに配置された一対のハンドH11,H12;H21,
H22;H31,H32を備えている。これらのハンド
H11,H12;H21,H22;H31,H32は、
基台部Bに対して、水平方向に向かって進退可能に取り
付けられている。基台部Bには、ハンドH11,H2
1,H31と、ハンドH12,H22,H32とを独立
に進退させるための進退駆動機構(図示せず)が設けら
れている。基台部Bは、図示しない回転駆動機構によっ
て鉛直軸線回りに回転可能に保持されているとともに、
必要に応じて所定の水平方向に沿うスライド移動が可能
であるように構成されている。たとえば、ハンドH1
1,H21,H31;H12,H22,H32は、或る
処理部から一方のハンドにより処理済の基板を搬出した
後に、他方の基板によって当該処理部に未処理の基板を
搬入するように、その動作が制御される。FIG. 3 shows the transfer robots TR1, TR2, T
It is a figure showing composition common to R3. Transfer robot TR
1, TR2, TR3 are a pair of hands H11, H12;
H22; H31 and H32. These hands H11, H12; H21, H22; H31, H32
It is attached to the base B so as to be able to advance and retreat in the horizontal direction. In the base part B, the hands H11, H2
An advance / retreat drive mechanism (not shown) is provided for independently advancing / retreating the hands H1, H31 and the hands H12, H22, H32. The base part B is rotatably held around a vertical axis by a rotation drive mechanism (not shown).
It is configured to be able to slide along a predetermined horizontal direction as needed. For example, hand H1
1, H21, H31; H12, H22, and H32 are provided so that a processed substrate is unloaded from one processing unit by one hand, and an unprocessed substrate is loaded into the processing unit by the other substrate. The operation is controlled.
【0050】図4は、プリベーク処理部4の構成例を示
す断面図である。プリベーク処理部4は、たとえば、熱
処理部45が上下方向に多段に積層されて構成されてい
る。熱処理部45は、ホットプレートまたはクールプレ
ートである。この多段に積層された熱処理部45に対し
て、搬送ロボットTR2が、未処理の基板Sを搬入し、
また処理済の基板Sを搬出する。搬送ロボットTR2
は、たとえば、図4の紙面に垂直な方向に形成された搬
送路46に沿って走行可能に構成されているとともに、
その基台部Bが、鉛直方向に沿って昇降可能とされてい
る。これにより、搬送ロボットTR2は、或る熱処理部
45から、他の熱処理部45へと基板を移動させること
ができる。熱処理部45は、搬送路46の一方側のみに
設けられてもよいが、図4には、搬送路46の両側に熱
処理部45が配置されている例が示されている。FIG. 4 is a sectional view showing an example of the configuration of the pre-bake processing section 4. The pre-bake processing unit 4 is configured by, for example, stacking heat treatment units 45 in multiple stages in the vertical direction. The heat treatment section 45 is a hot plate or a cool plate. The transport robot TR2 loads the unprocessed substrate S into the heat treatment units 45 stacked in multiple stages,
The processed substrate S is unloaded. Transfer robot TR2
Is configured to be able to travel along a transport path 46 formed in a direction perpendicular to the plane of FIG.
The base B can be moved up and down in the vertical direction. Thereby, the transport robot TR2 can move the substrate from one heat treatment unit 45 to another heat treatment unit 45. The heat treatment unit 45 may be provided on only one side of the transport path 46, but FIG. 4 shows an example in which the heat treatment units 45 are disposed on both sides of the transport path 46.
【0051】図5は、熱処理部45の詳細な構成を示す
断面図である。熱処理部45は、処理室51と、この処
理室51内に配置された熱処理プレート(ホットプレー
トまたはクールプレート)52と、この熱処理プレート
52に対して基板Sを接触/離反(昇降)させるための
リフトピン53と、このリフトピン53を昇降させるた
めの昇降駆動機構54とを備えている。処理室51にお
いて、搬送ロボットTR2側である前方には、基板Sを
搬入/搬出するための開口55が形成されている。この
開口55に関連して、シャッタ56が設けられており、
シャッタ駆動機構57により駆動されるようになってい
る。シャッタ56を駆動することにより、開口55を開
閉できる。処理室51の後方には、ダンパ58を介して
排気ダクト59が接続されている。FIG. 5 is a sectional view showing a detailed configuration of the heat treatment section 45. The heat treatment section 45 includes a treatment chamber 51, a heat treatment plate (hot plate or cool plate) 52 disposed in the treatment chamber 51, and a contact / separation (elevation) of the substrate S with respect to the heat treatment plate 52. A lift pin 53 and an elevating drive mechanism 54 for raising and lowering the lift pin 53 are provided. In the processing chamber 51, an opening 55 for loading / unloading the substrate S is formed in front of the transfer robot TR2. In connection with this opening 55, a shutter 56 is provided,
The shutter is driven by a shutter driving mechanism 57. The opening 55 can be opened and closed by driving the shutter 56. An exhaust duct 59 is connected to the rear of the processing chamber 51 via a damper 58.
【0052】熱処理プレート52が基板Sを加熱処理す
るホットプレートである場合には、たとえば、内部にヒ
ータが仕込まれている。また、熱処理プレート52が、
基板Sを冷却するためのクールプレートである場合に
は、たとえば、熱処理プレート52内に冷却水通路が形
成されていて、この冷却水通路に、温調された冷却水が
循環される。搬送ロボットTR2は、ホットプレート4
1から加熱処理済の基板Sを搬出する時には、ハンドH
21,H22のうちの一方のハンド(ここでは仮に、ハ
ンドH21とする。)を使用する。このハンドH21の
構成は、図6に示されている。すなわち、ハンドH21
は、たとえばフォーク形状に形成されている。すなわ
ち、ハンドH21は、一対の平行な腕部61,62を有
している。これらの腕部61,62の先端部および基端
部には、基板Sの下面を吸着保持するための吸着パッド
P1,P2,P3,P4が上面に固定されている。そし
て、腕部61,62の途中部には、基板Sの下面に接触
して基板Sを支持するための支持パッドPs1,Ps2
が上面にそれぞれ固定されている。吸着パッドP1〜P
4には、排気通路が接続されていて、この排気通路は、
真空ポンプ等の排気手段(図示せず)に接続されてい
る。When the heat treatment plate 52 is a hot plate for heating the substrate S, for example, a heater is provided inside. Further, the heat treatment plate 52
In the case of a cool plate for cooling the substrate S, for example, a cooling water passage is formed in the heat treatment plate 52, and the cooling water whose temperature is adjusted is circulated through the cooling water passage. The transfer robot TR2 has a hot plate 4
When unloading the heat-treated substrate S from No. 1, the hand H
One hand of H21 and H22 (here, tentatively, hand H21) is used. The configuration of the hand H21 is shown in FIG. That is, the hand H21
Is formed, for example, in a fork shape. That is, the hand H21 has a pair of parallel arms 61 and 62. Adsorption pads P1, P2, P3, and P4 for adsorbing and holding the lower surface of the substrate S are fixed to the upper surfaces of the distal ends and the proximal ends of the arms 61 and 62, respectively. Support pads Ps1, Ps2 for contacting the lower surface of the substrate S and supporting the substrate S are provided in the middle of the arms 61, 62.
Are fixed to the upper surface, respectively. Suction pads P1 to P
4 is connected to an exhaust passage, and this exhaust passage is
It is connected to exhaust means (not shown) such as a vacuum pump.
【0053】図7は、吸着パッドP1〜P4の構成を説
明するための斜視図である。吸着パッドP1〜P4は、
ハンドH21に取り付けられる板状の本体部65と、こ
の本体部65の表面から立設して形成され、円周状に連
続した周壁部66とを備えている。周壁部66は、円筒
形状を有していて、2mm以下(好ましくは0.1mm
以上1.0mm以下、より好ましくは0.5mm以上、
1.0mm以下)の肉厚を有している。したがって、周
壁部66は、その上面に、基板Sに接触する基板接触部
66aを有し、この基板接触部66aは、基板Sの下面
に2mm以下(好ましくは0.1mm以上1.0mm以
下、より好ましくは0.5mm以上、1.0mm以下)
の線幅で線接触することになる。この基板接触部66a
が基板Sの下面に接触した状態では、周壁部66の内部
空間は気密室を形成する。FIG. 7 is a perspective view for explaining the structure of the suction pads P1 to P4. The suction pads P1 to P4 are
The main body 65 includes a plate-shaped main body 65 attached to the hand H21, and a peripheral wall 66 that is formed upright from the surface of the main body 65 and that is continuous in a circumferential direction. The peripheral wall portion 66 has a cylindrical shape and is 2 mm or less (preferably 0.1 mm
1.0 mm or less, more preferably 0.5 mm or more,
1.0 mm or less). Therefore, the peripheral wall portion 66 has, on its upper surface, a substrate contact portion 66a that contacts the substrate S, and the substrate contact portion 66a is 2 mm or less (preferably 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, More preferably, 0.5 mm or more, 1.0 mm or less)
Line contact with the line width of This substrate contact portion 66a
Is in contact with the lower surface of the substrate S, the internal space of the peripheral wall 66 forms an airtight chamber.
【0054】本体部65において、周壁部66の中央に
該当する部分には、上述の排気通路に連通する吸着口6
7が形成されている。したがって、この吸着口67を介
して真空ポンプ等の排気手段によって気密室内を排気す
ることによって、基板SをハンドH21上に吸着するこ
とができる。図8は、支持パッドPs1,Ps2の構成
例を示す斜視図である。この支持パッドPs1,Ps2
は、矩形板状の本体部75と、この本体部75の表面に
立設された十字状の支持壁部76とを有している。この
支持壁部76は、その肉厚が2mm以下(好ましくは
0.1mm以上1.0mm以下、より好ましくは0.5
mm以上、1.0mm以下)のものであり、したがっ
て、その上面に2mm以下(好ましくは0.1mm以上
1.0mm以下、より好ましくは0.5mm以上、1.
0mm以下)の線幅で基板Sの下面に線接触する基板接
触部76aを有している。基板接触部76aは、十字状
に形成されているので、複数個の直線状基板接触部を、
延在方向が直交するように配置したものと見なすことも
できる。In the main body 65, a portion corresponding to the center of the peripheral wall 66 is provided with the suction port 6 communicating with the exhaust passage.
7 are formed. Therefore, the substrate S can be sucked onto the hand H21 by evacuating the airtight chamber through the suction port 67 by an exhaust unit such as a vacuum pump. FIG. 8 is a perspective view illustrating a configuration example of the support pads Ps1 and Ps2. These support pads Ps1, Ps2
Has a rectangular plate-shaped main body 75, and a cross-shaped support wall 76 erected on the surface of the main body 75. The thickness of the support wall 76 is 2 mm or less (preferably 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, more preferably 0.5 mm or less.
mm or more and 1.0 mm or less), and therefore, 2 mm or less (preferably 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, more preferably 0.5 mm or more and 1.0 mm or less) on its upper surface.
It has a substrate contact portion 76a that is in line contact with the lower surface of the substrate S with a line width of 0 mm or less. Since the substrate contact portion 76a is formed in a cross shape, a plurality of linear substrate contact portions
It can also be considered that they are arranged so that the extending directions are orthogonal.
【0055】ホットプレート41から処理済の基板Sの
搬出のために用いられることのないハンドH22は、ハ
ンドH21とほぼ同様な構成を有しているが、その上面
に設けられた吸着パッドおよび支持パッドは、基板の下
面に対する接触部の線幅が、ハンドH21の支持パッド
の接触部の線幅よりも大きく、例えばここでは2mmよ
りも大きく定められている。すなわち、ハンドH22上
の吸着パッドおよび支持パッドPsは、ハンドH21上
の吸着パッドP1〜P3および支持パッドPs1,Ps
2よりも大きな線幅で、基板の下面に線接触する基板接
触部を有する。The hand H22 which is not used for unloading the processed substrate S from the hot plate 41 has substantially the same configuration as the hand H21, but has a suction pad and a support provided on the upper surface thereof. In the pad, the line width of the contact portion with respect to the lower surface of the substrate is set to be larger than the line width of the contact portion of the support pad of the hand H21, for example, larger than 2 mm here. That is, the suction pads and the support pads Ps on the hand H22 are the same as the suction pads P1 to P3 and the support pads Ps1 and Ps on the hand H21.
A substrate contact portion having a line width larger than 2 and in line contact with the lower surface of the substrate.
【0056】基板との接触面積が大きいほど基板の保持
を安定に行える。そこで、搬送ロボットTR2の動作を
制御するための制御装置(図示せず)は、ハンドH22
を、ハンドH21よりも高速に駆動する。これにより、
ハンドH21の駆動中に基板Sが脱落することがなく、
また、基板を安定に保持できるハンドH22は高速に駆
動されるので、基板の搬送タクトを短縮できる。ハンド
H21を低速に動かす必要があるのは、ハンドH21が
基板を保持している場合だけであるので、ホットプレー
ト41から基板を搬出するためにハンドH21をホット
プレート41に向かって前進させる時には、ハンドH2
1を高速に移動してもよい。The larger the contact area with the substrate, the more stable the holding of the substrate. Therefore, a control device (not shown) for controlling the operation of the transfer robot TR2 includes the hand H22.
Is driven at a higher speed than the hand H21. This allows
The substrate S does not fall off during the driving of the hand H21,
In addition, the hand H22 that can stably hold the substrate is driven at a high speed, so that the transfer tact of the substrate can be reduced. Since the hand H21 needs to be moved at a low speed only when the hand H21 is holding the substrate, when the hand H21 is advanced toward the hot plate 41 to carry out the substrate from the hot plate 41, Hand H2
1 may be moved at high speed.
【0057】デハイドベーク処理部2およびポストベー
ク処理部7に関連して設けられた搬送ロボットTR1,
TR3は、上記の搬送ロボットTR2と同様の構成を有
している。ただし、搬送ロボットTR1,TR2のハン
ドH11,H12;H31,H32の各上面に設けられ
た吸着パッドおよび支持パッドは、搬送ロボットTR2
のハンドH22と同様に、ハンドH21の支持パッドの
接触部の線幅よりも大きく、例えばここでは2mm以上
の線幅で基板Sの下面に線状に接触する基板接触部をそ
れぞれ有している。したがって、ハンドH11,H1
2;H31,H32は、搬送ロボットTR2のハンドH
22の場合と同様、ハンドH21によってホットプレー
ト41から処理済の基板を搬出する時の速さよりも、高
速に駆動されるようになっている。こうして、搬送タク
トの短縮が図られている。The transfer robots TR 1 and TR 1 provided in association with the dehydration bake processing unit 2 and the post bake processing unit 7
TR3 has the same configuration as the transfer robot TR2 described above. However, the suction pads and the support pads provided on the upper surfaces of the hands H11 and H12 of the transfer robots TR1 and TR2;
Like the hand H22, each of the hand H21 has a substrate contact portion that is larger than the line width of the contact portion of the support pad, for example, has a line width of 2 mm or more and linearly contacts the lower surface of the substrate S. . Therefore, the hands H11, H1
2; H31 and H32 are the hands H of the transfer robot TR2.
As in the case of 22, the substrate is driven at a higher speed than when the processed substrate is unloaded from the hot plate 41 by the hand H21. In this way, the transfer tact is shortened.
【0058】以上のように、この実施形態の基板処理装
置によれば、プリベーク処理部4のホットプレート41
から処理済の基板を搬出するためのハンドH21には、
2mm以下の線幅で基板の下面に線接触する吸着パッド
P1〜P4および支持パッドPs1,Ps2が備えられ
ている。このようなハンドH21は、したがって、ホッ
トプレート41での加熱処理後の高温になった基板との
間で、大量の熱量を交換することがない。そのため、基
板に対して不所望な熱影響を及ぼすことがない。具体的
には、露光および現像処理後のレジストに、不所望なム
ラが生じることがない。As described above, according to the substrate processing apparatus of this embodiment, the hot plate 41 of the pre-bake processing section 4
The hand H21 for unloading the processed substrate from
The suction pads P1 to P4 and the support pads Ps1 and Ps2 that are in line contact with the lower surface of the substrate with a line width of 2 mm or less are provided. Accordingly, such a hand H21 does not exchange a large amount of heat with the substrate that has become hot after the heat treatment on the hot plate 41. Therefore, there is no undesired thermal effect on the substrate. Specifically, undesired unevenness does not occur in the resist after the exposure and the development processing.
【0059】次に、ホットプレート41からの基板の搬
出のために用いられるハンドH21の改良につき、図6
を参照して説明する。ハンドH21は、腕部61,62
の先端部からホットプレート41(熱処理部)の処理室
51内に入り、リフトピン53によって基板受け渡し高
さ(図5の二点鎖線位置)まで持ち上げられた基板Sの
下方に入り込む。そして、リフトピン53から基板Sを
受け取った後、その基端部側から処理室51外に退出す
る。したがって、吸着パッドP1〜P4および支持パッ
ドPs1,Ps2は、ハンド11のホットプレート41
に対する進退方向前方側のものほど、処理室51の内部
における滞在時間が長い。そのため、進退方向前方側に
位置する吸着パッドまたは支持パッドほど、処理室51
内で熱量を受けるから、基板Sとの温度差が少なくな
る。Next, an improvement of the hand H21 used for carrying out the substrate from the hot plate 41 will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. The hand H21 has arms 61 and 62
Of the hot plate 41 (heat treatment section) from the front end of the substrate S, and enters the lower part of the substrate S lifted to the substrate transfer height (the position indicated by the two-dot chain line in FIG. 5) by the lift pins 53. Then, after receiving the substrate S from the lift pins 53, the substrate S is withdrawn from the processing chamber 51 from the base end side. Therefore, the suction pads P1 to P4 and the support pads Ps1 and Ps2 are
, The staying time in the processing chamber 51 is longer in the forward and backward directions. Therefore, the suction pad or the support pad located on the front side in the reciprocating direction is closer to the processing chamber 51.
Since the heat is received in the inside, the temperature difference from the substrate S is reduced.
【0060】そこで、ハンドH21上において、進退方
向前方側(腕部61,62の先端側)ほど、吸着パッド
または支持パッドの基板に対する接触面積を大きくする
ことが好ましい。具体的には、吸着パッドP1,P3の
基板接触部の線幅をLAとし、支持パッドPs1,Ps
2の基板接触部の線幅をLBとし、吸着パッドP2,P
4の基板接触部における接触線幅をLCとすると、LA
>LB>LCなる関係が成立するように、各接触部の線
幅が定められることが好ましい。これによって、接触線
幅の大きな吸着パッドP1,P3により、基板の保持を
安定に行えるとともに、接触線幅の小さな吸着パッドP
2,P4と基板との間での熱交換を抑制することができ
る。この構成により、ハンドH21を高速に移動させて
も基板がハンドH21から脱落したりすることがなく、
かつ、ハンドH21と基板との間で多量の熱交換が生じ
ることもない。Therefore, on the hand H21, it is preferable that the contact area of the suction pad or the support pad with respect to the substrate is increased toward the front side in the reciprocation direction (the end side of the arms 61 and 62). Specifically, the line width of the substrate contact portion of the suction pads P1, P3 is LA, and the support pads Ps1, Ps
2, the line width of the substrate contact portion is LB, and the suction pads P2, P
Assuming that the contact line width at the substrate contact portion of No. 4 is LC, LA
It is preferable that the line width of each contact portion is determined so that the relationship>LB> LC is satisfied. Thus, the suction pads P1 and P3 having a large contact line width can stably hold the substrate, and the suction pads P having a small contact line width.
2, heat exchange between P4 and the substrate can be suppressed. With this configuration, even if the hand H21 is moved at a high speed, the substrate does not fall off the hand H21,
Further, a large amount of heat exchange does not occur between the hand H21 and the substrate.
【0061】上述の線幅LA,LB,LCは、いずれも
2mm以下であってもよいが、たとえば、線幅LAのみ
(または線幅LAおよびLB)については、線幅LCよ
りも大きく、例えば2mmよりも大きく定め、線幅LB
およびLCに関して(または線幅LCのみ)は、2mm
以下としてもよい。図9は、吸着パッドP1〜P4に代
えて適用することができる吸着パッドの構成例を示す斜
視図である。図9(A)の吸着パッドは、矩形板状の本
体部65上に、平面視において矩形状の周壁部661を
形成し、その内方に吸着口67を形成して構成されてい
る。周壁部661の頂面は、基板の下面に2mm以下
(好ましくは0.1mm以上1.0mm以下、より好ま
しくは0.5mm以上、1.0mm以下)の線幅で線接
触する基板接触部661Aを形成している。この基板接
触部661Aが基板の下面に接触した状態では、矩形周
壁部661の内部空間は、気密室となる。したがって、
吸着口67を介する排気により、基板を吸着して保持す
ることができる。Each of the line widths LA, LB, and LC may be 2 mm or less. For example, only the line width LA (or the line widths LA and LB) is larger than the line width LC. Determined to be larger than 2mm, line width LB
And LC (or line width LC only) is 2 mm
The following may be used. FIG. 9 is a perspective view showing a configuration example of a suction pad that can be applied instead of the suction pads P1 to P4. The suction pad of FIG. 9A is configured such that a rectangular peripheral wall 661 is formed on a rectangular plate-shaped main body 65 in a plan view, and a suction port 67 is formed inside the peripheral wall 661. The top surface of the peripheral wall portion 661 is in contact with the lower surface of the substrate at a line width of 2 mm or less (preferably 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, more preferably 0.5 mm or more and 1.0 mm or less). Is formed. When the substrate contact portion 661A contacts the lower surface of the substrate, the internal space of the rectangular peripheral wall portion 661 becomes an airtight chamber. Therefore,
By exhausting through the suction port 67, the substrate can be sucked and held.
【0062】図9(B)に示されている吸着パッドは、
平面視においてほぼ円形の周壁部66の内方において複
数の吸着口671を形成した例である。図10は、支持
パッドPs1,Ps2に代えて用いることができる支持
パッドの構成を示す斜視図である。図10(A)には、
直線状の基板接触部761aをそれぞれ有する4個の壁
状部材761を、矩形板状の本体部75の表面に配置し
た構成の支持パッドが示されている。4個の壁状部材7
61は、平面視において、一対が一直線上に配置され、
他の一対がそれらとほぼ直交するように交差する一直線
上に配置されている。換言すれば、4個の壁状部材76
1は、ほぼ十字形をなすように本体部65上に設けられ
ている。基板接触部761aは、線幅が2mm(好まし
くは0.1mm以上1.0mm以下、より好ましくは
0.5mm以上、1.0mm以下)とされている。この
構成によって、基板を下面から安定に支持できるととも
に、基板との間に大きな熱交換が生じることを防止でき
る。The suction pad shown in FIG.
This is an example in which a plurality of suction ports 671 are formed inside a substantially circular peripheral wall portion 66 in plan view. FIG. 10 is a perspective view showing a configuration of a support pad that can be used in place of the support pads Ps1 and Ps2. In FIG. 10A,
A support pad having a configuration in which four wall-shaped members 761 each having a linear substrate contact portion 761a are arranged on the surface of a rectangular plate-shaped main body 75 is shown. Four wall members 7
61, a pair is arranged on a straight line in plan view,
The other pair is arranged on a straight line that intersects substantially orthogonally to them. In other words, the four wall-like members 76
1 is provided on the main body 65 so as to form a substantially cross shape. The substrate contact portion 761a has a line width of 2 mm (preferably 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, more preferably 0.5 mm or more and 1.0 mm or less). With this configuration, the substrate can be stably supported from the lower surface, and large heat exchange with the substrate can be prevented.
【0063】図10(B)に示された支持パッドは、1
つの円周囲に沿うようにリング状に配置された複数個
(この実施形態では5個)の円弧状壁状部材762を、
本体部75上に備えている。各円弧状壁状部材762の
頂面762aは、線幅2mm以下(好ましくは0.1m
m以上1.0mm以下、より好ましくは0.5mm以
上、1.0mm以下)の線幅で、基板の下面に線接触す
るように構成されている。この構成によって、基板を安
定に支持でき、かつ基板と支持パッドとの間での大量の
熱交換が生じることがない。The support pad shown in FIG.
A plurality of (five in this embodiment) arc-shaped wall-shaped members 762 arranged in a ring shape along the circumference of one circle
It is provided on the main body 75. The top surface 762a of each arc-shaped wall member 762 has a line width of 2 mm or less (preferably 0.1 m
It is configured to have a line width of not less than m and not more than 1.0 mm, more preferably not less than 0.5 mm and not more than 1.0 mm) so as to make line contact with the lower surface of the substrate. With this configuration, the substrate can be stably supported, and a large amount of heat exchange does not occur between the substrate and the support pad.
【0064】円周状に配置される円弧状壁状部材762
の個数は、図10(B)の例よりも少なくてもよいし、
多くてもよい。図10(C)には、図10(B)の場合
よりも多数の円弧状壁状部材762を、1つの円周に沿
ってリング状に配列した例が示されている。吸着パッド
P1〜P4および支持パッドPs1,Ps2ならびに上
記図9および図10に示された各パッドは、少なくとも
基板の下面に接触する基板接触部が、熱伝導率が低い材
料で構成されていることが好ましい。このような材料に
は、樹脂、セラミック材、樹脂およびセラミック材の複
合材利用、ゴムおよび金属を積層した熱遮断効果のある
複合材料、樹脂と金属の積層された複合材料を例示する
ことができる。具体的には、次のようなものを例示でき
る。An arc-shaped wall-shaped member 762 arranged circumferentially
May be smaller than the example of FIG.
May be more. FIG. 10C shows an example in which a larger number of arc-shaped wall members 762 are arranged in a ring along one circumference than in the case of FIG. 10B. In the suction pads P1 to P4, the support pads Ps1 and Ps2, and each of the pads shown in FIGS. 9 and 10, at least the substrate contact portion that contacts the lower surface of the substrate is made of a material having low thermal conductivity. Is preferred. Examples of such a material include a resin, a ceramic material, use of a composite material of a resin and a ceramic material, a composite material having a heat blocking effect in which rubber and metal are laminated, and a composite material in which resin and metal are laminated. . Specifically, the following can be exemplified.
【0065】(a)PEEK(Poly ether e
ther ketone) (b)MCナイロン(Mono Cast Nylon) (c)PI樹脂(Polyimide樹脂) (d)フッ素樹脂 (e)PP(Polypropylene) (f)PE(Polyethylene) (g)UPE(ultra high molecula
r weight Polyethylene) (h)HDPE(high density Polye
thylene) (i)PPS(Poly Phenylene Sulf
ide) (j)セラミック(アルミナ、ジルコニア等) (k)GFRP(Glass Fiber Reinfo
rced Plastics) (l)CFRP(Carbon Fiber Reinf
orced Plastics) (m)ゴム、樹脂等の熱伝導率の悪い接触部と、金属
(SUS、アルミニウム等)等の耐久性があり、比較的
熱伝導率の悪いものからなる本体との複合材料 また、熱伝導率を例示すると以下の通りである。(単
位:W/(m・K)) PEEK 0.25 MCナイロン 0.23 PI樹脂 0.87 GFRP 0.38 図11は、搬送ロボットTR1,TR2,TR3のハン
ドH11,H12;H21,H22;H31,H32と
して使用可能なハンドの他の構成例を示す斜視図であ
る。このハンドHは、ハンドHの進退方向に沿って平行
に延びた3本の腕部91,92,93を備えている。外
側の一対の腕部91,93は、中央の腕部92よりも長
く形成されている。この外側の一対の腕部91,93に
は、その先端部および基端部に、基板Sの端面を規制し
つつ、その下面の縁部を支持する基板規制部材101,
102,103,104が上面に固定されている。一
方、中央の腕部91の先端には、基板Sの裏面に接触し
て、この基板Sの下面を吸着保持する吸着パッド105
が設けられている。この吸着パッド105の構成は、上
述の吸着パッドP1〜P4の構成と同様である。(A) PEEK (Poly ether e)
(b) MC nylon (Mono Cast Nylon) (c) PI resin (Polyimide resin) (d) Fluororesin (e) PP (Polypropylene) (f) PE (Polyethylene) (g) UPE (ultra high molecular)
r weight Polyethylene (h) HDPE (high density Polye)
(ylene) (i) PPS (Poly Phenylene Sulf)
(j) Ceramic (alumina, zirconia, etc.) (k) GFRP (Glass Fiber Reinfo)
rced Plastics) (l) CFRP (Carbon Fiber Reinf)
(orced Plastics) (m) A composite material of a contact portion having low thermal conductivity such as rubber and resin and a durable body such as metal (SUS, aluminum, etc.) made of a material having relatively low thermal conductivity. And the thermal conductivity are as follows. (Unit: W / (m · K)) PEEK 0.25 MC nylon 0.23 PI resin 0.87 GFRP 0.38 FIG. 11 shows the hands H11, H12; H21, H22 of the transfer robots TR1, TR2, TR3; It is a perspective view showing other examples of composition of a hand which can be used as H31 and H32. The hand H includes three arms 91, 92, and 93 extending in parallel along the direction in which the hand H moves. The pair of outer arms 91 and 93 are formed longer than the central arm 92. The pair of outer arms 91 and 93 have, at the distal end and the proximal end thereof, a substrate regulating member 101 that regulates the end surface of the substrate S and supports the edge of the lower surface thereof.
102, 103, 104 are fixed on the upper surface. On the other hand, the tip of the central arm portion 91 is provided with a suction pad 105 which is in contact with the back surface of the substrate S and suction-holds the lower surface of the substrate S.
Is provided. The configuration of the suction pad 105 is the same as the configuration of the suction pads P1 to P4 described above.
【0066】特に、搬送ロボットTR2において、ホッ
トプレート41から処理後の基板を搬出するために用い
られるハンドH21に、この図11に示されたハンドH
が適用されるときには、吸着パッド105は、基板Sの
裏面に接触する基板接触部の線幅が2mm以下(好まし
くは0.1mm以上1.0mm以下、より好ましくは
0.5mm以上、1.0mm以下)のものであることが
好ましい。無論、吸着パッド105には、図9(A)ま
たは図9(B)に示された構成の吸着パッドを適用する
こともできる。Particularly, in the transfer robot TR2, the hand H21 shown in FIG. 11 is used for unloading the processed substrate from the hot plate 41.
Is applied, the suction pad 105 has a line width of 2 mm or less (preferably 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, more preferably 0.5 mm or more and 1.0 mm or less) of the substrate contact portion that contacts the back surface of the substrate S. The following is preferred. Needless to say, a suction pad having a structure shown in FIG. 9A or 9B can be applied to the suction pad 105.
【0067】図12は、塗布処理部3の他の構成例を示
す図解図である。上述の実施形態では、コータ処理部3
1によってレジストを塗布し、その後に簡易乾燥処理部
32によりレジストの簡易乾燥を行った後に、基板の端
面の洗浄を端面洗浄処理部33で行うようにしている。
これに対して、図12に示された例では、端面洗浄処理
と簡易乾燥処理との順序が逆転されている。また、図1
3には、塗布処理部3のさらに他の構成例が示されてい
る。この図13の構成では、端面洗浄処理が省かれてい
る。FIG. 12 is an illustrative view showing another configuration example of the coating processing section 3. In the above embodiment, the coater processing unit 3
After applying a resist by 1 and then performing simple drying of the resist by a simple drying processing unit 32, cleaning of the end surface of the substrate is performed by an end surface cleaning processing unit 33.
On the other hand, in the example shown in FIG. 12, the order of the end face cleaning process and the simple drying process is reversed. FIG.
FIG. 3 shows still another configuration example of the coating processing unit 3. In the configuration of FIG. 13, the end face cleaning process is omitted.
【0068】この他、塗布処理部3において、必ずしも
簡易乾燥処理が行われる必要はないので、塗布処理部3
を、コータ処理部31のみで構成することとしてもよ
い。図14は、プリベーク処理部4の他の構成例を示す
図解図である。上述の実施形態では、熱処理部が多段に
構成される例について説明したが、熱処理部を平面的に
配置して、基板を順送り的に処理する、いわゆる平流し
ベーク処理部に対しても、この発明を適用することがで
きる。すなわち、図14に示された平流しベーク処理部
200は、順に配置されたホットプレート201,20
2,203およびクールプレート204を備えている。
そして、少なくともホットプレート201、202、2
03はそれぞれ、筐体に収容されている。入口コンベア
205から、ホットプレート201へと、レジストが表
面に塗布された未露光の基板が搬入される。そして、専
用搬送機構によって、一定時間毎に、ホットプレート2
01,202,203およびクールプレート204へと
基板が順送りされていく。そして、クールプレート20
4から出口コンベア206へと基板が受け渡されて、こ
の出口コンベア206から、露光部に向けて基板が払い
出される。In addition, since the simple drying process does not necessarily need to be performed in the coating processing unit 3, the coating processing unit 3
May be constituted only by the coater processing unit 31. FIG. 14 is an illustrative view showing another configuration example of the pre-bake processing unit 4. In the above-described embodiment, an example in which the heat treatment unit is configured in multiple stages has been described. However, the heat treatment unit is arranged in a plane, and the substrate is processed progressively. The invention can be applied. That is, the flat bake processing unit 200 shown in FIG.
2, 203 and a cool plate 204.
Then, at least hot plates 201, 202, and 2
03 are respectively housed in a housing. An unexposed substrate having a resist applied to its surface is carried into the hot plate 201 from the entrance conveyor 205. Then, the hot plate 2 is moved at regular intervals by a dedicated transport mechanism.
The substrates are sequentially fed to 01, 202, 203 and the cool plate 204. And cool plate 20
The substrate is transferred from the fourth conveyor to the exit conveyor 206, and the substrate is discharged from the exit conveyor 206 toward the exposure unit.
【0069】図15は、ホットプレート201,202
間、ホットプレート202,203間、ならびにホット
プレート203およびクールプレート204間にそれぞ
れ設けられ、それらの間での基板の搬送のために使用さ
れる専用搬送機構の構成を簡略化して示す平面図であ
る。たとえば角形の基板Sの相対向する一対の辺の外方
側に、鉛直軸線回りに揺動する揺動アーム210が、4
個備えられている。この揺動アーム210の先端の上面
には、基板Sの下面を吸着保持するための吸着パッド2
11が設けられている。揺動アーム210をそれぞれ回
動させて、吸着パッド211を基板Sの四隅の裏面に対
向させ、その状態で揺動アーム210を上昇させること
により、基板Sが保持される。4本の揺動アーム210
は、矢印212方向に沿って一体的に移動可能であり、
これによって、ホットプレート201,202間、20
2,203間,ならびにホットプレート203およびク
ールプレート204の間で、基板を搬送する。FIG. 15 shows hot plates 201 and 202.
FIG. 2 is a plan view schematically showing a configuration of a dedicated transfer mechanism provided between the hot plate 202 and the hot plate 202 and between the hot plate 203 and the cool plate 204 and used for transferring a substrate therebetween. is there. For example, on the outer side of a pair of opposing sides of the rectangular substrate S, a swing arm 210 swinging around a vertical axis is provided.
Are provided. A suction pad 2 for holding the lower surface of the substrate S by suction is provided on the upper surface of the tip of the swing arm 210.
11 are provided. The substrate S is held by rotating the swing arms 210 so that the suction pads 211 face the back surfaces of the four corners of the substrate S, and raising the swing arm 210 in this state. Four swing arms 210
Is integrally movable along the arrow 212 direction,
Thereby, between the hot plates 201 and 202, 20
The substrate is transported between the substrates 2 and 203 and between the hot plate 203 and the cool plate 204.
【0070】ホットプレート203からクールプレート
204へと基板Sを搬送する専用搬送機構においては、
吸着パッド211は、基板Sの下面に接触する基板接触
部が、線幅2mm以下(好ましくは0.1mm以上1.
0mm以下、より好ましくは0.5mm以上、1.0m
m以下)で、基板の下面に線接触するものである。すな
わち、吸着パッド211は、上述の吸着パッドP1〜P
4または図9(A)または(B)に示された構成を有す
るものである。したがって、ホットプレート203から
クールプレート204へと基板Sを搬出する際に、専用
搬送機構と基板Sとの間で、大量の熱交換が生じること
がない。In a dedicated transfer mechanism for transferring the substrate S from the hot plate 203 to the cool plate 204,
The suction pad 211 has a line width of 2 mm or less (preferably 0.1 mm or more.
0 mm or less, more preferably 0.5 mm or more, 1.0 m
m or less) in line contact with the lower surface of the substrate. That is, the suction pads 211 correspond to the suction pads P1 to P described above.
4 or 9 (A) or (B). Therefore, when unloading the substrate S from the hot plate 203 to the cool plate 204, a large amount of heat exchange does not occur between the dedicated transfer mechanism and the substrate S.
【0071】また、ホットプレート203が収容されて
いる筐体とクールプレート204との間で前記専用搬送
機構が往復移動するが、該筐体から該専用搬送機構が退
出するときは吸着パッドのグループaの方が吸着パッド
211のグループbよりも時間的に後に筐体から退出す
る。その逆に前記筐体に専用搬送機構が進入するときは
吸着パッドのグループaの方が吸着パッド211のグル
ープbよりも先に筐体に進入している。このため、ホッ
トプレート203寄りに位置する一対の吸着パッド21
1のグループaは、クールプレート204側に位置する
一対の吸着パッド211のグループbよりも、ホットプ
レート203からの熱量を多く受ける。そこで、グルー
プaの吸着パッド211の基板接触部の線幅Laは、グ
ループbの基板吸着パッド211における基板接触部の
線幅Lbよりも大きく定められることが好ましい。この
場合、線幅Laは、線幅Lbよりも大きく、また、2m
mよりも大きくてもよい。このような構成により、ホッ
トプレート203からクールプレート204への基板の
搬送を安定して行うことができるとともに、基板Sと専
用搬送機構との間で大きな熱交換が生じることを防止で
きる。The exclusive transfer mechanism reciprocates between the housing in which the hot plate 203 is accommodated and the cool plate 204. When the exclusive transfer mechanism exits from the housing, a group of suction pads is used. “a” retreats from the housing later in time than the group “b” of the suction pads 211. Conversely, when the dedicated transport mechanism enters the housing, the suction pad group a enters the housing before the suction pad 211 group b. Therefore, a pair of suction pads 21 located near the hot plate 203
One group a receives more heat from the hot plate 203 than the group b of the pair of suction pads 211 located on the cool plate 204 side. Therefore, it is preferable that the line width La of the substrate contact portion of the suction pad 211 of the group a is set to be larger than the line width Lb of the substrate contact portion of the substrate suction pad 211 of the group b. In this case, the line width La is larger than the line width Lb, and 2 m
It may be larger than m. With such a configuration, the transfer of the substrate from the hot plate 203 to the cool plate 204 can be stably performed, and a large heat exchange between the substrate S and the dedicated transfer mechanism can be prevented.
【0072】なお、吸着パッド211に代えて、基板S
の裏面に接触して、基板Sを支持する支持パッドが用い
られてもよい。このような支持パッドは、上述の支持パ
ッドPs1,Ps2のような構成を有することもできる
し、図10に示された構成を有することもできる。な
お、図1の基板処理システムは具体的には洗浄処理部
1、デハイドベーク処理部2、塗布処理部3、プリベー
ク処理部4、現像処理部6、ポストベーク処理部7の各
処理部を有する基板処理装置と、露光処理部5を有する
露光装置とがそれぞれ存在し、仲介搬送装置により接続
されているが以下のようにしてもよい。It should be noted that instead of the suction pad 211, the substrate S
A support pad that supports the substrate S in contact with the back surface of the substrate S may be used. Such a support pad may have a configuration like the above-described support pads Ps1 and Ps2, or may have a configuration shown in FIG. The substrate processing system shown in FIG. 1 specifically includes a substrate having each processing unit of a cleaning processing unit 1, a dehydration baking processing unit 2, a coating processing unit 3, a pre-baking processing unit 4, a developing processing unit 6, and a post-baking processing unit 7. There are a processing device and an exposure device having an exposure processing unit 5, each of which is connected by an intermediate transfer device.
【0073】図16のように洗浄処理部1、デハイドベ
ーク処理部2、塗布処理部3、プリベーク処理部4を有
する第1基板処理装置811と、露光処理部5を有する
露光装置812と、現像処理部6、ポストベーク処理部
7を有する第2基板処理装置813と、第1基板処理装
置811と露光装置812との間で基板を搬送する第1
仲介搬送装置814と、第2基板処理装置813と露光
装置812との間で基板を搬送する第2仲介搬送装置8
15とを有する基板処理システム810である。As shown in FIG. 16, a first substrate processing apparatus 811 having a cleaning processing unit 1, a dehydration baking processing unit 2, a coating processing unit 3, and a pre-baking processing unit 4, an exposure apparatus 812 having an exposure processing unit 5, and a developing process A second substrate processing apparatus 813 having a unit 6 and a post-bake processing unit 7, and a first substrate processing apparatus for transporting a substrate between the first substrate processing apparatus 811 and the exposure apparatus 812.
An intermediary transport device 814, and a second intermediary transport device 8 that transports the substrate between the second substrate processing device 813 and the exposure device 812.
15 is a substrate processing system 810.
【0074】この場合は第1基板処理装置811のプリ
ベーク処理部4において、搬送ロボットTR2が適用さ
れている。図17のように、洗浄処理部1、デハイドベ
ーク処理部2、塗布処理部3、プリベーク処理部4を有
する第1基板処理装置821と、露光処理部5、現像処
理部6、ポストベーク処理部7を有する第3基板処理装
置822と、第1基板処理装置821と第3基板処理装
置822との間で基板を搬送する第3仲介搬送装置82
3とを有する基板処理システム820としてもよい。In this case, the transport robot TR2 is applied in the pre-bake processing section 4 of the first substrate processing apparatus 811. As shown in FIG. 17, a first substrate processing apparatus 821 including a cleaning processing unit 1, a dehydration baking processing unit 2, a coating processing unit 3, and a pre-baking processing unit 4, an exposure processing unit 5, a developing processing unit 6, and a post-baking processing unit 7. A third substrate processing apparatus 822 having a first substrate processing apparatus 821 and a third intermediate transport apparatus 82 for transporting a substrate between the first substrate processing apparatus 821 and the third substrate processing apparatus 822.
3 may be provided as the substrate processing system 820.
【0075】この場合も第1基板処理装置のプリベーク
処理部4において、搬送ロボットTR2が適用されてい
る。図18のように洗浄処理部1、デハイドベーク処理
部2、塗布処理部3、プリベーク処理部4を有する第1
基板処理装置831と、露光処理部5を有する露光装置
832と、現像処理部6、ポストベーク処理部7を有す
る第2基板処理装置833と、第1基板処理装置831
と露光装置832との間で基板を搬送するとともに、第
2基板処理装置833と露光装置832との間で基板を
搬送する第4仲介搬送装置834とを有する基板処理シ
ステム830である。Also in this case, the transfer robot TR2 is applied in the pre-bake processing section 4 of the first substrate processing apparatus. As shown in FIG. 18, a first processing unit having a cleaning processing unit 1, a dehydration baking processing unit 2, a coating processing unit 3, and a pre-baking processing unit 4
A substrate processing apparatus 831; an exposure apparatus 832 having an exposure processing section 5; a second substrate processing apparatus 833 having a development processing section 6 and a post-bake processing section 7;
The substrate processing system 830 includes a fourth intermediate transfer device 834 that transfers a substrate between the second substrate processing device 833 and the exposure device 832, while transferring a substrate between the second substrate processing device 833 and the exposure device 832.
【0076】この第4仲介搬送装置834はプリベーク
4から基板を受け取り、受け取った基板を露光装置53
2に渡す。また露光装置532で露光処理が施された基
板を現像処理部6に渡す。この場合も第1基板処理装置
のプリベーク処理部4において、搬送ロボットTR2が
適用されている。以上、この発明のいくつかの実施形態
について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施
することもできる。たとえば、上記の実施形態では、基
板支持パッドが、平面視において十字形またはリング形
に形成されているが、他の任意の二次元形状が採用され
てもよい。また、二次元形状に限らず、一直線状(一次
元形状)の1つの壁状部材で基板の裏面を支持するよう
にしてもよい。The fourth intermediary transport device 834 receives the substrate from the pre-bake 4, and transfers the received substrate to the exposure device 53.
Hand over to 2. The substrate that has been subjected to the exposure processing by the exposure device 532 is transferred to the development processing unit 6. Also in this case, the transfer robot TR2 is applied in the pre-bake processing unit 4 of the first substrate processing apparatus. While some embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above embodiment, the substrate support pad is formed in a cross shape or a ring shape in plan view, but any other two-dimensional shape may be adopted. Further, the rear surface of the substrate may be supported by a single linear (one-dimensional) wall-shaped member instead of the two-dimensional shape.
【0077】吸着パッドの構成についても同様であり、
円形リング状または矩形リング状以外にも、任意の形状
の周壁部を有するものを採用することができる。その
他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設
計変更を施すことが可能である。The same applies to the structure of the suction pad.
In addition to the circular ring shape or the rectangular ring shape, one having a peripheral wall portion of any shape can be adopted. In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す図解図である。FIG. 1 is an illustrative view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
【図2】塗布処理部およびプリベーク処理部の詳細な構
成を説明するための図解図である。FIG. 2 is an illustrative view for explaining a detailed configuration of a coating processing unit and a pre-bake processing unit;
【図3】搬送ロボットに共通する構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration common to a transfer robot.
【図4】プリベーク処理部の構成例を示す断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a pre-bake processing unit.
【図5】熱処理部の詳細な構成を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a detailed configuration of a heat treatment unit.
【図6】ハンドの構成例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a configuration example of a hand.
【図7】吸着パッドの構成例を説明するための斜視図で
ある。FIG. 7 is a perspective view illustrating a configuration example of a suction pad.
【図8】支持パッドの構成例を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view illustrating a configuration example of a support pad.
【図9】図7の吸着パッドに代えて適用することができ
る吸着パッドの構成例を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a configuration example of a suction pad that can be applied instead of the suction pad of FIG. 7;
【図10】図8の支持パッドに代えて用いることができ
る支持パッドの構成を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view illustrating a configuration of a support pad that can be used in place of the support pad of FIG.
【図11】搬送ロボットのハンドの他の構成例を示す斜
視図である。FIG. 11 is a perspective view showing another configuration example of the hand of the transfer robot.
【図12】塗布処理部の他の構成例を示す図解図であ
る。FIG. 12 is an illustrative view showing another configuration example of the coating processing unit;
【図13】塗布処理部のさらに他の構成例を示す図解図
である。FIG. 13 is an illustrative view showing still another configuration example of the coating processing unit;
【図14】プリベーク処理部の他の構成例を示す図解図
である。FIG. 14 is an illustrative view showing another configuration example of the pre-bake processing unit;
【図15】平流しベーク処理部の専用搬送機構の構成を
簡略化して示す平面図である。FIG. 15 is a simplified plan view showing a configuration of a dedicated transfer mechanism of a flat bake processing unit.
【図16】第1基板処理装置および第2基板処理装置を
第1および第2仲介搬送装置を介して行う基板処理装置
の構成例を示す図解図である。FIG. 16 is an illustrative view showing a configuration example of a substrate processing apparatus that performs a first substrate processing apparatus and a second substrate processing apparatus via first and second intermediary transfer apparatuses.
【図17】第1基板処理装置および第3基板処理装置を
第3仲介搬送装置を介して行う基板処理装置の構成例を
示す図解図である。FIG. 17 is an illustrative view showing a configuration example of a substrate processing apparatus that performs a first substrate processing apparatus and a third substrate processing apparatus via a third intermediary transfer device.
【図18】第1基板処理装置および第2基板処理装置を
第4仲介搬送装置を介して行う基板処理装置のさらに他
の構成例を示す図解図である。FIG. 18 is an illustrative view showing still another configuration example of the substrate processing apparatus that performs the first substrate processing apparatus and the second substrate processing apparatus via a fourth intermediary transfer device.
【図19】レジスト塗布工程から現像工程までを実行す
るための基板処理装置の構成例を示す図解図である。FIG. 19 is an illustrative view showing a configuration example of a substrate processing apparatus for performing a process from a resist coating process to a developing process;
【図20】基板処理装置の他の構成例を示す図解図であ
る。FIG. 20 is an illustrative view showing another configuration example of the substrate processing apparatus;
1 洗浄処理部 2 デハイドベーク処理部 3 塗布処理部 4 プリベーク処理部 5 露光処理部 6 現像処理部 7 ポストベーク処理部 21 ホットプレート 22 クールプレート 31 コータ処理部 32 簡易乾燥処理部 33 端面洗浄処理部 41 ホットプレート 42 クールプレート 45 熱処理部 46 搬送路 51 処理室 52 熱処理プレート 61,62 腕部 65 本体部 66 周壁部 66a 基板接触部 67 吸着口 67 吸着孔 71 ホットプレート 72 クールプレート 75 本体部 76 支持壁部 76a 基板接触部 91,92,93 腕部 101,102,103,104 基板規制部材 105 吸着パッド 200 ベーク処理部 201,202,203 ホットプレート 204 クールプレート 205 入口コンベア 206 出口コンベア 210 揺動アーム 211 基板吸着パッド 661 矩形周壁部 661A 基板接触部 671 吸着口 761 壁状部材 761a 基板接触部 762 円弧状壁状部材 762a 頂面 810,820,830 基板処理システム 811,821,831 第1基板処理装置 812,832 露光装置 813,833 第2基板処理装置 814 第1仲介搬送装置 815 第2仲介搬送装置 822 第3基板処理装置 823 第3仲介搬送装置 834 第4仲介搬送装置 H11,H21,H31,H12,H22,H32 ハ
ンド LA,LB,LC 線幅 Ps1,Ps2 支持パッド P1,P2,P3,P4 吸着パッド TR1,TR2,TR3 搬送ロボット S 基板DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning processing part 2 Dehydration baking processing part 3 Coating processing part 4 Prebaking processing part 5 Exposure processing part 6 Developing processing part 7 Post baking processing part 21 Hot plate 22 Cool plate 31 Coater processing part 32 Simple drying processing part 33 Edge cleaning processing part 41 Hot plate 42 Cool plate 45 Heat treatment unit 46 Transfer path 51 Processing chamber 52 Heat treatment plate 61, 62 Arm 65 Main unit 66 Peripheral wall 66a Substrate contact unit 67 Suction port 67 Suction hole 71 Hot plate 72 Cool plate 75 Main unit 76 Support wall Unit 76a Substrate contact unit 91, 92, 93 Arm unit 101, 102, 103, 104 Substrate regulating member 105 Suction pad 200 Bake processing unit 201, 202, 203 Hot plate 204 Cool plate 205 Inlet conveyor 206 Outlet conveyor 2 0 swing arm 211 substrate suction pad 661 rectangular peripheral wall portion 661A substrate contact portion 671 suction port 761 wall-shaped member 761a substrate contact portion 762 arc-shaped wall-shaped member 762a top surface 810,820,830 substrate processing system 811,821,831 1 substrate processing apparatus 812, 832 exposure apparatus 815, 833 second substrate processing apparatus 814 first intermediate transfer apparatus 815 second intermediate transfer apparatus 822 third substrate processing apparatus 823 third intermediate transfer apparatus 834 fourth intermediate transfer apparatus H11, H21 , H31, H12, H22, H32 Hand LA, LB, LC Line width Ps1, Ps2 Support pad P1, P2, P3, P4 Suction pad TR1, TR2, TR3 Transfer robot S Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 H01L 21/30 502J 562 Fターム(参考) 3C007 AS24 BT11 BT14 CY34 DS03 EV05 FT08 FT11 FU09 5F031 CA02 CA05 DA17 FA01 FA02 FA11 GA06 GA08 GA13 GA15 GA32 GA43 GA48 GA50 HA33 MA23 MA24 MA27 MA30 5F046 AA17 CD01 CD05 DA26 JA22 JA24 KA07 LA11 LA13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (reference) H01L 21/027 H01L 21/30 502J 562 F term (reference) 3C007 AS24 BT11 BT14 CY34 DS03 EV05 FT08 FT11 FU09 5F031 CA02 CA05 DA17 FA01 FA02 FA11 GA06 GA08 GA13 GA15 GA32 GA43 GA48 GA50 HA33 MA23 MA24 MA27 MA30 5F046 AA17 CD01 CD05 DA26 JA22 JA24 KA07 LA11 LA13
Claims (34)
材であって、 基板の下面に2mm以下の線幅で線接触する基板接触部
を有することを特徴とする基板支持部材。1. A substrate supporting member for supporting a substrate from a lower surface, the substrate supporting member having a substrate contact portion that makes line contact with a lower surface of the substrate with a line width of 2 mm or less.
を含むことを特徴とする請求項1記載の基板支持部材。2. The substrate supporting member according to claim 1, wherein said substrate contact portion includes a peripheral wall portion that is continuous in a peripheral shape.
により気密室を形成するものであることを特徴とする請
求項2記載の基板支持部材。3. The substrate supporting member according to claim 2, wherein the peripheral wall forms an airtight chamber by the peripheral wall and the lower surface of the substrate.
以下の線幅で基板の下面に線接触するものであることを
特徴とする請求項3記載の基板支持部材。4. The peripheral wall portion is 0.1 mm or more and 1.0 mm or more.
4. The substrate supporting member according to claim 3, wherein the substrate supporting member is in line contact with the lower surface of the substrate with the following line width.
の基板接触部の延在方向が交差していることを特徴とす
る請求項1記載の基板支持部材。5. The substrate supporting member according to claim 1, wherein a plurality of the substrate contact portions are provided, and the extending directions of the plurality of substrate contact portions intersect.
の材料で構成されていることを特徴とする請求項1ない
し5のいずれかに記載の基板支持部材。6. The substrate supporting member according to claim 1, wherein said substrate contact portion is made of a material having a thermal conductivity of a predetermined value or less.
含み、 上記基板搬送機構は、請求項1ないし6のいずれかに記
載の基板支持部材を有し、この基板支持部材で基板の下
面を支持することによって基板を保持するハンドと、上
記ハンドを上記処理部に対して移動させる駆動機構とを
備えていることを特徴とする基板処理装置。7. A processing unit for performing a process on a substrate, and a substrate transport mechanism for unloading the substrate from the processing unit, wherein the substrate transport mechanism according to any one of claims 1 to 6. A hand holding a substrate by supporting the lower surface of the substrate with the substrate supporting member; and a drive mechanism for moving the hand with respect to the processing unit. Substrate processing equipment.
理部を含むことを特徴とする請求項7記載の基板処理装
置。8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein said processing section includes a heat processing section for performing heat processing on the substrate.
された未露光の基板に対して加熱処理を施すものである
ことを特徴とする請求項8記載の基板処理装置。9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein said heat treatment section performs a heat treatment on an unexposed substrate having a resist applied on its upper surface.
形成される気密室内の気体を排気する排気手段をさらに
含むことを特徴とする請求項7ないし9のいずれかに記
載の基板処理装置。10. The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising exhaust means for exhausting gas in an airtight chamber formed between said substrate support member and a lower surface of the substrate. apparatus.
板に対して処理を施す第2処理部をさらに含み、 上記基板搬送機構である第1基板搬送機構の他に、上記
第2処理部から基板を搬出するための第2基板搬送機構
をさらに含み、 上記第2基板搬送機構は、基板の下面に対して上記基板
支持部材である第1基板支持部材以上の線幅で接触して
当該基板を支持する第2基板支持部材を有するハンド
と、このハンドを上記第2処理部に対して移動するため
の駆動機構とを備えていることを特徴とする請求項7な
いし10のいずれかに記載の基板処理装置。11. The apparatus further includes a second processing section for performing processing on a substrate in addition to the first processing section as the processing section, wherein the second processing section performs processing on the substrate. A second substrate transport mechanism for unloading the substrate from the processing unit, wherein the second substrate transport mechanism contacts the lower surface of the substrate with a line width equal to or greater than the first substrate support member that is the substrate support member. 11. The apparatus according to claim 7, further comprising: a hand having a second substrate supporting member for supporting the substrate, and a driving mechanism for moving the hand with respect to the second processing unit. The substrate processing apparatus according to any one of the above.
基板の下面を支持することによって基板を保持するハン
ド、および上記ハンドを上記処理部に対して進退移動さ
せる駆動機構を備え、上記処理部から基板を搬出する基
板搬送機構とを含み、 上記複数の基板支持部材は、上記ハンドの上記処理部に
対する進退方向に関して異なる位置に配置されており、
各基板支持部材と基板の下面との間の熱交換量が、上記
進退方向前方側から上記進退方向後方側に向かうに従っ
て少なくなるように定められていることを特徴とする基
板処理装置。12. A processing unit for processing a substrate, a plurality of substrate support members, and a hand for holding the substrate by supporting a lower surface of the substrate with the plurality of substrate support members; A driving mechanism for moving the substrate forward and backward with respect to the processing unit, and a substrate transport mechanism for unloading the substrate from the processing unit, wherein the plurality of substrate support members are at different positions with respect to the direction of advance and retreat of the hand with respect to the processing unit. Are located,
A substrate processing apparatus, wherein the amount of heat exchange between each substrate support member and the lower surface of the substrate is determined so as to decrease from the front side in the forward / backward direction to the rear side in the forward / backward direction.
処理部を含むことを特徴とする請求項12記載の基板処
理装置。13. The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein said processing section includes a heat processing section for performing heat processing on the substrate.
布された未露光の基板に対して加熱処理を施すものであ
ることを特徴とする請求項13記載の基板処理装置。14. The substrate processing apparatus according to claim 13, wherein said heat processing section performs heat processing on an unexposed substrate having a resist applied on its upper surface.
と接触する基板接触部をそれぞれ有し、各基板支持部材
の基板接触部と基板の下面と接触面積が、上記進退方向
前方側から上記進退方向後方側に向かうに従って少なく
なるように定められていることを特徴とする請求項12
ないし14のいずれかに記載の基板処理装置。15. A plurality of substrate support members each having a substrate contact portion that contacts a lower surface of a substrate, and a contact area between the substrate contact portion of each substrate support member and the lower surface of the substrate is defined from the front side in the advance / retreat direction. 13. The air conditioner according to claim 12, wherein the distance decreases toward the rear side in the forward / backward direction.
15. The substrate processing apparatus according to any one of items 14 to 14.
域で接触するものであり、各基板支持部材の基板接触部
の接触線幅が、上記進退方向前方側から上記進退方向後
方側に向かうに従って狭くなるように定められているこ
とを特徴とする請求項12ないし15のいずれかに記載
の基板処理装置。16. The substrate contact portion contacts the lower surface of the substrate in a linear region, and the contact line width of the substrate contact portion of each substrate supporting member is changed from the front side in the advance / retreat direction to the rear side in the advance / retreat direction. The substrate processing apparatus according to any one of claims 12 to 15, wherein the substrate processing apparatus is set so as to become narrower as going toward.
と接触する基板接触部をそれぞれ有し、各基板支持部材
の基板接触部の熱伝導率が、上記進退方向前方側から上
記進退方向後方側に向かうに従って小さくなるように定
められていることを特徴とする請求項12ないし16の
いずれかに記載の基板処理装置。17. A method according to claim 17, wherein each of said plurality of substrate support members has a substrate contact portion in contact with a lower surface of the substrate, and wherein a thermal conductivity of the substrate contact portion of each substrate support member is set such that a thermal conductivity of said substrate contact member from said forward / backward direction is forward. 17. The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the size of the substrate processing apparatus is set to be smaller toward a rear side.
板に対して処理を施す第2処理部をさらに含み、 上記基板搬送機構である第1基板搬送機構の他に、上記
第2処理部から基板を搬出するための第2基板搬送機構
をさらに含み、 上記第2基板搬送機構は、基板の下面に接触して当該基
板を支持する複数の基板支持部材を有するハンドと、こ
のハンドを上記第2処理部に対して進退移動させるため
の駆動機構とを備えており、 上記第2基板搬送機構に備えられた複数の基板支持部材
は、上記第2処理部に対する進退方向に関する位置によ
らずに、基板の裏面との間の熱交換量がほぼ等しく定め
られていることを特徴とする請求項12ないし17のい
ずれかに記載の基板処理装置。18. The apparatus according to claim 18, further comprising a second processing section for performing processing on the substrate in addition to the first processing section as the processing section, wherein the second processing section performs processing on the substrate. A second substrate transport mechanism for unloading the substrate from the second processing unit, wherein the second substrate transport mechanism has a plurality of substrate support members that contact the lower surface of the substrate and support the substrate; A drive mechanism for moving the hand forward and backward with respect to the second processing unit, wherein the plurality of substrate support members provided in the second substrate transport mechanism are positioned in the forward and backward directions with respect to the second processing unit. 18. The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the amount of heat exchange with the back surface of the substrate is set to be substantially equal regardless of the above.
記第2基板搬送機構の駆動機構によるハンドの移動速度
よりも遅い速度で上記ハンドを移動させるものであるこ
とを特徴とする請求項11または18記載の基板処理装
置。19. The driving mechanism of the first substrate transfer mechanism moves the hand at a speed lower than the moving speed of the hand by the drive mechanism of the second substrate transfer mechanism. 19. The substrate processing apparatus according to 11 or 18.
された未露光の基板を加熱するものであり、 上記第2処理部は第1処理部で加熱された基板を冷却す
るものであることを特徴とする請求項11、18および
19のうちのいずれかに記載の基板処理装置。20. The first processing section heats an unexposed substrate having a resist applied to the upper surface thereof, and the second processing section cools the substrate heated by the first processing section. The substrate processing apparatus according to any one of claims 11, 18, and 19, wherein:
トプレートを有し、 上記第2処理部は基板が載置されるクールプレートを有
することを特徴とする請求項20に記載の基板処理装
置。21. The apparatus according to claim 20, wherein the first processing section has a hot plate on which the substrate is placed, and the second processing section has a cool plate on which the substrate is placed. Substrate processing equipment.
ハイドベーク工程、レジスト塗布工程、プリベーク工
程、現像工程およびポストベーク工程を含むフォトリソ
グラフィプロセスのための基板処理を行うものであり、 上記第1処理部は、上記プリベーク工程を実行するもの
であり、 上記第2処理部は、上記デハイドベーク工程または上記
ポストベーク工程を実行するものであることを特徴とす
る請求項11、18および19のうちのいずれかに記載
の基板処理装置。22. A substrate processing apparatus for performing a substrate processing for a photolithography process including a substrate cleaning step, a dehydration baking step, a resist coating step, a pre-baking step, a developing step and a post-baking step. The processing unit executes the pre-bake process, and the second processing unit executes the dehydration bake process or the post-bake process. The substrate processing apparatus according to any one of the above.
装置とを有する基板処理システムであって、 露光装置はプリベーク工程が実行された基板を受け取
り、基板にパターンを露光し、露光が完了した基板を基
板処理装置に渡すことを特徴とする基板処理システム。23. A substrate processing system comprising the substrate processing apparatus and an exposure apparatus according to claim 22, wherein the exposure apparatus receives the substrate on which the pre-bake step has been performed, exposes a pattern on the substrate, and completes the exposure. A substrate processing system, wherein the substrate is transferred to a substrate processing apparatus.
処理工程と、 この基板処理工程後の基板を、請求項1ないし6のいず
れかに記載の基板支持部材で基板の下面を支持すること
によって基板を保持するハンドによって上記処理部から
搬出する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。24. A substrate processing step of performing processing on a substrate in a processing section, and the substrate after the substrate processing step is supported on a lower surface of the substrate by the substrate supporting member according to any one of claims 1 to 6. And carrying out the substrate from the processing section by a hand holding the substrate.
処理工程と、 複数の基板支持部材を有し、この複数の基板支持部材で
基板の下面を支持することによって基板を保持するハン
ドを上記処理部に対して進退移動させることにより、上
記基板処理工程後の基板を上記処理部から搬出する工程
とを含み、 上記複数の基板支持部材は、上記ハンドの上記処理部に
対する進退方向に関して異なる位置に配置されており、
各基板支持部材と基板の下面との間の熱交換量が、上記
進退方向前方側から上記進退方向後方側に向かうに従っ
て少なくなるように定められていることを特徴とする基
板処理方法。25. A substrate processing step of performing processing on a substrate in a processing unit, and a hand having a plurality of substrate support members and holding the substrate by supporting a lower surface of the substrate with the plurality of substrate support members. Moving the substrate after the substrate processing step out of the processing unit by moving the substrate back and forth with respect to the processing unit, wherein the plurality of substrate support members are different with respect to a direction in which the hand advances and retreats with respect to the processing unit. Is located in the position,
A substrate processing method, wherein the amount of heat exchange between each substrate support member and the lower surface of the substrate is determined so as to decrease from the front side in the advance / retreat direction to the rear side in the advance / retreat direction.
る加熱処理工程を含むことを特徴とする請求項24また
は25記載の基板処理方法。26. The substrate processing method according to claim 24, wherein the substrate processing step includes a heat processing step of heating the substrate.
塗布された未露光の基板に対して加熱処理を施す工程で
あることを特徴とする請求項26記載の基板処理方法。27. The substrate processing method according to claim 26, wherein said heat treatment step is a step of performing a heat treatment on an unexposed substrate having a resist applied on its upper surface.
第1基板処理工程と、 この第1基板処理工程後の基板を、請求項1ないし6の
いずれかに記載の基板支持部材で基板の下面を支持する
ことによって基板を保持する第1ハンドによって上記第
1処理部から搬出する工程と、 第2処理部内で基板に対して処理を施す第2基板処理工
程と、 この第2基板処理工程後の基板を、上記第1ハンドの基
板支持部材よりも太い線幅で基板の下面に対して当該基
板を支持する基板支持部材を備えた第2ハンドによって
上記第2処理部から搬出する工程とを含むことを特徴と
する基板処理方法。28. A first substrate processing step of performing processing on a substrate in a first processing section, and the substrate after the first substrate processing step is a substrate supporting member according to any one of claims 1 to 6. A step of unloading the substrate from the first processing unit by a first hand that holds the substrate by supporting the lower surface of the substrate, a second substrate processing step of performing processing on the substrate in the second processing unit, The substrate after the processing step is unloaded from the second processing unit by the second hand including the substrate supporting member that supports the substrate with respect to the lower surface of the substrate with a line width wider than the substrate supporting member of the first hand. And a substrate processing method.
第1基板処理工程と、 第1ハンドを上記第1処理部に対して進退させることに
よって、上記第1基板処理工程後の基板を上記第1処理
部から搬出する工程と、 第2処理部内で基板に対して処理を施す第2基板処理工
程と、 第2ハンドを上記第2処理部に対して進退させることに
よって、上記第2基板処理工程後の基板を上記第2処理
部から搬出する工程とを含み、 上記第1ハンドには、上記処理部に対する進退方向に関
して異なる位置に配置された複数の基板支持部材を有
し、各基板支持部材と基板の下面との間の熱交換量が、
上記進退方向前方側から上記進退方向後方側に向かうに
従って少なくなるように定められているハンドを用い、 上記第2ハンドには、上記処理部に対する進退方向に関
する位置によらずに基板の下面との熱交換量がほぼ等し
く定められた複数の基板支持部材を有するハンドを用い
ることを特徴とする基板処理方法。29. A first substrate processing step of performing processing on a substrate in a first processing section, and a substrate after the first substrate processing step by moving a first hand back and forth with respect to the first processing section. By carrying out processing of the substrate in the second processing unit; and moving the second hand forward and backward with respect to the second processing unit, And carrying out the substrate after the two-substrate processing step from the second processing unit. The first hand has a plurality of substrate support members arranged at different positions with respect to the advancing / retreating direction with respect to the processing unit. The amount of heat exchange between each substrate supporting member and the lower surface of the substrate,
A hand that is determined so as to decrease as it goes from the front to the rear in the forward / backward direction to the rearward to the rearward in the forward / backward direction. The second hand is connected to the lower surface of the substrate regardless of the position in the forward / backward direction with respect to the processing unit. A substrate processing method comprising using a hand having a plurality of substrate support members having substantially equal heat exchange amounts.
記第2処理部から基板を搬出する速さよりも遅い速さで
上記第1処理部から基板を搬出することを特徴とする請
求項28または29記載の基板処理方法。30. The first hand unloads a substrate from the first processing unit at a speed lower than a speed at which the second hand unloads a substrate from the second processing unit. 30. The substrate processing method according to 28 or 29.
された未露光の基板を加熱するものであり、 上記第2処理部は第1処理部で加熱された基板を冷却す
るものであることを特徴とする請求項28ないし30の
いずれかに記載の基板処理方法。31. The first processing section heats an unexposed substrate having a resist applied on the upper surface thereof, and the second processing section cools the substrate heated in the first processing section. The substrate processing method according to any one of claims 28 to 30, wherein:
トプレートを有し、上記第2処理部は基板が載置される
クールプレートを有することを特徴とする請求項31に
記載の基板処理方法。32. The apparatus according to claim 31, wherein the first processing section has a hot plate on which the substrate is placed, and the second processing section has a cool plate on which the substrate is placed. Substrate processing method.
ハイドベーク工程、レジスト塗布工程、プリベーク工
程、現像工程およびポストベーク工程を含むフォトリソ
グラフィプロセスのための方法であり、上記第1処理部
は、上記プリベーク工程を実行するものであり、上記第
2処理部は、上記デハイドベーク工程または上記ポスト
ベーク工程を実行するものであることを特徴とする請求
項28ないし30のいずれかに記載の基板処理方法。33. The substrate processing method is a method for a photolithography process including a substrate cleaning step, a dehydration baking step, a resist coating step, a pre-baking step, a developing step, and a post-baking step. 31. The substrate processing method according to claim 28, wherein the pre-bake step is performed, and wherein the second processing unit performs the de-hide bake step or the post-bake step. .
行された基板にパターンを露光する露光工程を有し、上
記現像工程は露光工程が実行された基板に対して実行さ
れることを特徴とする請求項33に記載の基板処理方
法。34. The substrate processing method according to claim 30, further comprising an exposure step of exposing a pattern on the substrate on which the pre-bake step has been performed, and wherein the developing step is performed on the substrate on which the exposure step has been performed. A substrate processing method according to claim 33.
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